專利名稱：一種像素電路及顯示設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及顯示器件技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種OLED顯示設(shè)備及其像素電路。
背景技術(shù)：
有機發(fā)光二極管(OLED =Organic Light-Emitting Diode)顯示因具有高亮度、高發(fā)光效率、寬視角、低制造成本等優(yōu)點，近年來被人們廣泛研究，并迅速應(yīng)用到新一代的顯示當中。OLED顯示的像素驅(qū)動方式可以為無源矩陣驅(qū)動(PM0LED Passive Matrix OLED) 和有源矩陣驅(qū)動(AMOLED =Active MatrixOLED)兩種。無源矩陣驅(qū)動因交叉串擾、驅(qū)動電流大、功耗高等缺點，不能實現(xiàn)大面積的顯示。相比之下，有源矩陣驅(qū)動避免了占空比和交叉串擾等問題，所需要的驅(qū)動電流較小、功耗較低，因而壽命更長。同時，有源矩陣驅(qū)動更容易滿足高灰度級顯示的需要。但是，要使有源矩陣OLED實現(xiàn)產(chǎn)品化，還存在許多困難需要解決。目前，AMOLED 像素電路的主要工藝有低溫多晶硅(LTPS:Low Temperature PolySilicon)技術(shù)、非晶硅 (a-Si)技術(shù)以及微晶硅(UC-Si)技術(shù)。采用a-Si技術(shù)(通常情況下采用氫化非晶硅， a-Si:H)制成的薄膜晶體管(TFT =Thin Film Transistor)載流子遷移率較低，一般在Icm2/ vs左右。在長時間偏壓作用下，TFT的閾值電壓漂移現(xiàn)象較嚴重，并且存在明顯的溫度不穩(wěn)定性。非晶硅技術(shù)與多晶硅技術(shù)相比，a-Si:H TFT面板上各個晶體管之間閾值電壓、載流子遷移率等參數(shù)的一致性很好。隨著OLED器件特性的不斷提高，驅(qū)動OLED所需要的電流也降到很小，較小的載流子遷移率也可以提供足夠的電流驅(qū)動能力，所以，低遷移率在a-Si H TFT像素電路中并不是一個很大的問題，重要的是如何解決閾值電壓漂移等問題。另外，由于可以直接應(yīng)用于有源矩陣液晶顯示(AMLCD :Active MatrixLiquid Crystal Displays) 中成熟的技術(shù)，所以其工藝成本相對于LTPS低很多，這是a-Si:H TFT技術(shù)很大的優(yōu)勢。傳統(tǒng)的AMOLED像素電路是簡單的兩TFT結(jié)構(gòu)，如圖1所示，該像素電路包括開關(guān) TFT T2、電容Cs、驅(qū)動TFT Tl和發(fā)光器件0LED。開關(guān)TFT T2響應(yīng)來自掃描線Vsa的控制信號來采樣來自數(shù)據(jù)線Vdata的數(shù)據(jù)信號。該電容(；在T2關(guān)斷后保存所采樣的數(shù)據(jù)信號電壓。 該驅(qū)動TFT Tl在給定的發(fā)光期間根據(jù)該電容Cs所保留的輸入電壓來供應(yīng)輸出電流。發(fā)光器件OLED通過來自驅(qū)動TFT Tl的輸出電流來發(fā)出其亮度與數(shù)據(jù)信號相稱的光。由于由電容Cs存儲的輸入電壓被施加到該驅(qū)動TFT Tl的柵極，因此該驅(qū)動TFT Tl允許輸出電流從其漏極流向源極，從而將電流供應(yīng)給發(fā)光器件0LED。通常地，發(fā)光器件 OLED的發(fā)光亮度與所供應(yīng)的電流量成比例。另外，根據(jù)柵極電壓，即被寫入到該電容Cs的輸入電壓，來控制從驅(qū)動TFT Tl供應(yīng)的輸出電流量。通過改變輸入數(shù)據(jù)信號來調(diào)整驅(qū)動TFT Tl的柵極的輸入電壓以控制供應(yīng)給發(fā)光器件OLED的電流量。驅(qū)動TFT Tl的操作特性可用公式表示為Ids = (1/2) μ (ff/L) Cox(Vgs-Vth)2其中，Ids是從漏極流向源極的漏極電流。該電流是被供應(yīng)給發(fā)光器件OLED。Vgs 是被施加給柵極相對于源極的電壓。在此像素電路中，Ves是上述輸入電壓，Vth是晶體管閾值電壓，μ是構(gòu)成晶體管溝道的半導體薄膜的遷移率，W是溝道寬度，L是溝道長度，Cox是柵極電容。圖1所示的這種電路雖然結(jié)構(gòu)簡單，但是不能補償a_Si:H TFT閾值電壓漂移的現(xiàn)象。根據(jù)該公式，不同的閾值電壓使得流過OLED的電流不一致，從而發(fā)光亮度不均，影響顯示的質(zhì)量。為了解決閾值電壓帶來的亮度不一致問題，人們提出各種像素電路，這些電路大致可以分為兩類電流驅(qū)動型像素電路和電壓驅(qū)動型像素電路。電壓驅(qū)動型像素電路相對于電流驅(qū)動型像素電路有很快的充放電速度，可以滿足大面積、高分辨顯示的需要。但是， 許多電壓驅(qū)動型像素電路在補償閾值電壓的漂移時，引入了多條控制信號和較為復雜的編程過程，這使得電路對外部的驅(qū)動IC要求較高，像素的版圖布線也變得復雜。圖2為一種能補償閾值電壓漂移的電壓型像素電路及其驅(qū)動信號，每個像素電路中除了需要連接DATA和一條柵極掃描線Vsa外，還需要連接預掃描線PRES和控制電源線 Vca,因此電路中還增加了兩條復雜的預掃描線PRES和控制電源線V。a。PRES和Vea的作用都是為了產(chǎn)生Vth，通過它們不停地變化來讓Cs上存儲Vth的信號，可以看到它們不像圖1中的 Vsa那么簡單地只變一次高電平就可以了，而是有較多的變化。\3的另一個作用相當于圖1 所示像素電路的VDD，為OLED的持續(xù)發(fā)光供電，只不過它有好幾個變化的電壓值?？梢姡瑘D2 所示像素電路的電源線和掃描線具有多個變化的電壓值，增加了外部IC的復雜程度，因此實現(xiàn)此像素電路的難度較大。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明要解決的主要技術(shù)問題是，提供一種像素電路及顯示設(shè)備，在盡量不增加外圍IC復雜程度的前提下能夠補償像素電路的閾值電壓漂移。為此，本發(fā)明提出一種像素電路，其被布置在以第一方向排列的用于供應(yīng)控制信號的掃描線和以第二方向排列的用于供應(yīng)數(shù)據(jù)信號的數(shù)據(jù)線之間，包括第四晶體管，用于采樣所述數(shù)據(jù)線供應(yīng)的數(shù)據(jù)信號；第一電容；第一晶體管，用于驅(qū)動發(fā)光器件發(fā)光；還包括用于提供電源的電源線、第二晶體管、第三晶體管、第五晶體管和第六晶體管，其中，所述第四晶體管的控制極連接到該像素電路所在行的后一行的掃描線，第一電流導通極連接到所述數(shù)據(jù)線，第二電流導通極連接到所述第一電容的第一電極，用于在給定時序的有效期間導通以采用所述數(shù)據(jù)線供應(yīng)的數(shù)據(jù)信號；所述第一電容的第二電極分別連接到第一晶體管和第二晶體管的控制極；所述第一晶體管通過其第一電流導通極和第二電流導通極連接在所述電源線和地之間，并在所述第一電容的第二電極的電壓控制下為發(fā)光器件提供電流；所述第二晶體管的第一電流導通極與所述第三晶體管的第一電流導通極相連，第二電流導通極與所述第一晶體管的第二電流導通極相連；所述第三晶體管的控制極連接到所述像素電路所在行的掃描線，第二電流導通極連接到所述第一電容的第二電極，用于在給定時序的有效期間導通對所述第一電容進行放電；
所述第五晶體管的控制極連接到所述像素電路所在行的前一行的掃描線，第一電流導通極與所述電源線相連，第二電流導通極連接到所述第一電容的第二電極，用于在給定時序的有效期間導通對所述第一電容進行充電；所述第六晶體管的控制極連接到所述像素電路所在行的掃描線，第一電流導通極與所述第一電容的第一電極相連，第二電流導通極耦合到第一電源，用于在給定時序的有效期間導通并使所述第一電容的第一電極耦合到低電平。進一步地，還包括發(fā)光器件，所述發(fā)光器件與所述第一晶體管串聯(lián)在所述電源線和地之間。所述發(fā)光器件為有機發(fā)光二極管。優(yōu)選地，所述發(fā)光器件的陽極連接到所述第一晶體管的第二電流導通極，陰極接地；所述第一晶體管的第一電流導通極連接到電源線。優(yōu)選地，所述發(fā)光器件的陽極連接到電源線，陰極連接到所述第一晶體管的第一電流導通極；所述第一晶體管的第二電流導通極接地。所述第一電源為所述像素電路所在行的前一行的掃描線或為所述像素電路所在行的后一行的掃描線或為地。進一步地，還包括第二電容，所述第二電容的第二電極與所述電源線相連，第一電極與所述第一電容的第一電極相連。所述第一晶體管、所述第二晶體管、所述第三晶體管、所述第四晶體管、所述第五晶體管、所述第六晶體管均為非晶硅N溝道薄膜晶體管或多晶硅N溝道薄膜晶體管或多晶硅P溝道薄膜晶體管。本發(fā)明相應(yīng)地提供一種顯示設(shè)備，包括以第一方向排列的多條掃描線；掃描驅(qū)動電路，用于產(chǎn)生掃描信號，分別與多條掃描線連接；以第二方向排列的多條數(shù)據(jù)線；數(shù)據(jù)驅(qū)動電路，用于產(chǎn)生數(shù)據(jù)信號，分別與多條數(shù)據(jù)線連接；還包括多個如上所述的像素電路，所述像素電路被布置在相交叉的所述掃描線和所述數(shù)據(jù)線之間。本發(fā)明的有益效果在于(1)利用不同晶體管組成的電路結(jié)構(gòu)來產(chǎn)生并存儲閾值電壓的信息，通過第二晶體管與第一晶體管的鏡像關(guān)系以消除產(chǎn)生的閾值電壓來減少閾值電壓漂移對發(fā)光器件的影響，從而有效補償TFT閾值電壓漂移帶來的面板亮度不均和亮度變化；進一步地，由于第一晶體管與第二晶體管的控制極互連，二者的第二電流導通極也互連，因此降落在第一晶體管、第二晶體管兩者的控制極和第二電流導通極之間的電壓始終保持一致，從而可以有效地保證這兩個晶體管閾值電壓漂移的一致。(2)本發(fā)明的像素電路只需要利用該像素電路所在行的掃描線、以及其前后一行的掃描線來分別驅(qū)動各個晶體管，而現(xiàn)有的外圍IC原本就有提供這些掃描線，因此采用本發(fā)明的方案并沒有增加額外的掃描線和外圍驅(qū)動IC的復雜程度。(3)本發(fā)明的像素電路中，當所述發(fā)光器件陽極接所述第一晶體管的第二電流導通極，陰極接地，且第一電源為所述像素電路所在行的前一行的掃描線或為所述像素電路所在行的后一行的掃描線時，像素電路所在的面板不需要公共的地電極，從而消除公共地電極帶來的降低像素開口率問題。


圖1是一種兩TFT像素電路示意圖；圖2是一種電壓型像素電路示意圖；圖3是圖2所示電路的驅(qū)動時序示意圖；圖4是本發(fā)明像素電路實施例一示意圖；圖5是本發(fā)明像素電路實施例二示意圖；圖6是本發(fā)明像素電路實施例三示意圖；圖7是本發(fā)明像素電路實施例四示意圖；圖8是圖4至7所示實施例的柵掃描信號時序示意圖；圖9是本發(fā)明顯示設(shè)備實施例的示意圖。
具體實施例方式下面通過具體實施方式
結(jié)合附圖對本發(fā)明作進一步詳細說明。實施例一如圖4所示的像素電路包括電源線VDD、第一晶體管Tl、第二晶體管T2、第三晶體管T3、第四晶體管T4、第五晶體管T5和第六晶體管T6和第一電容CS1。所述像素電路所在行的掃描線，稱為本行柵掃描線VN，N為自然數(shù)；所述像素電路所在行的前一行的掃描線，稱為前一行行柵掃描線Vim ；所述像素電路所在行的后一行的掃描線，稱為后一行柵掃描線VN+1。電源線Vdd用于為像素電路提供電源，本實施例及如下各個實施例中該電源線提供高電平恒壓電源。實施例中以發(fā)光器件為有機發(fā)光二極管OLED為例進行說明。第一晶體管Tl、第二晶體管T2、第三晶體管T3、第四晶體管T4、第五晶體管T5和第六晶體管T6，實施例中這六個晶體管為N溝道薄膜晶體管，晶體管的控制極對應(yīng)為TFT的柵極，第一電流導通極和第二電流導通極是可以互易的，即，第一電流導通極可以是源極也可以是漏極，對應(yīng)地，第二電流導通極可以是漏極也可以是源極。各元器件之間的連接關(guān)系為第四晶體管T4的柵極連接到VN+1，漏極連接到數(shù)據(jù)線Vdata，源極連接到第一電容 Csi的第一電極，連接點為B點，用于在給定時序的有效期間導通以采用數(shù)據(jù)線Vdata供應(yīng)的數(shù)據(jù)信號；第一電容Csi的第二電極分別連接到第一晶體管Tl和第二晶體管T2的柵極，連接點為A點。第一晶體管Tl的漏極連接到電源線VDD，源極連接到OLED的陽極，用于在第一電容Csi的第二電極的電壓控制下為OLED提供電流。OLED的陰極接地。第二晶體管T2 的漏極與第三晶體管T3的源極相連，源極也連接到OLED的陽極。第三晶體管T3的柵極連接到本行柵掃描線Vn，漏極和第五晶體管T5的源極與第一電容Csi的第二電極相連，用于在給定時序的有效期間導通對第一電容Csi進行放電。第五晶體管T5的柵極連接到前一行柵掃描線Vim，漏極與電源線Vdd相連，用于在給定時序的有效期間導通對第一電容Csi進行充電。第六晶體管T6用于在給定時序的有效期間導通并使第一電容Csi的第一電極耦合到低電平，T6的柵極連接到本行柵掃描線VN，T6的漏極與第四晶體管的源極一起接到第一電容 Csi的第一電極，T6的源極連接到第一電源。實施例中第一電源為像素電路所在行的前一行的掃描線，即Vim，其他實施例中T6的源極還可以連接到像素電路所在行的后一行的掃描線或連接到地；建議是將第一電源設(shè)為像素電路所在行的前一行的掃描線或為像素電路所在行的后一行的掃描線，此時像素電路所在的面板不需要公共的地電極，即可以消除現(xiàn)有技術(shù)像素電路中的地電極，而公共的地電極不但降低像素的開口率，而且多一條公共電極連線也變得復雜。實施例一所示電路的工作過程，如圖8所示，分為四個階段預充電階段，Vt產(chǎn)生階段，編程階段和發(fā)光階段。預充電階段柵掃描線Vh處于為高電平，Vn和VN+1處于低電平，使得T3、T4和T6處于截止狀態(tài)，T5處于導通狀態(tài)。Vdd通過T5將A點充電至很高，接近VDD。這一階段的目的是為A點存儲足夠高的電壓，為下一階段閾值電壓的產(chǎn)生提供必要條件。由于此階段B點相當于懸空，A點充電時，B點的電位也會被自舉，但這不影響電路的正常工作。Vt產(chǎn)生階段柵掃描線Vn_i、VN+1處于低電平，Vn處于高電平，使得T4和T5截止，T3和T6導通， 第一電容Csi的第二電極電壓通過T3、T2和OLED放電直到T2管關(guān)閉，這時A點電壓為Va =VTH T2+VT 0LED,而B點經(jīng)過T6放電至地電位0。之所以下拉B點電壓為0，是因為，如果不將B點電位下拉為0，則B點會存在上一發(fā)光周期的電壓信息；所以本階段的目的之一是將上一幀周期中存儲的數(shù)據(jù)“清空”。通過Vt產(chǎn)生階段能夠有效的產(chǎn)生閾值電壓的信息，從而更好的補償閾值電壓漂移帶來的影響；雖然現(xiàn)有的一些采用上下級柵掃描的像素電路能進行閾值電壓漂移補償，但其并非采用本實施例這種產(chǎn)生閾值電壓信息進行補償?shù)姆椒?，這些像素電路中驅(qū)動晶體管柵極保存的信息不僅不能完全跟蹤閾值電壓的漂移，還有可能強烈依賴于掃描線的高電平持續(xù)時間，兩者都會造成較大誤差。編程階段柵掃描線VN_”VN處于低電平，VN+1處于高電平，使得T3、T5和Τ6截止，Τ4導通，數(shù)據(jù)信號Vdata通過Τ4為B點充電至VDATA。由于T3關(guān)閉，A點相當于懸空，根據(jù)電容自舉效應(yīng)， A點的電位變化應(yīng)該等于電容的另一電極上的電位變化，B點電位由0變?yōu)閂data，則A點電
位由 VA — VTH—T2+VT—OLED 變?yōu)?VA — ^DATA+^TH_T2+^T_0LED ο發(fā)光階段柵掃描線Vh、Vn和VN+1全部處于低電平，使得T3、T4、T5和T6截止，A點電位被保持在第一電容Csi上。由于只有Tl和T2為導通狀態(tài)，在此之后的整個幀周期，A點電壓為OLED提供電流I = K (Vgsti-Vthti) 2 = K (Va-Voled-Vthti) 2一 K (VDATA+VJH—T2+VT—OLED_VOLED_VTH—Tl) 由于a-Si H TFT各個晶體管之間閾值電壓一致性很好，即可認為Vth T2 = Vth ti,于是上式可簡化為
I = K (VDATA+VT0LED-V0LED)2 = K (Vdata- Δ Voled) 2(1)其中，Vth T1和Vth T2分別表示Tl和Τ2的閾值電壓，表示發(fā)光階段OLED的陽極電勢，表示OLED的閾值電壓，兩者之差用AVmd表示。K = 0. 5 μ Cox(ff/L)為增益因子，μ和Cra分別為TFT的載流子遷移率和柵絕緣層電容，W和L分別表示TFT的溝道寬度和長度。從式(1)可以看到OLED電流與閾值電壓Vth無關(guān)，無論Vth怎么變化，流過OLED 的電流保持不變，從而可以補償閾值電壓的漂移。進一步地，在整個發(fā)光階段，柵源電壓是影響TFT閾值電壓漂移的主要因素，而Tl和Τ2兩管的柵源電壓始終保持一致，所以其閾值電壓漂移也接近，盡可能的縮小了閾值電壓漂移的差距。實施例一的驅(qū)動時序采用的是上下級像素的柵掃描線VN_i、Vn和VN+1，在整個幀掃描過程中VN_i、Vn和VN+1依次變?yōu)楦唠娖剑腋唠娖诫A段互不重疊。因此可以利用前一級像素的柵信號作為Vim，而后一級像素的柵信號作為VN+1，本級像素的柵信號為Vn，而不需要增加額外的柵掃描線。這就相當于每級像素只用一個簡單的柵掃描信號，與需要幾條柵信號的電路相比，實現(xiàn)實施例一所需的外圍驅(qū)動電路被大大簡化，同時像素布線的復雜程度也被降低。此外，由于采用上下級像素的柵掃描線，每一個編程階段都占滿一行的幀選通時間，而一些現(xiàn)有技術(shù)的電路中，一個幀選通時間要分給幾個不同的階段進行不同的操作。對于高分辨率的顯示，幀選通時間本來就很少，再分配成幾個階段操作將會影響到電路的精度和準確度。實施例一的又一優(yōu)點是可以部分補償OLED的老化帶來的影響。由式(1)可以看到，通過OLED的電流與實際落在OLED上的電壓Vmd和OLED的閾值電壓Vtjmd之差有關(guān)。 隨著OLED的老化使得其閾值電壓Vtjmd變大，OLED的陽極電壓Vmd也會隨著上升，這樣 Δ Voled變化相對較小，通過OLED的電流變化也較小，從而能部分補償因OLED電流變化導致的亮度不均。另外，由于OLED的電流與電壓基本呈現(xiàn)陡峭的指數(shù)關(guān)系，并且隨著OLED效率等方面性能的提高，OLED陽極稍大于Vtjmd的電壓即可為OLED提供較大的電流；也就是說 △ Vmd是一個很小的值。這樣，要為OLED提供足夠的電流所需要的數(shù)據(jù)電壓也不會很大。 在較低的柵偏壓下，TFT的閾值電壓漂移較慢。實施例二 如圖5所示，實施例二與實施例一的不同之處在于實施例二中還包括有第二電容Cs2，Cs2的第一電極與Τ4的源極及Τ6的漏極相連，第二電極連接到電源線VDD。采用第二電容Q2的優(yōu)點是可以保證電路連接點B點處的電壓穩(wěn)定，從而連接點A點處的電壓也穩(wěn)定，提高整個電路的性能。實施例二的電路工作過程與實施例一相同，此處不再贅述。實施例三如圖6所示，實施例三與實施例一相比，不同之處在于OLED的陽極與電源線Vdd相連，陰極與第一晶體管Tl的漏極相連；第一晶體管Tl的源極與第二晶體管T2的源極均接地。實施例三中電路的工作過程同樣也可分為四個階段，如圖8所示，其中預充電階段與實施例一相同；Vt產(chǎn)生階段
與實施例一類似的分析后得出，第一電容Csi的第二電極(A點)電壓為Va = Vth
T2 ‘編程階段與實施例一類似的分析后得出，A點電壓為Va = VDATA+VTH T2 ；發(fā)光階段與實施例一類似的分析后得出，流過OLED的電流為I = K (Vgsti-Vthti) 2 = K (Va-Vthti) 2 = K (Vdata-Vtht2-Vthti) 2 = K (Vdata) 2與實施例一一樣，實施例三能有效補償閾值電壓漂移帶來的面板亮度不均和亮度變化，也不需要額外增加掃描線；此外，由于電流公式中不存在OLED的陽極電壓和閾值電壓項，即發(fā)光階段OLED電流與OLED的陽極電壓和閾值電壓都無關(guān)，因而可以完全補償因 OLED老化使其閾值電壓升高引起的亮度下降，實現(xiàn)同一亮度所需的數(shù)據(jù)電壓更小。實施例四如圖7所示，實施例四與實施例三相比，多了個第二電容Cs2，Cs2的第一電極與T4 的源極及T6的漏極相連，第二電極連接到電源線VDD。采用第二電容Cs2的優(yōu)點與前述一樣， 是可以保證電路連接點A點和B點處的電壓穩(wěn)定，提高整個電路的性能。實施例四的電路工作過程與實施例三相同，此處不再贅述。以上四個實施例中，T1、T2、T3、T4、T5、T6這六個晶體管可以都是非晶硅N溝道薄膜晶體管，也可以都是多晶硅N溝道薄膜晶體管，還可以都是多晶硅P溝道薄膜晶體管。如果均為多晶硅P溝道薄膜晶體管，則電路圖的連接根據(jù)N溝道與P溝道極性的不同而相應(yīng)地改變，本領(lǐng)域技術(shù)人員能夠根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)做出改變，此處不再附圖贅述。上述實施例是按照已連接了發(fā)光器件的情況進行說明的，在另外的實施例中，也可以是將不包括發(fā)光器件的像素電路先制作在基板上，留出與發(fā)光器件連接的接線端子， 然后再制作發(fā)光器件，并在組裝過程中將發(fā)光器件和像素電路連接。上述實施例可應(yīng)用于顯示設(shè)備中，如圖9所示，包括以第一方向排列的多條掃描線；掃描驅(qū)動電路，用于產(chǎn)生掃描信號，分別與多條掃描線連接；以第二方向排列的多條數(shù)據(jù)線；數(shù)據(jù)驅(qū)動電路，用于產(chǎn)生數(shù)據(jù)信號，分別與多條數(shù)據(jù)線連接；多個如上實施例所述的像素電路，該像素電路被布置在相交叉的掃描線和數(shù)據(jù)線之間。在該顯示設(shè)備中，前一行柵掃描信號Vim引自第N行像素前一行(N-1行)像素的本行掃描線，驅(qū)動過程中Vim先變?yōu)楦唠娖?，持續(xù)一段時間后再變?yōu)榈碗娖剑槐拘袞艗呙栊盘朧n，為第N行像素提供掃描信號，即本行柵掃描線Vn，驅(qū)動過程中由高電平變?yōu)榈碗娖街笞優(yōu)楦唠娖剑琕n的高電平持續(xù)相同的時間后變?yōu)榈碗娖?；后一行掃描信號Vm引自第N行像素后一行(N+1行)像素的本行掃描線，Vn由高電平變?yōu)榈碗娖胶螅琕m變?yōu)楦唠娖讲⒕S持相同的時間后再變?yōu)榈碗娖?，其中N為自然數(shù)。一種實施例中，當N為第一行像素時，在該行像素之前存在一行柵掃描線用作為第一行像素的Vim，當N為最后一行像素時， 在該行像素之后也存在一行柵掃描信號用作為最后一行像素的VN+1 ；例如有320行像素，實施例中需要存在322行柵掃描線，其中第0行柵掃描線作為第一行像素的Vim，而第321行
10柵掃描線則作為第320行像素的VN+1。前述各個實施例，包括像素電路實施例與顯示設(shè)備實施例，其采用的上下級像素的柵掃描線VN_i、VN和VN+1在其他像素電路實施例或顯示設(shè)備實施例中還可以是如VN_2、VN_i 和\等形式的柵掃描線，其中Vn為當前行像素的柵掃描線，Vn^1為當前行像素的上一行柵掃描線，VN_2為當前行像素的上上行柵掃描線。以上內(nèi)容是結(jié)合具體的實施方式對本發(fā)明所作的進一步詳細說明，不能認定本發(fā)明的具體實施只局限于這些說明。對于本發(fā)明所屬技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明構(gòu)思的前提下，還可以做出若干簡單推演或替換，都應(yīng)當視為屬于本發(fā)明的保護范圍。
權(quán)利要求
1.一種像素電路，其被布置在以第一方向排列的用于供應(yīng)控制信號的掃描線和以第二方向排列的用于供應(yīng)數(shù)據(jù)信號的數(shù)據(jù)線之間，包括第四晶體管，用于采樣所述數(shù)據(jù)線供應(yīng)的數(shù)據(jù)信號； 第一電容；第一晶體管，用于驅(qū)動發(fā)光器件發(fā)光；其特征在于還包括用于提供電源的電源線、第二晶體管、第三晶體管、第五晶體管和第六晶體管，其中，所述第四晶體管的控制極連接到該像素電路所在行的后一行的掃描線，第一電流導通極連接到所述數(shù)據(jù)線，第二電流導通極連接到所述第一電容的第一電極，用于在給定時序的有效期間導通以采樣所述數(shù)據(jù)線供應(yīng)的數(shù)據(jù)信號；所述第一電容的第二電極分別連接到第一晶體管和第二晶體管的控制極； 所述第一晶體管通過其第一電流導通極和第二電流導通極連接在所述電源線和地之間，并在所述第一電容的第二電極的電壓控制下為發(fā)光器件提供電流；所述第二晶體管的第一電流導通極與所述第三晶體管的第一電流導通極相連，第二電流導通極與所述第一晶體管的第二電流導通極相連；所述第三晶體管的控制極連接到所述像素電路所在行的掃描線，第二電流導通極連接到所述第一電容的第二電極，用于在給定時序的有效期間導通對所述第一電容進行放電；所述第五晶體管的控制極連接到所述像素電路所在行的前一行的掃描線，第一電流導通極與所述電源線相連，第二電流導通極連接到所述第一電容的第二電極，用于在給定時序的有效期間導通對所述第一電容進行充電；所述第六晶體管的控制極連接到所述像素電路所在行的掃描線，第一電流導通極與所述第一電容的第一電極相連，第二電流導通極耦合到第一電源，用于在給定時序的有效期間導通并使所述第一電容的第一電極耦合到低電平。
2.如權(quán)利要求1所述的像素電路，其特征在于，還包括發(fā)光器件，所述發(fā)光器件與所述第一晶體管串聯(lián)在所述電源線和地之間。
3.如權(quán)利要求2所述的像素電路，其特征在于所述發(fā)光器件為有機發(fā)光二極管。
4.如權(quán)利要求3所述的像素電路，其特征在于所述發(fā)光器件的陽極連接到所述第一晶體管的第二電流導通極，陰極接地；所述第一晶體管的第一電流導通極連接到電源線。
5.如權(quán)利要求3所述的像素電路，其特征在于所述發(fā)光器件的陽極連接到電源線，陰極連接到所述第一晶體管的第一電流導通極；所述第一晶體管的第二電流導通極接地。
6.如權(quán)利要求1至5中任一項所述的像素電路，其特征在于所述第一電源為所述像素電路所在行的前一行的掃描線或為所述像素電路所在行的后一行的掃描線或為地。
7.如權(quán)利要求1至6中任一項所述的像素電路，其特征在于，還包括第二電容，所述第二電容的第二電極與所述電源線相連，第一電極與所述第一電容的第一電極相連。
8.如權(quán)利要求1至7中任一項所述的像素電路，其特征在于所述第一晶體管、所述第二晶體管、所述第三晶體管、所述第四晶體管、所述第五晶體管、所述第六晶體管均為非晶硅N溝道薄膜晶體管或多晶硅N溝道薄膜晶體管或多晶硅P溝道薄膜晶體管。
9.一種顯示設(shè)備，包括以第一方向排列的多條掃描線；掃描驅(qū)動電路，用于產(chǎn)生掃描信號，分別與多條掃描線連接； 以第二方向排列的多條數(shù)據(jù)線；數(shù)據(jù)驅(qū)動電路，用于產(chǎn)生數(shù)據(jù)信號，分別與多條數(shù)據(jù)線連接；其特征在于，還包括多個如權(quán)利要求1-8所述的像素電路，所述像素電路被布置在相交叉的所述掃描線和所述數(shù)據(jù)線之間。
全文摘要
本發(fā)明提供一種像素電路及顯示設(shè)備，包括電源線，用于提供電源；第一電容，用于存儲數(shù)據(jù)線供應(yīng)的數(shù)據(jù)信號；第一晶體管，用于驅(qū)動發(fā)光器件發(fā)光；第二晶體管，用于與第一晶體管形成鏡像結(jié)構(gòu)；第三晶體管，用于控制第一電容的第二電極的放電；第四晶體管，用于采樣數(shù)據(jù)線供應(yīng)的數(shù)據(jù)信號；第五晶體管，用于控制第一電容的充電；第六晶體管，用于控制第一電容的第一電極的放電。本發(fā)明通過不同晶體管組成的電路結(jié)構(gòu)來產(chǎn)生并消除閾值電壓，從而有效補償因a-Si:H TFT閾值電壓漂移帶來的OLED亮度不均和亮度變化，同時柵掃描信號引自上下級像素，避免額外增加外圍驅(qū)動IC的復雜程度。
文檔編號G09G3/32GK102270425SQ20101018951
公開日2011年12月7日 申請日期2010年6月1日 優(yōu)先權(quán)日2010年6月1日
發(fā)明者廖聰維, 張盛東, 梁逸南, 王龍彥 申請人:北京大學深圳研究生院