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一種電子標(biāo)簽的制作方法

文檔序號:2581838閱讀:294來源:國知局
專利名稱:一種電子標(biāo)簽的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域
本實用新型涉及一種電子標(biāo)簽,具體地說是一種強(qiáng)度高、彈性與抗撕裂好的電子 標(biāo)簽。
背景技術(shù)
現(xiàn)有電子標(biāo)簽的工作原理系統(tǒng)由卡、讀卡器和后臺控制器組成。工作過程如下 (1)讀卡器將載波信號經(jīng)天線向外發(fā)送;(2)卡進(jìn)入讀卡器的工作區(qū)域后,由卡中電感線圈 和電容組成的諧振回路接收讀卡器發(fā)射的載波信號,卡中芯片的射頻接口模塊由此信號產(chǎn) 生出電源電壓、復(fù)位信號及系統(tǒng)時鐘,使芯片“激活”;(3)芯片讀取控制模塊將存儲器中的 數(shù)據(jù)經(jīng)調(diào)相編碼后調(diào)制在載波上,經(jīng)卡內(nèi)天線回送給讀卡器;(4)讀卡器對接收到的卡回 送信號進(jìn)行解調(diào)、解碼后送至后臺計算機(jī);( 后臺計算機(jī)根據(jù)卡號的合法性,針對不同應(yīng) 用做出相應(yīng)的處理和控制。
發(fā)明內(nèi)容本實用新型的目的是提供一種強(qiáng)度高、彈性與抗撕裂好的電子標(biāo)簽。本實用新型的目的通過以下技術(shù)方案來實現(xiàn)。一種電子標(biāo)簽,包括標(biāo)簽本體,其特征在于所述標(biāo)簽本體外包覆一層硅橡膠層。所述硅橡膠層為通過納米復(fù)合得到能進(jìn)行低溫硫化的高溫膠。本實用新型與現(xiàn)有技術(shù)相比具有以下優(yōu)點本實用新型在標(biāo)簽本體外包覆一層硅橡膠層,硅橡膠層為通過納米復(fù)合使高溫膠 進(jìn)行低溫硫化。本實用新型具有強(qiáng)度高、彈性與抗撕裂好的優(yōu)點。

圖1為本實用新型電子標(biāo)簽的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實施方式

以下結(jié)合附圖對本實用新型電子標(biāo)簽作進(jìn)一步詳細(xì)描述。如圖1所示,本實用新型電子標(biāo)簽包括標(biāo)簽本體1,標(biāo)簽本體外包覆一層硅橡膠層 2,硅橡膠層為通過納米復(fù)合使得到高溫膠能進(jìn)行低溫硫化。通過納米復(fù)合使得到高溫膠 能進(jìn)行低溫硫化,既能保持高溫膠硫化的一系列物理性能,又不損壞芯片,從而可以大面積 的推廣和使用電子標(biāo)簽。硅橡膠是一種無機(jī)和有機(jī)性質(zhì)的高分子彈性體,由于分子主鏈的 Si-O鍵鍵能(443. 5kJ/摩爾)比一般橡膠分子主鏈的C-C鍵鍵能(35^J/摩爾)高得多, 因些硅膠具有1、低表面張力的低表面能,具有疏水、消泡、防粘、潤滑、上光等各項優(yōu)異性 能。2、優(yōu)良的電氣絕緣性能,具有介電損耗優(yōu)、耐電壓、耐電弧、耐電暈和優(yōu)異的拒水性。3、 耐候性、耐臭氧和耐輻射性,在自然環(huán)境下使用壽命可達(dá)幾十年。4、耐溫特性,既可耐高溫 又可而低溫,可以在一個很寬的溫度范圍內(nèi)使用。5、易加工性,耐酸堿性更好、使用周期長、成本低。6、硅膠還有很好的彈性和柔軟性,抗震性好、抗沖擊力。因為硅膠的一系列優(yōu)良特 性,所以硅膠電子標(biāo)簽承載了硅膠的一系列優(yōu)點,具有使用范圍廣,使用穩(wěn)定,成本低,推廣 的范圍大。硅膠按其硫化溫度,可分為高溫硫化型和室溫硫化型兩大類,高溫膠主要用于制 造各種橡膠制品,而室溫膠則主要是作為粘接劑、灌裝材料或模具使用。熱硫化硅橡膠是有 機(jī)硅產(chǎn)品中最重要的一類,甲基乙烯硅橡膠(VMQ)是HVT中最主要的品種,俗稱高溫膠,甲 基乙烯硅橡膠(生膠)是無色、無臭、無毒、無機(jī)械雜質(zhì)的膠狀物,生膠按需要加入適當(dāng)?shù)?補(bǔ)強(qiáng)劑、結(jié)構(gòu)控制劑、硫化劑等一起混煉,然后升溫模壓成型或擠出成型,再經(jīng)二段硫化做 成各種制品,其制品具有優(yōu)良的電絕緣性,抗電弧、電暈、電火花能力強(qiáng),防水、防潮、抗沖擊 力、抗震性好,具有生理惰性,透氣性等性能。室溫硫化硅橡膠一般包括加成型和縮合型兩 大類,加成型室溫膠是以具有乙烯的線性聚硅氧烷為基礎(chǔ)膠,以含硅氧烷為交聯(lián)劑,在催化 劑存在下于室溫到中溫下發(fā)生交聯(lián)反應(yīng)而成為彈性體??s合型室溫硫化硅橡膠是以硅羥基 與其他活性物質(zhì)之間的縮合反映為特征,于室溫下即可交聯(lián)成為彈性體的硅橡膠。高溫膠 硫化的橡膠制品強(qiáng)度、彈性等一系列優(yōu)良的物理性能能更好地保護(hù)電子芯片,缺陷是需高 溫硫化,而電子芯片不能承受高溫。室溫硫化硅橡膠在溫度上沒問題,缺陷是強(qiáng)度、彈性、抗 撕裂強(qiáng)度上不足,不能應(yīng)用于電子標(biāo)簽的覆蓋層。通過納米復(fù)合使高溫膠進(jìn)行低溫硫化,克 服二者的缺陷,保留二者的優(yōu)勢,從而可以大面積地推廣和使用電子標(biāo)簽。
權(quán)利要求1.一種電子標(biāo)簽,包括標(biāo)簽本體,其特征在于所述標(biāo)簽本體外包覆一層硅橡膠層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子標(biāo)簽,其特征在于所述硅橡膠層為通過納米復(fù)合得到 能進(jìn)行低溫硫化的高溫膠。
專利摘要本實用新型公開了一種電子標(biāo)簽,包括標(biāo)簽本體,其特征在于所述標(biāo)簽本體外包覆一層硅橡膠層。所述硅橡膠層為通過納米復(fù)合得到能進(jìn)行低溫硫化的高溫膠。本實用新型在標(biāo)簽本體外包覆一層硅橡膠層,硅橡膠層為通過納米復(fù)合得到能進(jìn)行低溫硫化的高溫膠。本實用新型具有強(qiáng)度高、彈性與抗撕裂好的優(yōu)點。
文檔編號G09F3/02GK201918110SQ20102069774
公開日2011年8月3日 申請日期2010年12月31日 優(yōu)先權(quán)日2010年12月31日
發(fā)明者鄒勇 申請人:深圳市利勇安硅橡膠制品有限公司
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