專利名稱：等離子顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明為等離子顯示裝置相關(guān)發(fā)明。
背景技術(shù)：
等離子顯示板包括形成在由障壁劃分的放電串(Cdl)內(nèi)的熒光體層和，同時形成多 個電極(Electrode)。
向等離子顯示板的電極提供驅(qū)動信號，則放電串內(nèi)通過提供的驅(qū)動信號產(chǎn)生放電。 其中，放電串內(nèi)通過驅(qū)動信號而產(chǎn)生放電時，充入放電串內(nèi)的放電氣體釋放真空紫外線 (VacuumUltravioletrays)，通過這種真空紫外線，在等離子顯示板的畫面上顯示影像。
在基板的前面附著包括遮光層的功能性過濾器時，基板的內(nèi)部發(fā)生的光釋放到外部 時，被過濾器的遮光層遮斷，存在整體亮度反而降低的問題點。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于，提供通過在基板的前面附著反射率低、透過率高的功能性過濾 器，從而進一步提高基板的對比度，在熒光體層包括氧化鎂等添加物材質(zhì)，由此不僅可 以提高放電穩(wěn)定性，還可以增加影像的亮度的等離子顯示裝置。
本發(fā)明一實例的等離子顯示裝置以包括等離子顯示板；和配置在等離子顯示板的 前面的過濾器；等離子顯示板包括前面基板；與前面基板對置配置的后面基板；及配置 在前面基板和后面基板之間，包括熒光體材質(zhì)和添加物材質(zhì)的熒光體層；過濾器包括具有 第1黑色度的第1部分(FirstPortion)和，具有比第1黑色度更大的第2黑色度的第2部 分(SecondPortion)為特點。
在前面基板和上述后面基板之間充入的放電氣體以氤(Xe)的含量為10~30%，優(yōu)選 為12~20%。
添加物材質(zhì)以氧化鎂材質(zhì)、氧化鋅材質(zhì)、氧化硅材質(zhì)、氧化鈦材質(zhì)、氧化釔材質(zhì)、 氧化鋁材質(zhì)、氧化鑭材質(zhì)、氧化銪材質(zhì)、氧化鈷材質(zhì)、氧化鐵材質(zhì)或CNT(CarbonNanoTube) 材質(zhì)當(dāng)中至少一個為特點。
添加物材質(zhì)的顆粒當(dāng)中至少一個，以配置在熒光體層表面或，配置在熒光體層和下 部電介質(zhì)層之間為特點。
添加物材質(zhì)的含量對熒光體層的體積的比率為2~40%，優(yōu)選為6~27%。
熒光體層以包括釋放紅色光的紅色熒光體層，釋放綠色光的綠色熒光體層及釋放藍 色光的藍色熒光體層，紅色熒光體層，綠色熒光體層及藍色熒光體層當(dāng)中至少一個省略添 加物材質(zhì)為特點。
第2部分的折射率，比上述第1部分的折射率更小，數(shù)據(jù)上分析時，第2部分的折 射率為第l部分的折射率的0.8~0.999倍為特點。
有益效果本發(fā)明通過在基板的前面配置包含遮光層的低反射率高透過性過濾器， 吸收外部入射的光，具有進一步提高對比度特性的效果。而且，本發(fā)明通過在熒光體層 包含氧化鎂等添加物材質(zhì)，具有提供放電穩(wěn)定性的同時提高影像亮度的效果。


圖1為介紹本發(fā)明一實例的等離子顯示裝置組成的圖片。
圖2為具體介紹過濾器的遮光層的圖片。
圖3為介紹過濾器的遮光層功能的圖片；
圖4a至圖4e為介紹遮光層的又一種形式的圖片。
圖5為介紹整個放電氣體中氙(Xe)的含量和亮度之間關(guān)系的圖片；
圖6為介紹放電氣體中氙(Xe)的含量與放電開始電壓之間關(guān)系的圖片；
圖7為介紹包含添加物材質(zhì)的顆粒的熒光體層的圖片；
圖8為包含添加物材質(zhì)的顆粒的熒光體層的制造方法的一例的圖片；
圖9a至圖9b為進一步具體介紹添加物材質(zhì)的效果的圖片；
圖10為介紹包含在熒光體層的添加物材質(zhì)含量與放電遲延時間之間關(guān)系的圖片； 圖11介紹添加物材質(zhì)顆粒的粒度的圖片；
圖12為介紹包含添加物材質(zhì)的熒光體層另一結(jié)構(gòu)一例的圖片；
圖13為介紹包含添加物材質(zhì)的熒光體層的制造方法的又一例的圖片；
圖14為介紹選擇性使用添加物材質(zhì)的方法的圖片；
圖15a至圖15b為介紹熒光體組成物的碳含量及其亮度特性的圖片；及
圖16a至圖16b為介紹熒光體組成物中粘合劑和熒光體粉末比率的圖片。
具體實施例方式
圖1為介紹本發(fā)明一實例的等離子顯示裝置組成的圖片。
分析圖l，則顯示影像的等離子顯示板100和，配置在等離子顯示板100前面的過 濾器(Filter)llO。
等離子顯示板可以由形成了并排的掃描電極(202， Y)和維持電極(203， Z)的前面基 板201和，形成了與前述掃描電極(202， Y)及維持電極(203， Z)交叉的尋址電極(213， X)的后面基板211接合而成。
這種配置了掃描電極202和維持電極203的前面基板201上部可以設(shè)覆蓋掃描電極 202和維持電極203的上部電介質(zhì)層204。
這種上部電介質(zhì)層204限制掃描電極(202， Y)及維持電極(203， Z)的放電電流，可
以使掃描電極202和維持電極203之間絕緣。
上部電介質(zhì)層204上面可以形成簡化放電條件的保護層205。
后面基板211上配置了電極，例如尋址電極213，這種形成尋址電極213的后面基 板211上部可以設(shè)置覆蓋尋址電極213的電介質(zhì)層，例如下部電介質(zhì)層215。
這種下部電介質(zhì)層215的上部可以形成劃分放電空間即效放電串的條形 (StripeType)，井形(WellType)，三角形(DeltaType)，蜂窩形等障壁212。通過這種障壁 212，可以在前面基板101和后面基板211之間形成紅色(Red:R)，綠色(Green:G)，藍色 (Blue:B)等放電串。
由障壁212劃分的放電串內(nèi)可以形成尋址放電時釋放顯示圖象的可見光的熒光體層 214。例如，可以形成紅色(Red:R)，綠色(Green:G)，藍色(Blue:B)熒光體層。
過濾器110可以包括遮斷外部入射的光的遮光層220。
而且，過濾器110可以再包括彩色層(ColorLayer) 230和電磁波屏蔽層240。
最好在遮光層220和彩色層230之間形成第1粘合層251 ，從而粘合遮光層220和 彩色層230;同時可以在彩色層230和電磁波屏蔽層240之間形成第2粘合層252，從 而粘合彩色層230和電磁波屏蔽層240。
基板260配備了能夠形成遮光層220,彩色層230,電磁波屏蔽層240的空間。這種基 板260可以為高分子樹脂材質(zhì)或玻璃材質(zhì)。
為了將過濾器110粘合到等離子顯示板100上，可以配置第3粘合層250。如果基 板260為玻璃材質(zhì)，則可以省略這種第3粘合層250。
而且，圖中沒有顯示，過濾器也可以再包括7-'近紫外線(NearlnfraredRay)屏蔽層。 以上介紹的過濾器110中，可以改變遮光層220,彩色層230,電磁波屏蔽層240，基板260 的位置。例如,也可以在基板260上部配置電磁波屏蔽層240，在電磁波屏蔽層240上部 配置彩色層230，在彩色層230上部配置遮光層220。
圖2為具體介紹過濾器的遮光層的圖片。
分析圖2，則過濾器的遮光層220包括第1部分(FirstPortion) 130，第2部分 (SecondPortion) 120。
第1部分130可以由實際透明的材質(zhì)組成。將這種第1部分130的黑色度 (DegreeO氾lackness)稱為第1黑色度。
第2部分120形成在第1部分130上，第2部分120具有比第1部分130更暗的顏 色。例如，第2部分120可以包括碳(Carbon)材質(zhì)，具有實際黑的顏色。
同時,第2部分120可以具有沿著第1部分130的方向的寬度逐漸減少的部分。由此， 與第2部分120的底面并排的第1部分130的一面和第2部分120可以形成一定角度(ei)。
這種角度(ei)可以約為70。以上小于90°。
結(jié)合附加的圖3，分析這種遮光層220功能如下。
分析圖3，位于過濾器的內(nèi)側(cè)，即雖然圖中沒有顯示，但在位于等離子顯示板內(nèi)部 的a支點發(fā)生的光直接釋放到外側(cè)，同時b,c支點發(fā)生的光可以通過第2部分120全反 射而釋放到外側(cè)。相反，通過位于過濾器的外側(cè),即位于等離子顯示板外部的d,e支點入 射的光，可能被第2部分120吸收。
如果第2部分120的折射率比第1部分130的折射率更小，與第2部分120的底面并 排的第1部分130的一面和第2部分120形成一定角度(ei)，則能夠?qū)⑦^濾器內(nèi)側(cè)發(fā)生 的光有效釋放到外部，同時有效吸收通過外部入射到過濾去的光。
如此，過濾器的內(nèi)側(cè)發(fā)生的光有效釋放到外側(cè)，相反吸收通過過濾器外側(cè)入射的光， 由此可以提高顯示在等離子顯示板畫面上的影像對比度(Contrast)特性。
在此,為了更有效吸收通過過濾器的外側(cè)入射的光，同時更有效釋放過濾器內(nèi)側(cè)發(fā)生 的光，第2部分120的折射率可以設(shè)為第1部分130的折射率的0.8倍以上0.999倍以 下。
而且,第1部分130的高度(t3)可以設(shè)為第2部分120的高度(t2)的1.01倍以上2.25 倍以下。如此設(shè)置，就能充分確保制造工序上的收率及過濾器的堅固性，同時充分遮斷 通過過濾器外側(cè)入射的光，同時充分確保在過濾器內(nèi)側(cè)釋放的光的透過性。
而且,第2部分120的下部之間間距(t4)，可以設(shè)為第2部分120底面寬(tl)的1.1倍 以上5倍以下。如此設(shè)定就能充分確保過濾器的開口率，同時充分遮斷通過過濾器外側(cè) 入射的光，同時簡化第2部分120的制造工序。
而且,第2部分120上部之間間距(t5)，可以設(shè)為第2部分120下部之間間距(t4)的 1.1倍以上3.25倍以下。如此設(shè)定，則能夠充分確保過濾器的開口率，同時能夠設(shè)定理 想的第2部分120的角度(ei)，可以充分遮斷通過過濾器的外側(cè)入射的光。
而且，第2部分120的高度(t2)可以設(shè)為第2部分120的下部之間間距(t4)的0.89倍 以上4.25倍以下。如此設(shè)定,則能夠充分確保過濾器的開口率，同時充分確保通過過濾 器的外側(cè)入射的光。
例如,第2部分120的底面的寬(tl)可以設(shè)為18 /"m(微米)以上35 ，(微米)以下。 或,第2部分120的高度(t2)可以設(shè)為80 ;"m(微米)以上170 ，(微米)以下。 或，第1部分130的高度(t3)可以設(shè)為100 ，(微米)以上180卿(微米)。 或,第2部分120的下部之間間距(t4)可以設(shè)為40燜(微米)以上卯，(微米)以下。 或,第2部分120的上部之間間距(t5)可以設(shè)為90 ，(微米)以上130戶(微米)以下。 圖4a至圖4e為介紹遮光層的又一種形式的圖片。
分析圖4a，則第2部分120可以包括具有第1寬度的部分(a)和具有第2寬度的部 分(b)。例如,第2部分120可以包括，寬度沿著第1部分130內(nèi)部方向減少的程度不同 的兩個部分。例如,a支點為止，其寬度以第l比率減少，相反從b支點開始，其寬度可 以以大于第1比率的第2比率減少。
分析圖4b，則與上述圖4a不同，第2部分120到a支點為止，其寬度以第1比率 減少，相反從b支點開始，其寬度可以以小于第1比率的第2比率減少。
分析圖4c，則第2部分120的末端可以具有實際平坦(Flat)的形狀。
分析圖4d，則第2部分120其側(cè)面形成緩慢的曲線。
分析圖4e,第2部分120的側(cè)面到a支點為止，呈直線形狀，b支點開始呈曲線形 狀。例如，第2部分120的末端包括曲面。
以上詳細介紹的遮光層220，吸收通過等離子顯示板外部入射的光的同時，釋放基 板內(nèi)部發(fā)生的光，由此能夠改善對比度特性，吸收等離子顯示板內(nèi)部發(fā)生的部分光，因 此會降低整體亮度。
氙(Xe)具有增加放電時真空紫外線發(fā)生的特性。由此，如果充入放電串內(nèi)的放電氣 體的氙(Xe)含量增加時，會增加放電串內(nèi)發(fā)生的光的量，由此能夠提高影像亮度。
圖5為介紹整個放電氣體中氙(Xe)的含量和亮度之間關(guān)系的圖片。
圖5顯示了，將放電氣體包含的氙(Xe)含量從5c/。改變到35y。的同時，測量25%窗 口圖形狀態(tài)下的亮度的數(shù)據(jù)。
分析圖5，放電氣體中氙(Xe)含量約為5%時，所體現(xiàn)的影像亮度為338[cd/m^，9。/o時 約為356[cd/m2]，相對小。
相反,氤(Xe)的含量為10%時，亮度約增加至364[cd/m2]。如此，亮度隨著氙(Xe)含 量的增加而增加，是由于氙(Xe)具有增加放電時能夠增加真空紫外線的發(fā)生的特性，因 此如果增加充入放電串內(nèi)的放電氣體的氙(Xe)含量，則會增加放電串內(nèi)發(fā)生的光量。
而且,氙(Xe)的含量為11%時，亮度約為370[cd/m2];氙(Xe)含量約為12%以上15% 以下時，亮度具有384[cd/m^以上399[cdAi^]以下的較高值。
而且，氙(Xe)的含量為16%以上30%以下時，亮度具有約406[cd/m^ 423[cd/m勺之間值。
同時，氤(Xe)的含量為35%以上時，會鈍化亮度增加率，具有425[cd/m勺的值。 如上所示，放電氣體中氙(Xe)的含量增加，則可以得知所體現(xiàn)的影像亮度會增加，相 皮氙(Xe)的含量增加到35%以上時，考度增加量會微小。
圖6為介紹放電氣體中氙(Xe)的含量與放電開始電壓之間關(guān)系的圖片。 圖6顯示了，將放電氣體包含的氙(Xe)的含量，從5%變更到35%的同時，分別在
A型和B型中測量掃描電極和維持電極之間的放電開始電壓(FiringVoltage)的數(shù)據(jù)。其 中，A型為熒光體層不包括添加物材質(zhì)的例子，B型為熒光體層為添加物材質(zhì)，不包括 氧化鎂材質(zhì)的例子。對于包含添加物材質(zhì)的熒光體層，將在以下相應(yīng)部分進行介紹。
分析圖6，如果是A型，則放電氣體中氙(Xe)的含量約為5%時，掃描電極和維持電 極之間放電開始電壓約為134V，如果是9%，則約為135V，相對少。
相反，氙(Xe)的含量為10%時，放電開始電壓約為137V。
而且，氙(Xe)的含量為11%時，放電開始電壓約為139V,氙(Xe)的含量約為12%以上 15%以下時，放電開始電壓約為141V以上143V以下。
而且，氙(Xe)的含量為16%以上30%以下時，放電開始電壓約為144V以上149V以 下，氤(Xe)的含量急劇增加到35%以上時，放電開始電壓急劇上升到153V以上。
如上所述，可以得知放電氣體當(dāng)中氙(Xe)的含量增加時，掃描電極和維持電極之間 的放電開始電壓會上升。
以下，如果是B型，放電氣體中氙(Xe)的含量約為5。/。時，掃描電極和維持電極之 間的放電開始電壓約為131V，如果是9%，則約為133V相對小。
相反，氙(Xe)的含量為10%時，放電開始電壓約為134V。
而且，氙(Xe)的含量為11%時，放電開始電壓約為135V;氙(Xe)的含量約為12%以 上15%以下時，放電開始電壓約為137V以上140V以下。
而且,氙(Xe)的含量為16%以上30%以下時，放電開始電壓約為141V以上143V以 下，氙(Xe)的含量約為35%以上時，放電開始電壓會急劇上升至150V以上。
即，熒光體層包括添加物材質(zhì)時，放電氣體中即使氙(Xe)的含量增加，也能夠防止掃 描電極和維持電極之間的放電開始電壓急劇上升。
分析以上的圖5至圖6數(shù)據(jù)，則為了提高所體現(xiàn)的影像亮度的同時，防止掃描電極 和維持電極之間放電開始電壓過高，放電氣體最好包含10M以上30c/。以下的氤(Xe)，最 好包含12%以上20%以下。
圖7為介紹包含添加物材質(zhì)的顆粒的熒光體層的圖片。
分析圖7，熒光體層214包括熒光體材質(zhì)的顆粒1000和添加物材質(zhì)的顆粒1010。添 加物材質(zhì)的顆粒1010，可以在掃描電極和尋址電極之間或維持電極和尋址電極之間提高 放電應(yīng)答特性。對其進一步具體介紹如下。
向掃描電極提供掃描信號，向?qū)ぶ冯姌O提供數(shù)據(jù)信號時，電荷會積累在熒光體材質(zhì) 的顆粒1000表面上。
在此，如果熒光體層214不包括添加物材質(zhì)，則熒光體層的高度不均勻，或熒光體 材質(zhì)顆粒分布不均勻，則向掃描電極提供掃描信號，向?qū)ぶ冯姌O提供數(shù)據(jù)信號時，電荷
會集中到熒光體層214的指定部分。貝U，在電荷集中的指定部分會發(fā)生相對強烈的放電。
而且,各個放電串當(dāng)中，電荷集中的部分會不同，由此放電會不均，會不穩(wěn)定。
熒光體層214包含氧化鎂等添加物材質(zhì)時，添加物材質(zhì)的顆粒1010起到放電的催 化作用，在較低的電壓下，也能夠在掃描電極和尋址電極之間穩(wěn)定發(fā)生放電。
因此，在電荷集中的部分中由于較高的電壓而發(fā)生強烈放電之前，在配置氧化物材 質(zhì)顆粒的部分，在較低的電壓下先發(fā)生放電，可以均勾化各個放電串的放電特性。這是 因為氧化物材質(zhì)的電性特性當(dāng)中，2次電子釋放系數(shù)較高。
對于添加物材質(zhì)材質(zhì)，除了提高掃描電極和尋址電極之間或維持電極和尋址電極之 間的放電應(yīng)答特性之外，沒有特別限制。
例如，添加物材質(zhì)為氧化鎂材質(zhì)，氧化鋅材質(zhì)，氧化硅材質(zhì)，氧化鈦材質(zhì)，氧化釔 材質(zhì)，氧化鋁材質(zhì)，氧化鑭材質(zhì)，氧化銪材質(zhì)，氧化鈷材質(zhì)，氧化鐵材質(zhì)或 CNT(CarbonNanoTube)材質(zhì)當(dāng)中的至少一個。
而且，在熒光體層214表面上，熒光體材質(zhì)的顆粒1000當(dāng)中的至少一個外露在放 電串的中心方向上。例如，添加物材質(zhì)的顆粒1010可以在熒光體層214表面，配置在 熒光體材質(zhì)的顆粒1000之間，由此至少一個的熒光體材質(zhì)的顆粒1000外露。 如此，添加物材質(zhì)的顆粒1010配置在熒光體材質(zhì)的顆粒1000之間時，可以提高掃描電 極和尋址電極之間或維持電極和尋址電極之間的放電應(yīng)答特性，同時可以最小化被添加 物材質(zhì)的顆粒1010遮擋的熒光體材質(zhì)的顆粒(1000)表面積，從而防止亮度的過度降低。
圖8為包含添加物材質(zhì)的顆粒的熒光體層的制造方法的一例的圖片。
如圖8所示，首先制造添加物材質(zhì)的粉末S1600。例如，分析氧化鎂的一例，則通 過加熱鎂，氣象氧化鎂蒸汽，制造氧化鎂材質(zhì)粉末。
之后，將制造的添加物材質(zhì)的粉末與溶劑(Solvent)混合SlllO。例如，將氧化鎂材質(zhì) 的粉末與甲醇混合，制造添加物膏(Paste)或添加物泥膏(Slurry)。在此，為了調(diào)整膏或泥 膏粘度，可以再添加粘合劑(Binder)。
之后，將與溶劑混合的添加物材質(zhì)涂敷到熒光體層上部S1120。此時，可以調(diào)整與 溶劑混合的添加物物質(zhì)的粘度，使添加物材質(zhì)的顆粒順利配置在熒光體材質(zhì)的顆粒之 間。
之后進行干燥或燒成工序S1130。貝U，與添加物材質(zhì)混合的溶劑蒸發(fā)，而形成圖2 所示的熒光體層。
圖9a至圖9b為進一步具體介紹添加物材質(zhì)的效果的圖片。
圖9a顯示了比較例，實例l，實例2，實例3的放電開始電壓(FiringVoltage)和，所 顯現(xiàn)的影像的亮度，明室對比度(明室CR)的數(shù)據(jù)。在此，明室對比度是，在周圍較亮的 明室，在畫面顯示45%窗口圖形的影像，測量了對比度，放電開始電壓為掃描電極和尋 址電極之間的放電開始電壓。
比較例為熒光體層不包括添加物材質(zhì)的例子。
實例1為熒光體層為添加物材質(zhì)，包含在熒光體層的體積比率為3%的氧化鎂。 實例2為熒光體層為添加物材質(zhì)，包含在熒光體層的體積比率為9%的氧化鎂。 實例3熒光體層為添加物材質(zhì)，包含在熒光體層的體積比率為12%的氧化鎂。 分析比較例，放電開始電壓為135V，此時體現(xiàn)的影像的亮度為170[cd/m2]。 相反，分析實例l, 2， 3，則放電開始電壓為127V以上129V以下，此時所顯現(xiàn)的 影像的亮度為176[cd/m^以上178[cd/i^]以下，與比較例相比，放電開始電壓更低，所 體現(xiàn)的影像的亮度更高。這是因為，作為添加物材質(zhì)的氧化鎂(MgO)材質(zhì)的顆粒起到放 電催化劑作用，由此降低掃描電極和尋址電極之間降低放電開始電壓，通過放電開始電 壓降低，從而加強由于相同電壓而發(fā)生的放電強度，由此進一步增加所體現(xiàn)的影像亮度。 而且，分析比較例和實例l， 2， 3的25%窗口圖形的明室對比度，則比較例中，明 室對比度為55:1，相反實例l， 2, 3的明室對比度為58:1以上61:1以下，可以得知與 比較例相比，進一步提高了對比度特性。
這是因為，實例l， 2， 3與比較例相比，在較低的電壓下發(fā)生均勻的放電，由此重 置期間中發(fā)生的光量會較少。
分析圖9b，則(a)顯示了實例l， 2， 3的例子，(b)顯示了比較例的例子。 分析(b)，則熒光體層中沒有包含氧化鎂(MgO)材質(zhì)的比較例中，發(fā)生較高的電壓， 由此急劇發(fā)生瞬間強烈的放電，此時發(fā)生的光量也可能會急劇增加。因此，可能會惡化 對比度特性。
相反，分析(a)，則熒光體層中包含氧化鎂(MgO)材質(zhì)時，能夠在較低的電壓發(fā)生放 電，由此在重置期間內(nèi)持續(xù)發(fā)生弱的放電。因此，此時發(fā)生的光量也較少，因此提高了 對比度特性。
圖10為介紹包含在熒光體層的添加物材質(zhì)含量與放電遲延時間之間關(guān)系的圖片。 圖10中顯示了，采用氧化鎂(MgO)作為添加物材質(zhì)，將氧化鎂材質(zhì)的體積(A)和熒光體 層的體積(B)的比率(A/B，單位。/。)從0%改變到50%的同時，測量尋址放電的放電遲延時 間的數(shù)據(jù)。
分析圖10，可以得知氧化鎂材質(zhì)的含量對熒光體層的體積比率為0%時，放電遲延時 間約為0.8/ 。
相反，氧化鎂材質(zhì)的含量對熒光體層的體積的比率為2%時，改善了放電遲延時間， 是0.75^，得到了改善。艮卩，改善了尋址抖動(Jitter)特性。這是因為氧化鎂材質(zhì)的顆粒提
高掃描電極和尋址電極之間的放電應(yīng)答特性。
而且，可以得知氧化鎂材質(zhì)的含量對熒光體層的體積比率為5%時，放電遲延時間 約為0.72 /"s, 6°/。時放電遲延時間約為0.63 / 。
而且，可以得知氧化鎂材質(zhì)的含量對熒光體層的體積的比率為10%以上50%之間時， 放電遲延時間約從0.55 /"s減少到0.24 Z^為止。
分析以上的圖10的數(shù)據(jù)時，氧化鎂材質(zhì)的含量越是增加，放電遲延時間越會減少， 改善抖動特性，但其改善程度會逐漸降低。而且，氧化鎂材質(zhì)含量對熒光體層的體積的 比率為40%以上時，放電遲延時間的改善程度很微小。
相反，氧化鎂材質(zhì)含量過多時，氧化鎂材質(zhì)顆粒會過度遮擋熒光體材質(zhì)的顆粒表面， 由此會降低亮度。
因此，為了減少放電遲延時間，防止亮度的過度降低，最好氧化鎂材質(zhì)含量對熒光 體層的體積對比率為2%以上40%以下，最好為6%以上27%以下。
圖11介紹添加物材質(zhì)顆粒的粒度的圖片。在此，假設(shè)添加物材質(zhì)的顆粒的粒度為 Rl，熒光體材質(zhì)的顆粒的粒度設(shè)為R2。
圖11中作為添加物材質(zhì)使用氧化鎂，而且所使用的氧化鎂材質(zhì)的含量對熒光體層的 體積的比率為16%的狀態(tài)下，改變氧化鎂材質(zhì)顆粒的粒度(R1)的同時觀察亮度，判斷了 工序難易度。在此， 表示很好，o表示較好，X表示不良。
分析亮度時，周圍黑暗的暗室中在表面上表示指定圖形的影像時，多位觀察人員感 官性評價了影像亮度。
分析圖11，氧化鎂材質(zhì)的顆粒的粒度(R1)為熒光體材質(zhì)的顆粒粒度(R2)的0.001倍 以上0.25倍以下時，與熒光體材質(zhì)的顆粒的粒度(R2)相比，氧化鎂材質(zhì)的顆粒的粒度(R1) 充分小，氧化鎂材質(zhì)的顆?？梢猿浞治挥跓晒怏w材質(zhì)的顆粒之間，因此可以充分確保熒 光體材質(zhì)的顆粒的可見光排放路徑。因此，亮度很好(O))。
而且，氧化鎂材質(zhì)的顆粒的粒度(R1)為熒光體材質(zhì)的顆粒的粒度(R2)的0.275倍以上 l.O倍以下時，亮度較好(o)。
相反，氧化鎂材質(zhì)的顆粒的粒度(R1)超過熒光體材質(zhì)的顆粒的粒度(R2)的1.0倍時， 與熒光體材質(zhì)的顆粒的粒度(R2)相比，氧化鎂材質(zhì)的顆粒的粒度(R1)大，氧化鎂材質(zhì)的 顆粒會遮斷熒光體材質(zhì)的顆粒的可見光排放路徑，因此亮度不良。
而且，氧化鎂材質(zhì)的顆粒粒度(R1)為熒光體材質(zhì)的顆粒的粒度(R2)的0.001倍以上 0.003倍以下時，氧化鎂材質(zhì)的顆粒的粒度(R1)過小，因此可以得知處理氧化鎂材質(zhì)的 顆粒的工序的難易度不良。
而且，氧化鎂材質(zhì)的顆粒的大小(R1)，比熒光體材質(zhì)的顆粒(R2)大小(R2)過小，因此
氧化鎂材質(zhì)的顆粒不在熒光體層表面，大部分流入熒光體顆粒之間空間，位于熒光體層 內(nèi)部，因此掃描電極和尋址電極之間或維持電極和尋址電極之間穩(wěn)定發(fā)生放電的效果微 小。
相反，氧化鎂材質(zhì)的顆粒的粒度(R1)為熒光體材質(zhì)的顆粒的粒度(R2)的0.005倍以上 0.03倍以下及0.4倍以上1.0倍以下時，氧化鎂材質(zhì)的顆粒大小(R1)適當(dāng)，工序難易度 較好。
而且，氧化鎂材質(zhì)的顆粒的粒度(R1)為熒光體材質(zhì)的顆粒的粒度(R2)的0.05倍以上 0.3倍以下時，氧化鎂材質(zhì)的顆粒的粒度(R1)最佳，工序難易度很好。
同時，此時大部分的氧化鎂顆粒在熒光體層表面，可以配置在熒光體材質(zhì)的顆粒之 間，因此具有可以在掃描電極和尋址電極之間或維持電極和尋址電極之間穩(wěn)定發(fā)生放電 的效果。
考慮以上數(shù)據(jù)時，氧化鎂材質(zhì)的顆粒的粒度(R1)最好為熒光體材質(zhì)顆粒(R2)的0.005 倍以上l倍以下時，最好為0.05倍以上0.25倍以下。例如，氧化鎂材質(zhì)的顆粒大小為 20nm以上3000nm以下。
圖12為介紹包含添加物材質(zhì)的熒光體層另一結(jié)構(gòu)一例的圖片，圖13為介紹包含添 加物材質(zhì)的熒光體層的制造方法的又一例的圖片。
首先，分析圖12，熒光體層214中，添加物材質(zhì)的顆粒1010可以分別配置在熒光 體層214表面，熒光體層214內(nèi)部，熒光體層214和下部電介質(zhì)層215的之間。
添加物材質(zhì)的顆粒1010配置在熒光體層214的表面，熒光體層214的內(nèi)部，熒光體 層214和下部電介質(zhì)層215的之間時，可以進一步提高掃描電極和尋址電極之間或維持 電極和尋址電極之間的放電應(yīng)答特性。
然后分析圖13，則顯示了具有圖12所示結(jié)構(gòu)的熒光體層214的制造方法的一例。
分析圖13，首先制造添加物材質(zhì)的粉末S1600。
之后，混合制造的添加物材質(zhì)的粉末和熒光體材質(zhì)的顆粒S1610。
之后，混合氧化物材質(zhì)的粉末和熒光體材質(zhì)的顆粒溶劑S1620。
之后，將與溶劑混合的氧化物材質(zhì)和熒光體材質(zhì)，涂敷在放電串內(nèi)S1630。此時， 也可以采用滴膠(Dispensing)法。
之后，進行干燥或燒成工序S1640。則溶劑蒸發(fā)，可以形成圖13所示結(jié)構(gòu)的熒光體層。
圖14為介紹選擇性使用添加物材質(zhì)的方法的圖片。
分析圖14，則熒光體層包括釋放紅光的紅色熒光體層214R，釋放綠色光的綠色熒 光體層214G及釋放藍色光的藍色熒光體層214B，同時紅色熒光體層214R，綠色熒光體
層214G及藍色熒光體層214B當(dāng)中的至少一個熒光體層中可以省略添加物材質(zhì)。
例如，如(a)所示，，紅色熒光體層214R中包括紅色熒光體材質(zhì)的顆粒1400，但是不
包括添加物材質(zhì)；如(b)所示，藍色熒光體層(214B)包含藍色熒光體材質(zhì)的顆粒1410和
添加物材質(zhì)的顆粒1010。
此時，可以增加藍色熒光體層214B中發(fā)生的光量，由此可以提高色溫特性。 而且，(b)中的藍色熒光體材質(zhì)的顆粒1410大小，可以比(a)中紅色熒光體材質(zhì)的顆
粒1400的大小更大。此時，(b)的藍色熒光體層214B，與(a)的紅色熒光體層214R相比，
放電不穩(wěn)定的可能性相對高。因此，此時最好使藍色熒光體層214B包括添加物材質(zhì)的
顆粒1010，穩(wěn)定化藍色熒光體層214B中的放電。
同時，制造熒光體層時，熒光體層的碳(Carbon)含量，隨著與熒光體材質(zhì)粉末及添
加物材質(zhì)的粉末混合的粘合劑(Binder)及溶劑的含量變化，基板特性會隨著這種碳含量
變化。對其分析如下。
例如，假設(shè)混合熒光體材質(zhì)粉末、添加物材質(zhì)粉末、粘合劑及溶劑形成膏狀熒光體 組成物，將熒光體組成物涂敷在放電串之后，將涂敷的熒光體組成物燒成后形成熒光體 層的例子。
此時，燒成時粘合劑蒸發(fā)的同時，在熒光體層殘留碳成分。這種殘留在熒光體層的 碳成分，可能會惡化等離子顯示板的亮度特性，因此含在熒光體組成物的粘合劑的量較 少為有利。
相反，熒光體組成物中粘合劑含量過少時，由于熒光體組成物粘度過低，因此會出 現(xiàn)熒光體層的成型難的問題。
而且，熒光體組成物中溶劑含量過少時，熒光體組成物的粘度會過低。
考慮其，則最好含在熒光體組成物的粘合劑及溶劑的含量，在不惡化熒光體組成物 的粘度特性的同時，進行調(diào)整，以便可以在燒成后提高亮度特性。
圖15a至圖15b為介紹熒光體組成物的碳含量及其亮度特性的圖片。
圖15a顯示了熒光體組成物中，隨著粘合劑含量變化的碳含量的數(shù)據(jù)。圖15a所示 的數(shù)據(jù)為，在混合熒光體材質(zhì)粉末，溶劑及粘合劑，形成熒光體組成物之后，燃燒熒光 體組成物之后，分析所燃燒的熒光體組成物的殘存物質(zhì)，測量碳含量的數(shù)據(jù)。而且，所 有類型都包含7%的氧化鎂材質(zhì)。
A， B， C， D類型采用的熒光體粉末為YVP04:Eu材質(zhì)，E， F， G， H類型采用的 熒光體粉末為(Y， Gd)BO:Eu材質(zhì)。
分析圖15a，則A類型熒光體組成物混合了44.5重量份數(shù)的熒光體粉末、35.5重量 份數(shù)的溶劑、20重量份數(shù)的粘合劑，這種A類型的碳含量約為1883ppm(PartsPerMillon)。
B類型熒光體組成物混合了44.5重量份數(shù)的熒光體粉末、41.5重量份數(shù)的溶劑、14 重量份數(shù)的粘合劑，這種B類型的碳含量約為1080ppm。
C類型熒光體組成物混合了44.5重量份數(shù)的熒光體粉末、45.5重量份數(shù)的溶劑、10 重量份數(shù)的粘合劑，這種B類型的碳含量約為640ppm。
D類型熒光體組成物混合了44.5重量份數(shù)的熒光體粉末、51.5重量份數(shù)的溶劑、4 重量份數(shù)的粘合劑，這種D類型的碳含量約為155ppm。
E類型熒光體組成物混合了31.5重量份數(shù)的熒光體粉末、49.5重量份數(shù)的溶劑、19 重量份數(shù)的粘合劑，這種E類型的碳含量約為2370ppm。
F類型熒光體組成物混合了31.5重量份數(shù)的熒光體粉末、56.5重量份數(shù)的溶劑、12 重量份數(shù)的粘合劑，這種F類型的碳含量約為1825ppm。
G類型熒光體組成物混合了 31.5重量份數(shù)的熒光體粉末、61.5重量份數(shù)的溶劑、7 重量份數(shù)的粘合劑，這種G類型的碳含量約為722ppm。
H類型熒光體組成物混合了31.5重量份數(shù)的熒光體粉末、63重量份數(shù)的溶劑、5.5 重量份數(shù)的粘合劑，這種這種H類型的碳含量約為207ppm。
分析以上的圖15a的數(shù)據(jù)，則熒光體組成物的碳含量會隨粘合劑的含量變化。
圖15b顯示了隨碳含量變化的影像亮度的數(shù)據(jù)。圖15b所示的數(shù)據(jù)為，采用圖15a 所示的A H類型的熒光體組成物，分別制造A H類型的等離子顯示板，操作所制造的 等離子顯示板的同時測量了亮度的數(shù)據(jù)。
測量亮度時，分別測量啟動(Tum-on)所有放電串的全白(Full-White， F/W)時的亮度 和，畫面上顯示25。/。窗口(Window)圖形的影像的亮度。亮度單位為[cd/m2]。
分析圖15b，如果是A類型，則向掃描電極和維持電極之間施加192V的驅(qū)動電壓， 全白狀態(tài)下測量發(fā)生的光的亮度，則亮度約為120[cd/m2]， 25%窗口圖形發(fā)生的光的亮 度約為319[cd/m2]。
而且，如果是B類型，則全白亮度約為126[cd/m2]， 25%窗口圖形亮度約為327[cd/m2]。 如果是C類型，則全白亮度約為133[cd/m2]， 25。/。窗口圖形亮度約為343[cd/m2]。 如果是D類型，則全白亮度約為149[cd/m2]， 25n/。窗口圖形亮度約為377[cd/m2]。 如果是E類型，則全白亮度約為117[cd/m2]， 25y。窗口圖形亮度約為304[cd/m2]。 如果是F類型，則全白亮度約為121[cd/m2]， 25。/。窗口圖形亮度約為322[cd/m2]。 如果是G類型，則全白亮度約為132[cd/m2]， 25%窗口圖形亮度約為338[cd/m2]。 如果是H類型時，則全白亮度約為148[cd/m2]， 25y。窗口圖形亮度約為373[cd/m2]。 分析以上的圖15a至圖15b的數(shù)據(jù)，熒光體組成物中碳含量較多時，包含采用其熒 光體組成物制造的熒光體層的等離子顯示板顯現(xiàn)的影像亮度會降低；相反碳含量較少 時，可以提高所顯現(xiàn)的影像亮度。
如此，分析碳含量越多所體現(xiàn)的影像亮度越是降低的理由如下。
進行熒光體組成物的燒成工序時，含在熒光體組成物的粘合劑燃燒的同時，排放到 包含在粘合劑的碳成分中，碳可能會混合到充入基板內(nèi)部的放電氣體中。這種碳會與氧
結(jié)合，生成一氧化碳(CO)或二氧化碳(C02)等的不純氣體。這種，由于碳而生成的不純
氣體會妨礙放電氣體釋放紫外線，由此減少照射到熒光體層上的紫外線的量，因此會減 少影像亮度。
而且，進行熒光體組成物的燒成工序時，含在熒光體組成物的粘合劑燃燒的同時， 包含在粘合劑的碳成分會殘留到熒光體層表面。貝IJ，部分熒光體層表面會被碳成分遮擋， 由此影像的亮度會降低。
圖16a至圖16b為介紹熒光體組成物中粘合劑和熒光體粉末比率的圖片。
圖16a顯示了，熒光體粉末采用(Ba， Sr， Eu)MgAln)On材質(zhì)，粘合劑糴用丙烯樹脂 材質(zhì)，溶劑采用乙二醇形成熒光體組成物，將此粘合劑和熒光體粉末的比率(B/P)從1% 改變到25%為止的同時，測量熒光體組成物的碳含量的數(shù)據(jù)。
分析圖16a， B/P為lQ/。時，即粘合劑含量為熒光體粉末的含量的1%時，熒光體組 成物的碳含量約為70ppm。
B/P為3%時，熒光體組成物的碳含量約為91ppm。
B/P為5%時，熒光體組成物的碳含量約為107ppm。
B/P為10。/。時，熒光體組成物的碳含量約為139ppm。
B/P為15。/。時，約為196ppm; B/P為17。/。時，約為282ppm; B/P為20%時，約為 440ppm; B/P為25%時，約為895ppm。
圖16b顯示了，利用圖16a所示的熒光體組成物制造等離子顯示板，操作所制造的 基板的同時測量所體現(xiàn)的影像亮度的數(shù)據(jù)。
在此，亮度為打開所有放電串的全白圖形的亮度，其單位為[cd/m2]。
分析圖16b，則B/P為l。/。時，即粘合劑含量為熒光體粉末的含量的1%時，體現(xiàn)的 影像亮度約為152[cd/m2]。
B/P為3%時，所體現(xiàn)的影像亮度約為150[cd/m2]。
B/P為5%時，所體現(xiàn)的影像的亮度約為149[cd/m2]。
B/P為10%時，所體現(xiàn)的影像的亮度約為150[cd/m2]。
B/P為15。/。時，約為144[cd/m2]; B/P為17%時，約為142[cd/m2]; B/P為20%時， 約為137[cd/m2]; B/P為25。/。時，約為124[cd/m2]。
如以上的圖16a至16b的數(shù)據(jù)所示，粘合劑含量為熒光體粉末含量的17%以下時，
熒光體組成物的碳含量約為300ppm以下，充分低，由此制造的等離子顯示板體現(xiàn)的影 像的亮度約為140[cd/m"]以上，充分高。
而且，粘合劑含量為熒光體粉末含量的17%以上20%以下時，熒光體組成物的碳含 量約為450ppm以下，相對低，由此制造的等離子顯示板中所體現(xiàn)的影像亮度約為 135[cd/m2]以上，相對高。
相反，粘合劑含量為熒光體粉末含量的25%以上時，熒光體組成物的碳含量約為 800ppm以上，含量過高，由此制造的等離子顯示板所顯現(xiàn)的影像亮度約為125[cd/m2] 以下，過低。
根據(jù)以上的數(shù)據(jù)，分析熒光體組成物的碳含量為500ppm以下時體現(xiàn)的影像的亮度 特性時，更為有利。
同時，熒光體組成物中粘合劑的含量過少時，熒光體組成物的粘度過低，因此可能 會不利于熒光體層形成工序。
因此，降低碳含量，因此為了在提高所制造的等離子顯示板的亮度的同時，充分維 持熒光體組成物的粘度，最好熒光體組成物中粘合劑的含量為熒光體粉末的含量的3% 以上20%以下，最好為5%以上17%以下。
由此，可以理解，上述本發(fā)明的技術(shù)組成是本發(fā)明所屬技術(shù)領(lǐng)域的行內(nèi)人士不對本 發(fā)明的技術(shù)思想或必要特點進行變更，就可以以其他具體形式實施。
因此，應(yīng)理解以上所記述的實例是在各方面的例示，并不是為限制。比上述詳細介 紹，更能顯示本發(fā)明的范圍的是權(quán)利要求的范圍，應(yīng)解釋為從權(quán)利要求范圍的意義及范 圍且其等價觀念導(dǎo)出的所有變更或變更形式都包括在本發(fā)明的范圍。
權(quán)利要求
1、一種等離子顯示裝置，其特征在于它包括等離子顯示板，及配置在上述等離子顯示板的前面的過濾器；等離子顯示板包括前面基板，與上述前面基板對置配置的后面基板，及配置上述在前面基板和后面基板之間，包括熒光體材質(zhì)和添加物材質(zhì)的熒光體層；上述過濾器包括具有第1黑色度的第1部分，及配置在上述第1部分上，具有比第1黑色度更大的第2黑色度的第2部分。
2、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子顯示裝置，其特征在于上述前面基板和上述后面 基板之間充入放電氣體，上述放電氣體中氤的含量為10~30%。
3、 根據(jù)權(quán)利要求2所述的等離子顯示裝置，其特征在于上述放電氣體中氤的含量 為12~20%。
4、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子顯示裝置，其特征在于上述添加物材質(zhì)以氧化鎂 材質(zhì)、氧化鋅材質(zhì)、氧化硅材質(zhì)、氧化鈦材質(zhì)、氧化釔材質(zhì)、氧化鋁材質(zhì)、氧化鑭材質(zhì)、 氧化銪材質(zhì)、氧化鈷材質(zhì)、氧化鐵材質(zhì)或CNT材質(zhì)當(dāng)中至少一個。
5、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子顯示裝置，其特征在于上述添加物材質(zhì)的顆粒當(dāng) 中至少一個配置在熒光體層表面。
6、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子顯示裝置，其特征在于上述熒光體層及上述障壁 和上述后面基板之間再配置下部電介質(zhì)層，上述添加物材質(zhì)的顆粒當(dāng)中至少一個配置在 上述熒光體層和上述下部電介質(zhì)層之間。
7、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子顯示裝置，其特征在于上述添加物材質(zhì)的含量對 熒光體層的體積的比率為2~40%。
8、 根據(jù)權(quán)利要求7所述的等離子顯示裝置，其特征在于上述添加物材質(zhì)的含量對 上述熒光體層的體積的比率為6~27%。
9、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子顯示裝置，其特征在于上述熒光體層包括釋放紅 色光的紅色熒光體層，釋放綠色光的綠色熒光體層及釋放藍色光的藍色熒光體層，上述 紅色熒光體層，綠色熒光體層及藍色熒光體層當(dāng)中至少一個省略添加物材質(zhì)。
10、 根據(jù)權(quán)利要求l所述的等離子顯示裝置，其特征在于上述第2部分的折射率比 上述第1部分的折射率更小。
11、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子顯示裝置，其特征在于上述第2部分的折射率為 上述第1部分的折射率的0.8~0.999倍。
全文摘要
本發(fā)明為等離子顯示裝置相關(guān)發(fā)明。本發(fā)明的等離子顯示裝置以包括等離子顯示板；和配置在等離子顯示板和等離子顯示板的前面的過濾器；等離子顯示板包括前面基板；與前面基板對置配置的后面基板；及配置在前面基板和后面基板之間，包括熒光體材質(zhì)和添加物材質(zhì)的熒光體層；過濾器包括具有第1黑色度的第1部分，和具有比第1黑色度更大的第2黑色度的第2部分。本發(fā)明通過在基板的前面配置包含遮光層的低反射率高透過性過濾器，吸收外部入射的光，具有進一步提高對比度特性的效果。而且，本發(fā)明通過在熒光體層包含氧化鎂等添加物材質(zhì)，具有提供放電穩(wěn)定性的同時提高影像亮度的效果。
文檔編號G09F9/313GK101359565SQ20081012969
公開日2009年2月4日 申請日期2008年8月5日 優(yōu)先權(quán)日2007年11月5日
發(fā)明者柳 樸, 梁鐘文, 金熙權(quán) 申請人:樂金電子(南京)等離子有限公司