專利名稱：像素單元驅(qū)動(dòng)電路和方法、像素單元以及顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及有機(jī)發(fā)光顯示領(lǐng)域，尤其涉及ー種AMOLED(有源矩陣有機(jī)發(fā)光二極管)的像素單元驅(qū)動(dòng)電路和方法、像素単元以及顯示裝置。
背景技術(shù)：
現(xiàn)有的像素単元驅(qū)動(dòng)電路如圖I所示，該驅(qū)動(dòng)電路包括兩個(gè)晶體管和ー個(gè)電容，其中一個(gè)晶體管為開(kāi)關(guān)管Tl，由掃描線輸出 的掃描信號(hào)Vscan所控制，目的是為了控制數(shù)據(jù)線Data上的數(shù)據(jù)信號(hào)Vdata的輸入，另ー個(gè)晶體管為驅(qū)動(dòng)管T2，控制OLED發(fā)光；Cs為存儲(chǔ)電容，用于在非掃描期間維持對(duì)驅(qū)動(dòng)管T2所施加的電壓，上述電路被稱為2T1C像素単元驅(qū)動(dòng)電路。AMOLED (Active Matrix Organic Light Emitting Diode,有源矩陣有機(jī)發(fā)光二極管)能夠發(fā)光是由驅(qū)動(dòng)晶體管在飽和狀態(tài)時(shí)產(chǎn)生的電流所驅(qū)動(dòng)，因?yàn)檩斎胂嗤幕译A電壓時(shí)，所述驅(qū)動(dòng)晶體管的不同的閾值電壓會(huì)導(dǎo)致產(chǎn)生不同的驅(qū)動(dòng)電流，造成電流的不一致性。而LTPS (低溫多晶硅技術(shù))制程上閾值電壓Vth的均勻性非常差，同時(shí)Vth也有漂移，因此傳統(tǒng)的2T1C像素單元驅(qū)動(dòng)電路的亮度均勻性一直很差。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的主要目的在于提供一種像素單元驅(qū)動(dòng)電路和方法、像素単元以及顯示裝置，以提高OLED面板亮度均勻度。為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明提供了一種像素単元驅(qū)動(dòng)電路，用于驅(qū)動(dòng)0LED，所述像素單元驅(qū)動(dòng)電路包括驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管、第一開(kāi)關(guān)元件、存儲(chǔ)電容和驅(qū)動(dòng)控制単元；所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管，源極與驅(qū)動(dòng)電源的高電平輸出端連接，柵極與所述存儲(chǔ)電容的第一端連接，漏極通過(guò)所述第一開(kāi)關(guān)元件與所述OLED的陽(yáng)極連接；所述存儲(chǔ)電容的第二端通過(guò)所述驅(qū)動(dòng)控制単元分別與所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的源極和數(shù)據(jù)線連接；所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的柵極通過(guò)所述驅(qū)動(dòng)控制単元分別與所述驅(qū)動(dòng)電源的低電平輸出端和所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的漏極連接；所述驅(qū)動(dòng)控制單元，用于通過(guò)控制所述存儲(chǔ)電容充放電，以控制所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管工作于飽和區(qū)而所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的柵源電壓補(bǔ)償Vth，其中，Vth為所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的閾值電壓。實(shí)施時(shí)，所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管是P型薄膜晶體管。實(shí)施時(shí)，所述第一開(kāi)關(guān)元件是P型薄膜晶體管；所述第一開(kāi)關(guān)元件，柵極與第一控制線連接，源極與所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的漏極連接，漏極與所述OLED的陽(yáng)極連接。實(shí)施時(shí)，所述驅(qū)動(dòng)控制單元包括第二開(kāi)關(guān)元件、第三開(kāi)關(guān)元件、第四開(kāi)關(guān)元件和第五開(kāi)關(guān)元件，其中，
所述驅(qū)動(dòng)效應(yīng)晶體管的漏極和所述驅(qū)動(dòng)電源的低電平輸出端之間連接有第二開(kāi)關(guān)兀件；所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的源極和所述存儲(chǔ)電容的第二端之間連接有第三開(kāi)關(guān)元件；所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的柵極和所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的漏極之間連接有第四開(kāi)關(guān)元件；所述存儲(chǔ)電容的第二端與數(shù)據(jù)線之間連接有第五開(kāi)關(guān)元件。
實(shí)施時(shí)，所述第二開(kāi)關(guān)元件、所述第三開(kāi)關(guān)元件、所述第四開(kāi)關(guān)元件和所述第五開(kāi)關(guān)元件為P型薄膜晶體管；所述第一開(kāi)關(guān)元件，柵極與第一控制線連接，源極與所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的漏極連接，漏極與所述OLED的陽(yáng)極連接；所述第二開(kāi)關(guān)元件，柵極與第二控制線連接，源極與所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的漏極連接，漏極與所述驅(qū)動(dòng)電源的低電平輸出端連接；所述第三開(kāi)關(guān)元件，柵極與第三控制線連接，源極與所述存儲(chǔ)電容的第二端連接，漏極與所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的源極連接；所述第四開(kāi)關(guān)元件，柵極與用于傳輸控制信號(hào)的掃描線連接，源極與所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的柵極連接，漏極與所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的漏極連接；所述第五開(kāi)關(guān)元件，柵極與所述掃描線連接，源極與所述數(shù)據(jù)線連接，漏極與所述存儲(chǔ)電容的第二端連接。本發(fā)明還提供了一種像素単元驅(qū)動(dòng)方法，其應(yīng)用于上述的像素單元驅(qū)動(dòng)電路，所述像素単元驅(qū)動(dòng)方法包括以下步驟像素充電步驟驅(qū)動(dòng)控制単元控制存儲(chǔ)電容被充電；像素放電步驟所述驅(qū)動(dòng)控制單元控制所述存儲(chǔ)電容通過(guò)驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管放電，直至所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的柵源電壓為所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的閾值電壓Vth ；驅(qū)動(dòng)OLED發(fā)光顯示步驟所述驅(qū)動(dòng)控制單元控制所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管工作于飽和區(qū)，并控制所述存儲(chǔ)電容兩端的電壓差值不變，以使得所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的柵源電壓補(bǔ)償所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的閾值電壓Vth，通過(guò)所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管驅(qū)動(dòng)OLED發(fā)光。實(shí)施時(shí)，所述像素充電步驟包括第一開(kāi)關(guān)元件斷開(kāi)所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的漏極與所述OLED的連接；所述驅(qū)動(dòng)控制單元導(dǎo)通數(shù)據(jù)線和所述存儲(chǔ)電容的第二端的連接，導(dǎo)通所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的柵極和所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的漏極的連接，導(dǎo)通所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的漏極和所述驅(qū)動(dòng)電源的低電平輸出端的連接，斷開(kāi)所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的源極和所述存儲(chǔ)電容的第二端的連接，控制所述存儲(chǔ)電容被充電；所述像素放電步驟包括所述驅(qū)動(dòng)控制單元斷開(kāi)所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的漏極與所述驅(qū)動(dòng)電源的低電平輸出端的連接，控制所述存儲(chǔ)電容通過(guò)所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管放電，直至所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的柵源電壓為所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的閾值電壓Vth ；所述驅(qū)動(dòng)OLED發(fā)光顯示步驟包括所述第一開(kāi)關(guān)元件導(dǎo)通所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的漏極與所述OLED的連接；所述驅(qū)動(dòng)控制單元導(dǎo)通所述存儲(chǔ)電容的第二端和所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的源極的連接，斷開(kāi)所述數(shù)據(jù)線和所述存儲(chǔ)電容的第二端的連接，斷開(kāi)所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的柵極和所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的漏極的連接，控制所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管工作于飽和區(qū)，并控制所述存儲(chǔ)電容兩端的電壓差值不變以及所述存儲(chǔ)電容的第二端的電壓穩(wěn)定，以使得所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的柵源電壓補(bǔ)償所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的閾值電壓Vth，通過(guò)所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管驅(qū)動(dòng)OLED發(fā)光。本發(fā)明還提供了一種像素単元，包括OLED和上述的像素單元驅(qū)動(dòng)電路，所述像素單元驅(qū)動(dòng)電路與所述OLED的陽(yáng)極連接，所述OLED的陰極與驅(qū)動(dòng)電源的低電平輸出端連接。本發(fā)明還提供了一種顯示裝置，包括多個(gè)上述的像素単元。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明所述的像素單元驅(qū)動(dòng)電路和方法像素単元以及顯示裝置，通過(guò)驅(qū)動(dòng)控制單元控制驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的柵源電壓補(bǔ)償驅(qū)動(dòng)OLED的驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的閾值電壓，從而解決OLED面板亮度不均勻和亮度衰減的問(wèn)題。



圖I是現(xiàn)有的2T1C像素單元驅(qū)動(dòng)電路的電路圖；圖2是本發(fā)明第一實(shí)施例所述的像素單元驅(qū)動(dòng)電路的電路圖；圖3是本發(fā)明第二實(shí)施例所述的像素單元驅(qū)動(dòng)電路的電路圖；圖4是本發(fā)明第三實(shí)施例所述的像素單元驅(qū)動(dòng)電路的電路圖；圖4A是本發(fā)明第三實(shí)施例所述的像素単元驅(qū)動(dòng)電路處于第一時(shí)間段時(shí)的等效電路的電路圖；圖4B是本發(fā)明第三實(shí)施例所述的像素単元驅(qū)動(dòng)電路處于第二時(shí)間段時(shí)的等效電路的電路圖；圖4C是本發(fā)明第三實(shí)施例所述的像素単元驅(qū)動(dòng)電路處于第三時(shí)間段時(shí)的等效電路的電路圖；圖5是本發(fā)明第三實(shí)施例所述的像素單元驅(qū)動(dòng)電路中的各信號(hào)的時(shí)序圖。
具體實(shí)施例方式本發(fā)明提供了一種像素單元驅(qū)動(dòng)電路和方法、像素単元以及顯示裝置，利用ニ極管接法(Diode Connection)并通過(guò)控制存儲(chǔ)電容放電以使得驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的柵源電壓補(bǔ)償驅(qū)動(dòng)OLED的驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的閾值電壓，從而解決OLED面板亮度不均勻和亮度衰減的問(wèn)題。如圖2所示，本發(fā)明第一實(shí)施例所述的像素單元驅(qū)動(dòng)電路，用于驅(qū)動(dòng)0LED，包括驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管DTFT、第一開(kāi)關(guān)元件21、存儲(chǔ)電容Cs和驅(qū)動(dòng)控制単元22 ；所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管DTFT，源極與驅(qū)動(dòng)電源的輸出電壓為VDD的高電平輸出端連接，柵極與所述存儲(chǔ)電容Cs的第一端連接，漏極通過(guò)所述第一開(kāi)關(guān)元件21與所述OLED的陽(yáng)極連接；所述存儲(chǔ)電容Cs的第二端通過(guò)所述驅(qū)動(dòng)控制単元22分別與所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管DTFT的源極和數(shù)據(jù)線Data連接；所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管DTFT的柵極通過(guò)所述驅(qū)動(dòng)控制単元22分別與所述驅(qū)動(dòng)電源的輸出電壓為VSS的低電平輸出端和所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管DTFT的漏極連接；所述驅(qū)動(dòng)控制單元22，用于通過(guò)控制所述存儲(chǔ)電容Cs充放電，以控制所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管DTFT工作于飽和區(qū)而所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管DTFT的柵源電壓補(bǔ)償Vth，其中，Vth為所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管DTFT的閾值電壓；在具體實(shí)施時(shí)，所述驅(qū)動(dòng)控制單元22還分別與控制線CR和用于傳輸控制信號(hào)的掃描線SCAN連接。根據(jù)ー種具體實(shí)施方式
，在該實(shí)施例中，所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管DTFT是P型薄膜晶體管。該第一實(shí)施例所述的像素單元驅(qū)動(dòng)電路在工作時(shí)，所述第一開(kāi)關(guān)元件21在第一時(shí)間段和第二時(shí)間段斷開(kāi)所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管DTFT的漏極與所述OLED的連接，在第三時(shí)間段導(dǎo)通所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管DTFT的漏極與所述OLED的連接；
所述驅(qū)動(dòng)控制單元22在所述第一時(shí)間段控制所述存儲(chǔ)電容Cs被充電；所述驅(qū)動(dòng)控制單元22在所述第二時(shí)間段控制所述存儲(chǔ)電容Cs通過(guò)所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管DTFT放電，直至所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管DTFT的柵源電壓為所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的閾值電壓Vth ；所述驅(qū)動(dòng)控制單元22在第三時(shí)間段控制所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管DTFT工作于飽和區(qū)，并控制所述存儲(chǔ)電容Cs兩端的電壓差值不變以及所述存儲(chǔ)電容Cs的第二端的電壓穩(wěn)定，以使得所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管DTFT的柵源電壓補(bǔ)償所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管DTFT的閾值電壓 Vth。進(jìn)ー步地，該第一實(shí)施例所述的像素單元驅(qū)動(dòng)電路在工作吋，在第一時(shí)間段，第一開(kāi)關(guān)元件21斷開(kāi)所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管DTFT的漏極與所述OLED的連接；所述驅(qū)動(dòng)控制單元22導(dǎo)通數(shù)據(jù)線Data和所述存儲(chǔ)電容Cs的第二端的連接，導(dǎo)通所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管DTFT的柵極和所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管DTFT的漏極的連接，導(dǎo)通所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管DTFT的漏極和所述驅(qū)動(dòng)電源的低電平輸出端的連接，斷開(kāi)所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管DTFT的源極和所述存儲(chǔ)電容Cs的第二端的連接，控制所述存儲(chǔ)電容Cs被充電；在第二時(shí)間段，所述驅(qū)動(dòng)控制單元22斷開(kāi)所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管DTFT的漏極與所述驅(qū)動(dòng)電源的低電平輸出端的連接，控制所述存儲(chǔ)電容Cs通過(guò)所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管DTFT放電，直至所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管TFT的柵源電壓為所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管DTFT的閾值電壓Vth ；在第三時(shí)間段，所述第一開(kāi)關(guān)元件21導(dǎo)通所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管DTFT的漏極與所述OLED的連接；所述驅(qū)動(dòng)控制單元22導(dǎo)通所述存儲(chǔ)電容Cs的第二端和所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管DTFT的源極的連接，斷開(kāi)所述數(shù)據(jù)線Data和所述存儲(chǔ)電容Cs的第二端的連接，斷開(kāi)所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管DTFT的柵極和所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管DTFT的漏極的連接，控制所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管DTFT工作于飽和區(qū)，并控制所述存儲(chǔ)電容Cs兩端的電壓差值不變以及所述存儲(chǔ)電容Cs的第二端的電壓穩(wěn)定，以使得所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管DTFT的柵源電壓補(bǔ)償所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管DTFT的閾值電壓Vth，通過(guò)所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管DTFT驅(qū)動(dòng)OLED發(fā)光。實(shí)施吋，在該實(shí)施例所述的像素単元驅(qū)動(dòng)電路中，所述驅(qū)動(dòng)控制單元包括第二開(kāi)關(guān)元件、第三開(kāi)關(guān)元件、第四開(kāi)關(guān)元件和第五開(kāi)關(guān)元件，其中，所述驅(qū)動(dòng)效應(yīng)晶體管DTFT的漏極和所述驅(qū)動(dòng)電源的低電平輸出端之間連接有第ニ開(kāi)關(guān)元件；所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管DTFT的源極和所述存儲(chǔ)電容Cs的第二端之間連接有第三開(kāi)關(guān)元件；
所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管DTFT的柵極和所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管DTFT的漏極之間連接有第四開(kāi)關(guān)元件；所述存儲(chǔ)電容Cs的第二端與數(shù)據(jù)線Data之間連接有第五開(kāi)關(guān)元件；在第一時(shí)間段，所述第五開(kāi)關(guān)元件導(dǎo)通所述數(shù)據(jù)線Data和所述存儲(chǔ)電容Cs的第ニ端的連接，所述第四開(kāi)關(guān)元件導(dǎo)通所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管DTFT的柵極和所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管DTFT的漏極的連接，所述第二開(kāi)關(guān)元件導(dǎo)通所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管DTFT的漏極和所述驅(qū)動(dòng)電源的低電平輸出端的連接，所述第三開(kāi)關(guān)元件斷開(kāi)所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管DTFT的源極和所述存儲(chǔ)電容Cs的第二端的連接；在第二時(shí)間段，所述第二開(kāi)關(guān)元件斷開(kāi)所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管DTFT的漏極與所述 驅(qū)動(dòng)電源的低電平輸出端的連接；在第三時(shí)間段，所述第三開(kāi)關(guān)元件導(dǎo)通所述存儲(chǔ)電容Cs的第二端和所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管DTFT的源極的連接，所述第五開(kāi)關(guān)元件斷開(kāi)所述數(shù)據(jù)線Data和所述存儲(chǔ)電容Cs的第二端的連接，所述第四開(kāi)關(guān)元件斷開(kāi)所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管DTFT的柵極和所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管DTFT的漏極的連接。如圖3所示，本發(fā)明第二實(shí)施例所述的像素單元驅(qū)動(dòng)電路的電路圖。本發(fā)明第二實(shí)施例所述的像素単元驅(qū)動(dòng)電路是基于本發(fā)明第一實(shí)施例所述的像素単元驅(qū)動(dòng)電路。在本發(fā)明第二實(shí)施例所述的像素單元驅(qū)動(dòng)電路中，所述第一開(kāi)關(guān)元件21是標(biāo)號(hào) 為T(mén)l的第一開(kāi)關(guān)TFT，Tl是P型薄膜晶體管；Tl的柵極與第一控制線CRl連接，Tl的源極與所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管DTFT的漏極連接，Tl的漏極與所述OLED的陽(yáng)極連接。如圖4所示，本發(fā)明第三實(shí)施例所述的像素單元驅(qū)動(dòng)電路的電路圖，該第三實(shí)施例所述的像素単元驅(qū)動(dòng)電路采用6T1C電路，通過(guò)補(bǔ)償Vth，以使得驅(qū)動(dòng)TFT的驅(qū)動(dòng)電流與所述驅(qū)動(dòng)TFT的閾值電壓Vth無(wú)關(guān)，達(dá)到電流一致，改善均勻性和可靠性。該第三實(shí)施例所述的像素單元驅(qū)動(dòng)電路基于該第二實(shí)施例所述的像素単元驅(qū)動(dòng)電路；在該第三實(shí)施例所述的像素單元驅(qū)動(dòng)電路中，所述第一開(kāi)關(guān)元件為標(biāo)號(hào)為T(mén)l的第一開(kāi)關(guān)TFT，所述第二開(kāi)關(guān)元件為標(biāo)號(hào)為T(mén)2的第二開(kāi)關(guān)TFT，所述第三開(kāi)關(guān)元件為標(biāo)號(hào)為T(mén)3的第三開(kāi)關(guān)TFT，所述第四開(kāi)關(guān)元件為標(biāo)號(hào)為T(mén)4的第四開(kāi)關(guān)TFT，所述第五開(kāi)關(guān)元件為標(biāo)號(hào)為T(mén)5的第五開(kāi)關(guān)TFT ;所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管是標(biāo)號(hào)為DTFT的驅(qū)動(dòng)TFT，所述驅(qū)動(dòng)電源的低電平輸出端為接地端，其中，T1、T2、T3、T4、T5 和 DTFT 為 ρ 型 TFT，p 型 TFT 的閾值電壓 Vth < 0，并 DTFT 的源極直接連接所述電源線，為恒流型接法；T2的漏極接地，T2的源極與所述T4的漏極連接；Tl的漏極與所述OLED的陽(yáng)極連接，Tl的源極與DTFT的漏極和T4的漏極連接；T3的源極與存儲(chǔ)電容Cs的第二端連接，T3的漏極與DTFT的源極連接；T4的源極與DTFT的柵極連接，T4的漏極與Tl的源極和T2的源極連接；T5的源極與數(shù)據(jù)線Data連接，T5的漏極與所述存儲(chǔ)電容Cs的第二端連接；DTFT的柵極與所述存儲(chǔ)電容Cs的第一端連接，DTFT的源極與驅(qū)動(dòng)電源的輸出電壓為VDD的高電平輸出端連接；
T4的柵極和所述T5的柵極與用于傳輸控制信號(hào)的掃描線SCAN連接；T2的柵極與第二控制線CR2連接，Tl的柵極與第一控制線CRl連接，T3的柵極與第三控制線CR3連接。該第三實(shí)施例所述的像素單元驅(qū)動(dòng)電路采用6T1C電路通過(guò)補(bǔ)償DTFT的Vth，以使得DTFT的驅(qū)動(dòng)電流I = KX (Vgs-Vth)2與Vth無(wú)關(guān)，達(dá)到電流一致，改善均勻性。如圖4A所示，本發(fā)明第三實(shí)施例所述的像素單元驅(qū)動(dòng)電路工作時(shí)，在第一時(shí)間段，即預(yù)充電階段，所述掃描線SCAN和所述第二控制線CR2輸出低電位，所述第一控制線CRl和所述控制線CR3輸出高電位，以控制Tl和T3關(guān)閉，并控制T2、T4和T5導(dǎo)通(在圖4A中，由于T2、T4和T5導(dǎo)通，因此未示出T2、T4和T5，而是以導(dǎo)線替代；并且，由于Tl關(guān)閉則DTFT的漏極與OLED之間的通路關(guān)斷，因此圖4A中未示出Tl和OLED ;由于T3關(guān)閉，因此圖4A中未示出T3)，數(shù)據(jù)線Data上的電壓Vdata輸入，所述存儲(chǔ)電容Cs被充電，DTFT 的柵極(即A點(diǎn))和漏極的電壓均為0，DTFT的源極電壓為所述電源線上的電壓VDD，因此DTFT的柵源電壓Vgs = -VDD,其遠(yuǎn)小于DTFT的閾值電壓Vth，此時(shí)DTFT實(shí)為一個(gè)二極管進(jìn)入飽和狀態(tài)。如圖4B所示，本發(fā)明第三實(shí)施例所述的像素單元驅(qū)動(dòng)電路工作時(shí)，在第二時(shí)間段，所述第二控制線CR2輸出高電位，以控制T2關(guān)閉，A點(diǎn)(即DTFT的柵極)斷開(kāi)與地線GND的連接，(圖4B與圖4A的區(qū)別在于，由于T2關(guān)閉，因此A點(diǎn)斷開(kāi)與地線的連接)所述存儲(chǔ)電容Cs經(jīng)過(guò)T4和DTFT開(kāi)始放電，直到DTFT的柵源極電壓Vgs為閾值電壓Vth，即DTFT的柵極電壓VA = VDD+Vth，此時(shí)所述存儲(chǔ)電容Cs的第二端和第一端之間的電壓差值為 Vdata-VDD-Vth。如圖4C所示，本發(fā)明第三實(shí)施例所述的像素單元驅(qū)動(dòng)電路工作時(shí)，在第三時(shí)間段，所述掃描線SCAN輸出高電位，以控制T4、T5關(guān)閉，所述第三控制線CR3輸出低電位，以控制T3打開(kāi)，所述第一控制線CRl輸出低電位，以控制Tl打開(kāi)(圖4C與圖4B的區(qū)別在于，由于TI開(kāi)啟，因此增加了 DTFT的漏極與OLED的陽(yáng)極的連接；并且由于T4關(guān)閉，則A點(diǎn)斷開(kāi)了與DTFT的漏極的連接；由于T5關(guān)閉、T3打開(kāi)，因此Cs的第二端斷開(kāi)與數(shù)據(jù)線Data的連接，并且增加了 Cs的第二端與OLED的陽(yáng)極的連接)，DTFT工作于飽和區(qū)以驅(qū)動(dòng)電流流過(guò)所述0LED，使其發(fā)光，此時(shí)，所述存儲(chǔ)電容Cs的第二端的電壓變?yōu)閂DD，如此所述存儲(chǔ)電容Cs的第一端的電壓將發(fā)生突變，以使得所述存儲(chǔ)電容Cs的第二端和第一端之間的電壓差值恒定，所以所述存儲(chǔ)電容Cs的第一端的電壓即DTFT的柵極電壓VA = VDD+Vth-Vdata+VDD，此時(shí)，流過(guò)所述OLED的電流I的計(jì)算公式為由公式(I)所示I = KX (Vgs-Vth)2= KX {(VDD+Vth-Vdata+VDD) -Vth}2= KX (2VDD-Vdata)2 ；公式(I)其中，K為DTFT的電流系數(shù)；
WK = Cox-H-;u、Cox, W、L分別為DTFT的場(chǎng)效應(yīng)遷移率，柵絕緣層單位面積電容、溝道寬度、長(zhǎng)度；第三時(shí)間段為OLED發(fā)光階段，所述OLED將持續(xù)發(fā)光到下一幀數(shù)據(jù)寫(xiě)入。
如此便使得流過(guò)所述OLED的電流不受DTFT的閾值電壓Vth的影響，以改善流過(guò)所述OLED的電流的均勻性，達(dá)到OLED面板的亮度的均勻。圖5是本發(fā)明第三實(shí)施例所述的像素單元驅(qū)動(dòng)電路中的掃描線SCAN輸出的掃描信號(hào)VSCAN、數(shù)據(jù)線Data輸出的數(shù)據(jù)信號(hào)Vdata、第一控制線CRl輸出的控制信號(hào)VCRl、第二控制線CR2輸出的控制信號(hào)VCR2和第三控制線輸出的控制信號(hào)VCR3的時(shí)序圖，在圖5中，B、C、D分別標(biāo)示的是第一時(shí)間段、第二時(shí)間段、第三時(shí)間段。本發(fā)明還提供了一種像素單元驅(qū)動(dòng)方法，其應(yīng)用于上述的像素單元驅(qū)動(dòng)電路，所述像素單元驅(qū)動(dòng)方法包括以下步驟像素充電步驟驅(qū)動(dòng)控制單元控制存儲(chǔ)電容被充電；像素放電步驟所述驅(qū)動(dòng)控制單元控制所述存儲(chǔ)電容通過(guò)驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管放電，直至所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的柵源電壓為所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的閾值電壓Vth ；驅(qū)動(dòng)OLED發(fā)光顯示步驟所述驅(qū)動(dòng)控制單元控制所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管工作于飽和區(qū)，并控制所述存儲(chǔ)電容兩端的電壓差值不變，以使得所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的柵源電壓補(bǔ)償所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的閾值電壓Vth，通過(guò)所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管驅(qū)動(dòng)OLED發(fā)光。根據(jù)一種具體實(shí)施方式
，所述像素充電步驟包括第一開(kāi)關(guān)元件斷開(kāi)所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的漏極與所述OLED的連接；所述驅(qū)動(dòng)控制單元導(dǎo)通數(shù)據(jù)線和所述存儲(chǔ)電容的第二端的連接，導(dǎo)通所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的柵極和所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的漏極的連接，導(dǎo)通所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的漏極和所述驅(qū)動(dòng)電源的低電平輸出端的連接，斷開(kāi)所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的源極和所述存儲(chǔ)電容的第二端的連接，控制所述存儲(chǔ)電容被充電；所述像素放電步驟包括所述驅(qū)動(dòng)控制單元斷開(kāi)所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的漏極與所述驅(qū)動(dòng)電源的低電平輸出端的連接，控制所述存儲(chǔ)電容通過(guò)所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管放電，直至所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的柵源電壓為所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的閾值電壓Vth ；所述驅(qū)動(dòng)OLED發(fā)光顯示步驟包括所述第一開(kāi)關(guān)元件導(dǎo)通所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的漏極與所述OLED的連接；所述驅(qū)動(dòng)控制單元導(dǎo)通所述存儲(chǔ)電容的第二端和所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的源極的連接，斷開(kāi)所述數(shù)據(jù)線和所述存儲(chǔ)電容的第二端的連接，斷開(kāi)所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的柵極和所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的漏極的連接，控制所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管工作于飽和區(qū)，并控制所述存儲(chǔ)電容兩端的電壓差值不變以及所述存儲(chǔ)電容的第二端的電壓穩(wěn)定，以使得所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的柵源電壓補(bǔ)償所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的閾值電壓Vth，通過(guò)所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管驅(qū)動(dòng)OLED發(fā)光。本發(fā)明還公開(kāi)了一種像素單元，其包括OLED和上述的像素單元驅(qū)動(dòng)電路，該像素單元驅(qū)動(dòng)電路與OLED的陽(yáng)極連接，所述OLED的陰極接地。本發(fā)明還公開(kāi)了一種顯示裝置，包括多個(gè)上述像素單元。以上說(shuō)明對(duì)本發(fā)明而言只是說(shuō)明性的，而非限制性的，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員理解，在不脫離所附權(quán)利要求所限定的精神和范圍的情況下，可做出許多修改、變化或等效，但都將落入本發(fā)明的保護(hù)范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種像素單元驅(qū)動(dòng)電路，用于驅(qū)動(dòng)OLED，其特征在于，所述像素單元驅(qū)動(dòng)電路包括驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管、第一開(kāi)關(guān)元件、存儲(chǔ)電容和驅(qū)動(dòng)控制單元； 所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管，源極與驅(qū)動(dòng)電源的高電平輸出端連接，柵極與所述存儲(chǔ)電容的第一端連接，漏極通過(guò)所述第一開(kāi)關(guān)元件與所述OLED的陽(yáng)極連接； 所述存儲(chǔ)電容的第二端通過(guò)所述驅(qū)動(dòng)控制單元分別與所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的源極和數(shù)據(jù)線連接； 所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的柵極通過(guò)所述驅(qū)動(dòng)控制單元分別與所述驅(qū)動(dòng)電源的低電平輸出端和所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的漏極連接； 所述驅(qū)動(dòng)控制單元，用于通過(guò)控制所述存儲(chǔ)電容充放電，以控制所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管工作于飽和區(qū)而所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的柵源電壓補(bǔ)償Vth，其中，Vth為所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的閾值電壓。
2.如權(quán)利要求I所述的像素單元驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管是p型薄膜晶體管。
3.如權(quán)利要求2所述的像素單元驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于， 所述第一開(kāi)關(guān)元件是P型薄膜晶體管； 所述第一開(kāi)關(guān)元件，柵極與第一控制線連接，源極與所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的漏極連接，漏極與所述OLED的陽(yáng)極連接。
4.如權(quán)利要求3所述的像素單元驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，所述驅(qū)動(dòng)控制單元包括第二開(kāi)關(guān)元件、第三開(kāi)關(guān)元件、第四開(kāi)關(guān)元件和第五開(kāi)關(guān)元件，其中， 所述驅(qū)動(dòng)效應(yīng)晶體管的漏極和所述驅(qū)動(dòng)電源的低電平輸出端之間連接有第二開(kāi)關(guān)元件； 所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的源極和所述存儲(chǔ)電容的第二端之間連接有第三開(kāi)關(guān)元件； 所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的柵極和所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的漏極之間連接有第四開(kāi)關(guān)元件; 所述存儲(chǔ)電容的第二端與數(shù)據(jù)線之間連接有第五開(kāi)關(guān)元件。
5.如權(quán)利要求4所述的像素單元驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，所述第二開(kāi)關(guān)元件、所述第三開(kāi)關(guān)元件、所述第四開(kāi)關(guān)元件和所述第五開(kāi)關(guān)元件為P型薄膜晶體管； 所述第二開(kāi)關(guān)元件，柵極與第二控制線連接，源極與所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的漏極連接，漏極與所述驅(qū)動(dòng)電源的低電平輸出端連接； 所述第三開(kāi)關(guān)元件，柵極與第三控制線連接，源極與所述存儲(chǔ)電容的第二端連接，漏極與所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的源極連接； 所述第四開(kāi)關(guān)元件，柵極與用于傳輸控制信號(hào)的掃描線連接，源極與所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的柵極連接，漏極與所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的漏極連接； 所述第五開(kāi)關(guān)元件，柵極與所述掃描線連接，源極與所述數(shù)據(jù)線連接，漏極與所述存儲(chǔ)電容的第二端連接。
6.一種像素單元驅(qū)動(dòng)方法，其應(yīng)用于如權(quán)利要求I所述的像素單元驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，所述像素單元驅(qū)動(dòng)方法包括以下步驟 像素充電步驟驅(qū)動(dòng)控制單元控制存儲(chǔ)電容被充電； 像素放電步驟所述驅(qū)動(dòng)控制單元控制所述存儲(chǔ)電容通過(guò)驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管放電，直至所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的柵源電壓為所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的閾值電壓Vth ； 驅(qū)動(dòng)OLED發(fā)光顯示步驟所述驅(qū)動(dòng)控制單元控制所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管工作于飽和區(qū)，并控制所述存儲(chǔ)電容兩端的電壓差值不變，以使得所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的柵源電壓補(bǔ)償所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的閾值電壓Vth，通過(guò)所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管驅(qū)動(dòng)OLED發(fā)光。
7.如權(quán)利要求6所述的像素單元驅(qū)動(dòng)方法，其特征在于， 所述像素充電步驟包括第一開(kāi)關(guān)元件斷開(kāi)所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的漏極與所述OLED的連接；所述驅(qū)動(dòng)控制單元導(dǎo)通數(shù)據(jù)線和所述存儲(chǔ)電容的第二端的連接，導(dǎo)通所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的柵極和所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的漏極的連接，導(dǎo)通所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的漏極和所述驅(qū)動(dòng)電源的低電平輸出端的連接，斷開(kāi)所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的源極和所述存儲(chǔ)電容的第二端的連接，控制所述存儲(chǔ)電容被充電； 所述像素放電步驟包括所述驅(qū)動(dòng)控制單元斷開(kāi)所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的漏極與所述驅(qū)動(dòng)電源的低電平輸出端的連接，控制所述存儲(chǔ)電容通過(guò)所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管放電，直至所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的柵源電壓為所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的閾值電壓Vth ； 所述驅(qū)動(dòng)OLED發(fā)光顯示步驟包括所述第一開(kāi)關(guān)元件導(dǎo)通所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的漏極與所述OLED的連接；所述驅(qū)動(dòng)控制單元導(dǎo)通所述存儲(chǔ)電容的第二端和所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的源極的連接，斷開(kāi)所述數(shù)據(jù)線和所述存儲(chǔ)電容的第二端的連接，斷開(kāi)所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的柵極和所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的漏極的連接，控制所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管工作于飽和區(qū)，并所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的柵源電壓補(bǔ)償所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的閾值電壓Vth，通過(guò)所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管驅(qū)動(dòng)OLED發(fā)光。
8.一種像素單元，其特征在于，包括OLED和如權(quán)利要求I至5中任一權(quán)利要求所述的像素單元驅(qū)動(dòng)電路，所述像素單元驅(qū)動(dòng)電路與所述OLED的陽(yáng)極連接，所述OLED的陰極與驅(qū)動(dòng)電源的低電平輸出端連接。
9.一種顯示裝置，其特征在于，包括多個(gè)如權(quán)利要求8所述的像素單元。
全文摘要
本發(fā)明提供一種像素單元驅(qū)動(dòng)電路和方法、像素單元以及顯示裝置，所述像素單元驅(qū)動(dòng)電路包括驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管、第一開(kāi)關(guān)元件、存儲(chǔ)電容和驅(qū)動(dòng)控制單元；驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管，源極與驅(qū)動(dòng)電源的高電平輸出端連接，柵極與存儲(chǔ)電容的第一端連接，漏極通過(guò)第一開(kāi)關(guān)元件與OLED的陽(yáng)極連接；存儲(chǔ)電容的第二端通過(guò)驅(qū)動(dòng)控制單元分別與驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的源極和數(shù)據(jù)線連接；驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的柵極通過(guò)驅(qū)動(dòng)控制單元分別與驅(qū)動(dòng)電源的低電平輸出端和驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的漏極連接；本發(fā)明通過(guò)控制存儲(chǔ)電容充放電，以控制驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管工作于飽和區(qū)而驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的柵源電壓補(bǔ)償驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的閾值電壓，解決OLED面板亮度不均勻和亮度衰減的問(wèn)題。
文檔編號(hào)G09G3/32GK102708789SQ20111039394
公開(kāi)日2012年10月3日 申請(qǐng)日期2011年12月1日 優(yōu)先權(quán)日2011年12月1日
發(fā)明者吳博, 祁小敬, 譚文, 高永益 申請(qǐng)人:京東方科技集團(tuán)股份有限公司, 成都京東方光電科技有限公司