專利名稱：發(fā)光裝置及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種發(fā)光裝置及其制造方法。
背景技術(shù)：
信息通信產(chǎn)業(yè)已成為現(xiàn)今的主流產(chǎn)業(yè)，特別是可攜帶式的各種通信顯示產(chǎn)品更是 發(fā)展的重點(diǎn)。而由于平面顯示器是人與信息之間的溝通界面，因此其發(fā)展顯得特別重要。 有機(jī)發(fā)光顯示器即是一種有機(jī)發(fā)光裝置，由于其具有自發(fā)光、廣視角、省電、程序簡易、低成 本、操作溫度廣泛、高應(yīng)答速度以及全彩化等等的優(yōu)點(diǎn)，使其具有極大的潛力，因此可望成 為下一代平面顯示器的主流。有機(jī)電致發(fā)光顯示器是一種利用有機(jī)發(fā)光材料的自發(fā)光特性來達(dá)到顯示效果 的顯示器，其由設(shè)置在基板上的第一電極層、第二電極層以及夾于兩電極層之間的有機(jī) 發(fā)光材料層所組成。當(dāng)施加直流電壓時，空穴從陽極(anode)注入有機(jī)發(fā)光材料層，而 電子從陰極(cathode)注入有機(jī)發(fā)光材料層，因?yàn)橥饧与妶鏊斐傻碾娢徊?，使得空?與電子兩種載流子(carrier)在有機(jī)發(fā)光材料層中移動并產(chǎn)生輻射性復(fù)合(Radiative Recombination)。部分由電子空穴再結(jié)合所放出的能量會將有機(jī)發(fā)光材料分子激發(fā)形成單 一激態(tài)分子。當(dāng)單一激態(tài)分子釋放能量回到基態(tài)時，其中一定比例的能量會以光子的方式 放出而發(fā)光，此即為有機(jī)電致發(fā)光顯示器的發(fā)光原理。隨著有機(jī)電致發(fā)光顯示器的大型化的發(fā)展，其所面臨的瓶頸為有機(jī)電致發(fā)光顯示 器蒸鍍程序中所需的掩模大小有所限制。因此，必須使用分割型掩模來進(jìn)行蒸鍍工藝，也就 是組合多個掩模并使掩模之間的間隙(gap)對應(yīng)于子像素與子像素之間或者是直接對應(yīng) 于子像素。然而，在制作分割型掩模時，其邊緣處有制作精度控制不易的問題，且在組合分 割型掩模時會有組合精度控制不易的問題。如此一來，導(dǎo)致掩模的制作成本較高且蒸鍍程 序的時間較長。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種發(fā)光裝置，具有優(yōu)選的良率。本發(fā)明另提供一種發(fā)光裝置的制造方法，具有簡單的工藝與較低的制作成本。本發(fā)明提出一種發(fā)光裝置，其包括基板以及多個像素行。像素行排列于基板上，像 素行包括第一子像素行、第二子像素行以及第三子像素行，第一子像素行包括多個第一子 像素，第二子像素行包括多個第二子像素，以及第三子像素行包括多個第三子像素。在第 m像素行中，第一子像素包括第一結(jié)構(gòu)層，第一結(jié)構(gòu)層彼此分離且分別對應(yīng)于第一子像素， 在第(m+n)像素行中，第一子像素包括第一共用結(jié)構(gòu)層，第一共用結(jié)構(gòu)層對應(yīng)于位于同一 行的多個第一子像素，其中第一結(jié)構(gòu)層與第一共用結(jié)構(gòu)層同為有機(jī)功能層或電極層，且m、n 分別為正整數(shù)。本發(fā)明提出另一種發(fā)光裝置的制造方法。首先，提供基板，基板包括多個像素區(qū)， 像素區(qū)包括分別排列成行的多個第一子像素區(qū)、多個第二子像素區(qū)以及多個第三子像素區(qū)。接著，提供掩模于基板上，掩模包括多個次掩模單元以及位于次掩模單元之間的組合間 隙，次掩模單元包括具有多個開口的主體，主體遮蔽第二子像素區(qū)與第三子像素區(qū)，開口排 列成多行且開口暴露出與其對應(yīng)的第一子像素區(qū)，以及組合間隙暴露出與其對應(yīng)且位于同 一行的多個第一子像素區(qū)，其中組合間隙的寬度至少大于25 μ m。然后，透過掩模，在對應(yīng) 開口的第一子像素區(qū)中形成第一結(jié)構(gòu)層，以及于對應(yīng)組合間隙的位于同一行的多個第一子 像素區(qū)中形成第一共用結(jié)構(gòu)層，其中第一結(jié)構(gòu)層與第一共用結(jié)構(gòu)層同為有機(jī)功能層或電極 層。基于上述，在本發(fā)明的發(fā)光裝置中，結(jié)構(gòu)層與共同結(jié)構(gòu)層構(gòu)成有機(jī)功能層或電極 層，其中結(jié)構(gòu)層對應(yīng)于子像素，以及共用結(jié)構(gòu)層對應(yīng)于同一行的多個子像素。在本發(fā)明的發(fā) 光裝置的制造方法中，使用包括多個次掩模單元的掩模，且令次掩模單元之間的組合間隙 對應(yīng)于整行的子像素區(qū)。次掩模單元包括多個開口以定義結(jié)構(gòu)層，以及次掩模單元之間的 組合間隙定義出共用結(jié)構(gòu)層。如此一來，使得次掩模單元的制作較容易，以及次掩模單元之 間的組合精度較易控制。因此，可大幅縮減發(fā)光裝置的工藝時間以及降低掩模的制作成本， 且所制作的發(fā)光裝置具有優(yōu)選的良率。為讓本發(fā)明的上述特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉實(shí)施例，并配合附圖作詳 細(xì)說明如下。


圖IA為本發(fā)明的實(shí)施例的一種發(fā)光裝置的俯視示意圖。圖IB為沿圖IA的1-1’線、11-11，線、111-111，線以及IV-IV’線的剖面示意圖。圖2A至圖2F為本發(fā)明的實(shí)施例的一種發(fā)光裝置的制造方法的俯視示意圖。圖3A至圖3F分別為沿圖2A至圖2F的1-1，線、11-11，線、III-III，線以及IV-IV， 線的剖面示意圖。附圖標(biāo)記說明10:發(fā)光裝置100:基板IO2:像素區(qū)110^110(^,110(^,110(^ :像素行112、114、116 子像素行120:電極層130 絕緣層132:開口140 有機(jī)功能層142、144、146、162、164、166 結(jié)構(gòu)層152、154、156、172、174、176 共用結(jié)構(gòu)層160 電極層200 掩模210 次掩模單元211 邊緣部分
212 主體214:開口220 組合間隙wl、w2、w3、w4、w5、w6 寬度PpPyP3:子像素PA1、PA2、PA3 子像素區(qū)
具體實(shí)施例方式圖IA為本發(fā)明的實(shí)施例的一種發(fā)光裝置的俯視示意圖，以及圖IB為沿圖IA的 1-1’線、11-11’線、III-III’線以及IV-IV’線的剖面示意圖，其中為了詳細(xì)說明，圖IA 省略繪示子像素Pp P2> P3的結(jié)構(gòu)層142、144、146與共用結(jié)構(gòu)層152、154、156，完整的子像 素Pi、P2、P3的剖面是繪示于圖IB中。請同時參照圖IA與圖1B，在本實(shí)施例中，發(fā)光裝置 10包括基板100以及多個像素行l(wèi)lO^llO^tDUlOo^UlOo^+D。像素行IlOmUlO0rtriP 110(m+n)、110(m+n+1)排列于基板 100 上，像素行 110m、l 10Ortri)、110(m+n)、l 10(m+n+1)包括第一子像 素行112、第二子像素行114以及第三子像素行116，第一子像素行112包括多個第一子像 素P1,第二子像素行114包括多個第二子像素P2,以及第三子像素行116包括多個第三子像 素P3。在本實(shí)施例中，多個第一子像素P1、多個第二子像素P2以及多個第三子像素P3例如 是分別為多個紅色子像素、多個綠色子像素以及多個藍(lán)色子像素。首先，必須說明的是，在本發(fā)明中，第一結(jié)構(gòu)層與第一共用結(jié)構(gòu)層可以一同作為有 機(jī)功能層，或者是第一結(jié)構(gòu)層與第一共用結(jié)構(gòu)層可以一同作為電極層，其中電極層例如是 陰極層或陽極層。換言之，在發(fā)光裝置中，第一結(jié)構(gòu)層與第一共用結(jié)構(gòu)層可以一同作為陽極 層、有機(jī)功能層、陰極層中的至少之一。在本實(shí)施例中，以發(fā)光裝置10包括作為有機(jī)功能層 的第一結(jié)構(gòu)層142與第一共用層152，以及包括作為電極層的另一第一結(jié)構(gòu)層162與另一第 一共用結(jié)構(gòu)層172為例。換言之，在本實(shí)施例中，第一結(jié)構(gòu)層142與第一共用結(jié)構(gòu)層152是 被定義為有機(jī)功能層，以及另一第一結(jié)構(gòu)層162與另一第一共用結(jié)構(gòu)層172是被定義為電 極層。在第m像素行IlOm中，第一子像素P1包括第一結(jié)構(gòu)層142，第一結(jié)構(gòu)層142彼此 分離且分別對應(yīng)于第一子像素P1，在第(m+n)像素行110(m+n)中，多個第一子像素P1包括第 一共用結(jié)構(gòu)層152，第一共用結(jié)構(gòu)層152對應(yīng)于位于同一行的多個第一子像素P1，其中第一 結(jié)構(gòu)層142與第一共用結(jié)構(gòu)層152同為有機(jī)功能層，且m、n分別為正整數(shù)。在本實(shí)施例中， 第一結(jié)構(gòu)層142與第一共用結(jié)構(gòu)層152例如是作為有機(jī)功能層，其例如是包括空穴注入層、 空穴傳輸層、有機(jī)發(fā)光層、電子注入層以及電子傳輸層。相似地，在第m像素行IlOm中，第一子像素P1包括第一結(jié)構(gòu)層162，第一結(jié)構(gòu)層 162彼此分離且分別對應(yīng)于第一子像素P1，在第(m+n)像素行110(m+n)中，多個第一子像素P1 包括第一共用結(jié)構(gòu)層172，第一共用結(jié)構(gòu)層172對應(yīng)于位于同一行的多個第一子像素P1，其 中第一結(jié)構(gòu)層162與第一共用結(jié)構(gòu)層172同為電極層，且m、η分別為正整數(shù)。在本實(shí)施例 中，第一結(jié)構(gòu)層162與第一共用結(jié)構(gòu)層172例如是作為電極層。電極層可以是陰極層或陽 極層。電極層的材料例如是不透明金屬或透明金屬，其中不透明金屬包括銅、鋁、銀、金、鈦、 鉬、鎢、鉻以及其合金或疊層，透明金屬包括金屬氧化物層，其例如是銦錫氧化物、銦鋅氧化
6物、鋁錫氧化物、鋁鋅氧化物、銦鍺鋅氧化物、或其它合適的金屬氧化物、或者是上述至少二 者的堆疊層。特別注意的是，在本實(shí)施例中，第一子像素P1同時包括作為有機(jī)功能層的第一結(jié) 構(gòu)層142與第一共用結(jié)構(gòu)層152以及作為電極層的另一第一結(jié)構(gòu)層162與另一第一共用結(jié) 構(gòu)層172。然而，在其他實(shí)施例中，第一子像素？工可以僅包括作為有機(jī)功能層的第一結(jié)構(gòu)層 142與第一共用結(jié)構(gòu)層152或者是作為電極層的第一結(jié)構(gòu)層162與第一共用結(jié)構(gòu)層172，舉 例來說，在實(shí)施例中，第一子像素P1包括作為有機(jī)功能層的第一結(jié)構(gòu)層142與第一共用結(jié) 構(gòu)層152以及具有其他構(gòu)型的電極層，或者是第一子像素P1包括作為電極層的第一結(jié)構(gòu)層 162與第一共用結(jié)構(gòu)層172以及具有其他構(gòu)型的有機(jī)功能層。在本實(shí)施例中，是以第一結(jié)構(gòu)層162與第一共用結(jié)構(gòu)層172作為陰極層為例。因 此，第一子像素P1還包括作為陽極層的另一電極層120。詳言之，在第m像素行IlOm中，第 一子像素P1包括依序堆疊于基板100上的作為陽極層的電極層120、作為有機(jī)功能層的第 一結(jié)構(gòu)層142以及作為陰極層的第一結(jié)構(gòu)層162，其中第一結(jié)構(gòu)層142位于電極層120與第 一結(jié)構(gòu)層162之間。也就是說，第一結(jié)構(gòu)層142、162與第一子像素P1具有一對一的對應(yīng)關(guān) 系。第一結(jié)構(gòu)層142、162例如是在行方向上呈島狀排列。另一方面，在第(m+n)像素行110(m+n)中，第一子像素P1包括依序堆疊于基板100 上的電極層120、第一共用結(jié)構(gòu)層152以及第一共用結(jié)構(gòu)層172。其中，位于同一行的多個 第一子像素P1共同包括作為有機(jī)功能層的第一共用結(jié)構(gòu)層152以及作為陰極層的第一共 用結(jié)構(gòu)層172。換言之，在第(m+n)像素行110(m+n)中，第一共用結(jié)構(gòu)層152、172是對應(yīng)于第 一子像素行112，且第一共用結(jié)構(gòu)層152、172與第一子像素P1具有一對多的對應(yīng)關(guān)系。第 一共用結(jié)構(gòu)層152、172例如是呈條狀且在行方向上延伸。第一共用結(jié)構(gòu)層152、172的寬度 wl例如是對應(yīng)于第一子像素行112的寬度。在本實(shí)施例中，第一共用結(jié)構(gòu)層152、172的寬 度wl例如是實(shí)質(zhì)上為120 μ m至125 μ m。在本實(shí)施例中，第一共用結(jié)構(gòu)層152、172的配置例如是以η個像素行為周期，也就 是第一共用結(jié)構(gòu)層152、172彼此例如是間隔η個像素行的距離。詳言之，第(m_l)像素行、 第(m+n)像素行、第(m+2n+l)像素行、第(m+3n+》像素行...等像素行中配置有對應(yīng)整行 的第一子像素P1的第一共用結(jié)構(gòu)層152、172。另一方面，第m像素行至第(m+η-Ι)像素行中 的第一子像素P1、第(m+η+Ι)像素行至第(m+2n)像素行、第(m+2n+》像素行至第(m+3n+l) 像素行...等像素行中配置有分別對應(yīng)于第一子像素P1的第一結(jié)構(gòu)層142、162。在本實(shí)施 例中，各第一共用結(jié)構(gòu)層152、172之間的距離(未繪示)例如是實(shí)質(zhì)上為50mm至580mm。在本實(shí)施例中，第二子像素P2與第三子像素P3的配置方式例如是與第一子像素P1 的配置方式相似。詳言之，在第m像素行IlOm中，第二子像素P2包括第二結(jié)構(gòu)層144、164， 第二結(jié)構(gòu)層144、164彼此分離且分別對應(yīng)于第二子像素P2，在第(m+n)像素行110(m+n)中， 多個第二子像素P2包括第二共用結(jié)構(gòu)層154、174，第二共用結(jié)構(gòu)層巧4、174對應(yīng)于位于同 一行的多個第二子像素P2，其中第二結(jié)構(gòu)層144、164與第二共用結(jié)構(gòu)層154、174同為有機(jī) 功能層或電極層，電極層例如是陰極層或陽極層。在本實(shí)施例中，第二結(jié)構(gòu)層144與第二共 用結(jié)構(gòu)層1 例如是作為有機(jī)功能層，第二結(jié)構(gòu)層164與第二共用結(jié)構(gòu)層174例如是作為 陰極層。因此，第二子像素P2還包括作為陽極層的另一電極層120。詳言之，在第m像素行 IlOm中，第二子像素P2包括依序堆疊于基板100上的作為陽極層的電極層120、作為有機(jī)功能層的第二結(jié)構(gòu)層144以及作為陰極層的第二結(jié)構(gòu)層164。在第(m+n)像素行110(m+n)中， 第二子像素P2包括依序堆疊于基板100上的作為陽極層的電極層120、作為有機(jī)功能層的 第二共用結(jié)構(gòu)層154以及作為陰極層的第二共用結(jié)構(gòu)層174。第二共用結(jié)構(gòu)層154、174的 寬度w2例如是實(shí)質(zhì)上為120 μ m至125 μ m。各第二共用結(jié)構(gòu)層154、174彼此例如是間隔η 個像素行的距離，以及各第二共用結(jié)構(gòu)層154、174之間的距離(未繪示)例如是實(shí)質(zhì)上為 50mm 至 580mm。在本實(shí)施例中，在第m像素行1 IOm中，第三子像素P3包括第三結(jié)構(gòu)層146、166，第 三結(jié)構(gòu)層146、166彼此分離且分別對應(yīng)于第三子像素P3，在第(m+n)像素行110(m+n)中，多 個第三子像素P3包括第三共用結(jié)構(gòu)層156、176，第三共用結(jié)構(gòu)層156、176對應(yīng)于位于同一 行的多個第三子像素P3，其中第三結(jié)構(gòu)層146、166與第三共用結(jié)構(gòu)層156、176同為有機(jī)功 能層或電極層，電極層例如是陰極層或陽極層。在本實(shí)施例中，第三結(jié)構(gòu)層146與第三共用 結(jié)構(gòu)層156例如是作為有機(jī)功能層，第三結(jié)構(gòu)層166與第三共用結(jié)構(gòu)層176例如是作為陰 極層。因此，第三子像素P3還包括作為陽極層的電極層120。詳言之，在第m像素行IlOm 中，第三子像素P3包括依序堆疊于基板100上的作為陽極層的電極層120、作為有機(jī)功能層 的第三結(jié)構(gòu)層146以及作為陰極層的第三結(jié)構(gòu)層166。在第(m+n)像素行110(m+n)中，第三 子像素P3包括依序堆疊于基板100上的作為陽極層的電極層120、作為有機(jī)功能層的第三 共用結(jié)構(gòu)層156以及作為陰極層的第三共用結(jié)構(gòu)層176。第三共用結(jié)構(gòu)層156、176的寬度 w3例如是實(shí)質(zhì)上為120μπι至125μπι。各第三共用結(jié)構(gòu)層156、176彼此例如是間隔η個 像素行的距離，以及各第三共用結(jié)構(gòu)層156、176之間的距離(未繪示)是實(shí)質(zhì)上為50mm至 580mmo在本實(shí)施例中，第一共用結(jié)構(gòu)層152、172、第二共用結(jié)構(gòu)層154、174、第三共用 結(jié)構(gòu)層156、176例如是位于同一像素行110(m+n)中且彼此相連而具有實(shí)質(zhì)上為360μπι至 375 μ m的總寬度。在本實(shí)施例中，結(jié)構(gòu)層142、144、146與共用結(jié)構(gòu)層152、巧4、156例如是 構(gòu)成有機(jī)功能層140，以及結(jié)構(gòu)層162、164、166與共用結(jié)構(gòu)層172、174、176例如是構(gòu)成電極 層 160。在本實(shí)施例中，發(fā)光裝置10例如是還包括絕緣層130。絕緣層130具有會暴露出 每一子像素Pi、P2> P3中的電極層120的多個開口 132，以及結(jié)構(gòu)層142、144、146與共用結(jié) 構(gòu)層152、巧4、156例如是配置于開口 132中。特別注意的是，雖然在圖IB的附圖中是以結(jié) 構(gòu)層142、144、146以及共用結(jié)構(gòu)層152、154、156皆形成于絕緣層130的開口 132中為例， 然而結(jié)構(gòu)層142、144、146以及共用結(jié)構(gòu)層152、巧4、156在實(shí)務(wù)上可能會配置于絕緣層130 的開口 132中且覆蓋部分絕緣層130。另一方面，本發(fā)明的發(fā)光裝置10不限制必須具有絕 緣層130。換言之，在其他實(shí)施例中，也可以省略絕緣層130的配置。此外，雖然在本實(shí)施例 中是以結(jié)構(gòu)層162、164、166與共用結(jié)構(gòu)層172、174、176 —同作為陰極層以及結(jié)構(gòu)層142、 144,146與共用結(jié)構(gòu)層152、1M、156—同作為有機(jī)功能層為例，但在本發(fā)明中，結(jié)構(gòu)層與共 用結(jié)構(gòu)層可以一同作為陽極層、有機(jī)功能層、陰極層中的至少一個、至少兩個以及三個。舉 例來說，在另一實(shí)施例中，結(jié)構(gòu)層與共用結(jié)構(gòu)層亦可以一同作為陽極層，而陰極層與有機(jī)功 能層具有所屬領(lǐng)域普通技術(shù)人員所周知的一般結(jié)構(gòu)。換言之，除了由結(jié)構(gòu)層與共用結(jié)構(gòu)層 所形成的膜層以外，其他膜層可以是具有所屬領(lǐng)域普通技術(shù)人員所周知的一般結(jié)構(gòu)。在本實(shí)施例中，發(fā)光裝置包括由結(jié)構(gòu)層與共同結(jié)構(gòu)層所構(gòu)成的有機(jī)功能層或電極層，其中結(jié)構(gòu)層對應(yīng)于子像素，以及共用結(jié)構(gòu)層對應(yīng)于同一行的多個子像素，且共用結(jié)構(gòu)層 例如是周期性配置。舉例來說，在本實(shí)施例中，共用結(jié)構(gòu)層配置于第(m-1)像素行、第(m+n) 像素行、第(m+2n+l)像素行、第(m+3n+2)像素行...等像素行中且對應(yīng)于整行的子像素， 結(jié)構(gòu)層則配置于這些像素行以外的各個子像素中。接下來將介紹圖IA與圖IB所示的發(fā)光裝置10的制造方法。圖2A至圖2F為本 發(fā)明的實(shí)施例的一種發(fā)光裝置的制造方法的俯視示意圖，以及圖3A至圖3F分別為沿圖2A 至圖2F的1-1’線、11-11’線、III-III’線以及IV-IV’線的剖面示意圖。請同時參照圖 2A與圖3A，首先，提供基板100，基板100包括多個像素區(qū)102，像素區(qū)102包括分別排列成 行的多個第一子像素區(qū)PA1、多個第二子像素區(qū)PA2以及多個第三子像素區(qū)PA3。在本實(shí)施 例中，多個第一子像素區(qū)PA1、多個第二子像素區(qū)PA2以及多個第三子像素區(qū)PA3例如是預(yù)定 形成多個紅色子像素、多個綠色子像素以及多個藍(lán)色子像素的區(qū)域?；?00的材料可為 玻璃、石英、有機(jī)聚合物、塑膠、可撓性塑膠或是不透光/反射材料等等。在本實(shí)施例中，基板100上已形成有多個電極層120，且每一電極層120對應(yīng)于一 個子像素區(qū)PApPA2JA3t5電極層120可以是陰極層或陽極層，電極層120例如是透明電極 層，其例如是金屬氧化物層，其例如是銦錫氧化物、銦鋅氧化物、鋁錫氧化物、鋁鋅氧化物、 銦鍺鋅氧化物、或其它合適的金屬氧化物、或者是上述至少二者的堆疊層；或者是具有高透 光度的薄金屬層或薄金屬疊層。在實(shí)施例中，電極層120也可以是不透光的電極層。此外， 在本實(shí)施例中，電極層120上例如是已形成絕緣層130。絕緣層130具有會暴露出每一子像 素區(qū)PAp PA2、PA3中的電極層120的多個開口 132。然而，特別注意的是，本發(fā)明不限制必 須形成絕緣層130。換言之，在其他實(shí)施例中，也可以省略絕緣層130的制作。請同時參照圖2B與圖;3B，接著，提供掩模200于基板100上，掩模200包括多個次 掩模單元210以及位于次掩模單元210之間的組合間隙220。次掩模單元210包括具有多 個開口 214的主體212，開口 214排列成多行且每一開口 214暴露出與其對應(yīng)的第一子像 素區(qū)PA1，主體212遮蔽第二子像素區(qū)PA2與第三子像素區(qū)PA3。組合間隙220暴露出與其 對應(yīng)且位于同一行的多個第一子像素區(qū)PA1,其中組合間隙220的寬度w4至少大于25 μ m。 在本實(shí)施例中，每一次掩模單元210例如是位于η個像素區(qū)102上，次掩模單元210的開口 214暴露出該η個像素區(qū)102中的每一第一子像素區(qū)PA1，次掩模單元210之間的組合間隙 220例如是暴露出位于第(m+n)個像素區(qū)102、第(m+2n+l)個像素區(qū)102...等像素區(qū)102 中的多個第一子像素區(qū)PA115換言之，每一組合間隙220暴露出一行的多個第一子像素區(qū) PA10在本實(shí)施例中，次掩模單元210例如是位于η個像素區(qū)102上且次掩模單元210的寬 度w5例如是實(shí)質(zhì)上為50_至580mm，以及開口 212的寬度w6實(shí)質(zhì)上為120 μ m至125 μ m。 特別注意的是，組合間隙220的寬度w4至少為進(jìn)行蒸鍍法、濺鍍法等工藝時足以形成線寬 的最小寬度，因此其至少大于25 μ m。在本實(shí)施例中，組合間隙220的寬度w4例如是實(shí)質(zhì)上 為 120μπι至 125 μ m。請同時參照圖2C與圖3C，然后，透過掩模200，在對應(yīng)開口 214的第一子像素區(qū)PA1 中形成第一結(jié)構(gòu)層142，以及于對應(yīng)組合間隙220的位于同一行的多個第一子像素區(qū)PA1中 形成第一共用結(jié)構(gòu)層152，其中第一結(jié)構(gòu)層142與第一共用結(jié)構(gòu)層152同為有機(jī)功能層或電 極層。其中，有機(jī)功能層包括空穴注入層、空穴傳輸層、有機(jī)發(fā)光層、電子注入層以及電子傳 輸層。在本實(shí)施例中，以每一次掩模單元210位于η個像素區(qū)102上為例，第一結(jié)構(gòu)層142形成于該η個像素區(qū)102中的每一第一子像素區(qū)PA1中，第一結(jié)構(gòu)層142與第一子像素區(qū) PA1為一對一的對應(yīng)關(guān)系。第一共用結(jié)構(gòu)層152則形成于由組合間隙220所暴露的一行第 一子像素區(qū)PA1中，該行第一子像素區(qū)PA1例如是位于第(m+n)個像素區(qū)102、第(m+2n+l) 個像素區(qū)102、、、等像素區(qū)102中，以及第一共用結(jié)構(gòu)層152與多個第一子像素區(qū)PA1為一 對多的配置方式。在本實(shí)施例中，第一結(jié)構(gòu)層142例如是在行方向上呈島狀排列以分別位 于一個第一子像素區(qū)PA1中，以及第一共用結(jié)構(gòu)層152例如是呈條狀且在行方向上延伸以 位于多個第一子像素區(qū)PA1中。第一共用結(jié)構(gòu)層152的寬度wl例如是對應(yīng)于組合間隙220 的寬度w4且例如是實(shí)質(zhì)上為120μπι至125μπι。在本實(shí)施例中，第一結(jié)構(gòu)層142與第一共 用結(jié)構(gòu)層152例如是有機(jī)功能層，以及第一結(jié)構(gòu)層142與第一共用結(jié)構(gòu)層152的形成方法 例如是蒸鍍法或?yàn)R鍍法。舉例來說，在本實(shí)施例中，例如是使用第一顏色蒸鍍材料(諸如紅 色蒸鍍材料)來蒸鍍第一結(jié)構(gòu)層142與第一共用結(jié)構(gòu)層152，以形成紅色發(fā)光層。請同時參照圖2D與圖3D，在本實(shí)施例中，在形成第一結(jié)構(gòu)層142與第一共用結(jié)構(gòu) 層152后，移動掩模200，使掩模200的主體212遮蔽第一子像素區(qū)PA1與第三子像素區(qū)PA3, 開口 214暴露出與其對應(yīng)的第二子像素區(qū)PA2,以及組合間隙220暴露出與其對應(yīng)且位于同 一行的多個第二子像素區(qū)ΡΑ2。而后，透過掩模200，在對應(yīng)開口 214的第二子像素區(qū)PA2中 形成第二結(jié)構(gòu)層144，以及于對應(yīng)組合間隙220的位于同一行的多個第二子像素區(qū)PA2中形 成第二共用結(jié)構(gòu)層154，其中第二結(jié)構(gòu)層144與第二共用結(jié)構(gòu)層IM同為有機(jī)功能層或電極 層。其中，有機(jī)功能層包括空穴注入層、空穴傳輸層、有機(jī)發(fā)光層、電子注入層以及電子傳輸 層。電極層包括陰極層或陽極層。在本實(shí)施例中，以每一次掩模單元210位于η個像素區(qū)102上為例，第二結(jié)構(gòu)層 144形成于該η個像素區(qū)102中的每一第二子像素區(qū)PA2中，第二結(jié)構(gòu)層144與第二子像素 區(qū)PA2為一對一的對應(yīng)關(guān)系。第二共用結(jié)構(gòu)層IM則形成于由組合間隙220所暴露的一行 第二子像素區(qū)PA2中，該行第二子像素區(qū)PA2例如是位于第(m+n)個像素區(qū)102、第(m+2n+l) 個像素區(qū)102、、、等像素區(qū)102中，以及第二共用結(jié)構(gòu)層154與多個第二子像素區(qū)PA2為一 對多的配置方式。在本實(shí)施例中，第二結(jié)構(gòu)層144例如是在行方向上呈島狀排列以分別位 于一個第二子像素區(qū)PA2中，以及第二共用結(jié)構(gòu)層巧4例如是呈條狀且在行方向上延伸以 位于多個第二子像素區(qū)PA2中。第二共用結(jié)構(gòu)層154的寬度w2例如是對應(yīng)于組合間隙220 的寬度w4且例如是實(shí)質(zhì)上為120μπι至125μπι。在本實(shí)施例中，第二結(jié)構(gòu)層144與第二共 用結(jié)構(gòu)層1 例如是同為有機(jī)功能層，以及第二結(jié)構(gòu)層144與第二共用結(jié)構(gòu)層154的形成 方法例如是蒸鍍法或?yàn)R鍍法。在本實(shí)施例中，例如是使用第二顏色蒸鍍材料(諸如綠色蒸 鍍材料)來蒸鍍第二結(jié)構(gòu)層144與第二共用結(jié)構(gòu)層154，以形成綠色發(fā)光層。請同時參照圖2Ε與圖3Ε，在本實(shí)施例中，在形成第二結(jié)構(gòu)層144與第二共用結(jié)構(gòu) 層巧4后，移動掩模200，使掩模200的主體212遮蔽第一子像素區(qū)PA1與第二子像素區(qū)PA2, 開口 214暴露出與其對應(yīng)的第三子像素區(qū)PA3,以及組合間隙220暴露出與其對應(yīng)且位于同 一行的多個第三子像素區(qū)ΡΑ3。而后，透過掩模200，在對應(yīng)開口 214的第三子像素區(qū)PA3中 形成第三結(jié)構(gòu)層146，以及于對應(yīng)組合間隙220的位于同一行的多個第三子像素區(qū)PA3中形 成第三共用結(jié)構(gòu)層156，其中第三結(jié)構(gòu)層146與第三共用結(jié)構(gòu)層156同為有機(jī)功能層或電極 層。其中，有機(jī)功能層包括空穴注入層、空穴傳輸層、有機(jī)發(fā)光層、電子注入層以及電子傳輸 層。
在本實(shí)施例中，以每一次掩模單元210位于η個像素區(qū)102上為例，第三結(jié)構(gòu)層 146形成于該η個像素區(qū)102中的每一第三子像素區(qū)PA3中，第三結(jié)構(gòu)層146與第三子像素 區(qū)PA3為一對一的對應(yīng)關(guān)系。第三共用結(jié)構(gòu)層156則形成于由組合間隙220所暴露的一行 第三子像素區(qū)PA3中，該行第三子像素區(qū)PA3例如是位于第(m+n)個像素區(qū)102、第(m+2n+l) 個像素區(qū)102、、、等像素區(qū)102中，以及第三共用結(jié)構(gòu)層156與多個第三子像素區(qū)PA3為一 對多的配置方式。在本實(shí)施例中，第三結(jié)構(gòu)層146例如是在行方向上呈島狀排列以分別位 于一個第三子像素區(qū)PA3中，以及第三共用結(jié)構(gòu)層156例如是呈條狀且在行方向上延伸以 位于多個第三子像素區(qū)PA3中。第三共用結(jié)構(gòu)層156的寬度w3例如是對應(yīng)于組合間隙220 的寬度w4且例如是實(shí)質(zhì)上為120μπι至125μπι。在本實(shí)施例中，第三結(jié)構(gòu)層146與第三共 用結(jié)構(gòu)層156例如是同為有機(jī)功能層，以及第三結(jié)構(gòu)層146與第三共用結(jié)構(gòu)層156的形成 方法例如是蒸鍍法或?yàn)R鍍法。在本實(shí)施例中，例如是使用第三顏色蒸鍍材料(諸如藍(lán)色蒸 鍍材料)來蒸鍍第三結(jié)構(gòu)層146與第三共用結(jié)構(gòu)層156，以形成藍(lán)色發(fā)光層。請同時參照圖2F與圖3F，在本實(shí)施例中，結(jié)構(gòu)層142、144、146與共用結(jié)構(gòu)層152、 154、156例如是構(gòu)成有機(jī)功能層140。其中，第一共用結(jié)構(gòu)層152、第二共用結(jié)構(gòu)層154、第 三共用結(jié)構(gòu)層156例如是彼此相連而具有實(shí)質(zhì)上為360 μ m至375 μ m的總寬度。特別一提 的是，在本實(shí)施例中，是以有機(jī)功能層140為有機(jī)發(fā)光層為例，然而在其他實(shí)施例中，有機(jī) 功能層140可以是包括空穴注入層、空穴傳輸層、有機(jī)發(fā)光層、電子注入層以及電子傳輸層 等膜層的多層結(jié)構(gòu)。換言之，掩模200可以用來形成發(fā)光裝置的多種膜層。而后，在結(jié)構(gòu)層142、144、146與共用結(jié)構(gòu)層152、154、156上形成電極層160。在 本實(shí)施例中，例如是使用掩模200來形成電極層160，其形成方法可以參照結(jié)構(gòu)層142、144、 146與共用結(jié)構(gòu)層152、154、156的形成方法，在此不贅述。在本實(shí)施例中，電極層160例如 是包括分別形成于結(jié)構(gòu)層142、144、146與共用結(jié)構(gòu)層152、154、156上的結(jié)構(gòu)層162、164、 166與共用結(jié)構(gòu)層172、174、176。換言之，結(jié)構(gòu)層162、164、166例如是在行方向上呈島狀排 列以分別位于一個子像素區(qū)PAi、PA2、PA3中，以及共用結(jié)構(gòu)層172、174、176例如是呈條狀且 在行方向上延伸以位于多個子像素區(qū)PAp PA2、PA3中。共用結(jié)構(gòu)層172、174、176的寬度例 如是實(shí)質(zhì)上為120μπι至125μπι，以及共用結(jié)構(gòu)層172、174、176例如具有實(shí)質(zhì)上為360 μ m 至375 μ m的總寬度。特別一提的是，在發(fā)光裝置10中，電極層120為陽極層與陰極層中之一，以及電極 層160為陽極層與陰極層中另一個。在本實(shí)施例中，電極層120例如是陽極層，以及電極層 160例如是陰極層。再者，在本實(shí)施例中是以掩模200來形成發(fā)光裝置10的有機(jī)功能層140 與電極層160為例，但在其他實(shí)施例中，掩模200可以用來形成電極層120、有機(jī)功能層140 以及電極層160中的至少一個、至少兩個或三個。換言之，掩模200可以用來形成發(fā)光裝置 中的陽極層、有機(jī)功能層以及陰極層中的至少一個、至少兩個或三個。施例中，以圖2B為例，由于次掩模單元210之間的組合間隙220是對應(yīng)于一個子 像素區(qū)PA1的寬度，因此次掩模單元210的組合精度例如是控制在一個子像素區(qū)PA1的寬 度+/-0.04mm的范圍內(nèi)即可。換言之，掩模單元210的組合精度較易控制。再者，本實(shí)施例 中，由于掩模200的邊緣部分211至少遮蔽兩個子像素區(qū)域PA2、PA3,因此次掩模單元210 的邊緣部分211的寬度(即次掩模單元210的邊緣與最靠近邊緣的開口 214之間的距離) 實(shí)質(zhì)上至少大于兩個子像素區(qū)域PA2、PA3W寬度，諸如至少大于或等于0. 1mm。舉例來說，以一個子像素區(qū)域的寬度約為120μπι至125μπι為例，次掩模單元210的邊緣部分211的 寬度至少大于240 μ m至250 μ m,但不加以限定，端視設(shè)計者需求。因此，在次掩模單元210 的網(wǎng)板制作中，邊緣部分211的制作精度例如是控制成小于或等于兩個子像素區(qū)域PA2、PA3 的寬度+/-0. 006 0. Olmm的范圍內(nèi)即可。換言之，次掩模單元210的邊緣部分211的制 作精度較易控制。此外，由于次掩模單元210的邊緣部分211不會過細(xì)，因此掩模200的張 網(wǎng)穩(wěn)定性優(yōu)選，而不會發(fā)生變形或斷裂等問題。再者，由于次掩模單元210之間的組合間隙 220只要能對應(yīng)于一行的多個子像素區(qū)PA1即可，因此可在掩模200中選擇適當(dāng)?shù)奈恢脕矸?割成多個次掩模單元210以制作出對稱的次掩模單元210，如此一來可以大幅降低掩模200 的制作成本。因此，本發(fā)明的發(fā)光裝置的制造方法能大幅縮減發(fā)光裝置的工藝時間以及降 低掩模的制作成本，且所制作的發(fā)光裝置具有優(yōu)選的良率。綜上所述，在本發(fā)明的發(fā)光裝置中，結(jié)構(gòu)層與共同結(jié)構(gòu)層構(gòu)成有機(jī)功能層或電極 層，其中結(jié)構(gòu)層對應(yīng)于子像素，以及共用結(jié)構(gòu)層對應(yīng)于同一行的多個子像素，且共用結(jié)構(gòu)層 例如是周期性配置。在本發(fā)明的發(fā)光裝置的制造方法中，使用包括多個次掩模單元的掩模， 且令次掩模單元之間的組合間隙對應(yīng)于整行的子像素區(qū)。次掩模單元包括多個開口以定義 結(jié)構(gòu)層，以及次掩模單元之間的組合間隙定義出共用結(jié)構(gòu)層。如此一來，使得次掩模單元的 制作較容易，以及次掩模單元之間的組合精度較易控制。因此，可大幅縮減發(fā)光裝置的工藝 時間以及降低掩模的制作成本，且所制作的發(fā)光裝置具有優(yōu)選的良率。雖然本發(fā)明已以實(shí)施例披露如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何所屬技術(shù)領(lǐng)域 中普通技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作些許的更動與潤飾，故本發(fā)明的 保護(hù)范圍當(dāng)視權(quán)利要求所界定為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種發(fā)光裝置，包括基板；以及多個像素行，排列于該基板上，各像素行包括第一子像素行、第二子像素行以及第三子 像素行，各第一子像素行包括多個第一子像素，各第二子像素行包括多個第二子像素，以及 各第三子像素行包括多個第三子像素，在第m像素行中，各第一子像素包括第一結(jié)構(gòu)層，該多個第一結(jié)構(gòu)層彼此分離且分別 對應(yīng)于第一子像素，在第(m+n)像素行中，該多個第一子像素包括第一共用結(jié)構(gòu)層，該第一 共用結(jié)構(gòu)層對應(yīng)于位于同一行的多個第一子像素，其中該第一結(jié)構(gòu)層與該第一共用結(jié)構(gòu)層 同為有機(jī)功能層或電極層，且m、η分別為正整數(shù)。
2.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置，其中該第一共用結(jié)構(gòu)層的寬度為120μ m至125 μ m。
3.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置，其中第m像素行的該第一子像素行與第(m+n)像素 行的該第一子像素行之間的距離為50mm至580mm。
4.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置，其中該多個第一結(jié)構(gòu)層在行方向上呈島狀排列。
5.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置，其中該第一共用結(jié)構(gòu)層呈條狀且在行方向上延伸。
6.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置，其中該電極層包括陰極層。
7.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置，其中該電極層包括陽極層。
8.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置，其中該有機(jī)功能層包括空穴注入層、空穴傳輸層、有 機(jī)發(fā)光層、電子注入層以及電子傳輸層。
9.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置，其中該多個第一子像素、該多個第二子像素以及該 多個第三子像素包括多個紅色子像素、多個綠色子像素以及多個藍(lán)色子像素。
10.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置，在第m像素行中，各第二子像素包括第二結(jié)構(gòu)層，該 多個第二結(jié)構(gòu)層彼此分離且分別對應(yīng)于第二子像素，在第(m+n)像素行中，該多個第二子 像素包括第二共用結(jié)構(gòu)層，該第二共用結(jié)構(gòu)層對應(yīng)于位于同一行的多個第二子像素，其中 該第二結(jié)構(gòu)層與該第二共用結(jié)構(gòu)層同為有機(jī)功能層或電極層。
11.如權(quán)利要求10所述的發(fā)光裝置，其中該第二共用結(jié)構(gòu)層的寬度為120μπι至 125 μ m。
12.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置，在第m像素行中，各第三子像素包括第三結(jié)構(gòu)層，該 多個第三結(jié)構(gòu)層彼此分離且分別對應(yīng)于第三子像素，在第(m+n)像素行中，該多個第三子 像素包括第三共用結(jié)構(gòu)層，該第三共用結(jié)構(gòu)層對應(yīng)于位于同一行的多個第三子像素，其中 該第三結(jié)構(gòu)層與該第三共用結(jié)構(gòu)層同為有機(jī)功能層或電極層。
13.如權(quán)利要求12所述的發(fā)光裝置，其中該第三共用結(jié)構(gòu)層的寬度為120μπι至 125 μ m。
14.一種發(fā)光裝置的制造方法，包括提供基板，該基板包括多個像素區(qū)，各像素區(qū)包括分別排列成行的多個第一子像素區(qū)、 多個第二子像素區(qū)以及多個第三子像素區(qū)；提供掩模于該基板上，該掩模包括多個次掩模單元以及位于該多個次掩模單元之間的 組合間隙，各次掩模單元包括具有多個開口的主體，該主體遮蔽該多個第二子像素區(qū)與該 多個第三子像素區(qū)，該多個開口排列成多行且各開口暴露出與其對應(yīng)的第一子像素區(qū)，以 及各組合間隙暴露出與其對應(yīng)且位于同一行的多個第一子像素區(qū)，其中各組合間隙的寬度至少大于25 μ m;以及透過該掩模，在對應(yīng)各開口的第一子像素區(qū)中形成第一結(jié)構(gòu)層，以及于對應(yīng)各組合間 隙的位于同一行的多個第一子像素區(qū)中形成第一共用結(jié)構(gòu)層，其中該第一結(jié)構(gòu)層與該第一 共用結(jié)構(gòu)層同為有機(jī)功能層或電極層。
15.如權(quán)利要求14所述的發(fā)光裝置的制造方法，其中各次掩模單元的寬度為50mm至 580mmο
16.如權(quán)利要求14所述的發(fā)光裝置的制造方法，其中各組合間隙的寬度為120μπι至 125 μ m。
17.如權(quán)利要求14所述的發(fā)光裝置的制造方法，其中各開口的寬度為120μπι至 125 μ m。
18.如權(quán)利要求14所述的發(fā)光裝置的制造方法，其中該第一結(jié)構(gòu)層與該第一共用結(jié)構(gòu) 層的形成方法包括蒸鍍法與濺鍍法。
19.如權(quán)利要求14所述的發(fā)光裝置的制造方法，其中該有機(jī)功能層包括空穴注入層、 空穴傳輸層、有機(jī)發(fā)光層、電子注入層以及電子傳輸層。
20.如權(quán)利要求14所述的發(fā)光裝置的制造方法，其中該電極層包括陰極層。
21.如權(quán)利要求14所述的發(fā)光裝置的制造方法，其中該電極層包括陽極層。
22.如權(quán)利要求14所述的發(fā)光裝置的制造方法，在形成該第一結(jié)構(gòu)層與該第一共用結(jié) 構(gòu)層后，還包括移動該掩模，使該掩模的該主體遮蔽該多個第一子像素區(qū)與該多個第三子像素區(qū)，各 開口暴露出與其對應(yīng)的第二子像素區(qū)，以及各組合間隙暴露出與其對應(yīng)且位于同一行的多 個第二子像素區(qū)；以及透過該掩模，在對應(yīng)各開口的第二子像素區(qū)中形成第二結(jié)構(gòu)層，以及于對應(yīng)各組合間 隙的位于同一行的多個第二子像素區(qū)中形成第二共用結(jié)構(gòu)層，其中該第二結(jié)構(gòu)層與該第二 共用結(jié)構(gòu)層同為有機(jī)功能層或電極層。
23.如權(quán)利要求14所述的發(fā)光裝置的制造方法，在形成該第一結(jié)構(gòu)層與該第一共用結(jié) 構(gòu)層后，還包括移動該掩模，使該掩模的該主體遮蔽該多個第一子像素區(qū)與該多個第二子像素區(qū)，各 開口暴露出與其對應(yīng)的第三子像素區(qū)，以及各組合間隙暴露出與其對應(yīng)且位于同一行的多 個第三子像素區(qū)；以及透過該掩模，在對應(yīng)各開口的第三子像素區(qū)中形成第三結(jié)構(gòu)層，以及于對應(yīng)各組合間 隙的位于同一行的多個第三子像素區(qū)中形成第三共用結(jié)構(gòu)層，其中該第三結(jié)構(gòu)層與該第三 共用結(jié)構(gòu)層同為有機(jī)功能層或電極層。
全文摘要
本發(fā)明公開一種發(fā)光裝置及其制造方法。該發(fā)光裝置包括基板以及多個像素行。像素行排列于基板上，像素行包括第一子像素行、第二子像素行以及第三子像素行，第一子像素行包括多個第一子像素，第二子像素行包括多個第二子像素，以及第三子像素行包括多個第三子像素。在第m像素行中，第一子像素包括第一結(jié)構(gòu)層，第一結(jié)構(gòu)層彼此分離且分別對應(yīng)于第一子像素，在第(m+n)像素行中，第一子像素包括第一共用結(jié)構(gòu)層，第一共用結(jié)構(gòu)層對應(yīng)于位于同一行的多個第一子像素，其中第一結(jié)構(gòu)層與第一共用結(jié)構(gòu)層同為有機(jī)功能層或電極層，且m、n分別為正整數(shù)。
文檔編號G09F9/33GK102110707SQ20101055609
公開日2011年6月29日 申請日期2010年11月23日 優(yōu)先權(quán)日2010年11月23日
發(fā)明者吳文豪, 江元銘 申請人:友達(dá)光電股份有限公司