專利名稱：像素電路、顯示裝置及驅(qū)動方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是關(guān)于一種像素電路、顯示裝置及驅(qū)動方法，特別關(guān)于一種有機(jī)發(fā)光二極管的像素電路、顯示裝置及驅(qū)動方法。
背景技術(shù)：
平面顯示裝置(flat display apparatus)以其耗電量低、發(fā)熱量少、重量輕以及非輻射性等優(yōu)點(diǎn)，已經(jīng)被使用于各式各樣的電子產(chǎn)品中，并且逐漸地取代傳統(tǒng)的陰極射線管(cathode ray tube, CRT)顯示裝置。平面顯示裝置依其驅(qū)動方式一般可區(qū)分為無源矩陣式(passive matrix)與有源矩陣式(active matrix)等兩種。無源矩陣式顯示裝置受限于驅(qū)動模式，因此有壽命較短與無法大面積化等缺點(diǎn)。而有源矩陣式顯示裝置雖然成本較昂貴及制程較復(fù)雜等缺點(diǎn)，但適用于大尺寸、高解析度的高信息容量的全彩化顯示，因此，已成為平面顯示裝置的主流。其中，又以有源式有機(jī)發(fā)光二極管(Organic Light-EmittingDiode, 0LED)顯示裝置為近年來主要發(fā)展的產(chǎn)品之一。然而，在已知技術(shù)中，應(yīng)用于制作有源式有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置的薄膜晶體管中，因驅(qū)動有機(jī)發(fā)光二極管的驅(qū)動晶體管可能因?yàn)橹瞥獭⒉牧稀蛟匦圆煌纫蛩囟斐删w管的臨界電壓(thre shold voltage, Vth)的偏移(shift),間接使得相同的數(shù)據(jù)電壓驅(qū)動下，每一個(gè)像素的有機(jī)發(fā)光二極管的驅(qū)動電流會有些微差異而造成有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置的顯示畫面亮度不均勻的現(xiàn)象(例如Mura)。為了改善上述現(xiàn)象，已知技術(shù)中亦提出一種像素補(bǔ)償電路及其驅(qū)動方法，以補(bǔ)償驅(qū)動晶體管的臨界電壓Vth的偏移所造成的畫面亮度不均現(xiàn)象。請參照圖1所示，其為已知一種像素電路P的電路示意圖。像素電路P可解決驅(qū)動晶體管的臨界電壓Vth偏移所造成的顯示畫面亮度不均現(xiàn)象。其中，像素電路P系包括六個(gè)晶體管Tl T6、一個(gè)電容Cst以及一個(gè)有機(jī)發(fā)光二極管0LED。其中，晶體管T4即為驅(qū)動有機(jī)發(fā)光二極管OLED的驅(qū)動晶體管，而像素電路P即俗稱的6T1C像素電路。由于像素電路P系為一已知技術(shù)，其元件的連接關(guān)系可參照圖1所示。另外，像素電路P的驅(qū)動過程亦為已知技術(shù)，有興趣者可參照相關(guān)技術(shù)數(shù)據(jù)，于此均不再贅述。借由像素電路P及其驅(qū)動方法，可補(bǔ)償驅(qū)動晶體管T4的臨界電壓Vth，進(jìn)而可改善有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置的驅(qū)動晶體管的元件特性變異所造成的亮度不均的問題。然而，為了補(bǔ)償驅(qū)動晶體管T4的臨界電壓Vth，像素電路P于布局(layout)時(shí)必須使用4條信號線路(即圖1中的信號IN1、S1、S2及En)和六個(gè)晶體管Tl T6來達(dá)到臨界電壓Vth偏移的補(bǔ)償效果，如此，將可能導(dǎo)致顯示裝置的開口率降低。另外，開口率降低時(shí)，為了使顯示裝置具有相同的顯示效果(即顯示亮度)，又必須讓每一像素電路P的有機(jī)發(fā)光二極管OLED發(fā)出較強(qiáng)的光線,如此,亦會造成有機(jī)發(fā)光二極管OLED的壽命降低。因此，如何提供一種像素電路、顯示裝置及驅(qū)動方法，不僅可改善顯示裝置的驅(qū)動晶體管的元件特性變異所造成的亮度不均問題，更可提高顯示裝置的開口率，已成為重要課題之一。

發(fā)明內(nèi)容
有鑒于上述課題，本發(fā)明的目的為提供一種不僅可改善顯示裝置的驅(qū)動晶體管的元件特性變異所造成的亮度不均問題，更可提高顯示裝置的開口率的像素電路、顯示裝置及驅(qū)動方法。為達(dá)到上述目的，依據(jù)本發(fā)明的一種像素電路包括一儲能元件、一驅(qū)動晶體管、一第一晶體管以及一第二晶體管。驅(qū)動晶體管的柵極與儲能元件電性連接。第一晶體管的第一端分別與儲能元件及驅(qū)動晶體管的柵極電性連接，第一晶體管的第二端則與驅(qū)動晶體管的第一端電性連接。第二晶體管的第一端分別與驅(qū)動晶體管的第一端及第一晶體管的第二端電性連接，第二晶體管的第二端則與一數(shù)據(jù)電壓或一第一電壓連接，于一第一階段時(shí)，第一晶體管及第二晶體管的柵極分別接收一第一信號及一第二信號，數(shù)據(jù)電壓或第一電壓經(jīng)由第一晶體管及第二晶體管對儲能元件充電。為達(dá)到上述目的，依據(jù)本發(fā)明的一種像素電路包括一儲能元、一驅(qū)動晶體管、一第一晶體管以及一第二晶體管。驅(qū)動晶體管的柵極與儲能元件電性連接。第一晶體管的第一端分別與儲能元件及驅(qū)動晶體管的柵極電性連接，其第二端與一第一電壓連接。第二晶體管的第一端與驅(qū)動晶體管的第一端電性連接，其第二端分別與第一晶體管的第二端及第一電壓連接。其中于一第一階段時(shí)，第一晶體管的柵極接收一第一信號，第一電壓經(jīng)由第一晶體管對儲能元件充電。為達(dá)到上述目的，依據(jù)本發(fā)明的一種顯示裝置包括一驅(qū)動電路以及至少一像素電路。驅(qū)動電路具有至少一掃描線及至少一數(shù)據(jù)線，并至少輸出一數(shù)據(jù)電壓、一第一信號及一第二信號。像素電路包含一儲能兀件、一驅(qū)動晶體管、一第一晶體管以及一第二晶體管。驅(qū)動晶體管的柵極與儲能元件電性連接。第一晶體管的第一端分別與儲能元件及驅(qū)動晶體管的柵極電性連接，第一晶體管的第二端則與驅(qū)動晶體管的第一端電性連接。第二晶體管的第一端分別與驅(qū)動晶體管的第一端及第一晶體管的第二端電性連接，第二晶體管的第二端則與一數(shù)據(jù)電壓或一第一電壓連接，其中于一第一階段時(shí)，第一晶體管及第二晶體管的柵極分別接收一第一信號及一第二信號，數(shù)據(jù)電壓或第一電壓經(jīng)由第一晶體管及第二晶體管對儲能元件充電。為達(dá)到上述目的，依據(jù)本發(fā)明的一種顯示裝置包括一驅(qū)動電路以及至少一像素電路。驅(qū)動電路具有至少一掃描線及至少一數(shù)據(jù)線，并至少輸出一數(shù)據(jù)電壓、一第一信號及一第二信號。像素電路包含一儲能兀件、一驅(qū)動晶體管、一第一晶體管以及一第二晶體管。驅(qū)動晶體管的柵極與儲能元件電性連接。第一晶體管的第一端分別與儲能元件及驅(qū)動晶體管的柵極電性連接，其第二端與一第一電壓連接。第二晶體管的第一端與驅(qū)動晶體管的第一端電性連接，其第二端分別與第一晶體管的第二端及第一電壓連接。其中于一第一階段時(shí)，第一晶體管的柵極接收一第一信號，第一電壓經(jīng)由第一晶體管對儲能元件充電。為達(dá)到上述目的，依據(jù)本發(fā)明的一種驅(qū)動方法是與一顯示裝置配合，顯示裝置包括一驅(qū)動電路及至少一像素電路，驅(qū)動電路具有至少一掃描線及至少一數(shù)據(jù)線，并至少輸出一數(shù)據(jù)電壓、一第一信號及一第二信號，第一信號及第二信號分別為掃描線輸出的掃描信號，像素電路包含一儲能兀件、一驅(qū)動晶體管、一第一晶體管及一第二晶體管，驅(qū)動晶體管的柵極與儲能元件的一端電性連接，第一晶體管的第一端分別與儲能元件的端及驅(qū)動晶體管的柵極電性連接，第一晶體管的第二端與驅(qū)動晶體管的第一端電性連接，第二晶體管的第一端分別與驅(qū)動晶體管的第一端及第一晶體管的第二端電性連接，第二晶體管的第二端與數(shù)據(jù)電壓或一第一電壓連接，驅(qū)動方法包括:于一第一階段時(shí)，借由第一晶體管及第二晶體管的柵極分別接收第一信號及第二信號，使數(shù)據(jù)電壓或第一電壓經(jīng)由第一晶體管及第二晶體管對儲能元件充電。為達(dá)到上述目的，依據(jù)本發(fā)明的一種驅(qū)動方法系與一顯顯示裝置配合，顯示裝置包括一驅(qū)動電路以及至少一像素電路，驅(qū)動電路具有至少一掃描線及至少一數(shù)據(jù)線，并至少輸出一數(shù)據(jù)電壓、一第一信號及一第二信號，第一信號及第二信號分別為掃描線輸出的掃描信號。像素電路包含一儲能元件、一驅(qū)動晶體管、一第一晶體管及一第二晶體管，驅(qū)動晶體管的柵極與儲能元件的一端電性連接，第一晶體管的第一端分別與儲能元件的端及驅(qū)動晶體管的柵極電性連接，第一晶體管的第二端與一第一電壓連接，第二晶體管的第一端與驅(qū)動晶體管的第一端電性連接，第二晶體管的第二端分別與第一晶體管的第二端及第一電壓連接，驅(qū)動方法包括:于一第一階段時(shí)，借由第一晶體管的柵極接收第一信號，使第一電壓經(jīng)由第一晶體管對儲能元件充電。承上所述，因本發(fā)明的像素電路、顯示裝置及驅(qū)動方法是于一第一階段時(shí)，第一晶體管及第二晶體管的柵極系分別接收一第一信號及一第二信號，且數(shù)據(jù)電壓或第一電壓系可經(jīng)由第一晶體管及第二晶體管對儲能元件充電，或者于一第一階段時(shí)，第一晶體管的柵極系可接收一第一信號，且第一電壓可經(jīng)由第一晶體管對儲能元件充電。借此，可于顯示裝置的發(fā)光階段時(shí)(即顯示裝置的顯示階段時(shí))，使驅(qū)動像素電路的有機(jī)發(fā)光二極管的驅(qū)動電流僅與數(shù)據(jù)電壓及第二電壓有關(guān)，而與驅(qū)動晶體管的臨界電壓無關(guān)。因此，可有效改善像素電路的驅(qū)動晶體管可能 因?yàn)橹瞥?、材料…或元件特性不同等因素而造成臨界電壓的偏移問題，并可改善有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置的顯示畫面亮度不均勻的現(xiàn)象。另外，與已知技術(shù)的像素電路相較，本發(fā)明的像素電路可比已知技術(shù)少使用一條信號線路，或少使用一個(gè)晶體管，故可有效提高顯示裝置的開口率，進(jìn)一步可有效提升有機(jī)發(fā)光二極管的壽命。


為讓本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，以下結(jié)合附圖對本發(fā)明的具體實(shí)施方式
作詳細(xì)說明，其中:圖1為已知一種像素電路的示意圖；圖2A為本發(fā)明第一實(shí)施例的一種像素電路的電路示意圖；圖2B至圖2D分別為不同階段時(shí)，驅(qū)動第一實(shí)施例的像素電路的示意圖；圖2E為驅(qū)動第一實(shí)施例的像素電路的信號示意圖；圖3A為本發(fā)明第二實(shí)施例的一種像素電路的電路示意圖；圖3B至圖3D分別為不同階段時(shí)，驅(qū)動第二實(shí)施例的像素電路的示意圖；圖3E為驅(qū)動第二實(shí)施例的像素電路的信號示意圖；圖4A為本發(fā)明第三實(shí)施例的一種像素電路的電路示意圖；圖4B至圖4D分別為不同階段時(shí)，驅(qū)動第二實(shí)施例的像素電路的示意圖；圖4E為驅(qū)動第二實(shí)施例的像素電路的信號示意圖；圖5為本發(fā)明較佳實(shí)施例的一種顯示裝置的示意圖；以及
圖6至圖8分別為本發(fā)明不同的驅(qū)動方法的流程示意圖。主要元件符號說明:1:顯示裝置11:驅(qū)動電路111:掃描驅(qū)動電路112:數(shù)據(jù)驅(qū)動電路C1、C2:端點(diǎn)Cst:儲能元件D、T1 T6:晶體管D11、D12、P11、P12、P21、P22、P31、P32、P41、P42、P51、P52:端En、IN1:信號G、Gl G5:柵極L1:第一階段L2:第二階段L3:第三階段OLED:有機(jī)發(fā)光二極管P、Pl P3:像素電路POl P03、QOl Q03、ROl R03:步驟S1:第一信號S2:第二信號S3:第三信號S4:第四信號Vd:數(shù)據(jù)電壓VDD:第一電壓Vss:第二 電壓
具體實(shí)施例方式以下將參照相關(guān)附圖，說明依本發(fā)明較佳實(shí)施例的一種像素電路、顯示裝置及驅(qū)動方法，其中相同的元件將以相同的參照符號加以說明。第一實(shí)施例請參照圖2A所示，其為本發(fā)明第一實(shí)施例的一種像素電路Pl的電路示意圖。本發(fā)明的像素電路Pl包括一儲能元件Cst、一驅(qū)動晶體管D、一第一晶體管Tl及一第二晶體管T2。另外，像素電路Pl還包括一第三晶體管T3、一第四晶體管T4、一第五晶體管T5以及一有機(jī)發(fā)光二極管OLED。驅(qū)動晶體管D的柵極G與儲能元件Cst電性連接。于此，儲能元件Cst為一電容，且驅(qū)動晶體管D的柵極G與儲能元件Cst的一端點(diǎn)Cl電性連接,而儲能元件Cst的另一端點(diǎn)C2與一第二電壓Vss端電性連接(亦可電性連接一第一電壓Vdd端)。第一晶體管Tl的第一端Pll分別與儲能元件Cst的端點(diǎn)Cl及驅(qū)動晶體管D的柵極G電性連接，而第一晶體管Tl的第二端P12則與驅(qū)動晶體管D的第一端Dll電性連接。另外，第二晶體管T2的第一端P21分別與驅(qū)動晶體管D的第一端Dll及第一晶體管Tl的第二端P12電性連接，而第二晶體管T2的第二端P22則與一數(shù)據(jù)電壓Vd端電性連接。其中，數(shù)據(jù)電壓Vd可來自于一數(shù)據(jù)驅(qū)動電路(圖未顯示)的輸出。第三晶體管T3的第一端P31分別與儲能元件Cst的端點(diǎn)Cl、驅(qū)動晶體管D的柵極G及第一晶體管Tl的第一端Pll電性連接，而第三晶體管T3的第二端P32則與驅(qū)動晶體管D的第二端D12電性連接。第四晶體管T4的第一端P41與有機(jī)發(fā)光二極管OLED的陽極電性連接，而第四晶體管T4的第二端P42分別與驅(qū)動晶體管D的第一端D11、第一晶體管Tl的第二端P12及第二晶體管T2的第一端P21電性連接。第五晶體管T5的第一端P51分別與驅(qū)動晶體管D的第二端D12及第三晶體管T3的第二端P32電性連接，第五晶體管T5的第二端P52則與第一電壓Vdd端電性連接。此外，有機(jī)發(fā)光二極管OLED的陰極則與一第二電壓Vss端電性連接。其中，有機(jī)發(fā)光二極管OLED的陰極及儲能元件Cst的端點(diǎn)C2可為一直流偏壓(正負(fù)皆可)，故第二電壓Vss可為一直流偏壓。在本實(shí)施例中，有機(jī)發(fā)光二極管OLED的陽極與第四晶體管T4的第一端P41電性連接，而其陰極與第二電壓Vss端電性連接，不過，在其它的實(shí)施態(tài)樣中，有機(jī)發(fā)光二極管OLED的陽極也可與第一電壓Vdd端電性連接，而其陰極可與第五晶體管T5的第二端P52電性連接。以下，請參照圖2B至圖2E所示，以分別說明像素電路Pl的驅(qū)動過程。其中，圖2B至圖2D分別為不同階段時(shí)，驅(qū)動像素電路Pl的示意圖，而圖2E為驅(qū)動像素電路Pl的信號示意圖。先說明的是，于圖2B至圖2D中，虛線部分的晶體管表示該晶體管并未導(dǎo)通。如圖2B及圖2E所示，于驅(qū)動像素電路Pl的一第一階段LI時(shí)，第一晶體管Tl及第二晶體管T2的柵極G1、G2分別接收一第一信號SI及一第二信號S2。于此,如圖2E所不，于第一階段LI時(shí)，第一信號SI及第二信號S2分別為高電位，因此，第一晶體管Tl及第二晶體管T2可分別導(dǎo)通，如圖2B的虛線箭頭方向所示，此時(shí)數(shù)據(jù)電壓Vd可為一高電位的初始電壓，且高電位的數(shù)據(jù)電壓Vd (即初始電壓)可經(jīng)由第二晶體管T2及第一晶體管Tl對儲能元件Cst的端點(diǎn)Cl充電，使儲能元件Cst的端點(diǎn)Cl充電至高電位的數(shù)據(jù)電壓Vd。其中，第一階段LI可稱為像素電路Pl的一重置(reset)階段，重置階段可使儲能元件Cst的端點(diǎn)Cl的電壓被重置。另外，當(dāng)儲能元件Cst的端點(diǎn)Cl被充電，使得驅(qū)動晶體管D的柵極G的電壓上升到足以導(dǎo)通驅(qū)動晶體管D時(shí)，驅(qū)動晶體管D亦被導(dǎo)通。另外，請參照圖2C及圖2E所示，于一第二階段L2時(shí)，第二晶體管T2及第三晶體管T3的柵極G2、G3分別接收第二信號S2。于此，如圖2E所示，第二階段L2時(shí)，第二信號S2為高電位，如圖2C的虛線箭頭方向所示，儲能元件Cst可經(jīng)由第三晶體管T3、驅(qū)動晶體管D及第二晶體管T2放電(此時(shí)數(shù)據(jù)電壓Vd的電壓電位可較低)。由于晶體管T2為導(dǎo)通，故驅(qū)動晶體管D的第一端Dll的電壓可與數(shù)據(jù)電壓Vd相同，而驅(qū)動晶體管D的柵極G與驅(qū)動晶體管D的第二端D12的電壓差為臨界電壓Vth (threshold voltage)，故儲能元件Cst的端點(diǎn)Cl的電壓(即驅(qū)動晶體管D的柵極G的電壓)將被放電至Vd+Vth。其中，第二階段L2可稱為像素電路Pl的一補(bǔ)償(compensate)階段，于此，經(jīng)補(bǔ)償而使驅(qū)動晶體管D的柵極G的電壓電位為Vd+Vth。
另外，如圖2D及圖2E所示，于驅(qū)動像素電路Pl的一第三階段L3時(shí)，第四晶體管T4及第五晶體管T5的柵極G4、G5分別接收一第三信號S3，而第一電壓Vdd可經(jīng)由第五晶體管T5、驅(qū)動晶體管D及第四晶體管T4驅(qū)動有機(jī)發(fā)光二極管OLED發(fā)光。于此，如圖2E所示，于第三階段L3時(shí)，第三信號S3為高電位，因此第四晶體管T4及第五晶體管T5可分別導(dǎo)通(由于驅(qū)動晶體管D的柵極G的電壓為Vd+Vth，故驅(qū)動晶體管D亦被導(dǎo)通)，如圖2D的箭頭方向所示，數(shù)據(jù)電壓Vdd可經(jīng)由第五晶體管T5、驅(qū)動晶體管D及第四晶體管T4驅(qū)動有機(jī)發(fā)光二極管OLED發(fā)光。于此，第三階段L3可稱為像素電路Pl的一發(fā)光(emitting)階段，亦可稱為顯示階段。由于晶體管T4導(dǎo)通，故驅(qū)動晶體管D的第一端Dll的電壓等于第二電壓Vss加上V_0LED1電壓(V_0LED1為有機(jī)發(fā)光二極管OLED導(dǎo)通時(shí)的壓降)，而驅(qū)動晶體管D的柵極G的電壓仍為第二階段的Vd+Vth，故驅(qū)動晶體管D的柵極G與源極(第一端Dll)的電壓差Ves = Vd+Vth-A V，其中AV= (Vss+V_0LED1)。特別一提的是，第一信號S1、第二信號S2及第三信號S3可為驅(qū)動顯不裝置的一掃描驅(qū)動電路輸出的一掃描信號。由于有機(jī)發(fā)光二極管OLED的驅(qū)動電流I正比于(Ves-Vth)2,故驅(qū)動電流I =KX (Vcs-Vth)2 = KX (Vd+Vth- A V-Vth)2 = KX (Vd-Vss_V_0LEDl)2。因此可發(fā)現(xiàn)，于顯示階段時(shí)，驅(qū)動電流I僅與數(shù)據(jù)電壓Vd與第二電壓Vss有關(guān)，而與臨界電壓Vth無關(guān)。如此一來，即可改善像素電路Pl的驅(qū)動晶體管D可能因?yàn)橹瞥?、材料…或元件特性不同等因素而造成臨界電壓Vth的偏移問題，并可改善有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置的顯示畫面亮度不均勻的現(xiàn)象。另外，像素電路Pl不僅可改善顯示畫面亮度不均勻的問題，而且與已知技術(shù)的6T1C像素電路P相較，已知技術(shù)的6T1C像素電路P需使用4條信號線路(即圖1中的IN1、S1、S2&En)，而本發(fā)明的像素電路Pl于布局時(shí)可比已知技術(shù)少使用一條信號線路(只使用第一信號S1、第二信號S2及第三信號S3等三條信號線路)，故可有效提高顯示裝置的開口率，且進(jìn)一步可有效提升有機(jī)發(fā)光二極管OLED的壽命。第二實(shí)施例請參照圖3A所示，其為本發(fā)明第二實(shí)施例的一種像素電路P2的電路示意圖。像素電路P2包括一儲能元件Cst、一驅(qū)動晶體管D、一第一晶體管Tl以及一第二晶體管T2。另外，像素電路P2還包括一第三晶體管T3、一第四晶體管T4以及一有機(jī)發(fā)光二極管OLED。驅(qū)動晶體管D的柵極G與儲能元件Cst電性連接。于此，儲能元件Cst為一電容，且驅(qū)動晶體管D的柵極G是與儲能元件Cst的一端點(diǎn)Cl電性連接，而儲能元件Cst的另一端點(diǎn)C2是與一直流偏壓(正負(fù)皆可)連接。第一晶體管Tl的第一端Pll分別與儲能元件Cst的端點(diǎn)Cl及驅(qū)動晶體管D的柵極G電性連接，而第一晶體管Tl的第二端P12則與驅(qū)動晶體管D的第一端Dll電性連接。另外，第二晶體管T2的第一端P21分別與驅(qū)動晶體管D的第一端Dll及第一晶體管Tl的第二端P12電性連接，而第二晶體管T2的第二端P22則與一第一電壓Vdd連接。另外，第三晶體管T3的第一端P31與驅(qū)動晶體管D的第二端D12電性連接，第三晶體管T3的第二端P32則與數(shù)據(jù)電壓Vd連接。
第四晶體管T4的第一端P41與有機(jī)發(fā)光二極管OLED的陽極電性連接，第四晶體管T4的第二端P42則分別與驅(qū)動晶體管D的第二端D12及第三晶體管T3的第一端P31電性連接。此外，有機(jī)發(fā)光二極管OLED的陰極與一第二電壓Vss連接。其中，有機(jī)發(fā)光二極管OLED的陰極及儲能元件Cst的端點(diǎn)C2可分別為一直流偏壓(正負(fù)皆可)，故第二電壓Vss為一直流偏壓。在本實(shí)施例中，有機(jī)發(fā)光二極管OLED的陽極與第四晶體管T4的第一端P41電性連接，而其陰極與第二電壓Vss連接，不過，在其它的實(shí)施態(tài)樣中，有機(jī)發(fā)光二極管OLED的陽極可與第一電壓Vdd連接，而其陰極可與第二晶體管T2的第二端P22電性連接。以下，請參照圖3B至圖3E所示，以分別說明像素電路P2的驅(qū)動過程。其中，圖3B至圖3D分別為不同階段時(shí)，驅(qū)動像素電路P2的示意圖，而圖3E為驅(qū)動像素電路P2的信號示意圖。先說明的是，于圖3B至圖3D中，虛線部分的晶體管表示該晶體管并未被導(dǎo)通。如圖3B及圖3E所示，于驅(qū)動像素電路P2的一第一階段LI時(shí)，第一晶體管Tl及第二晶體管T2的柵極Gl、G2分別接收一第一信號SI及一第二信號S2。于此,如圖3E所示，于第一階段LI時(shí)，第一信號SI及第二信號S2分別為高電位，因此，第一晶體管Tl及第二晶體管T2可分別導(dǎo)通，如圖3B的虛線箭頭方向所示，第一電壓Vdd(初始電壓)可為高電位，而高電位的第一電壓Vdd可經(jīng)由第二晶體管T2及第一晶體管Tl對儲能元件Cst的端點(diǎn)Cl充電，使儲能元件Cst的端點(diǎn)Cl充電至高電位的第一電壓VDD。其中，第一階段LI可稱為像素電路P2的重置階段，重置階段可使儲能元件Cst的端點(diǎn)Cl的電壓被重置。另外，當(dāng)儲能元件Cst的端點(diǎn)Cl被充電，使得驅(qū)動晶體管D的柵極G的電壓上升到足以導(dǎo)通驅(qū)動晶體管D時(shí),驅(qū)動晶體管D亦被導(dǎo)通。另外，請參照圖3C及圖3E所示，于一第二階段L2時(shí)，第一晶體管Tl及第三晶體管T3的柵極G1、G2分別接收第一信號SI及一第三信號S3。于此，如圖3E所示，于第二階段L2時(shí)，第一信號SI及第三訊S3分別為高電位，如圖3C的虛線箭頭方向所示，儲能元件Cst可經(jīng)由第一晶體管Tl及第三晶體管T3放電。由于晶體管T3及驅(qū)動晶體管D為導(dǎo)通，故驅(qū)動晶體管D的第二端D12的電壓與數(shù)據(jù)電壓Vd相同，而驅(qū)動晶體管D的柵極G與驅(qū)動晶體管D的第二端D12的電壓差為臨界電壓Vth，故儲能元件Cst的端點(diǎn)Cl的電壓(即驅(qū)動晶體管的柵極G的電壓)將放電至Vd+Vth。其中，第二階段L2稱為像素電路P2的補(bǔ)償階段，于此，是使驅(qū)動晶體管D的柵極G的電壓放電至Vd+Vth。特別一提的是，第一信號S1、第二信號S2、第三信號S3及第四信號S4可為驅(qū)動顯示裝置的掃描驅(qū)動電路輸出的掃描信號。另外，如圖3D及圖3E所示，于驅(qū)動像素電路P2的一第三階段L3時(shí)，第二晶體管T2及第四晶體管T4的柵極G2、G4分別接收第二信號S2及一第四信號S4，而第一電壓Vdd可經(jīng)由第二晶體管T2、驅(qū)動晶體管D及第四晶體管T4驅(qū)動有機(jī)發(fā)光二極管OLED發(fā)光。于此，如圖3E所示，于第三階段L3時(shí)，第二信號S2及第四信號S4分別為高電位，因此，第二晶體管T2及第四晶體管T4可分別被導(dǎo)通(由于驅(qū)動晶體管D的柵極G的電壓為Vd+Vth，故驅(qū)動晶體管D亦導(dǎo)通)，如圖3D的虛線箭頭方向所示，第一電壓Vdd可經(jīng)由第二晶體管T2、驅(qū)動晶體管D及第四晶體管T4驅(qū)動有機(jī)發(fā)光二極管OLED發(fā)光。于此，第三階段L3可稱為像素電路P2的發(fā)光階段，亦可稱為顯示階段。由于晶體管T4導(dǎo)通，故驅(qū)動晶體管D的第二端D12的電壓等于第二電壓Vss加上V_0LED1電壓(V_0LED1為有機(jī)發(fā)光二極管OLED導(dǎo)通時(shí)的壓降)，而驅(qū)動晶體管D的柵極G的電壓仍為第二階段的Vd+Vth，故驅(qū)動晶體管D的柵極與源極(第二端 D12)的電壓差 Ves = Vd+Vth-A V，其中 AV = (Vss+V_0LED1)。
由于有機(jī)發(fā)光二極管OLED的驅(qū)動電流I正比于(Ves-Vth)2,故驅(qū)動電流I =KX (Vcs-Vth)2 = KX (Vd+Vth- A V-Vth)2 = KX (Vd-Vss_V_0LEDl)2。因此可發(fā)現(xiàn)，于顯示階段時(shí)，驅(qū)動電流I僅與數(shù)據(jù)電壓Vd與第二電壓Vss有關(guān)，而與臨界電壓Vth無關(guān)。如此一來，即可改善像素電路P2的驅(qū)動晶體管D可能因?yàn)橹瞥?、材料…或元件特性不同等因素而造成臨界電壓Vth的偏移問題，并可改善有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置的顯示畫面亮度不均勻的現(xiàn)象。此外,驅(qū)動像素電路P2的第一信號SI與第三信號S3可合并使用同一組驅(qū)動信號(圖3E中的第一信號SI)，如此可以將原有信號線合并而減少一條，亦可降低開口率損失。另外，像素電路P2不僅可改善顯示畫面亮度不均勻的問題，而且與已知技術(shù)的6T1C像素電路P相較，已知技術(shù)的6T1C像素電路P需使用6個(gè)晶體管，而本發(fā)明的像素電路P2于布局時(shí)可比已知技術(shù)少使用一個(gè)晶體管(只使用驅(qū)動晶體管D及晶體管Tl T4等共5個(gè)晶體管)，故可有效提高顯示裝置的開口率，且進(jìn)一步可提升有機(jī)發(fā)光二極管OLED的壽命。第三實(shí)施例請參照圖4A所示，其為本發(fā)明第三實(shí)施例的一種像素電路P3的電路示意圖。像素電路P3包括一儲能元件Cst、一驅(qū)動晶體管D、一第一晶體管Tl以及一第二晶體管T2。另外，像素電路P3還包括一第三晶體管T3、一第四晶體管T4、一第五晶體管T5以及一有機(jī)發(fā)光二極管OLED。驅(qū)動晶體管D的柵極G與儲能元件Cst電性連接。于此，儲能元件Cst為一電容，且驅(qū)動晶體管D的柵極G與儲能元件Cst的一端點(diǎn)Cl電性連接,而儲能元件Cst的另一端點(diǎn)C2與一直流偏壓(正負(fù)皆可)連接。第一晶體管Tl的第一端Pll分別與儲能元件Cst的端點(diǎn)Cl及驅(qū)動晶體管D的柵極G電性連接,而第一晶體管 Tl的第二端P12與一第一電壓Vdd端電性連接。另外，第二晶體管T2的第一端P21與驅(qū)動晶體管D的第一端Dll電性連接，而第二晶體管T2第二端P22分別與第一晶體管Tl的第二端P12及第一電壓Vdd端電性連接。第三晶體管T3的第一端P31分別與儲能元件Cst的端點(diǎn)Cl、驅(qū)動晶體管D的柵極G及第一晶體管Tl的第一端Pll電性連接，而第三晶體管T3的第二端P32分別與驅(qū)動晶體管D的第一端Dll及第二晶體管T2的第一端P21電性連接。第四晶體管T4的第一端P41與驅(qū)動晶體管D的第二端D12電性連接，第四晶體管T4的第二端P42與一數(shù)據(jù)電壓Vd端電性連接。另外，第五晶體管T5的第一端P51與有機(jī)發(fā)光二極管OLED的陽極電性連接，而第五晶體管T5的第二端P52分別與驅(qū)動晶體管D的第二端D12及第四晶體管T4的第一端P41電性連接。此外，有機(jī)發(fā)光二極管OLED的陰極則與一第二電壓Vss端電性連接。其中，有機(jī)發(fā)光二極管OLED的陰極及儲能元件Cst的端點(diǎn)C2可為一直流偏壓(正負(fù)皆可)，故第
二電壓Vss為一直流偏壓。以下，請參照圖4B至圖4E所示，以分別說明像素電路P3的驅(qū)動過程。其中，圖4B至圖4D分別為不同階段時(shí)，驅(qū)動像素電路P3的示意圖，而圖4E為驅(qū)動像素電路P3的信號示意圖。先說明的是，于圖4B至圖4D中，虛線部分的晶體管表示該晶體管并未被導(dǎo)通。如圖4B及圖4E所示，于驅(qū)動像素電路P3的一第一階段LI時(shí)，第一晶體管Tl的柵極Gl接收一第一信號SI,而第一電壓Vdd可經(jīng)由第一晶體管Tl對儲能兀件Cst充電。于此，如圖4E所示，于第一階段LI時(shí)，第一信號SI為高電位，因此第一晶體管Tl被導(dǎo)通，如圖4B的虛線箭頭方向所示，第一電壓Vdd(初始電壓)可為高電位，而第一電壓Vdd可經(jīng)由第一晶體管Tl對儲能元件Cst的端點(diǎn)Cl充電，使儲能元件Cst的端點(diǎn)Cl充電至高電位的第一電壓VDD。其中，第一階段LI可稱為像素電路P3的重置階段，重置階段可使儲能元件Cst的端點(diǎn)Cl的電壓被重置。另外，當(dāng)儲能元件Cst的端點(diǎn)Cl被充電，使得驅(qū)動晶體管D的柵極G的電壓上升到足以導(dǎo)通驅(qū)動晶體管D時(shí)，驅(qū)動晶體管D亦被導(dǎo)通。如圖4C及圖4E所示，于驅(qū)動像素電路P3的一第二階段L2時(shí)，第三晶體管T3與第四晶體管T4的柵極G3、G4可分別接收一第二信號S2。于此，如圖4E所示，于第二階段L2時(shí)，第二信號S2為高電位，如圖4C的虛線箭頭方向所示，儲能元件Cst經(jīng)由第三晶體管T3、驅(qū)動晶體管D及第四晶體管T4放電。由于晶體管T4為導(dǎo)通，故驅(qū)動晶體管D的第二端D12的電壓與數(shù)據(jù)電壓Vd相同，而驅(qū)動晶體管D的柵極G與驅(qū)動晶體管D的第二端D12的電壓差為臨界電壓Vth，故儲能元件Cst的端點(diǎn)Cl的電壓(即驅(qū)動晶體管的柵極G的電壓)將被放電至Vd+Vth。其中，第二階段L2可稱為像素電路Pl的補(bǔ)償階段，于此，是使驅(qū)動晶體管D的柵極G的電壓被放電至Vd+Vth。另外，如圖4D及圖4E所示，于驅(qū)動像素電路P3的一第三階段L3時(shí)，第二晶體管T2及第五晶體管T5的柵極G2、G5分別接收一第三信號S3，而第一電壓Vdd可經(jīng)由第二晶體管T2、驅(qū)動晶體管D及第五晶體管T5驅(qū)動有機(jī)發(fā)光二極管OLED發(fā)光。于此，如圖4E所示，于第三階段L3時(shí)，第三信號S3為高電位，因此，第二晶體管T2及第五晶體管T5可分別被導(dǎo)通(由于驅(qū)動晶體管D的柵極G的電壓為Vd+Vth，故驅(qū)動晶體管D亦導(dǎo)通)，如圖4D的箭頭方向所示，數(shù)據(jù)電壓Vdd可經(jīng)由第二晶體管T2、驅(qū)動晶體管D及第五晶體管T5驅(qū)動有機(jī)發(fā)光二極管OLED發(fā)光。于此，第三階段L3可稱為像素電路P3的發(fā)光階段，亦可稱為顯示階段。由于晶體管T5導(dǎo)通，故驅(qū)動晶體管D的第二端D12的電壓等于第二電壓Vss加上V_0LED1電壓(V_0LED1為有機(jī)發(fā)光二極管OLED導(dǎo)通時(shí)的壓降)，而驅(qū)動晶體管D的柵極G的電壓仍為第二階段的Vd+Vth，故驅(qū)動晶體管D的柵極G與源極(D12)的電壓差Vffi =Vd+Vth-AV，其中 AV= (Vss+V_0LED1)。由于有機(jī)發(fā)光二極管OLED的驅(qū)動電流I正比于(Ves-Vth)2,故驅(qū)動電流I =KX (Vcs-Vth)2 = KX (Vd+Vth- A V-Vth)2 = KX (Vd-Vss_V_0LEDl)2。因此可發(fā)現(xiàn)，于顯示階段時(shí)，驅(qū)動電流I僅與數(shù)據(jù)電壓Vd與第二電壓Vss有關(guān)，與臨界電壓Vth無關(guān)。如此一來，即可改善像素電路P3的驅(qū)動晶體管D可能因?yàn)橹瞥?、材料…或元件特性不同等因素而造成臨界電壓Vth的偏移問題，并可改善有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置的顯示畫面亮度不均勻的現(xiàn)象。另外，像素電路P3不僅可改善顯示畫面亮度不均勻的問題，而且與已知技術(shù)的6T1C像素電路P相較，已知技術(shù)的6T1C像素電路P需使用4條信號線路，而本發(fā)明的像素電路Pl于布局時(shí)可比已知技術(shù)少使用一條信號線路(只使用第一信號S1、第二信號S2及第三信號S3等三條信號線路)，故可有效提高顯示裝置的開口率，且進(jìn)一步可提升有機(jī)發(fā)光二極管OLED的壽命。

此外，再一提的是，上述的像素電路Pl P3的驅(qū)動晶體管D及第一晶體管Tl 第五晶體管T5分別為N型金屬氧化物半導(dǎo)體(N-type Metal-Oxide Semiconductor, NMOS),在其它的實(shí)施例中，像素電路Pl P3的驅(qū)動晶體管D及第一晶體管Tl 第五晶體管T5也可分別使用P型金屬氧化物半導(dǎo)體(P-type Metal-Oxide Semiconductor, PM0S),只要將及第一晶體管Tl 第五晶體管T5的源極及漏極互換，且第一信號S1、第二信號S2、第三信號S2及第四信號S4的電壓電位互換即可(即高電位變成與低電位，而低電位變成高電位)。另外，請參照圖5所示，其為本發(fā)明較佳實(shí)施例的一種顯示裝置I的示意圖。顯示裝置I包括一驅(qū)動電路11以及至少一像素電路P1。于此，顯示裝置I具有多個(gè)像素Pl (圖未顯示)。驅(qū)動電路11可具有至少一掃描線及至少一數(shù)據(jù)線，并可至少輸出一數(shù)據(jù)電壓Vd、一第一信號S1、一第二信號S2及一第三信號S3。其中,驅(qū)動電路11可具有一掃描驅(qū)動電路111及一數(shù)據(jù)驅(qū)動電路112，掃描驅(qū)動電路111可輸出第一信號S1、第二信號S2及第三信號S3，而第一信號S1、第二信號S2及第三信號S3可為驅(qū)動像素電路Pl的掃描信號。另夕卜，數(shù)據(jù)驅(qū)動電路112可輸出數(shù)據(jù)電壓Vd，而數(shù)據(jù)電壓Vd可為驅(qū)動像素電路Pl的灰度電壓。像素電路Pl包含一儲能元件Cst、一驅(qū)動晶體管D、一第一晶體管Tl、一第二晶體管T2。另外，像素電路Pl更可包括一第三晶體管T3、一第四晶體管T4、一第五晶體管T5以及一有機(jī)發(fā)光二極管0LED。其中，像素電路Pl的元件、連接關(guān)系及其驅(qū)動過程已于上述的第一實(shí)施例中詳述，于此不再贅述。因此，于顯示裝置I的顯示階段(即第三階段L3、發(fā)光階段)時(shí)，驅(qū)動有機(jī)發(fā)光二極管OLED的驅(qū)動電流I僅與數(shù)據(jù)電壓Vd與第二電壓Vss有關(guān)，而與臨界電壓Vth無關(guān)。如此一來，即可改善像素電路Pl的驅(qū)動晶體管D可能因?yàn)橹瞥獭⒉牧稀蛟匦圆煌纫蛩囟斐膳R界電壓Vth的偏移問題，并可改善有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置I的顯示畫面亮度不均勻的現(xiàn)象。

特別提醒的是，上述的像素電路Pl也可以第二實(shí)施例的像素電路P2及第三實(shí)施例的像素電路P3來取代，一樣可有效提高顯示裝置的開口率，而且可提升有機(jī)發(fā)光二極管OLED的壽命。而第二實(shí)施例的像素電路P2及第三實(shí)施例的像素電路P3也于上述中詳述，于此不再贅述。另外，請參照圖6所示，其中，圖6為本發(fā)明的一種驅(qū)動方法的流程示意圖。本發(fā)明的驅(qū)動方法是與上述的顯示裝置I及其像素電路Pl配合，而顯示裝置I及其像素電路Pl已于上述中詳述，于此不再贅述。驅(qū)動方法可包括步驟POl:于一第一階段LI時(shí)，借由第一晶體管Tl及第二晶體管T2的柵極Gl、G2分別接收第一信號SI及第二信號S2，使數(shù)據(jù)電壓Vd可經(jīng)由第一晶體管Tl及第二晶體管T2對儲能元件Cst充電。另外，驅(qū)動方法更可包括步驟P02:于一第二階段L2時(shí)，借由第二晶體管T2及第三晶體管T3的柵極G2、G3分別接收第二信號S2，使儲能元件Cst經(jīng)由第三晶體管T3及第二晶體管T2放電。另外，驅(qū)動方法還可包括步驟P03:于一第三階段L3時(shí)，借由第四晶體管T4及第五晶體管T5的柵極G4、G5分別接收一第三信號S3，使第一電壓Vdd經(jīng)由第五晶體管T5、驅(qū)動晶體管D及第四晶體管T4驅(qū)動有機(jī)發(fā)光二極管OLED發(fā)光。此外，上述的驅(qū)動方法的其它技術(shù)特征已于第一實(shí)施例中詳述，于此不再贅述。另外，請參照圖7所示，其中，圖7為本發(fā)明另一種驅(qū)動方法的流程示意圖。本發(fā)明的另一種驅(qū)動方法是與上述的顯示裝置I及其像素電路P2配合，而顯示裝置I及其像素電路P2已于上述中詳述，于此不再贅述。驅(qū)動方法可包括步驟QOl:于一第一階段LI時(shí)，借由第一晶體管Tl及第二晶體管T2的柵極Gl、G2分別接收第一信號SI及第二信號S2,使第一電壓Vdd可經(jīng)由第一晶體管Tl及第二晶體管T2對儲能元件Cst充電。另外，驅(qū)動方法還可包括步驟Q02:于一第二階段L2時(shí)，借由第一晶體管Tl及第三晶體管T3的柵極G1、G3分別接收第一信號SI及一第三信號S3，使儲能元件Cst經(jīng)由第一晶體管Tl及第三晶體管T3放電。另外，驅(qū)動方法還可包括步驟Q03:于一第三階段L3時(shí)，借由第二晶體管T2及第四晶體管T4的柵極G2、G4分別接收第二信號S2及一第四信號S3，使第一電壓Vdd經(jīng)由第二晶體管T2、驅(qū)動晶體管D及第四晶體管T4驅(qū)動有機(jī)發(fā)光二極管OLED發(fā)光。此外，本發(fā)明另一種驅(qū)動方法的其它技術(shù)特征已于上述第二實(shí)施例中詳述，于此不再贅述。另外，請同 時(shí)參照圖4A及圖8所示，其中，圖8為本發(fā)明又一種驅(qū)動方法的流程示意圖。本發(fā)明又一驅(qū)動方法是與上述的顯示裝置I及其像素電路P3配合，而顯示裝置I及其像素電路P3已于上述中詳述，于此不再贅述。驅(qū)動方法可包括步驟ROl:于一第一階段LI時(shí)，借由第一晶體管Tl的柵極Gl接收第一信號SI,使第一電壓Vdd經(jīng)由第一晶體管Tl對儲能兀件Cst充電。另外，驅(qū)動方法更可包括步驟R02:于一第二階段L2時(shí)，借由第三晶體管T3與第四晶體管T4的柵極G3、G4分別接收第二信號S2，使儲能元件Cst經(jīng)由第三晶體管T3及第四晶體管T4放電。另外，驅(qū)動方法還可包括步驟R03:于一第三階段L3時(shí)，借由第二晶體管T2及第五晶體管T5的柵極G2、G5分別接收一第三信號S3，使第一電壓Vdd經(jīng)由第二晶體管T2、驅(qū)動晶體管D及第五晶體管T5驅(qū)動有機(jī)發(fā)光二極管OLED發(fā)光。此外，本于發(fā)明又一驅(qū)動方法的其它技術(shù)特征已于上述第三實(shí)施例中詳述，于此不再贅述。綜上所述，因本發(fā)明的像素電路、顯示裝置及驅(qū)動方法是于一第一階段時(shí)，第一晶體管及第二晶體管的柵極分別接收一第一信號及一第二信號，且數(shù)據(jù)電壓或第一電壓可經(jīng)由第一晶體管及第二晶體管對儲能元件充電，或者于一第一階段時(shí)，第一晶體管的柵極可接收一第一信號，且第一電壓可經(jīng)由第一晶體管對儲能元件充電。借此，可于顯示裝置的發(fā)光階段時(shí)(即顯示裝置的顯示階段時(shí))，使驅(qū)動像素電路的有機(jī)發(fā)光二極管的驅(qū)動電流僅與數(shù)據(jù)電壓及第二電壓有關(guān)，而與驅(qū)動晶體管的臨界電壓無關(guān)。因此，可有效改善像素電路的驅(qū)動晶體管可能因?yàn)橹瞥獭⒉牧稀蛟匦圆煌纫蛩囟斐膳R界電壓的偏移問題，并可改善有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置的顯示畫面亮度不均勻的現(xiàn)象。另外，與已知技術(shù)的像素電路相較，本發(fā)明的像素電路可比已知技術(shù)少使用一條信號線路，或可少使用一個(gè)晶體管，故可有效提高顯示裝置的開口率，進(jìn)一步可有效提升有機(jī)發(fā)光二極管的壽命。雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例揭示如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何本領(lǐng)域技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作些許的修改和完善，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)以權(quán)利要求書所界定的為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種像素電路,包括: 一儲能元件； 一驅(qū)動晶體管，其柵極與該儲能元件電性連接； 一第一晶體管，其第一端分別與該儲能元件及該驅(qū)動晶體管的柵極電性連接，其第二端則與該驅(qū)動晶體管的第一端電性連接；以及 一第二晶體管，其第一端分別與該驅(qū)動晶體管的第一端及該第一晶體管的第二端電性連接，其第二端則與一數(shù)據(jù)電壓或一第一電壓連接， 其中于一第一階段時(shí)，該第一晶體管及該第二晶體管的柵極分別接收一第一信號及一第二信號，該數(shù)據(jù)電壓或該第一電壓經(jīng)由該第一晶體管及該第二晶體管對該儲能元件充電。
2.如權(quán)利要求1所述的像素電路，還包括: 一第三晶體管，其第一端分別與該儲能元件、該驅(qū)動晶體管的柵極及該第一晶體管的第一端電性連接，其第二端則與該驅(qū)動晶體管的第二端電性連接。
3.如權(quán)利要求2所述的像素電路，其特征在于，于一第二階段時(shí)，該第二晶體管及該第三晶體管的柵極分別接收該第二信號，該儲能元件是經(jīng)由該第三晶體管及該第二晶體管放電。
4.如權(quán)利要求2所述的像素電路，還包括: 一有機(jī)發(fā)光二極管，其陰極與一第二電壓連接； 一第四晶體管，其第一端與該有機(jī)發(fā)光二極管的陽極電性連接，其第二端分別與該驅(qū)動晶體管的第一端、該第一晶體管的第二端及該第二晶體管的第一端電性連接；及 一第五晶體管，其第一端分別與該驅(qū)動晶體管的第二端及該第三晶體管的第二端電性連接，其第二端與該第一電壓連接。
5.如權(quán)利要求4所述的像素電路，其特征在于，于一第三階段時(shí)，該第四晶體管及該第五晶體管的柵極分別接收一第三信號，該第一電壓經(jīng)由該第五晶體管、該驅(qū)動晶體管及第四晶體管驅(qū)動該有機(jī)發(fā)光二極管發(fā)光。
6.如權(quán)利要求1所述的像素電路，還包括: 一第三晶體管，其第一端與該驅(qū)動晶體管的第二端電性連接，其第二端與該數(shù)據(jù)電壓連接。
7.如權(quán)利要求6所述的像素電路，其特征在于，于一第二階段時(shí)，該第一晶體管及該第三晶體管的柵極分別接收該第一信號及一第三信號，該儲能元件是經(jīng)由該第一晶體管及該第三晶體管放電。
8.如權(quán)利要求6所述的像素電路，還包括: 一有機(jī)發(fā)光二極管，其陰極與一第二電壓連接 '及 一第四晶體管，其第一端與該有機(jī)發(fā)光二極管的陽極電性連接，其第二端分別與該驅(qū)動晶體管的第二端及該第三晶體管的第一端電性連接。
9.如權(quán)利要求8所述的像素電路，其特征在于，于一第三階段時(shí)，該第二晶體管及該第四晶體管的柵極分別接收該第二信號及一第四信號，該第一電壓經(jīng)由該第二晶體管、該驅(qū)動晶體管及第四晶體管驅(qū)動該有機(jī) 發(fā)光二極管發(fā)光。
10.一種像素電路，包括:一儲能元件； 一驅(qū)動晶體管，其柵極與該儲能元件電性連接； 一第一晶體管，其第一端分別與該儲能元件及該驅(qū)動晶體管的柵極電性連接，其第二端與一第一電壓連接；以及 一第二晶體管，其第一端與該驅(qū)動晶體管的第一端電性連接，其第二端分別與該第一晶體管的第二端及該第一電壓連接， 其中于一第一階段時(shí)，該第一晶體管的柵極接收一第一信號，該第一電壓經(jīng)由該第一晶體管對該儲能元件充電。
11.如權(quán)利要求10所述的像素電路，還包括: 一第三晶體管，其第一端分別與該儲能元件的該端、該驅(qū)動晶體管的柵極及該第一晶體管的第一端電性連接，其第二端分別與該驅(qū)動晶體管的第一端及該第二晶體管的第一端電性連接；及 一第四晶體管，其第一端與該驅(qū)動晶體管的第二端電性連接，其第二端與一數(shù)據(jù)電壓連接。
12.如權(quán)利要求11所述的像素電路，其特征在于，于一第二階段時(shí)，該第三晶體管與該第四晶體管的柵極分別接收一第二信號，該儲能元件是經(jīng)由該第三晶體管及該第四晶體管放電。
13.如權(quán)利要求11所述的像素電路，還包括: 一有機(jī)發(fā)光二極管，其陰極與一第二電壓連接 '及 一第五晶體管，其第一端與該有機(jī)發(fā)光二極管的陽極電性連接，其第二端分別與該驅(qū)動晶體管的第二端及該第四晶體管的第一端電性連接。
14.如權(quán)利要求13所述的像素電路，其特征在于，于一第三階段時(shí)，該第二晶體管及該第五晶體管的柵極分別接收一第三信號，該第一電壓經(jīng)由該第二晶體管、該驅(qū)動晶體管及第五晶體管驅(qū)動該有機(jī)發(fā)光二極管發(fā)光。
15.一種驅(qū)動方法，與一顯示裝置配合，該顯示裝置包括一驅(qū)動電路及至少一像素電路，該驅(qū)動電路具有至少一掃描線及至少一數(shù)據(jù)線，并至少輸出一數(shù)據(jù)電壓、一第一信號及一第二信號，該第一信號及該第二信號分別為該掃描線輸出的掃描信號，該像素電路具有一儲能元件、一驅(qū)動晶體管、一第一晶體管及一第二晶體管，該驅(qū)動晶體管的柵極與該儲能元件的一端電性連接，該第一晶體管的第一端分別與該儲能元件的該端及該驅(qū)動晶體管的柵極電性連接，該第一晶體管的第二端與該驅(qū)動晶體管的第一端電性連接，該第二晶體管的第一端分別與該驅(qū)動晶體管的第一端及該第一晶體管的第二端電性連接，該第二晶體管的第二端與該數(shù)據(jù)電壓或一第一電壓連接，該驅(qū)動方法包括: 于一第一階段時(shí)，借由該第一晶體管及該第二晶體管的柵極分別接收該第一信號及該第二信號，使該數(shù)據(jù)電壓或該第一電壓經(jīng)由該第一晶體管及該第二晶體管對該儲能元件充電。
16.如權(quán)利要求15所述的驅(qū)動方法，其特征在于，該像素電路還包括一第三晶體管，其第一端分別與該儲能元件的該端、該驅(qū)動晶體管的柵極及該第一晶體管的第一端電性連接，其第二端與該驅(qū)動晶體管的第二端電性連接，該驅(qū)動方法還包括: 于一第二階段時(shí)，借由該第二晶體管及該第三晶體管的柵極分別接收該第二信號，使該儲能元件經(jīng)由該第三晶體管及該第二晶體管放電。
17.如權(quán)利要求16所述的驅(qū)動方法，其特征在于，該像素電路還包括一有機(jī)發(fā)光二極管、一第四晶體管及一第五晶體管，該有機(jī)發(fā)光二極管的陰極與一第二電壓連接，該第四晶體管的第一端與該有機(jī)發(fā)光二極管的陽極電性連接，該第四晶體管的第二端分別與該驅(qū)動晶體管的第一端、該第一晶體管的第二端及該第二晶體管的第一端電性連接，該第五晶體管的第一端分別與該驅(qū)動晶體管的第二端及該第三晶體管的第二端電性連接，該第五晶體管的第二端與該第一電壓連接，該驅(qū)動方法還包括: 于一第三階段時(shí)，借由該第四晶體管及該第五晶體管的柵極分別接收一第三信號，使該第一電壓經(jīng)由該第五晶體管、該驅(qū)動晶體管及第四晶體管驅(qū)動該有機(jī)發(fā)光二極管發(fā)光。
18.如權(quán)利要求15所述的驅(qū)動方法，其特征在于，該像素電路還包括一第三晶體管，其第一端與該驅(qū)動晶體管的第二端電性連接，其第二端與該數(shù)據(jù)電壓連接，該驅(qū)動方法，還包括: 于一第二階段時(shí)，借由該第一晶體管及該第三晶體管的柵極分別接收該第一信號及一第三信號，使該儲能元件經(jīng)由該第一晶體管及該第三晶體管放電。
19.如權(quán)利要求18所述的驅(qū)動方法，其特征在于，該像素電路還包括一有機(jī)發(fā)光二極管及一第四晶體管，該有機(jī)發(fā)光二極管的陰極與一第二電壓連接，該第四晶體管的第一端與該有機(jī)發(fā)光二極管的陽極電性連接，該第四晶體管的第二端分別與該驅(qū)動晶體管的第二端及該第三晶體管的第一端電性連接，該驅(qū)動方法還包括: 于一第三階段時(shí)，借由該第二晶體管及該第四晶體管的柵極分別接收該第二信號及一第四信號，使該第一電壓經(jīng)由該第二晶體管、該驅(qū)動晶體管及第四晶體管驅(qū)動該有機(jī)發(fā)光二極管發(fā)光。
20.一種驅(qū)動方法，與一顯示裝置配合，該顯示裝置包括一驅(qū)動電路以及至少一像素電路，該驅(qū)動電路具有至少一掃描線及至少一數(shù)據(jù)線，并至少輸出一數(shù)據(jù)電壓、一第一信號及一第二信號，該第一信號及該第二信號分別為該掃描線輸出的掃描信號，該像素電路具有一儲能元件、一驅(qū)動晶體管、一第一晶體管及一第二晶體管，該驅(qū)動晶體管的柵極與該儲能元件的一端電性連接，該第一晶體管的第一端分別與該儲能元件的該端及該驅(qū)動晶體管的柵極電性連接，該第一晶體管的第二端與一第一電壓連接，該第二晶體管的第一端與該驅(qū)動晶體管的第一端電性連接，該第二晶體管的第二端分別與該第一晶體管的第二端及該第一電壓連接，該驅(qū)動方法包括: 于一第一階段時(shí)，借由該第一晶體管的柵極接收該第一信號，使該第一電壓經(jīng)由該第一晶體管對該儲能元件充電。
21.如權(quán)利要求20所述的驅(qū)動方法，其特征在于，該像素電路還包括一第三晶體管及一第四晶體管，該第三晶體管的第一端分別與該儲能元件的該端、該驅(qū)動晶體管的柵極及該第一晶體管的第一端電性連接，該第三晶體管的第二端分別與該驅(qū)動晶體管的第一端及該第二晶體管的第一端電性連接，該第四晶體管的第一端與該驅(qū)動晶體管的第二端電性連接，該第四晶體管的第二端與該數(shù)據(jù)電壓連接，該驅(qū)動方法還包括: 于一第二階段時(shí)，借由該第三晶體管與該第四晶體管的柵極分別接收該第二信號，使該儲能元件經(jīng)由該第三晶體管 及該第四晶體管放電。
22.如權(quán)利要求21所述的驅(qū)動方法，其特征在于，該像素電路還包括一有機(jī)發(fā)光二極管及一第五晶體管，該有機(jī)發(fā)光二極管的陰極與一第二電壓連接，該第五晶體管的第一端與該有機(jī)發(fā)光二極管的陽極電性連接，該第五晶體管的第二端分別與該驅(qū)動晶體管的第二端及該第四晶體管的第一端電性連接，該驅(qū)動方法還包括:于一第三階段時(shí)，借由該第二晶體管及該第五晶體管的柵極分別接收一第三信號，使該第一電壓經(jīng)由該第 二晶體管、該驅(qū)動晶體管及第五晶體管驅(qū)動該有機(jī)發(fā)光二極管發(fā)光。
全文摘要
本發(fā)明提出一種像素電路，包括一儲能元件、一驅(qū)動晶體管、一第一晶體管以及一第二晶體管。驅(qū)動晶體管的柵極與儲能元件電性連接。第一晶體管的第一端分別與儲能元件及驅(qū)動晶體管的柵極電性連接，第一晶體管的第二端則與驅(qū)動晶體管的第一端電性連接。第二晶體管的第一端分別與驅(qū)動晶體管的第一端及第一晶體管的第二端電性連接，第二晶體管的第二端則與一數(shù)據(jù)電壓或一第一電壓連接，于一第一階段時(shí)，第一晶體管及第二晶體管的柵極分別接收一第一信號及一第二信號，數(shù)據(jù)電壓或第一電壓經(jīng)由第一晶體管及第二晶體管對儲能元件充電。
文檔編號G09G3/32GK103187024SQ201110448309
公開日2013年7月3日 申請日期2011年12月28日 優(yōu)先權(quán)日2011年12月28日
發(fā)明者陳聯(lián)祥, 郭拱辰, 曾名駿 申請人:群康科技(深圳)有限公司, 奇美電子股份有限公司