專利名稱：有源驅(qū)動(dòng)oled器件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及顯示及照明領(lǐng)域，尤其涉及一種有源驅(qū)動(dòng)OLED (有機(jī)電致發(fā)光顯示) 器件。
背景技術(shù)：
AM(有源驅(qū)動(dòng))OLED是下一代顯示技術(shù)，在顯示和發(fā)光特性上具有高效率，在顯示品質(zhì)上和TFT-IXD比具有諸多的優(yōu)點(diǎn)，是目前業(yè)內(nèi)研究的重點(diǎn)OLED器件的驅(qū)動(dòng)方式為電流驅(qū)動(dòng)，亮度與電流量成正比，由于TFT器件長(zhǎng)期工作在直流電壓偏置狀態(tài)下會(huì)發(fā)生器件特性偏移，進(jìn)而電流下降，導(dǎo)致亮度降低。另外還存在電壓滯后效應(yīng)，當(dāng)柵極電壓分別從小到大與從大到小變化的時(shí)候，相同的電壓偏置狀態(tài)處于上升和下降的不同過(guò)程中，通過(guò)器件的電流并不相等。因此為了達(dá)到固定電流驅(qū)動(dòng)的目的， 為了補(bǔ)償TFT的特性不一致或RGB元件特性不一致，每個(gè)像素至少需要兩個(gè)或多個(gè)TFT和一個(gè)儲(chǔ)存電容來(lái)構(gòu)成。非晶硅技術(shù)最成功的應(yīng)用是在液晶生產(chǎn)工藝中，目前的LCD廠家，除少數(shù)使用 LTPS(低溫多晶硅)技術(shù)外，絕大部分使用的是a-Si (非晶硅)技術(shù)。采用a-Si技術(shù)進(jìn)行 AM OLED的生產(chǎn)，設(shè)備完全可以使用目前液晶TFT加工的原有設(shè)備，初期投入成本低。OLED器件是電流驅(qū)動(dòng)器件，a-Si器件的電子遷移率不到lcm2/V-s，較低的載流子遷移率意味著TFT能提供的電流可能會(huì)不充分，a-Si器件在大尺寸、高分辨率的AM OLED上的難度比較大?，F(xiàn)在開(kāi)發(fā)的方向是使用LTPS作為AM OLED的驅(qū)動(dòng)，但工藝復(fù)雜，良率不能保證。

發(fā)明內(nèi)容
發(fā)明目的針對(duì)上述現(xiàn)有存在的問(wèn)題和不足，本發(fā)明的目的是提供一種能提供充分電流的有源驅(qū)動(dòng)OLED器件。技術(shù)方案為實(shí)現(xiàn)上述發(fā)明目的，本發(fā)明采用的技術(shù)方案為一種有源驅(qū)動(dòng)OLED器件，被動(dòng)矩陣驅(qū)動(dòng)電路連接有源驅(qū)動(dòng)OLED發(fā)光材料的陽(yáng)極。所述被動(dòng)矩陣驅(qū)動(dòng)電路可為連接像素電極的信號(hào)電極。所述陽(yáng)極的材料可為銦錫氧化物(ITO)等具有高功函數(shù)、良好的導(dǎo)電性、良好的化學(xué)及形態(tài)的穩(wěn)定性的金屬氧化物或金屬。所述被動(dòng)矩陣驅(qū)動(dòng)電路的輸出電壓可小于有源驅(qū)動(dòng)OLED發(fā)光材料的閾值電壓。有益效果本發(fā)明在AM OLED器件驅(qū)動(dòng)部分設(shè)計(jì)被動(dòng)矩陣驅(qū)動(dòng)電路，以補(bǔ)償進(jìn)入 AM OLED器件里的驅(qū)動(dòng)電流，使基于非晶硅驅(qū)動(dòng)的AM OLED可以應(yīng)用于更大尺寸和更高分辨率的OLED器件，并且獲得良好的良率。


圖1為增加被動(dòng)矩陣驅(qū)動(dòng)電路的有源驅(qū)動(dòng)OLED中單個(gè)像素的電路示意圖2為圖1所示電路部分電壓和電流的時(shí)序關(guān)系示意圖；圖3為增加被動(dòng)矩陣驅(qū)動(dòng)電路的有源驅(qū)動(dòng)OLED中多個(gè)像素的整體示意圖。
具體實(shí)施例方式下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施例，進(jìn)一步闡明本發(fā)明，應(yīng)理解這些實(shí)施例僅用于說(shuō)明本發(fā)明而不用于限制本發(fā)明的范圍，在閱讀了本發(fā)明之后，本領(lǐng)域技術(shù)人員對(duì)本發(fā)明的各種等價(jià)形式的修改均落于本申請(qǐng)所附權(quán)利要求所限定的范圍。如圖1所示，該電路主要包含2個(gè)行開(kāi)關(guān)電極SELECT和Vdkivek，1個(gè)驅(qū)動(dòng)TFT (T4)， 2個(gè)開(kāi)關(guān)TFT (Tl、T2)，1個(gè)存貯電容C和1個(gè)OLED發(fā)光單元。薄膜晶體管T3的柵極和漏極連接在一起，從而使T3具有二極管的性質(zhì)；以及第一信號(hào)電極Idata和第二信號(hào)電極IPM。 在5道曝光生產(chǎn)制程中，第一信號(hào)電極Idata —般在第三層曝光成膜，材料為AL、Ti、Cu等金屬，為主要的信號(hào)電極，第二信號(hào)電極線Ipm在第五層曝光成膜，和像素電極材質(zhì)相同，材料一般為ΙΤ0、Ag等金屬氧化物或金屬，通過(guò)各個(gè)子像素電極連接出來(lái)，直接將電流提供在面板的子像素上，本發(fā)明有源驅(qū)動(dòng)電路部分僅為示例，Ipm可以搭配多種目前已公布的有源驅(qū)動(dòng)OLED的電路結(jié)構(gòu)，本發(fā)明的特點(diǎn)在于新添加了被動(dòng)矩陣驅(qū)動(dòng)電路IPM。如圖2所示，在行選擇信號(hào)(SELECT)為高電平時(shí)，Tl和T2導(dǎo)通，此時(shí)，驅(qū)動(dòng)電源 (VDRIVER)為低電平，T3截止，第一信號(hào)電極(Idata)的電流經(jīng)過(guò)T2對(duì)存貯電容C進(jìn)行充電， 第二信號(hào)電極(Ipm)此時(shí)關(guān)閉，沒(méi)有電流經(jīng)過(guò)。隨著存貯電容C電壓的逐步升高，T4柵極電壓升高，最終使流過(guò)T4的電流等于第一信號(hào)電極Idata的電流，存貯電容C上的電壓維持不變。之后，行選擇信號(hào)變?yōu)榈碗娖?，T1、T2截止，存貯電容C的充放電回路被切斷，C上的電壓將保持不變。由于C與Τ4的柵極和源極并聯(lián)，Τ4具有飽和導(dǎo)通電流的能力。當(dāng)電源電壓恢復(fù)為高電平時(shí)，Τ4導(dǎo)通，流過(guò)電流強(qiáng)度等于第一信號(hào)電極Idata的電流，第二信號(hào)電極 (Ipm)同步打開(kāi)，共同驅(qū)動(dòng)OLED發(fā)光單元發(fā)光，流經(jīng)OLED器件的電流由第一信號(hào)電極Idata 的電流和第二信號(hào)電極Ipm的電流共同控制，Idata通過(guò)TFT開(kāi)關(guān)進(jìn)入OLED器件，Ipm直接把電流加在OLED器件上。圖3示出了有源驅(qū)動(dòng)OLED中多個(gè)像素的整體連線情況，被動(dòng)矩陣驅(qū)動(dòng)電路即為圖 1中的Ip1O
權(quán)利要求
1.一種有源驅(qū)動(dòng)OLED器件，其特征在于被動(dòng)矩陣驅(qū)動(dòng)電路連接有源驅(qū)動(dòng)OLED發(fā)光材料的陽(yáng)極。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述有源驅(qū)動(dòng)OLED器件，其特征在于所述被動(dòng)矩陣驅(qū)動(dòng)電路為連接像素電極的信號(hào)電極。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述有源驅(qū)動(dòng)OLED器件，其特征在于所述陽(yáng)極的材料為金屬氧化物或金屬。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述有源驅(qū)動(dòng) OLED器件，其特征在于所述被動(dòng)矩陣驅(qū)動(dòng)電路的輸出電壓小于有源驅(qū)動(dòng)OLED發(fā)光材料的閾值電壓。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了一種有源驅(qū)動(dòng)OLED器件，被動(dòng)矩陣驅(qū)動(dòng)電路連接有源驅(qū)動(dòng)OLED發(fā)光材料的陽(yáng)極。本發(fā)明在AM OLED器件驅(qū)動(dòng)部分設(shè)計(jì)被動(dòng)矩陣驅(qū)動(dòng)電路，以補(bǔ)償進(jìn)入AM OLED器件里的驅(qū)動(dòng)電流，使基于非晶硅驅(qū)動(dòng)的AM OLED可以應(yīng)用于更大尺寸和更高分辨率的OLED器件，并且獲得良好的良率。
文檔編號(hào)G09G3/32GK102262855SQ201110222360
公開(kāi)日2011年11月30日 申請(qǐng)日期2011年8月4日 優(yōu)先權(quán)日2011年8月4日
發(fā)明者陳鋼 申請(qǐng)人:南京中電熊貓液晶顯示科技有限公司