專利名稱：有源矩陣基板和有機el顯示裝置的制作方法
技術(shù)領域：
本發(fā)明涉及有源矩陣基板和有機EL顯示裝置。更詳細而言，涉及適用于具備有機 EL元件等電流發(fā)光元件的顯示裝置的有源矩陣基板和使用其的有機EL顯示裝置。
背景技術(shù)：
在有機EL顯示裝置的驅(qū)動方式中，存在有無源矩陣方式和有源矩陣方式兩種方式。有源矩陣方式正在成為驅(qū)動方式的主流，特別是在大型顯示裝置的情況下這種傾向顯
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者O在有源矩陣方式的有機EL顯示裝置的像素，通常對一個有機EL元件設置用于傳輸數(shù)據(jù)信號的開關(guān)晶體管和利用通過開關(guān)晶體管傳輸?shù)臄?shù)據(jù)信號使有機EL元件驅(qū)動的驅(qū)動晶體管(例如，參照專利文獻1)。在設置在像素的這些部件與掃描線、信號線等的配線層之間產(chǎn)生寄生電容。作為抑制由于該寄生電容的被稱為串擾(cross talk)的顯示不良的方法，公開有對掃描線和信號線配置作為電場屏蔽的電場圖案的方法(例如，參照專利文獻2)。在每個像素驅(qū)動晶體管的閾值電壓存在偏差的情況下，如果以相同的柵極電壓使各像素的驅(qū)動晶體管驅(qū)動，則在從驅(qū)動晶體管向有機EL元件供給的電流值產(chǎn)生偏差，成為顯示不均的原因。作為解決該問題的方法，已知有通過數(shù)字灰度等級驅(qū)動進行面積灰度等級表現(xiàn)和/或時間分割灰度等級表現(xiàn)的方法。此外，公開有如下方法，即，在進行模擬灰度等級驅(qū)動的情況下，形成所謂的補償電路，該補償電路按照每個像素對驅(qū)動晶體管的閾值電壓的變動進行檢測且補償其變動(例如，參照專利文獻3)。專利文獻1 日本特開2006-47999號公報專利文獻2 日本特開2006-30635號公報專利文獻3 日本特開2005-31630號公報

發(fā)明內(nèi)容
圖8是表示具備補償電路的現(xiàn)有的有機EL顯示裝置的像素的電路圖。在該像素設置有六個晶體管(Tl T6)、兩個電容器(以和以)和一個有機EL元件0LED。在圖8， scan [n-1], scan [η]分別表示第[η_1]、第[η]個掃描線，Vini [η]表示第[η]各初始化電壓線，em[n]表示第[η]各發(fā)光控制線。晶體管Tl響應從掃描線scanfc-l]輸入的掃描信號，通過初始化電壓線Vini [η]使被存儲在電容器Cl、C2的數(shù)據(jù)信號放電，由此將晶體管 Τ4的柵極電壓初始化。晶體管Τ2補償晶體管Τ4的閾值電壓的偏差。晶體管Τ3響應從掃描線scanb]輸入的掃描信號，進行從信號線data輸入的數(shù)據(jù)信號的開關(guān)。晶體管T4響應經(jīng)由晶體管T3輸入的數(shù)據(jù)信號，決定用于向有機EL元件OLED供給電流的電流量。晶體管T5響應從發(fā)光控制線em[n]輸入的發(fā)光信號，進行從電源線ELVDD供給到晶體管T4的電流的開關(guān)。晶體管T6響應從發(fā)光控制線em[n]輸入的發(fā)光信號，進行從晶體管T4供給到有機EL元件OLED的電流的開關(guān)。電容器Cl存儲被輸入晶體管T4的柵極電壓。電容器C2用于輔助電容器Cl。有機EL元件OLED與從晶體管T4被供給的電流對應地發(fā)光。有機 EL元件OLED的陽極與晶體管T6的漏極連接，有機EL元件OLED的陰極與電源線ELVSS連接。接著，參照圖9、10對以圖8的電路圖表示的像素的各部件的配置關(guān)系進行說明。 圖9是表示具備補償電路的現(xiàn)有的有機EL顯示裝置的像素的平面示意圖，圖10是沿圖9 中的X1-X2線的截面示意圖。掃描線scan[n-l]、scan [η]、scan[n+l]、發(fā)光控制線em [η]和初始化電壓線Vini 在同一階層(第一配線層)形成，在圖9的橫方向延伸。另外，在本說明書中，層A和層B 位于同一層是指滿足與層A相接的下層和與層B相接的下層為共同的層，或者是與層A相接的上層和與層B相接的上層為共同的層至少任一方的狀態(tài)。此外，信號線data在第二配線層形成，在圖9的縱方向延伸。此外，晶體管T4的柵極電極102和電源線ELVDD經(jīng)接觸孔在第一配線層和第二配線層形成，在與配置在第一配線層的掃描線等重疊的部分，從第一配線層改換至第二配線層。另外，在圖10，僅圖示柵極電極102的在第二配線層形成的部分。第一配線層配置在比第二配線層更接近基板100的階層。在由掃描線scan[n-l]、掃描線scan[n+l]、電源線ELVDD和信號線data劃分的區(qū)域，各配置一個作為有機EL元件OLED的陽極發(fā)揮作用的像素電極103。該區(qū)域作為一個像素發(fā)揮作用。在像素配置晶體管Tl T6的半導體層101和晶體管T4的柵極電極102。 標注有A的區(qū)域表示作為有機EL顯示裝置的顯示區(qū)域發(fā)揮作用的像素區(qū)域的開口部分。如圖10所示，層間絕緣膜110、第一電極(形成于電源線ELVDD的第一配線層的部分)、層間絕緣膜111和層間絕緣膜112，從基板100 —側(cè)起依次疊層。半導體層101配置在基板100與層間絕緣膜110之間。第一電極配置在層間絕緣膜110與層間絕緣膜111之間。第二電極(柵極電極102和電源線ELVDD的形成在第二配線層的部分)和信號線data 配置在層間絕緣膜111與層間絕緣膜112之間。像素電極103配置在層間絕緣膜112上。 像素電極103的端部被邊緣覆蓋部件113覆蓋。邊緣覆蓋部件113通過覆蓋像素電極103 的端部周邊，能夠防止像素電極103和夾著有機EL層與像素電極103相對配置的陰極(電源線ELVSS)的短路。不與邊緣覆蓋部件113重疊的部分的像素電極103作為顯示區(qū)域A 發(fā)揮作用。圖11是表示圖9所示的像素的配置方式的平面示意圖。另外，在圖11中，僅記載像素電極103和T4的柵極電極102。如圖11所示，有機EL顯示裝置具有并排設置多個像素而形成的結(jié)構(gòu)。在用圖8 11進行了說明的有機EL顯示裝置，當觀測灰度等級間的響應時，觀測到一種現(xiàn)象，該現(xiàn)象表示在剛切換灰度等級之后的幀(1幀為16. 7ms的顯示期間)不能達到本來的亮度，在此后的幀漸漸達到本來的亮度的階梯狀的響應。圖12是表示具備補償電路的現(xiàn)有的有機EL顯示裝置的響應特性的測定結(jié)果的圖表。圖12表示從黑顯示改變?yōu)榘罪@示的情況下的結(jié)果。如圖12所示，在剛從黑顯示改變?yōu)榘罪@示之后的幀，與此后的幀相比較，亮度非常低。這種結(jié)果表示響應時間(到達本來要達到的亮度的90%以上為止的時間)比1幀的時間長。如果響應時間變得比1幀的時間長， 則在使畫面滾動(進行動畫顯示)時，被稱為“拉尾(pull tail)”的不需要的線形圖案被視認，稱為降低顯示性能的原因。這樣，在具有補償電路的現(xiàn)有的有機EL顯示裝置中，在未發(fā)揮有機EL元件本來具有的高速響應特性這方面存在改善的余地。本發(fā)明是鑒于上述現(xiàn)狀而完成的，其目的在于提供抑制了電流發(fā)光元件的響應速度的下降的模擬灰度等級驅(qū)動的有源矩陣基板和有機EL顯示裝置。本發(fā)明的發(fā)明者對抑制了電流發(fā)光元件的響應速度的下降的模擬灰度等級驅(qū)動的有源矩陣基板進行了各種研究后，著眼于電流發(fā)光元件的像素電極與用于驅(qū)動電流發(fā)光元件的晶體管(驅(qū)動晶體管)的柵極電極重疊的區(qū)域。由于優(yōu)選從驅(qū)動晶體管供給至電流發(fā)光元件的電流的路徑盡量短，因此電流發(fā)光元件和驅(qū)動晶體管多為相互接近地配置。此夕卜，從確保發(fā)光區(qū)域盡量寬廣的觀點出發(fā)，通常將像素電極的面積比例設定得較高?；谶@樣的理由，電流發(fā)光元件的像素電極與驅(qū)動晶體管的柵極電極多為重疊地配置，容易產(chǎn)生寄生電容。特別是在具備補償電路的像素，由于配置在像素的部件多、各部件的布置復雜， 因此電流發(fā)光元件的像素電極與驅(qū)動晶體管的柵極電極重疊地配置的區(qū)域容易變大。此夕卜，在圖8 11所示的有機EL顯示裝置那樣、補償電路由多個晶體管構(gòu)成的情況下，存在電流發(fā)光元件的像素電極與驅(qū)動晶體管的整個柵極電極重疊的情況。在圖8 11所示的有機EL顯示裝置，在晶體管T4 (驅(qū)動晶體管)的柵極電極102與有機EL元件OLED的像素電極103(陽極)之間產(chǎn)生寄生電容(以下記載為Cad)。本發(fā)明的發(fā)明者考慮該Cad在圖 12所示的測定結(jié)果中并不是階梯狀響應產(chǎn)生的原因。為了對上述研究結(jié)果進行檢驗，對圖8 11所示的有機EL顯示裝置進行了使Cad 變化的情況下的響應波形的模擬。圖13、14、15分別是表示Cad為0、20、60fF的情況下的模擬中得到的電流的響應波形的圖形。如圖13 15所示，雖然在Cad為OfF的情況下看不到階梯狀的響應，但是在Cad 為20、60fF的情況下產(chǎn)生階梯狀的響應。由圖14、15的虛線圍著的區(qū)域表示產(chǎn)生階梯狀的響應的位置。此外可知，隨著Cad從20fF向60fF變大，第一幀的電流與第二幀的電流的差變大?；谏鲜鲰憫ㄐ蔚哪M的結(jié)果，對供給到有機EL元件的電流與Cad的關(guān)系進行了評價。圖16是表示供給到有機EL元件的電流與Cad的關(guān)系的圖形。另外，在圖16，還反映在Cad為0、20、60fF以外的情況下進行的模擬的結(jié)果。在圖16，縱軸的“電流比”表示從黑顯示切換為白顯示或中間灰度顯示后的第一幀與第三幀的電流比，是將第一幀的電流的平均值除以第三幀的電流的平均值所得的值。從圖16所示的結(jié)果可知，存在隨著Cad變大電流比變小的傾向。S卩，存在如果Cad 變大則第一幀的電流與第三幀的電流的差變大的傾向。有機EL元件的亮度與從驅(qū)動晶體管供給的電流成比例。即，圖16的電流比與第一幀與第三的亮度比相等。因此，為了使響應時間比1幀的時間短、防止階梯狀的響應特性的產(chǎn)生，圖16中的電流比需要超過0.9。根據(jù)圖16所示的結(jié)果能夠認為，當從黑顯示切換為白顯示時，電流比超過0. 9的是Cad略少于20fF的情況，當從黑顯示切換為中間灰度顯示時，電流比超過0. 9的是Cad略少于16fF的情況。但是，在圖8 圖11所示的有機EL 顯示裝置，如圖12所示那樣，電流比為0. 9以下，響應時間比1幀的時間長。以下，對圖8所示的像素的驅(qū)動方法和根據(jù)Cad產(chǎn)生階梯狀的響應的理由進行說明。圖17是圖8所示的像素的第一幀的時序圖。在圖17，縱方向的變化表示各配線的電壓變化，表示從左向右時間的經(jīng)過。在圖17，以在上下排列的各配線的時間一致的方式記載，以使得對相同時刻的各配線的電壓容易進行比較。此外，在圖17，Vgs表示晶體管T4的柵極電壓。在1幀依次進行初始化期間a、程序期間b和發(fā)光期間c的三個步驟。以下，對各個步驟進行說明。首先，在初始化期間a，使掃描線scan [n-1]導通，經(jīng)初始化電壓線Vini [η]將存儲在電容器Cl、C2的電荷(數(shù)據(jù)信號)放電。由此，晶體管Τ4的柵極電壓被初始化。接著，在程序期間b，使掃描線scan [η]導通，將從信號線data輸入的各灰度等級的數(shù)據(jù)寫入晶體管T4，由此進行晶體管T4的閾值電壓的補償。此時，晶體管T4的柵極電壓成為比從信號線data輸入的電壓(Vdata)低晶體管T4的閾值電壓(Vth)的量的值。此夕卜，在電容器Cl、C2也存儲有與晶體管T4的柵極電壓相當?shù)碾姾?。然后，在發(fā)光期間c，使發(fā)光控制線em[n]導通，與晶體管T4的柵極電壓、即 Vdata-Vth相應的電流被供給到有機EL元件OLED，由此，有機EL元件OLED發(fā)光。接著，對晶體管T4的柵極電壓與從晶體管T4供給到有機EL元件OLED的電流的關(guān)系進行說明。圖18是表示晶體管T4(驅(qū)動晶體管)的TFT特性的示意圖。在圖18，V8(V)、 V255(V)分別表示灰度等級值為8、255的情況下的晶體管T4的柵極電壓(Vgs)。在程序期間b，晶體管T4的閾值電壓被補償，Vdata-Vth被設置為晶體管T4的柵極電壓。在發(fā)光期間c，流動與晶體管T4的柵極電壓相應的電流。在Vdata—l<Vdata—2 的關(guān)系時，發(fā)光時的晶體管T4的柵極電壓(Vgs)成為Vgs—1 < Vgs—2。即，如果從信號線 data輸入的電壓(Vdata)變大，則晶體管T4的柵極電壓(Vgs)變大。由此，電流值(Ids) 變小。在圖18所示的TFT特性中，Vgs—1相當于V255(V)，Vgs—2相當于VS(V)。接著，對根據(jù)Cad產(chǎn)生階梯狀的響應的理由進行說明。在圖17的發(fā)光期間c，如果注目于發(fā)光控制線em [η]成為導通時，則晶體管Τ4的柵極電壓(Vgs)，電壓變高以α表示的幅度。這能夠認為有機EL元件OLED自身所具有的電容成分為原因。由于在非顯示期間(發(fā)光控制線em[n]為斷開的期間)有機EL元件OLED的像素電極的電荷不完全消除， 因此，在使發(fā)光控制線em[n]導通時，通過Cad，晶體管T4的Vgs向前一幀的電壓方向上升， 成為與本來的電壓不同的電壓。 不過，在后一幀以后，有機EL元件OLED的像素電極的電位成為在本來的電位加上上升(或下降)的量，因此，與切換灰度等級時的最初的幀相比較，不易受前一幀的影響，更接近本來的柵極電壓。這樣，在切換灰度等級時，在最初的幀和后一幀，表現(xiàn)出階梯狀的響應特性。因此，為了消除階梯狀的響應特性，可以說需要降低Cad。因此，本發(fā)明的發(fā)明者進一步研究的結(jié)果，發(fā)現(xiàn)通過將電流發(fā)光元件的像素電極配置在最佳的位置，減少與驅(qū)動晶體管的柵極電極重疊的區(qū)域，或在電流發(fā)光元件的像素電極形成開口，Cad降低，能夠抑制階梯狀的響應特性的產(chǎn)生，想到能夠出色地解決上述問題，完成了本發(fā)明。S卩，本發(fā)明是模擬灰度等級驅(qū)動的有源矩陣基板(以下，也稱為本發(fā)明的第一有源矩陣基板)，設置有包括電流發(fā)光元件和驅(qū)動晶體管的多個像素，上述電流發(fā)光元件具有與上述驅(qū)動晶體管電連接的像素電極，上述驅(qū)動晶體管經(jīng)上述像素電極向上述電流發(fā)光元件供給電流，上述多個像素包括相鄰配置的第一像素和第二像素，在俯視基板主面時，上述第一像素所包括的驅(qū)動晶體管的柵極電極(以下，也稱為第一柵極電極)配置在上述第一像素所包括的電流發(fā)光元件的像素電極(以下，也稱為第一像素電極)與上述第二像素所包括的電流發(fā)光元件的像素電極(以下，也稱為第二像素電極)之間。這樣，本發(fā)明的第一有源矩陣基板將第一像素電極的配置最佳化，將第一像素電極配置在與第一柵極電極重疊的區(qū)域變少的位置。另外，在俯視基板主面時，第一柵極電極至少一部分配置在第一像素電極與第二像素電極之間即可。此外，本發(fā)明還是如下的模擬灰度等級驅(qū)動的有源矩陣基板(以下，也稱為本發(fā)明的第二有源矩陣基板)設置有包括電流發(fā)光元件和驅(qū)動晶體管的多個像素，上述電流發(fā)光元件具有與上述驅(qū)動晶體管電連接的像素電極，上述驅(qū)動晶體管經(jīng)上述像素電極向上述電流發(fā)光元件供給電流，上述多個像素包括第一像素，上述第一像素所包括的電流發(fā)光元件的像素電極(以下，也稱為第一像素電極)在與上述第一像素所包括的驅(qū)動晶體管的柵極電極(以下，也稱為第一柵極電極)重疊的位置形成有開口。這樣，本發(fā)明的第二有源矩陣基板是在第一像素電極形成有開口的有源矩陣基板。作為本發(fā)明的第一和第二有源矩陣基板的結(jié)構(gòu)，只要將這樣的構(gòu)成要素作為必需的構(gòu)成要素形成，對其它的構(gòu)成要素就不特別限定。此外，本發(fā)明的第一有源矩陣基板和本發(fā)明的第二有源矩陣基板也可以組合使用。即，也可以為如下方式在本發(fā)明的第一有源矩陣基板，上述第一像素的像素電極(第一像素電極)在與上述第一像素的柵極電極(第一柵極電極)重疊的位置形成有開口。由此，能夠更加降低Cad。關(guān)于本發(fā)明的第一和第二有源矩陣基板的優(yōu)選方式，在以下進行詳細說明。作為本發(fā)明的第一有源矩陣基板的一個優(yōu)選方式，列舉如下方式上述第一像素的柵極電極不與上述第二像素的像素電極(第二像素電極)重疊。由此，能夠降低Cad，并且能夠防止第一柵極電極受到第二像素電極的影響而產(chǎn)生信號噪聲等。如果為了提高顯示性能而加大像素電極的面積，則由于設計上的制約而第一柵極電極與第一像素電極重疊。另一方面，從更加降低Cad的觀點出發(fā)，優(yōu)選如下方式在本發(fā)明的第一有源矩陣基板，上述第一柵極電極配置在俯視基板主面時上述第一像素電極與上述第二像素電極之間的配置的部分的面積成為最大的位置。作為本發(fā)明的第一有源矩陣基板的一個優(yōu)選方式，列舉如下方式上述第一像素是在上述第二像素之后被掃描的像素，上述第一像素的柵極電極與上述第二像素的像素電極重疊。在這種情況下，雖然第一柵極電極與第一像素電極重疊的區(qū)域變少，能夠降低Cad， 可擔心第一柵極電極受到第二像素電極的影響。但是，與被輸入第一像素電極的信號在顯示圖像上大致相同的信號已經(jīng)被輸入第二像素電極，在下一次掃描再進行第一像素的掃描，因而認為第二像素電極對第一柵極電極施加的影響小到能夠無視的程度。因此，不存在由于第二像素電極而使第一像素電極的電壓上升(或下降)的情況。另外，在本方式中，也可以為如下方式第一柵極電極在俯視基板主面時與第一像素相鄰的像素中的、第二像素以外的像素(例如在第一像素之后被掃描的像素)所包括的電流發(fā)光元件的像素電極(第 η像素電極)重疊。但是，第η像素電極與第二像素相比較對第一柵極電極施加的影響大， 因此，第一柵極電極在俯視基板主面時不與第η像素電極重疊。Cad隨著第一柵極電極和第一像素電極接近而變大。因此，在第一柵極電極設置在第一像素電極的正下方的配線層的情況下，Cad特別容易變大。這樣，在上述第一像素的柵極電極設置在上述第一像素的像素電極的正下方的情況下，本發(fā)明特別有效。
當在像素設置有用于補償驅(qū)動晶體管的閾值電壓的偏差的補償電路時，按每個像素設置的構(gòu)成要素的數(shù)量變多，像素內(nèi)的布置調(diào)整的自由度變小。這樣，像素的布置變得復雜，如此，則存在第一像素電極與第一柵極電極重疊的區(qū)域容易變大的傾向。這樣，在進一步在上述多個像素中的各個像素設置用于補償各像素所包括的驅(qū)動晶體管的閾值電壓的偏差的補償電路的情況下，本發(fā)明特別有效。如使用圖9和10說明的那樣，通常驅(qū)動晶體管的柵極電極(柵極電極102)經(jīng)接觸孔形成在第一配線層和第二配線層，在與配置在第一配線層的掃描線等重疊的部分，從第一配線層改換至第二配線層。在如圖8 11所示的有機EL顯示裝置那樣，補償電路包括多個晶體管而構(gòu)成的情況下，像素的布置變得復雜，因此，容易發(fā)生柵極電極102與在第一配線層形成的掃描線等的重疊。因此，在這種情況下，存在如下傾向在柵極電極102的第二配線層(像素電極103的正下方的配線層)形成的部分的面積變大，Cad變大。根據(jù)本發(fā)明，由于能夠降低Cad，因此能夠有效地解決上述方式中的問題。即，本發(fā)明在上述補償電路包括多個晶體管而構(gòu)成的情況下特別有效。本發(fā)明還是包括本發(fā)明的第一或第二有源矩陣基板的有機EL顯示裝置，上述多個像素所包括的電流發(fā)光元件為有機EL元件，上述多個像素所包括的電流發(fā)光元件所具有的像素電極是上述有機EL元件的陽極或陰極。采用本發(fā)明的第一或第二有源矩陣基板， Cad下降，階梯狀的響應特性的產(chǎn)生被抑制，因此能夠?qū)崿F(xiàn)顯示性能優(yōu)異的有機EL顯示裝置。上述各方式也可以在不脫離本發(fā)明的主旨的范圍內(nèi)適當組合。采用本發(fā)明的有源矩陣基板和有機EL顯示裝置，能夠提供抑制了電流發(fā)光元件的響應速度的下降的有源矩陣基板和有機EL顯示裝置。


圖1是表示實施方式1的有機EL顯示裝置的像素的平面示意圖。圖2是表示實施方式2的有機EL顯示裝置的像素的平面示意圖。圖3是表示實施方式2的其它有機EL顯示裝置的像素的平面示意圖。圖4是表示實施方式3的有機EL顯示裝置的像素的平面示意圖。圖5是在圖1追加邊框覆蓋部件后的圖。
圖6是在圖2追加邊框覆蓋部件后的圖。圖7是在圖4追加邊框覆蓋部件后的圖。圖8是表示包括補償電路的現(xiàn)有的有機EL顯示裝置的像素的電路圖。圖9是表示包括補償電路的現(xiàn)有的有機EL顯示裝置的像素的平面示意圖。圖10是沿圖9中的X1-X2線的截面示意圖。圖11是表示圖9所示的像素的配置方式的平面示意圖。圖12是表示包括補償電路的現(xiàn)有的有機EL顯示裝置的響應特性的測定結(jié)果的圖形。圖13是表示由Cad為OfF的情況下的響應波形的模擬得到的電流的響應波形的圖形。圖14是表示由Cad為20fF的情況下的響應波形的模擬得到的電流的響應波形的
8圖形。圖15是表示由Cad為60fF的情況下的響應波形的模擬得到的電流的響應波形的圖形。圖16是表示供給到有機EL元件的電流與Cad的關(guān)系的圖形。圖17是圖8所示的像素的第一幀的時序圖。圖18是表示晶體管T4(驅(qū)動晶體管)的TFT特性的示意圖。
具體實施例方式在本說明書中，“像素電極”是指在電流發(fā)光元件所包括的電極中與驅(qū)動晶體管的漏極電極電連接的電極。在有機EL元件的情況下，像素電極既可以是陽極也可以是陰極。在本說明書中，“電流發(fā)光元件”是指通過被供給的電流自發(fā)光的元件即可，并未特別限定。在本發(fā)明中，作為特別有效的發(fā)光元件，能夠列舉有機EL元件、無機EL元件等面狀的電流發(fā)光元件。在本說明書中，“像素電極的正下方的配線層”是指與像素電極相比配置在基板一側(cè)的配線層中的、從像素電極數(shù)起第一個配線層。通常在像素電極與配線層之間配置有層間絕緣膜。因此，“像素電極的正下方的配線層”也可以說是“隔著層間絕緣膜與像素電極相鄰的配線層”。以下，列舉實施方式，參照附圖對本發(fā)明進行更詳細的說明，但是本發(fā)明并不僅限于這些實施方式。另外，在以下的實施方式中，為了簡化說明，對將本發(fā)明應用于圖8 11 所示的有機EL顯示裝置的情況進行說明。(實施方式1)圖1是表示實施方式1的有機EL顯示裝置的像素的平面示意圖。實施方式1的有機EL顯示裝置是在圖8 11所示的有機EL顯示裝置中在像素電極103形成有開口的有機EL顯示裝置。如圖1所示，在實施方式1的有機EL顯示裝置，像素電極103在與柵極電極102 重疊的位置形成有開口。此外，其開口的平面形狀與柵極電極102的平面形狀相同。由此， 像素電極103與柵極電極102不重疊，因此能夠使Cad無限接近于零。由此，能夠抑制階梯狀的響應的產(chǎn)生，能夠?qū)崿F(xiàn)顯示性能優(yōu)異的有機EL顯示裝置。(實施方式2)圖2是表示實施方式2的有機EL顯示裝置的像素的平面示意圖。實施方式2的有機EL顯示裝置是在圖8 11所示的有機EL顯示裝置中將配置像素電極103的位置改變而得的有機EL顯示裝置。在圖2，像素電極103a、103b、103c是具有與使用圖1等說明的像素電極103相同的功能的部件，為了對各自所在的像素進行區(qū)別而標注不同的附圖標記。配置有像素電極103a的像素為設置有柵極電極102的像素。配置有像素電極10 的像素在圖2中為與配置有像素電極103a的像素在縱方向相鄰的像素。配置有像素電極103c的像素在圖2中為與配置有像素電極103a的像素在橫方向相鄰的像素。如圖2所示，柵極電極102在俯視基板主面時配置在像素電極103a、103b、103c之間。由此，能夠降低Cad，能夠抑制階梯狀的響應特性的產(chǎn)生。此外，柵極電極102不與像素電極103b、103c重疊。由此，能夠防止柵極電極102受到像素電極l(X3b、103C的影響而產(chǎn)生信號噪聲等。另外，柵極電極102的形狀也可以與圖2所示的平面形狀不同。圖3是表示實施方式2的其它的有機EL顯示裝置的像素的平面示意圖。如圖3所示，在柵極電極102具有圖3所示的平面形狀的情況下優(yōu)選以在俯視基板主面時柵極電極102的端部與像素電極 103b、103c的端部一致的方式配置柵極電極102。由此能夠加大Cad的降低效果。(實施方式3)圖4是表示實施方式3的有機EL顯示裝置的平面示意圖。實施方式3的有機EL 顯示裝置是在圖8 11所示的有機EL顯示裝置中將配置像素電極103的位置改變而得的有機EL顯示裝置。在圖4，像素電極103a、103b、103c具有與圖2中說明的實施方式2相同的關(guān)系。此外，在實施方式3的有機EL顯示裝置，配置有像素電極10 的像素在配置有像素電極103a的像素之前被掃描。如圖4所示，柵極電極102在俯視基板主面時配置在像素電極103a、103b、103c之間。由此，能夠降低Cad，能夠抑制階梯狀的響應特性的產(chǎn)生。另外，在實施方式3，柵極電極102由于與像素電極10 重疊，因此擔心受到像素電極10 的影響。但是，配置有像素電極10 的像素(第二像素)在配置有像素103a 的像素(第一像素)之前被掃描，因此，像素電極10 已經(jīng)被輸入了與被輸入到像素柵極 103a的信號在顯示圖像上大致相同的信號，在下一次掃描再進行第一像素的掃描，因此認為像素電極10 對柵極電極102施加的影響小到能夠無視的程度。因此，不存在由于像素電極10 而使像素電極103a的電壓上升(或下降)的情況。以上，為了易于理解各實施方式的特征，使用僅記載有柵極電極102和像素電極 103 (像素電極103a、10 、103c)的圖1 4進行了說明，但是各實施方式的有機EL顯示裝置與圖9和圖10所示的有機EL顯示裝置一樣具備邊緣覆蓋部件。圖5是在圖1追加邊緣覆蓋部件后的圖，圖6是在圖2追加邊緣覆蓋部件后的圖，圖7是在圖4追加邊緣覆蓋部件后的圖。在圖5 7，未形成邊緣覆蓋部件的區(qū)域作為顯示區(qū)域A發(fā)揮作用。如圖5所示，在實施方式1的有機EL顯示裝置，在像素電極103形成有開口，在顯示區(qū)域A內(nèi)存在未配置像素電極103的區(qū)域。由此，顯示區(qū)域A的實質(zhì)的面積(開口率) 下降。不過，圖5所示的方式為以降低Cad的效果最大化的方式設計開口的情況，像素電極 103的開口也可以比柵極電極102小。由此，雖然降低Cad的效果變小，但是能夠抑制開口率的下降。這樣，在實施方式1的有機EL顯示裝置，降低Cad的效果與開口率為取舍的關(guān)系。另一方面，如圖6和7所示，在實施方式2和3的有機EL顯示裝置，由于在像素電極103(像素電極103a、103b、103c)未形成開口，因此開口率不下降。從進一步提高降低 Cad的效果的觀點出發(fā)，在實施方式2和3的有機EL顯示裝置，與實施方式1的有機EL顯示裝置一樣，也可以在像素電極103(像素電極103a、103b、103c)的柵極電極102重疊的部分形成開口。上述實施方式的各方式也可以在不脫離本發(fā)明的主旨的范圍內(nèi)適當?shù)亟M合。另外，本申請以2009年7月1日提出申請的日本專利申請2009-156970號為基礎， 基于巴黎條約和所進入國家的法規(guī)主張優(yōu)先權(quán)。該申請的所有內(nèi)容均作為參照被引入本申請中。
附圖標記的說明T1、T2、T3、T4、T5、T6 晶體管C1、C2:電容器OLED 有機 EL 元件scan [n-1] > scan [η] > scan [η+1]掃描線Vini [η]初始化電壓線em [η]發(fā)光控制線
ELVDD, ELVSS 電源線data 信號線100 基板101 半導體層102 柵極電極103、103a、103b、103c 像素電極(陽極)110、111、112 層間絕緣膜113:邊緣覆蓋部件
權(quán)利要求
1.一種模擬灰度等級驅(qū)動的有源矩陣基板，其特征在于該有源矩陣基板設置有包括電流發(fā)光元件和驅(qū)動晶體管的多個像素， 該電流發(fā)光元件具有與該驅(qū)動晶體管電連接的像素電極， 該驅(qū)動晶體管經(jīng)該像素電極向該電流發(fā)光元件供給電流， 該多個像素包括相鄰配置的第一像素和第二像素，在俯視基板主面時，該第一像素所包括的驅(qū)動晶體管的柵極電極配置在該第一像素所包括的電流發(fā)光元件的像素電極與該第二像素所包括的電流發(fā)光元件的像素電極之間。
2.如權(quán)利要求1所述的有源矩陣基板，其特征在于 所述第一像素的柵極電極不與所述第二像素的像素電極重疊。
3.如權(quán)利要求1所述的有源矩陣基板，其特征在于 所述第一像素是在所述第二像素之后被掃描的像素，所述第一像素的柵極電極與所述第二像素的像素電極重疊。
4.如權(quán)利要求1 3中任一項所述的有源矩陣基板，其特征在于所述第一像素的像素電極在與所述第一像素的柵極電極重疊的位置形成有開口。
5.一種模擬灰度等級驅(qū)動的有源矩陣基板，其特征在于該有源矩陣基板設置有包括電流發(fā)光元件和驅(qū)動晶體管的多個像素， 該電流發(fā)光元件具有與該驅(qū)動晶體管電連接的像素電極， 該驅(qū)動晶體管經(jīng)該像素電極向該電流發(fā)光元件供給電流， 該多個像素包括第一像素，該第一像素所包括的電流發(fā)光元件的像素電極在與該第一像素所包括的驅(qū)動晶體管的柵極電極重疊的位置形成有開口。
6.如權(quán)利要求1 5中任一項所述的有源矩陣基板，其特征在于所述第一像素的柵極電極設置在所述第一像素的像素電極的正下方的配線層。
7.如權(quán)利要求1 6中任一項所述的有源矩陣基板，其特征在于在所述多個像素的各個像素還設置有補償電路，該補償電路用于補償各像素所包括的驅(qū)動晶體管的閾值電壓的偏差。
8.一種包括權(quán)利要求1 7中任一項所述的有源矩陣基板的有機EL顯示裝置，其特征在于所述多個像素所包括的電流發(fā)光元件是有機EL元件，所述多個像素所包括的電流發(fā)光元件的像素電極是該有機EL元件的陽極或陰極。
全文摘要
本發(fā)明提供抑制了電流發(fā)光元件的響應速度的下降的有源矩陣基板和有機EL顯示裝置。本發(fā)明的有源矩陣基板是模擬灰度等級驅(qū)動的有源矩陣基板，該有源矩陣基板設置有包括電流發(fā)光元件和驅(qū)動晶體管的多個像素，上述電流發(fā)光元件具有與上述驅(qū)動晶體管電連接的像素電極，上述驅(qū)動晶體管經(jīng)上述像素電極向上述電流發(fā)光元件供給電流，上述多個像素包括相鄰配置的第一像素和第二像素，在俯視基板主面時，上述第一像素所包括的驅(qū)動晶體管的柵極電極配置在上述第一像素所包括的電流發(fā)光元件的像素電極與上述第二像素所包括的電流發(fā)光元件的像素電極之間。
文檔編號G09G3/20GK102473367SQ20108002960
公開日2012年5月23日 申請日期2010年4月2日 優(yōu)先權(quán)日2009年7月1日
發(fā)明者野口登 申請人:夏普株式會社