專利名稱：在感測(cè)顯示元件的狀態(tài)時(shí)的泄漏電流補(bǔ)償?shù)南到y(tǒng)及方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及在測(cè)試顯示陣列中的顯示元件狀態(tài)時(shí)的泄漏電流補(bǔ)償。
背景技術(shù)：
機(jī)電系統(tǒng)包括具有電及機(jī)械元件、激活器、換能器、傳感器、光學(xué)組件(例如，鏡)及電子器件的裝置?？砂窗?但不限于)微尺度及納米尺度的多種尺度來(lái)制造機(jī)電系統(tǒng)。舉例來(lái)說(shuō)，微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)裝置可包括具有范圍從約一微米到數(shù)百微米或更大的大小的結(jié)構(gòu)。納米機(jī)電系統(tǒng)(NEMS)裝置可包括具有小于一微米的大小(包括(例如)小于數(shù)百納米的大小)的結(jié)構(gòu)?？墒褂贸练e、蝕刻、光刻及/或蝕刻掉襯底及/或沉積材料層的部分或者添加層以形成電及機(jī)電裝置的其它微機(jī)械加工工藝來(lái)形成機(jī)電元件。一種類型的機(jī)電系統(tǒng)裝置被稱為干涉調(diào)制器(IMOD)。如在本文中所使用，術(shù)語(yǔ)“干涉調(diào)制器”或“干涉光調(diào)制器”指使用光干涉的原理選擇性地吸收及/或反射光的裝置。在一些實(shí)施方案中，干涉調(diào)制器可包括一對(duì)傳導(dǎo)板，所述對(duì)傳導(dǎo)板中的一者或兩者可為整體或部分透明及/或反射性的，且能夠在施加適當(dāng)電信號(hào)時(shí)相對(duì)運(yùn)動(dòng)。在一實(shí)施方案中，一個(gè)板可包括沉積于襯底上的固定層，且另一板可包括與所述固定層分開(kāi)一氣隙的反射膜。一個(gè)板相對(duì)于另一板的位置可改變?nèi)肷溆诟缮嬲{(diào)制器上的光的光干涉。干涉調(diào)制器裝置具有廣泛范圍的應(yīng)用，且預(yù)期可用于改良現(xiàn)有產(chǎn)品及形成新產(chǎn)品(尤其是具有顯示能力的產(chǎn)品)°

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的系統(tǒng)、方法及裝置各自具有若干創(chuàng)新方面，其中無(wú)單一方面單獨(dú)負(fù)責(zé)本文中揭示的理想性質(zhì)。本發(fā)明中描述的標(biāo)的物的一個(gè)創(chuàng)新方面可實(shí)施于一種在顯示陣列中的狀態(tài)感測(cè)測(cè)試期間補(bǔ)償泄漏電流的方法中。所述方法可包括:將待測(cè)試的一個(gè)或一個(gè)以上共用線連接到泄漏補(bǔ)償電路；在所述泄漏補(bǔ)償電路中產(chǎn)生補(bǔ)償電流；及將待測(cè)試的所述一個(gè)或一個(gè)以上共用線及所述泄漏補(bǔ)償電路兩者連接到狀態(tài)感測(cè)電路。所述方法可包括對(duì)所述泄漏電流求積分以產(chǎn)生電壓。所述方法還可包括將所述電壓轉(zhuǎn)換成泄漏補(bǔ)償電流。在另一方面中，提供一種用于校準(zhǔn)驅(qū)動(dòng)方案電壓的設(shè)備。所述設(shè)備可包括布置成一個(gè)或一個(gè)以上行的陣列顯示元件。所述設(shè)備可進(jìn)一步包括所述陣列中的一個(gè)或一個(gè)以上線，每一線連接沿著所述一個(gè)或一個(gè)以上行中的一相應(yīng)行的顯示元件。所述設(shè)備可進(jìn)一步包括:驅(qū)動(dòng)器電路，其連接到所述陣列中的所述一個(gè)或一個(gè)以上線；顯示元件狀態(tài)感測(cè)電路，其耦合到所述陣列中的所述一個(gè)或一個(gè)以上線；及泄漏補(bǔ)償電路，其耦合到所述陣列中的所述一個(gè)或一個(gè)以上線。在另一方面中，提供一種用于校準(zhǔn)顯示器的設(shè)備，其包括一陣列的顯示元件、耦合到所述陣列的顯示元件的驅(qū)動(dòng)器電路、用于感測(cè)顯示元件狀態(tài)的裝置及用于在感測(cè)顯示元件狀態(tài)時(shí)感測(cè)泄漏電流的裝置。此說(shuō)明書中描述的標(biāo)的物的一個(gè)或一個(gè)以上實(shí)施方案的細(xì)節(jié)在隨附圖式及以下描述中予以闡明。通過(guò)描述、圖式及權(quán)利要求書，其它特征、方面及優(yōu)勢(shì)將變得顯而易見(jiàn)。注意，下列圖的相對(duì)尺寸可能未按比例繪制。


圖1展示描繪在干涉調(diào)制器(IMOD)顯示裝置的一系列像素中的兩個(gè)鄰近像素的等角視圖的一實(shí)例。圖2展示說(shuō)明并入有3X3干涉調(diào)制器顯示器的電子裝置的系統(tǒng)框圖的一實(shí)例。圖3展示說(shuō)明用于圖1的干涉調(diào)制器的可移動(dòng)反射層位置對(duì)所施加的電壓的圖的
一實(shí)例。圖4展示說(shuō)明當(dāng)施加各種共用電壓及分段電壓時(shí)的干涉調(diào)制器的各種狀態(tài)的表的一實(shí)例。圖5A展示說(shuō)明在圖2的3X3干涉調(diào)制器顯示器中的顯示數(shù)據(jù)的幀的圖的一實(shí)例。圖5B展示可用以寫入在圖5A中說(shuō)明的顯示數(shù)據(jù)的幀的共用信號(hào)及分段信號(hào)的時(shí)序圖的一實(shí)例。圖6A展示圖1的干涉調(diào)制器顯示器的部分橫截面的一實(shí)例。圖6B到6E展示干涉調(diào)制器的變化的實(shí)施方案的橫截面的實(shí)例。圖7展示說(shuō)明干涉調(diào)制器的制造過(guò)程的流程圖的一實(shí)例。圖8A到SE展示制造干涉調(diào)制器的方法中的各種階段的橫截面示意性說(shuō)明的實(shí)例。圖9為說(shuō)明用于驅(qū)動(dòng)每像素64色顯示器的實(shí)施方案的共用驅(qū)動(dòng)器及分段驅(qū)動(dòng)器的實(shí)例的框圖。圖10展示說(shuō)明對(duì)于一陣列的干涉調(diào)制器中的若干成員的可移動(dòng)反射鏡位置對(duì)所施加的電壓的圖的一實(shí)例。圖11為耦合到驅(qū)動(dòng)器電路及狀態(tài)感測(cè)電路的顯示陣列的示意性框圖。圖12為展示在圖11的陣列中的測(cè)試電荷流的示意圖。圖13為耦合到測(cè)試中的一個(gè)或一個(gè)以上共用線的泄漏補(bǔ)償電路的一個(gè)實(shí)例的示意圖。圖14為圖13的電壓/電流轉(zhuǎn)換器的一個(gè)實(shí)施方案的示意圖。圖15為泄漏補(bǔ)償?shù)姆椒ǖ囊粋€(gè)實(shí)例的流程圖。圖16A及16B展示說(shuō)明包括多個(gè)干涉調(diào)制器的顯示裝置的系統(tǒng)框圖的實(shí)例。在各圖式中的相同參考數(shù)字及標(biāo)識(shí)指示相同元件。
具體實(shí)施例方式以下詳細(xì)描述是針對(duì)某些實(shí)施方案以用于描述創(chuàng)新方面的目的。然而，可以用大量不同方式來(lái)應(yīng)用本文中的教示?？稍诮?jīng)配置以顯示圖像(無(wú)論是運(yùn)動(dòng)圖像(例如，視頻)還是固定圖像(例如，靜態(tài)圖像)，且無(wú)論是文字圖像、圖形圖像還是圖片圖像)的任何裝置中實(shí)施所描述的實(shí)施方案。更明確來(lái)說(shuō)，預(yù)期所述實(shí)施方案可在多種電子裝置中實(shí)施或與多種電子裝置相關(guān)聯(lián)，所述電子裝置例如(但不限于)是移動(dòng)電話、具備多媒體因特網(wǎng)功能的蜂窩式電話、移動(dòng)電視接收器、無(wú)線裝置、智能電話、藍(lán)牙裝置、個(gè)人數(shù)據(jù)助理(PDA)、無(wú)線電子郵件接收器、手持型或便攜型計(jì)算機(jī)、上網(wǎng)本、筆記型計(jì)算機(jī)、智能本(smartbook)、平板計(jì)算機(jī)、打印機(jī)、復(fù)印機(jī)、掃描儀、傳真裝置、GPS接收器/導(dǎo)航器、相機(jī)、MP3播放器、攝錄像機(jī)、游戲控制臺(tái)、腕表、時(shí)鐘、計(jì)算器、電視監(jiān)視器、平板顯示器、電子閱讀裝置(例如，電子閱讀器)、計(jì)算機(jī)監(jiān)視器、汽車顯示器(例如，里程表顯示器等)、座艙控制器及/或顯示器、相機(jī)視景顯示器(例如，在車輛中的后視相機(jī)的顯示器)、電子照片、電子廣告牌或標(biāo)牌、投影儀、建筑結(jié)構(gòu)、微波、冰箱、立體聲系統(tǒng)、卡式記錄器或播放器、DVD播放器、CD播放器、VCR、收音機(jī)、便攜型存儲(chǔ)器芯片、洗衣機(jī)、干燥器、洗衣機(jī)/干燥器、停車定時(shí)器、封裝(例如，機(jī)電系統(tǒng)(EMS)、MEMS及非MEMS)、美學(xué)結(jié)構(gòu)(例如，關(guān)于一件珠寶的圖像的顯示)及多種機(jī)電系統(tǒng)裝置。本文中的教示也可用于非顯示器應(yīng)用中，例如(但不限于)電子開(kāi)關(guān)裝置、射頻濾波器、傳感器、加速度計(jì)、陀螺儀、運(yùn)動(dòng)傳感裝置、磁力計(jì)、用于消費(fèi)型電子器件的慣性組件、消費(fèi)型電子產(chǎn)品的零件、可變電抗器、液晶裝置、電泳裝置、驅(qū)動(dòng)方案、制造過(guò)程及電子測(cè)試設(shè)備。因此，所述教示并不意圖限于僅在圖中描繪的實(shí)施方案，而實(shí)情為，具有如一般所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員將易于顯而易見(jiàn)的廣泛適用性。在一些驅(qū)動(dòng)方案實(shí)施方案中，通過(guò)跨像素施加足以激活像素、釋放像素或?qū)⑾袼乇３衷谄洚?dāng)前狀態(tài)下的驅(qū)動(dòng)方案電壓而實(shí)現(xiàn)將信息寫入到像素的過(guò)程。因?yàn)榧せ罴搬尫畔袼氐碾妷簩?duì)于不同顯示元件可能不同，所以避免在顯示圖像時(shí)的假影的適當(dāng)驅(qū)動(dòng)方案電壓的確定可能是困難的。確定適當(dāng)驅(qū)動(dòng)方案電壓的任務(wù)可因以下事實(shí)而進(jìn)一步復(fù)雜化:激活及釋放像素的電壓可在顯示器的壽命期間改變(例如，隨著磨損或隨著溫度的改變而改變)。通過(guò)檢驗(yàn)整個(gè)陣列而準(zhǔn)確地測(cè)量這些值以更新驅(qū)動(dòng)方案電壓可能是耗時(shí)的。因此，在一些實(shí)施方案中，基于對(duì)整個(gè)陣列的子集的測(cè)量動(dòng)態(tài)地更新驅(qū)動(dòng)方案電壓。舉例來(lái)說(shuō)，在一些實(shí)施方案中，基于對(duì)代表性線或一組線的測(cè)量來(lái)確定更新的驅(qū)動(dòng)方案電壓。本發(fā)明中描述的標(biāo)的物的特定實(shí)施方案可經(jīng)實(shí)施以實(shí)現(xiàn)下列潛在優(yōu)勢(shì)中的一者或一者以上。本文中描述的實(shí)施方案允許當(dāng)更新顯示陣列中的驅(qū)動(dòng)方案電壓時(shí)的更準(zhǔn)確的狀態(tài)感測(cè)。由于驅(qū)動(dòng)器電路泄漏電流，因此電容性狀態(tài)傳感器可展現(xiàn)錯(cuò)誤。在一些實(shí)施方案中，利用泄漏電流補(bǔ)償電路來(lái)抵銷此泄漏電流。更準(zhǔn)確的狀態(tài)感測(cè)允許更佳的驅(qū)動(dòng)方案電壓的選擇，因此減少在顯示器的壽命內(nèi)及在變化的環(huán)境條件中的顯示器中可察覺(jué)的假影。所描述的實(shí)施方案可應(yīng)用于的合適的EMS或MEMS裝置的一實(shí)例為反射性顯示裝置。反射性顯示裝置可并入有干涉調(diào)制器(IMOD)以使用光干涉的原理選擇性地吸收及/或反射入射于其上的光。MOD可包括吸收器、可相對(duì)于吸收器移動(dòng)的反射器及界定于吸收器與反射器之間的光學(xué)諧振腔?？蓪⒎瓷淦饕苿?dòng)到兩個(gè)或兩個(gè)以上不同位置，此可改變光學(xué)諧振腔的大小，且借此影響干涉調(diào)制器的反射比。MOD的反射光譜可建立相當(dāng)寬的光譜帶，其可跨可見(jiàn)波長(zhǎng)移位以產(chǎn)生不同色彩。可通過(guò)改變光學(xué)諧振腔的厚度(即，通過(guò)改變反射器的位置)來(lái)調(diào)整光譜帶的位置。圖1展示描繪在干涉調(diào)制器(IMOD)顯示裝置的一系列像素中的兩個(gè)鄰近像素的等角視圖的一實(shí)例。MOD顯示裝置包括一個(gè)或一個(gè)以上干涉MEMS顯示元件。在這些裝置中，MEMS顯示元件的像素可處于亮或暗狀態(tài)。在亮(“松弛”、“斷開(kāi)”或“開(kāi)”)狀態(tài)下，顯示元件將大部分入射的可見(jiàn)光反射(例如)給用戶。相反，在暗(“激活”、“閉合”或“關(guān)”)狀態(tài)下時(shí)，顯示元件幾乎不反射入射的可見(jiàn)光。在一些實(shí)施方案中，可顛倒開(kāi)與關(guān)狀態(tài)的光反射性質(zhì)。MEMS像素可經(jīng)配置以主要在特定波長(zhǎng)下反射，除了黑及白之外，其也允許彩色顯
/Jn οIMOD顯示裝置可包括MOD的行/列陣列。每一 MOD可包括一對(duì)反射層，即，一可移動(dòng)反射層及一固定部分反射層，其定位于距彼此可變且可控的距離處以形成氣隙(也稱作光學(xué)間隙或空腔)。可移動(dòng)反射層可在至少兩個(gè)位置之間移動(dòng)。在第一位置(即，松弛位置)中，可移動(dòng)反射層可定位于距固定部分反射層相對(duì)遠(yuǎn)距離處。在第二位置(即，激活位置)中，可移動(dòng)反射層可更靠近部分反射層而定位。視可移動(dòng)反射層的位置而定，從兩個(gè)層反射的入射光可相長(zhǎng)或相消地干涉，從而對(duì)于每一像素產(chǎn)生總體反射或非反射狀態(tài)。在一些實(shí)施方案中，頂OD在未激活時(shí)可處于反射狀態(tài)下，從而反射可見(jiàn)光譜內(nèi)的光，且在未激活時(shí)可處于暗狀態(tài)下，從而反射可見(jiàn)范圍外的光(例如，紅外光)。然而，在一些其它實(shí)施方案中，IMOD在未激活時(shí)可處于暗狀態(tài)下，且在激活時(shí)處于反射狀態(tài)下。在一些實(shí)施方案中，所施加的電壓的引入可驅(qū)動(dòng)像素以改變狀態(tài)。在一些其它實(shí)施方案中，所施加的電荷可驅(qū)動(dòng)像素以改變狀態(tài)。圖1中的像素陣列的所描繪部分包括兩個(gè)鄰近干涉調(diào)制器12。在左邊的MOD 12中(如所說(shuō)明)，說(shuō)明可移動(dòng)反射層14處于距光學(xué)堆疊16 (其包括部分反射層)預(yù)定距離處的松弛位置中。跨左邊的IMOD 12施加的電壓Vtl不足以引起可移動(dòng)反射層14的激活。在右邊的IMOD 12中，說(shuō)明可移動(dòng)反射層14處于在光學(xué)堆疊16附近或鄰近光學(xué)堆疊16的激活位置中。在右邊的IMOD 12上施加的電壓Vbias足以將可移動(dòng)反射層14維持于激活位置中。在圖1中，大體用指示入射于像素12上的光的箭頭13及從左邊的像素12反射的光15說(shuō)明像素12的反射性質(zhì)。雖未詳細(xì)說(shuō)明，但一般所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)理解，入射于像素12上的大部分光13將朝向光學(xué)堆疊16透射穿過(guò)透明襯底20。入射于光學(xué)堆疊16上的光的一部分將透射穿過(guò)光學(xué)堆疊16的部分反射層，且將經(jīng)由透明襯底20反射回一部分。透射穿過(guò)光學(xué)堆疊16的光13的部分將在可移動(dòng)反射層14處反射，返回朝向(且穿過(guò))透明襯底20。在從光學(xué)堆疊16的部分反射層反射的光與從可移動(dòng)反射層14反射的光之間的干涉(相長(zhǎng)或相消)將確定從像素12反射的光15的波長(zhǎng)。光學(xué)堆疊16可包括單一層或若干層。所述層可包括電極層、部分反射且部分透射層及透明電介質(zhì)層中的一者或一者以上。在一些實(shí)施方案中，光學(xué)堆疊16為導(dǎo)電、部分透明且部分反射性的，且可(例如)通過(guò)將以上層中的一者或一者以上沉積到透明襯底20上來(lái)加以制造。電極層可由多種材料形成，例如，各種金屬，例如，氧化銦錫(ITO)。部分反射層可由部分反射性的多種材料形成，例如，各種金屬(例如，鉻(Cr))、半導(dǎo)體及電介質(zhì)。部分反射層可由一個(gè)或一個(gè)以上材料層形成，且所述層中的每一者可由單一材料或材料的組合形成。在一些實(shí)施方案中，光學(xué)堆疊16可包括充當(dāng)光學(xué)吸收器及導(dǎo)體兩者的單一半透明厚度的金屬或半導(dǎo)體，而(例如，光學(xué)堆疊16的或IMOD的其它結(jié)構(gòu)的)不同的、傳導(dǎo)性更強(qiáng)的層或部分可用以在MOD像素之間轉(zhuǎn)移信號(hào)。光學(xué)堆疊16還可包括覆蓋一個(gè)或一個(gè)以上傳導(dǎo)層或一傳導(dǎo)/吸收層的一個(gè)或一個(gè)以上絕緣或電介質(zhì)層。在一些實(shí)施方案中，光學(xué)堆疊16的層可經(jīng)圖案化為平行條帶，并可形成顯示裝置中的行電極(如下進(jìn)一步描述)。如所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)理解，術(shù)語(yǔ)“經(jīng)圖案化”在本文中用以指掩蔽以及蝕刻工藝。在一些實(shí)施方案中，可將例如鋁(Al)的高度傳導(dǎo)性且反射性材料用于可移動(dòng)反射層14，且這些條帶可形成顯示裝置中的列電極?？梢苿?dòng)反射層14可形成為沉積的金屬層的一系列平行條帶(與光學(xué)堆疊16的行電極正交)以形成沉積于柱18的頂部及沉積于柱18之間的介入犧牲材料上的列。當(dāng)蝕刻掉犧牲材料時(shí)，界定的間隙19或光學(xué)空腔可形成于可移動(dòng)反射層14與光學(xué)堆疊16之間。在一些實(shí)施方案中，柱18之間的間距可為約Ιμπι到ΙΟΟΟμπι，而間隙19可小于約10，000埃(Α)。在一些實(shí)施方案中，頂OD的每一像素(不管在激活還足松弛狀態(tài)下)基本上為由固定及移動(dòng)反射層形成的電容器。如由在圖1中左邊的像素12所說(shuō)明，當(dāng)未施加電壓時(shí)，可移動(dòng)反射層14保持處于機(jī)械松弛狀態(tài)下，其中間隙19處于可移動(dòng)反射層14與光學(xué)堆疊16之間。然而，當(dāng)將電位差(例如，電壓)施加到選定行及列中的至少一者時(shí)，在對(duì)應(yīng)的像素處的行電極與列電極的相交處形成的電容器變得帶電，且靜電力將電極拉到一起。如果施加的電壓超過(guò)閾值，則可移動(dòng)反射層14可變形且移動(dòng)靠近或抵靠光學(xué)堆疊16。光學(xué)堆疊16內(nèi)的電介質(zhì)層(未圖示)可防止短路，且控制層14與16之間的分離距離，如由在圖1中右邊的經(jīng)激活像素12所說(shuō)明。與施加的電位差的極性無(wú)關(guān)，行為是相同的。雖然陣列中的一系列像素可在一些情況下稱為“行”或“列”，但一般所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員將易于理解，將一個(gè)方向稱作“行”且將另一方向稱作“列”是任意的。換一種方式敘述，在一些定向上，可認(rèn)為行是列，且認(rèn)為列是行。此外，顯示元件可均勻地布置成正交的行及列(“陣列”)，或布置成非線性配置，例如，具有相對(duì)于彼此的某些位置偏移(“馬賽克”)。術(shù)語(yǔ)“陣列”及“馬賽克”可指任一配置。因此，雖然顯示器被稱作包括“陣列”或“馬賽克”，但元件自身不需要彼此正交地布置，或按均勻分布安置，而在任一情況下可包括具有不對(duì)稱形狀及不均勻分布的元件的布置。圖2展示說(shuō)明并入有3X3干涉調(diào)制器顯示器的電子裝置的系統(tǒng)框圖的一實(shí)例。所述電子裝置包括處理器21，所述處理器21可經(jīng)配置以執(zhí)行一個(gè)或一個(gè)以上軟件模塊。除執(zhí)行操作系統(tǒng)外，處理器21還可經(jīng)配置以執(zhí)行一個(gè)或一個(gè)以上軟件應(yīng)用程序，包括網(wǎng)頁(yè)瀏覽器、電話應(yīng)用程序、電子郵件程序或任何其它軟件應(yīng)用程序。處理器21可經(jīng)配置以與陣列驅(qū)動(dòng)器22通信。陣列驅(qū)動(dòng)器22可包括將信號(hào)提供到(例如)顯示陣列或面板30的行驅(qū)動(dòng)器電路24及列驅(qū)動(dòng)器電路26。在圖1中說(shuō)明的IMOD顯示裝置的橫截面由圖2中的線1-1展示。雖然圖2為了清晰起見(jiàn)說(shuō)明IMOD的3X3陣列，但顯示陣列30可含有非常大量的M0D，且可在行中與在列中具有不同數(shù)目個(gè)M0D，且可在列中與在行中具有不同數(shù)目個(gè)MOD。圖3展示說(shuō)明用于圖1的干涉調(diào)制器的可移動(dòng)反射層位置對(duì)所施加的電壓的圖的一實(shí)例。對(duì)于MEMS干涉調(diào)制器，行/列(即，共用/分段)寫入程序可利用這些裝置的滯后性質(zhì)，如在圖3中所說(shuō)明。干涉調(diào)制器可能需要(例如)約10伏特電位差來(lái)使可移動(dòng)反射層或鏡從松弛狀態(tài)改變成激活狀態(tài)。當(dāng)電壓從這個(gè)值減小時(shí)，隨著電壓降回到低于(例如)10伏特，可移動(dòng)反射層維持其狀態(tài)，然而，直到電壓降到低于2伏特，可移動(dòng)反射層才會(huì)完全松弛。因此，存在一電壓范圍(如在圖3中所展示，約3伏特到7伏特)，在所述范圍中，存在施加電壓窗，在所述施加電壓窗內(nèi)，裝置穩(wěn)定地處于松弛或激活狀態(tài)下。本文中將其稱為“滯后窗”或“穩(wěn)定窗”。對(duì)于具有圖3的滯后特性的顯示陣列30來(lái)說(shuō)，可對(duì)行/列寫入程序進(jìn)行設(shè)計(jì)以一次尋址一個(gè)或一個(gè)以上行，使得在給定行的尋址期間，經(jīng)尋址的行中的待激活的像素被暴露于約10伏特的電壓差，且待松弛的像素被暴露于接近零伏特的電壓差。在尋址后，像素被暴露于穩(wěn)定狀態(tài)或約5伏特的偏壓電壓差，使得其保持處于先前選通狀態(tài)下。在此實(shí)例中，在經(jīng)尋址后，每一像素經(jīng)歷在約3伏特到7伏特的“穩(wěn)定窗”內(nèi)的電位差。此滯后性質(zhì)特征使像素設(shè)計(jì)(例如，在圖1中所說(shuō)明)能夠在相同施加電壓條件下保持穩(wěn)定地處于激活的或松弛的預(yù)先存在的狀態(tài)下。由于每一 IMOD像素?zé)o論處于激活狀態(tài)還是松弛狀態(tài)下基本上均為由固定及移動(dòng)反射層形成的電容器，所以可在滯后窗內(nèi)的穩(wěn)定電壓下保持此穩(wěn)定狀態(tài)，實(shí)質(zhì)上不消耗或損失電力。此外，如果施加的電壓電位保持實(shí)質(zhì)上固定，則實(shí)質(zhì)上極少或無(wú)電流流入到MOD像素內(nèi)。在一些實(shí)施方案中，可通過(guò)根據(jù)給定行中的像素的狀態(tài)的所要改變(如如果存在)沿著列電極集合按“分段”電壓的形式施加數(shù)據(jù)信號(hào)來(lái)建立圖像的幀?？梢来螌ぶ逢嚵械拿恳恍?，使得一次一行地寫入幀。為了將所要的數(shù)據(jù)寫入到第一行中的像素，可將對(duì)應(yīng)于第一行中的像素的所要狀態(tài)的分段電壓施加于列電極上，且可將呈特定“共用”電壓或信號(hào)形式的第一行脈沖施加到第一行電極。接著可改變所述組分段電壓以對(duì)應(yīng)于第二行中的像素的狀態(tài)的所要改變(如果存在)，且可將第二共用電壓施加到第二行電極。在一些實(shí)施方案中，第一行中的像素不受沿著列電極施加的分段電壓的改變影響，且保持處于在第一共用電壓行脈沖期間其被設(shè)定到的狀態(tài)下。對(duì)于整個(gè)系列的行(或者，列)，可以依序方式重復(fù)此過(guò)程以產(chǎn)生圖像幀。可通過(guò)在某一每秒所要幀數(shù)下不斷重復(fù)此過(guò)程來(lái)用新的圖像數(shù)據(jù)刷新及/或更新幀?？缑恳幌袼厥┘拥姆侄涡盘?hào)與共用信號(hào)的組合(即，跨每一像素的電位差)確定每一像素的所得狀態(tài)。圖4展示說(shuō)明當(dāng)施加各種共用電壓及分段電壓時(shí)的干涉調(diào)制器的各種狀態(tài)的表的一實(shí)例。如一般所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員將易于理解，可將“分段”電壓施加到列電極或行電極，且可將“共用”電壓施加到列電極或行電極中的另一者。如在圖4中(以及在圖5B中展示的時(shí)序圖中)所說(shuō)明，當(dāng)沿著共用線施加釋放電壓VC.時(shí)，沿著共用線的所有干涉調(diào)制器元件將被置于松弛狀態(tài)(或者稱作釋放或未激活狀態(tài))下，而與沿著分段線施加的電壓(即，高分段電壓VSh及低分段電壓VSJ無(wú)關(guān)。具體來(lái)說(shuō)，當(dāng)沿著共用線施加釋放電壓VC.時(shí)，跨調(diào)制器的電位電壓(或者稱作像素電壓)處于松弛窗(見(jiàn)圖3，也稱作釋放窗)內(nèi)(當(dāng)沿著用于所述像素的對(duì)應(yīng)分段線施加高分段電壓VSh及施加低分段電壓VS^時(shí))。當(dāng)在共用線上施加保持電壓(例如，高保持電壓VCmD H或低保持電壓VCmD J時(shí)，干涉調(diào)制器的狀態(tài)將保持恒 定。舉例來(lái)說(shuō)，松弛的IMOD將保持處于松弛的位置中，且激活的IMOD將保持處于激活的位置中。保持電壓可經(jīng)選擇使得像素電壓將保持處于穩(wěn)定窗內(nèi)(當(dāng)沿著對(duì)應(yīng)分段線施加高分段電壓VSh及施加低分段電壓V&時(shí))。因此，分段電壓擺動(dòng)(即，高VSh與低分段電壓VSlj之間的差)小于正或負(fù)穩(wěn)定窗的寬度。
當(dāng)在共用線上施加尋址或激活電壓(例如，高尋址電壓VCadd H或低尋址電壓VCaddL)時(shí)，可通過(guò)沿著相應(yīng)分段線施加分段電壓而沿著所述線將數(shù)據(jù)選擇性地寫入到調(diào)制器。分段電壓可經(jīng)選擇使得激活視所施加的分段電壓而定。當(dāng)沿著共用線施加尋址電壓時(shí)，一個(gè)分段電壓的施加將使得像素電壓在穩(wěn)定窗內(nèi)，從而使像素保持未激活。相比之下，其它分段電壓的施加將使得像素電壓在穩(wěn)定窗外，從而引起像素的激活。引起激活的特定分段電壓可視使用哪一尋址電壓而變化。在一些實(shí)施方案中，當(dāng)沿著共用線施加高尋址電壓VCaddη時(shí)，高分段電壓VSh的施加可使調(diào)制器保持處于其當(dāng)前位置中，而低分段電壓V&的施加可引起調(diào)制器的激活。作為必然結(jié)果，當(dāng)施加低尋址電壓VCADu時(shí)，分段電壓的效應(yīng)可相反，其中高分段電壓VSh引起調(diào)制器的激活，且低分段電壓￥&對(duì)調(diào)制器的狀態(tài)無(wú)影響(即，保持穩(wěn)定)。 在一些實(shí)施方案中，可使用始終產(chǎn)生跨調(diào)制器的相同極性電位差的保持電壓、尋址電壓及分段電壓。在一些其它實(shí)施方案中，可使用使調(diào)制器的電位差的極性交替的信號(hào)?？缯{(diào)制器的極性的交替(即，寫入程序的極性的交替)可減少或抑制在單一極性的重復(fù)寫入操作后可能發(fā)生的電荷累積。圖5A展示說(shuō)明在圖2的3X3干涉調(diào)制器顯示器中的顯示數(shù)據(jù)的幀的圖的一實(shí)例。圖5B展示可用以寫入在圖5A中說(shuō)明的顯示數(shù)據(jù)的幀的共用信號(hào)及分段信號(hào)的時(shí)序圖的一實(shí)例?？蓪⑿盘?hào)施加到(例如)圖2的3X3陣列，此將最終產(chǎn)生在圖5A中說(shuō)明的線時(shí)間60e顯示布置。圖5A中的激活的調(diào)制器處于暗狀態(tài)，即，反射的光的實(shí)質(zhì)部分處于可見(jiàn)光譜外以便引起(例如)對(duì)觀看者的暗外觀的情況。在寫入圖5A中所說(shuō)明的幀之前，像素可處于任一狀態(tài)下，但在圖5B的時(shí)序圖中說(shuō)明的寫入程序假定每一調(diào)制器已經(jīng)釋放且在第一線時(shí)間60a前駐留于未激活狀態(tài)下。在第一線時(shí)間60a期間:將釋放電壓70施加于共用線I上；施加于共用線2上的電壓開(kāi)始于高保持電壓72，且移動(dòng)到釋放電壓70 ;且沿著共用線3施加低保持電壓76。因此，沿著共用線I的調(diào)制器(共用1，分段1)、(1，2)及(1，3)在第一線時(shí)間60a的持續(xù)時(shí)間內(nèi)保持處于松弛或未激活狀態(tài)下，沿著共用線2的調(diào)制器(2，I)、(2,2)及(2，3)將移動(dòng)到松弛狀態(tài)，且沿著共用線3的調(diào)制器(3，I)、(3,2)及(3，3)將保持處于其先前狀態(tài)下。參看圖4，沿著分段線1、2及3施加的分段電壓將對(duì)干涉調(diào)制器的狀態(tài)無(wú)影響，這是因?yàn)樵诰€時(shí)間60a期間(即，VC.-松弛及VCmD f穩(wěn)定)，共用線1、2或3中沒(méi)有一者正被暴露于引起激活的電壓電平。在第二線時(shí)間60b期間，共用線I上的電壓移動(dòng)到高保持電壓72，且沿著共用線I的所有調(diào)制器保持處于松弛狀態(tài)下，而與所施加的分段電壓無(wú)關(guān)，這是因?yàn)闆](méi)有尋址或激活電壓施加于共用線I上。歸因于釋放電壓70的施加，沿著共用線2的調(diào)制器保持處于松弛狀態(tài)下，且當(dāng)沿著共用線3的電壓移動(dòng)到釋放電壓70時(shí)，沿著共用線3的調(diào)制器(3，I)、(3，2)及(3，3)將松弛。在第三線時(shí)間60c期間，通過(guò)在共用線I上施加高尋址電壓74來(lái)尋址共用線I。因?yàn)樵诖藢ぶ冯妷旱氖┘悠陂g沿著分段線I及2施加低分段電壓64，所以跨調(diào)制器(1，I)及(1，2)的像素電壓比調(diào)制器的正穩(wěn)定窗的高端大(即，電壓差超過(guò)預(yù)定義的閾值)，且調(diào)制器(1，1)及(1，2)被激活。相反，因?yàn)檠刂侄尉€3施加高分段電壓62，所以跨調(diào)制器(1,3)的像素電壓小于調(diào)制器(1，1)及(1，2)的像素電壓，且保持處于調(diào)制器的正穩(wěn)定窗內(nèi)；調(diào)制器(1，3)因此保持松弛。又，在線時(shí)間60c期間，沿著共用線2的電壓減小到低保持電壓76，且沿著共用線3的電壓保持處于釋放電壓70，從而使沿著共用線2及3的調(diào)制器處于松弛位置中。在第四線時(shí)間60d期間，共用線I上的電壓返回到高保持電壓72，從而使沿著共用線I的調(diào)制器處于其相應(yīng)經(jīng)尋址狀態(tài)下。共用線2上的電壓減小到低尋址電壓78。因?yàn)檠刂侄尉€2施加高分段電壓62，所以跨調(diào)制器(2，2)的像素電壓低于調(diào)制器的負(fù)穩(wěn)定窗的下端，從而使調(diào)制器(2，2)激活。相反，因?yàn)檠刂侄尉€I及3施加低分段電壓64，所以調(diào)制器(2，I)及(2，3)保持處于松弛位置中。共用線3上的電壓增加到高保持電壓72，從而使沿著共用線3的調(diào)制器處于松弛狀態(tài)下。最后，在第五線時(shí)間60e期間，共用線I上的電壓保持處于高保持電壓72，且共用線2上的電壓保持處于低保持電壓76，從而使沿著共用線I及2的調(diào)制器處于其相應(yīng)經(jīng)尋址狀態(tài)下。共用線3上的電壓增加到高尋址電壓74以尋址沿著共用線3的調(diào)制器。因?yàn)閷⒌头侄坞妷?4施加于分段線2及3上，所以調(diào)制器(3，2)及(3，3)激活，而沿著分段線I施加的高分段電壓62使調(diào)制器(3，I)保持處于松弛位置中。因此，在第五線時(shí)間60e的末尾，只要沿著共用線施加保持電壓，3X3像素陣列即處于在圖5A中展示的狀態(tài)下，且將保持處于所述狀態(tài)下，而與當(dāng)正尋址沿著其它共用線(未圖示)的調(diào)制器時(shí)可能發(fā)生的分段電壓的變化無(wú)關(guān)。在圖5B的時(shí)序圖中，給定寫入程序(B卩，線時(shí)間60a到60e)可包括高保持及尋址電壓或低保持及尋址電壓的使用。一旦已完成針對(duì)給定共用線的寫入程序(且將共用電壓設(shè)定成具有與激活電壓相同極性的保持電壓)，則像素電壓保持處于給定穩(wěn)定窗內(nèi)，且直到將釋放電壓施加于所述共用線上，才會(huì)穿過(guò)所述松弛窗。此外，因?yàn)樵趯ぶ氛{(diào)制器前，作為寫入程序的一部分而釋放每一調(diào)制器，所以調(diào)制器的激活時(shí)間(而非釋放時(shí)間)可確定必要的線時(shí)間。具體來(lái)說(shuō)，在調(diào)制器的釋放時(shí)間比激活時(shí)間大的實(shí)施方案中，可在比單一線時(shí)間長(zhǎng)的時(shí)間內(nèi)施加釋放電壓，如在圖5B中所描繪。在一些其它實(shí)施方案中，沿著共用線或分段線施加的電壓可變化以考慮不同調(diào)制器(例如，不同色彩的調(diào)制器)的激活及釋放電壓的變化。根據(jù)以上闡明的原理操作的干涉調(diào)制器的結(jié)構(gòu)的細(xì)節(jié)可廣泛地變化。舉例來(lái)說(shuō)，圖6A到6E展示干涉調(diào)制器(包括可移動(dòng)反射層14及其支撐結(jié)構(gòu))的變化的實(shí)施方案的橫截面的實(shí)例。圖6A展示圖1的干涉調(diào)制器顯示器的部分橫截面的一實(shí)例，其中金屬材料的條帶(即，可移動(dòng)反射層14)沉積于與襯底20正交延伸的支撐件18上。在圖6B中，每一 IMOD的可移動(dòng)反射層14在形狀上為大體正方形或矩形，且在系栓32上的角落處或附近附接到支撐件。在圖6C中，可移動(dòng)反射層14在形狀上為大體正方形或矩形，且從可包括柔性金屬的可變形層34懸置?？勺冃螌?4可在可移動(dòng)反射層14的周邊周圍直接或間接地連接到襯底20。這些連接在本文中稱作支撐柱。圖6C中展示的實(shí)施方案具有從使可移動(dòng)反射層14的光學(xué)功能與其機(jī)械功能(其由可變形層34實(shí)現(xiàn))去耦導(dǎo)出的額外益處。此去耦允許用于反射層14的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)及材料及用于可變形層34的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)及材料獨(dú)立于彼此加以最佳化。圖6D展不IMOD的另一實(shí)例,其中可移動(dòng)反射層14包括一反射性子層14a?？梢苿?dòng)反射層14擱置在支撐結(jié)構(gòu)(例如，支撐柱18)上。支撐柱18提供可移動(dòng)反射層14與下部固定電極(即，在所說(shuō)明的IMOD中的光學(xué)堆疊16的一部分)的分離，使得間隙19形成于可移動(dòng)反射層14與光學(xué)堆疊16之間(例如，當(dāng)可移動(dòng)反射層14處于松弛位置中時(shí))。可移動(dòng)反射層14還可包括傳導(dǎo)層14c (其可經(jīng)配置以充當(dāng)電極)及支撐層14b。在此實(shí)例中，傳導(dǎo)層14c安置于支撐層14b的遠(yuǎn)離襯底20的一側(cè)上，且反射性子層14a安置于支撐層14b的接近襯底20的一側(cè)上。在一些實(shí)施方案中，反射性子層14a可為傳導(dǎo)性的，且可安置于支撐層14b與光學(xué)堆疊16之間。支撐層14b可包括一個(gè)或一個(gè)以上電介質(zhì)材料(例如，氮氧化硅(SiON)或二氧化硅(SiO2))層。在一些實(shí)施方案中，支撐層14b可為層的堆疊，例如，Si02/Si0N/Si02三層堆疊。反射性子層14a及傳導(dǎo)層14c中的任一者或兩者可包括(例如)具有約0.5%銅(Cu)的鋁(Al)合金或另一反射性金屬材料。在電介質(zhì)支撐層14b上方及下方使用傳導(dǎo)層14a、14c可平衡應(yīng)力，且提供增強(qiáng)的傳導(dǎo)。在一些實(shí)施方案中，針對(duì)多種設(shè)計(jì)目的，例如，實(shí)現(xiàn)在可移動(dòng)反射層14內(nèi)的特定應(yīng)力分布，反射性子層14a及傳導(dǎo)層14c可由不同材料形成。如圖6D中所說(shuō)明，一些實(shí)施方案還可包括黑掩模結(jié)構(gòu)23。黑掩模結(jié)構(gòu)23可形成于光學(xué)非活性區(qū)域中(例如，在像素之間或在柱18下面)以吸收環(huán)境或雜散光。黑掩模結(jié)構(gòu)23還可通過(guò)抑制光從顯示器的非活性部分反射或透射穿過(guò)顯示器的非活性部分來(lái)改良顯示裝置的光學(xué)性質(zhì)，借此增加對(duì)比率。另外，黑掩模結(jié)構(gòu)23可為傳導(dǎo)性的，且經(jīng)配置以充當(dāng)電轉(zhuǎn)移層。在一些實(shí)施方案中，行電極可連接到黑掩模結(jié)構(gòu)23以減小連接的行電極的電阻。可使用多種方法(包括沉積及圖案化技術(shù))形成黑掩模結(jié)構(gòu)23。黑掩模結(jié)構(gòu)23可包括一個(gè)或一個(gè)以上層。舉例來(lái)說(shuō)，在一些實(shí)施方案中，黑掩模結(jié)構(gòu)23包括充當(dāng)光學(xué)吸收器的鑰鉻(MoCr)層、一層及充當(dāng)反射器及轉(zhuǎn)移層的鋁合金，其中厚度分別處于約30 A到80 A、500 A到1000 A及500 A到6000 A的范圍中。所述一個(gè)或一個(gè)以上層可使用多種技術(shù)來(lái)圖案化，包括光刻及干式蝕刻，包括(例如)用于MoCr及SiO2層的四氟甲烷(CF4)及/或氧(O2)及用于鋁合金層的氯(Cl2)及/或三氯化硼(BCl3)。在一些實(shí)施方案中，黑掩模23可為標(biāo)準(zhǔn)具或干涉堆疊結(jié)構(gòu)。在這些干涉堆疊黑掩模結(jié)構(gòu)23中，可使用傳導(dǎo)性吸收器在每一行或列的光學(xué)堆疊16中的下部固定電極之間傳輸或轉(zhuǎn)移信號(hào)。在一些實(shí)施方案中，間隔器層35可用以將吸收器層16a與黑掩模23中的傳導(dǎo)層大體電隔離。圖6E展示MOD的另一實(shí)例，其中可移動(dòng)反射層14為自支撐的。與圖6D相比，圖6E的實(shí)施方案不包括支撐柱18。實(shí)情為，可移動(dòng)反射層14在多個(gè)位置處接觸下伏光學(xué)堆疊16，且可移動(dòng)反射層14的曲率提供當(dāng)跨干涉調(diào)制器的電壓不足以引起激活時(shí)使可移動(dòng)反射層14返回到圖6E的未激活位置的足夠支撐。此處為了清晰起見(jiàn)，展示可含有多個(gè)若干不同層的光學(xué)堆疊16包括光學(xué)吸收器16a及電介質(zhì)16b。在一些實(shí)施方案中，光學(xué)吸收器16a可充當(dāng)固定電極且充當(dāng)部分反射層。在例如圖6A到6E中展示的實(shí)施方案的實(shí)施方案中，MOD充當(dāng)直觀式裝置，其中從透明襯底20的前側(cè)(即，與其上布置有調(diào)制器的側(cè)相對(duì)的側(cè))觀看圖像。在這些實(shí)施方案中，裝置的后部部分(即，顯示裝置的在可移動(dòng)反射層14后的任何部分，包括(例如)在圖6C中說(shuō)明的可變形層34)可經(jīng)配置及操作，而不影響或負(fù)面影響顯示裝置的圖像質(zhì)量，這是因?yàn)榉瓷鋵?4光學(xué)屏蔽裝置的這些部分。舉例來(lái)說(shuō)，在一些實(shí)施方案中，在可移動(dòng)反射層14后可包括總線結(jié)構(gòu)(未說(shuō)明)，其提供將調(diào)制器的光學(xué)性質(zhì)與調(diào)制器的機(jī)電性質(zhì)(例如，電壓尋址與由此尋址產(chǎn)生的移動(dòng))分開(kāi)的能力。另外，圖6A到6E的實(shí)施方案可簡(jiǎn)化例如圖案化的處理。圖7展示說(shuō)明干涉調(diào)制器的制造過(guò)程80的流程圖的一實(shí)例，且圖8A到SE展示此制造過(guò)程80的對(duì)應(yīng)階段的橫截面示意性說(shuō)明的實(shí)例。在一些實(shí)施方案中，除了圖7中未展示的其它框之外，制造過(guò)程80還可經(jīng)實(shí)施以制造(例如)圖1及圖6中說(shuō)明的通常類型的干涉調(diào)制器。參看圖1、6及7，過(guò)程80開(kāi)始于框82，其中在襯底20上形成光學(xué)堆疊16。圖8A說(shuō)明形成于襯底20上的此光學(xué)堆疊16。襯底20可為例如玻璃或塑料的透明襯底，其可為柔性或相對(duì)硬且不彎曲，且可能已經(jīng)受先前準(zhǔn)備工藝(例如，清潔)，以促進(jìn)光學(xué)堆疊16的有效率的形成。如上所論述，光學(xué)堆疊16可為導(dǎo)電性的、部分透明且部分反射性的，且可(例如)通過(guò)將具有所要性質(zhì)的一個(gè)或一個(gè)以上層沉積到透明襯底20上來(lái)制造。在圖8A中，光學(xué)堆疊16包括具有子層16a及16b的多層結(jié)構(gòu)，但在一些其它實(shí)施方案中可包括更多或更少的子層。在一些實(shí)施方案中，子層16a、16b中的一者可配置有光學(xué)吸收性質(zhì)及傳導(dǎo)性質(zhì)兩者，例如，組合的導(dǎo)體/吸收器子層16a。另外，子層16a、16b中的一者或一者以上可經(jīng)圖案化為平行條帶，且可形成顯示裝置中的行電極?？赏ㄟ^(guò)掩蔽及蝕刻工藝或此項(xiàng)技術(shù)中已知的另一合適工藝來(lái)執(zhí)行此圖案化。在一些實(shí)施方案中，子層16a、16b中的一者可為絕緣或電介質(zhì)層，例如，沉積于一個(gè)或一個(gè)以上金屬層(例如，一個(gè)或一個(gè)以上反射及/或傳導(dǎo)層)上的子層16b。此外，光學(xué)堆疊16可經(jīng)圖案化為形成顯示器的行的個(gè)別及平行條帶。過(guò)程80在框84處繼續(xù)，其中在光學(xué)堆疊16上形成犧牲層25。稍后移除犧牲層25 (例如，在框90處)以形成空腔19，且因此在圖1中說(shuō)明的所得干涉調(diào)制器12中未展示犧牲層25。圖SB說(shuō)明包括形成于光學(xué)堆疊16上的犧牲層25的部分制造的裝置。犧牲層25在光學(xué)堆疊16上的形成可包括按選定厚度沉積二氟化氙(XeF2)可蝕刻材料(例如，鑰(Mo)或非晶硅(a-Si))以在隨后移除后提供具有所要設(shè)計(jì)大小的空隙或空腔19 (也見(jiàn)圖1及8E)。可使用例如物理氣相沉積(PVD，例如，濺鍍)、等離子增強(qiáng)型化學(xué)氣相沉積(PECVD)、熱化學(xué)氣相沉積(熱CVD)或旋涂的沉積技術(shù)來(lái)進(jìn)行犧牲材料的沉積。過(guò)程80在框86處繼續(xù)，其中形成支撐結(jié)構(gòu)，例如，如在圖1、6及8C中說(shuō)明的柱18。柱18的形成可包括圖案化犧牲層25以形成支撐結(jié)構(gòu)孔隙，接著使用例如PVD、PECVD、熱CVD或旋涂的沉積方法將一材料(例如，聚合物或無(wú)機(jī)材料，例如，氧化硅)沉積到所述孔隙內(nèi)以形成柱18。在一些實(shí)施方案中，形成于犧牲層中的支撐結(jié)構(gòu)孔隙可延伸穿過(guò)犧牲層25及光學(xué)堆疊16兩者到下伏襯底20，使得柱18的下端接觸襯底20，如在圖6A中所說(shuō)明?；蛘?，如在圖8C中所描繪，形成于犧牲層25中的孔隙可延伸穿過(guò)犧牲層25，但不穿過(guò)光學(xué)堆疊16。舉例來(lái)說(shuō)，圖SE說(shuō)明與光學(xué)堆疊16的上表面接觸的支撐柱18的下端。可通過(guò)在犧牲層25上沉積支撐結(jié)構(gòu)材料層且圖案化支撐結(jié)構(gòu)材料的位置遠(yuǎn)離犧牲層25中的孔隙的部分來(lái)形成柱18或其它支撐結(jié)構(gòu)。支撐結(jié)構(gòu)可位于孔隙內(nèi)，如在圖SC中所說(shuō)明，但也可至少部分地在犧牲層25的一部分上延伸。如上文所指出，犧牲層25及/或支撐柱18的圖案化可通過(guò)圖案化及蝕刻工藝來(lái)執(zhí)行，但也可通過(guò)替代蝕刻方法來(lái)執(zhí)行。過(guò)程80在框88處繼續(xù)，其中形成可移動(dòng)反射層或膜，例如，在圖1、6及8D中說(shuō)明的可移動(dòng)反射層14。可移動(dòng)反射層14可通過(guò)使用一個(gè)或一個(gè)以上沉積步驟(例如，反射層(例如，鋁、鋁合金)沉積)連同一個(gè)或一個(gè)以上圖案化、掩蔽及/或蝕刻步驟而形成?？梢苿?dòng)反射層14可導(dǎo)電,且被稱作導(dǎo)電層。在一些實(shí)施方案中,可移動(dòng)反射層14可包括多個(gè)子層14a、14b、14c，如圖8D中所展示。在一些實(shí)施方案中，所述子層中的一者或一者以上(例如，子層14a、14c)可包括針對(duì)其光學(xué)性質(zhì)而選擇的高反射性子層，且另一子層14b可包括針對(duì)其機(jī)械性質(zhì)而選擇的機(jī)械子層。由于犧牲層25仍存在于在框88處形成的部分制造的干涉調(diào)制器中，因此可移動(dòng)反射層14在此階段通常不可移動(dòng)。含有犧牲層25的部分制造的MOD在本文中也可被稱作“未釋放” MOD。如上文結(jié)合圖1所描述，可移動(dòng)反射層14可經(jīng)圖案化為形成顯示器的列的個(gè)別及平行條帶。過(guò)程80在框90處繼續(xù)，其中形成空腔，例如，如在圖1、6及8E中說(shuō)明的空腔19?？赏ㄟ^(guò)將犧牲材料25 (在框84處沉積)暴露于蝕刻劑來(lái)形成空腔19。舉例來(lái)說(shuō)，可通過(guò)干式化學(xué)蝕刻來(lái)移除例如Mo或非晶Si的可蝕刻犧牲材料，例如，通過(guò)在對(duì)移除所要量的材料有效的時(shí)間段內(nèi)將犧牲層25暴露于氣態(tài)或蒸氣狀蝕刻劑(例如，從固態(tài)XeF2得來(lái)的蒸氣)，通常相對(duì)于包圍空腔19的結(jié)構(gòu)選擇性地移除。也可使用其它蝕刻方法，例如，濕式蝕刻及/或等離子蝕刻。由于在框90期間移除犧牲層25，因此可移動(dòng)反射層14在此階段后通?？梢苿?dòng)。在移除犧牲材料25后，所得完全或部分制造的IMOD在本文中可被稱作“釋放的” MOD。圖9為說(shuō)明用于驅(qū)動(dòng)每像素64色顯示器的實(shí)施方案的共用驅(qū)動(dòng)器904及分段驅(qū)動(dòng)器902的實(shí)例的框圖。所述陣列可包括一組機(jī)電顯示元件102，所述組機(jī)電顯示元件102在一些實(shí)施方案中可包括干涉調(diào)制器?？墒褂靡唤M分段電極或分段線122a到122d、124a到124d、126a到126d及一組共用電極或共用線112a到112d、114a到114d、116a到116d來(lái)尋址顯示元件102，這是因?yàn)槊恳伙@示元件102將與一分段電極及一共用電極電連通。分段驅(qū)動(dòng)器902經(jīng)配置以跨分段電極中的每一者施加電壓波形，且共用驅(qū)動(dòng)器904經(jīng)配置以跨共用電極中的每一者施加電壓波形。在一些實(shí)施方案中，電極中的一些可相互電連通(例如，分段電極122a與124a)，使得可將相同電壓波形同時(shí)施加于分段電極中的每一者上。因?yàn)槠漶詈系絻蓚€(gè)分段電極，所以連接到兩個(gè)分段電極的分段驅(qū)動(dòng)器輸出端可在本文中稱作“最高有效位”(MSB)分段輸出端，這是因?yàn)榇朔侄屋敵龆说臓顟B(tài)控制每一行中的兩個(gè)鄰近顯示元件的狀態(tài)。耦合到個(gè)別分段電極的分段驅(qū)動(dòng)器輸出端(例如，在126a處)可在本文中稱作“最低有效位”(LSB)電極，這是因?yàn)槠淇刂泼恳恍兄械膯我伙@示元件的狀態(tài)。仍參看圖9，在其中顯示器包括彩色顯示器或單色灰度顯示器的實(shí)施方案中，個(gè)別機(jī)電元件102可包括較大像素的子像素。像素中的每一者可包括某一數(shù)目個(gè)子像素。在其中陣列包括具有一組干涉調(diào)制器的彩色顯示器的實(shí)施方案中，可沿著共用線對(duì)準(zhǔn)各種色彩，使得沿著給定共用線的實(shí)質(zhì)上所有顯示元件包括經(jīng)配置以顯示相同色彩的顯示元件。彩色顯示器的一些實(shí)施方案包括交替的紅、綠及藍(lán)子像素線。舉例來(lái)說(shuō)，線112a到112d可對(duì)應(yīng)于紅干涉調(diào)制器的線，線114a到114d可對(duì)應(yīng)于綠干涉調(diào)制器的線，且線116a到116d可對(duì)應(yīng)于藍(lán)干涉調(diào)制器的線。在一個(gè)實(shí)施方案中，干涉調(diào)制器102的每一 3X3陣列形成一像素，例如，像素130a到130d。在其中分段電極中的兩者短接到彼此的所說(shuō)明實(shí)施方案中，此3 X 3像素將能夠顯現(xiàn)64個(gè)不同色彩(例如，6位色彩深度)，這是因?yàn)樵诿恳幌袼刂械拿恳蝗齻€(gè)共用色彩子像素的集合可被置于四個(gè)不同狀態(tài)(對(duì)應(yīng)于無(wú)、一個(gè)、兩個(gè)或三個(gè)激活的干涉調(diào)制器)下。當(dāng)在單色灰度模式下使用此布置時(shí)，使每一色彩的三像素集合的狀態(tài)相同，在所述情況下，每一像素可呈現(xiàn)四個(gè)不同灰階強(qiáng)度。應(yīng)了解，此僅為一個(gè)實(shí)例，且可使用較大群組的干涉調(diào)制器以按不同總體像素計(jì)數(shù)或分辨率形成具有較大色彩范圍的像素。
如上文所詳細(xì)描述，為了寫入顯示數(shù)據(jù)的線，分段驅(qū)動(dòng)器902可將電壓施加到分段電極或連接到其的總線。其后，共用驅(qū)動(dòng)器904可對(duì)連接到其的選定共用線加脈沖以使沿著所述選定線的顯示元件顯示數(shù)據(jù)，例如，通過(guò)根據(jù)施加到相應(yīng)分段輸出端的電壓來(lái)激活沿著所述線的選定顯示元件。在將顯示數(shù)據(jù)寫入到選定線后，分段驅(qū)動(dòng)器902可將另一組電壓施加到連接到其的總線，且共用驅(qū)動(dòng)器904可對(duì)連接到其的另一線加脈沖以將顯示數(shù)據(jù)寫入到另一線。通過(guò)重復(fù)此過(guò)程，可將顯示數(shù)據(jù)依序?qū)懭氲斤@示陣列中的任何數(shù)目個(gè)線。圖10展示說(shuō)明對(duì)于干涉調(diào)制器陣列中的若干成員的可移動(dòng)反射鏡位置對(duì)所施加電壓的圖的一實(shí)例。圖10類似于圖3，但說(shuō)明陣列中的不同調(diào)制器之間的滯后曲線的變化。雖然每一干涉調(diào)制器通常展現(xiàn)滯后，但對(duì)于陣列中的所有調(diào)制器，滯后窗的邊緣并不處于相同電壓下。因此，對(duì)于一陣列中的不同干涉調(diào)制器，激活電壓及釋放電壓可能不同。此外，激活電壓及釋放電壓可隨著顯示器在其壽命內(nèi)的溫度的變化、老化及使用模式而改變。此可使得難以確定待在驅(qū)動(dòng)方案(例如，以上關(guān)于圖4描述的驅(qū)動(dòng)方案)中使用的電壓。此還可使得以在顯示陣列的使用期間及壽命內(nèi)追蹤這些改變的方式來(lái)變化在驅(qū)動(dòng)方案中使用的電壓對(duì)于最佳顯示操作是有用的?，F(xiàn)在返回到圖10，在高于中心電壓(圖10中表示為Vcent)的正激活電壓下及低于中心電壓的負(fù)激活電壓下，每一干涉調(diào)制器從釋放狀態(tài)改變成激活狀態(tài)。中心電壓為正滯后窗與負(fù)滯后窗之間的中點(diǎn)?？砂炊喾N方式來(lái)定義中心電壓，例如，外邊緣之間的中途、內(nèi)邊緣之間的中途或兩個(gè)窗的中點(diǎn)之間的中途。對(duì)于一調(diào)制器陣列，中心電壓可定義為用于所述陣列的不同調(diào)制器的平均中心電壓，或可定義為所有調(diào)制器的滯后窗的極值之間的中途。舉例來(lái)說(shuō)，參看圖10，可將中心電壓定義為高激活電壓與低激活電壓之間的中途。事實(shí)上，如何確定此值并不特別重要，這是因?yàn)楦缮嬲{(diào)制器的中心電壓通常接近于零，且甚至當(dāng)情況并非如此時(shí)，計(jì)算滯后窗之間的中點(diǎn)的各種方法將實(shí)質(zhì)上得出同一值。在中心電壓可從零偏移的那些實(shí)施方案中，此偏差可被稱作電壓偏移。如上所述，對(duì)于不同干涉調(diào)制器，這些值不同?？梢员碚饔糜谒鲫嚵械慕浦兄嫡柏?fù)激活電壓，在圖10中分別標(biāo)明為VA50+及VA50-。電壓VA50+可表征為將使一陣列的約50%的調(diào)制器激活的正極性電壓。電壓VA50-可特性化為將使一陣列的約50%的調(diào)制器激活的負(fù)極性電壓。使用此術(shù)語(yǔ)，可將中心電壓Vcent定義為(VA50++ VA50-)/2。類似地，在高于中心電壓的正極性釋放電壓下及在低于中心電壓的負(fù)極性釋放電壓下，干涉調(diào)制器從激活狀態(tài)改變成釋放狀態(tài)。至于正及負(fù)激活電壓，可表征用于所述陣列的近似中間或平均正及負(fù)釋放電壓，在圖10中分別標(biāo)明為VR50+及VR50-。用于所述陣列的這些平均或代表性值可用以導(dǎo)出用于所述陣列的驅(qū)動(dòng)方案電壓。在一些實(shí)施方案中，可導(dǎo)出正保持電壓(在圖5B中標(biāo)明為72)作為VA50+與VR50+的平均值。可導(dǎo)出負(fù)保持電壓(在圖5B中標(biāo)明為76)作為VA50-與VR50-的平均值。此使正及負(fù)保持電壓大致在所述陣列的典型或平均滯后窗的中心?？蓪?dǎo)出正及負(fù)分段電壓(在圖5B中標(biāo)明為62及64，且在本文中被稱作VS+及VS-)作為分別定義為(VA50+-VR50+)及(VA50-VR50-)的兩個(gè)窗寬度的平均值除以四。此將分段電壓量值設(shè)定在陣列的典型或平均滯后窗的寬度的大致1/4，其中實(shí)際分段電壓VS+及VS-為此量值的正及負(fù)極性。在一些實(shí)施方案中，導(dǎo)出施加到共用線的激活電壓(在圖5B中標(biāo)明為74)作為保持電壓加兩倍的分段電壓。在一些實(shí)施方案中，將額外經(jīng)驗(yàn)確定值Vadj加到正保持電壓，且從上述負(fù)保持電壓計(jì)算減去額外經(jīng)驗(yàn)確定值vadj。雖非始終必要，但此可幫助避免當(dāng)在圖像數(shù)據(jù)寫入(在一些情況下，其可尤其對(duì)用戶可見(jiàn))期間需要激活時(shí)使顯示器的一些部分不能激活。此額外參數(shù)Vatu基本上將保持電壓移動(dòng)得稍更接近于滯后曲線的外激活邊緣，此幫助確保所有顯示元件的激活。然而，如果Vatu過(guò)大，則可能發(fā)生過(guò)多的假激活。在一些實(shí)施方案中，用于VA50+及VA50-的值可處于10伏特到15伏特范圍中。用于VR50+及VR50-的值可處于3伏特到5伏特范圍中。舉例來(lái)說(shuō)，如果測(cè)量指示12V的VA50+、-12V的VA50_、4V的VR50+及-4V的VR50-，則以上計(jì)算將分別將正及負(fù)保持電壓設(shè)定為+8及-8伏特(如果Vadj為零)，且分段電壓將為+2V及-2V。在寫入脈沖期間正被激活的干涉調(diào)制器將具有施加于其上的8+3X2V的電壓，其為14V，其可可靠地激活陣列的基本上任一顯示元件(如如果中值激活電壓為12V)。一般所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)了解，在不同實(shí)施方案中，以上電壓可變化。當(dāng)所述陣列為具有不同色彩的不同共用線的色彩陣列(如上參看圖9所描述)時(shí)，將不同保持電壓用于顯示元件的不同色彩線可能是有用的。因?yàn)椴煌矢缮嬲{(diào)制器具有不同機(jī)械構(gòu)造，所以對(duì)于不同色彩的干涉調(diào)制器，可能存在滯后曲線特性的廣泛變化。然而，在所述陣列的具有一個(gè)色彩的調(diào)制器群內(nèi)，可存在較一致的滯后性質(zhì)。對(duì)于彩色顯示器，可針對(duì)陣列的顯示元件的每一色彩測(cè)量VA50+、VA50-、VR50+及VR50-的不同值。對(duì)于三色顯示器，此為十二個(gè)不同顯示響應(yīng)特性。在這些實(shí)施方案中，可使用針對(duì)每一色彩測(cè)量的VA50+、VA50-、VR50+及VR50-的四個(gè)值來(lái)如上所述單獨(dú)地導(dǎo)出用于所述色彩的正及負(fù)保持電壓。因?yàn)檠刂行惺┘臃侄坞妷海钥蓪?dǎo)出用于所有色彩的單一分段電壓。可類似于以上操作而導(dǎo)出此單一分段電壓，其中計(jì)算在兩個(gè)極性及所有色彩上的平均滯后窗寬度，且接著除以四。用于分段電壓的替代計(jì)算可包括如上所述單獨(dú)地計(jì)算用于一個(gè)或一個(gè)以上色彩的分段電壓，且接著選擇這些分段電壓(例如，最小量值、中間量值、來(lái)自具有視覺(jué)顯著性的特定色彩的分段電壓等)中的一者作為用于整個(gè)陣列的分段電壓。如上文所提及，用于VA50+、VA50-、VR50+及VR50-的值可能在不同陣列之間變化(歸因于制造公差)，且也可能在單一陣列中隨溫度、隨時(shí)間推移、視用途及其類似者而變化。為了最初設(shè)定且稍后調(diào)整這些電壓以生產(chǎn)在其壽命內(nèi)良好發(fā)揮功能的顯示器，可以將測(cè)試及狀態(tài)感測(cè)電路并入到顯示設(shè)備內(nèi)。此在圖11及12中予以說(shuō)明。圖11為耦合到驅(qū)動(dòng)器電路及狀態(tài)感測(cè)電路的顯示陣列的示意性框圖。在此設(shè)備中，分段驅(qū)動(dòng)器電路640及共用驅(qū)動(dòng)器電路630耦合到顯示陣列610。將顯示元件說(shuō)明為連接于相應(yīng)共用線與分段線之間的電容器。對(duì)于干涉調(diào)制器，裝置的電容在將兩個(gè)電極拉到一起時(shí)的激活狀態(tài)下可比其在將兩個(gè)電極分開(kāi)時(shí)的釋放狀態(tài)下高3到10倍?？蓹z測(cè)此電容差以確定一個(gè)或一個(gè)以上顯示元件的所述狀態(tài)。在圖11的實(shí)施方案中，通過(guò)積分器650進(jìn)行檢測(cè)。進(jìn)一步參看圖12描述積分器的功能，圖12為展示圖11的陣列中的測(cè)試電荷流的示意圖?，F(xiàn)在參看圖11及圖12，圖11的共用驅(qū)動(dòng)器電路630包括將測(cè)試輸出驅(qū)動(dòng)器631連接到一個(gè)或一個(gè)以上共用線的一側(cè)的開(kāi)關(guān)632a到632e。另一組開(kāi)關(guān)642a到642e將一個(gè)或一個(gè)以上共用線的另一端連接到積分器電路650。作為一種實(shí)例測(cè)試協(xié)議，每一分段驅(qū)動(dòng)器輸出端可設(shè)定成(例如)電壓VS+。最初閉合積分器的開(kāi)關(guān)648及646。舉例來(lái)說(shuō)，為了測(cè)試線620，開(kāi)關(guān)632a及開(kāi)關(guān)642a閉合，且將測(cè)試電壓施加到共用線620，從而對(duì)電容性顯示元件及隔離電容器644充電。接著，開(kāi)關(guān)632a、648及646斷開(kāi)，且從分段驅(qū)動(dòng)器輸出的電壓改變量AV。顯示元件在電容器上形成的電荷改變量等于約△ V乘所有顯示元件的總電容。將來(lái)自顯示元件的此電荷流轉(zhuǎn)換成由具有積分電容器652的積分器650輸出的電壓,使得積分器的電壓輸出為沿著共用線620的顯示元件的總電容的測(cè)量。此可用以確定用于正測(cè)試的顯示元件的線的參數(shù)VA50+、VA50-、VR50+及VR50-。為了實(shí)現(xiàn)此確定，施加已知釋放所述線中的所有顯示元件的第一測(cè)試電壓。舉例來(lái)說(shuō)，此電壓可為O伏特。在此情況下，跨顯示元件的總電壓為VS+，其為(例如)2V，其處于所有顯示元件的釋放窗內(nèi)。記錄當(dāng)按△ V調(diào)制分段電壓時(shí)的電容器的輸出電壓。此積分器輸出可被稱作用于所述線的Vmin，其對(duì)應(yīng)于所述線的最低線電容Cmin。用已知激活線中的所有顯示元件的共用線測(cè)試電壓(例如，20V)來(lái)重復(fù)此操作。此積分器輸出可被稱作用于所述線的Vmax，其對(duì)應(yīng)于所述線的最高線電容Cmax。為了確定VA50+(正極性此處定義為處于比分段線高的電位下的共用線)，首先通過(guò)共用線上的低電壓(例如，0V)釋放所述線的顯示元件。接著，施加在OV與20V之間的測(cè)試電壓。如果測(cè)試電壓與分段電壓之間的差處于VA50+，則積分器的輸出將為(Vmax+Vmin)/2。由于先前可能不知曉VA50+的正確值，因此在一些實(shí)施方案中，可通過(guò)二元搜索正確測(cè)試電壓來(lái)有效率地發(fā)現(xiàn)所述正確值。舉例來(lái)說(shuō)，如果VA50+恰好為12V，則適當(dāng)測(cè)試電壓將為14V，如在以上實(shí)例中所論述，當(dāng)分段電壓為2V時(shí)，其將跨顯示元件產(chǎn)生12V。為了執(zhí)行二元搜索，第一測(cè)試電壓可為OV與20V的低電壓與高電壓之間的中點(diǎn)，其為IOV。當(dāng)施加IOV測(cè)試電壓且調(diào)制分段電壓時(shí)，積分器輸出將小于(Vmax+Vmin)/2，其指示IOV過(guò)低。在二元搜索中，每下一個(gè)“猜測(cè)”為已知為過(guò)低的最后值與已知為過(guò)高的最后值之間的中途。因此，下一個(gè)電壓嘗試將為IOV與20V之間的中途，其為15V。當(dāng)施加15V測(cè)試電壓且調(diào)制分段電壓時(shí)， 積分器輸出將大于(Vmax+Vmin)/2，其指示15V過(guò)高。重復(fù)二元搜索算法，下一個(gè)測(cè)試電壓將為12.5V。此將產(chǎn)生過(guò)低的積分器輸出，且下一個(gè)測(cè)試電壓將為13.75V。此過(guò)程可繼續(xù)，直到積分器輸出及測(cè)試電壓理想地接近于(Vmax+Vmin)/2及14V的實(shí)際值。在實(shí)踐中，八次迭代幾乎始終足以將VA50+確定為最后施加的測(cè)試電壓減去所施加的分段電壓。如果積分器輸出足夠接近于(Vmax+Vmin)/2(例如，在(Vmax+Vmin)/2目標(biāo)值的10%內(nèi)或1%內(nèi))，則可在八次迭代前終止搜索。為了確定VA50-，通過(guò)施加到共用線的負(fù)測(cè)試電壓重復(fù)所述過(guò)程?？砂搭愃品绞酱_定VR50+及VR50-，但在每一測(cè)試前首先激活(而非釋放)顯示元件。在所述陣列的制造期間，可對(duì)所述陣列的每一線執(zhí)行此過(guò)程，以確定用于每一線的參數(shù)VA50+、VA50-、VR50+及VR50-。對(duì)于單色陣列，用于所述陣列的VA50+、VA50_、VR50+及VR50-的值可為用于每一線的確定值的平均值，且可導(dǎo)出用于所述陣列的驅(qū)動(dòng)方案電壓(如上所述)。對(duì)于一色彩陣列，可按色彩將所述值分群，且也可如上所述導(dǎo)出所述陣列的驅(qū)動(dòng)方案電壓。在此陣列的使用期間，將可以針對(duì)每一線重復(fù)上述過(guò)程，且導(dǎo)出適合于所述陣列的當(dāng)前條件、溫度等的新驅(qū)動(dòng)方案電壓。然而，此可能不合需要，這是因?yàn)榇顺绦蚩苫ㄙM(fèi)大量時(shí)間且可為用戶可見(jiàn)。為了改良速度且減少對(duì)由用戶對(duì)顯示器的觀看的干擾，可將所述陣列分割成子集，且可測(cè)試及表征所述陣列的僅一個(gè)或一個(gè)以上子集。這些子集可充分地表示整個(gè)陣列，使得從這些子集測(cè)量導(dǎo)出的驅(qū)動(dòng)方案電壓適合于整個(gè)陣列。此減少執(zhí)行所述測(cè)量所需的時(shí)間，且可允許在陣列的使用期間在給用戶帶來(lái)較少不方便的情況下來(lái)執(zhí)行所述過(guò)程。返回參看圖11，舉例來(lái)說(shuō)，圖11的單一線622可經(jīng)選擇作為用于在顯示器使用期間的測(cè)試及表征的陣列的代表性子集。在陣列的使用期間周期性地使用開(kāi)關(guān)632d及642d來(lái)測(cè)試線622的VA50+、VA50-、VR50+及VR50-，且使用結(jié)果來(lái)導(dǎo)出更新的驅(qū)動(dòng)方案電壓。在一些實(shí)施方案中，先前可能已基于在制造期間進(jìn)行的每一線的測(cè)量將線622確定為代表性線(如上所述)。通常，此代表性線將具有用于VA50+、VA50-、VR50+及VR50-的值，其接近于用于所述陣列的所有線的VA50+、VA50-、VR50+及VR50-的平均值。在一些實(shí)施方案中，可將若干個(gè)線用作所述陣列的代表性子集，且通過(guò)控制開(kāi)關(guān)632a到632e及642a到642e同時(shí)或依序地測(cè)試若干個(gè)線。當(dāng)執(zhí)行上述測(cè)試程序時(shí)，有可能可因來(lái)自共用驅(qū)動(dòng)器電路630的泄漏電流而將錯(cuò)誤引入到積分器輸出。這是因?yàn)樯踔猎陂_(kāi)關(guān)632a到632e斷開(kāi)后，驅(qū)動(dòng)器830中的晶體管或其它開(kāi)關(guān)電路仍具有某一有限的斷路狀態(tài)阻抗。經(jīng)由此阻抗的泄漏電流在測(cè)試程序期間還可對(duì)積分器650的積分電容器充電，其使得積分器650的輸出電壓與僅通過(guò)由調(diào)制分段電壓引起的電荷遷移產(chǎn)生的電壓不同。為了解決此問(wèn)題，可將泄漏補(bǔ)償電路耦合到測(cè)試中的一個(gè)或一個(gè)以上共用線。圖13為耦合到測(cè)試中的一個(gè)或一個(gè)以上共用線的泄漏補(bǔ)償電路的一個(gè)實(shí)例的示意圖。在此實(shí)施方案中，泄漏補(bǔ)償電路700耦合于狀態(tài)感測(cè)電路(在此實(shí)施方案中，積分器650)的輸入端處。舉例來(lái)說(shuō)，如果圖11的線620在測(cè)試中，則將線620設(shè)定成所要測(cè)試電壓，開(kāi)關(guān)642a閉合，且開(kāi)關(guān)632a斷開(kāi)。如上文所提及，即使開(kāi)關(guān)632a斷開(kāi)，泄漏電流仍在線620上流動(dòng)，用以對(duì)隔離電容器712充電。為了減少此泄漏電流對(duì)積分器650測(cè)量的影響，最初開(kāi)關(guān)710斷開(kāi)，開(kāi)關(guān)714斷開(kāi)，且泄漏補(bǔ)償電路的開(kāi)關(guān)716及718閉合。泄漏電流k接著流動(dòng)到積分器720的積分電容器內(nèi)，從而產(chǎn)生反相的電壓輸出。將此輸出經(jīng)由緩沖器722饋入到電壓/電流轉(zhuǎn)換器730。電流/電壓轉(zhuǎn)換器730產(chǎn)生與泄漏電流方向相反的電流，且當(dāng)電壓/電流轉(zhuǎn)換器的輸出電流在量值上與泄漏電流實(shí)質(zhì)上相等且在方向上與泄漏電流相反時(shí)，所述循環(huán)可穩(wěn)定。此時(shí)，積分器720的積分電容器正由泄漏電流充電(或放電)，且由電壓/電流轉(zhuǎn)換器730的輸出按大致相等的量放電(或充電)，從而不產(chǎn)生積分器720的輸出的改變。一旦此循環(huán)穩(wěn)定，則泄漏補(bǔ)償電路的開(kāi)關(guān)716斷開(kāi)，且開(kāi)關(guān)710閉合，使得在測(cè)試中的線620及泄漏補(bǔ)償電路700兩者均連接到積分器650的輸入端。當(dāng)此發(fā)生時(shí)，流入(或流出)積分器650的積分電容器的泄漏電流由電壓/電流轉(zhuǎn)換器730的相同量值但相反方向的電流輸出抵銷。通過(guò)此實(shí)施方案，從在測(cè)試期間的分段電壓的調(diào)制產(chǎn)生的電荷僅為由積分器650經(jīng)歷的電荷的凈流量，且所得輸出為沿著線的顯示元件電容的準(zhǔn)確表示，甚至在存在來(lái)自共用線驅(qū)動(dòng)器630的泄漏電流的情況下也如此。圖14為圖13的電壓/電流轉(zhuǎn)換器的一個(gè)實(shí)施方案的示意圖。雖然多種實(shí)施方案是可能的，但在此實(shí)例中，將來(lái)自緩沖器722的電壓輸入731與電壓/電流轉(zhuǎn)換器的輸出電壓求和。此和經(jīng)放大且經(jīng)由具有電阻Rm的電阻器732路由。通過(guò)此輸出到輸入反饋設(shè)計(jì)，電路的電流輸出738為輸入電壓Vin除以電阻Rm。圖15為泄漏補(bǔ)償?shù)姆椒ǖ囊粋€(gè)實(shí)例的流程圖。所述方法開(kāi)始于框810，在框810，將待測(cè)試的共用線連接到泄漏補(bǔ)償電路。所述方法移到框820，在框820，由泄漏補(bǔ)償電路產(chǎn)生補(bǔ)償電流。所述方法接著移到框830，在框830，將待測(cè)試的共用線及泄漏補(bǔ)償電路兩者連接到狀態(tài)感測(cè)電路。如圖13中所示，此狀態(tài)感測(cè)電路可為積分器。圖16A及16B展示說(shuō)明包括多個(gè)干涉調(diào)制器的顯示裝置40的系統(tǒng)框圖的實(shí)例。顯示裝置40可為(例如)蜂窩式電話或移動(dòng)電話。然而，顯示裝置40的相同組件或其輕微變化還說(shuō)明各種類型的顯示裝置，例如，電視、電子閱讀器及便攜型媒體播放器。顯示裝置40包括外殼41、顯示器30、天線43、揚(yáng)聲器45、輸入裝置48及麥克風(fēng)46?？捎啥喾N制造過(guò)程(包括射出模制及真空成型)中的任一者形成外殼41。此外，外殼41可由多種材料中的任一材料制成，包括(但不限于):塑料、金屬、玻璃、橡膠及陶瓷，或其組合。外殼41可包括可與不同色彩或含有不同標(biāo)志、圖片或符號(hào)的其它可移除部分互換的可移除部分(未圖示)。顯示器30可為多種顯示器中的任一者，包括如本文中所描述的雙穩(wěn)態(tài)或模擬顯示器。顯示器30還可經(jīng)配置以包括平板顯示器，例如，等離子、EL、OLED、STN IXD或TFTIXD，或非平板顯示器，例如，CRT或其它管式裝置。此外，顯示器30可包括如本文中描述的干涉調(diào)制器顯示器。顯示裝置40的組件示意性說(shuō)明于圖16B中。顯示裝置40包括外殼41，且可包括至少部分圍封于其中的額外組件。舉例來(lái)說(shuō)，顯示裝置40包括網(wǎng)絡(luò)接口 27，所述網(wǎng)絡(luò)接口27包括耦合到收發(fā)器47的天線43。收發(fā)器47連接到處理器21，處理器21連接到調(diào)節(jié)硬件52。調(diào)節(jié)硬件52可經(jīng)配置以調(diào)節(jié)信號(hào)(例如，對(duì)信號(hào)進(jìn)行濾波)。調(diào)節(jié)硬件52連接到揚(yáng)聲器45及麥克風(fēng)46。處理器21還連接到輸入裝置48及驅(qū)動(dòng)器控制器29。驅(qū)動(dòng)器控制器29耦合到幀緩沖器28且耦合到陣列驅(qū)動(dòng)器22，陣列驅(qū)動(dòng)器22又耦合到顯示陣列30。電力供應(yīng)器50可按特定顯示裝置40設(shè)計(jì)的要求將電力提供到所有組件。網(wǎng)絡(luò)接口 27包括天線43及收發(fā)器47，使得顯示裝置40可在網(wǎng)絡(luò)上與一個(gè)或一個(gè)以上裝置通信。網(wǎng)絡(luò)接口 27還可具有減輕(例如)處理器21的數(shù)據(jù)處理要求的一些處理能力。天線43可發(fā)射及接收信號(hào)。在一些實(shí)施方案中，天線43根據(jù)IEEE 16.11標(biāo)準(zhǔn)(包括 IEEE 16.11(a)、(b)或(g))或 IEEE 802.11 標(biāo)準(zhǔn)(包括 IEEE 802.lla、b、g 或 η)發(fā)射及接收RF信號(hào)。在一些其它實(shí)施方案中，天線43根據(jù)藍(lán)牙標(biāo)準(zhǔn)發(fā)射及接收RF信號(hào)。在蜂窩式電話的情況下，天線43經(jīng)設(shè)計(jì)以接收碼分多址(CDMA)、頻分多址(FDMA)、時(shí)分多址(TDMA)、全球移動(dòng)通信系統(tǒng)(GSM)、GSM/通用分組無(wú)線電服務(wù)(GPRS)、增強(qiáng)型數(shù)據(jù)GSM環(huán)境(EDGE)、陸地干線無(wú)線電(TETRA)、寬帶CDMA (W-CDMA)、演進(jìn)數(shù)據(jù)最佳化(EV-DO)、IxEV-DO,EV-DO Rev A、EV_D0 Rev B、高速分組接入(HSPA)、高速下行鏈路分組接入(HSDPA)、高速上行鏈路分組接入(HSUPA)、演進(jìn)型高速分組接入(HSPA+)、長(zhǎng)期演進(jìn)(LTE)、AMPS或用以在無(wú)線網(wǎng)絡(luò)(例如，利用3G或4G技術(shù)的系統(tǒng))內(nèi)傳達(dá)的其它已知信號(hào)。收發(fā)器47可預(yù)處理從天線43接收的信號(hào)，使得所述信號(hào)可由處理器21接收且由處理器21進(jìn)一步操縱。收發(fā)器47還可處理從處理器21接收的信號(hào)，使得可將所述信號(hào)經(jīng)由天線43從顯示裝置40發(fā)射。在一些實(shí)施方案中，收發(fā)器47可由接收器取代。此外，網(wǎng)絡(luò)接口 27可由可存儲(chǔ)或產(chǎn)生待發(fā)送到處理器21的圖像數(shù)據(jù)的圖像源取代。處理器21可控制顯示裝置40的總體操作。處理器21接收數(shù)據(jù)(例如，來(lái)自網(wǎng)絡(luò)接口 27或圖像源的經(jīng)壓縮的圖像數(shù)據(jù))，且將數(shù)據(jù)處理成原始圖像數(shù)據(jù)或處理成易于處理成原始圖像數(shù)據(jù)的格式。處理器21可將經(jīng)處理的數(shù)據(jù)發(fā)送到驅(qū)動(dòng)器控制器29或發(fā)送到幀緩沖器28以供存儲(chǔ)。原始數(shù)據(jù)通常指識(shí)別一圖像內(nèi)每一位置處的圖像特性的信息。舉例來(lái)說(shuō)，這些圖像特性可包括色彩、飽和度及灰度階。處理器21可包括微控制器、CPU或邏輯單元來(lái)控制顯示裝置40的操作。調(diào)節(jié)硬件52可包括用于將信號(hào)發(fā)射到揚(yáng)聲器45及用于從麥克風(fēng)46接收信號(hào)的放大器及濾波器。調(diào)節(jié)硬件52可為在顯示裝置40內(nèi)的離散組件，或可并入于處理器21或其它組件內(nèi)。驅(qū)動(dòng)器控制器29可直接從處理器21或從幀緩沖器28取得由處理器21產(chǎn)生的原始圖像數(shù)據(jù)，且可適當(dāng)?shù)刂匦赂袷交鲈紙D像數(shù)據(jù)以用于高速發(fā)射到陣列驅(qū)動(dòng)器22。在一些實(shí)施方案中，驅(qū)動(dòng)器控制器29可將原始圖像數(shù)據(jù)重新格式化為具有光柵狀格式的數(shù)據(jù)流，使得其具有適合于在顯示陣列30上掃描的時(shí)間次序。接著，驅(qū)動(dòng)器控制器29將經(jīng)格式化的信息發(fā)送到陣列驅(qū)動(dòng)器22。雖然例如LCD控制器的驅(qū)動(dòng)器控制器29常作為獨(dú)立集成電路(IC)與系統(tǒng)處理器21相關(guān)聯(lián)，但可以用許多方式實(shí)施這些控制器。舉例來(lái)說(shuō)，控制器可作為硬件嵌入處理器21中、作為軟件嵌入處理器21中，或以硬件與陣列驅(qū)動(dòng)器22完全集成。陣列驅(qū)動(dòng)器22可從驅(qū)動(dòng)器控制器29接收經(jīng)格式化的信息，并可將視頻數(shù)據(jù)重新格式化為一組平行的波形，所述組波形被每秒許多次地施加到來(lái)自顯示器的χ-y像素矩陣的數(shù)百且有時(shí)數(shù)千個(gè)(或更多)引線。 在一些實(shí)施方案中，驅(qū)動(dòng)器控制器29、陣列驅(qū)動(dòng)器22及顯示陣列30對(duì)于本文所描述的任何類型顯示器均為適當(dāng)?shù)摹Ｅe例來(lái)說(shuō)，驅(qū)動(dòng)器控制器29可為常規(guī)顯示器控制器或雙穩(wěn)態(tài)顯示器控制器(例如，IMOD控制器)。另外，陣列驅(qū)動(dòng)器22可為常規(guī)驅(qū)動(dòng)器或雙穩(wěn)態(tài)顯示器驅(qū)動(dòng)器(例如，IMOD顯示器驅(qū)動(dòng)器)。此外，顯示陣列30可為常規(guī)顯示陣列或雙穩(wěn)態(tài)顯示陣列(例如，包括IMOD的陣列的顯示器)。在一些實(shí)施方案中，驅(qū)動(dòng)器控制器29可與陣列驅(qū)動(dòng)器22集成。此實(shí)施方案在例如蜂窩式電話、腕表及其它小面積顯示器的高度集成系統(tǒng)中是常見(jiàn)的。在一些實(shí)施方案中，輸入裝置48可經(jīng)配置以允許(例如)用戶控制顯示裝置40的操作。輸入裝置48可包括小鍵盤(例如，QWERTY鍵盤或電話小鍵盤)、按鈕、開(kāi)關(guān)、游戲桿、觸敏式屏幕或壓敏或熱敏膜。麥克風(fēng)46可配置為用于顯示裝置40的輸入裝置。在一些實(shí)施方案中，經(jīng)由麥克風(fēng)46的語(yǔ)音命令可用于控制顯示裝置40的操作。電力供應(yīng)器50可包括如此項(xiàng)技術(shù)中眾所周知的多種能量存儲(chǔ)裝置。舉例來(lái)說(shuō)，電力供應(yīng)器50可為可再充電電池，例如，鎳鎘電池或鋰離子電池。電力供應(yīng)器50也可為再生能源、電容器或太陽(yáng)能電池(包括塑料太陽(yáng)能電池或太陽(yáng)能電池漆)。電力供應(yīng)器50還可經(jīng)配置以從壁式插座接收電力。在一些實(shí)施方案中，控制可編程性駐留于可位于電子顯示系統(tǒng)中的若干處的驅(qū)動(dòng)器控制器29中。在一些其它實(shí)施方案中，控制可編程性駐留于陣列驅(qū)動(dòng)器22中。可在任何數(shù)目個(gè)硬件及/或軟件組件中且可以各種配置實(shí)施上述最佳化?？蓪⒔Y(jié)合本文中所揭示的實(shí)施方案而描述的各種說(shuō)明性邏輯、邏輯塊、模塊、電路及算法步驟實(shí)施為電子硬件、計(jì)算機(jī)軟件或兩者的組合。硬件與軟件的可互換性已經(jīng)大體按功能性描述，且說(shuō)明于上述各種說(shuō)明性組件、塊、模塊、電路及步驟中。將此功能性實(shí)施于硬件還是軟件中視特定應(yīng)用及外加于整個(gè)系統(tǒng)上的設(shè)計(jì)約束而定。用以實(shí)施結(jié)合本文中所揭示的方面而描述的各種說(shuō)明性邏輯、邏輯塊、模塊及電路的硬件及數(shù)據(jù)處理設(shè)備可通過(guò)通用單芯片或多芯片處理器、數(shù)字信號(hào)處理器(DSP)、專用集成電路(ASIC)、現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列(FPGA)或經(jīng)設(shè)計(jì)以執(zhí)行本文中所描述的功能的其它可編程邏輯裝置、離散門或晶體管邏輯、離散硬件組件或其任何組合來(lái)實(shí)施或執(zhí)行。通用處理器可為微處理器，或任何常規(guī)處理器、控制器、微控制器或狀態(tài)機(jī)。處理器也可實(shí)施為計(jì)算裝置的組合，例如，一 DSP與一微處理器的組合、多個(gè)微處理器、結(jié)合一 DSP核心的一個(gè)或一個(gè)以上微處理器或任何其它此配置。在一些實(shí)施方案中，特定步驟及方法可由專門用于給定功能的電路執(zhí)行。在一個(gè)或一個(gè)以上方面中，所描述的功能可實(shí)施于硬件、數(shù)字電子電路、計(jì)算機(jī)軟件、固件(包括在此說(shuō)明書中揭示的結(jié)構(gòu)及其結(jié)構(gòu)等效物)或其任何組合中。此說(shuō)明書中描述的標(biāo)的物的實(shí)施方案也可實(shí)施為在計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)媒體上編碼的一個(gè)或一個(gè)以上計(jì)算機(jī)程序(即，計(jì)算機(jī)程序指令的一個(gè)或一個(gè)以上模塊)以用于由數(shù)據(jù)處理設(shè)備執(zhí)行或控制數(shù)據(jù)處理設(shè)備的操作。如果實(shí)施于軟件中，則可將所述功能作為一個(gè)或一個(gè)以上指令或代碼而存儲(chǔ)于計(jì)算機(jī)可讀媒體上或經(jīng)由計(jì)算機(jī)可讀媒體來(lái)傳輸。本文中揭示的方法或算法的步驟可實(shí)施于可駐留于計(jì)算機(jī)可讀媒體上的處理器可執(zhí)行軟件模塊中。計(jì)算機(jī)可讀媒體包括計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)媒體及通信媒體(包括可經(jīng)啟用以將計(jì)算機(jī)程序從一位置傳送到另一位置的任何媒體)兩者。存儲(chǔ)媒體可為可由計(jì)算機(jī)存取的任何可用媒體。作為實(shí)例而非限制，這些計(jì)算機(jī)可讀媒體可包括RAM、ROM、EEPROM、CD-ROM或其它光盤存儲(chǔ)裝置、磁盤存儲(chǔ)裝置或其它磁性存儲(chǔ)裝置或可用于以指令或數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)的形式存儲(chǔ)所要程序代碼且可由計(jì)算機(jī)存取的任何其它媒體。又，可將任何連接適當(dāng)?shù)胤Q為計(jì)算機(jī)可讀媒體。如本文中所使用，磁盤及光盤包括壓縮光盤(CD)、激光光盤、光盤、數(shù)字多功能光盤(DVD)、軟性磁盤及藍(lán)光光盤，其中磁盤通常以磁性方式再現(xiàn)數(shù)據(jù)，而光盤通過(guò)激光以光學(xué)方式再現(xiàn)數(shù)據(jù)。以上各者的組合也應(yīng)包括于計(jì)算機(jī)可讀媒體的范疇內(nèi)。另外，方法或算法的操作可作為代碼及指令的一個(gè)或任何組合或集合而駐留于機(jī)器可讀媒體及計(jì)算機(jī)可讀媒體上，可將機(jī)器可讀媒體及計(jì)算機(jī)可讀媒體并入到計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品中。本發(fā)明中描述的實(shí)施方案的各種修改對(duì)所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員可易于顯而易見(jiàn)，且本文中界定的一般原理可在不脫離本發(fā)明的精神或范疇的情況下應(yīng)用于其它實(shí)施方案。因此，權(quán)利要求書并不意圖限于本文中所展示的實(shí)施方案，而應(yīng)被賦予與本文中揭示的本發(fā)明、原理及新穎特征相一致的最廣泛范疇。詞“示范性”在本文中專用以意謂“充當(dāng)實(shí)例、例子或說(shuō)明”。本文中描述為“示范性”的任何實(shí)施方案未必應(yīng)看作比其它實(shí)施方案優(yōu)選或有利。另外，一般所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員將易于了解，術(shù)語(yǔ)“上部”及“下部”有時(shí)為了易于描述圖而使用，且指示對(duì)應(yīng)于在適當(dāng)定向的頁(yè)上的圖的定向的相對(duì)位置，且可能不反映如所實(shí)施的IMOD的適當(dāng)定向。在此說(shuō)明書中在單獨(dú)實(shí)施方案的上下文中所述的某些特征也可在單一實(shí)施方案中以組合實(shí)施。相反，在單一實(shí)施方案的上下文中描述的各種特征也可單獨(dú)地在多個(gè)實(shí)施方案中或以任何合適的子組合而實(shí)施。此外，盡管可在上文將特征描述為以某些組合起作用且即使最初主張如此，但來(lái)自所主張組合的一個(gè)或一個(gè)以上特征在一些情況下可從組合刪除，且所主張的組合可能是針對(duì)子組合或子組合的變化形式。類似地，雖然按特定次序在圖式中描繪了操作，但不應(yīng)將此理解為需要按展示的特定次序或按依序次序執(zhí)行這些操作或執(zhí)行所有所說(shuō)明的操作來(lái)實(shí)現(xiàn)理想結(jié)果。另外，圖式可按流程圖的形式示意性地描繪一個(gè)或一個(gè)以上實(shí)例過(guò)程。然而，未描繪的其它操作可并入于示意性說(shuō)明的實(shí)例過(guò)程中。舉例來(lái)說(shuō)，可在所說(shuō)明的操作中的任一者前、后、同時(shí)或之間執(zhí)行一個(gè)或一個(gè)以上額外操作。在某些情況下，多任務(wù)及并行處理可為有利的。此外，不應(yīng)將在上述實(shí)施方案中的各種系統(tǒng)組件的分開(kāi)理解為在所有實(shí)施方案中均需要此分開(kāi)，且應(yīng)理解，所描述的程序組件及系統(tǒng)可通常在單一軟件產(chǎn)品中集成在一起或被封裝到多個(gè)軟件產(chǎn)品內(nèi)。另外，其它實(shí)施方案處于所附權(quán)利要求書的范疇內(nèi)。在一些情況下，權(quán)利要求書中引述的動(dòng)作可以用不同次序執(zhí)行且仍實(shí)現(xiàn)理想結(jié)果。
權(quán)利要求
1.一種在顯示陣列中的狀態(tài)感測(cè)測(cè)試期間補(bǔ)償泄漏電流的方法，所述方法包含: 將待測(cè)試的一個(gè)或一個(gè)以上共用線連接到泄漏補(bǔ)償電路； 在所述泄漏補(bǔ)償電路中產(chǎn)生補(bǔ)償電流；及 將所述待測(cè)試的一個(gè)或一個(gè)以上共用線及所述泄漏補(bǔ)償電路兩者連接到狀態(tài)感測(cè)電路。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其進(jìn)一步包括對(duì)所述泄漏電流求積分以產(chǎn)生電壓。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其進(jìn)一步包括將所述電壓轉(zhuǎn)換成泄漏補(bǔ)償電流。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其進(jìn)一步包括對(duì)所述泄漏電流及所述泄漏補(bǔ)償電流兩者求積分，直到所述電壓穩(wěn)定為止。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中所述狀態(tài)感測(cè)電路包括積分器。
6.一種用于校準(zhǔn)驅(qū)動(dòng)方案電壓的設(shè)備，所述設(shè)備包含: 顯示元件陣列； 所述陣列中的一個(gè)或一個(gè)以上線，每一線連接沿著一個(gè)或一個(gè)以上行中的一相應(yīng)行的顯示元件； 驅(qū)動(dòng)器電路，其連接到所述陣列中的所述一個(gè)或一個(gè)以上線； 顯示元件狀態(tài)感測(cè)電路，其耦合到所述陣列中的所述一個(gè)或一個(gè)以上線；及 泄漏補(bǔ)償電路，其耦合到所述陣列中的所述一個(gè)或一個(gè)以上線。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的設(shè)備，其中所述泄漏補(bǔ)償電路包括泄漏電流積分器。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的設(shè)備，其中所述泄漏補(bǔ)償電路包括電壓/電流轉(zhuǎn)換器。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的設(shè)備，其進(jìn)一步包含: 處理器，其經(jīng)配置以與所述顯示元件陣列通信，所述處理器經(jīng)配置以處理圖像數(shù)據(jù)；及 存儲(chǔ)器裝置，其經(jīng)配置以與所述處理器通信。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的設(shè)備，其中所述驅(qū)動(dòng)器電路經(jīng)配置以將至少一個(gè)信號(hào)發(fā)送到所述顯示元件陣列。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的設(shè)備，其進(jìn)一步包含: 控制器，其經(jīng)配置以將所述圖像數(shù)據(jù)的至少一部分發(fā)送到所述驅(qū)動(dòng)器電路。
12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的設(shè)備，其進(jìn)一步包含: 圖像源模塊，其經(jīng)配置以將所述圖像數(shù)據(jù)發(fā)送到所述處理器。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的設(shè)備，其中所述圖像源模塊包括接收器、收發(fā)器及發(fā)射器中的至少一者。
14.根據(jù)權(quán)利要求9所述的設(shè)備，其進(jìn)一步包含: 輸入裝置，其經(jīng)配置以接收輸入數(shù)據(jù)且將所述輸入數(shù)據(jù)傳達(dá)到所述處理器。
15.一種用于校準(zhǔn)顯示器的設(shè)備，所述設(shè)備包含: 顯示元件陣列； 耦合到所述顯示元件陣列的驅(qū)動(dòng)器電路； 用于感測(cè)顯示元件狀態(tài)的裝置；及 用于在感測(cè)顯示元件狀態(tài)時(shí)補(bǔ)償泄漏電流的裝置。
全文摘要
本發(fā)明提供用于校準(zhǔn)顯示陣列的系統(tǒng)、方法及設(shè)備。結(jié)合用于感測(cè)顯示元件狀態(tài)的電路提供泄漏補(bǔ)償電路。所述泄漏補(bǔ)償電路可包括泄漏電流積分器及電壓/電流轉(zhuǎn)換器。
文檔編號(hào)G09G3/34GK103140885SQ201180046549
公開(kāi)日2013年6月5日 申請(qǐng)日期2011年9月1日 優(yōu)先權(quán)日2010年9月3日
發(fā)明者威廉默斯·約翰尼斯·羅伯特斯·范利爾, 迪迪?！ず嗬しɡ?申請(qǐng)人:高通Mems科技公司