專利名稱：主動(dòng)式有機(jī)發(fā)光器件的像素電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種有機(jī)發(fā)光器件(OLED)的像素電路，尤其涉及一種主動(dòng)式 有機(jī)發(fā)光器件(AM0LED)的像素電路。
背景技術(shù)：
有機(jī)發(fā)光器件(OLED)可以用被動(dòng)矩陣(PM)驅(qū)動(dòng)，也可以用主動(dòng)矩陣驅(qū)動(dòng) (AM)。相比PM驅(qū)動(dòng)，雄驅(qū)動(dòng)具有顯示的信息容量較大，功耗較低，器件壽命長(zhǎng)， 畫面對(duì)比度高等優(yōu)點(diǎn)。而PM驅(qū)動(dòng)適用于低成本的、簡(jiǎn)單的顯示器件。
在玻璃基板上制作的用于有源(AM)驅(qū)動(dòng)OLED的器件，目前基本采用基于硅 材料的薄膜晶體管(Thin Film Transistor, TFT)器件，如非晶硅(a-Si) TFT， 低溫多晶硅(LTPS) TFT，以及微晶硅(u-Si) TFT。這些TFT器件長(zhǎng)時(shí)間工作在 一定的電壓偏置狀態(tài)下會(huì)不同程度地發(fā)生器件特性的漂移。如果不采取某種措施 處理這種漂移，發(fā)生特性漂移的器件驅(qū)動(dòng)OLED的電流下降，顯示器件亮度降低， 會(huì)導(dǎo)致顯示器件過早失效。AMOLED中驅(qū)動(dòng)OLED的TFT在工作過程中處于某種偏置 狀態(tài)，這種偏置導(dǎo)致的電應(yīng)力會(huì)導(dǎo)致TFT器件的特性漂移，對(duì)于較常用的N型TFT 而言，最主要的特性漂移是其閾值電壓(VTH) —般會(huì)升高。因此，在雄OLED中， 必須進(jìn)行特殊的處理，以應(yīng)對(duì)TFT器件衰減問題。
應(yīng)對(duì)TFT器件衰減問題有多種方案被提出，包括從外部驅(qū)動(dòng)電路作驅(qū)動(dòng)補(bǔ)償， 設(shè)計(jì)合理的像素電路進(jìn)行補(bǔ)償，以及制作更加穩(wěn)定的器件等等。其中，用于補(bǔ)償 特性漂移的像素電路有多種。圖1是現(xiàn)有技術(shù)像素電路示意圖，圖中Dl為有機(jī)發(fā) 光二極管，DTFT為OLED Dl驅(qū)動(dòng)晶體管，DCTL為OLED Dl發(fā)光控制晶體管，Cst為儲(chǔ) 存電容，Gn為當(dāng)前行掃描線，TNO為當(dāng)前行第二掃描線，TNCT為當(dāng)前行第三掃描線， DAT為數(shù)據(jù)線，VDD為電源線，Swl， Sw2和Sw3分別為第一，第二和第三晶體管，VCTD 為有機(jī)發(fā)光二極管的陰極信號(hào)；圖2是圖1的信號(hào)時(shí)序圖。該電路利用預(yù)充電、閾 值設(shè)定與發(fā)光三個(gè)階段完成驅(qū)動(dòng)。如圖2所示T1、 T2分別是第一、第二階段，一 幀時(shí)間內(nèi)除去第一、第二階段的其他時(shí)間為第三階段。第一階段T1起到預(yù)充電的
4作用，當(dāng)前行第二掃描線TNO與當(dāng)前行掃描線Gn上的信號(hào)同時(shí)為高電位，第三晶體 管Sw3與第二晶體管Sw2打開，驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT的柵極由電源線VDD通過第三晶體 管Sw3與第二晶體管Sw2充電至足夠高的電壓。在第二階段T2，當(dāng)前行第二掃描線 TN0變?yōu)榈碗娢?，第三晶體管Sw3關(guān)閉，驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT柵極通過Sw2與DTFT這 兩個(gè)TFT向其源電極放電。由于第一晶體管Swl的源、漏電極分別和數(shù)據(jù)線DAT與 驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT的源電極相連，當(dāng)驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT柵極電壓達(dá)到VDAT+VTH時(shí)即 停止放電，VDAT為數(shù)據(jù)線DAT上的電壓信號(hào)，VTH為驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT的閾值電壓。 此時(shí)，驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT柵極電壓VG等于VDAT+VTH存儲(chǔ)于儲(chǔ)存電容Cst上。在第 一、第二階段，當(dāng)前行第三掃描線TN(T'為低電壓，發(fā)光控制晶體管DCTL斷開，有 機(jī)發(fā)光二極管OLED Dl不發(fā)光。到第三階段，當(dāng)前行第三掃描線TNO"變?yōu)楦唠妷海?發(fā)光控制晶體管DCTL導(dǎo)通，驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT開始工作，向OLED Dl提供電流。在 特性發(fā)生漂移時(shí)，閾值電壓VTH變?yōu)閂TH'，由于經(jīng)過補(bǔ)償，此時(shí)驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT 柵極電壓VG為VDAT+VTH'，因此對(duì)驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT提供的電流值基本沒有影響， 從而起到了補(bǔ)償VTH漂移的作用。
上述電路存在的問題如下(1)每個(gè)像素需要三個(gè)行掃描信號(hào)，這三個(gè)信號(hào) 都需要系統(tǒng)驅(qū)動(dòng)電路提供，增加了系統(tǒng)驅(qū)動(dòng)電路的復(fù)雜性；(2)行掃描線數(shù)目較 多，會(huì)占用較多基板面積，降低底部發(fā)射OLED的開口率；(3) OLED與電源線VDD 之間串聯(lián)有三個(gè)TFT，增加了回路阻抗，降低了電路功耗效率。

實(shí)用新型內(nèi)容
本實(shí)用新型所要解決的技術(shù)問題是提供一種主動(dòng)式有機(jī)發(fā)光器件的像素電路， 可以有效抑制有源驅(qū)動(dòng)OLED顯示器件中驅(qū)動(dòng)OLED器件的TFT的特性漂移，使器件壽 命得以延長(zhǎng)。
本實(shí)用新型的另一目的在于提供了另一種主動(dòng)式有機(jī)發(fā)光器件的像素電路，可 以有效抑制有源驅(qū)動(dòng)OLED顯示器件中驅(qū)動(dòng)OLED器件的TFT的特性漂移，使器件壽命 得以延長(zhǎng)。
本實(shí)用新型為解決上述技術(shù)問題而采用的技術(shù)方案是提供一種主動(dòng)式有機(jī)發(fā) 光器件的像素電路，包括 一電源線(VDD);當(dāng)前行掃描線(Gn)和前一行掃描線(Gnml); 一數(shù)據(jù)線(MT);
第一到第六晶體管(Ml、 M2、 M3、 M4、 M5、 M6)，所述每一個(gè)晶體管包括柵 電極、源電極和漏電極； 一0LED (Dl);
一儲(chǔ)存電容(Cst)，用于保持從所述數(shù)據(jù)線上寫入的電壓，其第二電極連接 于所述電源線(VDD);
一耦合電容(Ccp)，用于耦合數(shù)據(jù)電壓信號(hào)，其第二電極與第一、第四晶體 管(Ml、 M4)的柵極共同連接于所述儲(chǔ)存電容(Cst)的第一電極；
第一晶體管(Ml)，控制第四晶體管(M4)的柵電極節(jié)點(diǎn)的放電，其柵電極 與第四晶體管(M4)的柵電極、第三晶體管(M3)的源電極、以及第二晶體管(M2) 的漏電極相連接，其源電極與第四晶體管(M4)的源電極一起連接于0LED (Dl) 的陽極，其漏電極連接于第二晶體管(M2)的源電極；
第二晶體管(M2)，控制第四晶體管(M4)的柵電極節(jié)點(diǎn)放電路徑的開關(guān)， 其柵電極與第三、第六晶體管(M3、 M6)的柵電極共同連接于所述前一行掃描線 (Gnml);
第三晶體管(M3)，為第四晶體管(M4)的柵電極提供充電路徑，其漏電極 連接于所述電源線(VDD);
第四晶體管(M4)，驅(qū)動(dòng)所述0LED(D1)，其漏電極連接于所述電源線(VDD);
第五晶體管(M5)，控制數(shù)據(jù)信號(hào)的寫入，其柵電極連接于所述當(dāng)前行掃描 線(Gn)，漏電極連接于所述數(shù)據(jù)線(DAT)，源電極與第六晶體管(M6)的源電 極一起連接于所述耦合電容(Ccp)的第一電極；
第六晶體管(M6)，為耦合電容(Ccp)的第一電極提供電壓復(fù)位路徑，其漏 電極連接于所述電源線(VDD)。
本實(shí)用新型還揭示了一種主動(dòng)式有機(jī)發(fā)光器件的像素電路，包括
一電源線(VDD);
當(dāng)前行掃描線(Gn)和前一行掃描線(Gmnl); 一數(shù)據(jù)線(DAT);
第一到第六晶體管(Ml、 M2、 M3、 M4、 M5、 M6)，所述每一個(gè)晶體管包括柵電極、源電極和漏電極； 一0LED (Dl);
一儲(chǔ)存電容(Cst)，用于保持從所述數(shù)據(jù)線上寫入的電壓，其第二電極與所 述第一、第四晶體管(Ml、 M4)的源極一起連接于OLED (Dl)的陽極；
一耦合電容(Ccp),用于耦合數(shù)據(jù)電壓信號(hào)，其第二電極與第一、第四晶體 管(Ml、 M4)的柵極共同連接于所述儲(chǔ)存電容(Cst)的第一電極；
第一晶體管(Ml)，控制第四晶體管(M4)的柵電極節(jié)點(diǎn)的放電，其柵電極 與第四晶體管(M4)的柵電極、第三晶體管(M3)的源電極、以及第二晶體管(M2) 的漏電極相連接，其源電極與第四晶體管(M4)的源電極一起連接于0LED (Dl) 的陽極，其漏電極連接于第二晶體管(M2)的源電極；
第二晶體管(M2)，控制第四晶體管(M4)的柵電極節(jié)點(diǎn)放電路徑的開關(guān)， 其柵電極與第三、第六晶體管(M3、 M6)的柵電極共同連接于所述前一行掃描線 (Gnral);
第三晶體管(M3)，為第四晶體管(M4)的柵電極提供充電路徑，其漏電極 連接于所述電源線(VDD);
第四晶體管(M4)，驅(qū)動(dòng)所述0LED (Dl)，其漏電極連接于所述電源線(VDD);
第五晶體管(M5)，控制數(shù)據(jù)信號(hào)的寫入，其柵電極連接于所述當(dāng)前行掃描 線(Gn)，漏電極連接于所述數(shù)據(jù)線(DAT)，源電極與第六晶體管(M6)的源電 極一起連接于所述耦合電容(Ccp)的第一電極；
第六晶體管，為耦合電容(Ccp)的第一電極提供電壓復(fù)位路徑，其漏電極連 接于所述電源線(VDD)。
本實(shí)用新型對(duì)比現(xiàn)有技術(shù)有如下的有益效果(1)每行像素只需要一條行掃描 線，最大限度減少外部供給信號(hào)，簡(jiǎn)化系統(tǒng)驅(qū)動(dòng)電路；(2)與OLED串聯(lián)的TFT 數(shù)目減少，提高了電路的效率。


圖l是現(xiàn)有技術(shù)像素電路示意圖。
圖2是圖1的信號(hào)時(shí)序圖。
圖3是本實(shí)用新型的像素電路示意圖。
7圖4是本實(shí)用新型的另一像素電路示意圖。 圖5是圖3和圖4的信號(hào)時(shí)序圖。
圖中
Gn: 當(dāng)前行掃描線
TN0: 當(dāng)前行第二掃描線
VDD: 電源線
Sw2: 第二晶體管 DTFT:驅(qū)動(dòng)晶體管
Ccp: 耦合電容
Ml: 第一晶體管
M3: 第三晶體管
M5: 第五晶體管 Gnml: 前一行掃描線
m- 有機(jī)發(fā)光二極管
具體實(shí)施方式
以下結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步的描述。
本實(shí)用新型電路中使用的器件TFT有三個(gè)電極，柵極，第二電極，與第三電 極?？梢园训诙⒌谌姌O分別稱為源電極、漏電極，也可以把第二、第三電極 分別稱為漏電極與源電極，并不改變電路的功能或?qū)嵸|(zhì)連接關(guān)系。由于電路圖中 電氣上的對(duì)稱性，本實(shí)用新型中把TFT的第二與第三電極分別稱為漏電極與源電 極。
圖3是本實(shí)用新型實(shí)施例的像素電路示意圖。
請(qǐng)參見圖3，本實(shí)用新型實(shí)施例的像素電路該像素電路由一個(gè)有機(jī)發(fā)光二極管 0LED Dl,耦合電容Ccp與儲(chǔ)存電容Cst，晶體管M1到M6構(gòu)成。第一晶體管M1控制 數(shù)據(jù)電壓節(jié)點(diǎn)的放電，其柵電極與第四晶體管M4的柵電極、第三晶體管M3的源 電極、以及第二晶體管M2的漏電極相連接，其源電極與第四晶體管M4的源電極
DAT: 數(shù)據(jù)線
TN(T:當(dāng)前行第三掃描線
Swl: 第一晶體管
Sw3: 第三晶體管 DCTL:發(fā)光控制晶體管
Cst: 儲(chǔ)存電容
M2: 第二晶體管
M4: 第四晶體管
M6- 第六晶體管
VCTD:有機(jī)發(fā)光二極管的陰極信號(hào)一起連接于OLED Dl的陽極，其漏電極連接于第二晶體管M2的源電極；第二晶體 管M2是控制數(shù)據(jù)節(jié)點(diǎn)放電路徑的開關(guān)，其柵電極與第三、第六晶體管的柵電極共 同連接于前一行掃描線Gnml;第三晶體管M3為第四晶體管M4的柵電極節(jié)點(diǎn)提供 充電路徑，其漏電極連接于電源線VDD;第四晶體管M4驅(qū)動(dòng)0LED Dl，其漏電極 連接于電源線VDD;第五晶體管M5控制數(shù)據(jù)信號(hào)的寫入，其柵電極連接于當(dāng)前行 掃描線Gnml，漏電極連接于當(dāng)前列數(shù)據(jù)線DAT，源電極與第六晶體管M6的源電極 一起連接于耦合電容Ccp的兩個(gè)電極之中的第一電極；第六晶體管M6的漏電極連 接于電源線VDD。在圖5所示的T1階段，第六晶體管M6打開，使耦合電容Ccp的 第一電極與電源線VDD形成電氣上的導(dǎo)通。在圖5所示的T2階段，數(shù)據(jù)電壓通過 第五晶體管M5傳導(dǎo)到耦合電容Ccp的第一電極，并且同時(shí)耦合到其第二電極。耦 合電容電容Ccp的第二電極連接于第四、第一晶體管的柵極節(jié)點(diǎn)，該節(jié)點(diǎn)同時(shí)與 儲(chǔ)存電容Cst的第一電極相連，用于在當(dāng)前行數(shù)據(jù)寫入后保持編程形成的電壓， 其第二電極連接于電源線VDD。
圖4是本實(shí)用新型實(shí)施例的另一像素電路示意圖。
請(qǐng)參見圖4，該像素電路與圖3所示像素電路非常相似，區(qū)別在于所述儲(chǔ)存電 容Cst的第二電極不是和所述電源線VDD相連，而是與所述第一、第四晶體管的 源極一起連接于0LED Dl的陽極。
圖5是圖3和圖4的信號(hào)時(shí)序圖。
請(qǐng)參見圖5，本實(shí)用新型實(shí)施例中像素電路的工作過程可以分為三個(gè)階段，分 別是如圖5中所示的預(yù)充電階段T1，閾值電壓存儲(chǔ)階段T2，以及數(shù)據(jù)電壓寫入階 段T 3 ，除上述時(shí)間外的其余時(shí)間為灰階顯示保持時(shí)間。
在預(yù)充電階段T1，前一行掃描線Gnml上信號(hào)有效(為高電壓)，第二、第三 與第六晶體管打開導(dǎo)通。耦合電容Ccp的第一電極通過第六晶體管M6的導(dǎo)通被置 于與電源線VDD相同的電位。第三晶體管M3的導(dǎo)通將儲(chǔ)存電容Cst的第一電極充 電至較高電壓，從而使第一晶體管M1的柵電極相對(duì)源電極的電壓差超過其閾值電 壓Vth，第一晶體管M1 —定程度上導(dǎo)通，儲(chǔ)存電容Cst第一電極上面的電壓將由 第一、第二與第三晶體管的分壓情況決定。第一晶體管M1柵、源電極之間的電壓 差Vgs與其閾值電壓Vth之差將決定第一晶體管Ml源、漏電極之間的導(dǎo)通狀況。 由于在閾值電壓Vth附近，第一晶體管M1源電極與漏電極之間的等效電阻的大小與Vgs-Vth的數(shù)值緊密相關(guān)且變化劇烈，因此，閾值電壓Vth發(fā)生漂移時(shí)Vgs-Vth 數(shù)值變化很小。具體來講，當(dāng)閾值電壓Vth變化為Vth'時(shí)，Vgs變化為Vgs' =Vgs + (Vth， - Vth)。因此，閾值電壓Vth的漂移程度在儲(chǔ)存電容Cst的第一電極上 存儲(chǔ)下來。
閾值電壓存儲(chǔ)階段T2，前一行掃描線Gnml上信號(hào)變?yōu)榈碗妷?，第二、第三與 第六晶體管關(guān)斷。當(dāng)前行掃描線Gn上信號(hào)變?yōu)楦唠妷?，第五晶體管M5打開導(dǎo)通， 數(shù)據(jù)線DAT上的信號(hào)電壓傳導(dǎo)到耦合電容Ccp的第一電極。由于Ccp的耦合作用， Ccp第一電極的電壓變化使其第二電極電壓發(fā)生相應(yīng)幅度的變化，改變了第四晶體 管M4的柵電極電壓和儲(chǔ)存電容Cst的第一電極的電壓。第四晶體管M4根據(jù)該改 變過的偏壓信號(hào)輸出相應(yīng)的電流，驅(qū)動(dòng)有機(jī)發(fā)光二極管OLED Dl發(fā)光。
數(shù)據(jù)電壓寫入階段T3，當(dāng)前行掃描線Gn上信號(hào)變?yōu)榈碗妷?，第五晶體管M5 關(guān)斷。設(shè)定于第四晶體管M4柵電極上的電壓依靠?jī)?chǔ)存電容Cst保持。有機(jī)發(fā)光二 極管0LED Dl仍然由第四晶體管M4按照在第二階段設(shè)定好的偏壓以相應(yīng)的電流驅(qū) 動(dòng)。
本實(shí)用新型相對(duì)于現(xiàn)有的像素電路，具有以下優(yōu)點(diǎn)(1)每行像素只需要一 條行掃描線，最大限度減少外部供給信號(hào)，簡(jiǎn)化系統(tǒng)驅(qū)動(dòng)電路；(2)與0LED Dl 串聯(lián)的TFT數(shù)目減少，提高了電路的效率。
雖然本實(shí)用新型已以較佳實(shí)施例揭示如上，然其并非用以限定本實(shí)用新型， 任何本領(lǐng)域技術(shù)人員，在不脫離本實(shí)用新型的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作些許的修改 和完善，因此本實(shí)用新型的保護(hù)范圍當(dāng)以權(quán)利要求書所界定的為準(zhǔn)。
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權(quán)利要求1、一種主動(dòng)式的有機(jī)發(fā)光器件的像素電路，包括一電源線(VDD)；當(dāng)前行掃描線(Gn)和前一行掃描線(Gnml )；一數(shù)據(jù)線(DAT)；一OLED(D1)；一儲(chǔ)存電容(Cst)，用于保持從所述數(shù)據(jù)線上寫入的電壓，其第二電極連接于所述電源線(VDD)；一耦合電容(Ccp)，用于耦合數(shù)據(jù)電壓信號(hào)，其第二電極與第一、第四晶體管(M1、M4)的柵極共同連接于所述儲(chǔ)存電容(Cst)的第一電極；其特征在于，所述像素電路還包括第一到第六晶體管(M1、M2、M3、M4、M5、M6)，所述每一個(gè)晶體管包括柵電極、源電極和漏電極；第一晶體管(M1)，控制第四晶體管(M4)的柵電極節(jié)點(diǎn)的放電，其柵電極與第四晶體管(M4)的柵電極、第三晶體管(M3)的源電極、以及第二晶體管(M2)的漏電極相連接，其源電極與第四晶體管(M4)的源電極一起連接于OLED(D1)的陽極，其漏電極連接于第二晶體管(M2)的源電極；第二晶體管(M2)，控制第四晶體管(M4)的柵電極節(jié)點(diǎn)放電路徑的開關(guān)，其柵電極與第三、第六晶體管(M3、M6)的柵電極共同連接于所述前一行掃描線(Gnml)；第三晶體管(M3)，為第四晶體管(M4)的柵電極提供充電路徑，其漏電極連接于所述電源線(VDD)；第四晶體管(M4)，驅(qū)動(dòng)所述OLED(D1)，其漏電極連接于所述電源線(VDD)；第五晶體管(M5)，控制數(shù)據(jù)信號(hào)的寫入，其柵電極連接于所述當(dāng)前行掃描線(Gn)，漏電極連接于所述數(shù)據(jù)線(DAT)，源電極與第六晶體管(M6)的源電極一起連接于所述耦合電容(Ccp)的第一電極；第六晶體管(M6)，為耦合電容(Ccp)的第一電極提供電壓復(fù)位路徑，其漏電極連接于所述電源線(VDD)。
2、 一種主動(dòng)式的有機(jī)發(fā)光器件的像素電路，包括一電源線(VDD);當(dāng)前行掃描線(Gn)和前一行掃描線(Gnml);一數(shù)據(jù)線(DAT);一0LED (Dl);一儲(chǔ)存電容(Cst)，用于保持從所述數(shù)據(jù)線上寫入的電壓，其第二電極與所述第一、第四晶體管(Ml、 M4)的源極一起連接于OLED (Dl)的陽極；一耦合電容(Ccp)，用于耦合數(shù)據(jù)電壓信號(hào)，其第二電極與第一、第四晶體管(Ml、 M4)的柵極共同連接于所述儲(chǔ)存電容(Cst)的第一電極；其特征在于，所述像素電路還包括第一到第六晶體管(Ml、 M2、 M3、 M4、 M5、M6)，所述每一個(gè)晶體管包括柵電極、源電極和漏電極；第一晶體管(Ml)，控制第四晶體管(M4)的柵電極節(jié)點(diǎn)的放電，其柵電極與第四晶體管(M4)的柵電極、第三晶體管(M3)的源電極、以及第二晶體管(M2)的漏電極相連接，其源電極與第四晶體管(M4)的源電極一起連接于0LED (Dl)的陽極，其漏電極連接于第二晶體管(M2)的源電極；第二晶體管(M2)，控制第四晶體管(M4)的柵電極節(jié)點(diǎn)放電路徑的開關(guān)，其柵電極與第三、第六晶體管(M3、 M6)的柵電極共同連接于所述前一行掃描線(Gnml);第三晶體管(M3)，為第四晶體管(M4)的柵電極提供充電路徑，其漏電極連接于所述電源線(VDD);第四晶體管(M4)，驅(qū)動(dòng)所述0LED(D1)，其漏電極連接于所述電源線(VDD);第五晶體管(M5)，控制數(shù)據(jù)信號(hào)的寫入，其柵電極連接于所述當(dāng)前行掃描線(Gn)，漏電極連接于所述數(shù)據(jù)線(DAT)，源電極與第六晶體管(M6)的源電極一起連接于所述耦合電容(Ccp)的第一電極；第六晶體管，為耦合電容(Ccp)的第一電極提供電壓復(fù)位路徑，其漏電極連接于所述電源線(VDD)。
專利摘要本實(shí)用新型公開了一種主動(dòng)式有機(jī)發(fā)光器件的像素電路，可以有效抑制有源驅(qū)動(dòng)OLED顯示器件中驅(qū)動(dòng)OLED器件的TFT的特性漂移，使器件壽命得以延長(zhǎng)，本實(shí)用新型提供的技術(shù)方案包括一電源線；當(dāng)前行掃描線和前一行掃描線；一數(shù)據(jù)線；第一到第六共6個(gè)晶體管，所述每一個(gè)晶體管包括柵電極、源電極和漏電極；一OLED；一儲(chǔ)存電容，用于保持從所述數(shù)據(jù)線上寫入的電壓，其第二電極連接于所述電源線；一耦合電容，用于耦合數(shù)據(jù)電壓信號(hào)，其第二電極與第一、第四晶體管的柵極共同連接于所述儲(chǔ)存電容的第一電極。本實(shí)用新型利用不同的TFT器件分別進(jìn)行閾值電壓VTH的設(shè)定與OLED驅(qū)動(dòng)，有效抑制有源驅(qū)動(dòng)OLED顯示器件中驅(qū)動(dòng)OLED器件的TFT的特性漂移，使器件壽命得以延長(zhǎng)，且不增加掃描線。
文檔編號(hào)G09G3/32GK201266473SQ200820151768
公開日2009年7月1日 申請(qǐng)日期2008年8月11日 優(yōu)先權(quán)日2008年8月11日
發(fā)明者李俊峰 申請(qǐng)人:上海廣電光電子有限公司