專利名稱：電平偏移電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種電平偏移電路，尤指一種源極驅(qū)動器中的電平偏移電路。
背景技術(shù)：
在液晶顯示器(Liquid Crystal Display，LCD)驅(qū)動系統(tǒng)中，一電平偏移電路通 常用于從一較低電壓輸入產(chǎn)生一較高電壓輸出，以使一源極驅(qū)動器驅(qū)動液晶顯示器面板的 液晶單元(Crystal Cell)。請參考圖1，圖1為先前技術(shù)中一電平偏移電路100的示意圖。 電平偏移電路100包含一與一交叉耦合對(Cross-Coupled Pair)串接(Cascade)的差動 輸入對(Differential Input Pair)，且耦接于圖1中所示的一第一供應(yīng)電壓Vdda以及一第 二供應(yīng)電壓Vssa之間。除此之外，該差動輸入對包含一 N型金屬氧化物半導(dǎo)體(N-typeMet al-Oxide-Semiconductor, NM0S)晶體管Ma，其具有一控制柵極以接收一第一輸入信號Sa， 以及一 N型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管Mb，其具有一控制柵極以接收一第二輸入信號Sb。該 交叉耦合對則包含一 P型金屬氧化物半導(dǎo)體(P-type Metal-Oxide-Semiconductor, PM0S) 晶體管Mc以及一 P型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管Md，用以根據(jù)第一輸入信號Sa以及第二輸入 信號Sb來分別輸出一第一輸出信號S。utl以及一第二輸出信號S。ut2。正常來說，第一輸入信 號Sa以及第二輸入信號Sb兩者構(gòu)成一個具有一電壓范圍的差動信號，其中該電壓范圍小于 Vdda及Vssa之間的電壓范圍，因此，當(dāng)?shù)谝惠斎胄盘朣a處于一高邏輯電平以及第二輸入信號 Sb處于一低邏輯電平時，P型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管M。以及P型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體 管Md將第一輸出信號S。utl拉高至第一供應(yīng)電壓VDDA，以及N型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管Ma 將第二輸出信號S。ut2拉低至第二供應(yīng)電壓Vssa(反之亦然)。因此，電平偏移電路100便偏 移輸入信號Sa、Sb的電壓電平至供應(yīng)電壓Vdda或接地電壓VSSA。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的之一在于提供一種源極驅(qū)動器中的電平偏移電路。根據(jù)本發(fā)明的一第一實(shí)施例，其揭露一種電平偏移電路。該電平偏移電路包含一 第一晶體管、一第二晶體管、一第一二極管連接形式晶體管、一第三晶體管、一第四晶體管、 一第二二極管連接形式晶體管以及一第五晶體管。該第一晶體管具有一第一節(jié)點(diǎn)耦接于一 第一參考電壓以及一控制節(jié)點(diǎn)用以接收一第一電壓輸入信號。該第二晶體管具有一第一節(jié) 點(diǎn)耦接于一第二參考電壓。該第一二極管連接形式晶體管具有一第一節(jié)點(diǎn)耦接于該第二晶 體管的一第二節(jié)點(diǎn)以及一第二節(jié)點(diǎn)耦接于該第一二極管連接形式晶體管的一控制節(jié)點(diǎn)。該 第三晶體管具有一第一節(jié)點(diǎn)耦接于該第一參考電壓以及一控制節(jié)點(diǎn)用以接收一第二電壓 輸入信號，其中該第一電壓輸入信號為該第二電壓輸入信號的一反相信號。該第四晶體管 具有一第一節(jié)點(diǎn)耦接于該第二參考電壓。該第二二極管連接形式晶體管具有一第一節(jié)點(diǎn)耦 接于該第四晶體管的一第二節(jié)點(diǎn)以及一第二節(jié)點(diǎn)耦接于該第二二極管連接形式晶體管的 一控制節(jié)點(diǎn)。除此之外，該第五晶體管具有一控制節(jié)點(diǎn)耦接于該第二電壓輸入信號、一第一 節(jié)點(diǎn)耦接于該第一參考電壓以及一第二節(jié)點(diǎn)耦接于該第四晶體管的該第二節(jié)點(diǎn)，其中對應(yīng)該第一電壓輸出信號的一第一電平偏移輸出信號產(chǎn)生于該第四晶體管的該第二節(jié)點(diǎn)。根據(jù)本發(fā)明的一第二實(shí)施例，其揭露一種電平偏移電路。該電平偏移電路包含一第一晶體管、一第二晶體管、一第一二極管連接形式晶體管、一第三晶體管、一第四晶體管、 一第二二極管連接形式晶體管以及一第五晶體管。該第一晶體管具有一第一節(jié)點(diǎn)耦接于一 第一參考電壓以及一控制節(jié)點(diǎn)用以接收一第一電壓輸入信號。該第二晶體管具有一第一節(jié) 點(diǎn)耦接于一第二參考電壓。該第一二極管連接形式晶體管具有一第一節(jié)點(diǎn)耦接于該第二晶 體管的一第二節(jié)點(diǎn)以及一第二節(jié)點(diǎn)耦接于該第一二極管連接形式晶體管的一控制節(jié)點(diǎn)。該 第三晶體管具有一第一節(jié)點(diǎn)耦接于該第一參考電壓以及一控制節(jié)點(diǎn)用以接收一第二電壓 輸入信號，其中該第一電壓輸入信號為該第二電壓輸入信號的一反相信號。該第四晶體管 具有一第一節(jié)點(diǎn)耦接于該第二參考電壓。該第二二極管連接形式晶體管具有一第一節(jié)點(diǎn)耦 接于該第四晶體管的一第二節(jié)點(diǎn)以及一第二節(jié)點(diǎn)耦接于該第二二極管連接形式晶體管的 一控制節(jié)點(diǎn)。除此之外，該第五晶體管具有一控制節(jié)點(diǎn)耦接于該第二電壓輸入信號、一第一 節(jié)點(diǎn)耦接于該第二參考電壓以及一第二節(jié)點(diǎn)耦接于該第三晶體管的該第二節(jié)點(diǎn)，其中對應(yīng) 該第一電壓輸出信號的一第一電平偏移輸出信號是產(chǎn)生于該第四晶體管的該第二節(jié)點(diǎn)。根據(jù)本發(fā)明的一第三實(shí)施例，其揭露一種源極驅(qū)動器，且該源極驅(qū)動器的特征在 于包含一電平偏移器。該電平偏移器包含一第一晶體管、一第二晶體管、一第一二極管連接 形式晶體管、一第三晶體管、一第四晶體管、一第二二極管連接形式晶體管以及一第五晶體 管。該第一晶體管具有一第一節(jié)點(diǎn)耦接于一第一參考電壓以及一控制節(jié)點(diǎn)用以接收一第一 電壓輸入信號。該第二晶體管具有一第一節(jié)點(diǎn)耦接于一第二參考電壓。該第一二極管連接 形式晶體管具有一第一節(jié)點(diǎn)耦接于該第二晶體管的一第二節(jié)點(diǎn)以及一第二節(jié)點(diǎn)耦接于該 第一二極管連接形式晶體管的一控制節(jié)點(diǎn)。該第三晶體管具有一第一節(jié)點(diǎn)耦接于該第一參 考電壓以及一控制節(jié)點(diǎn)用以接收一第二電壓輸入信號，其中該第一電壓輸入信號為該第二 電壓輸入信號的一反相信號。該第四晶體管具有一第一節(jié)點(diǎn)耦接于該第二參考電壓。該第 二二極管連接形式晶體管具有一第一節(jié)點(diǎn)耦接于該第四晶體管的一第二節(jié)點(diǎn)以及一第二 節(jié)點(diǎn)耦接于該第二二極管連接形式晶體管的一控制節(jié)點(diǎn)。除此之外，該第五晶體管具有一 控制節(jié)點(diǎn)耦接于該第二電壓輸入信號、一第一節(jié)點(diǎn)耦接于該第一參考電壓以及一第二節(jié)點(diǎn) 耦接于該第四晶體管的該第二節(jié)點(diǎn)，其中對應(yīng)該第一電壓輸出信號的一第一電平偏移輸出 信號是產(chǎn)生于該第四晶體管的該第二節(jié)點(diǎn)。根據(jù)本發(fā)明的一第四實(shí)施例，其揭露一種源極驅(qū)動器，且該源極驅(qū)動器的特征在 于包含一電平偏移器。該電平偏移器包含一第一晶體管、一第二晶體管、一第一二極管連接 形式晶體管、一第三晶體管、一第四晶體管、一第二二極管連接形式晶體管以及一第五晶體 管。該第一晶體管具有一第一節(jié)點(diǎn)耦接于一第一參考電壓以及一控制節(jié)點(diǎn)用以接收一第一 電壓輸入信號。該第二晶體管具有一第一節(jié)點(diǎn)耦接于一第二參考電壓。該第一二極管連接 形式晶體管具有一第一節(jié)點(diǎn)耦接于該第二晶體管的一第二節(jié)點(diǎn)以及一第二節(jié)點(diǎn)耦接于該 第一二極管連接形式晶體管的一控制節(jié)點(diǎn)。該第三晶體管具有一第一節(jié)點(diǎn)耦接于該第一參 考電壓以及一控制節(jié)點(diǎn)用以接收一第二電壓輸入信號，其中該第一電壓輸入信號為該第二 電壓輸入信號的一反相信號。該第四晶體管具有一第一節(jié)點(diǎn)耦接于該第二參考電壓。該第 二二極管連接形式晶體管具有一第一節(jié)點(diǎn)耦接于該第四晶體管的一第二節(jié)點(diǎn)以及一第二 節(jié)點(diǎn)耦接于該第二二極管連接形式晶體管的一控制節(jié)點(diǎn)。除此之外，該第五晶體管具有一控制節(jié)點(diǎn)耦接于該第二電壓輸入信號、一第一節(jié)點(diǎn)耦接于該第二參考電壓以及一第二節(jié)點(diǎn)耦接于該第三晶體管的該第二節(jié)點(diǎn)，其中對應(yīng)該第一電壓輸出信號的一第一電平偏移輸出 信號產(chǎn)生于該第四晶體管的該第二節(jié)點(diǎn)。


圖1為先前技術(shù)中電平偏移電路的示意圖。圖2為本發(fā)明電平偏移電路的一實(shí)施例的示意圖。圖3為本發(fā)明電平偏移電路的另一實(shí)施例的示意圖。主要元件符號說明100、200、300電平偏移電路
具體實(shí)施例方式在說明書及后續(xù)的權(quán)利要求書中使用了某些詞匯來指稱特定的元件。所屬領(lǐng)域中 具有通常知識者應(yīng)可理解，硬件制造商可能會用不同的名詞來稱呼同一個元件。本說明書 及后續(xù)的權(quán)利要求書并不以名稱的差異來作為區(qū)分元件的方式，而是以元件在功能上的差 異來作為區(qū)分的準(zhǔn)則。在通篇說明書及后續(xù)的請求書中所提及的“包含”為一開放式的用 語，故應(yīng)解釋成“包含但不限定于。此外，“耦接”一詞在此包含任何直接及間接的電氣連接 手段。因此，若文中描述一第一裝置耦接于一第二裝置，則代表該第一裝置可直接電氣連接 于該第二裝置，過透過其他裝置或連接手段間接地電氣連接至該第二裝置。請參考圖2，圖2為本發(fā)明電平偏移電路的一實(shí)施例的示意圖。請注意，電平偏移 電路200可以是一個應(yīng)用于一源極驅(qū)動器的電平偏移器。電平偏移電路200包含一 N型金 屬氧化物半導(dǎo)體(N-type Metal-Oxide-Semiconductor,NM0S)晶體管Ml，具有一源極節(jié)點(diǎn) 耦接于一參考電壓(其為一第二供應(yīng)電壓VSSA)以及一柵極節(jié)點(diǎn)，用以接收一第一電壓輸 入信號S 1 ；一 P型金屬氧化物半導(dǎo)體(PMOS)晶體管M2，具有一源極節(jié)點(diǎn)耦接于另一參考 電壓(其為一第一供應(yīng)電壓VDDA) ；—二極管連接形式(Diode-CormectecOP型金屬氧化物 半導(dǎo)體晶體管MD1，具有一源極節(jié)點(diǎn)耦接于P型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管M2的一漏極節(jié)點(diǎn)， 以及一漏極節(jié)點(diǎn)耦接于二極管連接形式P型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管MDl的一柵極節(jié)點(diǎn)； 一 N型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管M3，具有一源極節(jié)點(diǎn)耦接于第二供應(yīng)電壓VSSA，以及一柵 極節(jié)點(diǎn)，用以接收一第二電壓輸入信號S2 ；—P型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管M4，具有一源極 節(jié)點(diǎn)耦接于第一供應(yīng)電壓VDDA ；—二極管連接形式P型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管MD2，具有 一源極節(jié)點(diǎn)耦接于P型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管M4的一漏極節(jié)點(diǎn)，以及一漏極節(jié)點(diǎn)耦接于 二極管連接形式P型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管MD2的一柵極節(jié)點(diǎn)；以及一 N型金屬氧化物 半導(dǎo)體晶體管M5，具有一柵極節(jié)點(diǎn)耦接于第二電壓輸入信號S2、一源極節(jié)點(diǎn)耦接于第二供 應(yīng)電壓VSSA以及一漏極節(jié)點(diǎn)耦接于P型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管M4的漏極節(jié)點(diǎn)，其中對 應(yīng)第一電壓輸出信號Sl的一第一電平偏移輸出信號OUTl產(chǎn)生于P型金屬氧化物半導(dǎo)體晶 體管M4的漏極節(jié)點(diǎn)。除此之外，電平偏移電路200另包含一 N型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管 M6，具有一柵極節(jié)點(diǎn)耦接于第一電壓輸出信號Si、一源極節(jié)點(diǎn)耦接于第二供應(yīng)電壓VSSA以 及一漏極節(jié)點(diǎn)耦接于P型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管M2的漏極節(jié)點(diǎn)，其中對應(yīng)第二電壓輸出 信號S2的一第二電平偏移輸出信號0UT2產(chǎn)生于P型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管M2的漏極節(jié)點(diǎn)。第一電壓輸入信號Sl為第二電壓輸入信號S2的一反相信號，換句話說，第一電壓輸 入信號Sl以及第二電壓輸入信號S2可構(gòu)成一差動信號。
根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，當(dāng)?shù)谝浑妷狠斎胄盘朣l處于一高電壓電平以及第二電壓 輸入信號S2處于一低電壓電平時，包含晶體管M2、M4、MD1以及MD2的交叉耦合結(jié)構(gòu)會輸出 第二電平偏移輸出信號0UT2，其實(shí)質(zhì)上等同于第一供應(yīng)電壓VDDA，換句話說，P型金屬氧化 物半導(dǎo)體晶體管M4將P型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管M4的漏極節(jié)點(diǎn)充電(Charge)至第一 供應(yīng)電壓VDDA。此外，該交叉耦合結(jié)構(gòu)亦輸出第一電平偏移輸出信號0UT1，其實(shí)質(zhì)上等同 于第二供應(yīng)電壓VSSA加上二極管連接形式P型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管MDl的臨界電壓 Vth0此時，既然N型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管M6被第一電壓輸入信號Sl的高電壓電平所 導(dǎo)通，所以N型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管M6便將第二電平偏移輸出信號0UT2箝制(Clamp) 于第二供應(yīng)電壓VSSA。同樣地，當(dāng)?shù)谝浑妷狠斎胄盘朣l處于一低電壓電平以及第二電壓輸 入信號S2處于一高電壓電平時，P型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管M2將P型金屬氧化物半導(dǎo) 體晶體管M2的漏極節(jié)點(diǎn)充電至第一供應(yīng)電壓VDDA，以及N型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管M5 將第一電平偏移輸出信號OUTl箝制于第二供應(yīng)電壓VSSA。因此，根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，電 平偏移電路200可產(chǎn)生相同于第一供應(yīng)電壓VDDA或第二供應(yīng)電壓VSSA的第一電平偏移輸 出信號OUTl以及第二電平偏移輸出信號0UT2，其取決于第一電壓輸入信號Sl以及第二電 壓輸入信號S2。請注意，本發(fā)明并不限定同時將N型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管M5耦接至P型金屬 氧化物半導(dǎo)體晶體管M4的漏極節(jié)點(diǎn)以及將N型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管M6耦接至P型金 屬氧化物半導(dǎo)體晶體管M2的漏極節(jié)點(diǎn)，換句話說，將N型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管M5耦接 至P型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管M4的漏極節(jié)點(diǎn)或者將N型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管M6耦 接至P型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管M2的漏極節(jié)點(diǎn)，都隸屬本發(fā)明的范疇。請參考圖3，圖3為本發(fā)明電平偏移電路的另一實(shí)施例的示意圖。請注意，電平偏 移電路300可以是應(yīng)用于一源極驅(qū)動器的電平偏移器。電平偏移電路300具有類似于圖2 所示的電平偏移電路200的結(jié)構(gòu)，除了下列的不同點(diǎn)電平偏移電路200中的N型金屬氧化 物半導(dǎo)體晶體管M5被一 P型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管M7所取代，而P型金屬氧化物半導(dǎo) 體晶體管M7具有一柵極節(jié)點(diǎn)耦接于第二電壓輸入信號S2、一源極節(jié)點(diǎn)耦接于第一供應(yīng)電 壓VDDA以及一漏極節(jié)點(diǎn)耦接于N型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管M3的漏極節(jié)點(diǎn)；此外，電平偏 移電路200中的N型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管M6被一 P型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管M8所 取代，而P型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管M8具有一柵極節(jié)點(diǎn)耦接于第一電壓輸入信號Si、一 源極節(jié)點(diǎn)耦接于第一供應(yīng)電壓VDDA以及一漏極節(jié)點(diǎn)耦接于N型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管 Ml的漏極節(jié)點(diǎn)。同樣地，當(dāng)?shù)谝浑妷狠斎胄盘朣l處于一高電壓電平以及第二電壓輸入信號S2處 于一低電壓電平時，包含晶體管M2、M4、MD1以及MD2的交叉耦合結(jié)構(gòu)會輸出第一電平偏移 輸出信號0UT1，其實(shí)質(zhì)上等同于第一供應(yīng)電壓VDDA減掉二極管連接形式P型金屬氧化物 半導(dǎo)體晶體管MD2的臨界電壓Vth。此時，P型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管M7被第二電壓輸 入信號S2的低電壓電平所導(dǎo)通，所以P型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管M7便將第一電平偏移 輸出信號OUTl箝制于第一供應(yīng)電壓VDDA。此外，該交叉耦合結(jié)構(gòu)亦輸出第二電平偏移輸 出信號0UT2，其實(shí)質(zhì)上等同于第二供應(yīng)電壓VSSA，換句話說，N型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管Ml將N型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管Ml的漏極節(jié)點(diǎn)放電至第二供應(yīng)電壓VSSA。同樣地，當(dāng) 第一電壓輸入信號S1處于一低電壓電平以及第二電壓輸入信號S2處于一高電壓電平時， N型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管M3將N型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管M3的漏極節(jié)點(diǎn)放電至第 二供應(yīng)電壓VSSA，以及P型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管M8會將第二電平偏移輸出信號0UT2 箝制于第一供應(yīng)電壓VDDA。因此，根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，電平偏移電路300可產(chǎn)生相同于第 一供應(yīng)電壓VDDA或第二供應(yīng)電壓VSSA的第一電平偏移輸出信號0UT1以及第二電平偏移 輸出信號0UT2，其取決于第一電壓輸入信號S1以及第二電壓輸入信號S2。
以上所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例，凡依本發(fā)明申請專利范圍所做的均等變化與 修飾，皆應(yīng)屬本發(fā)明的涵蓋范圍。
權(quán)利要求
一種電平偏移電路，包含有一第一晶體管，具有一第一節(jié)點(diǎn)耦接于一第一參考電壓以及一控制節(jié)點(diǎn)用以接收一第一電壓輸入信號；一第二晶體管，具有一第一節(jié)點(diǎn)耦接于一第二參考電壓；一第一二極管連接形式晶體管，具有一第一節(jié)點(diǎn)耦接于該第二晶體管的一第二節(jié)點(diǎn)以及一第二節(jié)點(diǎn)耦接于該第一二極管連接形式晶體管的一控制節(jié)點(diǎn)；一第三晶體管，具有一第一節(jié)點(diǎn)耦接于該第一參考電壓以及一控制節(jié)點(diǎn)用以接收一第二電壓輸入信號，其中該第一電壓輸入信號為該第二電壓輸入信號的一反相信號；一第四晶體管，具有一第一節(jié)點(diǎn)耦接于該第二參考電壓；一第二二極管連接形式晶體管，具有一第一節(jié)點(diǎn)耦接于該第四晶體管的一第二節(jié)點(diǎn)以及一第二節(jié)點(diǎn)耦接于該第二二極管連接形式晶體管的一控制節(jié)點(diǎn)；一第五晶體管，具有一控制節(jié)點(diǎn)耦接于該第二電壓輸入信號、一第一節(jié)點(diǎn)耦接于該第一參考電壓以及一第二節(jié)點(diǎn)耦接于該第四晶體管的該第二節(jié)點(diǎn)，其中對應(yīng)該第一電壓輸出信號的一第一電平偏移輸出信號產(chǎn)生于該第四晶體管的該第二節(jié)點(diǎn)。
2.如權(quán)利要求1所述的電平偏移電路，另包含有一第六晶體管，具有一控制節(jié)點(diǎn)耦接于該第一電壓輸入信號、一第一節(jié)點(diǎn)耦接于該第 一參考電壓以及一第二節(jié)點(diǎn)耦接于該第二晶體管的該第二節(jié)點(diǎn)，其中對應(yīng)該第二電壓輸出 信號的一第二電平偏移輸出信號產(chǎn)生于該第二晶體管的該第二節(jié)點(diǎn)。
3.如權(quán)利要求1所述的電平偏移電路，其中該第二參考電壓高于該第一參考電壓。
4.如權(quán)利要求2所述的電平偏移電路，其中該第一晶體管、該第三晶體管、該第五晶體 管以及該第六晶體管均為N型晶體管，以及該第一二極管連接形式晶體管、該第二二極管 連接形式晶體管、該第二晶體管以及該第四晶體管均為P型晶體管。
5.一種電平偏移電路，包含有一第一晶體管，具有一第一節(jié)點(diǎn)耦接于一第一參考電壓以及一控制節(jié)點(diǎn)用以接收一第 一電壓輸入信號；一第二晶體管，具有一第一節(jié)點(diǎn)耦接于一第二參考電壓；一第一二極管連接形式晶體管，具有一第一節(jié)點(diǎn)耦接于該第二晶體管的一第二節(jié)點(diǎn)以 及一第二節(jié)點(diǎn)耦接于該第一二極管連接形式晶體管的一控制節(jié)點(diǎn)；一第三晶體管，具有一第一節(jié)點(diǎn)耦接于該第一參考電壓以及一控制節(jié)點(diǎn)用以接收一第 二電壓輸入信號，其中該第一電壓輸入信號為該第二電壓輸入信號的一反相信號； 一第四晶體管，具有一第一節(jié)點(diǎn)耦接于該第二參考電壓；一第二二極管連接形式晶體管，具有一第一節(jié)點(diǎn)耦接于該第四晶體管的一第二節(jié)點(diǎn)以 及一第二節(jié)點(diǎn)耦接于該第二二極管連接形式晶體管的一控制節(jié)點(diǎn)；一第五晶體管，具有一控制節(jié)點(diǎn)耦接于該第二電壓輸入信號、一第一節(jié)點(diǎn)耦接于該第 二參考電壓以及一第二節(jié)點(diǎn)耦接于該第三晶體管的該第二節(jié)點(diǎn)，其中對應(yīng)該第一電壓輸出 信號的一第一電平偏移輸出信號產(chǎn)生于該第四晶體管的該第二節(jié)點(diǎn)。
6.如權(quán)利要求5所述的電平偏移電路，另包含有一第六晶體管，具有一控制節(jié)點(diǎn)耦接于該第一電壓輸入信號、一第一節(jié)點(diǎn)耦接于該第 二參考電壓以及一第二節(jié)點(diǎn)耦接于該第一晶體管的該第二節(jié)點(diǎn)，其中對應(yīng)該第二電壓輸出信號的一第二電平偏移輸出信號產(chǎn)生于該第二晶體管的該第二節(jié)點(diǎn)。
7.如權(quán)利要求5所述的電平偏移電路，其中該第二參考電壓高于該第一參考電壓。
8.如權(quán)利要求6所述的電平偏移電路，其中該第一晶體管以及該第三晶體管均為N型 晶體管，以及該第一二極管連接形式晶體管、該第二二極管連接形式晶體管、該第二晶體 管、該第四晶體管、該第五晶體管以及該第六晶體管均為P型晶體管。
9.一種源極驅(qū)動器，其特征在于包含一電平偏移器，該電平偏移器包含有一第一晶體管，具有一第一節(jié)點(diǎn)耦接于一第一參考電壓以及一控制節(jié)點(diǎn)用以接收一第 一電壓輸入信號；一第二晶體管，具有一第一節(jié)點(diǎn)耦接于一第二參考電壓；一第一二極管連接形式晶體管，具有一第一節(jié)點(diǎn)耦接于該第二晶體管的一第二節(jié)點(diǎn)以 及一第二節(jié)點(diǎn)耦接于該第一二極管連接形式晶體管的一控制節(jié)點(diǎn)；一第三晶體管，具有一第一節(jié)點(diǎn)耦接于該第一參考電壓以及一控制節(jié)點(diǎn)用以接收一第二電壓輸入信號，其中該第一電壓輸入信號為該第二電壓輸入信號的一反相信號； 一第四晶體管，具有一第一節(jié)點(diǎn)耦接于該第二參考電壓；一第二二極管連接形式晶體管，具有一第一節(jié)點(diǎn)耦接于該第四晶體管的一第二節(jié)點(diǎn)以 及一第二節(jié)點(diǎn)耦接于該第二二極管連接形式晶體管的一控制節(jié)點(diǎn)；一第五晶體管，具有一控制節(jié)點(diǎn)耦接于該第二電壓輸入信號、一第一節(jié)點(diǎn)耦接于該第 一參考電壓以及一第二節(jié)點(diǎn)耦接于該第四晶體管的該第二節(jié)點(diǎn)，其中對應(yīng)該第一電壓輸出 信號的一第一電平偏移輸出信號產(chǎn)生于該第四晶體管的該第二節(jié)點(diǎn)。
10.如權(quán)利要求9所述的源極驅(qū)動器，其中該電平偏移器另包含有一第六晶體管，具有一控制節(jié)點(diǎn)耦接于該第一電壓輸入信號、一第一節(jié)點(diǎn)耦接于該第 一參考電壓以及一第二節(jié)點(diǎn)耦接于該第二晶體管的該第二節(jié)點(diǎn)，其中對應(yīng)該第二電壓輸出 信號的一第二電平偏移輸出信號產(chǎn)生于該第二晶體管的該第二節(jié)點(diǎn)。
11.如權(quán)利要求9所述的源極驅(qū)動器，其中該第二參考電壓高于該第一參考電壓。
12.如權(quán)利要求10所述的源極驅(qū)動器，其中該第一晶體管、該第三晶體管、該第五晶體 管以及該第六晶體管均為N型晶體管，以及該第一二極管連接形式晶體管、該第二二極管 連接形式晶體管、該第二晶體管以及該第四晶體管均為P型晶體管。
13.一種源極驅(qū)動器，其特征在于包含一電平偏移器，該電平偏移器包含有一第一晶體管，具有一第一節(jié)點(diǎn)耦接于一第一參考電壓以及一控制節(jié)點(diǎn)用以接收一第 一電壓輸入信號；一第二晶體管，具有一第一節(jié)點(diǎn)耦接于一第二參考電壓；一第一二極管連接形式晶體管，具有一第一節(jié)點(diǎn)耦接于該第二晶體管的一第二節(jié)點(diǎn)以 及一第二節(jié)點(diǎn)耦接于該第一二極管連接形式晶體管的一控制節(jié)點(diǎn)；一第三晶體管，具有一第一節(jié)點(diǎn)耦接于該第一參考電壓以及一控制節(jié)點(diǎn)用以接收一第 二電壓輸入信號，其中該第一電壓輸入信號為該第二電壓輸入信號的一反相信號； 一第四晶體管，具有一第一節(jié)點(diǎn)耦接于該第二參考電壓；一第二二極管連接形式晶體管，具有一第一節(jié)點(diǎn)耦接于該第四晶體管的一第二節(jié)點(diǎn)以 及一第二節(jié)點(diǎn)耦接于該第二二極管連接形式晶體管的一控制節(jié)點(diǎn)；一第五晶體管，具有一控制節(jié)點(diǎn)耦接于該第二電壓輸入信號、一第一節(jié)點(diǎn)耦接于該第二參考電壓以及一第二節(jié)點(diǎn)耦接于該第三晶體管的該第二節(jié)點(diǎn)，其中對應(yīng)該第一電壓輸出 信號的一第一電平偏移輸出信號產(chǎn)生于該第四晶體管的該第二節(jié)點(diǎn)。
14.如權(quán)利要求13所述的源極驅(qū)動器，其中該電平偏移器另包含有一第六晶體管，具有一控制節(jié)點(diǎn)耦接于該第一電壓輸入信號、一第一節(jié)點(diǎn)耦接于該第 二參考電壓以及一第二節(jié)點(diǎn)耦接于該第一晶體管的該第二節(jié)點(diǎn)，其中對應(yīng)該第二電壓輸出 信號的一第二電平偏移輸出信號產(chǎn)生于該第二晶體管的該第二節(jié)點(diǎn)。
15.如權(quán)利要求13所述的源極驅(qū)動器，其中該第二參考電壓高于該第一參考電壓。
16.如權(quán)利要求14所述的源極驅(qū)動器，其中該第一晶體管以及該第三晶體管均為N型 晶體管，以及該第一二極管連接形式晶體管、該第二二極管連接形式晶體管、該第二晶體 管、該第四晶體管、該第五晶體管以及該第六晶體管均為P型晶體管。
全文摘要
一種電平偏移電路，包含有一第一晶體管，耦接于一第一參考電壓，用以接收一第一電壓輸入信號；一第二晶體管，耦接于一第二參考電壓；一第一二極管連接形式晶體管，耦接于該第二晶體管及該第一二極管連接形式晶體管之間；一第三晶體管，耦接于該第一參考電壓及該第二晶體管，用以接收一第二電壓輸入信號；一第四晶體管，耦接于該第二參考電壓及該第一晶體管；一第二二極管連接形式晶體管，耦接于該第四晶體管及該第三晶體管之間；以及一第五晶體管，耦接于該第二電壓輸入信號、該第一參考電壓及該第四晶體管。
文檔編號G09G3/36GK101800534SQ200910141248
公開日2010年8月11日 申請日期2009年5月14日 優(yōu)先權(quán)日2009年2月10日
發(fā)明者辜宗堯 申請人:奇景光電股份有限公司