專利名稱：顯示裝置和驅(qū)動控制方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及顯示裝置和驅(qū)動控制方法，并且具體涉及降低顯示裝置的功耗的顯示 裝置和驅(qū)動控制方法。
背景技術(shù)：
近年來，使用有機電致發(fā)光(EL)元件作為發(fā)光元件的平面自發(fā)光型的面板已經(jīng) 并且正在積極發(fā)展。有機EL元件具有二極管特性，并且利用這樣的現(xiàn)象如果施加電場到 有機薄膜，則有機薄膜發(fā)光。因為有機EL元件是其功耗低的自發(fā)光元件，因為其通過施加 的小于或等于10V的電壓驅(qū)動，并且其自身發(fā)光。因此，有機EL元件具有這樣的特性，其不 需要照明部件，并且易于降低重量和厚度。此外，因為有機EL元件的響應(yīng)速度高至大約幾 y s，所以EL面板具有在顯示動態(tài)圖像時不出現(xiàn)余像的優(yōu)點。在各種EL面板中，正在積極發(fā)展有源矩陣型的面板，其中在每個像素中以集成 狀態(tài)形成作為驅(qū)動元件的薄膜晶體管(TFT)。例如，在日本專利公開No. 2003-255856、 2003-271095,2004-133240,2004-029791 和 2004-093682 中公開了有源矩陣 EL 面板。順便提及，公知的是有機EL元件的電流-電壓特性(即，I-V特性)隨著時間經(jīng)過 而劣化，或者換句話說，遭受依賴于時間的劣化。在N溝道TFT具體用作用于電流驅(qū)動有機 EL元件的驅(qū)動晶體管的像素電路中，如果有機EL元件的I-V特性遭受依賴于時間的劣化， 則驅(qū)動晶體管的柵極_源極電壓Vgs變化。因為驅(qū)動晶體管的源極電極側(cè)連接到有機EL 元件，所以有機EL元件的發(fā)光亮度通過驅(qū)動晶體管的柵極-源極電壓Vgs的變化而變化。更具體地進行描述。在有機EL元件連接到驅(qū)動晶體管的源極電極側(cè)的情況下，驅(qū) 動晶體管的源極電勢依賴于驅(qū)動晶體管和有機EL元件的操作點。圖1A和1B分別圖示驅(qū)動晶體管和有機EL元件的操作點。參照圖1A和1B，橫坐 標軸指示驅(qū)動晶體管的漏極-源極電壓Vds，并且縱坐標軸指示驅(qū)動晶體管的源極-漏極電 流 Ids。在初始狀態(tài)，驅(qū)動晶體管和有機EL元件具有在圖1A圖示位置處的操作點。然后， 如果有機EL元件的I-V特性劣化，則因為驅(qū)動晶體管和有機EL元件的操作點如圖1B所示 變化，所以即使施加相同的電壓到驅(qū)動晶體管的柵極電極，驅(qū)動晶體管的源極電勢也變化。 這改變了驅(qū)動晶體管的源極_柵極電壓Vgs，因此，流到驅(qū)動晶體管的電流值變化。結(jié)果，流 到有機EL元件的電流值也變化，因此，有機EL元件的發(fā)光亮度變化。此外，特別在使用多晶TFT的像素電路中，除了有機EL元件的I_V特性的依賴于 時間的劣化外，驅(qū)動晶體管的晶體管特性隨著時間經(jīng)過而劣化，或者由于制造工藝中的分 散(dispersion)導(dǎo)致不同像素間晶體管特性不同。具體地，各個像素指示驅(qū)動晶體管的晶 體管特性的分散。晶體管特性可能是驅(qū)動晶體管的閾值電壓Vth、形成驅(qū)動晶體管的溝道的 半導(dǎo)體薄膜的遷移率1；等。應(yīng)該注意，如上所述的這種遷移率y以下簡稱為“驅(qū)動晶體管 的遷移率P ”。驅(qū)動晶體管的晶體管特性可以由以下表達式(1)表示
其中Ids代表驅(qū)動晶體管的源極-漏極電流，Vgs代表驅(qū)動晶體管的柵極-源極 電壓，L代表溝道長度，W代表柵極寬度，并且Cox代表每單位面積的柵極氧化膜電容。如果不同像素間驅(qū)動晶體管的閾值電壓Vth或遷移率y不同，則如從表達式(1) 明顯認識到，對于每個像素，在流到驅(qū)動晶體管的源極-漏極電流Ids中出現(xiàn)分散。結(jié)果， 即使在不同像素間施加相同電壓到驅(qū)動晶體管的柵極電極，在各像素間也出現(xiàn)有機EL元 件的發(fā)光亮度的分散。這破壞了屏幕圖像的一致性。因此，已經(jīng)提出了這樣的像素電路，其提供有各種校正或補償功能，以便保持有機 EL元件的發(fā)光亮度固定，而不受有機EL元件的I-V特性的依賴于時間的劣化、驅(qū)動晶體 管的晶體管特性的依賴于時間的變化等的影響。所述這類像素電路例如在日本專利公開 No. 2006-133542 中公開。校正功能可以是對于有機EL元件的特性變化的補償功能，針對驅(qū)動晶體管的閾 值電壓Vth的變化的校正功能，針對驅(qū)動晶體管的遷移率i!的變化的校正功能等功能。在 以下描述中，針對驅(qū)動晶體管的閾值電壓Vth的變化的校正稱為“閾值校正”，并且針對驅(qū) 動晶體管的遷移率y的變化的校正稱為“遷移率校正”。在每個像素電路以此方式提供有各種校正功能的情況下，有機EL元件的發(fā)光亮 度可以保持固定，而不受有機EL元件的I-V特性的依賴于時間的劣化或驅(qū)動晶體管的晶體 管特性的依賴于時間的變化的影響。結(jié)果，可以改進顯示裝置的顯示質(zhì)量。

發(fā)明內(nèi)容
然而，在遷移率校正中，在驅(qū)動晶體管的源極電勢逐漸上升的同時調(diào)整驅(qū)動晶體 管的源極_柵極電壓Vgs。因此，在發(fā)光時驅(qū)動晶體管的源極_柵極電壓Vgs等于通過遷移 率校正的驅(qū)動晶體管的源極電勢的上升量與輸入圖像信號的信號電勢的差。因此，如果考 慮通過遷移率校正的驅(qū)動晶體管的源極電勢的上升量，則對于要輸入的圖像信號要求更高 的信號電勢。這造成功耗增加的問題。因此，希望提供一種可以降低功耗的顯示裝置和驅(qū)動控制方法。根據(jù)本發(fā)明的實施例，提供一種顯示裝置，包括像素陣列部分，包括按照行和列 布置的多個像素；等于像素的行數(shù)的多條電源線和掃描線，所述電源線的每一條共同布線 到在行方向上并列的所述像素的那些像素；以及電源部分，適于通過所述電源線提供預(yù)定 電源電勢到行中的所述像素，所述像素的每一個包括發(fā)光元件，其具有二極管特性并且適 于響應(yīng)于驅(qū)動電流發(fā)光；采樣晶體管，適于采樣圖像信號；驅(qū)動晶體管，適于將驅(qū)動電流提 供到所述發(fā)光元件；累積電容器，連接在所述發(fā)光元件的陽極和所述驅(qū)動晶體管的柵極之 間，并且適于保持預(yù)定電勢；以及輔助電容器，連接在所述發(fā)光元件的陽極和位于在列方向 上鄰近該像素的鄰近像素的電源線或掃描線之間，并且適于保持預(yù)定電勢。在所述顯示裝置中，按照行和列布置的多個像素的每一個的輔助電容器連接在發(fā) 光元件的陽極和位于在列方向上鄰近該像素的鄰近像素的電源線或掃描線之間。根據(jù)本發(fā)明的另一實施例，提供一種用于顯示裝置的驅(qū)動控制方法，所述顯示裝 置包括包含按照行和列布置的多個像素的像素陣列部分；等于像素的行數(shù)的多條電源線，所述電源線的每一條共同布線到在行方向上并列的所述像素的那些像素；以及適于通 過所述電源線提供預(yù)定電源電勢到各行中的所述像素的電源部分，并且其中所述像素的每 一個包括具有二極管特性并且適于響應(yīng)于驅(qū)動電流發(fā)光的發(fā)光元件；適于采樣圖像信號 的采樣晶體管；適于將驅(qū)動電流提供到所述發(fā)光元件的驅(qū)動晶體管；連接在所述發(fā)光元件 的陽極和所述驅(qū)動晶體管的柵極之間并且適于保持預(yù)定電勢的累積電容器；以及連接在所 述發(fā)光元件的陽極和位于在列方向上鄰近該像素的鄰近像素的電源線之間并且適于保持 預(yù)定電勢的輔助電容器，所述方法包括在像素的遷移率校正期間，由所述電源部分執(zhí)行的 暫時降低鄰近像素的電源線的電源電勢的步驟，所述輔助電容器連接到所述鄰近像素。在所述驅(qū)動控制方法中，在遷移率校正期間，位于在列方向上鄰近該像素的鄰近 像素的電源線的電源電勢暫時下降，該像素的輔助電容器連接到所述鄰近像素。使用顯示裝置和用于顯示裝置的驅(qū)動控制方法，可以降低功耗。此外，使用顯示裝 置和用于顯示裝置的驅(qū)動控制方法，可以獲得高發(fā)光亮度。


圖1A和1B是圖示驅(qū)動晶體管和有機EL元件的操作點的曲線圖；圖2是示出基于本發(fā)明的顯示裝置的配置示例的框圖；圖3是圖示圖2中示出的EL面板的像素的顏色的陣列的框圖；圖4是示出圖2中示出的像素的等效電路的配置的框圖；圖5是示出圖2中示出的像素的模式布局的平面圖；圖6是示出圖5的像素的模式布局的截面圖；圖7是圖示圖2中示出的像素的操作的時序圖；圖8是示出應(yīng)用本發(fā)明的實施例的顯示裝置的配置示例的框圖；圖9是示出根據(jù)本發(fā)明的第一實施例的EL面板的配置示例的框圖；圖10是圖示圖9中示出的像素的操作的時序圖；圖11是圖示寫入+遷移率校正時段的分散和發(fā)光亮度的分散之間的關(guān)系的曲線 圖；圖12是圖示寫入+遷移率校正時段的分散和發(fā)光亮度的分散之間的關(guān)系的曲線 圖；圖13是示出根據(jù)本發(fā)明的第二實施例的EL面板的配置示例的框圖；圖14是圖示圖13中示出的像素的操作的時序圖；圖15是圖示圖13中示出的像素的操作的時序圖；圖16是示出圖13中示出的電源掃描器的配置示例的視圖；圖17是示出根據(jù)本發(fā)明第三實施例的EL面板的配置示例的框圖；以及圖18是圖示圖17中示出的像素的操作的時序圖。
具體實施例方式[基于本發(fā)明的顯示裝置的模式]首先，為了便利本發(fā)明的理解并且使得本發(fā)明的背景清楚，參照圖2到4描述基于 本發(fā)明的顯示裝置的配置和操作。
圖2示出基于本發(fā)明的顯示裝置的配置示例。參照圖2，示出的顯示裝置1例如是電視接收機，并且在EL面板10上顯示對應(yīng)于 輸入到其的圖像信號的圖像。EL面板10使用有機EL(電致發(fā)光)元件作為自發(fā)光元件。 EL面板10作為面板模塊并入顯示裝置1，其包括包含源極驅(qū)動器和柵極驅(qū)動器的驅(qū)動器 IC(集成電路)。顯示裝置1還包括未示出的電源電路、圖像LSI (大規(guī)模集成)等。要注 意，還可以利用顯示裝置1的EL面板10作為便攜式電話機、數(shù)字靜態(tài)相機、數(shù)字攝像機、打 印機等的顯示部分。EL面板10包括具有多個像素21的像素陣列部分11、水平選擇器(HSEL) 12、寫入 掃描器(WSCN) 13和電源掃描器(DSCN) 14。在像素陣列部分11中，在陣列中布置NXM(N和M是大于1的整數(shù)，并且相互獨 立)個像素21-(1，1)到21-(N，M)。應(yīng)該注意，由于圖示的限制，圖2中僅示出像素21-(1， 1)到 21-(N，M)的一些。EL面板10還包括M條掃描線WSL-1到WSL_M，M條電源線DSL-1到DSL-M，以及N 條圖像信號線DTL-1到DTL-N。應(yīng)該注意，在以下描述中，不需要具體區(qū)分掃描線WSL-1到WSL-M，它們的每一個 簡稱為掃描線WSL。此外，不需要具體區(qū)分圖像信號線DTL-1到DTL-N，它們的每一個簡稱 為圖像信號線DTL。此外，不需要具體區(qū)分像素21-(1，1)到21-(N，M)和電源線DSL-1到 DSL-M，它們的每一個分別簡稱為像素21和電源線DSL。水平選擇器12、寫入掃描器13和電源掃描器14操作為用于驅(qū)動像素陣列部分11 的驅(qū)動部分。像素21_(1，1)到21_(N，M)中的第一行中的像素21_(1，1)到21_(N，1)分別通過 掃描線WSL-1和電源線DSL-1連接到寫入掃描器13和電源掃描器14。此外，像素21-(1， 1)到21-(N，M)中的第M行中的像素21-(1，M)到21-(N，M)分別通過掃描線WSL-M和電源 線DSL-M連接到寫入掃描器13和電源掃描器14。具體地，一條掃描線WSL和一條電源線 DSL共同布線到在行方向上并列的像素。像素21-(1，1)到21-(N，M)中在行方向上并列的 其他像素21也以類似的連接方案連接。此外，像素21_(1，1)到21_(N，M)中的第一列中的像素21_(1，1)到21_(1，M)通 過圖像信號線DTL-1連接到水平選擇器12。像素21-(1，1)到21-(N，M)中的第N列中的 像素21-(N，1)到21-(N，M)通過圖像信號線DTL-N連接到水平選擇器12。具體地，一條圖 像信號線DTL共同布線到在列方向上并列的像素。像素21-(1，1)到21-(N，M)中在列方向 上并列的其他像素21也以類似的連接方案連接。寫入掃描器13在水平時段(1F)中提供順序控制信號到掃描線WSL-1到WSL-M，以 便以行為單位線順序掃描像素21。電源掃描器14與線順序同步地提供圖7中示出的高電 勢Vccl或低電勢Vss的電源電勢到電源線DSL-1到DSL-M。水平選擇器12與線順序同步 地在每個水平時段(1F)內(nèi)可切換地提供圖7中示出的對應(yīng)于圖像信號的信號電勢Vsig和 參考電勢Vofs到圖像信號線DTL-1到DTL-M。[EL面板10的像素21的陣列配置]圖3示出從EL面板10的像素21發(fā)射的光的顏色的陣列。應(yīng)該注意，圖3不同于圖2在于示出掃描線WSL和電源線DSL從下側(cè)連接到像素21。掃描線WSL、電源線DSL和圖像信號線DTL連接到像素21的那一側(cè)可以根據(jù)布線布局 適當(dāng)?shù)馗淖?。水平選擇器12、寫入掃描器13和電源掃描器14相對于像素陣列部分11的安 排也可以類似地適當(dāng)改變。像素陣列部分11的像素21的每一個發(fā)射紅(R)、綠(G)和藍⑶的原色之一的 光。安排顏色，使得例如紅、綠和藍在行方向順序排列，但是在列方向上，相同的顏色出現(xiàn)在 相同的列。因此，像素21對應(yīng)于所謂子像素，并且從行方向上(也就是說，圖3中向左和向 右方向)并列的紅、綠和藍的三個像素21形成作為顯示單位的一個像素。要注意，EL面板 10的顏色的陣列不限于圖3中示出的具體陣列。[EL面板10的像素21的詳細電路配置]圖4示出包括在EL面板10中的NXM像素21之一的像素電路的等效電路的配置。要注意，如果圖4中示出的像素21是像素21-(n，m) (n = 1，2，. . .，N并且m = 1， 2，. . .，M)，則掃描線WSL、圖像信號線DTL和電源線DSL如下。具體地，掃描線WSL、圖像信 號線DTL和電源線DSL分別是對應(yīng)于像素21-(n，m)的掃描線WSL_n、圖像信號線DTL_n和 電源線DSL-m。圖4中示出的像素21包括采樣晶體管31、驅(qū)動晶體管32、累積電容器33、發(fā)光元 件34和輔助電容器35。此外，在圖4中，發(fā)光元件34具有的電容組件也示出為發(fā)光元件 電容器34B。這里，累積電容器33、發(fā)光元件電容器34B和輔助電容器35分別具有電容值 Cs、Coled 禾口 Csubo采樣晶體管31在其柵極連接到掃描線WSL，并且在其漏極連接到圖像信號線DTL。 此外，采樣晶體管31在其源極連接到驅(qū)動晶體管32的柵極。驅(qū)動晶體管32在其源極和漏極之一連接到發(fā)光元件34的陽極，并且在其源極和 漏極的另一個連接到電源線DSL。累積電容器33連接在驅(qū)動晶體管32的柵極和發(fā)光元件 34的陽極之間。此外，發(fā)光元件34在其陰極連接到設(shè)為預(yù)定電勢Vcat的布線36。電勢 Vcat是地(GND)電平，因此，布線36是接地線。提供輔助電容器35來補充發(fā)光元件34的電容組件(也就是說，發(fā)光元件電容器 34B)，并且與發(fā)光元件34并聯(lián)連接。具體地，輔助電容器35在其電極之一連接到發(fā)光元件 34的陽極側(cè)，并且在其另一電極連接到發(fā)光元件34的陰極側(cè)。在以此方式提供輔助電容 器35并且保持預(yù)定電勢的情況下，可以提高驅(qū)動晶體管32的輸入增益。這里，驅(qū)動晶體管 32的輸入增益是在下文參照圖7描述的寫入+遷移率校正時段T5中，源極電勢Vs的上升 量關(guān)于驅(qū)動晶體管32的柵極電勢Vg的上升量的比率。采樣晶體管31和驅(qū)動晶體管32是N溝道晶體管。因此，采樣晶體管31和驅(qū)動晶 體管32可以從非晶硅形成，非晶硅可以以比低溫多晶硅更低的成本生產(chǎn)。結(jié)果，可以以降 低的成本生產(chǎn)像素電路。自然地，采樣晶體管31和驅(qū)動晶體管32另外可以從低溫多晶硅 或單晶硅形成。從有機EL元件形成發(fā)光元件34。有機EL元件是具有二極管特性的電流驅(qū)動發(fā)光 元件。因此，發(fā)光元件34發(fā)射依賴于提供到其的電流值Ids的灰度的光。在以如上所述方式配置的像素21中，采樣晶體管31響應(yīng)于來自掃描線WSL的選 擇控制信號而導(dǎo)通或使其導(dǎo)電，并且通過圖像信號線DTL采樣對應(yīng)于灰度的信號電勢Vsig 的圖像信號。累積電容器33累積并且保持通過圖像信號線DTL從水平選擇器12提供到其的電荷。驅(qū)動晶體管32提供有來自具有高電勢Vccl的電源線DSL的電流，并且響應(yīng)于累 積電容器33中保持的信號電勢Vsig，提供驅(qū)動電流Ids到發(fā)光元件34。預(yù)定驅(qū)動電流Ids 流到發(fā)光元件34，并且像素21發(fā)光。像素21具有閾值校正功能。閾值校正功能是使得累積電容器33保持對應(yīng)于驅(qū)動 晶體管32的閾值電壓Vth的電壓的功能。在展示閾值校正功能的情況下，可以抵消成為EL 面板10的每個像素的分散的原因的驅(qū)動晶體管32的閾值電壓Vth的影響。除了上述閾值校正功能外，像素21還具有遷移率校正功能。遷移率校正功能是當(dāng) 信號電勢Vsig保持在累積電容器33中時，對驅(qū)動晶體管32的遷移率y應(yīng)用校正的功能。此外，像素21具有自舉功能。自舉功能是使得柵極電勢Vg與驅(qū)動晶體管32的源 極電勢Vs的變化互鎖的功能。在展示自舉功能的情況下，驅(qū)動晶體管32的柵極和源極之 間的電壓Vgs可以保持固定。[像素21的模式布局]參照圖5和6描述圖4中示出的像素21的模式布局。圖5是示出像素21的模式布局的平面圖。圖5中左側(cè)的視圖主要示出形成TFT 的層(也就是說，TFT層)的模式布局，圖5中右側(cè)的視圖主要示出在相對于TFT層的上部 的各層。圖6沿著圖5的線A-A’取得的截面圖。要注意，在圖6中，以簡化形式示出TFT層。像素21包括三個金屬層和形成多晶硅膜的半導(dǎo)體層。在以下描述中，各金屬層從 到圖6中示出的基底40最近側(cè)開始稱為第一、第二和第三金屬層，其形成像素21的TFT層， 并且形成多晶硅層的半導(dǎo)體層稱為硅層。如從圖5中左側(cè)視圖可見，橫跨像素21的掃描線WSL和電源線DSL從第二金屬層 形成。同時，橫跨像素21的圖像信號線DTL在其不橫跨掃描線WSL和電源線DSL的任何的 部分從第二金屬層形成，但是在其橫跨掃描線WSL和電源線DSL的另外部分從第一金屬層 形成。如果關(guān)注采樣晶體管31，則采樣晶體管31的漏極電極和源極電極從第二金屬層 形成，并且采樣晶體管31的柵極電極從第一金屬層形成。在采樣晶體管31的漏極電極和 源極電極以及柵極電極之間形成硅層。硅層連接到第二金屬層作為采樣晶體管31的漏極 電極和源極電極。如果關(guān)注驅(qū)動晶體管32，則驅(qū)動晶體管32的漏極電極和源極電極從第二金屬層 形成，并且驅(qū)動晶體管32的柵極電極從第一金屬層形成。在驅(qū)動晶體管32的漏極電極和 源極電極以及柵極電極之間形成硅層。硅層連接到第二金屬層作為驅(qū)動晶體管32的漏極 電極和源極電極。累積電容器33從以相互相對關(guān)系布置的第一金屬層和硅層形成。累積電容器33 在從第一金屬層形成的其電極之一處通過第二金屬層連接到采樣晶體管31的源極電極。 累積電容器33在從硅層形成的其另一電極處連接到形成驅(qū)動晶體管32的源極電極的第二 金屬層。因為形成驅(qū)動晶體管32的源極電極的第二金屬層連接到作為第三金屬層的圖6 中示出的陽極層41，從硅層形成的累積電容器33的另一電極最終連接到發(fā)光元件34的陽 極。
輔助電容器35同樣從以相互相對關(guān)系布置的第一金屬層和硅層形成。輔助電容 器35的電極之一從與累積電容器33的另一電極共同的硅層形成，因此連接到陽極層41。 輔助電容器35在其另一電極連接到第二金屬層，其依次連接到第三金屬層，也就是說，連 接到陽極層41，其電地具有陰極電勢Vcat。此外，如在圖5的右側(cè)的視圖以及圖6中所見，在作為第三金屬層的陽極層41上 形成有機EL層42，并且在有機EL層42上形成透明陰極膜。像素21可以以如上所述的這種方式配置。[EL面板10的像素21的操作]圖7圖示像素21的操作。具體地，圖7圖示掃描線WSL、電源線DSL和圖像信號線DTL相對于在圖7中的水 平方向上延伸的同一時間軸的電壓變化、以及驅(qū)動晶體管32的柵極電勢Vg和源極電勢Vs 的相應(yīng)變化。參照圖7，到時間、的時段是其中之前水平時段(1H)中發(fā)光持續(xù)的發(fā)光時段1\。從發(fā)光時段結(jié)束的時間、到時間t2的時段是閾值校正準備時段T2，其中初始 化驅(qū)動晶體管32的柵極電勢Vg和源極電勢Vs，以便進行閾值校正操作的準備。在閾值校正準備時段T2中，在時間、，電源掃描器14將電源線DSL的電勢從高電 勢Vccl改變?yōu)榈碗妱軻ss。這里，發(fā)光元件34的閾值電壓由Vthel表示。此時，如果設(shè)置 低電勢Vss以便滿足Vss < Vthel+Vcat,則因為驅(qū)動晶體管32的源極電勢Vs變得基本上 等于低電勢Vss，所以發(fā)光元件34置于反向偏置狀態(tài)，并且停止發(fā)光。然后，在時間t2，寫入掃描器13將掃描線WSL的電勢改變?yōu)楦唠妱?，以便?dǎo)通采樣 晶體管31。結(jié)果，驅(qū)動晶體管32的柵極電勢Vg重置為參考電勢Vofs。驅(qū)動晶體管32的 源極電勢Vs在從時間、到時間t2的時段上重置為圖像信號線DTL的低電勢Vss。此時，驅(qū)動晶體管32的柵極-源極電壓Vgs變?yōu)閂ofs-Vss。這里，如果Vofs-Vss 不大于驅(qū)動晶體管32的閾值電壓Vth，則不能執(zhí)行下一次閾值校正處理。因此，設(shè)置參考電 勢Vofs和低電勢Vss，以便滿足Vofs-Vss > Vth的關(guān)系。從時間t3到時間t4的時段是閾值校正時段1~3，其中執(zhí)行閾值校正操作。在閾值 校正時段T3中，在時間t3，電源線DSL的電勢由電源掃描器14改變?yōu)楦唠妱軻ccl，并且將 對應(yīng)于閾值電壓Vth的電壓寫入到連接在驅(qū)動晶體管32的柵極和源極之間的累積電容器 33。具體地，由于電源線DSL的電勢改變?yōu)楦唠妱軻ccl，所以驅(qū)動晶體管32的源極電勢Vs 上升，并且驅(qū)動晶體管32的柵極-源極電壓在閾值校正時段T3中的時間t4之前變?yōu)榈扔?閾值電壓Vth。要注意，因為設(shè)置電勢Vcat使得發(fā)光元件34在閾值校正時段1~3中置于截止狀態(tài)， 所以驅(qū)動晶體管32的漏極-源極電流Ids流到累積電容器33側(cè)，而不是發(fā)光元件34側(cè)。在從時間t4到時間t6的寫入+遷移率校正準備時段T4中，掃描線WSL的電勢從 高電勢改變?yōu)榈碗妱?。此時，因為采樣晶體管31截止，所以驅(qū)動晶體管32的柵極置于浮置 狀態(tài)。然而，因為驅(qū)動晶體管32的柵極-源極電壓Vgs等于閾值電壓Vth，所以驅(qū)動晶體管 32出于截止狀態(tài)。因此，漏極-源極電流Ids不流到驅(qū)動晶體管32。然后，在時間、之后時間t6之前的時間t5，水平選擇器12將圖像信號線DTL的電 勢從參考電勢Vofs改變?yōu)閷?yīng)于灰度的信號電勢Vsig。
此后，在從時間t6到時間t7的寫入+遷移率校正時段T5中，同時執(zhí)行圖像信號的 寫入和遷移率校正操作。具體地，在從時間t6到時間t7的時段中，掃描線WSL的電勢設(shè)為 高電勢。結(jié)果，以添加到閾值電壓Vth的這種形式將對應(yīng)于灰度的信號電勢Vsig寫入到累 積電容器33。此外，從累積電容器33中保持的電壓減去用于遷移率校正的電壓AVa。遷移率校正期間驅(qū)動晶體管32的柵極-源極電壓Vgs’可以由以下表達式(2)代
表
Cs
Vgs' = Vsig + Vth-AV = Vsig + Vth — {Vsig - Vofs)-
Cs + Csub + Coled.... (2)然后，假設(shè)在寫入+遷移率校正時段T5結(jié)束的時間t7，驅(qū)動晶體管32的源極電勢 Vs的上升量AV是AVa。在此情況下，如果遷移率校正之后驅(qū)動晶體管32的柵極-源極 電壓 Vgs 是 Va，則 Va = Vsig+Vth- A \。如果遷移率校正期間和之后的驅(qū)動晶體管32的柵極_源極電壓Vgs的值相互比 較，則因為遷移率校正升高了驅(qū)動晶體管32的源極電勢Vs，所以滿足Vgs’ > Va的關(guān)系。要注意，根據(jù)表達式(2)，因為通過遷移率校正的源極電勢Vs的上升量AV可以由
Cs
AF = {Vsig - Vofs) ^廣u表示，所以可以認識到，通過在像素21中提供輔助電容
Cs + Csub + Coled
器35，與不提供輔助電容器35的替代情況相比，可以降低上升量AV。具體地，輔助電容器 35補償發(fā)光元件34的電容量以降低上升量AV，從而增加驅(qū)動晶體管32的柵極_源極電 壓Vgs。作為增加驅(qū)動晶體管32的柵極-源極電壓Vgs的結(jié)果，在要求的發(fā)光亮度相同的 情況下，可以降低要根據(jù)灰度施加的信號電勢Vsig。換句話說，可以降低功耗。在寫入+遷移率校正時段1結(jié)束之后的時間t7，掃描線WSL的電勢改變回低電勢。 結(jié)果，驅(qū)動晶體管32的柵極從圖像信號線DTL斷開，結(jié)果置于浮置狀態(tài)。當(dāng)驅(qū)動晶體管32 的柵極處于浮置狀態(tài)時，因為累積電容器33連接在驅(qū)動晶體管32的柵極和源極之間，所以 柵極電勢Vg也以與驅(qū)動晶體管32的源極電勢Vs的變化互鎖的關(guān)系變化。以與源極電勢 Vs的變化互鎖的關(guān)系變化的驅(qū)動晶體管32的柵極電勢Vg的操作是通過累積電容器33的 自舉操作。在時間t7之后，由于驅(qū)動晶體管32的柵極置于浮置狀態(tài)，并且驅(qū)動晶體管32的 漏極-源極電流Ids開始流動作為到發(fā)光元件34的驅(qū)動電流，所以發(fā)光元件34的陽極電 勢響應(yīng)于驅(qū)動電流Ids而升高。驅(qū)動晶體管32的柵極-源極電壓Vg也通過自舉操作類似 地升高。具體地，在等于Vsig+Vth-AVa的驅(qū)動晶體管32的柵極-源極電壓Va保持固定 的同時，驅(qū)動晶體管32的柵極電勢Vg和源極電勢Vs升高。然后，當(dāng)發(fā)光元件34的陽極電 勢超過Vthel+Vcat時，發(fā)光元件34開始發(fā)光。在寫入+遷移率校正時段T5結(jié)束之后的時間點t7，閾值電壓Vth和遷移率ii的 校正已經(jīng)完成，因此，要從發(fā)光元件34發(fā)射的光的亮度不受驅(qū)動晶體管32的閾值電壓Vth 或遷移率P的分散的影響。具體地，發(fā)光元件34響應(yīng)于信號電勢Vsig用在各像素之間相 等的光亮度發(fā)光，而不受驅(qū)動晶體管32的閾值電壓Vth或遷移率y的分散的影響。然后，在時間t7之后經(jīng)過預(yù)定時間段之后的時間t8，圖像信號DTL的電勢從信號 電勢Vsig下降到參考電勢Vofs。
在EL面板10的像素21的每一個中，可以以上述這種方式驅(qū)動發(fā)光元件34發(fā)光， 而不受驅(qū)動晶體管32的閾值電壓Vth或遷移率y的影響。因此，在使用EL面板10的顯 示裝置1的情況下，可以獲得高質(zhì)量的顯示圖像。此外，在EL面板10的像素21中，與其中不提供輔助電容器35的替代情況相比，可 以降低源極電勢Vs的上升量AVa。結(jié)果，可以增加驅(qū)動晶體管32的柵極-源極電壓Vgs。 作為增加驅(qū)動晶體管32的柵極-源極電壓Vgs的結(jié)果，可以降低要根據(jù)灰度施加的信號電 勢Vsig，結(jié)果，可以降低功耗。順便提及，在遷移率校正中，在驅(qū)動晶體管32的源極電勢Vs逐漸上升的同時，調(diào) 整驅(qū)動晶體管32的柵極-源極電壓Vgs。因此，發(fā)光時驅(qū)動晶體管32的柵極-源極電壓 Vgs由乂818+乂讓-八1給出，其是圖像信號的寫入結(jié)束之后通過遷移率校正的源極電勢Vs 的上升量A Va與柵極-源極電壓Vgs的差。因此，如果從EL面板10中的上升量可以進一 步降低通過遷移率校正的源極電勢Vs的上升量AVa，則可以進一步降低功耗。[應(yīng)用本發(fā)明的顯示裝置的配置]因此，基于上面參照圖2描述的顯示裝置1，下面描述使得可能使用降低的信號電 勢Vsig的圖像信號實現(xiàn)具有與圖2的顯示裝置1的亮度相同的亮度的顯示。圖8圖示根據(jù)本發(fā)明的實施例的顯示裝置。參照圖8，示出的顯示裝置100包括作為圖2中示出的EL面板10的改進的EL面 板101。顯示裝置100具有與上面參照圖2描述的顯示裝置1的配置類似的配置，除了其包 括EL面板101代替圖2中示出的EL面板10。EL面板101中與顯示裝置1的元件相同的元件用相同的參考符號表示，并且這里 省略它們的重復(fù)描述以避免冗余，同時下面僅描述與EL面板10的元件不同的元件。EL面板101包括具有多個像素121的像素陣列部分111、水平選擇器12、寫入掃描 器13和電源掃描器114。像素陣列部分111包括以與EL面板10中類似的矩陣排列的NXM像素121_(1，1) 到121-(N，M)。要注意，不需要具體地相互區(qū)分像素121-(1，1)到121-(N，M)，類似于上述 示例，它們的每一個簡稱為像素121。在圖8中示出的EL面板101中，如下文中參照圖9所述，電源線DSL到像素121 和電源掃描器114的連接不同于圖2中示出的EL面板10中的連接。因此，電源掃描器114 以與圖2中示出的電源掃描器14不同的方式執(zhí)行驅(qū)動?，F(xiàn)在，參照圖8描述電源線DSL到像素121和電源掃描器114的連接以及電源掃 描器114的驅(qū)動。[EL面板101的第一實施例]圖9示出根據(jù)第一實施例的EL面板101的配置示例。圖9具體地示出來自EL面板101中包括的NXM像素121中在列方向上并列的兩 個像素121的等效電路圖，并且示出像素121-(N，M-1)和121-(N，M)的配置。要注意，沒有 示出的其它像素121具有與像素121-(N，M-1)和121-(N,M)的配置類似的配置。像素121-(N，M)包括采樣晶體管31、驅(qū)動晶體管32、累積電容器33、發(fā)光元件34、 發(fā)光元件電容器34B和輔助電容器35A。在線順序掃描中在像素121_(N，M)之前級(也就是說，之前一行距離)的像素121-(N，M-1)也包括采樣晶體管31、驅(qū)動晶體管32、累積電容器33、發(fā)光元件34、發(fā)光元件 電容器34B和輔助電容器35A。因此，EL面板101的像素121的組件類似于上面參照圖4描述的EL面板10的像 素21的那些組件。然而，輔助電容器35A的電極之一的連接目的地不同于上面參照圖4描 述的EL面板10的像素21。具體地，在像素21中，盡管輔助電容器35A的電極之一連接到相同像素中的陰極 側(cè)，而在像素121-(N，M)中，輔助電容器35A的電極之一連接到之前級的像素121-(N，M-1) 的電源線DSL-(M-l)。像素121-(N，M-1)的輔助電容器35A同樣在連接到發(fā)光元件34的 陽極的相對側(cè)的其電極處連接到未示出的121_(N，M-2)的電源線DSL-(M-2)。在用于像素121_(N，M)的水平時段(1F)內(nèi)，電源掃描器114對于預(yù)定時間段不 但改變電源線DSL-M的電源電勢，而且改變像素121-(N，M-1)的電源線DSL-(M-l)的電源 電勢，輔助電容器35A的一個電極連接到像素121-(N，M-1)的電源線DSL-(M-1)。此外， 對于用于像素121_(N，M-1)的水平時段，電源掃描器114對于預(yù)定時間段不但改變電源線 DSL-(M-l)的電源電勢，而且改變像素121-(N，M-2)的電源線DSL-(M_2)的電源電勢。[EL面板101的像素121的操作]取圖9中示出的兩個像素121-(N, M)和121-(N, M-1)中的像素121_(N，M)作為 示例，參照圖10描述像素121的操作。除了與圖7中圖示的那些類似的連接到像素121_(N，M)的掃描線WSL-M、電源線 DSL-M和圖像信號線DTL-M的電勢和驅(qū)動晶體管32的柵極電勢Vg和源極電勢Vs外，圖10 圖示電源線DSL-(M-l)的電勢。從時間tn到的時間t16的操作類似于圖7中圖示的從時間、到的時間t6的操作。 因此，這里省略操作的重復(fù)描述以避免冗余。作為寫入+遷移率校正時段T5，在時間t16，寫入掃描器13將掃描線WSL-M的電勢 改變?yōu)楦唠妱?，以便?dǎo)通采樣晶體管31。結(jié)果，同時開始圖像信號的寫入和遷移率校正。具 體地，以這樣的方式將對應(yīng)于灰度的信號電勢Vsig寫入到累積電容器33，以便添加到閾值 電壓Vth。同時，從累積電容器33中保持的電壓減去用于遷移率校正的電壓AV。在晚于來自同時開始的圖像信號的寫入和遷移率校正之間的圖像信號的寫入結(jié) 束之后的時間點的時間t17，電源掃描器14將電源線DSL-(M-l)的電勢從高電勢Vccl降 低AVds。此后，在從時間t17經(jīng)過AT的時間段后的時間t18，電源掃描器14將電源線 DSL-(M-l)的電勢改變回高電勢Vccl。這里，假設(shè)從時間t16到時間t17通過遷移率校正的驅(qū)動晶體管32的源極電勢 Vs的上升量是A、。在此情況下，在時間t17驅(qū)動晶體管32的柵極-源極電壓Vgs是 Vsig+Vth-AVi。因為電源線DSL-(M-1)的電勢在時間t17從高電勢下降A(chǔ)Vds，所以驅(qū)動晶體管32 的源極電勢Vs下降A(chǔ)V:。具體地，因為電源線DSL-(M-l)的電勢從高電勢Vccl下降A(chǔ)Vds， 所以直到那時重置通過遷移率校正的源極電勢Vs的上升量A、。然而，因為遷移率校正操作也在從時間t17到時間t18的時間段AT內(nèi)繼續(xù)，所以在 直到遷移率校正操作結(jié)束的時間t18的時段內(nèi)，驅(qū)動晶體管32的源極電勢Vs上升AV2。結(jié) 果，在遷移率校正操作結(jié)束的時間t18的驅(qū)動晶體管32的柵極-源極電壓Vgs是Vb。
這里，在從時間t17到時間t18的時間段AT內(nèi)源極電勢Vs的上升量八^與在時間 t17的驅(qū)動晶體管32的源極電勢Vs的下降量八力的電壓差A(yù)Vs代表。在此 情況下，在時間t18之后的驅(qū)動晶體管32的柵極-源極電勢Vb可以表示為Vb = Va+AVs, 因為驅(qū)動晶體管32的柵極-源極電壓Vgs比圖7的情況下的柵極-源極電壓高電壓AVs。此外，作為電源線DSL-(M-l)的電勢的下降量AVds對驅(qū)動晶體管32的柵極-源 極電壓Vgs的貢獻量的電壓AVs可以由以下表達式(3)表示
(3)結(jié)果，在時間t18的驅(qū)動晶體管32的柵極-源極電壓Vgs( = Vb)可以由以下表達 式⑷表示
Cs 在從時間t17起的發(fā)光時段T6中，類似于EL面板10，在驅(qū)動晶體管32的柵極-源 極電壓Vgs = Vb保持固定的同時，驅(qū)動晶體管32的柵極電勢Vg和源極電勢Vs上升。結(jié) 果，發(fā)光元件34發(fā)光。因此，采用EL面板101的顯示裝置100可以將柵極-源極電壓Vgs從圖7的EL 面板10的柵極-源極電壓Vgs (Va)擴展電壓AVs。結(jié)果，在要求的發(fā)光亮度相同的情況 下，可以降低要根據(jù)灰度施加的信號電勢Vsig。換句話說，可以降低功耗。此外，可以確保 比圖7的情況下的遷移率校正時間更長的遷移率校正時間。然而，在信號電勢Vsig不變的 情況下，可以獲得更高的發(fā)光亮度。[寫入+遷移率校正時段T5的分散和發(fā)光亮度的分散之間的關(guān)系]順便提及，在EL面板101中，通過在像素121的遷移率校正時段期間將之前級的 像素121的電源線DSL的電勢降低下降量A Vds，驅(qū)動晶體管32的柵極-源極電壓Vgs擴 展對應(yīng)于下降量AVds的電壓AVs。然而，在圖10的驅(qū)動控制中，在寫入+遷移率校正時段T5期間驅(qū)動晶體管32的 源極電勢Vs的上升速率或斜率本身與圖7的情況沒有變化。另一方面，僅通過遷移率校正的驅(qū)動晶體管32的柵極-源極電壓Vgs的變化可以 由以下表達式(5)表示，其使用從在寫入+遷移率校正時段1~5的開始的時間t16起經(jīng)過的 時間t作為變量 其中0是表示關(guān)于驅(qū)動晶體管32的系數(shù)的值，并且由以下表達式(6)給出 要注意，在上面表達式(5)中的Vgs(0)表示經(jīng)過的時間t是t = 0的情況下的驅(qū) 動晶體管32的柵極-源極電壓Vgs。因此，根據(jù)上面給出的表達式(5)，隨著時間t增加，驅(qū)動晶體管32的柵極-源極電壓Vgs減小。換句話說，隨著寫入+遷移率校正時段T5變長，驅(qū)動晶體管32的柵極_源 極電壓Vgs下降。然后，隨著驅(qū)動晶體管32的柵極-源極電壓Vgs下降，發(fā)光亮度減小。圖11示出寫入+遷移率校正時段T5中經(jīng)過的時間t和驅(qū)動晶體管32的漏極-源 極電流Ids之間的關(guān)系。如上所述，在寫入+遷移率校正時段T5中，EL面板10同時執(zhí)行信號電勢Vsig的 寫入和遷移率校正。因此，因為其通過信號電勢Vsig的寫入的上升和其通過遷移率校正的 下降在某種程度上相互抵消，所以驅(qū)動晶體管32的柵極-源極電壓Vgs整體上逐漸上升到 圖11中示出的時間ta。在對應(yīng)關(guān)系中，圖11中的曲線131的漏極-源極電流Ids也響應(yīng) 于時間t上升直到時間ta。然后，在信號電勢Vsig的寫入結(jié)束的時間ta之后，因為僅通過遷移率校正的柵 極_源極電壓Vgs的下降起作用，所以驅(qū)動晶體管32的柵極-源極電壓Vgs逐漸減小。在 對應(yīng)關(guān)系中，用圖11中的曲線131指示的漏極-源極電流Ids在時間ta之后也響應(yīng)于時間 t減小。然后，時間ta之后的曲線131的斜率對應(yīng)于圖7的寫入+遷移率校正時段T5中驅(qū) 動晶體管32的源極電勢Vs的上升速率或斜率。這里，寫入+遷移率校正時段T5對應(yīng)于其中掃描線WSL具有高電勢的時段，如可 以參照圖7和10所識別的。因此，如果隨著采樣晶體管31的晶體管特性或隨著采樣晶體 管31的外圍電路的特性值出現(xiàn)分散，則寫入+遷移率校正時段T5本身也遭受分散。例如，假設(shè)某像素21在圖11中圖示的時間tb處結(jié)束寫入+遷移率校正時段T5, 而另外的某像素21在時間t。處結(jié)束。具體地，假設(shè)采樣晶體管31的晶體管特性的分散等 引起兩個像素21的寫入+遷移率校正時段T5之間At的時間差。在此情況下，即使對兩 個像素21都執(zhí)行閾值校正或遷移率校正，在漏極-源極電流Ids中也出現(xiàn)差A(yù)ldsl。漏 極_源極電流Ids的差Δ Idsl實際上表現(xiàn)為發(fā)光亮度的差。因此，在上述第一實施例的EL面板101中，在從寫入掃描器13輸出的選擇控制信 號的脈沖寬度分散At的情況下，存在發(fā)光亮度可能出現(xiàn)分散的可能性。因此，配置下面描述的本發(fā)明的第二實施例的EL面板101，使得即使從寫入掃描 器13輸出的選擇控制信號的脈沖寬度出現(xiàn)分散，也抑制在發(fā)光亮度中另外可能的分散。圖12圖示在下述第二實施例的EL面板101中、在寫入+遷移率校正時段T5內(nèi)經(jīng) 過的時間t與漏極-源極電流Ids之間的關(guān)系。第二實施例的EL面板101采用使得時間、之后的斜率比圖11的曲線131更緩 和的配置。通過該配置，即使從寫入掃描器13輸出的選擇控制信號的脈沖寬度出現(xiàn)上述分 散At，漏極-源極電流Ids的差A(yù)Ids2也小于差Δ Idsl。為了使得時間ta之后的曲線的斜率比曲線131更緩和，如同圖12的曲線141，應(yīng) 該使得時間ta之后的驅(qū)動晶體管32的柵極-源極電壓Vgs的下降緩和。換句話說，應(yīng)該使 得在寫入+遷移率校正時段T5期間驅(qū)動晶體管32的源極電勢Vs的上升速率或斜率緩和， 理想地使其為零。[第二實施例的EL面板101]圖13示出根據(jù)第二實施例的EL面板101的配置示例。參照圖13，示出的EL面板101類似于根據(jù)第一實施例的圖9的EL面板101，僅除 了提供電源掃描器114A代替圖9中的電源掃描器114。
[圖I3的EL面板101的像素I2I的操作]參照圖14描述通過圖13中示出的電源掃描器114A的電源線DSL的電勢的控制。具體地，圖14圖示關(guān)于通過圖13中示出的電源掃描器114A的電源線DSL的電勢 的控制的操作。圖14中的時間t21到時間t29分別對應(yīng)于圖10的時間tn到時間t19，并且在該時 段內(nèi)圖11中示出的像素121的操作類似于圖10中示出的像素121的操作。然而，操作不 同在于，在寫入+遷移率校正時段T5內(nèi)的時間t27之后，電源線DSL-(M-I)的電勢隨著時間 經(jīng)過緩和地下降，并且在t28的時間點變?yōu)橹虚g電勢Vcc2。此外，由于該差別，驅(qū)動晶體管 32的源極電勢Vs在從時間t27到時間t28的時段內(nèi)基本固定。參照圖15進一步描述第一和第二實施例的EL面板101之間的差別。圖15是在時間軸方向上以放大的方式圖示從圖14中的時間t21到時間t29的時段 的視圖。要注意，適當(dāng)?shù)卣{(diào)節(jié)了比例以便利理解。如上所述，在從時間t21到時間t27的時段內(nèi)，像素121類似于圖10中從時間tn到 時間t17的時段中操作。然后在時間t27，電源掃描器114A將電源線DSL-(M-I)的電勢從高電勢Vccl緩和 地下降，使得其在時間t28變?yōu)榈扔谥虚g電勢Vcc2。如上參照圖10所述，如果電源線DSL-(M-I)的電勢下降，則驅(qū)動晶體管32的源極 電勢Vs下降。因此，通過緩和地下降電源線DSL-(M-I)的電勢，驅(qū)動晶體管32的源極電勢 Vs可以基本保持固定。相反來說，設(shè)置電源線DSL-(M-I)的電源電勢的下降緣的斜率和時 間t28的中間電勢Vcc2，使得驅(qū)動晶體管32的源極電勢Vs對于從時間t27到時間t28的時 段可以基本固定。如果驅(qū)動晶體管32的源極電勢Vs對于從時間t27到時間t28的時段基本固定，則 在時間ta之后曲線的斜率變得緩和，如從圖12的曲線141所見。如果曲線的斜率變得緩 和，則即使通過寫入掃描器13的選擇控制信號的脈沖寬度分散，并且寫入+遷移率校正時 段T5分散，也可以抑制發(fā)光亮度的分散。在圖15中，如果寫入+遷移率校正時段T5內(nèi)驅(qū)動晶體管32的源極電勢Vs的上 升量是Δ V3,則驅(qū)動晶體管32的柵極-源極電壓Vgs在時間t28變?yōu)閂sig+Vth- Δ V3。在圖15中，時間t27之后EL面板101的驅(qū)動晶體管32的源極電勢Vs的變化由虛 線指示。根據(jù)圖13的EL面板101的驅(qū)動控制，最大限度抑制了時間t27之后驅(qū)動晶體管32 的源極電勢Vs的上升。因此，可以認識到，與基本EL面板10相比，擴展了驅(qū)動晶體管32的 柵極_源極電壓Vgs。因此，同樣在第二實施例的EL面板101中，可以降低信號電勢Vsig 并可以減小功耗。[電源掃描器114A的配置示例]圖16示出電源掃描器114A的配置示例，其執(zhí)行如上參照圖15所述的這種電源電 勢的控制。要注意，僅示出對應(yīng)于像素121-(N，M_1)和另一像素121-(N，M)的一部分電源掃 描器114A。參照圖16，電源掃描器114A包括用于提供預(yù)定電源電勢到像素121_(Ν，Μ)的電 源線DSL-M的輸出電路151-Μ，以及用于輸出預(yù)定電源電勢到像素121-(Ν，M_l)的電源線DSL-(M-I)的另一輸出電路 151-(M-1)。輸出電路151-M和輸出電路151-(M_1)具有類似配置，因此，僅給出輸出電路 151-(M-I)的描述。輸出電路151-(M-I)包括兩個P溝道晶體管161和162、以及一個N溝道晶體管 163。輸出電路151-(M_1)的P溝道晶體管161在其源極連接到高電勢Vccl，并且當(dāng)輸 入到其柵極的控制信號具有低電勢Lo時導(dǎo)通，從而提供高電勢Vccl到電源線DSL-(M-I)。輸出電路151-(M_1)的P溝道晶體管162在其源極連接到中間電勢Vcc2，并 且當(dāng)輸入到其柵極的控制信號具有低電勢Lo時導(dǎo)通，從而提供中間電勢Vcc2到電源線 DSL-(M-I) ο輸出電路151-(M_1)的N溝道晶體管163在其源極連接到電源電勢Vss，并且當(dāng)輸 入到其柵極的控制信號具有高電勢Hi時導(dǎo)通，從而提供電源電勢Vss到電源線DSL- (M-I)。如果使得輸出電路151-(M_1)中的P溝道晶體管162的晶體管尺寸小于P溝道晶 體管161的晶體管尺寸，則當(dāng)N溝道晶體管163導(dǎo)通時到中間電勢Vcc2的下降變得緩和。 另一方面，如果P溝道晶體管162的晶體管尺寸等于P溝道晶體管161的晶體管尺寸，則到 中間電勢Vcc2的下降變得陡峭。因此，如果調(diào)整P溝道晶體管162的晶體管尺寸，則可能 設(shè)置電源電勢的下降緣的斜率和中間電勢Vcc2，使得驅(qū)動晶體管32的源極電勢Vs對于從 時間t27到時間t28的時段基本固定。[第三實施例的EL面板101]現(xiàn)在，描述根據(jù)本發(fā)明的第三實施例的EL面板101。圖17示出第三實施例的EL面板101的配置示例。參照圖17，如果示出的EL面板101與上面參照圖9描述的第一實施例的EL面板 101相比，則圖17的EL面板101在配置上類似于第一實施例的EL面板101，除了輔助電容 器35A的電極之一的連接目的地不同。具體地，在第一實施例中，盡管像素121- (N, M)的輔助電容器35A的電極之一連接 到像素121- (N, M-1)的電源線DSL- (M-I)，但是在第三實施例中，輔助電容器35A的電極之 一連接到像素121-(N，M-1)的掃描線WSL-(N，M-1)。像素121-(N，M-1)的輔助電容器35A 在其不同于連接到發(fā)光元件34的陽極的電極的電極，也連接到未示出的像素121-(N，M-2) 的掃描線WSL-(N，M-2)。任何其它像素121的輔助電容器35A也類似地在其電極之一連接 到在之前級的另一像素121的掃描線WSL。圖18是圖示根據(jù)第三實施例的EL面板101的像素121_(Ν，Μ)的操作的時序圖。第三實施例的EL面板101的像素121的驅(qū)動控制類似于上述基本EL面板10的 像素21的驅(qū)動控制。具體地，除了像素121-(Ν, Μ)的發(fā)光時段T1和T6，在從時間t41到時間t48的時段 內(nèi)的操作與參照圖7的上述基本EL面板10的從時間、到時間t8的時段內(nèi)的操作相同。然而，在第三實施例的EL面板101中，像素121-(Ν，Μ)的輔助電容器35Α在其電 極之一連接到在之前級的像素121-(N，M-1)的掃描線WSL-(N，M-1)。因此，驅(qū)動晶體管32 的柵極電勢Vg和源極電勢Vs在時間t41之前，響應(yīng)于像素121-(N，M-1)的掃描線WSL-(N， M-1)的電勢變化而變化。
具體地，在時間t31，類似于在時間t41的掃描線WSL_(N，Μ)的控制中，寫入掃描器 13將掃描線WSL的電勢改變?yōu)楦唠妱菀詫?dǎo)通采樣晶體管31。此外，在時間t32，寫入掃描器 13將掃描線WSL的電勢改變?yōu)榈碗妱菀越刂共蓸泳w管31。此外，在時間t34，寫入掃描器13導(dǎo)通采樣晶體管31，然后在時間t35截止采樣晶體 管31。如果掃描線WSL的電勢變化，則通過輔助電容器35A連接到掃描線WSL-(N，M_l) 的驅(qū)動晶體管32的源極電勢Vs也變化。結(jié)果，通過累積電容器33連接到驅(qū)動晶體管32 的源極的驅(qū)動晶體管32的柵極電勢Vg也以互鎖關(guān)系變化。然而，因為驅(qū)動晶體管32的源極電勢Vs依賴于如上參照圖1所述的驅(qū)動晶體管 32和發(fā)光元件34的操作點，所以已經(jīng)變化的驅(qū)動晶體管32的柵極電勢Vg和源極電勢Vs 恢復(fù)它們的原始電勢。因此，不對像素121-(N，M)施加影響。因此，在第三實施例的EL面板101的情況下，與其中類似于EL面板10未提供輔 助電容35的可替代情況中的上升量相比，可以減小上升量AVa。結(jié)果，可以擴展驅(qū)動晶體 管32的柵極-源極電壓Vgs。此外，在擴展驅(qū)動晶體管32的柵極-源極電壓Vgs的情況 下，可以減小要根據(jù)灰度施加的信號電勢Vsig，結(jié)果，可以減小功耗。此外，在提供輔助電容器35的情況下，當(dāng)執(zhí)行遷移率校正時，要求增加的時間來 充電，也就是說，將電荷累積到輔助電容器35和發(fā)光元件電容34B，并且驅(qū)動晶體管32的源 極電勢Vs的上升變得更慢。具體地，因為驅(qū)動晶體管32的源極電勢Vs的上升速率也變得 緩和，所以也可以減小由要從寫入掃描器13輸出的選擇控制信號的脈沖寬度的分散At導(dǎo) 致的發(fā)光亮度的分散。本發(fā)明不限于上述實施例，并且可以進行各種修改而不背離本發(fā)明的主題。在上述示例中，盡管像素121的輔助電容器35A的電極之一連接到相同列并且處 于之前級的另一像素121的電源線DSL或掃描線WSL，但是像素121的輔助電容器35A的電 極之一另外可以連接到相同列并且處于之后級(也就是說，在線順序掃描的次序中落后一 行距離的輪次)的像素121的電源線DSL或掃描線WSL。具體地，在輔助電容器35A連接到 發(fā)光元件34的陽極的相對側(cè)的輔助電容器35A的電極可以連接到在列方向上鄰近的像素 121的電源線DSL。此外，盡管如上參照圖9所述，從包括兩個晶體管和兩個電容器的像素電路形成 像素121，但是可以以一些其它電路配置形成像素121。要注意，描述的像素電路在下文中 稱為2Tr/2C像素電路。此外，作為像素電路121的不同配置，例如，可以采用以下電路配置。具體地，除了 2Tr/2C像素電路外，可以采用包括第一到第三晶體管(也就是說，五個晶體管和兩個電容 器)的配置。剛剛描述的配置在下文中稱為5Tr/2C像素電路。在像素121采用5Tr/2C像 素電路的情況下，要從水平選擇器12通過圖像信號線DTL提供到采樣晶體管31的信號電 勢固定為信號電勢Vsig。結(jié)果，采樣晶體管31僅用來切換信號電勢Vsig到驅(qū)動晶體管32 的供應(yīng)。此外，要通過電源線DSL提供到驅(qū)動晶體管32的電勢是高電勢Vccl和中間電勢 Vcc2。此外，新增加的第一晶體管切換高電勢Vccl到驅(qū)動晶體管32的供應(yīng)。第二晶體管 切換低電勢Vss到驅(qū)動晶體管32的供應(yīng)。此外，第三晶體管切換參考電勢Vofs到驅(qū)動晶 體管32的供應(yīng)。
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此外，作為像素121的另一不同電路配置，可以采用2Tr/2C像素電路和5Tr/2C 像素電路之間的中間配置。具體地，可以采用包括四個晶體管和兩個電容器(也就是說， 4Tr/2C像素電路)的配置，或者包括三個晶體管和一個電容器(也就是說，3Tr/2C像素電 路)的配置。例如，可以配置4Tr/2C像素電路，使得省略5Tr/2C像素電路的第三晶體管， 并且要從水平選擇器12提供到采樣晶體管31的信號電勢使用信號電勢Vsig和參考電勢 Vofs形成為脈沖信號。本申請包含涉及于2009年5月13日向日本專利局提交的日本優(yōu)先權(quán)專利申請JP 2009-116099中公開的主題，在此通過引用并入其全部內(nèi)容。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，取決于設(shè)計要求和其他因素，可出現(xiàn)各種修改、組合、 子組合和更改，只要它們在權(quán)利要求或其等效物的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
一種顯示裝置，包括像素陣列部分，包括在行和列中布置的多個像素；以及等于像素的行數(shù)的多條電源線和掃描線，所述電源線的每一條共同布線到在行方向上并列的所述像素中的那些像素；所述像素的每一個包括發(fā)光元件，具有二極管特性并且適于響應(yīng)于驅(qū)動電流發(fā)光，采樣晶體管，適于采樣圖像信號，驅(qū)動晶體管，適于將驅(qū)動電流提供到所述發(fā)光元件，累積電容器，連接在所述發(fā)光元件的陽極和所述驅(qū)動晶體管的柵極之間，并且適于保持預(yù)定電勢，以及輔助電容器，連接在所述發(fā)光元件的陽極和位于在列方向上鄰近該像素的鄰近像素的電源線之間，并且適于保持預(yù)定電勢。
2.如權(quán)利要求1所述的顯示裝置，還包括電源部分，適于通過所述電源線提供預(yù)定電 源電勢到行中的所述像素；在所述像素的每一個的遷移率校正期間，所述電源部分暫時降低鄰近像素的電源線的 電源電勢，所述輔助電容器連接到所述鄰近像素。
3.如權(quán)利要求2所述的顯示裝置，其中在圖像信號的信號電勢到所述累積電容器的寫 入結(jié)束之后的遷移率校正期間，所述電源部分暫時降低鄰近像素的電源線的電源電勢，所 述輔助電容器連接到所述鄰近像素。
4.如權(quán)利要求2所述的顯示裝置，其中在圖像信號的信號電勢到所述累積電容器的寫 入結(jié)束之后，所述電源部分適度降低鄰近像素的所述電源線的電源電勢，所述輔助電容器 連接到所述鄰近像素。
5.如權(quán)利要求2所述的顯示裝置，其中所述電源部分適度降低鄰近像素的所述電源線 的電源電勢，所述輔助電容器連接到所述鄰近像素，使得在圖像信號的信號電勢到所述累 積電容器的寫入結(jié)束之后，所述驅(qū)動晶體管的源極電勢變得充分固定。
6.一種用于顯示裝置的驅(qū)動控制方法，所述顯示裝置包括包含在行和列中布置的多 個像素的像素陣列部分；等于像素的行數(shù)的多條電源線，所述電源線的每一條共同布線到 在行方向上并列的所述像素的那些像素；以及適于通過所述電源線提供預(yù)定電源電勢到行 中的所述像素的電源部分，并且其中所述像素的每一個包括具有二極管特性并且適于響 應(yīng)于驅(qū)動電流發(fā)光的發(fā)光元件；適于采樣圖像信號的采樣晶體管；適于將驅(qū)動電流提供到 所述發(fā)光元件的驅(qū)動晶體管；連接在所述發(fā)光元件的陽極和所述驅(qū)動晶體管的柵極之間并 且適于保持預(yù)定電勢的累積電容器；以及連接在所述發(fā)光元件的陽極和位于在列方向上鄰 近該像素的鄰近像素的電源線之間并且適于保持預(yù)定電勢的輔助電容器，所述方法包括在像素的遷移率校正期間、由所述電源部分執(zhí)行的暫時降低鄰近像素的電源線的電源 電勢的步驟，所述輔助電容器連接到所述鄰近像素。
全文摘要
在此公開了一種顯示裝置，包括像素陣列部分，包括在行和列中布置的多個像素；以及等于像素的行數(shù)的多條電源線和掃描線，所述電源線的每一條共同布線到在行方向上并列的所述像素中的那些像素。
文檔編號G09G3/32GK101887686SQ201010174008
公開日2010年11月17日 申請日期2010年5月6日 優(yōu)先權(quán)日2009年5月13日
發(fā)明者富田昌嗣, 尾本啟介 申請人:索尼公司