專利名稱：半導(dǎo)體器件及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及使用ZnO (氧化鋅)的半導(dǎo)體器件及其制造方法。
技術(shù)背景一般通過使用a-Si (非晶硅)或poly-Si (多晶珪)形成用于液晶 顯示器或EL (電致發(fā)光)顯示器的顯示面板的半導(dǎo)體器件，例如TFT (薄膜晶體管)的半導(dǎo)體部分半導(dǎo)體器件。Si(硅)不具有大的帶隙(例如，單晶硅為l.leV)并且吸收可見 光。通過用光照射，在Si中形成電子和空穴(載流子)。如果形成Si 膜用于TFF的溝道形成區(qū)域，那么即使在OFF狀態(tài)下也會通過用光照 射在溝道形成區(qū)域中產(chǎn)生載流子。于是，電流從而在源極區(qū)和漏極區(qū) 之間流動。在OFF狀態(tài)中流動的電流;故稱為"OFF泄漏電流"。如果電 流值較高，那么顯示面板不正常工作。因此，形成光屏蔽膜以使得光 不照射Si膜。但是，由于需要淀積步驟、光刻步驟和蝕刻步驟，因此， 當(dāng)形成光屏蔽膜時，工藝變得復(fù)雜。為了解決該問題，關(guān)注使用氧化鋅(ZnO)的透明晶體管，該氧 化鋅是具有比Si的帶隙大的3.4eV的較大的帶隙的半導(dǎo)體。關(guān)于這種透 明晶體管，帶隙比可見光帶中的光能大，并且可見光不被吸收。因此， 它具有在用光照射時OFF泄漏電流不增加的優(yōu)點。例如，在對比文件l中公開了對于溝道形成區(qū)域使用ZnO的半導(dǎo) 體器件。參照圖7A說明使用ZnO的半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)。圖7A中的半導(dǎo)體器件在諸如玻璃襯底的絕緣襯底1000之上具有 源電極IOOI、漏電極1002、凈皮配置為與源電極1001和漏電極1002接觸 的ZnO層1003、層疊在ZnO層1003之上的柵絕緣層1004和柵電極1005。對于源電極1001和漏電極1002，使用導(dǎo)電的ZnO。導(dǎo)電的ZnO摻 雜有以下的元素中的一種作為第III族元素的B (硼)、Al(鋁)、 鎵(Ga)、銦(In)或T1 (鉈)；作為第VII族元素的F (氟)、Cl (氯)、Br (溴)或I (碘)；作為第I族元素的鋰(Li) 、 Na (鈉)、 K(鉀)、Rb (鈿)或Cs (銫)；作為第V族元素的N(氮)、P (磷)、 As (砷)、Sb (銻)或Bi (鉍)。[參考文件日本公開專利申請No. 2000-150900發(fā)明內(nèi)容根據(jù)本發(fā)明的發(fā)明人的試驗，揭示了當(dāng)通過蝕刻形成圖7A所示的 頂柵半導(dǎo)體器件的源電極1001和漏電極1002時襯底1000在一些情況下 被蝕刻。即使在形成通過在襯底1000上使用氧化硅膜或氧氮化硅膜形 成的基膜1006的情況下，當(dāng)基膜被蝕刻時襯底1000的表面也在一些情 況下被露出。另外，在圖7B所示的底柵半導(dǎo)體器件的情況下，揭示了 當(dāng)通過蝕刻形成源電極1001和漏電極1002時通過^吏用氧化硅膜或氧氮 化硅膜形成的柵絕緣膜1004被蝕刻。在頂柵半導(dǎo)體器件的情況下，當(dāng)玻璃襯底1000或通過使用氧化硅 膜或氧氮化硅膜形成的基膜1006被蝕刻時，諸如鈉的雜質(zhì)從襯底IOOO 擴(kuò)散到半導(dǎo)體膜1003中，使得特性劣化。在底柵半導(dǎo)體器件(圖7B)的情況下，如果當(dāng)通過蝕刻形成源電 極1001和漏電極1002時柵絕緣膜1004被蝕刻，那么特性是不穩(wěn)定的并 且導(dǎo)致故障?？紤]到以上情況，本發(fā)明的目的是，提供即使對溝道形成區(qū)域使 用ZnO半導(dǎo)體膜并且對于源電極和漏電極使用其中添加n型或p型雜 質(zhì)的ZnO膜也不產(chǎn)生缺陷或故障的半導(dǎo)體器件及其制造方法。本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的一個方面具有在氧化硅膜或氧氮化硅膜8之上的Al膜或Al合金膜和在Al膜或Al合金膜之上的其中添加n型或p 型雜質(zhì)的ZnO膜。本說明書中的"氧化硅膜"、"氧氮化硅膜"、"AI膜"、 "Al合金膜"和"ZnO膜"分別意味著包含氧化硅的膜、包含氧氮化珪的 膜、包含A1的膜、包含Al合金的膜和包含ZnO的膜。本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的一個方面具有在柵電極之上的通過使用 氧化硅膜或氧氮化硅膜形成的柵絕緣膜、在柵絕緣膜之上的Al膜或Al 合金膜、在Al膜或Al合金膜之上的其中添加n型或p型雜質(zhì)的ZnO膜、 以及在其中添加ii型或p型雜質(zhì)的ZnO膜和柵絕緣膜之上的ZnO半導(dǎo) 體膜。本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的一個方面具有在氧化硅膜或氧氮化硅膜 之上的A1膜或A1合金膜、在Al膜或Al合金膜之上的其中添加n型或p型 雜質(zhì)的ZnO膜、在氧化硅膜或氧氮化硅膜和其中添加n型或p型雜質(zhì)的 ZnO膜之上的ZnO半導(dǎo)體膜、在ZnO半導(dǎo)體膜之上的柵絕緣膜、和在 柵絕緣膜之上的柵電極。本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的制造方法的一個方面具有以下步驟形成 氧化硅膜或氧氮化硅膜；在氧化硅膜或氧氮化硅膜之上形成Al膜或Al 合金膜；在Al膜或Al合金膜之上形成其中添加n型或p型雜質(zhì)的ZnO 膜，其中，其中添加n型或p型雜質(zhì)的ZnO膜通過第一蝕刻被蝕刻為具 有島狀形狀，并且A1膜或Al合金膜通過第二蝕刻被蝕刻為具有島狀形 狀。本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的制造方法的一個方面，其中，在第二蝕刻 之后，在其中添加n型或p型雜質(zhì)的ZnO膜、和氧化硅膜或氧氮化硅膜 之上形成ZnO半導(dǎo)體膜。在底柵半導(dǎo)體器件的情況下，在形成柵電極之后，在柵電極之上 形成通過使用氧化硅膜或氧氮化硅膜形成的柵絕緣膜。在頂柵半導(dǎo)體器件的情況下，在形成ZnO半導(dǎo)體膜之后形成柵絕 緣膜并且形成柵電極。本發(fā)明的第 一 蝕刻可以是濕蝕刻。本發(fā)明的第一蝕刻可以是使用緩沖的氳氟酸的濕蝕刻。本發(fā)明的第 一 蝕刻可以是干蝕刻。本發(fā)明的第一蝕刻可以是使用CH4 (曱烷)氣體的干蝕刻。 本發(fā)明的第二蝕刻可以是濕蝕刻。本發(fā)明的第二蝕刻可以是使用光刻膠的顯影溶液的濕蝕刻。本發(fā)明的第二蝕刻可以是使用有機(jī)堿溶液的濕蝕刻。本發(fā)明的第二蝕刻可以是使用TMAH (四甲基氫氧化銨)的濕蝕刻。本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的一個方面具有柵電極、在柵電極之上的 柵絕緣膜、在柵絕緣膜之上的包含金屬材料的第一膜、在第一膜之上 的包舍透明半導(dǎo)體材料和n型或p型雜質(zhì)的第二膜、以及在第二膜和柵 絕緣膜之上的包含透明半導(dǎo)體材料的第三膜。本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的一個方面具有在襯底之上的絕緣膜、在 絕緣膜之上的包含金屬材料的第一膜、在金屬膜之上的包含透明半導(dǎo) 體材料和n型或p型雜質(zhì)的第二膜、在絕緣膜和第二膜之上的包含透明 半導(dǎo)體材料的第三膜、在第三膜之上的柵絕緣膜、和在柵絕緣膜之上的柵電極。本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的制造方法的一個方面具有以下步驟在襯 底之上形成絕緣膜；在絕緣膜之上形成包含金屬材料的第一膜；在第 一膜之上形成包含透明半導(dǎo)體材料和n型或p型雜質(zhì)的第二膜；蝕刻第 二膜；和蝕刻第一膜。本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的制造方法的一個方面具有以下步驟在襯 底之上形成柵電極；在柵電極之上形成柵絕緣膜；在柵絕緣膜之上形 成包含金屬材料的第一膜；在第二膜之上形成包含透明半導(dǎo)體材料和 n型或p型雜質(zhì)的第二膜；蝕刻第二膜；和蝕刻第一膜。在頂柵半導(dǎo)體器件中，通過使用玻璃襯底、氧化硅膜或氧氮化硅 膜形成的基膜不被蝕刻，并且諸如鈉的雜質(zhì)不從襯底擴(kuò)散到半導(dǎo)體膜 中，使得其特性不劣化。在底柵半導(dǎo)體器件中，柵絕緣膜不被蝕刻并且其特性不會變得不穩(wěn)定。由于對于源電極和漏電極的一部分使用Al,因此可以獲得低電阻 的引線。


在附圖中，圖1A和圖1B表示本發(fā)明的半導(dǎo)體器件；圖2A 2D表示本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的制造步驟；圖3A 3D表示本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的制造步驟；圖4A和圖4B表示本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的制造步驟；圖5A 5D表示本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的制造步驟；圖6A 6C表示本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的制造步驟；圖7A和圖7B表示常規(guī)的例子；圖8A和圖8B表示液晶顯示器的制造步驟；圖9A和圖9B表示液晶顯示器的制造步驟；圖IOA和圖IOB表示發(fā)光器件的制造步驟；圖IIA和圖IIB表示發(fā)光器件的制造步驟；圖12A 12F分別表示發(fā)光器件的等效電路。圖13表示發(fā)光器件的等效電路。圖14A表示像素部分的頂部前視圖，圖14B表示發(fā)光器件的等效電路；圖15A 15E分別表示應(yīng)用本發(fā)明的電子裝置的例子； 圖16表示應(yīng)用本發(fā)明的電子裝置的例子。以下參照

本發(fā)明的實施例。注意，本發(fā)明不限于以下的 說明，并且本領(lǐng)域技術(shù)人員很容易理解可以在不背離本發(fā)明的目的和 范圍的條件下以各種方式修改這里公開的實施例和細(xì)節(jié)。因此，本發(fā) 明不應(yīng)被解釋為限于以下給出的實施例的說明。
具體實施方式
[實施例l這里說明底柵半導(dǎo)體器件。圖1A是示出本發(fā)明的實施例的一個例子的截面圖。在圖1A中， 附圖標(biāo)記l表示襯底，3表示柵電極，5表示柵絕緣膜、IO表示源電極， 10a表示第一導(dǎo)電膜，10b表示第二導(dǎo)電膜，ll表示漏電極，lla表示第 一導(dǎo)電膜，llb表示第二導(dǎo)電膜，13表示半導(dǎo)體膜?？梢栽诎雽?dǎo)體膜13 之上形成用于鈍化或平坦化的絕緣膜。在襯底1之上形成柵電極3，在柵電極3之上形成^1H色緣膜5，并且 在柵絕緣膜5之上形成源電極10和漏電極11。源電極10由具有第一導(dǎo)電 膜10a與第二導(dǎo)電膜10b的疊層膜形成，并且漏電極ll由具有第一導(dǎo)電 膜lla與第二導(dǎo)電膜llb的疊層膜形成?？梢栽诘谝粚?dǎo)電膜10a和第二導(dǎo) 電膜10b之間或者在笫一導(dǎo)電膜lla和第二導(dǎo)電膜llb之間形成第三導(dǎo) 電膜。源電極10和漏電極11可分別形成為通過柵絕緣膜5與柵電極3部 分重疊。在源電極10之上形成半導(dǎo)體膜13并且在柵絕緣膜5之上形成漏 電極ll。這里說明各結(jié)構(gòu)。(1) 襯底對于形成襯底，可以使用通過使用玻璃村底形成的襯底、諸如氧 化鋁的絕緣材料和可以在后續(xù)步驟中抵抗處理溫度的塑料襯底等。在 對于襯底l使用塑料襯底的情況下，可以使用PC (聚碳酸酯)、PES(聚醚砜)、PET (聚對苯二甲酸乙二酯)或PEN (聚萘二曱酸乙二 酯)等。在塑料襯底的情況下，可以在表面的上方設(shè)置無機(jī)層或有機(jī) 層作為的氣體阻擋層。在在塑料襯底的制造過程中在襯底上產(chǎn)生由灰 塵等形成的突出物的情況下，可以在用CMP等拋光襯底以使其表面平 坦化之后使用該村底?？梢栽谝r底l之上形成用于防止雜質(zhì)等從襯底側(cè) 擴(kuò)散的諸如氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)、氧氮化硅(SiOxNy)(x>y )和氮氧化硅(SiNxOy ) ( x>y )的絕緣膜。(2) 柵電極可以通過使用A1 (鋁)膜、W (鴒)膜、Mo (鉬)膜、Ta (鉭) 膜、Cu (銅)膜、Ti (鈦)膜或包含這些元素作為主要成分的合金材料(例如，AI合金膜、MoW (鉬鵠)合金膜)等形成柵電極?？梢允?用以摻雜有諸如P (磷)的雜質(zhì)元素的多晶硅膜為代表的半導(dǎo)體膜。 柵電極3可以是單層或其中層疊兩層或更多層的疊層膜。 (3 )柵絕緣膜可以通過使用例如氧化硅膜和氧氮化硅膜的包含硅作為主要成 分的絕緣膜形成柵絕緣膜5。另外，它可以是單層或疊層膜。(4) 源電極和漏電極源電極10由第一導(dǎo)電膜10a與第二導(dǎo)電膜10b的疊層膜形成，并且 漏電極ll由第一導(dǎo)電膜lla與第二導(dǎo)電膜llb的疊層膜形成。作為第一導(dǎo)電膜，可以使用A1膜、諸如AINi (鋁鎳)膜和AlNd (釹鋁)膜的A1合金膜。作為第二導(dǎo)電膜，可以使用其中添加B(硼)、 Al(鋁)、Ga(鎵)、P(礴)或As(砷)的p型或n型雜質(zhì)的ZnO (氧 化鋅)?？梢栽诘谝粚?dǎo)電膜和第二導(dǎo)電膜之間設(shè)置諸如Ti膜的金屬膜 作為第三導(dǎo)電膜。(5) 半導(dǎo)體膜使用ZnO膜作為半導(dǎo)體膜。由于與半導(dǎo)體膜接觸的源電極和漏電 極具有其中添加p型或n型雜質(zhì)的ZnO膜，因此它們可以很容易地與半 導(dǎo)體膜連接。(6 )絕緣膜雖然沒有示出，但可以在半導(dǎo)體膜13之上形成諸如鈍化膜和平坦 化膜的絕緣膜。可以使用氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)、氧氮化 硅(SiOxNy) ( x>y)和氮氧化硅(SiNxOy) ( x>y) 、 SOG (旋涂 玻璃)膜或丙烯的有機(jī)樹脂膜或它們的疊層膜。在底柵半導(dǎo)體器件中，柵絕緣膜在制造過程中不被蝕刻，并且特 性不會變得不穩(wěn)定。對于源電極和漏電極的一部分使用A1，由此實現(xiàn) 低電阻的引線。[實施例2這里說明頂柵半導(dǎo)體器件。圖1B是示出本發(fā)明的實施例的一個例子的截面圖。在圖1B中，附圖標(biāo)記l表示襯底，20表示絕緣膜、25表示源電極，25a表示第一導(dǎo) 電膜，25b表示第二導(dǎo)電膜，26表示漏電極，26a表示第一導(dǎo)電膜，26b 表示第二導(dǎo)電膜，27表示半導(dǎo)體膜，28表示柵絕緣膜，29表示柵電極。 可以在柵電極之上形成用于鈍化或平坦化的絕緣膜。在襯底1上形成絕緣膜20，并且在絕緣膜20之上形成源電極25和 漏電極26。源電極25由第 一導(dǎo)電膜25a與第二導(dǎo)電膜25b的疊層膜形成， 并且漏電極26由第一導(dǎo)電膜26a與第二導(dǎo)電膜26b的疊層膜形成?？梢?在第 一導(dǎo)電膜25a和第二導(dǎo)電膜25b之間或者在第 一導(dǎo)電膜26a和第二 導(dǎo)電膜26b之間形成第三導(dǎo)電膜。在源電極25之上形成半導(dǎo)體膜27并且 在絕緣膜20之上形成漏電極26，在半導(dǎo)體膜27之上形成柵絕緣膜28， 并且在柵絕緣膜28之上形成柵電極29。柵電極29可形成為與源電極和 漏電極部分重疊，使得柵絕緣膜28和半導(dǎo)體膜27被插入它們之間。這里說明各結(jié)構(gòu)。對于襯底，可以使用與在實施例1中說明的那些相同的源電極、 漏電極、半導(dǎo)體膜和柵電極。(1)在村底之上的絕緣膜在襯底l之上形成氧化硅膜和氧氮化硅膜作為用于防止雜質(zhì)等從 襯底側(cè)擴(kuò)散的絕緣膜20。另外，它可以是單層或疊層膜。 (2 )柵絕緣膜可以通過使用例如氧化硅膜、氧氮化硅膜、氮氧化硅膜和氮化硅 膜的包含硅作為主要成分的絕緣膜形成柵絕緣膜28。另外，它可以是 單層或疊層膜。(3)在柵電極之上的絕緣膜雖然沒有示出，但在柵電極29之上形成諸如鈍化膜和平坦化膜的 層間絕緣膜?？梢允褂肧iOx膜、SiNx膜、SiON膜、SiNO膜、SOG (旋 涂玻璃)膜和丙烯的有機(jī)樹脂膜或它們的疊層膜。在頂柵半導(dǎo)體器件中，村底或通過使用氧化硅膜或氧氮化硅膜形 成的基膜不被蝕刻，使得諸如鈉的雜質(zhì)不從襯底擴(kuò)散到半導(dǎo)體膜中， 并且特性不劣化。對于源電極和漏電極的一部分使用A1，由此實現(xiàn)低電阻的引線。[實施例3]說明底柵半導(dǎo)體器件的制造方法，其中，在柵電極之上形成氧化 硅膜或氧氮化硅膜作為柵絕緣膜，形成Al膜或Al合金膜作為第 一導(dǎo)電 膜，形成其中添加n型或p型雜質(zhì)的ZiiO膜作為第二導(dǎo)電膜，然后，第 二導(dǎo)電膜通過第 一蝕刻被蝕刻為具有島狀形狀并且第 一導(dǎo)電膜通過第 二蝕刻被蝕刻為具有島狀形狀以形成源電極和漏電極，并且，形成ZnO 半導(dǎo)體膜。如圖2A所示，形成柵電極3。在襯底l之上的柵電極的厚度可以為 10~200nm?？梢酝ㄟ^使用實施例l所示的材料形成村底l。這里，使用 玻璃4于底?？梢酝ㄟ^CVD或濺射形成厚度為10 200nm的包含氧化硅 (SiOx)、氮化硅(SiNx)、氧氮化硅(SiOxNy) (x>y)和氮氧化 硅(SiNxOy) (x〉y)的絕緣膜2，以防止雜質(zhì)等從襯底側(cè)擴(kuò)散(圖2B)。可以通過用高密度等離子處理襯底1的表面形成絕緣膜2。例如， 可以通過使用2.45GHz的微波產(chǎn)生高密度等離子，并且僅要求電子密 度為l x 1011 1 x 10"/cn^并且電子溫度為2eV或更低。這種高密度等離 子具有較低的動能的活性物質(zhì)，并且，與常規(guī)的等離子處理相比，可 以形成由等離子造成的損傷更少的具有更少的缺陷的膜。可以在諸如包含氮氣和惰性氣體的氣氛，包含氮氣、氫氣和惰性 氣體的氣氛，以及包含氨氣和惰性氣體的氣氛的氮化氣氛下通過高密 度等離子處理氮化襯底l的表面。在使用玻璃襯底作為經(jīng)受高密度等離 子氮化處理的村底l的情況下，作為在襯底l的表面之上形成的氮化物 膜，可以形成包含氮化硅作為主要成分的絕緣膜2?？梢酝ㄟ^使用通過 等離子CVD在氮化物膜的上方形成氧化硅膜或氧氮化硅膜的多個層 來形成絕緣膜2。另外，可以類似地通過用高密度等離子在絕緣膜2的表面之上進(jìn) 行氮化形成氮化物膜。通過用高密度等離子氮化形成的氮化物膜可抑制雜質(zhì)從襯底l的擴(kuò)散?？梢酝ㄟ^使用實施例1所示的材料形成柵電極3。這里，通過使用 AlNd (鋁釹)靶材的濺射形成AlNd膜并將其處理成島狀形狀。對于將 膜處理成島狀形狀，使用光刻方法，并且使用干蝕刻或濕蝕刻。在清洗柵電極3的表面和襯底1或絕緣膜2的表面之后，在柵電極3 之上通過使用已知的CVD或濺射形成厚度為10 200nm的柵絕緣膜5 (圖2A和圖2B)?？梢栽诓槐┞队诳諝獾那闆r下連續(xù)實施表面清洗步 驟和柵絕緣膜5的形成步驟。在對于柵電極3使用A1膜的情況下，當(dāng)在 高溫下形成柵絕緣膜5時，在一些情況下產(chǎn)生隆起(hillock)。因此， 優(yōu)選地，在500。C或更低、優(yōu)選350。C或更低的低溫下形成膜?？梢酝ㄟ^使用實施例1所示的材料形成柵絕緣膜5。這里，形成氧 化硅膜。注意，在以下的附圖中省略絕緣膜2。在柵絕緣膜5上形成厚度為10 200nm的用于源電極和漏電極的 第一導(dǎo)電膜6。可以通過使用實施例1所示的材料形成第一導(dǎo)電膜6。這 里，使用AlNi (鋁鎳)膜或AlNd膜?？梢酝ㄟ^使用AlNi靶材或AlNd 耙材的濺射形成第一導(dǎo)電膜6。在形成柵絕緣膜5之后，可以在不暴露 于空氣的情況下連續(xù)形成第一導(dǎo)電膜6。在第一導(dǎo)電膜6上形成厚度為10 200nm的第二導(dǎo)電膜7(圖2C)。 可以通過使用實施例1所示的材料形成7。這里，使用其中添加諸如A1 或Ga的雜質(zhì)的ZnO (氧化鋅)。因此，可以很容易地在第二導(dǎo)電膜7 和后面形成為半導(dǎo)體層的ZnO膜之間產(chǎn)生歐姆接觸?？梢酝ㄟ^使用濺 射形成第二導(dǎo)電膜7。例如，對于添加Al或Ga可以^使用以下的方法 使用其中添加1 10重量％的Al或Ga的ZnO靶材的濺射；或在 200 300。C下在ZnO靶材上安裝Al或Ga芯片的濺射。在形成第一導(dǎo)電膜6之后，可以在不暴露于空氣的情況下連續(xù)形 成第二導(dǎo)電膜7。因此，可以在不暴露于空氣的情況下連續(xù)實施從柵絕 緣膜5到第二導(dǎo)電膜7的形成。在第 一導(dǎo)電膜6和第二導(dǎo)電膜7之間形成厚度為10 200nm的第三 導(dǎo)電膜8 (圖2D)。接觸電阻根據(jù)制造過程中的熱處理溫度在第一導(dǎo)電膜6和第二導(dǎo)電膜7之間偶爾增加。但是，通過形成第三導(dǎo)電膜8，可 減小第 一導(dǎo)電膜6與第二導(dǎo)電膜7之間的接觸電阻。可以通過使用諸如 通過濺射等形成的Ti膜的金屬膜形成第三導(dǎo)電膜8。在第二導(dǎo)電膜7之上形成光刻膠掩模9，并且第二導(dǎo)電膜7被蝕刻 (圖3A和圖3B)。在使用濕蝕刻的情況下，使用例如HF:NH4F (重量 比)=1:100~1:10的溶液的緩沖的氫氟酸(其中混合了HF (氫氟酸) 和NH4F (氟化氨))。在使用干蝕刻的情況下，可以采用使用CH4氣體的各向異性等離 子蝕刻。在第二導(dǎo)電膜7之下形成第一導(dǎo)電膜6。因此，當(dāng)?shù)诙?dǎo)電膜7被 蝕刻時，第一導(dǎo)電膜6用作蝕刻阻止層。因此，在蝕刻中可以在不損傷 柵絕緣膜5的情況下形成源電極和漏電極。當(dāng)?shù)诙?dǎo)電膜7被蝕刻時，笫一導(dǎo)電膜6的一部分會被蝕刻。但是， 由于如果第一導(dǎo)電膜6被完全蝕刻，則柵絕緣膜受損，因此需要注意不 要完全蝕刻第一導(dǎo)電膜6。然后，通過使用光刻膠掩模9蝕刻第一導(dǎo)電膜6形成源電極10和漏 電極ll (圖3C)。在本發(fā)明中，通過使用以作為光刻膠的顯影劑的 TMAH (四甲基氫氧化銨)為代表的有機(jī)堿溶液蝕刻第一導(dǎo)電膜6。在對于第 一導(dǎo)電膜6使用AlNi膜并且對于蝕刻溶液使用TMAH的 情況下，在30。C下蝕刻速率為約300nm/min。另一方面，使用上述材 料的第二導(dǎo)電膜7或柵絕緣膜5不被TMAH蝕刻。因此，可以在不損傷 柵絕緣膜5的情況下形成源電極10和漏電極11。并且，島狀形狀的第二 導(dǎo)電膜10b和llb的尺寸不會減小。在本發(fā)明中，可以通過使用當(dāng)在不 使用特定的蝕刻溶液的情況下形成光刻膠掩模時使用的顯影劑蝕刻第 一導(dǎo)電膜6。因此，成本降低并且效率增加。在形成源電極10和漏電極11之后，光刻膠掩才莫9被去除。在源電極IO、漏電極11和柵絕緣膜5之上通過濺射形成厚度為 20 200nm的ZnO膜作為半導(dǎo)體膜12(圖3D)。例如，可以在200 300。C 下通過使用ZnO靶材、氧氣/氬氣的流量比為30~20的濺射形成膜。通過光刻方法蝕刻半導(dǎo)體膜12以形成島狀形狀的半導(dǎo)體膜13(圖 4A)?？梢圆捎檬褂镁彌_的氫氟酸的濕蝕刻方法或使用CH4氣體的各 向異性干蝕刻方法。在半導(dǎo)體膜12和第二導(dǎo)電膜10b和llb中通常使用ZnO，并且，難 以獲得足夠的蝕刻選擇性。但是，由于要求在與半導(dǎo)體膜12接觸的一 部分中形成第二導(dǎo)電膜7，因此可以在例如引線部分的不與半導(dǎo)體膜12 接觸的一部分中蝕刻第二導(dǎo)電膜7。在上述的蝕刻方法中，第二導(dǎo)電膜 10b和llb可被蝕刻，但第一導(dǎo)電膜10a和lla不被蝕刻。因此，第一導(dǎo) 電膜10a和lla用作引線，并且與半導(dǎo)體器件的電連接得到保證。通過CVD或濺射在半導(dǎo)體膜13之上形成厚度為50nm ljLim的絕 緣膜14 (圖4B)?？梢孕纬砂枳鳛橹饕煞值慕^緣膜作為絕緣膜 14。可以在包含硅的絕緣膜之上層疊有機(jī)樹脂膜等。絕緣膜14用作平 坦化膜或鈍化膜。由于在源電極10和漏電極11內(nèi)包含A1，因此當(dāng)在高 溫下形成絕緣膜14時偶爾產(chǎn)生隆起。因此，優(yōu)選地，在500。C或更低、 優(yōu)選350。C或更低的低溫下形成。在絕緣膜14中形成接觸孔，并且，如有必要設(shè)置與柵電極3、源 電極10和漏電極11接觸的導(dǎo)電膜。根據(jù)本發(fā)明，在不損傷柵絕緣膜的情況下形成半導(dǎo)體器件。使用 諸如A1M膜的Al合金膜作為第一導(dǎo)電膜，由此實現(xiàn)低電阻的引線。[實施例4這里，說明頂柵半導(dǎo)體器件的制造方法，其中，在氧化硅膜或氧 氮化硅膜上形成A1膜或Al合金膜作為第一導(dǎo)電膜，并且形成其中添加n 型或p型雜質(zhì)的ZnO膜作為第二導(dǎo)電膜，然后，第二導(dǎo)電膜通過第一蝕 刻形成為具有島狀形狀，第一導(dǎo)電膜通過第二蝕刻形成為具有島狀形 狀以形成源電極和漏電極，形成ZnO半導(dǎo)體膜，形成柵絕緣膜，并且 形成柵電極。注意，不用說，在實施例1 3中說明的材料和制造方法可 浮皮應(yīng)用于本實施例。如圖5A所示，通過CVD或濺射以10 200nni的厚度在村底l之上形 成氧化硅(SiOx)膜作為絕緣膜20。絕緣膜20防止雜質(zhì)等從襯底1側(cè)擴(kuò)散。在絕緣膜20之上通過濺射或蒸鍍形成厚度為10 200nm的用于源 電極和漏電極的第一導(dǎo)電膜21?？梢允褂弥T如在實施例l中示出的AlNi (鋁鎳)膜的A1合金膜作為第一導(dǎo)電膜21。在形成絕緣膜20之后，可 以在不暴露于空氣的情況下連續(xù)形成第一導(dǎo)電膜21。在第一導(dǎo)電膜21上通過濺射形成厚度為10 200nm的第二導(dǎo)電膜 22(圖5A)。作為第二導(dǎo)電膜22，可以使用其中添加B(硼)、Al(鋁)、 Ga (鎵)、P (磷)或As (砷)等的p型或n型雜質(zhì)的ZnO (氧化鋅)。 在形成第一導(dǎo)電膜21之后，可在不暴露于空氣的情況下連續(xù)形成第二 導(dǎo)電膜22。因此，可以在不暴露于空氣的情況下連續(xù)實施形成絕緣膜 20到第二導(dǎo)電膜22的步驟。為了減小第一導(dǎo)電膜21與第二導(dǎo)電膜22之間的接觸電阻，可以在 第一導(dǎo)電膜21和第二導(dǎo)電膜22之間通過濺射形成厚度為10 200nm的 諸如Ti膜的金屬膜作為第三導(dǎo)電膜23 (圖5B)。在第二導(dǎo)電膜22之上形成光刻膠掩模24 ，并且蝕刻第二導(dǎo)電膜22 (圖5C)。作為蝕刻方法，可以采用使用緩沖的氫氟酸的濕蝕刻或使 用CH4氣體的干蝕刻方法。在第二導(dǎo)電膜22之下形成第一導(dǎo)電膜21。因此，當(dāng)?shù)诙?dǎo)電膜22 被蝕刻時，第一導(dǎo)電膜21用作蝕刻阻止層。因此，可以在不通過蝕刻 絕緣膜20露出襯底1的情況下形成源電極和漏電極。當(dāng)?shù)诙?dǎo)電膜22被蝕刻時，第一導(dǎo)電膜21的一部分可被蝕刻。注 意，如果所有的第一導(dǎo)電膜21被蝕刻，那么絕緣膜20被蝕刻并且襯底1 被露出，這會導(dǎo)致在襯底l中包含的雜質(zhì)的擴(kuò)散。第一導(dǎo)電膜21被蝕刻以形成源電極25和漏電極26 (圖5D)。作為 蝕刻方法，采用使用光刻膠的顯影劑TMAH的濕蝕刻。因此，可以在 不蝕刻絕緣膜20的情況下形成源電極25和漏電極26。并且，由于ZnO 膜不會被TMAH蝕刻，所以島狀形狀的第二導(dǎo)電膜25b和26b的尺寸不 會減小?？梢栽诓粚Φ谝粚?dǎo)電膜21使用特殊的蝕刻溶液的情況下用在 光刻膠掩模的形成中使用的顯影劑進(jìn)行蝕刻，這導(dǎo)致成本降低和效率提高。
在形成源電極25和漏電極26之后，去除光刻膠掩模24。 在源電極25、漏電極26和絕緣膜20之上通過賊射形成厚度為
20 200nm的ZnO膜作為半導(dǎo)體膜27 (圖6A)。
通過光刻方法蝕刻半導(dǎo)體膜27以制成島狀形狀半導(dǎo)體膜27。作為
蝕刻方法，可以采用使用緩沖的氫氟酸的濕蝕刻或使用CH4氣體的千
蝕刻方法。
對于半導(dǎo)體膜27和第二導(dǎo)電膜25b和26b通常使用ZnO，并且，難 以獲得較高的蝕刻選擇性。但是，由于可與實施例3相同地在源電極和 漏電極中形成第二導(dǎo)電膜22，因此可以在不與半導(dǎo)體膜27接觸的部分
特別是在引線部分中蝕刻第二導(dǎo)電膜。
在半導(dǎo)體膜27之上通過CVD或濺射形成厚度為10 200nm的柵絕 緣膜28(圖6B)。半導(dǎo)體膜27可經(jīng)受在上述的實施例中示出的高密度 等離子處理以形成柵絕緣膜?？梢栽谥T如包含氮氣和惰性氣體的氣氛， 包含氮氣、氫氣和惰性氣體的氣氛和包含氨氣和惰性氣體的氣氛的氮 化氣氛下通過高密度等離子處理氮化半導(dǎo)體膜27的表面。
可以通過使用例如氧化硅膜、氧氮化硅膜、氮化硅膜和氮氧化硅 膜的包含硅作為主要成分的絕緣膜形成柵絕緣膜28。另外，它可以是 單層或疊層膜。
在柵絕緣膜28之上形成柵電極29 (圖6B)。可以通過使用上述的 實施例所示的材料形成柵電極29，并且它可以是單層或包含兩個或更 多層的疊層膜。作為用于成膜的方法，可以使用已知的CVD濺射或蒸 鍍等。對于用光刻方法將柵電極29處理成島狀形狀，可以使用干蝕刻 或濕蝕刻方法。
在柵電極29和沖冊絕緣膜28之上通過CVD或濺射形成厚度為 50nm ljam的絕緣膜30 (圖6C)?？梢酝ㄟ^使用包含硅的絕緣膜形成 絕緣膜30。可以在包含硅的絕緣膜之上層疊有機(jī)樹脂膜等。絕緣膜30 用作平坦化膜或鈍化膜。由于在源電極25和漏電極26中包含A1，因此， 當(dāng)在高溫下形成柵絕緣膜28、柵電極29和絕緣膜30時，偶爾產(chǎn)生隆起(hillock)。因此，優(yōu)選地，在500。C或更低、優(yōu)選350。C或更低的低 溫下形成它們。
如上所述，本發(fā)明可防止雜質(zhì)由于襯底1的露出而擴(kuò)散。諸如A1M 膜的AI合金膜被用作第一導(dǎo)電膜，由此實現(xiàn)引線的低電阻。 [實施例5]
這里參照圖8A和圖8B以及圖9A和圖9B說明通過使用實施例1 3 所示的底柵半導(dǎo)體器件制造液晶顯示器的方法。注意，不用說，可以 應(yīng)用在實施例2和4中示出的頂柵半導(dǎo)體器件。圖8A和圖9A表示沿圖 8B中的線X-Y切取的截面圖。
在玻璃襯底或塑料襯底l之上形成柵極引線40和輔助電容器引線 41。通過濺射然后通過已知的光刻方法和蝕刻形成AlNd膜。
通過使用通過CVD或濺射形成的氧化硅膜或氧氮化硅膜形成柵 絕緣膜42。
在柵絕緣膜42之上通過濺射形成AlNi膜作為第一導(dǎo)電膜。第一導(dǎo) 電膜在后面形成源電極45a、漏電極46a和源極引線47。
在第一導(dǎo)電膜之上通過濺射形成其中添加Al的ZnO (氧化鋅)膜 作為第二導(dǎo)電膜。第二導(dǎo)電膜在后面形成源電極45b、漏電極46b和源 極引線47。
在第二導(dǎo)電膜(圖中未示出)之上，在要成為源電極部分、漏電 極部分和源極引線部分的區(qū)域中形成光刻膠掩模。然后，蝕刻第二導(dǎo) 電膜。這里，通過使用緩沖的氫氟酸即HF:NH4F-1:100 (重量比)的 溶液進(jìn)行蝕刻。
然后，通過使用TMAH溶液蝕刻第一導(dǎo)電膜以形成源電極45a、 漏電極46a和源極引線47。此后，光刻膠掩模4皮去除。然后，可以在不 損傷柵絕緣膜42的情況下形成源電極45、漏電極46和源極引線47。另 外，由于ZnO膜不被TMAH蝕刻，因此島狀形狀的第二導(dǎo)電膜的尺寸 不會減小。并且，由于AlNi膜被用于第一導(dǎo)電膜，因此源極引線的電 阻可減小。
然后，形成半導(dǎo)體膜48。通過濺射形成ZnO膜，然后，通過光刻方法和蝕刻從ZnO膜形成半導(dǎo)體膜48。作為蝕刻，采用使用緩沖的氬 氟酸的濕蝕刻。這里，由于在要成為引線的部分中形成第一導(dǎo)電膜， 因此第二導(dǎo)電膜中的不與半導(dǎo)體膜48接觸的部分可被部分去除。
在半導(dǎo)體膜48之上通過CVD、濺射或涂敷等形成絕緣膜49?？梢?通過使用具有包含硅的絕緣膜或有機(jī)樹脂膜等的疊層膜形成絕緣膜 49。絕緣膜49可以是使得表面的不均勻性平坦化的膜。
通過使用光刻方法和蝕刻方法在絕緣膜49中形成通向漏電極46 的接觸孔和用于輔助電容器的接觸孔。
通過濺射形成透明導(dǎo)電膜，然后，通過使用光刻方法和蝕刻形成 像素電極50。例如，可以使用ITO (氧化銦錫)、ITSO (包含氧化硅 的氧化銦錫)或IZO (氧化銦鋅)。
在反射型液晶顯示器的情況下，作為透明電極的替代，形成諸如 Ag (銀)、Au (金)、Cu (銅)、W (鎢)或AI (鋁)的反光金屬 材料。
像素電極50與輔助電容器引線41重疊的部分形成由像素電極50、 柵絕緣膜42和輔助電容器引線41形成的輔助電容器100 (圖8A和圖 8B)。
在引線和電極中，彎曲部分或?qū)挾雀淖兊牟糠值慕强杀黄交?修圓。可以通過使用采用光掩模的圖案制造的光掩模圖案實現(xiàn)斜切的 角的形狀。這將具有下述的優(yōu)點。當(dāng)進(jìn)行使用等離子的干蝕刻時，可 以通過斜切突出部分來抑制由于異常放電(discharge)導(dǎo)致的細(xì)粒子 的產(chǎn)生。即使產(chǎn)生細(xì)粒子，也可在清洗時防止細(xì)粒子在角上蓄積，并 且可通過斜切凹進(jìn)的部分將細(xì)粒子洗去。因此，可以解決制造過程中 的細(xì)粒子或灰塵的問題，并且可提高產(chǎn)量。
形成取向膜51，以使其覆蓋像素電極50。通過液滴排放方法或印 刷等形成取向膜。在形成取向膜之后，進(jìn)行摩擦。
通過使用著色層和光屏蔽層(黑矩陣)形成濾色片55，并且，在 相對襯底56上形成保護(hù)絕緣膜54。在保護(hù)絕緣膜54上形成透明電極57 并且形成取向膜53 (圖9A)。對取向膜進(jìn)行摩擦處理。然后，通過液滴排放方法形成密封劑的閉合圖案75 (圖9B)。用 液晶組合物52填充由密封劑包圍的區(qū)域(圖9A)。
在將液晶組合物52滴在閉合圖案75中之后，相對襯底56和其中形 成半導(dǎo)體器件的襯底l被相互固定。當(dāng)填充液晶組合物52時，可以采用 以下的替代方案在襯底l上設(shè)置具有開口部分的密封圖案；將相對襯 底56和襯底1相互貼合；然后，通過利用毛細(xì)作用注入液晶。
作為液晶組合物52的對準(zhǔn)模式，可以使用液晶分子的排列從光入 射側(cè)到光發(fā)射側(cè)扭曲90。的TN模式、FLC模式或IPS模式等。注意，電 極圖案與圖8B所示的電極圖案不同，并且在IPS模式的情況下為梳狀 形狀。
偏振片被固定到相對襯底56和其上面形成了半導(dǎo)體器件的村底1 上。另外，如果需要的話可以固定光學(xué)膜。
可以通過分散球形隔離件或形成由樹脂形成的柱狀隔離件或通 過在密封劑中混入填充物來保持相對襯底56和其上面形成了半導(dǎo)體器 件的襯底l之間的距離。上述的柱狀隔離件由包含丙烯酸樹脂、聚酰亞 胺、聚酰亞胺酰胺(polyimide amide )或環(huán)氧樹脂中的至少一種作為 主要成分的有機(jī)樹脂材料，或者具有氧化硅、氮化硅和含氮的氧化硅 中的一種的無機(jī)材料，或者它們的疊層膜形成。
然后，通過使用已知的技術(shù)將FPC (柔性印刷電路)貼合到襯底 l上，使得各向異性導(dǎo)電層被插入其間。
可以在襯底之上形成外圍驅(qū)動電路。在圖9B中示出示例性平面圖。
在由玻璃等形成的襯底61之上形成4冊極引線驅(qū)動電路62、源極引 線驅(qū)動電路63和有源矩陣部分64。柵極引線驅(qū)動電路62至少由移位寄 存器62a和緩沖器62b構(gòu)成。源極引線驅(qū)動電路63至少由移位寄存器 63a、緩沖器63b和對通過視頻線68傳送的視頻信號進(jìn)行采樣的模擬開 關(guān)69構(gòu)成。從柵極引線驅(qū)動電路62延伸的多個柵極引線72在有源矩陣 部分64中相互平行排列。從源極引線驅(qū)動電路63延伸的多根源極引線 71與柵極引線72正交排列。另外，輔助電容器引線73與柵極引線72平行排列。另外，半導(dǎo)體器件65、液晶部分66和輔助電容器67被設(shè)置在 被柵極引線72、源極引線71和輔助電容器引線73包圍的區(qū)域中。
柵極引線驅(qū)動電路62、源極引線驅(qū)動電路63和模擬開關(guān)69具有通 過與半導(dǎo)體器件65相同的制造方法制成以具有類似的結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器 件。
在半導(dǎo)體器件65中，柵電極與柵極引線72連接，并且源電極與源 極引線71連接。通過在與半導(dǎo)體器件65的漏電極連接的像素電極和在 相對襯底之上的相對電極之間引入并密封液晶來形成液晶部分66。輔 助電容器引線73與具有與相對電極相同的電位的電極連接。
在上述的液晶顯示器中，柵絕緣膜不被蝕刻，并且特性不會變得 不穩(wěn)定，因此實現(xiàn)較高的可靠性。在使用頂柵半導(dǎo)體器件的情況下， 玻璃襯底或通過使用形成的基膜、氧化硅膜或氧氮化硅膜均不會被蝕 刻，使得諸如鈉的雜質(zhì)不從襯底擴(kuò)散到半導(dǎo)體膜中，并且特性不會劣 化，由此可實現(xiàn)較高的可靠性。
對于源電極和漏電極的一部分使用A1，由此實現(xiàn)低電阻的引線。\20和112制造的氧氮氫化硅(silicon oxide nitride hydride)膜作為鈍化膜。注意，鈍化膜不限于上述的物質(zhì)。也 可以使用包含硅作為主要成分的其它絕緣膜。另外，可以使用疊層膜 結(jié)構(gòu)以及單層結(jié)構(gòu)。并且，可以使用氮化碳膜和氮化硅膜的多層膜或 苯乙烯聚合物的多層膜?？梢允褂玫枘せ蝾惤饎偸寄ぁ?br> 然后，密封顯示部分以保護(hù)發(fā)光元件免受促進(jìn)劣化的諸如水的材 料影響。在使用用于密封的相對襯底的情況下，通過使用絕緣密封劑 固定相對襯底以露出外部連接部分。可以用諸如干氮氣的不活潑氣體 填充相對襯底和元件襯底之間的空間，或者，可以通過向整個像素部 分施加密封劑來固定相對襯底。優(yōu)選地，使用紫外線硬化樹脂等作為 密封劑?？梢栽诿芊鈩┲谢旌细稍飫┗蛴糜谑挂r底之間的間隙保持恒 定的粒子。然后，通過將柔性布線板固定到外部連接部分上來完成發(fā) 光器件。
參照圖11A和圖11B示出如上面所述的那樣制造的發(fā)光器件的結(jié) 構(gòu)的一個例子。注意，具有相同功能的部分即使具有不同的形狀有時 也由相同的附圖標(biāo)記表示，并且有時省略解釋。
圖11A表示通過使用透光導(dǎo)電膜形成像素電極50的結(jié)構(gòu)，并且向 襯底1發(fā)射在包含發(fā)光物質(zhì)的層82中產(chǎn)生的光。并且，附圖標(biāo)記86表示 相對襯底。在形成發(fā)光元件之后，通過使用密封劑等將該相對電極牢 固地固定到襯底1上。用具有透光性能等的樹脂85填充相對襯底86與元 件之間的空間以密封發(fā)光元件。因此，可以防止發(fā)光元件由于濕氣等 劣化。優(yōu)選地，樹脂85具有吸濕性能。更優(yōu)選地，具有較高的透光性 能的干燥劑84分散于樹脂85中以防止?jié)駳獾牟焕绊憽D11B表示通過使用具有透光性能的導(dǎo)電膜形成像素電極50和相 對襯底83的結(jié)構(gòu)。因此，如虛線箭頭所示，可以向襯底1和相對襯底86 發(fā)射光。在該結(jié)構(gòu)中，通過在襯底1和相對襯底86外面設(shè)置偏振片88， 可以防止屏幕透明，由此改善可視性。優(yōu)選在偏振片88外面設(shè)置保護(hù) 膜87。
具有顯示功能的本發(fā)明的發(fā)光器件可使用模擬視頻信號或數(shù)字 視頻信號。如果使用數(shù)字視頻信號，那么視頻信號可使用電壓或電流。
當(dāng)發(fā)光元件發(fā)光時，要被輸入到像素的視頻信號可具有恒定的電 壓或恒定的電流。當(dāng)視頻信號具有恒定的電壓時，恒定的電壓被施加 到發(fā)光元件，或者恒定的電流流過發(fā)光元件。
并且，當(dāng)視頻信號具有恒定的電流時，恒定的電壓被施加到發(fā)光 元件，或者恒定的電流流過發(fā)光元件。恒定的電壓#_施加到發(fā)光元件 上的驅(qū)動方法被稱為恒壓驅(qū)動。同時，恒定的電流流過發(fā)光元件的驅(qū) 動方法被稱為恒流驅(qū)動。在恒流驅(qū)動中，不管發(fā)光元件的電阻如何變 化，均流過恒定的電流。根據(jù)本發(fā)明的發(fā)光顯示器及其驅(qū)動方法可使 用上述方法中的任一種。
在發(fā)光器件中，柵絕緣膜不被蝕刻，并且，發(fā)光元件的特性不會 不穩(wěn)定，因此其可靠性較高。在使用頂柵半導(dǎo)體器件的情況下，由于 玻璃村底或者通過使用氧化硅膜或氧氮化硅膜形成的基膜不被蝕刻， 因此使特性劣化的諸如鈉的雜質(zhì)不從村底擴(kuò)散到半導(dǎo)體膜中，所以可
獲得較高的可靠性。
對源電極和漏電極的一部分使用A1，由此實現(xiàn)低電阻的引線。 參照圖12A 12F和圖13等示出在面板和模塊中包舍的像素電路 和保護(hù)電路以及它們的操作。圖10A和圖10B以及圖11A和圖11B分別 表示半導(dǎo)體器件的驅(qū)動TFT 1403的截面圖。開關(guān)TFT1401、電流控制 TFT 1404和擦除器TFT 1406可以在驅(qū)動TFT 1403的同時被制造，并且 可具有與驅(qū)動TFT 1403相同的結(jié)構(gòu)。
圖12A所示的像素包含沿列方向配置的信號線1410和電源線1411 和1412以及沿行方向配置的掃描線1414?！断笏剡€包含開關(guān)TFT 1401、驅(qū)動TFT 1403、電流控制TFT 1404、輔助電容器1402和發(fā)光元件1405。
除了驅(qū)動TFT 1403的柵電極與沿行方向設(shè)置的電源線1412連接 以外，圖12C所示的像素具有與圖12A所示的結(jié)構(gòu)相同的結(jié)構(gòu)。換句話 說，圖12A和圖12C所示的像素具有等效的電路圖。但是，在與通過使 用與在沿行方向配置電源線1412的情況下使用導(dǎo)電層形成電源線的層 不同的層中，通過使用導(dǎo)電層形成在沿列方向配置電源線1412的情況 下(圖12A)形成的電源線。這里，關(guān)注與驅(qū)動TFT 1403的柵電極連 接的引線，并且，為了表示這些引線由不同的層形成，在圖12A和圖 12C中分別地示出其結(jié)構(gòu)。
作為圖12A和圖12C所示的^f象素的特征，驅(qū)動TFT 1403和電流控 制TFT 1404在像素內(nèi)被串聯(lián)，并且優(yōu)選地，設(shè)置驅(qū)動TFT1403的溝道 長度L ( 1403)和溝道寬度W ( 1403)以及電流控制TFT 1404的溝道 長度L ( 1404 )和溝道寬度W ( 1404 )，以滿足L(1403)/W(1403): L(1404)/W(1404) - 5~6000:1。
驅(qū)動TFT 1403在飽和區(qū)域中操作，并用于控制流入發(fā)光元件1405 的電流的電流值。電流控制TFT 1404在線性區(qū)域中操作并用于控制供 給到發(fā)光元件1405的電流。優(yōu)選地，在本實施例中，這兩種TFT在制 造過程中具有相同的導(dǎo)電類型；并且，TFT是n溝道型TFT。驅(qū)動TFT 1403可以是增強(qiáng)模式TFT或耗盡模式TFT。由于電流控制TFT 1404在 具有以上的結(jié)構(gòu)的發(fā)光器件中的線性區(qū)域中操作，因此電流控制TFT 1404的Vgs的輕孩i波動不影響發(fā)光元件1405的電流值。也就是說，可 以通過在飽和區(qū)域中操作的驅(qū)動TFT 1403確定發(fā)光元件1405的電流 值。使用以上的結(jié)構(gòu)，可以補(bǔ)償由于TFT的特性的變化導(dǎo)致的發(fā)光元 件的亮度的變化，由此提供具有改善的圖像質(zhì)量的發(fā)光器件。
在圖12A 12D中所示的各像素中，開關(guān)TFT 1401是要控制向像素 輸入視頻信號，并且當(dāng)開關(guān)TFT 1401被接通時視頻信號被輸入到像素 中。然后，在輔助電容器1402中保持視頻信號的電壓。雖然圖12A和 圖12C表示其中設(shè)置了輔助電容器1402的結(jié)構(gòu)，但本發(fā)明不限于此。 當(dāng)柵電極電容等可用作保持視頻信號的電容器時，未必設(shè)置輔助電容器1402。
除了添加TFT 1406和掃描線1415以外，圖12B所示的像素具有與 圖12A所示的像素結(jié)構(gòu)相同的像素結(jié)構(gòu)。同樣地，除了添加TFT1406 和掃描線1415以外，圖12D所示的像素具有與圖12C所示的像素結(jié)構(gòu)相 同的像素結(jié)構(gòu)。
通過另外設(shè)置掃描線1415來控制TFT 1406的ON和OFF。當(dāng)TFT 1406被接通時，保持在輔助電容器1402中的電荷被放電，由此關(guān)斷電 流控制TFT 1404。換句話i兌，通過i殳置TFT 1406,可以強(qiáng)制產(chǎn)生電流 不流入發(fā)光元件1405中的狀態(tài)。因此，TFT1406可被稱為擦除器TFT。 因此，在圖12B和圖12D所示的結(jié)構(gòu)中，可在將信號寫入所有的像素之 前，與寫入周期的開始同時或緊接其后開始發(fā)光周期；由此增加負(fù)荷 比。
在圖12E所示的像素中，沿列方向配置信號線1410和電源線1411， 并且沿行方向配置掃描線1414。并且，像素包含開關(guān)TFT1401、驅(qū)動 TFT 1403、輔助電容器1402和發(fā)光元件1405。除了添加TFT 1406和掃 描線1415以外，圖12F所示的像素具有與圖12E所示的像素結(jié)構(gòu)相同的 #^素結(jié)構(gòu)。在圖12F所示的結(jié)構(gòu)中，也可以通過^L置TFT 1406增加負(fù) 荷比。
由于在各個像素中設(shè)置TFT ，因此當(dāng)像素密度增加時可以在低電 壓下驅(qū)動有源矩陣發(fā)光器件。因此，可以認(rèn)為有源矩陣發(fā)光器件是有 利的。
雖然本實施例說明了在各個像素中設(shè)置各個TFT的有源矩陣發(fā) 光器件，但也可形成無源矩陣發(fā)光器件。由于在無源矩陣發(fā)光器件中 不在各個像素中設(shè)置TFT ，因此可獲得較高的開口率(aperture ratio )。 在向發(fā)光疊層(stack)的兩側(cè)發(fā)射光的發(fā)光器件的情況下，無源矩陣 發(fā)光器件的透射率增加。
隨后，將說明通過使用圖12E所示的等效電路在掃描線和信號線 上設(shè)置二極管作為保護(hù)電路的情況。
在圖13中，在像素區(qū)域1500中設(shè)置開關(guān)TFT 1401、驅(qū)動TFT1403、輔助電容器1402和發(fā)光元件1405。在信號線1410上設(shè)置二極管 1561和1562。基于以上的實施例，以與開關(guān)TFT1401和驅(qū)動TFT1403 類似的方式制造二極管1561和1562,并且具有柵電極、半導(dǎo)體層、源 電極、漏電極等。二極管1S61和1562通過將柵電極與漏電極或源電極 連接而作為二極管工作。
通過使用與柵電極相同的層形成與二極管1561和1562連接的共 用的等勢線1554和1555。因此，為了將共用的等勢線1554和1555與二 極管的源電極或漏電極連接，必須在柵絕緣層中形成接觸孔。
在掃描線1414上設(shè)置的二極管1563和1564具有類似的結(jié)構(gòu)。并 且，共用的等勢線1565和1566具有類似的結(jié)構(gòu)。
這樣，可以根據(jù)本發(fā)明在輸入階段中同時形成保護(hù)二極管。并且， 保護(hù)二極管的設(shè)置不限于此，并且可以在驅(qū)動電路與像素之間設(shè)置它 們。
在圖14A中說明使用圖12E所示的等效電路的情況下的像素部分 的頂視圖。另外，在圖14B中示出與圖12E中的等效電路相同的等效電 路。圖10A、圖10B、圖11A和圖11B所示的各半導(dǎo)體器件與各個驅(qū)動 TFT1403對應(yīng)。圖10A、圖10B、圖11A和圖11B表示沿圖14A和圖14B 中的線X-Y切取的截面圖。通過使用第一導(dǎo)電膜形成電源線1411、信 號線1410和開關(guān)TFT1401的源電極和漏電極，并且通過使用第二導(dǎo)電 膜形成驅(qū)動TFT 1403的源電極和漏電極。
通過與驅(qū)動TFT 1403相同的方法制造開關(guān)TFT 1401。開關(guān)TFT 1401的漏電極和驅(qū)動TFT 1403的柵電極40通過在與柵絕緣膜42相同 的層中的絕緣膜中形成的接觸孔相互電連接。
通過使用驅(qū)動TFT 1403的柵電極延伸的部分、電源線1411和與柵 絕緣膜42相同的層中的絕緣膜形成輔助電容器1402 。
在隔離壁81的開口部分中形成發(fā)光區(qū)域1420。雖然沒有示出，但 在發(fā)光區(qū)域1420的附近形成隔離壁81。發(fā)光區(qū)域1420的角部分可被修 圓。通過使隔離壁81的開口部分的角部分被修圓，發(fā)光區(qū)域1420的角 部分可被修圓。當(dāng)進(jìn)行使用等離子的干蝕刻以處理隔離壁81時，可以通過使角部分被修圓來抑制由于異常放電導(dǎo)致的細(xì)粒子的產(chǎn)生。
本實施例可在適當(dāng)情況下與以上的實施例的適當(dāng)?shù)慕Y(jié)構(gòu)組合。
[實施例7
作為具有安裝了在以上的實施例中作為例子示出的模塊的根據(jù) 本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的電子裝置，可以舉出諸如攝像機(jī)或數(shù)字照相機(jī) 的照相機(jī)、護(hù)目鏡型顯示器(頭戴式顯示器)、導(dǎo)航系統(tǒng)、音頻再生 裝置(例如，汽車音頻部件)、計算機(jī)、游戲機(jī)、便攜式信息終端(例 如，移動計算機(jī)、蜂窩電話、便攜式游戲機(jī)或電子圖書等)和配備了 記錄介質(zhì)的圖像再生裝置(特別是可再生諸如數(shù)字通用盤(DVD)的 記錄介質(zhì)的內(nèi)容并且具有用于顯示存儲在其中的圖像的顯示器的裝 置)等。在圖15A 15E和圖16中示出這些電子裝置的具體例子。
圖15A表示包含外殼3001 、顯示區(qū)域3003和揚(yáng)聲器3004等的用于 電視接收機(jī)或個人計算機(jī)等的監(jiān)視器。在顯示區(qū)域3003中設(shè)置有源矩 陣顯示器。顯示區(qū)域3003的各像素包含根據(jù)本發(fā)明制造的半導(dǎo)體器件。 通過使用具有該結(jié)構(gòu)的本發(fā)明的半導(dǎo)體器件，可以獲得具有更小的特 性劣化的電4見機(jī)。
圖15B表示包含主體3101、外殼3102、顯示區(qū)域3103、音頻輸入 部分3104、音頻輸出部分3105、操作鍵3106和天線3108的蜂窩電話。 在顯示區(qū)域3103中設(shè)置有源矩陣顯示器。顯示區(qū)域3103的各像素包含 根據(jù)本發(fā)明制造的半導(dǎo)體器件。通過使用具有該結(jié)構(gòu)的本發(fā)明的半導(dǎo) 體器件，可以獲得具有更小的特性劣化的蜂窩電話。
圖15C表示包含主體3201、外殼3202、顯示區(qū)域3203、鍵盤3204、 外部連接端口 3205和指示鼠標(biāo)3206的計算機(jī)。在顯示區(qū)域3203中設(shè)置 有源矩陣顯示器。顯示區(qū)域3203的各像素包含根據(jù)本發(fā)明制造的半導(dǎo) 體器件。通過使用具有該結(jié)構(gòu)的本發(fā)明的半導(dǎo)體器件，可以獲得具有 更小的特性劣化的計算機(jī)。
圖15D表示包含主體3301、顯示區(qū)域3302、開關(guān)3303、操作鍵3304 和紅外端口3305等的移動計算機(jī)。在顯示區(qū)域3302中設(shè)置有源矩陣顯 示器。顯示區(qū)域3302的各像素包含根據(jù)本發(fā)明制造的半導(dǎo)體器件。通過使用具有該結(jié)構(gòu)的本發(fā)明的半導(dǎo)體器件，可以獲得具有更小的特性 劣化的移動計算機(jī)。
圖15E表示包含外殼3401、顯示區(qū)域3402、揚(yáng)聲器3403、操作鍵 3404和記錄介質(zhì)嵌入部分3405等的便攜式游戲機(jī)。在顯示區(qū)域3402中 設(shè)置有源矩陣顯示器。顯示區(qū)域3402的各像素包含根據(jù)本發(fā)明制造的 半導(dǎo)體器件。通過使用具有該結(jié)構(gòu)的本發(fā)明的半導(dǎo)體器件，可以獲得
具有更小的特性劣化的便攜式游戲機(jī)。
圖16表示包含主體3110、像素區(qū)域3111、驅(qū)動器IC 3112、接收 裝置3113和膜電池3114等的柔性顯示器。接收裝置可從上述的蜂窩電 話的紅外通信端口3107接收信號。在像素區(qū)域3111中設(shè)置有源矩陣顯 示器。像素區(qū)域3111的各像素包含根據(jù)本發(fā)明制造的半導(dǎo)體器件。通 過使用具有該結(jié)構(gòu)的本發(fā)明的半導(dǎo)體器件，可以獲得具有更小的特性 劣化的柔性顯示器。
如上所述，本發(fā)明的應(yīng)用范圍是極寬的，并且本發(fā)明可被應(yīng)用于 所有領(lǐng)域中的電子裝置。
本申請基于2005年11月15日在日本專利局提交的日本專利申請 No. 2005-329806,在此加入其全部內(nèi)容作為參考。附圖標(biāo)記的說明
1:襯底；2:絕緣膜；3:柵電極；5:柵絕緣膜；6:第一導(dǎo)電膜； 7:第二導(dǎo)電膜；8:第三導(dǎo)電膜；9:光刻膠掩模；10:源電極；10a: 源電極、第一導(dǎo)電膜；10b:源電極、第二導(dǎo)電膜；11:漏電極；lla: 漏電極、第一導(dǎo)電膜；lib:漏電極、第二導(dǎo)電膜；12:半導(dǎo)體膜； 13:島狀形狀半導(dǎo)體膜；14:絕緣膜；20:絕緣膜；21:第一導(dǎo)電 膜；22:第二導(dǎo)電膜；23:第三導(dǎo)電膜；24:光刻膠掩模；25:源 電極；25a:源電極、第一導(dǎo)電膜；25b:源電極、第二導(dǎo)電膜；26: 漏電極；26a:漏電極、第一導(dǎo)電膜；26b:漏電極、第二導(dǎo)電膜； 27:半導(dǎo)體膜；28:柵絕緣膜；29:柵電極；30:絕緣膜；40:柵 電極、柵極引線；41:輔助電容器引線；42:柵絕緣膜；45:源電 極；45a:源電極；45b:源電極；46:漏電極；46a:漏電極；46b: 漏電極；47:源極引線；48:半導(dǎo)體膜；49:絕緣膜；50:像素電 極；51:對準(zhǔn)引線；52:液晶組合物；53:取向膜；54:保護(hù)絕緣 膜；55:濾色片；56:相對襯底；61:襯底；62:柵極引線驅(qū)動電 路；62a:移位寄存器；62b:緩沖器；63:源極引線驅(qū)動電路；63a: 移位寄存器；63b:緩沖器；64:有源矩陣部分；65:半導(dǎo)體器件； 66:液晶部分；67:輔助電容器；68:視頻線；69:模擬開關(guān)；71: 源極引線；72:柵極引線；73:輔助電容器引線；75:密封劑；81: 隔離壁；81a:端面；82:包含發(fā)光襯底的層；83:相對電極；84: 干燥劑；85:樹脂；86:相對襯底；87:保護(hù)膜；88:偏振片；100: 輔助電容器；1000: 4于底；1001:源電極；1002:漏電極；1003: 半導(dǎo)體膜；1004:柵絕緣膜；1005:柵電極；1006:基膜；1401: 開關(guān)TFT; 1402:輔助電容器；1403:驅(qū)動TFT; 1404:電流控制TFT; 1405:發(fā)光元件；1406: TFT; 1410:信號線；1411: 電源線；1412:電源線；1414:掃描線；1415:掃描線；1420:發(fā)光 區(qū)域；1500:像素部分；1554:共用的等勢線；1555:共用的等勢線； 1561: 二極管；1562: 二極管；1563: 二極管；1564: 二極管；1565: 共用的等勢線；1566:共用的等勢線；3001:外殼；3003:顯示區(qū)域； 3004:揚(yáng)聲器；3101:主體；3102:外殼；3102:外殼；3103:顯示 區(qū)域；3104:音頻輸入部分；3105:音頻輸出部分；3106:操作鍵； 3107:紅外通信端口； 3108:天線；3110:主體；3111:〗象素部分； 3112:驅(qū)動器IC; 3113:接收裝置；3114:膜電池；3201:主體；3202: 外殼；3203:顯示區(qū)域；3204:鍵盤；3205:外部連接端口； 3206: 指示鼠標(biāo)；3301:主體；3302:顯示區(qū)域；3303:開關(guān)；3304:操作 鍵；3305:紅外端口； 3401:外殼；3402:顯示區(qū)域；3403:揚(yáng)聲器； 3404:操作鍵；3405:記錄介質(zhì)嵌入部分。
權(quán)利要求
1.一種有源矩陣顯示器，包括第一薄膜晶體管，該第一薄膜晶體管包括在襯底之上的包含氧化鋅的第一半導(dǎo)體膜；與所述第一半導(dǎo)體膜接觸的包含氧化物的第一導(dǎo)電膜；與所述第一導(dǎo)電膜接觸的第一金屬膜；和鄰近所述第一半導(dǎo)體膜的第一柵電極，第一柵絕緣膜介于第一柵電極和第一半導(dǎo)體膜之間，其中所述第一導(dǎo)電膜在所述第一半導(dǎo)體膜和所述第一金屬膜之間，在所述第一薄膜晶體管之上形成的絕緣膜；形成在所述絕緣膜之上的像素電極，所述像素電極通過所述絕緣膜的接觸孔而與所述第一薄膜晶體管電連接；操作上連接于所述第一薄膜晶體管的驅(qū)動電路，所述驅(qū)動電路包括在所述襯底之上形成的第二薄膜晶體管，其中所述第二薄膜晶體管包括在所述襯底之上的包含氧化鋅的第二半導(dǎo)體膜；與所述第二半導(dǎo)體膜接觸的包含氧化物的第二導(dǎo)電膜；與所述第二導(dǎo)電膜接觸的第二金屬膜；和鄰近所述第二半導(dǎo)體膜的第二柵電極，第二柵絕緣膜介于第二柵電極和第二半導(dǎo)體膜之間，其中所述第二導(dǎo)電膜在所述第二半導(dǎo)體膜和所述第二金屬膜之間。
2. —種有源矩陣顯示器，包括 第一薄膜晶體管，該第一薄膜晶體管包括在襯底之上的第 一金屬膜；在所述笫一金屬膜上并與所述第一金屬膜接觸的包 含氧化物的第一導(dǎo)電膜；在所述第一導(dǎo)電膜上并與所述第一導(dǎo)電膜接觸的包含氧化鋅的第一半導(dǎo)體膜；和鄰近所述第一半導(dǎo)體膜的第一柵電極，第一柵絕緣 膜介于第一柵電極和第一半導(dǎo)體膜之間， 在所述第一薄膜晶體管之上形成的絕緣膜； 形成在所述絕緣膜之上的像素電極，所述像素電極通過所述絕緣 膜的接觸孔而與所述第一薄膜晶體管電連接；操作上連接于所述第一薄膜晶體管的驅(qū)動電路，所述驅(qū)動電路包 括在所述襯底之上形成的第二薄膜晶體管，其中所述第二薄膜晶體管 包括在所述村底之上的第二金屬膜；在所述第二金屬膜上并與所述第二金屬膜接觸的包 含氧化物的第二導(dǎo)電膜；在所述第二導(dǎo)電膜上并與所述第二導(dǎo)電膜接觸的包 含氧化鋅的第二半導(dǎo)體膜；和鄰近所述第二半導(dǎo)體膜的第二柵電極，第二柵絕緣 膜介于第二柵電極和第二半導(dǎo)體膜之間。
3. —種有源矩陣顯示器，包括 第一薄膜晶體管，該第一薄膜晶體管包括在襯底之上的第一柵電極；在所述第一柵電極之上的包含氧化鋅的第一半導(dǎo)體 膜，第一柵絕緣膜介于笫一半導(dǎo)體膜和第一柵電極之間；與所述第 一半導(dǎo)體膜接觸的包含氧化物的第 一導(dǎo)電 膜；和與所述第 一導(dǎo)電膜接觸的第 一金屬膜， 其中所述第一導(dǎo)電膜在所述第一半導(dǎo)體膜和所述第一金屬膜之間，在所述第一薄膜晶體管之上形成的絕緣膜； 形成在所述絕緣膜之上的像素電極，所述像素電極通過所述絕緣膜的接觸孔而與所述第一薄膜晶體管電連接；操作上連接于所述第一薄膜晶體管的驅(qū)動電路，所述驅(qū)動電路包 括在所述襯底之上形成的第二薄膜晶體管，其中所述第二薄膜晶體管 包括:在所述村底之上的第二柵電極；在所述第二柵電極之上的包含氧化鋅的第二半導(dǎo)體 膜，第二柵絕緣膜介于第二半導(dǎo)體膜和第二柵電極之間；與所述第二半導(dǎo)體膜接觸的包含氧化物的第二導(dǎo)電 膜；和與所述第二導(dǎo)電膜接觸的第二金屬膜， 其中所述第二導(dǎo)電膜在所述第二半導(dǎo)體膜和所述第二金屬膜之間。
4. 一種有源矩陣顯示器，包括 第一薄膜晶體管，該第一薄膜晶體管包括 在襯底之上的第一柵電極； 在所述第一柵電極之上的第一柵絕緣膜； 在所述第 一柵絕緣膜之上的第 一金屬膜； 在所述第一金屬膜上并與所述第一金屬膜接觸的包 含氧化物的第一導(dǎo)電膜；和在所述第一導(dǎo)電膜和所述第一柵絕緣膜上并與所述 第 一導(dǎo)電膜和所述第 一柵絕緣膜接觸的包含氧化鋅的第 一半導(dǎo)體膜； 在所述第一薄膜晶體管之上形成的絕緣膜； 形成在所述絕緣膜之上的像素電極，所述像素電極通過所述絕緣 膜的接觸孔而與所述笫一薄膜晶體管電連接；操作上連接于所述第一薄膜晶體管的驅(qū)動電路，所述驅(qū)動電路包 括在所述襯底之上形成的第二薄膜晶體管，其中所述第二薄膜晶體管 包括在所述村底之上的第二柵電極；在所述第二柵電極之上的第二柵絕緣膜； 在所述第二柵絕緣膜之上的第二金屬膜； 在所述第二金屬膜上并與所述第二金屬膜接觸的包 含氧化物的第二導(dǎo)電膜；和在所述第二導(dǎo)電膜和所迷第二柵絕緣膜上并與所述 第二導(dǎo)電膜和所述第二柵絕緣膜接觸的包含氧化鋅的第 二半導(dǎo)體膜。
5. —種有源矩陣顯示器，包括 第一薄膜晶體管，該第一薄膜晶體管包括在襯底之上的第一柵電極； 在所述第一柵電極之上的第一柵絕緣膜； 在所述襯底之上的第一金屬膜； 在所述第一金屬膜上并與所述第一金屬膜接觸的包 含氧化物的第一導(dǎo)電膜；在所述第 一導(dǎo)電膜和所述第 一柵絕緣膜上并與所述 笫 一導(dǎo)電膜和所述第 一柵絕緣膜接觸的包含氧化鋅的第 一半導(dǎo)體膜；和在所述第一半導(dǎo)體膜上并與所述第一半導(dǎo)體膜接觸 的有機(jī)樹脂膜， 在所述第一薄膜晶體管之上形成的絕緣膜； 形成在所述絕緣膜之上的像素電極，所述^^素電極通過所述絕緣 膜的接觸孔而與所述第一薄膜晶體管電連接；操作上連接于所述第一薄膜晶體管的驅(qū)動電路，所述驅(qū)動電路包 括在所述村底之上形成的第二薄膜晶體管，其中所述第二薄膜晶體管 包括在所述村底之上的第二柵電極； 在所述第二柵電極之上的第二柵絕緣膜； 在所述襯底之上的第二金屬膜； 在所述第二金屬膜上并與所述第二金屬膜接觸的包含氧化物的第二導(dǎo)電膜；在所述第二導(dǎo)電膜和所述第二柵絕緣膜上并與所述 第二導(dǎo)電膜和所述第二柵絕緣膜接觸的包含氧化鋅的第 二半導(dǎo)體膜；和在所述第二半導(dǎo)體膜上并與所迷第二半導(dǎo)體膜接觸 的有機(jī)樹脂膜。
6. 根據(jù)權(quán)利要求l-5中任一項的有源矩陣顯示器，其中，所述第 一柵絕緣膜和所述第二柵絕緣膜包含氧化硅或氧氮化硅。
7. 根據(jù)權(quán)利要求l-5中任一項的有源矩陣顯示器，其中，所述第 一金屬膜和所述第二金屬膜是鋁膜或鋁合金膜。
8. 根據(jù)權(quán)利要求l-5中任一項的有源矩陣顯示器，其中，所述第 一導(dǎo)電膜和所述第二導(dǎo)電膜包含氧化鋅。
9. 根據(jù)權(quán)利要求l-5中任一項的有源矩陣顯示器，其中，所述第 一金屬膜和所述第二金屬膜是Ti膜。
10. 根據(jù)權(quán)利要求l-5中任一項的有源矩陣顯示器，其中，所述 第一金屬膜包括包含鋁的第一金屬層和包含鈦的第二金屬層，其中第 二金屬層與所述第 一導(dǎo)電膜接觸。
11. 根據(jù)權(quán)利要求l-5中任一項的有源矩陣顯示器，其中，所述 驅(qū)動電路是柵極引線驅(qū)動電路。
12. 根據(jù)權(quán)利要求l-5中任一項的有源矩陣顯示器，其中，所述 驅(qū)動電路是源極引線驅(qū)動電路。
13. 根據(jù)權(quán)利要求l-5中任一項的有源矩陣顯示器，其中，所述 有源矩陣顯示器是EL顯示器。
14. 根據(jù)權(quán)利要求l-5中任一項的有源矩陣顯示器，其中，所述 有源矩陣顯示器是液晶顯示器。
15. —種電視接收機(jī)，包括根據(jù)權(quán)利要求l-5中任一項的有源矩 陣顯示器。
全文摘要
本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體器件及其制造方法，即使使用ZnO半導(dǎo)體膜，并且對于源電極和漏電極使用其中添加n型或p型雜質(zhì)的ZnO膜也不會產(chǎn)生缺陷或故障。該半導(dǎo)體器件包含通過使用氧化硅膜或氧氮化硅膜在柵電極之上形成的柵絕緣膜、在柵絕緣膜之上的Al膜或Al合金膜、在Al膜或Al合金膜之上的其中添加n型或p型雜質(zhì)的ZnO膜、以及在其中添加n型或p型雜質(zhì)的ZnO膜和柵絕緣膜之上的ZnO半導(dǎo)體膜。
文檔編號G09F9/30GK101577282SQ200910132530
公開日2009年11月11日 申請日期2006年11月13日 優(yōu)先權(quán)日2005年11月15日
發(fā)明者秋元健吾 申請人:株式會社半導(dǎo)體能源研究所