專利名稱：帶觸摸面板功能的顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及帶觸摸面板功能的顯示裝置。
背景技術(shù)：
在液晶顯示裝置中為了能夠進(jìn)行利用寫入用輸入筆或手指的位置輸入，正在研究具有加壓點(diǎn)的坐標(biāo)的檢測功能的結(jié)構(gòu)。作為其一個例子，在日本特開平11 - 271712號公報(專利文獻(xiàn)I)中記載有設(shè)置有壓力檢測元件的結(jié)構(gòu)。作為外設(shè)觸摸面板使用靜電電容型壓力傳感器的結(jié)構(gòu)記載于技術(shù)論文《觸摸模式電容型壓力傳感器》(山本敏等，F(xiàn)ujikura Technical Review,第101號,2001年10月，第71 74頁)(非專利文獻(xiàn)I)中。 現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)I :日本特開平11 - 271712號公報非專利文獻(xiàn)非專利文獻(xiàn)I :《觸摸模式電容型壓力傳感器》，F(xiàn)ujikura Technical Review,第101號(2001年10月)第71 74頁。

發(fā)明內(nèi)容
發(fā)明要解決的課題在顯示區(qū)域兼用作觸摸面板的情況下，考慮在觸摸面板內(nèi)設(shè)置壓力傳感器。壓力傳感器包括多個部件和配線，在它們之中存在不透光的部件。在顯示裝置的顯示區(qū)域是包括開口部和非開口部的種類的顯示方式，即例如液晶顯示方式等的情況下，通常當(dāng)在顯示區(qū)域內(nèi)設(shè)置某些壓力傳感器時，存在由于壓力傳感器導(dǎo)致顯示區(qū)域的開口率下降的問題。于是，本發(fā)明的目的在于提供能夠抑制顯示區(qū)域的開口率的下降，并且能夠進(jìn)行作為觸摸面板的壓力檢測的帶觸摸面板功能的顯示裝置。解決課題的方法為了達(dá)成上述目的，基于本發(fā)明的帶觸摸面板功能的顯示裝置是具有包括使第一顏色透射的第一顏色透射部和使第二顏色透射的第二顏色透射部的顯示區(qū)域的顯示裝置，在上述顯示區(qū)域的內(nèi)部，設(shè)置有用于檢測向上述顯示區(qū)域的按壓的壓力傳感器，上述壓力傳感器的一部分或全部為不透射光的非透射部，上述第一顏色透射部與上述第二顏色透射部由上述非透射部隔開。發(fā)明效果根據(jù)本發(fā)明，能夠避免由于設(shè)置壓力傳感器導(dǎo)致開口率下降，結(jié)果，能夠成為抑制顯示區(qū)域的開口率的下降并且能夠進(jìn)行作為觸摸面板的壓力檢測的帶觸摸面板功能的顯
示裝置。


圖I是示意性地表示實(shí)施方式I的液晶顯示裝置的電路圖的電路圖。圖2是從對置基板一側(cè)平視液晶顯示裝置的一部分的平面圖。圖3是位于對置基板下的TFT陣列基板的平面圖。圖4是示意性地表示圖2的IV-IV截面的截面圖。圖5是圖2的V-V截面圖。圖6是對置基板被按壓時的液晶顯示裝置的截面圖。圖7是示意性地表示上部電極與上層絕緣層136接觸的區(qū)域的平面圖。

圖8是對實(shí)施方式I的壓力傳感器的特性和作為比較例的壓力傳感器的特性進(jìn)行 比較的圖表。圖9是表示具有作為比較例的壓力傳感器的顯示裝置的截面圖。圖10是表示TFT陣列基板的制造工序的第一工序的截面圖。圖11是表示TFT陣列基板的制造工序的第二工序的截面圖。圖12是表示TFT陣列基板的制造工序的第三工序的截面圖。圖13是表示TFT陣列基板的制造工序的第四工序的截面圖。圖14是表示TFT陣列基板的制造工序的第五工序的截面圖。圖15是表示TFT陣列基板的制造工序的第六工序的截面圖。圖16是表示TFT陣列基板的制造工序的第七工序的截面圖。圖17是表示對置基板的制造工序的第一工序的截面圖。圖18是表示對置基板的制造工序的第二工序的截面圖。圖19是表不對置基板的制造工序的第二工序的截面圖。圖20是表示對置基板的制造工序的第四工序的截面圖。圖21是表示對置基板的制造工序的第五工序的截面圖。圖22是實(shí)施方式2的液晶顯示裝置的截面圖,是表示TFT元件的截面圖。圖23是實(shí)施方式2的液晶顯示裝置的截面圖，是輸出用元件的截面圖。圖24是表示實(shí)施方式2的液晶顯示裝置的TFT陣列基板的制造工序中圖15所示的制造工序后的制造工序的截面圖。圖25是表不圖24所不的TFT陣列基板的制造工序后的制造工序的截面圖。圖26是表不圖25所不的制造工序后的TFT陣列基板的制造工序的截面圖。圖27是實(shí)施方式3的液晶顯示裝置的截面圖,是表示TFT元件的截面圖。圖28是實(shí)施方式3的液晶顯示裝置的截面圖，是表示壓力傳感器的截面圖。圖29是示意性地表示對置基板被按壓時的液晶顯示裝置的狀態(tài)的截面圖。圖30是表示上部電極和柵極絕緣層由于來自按壓部件的按壓力而變形之前的狀態(tài)下的上部電極和柵極絕緣層的截面圖。圖31是上部電極的平面圖。圖32是表示由于來自按壓部件的按壓力，上部電極和柵極絕緣層變形后的狀態(tài)的截面圖。圖33是如圖32所示上部電極變形時的上部電極的平面圖。圖34是表示TFT陣列基板的制造工序的第一工序的截面圖。
圖35是表示TFT陣列基板的制造工序的第二工序的截面圖。圖36是表示TFT陣列基板的制造工序的第三工序的截面圖。圖37是表示圖28所示的TFT陣列基板的變形例的截面圖。圖38是示意性地表示實(shí)施方式4的液晶顯示裝置的電路圖的電路圖。圖39是實(shí)施方式4的液 晶顯示裝置的截面圖,是表示TFT元件的截面圖。圖40是實(shí)施方式4的液晶顯示裝置的截面圖，是表示選擇用TFT元件和壓力傳感器的截面圖。 圖41是示意性地表示對置基板被按壓時的狀態(tài)的截面圖。圖42是表示TFT陣列基板的制造工序的第一工序的截面圖。圖43是表示TFT陣列基板的制造工序的第二工序的截面圖。圖44是表示TFT陣列基板的制造工序的第三工序的截面圖。圖45是表示對置基板的制造工序的第一工序的截面圖。圖46是表示對置基板的制造工序的第二工序的截面圖。圖47是表不對置基板的制造工序的第二工序的截面圖。圖48是表示對置基板的制造工序的第四工序的截面圖。圖49是表示對置基板的制造工序的第五工序的截面圖。圖50是實(shí)施方式5的液晶顯示裝置的截面圖，是表示TFT元件的截面圖。圖51是液晶顯示裝置的截面圖，是表示選擇用TFT元件和壓力傳感器的截面圖。圖52是表示TFT陣列基板的制造工序中形成有TFT元件和選擇用TFT元件時的工序的截面圖。圖53是表示圖52所示的制造工序后的TFT陣列基板的制造工序的截面圖。圖54是表不圖53所不的制造工序后的制造工序的截面圖。圖55是表示對置基板的制造工序中形成有彩色濾光片基板時的截面圖。圖56是表不圖55所不的制造工序后的工序的截面圖。圖57是表不圖56所不的制造工序后的工序的截面圖。圖58是表示實(shí)施方式6的液晶顯示裝置的電路的電路圖。圖59是實(shí)施方式6的液晶顯示裝置的截面圖,是表示TFT元件的截面圖。圖60是實(shí)施方式6的液晶顯示裝置的截面圖，是表示壓力傳感器的截面圖。圖61是表示對置基板沒有被按壓的狀態(tài)下(初始狀態(tài))的上部電極和半導(dǎo)體層的截面圖。圖62是上部電極的平面圖。圖63是表示對置基板被按壓的狀態(tài)下的上部電極和半導(dǎo)體層的截面圖。圖64是表示TFT陣列基板的制造工序的第一工序的截面圖。圖65是表示TFT陣列基板的制造工序的第二工序的截面圖。圖66是表示TFT陣列基板的制造工序的第三工序的截面圖。圖67是表示TFT陣列基板的制造工序的第四工序的截面圖。圖68是表示TFT陣列基板的制造工序的第五工序的截面圖。圖69是表示TFT陣列基板的制造工序的第六工序的截面圖。圖70是表示TFT陣列基板的制造工序的第七工序的截面圖。
圖71是表示TFT陣列基板的制造工序的第八工序的截面圖。圖72是表示TFT陣列基板的制造工序的第九工序的截面圖。圖73是表示TFT陣列基板的制造工序的第十工序的截面圖。圖74是表示TFT陣列基板的制造工序的第i^一工序的截面圖。圖75是實(shí)施方式7的液晶顯示裝置的截面圖，是表示TFT元件的截面圖。圖76是實(shí)施方式7的液晶顯示裝置的截面圖，是表示壓力傳感器的截面圖。圖77是表示TFT陣列基板的制造工序的第一工序的截面圖。圖78是表示TFT陣列基板的制造工序的第二工序的截面圖。
圖79是表示TFT陣列基板的制造工序的第三工序的截面圖。圖80是表示TFT陣列基板的制造工序的第四工序的截面圖。圖81是表示實(shí)施方式7的液晶顯示裝置的變形例的截面圖。圖82是將壓力傳感器與已有的黑矩陣重疊配置的結(jié)構(gòu)的截面圖。圖83是基于本發(fā)明的實(shí)施方式8的帶觸摸面板功能的顯示裝置的截面圖。圖84是基于本發(fā)明的實(shí)施方式8的帶觸摸面板功能的顯示裝置的截面圖。圖85是基于本發(fā)明的實(shí)施方式8的帶觸摸面板功能的顯示裝置的結(jié)構(gòu)的一個例子的平面圖。圖86是圖85的LXXXVI-LXXXVI向視截面圖。圖87是以與圖86不同的截面線將圖85所示的結(jié)構(gòu)截面而得的截面圖。圖88是基于本發(fā)明的實(shí)施方式9的帶觸摸面板功能的顯示裝置的截面圖。圖89是壓力傳感器的哪個部分能夠成為非透射部的變形的第一例的截面圖。圖90是壓力傳感器的哪個部分能夠成為非透射部的變形的第二例的截面圖。圖91是壓力傳感器的哪個部分能夠成為非透射部的變形的第三例的截面圖。圖92是壓力傳感器的哪個部分能夠成為非透射部的變形的第四例的截面圖。圖93是在具有反射部的帶觸摸面板功能的顯示裝置中，壓力傳感器的哪個部分能夠成為非透射部的變形的第一例的截面圖。圖94是在具有反射部的帶觸摸面板功能的顯示裝置中，壓力傳感器的哪個部分能夠成為非透射部的變形的第二例的截面圖。圖95是作為包含于帶觸摸面板功能的顯示裝置的壓力傳感器的一部分形成包狀的突起部的第一例的對置基板的下側(cè)表面附近的截面圖。圖96是作為包含于帶觸摸面板功能的顯示裝置的壓力傳感器的一部分形成包狀的突起部的第二例的對置基板的下側(cè)表面附近的截面圖。圖97是基于本發(fā)明的實(shí)施方式10中的帶觸摸面板功能的顯示裝置中所包含的壓力傳感器的按壓前的狀態(tài)的截面圖。圖98是基于本發(fā)明的實(shí)施方式10中的帶觸摸面板功能的顯示裝置中所包含的壓力傳感器的按壓后的狀態(tài)的截面圖。圖99是基于本發(fā)明的實(shí)施方式10中的帶觸摸面板功能的顯示裝置所包含的壓力傳感器的第一變形的截面圖。圖100是基于本發(fā)明的實(shí)施方式10中的帶觸摸面板功能的顯示裝置所包含的壓力傳感器的第二變形的截面圖。
圖101是基于本發(fā)明的實(shí)施方式10中的帶觸摸面板功能的顯示裝置所包含的壓力傳感器的第三變形的截面圖。圖102是基于本發(fā)明的實(shí)施方式10中的帶觸摸面板功能的顯示裝置所包含的壓力傳感器的第四變形的截面圖。
具體實(shí)施例方式在以下進(jìn)行說明的實(shí)施方式中，在言及個數(shù)、量等時，除了有特殊記載的情況之夕卜，本發(fā)明的范圍并不限定于該個數(shù)、量等。此外，在以下的實(shí)施方式中，各個構(gòu)成要素除了有特殊記載的情況之外，并非是本發(fā)明必需的結(jié)構(gòu)。此外，當(dāng)以下存在多個實(shí)施方式時，除了有特殊記載的情況之外，適當(dāng)組合各個實(shí)施方式的特征部分的內(nèi)容是一開始就預(yù)定會進(jìn)行的。(壓力傳感器)
為了明確壓力檢測裝置的基本構(gòu)思方式，首先，參照圖I 圖81，作為實(shí)施方式I 7，說明壓力傳感器的詳細(xì)構(gòu)造、相對于顯示裝置的應(yīng)用例和制造方法。在實(shí)施方式8以后，進(jìn)一步深入說明本發(fā)明。在各實(shí)施方式中主要說明帶觸摸面板功能的顯示裝置是液晶顯示裝置，但帶觸摸面板功能的顯示裝置所具備的顯示裝置的種類并不限于液晶顯示裝置。(實(shí)施方式I)圖I是示意性地表示本實(shí)施方式I的液晶顯示裝置100的電路圖的電路圖。如該圖I所示，液晶顯示裝置100包括控制部105和陣列狀配置的多個像素110,像素110包括多個TFT (Thin Film Transistor :薄膜晶體管)元件115和與該TFT元件115連接的像素電極114。液晶顯示裝置100包括沿第一方向延伸并且在第二方向上隔開間隔地配置有多個的柵極配線112和傳感器用柵極配線113 ;沿第二方向延伸，并且在第一方向上隔開間隔地配置的多個源極配線111。各柵極配線112與柵極驅(qū)動器102連接，各源極配線111與源極驅(qū)動器101連接。傳感器用柵極配線113配置于相鄰的柵極配線112之間，沿第一方向延伸并在第二方向上隔開間隔地形成有多個。各傳感器用柵極配線113與傳感器驅(qū)動器103連接。源極驅(qū)動器101、柵極驅(qū)動器102、傳感器驅(qū)動器103與控制部105連接。而且，利用相鄰的兩個柵極配線112和相鄰的兩個源極配線111規(guī)定像素110。在像素110內(nèi)配置有TFT元件115、選擇用TFT元件116和壓力檢測元件120。TFT元件115的源極電極與源極配線111連接，TFT元件115的柵極電極與柵極配線112連接。TFT元件115的漏極電極與像素電極114連接。選擇用TFT元件116的源極電極與源極配線111連接，選擇用TFT元件116的柵極電極與傳感器用柵極配線113連接。選擇用TFT元件116的漏極電極與壓力檢測元件120連接。壓力檢測元件120包括與選擇用TFT元件116的漏極電極連接的輸出用元件117 ;和與該輸出用元件117的柵極電極連接的壓力傳感器(壓力檢測裝置)118。輸出用元件117包括與選擇用TFT元件116的漏極電極連接的源極電極；與源極配線111連接的漏極電極；和與壓力傳感器118的下部電極連接的柵極電極。另外，選擇用TFT元件116的源極電極所連接的源極配線111是與輸出用元件117的漏極電極所連接的源極配線111相鄰的其他的源極配線111。此處，選擇用TFT元件116的導(dǎo)通/斷開以分時的方式被適當(dāng)?shù)厍袚Q，控制部105對來自與被選擇的選擇用TFT元件116連接的壓力檢測元件120的輸出進(jìn)行檢測。具體地說，檢測來自壓力檢測元件120的作為電特性的電流量。輸出用兀件117的輸出根據(jù)施加于輸出用兀件117的柵極電極的電壓而變動。施加于該柵極電極的電壓由與柵極電極連接的壓力傳感器118的下部電極的電位決定。壓力傳感器118的下部電極的電位由與另一方的上部電極之間的電容決定。上部電極與下部電極之間的電容根據(jù)對設(shè)置有上部電極的基板施加的按壓力而變動。即，控制部105能夠根據(jù)來自輸出用元件117的電流量檢測施加于基板的按壓力。圖2是從對置基板150 —側(cè)平視液晶顯示裝置100的一部分的平面圖。如該圖2所不，對置基板150包括彩色濾光片基板151 ;和配置于該彩色濾光片基板151的下表面 的對置電極152。彩色濾光片基板151包括形成為柵格狀的黑矩陣155 ;和形成于該黑矩陣155的框內(nèi)，且具有紅色、綠色、藍(lán)色各種顏色的著色感應(yīng)材料的著色層153。另外，在一個像素110的上方配置有一個著色層153。對置電極152例如是由ITO (Indium Tin Oxide :氧化銦錫)形成的透明電極。圖3是位于對置基板150下的TFT陣列基板130的平面圖，在該圖3和上述圖2中，源極配線111和柵極配線112位于黑矩陣155之下。而且，選擇用TFT元件116和壓力檢測元件120相對于像素電極114配置于與TFT元件115相反的一側(cè)。如該圖3所示，選擇用TFT元件116包括半導(dǎo)體層123 ;與半導(dǎo)體層123和源極配線111連接的源極電極121 ;與傳感器用柵極配線113連接的柵極電極122 ;和漏極電極125。輸出用元件117的源極電極183與選擇用TFT元件116的漏極電極125通過連接配線124連接。另外，本實(shí)施方式中，將選擇用TFT元件116的半導(dǎo)體層123與輸出用元件117的半導(dǎo)體層180分離，通過連接配線124將選擇用TFT元件116的漏極電極125與輸出用元件117的源極電極183連接，但也可以以連接漏極電極125與源極電極183的方式使半導(dǎo)體層123和半導(dǎo)體層180 —體化。圖4是示意性地表示圖2的IV-IV截面的截面圖。另外，圖4和后述的圖5、圖6等所示的截面圖是為了方便說明而簡化后的截面圖，各圖中的縱橫比等并不正確。如圖4所示，液晶顯示裝置100包括TFT陣列基板130 ;以與TFT陣列基板130相對的方式隔開間隔地配置的對置基板150 ;和填充在對置基板150與TFT陣列基板130之間的液晶層(顯示介質(zhì)層)160。另外，在TFT陣列基板130與對置基板150之間形成有將TFT陣列基板130與對置基板150的間隔維持為規(guī)定的間隔的間隔物161。液晶顯不裝置100還包括配置于對置基板150的上表面的偏光板；和配置于TFT陣列基板130的下表面的偏光板和背光源單兀。以配置在對置基板150的上表面的偏光板的偏光方向與配置在TFT陣列基板130下的偏光板的偏光方向正交的方式，配置各偏光板。背光源單兀向TFT陣列基板130照射光。另外，該背光源單元和上述兩個偏光板未圖示。對置基板150包括具有主表面的玻璃基板156 ;在玻璃基板156的主表面形成的彩色濾光片基板151 ;和在該彩色濾光片基板151下形成的對置電極152。TFT陣列基板130包括具有主表面(第一主表面)的玻璃基板(第一基板)140 ;和位于玻璃基板140的上方的像素電極114，在該玻璃基板140的主表面上形成有TFT元件(開關(guān)元件)115。在玻璃基板140的主表面上,形成有由氧化娃層(Si02層)、氮化娃層(SiN)和氮氧化硅層(SiNO層)等絕緣層形成的基底層131。該基底層131的膜厚例如為Onm以上500nm以下，優(yōu)選為Onm以上400nm以下。TFT元件115包括在基底層131的上表面上形成的半導(dǎo)體層132 ；以覆蓋該半導(dǎo)體層132的方式形成的柵極絕緣層133 ;在柵極絕緣層133的上表面上形成的柵極電極134 ;和與半導(dǎo)體層132連接的漏極電極137和源極電極138。 柵極電極134在柵極絕緣層133的上表面上，位于半導(dǎo)體層132的上方。漏極電極137與柵極電極134隔開間隔地配置。源極電極138相對于柵極電極134配置在與漏極電極137相反的一側(cè)。源極電極138與源極配線111連接，漏極電極137與像素電極114連接。通過對柵極電極134施加規(guī)定的電壓，TFT元件115成為導(dǎo)通，通過對源極配線111和源極電極138施加規(guī)定的電壓，而對漏極電極137和像素電極114施加規(guī)定的電壓。通過由TFT元件115切換對像素電極114施加的電壓，控制位于像素電極114與對置電極152之間的液晶層160內(nèi)的液晶的朝向。通過切換液晶的朝向，切換來自背光源單元的光通過在對置基板150的上表面配置的偏光板的狀態(tài)和由配置在對置基板150的上表面的偏光板遮光的狀態(tài)。半導(dǎo)體層132例如采用連續(xù)晶界結(jié)晶硅膜等，半導(dǎo)體層132的膜厚例如為20nm以上200nm以下。另外，半導(dǎo)體層132的膜厚優(yōu)選為30nm以上70nm以下程度。柵極絕緣層133例如由Si02、SiN、SiN0等的絕緣層形成。柵極絕緣層133的膜厚例如為20nm以上200nm以下，優(yōu)選為50nm以上120nm以下。柵極電極134是一種導(dǎo)電層，該導(dǎo)電層例如包括鶴(W)、鉭(Ta)、鈦(Ti)、鑰(Mo)等金屬層；包含它們的合金；或包含鎢(W)、鉭(Ta)、鈦(Ti)、鑰(Mo)等元素的化合物等。柵極電極134的膜厚例如為50nm以上600nm以下，柵極電極134的膜厚優(yōu)選為IOOnm以上500nm以下。以覆蓋柵極電極134的方式，在柵極絕緣層133的上表面上形成有層間絕緣層135。層間絕緣層135例如由Si02、SiN和SiNO等的絕緣層形成。層間絕緣層135的膜厚例如為IOOnm以上IOOOnm以下，層間絕緣層135的膜厚優(yōu)選為IOOnm以上700nm以下。源極配線111位于層間絕緣層135的上表面上，源極電極138與源極配線111連接。漏極電極137也以到達(dá)層間絕緣層135的上表面的方式形成。源極配線111、源極電極138和漏極電極137例如可以是鋁(Al)、銅(Cu )、金(Au )、鈦(Ti)等金屬層、或依次疊層這些金屬層而形成的疊層金屬層。這些源極配線111等的膜厚例如為300nm以上IOOOnm以下，源極配線111等的膜厚優(yōu)選是400nm以上800nm以下。在層間絕緣層135的上表面上，以覆蓋源極配線111的方式形成有上層絕緣層136。上層絕緣層136例如由Si02、SiN和SiNO等的絕緣層形成。上層絕緣層136的膜厚例如為50nm以上500nm以下，上層絕緣層136的膜厚優(yōu)選為50nm以上200nm以下。像素電極114形成在上層絕緣層136的上表面上。像素電極114由ITO等透明導(dǎo)電層形成。圖5是圖2的V-V截面圖。如該圖5所示，在玻璃基板140的主表面上形成有基底層131，在該基底層131的上表面上形成有輸出用元件117。輸出用元件117包括在基底層131上形成的半導(dǎo)體層180 ;以覆蓋半導(dǎo)體層180的方式形成的柵極絕緣層133 ;在柵極絕緣層133的上表面中位于半導(dǎo)體層180的上方的部分形成的柵極電極181 ;和與半導(dǎo)體層180連接的源極電極183和漏極電極182。源極電極183與柵極電極181隔開間隔地配置，漏極電極182相對于柵極電極181配置在與源極電極183相反的一側(cè)。 層間絕緣層135以覆蓋柵極電極181的方式形成在柵極絕緣層133的上表面上。漏極電極182貫通柵極絕緣層133、層間絕緣層135，與在層間絕緣層135的上表面形成的源極配線111連接。源極電極183也貫通柵極絕緣層133和層間絕緣層135，以到達(dá)層間絕緣層135的上表面的方式形成。在層間絕緣層135的上表面形成有下部電極172和連接配線124。連接配線124與圖3所示的選擇用TFT元件116的漏極電極125連接。下部電極172利用接觸件184與柵極電極181連接。因此，施加于柵極電極181的電壓由下部電極172的電位決定。在下部電極172上形成有上層絕緣層136。下部電極172形成為平坦面狀。上層絕緣層136中的至少位于下部電極172上的部分沿下部電極172的上表面形成為平坦面狀。壓力傳感器(壓力檢測裝置)118包括上述下部電極172 ;和位于該下部電極172的上方的上部電極171。在本實(shí)施方式中，上部電極171形成于對置基板150，上部電極171包括在彩色濾光片基板151的下側(cè)形成的突起部170 ;和以覆蓋該突起部170的方式形成的對置電極152。突起部170例如包括丙烯酸樹脂、可塑性樹脂等能夠彈性變形的材料。也可以使突起部170包括能夠彈性變形的導(dǎo)電性樹脂。突起部170的高度例如為I U m以上10 ii m以下。突起部170的高度優(yōu)選為I. 5 y m以上5 ii m以下。在該圖5所示的例子中，對置電極152中的位于突起部170的頂點(diǎn)部的部分與上層絕緣層136接觸。在本實(shí)施方式中，突起部170的與突出方向垂直的截面以成為圓形形狀的方式形成，突起部170的表面為圓滑的彎曲面狀。而且，如圖2所示，突起部170隔開間隔地形成有多個。突起部170的形狀并不限定于上述形狀。例如，也可以以跨多個壓力傳感器118的下部電極172延伸的方式形成突起部170。此外，突起部170的形狀并不限于截面形狀為圓形形狀，而且外表面也并不限于圓滑的彎曲面。圖6是對置基板150被按壓時的液晶顯示裝置100的截面圖。如該圖6所示，當(dāng)被筆或人的手指按壓時，對置基板150中被按壓的部分和其附近撓曲。由于玻璃基板156撓曲，上部電極171接近下部電極172。由于上部電極171接近下部電極172，上部電極171被上層絕緣層136按壓，突起部170彈性變形，上部電極171沿著下部電極172變形。圖7是示意性地表示上部電極171與上層絕緣層136接觸的區(qū)域的平面圖。在該圖7中，區(qū)域Rl是被圖7中的虛線包圍的區(qū)域，區(qū)域R2是被實(shí)線包圍的區(qū)域。區(qū)域Rl表示對置基板150未被按壓的狀態(tài)(初始狀態(tài))下的上部電極171與上層絕緣層136的接觸區(qū)域。區(qū)域R2表示圖6所示的狀態(tài)下的上部電極171與上層絕緣層136的接觸區(qū)域。如該圖7所示，通過上部電極171稍微發(fā)生變位，上部電極171與上層絕緣層136的接觸面積
變得非常大。 在上部電極171與上層絕緣層136接觸的部分，上部電極171和下部電極172均與上層絕緣層136接觸，上部電極171與下部電極172之間的間隔成為上層絕緣層136的
厚度的量。具體地說，位于上部電極171的表面上的對置電極152與下部電極172之間的距離是上層絕緣層136的厚度的量。由此，圖7所示的狀態(tài)下的上部電極171和下部電極172所規(guī)定的電容遠(yuǎn)大于圖6所示的初始狀態(tài)下的上部電極171和下部電極172所規(guī)定的電容。圖8是對本實(shí)施方式的壓力傳感器118的特性與作為比較例的壓力傳感器的特性進(jìn)行比較的圖表。另外，在該圖8所示的圖表中，橫軸表示上部電極的行程量，縱軸表示上部電極與下部電極間的電容變化率。圖表的實(shí)線LI表示本實(shí)施方式的壓力傳感器的特性，虛線L2表示比較例的壓力傳感器的特性。圖9是表示具有作為比較例的壓力傳感器的顯示裝置的截面圖。該圖9所示的比較例的壓力傳感器與本實(shí)施方式的壓力傳感器118不同，不包含突起部170。因此，比較例的壓力傳感器包括在彩色濾光片基板151的下表面形成為平坦面狀的對置電極152 ;和下部電極172。另外，比較例的對置基板150與TFT陣列基板130之間的距離和本實(shí)施方式的對置基板150與TFT陣列基板130之間的距離均為3. 3 ii m。在該比較例中，當(dāng)對置基板150被按壓時，對置電極152向下部電極172接近。而且，由于對置電極152與下部電極172之間的距離變小，因此對置電極152與下部電極172之間的電容變大。而且，如上述圖8所示，當(dāng)上部電極的變位量(行程量)較小時，比較例的壓力傳感器的電容變化率小于本實(shí)施方式的壓力傳感器118的電容變化率。在比較例的壓力傳感器中，當(dāng)施加于對置基板150的按壓力較小時，難以正確地檢測電容的變化，難以正確地檢測施加的壓力。另一方面，如圖8所示，可知在本實(shí)施方式的壓力傳感器118中，在上部電極的行程量較小時，電容變化率也較大。因此，在本實(shí)施方式的壓力傳感器118中，在上部電極的行程量較小時，也能夠使施加于圖5所示的柵極電極181的電壓大幅變化。由此，控制部能夠正確地檢測被施加的按壓力。當(dāng)行程量超過規(guī)定值時，比較例的壓力傳感器的電容變化率急劇變大。在電容急劇變化的范圍中，即使在上部電極與下部電極之間僅稍稍變窄時，電容也會急劇地變化。因此，在電容急劇變化的范圍中，施加于輸出用兀件的柵極電極的電壓也急劇變化，來自輸出用元件117的電流量也大幅變化。因此，控制部難以正確地計(jì)算出按壓力。另一方面，本實(shí)施方式的壓力傳感器118，即使行程量較大，電容變化率也大致一定。這樣，在本實(shí)施方式的壓力傳感器118中，電容的變化率大致一定，因此能夠容易地根據(jù)上部電極與下部電極間的電容計(jì)算出施加的壓力，能夠正確地計(jì)算出壓力。這樣，本實(shí)施方式的壓力傳感器118包括下部電極172 ;與該下部電極172隔開間隔地配置，并且與下部電極相對地配置的上部電極171 ;和在上部電極171與下部電極172之間形成的上層絕緣層(絕緣層)136，上部電極171形成于能夠彈性變形的突起部170 的表面上。突起部170與上層絕緣層136抵接，而且被上層絕緣層136按壓，由此突起部170上的對置電極152以沿著下部電極172的方式變形。而且，下部電極172與上部電極171之間的電容以規(guī)定的大小保持一定的變化率而進(jìn)行變化。因此，通過檢測來自輸出用元件117的電流量，能夠檢測上部電極171與下部電極172之間的電容，能夠正確地計(jì)算出施加的壓力。這樣，在本實(shí)施方式I的液晶顯示裝置100中，搭載有能夠正確輸出電容變化的壓力傳感器118，因此，即使對置基板150沒有大幅撓曲，也能夠正確地計(jì)算出施加于對置基板150的按壓力。由此，即使將對置基板150的玻璃基板156的厚度形成得比玻璃基板140厚，也能夠計(jì)算出施加的壓力。因此能夠提高對置基板150的剛性。另外，玻璃基板140由背光源單元等支承，因此即使使玻璃基板140的厚度比玻璃基板156薄，也能夠抑制TFT陣列基板130的變形。另外，圖8的實(shí)線所示的壓力傳感器118的特性是一個例子。因此，當(dāng)上部電極的行程量變大時，電容變化率并非必須像圖8所示那樣以一次函數(shù)的形式增大。也可以是電容變化率的增加率局部地不同，電容變化率以曲線狀變化。在圖5中，半導(dǎo)體層180與圖4所示的半導(dǎo)體層132同樣地在柵極絕緣層133的上表面上形成，半導(dǎo)體層180包括與半導(dǎo)體層132相同材質(zhì)(相同)的材料，實(shí)質(zhì)上為相同的膜厚。具體地說，例如，采用連續(xù)晶界結(jié)晶硅膜等，半導(dǎo)體層132的膜厚例如為20nm以上200nm以下。另外，半導(dǎo)體層132的膜厚優(yōu)選為30nm以上70nm以下程度。柵極電極181也與圖4所示的柵極電極134同樣地在柵極絕緣層133上形成。而且，柵極電極181包括與柵極電極134相同材質(zhì)(相同)的材料，柵極電極181的膜厚也與柵極電極134的膜厚實(shí)質(zhì)上一致。漏極電極182、源極電極183、下部電極172和接觸件184采用與圖4所示的漏極電極137和源極電極138相同的疊層金屬膜。這樣，輸出用元件117的結(jié)構(gòu)與TFT元件115大致相同，因此，輸出用元件117的各部件能夠在形成TFT元件115的各部件時同時形成。而且，壓力傳感器118的下部電極也能夠在形成TFT元件115的漏極電極137和源極電極138時同時形成。因此，能夠不增加TFT陣列基板130的制造工序數(shù)，抑制制造成本的增加。使用圖10 圖21，說明本實(shí)施方式的液晶顯示裝置100的制造方法。
在制造液晶顯示裝置100時，首先，各自單獨(dú)地形成TFT陣列基板130和對置基板
150。之后，在TFT陣列基板130的上表面涂敷液晶層，之后將對置基板150配置在TFT陣列基板130的上方，形成TFT陣列基板130。于是，首先說明TFT陣列基板130的制造方法。圖10是表示TFT陣列基板130的制造工序的第一工序的截面圖。如圖10所示，準(zhǔn)備玻璃基板140。之后，在玻璃基板140的主表面上，堆積SiO2、SiN, SiNO等的絕緣層，形成基底層131。 圖11是表示TFT陣列基板130的制造工序的第二工序的截面圖。在該圖11中，首先形成非晶質(zhì)半導(dǎo)體層。作為非晶質(zhì)半導(dǎo)體膜的材質(zhì)，只要導(dǎo)電性是半導(dǎo)體則沒有特別限定，能夠舉出硅(Si )、鍺(Ge )、砷化鎵(GaAs )等，但在其中，從廉價性和量產(chǎn)性的觀點(diǎn)出發(fā)，優(yōu)選硅。作為非晶質(zhì)半導(dǎo)體膜的形成方法沒有特別限定，例如能夠舉出通過CVD法等形成非晶硅(a-Si)膜的方法。之后，在上述非晶質(zhì)半導(dǎo)體層中添加催化劑元素。催化劑元素能夠助長非晶質(zhì)半導(dǎo)體膜的結(jié)晶化，由此，能夠?qū)崿F(xiàn)半導(dǎo)體層的CG-Si化，以達(dá)到TFT的高性能化。作為催化劑元素能夠舉出鐵、鈷、鎳、鍺、釕、銠、鈀、鋨、銥、鉬、銅、金等，優(yōu)選包含從上述組中選出的至少一種元素，其中Ni優(yōu)選使用。作為催化劑元素的添加方法沒有特別限定，能夠舉出電阻加熱法、涂敷法等。之后，使非晶質(zhì)半導(dǎo)體層結(jié)晶化，形成連續(xù)晶界結(jié)晶硅層(CG硅層)。作為結(jié)晶化的方法，優(yōu)選將利用退火處理而進(jìn)行結(jié)晶化的固相結(jié)晶生長(Solid Phase Crystallizati ；SPC)法、SPC法和利用受激準(zhǔn)分子激光等的照射而進(jìn)行熔融再結(jié)晶化的激光退火法組合而得的方法。這樣，在形成連續(xù)晶界結(jié)晶硅層之后，將該連續(xù)晶界結(jié)晶硅層通過光刻法等進(jìn)行圖案化，形成半導(dǎo)體層132和半導(dǎo)體層180。另外，在該第二工序中，也形成圖3所示的半導(dǎo)體層123。另外，說明了半導(dǎo)體層180和半導(dǎo)體層123由連續(xù)晶界結(jié)晶硅層形成的例子，但作為半導(dǎo)體層180和半導(dǎo)體層123并不限于連續(xù)晶界結(jié)晶硅層，也可以適當(dāng)?shù)剡x擇其它材料。圖12是表示TFT陣列基板130的制造工序的第三工序的截面圖。如該圖12所示，通過CVD法等將Si02、SiN和SiNO等的絕緣層以覆蓋半導(dǎo)體層180和半導(dǎo)體層132的方式形成在基底層131上。由此形成柵極絕緣層133。圖13是表示TFT陣列基板130的制造工序的第四工序的截面圖。如該圖13所示，使用濺射法、CVD法等，在使疊層金屬層堆積之后，通過光刻法等進(jìn)行圖案化，由此形成柵極電極134和柵極電極181。柵極電極134形成于柵極絕緣層133的上表面中的位于半導(dǎo)體層132的上方的部分。柵極電極181形成于柵極絕緣層133的上表面中位于半導(dǎo)體層180的上方的部分。另外，在該第四工序中，也形成圖2所示的柵極配線112、傳感器用柵極配線113和柵極電極122。圖14是表示TFT陣列基板130的制造工序的第五工序的截面圖。如該圖14所示，以覆蓋柵極電極134和柵極電極181的方式，在柵極絕緣層133的上表面形成層間絕緣層
135。
圖15是表示TFT陣列基板130的制造工序的第六工序的截面圖。如該圖15所示，通過干蝕刻等對層間絕緣層135和柵極絕緣層133進(jìn)行圖案化，形成接觸孔162 166。接觸 孔162和接觸孔163以到達(dá)半導(dǎo)體層132的方式形成，接觸孔164和接觸孔166以到達(dá)半導(dǎo)體層180的方式形成。接觸孔165以到達(dá)柵極電極181的上表面的方式形成。圖16是表示TFT陣列基板130的制造工序的第七工序的截面圖。在該圖16中，通過濺射形成金屬層。此時，金屬層也進(jìn)入圖15所示的接觸孔162 接觸孔166內(nèi)。另外，在漏極電極137、182、源極電極138、183、下部電極172、接觸件184和連接配線124由疊層金屬層形成的情況下，通過濺射，依次疊層多個金屬層。而且，將形成的金屬層或疊層金屬層圖案化，形成漏極電極137、182、源極電極138、183、下部電極172、接觸件184和連接配線124。另外，在該第七工序中，也形成圖2所示的源極配線111、選擇用TFT元件116的源極電極121和漏極電極125。之后，如上述圖4和圖5所示,形成上層絕緣層136。具體地說,將氮化娃層(SiN層)例如通過等離子體化學(xué)氣相生長法形成為200nm左右。之后，將上層絕緣層136圖案化，形成使漏極電極137的一部分露出的接觸孔。然后，形成ITO膜，將該ITO膜圖案化，形成像素電極114。另外，在將間隔物161形成于TFT陣列基板130時，將丙烯酸樹脂等樹脂層形成在上層絕緣層136的上表面上，使該樹脂層圖案化，形成間隔物161。另外，間隔物161的高度為4iim左右。由此能夠形成TFT陣列基板130。這樣，根據(jù)本實(shí)施方式的TFT陣列基板130的制造方法，能夠形成TFT元件115的半導(dǎo)體層、柵極電極、源極電極和漏極電極，并且形成選擇用TFT元件116、輸出用元件117的半導(dǎo)體層等，而且也能夠形成壓力傳感器的下部電極。因此能夠抑制制造工序數(shù)的增大。使用圖17 圖21說明對置基板150的制造方法。圖17是表示對置基板150的制造工序的第一工序的截面圖。如該圖17所示，準(zhǔn)備具有主表面的玻璃基板156。而且，在玻璃基板156的主表面上，例如利用旋轉(zhuǎn)涂膠等形成具有I IOu m左右的厚度的高遮光性樹脂層。優(yōu)選為2 5iim左右。之后，進(jìn)行曝光、顯影、清洗、后烘焙。由此，在玻璃基板156的主表面形成圖2所示的黑矩陣155。另外，作為樹脂的材料，只要是一般作為黑色感光性樹脂使用的丙烯酸樹脂等的感光性樹脂，則即可以是負(fù)型也可以是正型。另外，在使黑矩陣155具有導(dǎo)電性時，由導(dǎo)電性的樹脂材料、鈦(Ti)等金屬材料形成黑矩陣155。圖18是表示玻璃基板156的制造工序的第二工序的截面圖。在該圖18中，黑矩陣155是例如具有60 ii mX 100 U m左右的開口部的寬度20 U m左右的柵格狀的圖案。以噴墨方式在黑矩陣155的開口部涂敷著色層153的墨。這樣，彩色濾光片基板151在玻璃基板156的主表面上形成。另外，著色層153的膜厚例如為I 10 ii m左右,優(yōu)選為2 5 y m左右。圖19是表不對直基板150的制造工序的第二工序的截面圖。如該圖19所不，例如將丙烯酸等可塑性樹脂層157例如形成為I IOiim左右。另外，優(yōu)選為1.5 511111左右。例如使可塑性樹脂層157的膜厚為3. 5 ii m。
圖20是表不對直基板150的制造工序的第四工序的截面圖。如該圖20所不,通過光刻將可塑性樹脂層157圖案化，形成樹脂圖案158。圖21是表示對置基板150的制造工序的第五工序的截面圖，在該圖21中，對樹脂圖案158施以退火處理(樹脂退火)，形成突起部170。具體地說，將形成有樹脂圖案158的玻璃基板156插入爐中，例如在100°C以上300°C以下的溫度實(shí)施退火處理。另外，退火處理溫度優(yōu)選為100°C以上200°C以下。例如在爐中以220°C烘焙60分鐘左右。通過對樹脂圖案158施以退火處理，表面的樹脂流動，形成表面光滑的突起部
170。另外，將可塑性樹脂層157的膜厚設(shè)為3. 5pm，當(dāng)對圖案化后的樹脂圖案158在 220°C中施以60分鐘的退火處理時，突起部170的高度為3. 4iim左右。之后，以覆蓋突起部170的方式涂敷ITO層等透明導(dǎo)電層，形成對置電極152。另夕卜，對置電極152的膜厚例如為50nm以上400nm以下程度。對置電極152的膜厚優(yōu)選為50nm以上200nm以下程度。例如對置電極152的膜厚為200nm。這樣，在突起部170上形成對置電極152，由此形成上部電極171。另外，在對置基板150形成間隔物161的情況下，將丙烯酸樹脂等樹脂層形成在對置電極152的上表面上，使該樹脂層圖案化，形成間隔物161。另外，間隔物161的高度為4pm左右。這樣形成對置基板150。然后，在TFT陣列基板130的上表面涂敷液晶層，進(jìn)而在TFT陣列基板130的上方配置對置基板150。此時，以上部電極171位于對置電極152的上方的方式疊層TFT陣列基板130和對置基板150。之后經(jīng)由各種工序，由此能夠形成圖4和圖5所不的液晶顯不裝置100。在這樣得到的液晶顯示裝置100中，當(dāng)從TFT陣列基板130 —側(cè)施加有IN左右的力時，能夠檢測到?jīng)]有施加按壓力的狀態(tài)的6倍的靜電電容。而且，從開始按壓起到按壓至IN的期間，相對于按壓力，靜電電容以一次函數(shù)的方式增加。(實(shí)施方式2)使用圖22 圖26說明本發(fā)明的實(shí)施方式2的壓力傳感器118和液晶顯示裝置100。在圖22到圖26所示的結(jié)構(gòu)中，存在對與上述圖I到圖21所示的結(jié)構(gòu)相同或相當(dāng)?shù)慕Y(jié)構(gòu)標(biāo)注相同的附圖標(biāo)記并省略其說明的情況。圖22是本實(shí)施方式2的液晶顯示裝置100的截面圖，是表示TFT元件115的截面圖。圖23是本實(shí)施方式2的液晶顯示裝置100的截面圖，是輸出用元件117的截面圖。如該圖22和圖23所示，液晶顯示裝置100具備TFT元件115和輸出用元件117，以覆蓋TFT元件115和輸出用元件117的方式形成有層間絕緣層135。TFT元件115的漏極電極137和源極電極138的上端部、輸出用元件117的漏極電極182和源極電極183的上端部、接觸件184的上端部、源極配線111、連接配線124位于層間絕緣層135的上表面。在接觸件184的上端部形成有墊部185，液晶顯示裝置100包括層間絕緣層139，該層間絕緣層139形成為覆蓋墊部185 ；TFT元件115的漏極電極137和源極電極138的上端部；輸出用元件117的漏極電極182和源極電極183的上端部；接觸件184的上端部；源極配線111 ;和連接配線124。在該層間絕緣層139的上表面形成有反射電極187 ;和與該反射電極187連接的下部電極189。反射電極187與下部電極189 —體連接。下部電極189和反射電極187與墊部185通過連接部186連接。墊部185通過接觸件184與柵極電極181連接。這樣，下部電極189與柵極電極181連接。在下部電極189和反射電極187上形成有上層絕緣層136。下部電極189形成為平坦面狀。上層絕緣層136中的位于下部電極189的上表面上的部分沿下部電極189的上表面形成為平坦面狀。圖22所示的像素電極114形成在上層絕緣層136上，貫通上層絕緣層136和層間絕緣層139，與漏極電極137連接。在位于下部電極189的上方的對置基板150的下表面形成有上部電極171。另外，在本實(shí)施方式2中，上部電極171也包括在彩色濾光片基板151的下表面形成的突起部170 ;和在該突起部170的表面上形成的對置電極152。在本實(shí)施方式2的液晶顯示裝置100中，通過按壓對置基板150，上部電極171與上層絕緣層136接觸，突起部170變形。具體地說，上部電極171以沿下部電極189的方式變形。而且，在突起部170上形成的對置電極152與下部電極189夾著上層絕緣層136相對的面積急劇增大，下部電極189的電位大幅變化。而且，能夠使施加于柵極電極181的電壓大幅變化。使用圖24 圖26說明本實(shí)施方式2的液晶顯示裝置100的制造方法。另外，本實(shí)施方式2的液晶顯示裝置100的TFT陣列基板130與上述實(shí)施方式I的液晶顯示裝置100的TFT陣列基板130的制造工序一部分重復(fù)。具體地說，從圖10所示的制造工序到圖14所示的制造工序與本實(shí)施方式的TFT陣列基板130的制造工序是共通的。圖24是表示作為本實(shí)施方式2的液晶顯示裝置100的TFT陣列基板130的制造工序的、圖14所不的制造工序后的制造工序的截面圖。如該圖24所示，將層間絕緣層135和柵極絕緣層133圖案化，形成多個接觸孔。之后將金屬層或疊層金屬層形成在層間絕緣層135上。將金屬層或疊層金屬層圖案化，形成漏極電極137、源極電極138、漏極電極182、接觸件184、源極電極183、墊部185和連接配線124。另外，源極配線111、墊部185形成在層間絕緣層135的上表面上。圖25是表示圖24所示的TFT陣列基板130的制造工序后的制造工序的截面圖。如該圖25所示，以覆蓋源極配線111和墊部185的方式形成層間絕緣層139。然后，將層間絕緣層139圖案化。此時，在形成連接部186的部分形成接觸孔，并且在層間絕緣層139的上表面中的設(shè)置反射電極187的預(yù)定部分形成凹凸部。這樣，將層間絕緣層139圖案化后，在層間絕緣層139的上表面上形成以下任意一層，即招(Al)、銀(Ag)、鑰(Mo)等金屬層；包含鋁(Al)、銀(Ag)、鑰(Mo)等金屬元素的金屬化合物層；或疊層鋁(Al)層、銀(Ag)層、鑰(Mo)層而形成的疊層金屬層。 通過在層間絕緣層139的上表面形成金屬層或疊層金屬層，在形成于層間絕緣層139的接觸孔內(nèi)形成連接部186。然后，通過將金屬層或疊層金屬層圖案化，形成下部電極189和反射電極187。另外，在層間絕緣層139的上表面中的形成反射電極187的部分預(yù)先形成有凹凸部，因此反射電極187沿該凹凸部的表面形成凹凸?fàn)?。圖26是表示圖25所示的制造工序后的TFT陣列基板130的制造工序的截面圖。如該圖26所示，以覆蓋下部電極189和反射電極187的方式在層間絕緣層139上形成上層絕緣層136。之后，將上層絕緣層136和層間絕緣層139圖案化，形成從上層絕緣層136的上表面到漏極電極137的上端部的接觸孔。在形成接觸孔后，在上層絕緣層136的上表面形成ITO膜，將該ITO膜圖案化，形成像素電極114。這樣形成圖22和圖23所示的TFT陣列基 板 130。這樣，下部電極189和與該下部電極189連接的連接部186，能夠在形成反射電極187的工序中與反射電極187—同形成。因此，在本實(shí)施方式中，也能夠不導(dǎo)致制造工序增加地將壓力傳感器118的下部電極形成在TFT陣列基板130內(nèi)。(實(shí)施方式3)使用圖27 圖37說明本發(fā)明的實(shí)施方式3的壓力傳感器118、液晶顯示裝置100和液晶顯示裝置100的制造方法。另外，對于圖27到圖37所示的結(jié)構(gòu)中的與上述圖I到圖26所示的結(jié)構(gòu)相同或相當(dāng)?shù)慕Y(jié)構(gòu)，存在標(biāo)注相同的附圖標(biāo)記并省略其說明的情況。圖27是本實(shí)施方式3的液晶顯示裝置100的截面圖,是表示TFT元件115的截面圖。圖28是本實(shí)施方式3的液晶顯示裝置100的截面圖，是表示壓力傳感器118的截面圖。如該圖27所示，液晶顯示裝置100包括在玻璃基板140的主表面上形成的基底層141 ;在該基底層141的上表面上形成的基底層131 ;和在該基底層131上形成的TFT元件 115?；讓?41由Si02、SiN, SiNO等的絕緣層形成?；讓?41的膜厚例如大于Onm且為500nm以下?；讓?41的膜厚優(yōu)選為400nm以下。TFT元件115包括在基底層131上形成的半導(dǎo)體層132 ;隔著柵極絕緣層133在半導(dǎo)體層132的上方形成的柵極電極134 ;和與半導(dǎo)體層132連接的漏極電極137和源極電極138。柵極電極134被在柵極絕緣層133上形成的層間絕緣層135覆蓋。漏極電極137和源極電極138以到達(dá)層間絕緣層135的上表面的方式形成。在層間絕緣層135上形成有上層絕緣層136，在該上層絕緣層136的上表面上形成有像素電極114。像素電極114與漏極電極137的上端部連接。如圖28所示，壓力傳感器118包括在基底層141的上表面上形成的下部電極172 ;和位于下部電極172的上方，以與下部電極172相對的方式配置的上部電極171，在上部電極171下形成有允許上部電極171以撓曲的方式變形的凹部147。另外，下部電極172被基底層131覆蓋。下部電極172形成為平板狀?；讓?31中的位于下部電極172上的部分沿著下部電極172的上表面延伸，形成為平坦面狀。接觸件146與下部電極172連接，該接觸件146以到達(dá)層間絕緣層135的上表面的方式形成。接觸件146的上端部與在層間絕緣層135的上表面形成的源極配線111連接。
上部電極171在柵極絕緣層133的上表面上形成，凹部147形成于作為上部電極171與下部電極172之間的、柵極絕緣層133與基底層131之間。上部電極171形成為平板狀。柵極絕緣層133中的位于上部電極171下的部分沿上部電極171的下表面延伸，形成為平坦面狀。連接配線124與上部電極171連接，該連接配線124與圖I所示的選擇用TFT元件116的漏極電極連接。上層絕緣層136以覆蓋與下部電極172連接的源極配線111和連接配線124的方式形成。本實(shí)施方式3的液晶顯示裝置100的對置基板150包括玻璃基板156 ;在該玻璃基板156的下表面形成的彩色濾光片基板151 ;在該彩色濾光片基板151的下表面形成的對置電極152 ;和在該對置電極152的下表面形成的按壓部件145。按壓部件145包括丙烯 酸樹脂等樹脂。控制部105讀出與接觸件146連接的源極配線111和與選擇用TFT元件116連接的源極配線111的輸出。由此，控制部105能夠檢測上部電極171與下部電極172之間的電容?？刂撇?05根據(jù)上部電極171與下部電極172之間的電容的變化，計(jì)算施加于對置基板150的按壓力。此處，當(dāng)使用者用筆或手指按壓對置基板150時，對置基板150中被按壓的部分稍稍撓曲。圖29是示意性地表示對置基板150被按壓時的液晶顯示裝置100的狀態(tài)的截面圖。如該圖29所示，當(dāng)按壓部件145按壓TFT陣列基板130的上表面時，上部電極171和位于該上部電極171下的柵極絕緣層133撓曲。而且，位于上部電極171下的柵極絕緣層133與位于下部電極172上的基底層131抵接，上部電極171變形。圖30是表示上部電極171和柵極絕緣層133在由于來自按壓部件145的按壓力而變形之前的狀態(tài)下的上部電極171和柵極絕緣層133的截面圖。如該圖30所示，在上部電極171和柵極絕緣層133形成有多個孔部173、174。另夕卜，孔部173和孔部174以相互連通的方式形成。圖31是上部電極171的平面圖。如該圖31所示，上部電極171形成為大致正方形形狀，在上部電極171形成的孔部173也形成為正方形形狀?？撞?73以在上部電極171均勻分布的方式形成。上部電極171的一邊例如為30iim左右，孔部173的一邊例如為2左右。另外，上部電極171以其寬度比柵極電極134的寬度更寬的方式形成。因此，上部電極171容易由于來自外部的按壓力而變形。上部電極171的膜厚例如為50nm以上600nm以下，優(yōu)選為IOOnm以上500nm以下。這樣，上部電極171的邊的長度以遠(yuǎn)大于上部電極171的厚度的方式形成。因此，當(dāng)上部電極171的上表面的中央部被按壓時，上部電極171能夠容易地以撓曲的方式變形。另外，上部電極171包括與柵極電極相同的金屬材料，例如包括鎢(W)、鉭(Ta)、鈦(Ti)、鑰(Mo)等金屬層；包含鎢(W)、鉭(Ta)、鈦(Ti)、鑰(Mo)等元素的合金；或包含鎢(W)、鉭(Ta)、鈦(Ti)、鑰(Mo)的化合物。
優(yōu)選上部電極171和柵極電極包括370nm左右的鎢(W)層；和在該鎢(W)層上形成的50nm左右的TaN (氮化鉭)層。另外，作為上部電極171的形狀并不限于正方形形狀，也可以是長方形，能夠采用五邊形形狀以上的多邊形形狀、圓形形狀、橢圓形狀等各種形狀。圖32是表示由于來自按壓部件145的按壓力，上部電極171和柵極絕緣層133變形后的狀態(tài)的截面圖。如該圖32所示，柵極絕緣層133和上部電極171以進(jìn)入凹部147內(nèi)的方式撓曲。此處，凹部147的開口緣部比上部電極171的外周邊部稍小，上部電極171的大部分以進(jìn)入凹部147的方式撓曲。
凹部147由在半導(dǎo)體層180形成的孔部和基底層131的上表面形成。因此，凹部147的高度與半導(dǎo)體層180的厚度相同。半導(dǎo)體層180的厚度例如為20nm以上200nm以下，優(yōu)選為30nm以上70nm以下。上部電極171的一邊的長度遠(yuǎn)大于凹部147的高度。因此，通過上部電極171和柵極絕緣層133稍微變形，柵極絕緣層133與基底層131的上表面抵接。進(jìn)一步，當(dāng)由按壓部件145按壓上部電極171和柵極絕緣層133時，如圖32所示，柵極絕緣層133中位于凹部147內(nèi)的部分的大部分與基底層131抵接。此時，柵極絕緣層133以沿基底層131的上表面的方式變形，位于柵極絕緣層133上的上部電極171也以沿基底層131的方式變形。
基底層131沿下部電極172的上表面形成為平坦面狀，因此上部電極171沿下部電極172的形狀形成為平坦面狀。因此，上部電極171的大部分與下部電極172夾著柵極絕緣層133和基底層131，上部電極171的大部分和下部電極172隔著柵極絕緣層133和基底層131相互對置。圖33是如圖32所示上部電極171發(fā)生變形時的上部電極171的平面圖。在該圖33中，被虛線包圍的區(qū)域表示沿下部電極172的上表面變形的區(qū)域，該被虛線包圍的區(qū)域是隔著基底層131和基底層131與基底層141相對的區(qū)域。如該圖33所示，通過上部電極171稍微變形，上部電極171的大部分沿下部電極172變形。該被虛線包圍的區(qū)域的面積由于按壓部件145向下方稍微變位而急劇上升。因此，上部電極171與下部電極172之間的電容也急劇變大。這樣，在本實(shí)施方式3的壓力傳感器118中，上部電極也以沿下部電極的形狀的方式變形，壓力傳感器118的特性顯示圖8的實(shí)線所示的特性。因此，本實(shí)施方式3的液晶顯示裝置100能夠正確地計(jì)算出施加于對置基板150的壓力。使用圖34 圖36說明本實(shí)施方式3的液晶顯示裝置100的制造方法。在本實(shí)施方式3的液晶顯示裝置100中也分別單獨(dú)地形成TFT陣列基板130和對置基板150。之后使TFT陣列基板130與對置基板150相對配置。圖34是表示TFT陣列基板130的制造工序的第一工序的截面圖。如該圖34所示，準(zhǔn)備具有主表面的玻璃基板140。在該玻璃基板140的主表面上形成基底層141?；讓?41例如由Si02、SiN, SiNO等的絕緣層形成，例如為50nm左右的氮氧化硅層(SiNO層)和在該氮氧化硅層(SiNO層)上形成的IlOnm左右的氧化硅層(SiO2層)。例如,基底層141形成為厚度大于Onm且為500nm以下。另外,優(yōu)選基底層141的膜厚為400nm以下。之后，通過濺射等將鑰(Mo)、鎢(W)等金屬層形成在基底層141的上表面上。然后，將該金屬層圖案化，形成下部電極172。下部電極172的膜厚例如為50nm以上600nm以下。另外，下部電極172的膜厚為50nm以上300nm以下。以覆蓋下部電極172的方式形成Si02、SiN、SiN0等的絕緣層，形成基底層131?；讓?31的膜厚為50nm以上400nm以下程度，優(yōu)選為50nm以上200nm以下。在基底層141上堆積非晶質(zhì)半導(dǎo)體層。非晶質(zhì)半導(dǎo)體層的膜厚例如為20nm以上200nm以下。另外，非晶質(zhì)半導(dǎo)體層的I旲厚優(yōu)選為30nm以上70nm左右。之后，使該非晶質(zhì) 半導(dǎo)體層結(jié)晶化，形成連續(xù)晶界結(jié)晶硅層(CG硅層)。將連續(xù)晶界結(jié)晶硅層圖案化，形成半導(dǎo)體層132和半導(dǎo)體層180。另外，半導(dǎo)體層180在基底層131的上表面中的位于下部電極172的上方的部分形成。圖35是表示TFT陣列基板130的制造工序的第二工序的截面圖。如該圖35所示，形成Si02、SiN、SiN0等的絕緣層，形成柵極絕緣層133。另外，柵極絕緣層133的膜厚例如為20nm以上200nm以下，優(yōu)選為50nm以上120nm以下。具體地說，柵極絕緣層133為80nm左右的SiO2層。在形成柵極絕緣層133之后，將P+在45KV、5E15cm_2的條件下向半導(dǎo)體層132和半導(dǎo)體層180注入。然后，在柵極絕緣層133的上表面上形成金屬層。該金屬層例如為鎢(W)、鉭(Ta)、鈦(Ti)、鑰(Mo)等金屬膜；包含鎢(W)、鉭(Ta)、鈦(Ti)、鑰(Mo)等的合金膜；或包含鎢(W)、鉭(Ta)、鈦(Ti)、鑰(Mo)元素的化合物。該金屬層的膜厚例如為50nm以上600nm以下，優(yōu)選為IOOnm以上500nm以下。之后，將該金屬層圖案化，形成柵極電極134和上部電極171。此時，在上部電極171同時形成孔部173。S卩，根據(jù)本實(shí)施方式3的液晶顯示裝置100的制造方法，能夠同時形成柵極電極134和上部電極171，抑制制造工序的增大化。在形成上部電極171和柵極電極134之后，形成覆蓋上部電極171以外的部分的抗蝕劑掩膜，使用上部電極171和該掩膜，蝕刻柵極絕緣層133。另外，柵極絕緣層133使用HF (氟化氫)水溶液等酸性溶液進(jìn)行蝕刻。由此在柵極絕緣層133形成孔部174。圖36是表示TFT陣列基板130的制造工序的第三工序的截面圖。如該圖36所示，首先，以覆蓋上部電極171和柵極電極134的方式在柵極絕緣層133的上表面上形成抗蝕齊U，對該抗蝕劑實(shí)施圖案化。由此形成抗蝕劑圖案223。在該抗蝕劑圖案223形成孔部，孔部173和孔部174露出于外部。然后，將基板浸潰于氫氧化鉀(KOH)等堿性溶液中。溶液從孔部173和孔部174進(jìn)入，半導(dǎo)體層180被蝕刻。由此在半導(dǎo)體層180形成凹部147。之后，如圖28所示，首先除去抗蝕劑圖案223，以覆蓋柵極電極134和上部電極171的方式形成層間絕緣層135。對層間絕緣層135實(shí)施圖案化，在形成多個接觸孔之后，利用濺射將金屬層形成在層間絕緣層135的上表面上。將該金屬層圖案化，形成漏極電極
137、源極電極138、源極配線111、接觸件146和連接配線124。
然后，堆積上層絕緣層136，對該上層絕緣層136實(shí)施圖案化，形成接觸孔。之后，堆積ITO膜，將該ITO膜圖案化，形成像素電極114。這樣，形成本實(shí)施方式3的液晶顯示裝置100的TFT陣列基板130。另一方面，在形成對置基板150時，首先準(zhǔn)備玻璃基板156。在該玻璃基板156的主表面上形成彩色濾光片基板151 之后形成對置電極152。然后，在該對置電極152堆積丙烯酸樹脂等樹脂。將該丙烯酸樹脂圖案化，形成按壓部件145。這樣，形成本實(shí)施方式3的液晶顯示裝置100的對置基板150。之后，在形成的TFT陣列基板130的上表面上涂敷液晶層160，在TFT陣列基板130的上表面?zhèn)扰渲脤χ没?50。這樣形成本實(shí)施方式的液晶顯示裝置100。圖37是表示圖28所示的TFT陣列基板130的變形例的截面圖。在該圖37所示的例子中，在基底層141的上表面中位于半導(dǎo)體層132下的部分形成有遮光層148。該遮光層148包括與下部電極172相同(同材質(zhì))的材料，遮光層148的膜厚和下部電極172的膜厚實(shí)質(zhì)上一致。具體地說，遮光層148例如為鎢(W)、鉭(Ta)、鈦(Ti)、鑰(Mo)等金屬膜；包含鎢(W)、鉭(Ta)、鈦(Ti)、鑰(Mo)等的合金膜；或包含鎢(W)、鉭(Ta)、鈦(Ti)、鑰(Mo)元素的化合物。遮光層148的膜厚例如為50nm以上600nm以下，優(yōu)選為IOOnm以上500nm以下。遮光層148抑制光向半導(dǎo)體層132照射，抑制由光電效應(yīng)引起的TFT元件115的特性的變化。在制造TFT陣列基板130的工序中，遮光層148與下部電極172通過將堆積在基底層141上的金屬層圖案化而形成。這樣，能夠在同一工序中形成下部電極172和遮光層148，因此能夠抑制液晶顯示裝置100的制造工序的增大，并且能夠形成下部電極172和遮光層148。(實(shí)施方式4)使用圖38 圖49說明本發(fā)明的實(shí)施方式4的壓力傳感器118、液晶顯示裝置100和液晶顯示裝置100的制造方法。另外，對于圖38到圖49所示的結(jié)構(gòu)中與上述圖I到圖37所示的結(jié)構(gòu)相同或相當(dāng)?shù)慕Y(jié)構(gòu)，存在標(biāo)注相同的附圖標(biāo)記并省略其說明的情況。圖38是示意性地表示本實(shí)施方式4的液晶顯示裝置100的電路圖的電路圖。如該圖38所示，本實(shí)施方式4的壓力傳感器190的一個電極(下部電極)與選擇用TFT元件116的漏極電極連接，壓力傳感器190的另一個電極(上部電極)與對置電極152連接?？刂撇?05通過切換選擇用TFT元件116的導(dǎo)通/斷開，選擇進(jìn)行傳感的壓力傳感器190。在被選擇的選擇用TFT元件116為導(dǎo)通時，對被選擇的選擇用TFT元件116所連接的傳感器用柵極配線113施加規(guī)定的電壓。而且，對該被選擇的選擇用TFT元件116的源極電極所連接的源極配線111施加規(guī)定電壓。壓力傳感器190形成為根據(jù)從外部施加的壓力使電流量變化。因此，控制部105讀出在選擇用TFT元件116所連接的源極配線111與對置電極152之間流動的電流量，由此能夠計(jì)算出施加于被選擇的壓力傳感器190的壓力。圖39是本實(shí)施方式4的液晶顯示裝置100的截面圖，是表示TFT元件115的截面圖。如該圖39所示，液晶顯示裝置100包括TFT陣列基板130 ;配置在TFT陣列基板130的上方的對置基板150 ;和填充在TFT陣列基板130與對置基板150之間的液晶層160。TFT陣列基板130包括玻璃基板140 ;在玻璃基板140的主表面上形成的基底層131 ;和在該基底層131上形成的TFT元件115。TFT元件115包括在基底層131上形成的半導(dǎo)體層132 ;以覆蓋半導(dǎo)體層132的方式形成的柵極絕緣層133 ;在該柵極絕緣層133上形成的柵極電極134 ;和與半導(dǎo)體層132連接的漏極電極137和源極電極138。在柵極絕緣層133上以覆蓋柵極電極134的方式形成層間絕緣層135，漏極電極137和源極電極138以到達(dá)該層間絕緣層135的上表面的方式形成。而且，在漏極電極137的上端部形成漏極墊210，像素電極114與漏極墊210連接。 在源極電極138的上端部形成有配線211，在該配線211的上表面形成有透明導(dǎo)電層212。由配線211和透明導(dǎo)電層212形成TFT元件115所連接的源極配線111。在對置基板150與TFT陣列基板130之間配置有間隔物161。圖40是本實(shí)施方式4的液晶顯示裝置100的截面圖，是表示選擇用TFT元件116和壓力傳感器190的截面圖。如該圖40所示，在TFT陣列基板130形成有選擇用TFT元件116，在對置基板150與TFT陣列基板130之間形成有壓力傳感器190。選擇用TFT元件116包括在基底層131上形成的半導(dǎo)體層200 ;以覆蓋該半導(dǎo)體層200的方式形成的柵極絕緣層133 ;在柵極絕緣層133的上表面上形成的柵極電極201 ；和與半導(dǎo)體層200連接的漏極電極202和源極電極203。在柵極絕緣層133上以覆蓋柵極電極201的方式形成有層間絕緣層135。漏極電極202的上端部以到達(dá)層間絕緣層135的上表面的方式形成，在漏極電極202的上端部連接有電極部213。電極部213位于層間絕緣層135的上表面上，形成為平坦面狀。源極電極203的上端部以到達(dá)層間絕緣層135的上表面的方式形成，配線214與該源極電極203的上端部連接。配線214位于層間絕緣層135的上表面，形成為平坦面狀。在配線214的上表面形成有透明導(dǎo)電層215，透明導(dǎo)電層215由ITO層等形成。由配線214和透明導(dǎo)電層215形成選擇用TFT元件116所連接的源極配線111。壓力傳感器190包括在對置基板150形成的上部電極171 ;和在TFT陣列基板130形成的下部電極191。上部電極171包括在彩色濾光片基板151的下表面形成的突起部170 ;和位于該突起部170上的對置電極152。突起部170包括丙烯酸樹脂等可塑性樹脂，能夠彈性變形。下部電極191在電極部213的上表面形成。下部電極191例如包括ITO膜等透明導(dǎo)電層、Si等電阻層等。下部電極191的膜厚例如為50nm以上400nm以下。優(yōu)選為50nm以上200nm以下。在該圖40所示的例子中，在外力沒有施加于對置基板150的狀態(tài)下，在上部電極171與下部電極191之間稍稍形成有間隙。在外力沒有施加于對置基板150的狀態(tài)下，上部電極171與下部電極191不接觸，在上部電極171與下部電極191之間不流動電流，能夠減少電力消耗。
圖41是示意性地表示按壓對置基板150時的狀態(tài)的截面圖。如該圖41所示,通過按壓對置基板150，對置基板150變形，上部電極171與下部電極191接觸。通過上部電極171與下部電極191的接觸，在上部電極171與下部電極191之間流過電流?？刂撇?05對選擇用TFT元件116所連接的源極配線111和對置電極152進(jìn)行傳感，由此，控制部105能夠檢測在下部電極191與上部電極171之間流動的電流量。而且，當(dāng)按壓對置基板150的壓力變大時，突起部170變形。通過突起部170的變形，對置電極152中的位于突起部170上的部分也沿下部電極191的形狀變形。由此，下部電極191與對置電極152的接觸面積急劇增大，在下部電極191與上部電極171之間流動的電流量也增大。因此，控制部105能夠容易地檢測電流量的變化，容易計(jì)算出施加于對置基板150的按壓力。
因此，在本實(shí)施方式4的壓力傳感器190和液晶顯示裝置100中，也能夠正確地檢測施加于對置基板150的按壓力。另外，上部電極171和下部電極191在初始狀態(tài)下也可以稍有接觸。在該情況下，通過向?qū)χ没?50稍微施加按壓力，就能夠使在上部電極171與下部電極191之間流動的電流量變化。使用圖42 圖49說明本實(shí)施方式4的液晶顯示裝置100的制造方法。另外，在本實(shí)施方式4的液晶顯示裝置100中，也分別形成對置基板150和TFT陣列基板130，之后，通地以夾著液晶層的方式貼合對置基板150和TFT陣列基板130，形成液晶顯示裝置100。圖42是表示TFT陣列基板130的制造工序的第一工序的截面圖。如該圖42所示，準(zhǔn)備具有主表面的玻璃基板140。在玻璃基板140的主表面上形成基底層131。另外，基底層131由Si02、SiN, SiNO等的絕緣層形成?；讓?31例如形成為500nm以下，優(yōu)選形成為400nm以下。之后，在基底層131的上表面上堆積非晶質(zhì)半導(dǎo)體層。非晶質(zhì)半導(dǎo)體層的膜厚例如為20nm以上200nm以下。另外，非晶質(zhì)半導(dǎo)體層的膜厚優(yōu)選為30nm以上70nm左右。之后，使該非晶質(zhì)半導(dǎo)體層結(jié)晶化，形成連續(xù)晶界結(jié)晶硅層(CG硅層)。將連續(xù)晶界結(jié)晶硅層圖案化，形成半導(dǎo)體層132和半導(dǎo)體層200。這樣，能夠在同一圖案化工序中形成TFT元件115的半導(dǎo)體層132和選擇用TFT元件116的半導(dǎo)體層200。圖43是表示TFT陣列基板130的制造工序的第二工序的截面圖。如該圖43所示，以覆蓋半導(dǎo)體層132和半導(dǎo)體層200的方式，在基底層131上形成柵極絕緣層133。柵極絕緣層133由Si02、SiN、SiN0等的絕緣層形成，柵極絕緣層133的膜厚例如為20nm以上200nm以下，優(yōu)選為50nm以上120nm以下。在柵極絕緣層133的上表面上通過濺射等形成金屬層。該金屬層例如為鎢(W)、鉭(Ta)、鈦(Ti)、鑰(Mo)等金屬膜；包含鎢(W)、鉭(Ta)、鈦(Ti)、鑰(Mo)等的合金膜；或包含鎢(W)、鉭(Ta)、鈦(Ti)、鑰(Mo)元素的化合物。該金屬層的膜厚例如為50nm以上600nm以下，優(yōu)選為IOOnm以上500nm以下。然后，將該金屬層圖案化，形成柵極電極134和柵極電極201。這樣，能夠在同一圖案化工序中形成TFT元件115的柵極電極134和選擇用TFT元件116的柵極電極201。圖44是表示TFT陣列基板130的制造工序的第三工序的截面圖。如該圖44所示，以覆蓋柵極電極201和柵極電極134的方式形成層間絕緣層135。層間絕緣層135例如由SiO2, SiN和SiNO等的絕緣層形成。層間絕緣層135的膜厚例如為IOOnm以上IOOOnm以下，層間絕緣層135的膜厚優(yōu)選為IOOnm以上700nm以下。將層間絕緣層135圖案化，形成多個接觸孔。在形成接觸孔之后，在層間絕緣層135上通過濺射形成導(dǎo)電層。該金屬層例如包括鎢(W)、鉭(Ta)、鈦(Ti)、鑰(Mo)等金屬層；包含鎢(W)、鉭(Ta)、鈦(Ti)、鑰(Mo)等元素的合金；或包含鎢(W)、鉭(Ta)、鈦(Ti)、鑰(Mo)的化合物。 將該金屬層圖案化，形成漏極電極137、漏極墊210、源極電極138、配線211、漏極電極202、電極部213、源極電極203和配線214。之后，以覆蓋漏極墊210、配線211、電極部213和配線214的方式形成ITO等透明導(dǎo)電層。將該透明導(dǎo)電層圖案化，形成圖39和圖40所示的像素電極114、透明導(dǎo)電層212、下部電極191和透明導(dǎo)電層215。由此，能夠形成圖39和圖40所示的TFT陣列基板130。這樣，根據(jù)本實(shí)施方式4的液晶顯示裝置100的制造方法,能夠在形成TFT元件115的工序中形成選擇用TFT元件116和壓力傳感器190的下部電極191，能夠抑制制造工序數(shù)的增大。圖45是表示對置基板150的制造工序的第一工序的截面圖。如該圖45所示，準(zhǔn)備具有主表面的玻璃基板156。然后，在該玻璃基板156的主表面上形成彩色濾光片基板
151。圖46是表示對置基板150的制造工序的第二工序的截面圖。如該圖46所示，在彩色濾光片基板151的主表面上形成可塑性樹脂層157。可塑性樹脂層157的膜厚例如形成為I IOiim左右。另外，優(yōu)選為2 5 ii m左右。圖47是表不對置基板150的制造工序的第二工序的截面圖。如該圖47所不，將可塑性樹脂層157圖案化，形成樹脂圖案158。圖48是表示對置基板150的制造工序的第四工序的截面圖。在該圖48中，對樹脂圖案158施以退火處理，形成表面光滑的突起部170。圖49是表不對直基板150的制造工序的第五工序的截面圖，如該圖49所不，以覆蓋突起部170的方式，在彩色濾光片基板151的表面形成對置電極152。由此形成上部電極。在形成對置電極152之后，形成丙烯酸樹脂等樹脂層。將該樹脂層圖案化，形成多個間隔物161。貼合這樣形成的對置電極152和TFT陣列基板130，形成液晶顯示裝置100。(實(shí)施方式5)使用圖50 圖57和圖38，說明本發(fā)明的實(shí)施方式5的壓力傳感器118、液晶顯示裝置100和液晶顯示裝置100的制造方法。另外，在圖50到圖57所示的結(jié)構(gòu)中，對于與上述圖I到圖49所示的結(jié)構(gòu)相同或相當(dāng)?shù)慕Y(jié)構(gòu)，存在標(biāo)注相同的附圖標(biāo)記并省略其說明的情況。此外,本實(shí)施方式5的液晶顯示裝置100的電路是上述圖38所示的電路。圖50是本實(shí)施方式5的液晶顯示裝置100的截面圖，是表示TFT元件115的截面圖。如該圖50所示，液晶顯示裝置100包括玻璃基板140 ;在該玻璃基板140的主表面上形成的基底層131 ;和在基底層131的上表面上形成的TFT元件115。
TFT元件115包括在基底層131上形成的半導(dǎo)體層132 ;以覆蓋半導(dǎo)體層132的方式在基底層131上形成的柵極絕緣層133 ;在該柵極絕緣層133上形成的柵極電極134 ；與半導(dǎo)體層132連接的漏極電極137和源極電極138。在柵極絕緣層133上以覆蓋柵極電極134的方式形成有層間絕緣層135。在該層間絕緣層135的上表面上形成有漏極墊210和源極配線111。漏極電極137與漏極墊210連接，源極電極138與源極配線111連接。進(jìn)一步，在層間絕緣層135的上表面上形成有樹脂層149。樹脂層149由丙烯酸樹脂等可塑性樹脂形成。樹脂層149的膜厚例如為I y m以上10 y m以下。樹脂層149的膜厚優(yōu)選為I. 5 y m以上5 y m以下。在樹脂層149的上表面上形成有像素電極114，像素電極114與漏極墊210連接。圖51是液晶顯示裝置100的截面圖，是表示選擇用TFT元件116的截面圖。
如該圖51所示，液晶顯示裝置100具有在基底層131上形成的選擇用TFT元件116。選擇用TFT元件116包括在基底層131上形成的半導(dǎo)體層180 ；以覆蓋半導(dǎo)體層180的方式在基底層131上形成的柵極絕緣層133 ;在該柵極絕緣層133上形成的柵極電極181 ;和與半導(dǎo)體層180連接的漏極電極182和源極電極183。在層間絕緣層135的上表面形成有墊部219、源極配線111、下部電極218。漏極電極182的上端部與墊部219連接，源極配線183的上端部與源極配線111連接。因此，通過控制施加于柵極電極181的電壓，能夠切換選擇用TFT元件116的導(dǎo)通/斷開。下部電極218與墊部219連接。下部電極218包括以從層間絕緣層135的上表面向上方突出的方式形成的突起部216 ;和在該突起部216的表面形成的導(dǎo)電層217。突起部216包括與樹脂層149相同的材料，例如突起部216包括丙烯酸樹脂等能夠彈性變形的樹脂材料。突起部216的外表面為彎曲面狀。導(dǎo)電層217與墊部219連接。在對置基板150的下表面中的位于下部電極218的上方的部分形成有上部電極
171。上部電極171包括在彩色濾光片基板151的下表面形成的間隔物161 ;和以覆蓋該間隔物161的方式在彩色濾光片基板151的下表面形成的對置電極152。間隔物161例如包括丙烯酸樹脂，以從彩色濾光片基板151的下表面向下部電極218突出的方式形成。在控制部105進(jìn)行傳感時，規(guī)定電壓被施加于柵極電極181，選擇用TFT元件116為導(dǎo)通狀態(tài)。而且，當(dāng)對置基板150被按壓時，上部電極171向下部電極218變位，上部電極171按壓下部電極218。通過按壓導(dǎo)電層217，導(dǎo)電層217變形，下部電極218以沿上部電極171的表面形狀的方式變形。由此，上部電極171的對置電極152與下部電極218的導(dǎo)電層217的接觸面積急劇擴(kuò)大。結(jié)果在對置電極152與導(dǎo)電層217之間流動的電流量增大。圖38所示的控制部105通過對對置電極152與選擇用TFT元件116所連接的源極配線111之間的電流量進(jìn)行傳感，計(jì)算出施加于對置基板150的壓力。這樣，在本實(shí)施方式5的液晶顯示裝置100中，通過按壓對置基板150，在上部電極171與下部電極218之間流動的電流量大幅變化，因此能夠正確地計(jì)算出施加于對置基板150的壓力。使用圖52 圖57說明本實(shí)施方式5的液晶顯示裝置100的制造方法。另外，在本實(shí)施方式5的液晶顯示裝置100中，也分別單獨(dú)形成TFT陣列基板130和對置基板150，之后通過相互貼合而形成液晶顯示裝置100。圖52是表示TFT陣列基板130的制造工序中的形成有TFT元件115和選擇用TFT元件116時的工序的截面圖。在該圖52中，在從非晶質(zhì)半導(dǎo)體層形成連續(xù)晶界結(jié)晶硅層之后，將該連續(xù)晶界結(jié)晶硅層通過光刻法等進(jìn)行圖案化，形成半導(dǎo)體層132和半導(dǎo)體層180。柵極絕緣層133在形成半導(dǎo)體層132和半導(dǎo)體層180之后形成在基底層131上。柵極電極134和柵極電極181通過將在柵極絕緣層133上形成的同一金屬層圖案化而形 成。在形成柵極電極134和柵極電極181之后，形成層間絕緣層135。漏極墊210、漏極電極137、源極電極138、墊部219、漏極電極182、源極電極183和源極配線111通過將形成在層間絕緣層135上的同一金屬層圖案化而形成。圖53是表示圖52所示的制造工序后的TFT陣列基板130的制造工序的截面圖。如該圖53所示，將丙烯酸樹脂形成在層間絕緣層135上。之后，將該丙烯酸樹脂圖案化，形成突起部221和樹脂層149。突起部221位于層間絕緣層135上，并且突起部221位于在樹脂層149形成的凹部220內(nèi)。圖54是表示圖53所示的制造工序后的制造工序的截面圖。如該圖54所示,將形成有突起部221的玻璃基板140在爐內(nèi)進(jìn)行退火處理。另外，作為退火溫度，例如為100°C以上300°C以下，優(yōu)選為100°C以上200°C以下。由此，突起部221的表面的樹脂流動，形成表面為彎曲面狀的突起部216。在這樣形成突起部216后，以覆蓋樹脂層149和突起部216的方式形成ITO等透明導(dǎo)電層。將該透明導(dǎo)電層圖案化，形成圖50和圖51所示的像素電極114、導(dǎo)電層217。由此能夠形成下部電極218并且形成TFT陣列基板130。圖55是表示對置基板150的制造工序中的形成彩色濾光片基板151后的截面圖。如該圖55所示，在玻璃基板156形成有彩色濾光片基板151。圖56是表示上述圖55所示的制造工序后的工序的截面圖。如該圖56所示,在彩色濾光片基板151的上表面上形成丙烯酸樹脂等樹脂層。然后，將該樹脂層圖案化，形成多個間隔物161。圖57是表示上述圖56所示的制造工序后的工序的截面圖。如該圖57所示,形成ITO等透明導(dǎo)電層。由此，形成具有上部電極171和對置電極152的對置基板150。然后，將對置基板150與TFT陣列基板130相互貼合，形成液晶顯示裝置100。(實(shí)施方式6)使用圖58 圖74說明本發(fā)明的實(shí)施方式6。另外，對于圖58到圖74所示的結(jié)構(gòu)中的與上述圖I到圖57所示的結(jié)構(gòu)相同或相當(dāng)?shù)慕Y(jié)構(gòu)，存在標(biāo)注相同的附圖標(biāo)記并省略其說明的情況。圖58是表示本實(shí)施方式6的液晶顯示裝置100的電路的電路圖。如該圖58所示，壓力傳感器190與選擇用TFT元件116的漏極電極和源極配線111連接。
圖59是本實(shí)施方式6的液晶顯示裝置100的截面圖，是表示TFT元件115的截面圖。圖60是本實(shí)施方式6的液晶顯示裝置100的截面圖，是表示壓力傳感器190的截面圖。在該圖59和圖60中，壓力檢測元件120包括在玻璃基板140的主表面上形成的基底層131 ;在基底層131上形成的TFT元件115和壓力傳感器190。TFT元件115包括半導(dǎo)體層132、柵極電極134、漏極電極137、源極電極138。壓力傳感器190包括在基底層131上形成的半導(dǎo)體層180 ;和與該半導(dǎo)體層180隔開間隔地配置，并與半導(dǎo)體層180相對地形成的上部電極171。半導(dǎo)體層180作為壓力傳感器190的下部電極起作用。
半導(dǎo)體層132和半導(dǎo)體層180在基底層131的上表面上形成。在基底層131上以覆蓋半導(dǎo)體層132和半導(dǎo)體層180的方式形成有柵極絕緣層133。在柵極絕緣層133的上表面中位于半導(dǎo)體層132的上方的部分形成有柵極電極134，在柵極絕緣層133的上表面中的位于半導(dǎo)體層180的上方的部分形成有上部電極171。在柵極絕緣層133的上表面以覆蓋柵極電極134和上部電極171的方式形成有層間絕緣層135。漏極電極137、源極電極138、接觸件146和連接配線124以到達(dá)層間絕緣層135 的上表面的方式形成。連接配線124與圖58所示的選擇用TFT元件116連接，另一端與上部電極171連接。接觸件146的上端部與源極配線111連接，接觸件146的下端部與半導(dǎo)體層180連接。漏極電極137和源極電極138與半導(dǎo)體層132連接，在漏極電極137的上端部與漏極墊210連接。源極電極138的上端部與有源極配線111連接。漏極墊210和源極配線111形成在層間絕緣層135上。而且，以覆蓋漏極墊210、源極配線111和連接配線124的方式形成有上層絕緣層
136。像素電極114形成在上層絕緣層136上，與漏極墊210連接。在對置基板150的下表面中的位于上部電極171的上方的部分形成有按壓部件145。按壓部件145以從對置基板150的下表面向TFT陣列基板130突出的方式形成。在上部電極171的正下方形成有凹部147。該凹部147由在柵極絕緣層133形成的孔部和半導(dǎo)體層180的上表面形成。在該圖60所示的例子中，在對置基板150沒有被按壓的狀態(tài)下，按壓部件145的下端部與上層絕緣層136的上表面抵接。圖61是表示對置基板150沒有被按壓的狀態(tài)(初始狀態(tài))下的上部電極171和半導(dǎo)體層180的截面圖。如該圖61所示，在初始狀態(tài)下，上部電極171和半導(dǎo)體層180相互隔開間隔地配置，上部電極171與半導(dǎo)體層180不接觸。圖62是上部電極171的平面圖，在上部電極171形成有多個孔部173。圖63是表示對置基板150被按壓的狀態(tài)下的上部電極171和半導(dǎo)體層180的截面圖。如該圖63所示，通過按壓對置基板150，上部電極171與半導(dǎo)體層180接觸。此處，在按壓對置基板150的按壓力小時，上部電極171與半導(dǎo)體層180的接觸面積小，在半導(dǎo)體層180與上部電極171之間流動的電流量較小。然后，按壓對置基板150的按壓力變大，上部電極171大幅撓曲，上部電極171以沿著半導(dǎo)體層180的方式變形，上部電極171與半導(dǎo)體層180的接觸面積變大。圖62的被虛線包圍的區(qū)域表示上部電極171和半導(dǎo)體層180相互接觸的面積。如該圖62和圖63所示，當(dāng)上部電極171與半導(dǎo)體層180的接觸面積變大時，在上部電極171與半導(dǎo)體層180之間流動的電流量增大。即，當(dāng)按壓對置基板150的按壓力變大時，在上部電極171與半導(dǎo)體層180之間流動的電流量也急劇變大。 因此，圖58所示的控制部105容易對選擇用TFT元件116所連接的源極配線111與壓力傳感器190所連接的源極配線111之間的電流量的變化進(jìn)行傳感，能夠正確地計(jì)算出施加于對置基板150的壓力。使用圖64 圖74說明本實(shí)施方式6的液晶顯示裝置100的制造方法。另外，本實(shí)施方式6的液晶顯示裝置100中，TFT陣列基板130和對置基板150也各自單獨(dú)形成，將形成的TFT陣列基板130和對置基板150以相互相對的方式配置，形成液晶顯示裝置100。圖64是表示TFT陣列基板130的制造工序的第一工序的截面圖。在該圖64中，準(zhǔn)備具有主表面的玻璃基板140。然后,通過等離子體化學(xué)氣相生長法(Plasma EnhancedCVD (PECVD))形成例如50nm左右的SiNO層。然后，在SiNO層上例如形成IlOnm左右的SiO2層。由此，基底層131在玻璃基板140的主表面上形成。圖65是表示TFT陣列基板130的制造工序的第二工序的截面圖。如該圖65所示，在基底層131的上表面上通過等離子體化學(xué)氣相生長法形成例如50nm左右的Si (硅)層。之后，照射XeCl受激準(zhǔn)分子激光，形成連續(xù)晶界結(jié)晶硅層，之后將該連續(xù)晶界結(jié)晶硅層通過光刻法等圖案化，形成半導(dǎo)體層132和半導(dǎo)體層180。圖66是表示TFT陣列基板130的制造工序的第三工序的截面圖。在該圖66中，以覆蓋半導(dǎo)體層132和半導(dǎo)體層180的方式通過等離子體化學(xué)氣相生長法形成例如SOnm左右的SiO2層。圖67是表示TFT陣列基板130的制造工序的第四工序的截面圖。在該圖67中，將P + (磷離子)在45KV、5E15cm_2的條件下注入半導(dǎo)體層132和半導(dǎo)體層180。圖68是表示TFT陣列基板130的制造工序的第五工序的截面圖。在該圖68中，通過濺射等在柵極絕緣層133的上表面上形成疊層金屬層222。具體地說，通過濺射形成例如370nm左右的鎢(W)層。在形成鎢層之后，形成例如50nm左右的氮化鉭(TaN)層。圖69是表示TFT陣列基板130的制造工序的第六工序的截面圖。如該圖69所示，將圖68所示的疊層金屬層222圖案化，形成柵極電極134和上部電極171。另外，在上部電極171形成至少一個以上的孔部173。具體地說,如上述圖62所示,形成多個孔部173。另外,上部電極171形成為正方形形狀，一邊的長度為30 iim?？撞?73也為正方形形狀，一邊的長度為2 iim?？撞?73彼此的間隔為2 ii m。圖70是表示TFT陣列基板130的制造工序的第七工序的截面圖。在該圖70中，首先形成抗蝕劑，對該抗蝕劑實(shí)施圖案化。由此形成抗蝕劑圖案223。在該抗蝕劑圖案223形成有孔部，孔部173露出于外部。然后，將形成有抗蝕劑圖案223的基板浸潰于緩沖氫氟酸(BHF)中。另外，作為緩沖氫氟酸(BHF)采用將氫氟酸(HF)和氟化銨(NH4F)以I :10的比例混合而得的液體，例如浸潰13分鐘左右。
由此，從孔部173進(jìn)入的緩沖氫氟酸蝕刻柵極絕緣層133的一部分。結(jié)果，在上部電極171下形成凹部147。圖71是表示TFT陣列基板130的制造工序的第八工序的截面圖。在該圖71中，在除去抗蝕劑圖案223之后，將層間絕緣層135形成在柵極絕緣層133上。具體地說，通過等離子體化學(xué)氣相生長法形成700nm左右的氧化硅層(SiO2層)，在該氧化娃層上例如形成250nm左右的風(fēng)化娃層(SiN層)。由此形成層間絕緣層135。圖72是表示TFT陣列基板130的制造工序的第九工序的截面圖。如該圖72所示，對層間絕緣層135施以圖案化，形成多個接觸孔。圖73是表示TFT陣列基板130的制造工序的第十工序的截面圖。在該圖73中，首先形成例如IOOnm左右的鈦(Ti)層。在該鈦層上形成例如600nm左右的Al-Si層。在該Al-Si層上例如形成200nm左右的(Ti)層。這樣，在形成疊層金屬層之后，將該疊層金屬層圖案化，形成漏極墊210、漏極電極
137、源極配線111、源極電極138、接觸件146和連接配線124。圖74是表示TFT陣列基板130的制造工序的第i^一工序的截面圖。如該圖74所示，以覆蓋漏極墊210、漏極電極137、源極配線111、源極電極138、接觸件146和連接配線124等的方式形成上層絕緣層136。具體地說，通過等離子體化學(xué)氣相生長法形成例如200nm左右的氮化硅層(SiN層)。之后，將上層絕緣層136圖案化，在圖案化后的上層絕緣層136的上表面上形成ITO層。將該ITO層圖案化，形成圖59所示的像素電極114。這樣形成TFT陣列基板130。在形成對置基板150時，首先準(zhǔn)備玻璃基板156。在該玻璃基板156的主表面形成彩色濾光片基板151。在該彩色濾光片基板151的上表面形成ITO層,形成對置電極152。之后在該對置電極152的上表面上形成丙烯酸樹脂層，通過將該丙烯酸樹脂層圖案化，形成按壓部件145。這樣形成圖59所示的對置基板150。在這樣形成TFT陣列基板130和對置基板150之后，在TFT陣列基板130的主表面上涂敷液晶層。之后在TFT陣列基板130的上方配置對置基板150，貼合TFT陣列基板130和對置基板150。這樣形成圖59和圖60所示的液晶顯示裝置100。在這樣構(gòu)成的液晶顯示裝置100中，例如從TFT陣列基板130 —側(cè)施加按壓力。結(jié)果，在0. 2N時，控制部105能夠檢測在選擇用TFT元件116所連接的源極配線111與壓力傳感器190所連接的源極配線111之間的電流的流通。而且，當(dāng)對TFT陣列基板130施加IN左右的按壓力時，電阻值變?yōu)?/8。(實(shí)施方式7)使用圖75 圖81和圖58說明本發(fā)明的實(shí)施方式7的壓力傳感器、液晶顯示裝置100和液晶顯示裝置100的制造方法。另外，對于圖75到圖81所示的結(jié)構(gòu)中與上述圖I到圖74所示的結(jié)構(gòu)相同或相當(dāng)?shù)慕Y(jié)構(gòu)，存在標(biāo)注相同的附圖標(biāo)記并省略其說明的情況。另外，本實(shí)施方式7的液晶顯示裝置100的電路是圖58所示的電路。圖75是本實(shí)施方式7的液晶顯示裝置100的截面圖，是表示TFT元件115的截面圖。圖76是本實(shí)施方式7的液晶顯示裝置100的截面圖，是表示壓力傳感器190的截面圖。如這些圖75和圖76所示，TFT陣列基板130包括玻璃基板140 ;在該玻璃基板140的主表面上形成的基底層141 ;和在該基底層141上形成的TFT元件115和壓力傳感器190。TFT元件115在形成在基底層141上的基底層131的上表面上形成。TFT元件115包括在基底層131上形成的半導(dǎo)體層132 ;以覆蓋半導(dǎo)體層132的方式在基底層131的上表面形成的柵極電極134 ;和與半導(dǎo)體層132連接的漏極電極137和源極電極138。
在柵極絕緣層133上以覆蓋柵極電極134的方式形成有層間絕緣層135。在該層間絕緣層135的上表面形成有漏極墊210和源極配線111。漏極電極137與漏極墊210連接，源極電極138與源極配線111連接。在圖76中，壓力傳感器190包括在基底層141上形成的下部電極172 ;相對于該下部電極172位于對置基板150 —側(cè)，并與下部電極172相對地配置的下部電極172。在下部電極172的上表面上形成有基底層131和柵極絕緣層133。在下部電極172與上部電極171之間形成有凹部147。凹部147由在基底層131形成的孔部和在柵極絕緣層133形成的孔部規(guī)定，下部電極172的上表面位于該凹部147的底部。因此，在本實(shí)施方式7的液晶顯示裝置100中，上部電極171也能夠以進(jìn)入凹部147內(nèi)的方式撓曲而變形。因此，在本實(shí)施方式7的液晶顯示裝置100中，通過按壓對置基板150，上部電極171與下部電極172接觸，在上部電極171與下部電極172之間流動電流。而且，當(dāng)按壓對置基板150的按壓力變大時，上部電極171與下部電極172的接觸面積變大，在上部電極171與下部電極172之間流動的電流變多。由此，圖58所示的控制部105能夠檢測施加于對置基板150的按壓力。使用圖77 圖80說明本實(shí)施方式7的液晶顯示裝置100的制造方法。另外，在本實(shí)施方式7的液晶顯示裝置100中，也分別形成TFT陣列基板130和對置基板150，通過貼合形成的對置基板150與TFT陣列基板130而形成。圖77是表示TFT陣列基板130的制造工序的第一工序的截面圖。如該圖77所示，準(zhǔn)備具有主表面的玻璃基板140。在該玻璃基板140的主表面形成基底層141?；讓?41例如包括Si02、SiN和SiNO等。基底層141的膜厚例如為500nm以下，優(yōu)選為400nm以下。在該基底層141的上表面上通過濺射形成鑰(Mo)、鎢(W)等金屬層。然后，將該金屬層圖案化，形成下部電極172。下部電極172的膜厚例如形成為50nm以上600nm以下。另外，優(yōu)選下部電極172的膜厚形成為50nm以上300nm以下。以覆蓋下部電極172的方式形成SiO2層、SiN層、SiNO層等絕緣層，形成基底層
131。圖78是表示TFT陣列基板130的制造工序的第二工序的截面圖。如該圖78所示，在基底層131上堆積非晶質(zhì)半導(dǎo)體層。非晶質(zhì)半導(dǎo)體層的膜厚例如為20nm以上200nm以下。另外，非晶質(zhì)半導(dǎo)體層的膜厚優(yōu)選為30nm以上70nm左右。之后，使該非晶質(zhì)半導(dǎo)體層結(jié)晶化，形成連續(xù)晶界結(jié)晶硅層(CG硅層)。將連續(xù)晶界結(jié)晶硅層圖案化，形成半導(dǎo)體層
132。形成Si02、SiN、SiN0等的絕緣層，形成柵極絕緣層133。另外，柵極絕緣層133的膜厚例如為20nm以上200nm以下，優(yōu)選為50nm以上120nm以下。然后，在柵極絕緣層133的上表面上形成金屬層。該金屬層例如為鎢(W)、鉭(Ta)、鈦(Ti)、鑰(Mo)等金屬膜；包含鎢(W)、鉭(Ta)、鈦(Ti)、鑰(Mo)等的合金膜；或包含鎢(W)、鉭(Ta)、鈦(Ti)、鑰(Mo)元素的化合物。該金屬層的膜厚例如為50nm以上600nm以下，優(yōu)選為IOOnm以上500nm以下。
之后，將該金屬層圖案化，形成柵極電極134和上部電極171。此時，在上部電極171同時形成孔部173。這樣，在本實(shí)施方式7中也能夠以同一工序形成上部電極171和柵極電極134。圖79是表示TFT陣列基板130的制造工序的第三工序的截面圖。如該圖79所示，首先，形成抗蝕劑，對該抗蝕劑實(shí)施圖案化。由此形成抗蝕劑圖案223。在該抗蝕劑圖案223形成有孔部，孔部173露出于外部。然后，將基板浸潰于HF (氟化氫)水溶液等酸性溶液中。溶液從孔部173進(jìn)入，蝕刻柵極絕緣層133和基底層131。由此形成凹部147。圖80是表示TFT陣列基板130的制造工序的第四工序的截面圖。如該圖80所示，除去圖79所示的抗蝕劑圖案223。形成層間絕緣層135。將該層間絕緣層135圖案化，形成多個接觸孔。之后將金屬層形成在層間絕緣層135的上表面上，將該金屬層圖案化，形成漏極墊210、漏極電極137、源極電極138、源極配線111、接觸件146和連接配線124。之后，形成上層絕緣層136，對該上層絕緣層136實(shí)施圖案化，形成接觸孔。在形成有該接觸孔的上層絕緣層136的上表面形成ITO層，將該ITO層圖案化，形成像素電極114。這樣形成TFT陣列基板130。另外，對置基板150與上述實(shí)施方式3的液晶顯不裝置100的對置基板150同樣地形成。貼合這樣形成的對置基板150和TFT陣列基板130，形成本實(shí)施方式7的液晶顯示裝置100。另外，圖81是表示本實(shí)施方式I的液晶顯示裝置100的變形例的截面圖。如該圖81所示，可以在位于半導(dǎo)體層132的下方的基底層141上形成遮光層148。另外，遮光層148包括與下部電極172同材質(zhì)的金屬材料，實(shí)際上為相同膜厚。另外，遮光層148和下部電極172通過將一個金屬層圖案化而形成，能夠由同一圖案化工序形成。另外，在上述實(shí)施方式I到實(shí)施方式7中說明了將本發(fā)明應(yīng)用于液晶顯示裝置的例子，但是也能夠應(yīng)用于有機(jī)電致發(fā)光(EL electroluminescence)顯示器、等離子體顯示器中。此外，各基板也可以是柔性基板。在假設(shè)應(yīng)用于有機(jī)電致發(fā)光顯示器中的情況下，顯示介質(zhì)層是有機(jī)EL層。該有機(jī)電致發(fā)光顯不器包括在第一主表面形成的第一基板；與第一基板隔開間隔地配置，且在與第一主表面相對的主表面形成有第二電極的第二基板；和在第一電極與第二電極之間形成的有機(jī)EL層。
而且，有機(jī)電致發(fā)光顯示器包括形成在第一基板的下部電極；與該下部電極相比配置在第二基板一側(cè)的上部電極；和能夠檢測下部電極與上部電極間的電容或在下部電極與上部電極之間流動的電流量的檢測部。而且，上部電極和下部電極中的至少一方能夠
沿另一方變形。在假設(shè)將本發(fā)明應(yīng)用于等離子體顯示器的情況下，顯示介質(zhì)層是熒光體層。在該等離子體顯示器中包括前面板和背面板。前面板包括前面玻璃基板；在該前面玻璃基板的下表面形成的顯示電極；遮光層；和以覆蓋該顯示電極和遮光層的方式在前面玻璃基板的下表面形成的電介質(zhì)層。在該電介質(zhì)層的下表面形成有保護(hù)層。背面板包括背面玻璃基板；在該背面玻璃基板的上表面形成的尋址電極；以覆 蓋該尋址電極的方式在背面玻璃基板的上表面上形成的基底介電層；在該基底介電層上形成、劃分放電空間的多個分隔壁；和在分隔壁間的槽形成的熒光體層。前面板和背面板相對配置，外周被密封劑氣密密封，放電氣體被封入放電空間內(nèi)。進(jìn)一步，該等離子體顯示器包括配置在背面板一側(cè)的下部電極；配置在背面板一側(cè)的上部電極；和能夠檢測由上部電極和下部電極規(guī)定的電容、電流量的檢測部。而且，上部電極和下部電極中的至少一個能夠沿另一方變形。(將壓力傳感器與已有的黑矩陣重疊配置的結(jié)構(gòu))發(fā)明者們研究了與已有的黑矩陣重疊地添加壓力傳感器的結(jié)構(gòu)。圖82中，在TFT陣列基板130與對置基板150之間以與黑矩陣155重疊的方式配置有壓力傳感器15。在該情況下，在制造時，考慮到已有的黑矩陣與壓力傳感器的重合誤差，需要將黑矩陣155的寬度形成得比壓力傳感器15大。黑矩陣155的寬度變大，相應(yīng)地開口部16變小。即存在開口率下降的問題。本發(fā)明提供避免這樣的問題的新結(jié)構(gòu)。(彩色濾光片的表達(dá)方法)另外，圖82以后的各圖中彩色濾光片三種顏色并排描繪是符號性的表達(dá)，實(shí)際上該三種顏色的彩色濾光片并非以該尺寸存在，并以這樣直接相互相鄰的方式排列配置。意味著在各圖中彩色濾光片三種顏色并排描繪的區(qū)域表示一個像素區(qū)域，在該像素區(qū)域配置有該三種顏色中的任意一色的彩色濾光片。通常從某個像素區(qū)域看，在被黑矩陣隔開的相鄰的像素區(qū)域中配置有不同顏色的彩色濾光片。(實(shí)施方式8)參照圖83 圖86說明基于本發(fā)明的實(shí)施方式8的帶觸摸面板功能的顯示裝置。本實(shí)施方式的帶觸摸面板功能的顯示裝置是具有包括使第一顏色透射的第一顏色透射部和使第二顏色透射的第二顏色透射部的顯示區(qū)域的顯示裝置，在上述顯示區(qū)域的內(nèi)部，設(shè)置有用于檢測向上述顯示區(qū)域的按壓的壓力傳感器，上述壓力傳感器的一部分或全部為不透射光的非透射部，上述第一顏色透射部與上述第二顏色透射部由上述非透射部隔開。此處的第一顏色透射部、第二顏色透射部相當(dāng)于彩色濾光片的各色的部分。圖83簡化表示本實(shí)施方式的帶觸摸面板功能的顯示裝置的基本結(jié)構(gòu)。在TFT陣列基板130與對置基板150之間配置有壓力傳感器15i。構(gòu)成壓力傳感器15i的部件兼用作黑矩陣155的材料。在該情況下，壓力傳感器15i的全部為非透射部。進(jìn)一步在圖84表示具體結(jié)構(gòu)的一個例子。構(gòu)成壓力傳感器15j的突起部70的彈性材料本身是具有遮光性的材料，該彈性材料的存在本身成為黑矩陣的一部分。在該情況下，壓力傳感器15j的一部分即突起部70成為非透射部。在圖83中，位于彩色濾光片層21中的附有附圖標(biāo)記16的區(qū)域的濾光部件，依據(jù)上述表達(dá)方法表示為三種顏色并排，但實(shí)際上是R、G、B中的任意一個單一色，因此當(dāng)將其作為第一顏色透射部時，第二顏色透射部位于伸出至圖83的左右的任一個外側(cè)的位置。由此，第二顏色透射部雖然在圖83中沒有圖示，但與第一顏色透射部為同樣的構(gòu)造且配置有透射的顏色不同的濾光部件。第一顏色透射部和第二顏色透射部由黑矩陣155隔開。圖85表示本實(shí)施方式的結(jié)構(gòu)的一個例子的平面圖。圖85更具體地表示圖I中的選擇用TFT元件116和壓力檢測元件120的周邊。在圖86中表示圖85的LXXXVI-LXXXVI向視截面圖。在該結(jié)構(gòu)中，在玻璃基板156形成的黑矩陣155的一部分向柵極電極140包狀突出。黑矩陣155的下表面遍及整體地被對置電極152覆蓋。在玻璃基板140的上表面形成有柵極電極122，在其上側(cè)形成有層間絕緣層135，在其上側(cè)形成有源極金屬的配線214。以與配線214的上側(cè)重疊的方式形成有下部電極191，以覆蓋下部電極191的上側(cè)的方式形成有上部絕緣層136。在黑矩陣155的包狀突出的部分的前端，對置電極152與上部絕緣 層136抵接。對置電極152與下部電極191在一定的區(qū)域從上下夾入上部絕緣層136。由此實(shí)現(xiàn)壓力傳感器15i。黑矩陣155的一部分為了實(shí)現(xiàn)壓力傳感器15i而包狀突出，該部分為非透射部。換言之，壓力傳感器15i的一部分是非透射部，該非透射部兼作為黑矩陣155的一部分。在對置基板被向下按壓時，黑矩陣155的包狀突出的部分進(jìn)一步深深地按壓上部絕緣膜136，因此對置電極152與下部電極191從上下夾入上部絕緣層136的區(qū)域的面積增大。在本實(shí)施方式中，存在作為壓力傳感器的一部分或全部的不透射光的非透射部，壓力傳感器的非透射部具有將第一顏色透射部與第二顏色透射部隔開的功能，因此能夠避免由于設(shè)置壓力傳感器而導(dǎo)致開口率下降。通過利用這樣的壓力傳感器的結(jié)構(gòu)，本實(shí)施方式中，能夠提供抑制顯示區(qū)域的開口率下降并且能夠進(jìn)行作為觸摸面板的壓力檢測的帶觸摸面板功能的顯示裝置。如此處所說明的例子這樣，優(yōu)選在俯視時，非透射部構(gòu)成黑矩陣的一部分。不是與已有的黑矩陣重疊地配置壓力傳感器，而是壓力傳感器的非透射部即壓力傳感器本身的一部分用于構(gòu)成黑矩陣的一部分，因此黑矩陣的面積幾乎不會增加就能夠?qū)崿F(xiàn)壓力傳感器。圖86中表示沿與黑矩陣的長度方向平行的截面線進(jìn)行切割而得的截面，在圖87中表示沿與圖86不同的截面線進(jìn)行切割而得的截面。在圖87中黑矩陣在與紙面垂直的方向延伸。突起部70的材料兼用于黑矩陣155。在突起部70，對置電極152直接覆蓋黑矩陣155的突出部分。(實(shí)施方式9)參照圖88說明基于本發(fā)明的實(shí)施方式9的帶觸摸面板功能的顯示裝置。本實(shí)施方式的帶觸摸面板功能的顯示裝置中，存在作為壓力傳感器的一部分或全部的不透射光的非透射部，俯視時，非透射部構(gòu)成反射膜的一部分。在圖88所示的例子中，在摻雜雜質(zhì)從而具有導(dǎo)電性的半導(dǎo)體層180與柵極金屬層81之間形成的空隙由于按壓而變化，由此能夠?qū)崿F(xiàn)檢測壓力的結(jié)構(gòu)的壓力傳感器。柵極金屬層81相當(dāng)于上部電極，半導(dǎo)體層180相當(dāng)于下部電極。該壓力傳感器包括由源極金屬層形成的導(dǎo)電層82、83。該壓力傳感器包括在導(dǎo)電層83的上側(cè)形成的配線214 ;和在其上側(cè)形成的反射電極187。反射電極187在與間隔物161重疊的位置形成。反射電極187相當(dāng)于壓力傳感器的一部分，相當(dāng)于壓力傳感器的非透射部。反射電極187配置在與柵極金屬層81在上下方向上重疊的位置。在本實(shí)施方式中，反射電極為壓力傳感器的一部分，壓力傳感器的主要部分配置在與反射電極重疊的位置，因此能夠不使開口率下降地實(shí)現(xiàn)壓力傳感器。由此，在本實(shí)施方式中，能夠?qū)崿F(xiàn)抑制顯示區(qū)域的開口率的下降并且能夠進(jìn)行作為觸摸面板的壓力檢測的帶觸摸面板功能的顯示裝置。另外，作為本發(fā)明，壓力傳感器優(yōu)選根據(jù)構(gòu)造物的電容、電阻或電磁感應(yīng)的變化來檢測壓力。如果為這些方式，則能夠利用簡單的結(jié)構(gòu)電氣性地檢測壓力，因此很適合。特別是，如果為這些方式，不僅能夠二值性地檢測壓力的有無，而且也能夠定量地檢測出大小為多大程度的壓力。另外，根據(jù)電容的變化檢測壓力意味著例如在實(shí)施方式I中參照圖5 圖7所說明的方式。實(shí)施方式8中圖84、圖86、圖87所示的構(gòu)造也相當(dāng)于利用電容的變化檢測壓力的方式。利用電阻的變化檢測壓力意味著例如實(shí)施方式4中參照圖40、圖41所說明的方式。該方式是對由于電阻的變化而在電流量中產(chǎn)生的變化進(jìn)行讀取的方式。在實(shí)施方式5中參照圖51說明的構(gòu)造也相當(dāng)于該方式。
此處所說的構(gòu)造物的電容、電阻或電磁感應(yīng)的變化優(yōu)選是由于兩個部件相互接觸的面積的增減而產(chǎn)生的變化。通過如以上所說明的那樣讀出由于兩個部件相互接觸的面積的增減而產(chǎn)生的變化，能夠檢測壓力。如果為該方式，則能夠以簡單的結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)壓力傳感器。此外壓力傳感器也能夠多次使用，能夠再現(xiàn)性優(yōu)良地檢測壓力。上述壓力傳感器優(yōu)選通過介電常數(shù)伴隨加壓而變化來檢測壓力。上述壓力傳感器優(yōu)選通過電阻率伴隨加壓而變化來檢測壓力。上述壓力傳感器優(yōu)選根據(jù)由于相互分離的兩個部件伴隨加壓而相互接觸所引起 的電阻變化來檢測壓力。上述壓力傳感器優(yōu)選包括具有遮光性能的電極。通過采用該結(jié)構(gòu)，壓力傳感器的結(jié)構(gòu)中的具有遮光性能的電極的部分能夠照原樣作為黑矩陣使用，能夠防止開口率的進(jìn)一步下降。上述壓力傳感器優(yōu)選包括具有反射性能的電極。通過采用該結(jié)構(gòu)，壓力傳感器的結(jié)構(gòu)中的具有反射性能的電極的部分能夠照原樣作為反射電極使用，能夠防止開口率的進(jìn)一步下降。(關(guān)于壓力傳感器的變形的說明)在基于本發(fā)明的帶觸摸面板功能的顯示裝置中，如實(shí)施方式8所說明的那樣，壓力傳感器的一部分或全部為不透射光的非透射部。例如在利用設(shè)置于對置基板一側(cè)的包狀的突起部與設(shè)置于TFT陣列基板一側(cè)的平坦面抵接的結(jié)構(gòu)構(gòu)成壓力傳感器的情況下，如果考察該壓力傳感器的哪個部分能夠成為非透射部，則例如能夠想到圖89 圖92所示的變化。圖89所示的例子中，作為壓力傳感器的一部分設(shè)置于對置基板一側(cè)的包狀的突起部70具有遮光性。突起部70相當(dāng)于壓力傳感器的非透射部。突起部70被對置電極152覆蓋。對置電極152也可以不是非透射部。在該例中，突起部70可以構(gòu)成黑矩陣155的一部分。在圖90所示的例子中，作為壓力傳感器的一部分設(shè)置于TFT陣列基板一側(cè)的作為下部電極的導(dǎo)電膜91具有遮光性。導(dǎo)電膜91相當(dāng)于壓力傳感器的非透射部。在該例中，導(dǎo)電膜91可以構(gòu)成黑矩陣155的一部分。在圖91所示的例子中，覆蓋作為壓力傳感器的一部分設(shè)置于對置基板一側(cè)的包狀的突起部170的對置電極52具有遮光性。對置電極52相當(dāng)于壓力傳感器的非透射部。在該例中，對置電極52可以構(gòu)成黑矩陣155的一部分。在圖92所示的例子中，作為壓力傳感器的一部分設(shè)置于TFT陣列基板一側(cè)的作為配線的導(dǎo)電膜91具有遮光性。導(dǎo)電膜91相當(dāng)于壓力傳感器的非透射部。在該例中，導(dǎo)電膜91可以構(gòu)成黑矩陣155的一部分。(具有反射部的情況)進(jìn)一步，在具有反射部的帶觸摸面板功能的顯示裝置中，作為壓力傳感器的變形，例如能夠想到圖93、圖94所示的結(jié)構(gòu)。 在圖93所示的例子中，作為壓力傳感器的下部電極的設(shè)置于TFT陣列基板一側(cè)的導(dǎo)電反射膜87具有反射性能。導(dǎo)電反射膜87成為遍及包括突起部170的正下方的上層絕緣層136所配置的區(qū)域的寬廣區(qū)域具有凹凸的形狀。由此，圖93所示的區(qū)域中包括配置有突起部170的區(qū)域的整體成為反射部。在圖94所示的例子中，作為壓力傳感器的下部電極的設(shè)置于TFT陣列基板一側(cè)的導(dǎo)電反射膜87具有反射性能。在突起部170的正下方，導(dǎo)電反射膜87平坦，上部絕緣層136以在該平坦的導(dǎo)電反射膜87之上與其重疊的方式配置。導(dǎo)電反射膜87中的從上部絕緣層136的端部進(jìn)一步延伸的部分成為具有凹凸的形狀，該具有凹凸的部分成為反射部。在圖89 圖94所示的例子中，在設(shè)置于TFT陣列基板一側(cè)的下部電極的表面配置有上部絕緣層136，從對置基板一側(cè)突出的包狀的突起部與該上部絕緣層136抵接。由此，成為對置電極與下部電極不直接接觸的結(jié)構(gòu)，在對置電極與下部電極之間形成有電容器。作為壓力傳感器，成為根據(jù)伴隨包狀的突起部上下變位而產(chǎn)生的抵接面積的變化的電容變化檢測壓力的結(jié)構(gòu)。與此相對，使用從圖89 圖94所示的結(jié)構(gòu)中去除上部絕緣層136的結(jié)構(gòu)，使對置電極與下部電極直接接觸，根據(jù)伴隨抵接面積的變化的電阻變化檢測壓力的結(jié)構(gòu)，也能夠?qū)崿F(xiàn)壓力傳感器，在該情況下，關(guān)于將哪個部分作為非透射部，也能夠想到與圖89 圖94分別對應(yīng)的變化。(關(guān)于形成方法的一部分)在形成作為包含于帶觸摸面板功能的顯示裝置的壓力傳感器的一部分的包狀的突起部時，能夠想到以下的方法。圖95、圖96表示對置基板的下側(cè)表面附近。在圖95所不的結(jié)構(gòu)中，突起部的內(nèi)部為樹脂部I，樹脂部I的表面被遮光層2覆蓋，進(jìn)而其表面被導(dǎo)電膜3覆蓋。圖95所示的結(jié)構(gòu)的樹脂部I能夠通過以I 10 y m的膜厚涂敷丙烯酸樹脂、可塑性樹脂、導(dǎo)電性樹脂等，由光刻形成圖案，在爐中以100 300°C進(jìn)行退火而形成。遮光層2能夠通過形成高遮光性樹脂層和Ti層而得到。遮光層2以膜厚為I IOiim的方式形成即可。導(dǎo)電膜3可以是由ITO形成的透明導(dǎo)電膜，能夠由公知技術(shù)形成。導(dǎo)電膜3以50 400nm的膜厚形成即可。圖95所示的結(jié)構(gòu)能夠這樣制成。在圖96所示的結(jié)構(gòu)中，內(nèi)部為遮光層4，其下表面成為凹凸形狀，導(dǎo)電膜3覆蓋凹凸的表面。遮光層4能夠通過以I 10 y m的膜厚涂敷高遮光性樹脂，由光刻形成圖案，在爐中以100 300°C進(jìn)行退火而形成。導(dǎo)電膜3可以是由ITO形成的透明導(dǎo)電膜，能夠由公知技術(shù)形成。導(dǎo)電膜3以50 400nm的膜厚形成即可。圖96所不的結(jié)構(gòu)能夠這樣制成。(實(shí)施方式10)參照圖97說明基于本發(fā)明的實(shí)施方式10的帶觸摸面板功能的顯示裝置。本實(shí)施方式的帶觸摸面板功能的顯示裝置所包括的壓力傳感器，如圖97所示，具有在樹脂501中分散有導(dǎo)電性填料502的柱狀 部件500的結(jié)構(gòu)。柱狀部件500包括樹脂501和導(dǎo)電性填料502。柱狀部件500以與對置基板和TFT陣列基板這兩者抵接的方式配置。在對置基板和TFT陣列基板中，至少在與柱狀部件500相接的面分別形成有導(dǎo)電膜503、504。在圖97的結(jié)構(gòu)中在厚度方向上施加有壓力時，柱狀部件500的樹脂501壓縮變化，成為圖98所示的狀態(tài)。即，上下的基板間的距離從a減少至b。由此，在柱狀部件500內(nèi)部分散配置的導(dǎo)電性填料502彼此在一部分相互抵接，一直以來不能夠確保的電通路505被確保。結(jié)果，在沒有施加壓力時沒有電連接的導(dǎo)電膜503、504間重新流過電流?；蛘?，在沒有施加壓力時也通過多個導(dǎo)電性填料502確保了某些電通路的情況下，通過壓縮變形，更多的導(dǎo)電性填料502相互抵接，電阻下降。利用這樣的變化，通過檢測電流的有無或電阻值的變化，能夠檢測壓力?；蛘撸瑢?dǎo)電性填料502的配置稀疏，在施加壓力的前后的任意一個中都不能夠確保電通路505的情況下，壓縮變形的前后導(dǎo)電膜503、504間的電容也發(fā)生變化，因此能夠通過檢測該電容的變化來檢測壓力。如在本實(shí)施方式中所說明的那樣，在采用具有包含導(dǎo)電性填料的柱狀部件的結(jié)構(gòu)時，例如能夠想到圖99 圖102所示的變化。在圖99所示的例子中，在導(dǎo)電膜503、504間配置的柱狀部件500b包括樹脂501b和導(dǎo)電性填料502。樹脂501b具有遮光性。即樹脂501b是非透射部。在圖100所示的例子中，在導(dǎo)電膜503、504b間配置的柱狀部件500包括樹脂501和導(dǎo)電性填料502。設(shè)置于TFT陣列基板一側(cè)的樹脂504b具有遮光性。即樹脂504b是非透射部。在圖101所示的例子中，在導(dǎo)電膜503b、504間配置的柱狀部件500包括樹脂501和導(dǎo)電性填料502。設(shè)置于對置基板一側(cè)的樹脂503b具有遮光性。即樹脂503b是非透射部。在圖102所示的例子中，在導(dǎo)電膜503、504間配置的柱狀部件500包含樹脂501和導(dǎo)電性填料502。在對置基板一側(cè)以與導(dǎo)電膜504電連接的方式設(shè)置有配線506。該配線506具有遮光性。即配線506是非透射部。這些結(jié)構(gòu)各自是具有能夠成為黑矩陣的遮光性的部分的結(jié)構(gòu)，并且能夠作為壓力傳感器起作用。在圖99 圖102所示的各例的結(jié)構(gòu)中，在分別在厚度方向施加有壓力時，柱狀部件的樹脂壓縮變形，能夠得到與上述內(nèi)容同樣的效果。另外，此次公開的上述實(shí)施方式的所有內(nèi)容都是例示而不是限制。本發(fā)明的范圍不是由上述說明表示而是由權(quán)利要求的范圍表示，也包括與權(quán)利要求的范圍均等的意思和范圍內(nèi)的全部變更。工業(yè)上的可利用性 本發(fā)明能夠利用于帶觸摸面板功能的顯示裝置。 附圖標(biāo)記說明
I樹脂部；2、4遮光層；3導(dǎo)電膜；15、15i、15j壓力傳感器；16開口部；21彩色濾光片層；52 (遮光性的)對置電極；70 (遮光性的)突起部；81柵極金屬層；87導(dǎo)電反射膜；91(遮光性的)導(dǎo)電膜；100液晶顯示裝置；101源極驅(qū)動器；102柵極驅(qū)動器；103傳感器驅(qū)動器；105控制部；110像素；111源極配線；112柵極配線；113傳感器用柵極配線；114像素電極；115TFT元件；116選擇用TFT元件；117輸出用元件；118、190壓力傳感器；120壓力檢測元件；121、138、183、203源極電極；122柵極電極；123半導(dǎo)體層；124連接配線；125、137、182、202漏極電極；130TFT陣列基板；131基底層；132、180、200半導(dǎo)體層；133柵極絕緣層；134、181、201柵極電極；135、139層間絕緣層；136上層絕緣層；140玻璃基板；141基底層；145按壓部件；146接觸件；147凹部；148遮光層；149樹脂層；150對置基板；151彩色濾光片基板；152對置電極；153著色層 ； 155黑矩陣；156玻璃基板；157可塑性樹脂層；158樹脂圖案；160液晶層；161間隔物；170突起部；171上部電極;172、189、191、218下部電極；173、174孔部；184接觸件；185墊部；186連接部；187反射電極；210漏極墊；211配線；212透明導(dǎo)電層；213電極部；214配線；215透明導(dǎo)電層；216突起部；217導(dǎo)電層；219墊部；220凹部；221突起部；222疊層金屬層；223抗蝕劑圖案；500柱狀部件；501樹脂；502導(dǎo)電性填料；503、504導(dǎo)電膜；506 (遮光性的)配線。
權(quán)利要求
1.一種帶觸摸面板功能的顯示裝置，其特征在于 其是具有包括使第一顏色透射的第一顏色透射部和使第二顏色透射的第二顏色透射部的顯示區(qū)域的顯示裝置， 在所述顯示區(qū)域的內(nèi)部，設(shè)置有用于檢測向所述顯示區(qū)域的按壓的壓力傳感器(15、15i、15j、118、190)， 所述壓力傳感器的一部分或全部為不透射光的非透射部，所述第一顏色透射部與所述第二顏色透射部由所述非透射部隔開。
2.如權(quán)利要求I所述的帶觸摸面板功能的顯示裝置，其特征在于 俯視時，所述非透射部構(gòu)成黑矩陣(155)的一部分。
3.如權(quán)利要求I所述的帶觸摸面板功能的顯示裝置，其特征在于 俯視時，所述非透射部構(gòu)成反射膜的一部分。
4.如權(quán)利要求I 3中任一項(xiàng)所述的帶觸摸面板功能的顯示裝置，其特征在于 所述壓力傳感器根據(jù)構(gòu)造物的電容、電阻或電磁感應(yīng)的變化檢測壓力。
5.如權(quán)利要求4所述的帶觸摸面板功能的顯示裝置，其特征在于 所述構(gòu)造物的電容、電阻或電磁感應(yīng)的變化是由于兩個部件相互接觸的面積的增減而產(chǎn)生的變化。
6.如權(quán)利要求I 3中任一項(xiàng)所述的帶觸摸面板功能的顯示裝置，其特征在于 所述壓力傳感器通過介電常數(shù)伴隨加壓而變化來檢測壓力。
7.如權(quán)利要求I 3中任一項(xiàng)所述的帶觸摸面板功能的顯示裝置，其特征在于 所述壓力傳感器通過電阻率伴隨加壓而變化來檢測壓力。
8.如權(quán)利要求I 3中任一項(xiàng)所述的帶觸摸面板功能的顯示裝置，其特征在于 所述壓力傳感器根據(jù)由于相互分離的兩個部件伴隨加壓而相互接觸所引起的電阻變化來檢測壓力。
9.如權(quán)利要求I 8中任一項(xiàng)所述的帶觸摸面板功能的顯示裝置，其特征在于 所述壓力傳感器包括具有遮光性能的電極。
10.如權(quán)利要求I 8中任一項(xiàng)所述的帶觸摸面板功能的顯示裝置，其特征在于 所述壓力傳感器包括具有反射性能的電極。
全文摘要
本發(fā)明的帶觸摸面板功能的顯示裝置是具有包括使第一顏色透射的第一顏色透射部和使第二顏色透射的第二顏色透射部的顯示區(qū)域的顯示裝置，其中，在上述顯示區(qū)域的內(nèi)部，設(shè)置有用于檢測向上述顯示區(qū)域的按壓的壓力傳感器(118)，壓力傳感器(118)的一部分或全部為作為不透射光的非透射部的突起部(70)，上述第一顏色透射部和上述第二顏色透射部由作為非透射部的突起部(70)隔開。
文檔編號G09F9/00GK102834793SQ20118001742
公開日2012年12月19日 申請日期2011年3月16日 優(yōu)先權(quán)日2010年3月29日
發(fā)明者木村知洋, 福山惠一 申請人:夏普株式會社