專利名稱：Amoled驅(qū)動(dòng)補(bǔ)償電路、方法及其顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及AMOLED領(lǐng)域，尤其涉及一種AMOLED驅(qū)動(dòng)補(bǔ)償電路、方法及其顯示裝置。
背景技術(shù)：
有源矩陣有機(jī)發(fā)光二極體面板(ActiveMatrix Organic Light Emitting Diode,AMOLED)能夠發(fā)光是由驅(qū)動(dòng)電路中的驅(qū)動(dòng)薄膜晶管產(chǎn)生的驅(qū)動(dòng)電流所驅(qū)動(dòng)的，但是，隨著時(shí)間的變化，驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的閾值電壓可能會(huì)變化，因而會(huì)造成輸入相同的灰階電壓時(shí)，產(chǎn)生的驅(qū)動(dòng)電流不一致，從而使所驅(qū)動(dòng)的AMOLED的亮度不同。目前，解決這一問題的主要方 法是加入驅(qū)動(dòng)補(bǔ)償電路，消除閾值電壓的影響，從而達(dá)到一致的驅(qū)動(dòng)電流，改善面板的亮度均勻性。在實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的過程中，發(fā)明人發(fā)現(xiàn)現(xiàn)有技術(shù)中至少存在如下問題現(xiàn)有的AMOLED驅(qū)動(dòng)補(bǔ)償電路往往需要5到6個(gè)薄膜晶體管設(shè)置在同一個(gè)像素區(qū)域內(nèi)，所以會(huì)降低開口率。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的實(shí)施例提供一種AMOLED驅(qū)動(dòng)補(bǔ)償電路、方法及其顯示裝置，能夠增加開口率。為達(dá)到上述目的，本發(fā)明的實(shí)施例采用如下技術(shù)方案一種AMOLED驅(qū)動(dòng)補(bǔ)償電路，包括設(shè)置在像素區(qū)域內(nèi)的數(shù)個(gè)驅(qū)動(dòng)電路，用于驅(qū)動(dòng)數(shù)個(gè)AMOLED ；設(shè)置在像素區(qū)域之外的外部補(bǔ)償電路，用于消除所述設(shè)置在像素區(qū)域內(nèi)的數(shù)個(gè)驅(qū)動(dòng)電路中驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的閾值電壓對(duì)通過所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的驅(qū)動(dòng)電流的影響。所述設(shè)置在像素區(qū)域內(nèi)的每個(gè)驅(qū)動(dòng)電路包括第一薄膜晶體管、驅(qū)動(dòng)電容、驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管以及AMOLED ；所述第一薄膜晶體管，其源極連接數(shù)據(jù)線；所述驅(qū)動(dòng)電容，其第一端連接所述第一薄膜晶體管的漏極；所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管，其柵極連接所述第一薄膜晶體管的漏極；所述AM0LED，其輸入端連接工作電壓輸出端，其輸出端連接所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的漏極；所述第一薄膜晶體管和驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管為n溝道薄膜晶體管；所述設(shè)置在像素區(qū)域之外的外部補(bǔ)償電路包括第二薄膜晶體管、第三薄膜晶體管、補(bǔ)償電容、第四薄膜晶體管、第五薄膜晶體管、第六薄膜晶體管以及第七薄膜晶體管；所述第二薄膜晶體管，其源極接地，其柵極連接第二時(shí)鐘信號(hào)輸出端，其漏極連接所述驅(qū)動(dòng)電容的第二端；所述第三薄膜晶體管，其源極連接所述第二薄膜晶體管的漏極，其柵極連接所述第二時(shí)鐘信號(hào)輸出端；所述補(bǔ)償電容，其第一端連接所述第三薄膜晶體管的漏極；所述第四薄膜晶體管，其源極連接所述補(bǔ)償電容的第二端，其柵極連接所述第二時(shí)鐘信號(hào)輸出端，其漏極連接所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的源極；所述第五薄膜晶體管，其源極接地，其柵極連接所述第二時(shí)鐘信號(hào)輸出端，其漏極連接所述第四薄膜晶體管的源極；所述第六薄膜晶體管，其源極連接參考電壓輸出端，其柵極連接第一時(shí)鐘信號(hào)輸出端，其漏極連接所述第二薄膜晶體管的漏極；第七薄膜晶體管，其源極連接參考電壓輸出端，其柵極連接第一時(shí)鐘信號(hào)輸出端，其漏極連接所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的柵極；所述第一薄膜晶體管的柵極連接所述第二時(shí)鐘信號(hào)輸出端；所述第二薄膜晶體管、第六薄膜晶體管以及第七薄膜晶體管為n溝道薄膜晶體管；所述第三薄膜晶體管、第四薄膜晶體管以及第五薄膜晶體管為p溝道薄膜晶體管。所述第一時(shí)鐘信號(hào)與所述第二時(shí)鐘信號(hào)均包括第一階段、第二階段與第三階段；第一階段，所述第一時(shí)鐘信號(hào)輸出端為高電平，所述第二時(shí)鐘信號(hào)為低電平；第二階段，所述第一時(shí)鐘信號(hào)輸出端為低電平，所述第二時(shí)鐘信號(hào)為高電平；第三階段，所述第一時(shí)鐘信號(hào)輸出端為低電平，所述第二時(shí)鐘信號(hào)為低電平。 一種AMOLED驅(qū)動(dòng)補(bǔ)償方法，包括第一階段，存儲(chǔ)設(shè)置在像素區(qū)域內(nèi)的數(shù)個(gè)驅(qū)動(dòng)電路的驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的閾值電壓；第二階段，存儲(chǔ)所述設(shè)置在像素區(qū)域內(nèi)的數(shù)個(gè)驅(qū)動(dòng)電路的灰階電壓；第三階段，所述設(shè)置在像素區(qū)域內(nèi)的數(shù)個(gè)驅(qū)動(dòng)電路的驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的柵極電壓跳變?yōu)樗鲩撝惦妷号c所述灰階電壓的和。所述第一階段，存儲(chǔ)設(shè)置在像素區(qū)域內(nèi)的數(shù)個(gè)驅(qū)動(dòng)電路的驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的閾值電壓為第一時(shí)鐘信號(hào)輸出端為高電平，第二時(shí)鐘信號(hào)輸出端為低電平，第三薄膜晶體管、第四薄膜晶體管、第六薄膜晶體管以及第七薄膜晶體管導(dǎo)通，第一薄膜晶體管、第二薄膜晶體管以及第五薄膜晶體管截止，補(bǔ)償電容上的電壓差為所述設(shè)置在像素區(qū)域內(nèi)的數(shù)個(gè)驅(qū)動(dòng)電路的驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的閾值電壓；所述第二階段，存儲(chǔ)所述設(shè)置在像素區(qū)域內(nèi)的數(shù)個(gè)驅(qū)動(dòng)電路的灰階電壓為第一時(shí)鐘信號(hào)輸出端為低電平，第二時(shí)鐘信號(hào)輸出端為高電平，第三薄膜晶體管、第四薄膜晶體管、第六薄膜晶體管以及第七薄膜晶體管截止，第一薄膜晶體管、第二薄膜晶 體管以及第五薄膜晶體管導(dǎo)通，驅(qū)動(dòng)電容上的電壓差為數(shù)據(jù)線輸入的所述設(shè)置在像素區(qū)域內(nèi)的數(shù)個(gè)驅(qū)動(dòng)電路的灰階電壓；所述第三階段，所述設(shè)置在像素區(qū)域內(nèi)的數(shù)個(gè)驅(qū)動(dòng)電路的驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的柵極電壓跳變?yōu)樗鲩撝惦妷号c所述灰階電壓的和為第一時(shí)鐘信號(hào)輸出端為低電平，第二時(shí)鐘信號(hào)輸出端為低電平，第三薄膜晶體管、第四薄膜晶體管以及第五薄膜晶體管導(dǎo)通，第一薄膜晶體管、第二薄膜晶體管、第六薄膜晶體管以及第七薄膜晶體管截止，所述設(shè)置在像素區(qū)域內(nèi)的數(shù)個(gè)驅(qū)動(dòng)電路的驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的柵極電壓跳變?yōu)樗鲩撝惦妷号c所述灰階電壓的和。一種顯示裝置，包括上述的AMOLED驅(qū)動(dòng)補(bǔ)償電路。本發(fā)明實(shí)施例提供的AMOLED驅(qū)動(dòng)補(bǔ)償電路及其方法，由于外部補(bǔ)償電路設(shè)置在像素區(qū)域之外，能夠同時(shí)補(bǔ)償像素區(qū)域內(nèi)的數(shù)個(gè)驅(qū)動(dòng)電路的驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的閾值電壓，像素區(qū)域內(nèi)只有用于驅(qū)動(dòng)AMOLED的驅(qū)動(dòng)電路，從而能夠增加開口率。


為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。 圖I為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種AMOLED驅(qū)動(dòng)補(bǔ)償電路的電路圖；圖2為圖I中電路的時(shí)鐘信號(hào)的時(shí)序圖；圖3為圖I中電路在第一階段的等效電路圖；圖4為圖I中電路在第二階段的等效電路圖；圖5為圖I中電路在第三階段的等效電路圖；圖6為本發(fā)明實(shí)施例提供的另一種AMOLED驅(qū)動(dòng)補(bǔ)償電路的電路圖；圖7為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種AMOLED驅(qū)動(dòng)補(bǔ)償方法的流程圖。
具體實(shí)施例方式下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例。基于本發(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。本發(fā)明實(shí)施例提供一種AMOLED驅(qū)動(dòng)補(bǔ)償電路，包括設(shè)置在像素區(qū)域內(nèi)的數(shù)個(gè)驅(qū)動(dòng)電路，用于驅(qū)動(dòng)數(shù)個(gè)AMOLED ；每個(gè)驅(qū)動(dòng)電路如傳統(tǒng)的2T1C ( 二薄膜晶體管與一電容)電路，包括驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管，通過驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的驅(qū)動(dòng)電流驅(qū)動(dòng)AMOLED發(fā)光。設(shè)置在像素區(qū)域之外的外部補(bǔ)償電路，用于消除設(shè)置在像素區(qū)域內(nèi)的數(shù)個(gè)驅(qū)動(dòng)電路中驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的閾值電壓對(duì)通過所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的驅(qū)動(dòng)電流的影響，使得通過驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的驅(qū)動(dòng)電流與驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的閾值電壓無關(guān)，從而提高了驅(qū)動(dòng)電流的一致性?，F(xiàn)有技術(shù)在每一個(gè)像素區(qū)域內(nèi)除了驅(qū)動(dòng)電路，還需要設(shè)置5到6個(gè)薄膜晶體管組成的補(bǔ)償電路，而本發(fā)明實(shí)施例提供的AMOLED驅(qū)動(dòng)補(bǔ)償電路，由于外部補(bǔ)償電路設(shè)置在像素區(qū)域之外，能夠同時(shí)補(bǔ)償像素區(qū)域內(nèi)的數(shù)個(gè)驅(qū)動(dòng)電路的驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的閾值電壓，像素區(qū)域內(nèi)只有用于驅(qū)動(dòng)AMOLED的驅(qū)動(dòng)電路，從而能夠增加開口率。具體地，如圖I所示，設(shè)置在像素區(qū)域內(nèi)的每個(gè)驅(qū)動(dòng)電路包括第一薄膜晶體管Tl、驅(qū)動(dòng)電容Cst、驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管T8以及AMOLED ;其中第一薄膜晶體管Tl，其源極連接數(shù)據(jù)線；驅(qū)動(dòng)電容Cst，其第一端連接第一薄膜晶體管Tl的漏極；驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管T8，其柵極連接第一薄膜晶體管Tl的漏極;AM0LED，其陽極連接工作電壓輸出端，具體為電壓源VDD，其陰極連接驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管T8的漏極；第一薄膜晶體管和驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管為n溝道薄膜晶體管。一行像素區(qū)域包括n個(gè)像素區(qū)域Pixel_l、Pixel_2、. . .、Pixel_n，其中n為大于I的自然數(shù)，每個(gè)驅(qū)動(dòng)電路分別設(shè)置在每一個(gè)像素區(qū)域內(nèi)，n個(gè)像素區(qū)域內(nèi)的n個(gè)第一薄膜晶體管Tl的源極分別連接N條數(shù)據(jù)線Datal、Data2、. . .、Datan,其中n為大于一的自然數(shù)。設(shè)置在像素區(qū)域之外的外部補(bǔ)償電路包括第二薄膜晶體管T2、第三薄膜晶體管 T3、補(bǔ)償電容Cth、第四薄膜晶體管T4、第五薄膜晶體管T5、第六薄膜晶體管T6以及第七薄膜晶體管17 ;其中第二薄膜晶體管T2，其源極接地，其柵極連接第二時(shí)鐘信號(hào)輸出端Cl，其漏極連接驅(qū)動(dòng)電容Cst的第二端；第三薄膜晶體管T3，其源極連接第二薄膜晶體管T2的漏極，其柵極連接第二時(shí)鐘信號(hào)輸出端Cl ;補(bǔ)償電容Cth，其第一端連接第三薄膜晶體管T3的漏極；第四薄膜晶體管T4，其源極連接補(bǔ)償電容Cth的第二端，其柵極連接第二時(shí)鐘信號(hào)輸出端Cl，其漏極連接驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管T8的源極；第五薄膜晶體管T5，其源極接地，其柵極連接第二時(shí)鐘信號(hào)輸出端Cl，其漏極連接第四薄膜晶體管T4的源極；第六薄膜晶體管T6，其源極連接參考電壓輸出端VREF，其柵極連接第一時(shí)鐘信號(hào)輸出端G1，其漏極連接第二薄膜晶體管T2的漏極；第七薄膜晶體管17，其源極連接參考電壓輸出端VREF，其柵極連接第一時(shí)鐘信號(hào)輸出端G1，其漏極連接驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管T8的柵極；第一薄膜晶體管Tl的柵極連接第二時(shí)鐘信號(hào)輸出端Cl ;第二薄膜晶體管T2、第六薄膜晶體管T6以及第七薄膜晶體管T7為n溝道薄膜晶體管；第三薄膜晶體管T3、第四薄膜晶體管T4以及第五薄膜晶體管T5為P溝道薄膜晶體管。進(jìn)一步地，如圖2所示，第一時(shí)鐘信號(hào)Gl與第二時(shí)鐘信號(hào)Cl均包括第一階段Hl、第二階段H2與第三階段H3 ;第一階段Hl，第一時(shí)鐘信號(hào)輸出端Gl為高電平，第二時(shí)鐘信號(hào)Cl為低電平；第二階段H2,第一時(shí)鐘信號(hào)輸出端Gl為低電平,第二時(shí)鐘信號(hào)Cl為高電平；第三階段H3,第一時(shí)鐘信號(hào)輸出端Gl為低電平,第二時(shí)鐘信號(hào)Cl為低電平。以下通過一行像素的充電過程詳細(xì)描述本方案，如圖I所示，定義補(bǔ)償電容Cth與第三薄膜晶體管T3連接的第一端為第一節(jié)點(diǎn)A :補(bǔ)償電容Cth與第四薄膜晶體管連接的第二端為第二節(jié)點(diǎn)B ;驅(qū)動(dòng)電容Cst與第一薄膜晶體管Tl連接的第一端為第三節(jié)點(diǎn)C，驅(qū)動(dòng)電容Cst與第二薄膜晶體管T2連接的第二端為第四節(jié)點(diǎn)D。第一階段Hl為預(yù)充電階段，此時(shí)，第一時(shí)鐘信號(hào)輸出端Gl為高電平，第二時(shí)鐘信號(hào)輸出端Cl為低電平，第三薄膜晶體管T3、第四薄膜晶體管T4、第六薄膜晶體管T6以及第七薄膜晶體管17導(dǎo)通，第一薄膜晶體管Tl、第二薄膜晶體管T2以及第五薄膜晶體管T5截止，此時(shí)電路等效為如圖3所示的電路，參考電壓輸出端VREF對(duì)補(bǔ)償電容充電，使得第一節(jié)點(diǎn)A的電壓為參考電壓輸出端VREF上的參考電壓Vref，第二節(jié)點(diǎn)B的電壓為參考電壓Vref與驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管T8的閾值電壓Vth的差，為Vref-Vth，也就是補(bǔ)償電容Cth上的電壓差為驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管T8的閾值電壓Vth，需要說明的是，上述一行像素區(qū)域內(nèi)的驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管T8需要采用相同的工藝制作，以保證此行中的每個(gè)驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管T8的閾值電壓相同，都為Vth。
第二 階段H2為灰階電壓輸入階段，此時(shí)，第一時(shí)鐘信號(hào)輸出端Gl為低電平，第二時(shí)鐘信號(hào)輸出端Cl為高電平，第三薄膜晶體管T3、第四薄膜晶體管T4、第六薄膜晶體管T6以及第七薄膜晶體管17截止，第一薄膜晶體管Tl、第二薄膜晶體管T2以及第五薄膜晶體管T5導(dǎo)通，此時(shí)電路等效為如圖4所示的電路，以下以一個(gè)像素區(qū)域Pixel_l內(nèi)驅(qū)動(dòng)電路的工作原理為例說明本方案，數(shù)據(jù)線Datal對(duì)驅(qū)動(dòng)電容Cst充電，使得第三節(jié)點(diǎn)C的電壓為數(shù)據(jù)線Datal輸入的灰階電壓Vdatal，第四節(jié)點(diǎn)D的電壓為零，也就是驅(qū)動(dòng)電容Cst上的電壓差為數(shù)據(jù)線Datal輸入的灰階電壓Vdatal。第三階段H3為發(fā)光階段,此時(shí),第一時(shí)鐘信號(hào)輸出端Gl為低電平,第二時(shí)鐘信號(hào)輸出端Cl為低電平，第三薄膜晶體管T3、第四薄膜晶體管T4以及第五薄膜晶體管T5導(dǎo)通，第一薄膜晶體管Tl、第二薄膜晶體管T2、第六薄膜晶體管T6以及第七薄膜晶體管T7截止，此時(shí)電路等效為如圖5所示的電路，第二節(jié)點(diǎn)B接地，電壓為零，由于在第一階段H1，補(bǔ)償電容Cth上存儲(chǔ)的電壓差為驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管T8的閾值電壓Vth，因此在第三階段H3，第一節(jié)點(diǎn)A，也就是第四節(jié)點(diǎn)D的電壓為驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管T8的閾值電壓Vth，由于在第二階段H2，驅(qū)動(dòng)電容Cst上的電壓差為數(shù)據(jù)線Datal輸入的灰階電壓Vdatal，因此在第三階段H3，第三節(jié)點(diǎn)C的電壓跳變?yōu)轵?qū)動(dòng)薄膜晶體管T8的閾值電壓Vth與數(shù)據(jù)線Datal輸入的灰階電壓Vdatal的和，為Vth+Vdatal,即驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管T8的柵極電壓Vgs = Vth+Vdatal,通過驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管T8的驅(qū)動(dòng)電流為I = k (Vgs-Vth)2 = k (datal+Vth-Vth)2 = k (Vdatal)2,其中k = ii eff X CoxX (W/L)/2，U eff表示驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管T8的載流子有效遷移率，Cox表示驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管T8的柵絕緣層介電常數(shù)，W/L表示驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管T8的溝道寬長(zhǎng)比。通過上述表達(dá)式，通過驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管T8的驅(qū)動(dòng)電流I與其閾值電壓Vth無關(guān)，消除了驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管T8的閾值電壓Vth對(duì)通過所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管T8的驅(qū)動(dòng)電流I的影響。上述參考電壓輸出端也可以為電源端VDD。上述第一階段Hl與第二階段H2時(shí)間較短，而第三階段H3較長(zhǎng)用于使面板發(fā)光顯示?，F(xiàn)有技術(shù)中驅(qū)動(dòng)電流的表達(dá)式中通常包含Vdd，由于電壓降(IR Drop)的問題，電源電壓Vdd的變化會(huì)進(jìn)一步影響面板的現(xiàn)實(shí)效果，而本發(fā)明實(shí)施例中驅(qū)動(dòng)電流的表達(dá)式中不含電源端VDD的電源電壓Vdd,從而進(jìn)一步改善IR Drop的問題。一行中每個(gè)像素區(qū)域內(nèi)驅(qū)動(dòng)電路的工作原理都與上述一個(gè)像素區(qū)域Pixel_l內(nèi)驅(qū)動(dòng)電路的工作原理相同，在此不再贅述。以上僅以一行像素的充電過程詳細(xì)描述了本方案，如圖6所示，還可以在多行像素區(qū)域之外分別設(shè)置與之對(duì)應(yīng)的外部補(bǔ)償電路構(gòu)成AMOLED驅(qū)動(dòng)補(bǔ)償電路，其中包括m個(gè)第一時(shí)鐘信號(hào)G1、G2、. . .、Gm邱個(gè)第一時(shí)鐘信號(hào)Cl、
C2.....Cm，其中m為大于一得自然數(shù)，AMOLED驅(qū)動(dòng)補(bǔ)償電路的連接關(guān)系與工作原理與上述
實(shí)施例相同，在此不再贅述。本發(fā)明實(shí)施例提供的AMOLED驅(qū)動(dòng)補(bǔ)償電路，使得設(shè)置在像素區(qū)域之外的外部補(bǔ)償電路同時(shí)補(bǔ)償一行像素區(qū)域內(nèi)數(shù)個(gè)驅(qū)動(dòng)電路的驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的閾值電壓，像素區(qū)域內(nèi)只有用于驅(qū)動(dòng)AMOLED的驅(qū)動(dòng)電路，從而能夠增加開口率。本發(fā)明實(shí)施例還提供一種AMOLED驅(qū)動(dòng)補(bǔ)償方法，該方法應(yīng)用于上述實(shí)施例提供的AMOLED驅(qū)動(dòng)補(bǔ)償電路，如圖7所示，包括步驟101、第一階段，存儲(chǔ)設(shè)置在像素區(qū)域內(nèi)的數(shù)個(gè)驅(qū)動(dòng)電路的驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的閾值電壓；步驟102、第二階段，存儲(chǔ)所述設(shè)置在像素區(qū)域內(nèi)的數(shù)個(gè)驅(qū)動(dòng)電路的灰階電壓；步驟103、第三階段，設(shè)置在像素區(qū)域內(nèi)的數(shù)個(gè)驅(qū)動(dòng)電路的驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的柵極電壓跳變?yōu)殚撝惦妷号c灰階電壓的和。而本發(fā)明實(shí)施例提供的AMOLED驅(qū)動(dòng)補(bǔ)償方法，由于通過設(shè)置在像素區(qū)域之外的外部補(bǔ)償電路同時(shí)補(bǔ)償像素區(qū)域內(nèi)的數(shù)個(gè)驅(qū)動(dòng)電路的驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的閾值電壓，像素區(qū)域內(nèi)只有用于驅(qū)動(dòng)AMOLED的驅(qū)動(dòng)電路，從而能夠增加開口率。第一階段，存儲(chǔ)設(shè)置在像素區(qū)域內(nèi)的數(shù)個(gè)驅(qū)動(dòng)電路的驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的閾值電壓 具體為第一時(shí)鐘信號(hào)輸出端為高電平，第二時(shí)鐘信號(hào)輸出端為低電平，第三薄膜晶體管、第四薄膜晶體管、第六薄膜晶體管以及第七薄膜晶體管導(dǎo)通，第一薄膜晶體管、第二薄膜晶體管以及第五薄膜晶體管截止，補(bǔ)償電容上的電壓差為設(shè)置在像素區(qū)域內(nèi)的數(shù)個(gè)驅(qū)動(dòng)電路的驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的閾值電壓；第二階段，存儲(chǔ)所述設(shè)置在像素區(qū)域內(nèi)的數(shù)個(gè)驅(qū)動(dòng)電路的灰階電壓具體為第一時(shí)鐘信號(hào)輸出端為低電平，第二時(shí)鐘信號(hào)輸出端為高電平，第三薄膜晶體管、第四薄膜晶體管、第六薄膜晶體管以及第七薄膜晶體管截止，第一薄膜晶體管、第二薄膜晶體管以及第五薄膜晶體管導(dǎo)通，驅(qū)動(dòng)電容上的電壓差為數(shù)據(jù)線輸入的設(shè)置在像素區(qū)域內(nèi)的數(shù)個(gè)驅(qū)動(dòng)電路的灰階電壓；第三階段，設(shè)置在像素區(qū)域內(nèi)的數(shù)個(gè)驅(qū)動(dòng)電路的驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的柵極電壓跳變?yōu)殚撝惦妷号c灰階電壓的和具體為第一時(shí)鐘信號(hào)輸出端為低電平，第二時(shí)鐘信號(hào)輸出端為低電平，第三薄膜晶體管、第四薄膜晶體管以及第五薄膜晶體管導(dǎo)通，第一薄膜晶體管、第二薄膜晶體管、第六薄膜晶體管以及第七薄膜晶體管截止，所述設(shè)置在像素區(qū)域內(nèi)的數(shù)個(gè)驅(qū)動(dòng)電路的驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的柵極電壓跳變?yōu)樗鲩撝惦妷号c所述灰階電壓的和。本發(fā)明實(shí)施例提供的AMOLED驅(qū)動(dòng)補(bǔ)償方法具體的工作原理與上述實(shí)施例相同，在此不再贅述。設(shè)置在像素區(qū)域之外的外部補(bǔ)償電路同時(shí)補(bǔ)償像素區(qū)域內(nèi)的數(shù)個(gè)驅(qū)動(dòng)電路的驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的閾值電壓，像素區(qū)域內(nèi)只有用于驅(qū)動(dòng)AMOLED的驅(qū)動(dòng)電路，從而能夠增加開口率。本發(fā)明實(shí)施例還提供一種顯示裝置，包括上述的AMOLED驅(qū)動(dòng)補(bǔ)償電路。驅(qū)動(dòng)補(bǔ)償方法以及工作原理與上述實(shí)施例相同，在此不再贅述。設(shè)置在像素區(qū)域之外的外部補(bǔ)償電路同時(shí)補(bǔ)償像素區(qū)域內(nèi)的數(shù)個(gè)驅(qū)動(dòng)電路的驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的閾值電壓，像素區(qū)域內(nèi)只有用于驅(qū)動(dòng)AMOLED的驅(qū)動(dòng)電路，從而能夠增加開口率。以上所述，僅為本發(fā)明的具體實(shí)施方式
，但本發(fā)明的保護(hù)范圍并不局限于此，任何熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本發(fā)明揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到變化或替換，都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。因此，本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)以所述權(quán)利要求的保護(hù)范圍為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種AMOLED驅(qū)動(dòng)補(bǔ)償電路，其特征在于，包括 設(shè)置在像素區(qū)域內(nèi)的數(shù)個(gè)驅(qū)動(dòng)電路，用于驅(qū)動(dòng)數(shù)個(gè)AMOLED ； 設(shè)置在像素區(qū)域之外的外部補(bǔ)償電路，用于消除所述設(shè)置在像素區(qū)域內(nèi)的數(shù)個(gè)驅(qū)動(dòng)電路中驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的閾值電壓對(duì)通過所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的驅(qū)動(dòng)電流的影響。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的AMOLED驅(qū)動(dòng)補(bǔ)償電路，其特征在于， 所述設(shè)置在像素區(qū)域內(nèi)的每個(gè)驅(qū)動(dòng)電路包括第一薄膜晶體管、驅(qū)動(dòng)電容、驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管以及AMOLED ； 所述第一薄膜晶體管，其源極連接數(shù)據(jù)線； 所述驅(qū)動(dòng)電容，其第一端連接所述第一薄膜晶體管的漏極； 所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管，其柵極連接所述第一薄膜晶體管的漏極； 所述AM0LED，其輸入端連接工作電壓輸出端，其輸出端連接所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的漏極； 所述第一薄膜晶體管和驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管為n溝道薄膜晶體管。
3.根據(jù)權(quán)利要求I或2所述的AMOLED驅(qū)動(dòng)補(bǔ)償電路，其特征在于， 所述設(shè)置在像素區(qū)域之外的外部補(bǔ)償電路包括 第二薄膜晶體管、第三薄膜晶體管、補(bǔ)償電容、第四薄膜晶體管、第五薄膜晶體管、第六薄膜晶體管以及第七薄膜晶體管； 所述第二薄膜晶體管，其源極接地，其柵極連接第二時(shí)鐘信號(hào)輸出端，其漏極連接所述驅(qū)動(dòng)電容的第二端； 所述第三薄膜晶體管，其源極連接所述第二薄膜晶體管的漏極，其柵極連接所述第二時(shí)鐘信號(hào)輸出端； 所述補(bǔ)償電容，其第一端連接所述第三薄膜晶體管的漏極； 所述第四薄膜晶體管，其源極連接所述補(bǔ)償電容的第二端，其柵極連接所述第二時(shí)鐘信號(hào)輸出端，其漏極連接所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的源極； 所述第五薄膜晶體管，其源極接地，其柵極連接所述第二時(shí)鐘信號(hào)輸出端，其漏極連接所述第四薄膜晶體管的源極； 所述第六薄膜晶體管，其源極連接參考電壓輸出端，其柵極連接第一時(shí)鐘信號(hào)輸出端，其漏極連接所述第二薄膜晶體管的漏極； 第七薄膜晶體管，其源極連接參考電壓輸出端，其柵極連接第一時(shí)鐘信號(hào)輸出端，其漏極連接所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的柵極； 所述第一薄膜晶體管的柵極連接所述第二時(shí)鐘信號(hào)輸出端； 所述第二薄膜晶體管、第六薄膜晶體管以及第七薄膜晶體管為n溝道薄膜晶體管； 所述第三薄膜晶體管、第四薄膜晶體管以及第五薄膜晶體管為P溝道薄膜晶體管。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的AMOLED驅(qū)動(dòng)補(bǔ)償電路，其特征在于， 所述第一時(shí)鐘信號(hào)與所述第二時(shí)鐘信號(hào)均包括第一階段、第二階段與第三階段； 第一階段，所述第一時(shí)鐘信號(hào)輸出端為高電平，所述第二時(shí)鐘信號(hào)為低電平； 第二階段，所述第一時(shí)鐘信號(hào)輸出端為低電平，所述第二時(shí)鐘信號(hào)為高電平； 第三階段，所述第一時(shí)鐘信號(hào)輸出端為低電平，所述第二時(shí)鐘信號(hào)為低電平。
5.—種AMOLED驅(qū)動(dòng)補(bǔ)償方法，其特征在于，包括第一階段，存儲(chǔ)設(shè)置在像素區(qū)域內(nèi)的數(shù)個(gè)驅(qū)動(dòng)電路的驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的閾值電壓； 第二階段，存儲(chǔ)所述設(shè)置在像素區(qū)域內(nèi)的數(shù)個(gè)驅(qū)動(dòng)電路的灰階電壓； 第三階段，所述設(shè)置在像素區(qū)域內(nèi)的數(shù)個(gè)驅(qū)動(dòng)電路的驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的柵極電壓跳變?yōu)樗鲩撝惦妷号c所述灰階電壓的和。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的AMOLED驅(qū)動(dòng)補(bǔ)償方法，其特征在于， 所述第一階段，存儲(chǔ)設(shè)置在像素區(qū)域內(nèi)的數(shù)個(gè)驅(qū)動(dòng)電路的驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的閾值電壓為 第一時(shí)鐘信號(hào)輸出端為高電平，第二時(shí)鐘信號(hào)輸出端為低電平，第三薄膜晶體管、第四 薄膜晶體管、第六薄膜晶體管以及第七薄膜晶體管導(dǎo)通，第一薄膜晶體管、第二薄膜晶體管以及第五薄膜晶體管截止，補(bǔ)償電容上的電壓差為所述設(shè)置在像素區(qū)域內(nèi)的數(shù)個(gè)驅(qū)動(dòng)電路的驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的閾值電壓； 所述第二階段，存儲(chǔ)所述設(shè)置在像素區(qū)域內(nèi)的數(shù)個(gè)驅(qū)動(dòng)電路的灰階電壓為 第一時(shí)鐘信號(hào)輸出端為低電平，第二時(shí)鐘信號(hào)輸出端為高電平，第三薄膜晶體管、第四薄膜晶體管、第六薄膜晶體管以及第七薄膜晶體管截止，第一薄膜晶體管、第二薄膜晶體管以及第五薄膜晶體管導(dǎo)通，驅(qū)動(dòng)電容上的電壓差為數(shù)據(jù)線輸入的所述設(shè)置在像素區(qū)域內(nèi)的數(shù)個(gè)驅(qū)動(dòng)電路的灰階電壓； 所述第三階段，所述設(shè)置在像素區(qū)域內(nèi)的數(shù)個(gè)驅(qū)動(dòng)電路的驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的柵極電壓跳變?yōu)樗鲩撝惦妷号c所述灰階電壓的和為 第一時(shí)鐘信號(hào)輸出端為低電平，第二時(shí)鐘信號(hào)輸出端為低電平，第三薄膜晶體管、第四薄膜晶體管以及第五薄膜晶體管導(dǎo)通，第一薄膜晶體管、第二薄膜晶體管、第六薄膜晶體管以及第七薄膜晶體管截止，所述設(shè)置在像素區(qū)域內(nèi)的數(shù)個(gè)驅(qū)動(dòng)電路的驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的柵極電壓跳變?yōu)樗鲩撝惦妷号c所述灰階電壓的和。
7.一種顯示裝置，其特征在于，包括如權(quán)利要求I至4中任一項(xiàng)所述的AMOLED驅(qū)動(dòng)補(bǔ)償電路。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種AMOLED驅(qū)動(dòng)補(bǔ)償電路、方法及其顯示裝置，涉及AMOLED領(lǐng)域，能夠增加開口率。該驅(qū)動(dòng)補(bǔ)償電路包括設(shè)置在像素區(qū)域內(nèi)的數(shù)個(gè)驅(qū)動(dòng)電路，用于驅(qū)動(dòng)數(shù)個(gè)AMOLED；設(shè)置在像素區(qū)域之外的外部補(bǔ)償電路，用于消除設(shè)置在像素區(qū)域內(nèi)的數(shù)個(gè)驅(qū)動(dòng)電路中驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的閾值電壓對(duì)通過驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的驅(qū)動(dòng)電流的影響。該驅(qū)動(dòng)補(bǔ)償方法包括第一階段，存儲(chǔ)設(shè)置在像素區(qū)域內(nèi)的數(shù)個(gè)驅(qū)動(dòng)電路的驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的閾值電壓；第二階段，存儲(chǔ)設(shè)置在像素區(qū)域內(nèi)的數(shù)個(gè)驅(qū)動(dòng)電路的灰階電壓；第三階段，設(shè)置在像素區(qū)域內(nèi)的數(shù)個(gè)驅(qū)動(dòng)電路的驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的柵極電壓跳變?yōu)殚撝惦妷号c灰階電壓的和。該顯示裝置包括上述AMOLED驅(qū)動(dòng)補(bǔ)償電路。
文檔編號(hào)G09G3/32GK102654975SQ20111034056
公開日2012年9月5日 申請(qǐng)日期2011年11月1日 優(yōu)先權(quán)日2011年11月1日
發(fā)明者李天馬, 祁小敬 申請(qǐng)人:京東方科技集團(tuán)股份有限公司, 成都京東方光電科技有限公司