專利名稱：掃描驅(qū)動(dòng)電路和包括該掃描驅(qū)動(dòng)電路的顯示設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本申請(qǐng)涉及掃描驅(qū)動(dòng)電路和包括該掃描驅(qū)動(dòng)電路的顯示設(shè)備。更具體地，
本申請(qǐng)涉及這樣的掃描驅(qū)動(dòng)電路和包括該掃描驅(qū)動(dòng)電路的顯示設(shè)備其中可 以將信號(hào)供應(yīng)至掃描線、初始化控制線和顯示控制線，并且可以通過(guò)在一場(chǎng) 個(gè)時(shí)段期間將多個(gè)脈沖信號(hào)供應(yīng)至顯示控制線而在該場(chǎng)時(shí)段期間多次切換顯 示元件的點(diǎn)亮/熄滅(lit/unlit)狀態(tài)，而不影響被供應(yīng)至掃描線和初始化控制 線的信號(hào)。
背景技術(shù)：
廣泛使用的、具有以二維矩陣形式排列的顯示元件的顯示設(shè)備的例子包 括由電壓驅(qū)動(dòng)的液晶單元構(gòu)成的液晶顯示設(shè)備、以及包括在電流的應(yīng)用下發(fā) 光的發(fā)光單元(例如有機(jī)電致發(fā)光發(fā)光單元)和用于驅(qū)動(dòng)該發(fā)光單元的驅(qū)動(dòng) 電流的顯示設(shè)備。
包括在電流的應(yīng)用下發(fā)光的發(fā)光單元的顯示元件的亮度由流經(jīng)該發(fā)光單 元的電流值控制。以與液晶顯示設(shè)備相同的方式，具有這些顯示元件的這種 顯示設(shè)備(例如有機(jī)電致發(fā)光顯示設(shè)備)可以通過(guò)簡(jiǎn)單矩陣方法和有源矩陣 方法來(lái)驅(qū)動(dòng)。盡管有源矩陣方法具有諸如與簡(jiǎn)單矩陣方法相比結(jié)構(gòu)上更復(fù)雜
之類的缺點(diǎn)，但是還具有諸如具有更高亮度之類的各種優(yōu)點(diǎn)。
根據(jù)晶體管和電容配置的各種類型的驅(qū)動(dòng)電路廣泛用作通過(guò)有源矩陣方
法驅(qū)動(dòng)發(fā)光單元的電路。例如，日本未審查專利申請(qǐng)7>開第2005-31630號(hào)公 開了有機(jī)電致發(fā)光發(fā)光單元和驅(qū)動(dòng)電路配置的顯示元件及其驅(qū)動(dòng)方法。該驅(qū) 動(dòng)電路是由六個(gè)晶體管和一個(gè)電容單元配置的驅(qū)動(dòng)電路(下文中稱作"6Tr/lC 驅(qū)動(dòng)電路，，)。圖26圖示了配置有以二維矩陣形式排列的顯示元件的顯示設(shè)備 中的第m行第n列的顯示元件的驅(qū)動(dòng)電路(6Tr/lC驅(qū)動(dòng)電路)的等效電路。 注意，在描述中，^i設(shè)以行序列掃描顯示元件。
6Tr/lC驅(qū)動(dòng)電路具有寫晶體管TRw、驅(qū)動(dòng)晶體管TRD、電容單元C,以及 第一晶體管TR,、第二晶體管TR2、第三晶體管TR3和第四晶體管TR4。在寫晶體管TRw處， 一個(gè)源極/漏極區(qū)連接到數(shù)據(jù)線DTLn，并且柵極連 接到掃描線SCLm。在驅(qū)動(dòng)晶體管TRD處， 一個(gè)源極/漏極區(qū)連接到寫晶體管 TRw的另一源極/漏極區(qū)，由此配置第一節(jié)點(diǎn)ND,。電容單元C,的一端連接 到電源線PS,。在電容單元d處，預(yù)定參考電壓(在圖26所示的例子中，稍 后描述的電壓Vcc)被施加到一端，且另一端連接到驅(qū)動(dòng)晶體管TRd的柵板， 由此配置第二節(jié)點(diǎn)ND2。掃描線SCLm連接到未示出的掃描電路，且數(shù)據(jù)線 DTL。連接到信號(hào)輸出電路100。
在第一晶體管TR,處， 一個(gè)源極/漏極區(qū)連接到第二節(jié)點(diǎn)ND2，另一源極 /漏極區(qū)連接到驅(qū)動(dòng)晶體管TRD的另一源極/漏極區(qū)。第一晶體管TR,構(gòu)成連 接在第二節(jié)點(diǎn)ND2與驅(qū)動(dòng)晶體管TRD的另一源極/漏極區(qū)之間的開關(guān)電路部 分。
在第二晶體管TR2處， 一個(gè)源極/漏極區(qū)連接到電源線PS3，該電源線PS3 被施加了預(yù)定初始化電壓VIni (例如-4伏特)，用于第二節(jié)點(diǎn)ND2的電勢(shì)的初 始化，且另一源極/漏極區(qū)連接到第二節(jié)點(diǎn)ND2。第二晶體管TR2構(gòu)成連接在
第二節(jié)點(diǎn)M)2與被施加了預(yù)定初始化電壓Vmi的電源線PS3之間的開關(guān)電路部分。
在第三晶體管TR3處， 一個(gè)源極/漏極區(qū)連接到電源線PS,，該電源線PS, 被施加了預(yù)定驅(qū)動(dòng)電壓Vcc (例如10伏特)，另一源極/漏極區(qū)連接到第一節(jié) 點(diǎn)ND,。第三晶體管TR3構(gòu)成連接在第一節(jié)點(diǎn)ND,與被施加了預(yù)定驅(qū)動(dòng)電壓 Vcc的電源線PS,之間的開關(guān)電路部分。
在第四晶體管TR4處， 一個(gè)源極/漏極區(qū)連接到驅(qū)動(dòng)晶體管TRo的另一源 極/漏極區(qū)，并且另一源極/漏極區(qū)連接到發(fā)光單元ELP的一端(更具體地， 發(fā)光單元ELP的陽(yáng)極)。第四晶體管TR4構(gòu)成連接在驅(qū)動(dòng)晶體管TR。的另一 源極/漏極區(qū)與發(fā)光單元ELP的一端之間的開關(guān)電路部分。
寫晶體管TRw的柵極和第一晶體管TR,的柵極連接到掃描線SCLm。第 二晶體管TR2的柵極連接到初始化控制線AZm。供應(yīng)到緊接在掃描線SCLm 之前掃描的未示出的掃描線SCLm-,的掃描信號(hào)也被供應(yīng)至初始化控制線 AZm。第三晶體管TR3和第四晶體管TR4的柵極連接到用于控制顯示元件的 點(diǎn)亮/熄滅狀態(tài)的顯示控制線CLm。
例如，每個(gè)晶體管被形成為p溝道薄膜晶體管(TFT)，發(fā)光單元 被 提供在中間層絕緣層等上，被形成以便覆蓋驅(qū)動(dòng)電路。在發(fā)光單元ELP處，陽(yáng)極連接到第四晶體管TR4的另一源極/漏極區(qū)，并且陰極連接到電源線PS2。 電壓VCat (例如-10伏特):故施加到發(fā)光單元ELP的陰極。符號(hào)Ca表示發(fā)光
單元ELP的電容。
現(xiàn)在，當(dāng)配置TFT的晶體管時(shí)，閾值電壓的不規(guī)則性不可避免地到某個(gè) 范圍。在由于驅(qū)動(dòng)晶體管TRD的閾值的不規(guī)則性、流經(jīng)發(fā)光單元ELP的電流 量存在不規(guī)則性的情況下，遭受顯示設(shè)備的亮度的不均勻性。因此，需要做 出這樣的安排，其中流經(jīng)發(fā)光單元ELP的電流量不受驅(qū)動(dòng)晶體管TRo的閾值 的不規(guī)則性的影響。如稍后所述，驅(qū)動(dòng)發(fā)光單元ELP以便不受驅(qū)動(dòng)晶體管TRD 的閾值的不規(guī)則性的影響。
將參考圖27A和27B描述被配置為N x M個(gè)顯示元件的二維陣列的顯示 設(shè)備的第m行第n列的顯示元件的驅(qū)動(dòng)方法。圖27A圖示了初始化控制線 AZm、掃描線SCU和顯示控制線CLm上的信號(hào)的示意時(shí)序圖。圖27B到圖 28B示意性圖示了 6Tr/lC驅(qū)動(dòng)電路的晶體管的導(dǎo)通/截止?fàn)顟B(tài)等。為了便于描 述，我們將掃描初始化控制線AZm的時(shí)段稱作"第m-l水平掃描時(shí)段"，并 將掃描掃描線SCLm的時(shí)段稱作"第m水平掃描時(shí)段"。
如圖27A所示，在第m-l水平掃描時(shí)段期間，實(shí)行初始化處理，這將參 考圖27B詳細(xì)描述。在第m-l水平掃描時(shí)段期間，初始化控制線AZm從高電 平到低電平，顯示控制線CLm從低電平到高電平。注意，掃描線SCLm保持 在高電平。因此，在第m-l水平掃描時(shí)段期間，寫晶體管TRw、第一晶體管 TR,、第三晶體管TR3和第四晶體管TR4處于截止?fàn)顟B(tài)，而第二晶體管TR2 處于導(dǎo)通狀態(tài)。
將用于初始化第二節(jié)點(diǎn)ND2的電勢(shì)的預(yù)定初始化電壓Vmi經(jīng)由處于導(dǎo)通 狀態(tài)的第二晶體管TR2施加到第二節(jié)點(diǎn)ND2。因此，第二節(jié)點(diǎn)ND2的電勢(shì)被
初始4匕。
接下來(lái)，如圖27A所示，在第m水平掃描時(shí)段，視頻信號(hào)Vsig被寫入。 此時(shí)，結(jié)合進(jìn)行驅(qū)動(dòng)晶體管TRo的閾值電壓取消處理。具體地，第二節(jié)點(diǎn)ND2 和驅(qū)動(dòng)晶體管TRD的另 一源極/漏極區(qū)電連接，視頻信號(hào)Vsig被從數(shù)據(jù)線DTLn 經(jīng)由由于來(lái)自掃描線SCLm的信號(hào)已經(jīng)被置于導(dǎo)通狀態(tài)的寫晶體管TRw施加 到第一節(jié)點(diǎn)ND"由此將第二節(jié)點(diǎn)M)2的電勢(shì)朝向可以通過(guò)從視頻信號(hào)VSig 減去驅(qū)動(dòng)晶體管TRo的閾值電壓Vth來(lái)計(jì)算的電勢(shì)改變。
將參考圖27A和圖28A給出更詳細(xì)的描述。在第m水平掃描時(shí)段中，初
8始化控制線AZm從低電平變?yōu)楦唠娖?，掃描線SCLm從高電平變?yōu)榈碗娖健?注意，顯示控制線CLm保持在高電平。因此，在第m水平掃描時(shí)段時(shí)，寫晶 體管TRw和第一晶體管TR,處于導(dǎo)通狀態(tài)，而第二晶體管TR2、第三晶體管 TR3和第四晶體管TR4處于截止?fàn)顟B(tài)。
第二節(jié)點(diǎn)ND2和驅(qū)動(dòng)晶體管TRD的另 一源極/漏極區(qū)經(jīng)由處于導(dǎo)通狀態(tài)的 第一晶體管TR,電連接，且來(lái)自數(shù)據(jù)線DTn的視頻信號(hào)Vsig被經(jīng)由由于來(lái)自 掃描線SCLm的信號(hào)而處于導(dǎo)通狀態(tài)的寫晶體管TRw施加到第一節(jié)點(diǎn)ND,。 因此，第二節(jié)點(diǎn)ND2的電勢(shì)朝向可以通過(guò)從視頻信號(hào)Vsig減去驅(qū)動(dòng)晶體管TRD 的閾值電壓Vth來(lái)計(jì)算的電勢(shì)改變。
根據(jù)上述初始化處理，如果第二節(jié)點(diǎn)ND2的電勢(shì)已經(jīng)被初始化，使得驅(qū) 動(dòng)晶體管TRd在第m水平掃描時(shí)段的開始時(shí)處于導(dǎo)通狀態(tài)，則第二節(jié)點(diǎn)ND2 的電勢(shì)朝向被施加到第一節(jié)點(diǎn)ND，的視頻信號(hào)Vsig的電勢(shì)改變。然而， 一旦 驅(qū)動(dòng)晶體管TRD的柵極與其一個(gè)源極/漏極區(qū)之間的電勢(shì)差達(dá)到Vth，驅(qū)動(dòng)晶 體管TRo就變?yōu)榻刂範(fàn)顟B(tài)。在此狀態(tài)下，第二節(jié)點(diǎn)冊(cè)2的電勢(shì)大約是 (Vsig-Vth )。
接下來(lái)，通過(guò)經(jīng)由驅(qū)動(dòng)晶體管TRo施加電流到發(fā)光單元ELP來(lái)驅(qū)動(dòng)發(fā)光 單元ELP。
將參考圖27A和圖28B給出更詳細(xì)的描述。在第m水平掃描時(shí)段的結(jié)束 時(shí)，掃描線SCLm從低電平變?yōu)楦唠娖健６?，顯示控制線從高電平變?yōu)榈?br> 電平。注意，初始化控制線AZm保持在高電平。第三晶體管TR3和第四晶體
管TR4處于導(dǎo)通狀態(tài)，而寫晶體管TRw、第一晶體管TR,和第二晶體管TR2 處于截止?fàn)顟B(tài)。
驅(qū)動(dòng)電壓Vcc被經(jīng)由處于導(dǎo)通狀態(tài)的第三晶體管TR3施加到驅(qū)動(dòng)晶體管 TRd的一個(gè)源板/漏板區(qū)。而且，驅(qū)動(dòng)晶體管TRD的另一源極/漏極區(qū)和發(fā)光單 元ELP的一端經(jīng)由處于導(dǎo)通狀態(tài)的第四晶體管TR4連接。
流經(jīng)發(fā)光單元ELP的電流是從驅(qū)動(dòng)晶體管TRo的源極區(qū)流向其漏極區(qū)的 漏極電流I&,因此，假設(shè)驅(qū)動(dòng)晶體管TRo理想地工作在飽和區(qū)，這可以利用 以下表達(dá)式(A )表示。如圖28B所示，漏極電流Ids被施加到發(fā)光單元ELP, 并且發(fā)光單元ELP發(fā)出與漏極電流Ids的值對(duì)應(yīng)的亮度的光。
Ids = k t (Vgs - Vth)2 (A)
其中p表示有效遷移率，L表示溝道長(zhǎng)度，W表示溝道寬度，Vgs表示驅(qū)動(dòng)晶體管TRD的源極區(qū)和柵極區(qū)之間的電壓，在k三(l/2)'(W/L).Cox中， Cox表示(柵極絕緣層的相對(duì)介電常數(shù)(permittivity)) x (真空的介電常數(shù)) /(柵極絕緣層的厚度)。 此外，由于
Vgs Vcc - (VSig - Vth) (B)
成立，因此，以上表達(dá)式(A)可以被重寫為如下。 Ids = k n (Vcc - (VSig - Vth) - Vth)2 =k n (Vcc - VSig)2 (C)
如從以上表達(dá)式(C )很清楚地理解，驅(qū)動(dòng)晶體管TRD的閾值電壓Vth與
漏極電流Ids的值無(wú)關(guān)。換句話說(shuō)，與視頻信號(hào)Vsig對(duì)應(yīng)的漏極電流U可以被
施加到不受驅(qū)動(dòng)晶體管TRD的閾值電壓Vth的值影響的發(fā)光單元ELP。利用 上述驅(qū)動(dòng)方法，驅(qū)動(dòng)晶體管TRo的閾值電壓Vth的不規(guī)則性不影響顯示元件 的亮度。

發(fā)明內(nèi)容
對(duì)于具有上述顯示元件來(lái)操作的顯示設(shè)備，需要提供這樣的電路，其將 信號(hào)供應(yīng)至掃描線、初始化控制線和顯示控制線。從電路的布局面積的減小 以及成本的降低的方面來(lái)看，用于供應(yīng)這些信號(hào)的電路優(yōu)選地是集成結(jié)構(gòu)的 電路。而且，從降低在顯示設(shè)備上顯示的圖像的閃爍方面來(lái)看，優(yōu)選使得多 個(gè)脈沖信號(hào)被供應(yīng)至一個(gè)場(chǎng)電路(field circuit)內(nèi)的顯示控制線而不影響被供 應(yīng)至掃描線和初始化控制線的信號(hào)。
發(fā)現(xiàn)期望提供能夠?qū)⑿盘?hào)供應(yīng)至掃描線、初始化控制線和顯示控制線、 并能夠?qū)⒍鄠€(gè)脈沖信號(hào)供應(yīng)至一個(gè)場(chǎng)電路內(nèi)的顯示控制線而不影響被供應(yīng)至 掃描線和初始化控制線的信號(hào)的掃描驅(qū)動(dòng)電路。
根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的顯示設(shè)備包括
(1) 以二維矩陣型式排列的顯示元件；
(2) 掃描線；初始化控制線，被配置以初始化所述顯示元件；以及顯示 控制線，被配置以控制所述顯示元件的點(diǎn)亮/熄滅狀態(tài)，所述掃描線、初始化 控制線和顯示控制線以第一方向延伸；
(3) 數(shù)據(jù)線，以與所述第一方向不同的第二方向延伸；以及
(4) 掃描驅(qū)動(dòng)電路。根據(jù)本發(fā)明的、并且還配置根據(jù)本發(fā)明的顯示設(shè)備的掃描驅(qū)動(dòng)電路包括
(A)移位寄存器單元，配置有P (其中P是大于等于3的自然數(shù))級(jí)移 位寄存器，以依次移位輸入開始脈沖，并從每個(gè)級(jí)輸出輸出信號(hào)，以及
(B )邏輯電路單元，被配置以基于來(lái)自所述移位寄存器單元的輸出信號(hào) 和使能信號(hào)而操作，
(C) 其中，將第p級(jí)(其中p^， 2,……,P-l )移位寄存器的輸出信 號(hào)表示為STP，第p+l移位寄存器的輸出信號(hào)STP+1的開始脈沖的開始位于輸 出信號(hào)STp的開始脈沖的開始與結(jié)束之間，
(D) 以及其中，第一使能信號(hào)到第Q使能信號(hào)(其中Q是大于等于2 的自然數(shù))的每一個(gè)依次存在于輸出信號(hào)STp的開始脈沖的開始與輸出信號(hào) STP+1的開始脈沖的開始之間，
(E) 以及其中，所述邏輯電路單元包括(P-2) xQ個(gè)NAND電路； 其中，第一開始脈沖到第U開始脈沖(其中U是大于等于2的自然數(shù))
在等于 一 個(gè)場(chǎng)時(shí)段的時(shí)段期間被輸入到第 一 級(jí)移位寄存器；
以及其中，時(shí)段指定信號(hào)被輸入到所述邏輯電路單元，以指定從輸出信 號(hào)ST,中的第u (其中u=l, 2，……，U-l )開始脈沖到第u+l開始脈沖的每 個(gè)時(shí)段以及從第U開始脈沖的開始到下一幀中的第一開始脈沖的開始的時(shí)
段；
以及其中，將第q使能信號(hào)(其中q=l, 2，……，Q-l)表示為ENq， 基于時(shí)段指定信號(hào)的信號(hào)、輸出信號(hào)STp、通過(guò)反轉(zhuǎn)輸出信號(hào)STp+,獲得的信 號(hào)以及第q使能信號(hào)ENq被輸入到第(p，， q)NAND電路；
以及其中，基于時(shí)段指定信號(hào)限制所述NAND電路的操作，使得所述 NAND電路僅基于與第一開始脈沖對(duì)應(yīng)的輸出信號(hào)STp的一部分、通過(guò)反轉(zhuǎn) 輸出信號(hào)STp+,獲得的信號(hào)以及第q使能信號(hào)ENq來(lái)產(chǎn)生掃描信號(hào)。
在根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的顯示設(shè)備中，關(guān)于顯示元件經(jīng)由掃描線接收基 于來(lái)自第(p，， q)NAND電路(除了其中(p，=l， q=l)的情況之外)的掃 描信號(hào)的信號(hào)的供應(yīng)，從與所述顯示元件連接的初始化控制線供應(yīng)在q=l 成立的情況下，基于來(lái)自第(p，-l， q，)NAND電路的掃描信號(hào)的信號(hào)；以 及在q〉l成立的情況下，基于來(lái)自第(p，， q")(其中q"是從l到(q-l)的 自然數(shù))NAND電路的掃描信號(hào)的信號(hào)，以及
從與所述顯示元件連接的顯示控制線供應(yīng)在q^成立的情況下，基于來(lái)自第p，+l移位寄存器的輸出信號(hào)STP+1的信號(hào)；以及在q>l成立的情況下， 基于來(lái)自第p'+2移位寄存器的輸出信號(hào)STp+2的信號(hào)。
現(xiàn)在，從縮短從初始化控制線到預(yù)定的NAND電路的配線的長(zhǎng)度的方面 來(lái)看，在經(jīng)由掃描線供應(yīng)基于來(lái)自第(p，， q) NAND電路的掃描信號(hào)的信號(hào) 的顯示元件中，優(yōu)選的配置是，其中從與顯示元件連接的初始化控制線供應(yīng) 在q二l成立的情況下，基于來(lái)自第(p，-1, q，) NAND電路的掃描信號(hào)的信 號(hào)；以及在qM成立的情況下，基于來(lái)自第(p，， q-l ) NAND電路的掃描信 號(hào)的信號(hào)。 -
在第一開始脈沖和第二開始脈沖在等于一個(gè)場(chǎng)時(shí)段的時(shí)段內(nèi)被輸入到第 一級(jí)移位寄存器的配置中，可以進(jìn)行這樣的安排，其中時(shí)段指定信號(hào)是在從 第一開始脈沖的開始到第二開始脈沖的開始的時(shí)段中處于低電平或高電平、 并在從第二開始脈沖的開始到下一幀中的第 一開始脈沖的開始的時(shí)段中處于 高電平或低電平的信號(hào)。因此，使用單個(gè)時(shí)段指定信號(hào)可以指定兩個(gè)時(shí)段。 而且，在其中第一開始脈沖到第四開始脈沖在等于一個(gè)場(chǎng)時(shí)段的時(shí)段內(nèi)被輸 入到第一級(jí)移位寄存器的配置中，可以進(jìn)行這樣的安排，其中時(shí)段指定信號(hào) 配置有第一時(shí)段指定信號(hào)和第二時(shí)段指定信號(hào)，由此使得能夠利用第一時(shí)段 指定信號(hào)和第二時(shí)段指定信號(hào)的高/低電平的組合來(lái)指定四個(gè)時(shí)段。
可以進(jìn)行這樣的安排，其中，在包括施加與第一開始脈沖對(duì)應(yīng)的輸出信 號(hào)STp,的一部分的時(shí)段的時(shí)段中，基于時(shí)段指定信號(hào)的信號(hào)被施加到第(p，， q)NAND電路的輸入側(cè)，使得基于時(shí)段指定信號(hào)的信號(hào)變?yōu)楦唠娖剑皇?處于低電平。注意，在時(shí)段指定信號(hào)配置有第一時(shí)段指定信號(hào)和第二時(shí)段指 定信號(hào)的情況下，基于時(shí)段指定信號(hào)的信號(hào)可以被施加到第(p，， q)NAND 電路的輸入側(cè)，使得基于第一時(shí)段指定信號(hào)的信號(hào)和基于第二時(shí)段指定信號(hào) 的信號(hào)都僅在包括施加與第一開始脈沖對(duì)應(yīng)的輸出信號(hào)STp,的一部分的時(shí)段 的時(shí)段中變?yōu)楦唠娖健８唧w地，時(shí)段指定信號(hào)被直接或經(jīng)由NOR電路輸入 到NAND電路的輸入側(cè)就足夠使得滿足上述條件。從而，限制第(p，， q) NAND電路的操作，并且NAND電路僅基于與第一開始脈沖對(duì)應(yīng)的輸出信號(hào) STp的一部分、通過(guò)反轉(zhuǎn)輸出信號(hào)STp+1獲得的信號(hào)和第q使能信號(hào)ENq來(lái)產(chǎn) 生掃描信號(hào)。
通過(guò)具有根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的掃描驅(qū)動(dòng)電路的根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的 顯示設(shè)備，基于來(lái)自掃描驅(qū)動(dòng)電路的信號(hào)供應(yīng)用于掃描線、初始化控制線和
12顯示控制線的信號(hào)。從而，可以實(shí)現(xiàn)電路的布局面積的減小和電路成本的降 低。對(duì)于掃描驅(qū)動(dòng)電路和顯示設(shè)備的規(guī)格等，應(yīng)當(dāng)適當(dāng)?shù)卦O(shè)置P和Q的值， 和/或U的值。
而且，通過(guò)根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的顯示設(shè)備，向顯示控制線供應(yīng)基于來(lái) 自構(gòu)成掃描驅(qū)動(dòng)電路的移位寄存器的輸出信號(hào)的信號(hào)。通過(guò)根據(jù)本發(fā)明的實(shí) 施例的掃描驅(qū)動(dòng)電路，第一開始脈沖到第U開始脈沖被在等于一個(gè)場(chǎng)時(shí)段的
時(shí)段中輸入到第一級(jí)移位寄存器。然而，從NAND電路輸出的掃描信號(hào)不受 輸入到第一級(jí)移位寄存器的開始脈沖的數(shù)量影響。從而，通過(guò)改變輸入到第 一級(jí)移位寄存器的開始脈沖的數(shù)量，在一個(gè)場(chǎng)時(shí)段內(nèi)可以向顯示控制線供應(yīng) 多個(gè)脈沖信號(hào)，而不影響供應(yīng)至掃描線和初始化控制線的信號(hào)。
注意，取決于構(gòu)成顯示元件的晶體管的極性等，來(lái)自NAND電路的掃描 信號(hào)和來(lái)自移位寄存器的輸出信號(hào)應(yīng)該被適當(dāng)?shù)胤崔D(zhuǎn)然后再供應(yīng)。術(shù)語(yǔ)"基 于掃描信號(hào)的信號(hào)"可以指掃描信號(hào)本身，或者可以指反轉(zhuǎn)了掃描信號(hào)的極 性的信號(hào)。以相同的方式，術(shù)語(yǔ)"基于來(lái)自移位寄存器的輸出信號(hào)的信號(hào)" 可以指來(lái)自移位寄存器的輸出信號(hào)本身，或者可以指已經(jīng)反轉(zhuǎn)了來(lái)自移位寄 存器的輸出信號(hào)的極性的信號(hào)。
驅(qū)動(dòng)電路。構(gòu)成移位寄存器單元的移位寄存器、NAND電路和配置邏輯電路 單元的NOR電路可以是廣泛采用的配置和結(jié)構(gòu)。掃描驅(qū)動(dòng)電路可以被配置為 獨(dú)立的電路，或者可以與顯示設(shè)備集成地配置。例如，在配置顯示設(shè)備的顯 示元件具有晶體管的情況下，可以在制造顯示元件的工藝的同時(shí)制造掃描驅(qū)
動(dòng)電路。
通過(guò)根據(jù)包括各種優(yōu)選配置的實(shí)施例的顯示設(shè)備，可以廣泛使用以便由 來(lái)自掃描線的信號(hào)掃描并經(jīng)歷基于來(lái)自初始化控制線的信號(hào)的初始化處理的 配置的顯示元件，以及進(jìn)一步可以使用其中由來(lái)自顯示控制線的信號(hào)切換顯 示時(shí)段和非顯示時(shí)段的配置的顯示元件。
配置根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的顯示設(shè)備的顯示元件可以包括 (l-l)驅(qū)動(dòng)電路，包括寫晶體管、驅(qū)動(dòng)晶體管和電容單元；以及 (l-2)發(fā)光單元，電流經(jīng)由所述驅(qū)動(dòng)晶體管4皮施加到該發(fā)光單元。發(fā)光 單元可以配置有在電流的應(yīng)用下發(fā)光的發(fā)光單元，該發(fā)光單元的例子包括有 機(jī)電致發(fā)光單元、LED發(fā)光單元、半導(dǎo)體激光發(fā)光單元等。在這些當(dāng)中，從配置用于彩色顯示的平板顯示設(shè)備方面來(lái)看，作為有機(jī)電致發(fā)光單元的發(fā)光 單元的配置是優(yōu)選的。
通過(guò)配置如上所述的顯示元件的驅(qū)動(dòng)電路(下文中，可以稱為"配置根 據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的顯示元件的驅(qū)動(dòng)電路")，可以做出這樣的安排，其中
關(guān)于寫晶體管，
(a-l ) —個(gè)源極/漏極區(qū)連接到數(shù)據(jù)線，以及
(a-2)柵極連接到掃描線； 并且其中，關(guān)于驅(qū)動(dòng)晶體管，
(b-l) —個(gè)源極/漏極區(qū)連接到寫晶體管的另一源極/漏極區(qū)，由此 配置第一節(jié)點(diǎn)；
以及其中，關(guān)于電容單元，
(c-l )預(yù)定參考電壓被施加到其一端，以及
(c-2)另一端與驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極連接，由此配置第二節(jié)點(diǎn)； 以及其中，寫晶體管由來(lái)自掃描線的信號(hào)控制。
(d) 第一開關(guān)電路單元，連接在第二節(jié)點(diǎn)與驅(qū)動(dòng)晶體管的另一源極/漏 才及區(qū)之間；
其中第一開關(guān)電路單元由來(lái)自掃描線的信號(hào)控制。 配置包括本發(fā)明的實(shí)施例的上述優(yōu)選配置的顯示元件的驅(qū)動(dòng)電路還可以
包括
(e) 第二開關(guān)電路單元，連接在第二節(jié)點(diǎn)與電源線之間，其中預(yù)定初始 化電壓被施加到該電源線；
其中第二開關(guān)電路單元由來(lái)自初始化控制線的信號(hào)控制。 配置包括本發(fā)明的實(shí)施例的上述優(yōu)選配置的顯示元件的驅(qū)動(dòng)電路還可以
包括
(f) 第三開關(guān)電路單元，連接在第一節(jié)點(diǎn)與電源線之間，其中驅(qū)動(dòng)電壓 被施加到該電源線；
其中第三開關(guān)電路單元由來(lái)自顯示控制線的信號(hào)控制。 配置包括本發(fā)明的實(shí)施例的上述優(yōu)選配置的顯示元件的驅(qū)動(dòng)電路還可以
包括
(g) 第四開關(guān)電路單元，連接在所述驅(qū)動(dòng)晶體管的另一源極/漏極區(qū)與200910152274.1
其中第四開關(guān)電路單元由來(lái)自顯示控制線的信號(hào)控制。
通過(guò)具有包括上述第一開關(guān)電路單元到第四開關(guān)電路單元的驅(qū)動(dòng)電路的 顯示設(shè)備，可以通過(guò)以下驅(qū)動(dòng)發(fā)光單元
(a) 進(jìn)行初始化處理，將來(lái)自電源線的預(yù)定初始化電壓經(jīng)由處于導(dǎo)通狀
態(tài)的第二開關(guān)電路單元施加到第二節(jié)點(diǎn)，在此之后第二開關(guān)電路單元被置于
截止?fàn)顟B(tài)，由此將第二節(jié)點(diǎn)的電勢(shì)設(shè)置為預(yù)定參考電勢(shì)；
(b) 進(jìn)行寫處理，維持第二開關(guān)電路單元、第三開關(guān)電路單元和第四開
關(guān)電路單元的截止?fàn)顟B(tài)，同時(shí)將第一開關(guān)電路單元置于導(dǎo)通狀態(tài)，并且在第 二節(jié)點(diǎn)與驅(qū)動(dòng)晶體管的另一源極/漏極區(qū)通過(guò)處于導(dǎo)通狀態(tài)的第一開關(guān)電路
單元電連接的狀態(tài)下，視頻信號(hào)被從數(shù)據(jù)線經(jīng)由由來(lái)自掃描線的信號(hào)置于導(dǎo) 通狀態(tài)的寫晶體管施加到第一節(jié)點(diǎn)，由此將第二節(jié)點(diǎn)的電勢(shì)朝向可以通過(guò)從 視頻信號(hào)減去驅(qū)動(dòng)晶體管的閾值電壓來(lái)計(jì)算的電勢(shì)改變；
(c) 通過(guò)來(lái)自掃描線的信號(hào)依次將寫晶體管置于截止?fàn)顟B(tài)；以及
(d) 以及依次維持第一開關(guān)電路單元和第二開關(guān)電路單元的截止?fàn)顟B(tài)， 同時(shí)經(jīng)由處于導(dǎo)通狀態(tài)的第四開關(guān)電路單元電連接驅(qū)動(dòng)晶體管的另一源極/ 漏極區(qū)與發(fā)光單元的一端，并將預(yù)定驅(qū)動(dòng)電壓從電源線經(jīng)由處于導(dǎo)通狀態(tài)的 第三開關(guān)電路單元施加到第一節(jié)點(diǎn)，由此將電流經(jīng)由驅(qū)動(dòng)晶體管施加到發(fā)光 單元，并因此驅(qū)動(dòng)發(fā)光單元。
通過(guò)配置根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的顯示設(shè)備的驅(qū)動(dòng)電路，預(yù)定參考電壓被 施加到電容單元的一端，由此當(dāng)顯示設(shè)備工作時(shí)，維持電容單元的該端的電 勢(shì)。不特別限制預(yù)定參考電壓的值。例如，可以做出這樣的配置，其中電容 單元的一端連接到用于將預(yù)定電壓施加到發(fā)光單元的另一端的電源線，使得 作為參考電壓施加該預(yù)定電壓。
通過(guò)包括上述各種優(yōu)選配置的根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的顯示設(shè)備，諸如掃 描線、初始化控制線、顯示控制線、數(shù)據(jù)線、電源線等之類的各種配線的配 置和結(jié)構(gòu)可以是廣泛使用的配置和結(jié)構(gòu)。而且，發(fā)光單元的配置和結(jié)構(gòu)可以 是廣泛使用的配置和結(jié)構(gòu)。具體地，在將發(fā)光單元形成為有機(jī)電致發(fā)光發(fā)光 單元的情況下，發(fā)光單元可以由陽(yáng)極、空穴傳輸層、發(fā)射層、電子傳輸層、 陰極等配置。而且，與數(shù)據(jù)線連接的信號(hào)輸出電路等的配置和結(jié)構(gòu)可以是廣 泛使用的配置和結(jié)構(gòu)。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的顯示設(shè)備可以是所謂的黑白顯示配置，或者可以 是這樣的配置，其中每個(gè)像素由多個(gè)子像素配置，具體地，其中像素由紅色 發(fā)光子像素、綠色發(fā)光子像素和藍(lán)色發(fā)光子像素的三個(gè)子像素確定。此外， 像素可以由這樣的集合來(lái)配置，其中多個(gè)類型中的一個(gè)類型的子像素被添加 到以上三種類型的子像素(例如添加發(fā)白光的子像素以改善亮度的集合、添 加發(fā)射互補(bǔ)色的子像素以擴(kuò)大顏色再現(xiàn)的范圍的集合、添加發(fā)黃光的子像素 以擴(kuò)大顏色再現(xiàn)的范圍的集合、添加發(fā)黃光和青色光的子像素以擴(kuò)大顏色再 現(xiàn)的范圍的集合)。
關(guān)于顯示設(shè)備的像素的數(shù)量的圖像顯示分辨率的例子包括但不限于
VGA (640， 480)、 S-VGA ( 800， 600)， XGA ( 1024， 768)， APRC ( 1152， 900), S-XGA( 1280, 1024)， U-XGA ( 1600， 1200)， HD-TV ( 1920, 1080), Q-XGA(2048, 1536)等，還有(1920, 1035 )、 (720， 480)、 ( 1280, 960) 等。在黑白顯示設(shè)備的情況下，主要以矩陣形式形成與像素?cái)?shù)相同數(shù)目的顯 示元件。在彩色顯示設(shè)備的情況下，主要以矩陣方式形成像素?cái)?shù)三倍的顯示 元件。顯示元件可以按帶狀排列或按三角排列形成，并應(yīng)該根據(jù)顯示設(shè)備的 設(shè)計(jì)而適當(dāng)?shù)嘏帕小?br> 通過(guò)構(gòu)成根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的顯示元件的驅(qū)動(dòng)電路，寫晶體管和驅(qū)動(dòng) 晶體管可以由例如p溝道型薄膜晶體管(TFT)配置。注意，替換地，寫晶 體管可以是n溝道型。第一開關(guān)電路單元、第二開關(guān)電路單元、第三開關(guān)電 路單元和第四開關(guān)電路單元可以由諸如TFT之類的廣泛使用的切換器件來(lái)配 置，并且可以是例如p溝道型TFT或n溝道型TFT。
通過(guò)構(gòu)成根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的顯示元件的驅(qū)動(dòng)電路，構(gòu)成驅(qū)動(dòng)電路的 電容單元可以由一個(gè)電極、另一電極和在這兩個(gè)電極之間的介電層(絕緣層) 配置。構(gòu)成驅(qū)動(dòng)電路的晶體管和電容單元可以形成在某個(gè)平面內(nèi)，并形成在 例如支撐體上。在發(fā)光單元將是有機(jī)電致發(fā)光發(fā)光單元的情況下，發(fā)光單元 可以形成在構(gòu)成驅(qū)動(dòng)電路的晶體管和電容單元之上。而且，驅(qū)動(dòng)晶體管的另 一源極/漏極區(qū)可以經(jīng)由例如另一晶體管連接到發(fā)光單元的一端(例如提供給 發(fā)光單元的陽(yáng)極)。而且注意，可以采用其中晶體管形成在半導(dǎo)體襯底上的配 置。
注意，在本說(shuō)明書中，關(guān)于連接到電源側(cè)的、晶體管具有的兩個(gè)源極/漏 極區(qū)中的一個(gè)，可以使用術(shù)語(yǔ)"一個(gè)源極/漏極區(qū)"。而且，術(shù)語(yǔ)晶體管處于"導(dǎo)通狀態(tài)"意味著在源極/漏極區(qū)之間形成溝道，無(wú)論電流是否從一個(gè)源極 /漏極區(qū)流到另一源極/漏極區(qū)。相反，術(shù)語(yǔ)晶體管處于"截止?fàn)顟B(tài)"意味著在 源極/漏極區(qū)之間沒有形成溝道。某個(gè)晶體管的源極/漏極區(qū)連接到另一晶體管 的源極/漏極區(qū)的表述意味著該某個(gè)晶體管的源極/漏極區(qū)與另 一 晶體管的源 極/漏極區(qū)占據(jù)相同的區(qū)域。此外，源極/漏極區(qū)并不限制為由摻雜雜質(zhì)的多晶 硅、非晶硅等配置，并且也可以由其分層結(jié)構(gòu)或者有機(jī)材料層(導(dǎo)電聚合物) 配置。此外，在用于本說(shuō)明書中的描述的時(shí)序圖中，應(yīng)當(dāng)注意，表示時(shí)段(時(shí) 間的長(zhǎng)度)的水平軸的長(zhǎng)度是示意的表示，并不是一定表示時(shí)間段的持續(xù)時(shí) 間的比率。
通過(guò)具有根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的掃描驅(qū)動(dòng)電路、根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的 顯示設(shè)備，基于來(lái)自掃描驅(qū)動(dòng)電路的信號(hào)供應(yīng)用于掃描線、初始化控制線和 顯示控制線的信號(hào)。從而，可以實(shí)現(xiàn)布局面積的減小和電路成本的降低。
通過(guò)根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的掃描驅(qū)動(dòng)電路，通過(guò)改變輸入到第 一級(jí)移位 寄存器的開始脈沖的數(shù)量的簡(jiǎn)單安排，可以在一個(gè)場(chǎng)時(shí)段內(nèi)將多個(gè)脈沖信號(hào) 供應(yīng)至顯示控制線，而不影響供應(yīng)至掃描線和初始化控制線的信號(hào)。而且， 通過(guò)根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的顯示設(shè)備，通過(guò)改變輸入到配置該掃描驅(qū)動(dòng)電路 的第 一級(jí)移位寄存器的開始脈沖的數(shù)量的簡(jiǎn)單安排，可以降低顯示設(shè)備上顯 示的圖像的閃爍。


圖l是根據(jù)第一實(shí)施例的掃描驅(qū)動(dòng)電路的電路圖； 圖2是根據(jù)第一實(shí)施例的、包括圖l所示的掃描驅(qū)動(dòng)電路的顯示設(shè)備的 概念圖3是構(gòu)成圖1所示的掃描驅(qū)動(dòng)電路的移位寄存器單元的示意時(shí)序圖4是構(gòu)成圖1所示的掃描驅(qū)動(dòng)電路的邏輯電路單元的上游級(jí)(upstream stage)的示意時(shí)序圖5是構(gòu)成圖1所示的掃描驅(qū)動(dòng)電路的邏輯電路單元的下游級(jí) (downstream stage )的示意時(shí)序圖6是構(gòu)成圖2所示的顯示設(shè)備的第m行第n列的顯示元件的驅(qū)動(dòng)電路 的等效電路圖7是構(gòu)成圖2所示的顯示設(shè)備的顯示元件的一部分的部分剖面圖；圖8是第m行第n列的顯示元件的示意驅(qū)動(dòng)時(shí)序圖；圖9A和圖9B是示意性圖示構(gòu)成第m行第n列的顯示元件的驅(qū)動(dòng)電路中 的晶體管的導(dǎo)通/截止?fàn)顟B(tài)的圖；圖IOA和圖IOB是接續(xù)圖9A和圖9B的圖，示意性圖示了構(gòu)成第m行 第n列的顯示元件的驅(qū)動(dòng)電路中的晶體管的導(dǎo)通/截止?fàn)顟B(tài)；圖IIA和圖IIB是接續(xù)圖IOA和圖10B的圖，示意性圖示了構(gòu)成第m 行第n列的顯示元件的驅(qū)動(dòng)電路中的晶體管的導(dǎo)通/截止?fàn)顟B(tài)；圖12A和圖12B是接續(xù)圖IIA和圖UB的圖，示意性圖示了構(gòu)成第m 行第n列的顯示元件的驅(qū)動(dòng)電路中的晶體管的導(dǎo)通/截止?fàn)顟B(tài)；圖13是根據(jù)比較例子的掃描驅(qū)動(dòng)電路的電路圖；圖14是與時(shí)段T！的開始和結(jié)束之間的開始脈沖的前沿和時(shí)段T5的開始 和結(jié)束之間的開始脈沖的后沿有關(guān)的、圖13所示的掃描驅(qū)動(dòng)電路的時(shí)序圖；圖15是圖示在根據(jù)比較例子的掃描驅(qū)動(dòng)電路的情況的時(shí)序圖，其中第一 開始脈沖和第二開始脈沖在等于一個(gè)場(chǎng)時(shí)段的時(shí)段期間已經(jīng)被輸入到第一級(jí) 移位寄存器；圖16是根據(jù)第二實(shí)施例的掃描驅(qū)動(dòng)電路的電路圖；圖17是構(gòu)成圖16所示的掃描驅(qū)動(dòng)電路的移位寄存器單元的示意時(shí)序圖；圖18是構(gòu)成圖16所示的掃描驅(qū)動(dòng)電路的邏輯電路單元的上游級(jí)的示意 時(shí)序圖；圖19是構(gòu)成圖16所示的掃描驅(qū)動(dòng)電路的邏輯電路單元的下游級(jí)的示意 時(shí)序圖；圖20是構(gòu)成第m行第n列的顯示元件的驅(qū)動(dòng)電路的電路圖； 圖21是根據(jù)第三實(shí)施例的掃描驅(qū)動(dòng)電路的電路圖； 圖22是構(gòu)成圖21所示的掃描驅(qū)動(dòng)電路的移位寄存器單元的示意時(shí)序圖； 圖23是構(gòu)成圖21所示的掃描驅(qū)動(dòng)電路的邏輯電路單元的上游級(jí)的示意 時(shí)序圖；圖24是構(gòu)成圖21所示的掃描驅(qū)動(dòng)電路的邏輯電路單元的下游級(jí)的示意 時(shí)序圖；圖25是構(gòu)成第m行第n列的顯示元件的驅(qū)動(dòng)電路的電路圖； 圖26是構(gòu)成顯示設(shè)備中的第m行第n列的顯示元件的驅(qū)動(dòng)電路的等效 電路圖，其中在該顯示設(shè)備中以二維矩陣方式排列顯示元件；圖27A是初始化控制線、掃描線和顯示控制線上的信號(hào)的示意時(shí)序圖； 圖27B是圖示驅(qū)動(dòng)電路的晶體管的導(dǎo)通/截止?fàn)顟B(tài)的示意圖； 圖28A和圖28B是接續(xù)圖27B的圖，示意性圖示驅(qū)動(dòng)電路中的晶體管的 導(dǎo)通/截止?fàn)顟B(tài)。
具體實(shí)施例方式
將參考附圖描述本發(fā)明的實(shí)施例。 第一實(shí)施例
第一實(shí)施例涉及掃描驅(qū)動(dòng)電路和具有該掃描驅(qū)動(dòng)電路的顯示設(shè)備。根據(jù) 第一實(shí)施例的顯示設(shè)備是使用具有發(fā)光單元和其驅(qū)動(dòng)電路的顯示元件的顯示 設(shè)備。
圖1是根據(jù)第一實(shí)施例的掃描驅(qū)動(dòng)電路110的電路圖，圖2是根據(jù)第一 實(shí)施例的、包括圖1所示的掃描驅(qū)動(dòng)電路的顯示設(shè)備1的概念圖，圖3是配 置圖1所示的掃描驅(qū)動(dòng)電路110的移位寄存器單元111的示意時(shí)序圖，圖4 是配置圖1所示的掃描驅(qū)動(dòng)電路110的邏輯電路單元112的上游級(jí)(upstream stage)的示意時(shí)序圖，圖5是構(gòu)成圖1所示的掃描驅(qū)動(dòng)電路110的邏輯電路 單元112的下游級(jí)(downstream stage)的示意時(shí)序圖，以及圖6是構(gòu)成圖2 所示的顯示設(shè)備的第m行(其中m=l， 2， 3,…M)第n歹'J (其中11=1, 2, 3，…N)的顯示元件10的驅(qū)動(dòng)電路11的等效電路圖。
首先，將描述顯示設(shè)備l的概況。如圖2所示，顯示設(shè)備l包括 (1 )以二維矩陣形式排列的顯示元件10;
(2)以第一方向延伸的掃描線SCL、被配置用于初始化顯示元件10的 初始化控制線AZ以及被配置用于控制顯示元件的點(diǎn)亮/熄滅狀態(tài)的顯示控制 線CL;
(3 )以與第一方向不同的第二方向延伸的數(shù)據(jù)線DTL;
(4)掃描驅(qū)動(dòng)電路110。掃描線SCL、初始化控制線AZ和顯示控制線 CL連接到掃描驅(qū)動(dòng)電路110。數(shù)據(jù)線DTL連接到信號(hào)輸出電路100。注意， 在圖2中，示出3x3顯示元件IO以第m行第n列的顯示元件IO為中心， 但這僅是示例圖示。而且，圖6所示的電源線PS,、 PS2和PS3已經(jīng)從圖2中 省略。
N個(gè)顯示元件10以第一方向排列，M個(gè)顯示元件以不同于第一方向的第二方向排列。顯示設(shè)備1配置有以二維矩陣形式排列的N/3 xM個(gè)像素。一
個(gè)像素配置有三個(gè)子像素(發(fā)射紅光的紅色發(fā)光像素、發(fā)射綠光的綠色發(fā)光
像素和發(fā)射藍(lán)光的藍(lán)色發(fā)光像素)。以FR(次/秒)的顯示幀速率以行順序驅(qū) 動(dòng)構(gòu)成像素的顯示元件10。也就是說(shuō)，同時(shí)驅(qū)動(dòng)構(gòu)成在第m行(N個(gè)子像素) 排列的N/3個(gè)像素的每個(gè)的顯示元件10。換句話說(shuō)，按它們所屬于的行遞增 地控制構(gòu)成一行的顯示元件10的點(diǎn)亮/熄滅定時(shí)。
如圖6所示，顯示元件10配置有具有寫晶體管TRW、驅(qū)動(dòng)晶體管TRD 和電容器C,的驅(qū)動(dòng)電^各11和經(jīng)由驅(qū)動(dòng)晶體管TRo向其施加電流的發(fā)光單元 ELP。發(fā)光單元ELP配置有電致發(fā)光發(fā)光單元。顯示元件10具有這樣的結(jié)構(gòu)， 其中驅(qū)動(dòng)電路11和發(fā)光單元ELP被分層。驅(qū)動(dòng)電路11還具有第 一晶體管丁R,、 第二晶體管TR2、第三晶體管TR3和第四晶體管TR4，這些晶體管將稍后描述。
利用第m行第n列的顯示元件10，寫晶體管TRw的一個(gè)源極/漏極區(qū)連 接到數(shù)據(jù)線DTU,并且柵極連接到掃描線SCLm。在驅(qū)動(dòng)晶體管TRD處，一 個(gè)源極/漏極區(qū)連接到寫晶體管TRw的另一源極/漏極區(qū)，由此配置第一節(jié)點(diǎn) ND,。電容單元C,的一端連接到電源線PS,。在電容單元d處，預(yù)定參考電 壓(稍后描述的第一實(shí)施例中的預(yù)定驅(qū)動(dòng)電壓Vcc)被施加到其一端，并且 其另一端連接到驅(qū)動(dòng)晶體管TRd的柵板，由此配置第二節(jié)點(diǎn)ND2。寫晶體管 TRW由來(lái)自掃描線SCLm的信號(hào)控制。
視頻信號(hào)(驅(qū)動(dòng)信號(hào)、亮度信號(hào))Vsig被從信號(hào)輸出電路100施加到數(shù) 據(jù)線DTLn，以控制發(fā)光單元ELP的亮度，這點(diǎn)將在稍后描述。
驅(qū)動(dòng)電路11還具有連接在第二節(jié)點(diǎn)ND2與驅(qū)動(dòng)晶體管TRo的另一源極/ 漏極區(qū)之間的第一開關(guān)電路單元SW,。第一開關(guān)電路單元SW,配置有第一晶 體管TR"在第一晶體管TR,處， 一個(gè)源極/漏極區(qū)連接到第二節(jié)點(diǎn)ND2，另 一源極/漏極區(qū)連接到驅(qū)動(dòng)晶體管TRD的另一源極/漏極區(qū)。第一晶體管TR, 的柵極連接到掃描線SCLm,且第一晶體管TR,由來(lái)自掃描線SCLm的信號(hào)控 制。
驅(qū)動(dòng)電路11還具有連接在第二節(jié)點(diǎn)ND2與被施加了稍后描述的預(yù)定初始 化電壓V^的電源線PS3之間的第二開關(guān)電路單元SW2。第二開關(guān)電路單元 SW2配置有第二晶體管TR2。在第二晶體管TR2處， 一個(gè)源極/漏極區(qū)連接到 電源線PS3，并且另一源極/漏極區(qū)連接到第二節(jié)點(diǎn)ND2。第二晶體管TR2的 柵極連接到初始化控制線AZm，并且第二晶體管TR2由來(lái)自初始化控制線AZm的信號(hào)控制。驅(qū)動(dòng)電路11還具有連接在第 一節(jié)點(diǎn)ND!與被施加了驅(qū)動(dòng)電壓VCC的電源 線PS,之間的第三開關(guān)電路單元SW3。第三開關(guān)電路單元SW3配置有第三晶體管TR3。在第三晶體管TR3處， 一個(gè)源極/漏極區(qū)連接到電源線PS,，并且 另一源極/漏極區(qū)連接到第一節(jié)點(diǎn)ND,。第三晶體管TR3的柵極連接到顯示控 制線CLm，并且第三晶體管TR3由來(lái)自顯示控制線CLm的信號(hào)控制。驅(qū)動(dòng)電3各11還具有連接在驅(qū)動(dòng)晶體管TRD的另一源極/漏極區(qū)與發(fā)光單 元ELP的一端之間的第四開關(guān)電路單元SW4。第四開關(guān)電路單元SW4配置有 第四晶體管TR4。在第四晶體管TR4處， 一個(gè)源極/漏極區(qū)連接到驅(qū)動(dòng)晶體管 TRD的另一源極/漏極區(qū)，并且另一源極/漏極區(qū)連接到發(fā)光單元ELP的一端。 第四晶體管TR4的柵極連接到顯示控制線CLm，并且第四晶體管由來(lái)自顯示 控制線CLm的信號(hào)控制。發(fā)光單元ELP的另 一端(陰極)連接到電源線PS2, 由此施加稍后描述的電壓VCat。符號(hào)CEL表示發(fā)光單元ELP的電容。驅(qū)動(dòng)晶體管丁Rd由p溝道型TFT配置，且寫晶體管TRw也由p溝道型 TFT配置。另外，第一晶體管TR,、第二晶體管TR2、第三晶體管丁113和第 四晶體管TR4也由p溝道型TFT配置。注意，代替地，寫晶體管TRw可由n 溝道型TFT配置。將晶體管描述為凹陷型(depression type )晶體管，但不限 于此。廣泛使用的配置和結(jié)構(gòu)可以用于信號(hào)輸出電路100、掃描線SCL、初始 化控制線AZ、顯示控制線CL和數(shù)據(jù)線DTL的配置和結(jié)構(gòu)。以與掃描線SCL 相同的第一方向延伸的電源線PS,、 PS2和PS3連接到未示出的電源單元。驅(qū) 動(dòng)電壓Vcc被施加到電源線PSp電壓Vcat被施加到電源線PS2，并且初始化電壓Vlni被施加到電源線PS3 。廣泛使用的配置和結(jié)構(gòu)也可以用于電源線PS,、PS2和PS3的配置和結(jié)構(gòu)。圖7是構(gòu)成圖2所示的顯示設(shè)備1的顯示元件IO的一部分的部分剖面圖。 構(gòu)成顯示元件lO的驅(qū)動(dòng)電路ll的每個(gè)晶體管和電容單元C，形成在支撐體20 上，發(fā)光單元ELP形成在構(gòu)成驅(qū)動(dòng)電路11的晶體管和電容單元C,之上，其 間引入了中間層絕緣層40，稍后將描述該排列。發(fā)光單元ELP具有例如陽(yáng)極、 空穴傳輸層、發(fā)射層、電子傳輸層、陰極等的廣泛使用的配置和結(jié)構(gòu)。注意， 在圖7中，僅示出了驅(qū)動(dòng)晶體管TRD，其他晶體管被隱藏并不可見。驅(qū)動(dòng)晶 體管TRd的另 一源極/漏極區(qū)經(jīng)由未示出的第四晶體管TR4電連接到提供給發(fā)光單元ELP的陽(yáng)極，在第四晶體管TR4與發(fā)光單元ELP的陽(yáng)極之間的連接也
不可見。
驅(qū)動(dòng)晶體管TRo配置有柵極31、柵極絕緣層32和半導(dǎo)體層33。更具體 地，驅(qū)動(dòng)晶體管TRo具有與被提供給半導(dǎo)體層33的一個(gè)源極/漏極區(qū)35和另 一源極/漏極區(qū)之間的半導(dǎo)體層33對(duì)應(yīng)的溝道形成區(qū)34。其他未示出的晶體 管也是類似的配置。
電容單元Q由電極37、由4冊(cè)極絕緣層32的延伸部分配置的介電層38 以及電極38配置。注意，電極37與驅(qū)動(dòng)晶體管TRo的柵極之間的連接、以 及電極38與電源線PS,之間的連接不可見。
構(gòu)成電容單元Ct的柵極31 、柵極絕緣層32的一部分以及電極37形成在 支撐體20上。驅(qū)動(dòng)晶體管TRD和電容單元C,等覆蓋有中間層絕緣層40，由 陽(yáng)極51、空穴傳輸層、發(fā)射層、電子傳輸層和陰極53配置的發(fā)光單元ELP 被提供在中間層絕緣層40之上。注意，在圖7中，空穴傳輸層、發(fā)射層和電 子傳輸層被用單個(gè)層52表示。第二中間層絕緣層54被提供在未提供發(fā)光單 元ELP的中間層絕緣層40上，透明襯底21被設(shè)置在第二中間層絕緣層54 和陰極53之上，并且在發(fā)光層處發(fā)射的光透過(guò)襯底21發(fā)射到外部。構(gòu)成陰 極53和電源線PS2的配線39經(jīng)由分別提供在第二中間層絕緣層54和中間層 絕緣層40中的接觸孔56和55連接到其處。
將描述圖7所示的顯示設(shè)備的制造方法。首先，用于掃描線等的各種類 型的配線、構(gòu)成電容單元的電極、由半導(dǎo)體層形成的晶體管、中間層絕緣層、 接觸孔等通過(guò)廣泛使用的技術(shù)形成在支撐體20上。接下來(lái)，通過(guò)廣泛使用的 技術(shù)進(jìn)行膜形成和圖案形成(patterning),由此形成以矩陣方式排列的發(fā)光單 元ELP。使得已經(jīng)經(jīng)歷了以上處理的支撐體20面對(duì)襯底21，并且密封其周 圍。然后這與信號(hào)輸出電路100和掃描驅(qū)動(dòng)電路110連接，由此可以完成顯 示設(shè)備。
接下來(lái)，將描述掃描驅(qū)動(dòng)電路110。注意，將參考其中掃描信號(hào)以行順 序供應(yīng)至掃描線SCL,到SCL31的排列做出對(duì)掃描驅(qū)動(dòng)電路110的描述，以便 于描述。在其他實(shí)施例中也將以此方式進(jìn)行描述。
如圖1所示，掃描驅(qū)動(dòng)電路110包括 (A)移位寄存器單元lll，配置有P (其中P是大于等于3的自然數(shù)， 下文相同)級(jí)移位寄存器SR,以依次移位輸入開始脈沖STP，并從每個(gè)級(jí)輸出輸出信號(hào)ST;以及(B)邏輯電路單元112，被配置以基于來(lái)自移位寄存器單元111的輸出 信號(hào)ST和使能信號(hào)(在第一實(shí)施例中，稍后描述的第一使能信號(hào)ENi和第 二使能信號(hào)EN"而操作。利用表示為STp的第p (其中p=l, 2,……，p-l)級(jí)移位寄存器SRp的 輸出信號(hào)，第p+l級(jí)移位寄存器SRP+1的輸出信號(hào)STP+1的開始脈沖的開始位 于輸出信號(hào)STp的開始脈沖的開始和結(jié)束之間，如圖3所示。移位寄存器單 元111基于時(shí)鐘信號(hào)CK和開始脈沖STP而操作，以便滿足上述條件。第一級(jí)移位寄存器SR，在等于一個(gè)場(chǎng)時(shí)段的時(shí)段(在圖3中，等于從時(shí) 段T,的開始到時(shí)段T32的結(jié)束的時(shí)段)內(nèi)接收第一開始脈沖到第U開始脈沖 (其中U是大于等于2的自然數(shù)，下文相同)的輸入。注意，在第一實(shí)施例 中，U=2，且輸入第一開始脈沖和第二開始脈沖。具體地，輸入到第一級(jí)移位寄存器SR,的第一開始脈沖具有在圖3所示 的時(shí)段T,的開始和結(jié)束之間的其前沿，并具有在時(shí)段T13的開始和結(jié)束之間 的其后沿。而且，第二開始脈沖具有在圖3所示的時(shí)段丁17的開始和結(jié)束之間的其前沿，并具有在時(shí)段T29的開始和結(jié)束之間的其后沿。諸如在圖3和其他稍后描述的附圖中的T,之類的每個(gè)時(shí)段對(duì)應(yīng)于一個(gè)水平掃描時(shí)段(也由"1H" 表示)。時(shí)鐘信號(hào)CK是每?jī)蓚€(gè)水平掃描時(shí)段(2H)反轉(zhuǎn)極性的方波信號(hào)。 移位寄存器S&的輸出信號(hào)ST,中的第一開始脈沖具有在時(shí)段丁3的開始處的其前沿，并具有在時(shí)段丁4的結(jié)束處的其后沿。移位寄存器SR2和隨后的移位寄存器的輸出信號(hào)ST2、 ST3等中的第一脈沖是已經(jīng)被依次移位了兩個(gè)水 平掃描時(shí)段的脈沖。而且移位寄存器SR,的輸出信號(hào)ST,中的第二開始脈沖 具有在時(shí)段T,9的開始處的其前沿，并具有在時(shí)段丁30的結(jié)束處的其后沿。移 位寄存器SR2和隨后的移位寄存器的輸出信號(hào)ST2、 S丁3等中的第一脈沖也是 已經(jīng)被依次移位了兩個(gè)水平掃描時(shí)段的脈沖。而且，第一使能信號(hào)到第Q使能信號(hào)(其中Q是大于等于2的自然數(shù)， 下文相同)的每一個(gè)依次存在于輸出信號(hào)STP的第一開始脈沖的開始與輸出 信號(hào)STp+,的第一開始脈沖的開始之間。在第一實(shí)施例中，Q=2,依次存在第 一使能信號(hào)EN,和第二使能信號(hào)EN2的每一個(gè)。換句話說(shuō)，第一使能信號(hào)EN, 和第二使能信號(hào)EN2是產(chǎn)生以便滿足上述條件的信號(hào)，其基本是具有相同周 期但是不同相位的方波信號(hào)。注意，第一使能信號(hào)到第Q使能信號(hào)的每一個(gè)也依次存在于輸出信號(hào)STp的第二開始脈沖的開始與輸出信號(hào)STp+1的第二開 始脈沖的開始之間。
具體地，第一使能信號(hào)EN,和第二使能信號(hào)EN2是具有兩個(gè)水平掃描時(shí) 段作為一個(gè)周期的方波信號(hào)。在第一實(shí)施例中，這些信號(hào)每個(gè)水平掃描時(shí)段 反轉(zhuǎn)極性，并且第一使能信號(hào)EN,和第二使能信號(hào)EN2是相反的相位關(guān)系。 盡管圖3到圖5示出使能信號(hào)EN,和EN2的高電平持續(xù)一個(gè)水平掃描時(shí)段， 但是本發(fā)明不限于此布置，并且高電平可以是具有短于一個(gè)水平掃描時(shí)段的 時(shí)段的方波信號(hào)，這點(diǎn)對(duì)其他實(shí)施例也成立。
例如，在輸出信號(hào)ST，中的開始脈沖的開始(即時(shí)段丁3的開始)與輸出 信號(hào)ST2中的開始脈沖的開始(即時(shí)段T4的開始)之間依次存在時(shí)段T3中的 第一使能信號(hào)EN,和時(shí)段T4中的第二使能信號(hào)EN2的每一個(gè)。以此方式，在 輸出信號(hào)ST2中的開始脈沖的開始與輸出信號(hào)ST3中的開始脈沖的開始之間 依次存在第一使能信號(hào)EN,和第二使能信號(hào)EN2的每一個(gè)。這對(duì)輸出信號(hào)ST4 等也相同。
如圖1所示，邏輯電路單元112具有(P-2) xQ個(gè)NAND電路U3。具 體地，邏輯電3各單元112具有第(1, l)到第(P-2, 2)NAND電路113。用 于指定從輸出信號(hào)ST,中開始脈沖的第u開始脈沖(其中11=1, 2……，U-l， 下文相同)的開始到第(u+l)開始脈沖的開始的每個(gè)時(shí)段以及從第U開始 脈沖的開始到下一幀中的第一開始脈沖的開始的時(shí)段的時(shí)段指定信號(hào)SP被 輸入到邏輯電路單元112。
在第一實(shí)施例中，U=2，且時(shí)段指定信號(hào)SP是用于指定從輸出信號(hào)ST, 中的第 一開始脈沖的開始到第二開始脈沖的開始的時(shí)段，以及從輸出信號(hào)ST, 中的第二開始脈沖的開始到下一幀中的第 一開始脈沖的開始的時(shí)段的信號(hào)。 在圖3到圖5中，從輸出信號(hào)ST,中的第一開始脈沖的開始到第二開始脈沖 的開始的時(shí)段是從時(shí)段T3的開始到時(shí)段T,8的結(jié)束的時(shí)段。而且，從輸出信 號(hào)ST,中的第二開始脈沖的開始到下一幀中的第一開始脈沖的開始的時(shí)段是 從時(shí)段T,9的開始到下一幀中的時(shí)段丁2的結(jié)束的時(shí)段。在第一實(shí)施例中，時(shí) 段指定信號(hào)SP是在從時(shí)段丁3的開始到時(shí)段丁18的結(jié)束的時(shí)段期間處于高電 平、并在從時(shí)段丁19的開始到下一幀的時(shí)段丁2的結(jié)束的時(shí)段期間處于低電平 的信號(hào)。
將第q使能信號(hào)表示為ENq (其中q是從1到Q的任意數(shù)，下文相同)，基于時(shí)段指定信號(hào)SP的信號(hào)、輸出信號(hào)STp、通過(guò)反轉(zhuǎn)輸出信號(hào)STp+,獲得的信號(hào)以及第q使能信號(hào)ENq被輸入到第(p，， q) NAND電路113 (其中p 是從1到(P-2)的任意自然數(shù)，下文相同)。如稍后所述，基于時(shí)段指定信 號(hào)SP來(lái)限定NAND電路113的操作，使得NAND電路113僅基于與第一開 始脈沖對(duì)應(yīng)的輸出信號(hào)STP，的一部分、通過(guò)反轉(zhuǎn)輸出信號(hào)STp，+,獲得的信號(hào) 以及第q使能信號(hào)ENq而產(chǎn)生掃描信號(hào)。更具體地，輸出信號(hào)STp，+1被圖1所示的NOR電路114反轉(zhuǎn)，并被輸入 到第(p，， q) NAND電路113的輸入側(cè)。輸出信號(hào)STp，和第q使能信號(hào)ENq 直接被輸入到第(p，， q)NAND電路113的輸入側(cè)。而且，時(shí)段指定信號(hào) SP直接被輸入到第(1,1)到第(8， 2 ) NAND電路113的輸入側(cè)，作為基 于時(shí)段指定信號(hào)SP的信號(hào)。由圖1所示的NOR電路116反轉(zhuǎn)的時(shí)段指定信 號(hào)SP被輸入到第(9, 1 )和接下來(lái)的NAND電路113的輸入側(cè)，作為基于 時(shí)段指定信號(hào)SP的信號(hào)。如上所述，在等于一個(gè)場(chǎng)時(shí)段的時(shí)段內(nèi)，第一開始脈沖和第二開始脈沖 被輸入到第一級(jí)移位寄存器SR,。如果第(p，， q) NAND電路113將僅通過(guò) 輸出信號(hào)STP，、通過(guò)反轉(zhuǎn)輸出信號(hào)STp，+,獲得的信號(hào)和第q使能信號(hào)ENq而 操作，則NAND電路113將在一個(gè)場(chǎng)時(shí)段中產(chǎn)生兩個(gè)掃描信號(hào)。這將在接下 來(lái)詳細(xì)描述?？紤]第(8, 1 ) NAND電路113。基于來(lái)自第(8， 1)NAND電路U3 的掃描信號(hào)的信號(hào)被供應(yīng)至掃描線SCL14。如圖4所示，在應(yīng)該產(chǎn)生掃描信號(hào)的時(shí)段T,7中，輸出信號(hào)STs、通過(guò)反轉(zhuǎn)輸出信號(hào)ST9獲得的信號(hào)以及第一使能信號(hào)EN,處于高電平。然而，除了第一開始脈沖之外，第一級(jí)移位寄存 器SR,也已經(jīng)接收第二開始脈沖的輸入，因此輸出信號(hào)STV通過(guò)反轉(zhuǎn)輸出信 號(hào)ST9獲得的信號(hào)和第一使能信號(hào)EN,在時(shí)段T,中也處于高電平。從而，如果第(8, 1 ) NAND電路113將僅基于輸出信號(hào)ST8、通過(guò)反 轉(zhuǎn)輸出信號(hào)ST9獲得的信號(hào)和第一使能信號(hào)EN,而操作，則將出現(xiàn)的問題在 于不僅在應(yīng)該產(chǎn)生掃描信號(hào)的時(shí)段T17中，而且在時(shí)段T,中，也將掃描信號(hào) 供應(yīng)至掃描線SCL14。在第一實(shí)施例中，基于時(shí)段指定信號(hào)SP限制NAND電路113的操作， 因此不會(huì)出現(xiàn)在時(shí)段T,中供應(yīng)掃描信號(hào)的問題。也就是說(shuō)，時(shí)段指定信號(hào)SP 直接被輸入到第(8， 1 ) NAND電路113的輸入側(cè)，作為基于時(shí)段指定信號(hào)SP的信號(hào)，如上所述。在時(shí)段T,中，時(shí)段指定信號(hào)SP處于低電平。從而，在時(shí)段T,中，限制了 NAND113的操作，并且不產(chǎn)生掃描信號(hào)。另一方面， 在時(shí)段Tn中，時(shí)段指定信號(hào)SP處于高電平。從而，第(8， l)NAND電路 113僅基于與第一開始脈沖對(duì)應(yīng)的輸出信號(hào)STg的一部分、通過(guò)反轉(zhuǎn)輸出信號(hào) ST9獲得的信號(hào)和第一使能信號(hào)EN,產(chǎn)生掃描信號(hào)?？紤]第(9, 1 ) NAND電路113?；趤?lái)自第(9, 1 ) NAND電路113 的掃描信號(hào)的信號(hào)被供應(yīng)至圖1所示的掃描線SCL16?；跁r(shí)段指定信號(hào)SP 的信號(hào)、輸出信號(hào)ST9、通過(guò)反轉(zhuǎn)輸出信號(hào)ST川獲得的信號(hào)和第一使能信號(hào) EN,被施加到第(9， 1 ) NAND電路113的輸入側(cè)。不同于第(8， 1 ) NAND 電路113的情況，由NOR電路116反轉(zhuǎn)的時(shí)段指定信號(hào)SP被輸入到第(9， 1 ) NAND電路113的輸入側(cè)，作為基于時(shí)段指定信號(hào)SP的信號(hào)。如圖5所示，在應(yīng)該產(chǎn)生掃描信號(hào)的時(shí)段ST,9中，輸出信號(hào)S丁9、通過(guò) 反轉(zhuǎn)輸出信號(hào)STu)獲得的信號(hào)和第一使能信號(hào)EN,處于高電平。然而，除了 第一開始脈沖之外，第一級(jí)移位寄存器SR,也已經(jīng)接收了第二開始脈沖的輸 入，因此輸出信號(hào)ST9、通過(guò)反轉(zhuǎn)輸出信號(hào)STu)獲得的信號(hào)和第一使能信號(hào) EN,在時(shí)段丁3中也處于高電平。如上所述，由NOR電路116反轉(zhuǎn)的時(shí)段指 定信號(hào)SP被輸入到第(9,1) NAND電路113的輸入側(cè)。在時(shí)段T3中，時(shí) 段指定信號(hào)SP處于高電平，因此在時(shí)段丁3中，第(9, 1)NAND電路113 不產(chǎn)生掃描信號(hào)。另一方面，在時(shí)段T,9中，時(shí)段指定信號(hào)SP處于低電平， 因此第(9, 1) NAND電路113在時(shí)段T,9中產(chǎn)生掃描信號(hào)。盡管已經(jīng)關(guān)于第(8， 1 ) NAND電路113和第(9, 1) NAND電路113 的操作進(jìn)行了描述，這些操作對(duì)于其他NAND電路113也相同。第(p，， q) NAND電路113僅基于與第一開始脈沖對(duì)應(yīng)的輸出信號(hào)STP，的一部分、通過(guò) 反轉(zhuǎn)輸出信號(hào)STp，+1獲得的信號(hào)和第q使能信號(hào)ENq產(chǎn)生掃描信號(hào)。顯示設(shè)備1的描述將繼續(xù)。如圖1所示，第(1, 2) NAND電路113的 信號(hào)被供應(yīng)至與顯示元件10的第一行連接的掃描線SCL,,并且第(2， 1 ) NAND電路113的信號(hào)被供應(yīng)至與顯示元件10的第二行連接的掃描線SCL2。 這對(duì)其他掃描線SCL也成立。也就是說(shuō)，第(p，， q) NAND電路113的信 號(hào)(排除p，=l并且q=l的情況)被供應(yīng)至與顯示元件10的第m行(其中 m=Qx(p，-l)+q-l )連4妄的掃描線SCLm 。經(jīng)由與顯示元件IO連接的初始化控制線AZm為顯示元件10 (基于來(lái)自掃描信號(hào)的信號(hào)被經(jīng)由掃描線SCU供應(yīng)至其 處)供應(yīng)基于來(lái)自第(p，-l， q，) NAND電路113 (其中q，是從1到Q的自然 數(shù)，下文相同)的掃描信號(hào)的信號(hào)(在q-l的情況下)，以及基于來(lái)自第(p，， q" ) NAND電路113 (其中q"是從1到q-1的自然數(shù)，下文相同)的掃描信 號(hào)的信號(hào)(在q〉1的情況下)。更具體地，在第一實(shí)施例中，經(jīng)由與顯示元件10連接的初始化控制線 AZm為顯示元件10 (基于來(lái)自第(p，， q) NAND電路113的掃描信號(hào)的信號(hào) 被經(jīng)由掃描線SCLm供應(yīng)至其處)供應(yīng)基于來(lái)自第(p，-l, Q)NAND電路113 的掃描信號(hào)的信號(hào)(在q=l的情況下)，以及基于來(lái)自第(p，， q-1) NAND 電路113的掃描信號(hào)的信號(hào)(在q〉l的情況下)。而且，為與顯示元件lO連接的顯示控制線CLm供應(yīng)基于來(lái)自第(p，+l) 級(jí)移位寄存器SRP,+1的輸出信號(hào)STP,+1的信號(hào)(在q=l的情況下)，并供應(yīng)基 于來(lái)自第(p，+2 )級(jí)移位寄存器SRp，+2的輸出信號(hào)STp，+2的信號(hào)(在q〉l的情 況下)。注意，圖6所示的第三晶體管TR3和第四晶體管TR4是p溝道型晶體 管，因此將信號(hào)經(jīng)由NOR電路115供應(yīng)至顯示控制線CLm。將參考圖1進(jìn)一步進(jìn)行詳細(xì)描述。例如，考慮這樣的顯示元件10,基于 來(lái)自第(8，， 1 ) NAND電路113的掃描信號(hào)的信號(hào)被經(jīng)由掃描線SCL,4供應(yīng) 至該顯示元件10,為與該顯示元件10連接的初始化控制線AZw供應(yīng)基于來(lái) 自第(7，， 2)NAND電路113的掃描信號(hào)的信號(hào)?；趤?lái)自第9級(jí)移位寄存 器SR9的輸出信號(hào)ST9的信號(hào)被供應(yīng)至與該顯示元件10連接的顯示控制線 CL14。而且，考慮這樣的顯示元件10,基于來(lái)自第(8，， 2) NAND電路113 的掃描信號(hào)的信號(hào)被經(jīng)由掃描線SCL,5供應(yīng)至該顯示元件10,為與該顯示元 件10連接的初始化控制線AZ，s供應(yīng)基于來(lái)自第(8，， 1 ) NAND電路113的 掃描信號(hào)的信號(hào)。基于來(lái)自第10級(jí)移位寄存器SRu)的輸出信號(hào)STk)的信號(hào) 被供應(yīng)至與該顯示元件lO連接的顯示控制線CL,s。接下來(lái)，將關(guān)于第m行第n列的顯示元件10 (第(p，， q)NAND電路 113的信號(hào)從掃描線SCLm供應(yīng)至其處)的搡作描述顯示設(shè)備1的操作。該顯 示元件IO在下文中將被稱作"第(n, m)顯示元件10"或者"第(n, m) 子像素"。而且，在第m行上排列的顯示元件10的水平掃描時(shí)段(更具體地， 當(dāng)前顯示幀的第m水平掃描時(shí)段)將被簡(jiǎn)稱為"第m水平掃描時(shí)段"。這對(duì) 稍后描述的其他實(shí)施例也相同。圖8是第m行第n列的顯示元件IO的示意驅(qū)動(dòng)時(shí)序圖。而且，圖9A和 圖9B是示意性圖示構(gòu)成第m行第n列顯示元件10的驅(qū)動(dòng)電路11中的晶體 管的導(dǎo)通/截止?fàn)顟B(tài)的圖。圖IOA和圖IOB是接續(xù)圖9A和圖9B的圖，示意 性圖示構(gòu)成第m行第n列顯示元件10的驅(qū)動(dòng)電路11中的晶體管的導(dǎo)通/截止 狀態(tài)。圖IIA和圖UB是"I妄續(xù)圖IOA和圖IOB的圖，示意性圖示構(gòu)成第m 行第n列顯示元件10的驅(qū)動(dòng)電路11中的晶體管的導(dǎo)通/截止?fàn)顟B(tài)。圖12A和 圖12B是接續(xù)圖IIA和圖IIB的圖，示意性圖示構(gòu)成第m行第n列顯示元 件10的驅(qū)動(dòng)電路11中的晶體管的導(dǎo)通/截止?fàn)顟B(tài)。
注意，當(dāng)比較圖8的時(shí)序圖與圖3到圖5的時(shí)序圖時(shí)，為了便于描述，p，=8 JLq=l， m=14。具體地，將參考圖4中的初始化控制線AZ14、掃描線SCL14 和顯示控制線CL14的時(shí)序圖。
在顯示元件10的點(diǎn)亮狀態(tài)下，驅(qū)動(dòng)驅(qū)動(dòng)晶體管TRd以便施加根據(jù)以下表 達(dá)式(1 )的漏極電流Ids。在顯示元件IO的點(diǎn)亮狀態(tài)下，驅(qū)動(dòng)晶體管TRo的 一個(gè)源極/漏極區(qū)擔(dān)當(dāng)源極區(qū)，并且另一源極/漏極區(qū)擔(dān)當(dāng)漏極區(qū)。為了便于描 述，在以下描述中，驅(qū)動(dòng)晶體管TRo的該一個(gè)源極/漏極區(qū)可以簡(jiǎn)稱為"源極 區(qū)，，，并且該另一源極/漏極區(qū)被簡(jiǎn)稱為"漏極區(qū)"。還表述
p 有效遷移率
L 溝道長(zhǎng)度
W 溝道寬度
Vgs 源極區(qū)與漏極區(qū)之間的電壓差，以及
Cox (柵極絕緣層的相對(duì)介電常數(shù))x (真空的介電常數(shù))/ (柵極絕緣 層的厚度)。
Ids = k p (Vgs匿Vth)2 (1)
而且，盡管將在第 一 實(shí)施例和稍后描述的其他實(shí)施例中使用以下的電壓 和電勢(shì)值，這些值僅僅是示例目的，并且本發(fā)明不限于這些值。 VSig用于控制發(fā)光單元ELP處的亮度的視頻信號(hào) 0伏(最大亮度)到8伏(最小亮度)
V(x 驅(qū)動(dòng)電壓 10伏
VIni用于初始化第二節(jié)點(diǎn)M)2的電勢(shì)的初始化電壓 -4伏Vth 驅(qū)動(dòng)晶體管TRD的閾值電壓
2伏
VCat 施加到電源線PS2的電壓 匿10伏
時(shí)段TP ( 1 ) —2 (見圖8A到圖9A)
時(shí)段TP ( 1 ) -2是其中第(n， m)顯示元件IO根據(jù)較早前寫到其處的視 頻信號(hào)V，sig而處于點(diǎn)亮狀態(tài)的時(shí)段。例如，在n^l4的情況下，時(shí)段TP(l) —2對(duì)應(yīng)于從時(shí)段T'3 (前一幀中與圖4所示的時(shí)段T3對(duì)應(yīng)的時(shí)段)的開始到時(shí) 段T,4的結(jié)束的時(shí)段。初始化控制線AZ，4和掃描線SCLw處于高電平，并且 顯示控制線SCL,4處于低電平。
從而，寫晶體管TRw、第一晶體管TR,和第二晶體管TR2處于截止?fàn)顟B(tài)。 第三晶體管TR3和第四晶體管TR4處于導(dǎo)通狀態(tài)。構(gòu)成第(n, m)顯示元件 10的顯示元件10處的發(fā)光單元ELP已經(jīng)在其處被施加了基于稍后描述的表 達(dá)式(5)的漏極電流I，ds,并且配置第(n, m)子像素的顯示元件10的亮 度是與此漏極電流I，ds對(duì)應(yīng)的值。
時(shí)段TP ( 1 )-,(見圖8A、圖8B和圖9B )
第(n， m )顯示元件10從此時(shí)段TP ( 1 ) M到稍后描述的時(shí)段TP ( 1) 2 處于熄滅狀態(tài)。例如，在m二14的情況下，時(shí)^殳TP ( 1 )-,對(duì)應(yīng)于圖4中的時(shí) 段丁，15。初始化控制線AZ,4和掃描線SCLM維持在高電平，并且顯示控制線 CL,4變?yōu)楦唠娖健?br> 從而，寫晶體管TRw、第一晶體管TR,和第二晶體管TR2維持在截止?fàn)?態(tài)。第三晶體管TR3和第四晶體管TR4從導(dǎo)通狀態(tài)變?yōu)榻刂範(fàn)顟B(tài)。因此，第 一節(jié)點(diǎn)ND,處于與電源線PS,斷開的狀態(tài)，此外，發(fā)光單元ELP和驅(qū)動(dòng)晶體 管TRD處于被切斷的狀態(tài)。從而，電流不流向發(fā)光單元ELP，因此其處于截 止?fàn)顟B(tài)。
時(shí)段TP ( 1 ) o (見圖8A、圖8B和圖10A)
時(shí)段TP(l)o是當(dāng)前顯示幀中的第(m-l)水平掃描時(shí)段。例如，在m爿4 的情況下，時(shí)段TP ( 1 ) o對(duì)應(yīng)于圖4中的時(shí)段T16。掃描線SCLw和顯示控 制線CL,4維持在高電平。初始化控制線AZ,4變?yōu)榈碗娖?，然后在時(shí)段丁16的 結(jié)束時(shí)變?yōu)楦唠娖健?br> 在該時(shí)段TP(1)。中，第一開關(guān)電路單元SW,、第三開關(guān)電路單元SW3和第四開關(guān)電路單元SW4維持截止?fàn)顟B(tài)，并且隨著將預(yù)定初始化電壓V^從 電源線PS3經(jīng)由被置于導(dǎo)通狀態(tài)的第二開關(guān)電路單元SW2施加到第二節(jié)點(diǎn)
ND2,第二開關(guān)電路單元SW2被設(shè)置為截止?fàn)顟B(tài)，由此進(jìn)行用于將第二節(jié)點(diǎn) ND2的電勢(shì)設(shè)置為預(yù)定參考電勢(shì)的初始化處理。
也就是說(shuō)，寫晶體管TRw、第一晶體管TR,、第三晶體管TR3和第四晶 體管TR4處于截止?fàn)顟B(tài)。第二晶體管TR2從截止?fàn)顟B(tài)變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài)，從電源 線PS3經(jīng)由被置于導(dǎo)通狀態(tài)的第二晶體管TR2施加預(yù)定初始化電壓Vlni。在時(shí) 段TP ( 1 )。的結(jié)束，第二晶體管TR2變?yōu)榻刂範(fàn)顟B(tài)。驅(qū)動(dòng)電壓Vcc被施加到 電容單元C,的一端，使得電容單元C,的一端處的電勢(shì)處于被維持的狀態(tài)， 因此通過(guò)初始化電壓V!ni將第二節(jié)點(diǎn)ND2的電勢(shì)設(shè)置為預(yù)定參考電壓(-4伏)。
時(shí)段TP ( 1 ),(見圖8A、圖8B和圖10B)
時(shí)段TP ( 1 )，是當(dāng)前顯示幀中的第m水平掃描時(shí)段。例如，在m二14的 情況下，時(shí)段TP ( 1 ),對(duì)應(yīng)于圖4中的時(shí)段Tn。初始化控制線AZ,4和顯示 控制線CL,4處于高電平，并且掃描線SCLw變?yōu)榈碗娖健?br> 在此時(shí)段TP(1),中，第二開關(guān)電路單元SW2、第三開關(guān)電路單元SW3 和第四開關(guān)電路單元SW4維持截止?fàn)顟B(tài)，第一開關(guān)電路單元SW,被置于導(dǎo)通 狀態(tài)，在第二節(jié)點(diǎn)ND2和驅(qū)動(dòng)晶體管TRD的另一源極/漏極區(qū)通過(guò)處于導(dǎo)通狀 態(tài)的第一開關(guān)電路單元SW,電連接的狀態(tài)下，視頻信號(hào)Vsig被從數(shù)據(jù)線DTLn 經(jīng)由由來(lái)自掃描線SCU的信號(hào)置于導(dǎo)通狀態(tài)的寫晶體管TRw施加到第一節(jié) 點(diǎn)ND,，由此進(jìn)行用于將第二節(jié)點(diǎn)M)2的電勢(shì)朝向可以通過(guò)從視頻信號(hào)VSig 減去驅(qū)動(dòng)晶體管TRo的閾值電壓Vth來(lái)計(jì)算的電勢(shì)改變的寫處理。
也就是說(shuō)，第二晶體管TR2、第三晶體管TR3和第四晶體管TR4的截止?fàn)?態(tài)被維持。寫晶體管TRw和第一晶體管TR,由來(lái)自掃描線SCU的信號(hào)置于 導(dǎo)通狀態(tài)。第二節(jié)點(diǎn)ND2和驅(qū)動(dòng)晶體管TRD的另一源極/漏極區(qū)經(jīng)由處于導(dǎo)通 狀態(tài)的第一晶體管TR,被置于電連接的狀態(tài)。而且，視頻信號(hào)Vsig被從數(shù)據(jù) 線DTU經(jīng)由已經(jīng)由來(lái)自掃描線SCLm的信號(hào)置于導(dǎo)通狀態(tài)的寫晶體管TRW 施加到第一節(jié)點(diǎn)ND,。從而，第二節(jié)點(diǎn)M)2的電勢(shì)朝向可以通過(guò)從視頻信號(hào) VSig減去驅(qū)動(dòng)晶體管TRD的閾值電壓Vth來(lái)計(jì)算的電勢(shì)改變。
也就是說(shuō)，由于上述初始化處理，第二節(jié)點(diǎn)ND2的電勢(shì)被初始化，使得 驅(qū)動(dòng)晶體管TRo在時(shí)段TP ( 1 ),的開始處于導(dǎo)通狀態(tài)，因此第二節(jié)點(diǎn)ND2 的電勢(shì)朝向被施加到第一節(jié)點(diǎn)ND,的視頻信號(hào)Vsig的電勢(shì)改變。然而，在驅(qū)動(dòng)晶體管TRD的柵極與一個(gè)源極/漏極區(qū)之間的電勢(shì)差達(dá)到閾值電壓Vth的情
況下，驅(qū)動(dòng)晶體管TRD變?yōu)榻刂範(fàn)顟B(tài)。在此狀態(tài)下，第二節(jié)點(diǎn)ND2的電勢(shì)大 約是(VSig-Vth )。第二節(jié)點(diǎn)ND2的電勢(shì)如以下表達(dá)式(2 )中所表達(dá)。在第(m+l ) 水平掃描時(shí)段開始之前，寫晶體管TRw和第一晶體管TR,被來(lái)自掃描線SCLm 的信號(hào)置于截止?fàn)顟B(tài)。<formula>formula see original document page 31</formula>
曰于4殳TP ( 1 ) 2 (見圖8A、圖8B、圖11A)
時(shí)段TP(1)2是直到跟隨寫處理的發(fā)光時(shí)段開始的時(shí)段，并且第(n， m) 顯示元件10處于熄滅狀態(tài)。例如，在m=14的情況下，時(shí)段TP ( 1 ) 2對(duì)應(yīng) 于圖4中的時(shí),殳丁18。掃描線SCL,4變?yōu)楦唠娖?，并且初始化控制線AZ,4和 顯示控制線CL14維持高電平。
從而，寫晶體管TRw和第一晶體管TR,變?yōu)榻刂範(fàn)顟B(tài)，并且第二晶體管 TR2、第三晶體管tr3和第四晶體管TR4維持截止?fàn)顟B(tài)。第一節(jié)點(diǎn)ND,維持 與電源線PS,斷開的狀態(tài)，并且發(fā)光單元ELP和驅(qū)動(dòng)晶體管TRd維持被截止
的狀態(tài)。由于電容單元C,，第二節(jié)點(diǎn)ND2的電勢(shì)vnd2維持以上表達(dá)式(2)。
時(shí)段TP ( 1 ) 3 (見圖8A、圖8B、圖11B)
在此時(shí)段TP ( 1 ) 3中，第一開關(guān)電路單元SW,和第二開關(guān)電路單元SW2 維持截止?fàn)顟B(tài)，驅(qū)動(dòng)晶體管TRD的另一源極/漏極區(qū)和發(fā)光單元ELP的一端經(jīng) 由被置于導(dǎo)通狀態(tài)的第四開關(guān)電路單元SW4電連接，預(yù)定驅(qū)動(dòng)電壓Vcc被從 電源線PS,經(jīng)由被置于導(dǎo)通狀態(tài)的第三開關(guān)電路單元SW3施加到第一節(jié)點(diǎn) ND,，由此進(jìn)行用于通過(guò)將電流經(jīng)由驅(qū)動(dòng)晶體管TRD施加到發(fā)光單元ELP來(lái) 驅(qū)動(dòng)發(fā)光單元ELP的發(fā)光處理。
例如，在m=14的情況下，時(shí)段TP ( 1 ) 3對(duì)應(yīng)于圖4中的從時(shí)段丁19的 開始到時(shí)段T3。的結(jié)束的時(shí)段。初始化控制線AZw和掃描線SCL,4維持高電 平，并且顯示控制線CL,4變?yōu)榈碗娖健?br> 也就是說(shuō)，第一晶體管TR，和第二晶體管tr2維持截止?fàn)顟B(tài)，并且由于 來(lái)自顯示控制線CLm的信號(hào)，第三晶體管TR3和第四晶體管TR4從截止?fàn)顟B(tài) 變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài)。預(yù)定驅(qū)動(dòng)電壓Vcc被經(jīng)由被置于導(dǎo)通狀態(tài)的第三晶體管TR3 施加到第一節(jié)點(diǎn)ND"而且，驅(qū)動(dòng)晶體管TRo的另一源極/漏極區(qū)和發(fā)光單元 ELP的一端經(jīng)由已經(jīng)被置于導(dǎo)通狀態(tài)的第四晶體管TR4電連接。因此，發(fā)光 單元ELP由經(jīng)由驅(qū)動(dòng)晶體管TRo施加到發(fā)光單元ELP的電流驅(qū)動(dòng)?；诒磉_(dá)式(2),
Vgs Vcc - (VSig畫Vth)成立，因此表達(dá)式(1 )可以改寫為如下。Ids = k t (Vgs - Vth)2
=k )li (Vcc誦VSig)2 (4)
從而，發(fā)光單元ELP的電流Ids與Vcc和Vsig之間的電勢(shì)差值的平方成正比。換句話說(shuō)，流經(jīng)發(fā)光單元ELP的電流Ids不取決于驅(qū)動(dòng)晶體管TRd的岡值電壓Vth，意味著發(fā)光單元ELP的發(fā)光量(亮度)不受驅(qū)動(dòng)晶體管TRd的閾值電壓Vth影響。第(n, m)顯示元件lO的亮度是與此Ids對(duì)應(yīng)的值。
時(shí)段TP ( 1 ) 4 (見圖8A、圖8B、圖12A )
例如在m=14的情況下，該時(shí)段TP ( 1 ) 4是在輸出信號(hào)ST9中的第二開始脈沖的結(jié)束(圖4中的時(shí)段T3o的結(jié)束)與緊接在下一幀中的第一開始脈沖的前沿之前(圖4中的下一幀中的時(shí)段丁2的結(jié)束)之間的時(shí)段。在此時(shí)段的開始，輸出信號(hào)ST9從高電平變?yōu)榈碗娖?。顯示控制線CLs從低電平變?yōu)楦唠娖?。初始化控制線AZs和掃描線SCLs維持高電平。
從而，第三晶體管TR3和第四晶體管TR4從導(dǎo)通狀態(tài)變?yōu)榻刂範(fàn)顟B(tài)。寫晶體管TRw、第一晶體管TR,和第二晶體管TR2維持截止?fàn)顟B(tài)。從而，第一節(jié)點(diǎn)ND,與電源線PS,斷開，且此外，發(fā)光單元ELP和驅(qū)動(dòng)晶體管TR。處于截止?fàn)顟B(tài)。因此，沒有電流流到發(fā)光單元ELP，因此其處于熄滅狀態(tài)。
時(shí)段TP ( 1 ) 5 (見圖8A、圖8B、圖12B )
例如在m=14的情況下，該時(shí)段TP ( 1 ) 5是在下一幀中的第一開始脈沖的開始(圖4中的下一幀中的時(shí)段T3的開始)之后的時(shí)段。在此時(shí)段中，輸出信號(hào)ST9從低電平變?yōu)楦唠娖健ｏ@示控制線CLs從高電平變?yōu)榈碗娖?。初始化控制線AZ8和掃描線SCL8維持高電平。
從而，第三晶體管TR3和第四晶體管TR4從截止?fàn)顟B(tài)變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài)。寫晶體管TRw、第一晶體管TR,和第二晶體管TR2維持截止?fàn)顟B(tài)。從而，第一節(jié)點(diǎn)ND,和電源線PS,重新連接，并且發(fā)光單元ELP和驅(qū)動(dòng)晶體管TRd也重新連接。因此，電流流到發(fā)光單元ELP,從而其再次處于點(diǎn)亮狀態(tài)。
發(fā)光單元ELP的點(diǎn)亮狀態(tài)持續(xù)到等于下一幀的時(shí)段TP ( 1 ) -2的結(jié)束的時(shí)段。因此，配置第(n， m)子像素的顯示元件IO的發(fā)光的操作完成。
無(wú)論m的值如何，熄滅時(shí)段的長(zhǎng)度相同。然而，構(gòu)成熄滅時(shí)段的時(shí)段TP(1 )—,與時(shí)段TP ( 1 ) 2的比率根據(jù)m的值而改變。這在稍后描述的其他實(shí)
施例中也成立。例如，在圖4中的掃描線SCL,5的時(shí)序圖中，不存在時(shí)段TP(1 )—,。注意，TP ( 1 )-，的不存在對(duì)顯示設(shè)備的操作并不特別地引起任何問題。
根據(jù)第一實(shí)例的掃描驅(qū)動(dòng)電路110是這樣的結(jié)構(gòu)的集成電路，其中信號(hào)被供應(yīng)至掃描線SCL、初始化控制線AZ和顯示控制線CL。從而，可以實(shí)現(xiàn)電路的布局面積的減小以及電路成本的降低。而且，利用根據(jù)第一實(shí)施例的顯示設(shè)備1,通過(guò)改變輸入到構(gòu)成掃描驅(qū)動(dòng)電路110的第一級(jí)移位寄存器的開始脈沖的數(shù)目的簡(jiǎn)單布置，可以在一個(gè)場(chǎng)時(shí)段中多次切換顯示元件10的點(diǎn)亮/熄滅狀態(tài)，由此降低在顯示設(shè)備上顯示的圖像的閃爍。
將通過(guò)與比較例子的比較進(jìn)一步給出描述。圖13是根據(jù)比較例子的掃描驅(qū)動(dòng)電路120的電路圖。在掃描驅(qū)動(dòng)電路120中，邏輯電路單元122的配置與根據(jù)第一實(shí)施例的掃描驅(qū)動(dòng)電路110的邏輯電路單元112不同。掃描驅(qū)動(dòng)電路120的移位寄存器單元121的配置與掃描驅(qū)動(dòng)電路110的移位寄存器單元111相同。
更具體地，對(duì)于掃描驅(qū)動(dòng)電路120,省略了時(shí)段指定信號(hào)SP,并且進(jìn)一步省略了圖1所示的NOR電路114和115。而且，在顯示元件10(基于來(lái)自第(p，， q) NAND電路123的掃描信號(hào)的信號(hào)被經(jīng)由掃描線SCL供應(yīng)至其處)處，從與該顯示元件IO連接的顯示控制線CL供應(yīng)基于來(lái)自第(p，)移位寄存器SRp,的輸出信號(hào)STp,的信號(hào)(在q=l的情況下)和基于來(lái)自第p，+l移位寄存器SRP,+I的輸出信號(hào)STp，+1的信號(hào)(在q>l的情況下)。
通過(guò)上述配置的掃描驅(qū)動(dòng)電路120中，第(p，， q) NAND電路123基于輸出信號(hào)STp、輸出信號(hào)STp,+,和第q使能信號(hào)ENq產(chǎn)生掃描信號(hào)。從而，在輸出信號(hào)STp的開始脈沖和輸出信號(hào)STp，+1的開始脈沖的重疊時(shí)段中存在多個(gè)第q使能信號(hào)ENq的情況下，將在重疊時(shí)段中產(chǎn)生多個(gè)掃描信號(hào)。從而，如果開始脈沖STP具有在時(shí)段T，的開始及其結(jié)束之間的前沿，需要進(jìn)行設(shè)置使得開始脈沖SRP的后沿在時(shí)段T5的開始和結(jié)束之間。根據(jù)第一實(shí)施例的掃描驅(qū)動(dòng)電路110不具有這種限制。
圖14是圖13所示的掃描驅(qū)動(dòng)電路120的時(shí)序圖，其中開始脈沖STP具有在時(shí)段T,的開始和結(jié)束之間的前沿以及在時(shí)段T5的開始和結(jié)束之間的后沿。如從與圖4的時(shí)序圖的比較中可以很清楚地看到，盡管存在相移，與圖4的情況類似的信號(hào)被供應(yīng)至初始化控制線AZ和掃描線SCL。
圖15是關(guān)于根據(jù)比較例子的掃描驅(qū)動(dòng)電路120的時(shí)序圖，其中第一開始脈沖和第二開始脈沖在等于一個(gè)場(chǎng)時(shí)段的時(shí)段內(nèi)被輸入到第一級(jí)移位寄存器
SR,。在此情況下，在一個(gè)場(chǎng)時(shí)段內(nèi)產(chǎn)生多個(gè)掃描信號(hào)。從而，利用根據(jù)比較例子的掃描驅(qū)動(dòng)電路120，存在的限制是，僅一個(gè)開始脈沖可以被輸入到第一級(jí)移位寄存器SRp并且還存在關(guān)于其結(jié)束的限制。根據(jù)第一實(shí)施例的掃描驅(qū)動(dòng)電路110沒有這種限制。第二實(shí)施例
第二實(shí)施例也涉及掃描驅(qū)動(dòng)電路和具有該掃描驅(qū)動(dòng)電路的顯示設(shè)備。如圖2所示，除了掃描驅(qū)動(dòng)電路不同之外，顯示設(shè)備2與根據(jù)第一實(shí)施例的顯示設(shè)備l具有相同的配置。從而，將省略根據(jù)第二實(shí)施例的顯示設(shè)備2的描述。
圖16是根據(jù)第二實(shí)施例的掃描驅(qū)動(dòng)電路的電路圖，圖17是構(gòu)成圖16所示的掃描驅(qū)動(dòng)電路的移位寄存器單元的示意時(shí)序圖，圖18是構(gòu)成圖16所示的掃描驅(qū)動(dòng)電路210的邏輯電路單元212的上游級(jí)的示意時(shí)序圖，且圖19是構(gòu)成圖16所示的掃描驅(qū)動(dòng)電路210的邏輯電路單元212的下游級(jí)的示意時(shí)序圖。
通過(guò)根據(jù)第一實(shí)施例的掃描驅(qū)動(dòng)電路110,在等于一個(gè)場(chǎng)時(shí)段的時(shí)段中，第一開始脈沖和第二開始脈沖被輸入到第一級(jí)移位寄存器SR,。通過(guò)根據(jù)第二實(shí)施例的掃描驅(qū)動(dòng)電路210，除了這些之外，還輸入第三開始脈沖和第四開始脈沖。而且，對(duì)于第二實(shí)施例，時(shí)段指定信號(hào)配置有第一時(shí)段指定信號(hào)
SP,和第二時(shí)段指定信號(hào)SP2。這些是第二實(shí)施例不同于第一實(shí)施例的主要點(diǎn)。
對(duì)于第二實(shí)施例，通過(guò)組合第一時(shí)段指定信號(hào)SP，和第二時(shí)段指定信號(hào)SP2的高/低電平指定四個(gè)時(shí)段。從而，對(duì)于第二實(shí)施例，在點(diǎn)亮/熄滅狀態(tài)之間切換顯示元件的次數(shù)可以增加而超過(guò)第 一 實(shí)施例的。如圖16所示，掃描驅(qū)動(dòng)電路210也包括
(A) 移位寄存器單元211，配置有P級(jí)移位寄存器SR，以依次移位輸入開始脈沖STP，并從每個(gè)級(jí)輸出輸出信號(hào)ST;以及
(B) 邏輯電路單元212,被配置以基于來(lái)自移位寄存器單元211的輸出信號(hào)ST和使能信號(hào)(如第一實(shí)施例中的第一使能信號(hào)ENi和第二使能信號(hào)EN2)而操作。對(duì)于掃描驅(qū)動(dòng)電路210,邏輯電路單元212的配置不同于根據(jù)第一實(shí)施例的掃描驅(qū)動(dòng)電路110的邏輯電路單元112的配置。掃描驅(qū)動(dòng)電路210的移位寄存器單元211的配置與掃描驅(qū)動(dòng)電路110的移位寄存器單元111的配置相同。
如上所述，在等于一個(gè)場(chǎng)時(shí)段的時(shí)段內(nèi)，第一到第四開始脈沖被輸入到第一級(jí)移位寄存器sr,。具體地，如圖17所示，輸入到第一級(jí)移位寄存器sr,的第一開始脈沖是具有在時(shí)段t！的開始和結(jié)束之間的前沿并具有在時(shí)段t5的開始和結(jié)束之間的后沿的脈沖。第二開始脈沖是具有在時(shí)段t9的開始和結(jié)束之間的前沿并具有在時(shí)段t13的開始和結(jié)束之間的后沿的脈沖。第三開始脈沖是具有在時(shí)段丁17的開始和結(jié)束之間的前沿并具有在時(shí)段丁21的開始和結(jié)束之間的后沿的脈沖。第四開始脈沖是具有在時(shí)段t5的開始和結(jié)束之間的前沿并具有在時(shí)段t29的開始和結(jié)束之間的后沿的脈沖。
如第一實(shí)施例的情況，時(shí)鐘信號(hào)ck是每?jī)蓚€(gè)水平掃描時(shí)段(2h)反轉(zhuǎn)極性的方波信號(hào)。移位寄存器sr,的輸出信號(hào)st,中的第一開始脈沖具有在
時(shí)段T3的開始處的前沿，并具有在時(shí)段丁6的結(jié)束處的后沿。移位寄存器SR2
及隨后的移位寄存器的輸出信號(hào)st2、 ST3等中的第一開始脈沖是依次被移位兩個(gè)水平掃描時(shí)段的脈沖。
而且，移位寄存器sr,的輸出信號(hào)st,中的第二開始脈沖具有在時(shí)段Th的開始處的前沿，并具有在時(shí)段丁14的結(jié)束處的后沿。移位寄存器sr,的輸出信號(hào)st,中的第三開始脈沖具有在時(shí)段丁19的開始處的前沿，并具有在時(shí)段T22的結(jié)束處的后沿。移位寄存器sr,的輸出信號(hào)st,中的第四開始脈沖具有
在時(shí)段丁27的開始處的前沿，并具有在時(shí)段T3。的結(jié)束處的后沿。移位寄存器
SR2及隨后的移位寄存器的輸出信號(hào)st2、 s丁3等中的第二到第四開始脈沖也是依次被移位了兩個(gè)水平掃描時(shí)段的脈沖。
而且，第一使能信號(hào)到第q使能信號(hào)的每一個(gè)依次存在于輸出信號(hào)stp的第一開始脈沖的開始與輸出信號(hào)stp+1的第一開始脈沖的開始之間。同樣在第二實(shí)施例中，q=2，并且依次存在第一使能信號(hào)en,和第二使能信號(hào)en2中的每一個(gè)。已經(jīng)在第一實(shí)施例中描述了第一使能信號(hào)en,和第二使能信號(hào)en2，因此在此將省略其描述。
如圖16所示，邏輯電路單元212具有(p-2) x q個(gè)nand電路213。具體地，邏輯電路單元212具有第(1， l)到第(P-2, 2)NAND電路213。用于指定從輸出信號(hào)ST,中的第U開始脈沖的開始到第(U+l )開始脈沖的開始的每個(gè)時(shí)段、以及從第U開始脈沖的開始到下一幀中的第一開始脈沖的開
始的時(shí)段的時(shí)段指定信號(hào)被輸入到邏輯電路單元212。
在第二實(shí)施例中，11=4，并且時(shí)段指定信號(hào)SP是用于指定從輸出信號(hào)ST,中的第 一開始脈沖的開始到第二開始脈沖的開始的時(shí)段、從第二開始脈沖的開始到第三開始脈沖的開始的時(shí)段、從第三開始脈沖的開始到第四開始脈沖的開始的時(shí)段、以及從第四開始脈沖的開始到下一幀中的第一開始脈沖的開始的時(shí)段的信號(hào)。在第二實(shí)施例中，時(shí)段指定信號(hào)SP配置有第一時(shí)段指定信號(hào)SP,和第二時(shí)段指定信號(hào)SP2。
第一時(shí)段指定信號(hào)SP,是在從時(shí)段T3的開始到時(shí)段T18的結(jié)束的時(shí)段期間處于高電平，并在從時(shí)段丁19的開始到下一幀的時(shí)段丁2的結(jié)束的時(shí)段期間處于低電平的信號(hào)。也就是說(shuō)，第一時(shí)段指定信號(hào)SP,與第一實(shí)施例中的時(shí)段指定信號(hào)SP相同。相反，第二時(shí)段指定信號(hào)SP2是在從時(shí)段丁3的開始到時(shí)段T,。的結(jié)束的時(shí)段期間處于高電平、在從時(shí)段Tn的開始到時(shí)段丁18的結(jié)束的時(shí)段期間處于低電平、在從時(shí)段T19的開始到時(shí)段T26的結(jié)束的時(shí)段期間處于高電平、并在從時(shí)段丁27的開始到下一幀的時(shí)段T2的結(jié)束的時(shí)段期間處于低電平的信號(hào)。
將第q使能信號(hào)表示為ENq，如圖16所示，基于時(shí)段指定信號(hào)SP的信號(hào)(即基于第一時(shí)段指定信號(hào)SP,的信號(hào)和基于第二時(shí)段指定信號(hào)SP2的信號(hào))、輸出信號(hào)STP、通過(guò)反轉(zhuǎn)輸出信號(hào)ST州獲得的信號(hào)以及第q使能信號(hào)被輸入到第(p，， q)NAND電路213，由此基于第一時(shí)段指定信號(hào)SP,和第二時(shí)段指定信號(hào)SP2限制NAND電路213的操作，使得NAND電路213僅基于與第一開始脈沖對(duì)應(yīng)的輸出信號(hào)STP，的一部分、通過(guò)反轉(zhuǎn)輸出信號(hào)STP，+1獲得的信號(hào)和第q使能信號(hào)ENq產(chǎn)生掃描信號(hào)。
輸出信號(hào)STp，+,由圖16所示的NOR電路214反轉(zhuǎn)，并被輸入到第(p，，q)NAND電路213的輸入側(cè)。輸出信號(hào)STp，和第q使能信號(hào)ENq被直接輸入到第(p，， q) NAND電路213的輸入側(cè)。
對(duì)于第二實(shí)施例，第一時(shí)段指定信號(hào)SP,被直接輸入到第(1, 1 )到第(4，2) NAND電路213的輸入側(cè)，并且也直接輸入第二時(shí)段指定信號(hào)SP2。第一時(shí)段指定信號(hào)SP,被直接輸入到第(5, 1)到第(8， 2) NAND電路213的輸入側(cè)，并且輸入由圖16所示的NOR電路216反轉(zhuǎn)的第二時(shí)段指定信號(hào)SP2。而且，第一時(shí)段指定信號(hào)SP,由圖16所示的NOR電路217反轉(zhuǎn)，并被 輸入到第(9， 1 )到第(12， 2) NAND電路213的輸入側(cè)，而第二時(shí)段指定 信號(hào)SP2被直接輸入。第一時(shí)段指定信號(hào)SP,由NOR電路217反轉(zhuǎn)并被輸入 到第(13, 1)到第(16， 2) NAND電路213，而第二時(shí)段指定信號(hào)SP2由 NOR電路216反轉(zhuǎn)并被輸入。
考慮第(8， 1 ) NAND電路213?；趤?lái)自第(8, 1 ) NAND電路213 的掃描信號(hào)的信號(hào)被供應(yīng)至掃描線SCL,4。如圖16所示，在應(yīng)該產(chǎn)生掃描信 號(hào)的時(shí)段Tn中，輸出信號(hào)STs、通過(guò)反轉(zhuǎn)輸出信號(hào)ST9獲得的信號(hào)、以及第 一使能信號(hào)EN,處于高電平。然而，除了第一開始脈沖之外，第一級(jí)移位寄 存器SR,還接收第二開始脈沖到第四開始脈沖的輸入，因此輸出信號(hào)STs、通 過(guò)反轉(zhuǎn)輸出信號(hào)ST9獲得的信號(hào)、以及第一使能信號(hào)EN,在時(shí)段T,、 T9、以
及T25中也處于高電平。
從而，如果第(8， 1) NAND電路213將要僅基于輸出信號(hào)STs、通過(guò)反 轉(zhuǎn)輸出信號(hào)ST9獲得的信號(hào)、以及第一使能信號(hào)EN，而操作，則將出現(xiàn)問題 不僅在應(yīng)該產(chǎn)生掃描信號(hào)的時(shí)段T,7中，而且在時(shí)段T,、 丁9以及丁25中，掃描 信號(hào)將被供應(yīng)至掃描線SCL,4。然而，如上所述，第一時(shí)段指定信號(hào)SP!被直 接輸入到第(8， 1 ) NAND電路213的輸入側(cè)，并且第二時(shí)段指定信號(hào)SP2 被反轉(zhuǎn)并被輸入。在時(shí)段T,、 T9、 Tn以及T25中，第一時(shí)段指定信號(hào)SP,處 于高電平并且第二時(shí)段指定信號(hào)SP2處于低電平的唯一時(shí)段是時(shí)段Tn。從而， 第(8, 1 ) NAND電路213僅基于輸出信號(hào)ST8、通過(guò)反轉(zhuǎn)輸出信號(hào)STg獲 得的信號(hào)、以及第一使能信號(hào)EN,產(chǎn)生掃描信號(hào)。
也考慮第(9, 1)NAND電路213。基于來(lái)自第(9, 1)NAND電路213 的掃描信號(hào)的信號(hào)被供應(yīng)至圖1所示的掃描線SCL16。如圖19所示，在應(yīng)該 產(chǎn)生掃描信號(hào)的時(shí)段T,9中，輸出信號(hào)ST9、通過(guò)反轉(zhuǎn)輸出信號(hào)ST，o獲得的信 號(hào)以及第一使能信號(hào)EN,處于高電平。然而，除了第一開始脈沖之外，第一 級(jí)移位寄存器SR,還接收第二開始脈沖到第四開始脈沖的輸入，因此輸出信 號(hào)S1V通過(guò)反轉(zhuǎn)輸出信號(hào)ST,o獲得的信號(hào)以及第一使能信號(hào)EN,在時(shí)段T3、
Th以^^T27中也處于高電平。
從而，如果第(9， 1)NAND電路213將要僅基于輸出信號(hào)STV通過(guò)反 轉(zhuǎn)輸出信號(hào)ST，o獲得的信號(hào)以及第一使能信號(hào)EN，而操作，則將出現(xiàn)問題 不僅在應(yīng)該產(chǎn)生掃描信號(hào)的時(shí)段T,9中，而且在時(shí)段 、 T"以及丁27中，掃
37描信號(hào)將被供應(yīng)至掃描線SCL16。然而，如上所述，第一時(shí)段指定信號(hào)SP, 被反轉(zhuǎn)并被輸入到第(9， 1)NAND電路213，并且直接輸入第二時(shí)段指定 信號(hào)SP2。在時(shí)段TV T 、 丁19以及丁27中，第一時(shí)段指定信號(hào)SP,處于低電 平并且第二時(shí)段指定信號(hào)SP2處于高電平的唯一時(shí)段是時(shí)段T,9。從而，第(9， 1 )NAND電路213僅基于輸出信號(hào)STV通過(guò)反轉(zhuǎn)輸出信號(hào)ST,o獲得的信號(hào)、 以及第一使能信號(hào)E^產(chǎn)生掃描信號(hào)。
盡管已經(jīng)關(guān)于第(8,1) NAND電路213和第(9,1) NAND電路213 的操作進(jìn)行了描述，對(duì)于其他NAND電路213操作也相同。第(p，， q)NAND 電路213僅基于與第一開始脈沖對(duì)應(yīng)的輸出信號(hào)STp,的一部分、通過(guò)反轉(zhuǎn)輸 出信號(hào)STP,+1獲得的信號(hào)以及第q使能信號(hào)ENq產(chǎn)生掃描信號(hào)。
圖20是與第一實(shí)施例中的圖8對(duì)應(yīng)的、在第m行第n列處的顯示元件 IO的示意驅(qū)動(dòng)時(shí)序圖。當(dāng)比較圖20中的時(shí)序圖與圖17到圖19時(shí)，以與第 一實(shí)施例相同的方式，p^8且q^，并且111=14。具體地，將參考圖18中的 初始化控制線AZ,4、掃描線SCLw以及顯示控制線CL,4 。
圖20中所示的時(shí)段TP (2) —2到時(shí)段TP (2) 2的操作與參考第一實(shí)施例 描述的時(shí)段TP ( 1 ) -2到時(shí)段TP ( 1 ) 2的操作相同，因此將省略其描述。而 且，雖然在其開始中存在不同，但圖20所示的時(shí)段TP (2) 9對(duì)應(yīng)于參考第 一實(shí)施例描述的時(shí)段TP ( 1 ) 9 。
對(duì)于第一實(shí)施例，點(diǎn)亮?xí)r段和熄滅時(shí)段在圖8所示的時(shí)段TP ( 1 ) 2的結(jié) 束與時(shí)段TP ( 1 ) 5的開始之間切換一次。另一方面，對(duì)于第二實(shí)施例，點(diǎn)亮 時(shí)段和熄滅時(shí)段在圖20所示的時(shí)段TP ( 2 ) 2的結(jié)束與時(shí)段TP ( 2 ) 9的開始 之間切換三次。從而，進(jìn)一步降低了在顯示設(shè)備上顯示的圖像的閃爍。
第三實(shí)施例
第三實(shí)施例也涉及掃描驅(qū)動(dòng)電路和具有該掃描驅(qū)動(dòng)電路的顯示設(shè)備。如 圖2所示，除了掃描驅(qū)動(dòng)電路不同之外，根據(jù)第三實(shí)施例的顯示設(shè)備3與根 據(jù)第一實(shí)施例的顯示設(shè)備1具有相同的配置。從而，將省略根據(jù)第三實(shí)施例 的顯示設(shè)備3的描述。
圖21是根據(jù)第三實(shí)施例的掃描驅(qū)動(dòng)電路310的電路圖，圖22是構(gòu)成圖 21所示的掃描驅(qū)動(dòng)電路310的移位寄存器單元311的示意時(shí)序圖，圖23是 構(gòu)成圖21所示的掃描驅(qū)動(dòng)電路310的邏輯電^^單元312的上游級(jí)的示意時(shí)序 圖，圖24是構(gòu)成圖21所示的掃描驅(qū)動(dòng)電路310的邏輯電路單元312的下游級(jí)的示意時(shí)序圖。
對(duì)于根據(jù)第一實(shí)施例的掃描驅(qū)動(dòng)電路110,使用第一使能信號(hào)EN,和第二
使能信號(hào)EN2。對(duì)于根據(jù)第三實(shí)施例的掃描驅(qū)動(dòng)電路310,除了這些之外，還 使用第三使能信號(hào)EN3和第四使能信號(hào)EN4。從而，與根據(jù)第一實(shí)施例的掃 描驅(qū)動(dòng)電路110的情況相比，構(gòu)成配置掃描驅(qū)動(dòng)電路的移位寄存器單元的級(jí) 的數(shù)量可以降低。
如圖21所示，掃描驅(qū)動(dòng)電路310也包括
(A) 移位寄存器單元311,配置有P級(jí)移位寄存器SR，以依次移位輸 入開始脈沖STP，并從每個(gè)級(jí)輸出輸出信號(hào)ST;以及
(B) 邏輯電路單元312,被配置以基于來(lái)自移位寄存器單元311的輸出 信號(hào)ST和使能信號(hào)(在第三實(shí)施例的情況下，第一使能信號(hào)EN,、第二使能 信號(hào)EN2、第三使能信號(hào)EN3和第四使能信號(hào)EN4)而操作。
用STp表示第p級(jí)移位寄存器SRp的輸出信號(hào)，第p+l級(jí)移位寄存器SRP+1 的輸出信號(hào)STP+1中的開始脈沖的開始位于輸出信號(hào)STP中的開始脈沖的開始 與結(jié)束之間，如圖22所示。移位寄存器單元311基于時(shí)鐘信號(hào)CK和開始脈 沖STP而沖喿作，以l更滿足上述條件。
第一開始脈沖到第U開始脈沖在等于一個(gè)場(chǎng)時(shí)段的時(shí)段中被輸入到第一 級(jí)移位寄存器SR,。注意，對(duì)于第三實(shí)施例，與第一實(shí)施例相同，U=2,并且 輸入第一開始脈沖和第二開始脈沖。
具體地，輸入到第一級(jí)移位寄存器SR,的第一開始脈沖是具有在圖22所 示的時(shí)段T,的開始和結(jié)束之間的前沿并具有在時(shí)段T9的開始和結(jié)束之間的 后沿的脈沖。而且，第二開始脈沖是具有在圖22所示的時(shí)段丁17的開始和結(jié) 束之間的前沿并具有在時(shí)段T25的開始和結(jié)束之間的后沿的脈沖。
對(duì)于第 一實(shí)施例，時(shí)鐘信號(hào)CK是每?jī)蓚€(gè)水平掃描時(shí)段極性反轉(zhuǎn)的方波信 號(hào)。相反，對(duì)于第三實(shí)施例，時(shí)鐘信號(hào)CK是每四個(gè)水平掃描時(shí)段極性反轉(zhuǎn) 的方波信號(hào)。
移位寄存器的輸出信號(hào)ST,中的第一開始脈沖是具有在時(shí)段丁3的開 始處的其前沿并具有在時(shí)段T,。的結(jié)束處的后沿的脈沖。移位寄存器SR2及隨 后的移位寄存器的輸出信號(hào)ST2、 ST3等中的第一開始脈沖是依次被移位四個(gè) 水平掃描時(shí)段的脈沖。移位寄存器SR，的輸出信號(hào)ST,中的第二開始脈沖是 具有在時(shí)段T19的開始處的其前沿并具有在時(shí)段T26的結(jié)束處的后沿的脈沖。移位寄存器SR2及隨后的移位寄存器的輸出信號(hào)ST2、 S丁3等中的第二開始脈 沖是依次被移位四個(gè)水平掃描時(shí)段的脈沖。
而且，第一使能信號(hào)到第Q使能信號(hào)的每一個(gè)依次存在于輸出信號(hào)STP 的第一開始脈沖的開始與輸出信號(hào)STp+，的第一開始脈沖的開始之間。在第三 實(shí)施例中，Q=4,并且依次存在第一使能信號(hào)EN,、第二使能信號(hào)EN2、第三 使能信號(hào)EN3和第四使能信號(hào)EN4中的每一個(gè)。換句話說(shuō)，產(chǎn)生第一使能信 號(hào)EN,、第二使能信號(hào)EN2、第三使能信號(hào)EN3和第四使能信號(hào)EN4，以便
具體地，第一使能信號(hào)EN,是一個(gè)周期是四個(gè)水平掃描時(shí)段的方波信號(hào)。 第二使能信號(hào)EN2是相對(duì)第一使能信號(hào)EN,相位被延遲一個(gè)水平掃描時(shí)段的 信號(hào)。第三使能信號(hào)EN3是相對(duì)第一使能信號(hào)EN,相位被延遲兩個(gè)水平掃描 時(shí)段的信號(hào)。第四使能信號(hào)EN4是相對(duì)第一使能信號(hào)EN,相位被延遲三個(gè)水 平掃描時(shí)段的信號(hào)。
例如，時(shí)段T3中的第一使能信號(hào)EN,、時(shí)段丁4中的第二使能信號(hào)EN2、
時(shí)段Ts中的第三使能信號(hào)EN3和時(shí)段丁6中的第四使能信號(hào)EN4的每一個(gè)依
次存在于輸出信號(hào)ST,中的開始脈沖的開始(即時(shí)段丁3的開始)與輸出信號(hào)
S丁2中的開始脈沖的開始(即時(shí)段丁7的開始)之間。以相同的方式，第一使
能信號(hào)EN,、第二使能信號(hào)EN2、第三使能信號(hào)EN3和第四使能信號(hào)EN4的
每一個(gè)順序存在于輸出信號(hào)ST2中的開始脈沖的開始與輸出信號(hào)S丁3中的開
始脈沖的開始之間。
如圖21所示，邏輯電路單元21具有(P-2) xQ個(gè)NAND電路313。具 體地，邏輯電路單元312具有第(1, l)到第(P-2, 4)NAND電路313。 用于指定從輸出信號(hào)ST,中的第u開始脈沖的開始到第(u+l )開始脈沖的開 始的每個(gè)時(shí)段、以及從第U開始脈沖的開始到下一幀中的第一開始脈沖的開 始的時(shí)段的時(shí)段指定信號(hào)被輸入到邏輯電路單元312。
在第三實(shí)施例中，U=2,并且時(shí)段指定信號(hào)SP如第一實(shí)施例描述。也就 是說(shuō)，時(shí)段指定信號(hào)SP是用于指定從輸出信號(hào)ST,中的第一開始脈沖的開始 到第二開始脈沖的開始的時(shí)段以及從第二開始脈沖的開始到下一幀中的第一 開始脈沖的開始的時(shí)段。同樣在第三實(shí)施例中，時(shí)段指定信號(hào)SP是在從時(shí)段 T3的開始到時(shí)段T18的結(jié)束的時(shí)段期間處于高電平并在從時(shí)段T19的開始到下 一幀的時(shí)段T2的結(jié)束的時(shí)段期間處于低電平的信號(hào)。將第q使能信號(hào)表示為ENq,如圖21所示，基于時(shí)段指定信號(hào)SP的信 號(hào)、輸出信號(hào)STp、通過(guò)反轉(zhuǎn)輸出信號(hào)STp+,獲得的信號(hào)以及第q使能信號(hào)被 輸入到第(p，， q) NAND電路313，由此基于時(shí)段指定信號(hào)SP限制NAND 電路313的操作，使得NAND電路313僅基于與第一開始脈沖對(duì)應(yīng)的輸出信 號(hào)STp,的一部分、通過(guò)反轉(zhuǎn)輸出信號(hào)STp，+,獲得的信號(hào)和第q使能信號(hào)ENq 產(chǎn)生掃描信號(hào)。
輸出信號(hào)STP，+1由圖21所示的NOR314電^各反轉(zhuǎn)，并^^皮輸入到第(p，， q) NAND電路313的輸入側(cè)。輸出信號(hào)STp，和第q使能信號(hào)ENq被直接輸入到 第(p，， q) NAND電路313的輸入側(cè)。
對(duì)于第三實(shí)施例，如第一實(shí)施例，時(shí)段指定信號(hào)SP被直接輸入到第(1, 1 )到第(4， 4) NAND電路313的輸入側(cè)。時(shí)段指定信號(hào)SP由NOR電路 316反轉(zhuǎn)并被輸入到第(5， l)到第(8， 4) NAND電路313的輸入側(cè)。
例如，考慮第(4, 3) NAND電路313?；趤?lái)自第(4， 3) NAND電 路313的掃描信號(hào)的信號(hào)被供應(yīng)至圖21所示的掃描線SCL14。如圖23所示， 在應(yīng)該產(chǎn)生掃描信號(hào)的時(shí)段T,7中，輸出信號(hào)STV通過(guò)反轉(zhuǎn)輸出信號(hào)STs獲 得的信號(hào)、以及第三使能信號(hào)EN3處于高電平。然而，除了第一開始脈沖之 外，第一級(jí)移位寄存器SR,還接收第二開始脈沖的輸入，因此輸出信號(hào)ST4、 通過(guò)反轉(zhuǎn)輸出信號(hào)STs獲得的信號(hào)、以及第三使能信號(hào)EN3在時(shí)段T,中也處 于高電平。
從而，如果第(4， 3) NAND電路313將要僅基于輸出信號(hào)ST4、通過(guò)反 轉(zhuǎn)輸出信號(hào)STs獲得的信號(hào)、以及第三使能信號(hào)EN3而操作，則將出現(xiàn)問題 不僅在應(yīng)該產(chǎn)生掃描信號(hào)的時(shí)段Tn中，而且在時(shí)段T,中，掃描信號(hào)將被供 應(yīng)至掃描線SCL！4。然而，如上所述，時(shí)段指定信號(hào)SP被直接輸入到第(4, 3) NAND電路313的輸入側(cè)。在時(shí)段T,及Tn中，時(shí)段指定信號(hào)SP處于高 電平的唯一時(shí)段是時(shí)段丁17。從而，第(4， 3) NAND電路313僅基于輸出信 號(hào)ST4、通過(guò)反轉(zhuǎn)輸出信號(hào)S丁5獲得的信號(hào)、以及第三使能信號(hào)EN3產(chǎn)生掃描 信號(hào)。
也考慮第(5, 1)NAND電路313?；趤?lái)自第(5, 1)NAND電路313 的掃描信號(hào)的信號(hào)被供應(yīng)至圖21所示的掃描線SCL16。如圖24所示，在應(yīng) 該產(chǎn)生掃描信號(hào)的時(shí)段丁19中，輸出信號(hào)S丁5、通過(guò)反轉(zhuǎn)輸出信號(hào)ST6獲得的 信號(hào)以及第一使能信號(hào)EN,處于高電平。然而，除了第一開始脈沖之外，第一級(jí)移位寄存器SR，還接收第二開始脈沖的輸入，因此輸出信號(hào)ST5、通過(guò)反
轉(zhuǎn)輸出信號(hào)ST6獲得的信號(hào)以及第 一使能信號(hào)EN，在時(shí)段T3中也處于高電平。 從而，如果第(5, 1)NAND電路313將要僅基于輸出信號(hào)STs、通過(guò)反 轉(zhuǎn)輸出信號(hào)ST6獲得的信號(hào)以及第一使能信號(hào)EN,而操作，則將出現(xiàn)問題 不僅在應(yīng)該產(chǎn)生掃描信號(hào)的時(shí)段T19中，而且在時(shí)段T3中，掃描信號(hào)將被供 應(yīng)至掃描線SCL,6。然而，如上所述，時(shí)段指定信號(hào)SP被反轉(zhuǎn)并被輸入到第 (5， 1)NAND電路213。在時(shí)段丁3和丁19中，時(shí)段指定信號(hào)SP處于低電平 的唯一時(shí)段是時(shí)段丁19。從而，第(5, 1 ) NAND電路313僅基于輸出信號(hào) ST5、通過(guò)反轉(zhuǎn)輸出信號(hào)ST6獲得的信號(hào)、以及第一使能信號(hào)EN,產(chǎn)生掃描信
—弓—
盡管已經(jīng)關(guān)于第(4， 3 ) NAND電路313和第(5, 1 ) NAND電路313 的操作進(jìn)行了描述，對(duì)于其他NAND電路313操作也相同。第(p，， q)NAND 電路213僅基于與輸出信號(hào)STP，中的第一開始脈沖對(duì)應(yīng)的輸出信號(hào)STP，的一 部分、通過(guò)反轉(zhuǎn)輸出信號(hào)STp,+,獲得的信號(hào)以及第q使能信號(hào)ENq產(chǎn)生掃描 信號(hào)。
圖25是與第一實(shí)施例中的圖8對(duì)應(yīng)的、在第m行第n列處的顯示元件 IO的示意驅(qū)動(dòng)時(shí)序圖。在此，p，=4iq=3，并且以與第一實(shí)施例相同的方式， 當(dāng)比較圖25中的時(shí)序圖與圖22到圖24時(shí)，m=14。具體地，將參考圖23中 的初始化控制線AZ14、掃描線SCL14以及顯示控制線CL14的時(shí)序圖。
圖25中所示的時(shí)段TP (3) —2到時(shí)段TP (3) 2的操作與在第一實(shí)施例中 描述的時(shí)段TP ( 1 ) -2到時(shí)段TP ( 1 ) 2的操作相同，因此將省略其描述。而 且，雖然其時(shí)段的長(zhǎng)度不同，但圖25所示的時(shí)段TP (3) 3到時(shí)段TP (3) 5 的操作與第一實(shí)施例中描述的時(shí)段TP ( 1 ) 3到時(shí)段TP ( 1 ) 5的操作相同。
盡管目前為止已經(jīng)參考優(yōu)選實(shí)施例描述了本發(fā)明，但是本發(fā)明不受這些 實(shí)施例限制。在實(shí)施例中描述的配置掃描驅(qū)動(dòng)電路、顯示設(shè)備和顯示元件的 各種組件的配置和結(jié)構(gòu)、以及顯示設(shè)備的操作中的處理可以適當(dāng)?shù)匦薷摹?br> 例如，對(duì)于圖6所示的配置顯示元件10的驅(qū)動(dòng)電路11，在第三晶體管 TR3和第四晶體管TR4是n溝道型晶體管的情況下，圖1所示的NOR電路115 、 圖16所示的NOR電路215以及圖21所示的NOR電路315可以省略。以此 方式，可以根據(jù)顯示元件的配置適當(dāng)?shù)卦O(shè)置來(lái)自掃描驅(qū)動(dòng)電路的信號(hào)的極性， 并將其供應(yīng)至掃描線、初始化控制線和顯示控制線。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，取決于設(shè)計(jì)需要和其他因素，可以發(fā)生各種 修改、組合、部分組合和變更，只要它們?cè)谒綑?quán)利要求或其等效物的范圍 內(nèi)。
相關(guān)申請(qǐng)的交叉引用
本申請(qǐng)包含與2008年7月14日在日本專利局提交的日本優(yōu)先權(quán)專利申 請(qǐng)JP 2008-182369有關(guān)的主題，通過(guò)引用將其全部?jī)?nèi)容合并于此。
權(quán)利要求
1.一種顯示設(shè)備，包括(1)以二維矩陣形式排列的顯示元件；(2)掃描線，初始化控制線，被配置以初始化所述顯示元件，以及顯示控制線，被配置以控制所述顯示元件的點(diǎn)亮/熄滅狀態(tài)，所述掃描線、初始化控制線和顯示控制線以第一方向延伸；(3)數(shù)據(jù)線，以與所述第一方向不同的第二方向延伸；以及(4)掃描驅(qū)動(dòng)電路；所述掃描驅(qū)動(dòng)電路包括(A)移位寄存器單元，配置有P(其中P是大于等于3的自然數(shù))級(jí)移位寄存器，以依次移位輸入開始脈沖，并從每個(gè)級(jí)輸出輸出信號(hào)，以及(B)邏輯電路單元，被配置以基于來(lái)自所述移位寄存器單元的輸出信號(hào)和使能信號(hào)而操作，(C)其中，將第p級(jí)(其中p＝1，2，......，P-1)移位寄存器的輸出信號(hào)表示為STp，第p+1移位寄存器的輸出信號(hào)STp+1的開始脈沖的開始位于輸出信號(hào)STp的開始脈沖的開始與結(jié)束之間，(D)以及其中，第一使能信號(hào)到第Q使能信號(hào)(其中Q是大于等于2的自然數(shù))的每一個(gè)依次存在于輸出信號(hào)STp的開始脈沖的開始與輸出信號(hào)STp+1的開始脈沖的開始之間，(E)以及其中，所述邏輯電路單元包括(P-2)×Q個(gè)NAND電路；其中，第一開始脈沖到第U開始脈沖(其中U是大于等于2的自然數(shù))在等于一個(gè)場(chǎng)時(shí)段的時(shí)段期間被輸入到第一級(jí)移位寄存器；以及其中，時(shí)段指定信號(hào)被輸入到所述邏輯電路單元，以指定從輸出信號(hào)ST1中的第u(其中u＝1，2，......，U-1)開始脈沖到第u+1開始脈沖的每個(gè)時(shí)段、以及從第U開始脈沖的開始到下一幀中的第一開始脈沖的開始的時(shí)段；以及其中，將第q使能信號(hào)(其中q＝1，2，......，Q-1)表示為ENq，基于時(shí)段指定信號(hào)的信號(hào)，輸出信號(hào)STp，通過(guò)反轉(zhuǎn)輸出信號(hào)STp+1獲得的信號(hào)，以及第q使能信號(hào)ENq，被輸入到第(p’，q)NAND電路；以及其中，基于時(shí)段指定信號(hào)限制所述NAND電路的操作，使得所述NAND電路僅基于以下產(chǎn)生掃描信號(hào)與第一開始脈沖對(duì)應(yīng)的輸出信號(hào)STp的一部分，通過(guò)反轉(zhuǎn)輸出信號(hào)STp+1獲得的信號(hào)，以及第q使能信號(hào)ENq，以及其中，關(guān)于顯示元件經(jīng)由掃描線接收基于來(lái)自第(p’，q)NAND電路(除了其中(p’＝1，q＝1)的情況之外)的掃描信號(hào)的信號(hào)的供應(yīng)，從與所述顯示元件連接的初始化控制線供應(yīng)在q＝1成立的情況下，基于來(lái)自第(p’-1，q’)(其中q是從1到Q的自然數(shù))NAND電路的掃描信號(hào)的信號(hào)，以及在q＞1成立的情況下，基于來(lái)自第(p’，q”)(其中q”是從1到(q-1)的自然數(shù))NAND電路的掃描信號(hào)的信號(hào)，以及從與所述顯示元件連接的顯示控制線供應(yīng)在q＝1成立的情況下，基于來(lái)自第p’+1移位寄存器的輸出信號(hào)STp+1的信號(hào)，以及在q＞1成立的情況下，基于來(lái)自第p’+2移位寄存器的輸出信號(hào)STp+2的信號(hào)。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1的顯示設(shè)備，其中，關(guān)于顯示元件經(jīng)由掃描線接收基 于來(lái)自第(p，， q) NAND電路的掃描信號(hào)的信號(hào)的供應(yīng)，從與所述顯示元件連接的初始化控制線供應(yīng)在q=l成立的情況下，基于來(lái)自第(p，-1, Q，) NAND電路的掃 描信號(hào)的信號(hào)，以及在q〉l成立的情況下，基于來(lái)自第(p，， q-l ) NAND電路的掃描信 號(hào)的信號(hào)。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1的顯示設(shè)備，所述顯示元件的每個(gè)包括(1-1 )驅(qū)動(dòng)電路，包括寫晶體管， 驅(qū)動(dòng)晶體管，以及電容單元；以及 (1-2)發(fā)光單元，電流經(jīng)由所述驅(qū)動(dòng)晶體管施加到該發(fā)光單元。
4. 根據(jù)權(quán)利要求3的顯示設(shè)備，其中所述發(fā)光單元配置有有機(jī)電致發(fā)光 單元。
5. 根據(jù)權(quán)利要求3的顯示設(shè)備，其中，關(guān)于所述寫晶體管， (a-l ) —個(gè)源極/漏極區(qū)連接到數(shù)據(jù)線，以及(a-2)柵極連接到掃描線； 并且其中，關(guān)于所述驅(qū)動(dòng)晶體管，(b-l) —個(gè)源極/漏極區(qū)連接到所述寫晶體管的另一源極/漏極區(qū)，由 此配置第一節(jié)點(diǎn)；以及其中，關(guān)于所述電容單元，(c-l)預(yù)定參考電壓被施加到其一端，以及(c-2)另一端與驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極連接，由此配置第二節(jié)點(diǎn)； 以及其中，所述寫晶體管由來(lái)自掃描線的信號(hào)控制。
6. 根據(jù)權(quán)利要求5的顯示設(shè)備，所述驅(qū)動(dòng)電路還包括(d) 第一開關(guān)電路單元，連接在所述第二節(jié)點(diǎn)與所述驅(qū)動(dòng)晶體管的另一 源極/漏極區(qū)之間；其中所述第 一開關(guān)電路單元由來(lái)自掃描線的信號(hào)控制。
7. 根據(jù)權(quán)利要求5的顯示設(shè)備，所述驅(qū)動(dòng)電路還包括(e) 第二開關(guān)電路單元，連接在所迷第二節(jié)點(diǎn)與電源線之間，其中預(yù)定 初始化電壓被施加到該電源線；其中所述第二開關(guān)電路單元由來(lái)自初始化控制線的信號(hào)控制。
8. 根據(jù)權(quán)利要求5的顯示設(shè)備，所述驅(qū)動(dòng)電路還包括(f) 第三開關(guān)電路單元，連接在所述第一節(jié)點(diǎn)與電源線之間，其中驅(qū)動(dòng) 電壓^皮施加到該電源線；其中所述第三開關(guān)電路單元由來(lái)自顯示控制線的信號(hào)控制。
9. 根據(jù)權(quán)利要求5的顯示設(shè)備，所述驅(qū)動(dòng)電路還包括(g) 第四開關(guān)電路單元，連接在所述驅(qū)動(dòng)晶體管的另一源極/漏極區(qū)與 所述發(fā)光單元的一端之間；其中所述第四開關(guān)電路單元由來(lái)自顯示控制線的信號(hào)控制。
10. —種驅(qū)動(dòng)電^各，包括(A) 移位寄存器單元，配置有P (其中P是大于等于3的自然數(shù))級(jí)移位寄存器，以依次移位輸入開始脈沖，并從每個(gè)級(jí)輸出輸出信號(hào)，以及(B) 邏輯電路單元，被配置以基于來(lái)自所述移位寄存器單元的輸出信號(hào) 和使能信號(hào)而操作，(C) 其中，將第p級(jí)(其中p二l， 2，……，P-1 )移位寄存器的輸出信 號(hào)表示為STp，第p+l移位寄存器的輸出信號(hào)STP+1的開始脈沖的開始位于輸 出信號(hào)STp的開始脈沖的開始與結(jié)束之間，(D) 以及其中，第一使能信號(hào)到第Q使能信號(hào)(其中Q是大于等于2 的自然數(shù))的每一個(gè)依次存在于輸出信號(hào)STp的開始脈沖的開始與輸出信號(hào) STP+1的開始脈沖的開始之間，(E) 以及其中，所述邏輯電路單元包括(P-2) xQ個(gè)NAND電路； 其中，第一開始脈沖到第U開始脈沖(其中U是大于等于2的自然數(shù))在等于 一個(gè)場(chǎng)時(shí)段的時(shí)段期間被輸入到第 一級(jí)移位寄存器；以及其中，時(shí)段指定信號(hào)被輸入到所述邏輯電路單元，以指定從輸出信 號(hào)ST,中的第u (其中u=l， 2,……，U-l )開始脈沖到第u+l開始脈沖的每 個(gè)時(shí)段、以及從第U開始脈沖的開始到下一幀中的第一開始脈沖的開始的時(shí)段；以及其中，將第q使能信號(hào)(其中q=l， 2,……，Q-l)表示為ENq， 基于時(shí)段指定信號(hào)的信號(hào)， 輸出信號(hào)STp，通過(guò)反轉(zhuǎn)輸出信號(hào)STp+,獲得的信號(hào)，以及 第q使能信號(hào)ENq， 被輸入到第(p，， q)NAND電路；以及其中，基于時(shí)段指定信號(hào)限制所述NAND電路的操作，使得所述 NAND電路僅基于以下產(chǎn)生掃描信號(hào)與第一開始脈沖對(duì)應(yīng)的輸出信號(hào)STp的一部分， 通過(guò)反轉(zhuǎn)輸出信號(hào)STp+,獲得的信號(hào)，以及 第q使能信號(hào)ENq。
全文摘要
提供了顯示設(shè)備和驅(qū)動(dòng)電路。掃描驅(qū)動(dòng)電路包括移位寄存器單元和邏輯電路單元。第p+1移位寄存器的輸出信號(hào)ST_p+1的開始脈沖的開始位于第p移位寄存器的輸出信號(hào)ST_p的開始脈沖的開始與結(jié)束之間，并且第一使能信號(hào)到第Q使能信號(hào)的每一個(gè)依次存在于輸出信號(hào)ST_p的開始脈沖的開始與輸出信號(hào)ST_p+1的開始脈沖的開始之間?；跁r(shí)段指定信號(hào)限制第(p’，q)NAND電路的操作，使得所述NAND電路僅基于與第一開始脈沖對(duì)應(yīng)的輸出信號(hào)ST_p的一部分、通過(guò)反轉(zhuǎn)輸出信號(hào)ST_p+1獲得的信號(hào)以及第q使能信號(hào)EN_q產(chǎn)生掃描信號(hào)。
文檔編號(hào)G09G3/20GK101630475SQ20091015227
公開日2010年1月20日 申請(qǐng)日期2009年7月14日 優(yōu)先權(quán)日2008年7月14日
發(fā)明者甚田誠(chéng)一郎, 谷龜貴央 申請(qǐng)人:索尼株式會(huì)社