專利名稱：用于驅(qū)動發(fā)光器件顯示器的方法和系統(tǒng)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及顯示器技術(shù)，具體而言涉及用于驅(qū)動發(fā)光器件顯示器的方法和系統(tǒng)。
背景技術(shù)：
由于與有源液晶顯示器相比具有優(yōu)點(diǎn)，所以最近利用非晶硅(a-Si)、多晶硅、有機(jī)或其他驅(qū)動底板的主動式矩陣有機(jī)發(fā)光二極管(active-matrix organic light-emittingdiode, AMOLED)已經(jīng)變得更加吸引人。利用a_Si底板的AMOLED顯示器例如具有以下優(yōu) 點(diǎn)包括低溫制造，所述低溫制造擴(kuò)展了不同基板的利用并使得靈活的顯示器成為可能，降低了制造成本。此外，OLED產(chǎn)生出具有寬視角的高分辨率顯示器。AMOLED顯示器包括像素行和列的陣列，每個(gè)都具有以行和列陣列排列的有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)和底板電子儀器。因?yàn)镺LED是電流驅(qū)動設(shè)備，所以AMOLED的像素電路應(yīng)該能夠提供精確的和恒定的驅(qū)動電流。圖I舉例說明了傳統(tǒng)的電壓程控AMOLED顯示器的傳統(tǒng)工作周期。在圖I中，“行i(i=l, 2，3) ”表示AMOLED顯示器的矩陣像素陣列的第i行。在圖I中，“C”表示補(bǔ)償電壓生成周期，在補(bǔ)償電壓生成周期中在像素電路的驅(qū)動晶體管的柵極-源極端子兩端生成補(bǔ)償電壓，“VT-GEN”表示Vt生成周期，在Vt生成周期中生成驅(qū)動晶體管的閾值電壓VT，“P”表示電流穩(wěn)定周期，在電流穩(wěn)定周期中通過向驅(qū)動晶體管的柵極施加程控的電壓的方式來調(diào)節(jié)像素電流，“D”表示驅(qū)動周期，在驅(qū)動周期中像素電路的OLED受由驅(qū)動晶體管控制的電流驅(qū)動。對AMOLED顯示器的每一行而言，工作周期包括補(bǔ)償電壓生成周期“C”、Vt生成周期“VT-GEN”、電流穩(wěn)定周期“P”和驅(qū)動周期“D”。一般而言，如圖I所示，對于矩陣結(jié)構(gòu)連續(xù)執(zhí)行這些工作周期。例如，對第一行(也就是行I)執(zhí)行整個(gè)程控周期(也就是“C”、“VT-GEN”和“P”)，然后對第二行(也就是行2)執(zhí)行。然而，因?yàn)閂t生成周期“VT-GEN”需要大量時(shí)間預(yù)算來生成驅(qū)動TFT的精確閾值電壓，所以該時(shí)序表(timing schedule)不能用于大面積顯示器。此外,執(zhí)行兩個(gè)額外的工作周期(也就是“C”和“VT-GEN”)導(dǎo)致大功率的消耗并且還需要額外的控制信號從而導(dǎo)致實(shí)施成本較高。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種消除或緩和現(xiàn)有系統(tǒng)的至少一個(gè)缺點(diǎn)的方法和系統(tǒng)。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，提供了一種顯示器系統(tǒng)，其包括具有以行列方式排列的多個(gè)像素電路的像素陣列。像素電路具有發(fā)光器件、電容器、開關(guān)晶體管和用于驅(qū)動發(fā)光器件的驅(qū)動晶體管。像素電路包括用于程控驅(qū)動晶體管的閾值的通路，以及用于生成驅(qū)動晶體管的閾值的第二通路。該系統(tǒng)包括用于提供程控?cái)?shù)據(jù)至像素陣列的第一驅(qū)動器；以及用于為一個(gè)或多個(gè)驅(qū)動晶體管控制驅(qū)動晶體管的閾值的生成的第二驅(qū)動器。第一驅(qū)動器和第二驅(qū)動器驅(qū)動像素陣列以獨(dú)立地實(shí)現(xiàn)程控和生成操作。根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供了一種用于驅(qū)動顯示器系統(tǒng)的方法。該顯示器系統(tǒng)包括具有以行列方式排列的多個(gè)像素電路的像素陣列。像素電路具有發(fā)光器件、電容器、開關(guān)晶體管和用于驅(qū)動發(fā)光器件的驅(qū)動晶體管。該像素電路包括用于程控驅(qū)動晶體管的閾值的通路，以及用于生成驅(qū)動晶體管的閾值的第二通路。該方法包括下述步驟為一個(gè)或多個(gè)驅(qū)動晶體管控制驅(qū)動晶體管的閾值的生成，獨(dú)立于控制步驟提供程控?cái)?shù)據(jù)至像素陣列。根據(jù)本發(fā)明的又一方面，提供了一種顯示器系統(tǒng)，其包括包括以行列方式排列的多個(gè)像素電路的像素陣列，像素電路具有發(fā)光器件、電容器、開關(guān)晶體管以及用于驅(qū)動發(fā)光 器件的驅(qū)動晶體管。該系統(tǒng)包括第一驅(qū)動器，用于提供程控?cái)?shù)據(jù)至像素陣列；以及第二驅(qū)動器，用于生成每一個(gè)像素電路的老化系數(shù)并將其存儲到相應(yīng)的像素電路中，以及根據(jù)所存儲的老化系數(shù)程控和驅(qū)動多個(gè)幀的行中的像素電路。像素陣列被分成多個(gè)分段。受用于生成老化系數(shù)的第二驅(qū)動器驅(qū)動的至少一個(gè)信號線被分段所共用。根據(jù)本發(fā)明的又一方面，提供了一種用于驅(qū)動顯示器系統(tǒng)的方法。該顯示器系統(tǒng)包括具有以行列方式排列的多個(gè)像素電路的像素陣列。像素電路具有發(fā)光器件、電容器、開關(guān)晶體管和用于驅(qū)動發(fā)光器件的驅(qū)動晶體管。像素陣列被分成多個(gè)分段。該方法包括下述步驟利用分段信號生成每一個(gè)像素電路的老化系數(shù)并將老化系數(shù)存儲到每行的對應(yīng)像素電路中，分段信號被每個(gè)分段所共用；以及根據(jù)所存儲的老化系數(shù)程控和驅(qū)動多個(gè)幀的行中的像素電路。本發(fā)明內(nèi)容未必描述了本發(fā)明的全部特征。


參照附圖，通過以下的說明，本發(fā)明的這些及其他特征將變成更加顯而易見，其中圖I舉例說明了傳統(tǒng)的AMOLED顯示器的傳統(tǒng)工作周期；圖2舉例說明了根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的穩(wěn)定運(yùn)行的發(fā)光顯示器的并行時(shí)序表的實(shí)例；圖3舉例說明了根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的穩(wěn)定運(yùn)行的發(fā)光顯示器的并行時(shí)序表的實(shí)例；圖4舉例說明了圖2和3的時(shí)序表的AMOLED顯示器陣列結(jié)構(gòu)的實(shí)例；圖5舉例說明了電壓程控像素電路的實(shí)例，其中分段時(shí)序表和并行時(shí)序表適用于電壓程控像素電路。圖6舉例說明了應(yīng)用于圖5的像素電路的時(shí)序表的實(shí)例；圖7舉例說明了電壓程控像素電路的另一個(gè)實(shí)例，其中分段時(shí)序表和并行時(shí)序表適用于該電壓程控像素電路；圖8舉例說明了應(yīng)用于圖7的像素電路的時(shí)序表的實(shí)例；圖9舉例說明了根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的用于發(fā)光顯示器的共享信令尋址方案(sharedsignaling addressing scheme)的實(shí)例；圖10舉例說明了像素電路的實(shí)例，其中共享信令尋址方案適用于該像素電路；圖11舉例說明了應(yīng)用于圖10的像素電路的時(shí)序表的實(shí)例；圖12舉例說明了圖10的像素電路的像素電流穩(wěn)定性；圖13舉例說明了像素電路的另一個(gè)實(shí)例，其中共享信令尋址方案適用于該像素電路；圖14舉例說明了應(yīng)用于圖13的像素電路的時(shí)序表的實(shí)例；
圖15舉例說明了用于圖10的像素電路的AMOLED顯示器陣列結(jié)構(gòu)的實(shí)例；圖16舉例說明了用于圖13的像素電路的AMOLED顯示器陣列結(jié)構(gòu)的實(shí)例；圖17舉例說明了像素電路的又一個(gè)實(shí)例，其中共享信令尋址方案適用于該像素電路；圖18舉例說明了應(yīng)用于圖17的像素電路的時(shí)序表的實(shí)例；圖19舉例說明了用于圖17的像素電路的AMOLED顯示器陣列結(jié)構(gòu)的實(shí)例；圖20舉例說明了像素電路的又一個(gè)實(shí)例，其中共享信令尋址方案適用于該像素電路；圖21舉例說明了應(yīng)用于圖20的像素電路的時(shí)序表的實(shí)例；以及圖22舉例說明了用于圖20的像素電路的AMOLED顯示器陣列結(jié)構(gòu)的實(shí)例。
具體實(shí)施例方式本發(fā)明描述了這樣一種實(shí)施例，該實(shí)施例利用具有發(fā)光器件以及多個(gè)晶體管的像素電路，所述發(fā)光器件諸如有機(jī)發(fā)光二極管(organic light emitting diode,OLED)之類，所述晶體管諸如薄膜晶體管(thin film transistors, TFT)之類，以行列方式排列來構(gòu)成AMOLED顯示器。像素電路可以包括OLED的像素驅(qū)動器。然而，像素可以包括除OLED以外的任何發(fā)光器件，像素可以包括除TFT以外的任何晶體管。像素電路中的晶體管可以是N型晶體管、P型晶體管或者其組合。像素中的晶體管可以利用非晶硅、納米/微米晶體硅、多晶硅(poly silicon)、有機(jī)半導(dǎo)體技術(shù)(例如有機(jī)TFT)、NM0S/PM0S技術(shù)或者CMOS技術(shù)(例如M0SFET)。在說明書中，“像素電路”和“像素”可以交替使用。像素電路可以是電流程控像素或者電壓程控像素，在以下的說明書中，“信號”和“行”可以交替使用。本發(fā)明的實(shí)施例涉及用于生成驅(qū)動TFT的精確閾值電壓的技術(shù)。結(jié)果，盡管例如由于像素老化以及流程變化的緣故導(dǎo)致像素元件的特征改變，但仍能生成穩(wěn)定電流。其改善了 OLED的亮度穩(wěn)定性。同時(shí)其還減少了功率消耗和信號，從而導(dǎo)致實(shí)施成本的降低。詳細(xì)描述分段時(shí)序表和并行時(shí)序表。這些時(shí)序表擴(kuò)展了用于生成驅(qū)動晶體管的閾值電壓Vt的周期的時(shí)間預(yù)算。如下所述，顯示器陣列中的行被分段，工作周期被分成多種類別，例如兩種類別。例如，第一種類別包括補(bǔ)償周期和Vt生成周期，而第二種類別包括電流調(diào)整周期和驅(qū)動周期。對每個(gè)分段連續(xù)地執(zhí)行每種類別的工作周期，同時(shí)對兩個(gè)相鄰分段執(zhí)行兩種類別。例如，當(dāng)連續(xù)地對第一分段執(zhí)行電流調(diào)整和驅(qū)動周期時(shí)，對第二分段執(zhí)行補(bǔ)償和Vt生成周期。圖2舉例說明了根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的用于穩(wěn)定工作的發(fā)光顯示器的分段時(shí)序表的實(shí)例。在圖2中，“行k” (k=l, 2，3， ，j，j+1，j+2)表示顯示器陣列的第k行，箭頭顯示了執(zhí)行方向。對每一行，圖2的時(shí)序表包括補(bǔ)償電壓生成周期“C”、Vt生成周期“VT-GEN”、電流調(diào)整周期“D”以及驅(qū)動周期“P”。圖2的時(shí)序表在不影響程控時(shí)間的情況下擴(kuò)展Vt生成周期“VT-GEN”。為了達(dá)到這一點(diǎn)，顯示器陣列的行被分類為幾個(gè)分段，其中圖2的分段尋址方案適用于該顯示器陣列的行。每個(gè)分段因此包括在其中執(zhí)行Vt生成周期的行。在圖2中，行1，行2，行3，...，和行j處于顯示器陣列多個(gè)行的一個(gè)分段中。每個(gè)分段的程控開始于執(zhí)行第一和第二個(gè)工作周期“C”以及“VT-GEN”。然后，對整個(gè)分段預(yù)形成電流校準(zhǔn)周期“P”。結(jié)果，\生成周期“VT-GEN”的時(shí)間預(yù)算延至j. T p，其中j是每個(gè)分段中的行數(shù)，Tp是第一個(gè)工作周期“C”(或者電流調(diào)整周期)的時(shí)間預(yù)算。此外，幀時(shí)間T F是ZXnX T p，其中n是顯示器中的行數(shù)，Z是分段中重復(fù)次數(shù)的函數(shù)。例如，在圖2中，Vt生成始于分段的第一行并進(jìn)行到最后一行(第一次重復(fù))，然后程 控從第一行開始并進(jìn)行到最后一行(第二次重復(fù))。因此，Z被設(shè)置為2。如果重復(fù)次數(shù)增加，那么幀時(shí)間將變成ZXnX T p，其中Z是重復(fù)次數(shù)并可以大于2。圖3舉例說明了根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的用于穩(wěn)定運(yùn)行的發(fā)光顯示器的并行時(shí)序表的實(shí)例。在圖3中，“行k” (k=l, 2，3， ，j，j+1)表示顯示器陣列的第k行。類似于圖2，圖4的時(shí)序表包括每行的補(bǔ)償電壓生成周期“C”、Vt生成周期“VT-GEN”、電流調(diào)整周期“P”以及驅(qū)動周期“D”。圖3的時(shí)序表擴(kuò)展Vt生成周期“VT-GEN”的時(shí)間預(yù)算，而t p被保存為t F/n，其中T p是第一工作周期“C”的時(shí)間預(yù)算，Tf是幀時(shí)間，n是顯示器陣列中的行數(shù)。在圖3中，行i至行^處于顯示器陣列多個(gè)行的分段中。根據(jù)以上尋址方案，每個(gè)分段的電流調(diào)整周期“P”并行于下一個(gè)分段的第一工作周期“C”被預(yù)形成。因此，顯示器陣列被設(shè)計(jì)成能支持并行操作，也就是具有能獨(dú)立地執(zhí)行不同周期而不會彼此影響的能力，例如補(bǔ)償和生成程控的Vt以及電流調(diào)整。圖4舉例說明了用于圖2和3的時(shí)序表的AMOLED顯示器陣列結(jié)構(gòu)的實(shí)例。在圖4中,SEL[a] (a= I, . . . , m)表示用于選擇行的選擇信號，CTRL[b] (b=l, . . . , m)表示用于在行的每一個(gè)像素處生成驅(qū)動TFT的閾值電壓的控制信號，VDATA[c] (c=l, . . .，n)表示用于提供程控?cái)?shù)據(jù)的數(shù)據(jù)信號。圖4的AMOLED顯示器10包括多個(gè)以行列方式排列的像素電路12，用于控制SEL[a]和CTRL[b]的地址驅(qū)動器14以及用于控制VDATA[c]的數(shù)據(jù)驅(qū)動器16。如上所述像素電路12的行(例如,行1，...，行和行...，行J是分段的。為了并行地實(shí)現(xiàn)某些周期，AMOLED顯示器10被設(shè)計(jì)成能支持并行操作。圖5舉例說明了像素電路的一個(gè)實(shí)例，其中分段時(shí)序表和并行時(shí)序表適用于該像素電路。圖5的像素電路50包括0LED52、存儲電容器54、驅(qū)動TFT56和開關(guān)TFT58和60。選擇線SELl與開關(guān)TFT58的柵極端子相連接。選擇線SEL2與開關(guān)TFT 60的柵極端子相連接。開關(guān)TFT 58的第一端子與數(shù)據(jù)線VDATA相連接，開關(guān)TFT 58的第二端子與驅(qū)動TFT56的柵極端子在結(jié)點(diǎn)Al相連接。開關(guān)TFT 60的第一端子與結(jié)點(diǎn)Al相連接，開關(guān)TFT 60的第二端子與接地線相連接。驅(qū)動TFT 56的第一端子與可控電源電壓VDD相連接，驅(qū)動TFT 56的第二端子與0LED52的陽極在結(jié)點(diǎn)BI處相連接。存儲電容器54的第一端子與結(jié)點(diǎn)Al相連接，存儲電容器54的第二端子與結(jié)點(diǎn)BI相連接。像素電路50可以與分段時(shí)序表、并行時(shí)序表及其組合一起被利用。 通過晶體管56和60生成Vt，同時(shí)通過VDATA線由晶體管58執(zhí)行電流調(diào)整。因此，該像素能夠?qū)崿F(xiàn)并行操作。圖6舉例說明了應(yīng)用于像素電路50的時(shí)序表的實(shí)例。在圖7中，“X11”、“X12”、“X13”和“X14”表示工作周期。Xll與圖2和3的“C”對應(yīng)，X12與圖2和3的“VT-GEN”對應(yīng)，X13與圖2和3的“P”對應(yīng)，X14與圖2和3的“D”對應(yīng)。參照圖5和6，存儲電容器54在第一工作周期XlI期間被充電至負(fù)電壓(-Vcomp)，同時(shí)驅(qū)動TFT 56的柵極電壓是零。在第二工作周期X12期間，結(jié)點(diǎn)BI被充電至-Vt，其中Vt是驅(qū)動TFT 56的閾值。因?yàn)橥ㄟ^開關(guān)晶體管60而不是通過開關(guān)晶體管58被預(yù)執(zhí)行，所以該周期X12可以被執(zhí)行但不會影響數(shù)據(jù)線VDATA，從而可以為其它行執(zhí)行其他工作周期。在第三工作周期X13期間，結(jié)點(diǎn)Al被充電至程控電壓VP，導(dǎo)致Vcb=Vi^Vt，其中Vffi表示驅(qū)動TFT 56的柵極-源極電壓。
圖7舉例說明了像素電路的另一個(gè)實(shí)例，其中分段時(shí)序表和并行時(shí)序表適用于該像素電路。圖7的像素電路70包括0LED72、存儲電容器74和76、驅(qū)動TFT78和開關(guān)TFT80、82和84。第一選擇線SELl與開關(guān)TFT80和82的柵極端子相連接。第二選擇線SEL2與開關(guān)TFT 84的柵極端子相連接。開關(guān)TFT 80的第一端子與0LED72的陰極相連接，開關(guān)TFT80的第二端子與驅(qū)動TFT 78的柵極端子在結(jié)點(diǎn)A2相連接。開關(guān)TFT 82的第一端子與結(jié)點(diǎn)B2相連接，開關(guān)TFT 82的第二端子與接地線相連接。開關(guān)TFT 84的第一端子與數(shù)據(jù)線VDATA相連接，開關(guān)TFT 84的第二端子與結(jié)點(diǎn)B2相連接。存儲電容器74的第一端子與結(jié)點(diǎn)A2相連接，存儲電容器74的第二端子與結(jié)點(diǎn)B2相連接。存儲電容器76的第一端子與結(jié)點(diǎn)B2相連接，存儲電容器76的第二端子與接地線相連接。驅(qū)動TFT 78的第一端子與0LED72的陰極相連接，驅(qū)動TFT 78的第二端子與接地線相連接。0LED72的陽極與可控電源電壓VDD相連接。像素電路70具有采用分段時(shí)序表、并行時(shí)序表及其組合的能力。通過晶體管78、80和82生成Vt，同時(shí)通過VDATA線由晶體管84執(zhí)行電流調(diào)整。因此，該像素能夠?qū)崿F(xiàn)并行操作。圖8舉例說明了應(yīng)用于像素電路70的時(shí)序表的實(shí)例。在圖8中，“X21”、“X22”、“X23”和“X24”表示工作周期。X21與圖2和3的“C”對應(yīng)，X22與圖2和3的“VT-GEN”對應(yīng)，X23與圖2和3的“P”對應(yīng)，X24與圖2和3的“D”對應(yīng)。參照圖7和8,像素電路70采用自引導(dǎo)作用(bootstrapping effect)來將程控電壓增加到所存儲的Vt上，其中Vt是驅(qū)動TFT 78的閾值電壓。在第一工作周期x21期間，結(jié)點(diǎn)A2被充入補(bǔ)償電壓VDD-Vmd,其中Vmd是0LED72的電壓，節(jié)點(diǎn)B2被放電為接地。在第二工作周期X22期間，結(jié)點(diǎn)A2的電壓被充電至驅(qū)動TFT 78的VT。在第三工作周期X23中發(fā)生電流調(diào)整，其中在第三工作周期X23期間結(jié)點(diǎn)B2被充電至程控電壓Vp以便結(jié)點(diǎn)A2被充電至VP+VT。如上所述分段時(shí)序表和并行時(shí)序表為像素電路提供了充足的時(shí)間以生成驅(qū)動TFT的精確閾值電壓。結(jié)果，盡管像素老化、流程變化或者其組合，但仍生成穩(wěn)定的電流。工作周期被分段分享以便分段中一行的程控周期與分段中另一行的程控周期相重疊。因此，無論顯示器的尺寸多少，它們都可以保持高顯示速度。詳細(xì)描述共享信令尋址方案。根據(jù)共享信令尋址方案，顯示器陣列中的行被分成幾個(gè)分段。像素電路的老化系數(shù)(例如驅(qū)動TFT的閾值電壓、OLED電壓)被存儲在像素中。所存儲的老化系數(shù)用于多個(gè)幀。生成老化系數(shù)所需的一個(gè)或多個(gè)信號共用于分段中。例如，對每個(gè)分段同 時(shí)生成驅(qū)動TFT的閾值電壓VT。然后，分段被執(zhí)行正常操作。生成閾值電壓(例如，圖10的VSS)所需的除數(shù)據(jù)線和選擇線之外的所有額外信號共用于每個(gè)分段中的行。因?yàn)門FT的泄放電流很小，所以利用合理的存儲電容器來存儲Vt會導(dǎo)致不頻繁的補(bǔ)償周期。結(jié)果，能量消耗急劇減少。因?yàn)橹鸲螆?zhí)行Vt生成周期，所以分配給Vt生成周期的時(shí)間被分段中的行數(shù)所擴(kuò)展從而生成更精確的補(bǔ)償。因?yàn)镾i:TFT的泄放電流很小(例如，大約10_14)，所以所生成的Vt可以被存儲在電容器中并供幾個(gè)其他幀使用。結(jié)果，在下一個(gè)后期補(bǔ)償幀期間的工作周期被減少為程控和驅(qū)動周期。因此，與外部驅(qū)動器有關(guān)的以及與充電/放電寄生電容有關(guān)的功率消耗被在相同的幾個(gè)幀之間分配。圖9舉例說明了根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的用于發(fā)光顯示器的共享信令尋址方案的實(shí)例。共享信令尋址方案降低了接口和驅(qū)動器的復(fù)雜性。共享信令尋址方案所適用的顯示器陣列被分成幾個(gè)分段，類似于圖2和3的那些。在圖9中，“行[j, k] ” (k=l, 2，3， ，h)表示第j個(gè)分段中的第k行，“h”是每個(gè)分段中的行數(shù)，“L”是使用相同的生成Vt的幀數(shù)。在圖9中，“行[j, k] ” (k=l, 2，3， ，h)處于一個(gè)分段中，“行[j_l，k]”(k=l，2，3，...，h)處于另一個(gè)分段中。圖9的時(shí)序表包括補(bǔ)償周期“C&VT-GEN”(例如圖9的301 )、程控周期“P”和驅(qū)動周期“D”。除顯示器的正常操作以及作為正常操作幀的L-I后期補(bǔ)償幀周期304之外，補(bǔ)償間隔300還包括幀生成周期302，以及補(bǔ)償周期“C&VT-GEN”(例如圖9的301)，其中在幀生成周期302期間驅(qū)動TFT的閾值電壓被生成并被存儲在像素內(nèi)部。幀生成周期302包括一個(gè)程控周期“P”和一個(gè)驅(qū)動周期“D”。L-I后期補(bǔ)償幀周期304包括一組連續(xù)的程控周期“P”和驅(qū)動周期“D”。如圖9所示，每行的驅(qū)動周期開始于前一行的Tp延遲，其中是Tp是分配給程控周期“P”的時(shí)間預(yù)算。最后一幀的驅(qū)動周期“D”的時(shí)間被減少，每一行被減少了 i*Tp，其中“i”是分段中那個(gè)行之前的行數(shù)(例如，對[j，h]而言是(h-1))。因?yàn)門 p (例如，大約IOu s)比幀時(shí)間(例如，大約16ms)小很多，所以等待時(shí)間的影響是可以忽略的。然而，為了使該影響最小化，每次可以改變程控方向，以便由于等待時(shí)間所導(dǎo)致的平均亮度損失變得所有行都相等，或者考慮到在補(bǔ)償周期前后對幀的程控電壓的該影響。例如，在每個(gè)Vt生成周期(也就是程控從頂端至底部還是從底部至頂端重復(fù))之后程控行的序列可以被改變。圖10舉例說明了像素電路的實(shí)例，其中共享信令尋址方案適用于所述實(shí)例。圖10的像素電路90包括0LED92、存儲電容器94和96、驅(qū)動TFT 98以及開關(guān)TFT 100、102和104。像素電路90類似于圖7的像素電路70。驅(qū)動TFT 98、開關(guān)TFT 100以及第一存儲電容器94在結(jié)點(diǎn)A3相連接。開關(guān)TFT 102和104以及第一和第二存儲電容器94和96在結(jié)點(diǎn)B3相連接。0LED92、驅(qū)動TFT 98和開關(guān)TFT 100在結(jié)點(diǎn)C3相連接。開關(guān)TFT102、第二存儲電容器96和驅(qū)動TFT 98與可控電源電壓VSS相連接。圖11舉例說明了應(yīng)用于像素電路90的時(shí)序表的實(shí)例。在圖11中，“X31”、“X32”、“X33”、“X34”和“X35”表示工作周期。X31、X32和X33與補(bǔ)償周期(例如圖9的301)對應(yīng)，X34與圖9的“P”對應(yīng)，X35與圖9的“D”對應(yīng)。參照圖10和11,像素電路90采用自引導(dǎo)作用(bootstrapping effect)來將程控電壓增加至所生成的Vt，其中Vt是驅(qū)動TFT98的閾值電壓。補(bǔ)償周期(例如圖9的301)包括前三個(gè)周期X31、X32和X33。在第一工作周期X31期間，結(jié)點(diǎn)A3被充電至補(bǔ)償電壓VDD-Vmd。第一工作周期X31的時(shí)間很小以控制無用發(fā)射的影響。在第二工作周期X32期間，VSS上升至高正壓Vl (例如，V1=20V)，因此結(jié)點(diǎn)A3被自引導(dǎo)至高壓，結(jié)點(diǎn)C3上升至VI，導(dǎo)致關(guān)閉0LED92。在第三工作周期X33期間，結(jié)點(diǎn)A3的電壓被通過開關(guān)TFT100和驅(qū)動TFT98放電，并被降至V2+VT，其中Vt是驅(qū)動TFT98的閾值電壓，V2例如是16V。在電流穩(wěn)定周期以前，VSS變?yōu)榱?，并且?jié)點(diǎn)A3變?yōu)閂T。程控電壓Vrc通過在第四工作周期X34期間自引導(dǎo)的方式被添加至所生成的Vt上。電流調(diào)整發(fā)生在第四工作周期X34，在第四工作周期X34期間結(jié)點(diǎn)B3被充電至程控電壓Vrc (例如，Vrc=6V)。因此結(jié)點(diǎn)A3處的電壓變?yōu)閂rc+VT， 從而生成獨(dú)立于Vt的過載電壓。在第五周期X35 (驅(qū)動周期)期間像素電路的電流變得與Vt變換無關(guān)。在這里，第一存儲電容器94用來存儲在Vt生成間隔期間的Vt。圖12舉例說明了圖10的像素電路90的像素電流穩(wěn)定性。在圖12中，“ AVT”表示驅(qū)動TFT (例如，圖10的98)的閾值電壓的變化，“Ipixel誤差(％)”表示由AVt引起的像素電流的變化。如圖12所示，即使在驅(qū)動TFT的Vt發(fā)生2V的變化之后，圖10的像素電路90也提供了聞度穩(wěn)定的電流。圖13舉例說明了像素電路的另一個(gè)實(shí)例，其中共享信令尋址方案適用于所述實(shí)例。圖13的像素電路110類似于圖10的像素電路90，然而，其包括兩個(gè)開關(guān)TFT。像素電路110包括0LED112、存儲電容器114和116、驅(qū)動TFT118和開關(guān)TFT120和122。驅(qū)動TFT118、開關(guān)TFT120和第一存儲電容器114在結(jié)點(diǎn)A4相連接。開關(guān)TFT122以及第一和第二存儲電容器114和116在結(jié)點(diǎn)B4相連接。OLEDl 12的陰極、驅(qū)動TFT118和開關(guān)TFT120在結(jié)點(diǎn)C4相連接。第二存儲電容器116和驅(qū)動TFTl 18與可控電源電壓VSS相連接。圖14舉例說明了應(yīng)用于像素電路110的時(shí)序表的實(shí)例。在圖15中，“X41”、“X42”、“X43”、“X44”和“X45”表示工作周期。X4UX42和X43與補(bǔ)償周期(例如圖9的301)對應(yīng)，X44與圖9的“P”對應(yīng)，X45與圖9的“D”對應(yīng)。參照圖13和14，像素電路110使用自引導(dǎo)作用來將程控電壓添加至生成的Vt中。補(bǔ)償周期(例如圖9的301)包括前三個(gè)周期X41、X42和X43。在第一工作周期X41期間，結(jié)點(diǎn)A4被充電至補(bǔ)償電壓VDD-V_d。第一工作周期X41的時(shí)間很小以控制無用發(fā)射的影響。在第二工作周期X42期間，VSS上升至高正壓Vl (例如，V1=20V),因此結(jié)點(diǎn)A4被自引導(dǎo)至高壓，結(jié)點(diǎn)C4也上升至VI，導(dǎo)致斷開0LED112。在第三工作周期X43期間，結(jié)點(diǎn)A4的電壓被通過開關(guān)TFT120和驅(qū)動TFTl 18放電，并被降至V2+VT，其中Vt是驅(qū)動TFTl 18的閾值電壓，V2例如是16V。在電流穩(wěn)定周期以前，VSS變?yōu)榱?，并且?jié)點(diǎn)A4變?yōu)閂T。程控電壓Vpe通過在第四工作周期X44期間自引導(dǎo)的方式被添加至所生成的VT。電流調(diào)整發(fā)生在第四工作周期X44，在第四工作周期X44期間結(jié)點(diǎn)B4被充電至程控電壓Vrc (例如，Vrc=6V)。因此結(jié)點(diǎn)A4的電壓變?yōu)閂rc+VT，從而生成獨(dú)立于Vt的過載電壓。在第五周期X45 (驅(qū)動周期)期間像素電路的電流變得與Vt變換無關(guān)。在這里，第一存儲電容器114用來存儲在Vt生成間隔期間的VT。圖15舉例說明了用于圖10的像素電路的AMOLED顯示器結(jié)構(gòu)的實(shí)例。在圖15中，GSEL [a] (a=l,. . . , k)與圖 10 的 SEL2 對應(yīng)，SELl [b] (b=l,. . . , m)與圖 10 的 SELl 對應(yīng)，GVSS [c] (c=l, ，k)與圖 10 的 VSS 對應(yīng)，VDATA[d] (d=l， ，n)與圖 10 的 VDATA 對應(yīng)。圖15的AMOLED顯示器200包括多個(gè)以行和列方式排列的像素電路90、用于控制GSEL[a]、SELl [b]和GVSS[c]的地址驅(qū)動器204、以及用于控制VDATA[s]的數(shù)據(jù)驅(qū)動器206。像素電路90的行如上所述被分段。在圖15中，作為實(shí)例顯示了分段[I]和分段[k]。參照圖10和15，一個(gè)分段中的行的SEL2和VSS信號彼此聯(lián)通并形成GSEL和GVSS信號。圖16舉例說明了用于圖14的像素電路的AMOLED顯示器結(jié)構(gòu)的實(shí)例。在圖17中，GSEL [a] (a=l,. . . , k)與圖 14 的 SEL2 對應(yīng)，SELl [b] (b=l,. . . , m)與圖 14 的 SELl 對應(yīng)，GVSS [c] (c=l,. . . , k)與圖 14 的 VSS 對應(yīng)，VDATA [d] (d=l，...，n)與圖 14 的 VDATA 對應(yīng)。圖16的AMOLED顯示器210包括多個(gè)以行和列的方式排列的像素電路110、用于控制GSEL [a]、SELl [b]和GVSS[c]的地址驅(qū)動器214、以及用于控制VDATA[s]的數(shù)據(jù)驅(qū)動器216。像素電路110的行如上所述被分段。在圖15中，作為實(shí)例顯示了分段[I]和分段[k]。
參照圖14和16，一個(gè)分段中行的SEL2和VSS信號彼此聯(lián)通并形式GSEL和GVSS信號。參照圖15和16，顯示器陣列通過在物理相鄰的行之間共享VSS和GSEL信號的方式可以減少它的區(qū)域。此外，相同分段中的GVSS和GSEL被合并，并形成分段的GVSS和GSEL線。因此，控制信號被減少。此外，驅(qū)動信號的塊數(shù)也被減少，從而導(dǎo)致功率消耗降低以及實(shí)施成本降低。圖17舉例說明了像素電路的另一個(gè)實(shí)例，其中共享信令尋址方案適用于所述實(shí)例。圖17的像素電路包括0LED132、存儲電容器134和136、驅(qū)動TFT138、以及開關(guān)TFT140、142和144。第一選擇線SEL與開關(guān)TFT142的柵極端子相連接。第二選擇線GSEL與開關(guān)TFT144的柵極端子相連接。GCOMP信號線與開關(guān)TFT140的柵極端子相連接。開關(guān)TFT140的第一端子與結(jié)點(diǎn)A5相連接，開關(guān)TFT140的第二端子與結(jié)點(diǎn)C5相連接。驅(qū)動TFT138的第一端子與結(jié)點(diǎn)C5相連接，驅(qū)動TFT138的第二端子與OLED132的陽極相連接。開關(guān)TFT142的第一端子與數(shù)據(jù)線VDATA相連接，開關(guān)TFT 142的第二端子與結(jié)點(diǎn)B5相連接。開關(guān)TFT144的第一端子與電源電壓VDD相連接，開關(guān)TFT144的第二端子與結(jié)點(diǎn)C5相連接。第一存儲電容器134的第一端子與結(jié)點(diǎn)A5相連接,第一存儲電容器134的第二端子與結(jié)點(diǎn)B5相連接。第二存儲電容器136的第一端子與結(jié)點(diǎn)B5相連接，第二存儲電容器136的第二端子與VDD相連接。圖18舉例說明了應(yīng)用于像素電路130的時(shí)序表的實(shí)例。在圖18中，工作周期X51、X52、X53和X54形成幀生成周期(例如圖9的302)，第二工作周期X53和X54形成后期補(bǔ)償幀周期(例如，圖9的304)。X53和X54是正常工作周期，而其余的是補(bǔ)償周期。參照圖17和18，像素電路130使用自引導(dǎo)作用以將程控電壓添加至生成的Vt上，其中Vt是驅(qū)動TFT 138的閾值電壓。補(bǔ)償周期(例如圖9的301)包括開始兩個(gè)周期X51和X52。在第一工作周期X51期間，結(jié)點(diǎn)A5被充電至補(bǔ)償電壓，結(jié)點(diǎn)B5被通過開關(guān)TFT 142和VDATA充電至VKEF。第一工作周期X51的時(shí)間很小以控制無用發(fā)射的影響。在第二工作周期X52期間，GSEL變?yōu)闉榱?，因此其斷開開關(guān)TFT 144。結(jié)點(diǎn)A5處的電壓通過開關(guān)TFT 140和驅(qū)動TFT 138被放電，并下降至V_+VT，其中V_是OLED 132的電壓，Vt是驅(qū)動TFT 138的閾值電壓。在程控周期期間，也就是在第三工作周期X53期間，結(jié)點(diǎn)B5被充電至VP+VKEF，其中Vp是程控電壓。因此驅(qū)動TFT 138的柵極電壓變成V_D+VT+VP。在這里，第一存儲電容器134用來存儲補(bǔ)償間隔期間的VT+V_D。圖19舉例說明了用于圖17的像素電路130的AMOLED顯示器陣列結(jié)構(gòu)的實(shí)例。在圖 19 中，GSEL[a] (a= I,…，k)與圖 17 的 GSEL 對應(yīng)，SEL[b] (b=l, ，m)與圖 17 的 SELl對應(yīng)，GCMP[c] (c=l, ，k)與圖 17 的 GCOMP 對應(yīng)，VDATA[d] (d=l,. . ，n)與圖 17 的 VDATA對應(yīng)。圖19的AMOLED顯示器220包括以行和列方式排列的多個(gè)像素電路130、用于控制SEL[a],GSEL[b]和GC0MP[c]的地址驅(qū)動器224以及用于控制VDATA[c]的數(shù)據(jù)驅(qū)動器226。如上所述，像素電路130的行被分段(例如，分段[I]和分段[k])。如圖17和19所示，一個(gè)分段中的GSEL和GCOMP信號彼此相連接并形成GSEL和GCOMP線。GSEL和GCOMP信號被以分段的形式所共用。此外，相同分段中的GVSS和GSEL被合并，并形成分段的GVSS和GSEL線。因此，控制信號被減少。此外，驅(qū)動信號的塊數(shù)也 被減少，導(dǎo)致功率消耗降低以及實(shí)施成本降低。
圖20舉例說明了像素電路的另一個(gè)實(shí)例，其中共享尋址方案適用于所述實(shí)例。圖20的像素電路150類似于圖17的像素電路130。像素電路150包括OLED152、存儲電容器154和156、驅(qū)動TFT158、以及開關(guān)TFT160、162和164。開關(guān)TFT164的柵極端子與可控電源電壓VDD相連接，而不是GSEL。驅(qū)動TFT158、開關(guān)TFT162和第一存儲電容器154在結(jié)點(diǎn)A6相連接。開關(guān)TFT 162以及第一和第二存儲電容器154和156在結(jié)點(diǎn)B6相連接。驅(qū)動TFT158以及開關(guān)TFT160和164與結(jié)點(diǎn)C6相連接。圖21舉例說明了應(yīng)用于像素電路150的時(shí)序表的實(shí)例。在圖21中，工作周期X61、X62、X63和X64形成幀生成周期(例如圖9的302)，第二工作周期X63和X64形成后期補(bǔ)償幀周期(例如圖9的304)。參照圖20和21，像素電路150使用自引導(dǎo)作用來將程控電壓添加至生成的Vt上，其中Vt是驅(qū)動TFT158的閾值電壓。補(bǔ)償周期(例如圖9的301)包括前兩個(gè)周期X61和X62。在第一工作周期X61期間，結(jié)點(diǎn)A6被充電至補(bǔ)償電壓，結(jié)點(diǎn)B6被通過開關(guān)TFT162和VDATA被充電至￥_。第一工作周期x61的時(shí)間很小以控制無用發(fā)射的影響。在第二工作周期x62期間，VDD變?yōu)榱?，因此其關(guān)掉開關(guān)TFT164。結(jié)點(diǎn)A6的電壓通過開關(guān)TFT160和驅(qū)動TFT158被放電，并被降為V_+VT，其中V_是0LED152的電壓，Vt是驅(qū)動TFT158的閾值電壓。在程控周期期間，也就是在第三工作周期x63期間，結(jié)點(diǎn)B6被充電至VP+VKEF，其中Vp是程控電壓。其已經(jīng)被識別，因此驅(qū)動TFT 158的柵極電壓變成V_D+VT+VP。在這里，第一存儲電容器154用來存儲補(bǔ)償間隔期間的VT+V_。圖22舉例說明了用于圖20的像素電路150的AMOLED顯示器陣列結(jié)構(gòu)的實(shí)例。在圖 22 中，SEL[a] (a= I, ，m)與圖 22 的 SEL 對應(yīng)，GCMP[b] (b=l,…，k)與圖 22 的 GCOMP對應(yīng)，GVDD [c] (c=l, ，k)與圖 22 的 VDD 對應(yīng)，VDATA[d] (d=l， ，k)與圖 22 的 VDATA對應(yīng)。圖22的AMOLED顯示器230包括以行和列方式排列的多個(gè)像素電路150、用于控制SEL[a]、GCOMP[b]和GVDD[c]的地址驅(qū)動器234以及用于控制VDATA[c]的數(shù)據(jù)驅(qū)動器236。如上所述像素，電路330的行被分段(例如，分段[I]和分段[k])。參照圖20和22，一個(gè)分段中行的VDD和GCOMP信號彼此相連并形成GVDD和GCOMP線。在分段中GVDD和GCOMP信號被共用。此外，相同分段中的GVDD和GCOMP被合并，并形成分段的GVDD和GCOMP線。因此，控制信號被減少。此外，驅(qū)動信號的塊數(shù)也減少，導(dǎo)致功率消耗降低和實(shí)施成本降低。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，在分段中共用工作周期以生成驅(qū)動TFT的精確的閾值電壓。這降低了功率消耗和信號消耗，導(dǎo)致實(shí)施成本降低。分段中一行的工作周期與分段中另一行的工作周期相重疊。因此，它們可以保持高的顯示速度，而不論顯示器的尺寸是多少。生成的Vt的準(zhǔn)確性取決于分配給Vt生成周期的時(shí)間。生成的Vt是存儲電容和驅(qū)動TFT參數(shù)的函數(shù)，結(jié)果，特定失配影響在驅(qū)動晶體管的指定閾值電壓的存儲電容器中的失配相關(guān)的生成的VT。Vt生成周期時(shí)間的增加降低了特定失配對所生成的Vt的影響。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，在不影響幀頻率或者降低行數(shù)的情況下分配給Vt的時(shí)間是可擴(kuò)展的，因此無論面板的尺寸是多少，其都能夠降低不完善的補(bǔ)償和空間失配影響。Vt生成時(shí)間被增加以實(shí)現(xiàn)跨越其柵極-源極端子的驅(qū)動TFT的閾值電壓Vt的高、精度恢復(fù)。結(jié)果，面板的均勻性得以改善。此外，尋址方案的像素電路具有在像素老化時(shí)提供顯著強(qiáng)電流以便補(bǔ)償OLED亮度減少的能力。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，尋址方案改善了底板穩(wěn)定性，還對OLED亮度降低進(jìn)行了補(bǔ)償。與現(xiàn)有補(bǔ)償驅(qū)動方案相比，功率消耗和實(shí)施成本的開銷減少了 90%以上。因?yàn)楣蚕韺ぶ贩桨复_保了低功率消耗，所以其適合于諸如移動式應(yīng)用之類的低功率應(yīng)用。移動式應(yīng)用可以是但不限于是個(gè)人數(shù)字助理(Personal Digital Assistants,PDA)、網(wǎng)絡(luò)電話等。全部引證文獻(xiàn)被結(jié)合于此以供參考。已經(jīng)參照一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例描述了本發(fā)明。然而，對所屬技術(shù)領(lǐng)域的專業(yè)人員來說在不脫離在權(quán)利要求中定義的本發(fā)明的范圍的情況下可以做出多種變化和修改是顯而易見的。
權(quán)利要求
1.一種顯不器系統(tǒng)，包括 像素陣列，其包括劃分成多個(gè)分段的多個(gè)像素電路，該多個(gè)分段中的每ー個(gè)包括在該像素陣列的多于一行中的像素電路，每ー個(gè)像素電路具有發(fā)光器件，用于驅(qū)動該發(fā)光器件以發(fā)光的驅(qū)動晶體管、電容器、被連接到數(shù)據(jù)線用于對該像素電路進(jìn)行編程的第一開關(guān)晶體管，以及用于生成該驅(qū)動晶體管的閾值電壓的第二開關(guān)晶體管；以及 驅(qū)動器，其用于控制所述多個(gè)像素電路的所述第一開關(guān)晶體管，以在編程操作中接收數(shù)據(jù)，并控制所述多個(gè)像素電路的所述第二開關(guān)晶體管，以在生成閾值電壓操作期間生成所述驅(qū)動晶體管的所述閾值電壓， 其中，所述驅(qū)動器被配置成，在該像素陣列的多于一行的多個(gè)像素電路中，同時(shí)地實(shí)現(xiàn)生成閾值電壓操作，所述多個(gè)像素電路中的每ー個(gè)在所述多個(gè)分段的第一分段中，同時(shí)在 所述多個(gè)分段的第二分段的第二像素電路中實(shí)現(xiàn)驅(qū)動操作或編程操作。
2.如權(quán)利要求I所述的顯示器系統(tǒng)，其中，所述驅(qū)動器被配置成實(shí)現(xiàn)對所述第二分段的所述編程操作，同時(shí)獨(dú)立于該編程操作實(shí)現(xiàn)對所述第一分段的生成閾值電壓操作。
3.如權(quán)利要求I所述的顯示器系統(tǒng)，其中，每ー個(gè)分段包括多個(gè)行，所述編程操作在每一個(gè)分段中的多個(gè)行中每一行上連續(xù)地執(zhí)行。
4.如權(quán)利要求I所述的顯示器系統(tǒng)，其中，每ー個(gè)分段包括多個(gè)行，所述生成閾值電壓操作在每ー個(gè)分段上連續(xù)地執(zhí)行。
5.如權(quán)利要求I所述的顯示器系統(tǒng)，其中，所述多個(gè)像素電路分別被配置成，所述第一開關(guān)晶體管的柵極與第一選擇線相連接、所述第二開關(guān)晶體管的柵極與第二選擇線相連接，該第一和第二選擇線由所述驅(qū)動器來驅(qū)動，所述第二開關(guān)晶體管的所述第一端與所述驅(qū)動晶體管的柵極相連接，該第一開關(guān)晶體管的第一端與所述數(shù)據(jù)線相連接，所述第一開關(guān)晶體管的第二端與所述驅(qū)動晶體管的所述柵極相連接，所述數(shù)據(jù)線由所述驅(qū)動器驅(qū)動，所述電容器被連接在所述驅(qū)動晶體管的所述柵極和所述發(fā)光器件之間。
6.如權(quán)利要求I所述的顯示器系統(tǒng)，其中，所述多個(gè)像素電路分別被配置成，將所述電容器作為第一電容器，所述多個(gè)像素電路中的每ー個(gè)進(jìn)ー步包括第二電容器和第三開關(guān)晶體管，并且其中，所述多個(gè)像素電路分別被配置成，所述第一開關(guān)晶體管的柵極與第一選擇線相連接，所述第二和第三開關(guān)晶體管的柵極與第二選擇線相連接，所述第一和第二選擇線由所述驅(qū)動器驅(qū)動，所述第一開關(guān)晶體管的第一端與所述數(shù)據(jù)線相連接，所述第一開關(guān)晶體管的第二端與所述第一和第二電容器相連接，所述第二開關(guān)晶體管的第一端與所述第一和第二電容器相連接，所述第三開關(guān)晶體管的第一端與所述驅(qū)動晶體管和所述發(fā)光器件相連接，所述第三開關(guān)晶體管的第二端與所述驅(qū)動晶體管的柵極相連接，所述第一和第二電容器與所述驅(qū)動晶體管的所述柵極串聯(lián)連接。
7.如權(quán)利要求6所述的顯示器系統(tǒng)，其中，所述第二開關(guān)晶體管、所述第三開關(guān)晶體管和所述驅(qū)動晶體管形成了用于生成所述驅(qū)動晶體管的所述閾值電壓的電路。
8.如權(quán)利要求I所述的顯示器系統(tǒng)，其中，所述晶體管中的至少ー個(gè)是利用非晶硅、納米/微米晶體硅、多晶硅、包括有機(jī)晶體管的有機(jī)半導(dǎo)體、包括MOSFET的NM0S/PM0S技術(shù)或CMOS技術(shù)、P型材料，或者N型材料來制造的。
9.如權(quán)利要求I所述的顯示器系統(tǒng)，其中，所述驅(qū)動晶體管或所述發(fā)光器件與通過所述驅(qū)動器控制的可控電壓線相連接，以用于在所述生成閾值電壓操作的第一階段期間預(yù)充電所述像素電路的所述電容器。
10.如權(quán)利要求I所述的顯示器系統(tǒng)，其中，在每ー個(gè)像素電路中，所述電容器被連接在所述驅(qū)動晶體管的柵極和所述發(fā)光器件之間。
11.如權(quán)利要求I所述的顯示器系統(tǒng)，其中所述多個(gè)像素電路分別被配置成，將所述電容器作為第一電容器，其具有第一端和第二端，所述第一端與所述驅(qū)動晶體管的柵極相連接，所述多個(gè)像素電路中的每ー個(gè)進(jìn)ー步包括第二電容器，其具有與所述第一電容器的所述第二端相連接的第一端，和與電勢相連接的第二端，并且其中，所述第一開關(guān)晶體管與所述第二電容器的所述第一端和所述第一電容器的第二端相連接。
12.如權(quán)利要求I所述的顯示器系統(tǒng)，其中，所述驅(qū)動器被配置成驅(qū)動在所述第二分段中的所述第二像素電路以進(jìn)行發(fā)光，同時(shí)生成在所述第一分段中的所述多個(gè)像素電路的所述閾值電壓。
13.—種驅(qū)動顯示器系統(tǒng)的方法，所述顯示器系統(tǒng)包括像素陣列，其包括被劃分成多個(gè)分段的多個(gè)像素電路，每ー個(gè)像素電路具有發(fā)光器件、用于驅(qū)動該發(fā)光器件以發(fā)光的驅(qū)動晶體管、電容器、與用于對所述像素電路進(jìn)行編程的數(shù)據(jù)線相連接的第一開關(guān)晶體管，以及用于生成所述驅(qū)動晶體管的閾值電壓的第二開關(guān)晶體管，所述方法包括 控制在像素陣列的多于一行的多個(gè)像素電路中的所述第二開關(guān)晶體管，所述多個(gè)像素電路中的姆ー個(gè)在所述多個(gè)分段的第一分段中，以同時(shí)地生成在該第一分段中的多個(gè)像素電路的所述驅(qū)動晶體管的所述閾值電壓，而不影響所述數(shù)據(jù)線，以及 控制在所述多個(gè)分段的第二分段中的第二像素電路的第一開關(guān)晶體管，以編程該第二像素電路，這獨(dú)立于控制在所述第一分段中的所述多個(gè)像素電路的所述第二開關(guān)晶體管。
14.如權(quán)利要求13所述的方法，其中，每ー個(gè)分段包括多個(gè)行，對所述第二開關(guān)晶體管的控制是對在所述多個(gè)分段中的每ー個(gè)分段連續(xù)執(zhí)行的。
15.如權(quán)利要求13所述的方法， 在所述第二分段中執(zhí)行控制所述第二開關(guān)晶體管和控制所述第一開關(guān)晶體管之后，隨后實(shí)現(xiàn)控制所述第二開關(guān)晶體管和控制所述第一分段的所述第一開關(guān)晶體管。
16.如權(quán)利要求13所述的方法，其中，在所述第二分段中執(zhí)行控制所述第二開關(guān)晶體管的同時(shí)，在所述第一分段中執(zhí)行控制所述第二開關(guān)晶體管。
17.如權(quán)利要求13所述的方法，其中，在執(zhí)行所述控制所述第二開關(guān)晶體管的同時(shí)，執(zhí)行所述控制所述第一開關(guān)晶體管，使得對在所述第一分段中的所述多個(gè)像素電路的所述閾值電壓的生成與對在所述第二分段中的所述第二像素電路的所述編程并行地執(zhí)行。
18.如權(quán)利要求13所述的方法，進(jìn)ー步包括 執(zhí)行對在所述第一分段中的多個(gè)像素電路的所述晶體管的所述控制的同時(shí)，驅(qū)動在所述第二分段中的所述第二像素電路以發(fā)光，使得對在所述第一分段中的所述多個(gè)像素電路的所述閾值電壓生成與對在所述第二分段中的所述第二像素電路的所述驅(qū)動并行地執(zhí)行。
19.一種顯不器系統(tǒng),包括 像素陣列，其包括以行和列方式排列的多個(gè)像素電路，每個(gè)所述像素電路具有發(fā)光器件、電容器、用于驅(qū)動該發(fā)光器件的驅(qū)動晶體管、與用于編程所述像素電路的數(shù)據(jù)線相連接的第一開關(guān)晶體管，和用于生成所述驅(qū)動晶體管的閾值電壓的第二開關(guān)晶體管，以及 驅(qū)動器，其被配置成操作所述第二開關(guān)晶體管，以通過操作在所述像素陣列的第一行中的第一像素電路的所述第二開關(guān)晶體管生成所述驅(qū)動晶體管的所述閾值電壓，同時(shí)，通過操作在所述第二像素電路中的所述第一開關(guān)晶體管編程在所述像素陣列的第二行中的第二像素電路，其中，所述生成第一像素電路的閾值電壓操作具有比所述顯示器系統(tǒng)的編程時(shí)間預(yù)算更長的持續(xù)時(shí)間。
20.如權(quán)利要求19所述的顯示器系統(tǒng)，其中，所述驅(qū)動器被進(jìn)ー步配置成，在編程所述第二像素電路之后，通過操作在所述第三像素電路中的第一開關(guān)晶體管，編程在所述像素陣列的第三行中的第三像素電路，同時(shí)，在所述第一像素電路中執(zhí)行所述生成閾值電壓操作，使得在所述第一像素電路中生成所述閾值電壓的同吋，對所述第二像素電路和所述第三像素電路兩者進(jìn)行編程。
21.如權(quán)利要求19所述的顯示器系統(tǒng)，其中，所述驅(qū)動器被進(jìn)ー步配置成，通過在所述生成閾值電壓操作的第一階段期間預(yù)充電所述像素電路，并通過在所述生成閾值電壓操作的第二階段期間充電在所述電容上的所述各個(gè)驅(qū)動晶體管的所述閾值電壓，在所述顯示器上生成所述驅(qū)動晶體管的所述閾值電壓，生成閾值電壓操作的所述第二階段具有比所述第一階段的持續(xù)時(shí)間更長的持續(xù)時(shí)間。
22.如權(quán)利要求21所述的顯示器系統(tǒng)，其進(jìn)ー步包括可調(diào)節(jié)電源，用于在所述生成閾值電壓操作的所述第一階段期間，預(yù)充電在所述多個(gè)像素電路的每ー個(gè)中的電容器。
23.如權(quán)利要求19所述的顯示器系統(tǒng)，其中，所述第一像素電路和所述第二像素電路共用所述像素陣列的數(shù)據(jù)線，并且其中，在所述第一個(gè)像素電路中執(zhí)行所述生成閾值電壓操作，而不影響所述數(shù)據(jù)線，使得對所述第二像素電路的所述編程獨(dú)立于在所述第一像素電路中的所述生成閾值電壓操作。
24.如權(quán)利要求19所述的顯示器系統(tǒng)，其中，所述像素陣列被劃分成多個(gè)分段，其每個(gè)包括在所述像素陣列中的所述像素電路的子集，并且其中，在使用顯示數(shù)據(jù)編程第二分段或驅(qū)動其發(fā)光的同時(shí)，所述驅(qū)動器被進(jìn)ー步配置成實(shí)現(xiàn)在所述多個(gè)分段的第一分段中的所述生成閾值電壓操作。
25.如權(quán)利要求19所述的顯示器系統(tǒng)，其中，所述多個(gè)像素電路被分別配置成，所述第一開關(guān)晶體管的柵極與第一選擇線相連接，所述第二開關(guān)晶體管的柵極與第二選擇線相連接，所述第一和第二選擇線通過所述驅(qū)動器驅(qū)動，所述第二開關(guān)晶體管的所述第一端與所述驅(qū)動晶體管的柵極相連接，所述第一開關(guān)晶體管的第一端與所述數(shù)據(jù)線相連接，所述第一開關(guān)晶體管的第二端與所述驅(qū)動晶體管的柵極相連接，所述數(shù)據(jù)線通過所述驅(qū)動器驅(qū)動，所述電容器被連接在所述驅(qū)動晶體管的柵極和所述發(fā)光器件之間。
26.如權(quán)利要求19所述的顯示器系統(tǒng)，其中，所述多個(gè)像素電路被分別配置成，將所述電容器作為第一電容器，所述多個(gè)像素電路中的每ー個(gè)進(jìn)ー步包括第二電容器和第三開關(guān)晶體管，并且其中，所述多個(gè)像素電路被分別配置成，所述第一開關(guān)晶體管的柵極與第一選擇線相連接，所述第二和第三開關(guān)晶體管的柵極與第二選擇線相連接，所述第一和第二選擇線通過所述驅(qū)動器驅(qū)動，所述第一開關(guān)晶體管的第一端與所述數(shù)據(jù)線相連接，所述第一開關(guān)晶體管的第二端與所述第一和第二電容器相連接，所述第二開關(guān)晶體管的第一端與第一和第二電容器相連接，所述第三開關(guān)晶體管的第一端與所述驅(qū)動晶體管和所述發(fā)光器件相連接，所述第三開關(guān)晶體管的第二端與所述驅(qū)動晶體管的柵極相連接，所述第一和第二電容器與所述驅(qū)動晶體管的柵極串聯(lián)連接。
27.—種驅(qū)動顯示器的方法，所述顯示器包括像素陣列，所述像素陣列包括以行列方式排列的多個(gè)像素電路，每個(gè)所述像素電路具有發(fā)光器件、電容器、用于驅(qū)動所述發(fā)光器件以發(fā)光的驅(qū)動晶體管、與用于編程所述像素電路的數(shù)據(jù)線相連接的第一開關(guān)晶體管，和用于生成所述驅(qū)動晶體管的閾值電壓的第二開關(guān)晶體管，該方法包括 通過控制在所述第一像素電路中的第二開關(guān)晶體管生成在所述像素陣列的第一行中的第一像素電路的驅(qū)動晶體管的閾值電壓以生成所述閾值電壓，而不影響與所述第一像素電路相關(guān)聯(lián)的數(shù)據(jù)線；以及 通過控制在所述第二像素電路中的所述第一開關(guān)晶體管以經(jīng)由與所述第一像素電路相關(guān)聯(lián)的所述數(shù)據(jù)線來編程所述第二像素電路，以編程在所述像素陣列的第二行中的第二像素電路，所述編程是在生成所述第一像素電路的所述閾值電壓的同時(shí)執(zhí)行的，并且 其中，生成所述閾值電壓具有比所述顯示器的編程時(shí)間預(yù)算更長的持續(xù)時(shí)間。
28.如權(quán)利要求27所述的方法，進(jìn)ー步包括 通過操作在所述第三像素電路中的第一開關(guān)晶體管以經(jīng)由與所述第一像素電路相關(guān)聯(lián)的所述數(shù)據(jù)線編程所述第三像素電路，來編程在所述像素陣列的第三行中的第三像素電路，編程所述第三像素電路是在生成所述第一像素電路的所述閾值電壓的同時(shí)執(zhí)行的，使得在所述第一像素電路中生成所述閾值電壓的同時(shí)編程所述第二像素電路和所述第三像素電路。
29.如權(quán)利要求27所述的方法，其中，生成所述閾值電壓包括 在第一階段期間，使用初始電壓預(yù)充電所述第一像素電路的電容器，以及 在第二階段期間，通過對經(jīng)過所述驅(qū)動晶體管的所述初始電壓進(jìn)行充電或放電，生成所述電容器上的驅(qū)動晶體管的所述閾值電壓，并且 其中，所述第二階段具有比所述顯示器的編程時(shí)間預(yù)算更長的持續(xù)時(shí)間。
30.如權(quán)利要求29所述的方法，其中，所述預(yù)充電是通過調(diào)節(jié)可控電源線的電壓執(zhí)行的。
31.如權(quán)利要求27所述的方法，其中，所述像素陣列被劃分成多個(gè)分段，其分別包括在所述像素陣列中的所述多個(gè)像素電路的子集，在所述像素陣列的所述第一行中的所述像素電路被包括在所述多個(gè)分段的第一分段中，并且在所述像素陣列的所述第二行中的像素電路被包括在所述多個(gè)分段的第二分段中，并且其中，在所述第一分段中的所述像素電路中的所述各個(gè)第二開關(guān)晶體管由共用的第一全局選擇線分別控制，并且在所述第二分段中的所述像素電路中的所述各個(gè)第二開關(guān)晶體管由共用的第二全局選擇線分別控制，并且其中，通過操作所述第一全局選擇線執(zhí)行生成所述第一像素電路的所述閾值電壓，以同時(shí)地生成在所述第一分段中的所述多個(gè)像素電路中的所述各個(gè)驅(qū)動晶體管的各個(gè)閾值電壓。
32.如權(quán)利要求31所述的方法，進(jìn)ー步包括 驅(qū)動在所述第二分段中的所述多個(gè)像素以發(fā)光，同時(shí)，生成在所述第一分段中的所述多個(gè)像素的所述閾值電壓同時(shí)地執(zhí)行。
33.一種用于顯示器的像素電路，該像素電路包括 發(fā)光器件； 驅(qū)動晶體管，其用于通過控制通過所述發(fā)光器件的電流驅(qū)動所述發(fā)光器件； 第一和第二電容器，其串聯(lián)地耦接在電源線和所述驅(qū)動晶體管柵極之間；第一開關(guān)晶體管，其用于通過將數(shù)據(jù)線耦接到在所述第一和第二電容器之間的節(jié)點(diǎn)上來編程所述像素電路；以及 第二開關(guān)晶體管，其被耦接到所述驅(qū)動晶體管的所述柵極上，以用于生成所述驅(qū)動晶體管的閾值電壓，其中，依據(jù)由多個(gè)相似的像素電路共用的全局選擇線來操作所述第二開關(guān)晶體管，所述多個(gè)相似的像素電路依據(jù)所述全局選擇線，同時(shí)地生成在所述多個(gè)相似的像素電路中的所述各個(gè)驅(qū)動晶體管的閾值電壓。
34.如權(quán)利要求33所述的像素電路，其中，所述第二開關(guān)晶體管被耦接到所述驅(qū)動晶體管的所述柵極和所述發(fā)光器件之間，并且其中，依據(jù)第一選擇線操作所述第一開關(guān)晶體管，并且其中，所述電源線是可控電源線，其被耦接在所述驅(qū)動晶體管的第一端，所述驅(qū)動晶體管的所述第二端被耦接到所述發(fā)光器件上。
35.如權(quán)利要求33所述的像素電路，其中，共用所述全局選擇線的所述多個(gè)像素電路是排列在具有行和列的像素陣列中的相似像素電路的子集，該像素陣列被劃分成多個(gè)分段，所述多個(gè)分段中的每ー個(gè)包括在所述像素陣列的多于一行中的所述多個(gè)相似像素電路的子集，并且其中，在所述多個(gè)分段的每ー個(gè)分段中的所述第二開關(guān)晶體管通過由每ー個(gè)分段中的所述像素電路共用的全局選擇線操作。
36.如權(quán)利要求33所述的像素電路，其中，所述第二開關(guān)晶體管被耦接在所述驅(qū)動晶體管的所述柵極和所述驅(qū)動晶體管的第一端之間，所述驅(qū)動晶體管的所述第二端與所述發(fā)光器件相連接，所述像素電路進(jìn)一歩包括 第三開關(guān)晶體管，其被耦接在所述驅(qū)動晶體管的所述第一端和電源線之間。
37.如權(quán)利要求33所述的像素電路，其中，依據(jù)第一選擇線操作所述第一開關(guān)晶體管。
38.如權(quán)利要求37所述的像素電路，其中，共用所述全局選擇線以同時(shí)生成閾值電壓的所述多個(gè)相似像素電路包括來自像素陣列的多個(gè)行和多個(gè)列的像素電路。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種用于驅(qū)動發(fā)光器件顯示器的方法和系統(tǒng)。該系統(tǒng)提供了增加顯示器的準(zhǔn)確性的時(shí)序表。該系統(tǒng)可以提供時(shí)序表，通過時(shí)序表可以在一組行中連貫地實(shí)現(xiàn)工作周期。該系統(tǒng)可以提供時(shí)序表，通過時(shí)序表老化系數(shù)被用于多個(gè)幀。
文檔編號G09G3/32GK102663977SQ20121015242
公開日2012年9月12日 申請日期2006年6月8日 優(yōu)先權(quán)日2005年6月8日
發(fā)明者A.內(nèi)森, R.G.查吉 申請人:伊格尼斯創(chuàng)新有限公司