專利名稱：顯示裝置和其驅(qū)動方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種具有像素陣列單元的顯示裝置，在像素陣列單稱為像素)以矩陣形式排列，以及該顯示裝置的驅(qū)動方法，更具體 地，涉及一種通過以矩陣形式排列具有亮度隨驅(qū)動信號的大小而改變的光電元件的^f象素電^各作為顯示元件而形成并且在每個4象素電 路中具有有源元件的有源矩陣型顯示裝置以及該有源矩陣型顯示裝置的驅(qū)動方法，在該有源矩陣型顯示裝置中，通過有源元件在像 素單元中才丸行顯示驅(qū)動。
背景技術(shù)：
存在許多顯示裝置，它們將亮度隨施加給光電元件的電壓或流 過光電元件的電流而改變的光電元件用作〗象素的顯示元件。例如， 液晶顯示元件是亮度隨施加給光電元件的電壓改變的光電元件的 典型實(shí)例，以及有機(jī)電致發(fā)光(以下稱為有機(jī)EL)元件(有機(jī)發(fā) 光二極管(OLED))是亮度隨流過光電元件的電流而改變的光電元 件的典型實(shí)例。z使用后者有才幾EL元件的有4幾EL顯示裝置是所謂 的將自發(fā)光光電元件用作像素的顯示元件的發(fā)射顯示裝置。有機(jī)EL元件是在對有機(jī)薄膜施加電場中使用發(fā)光現(xiàn)象的光電 元件。有才幾EL元件可通過相對^f氐的施加電壓(例如，10V或更4氐) 來驅(qū)動，并因此消耗很少電能。另外，有機(jī)EL元件是自身發(fā)光的 自發(fā)光元件，并因此無需諸如在液晶顯示裝置中所需的背光的輔助 照明部4牛。因此，可以容易減少有4幾EL元4牛的重量和厚度。另夕卜， 有才幾EL元1'牛具有非常高的響應(yīng)速度(例^口， 幾(is左右)，因而在 顯示移動圖像時不會出現(xiàn)余像。因?yàn)橛袡C(jī)EL元件具有這些優(yōu)點(diǎn)， 所以近來已積才及開發(fā)爿尋有4幾EL元件用作光電元4牛的平4反發(fā)射顯示 裝置。近來，正積極開發(fā)通過使用有源元件控制提供給像素內(nèi)的發(fā)光 元件的l象素信號的有源矩陣系統(tǒng)，例如，同才羊設(shè)置在《象素內(nèi)作為開 關(guān)晶體管的絕緣柵極場效應(yīng)晶體管(通常為薄膜晶體管(TFT))。在這種情況下，在使像素電路中的光電元件發(fā)光的過程中，開 關(guān)晶體管得到設(shè)置在驅(qū)動晶體管的柵極端(控制輸入端)的存儲電 容器(也稱為像素電容)中的經(jīng)由視頻信號線提供的輸入圖像信號， 并且將與所得的輸入圖像信號相對應(yīng)的驅(qū)動信號提供給光電元件。在將有才幾EL元件用作光電元件的有才幾EL顯示裝置中，因?yàn)?有機(jī)EL元件是電流驅(qū)動型元件，所以驅(qū)動晶體管將與存儲電容器 中所得的輸入圖像信號相對應(yīng)的驅(qū)動信號(電壓信號)轉(zhuǎn)換為電流 信號，并將驅(qū)動電流4是供給有才幾EL元件。在有才幾EL元件^表的電流驅(qū)動型光電元件中，不同的驅(qū)動電 流值意味不同的發(fā)光亮度。因此，為了能夠穩(wěn)定亮度發(fā)光，重要的 是向光電元件提供穩(wěn)定的驅(qū)動電流。例如，可以將用于對有機(jī)EL 元件提供驅(qū)動電流的驅(qū)動系統(tǒng)大體分為恒定電流驅(qū)動系統(tǒng)和恒定 電壓驅(qū)動系統(tǒng)(這些系統(tǒng)是現(xiàn)有技術(shù)，因此不再給出其公知文件)。因?yàn)橛袡C(jī)EL元件的電壓-電流特征具有陡坡，所以當(dāng)執(zhí)行恒定 電壓驅(qū)動時，電壓的微小改變或元件特征的改變會導(dǎo)致電流的巨大改變，并因jt匕造成亮度的巨大改變。因j):匕，通常1吏用在々包詳口區(qū)中4吏用驅(qū)動晶體管的恒定電流驅(qū)動。當(dāng)然，即使是恒定電流驅(qū)動，電流 改變也引起亮度改變。然而，小電流改變只會引起小亮度改變。相反，即《l是恒定電流驅(qū)動系統(tǒng)，為了4吏光電元件的-發(fā)光亮度 不變，重要的是能夠根據(jù)輸入圖像信號來將驅(qū)動信號寫入存儲電容器并通過存儲電容器使驅(qū)動信號保持恒定。例如，為了使有機(jī)EL 元件的發(fā)光亮度不變，重要的是使與輸入圖像信號相對應(yīng)的驅(qū)動信 號恒定。然而，驅(qū)動光電元件的有源元件(驅(qū)動晶體管)的閾^直電壓和 遷移率隨著過程改變而改變。另外，諸如有沖幾EL元件等的光電元 件的特征隨時間而改變。即使在恒定電流驅(qū)動系統(tǒng)的情況下，用于發(fā)光亮度。像素電路內(nèi)的光電元件的特征改變帶來的亮度改變的各種機(jī)制，從 而能夠均勻控制在顯示裝置的整個屏幕上的發(fā)光亮度。例如，日本專利公開號2006-215213中所述的關(guān)于用于有才幾EL 元件的像素電路的機(jī)制具有用于即使驅(qū)動晶體管的閾值電壓改變 或長期改變?nèi)员３烛?qū)動電流恒定的閾值校正功能、用于即使驅(qū)動晶 體管的遷移率改變或長期改變?nèi)员３烛?qū)動電流恒定的遷移率4交正 功能、和用于即使有機(jī)EL元件的電流-電壓特征長期改變?nèi)员３烛?qū) 動電流恒定的引導(dǎo)功能。發(fā)明內(nèi)容然而，專利文件l中所述的機(jī)制可能需要用于提供用于進(jìn)行校 正的電位的配線、用于進(jìn)行一交正的開關(guān)晶體管、和用于驅(qū)動開關(guān)晶 體管的開關(guān)脈沖，并且利用了使用包括驅(qū)動晶體管和采樣晶體管的五個晶體管的5TR驅(qū)動配置。因此，像素電路的配置很復(fù)雜。像素 電路的許多組成元件阻礙了高清晰顯示裝置的實(shí)現(xiàn)。因此，難以將 5TR驅(qū)動配置用于諸如便攜式裝置(移動裝置)等的小型電子裝置 中所用的顯示裝置。因此，需要開發(fā)出用于在簡化像素電路的同時還能夠抑制由于 元件特征改變帶來的亮度改變的系統(tǒng)。在開發(fā)系統(tǒng)的過程中，要考 慮預(yù)防簡化所帶來的在5TR驅(qū)動配置中尚未出現(xiàn)的新問題的出現(xiàn)。鑒于上述情況作出本發(fā)明。需要提供一種簡化像素電路以得到 4交高清晰的顯示裝置的顯示裝置以及該顯示裝置的驅(qū)動方法。另夕卜，特別需要提供一種可以在簡化像素電路的同時減少驅(qū)動 像素電路的操作對圖像質(zhì)量的影響(特別是抑制亮度改變)的機(jī)制。另外，需要提供一種可以在簡化像素電路時抑制由于驅(qū)動晶體 管和發(fā)光元件的特征改變而帶來的亮度改變的機(jī)制。才艮據(jù)本發(fā)明的顯示裝置的 一 個實(shí)施例是4吏像素電路內(nèi)的光電 元件隨視頻信號發(fā)光的顯示裝置，該顯示裝置在像素電路以矩陣形 式排列的〗象素陣列單元內(nèi)包括用于生成驅(qū)動電流的至少一個驅(qū)動 晶體管、連接至驅(qū)動晶體管的輸出端的光電元件、用于保持與視頻 信號的信號電位相對應(yīng)的信息(驅(qū)動電位)的存儲電容器、和用于 將與視頻信號的信號電位相對應(yīng)的信息寫入到存儲電容器的采樣 晶體管。在這個像素電路中，通過由驅(qū)動晶體管基于存儲電容器中所保持的信息生成驅(qū)動電流并使驅(qū)動電流流過光電元件來使光電 元件發(fā)光。通過采才羊晶體管^i尋與i'言號電訐立相乂十應(yīng)的^f言息]乍為驅(qū)動電4立寫 入存儲電容器。因此，采樣晶體管在采樣晶體管的輸入端(源極端 和漏極端中的一個)得到信號電位，并將與信號電位相對應(yīng)的信息 寫入連接至采樣晶體管的輸出端(源極端和漏極端中的另一個)的 存儲電容器。當(dāng)然，采樣晶體管的輸出端也連接至驅(qū)動晶體管的控 制豐命入端。應(yīng)注意，以上所示的像素電路的連接配置是最基本的配置，并 且該配置滿足了像素電路至少包括上述組成元件且像素電路可包 括除這些組成元件外的其他元件(即，其他組成元件)的需要。另 外，"連^妄"并不限于直^妾連^妄，而可以經(jīng)由另一組成元件連^妾。例^口，可牙見場合需要(occasions demand )而改變以在連4妄之間 另外插入開關(guān)晶體管、具有某種功能的功能單元等。通常，可在驅(qū) 動晶體管的輸出端與光電元件之間或在驅(qū)動晶體管的電源端(典型 實(shí)例中的漏4及端)與作為電源配線的電源線之間配置用于動態(tài)控制 顯示周期(即，發(fā)光周期)的開關(guān)晶體管(發(fā)光控制晶體管)。在 這些配置中，作為基本特4正，才艮據(jù)本發(fā)明的顯示裝置的實(shí)施例至少 具有以下配置，即，在驅(qū)動晶體管的電源端(典型實(shí)例中的漏極端) 與作為電源配線的電源線之間配置發(fā)光控制晶體管。另夕卜，例如，用于驅(qū)動像素電路P的外圍部件具有控制單元， 該控制單元包括寫掃描單元，用于將用于通過順序控制采樣晶體 管來執(zhí)行像素電路的行順序掃描、以及將與視頻信號的信號電位相 對應(yīng)的信息寫入一行中的每個存儲電容器；和驅(qū)動掃描單元，用于 輸出用于根據(jù)寫掃描單元的行順序掃描來控制提供施加給一行中 的每個驅(qū)動晶體管的電源端的電能的掃描驅(qū)動脈沖。另外，控制單10元具有水平驅(qū)動單元，用于執(zhí)行控制以在每個水平周期內(nèi)，根據(jù)寫 掃描單元的行順序掃描，向采樣晶體管提供在基準(zhǔn)電位與信號電位 之間轉(zhuǎn)換的一見頻信號。另外，在經(jīng)由發(fā)光控制晶體管將與用以流過驅(qū)動電流的第 一 電 位相對應(yīng)的電壓(所謂的電源電壓)提供給驅(qū)動晶體管的電源供給 端的時間周期，控制單元至少會通過執(zhí)行控制以將用于執(zhí)行閾值校 正操作的固定電位提供給驅(qū)動晶體管的控制輸入端來實(shí)現(xiàn)控制以 執(zhí)行用于將與驅(qū)動晶體管的閾值電壓相對應(yīng)的電壓保持在存4諸電 容器中的閾值校正操作，其中。根據(jù)場合需要來提供用于進(jìn)行控制 的校正掃描單元。優(yōu)選地，在一部分水平掃描周期中，將用于閾值 校正操作的固定電位作為視頻信號而輸出。因此，可將采樣晶體管 用作用于4是供固定電位的開關(guān)晶體管。控制單元執(zhí)行控制以執(zhí)行用于將關(guān)于驅(qū)動晶體管的遷移率的 校正量加到寫入存儲電容器的信息的遷移率校正操作。根據(jù)場合需 要提供用于進(jìn)行控制的校正掃描單元。優(yōu)選地，4交正掃描單元用作用于進(jìn)行遷移率4交正才乘作的4交正掃 描單元以及用于進(jìn)行閾值沖交正操作的校正掃描單元。因此，在^f象素 電路中，使發(fā)光控制晶體管充當(dāng)響應(yīng)于來自用于進(jìn)行遷移率校正操 作和閾值校正操作的校正掃描單元的脈沖而操作的校正開關(guān)晶體管。在將信號電位寫入存儲電容器前，需要根據(jù)場合需要在多個水 平周期重復(fù)執(zhí)行閾值校正操作。在這種情況下，"根據(jù)場合需要" 是指在一個水平周期內(nèi)的 一個閾值校正周期中不能將與驅(qū)動晶體多次執(zhí)行閾值校正操作來使與驅(qū)動晶體管的閾值電壓相對應(yīng)的電 壓穩(wěn)定保持在存儲電容器中。另夕卜，在閾值校正才喿作前，控制單元才丸行控制以4丸行用于進(jìn)行 閾值校正的準(zhǔn)備操作，在準(zhǔn)備操作中，執(zhí)行操作初始化，以使驅(qū)動 晶體管的控制輸入端與輸出端之間的電位差等于或高于閾值電壓。 更具體地，使存儲電容器連接在控制輸入端與輸出端之間，并進(jìn)行 設(shè)定以使存儲電容器上的電位差等于或高于閾值電壓。需要在像素 電路中設(shè)置開關(guān)晶體管用于進(jìn)行準(zhǔn)備操作。在閾值校正操作之后，控制單元執(zhí)行控制以通過使采樣晶體管 在將信號電位提供給采樣晶體管的時間周期中導(dǎo)通，在將信號電位 的信息寫入存儲電容器的同時，將關(guān)于驅(qū)動晶體管的遷移率的校正 量加到寫入存儲電容器的信號?？刂茊卧栊锌刂埔酝ㄟ^在將與信號電位相對應(yīng)的信息寫入存儲電容器的時間點(diǎn)將驅(qū)動晶體管設(shè)為非導(dǎo)通狀態(tài)來停止將^L頻 信號提供給驅(qū)動晶體管的控制輸入端，并執(zhí)行使驅(qū)動晶體管的控制 輸入端的電位與驅(qū)動晶體管的輸出端的電位的改變連動的引導(dǎo)操作。優(yōu)選地，控制單元在開始發(fā)光的初始階段執(zhí)行引導(dǎo)操作，更明 確地，在結(jié)束采樣操作后執(zhí)行引導(dǎo)操作。具體地，通過在用提供給 采樣晶體管的信號電位來將采樣晶體管設(shè)為導(dǎo)通狀態(tài)后，將采樣晶 體管設(shè)為非導(dǎo)通狀態(tài)來使驅(qū)動晶體管的控制輸入端與輸出端之間 的電位差保持恒定。另外，優(yōu)選地，控制單元控制引導(dǎo)操作以在發(fā)光期間實(shí)現(xiàn)光電 元件的校正長期改變的操作。因此，需要控制單元在基于保持在存 儲電容器中的信息的驅(qū)動電流流過光電元件的期間使采樣晶體管 持續(xù)保持非導(dǎo)通狀態(tài)，乂人而可使控制輸入端與輸出端之間的電壓保持恒定，并因此實(shí)現(xiàn)沖交正光電元件的長期改變的梯:作。據(jù)本發(fā)明的顯示裝置的實(shí)施例的特征 點(diǎn)，控制單元執(zhí)行控制以將用于進(jìn)行閾值校正操作的固定電位(例如，圖4中的Vini) ^是供給驅(qū)動晶體管的控制輸入端，并且當(dāng)通過 根以時分為基礎(chǔ)多次重復(fù)閾值校正操作，將存儲電容器上的電壓設(shè) 為驅(qū)動晶體管的閾值電壓時，控制單元實(shí)現(xiàn)控制，以通過在多個閾 值校正操作期間提供固定電位的時期中，以相互連動的方式使發(fā)光 控制晶體管和采樣晶體管變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài)來執(zhí)行每個閾值校正操作。 在視頻信號為多個閾值校正操作期間的信號電位的時期中，發(fā)光控 制晶體管和采樣晶體管都被設(shè)為非導(dǎo)通狀態(tài)。"相互連動"不限于 發(fā)光控制晶體管和采樣晶體管兩者的同時導(dǎo)通或截止，而是指發(fā)光 控制晶體管和采樣晶體管可以在彼此稍微靠近的個別時間導(dǎo)通或 截止。才艮據(jù)本發(fā)明的一個實(shí)施例，當(dāng)以時分為基礎(chǔ)多次重復(fù)閾4直4交正 操作時，在多個閾值校正操作期間，使發(fā)光控制晶體管和采樣晶體 管在用于進(jìn)行閾值校正的固定電位期間保持導(dǎo)通狀態(tài)，而在視頻信 號為信號電位期間，使發(fā)光控制晶體管和采樣晶體管保持非導(dǎo)通狀 態(tài)，以此方式使發(fā)光控制晶體管與采樣晶體管相互連動。因此，例 如，可能避免了在多個闊值校正周期之間的間隔期間執(zhí)行的可1導(dǎo)操 作所導(dǎo)致的閾值校正失敗的情況。


圖1是圖解示出了作為根據(jù)本發(fā)明的顯示裝置的實(shí)施例的有源 矩陣型顯示裝置的配置的4匡圖；圖2是示出了根據(jù)本實(shí)施例的像素電路的實(shí)例的示圖；圖3A是輔助說明有機(jī)EL元件和驅(qū)動晶體管的操作點(diǎn)的示圖， 以及圖3B ~圖3D是輔助說明有才幾EL元件和驅(qū)動晶體管的特征改 變只于馬區(qū)動電;危Ids的#》。向的示圖；圖4是輔助說明根據(jù)本實(shí)施例的像素電路中的比較實(shí)例的操作臺勺StJ",^*圖;圖5是輔助說明圖4所示的比較實(shí)例的驅(qū)動時間內(nèi)的閾值校正 ^捧作的不利影響的示圖；圖6是輔助說明根據(jù)本實(shí)施例的像素電路的驅(qū)動時間的時序 圖；以及圖7A和圖7B是示出了在圖6所示的本實(shí)施例的驅(qū)動時間內(nèi) 的多個閾值校正周期的 一部分的放大尺寸的時序圖。
具體實(shí)施方式
以下將參看附圖來詳細(xì)描述本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例。 <顯示裝置的相無要>圖1是圖解示出了作為根據(jù)本發(fā)明的顯示裝置的實(shí)施例的有源 矩陣型顯示裝置的配置的框圖。在本實(shí)施例中，將以將本發(fā)明應(yīng)用 于有源矩陣型有才幾EL顯示器(以下稱為有才幾EL顯示裝置)為例 來進(jìn)行描述，例如，將有沖幾EL元件用作〗象素的顯示元件并將多晶 硅薄膜晶體管(TFT)用作有源元件，且該顯示器由形成有薄膜晶 體管的半導(dǎo)體基^^所有^幾EL元件構(gòu)成。順<更，雖然以下將通過以將有沖幾EL元件作為〗象素的顯示元件 作為實(shí)例來進(jìn)行具體描述，但是有機(jī)EL元件為實(shí)例，并且預(yù)期的顯示元件并不限于有才幾EL元件。稍后描述的所有實(shí)施例同樣適用 于通常通過電流驅(qū)動來發(fā)光的所有發(fā)光元件。如圖1所示，有機(jī)EL顯示裝置1包括顯示面板單元100， 其中，排列了具有作為多個顯示元件的有機(jī)EL元件(未圖示)的 l象素電路(也稱為像素)UO，以形成具有長寬比X:Y (例如，9:16) 作為顯示器長寬比的有效纟見頻區(qū)域；驅(qū)動信號生成單元200，作為 用于生成用于驅(qū)動和控制顯示面4反單元100的各種"永沖信號的面4反 控制單元的實(shí)例；以及視頻信號處理單元300。在單片IC(集成電 路)中包括驅(qū)動信號生成單元200和視頻信號處理單元300。-沒置了有才幾EL顯示裝置1的產(chǎn)品的形式并不限于具有圖1所 示的顯示面板單元100、驅(qū)動信號生成單元200和視頻信號處理單 元300的所有模塊(復(fù)合部件)形式。例如，可以僅提供顯示面板 單元IOO作為有才幾EL顯示裝置1。將此有沖幾EL顯示裝置1用作4吏 用諸如半導(dǎo)體存儲器、小型磁盤(MD)、盒式磁帶等和其他電子裝 置的記錄媒體的便攜型音樂播放器中的顯示單元。例如，顯示面板單元100包括像素陣列單元102,其中像素 電路P排列成n行xm列的矩陣形式；垂直驅(qū)動單元103，用于沿 垂直方向掃描^f象素電^各P;水平驅(qū)動單元(也稱為水平選^奪器或tt 據(jù)線驅(qū)動單元)106，用于沿水平方向掃描^象素電^各P;和終端單元 (焊盤(pad)單元)108，用于外部連接，其中像素陣列單元102、 垂直驅(qū)動單元103、 7jc平驅(qū)動單元106和終端單元(焊盤單元)108 以集成方式形成于基氺反101上。即，i者如垂直驅(qū)動單元103、水平 驅(qū)動單元106等的外部驅(qū)動電if各形成于相同基4反101上作為^f象素陣 列單元102。例如，垂直驅(qū)動單元103包括寫掃描單元(寫掃描器WS;寫 掃描)104、驅(qū)動掃描單元(驅(qū)動掃描器DS;驅(qū)動掃描)105 (圖1 所示的兩個單元互相集成)和閾〗直&遷移率才交正掃描單元115。例如，通過寫掃描單元104、驅(qū)動掃描單元105和閾^直&遷移 率校正掃甘苗單元115, 沿圖i的水平方向從一^U或兩,揭區(qū)動像素陣 列單元102，并JL丄f過7,lc平馬區(qū)動單元，106，沿圖1的垂直方向乂人一 側(cè)或兩側(cè)馬區(qū)動l象素陣列單元102。向終端單元108纟是'供來自配置在有,機(jī)EL顯示裝置1外部的驅(qū) 動信號生成單元200的各種脈沖信號。同樣，向終端單元108提供 來自視頻信號處理單元300的一見頻信號Vsig。例如，提供諸如作為沿垂直方向的寫起始脈沖的實(shí)例的移位起 始/泳沖SPDS和SPWS和垂直掃4S時鐘,沐沖CKDS的所需/泳沖"f言號 作為用于垂直驅(qū)動的脈沖信號。另外，4是供諸如作為沿垂直方向的 閾值才僉測起始脈沖的實(shí)例的移位起始脈沖SPAZ和垂直掃描時鐘脈 沖CKAZ的所需脈沖信號作為用于校正閾值和遷移率的脈沖信號。 另外，4是供諸如作為沿水平方向的寫入起始脈沖的實(shí)例的水平起始 脈沖SPH和水平掃描時鐘脈沖CKH的必需脈沖信號作為用于水平 驅(qū)動的脈沖信號。經(jīng)由配線109將終端單元108的每個端連接至垂直驅(qū)動單元 103或水平驅(qū)動單元106。例如，才艮據(jù)場合需要在附圖中未示出的 電平移動單元中，內(nèi)部調(diào)節(jié)l是供鄉(xiāng)合終端單元108的月永沖的電壓電平， 并然后，通過緩沖器將^0中纟是供纟合垂直驅(qū)動單元103或水平驅(qū)動單 元106的各個部件。像素陣列單元102具有以下結(jié)構(gòu)，即，盡管在附圖中未示出， 每個均具有為作為顯示元件的有機(jī)EL元件設(shè)置的像素晶體管的像素電路P (稍后將描述詳情)以矩陣形式排列，為每行像素排列配 置掃描線，并為每列像素排列配置信號線。例如，在^f象素陣列單元102中形成掃描線(柵-才及線)104WS 和105DS、閾值&遷移率4交正掃描線115AZ和信號線(ft據(jù)線) 106HS。在掃描線與信號線4皮此相交的部分形成圖1未示出的有扭^ EL元件和用于驅(qū)動有機(jī)EL元件的薄膜晶體管。有機(jī)EL元件與薄 膜晶體管的組合形成像素電路P 。具體地，為排列成矩陣形式的像素電路P的每個像素行放置用 于通過寫掃描單元104寫驅(qū)動脈沖WS驅(qū)動的n行寫掃描線 104WS_1 ~ 104WS一n和用于通過驅(qū)動掃描單元105掃描驅(qū)動月永沖 DS驅(qū)動的n 4亍驅(qū)動掃描線105DS_1 ~ 105DS_n、以及用于通過閾值 &遷移率校正掃描單元115用閾值&遷移率校正脈沖AZ驅(qū)動的n 4亍閾值&遷移率4交正掃描線115AZ—1 ~ 115AZ—n。寫掃描單元104和驅(qū)動掃描單元105根據(jù)從驅(qū)動信號生成單元 200提供的用于垂直驅(qū)動系統(tǒng)的脈沖信號通過每個掃描線105DS和 104WS來順序地選才奪每個像素電路P。根據(jù)從驅(qū)動信號生成單元 200 4是供的用于水平驅(qū)動系統(tǒng)的月永沖4言號，水平4區(qū)動單元106經(jīng)由 信號線106HS來將圖像信號寫入所選的像素電路P。執(zhí)行行順序驅(qū)動，其中，垂直驅(qū)動單元103的每個部件根據(jù)行 順序來掃描像素陣列單元102，且與掃描同步地，水平驅(qū)動單元106 同時將用于一個水平線的圖像信號寫入像素陣列單元102。當(dāng)為行 順序驅(qū)動予貞先準(zhǔn)備時，7jC平驅(qū)動單元106包4舌用于同時打開附圖中 未示出的開關(guān)的驅(qū)動器電^各，在附圖中，在所有列的信號線106HS 上都設(shè)置了開關(guān)。水平驅(qū)動單元106同時打開在所有列的信號線 106HS上都設(shè)置開關(guān)的附圖中未示出的開關(guān)，以將從視頻信號處理單元300輸出的像素信號同時寫入由垂直驅(qū)動單元103所選4亍的一 排的所有^象素電路P。垂直驅(qū)動單元103的每個部件由邏輯柵4及(包括鎖存器)的組 合構(gòu)成，并且選擇行單元中的像素陣列單元102的像素電^各P。順 1更，雖然圖1示出了在4象素陣列單元102的一側(cè)上配置垂直驅(qū)動單 元103的配置，但是可在介于左側(cè)與右側(cè)之間的像素陣列單元102 的左側(cè)與右側(cè)上配置垂直驅(qū)動單元103。同樣，雖然圖l示出了在 像素陣列單元102的一側(cè)上配置水平驅(qū)動單元106的配置，但是可 在介于上側(cè)與下側(cè)之間的像素陣列單元102的上側(cè)與下側(cè)上配置水 平馬區(qū)動單元106。<^象素電^各>圖2是示出了才艮據(jù)形成了圖1所示的有才幾EL顯示裝置1的本 實(shí)施例的像素電路P的實(shí)例的示圖。順便，圖2還示出了設(shè)置在顯 示面板單元100的基板101上的像素電路P外圍的外圍部件中的垂 直驅(qū)動單元103和7K平驅(qū)動單元106。圖3A是輔助說明有才幾EL元 件和驅(qū)動晶體管的操作點(diǎn)的示圖。圖3B-圖3D是輔助說明有機(jī)EL 元件和驅(qū)動晶體管的特征改變對驅(qū)動電流Ids的影響的示圖。根據(jù)本實(shí)施例的像素電路p的特征在于，驅(qū)動晶體管基本上由 n溝道型薄膜場效應(yīng)晶體管構(gòu)成。^象素電^各P的另一個特4正在于， 像素電路P具有用于抑制提供給有機(jī)EL元件的驅(qū)動電流Ids由于 有才幾EL元件的長期劣化而帶來的改變的電3各，即，用于沖交正作為 光電元件實(shí)例的有機(jī)EL元件的電流-電壓特征的改變并實(shí)現(xiàn)用于使 驅(qū)動電流Ids持續(xù)恒定水平的閾值校正功能和遷移率校正功能的驅(qū) 動信號均勻電路(l)。另夕卜，像素電路P的特征在于像素電路P具 有用于實(shí)現(xiàn)用于使驅(qū)動電流即使在有機(jī)EL元件的電流-電壓特征存 在長期改變時仍保持恒定的引導(dǎo)操作的驅(qū)動信號均勻電路(2)。當(dāng)所有開關(guān)晶體管由n溝道型晶體管而不是p溝道型晶體管形 成時，可在晶體管的制造過程中使用相關(guān)技術(shù)中的非晶硅(a-Si) 處理。從而可以降^f氐晶體管基板的成本，并且可以預(yù)期具有此結(jié)構(gòu) 的虧象素電路P的發(fā)展。將MOS晶體管用作包括驅(qū)動晶體管的每個晶體管。在這種情 況下，將驅(qū)動晶體管的沖冊極端看作是控制輸入端，將驅(qū)動晶體管的 源極端和漏極端中的一個(在這種情況下是源極端)看作是輸出端， 并且將另一個看作是電源端(在這種情況下是漏極端)。根據(jù)本實(shí)施例的像素電路P包括存儲電容器(也稱為像素電 容)120; n溝道型驅(qū)動晶體管121; n溝道型發(fā)光控制晶體管122， 對其作為控制輸入端的柵極端G提供有源H驅(qū)動脈沖(掃描驅(qū)動 脈沖DS); n溝道型采樣晶體管125,對其作為控制輸入端的柵極 端G提供有源H驅(qū)動脈沖(寫驅(qū)動脈沖WS );和有4幾EL元件127， 作為在電流流過元件時發(fā)光的光電元件(發(fā)光元件)的實(shí)例。采樣晶體管125是設(shè)置在驅(qū)動晶體管121的柵極端G (控制輸 入端)的一側(cè)上的開關(guān)晶體管。發(fā)光控制晶體管122也是開關(guān)晶體 管。通常，有機(jī)EL元件127具有電流整流性質(zhì)，并因此用二極管 的符號表示。順便，有機(jī)EL元件127具有寄生電容(等效電容) Cel。圖2示出了與有機(jī)EL元件127并聯(lián)的寄生電容Cel。根據(jù)本實(shí)施例的像素電路p的特征在于，在驅(qū)動晶體管121的 漏極端D的側(cè)面上配置有發(fā)光控制晶體管122、在通過在驅(qū)動晶體 管121的柵極與源極之間連接存儲電容器120來形成引導(dǎo)通路、還 在于，像素電路P具有形成閾值&遷移率校正電路的開關(guān)晶體管。因?yàn)橛袡C(jī)EL元件127是電流發(fā)光元件，所以通過控制流過有 才幾EL元件127的電流的量來獲得色階(color gradation )。因此，通 過改變施加給驅(qū)動晶體管121的柵極端G的電壓來控制流過有機(jī) EL元件127的電流值。此時，引導(dǎo)電路和閾值&遷移率校正電路消 除了有機(jī)EL元件127的長期改變和驅(qū)動晶體管121的特征改變帶 來的影響。因此，除了寫掃描單元104和驅(qū)動掃描單元105外，用 于驅(qū)動像素電路P的垂直驅(qū)動單元103還包括閾值&遷移率沖交正電 路。雖然圖2示出了一個像素電路P，但是具有類似配置的像素電 路P以矩陣形式排列，如參看圖l所述。為以矩陣形式排列的^象素 電路p的每個^象素行配置用于通過寫掃描單元104寫驅(qū)動"永沖WS 驅(qū)動的n 4亍寫掃描線104WS_1 ~ 104WS_n和用于通過驅(qū)動掃描單 元105掃描驅(qū)動脈沖DS驅(qū)動的n 4亍驅(qū)動掃描線105DS—1 ~ 105DS—n、以及用于通過閾值&遷移率才交正掃描單元115用閾4直& 遷移率沖交正月永沖AZ馬區(qū)動的n ^f亍閾^直&遷移率沖交正掃4笛線 115AZ_1 ~ 115AZ—n。引導(dǎo)電路包括與有機(jī)EL元件127并聯(lián)并且提供有有源H閾值 &遷移率才交正月永沖AZ的n溝道型4企測晶體管124,并且由連4妻在驅(qū) 動晶體管121的柵極與源極之間的檢測晶體管124和存儲電容器 120構(gòu)成。存儲電容器120還用作引導(dǎo)電容。閾值&遷移率校正電路在驅(qū)動晶體管121的柵極端G與第二電 源電位Vc2之間包括4是供有有源H閾值&遷移率校正脈沖AZ的n 溝道型才企測晶體管124，且由驅(qū)動晶體管121的棚4及與源+及之間的 才企測晶體管124、驅(qū)動晶體管121、發(fā)光控制晶體管122和存〗諸電 容器120形成。存儲電熱器120還用作保持檢測到的閾值電壓Vth 的閾值電壓保持電容。驅(qū)動晶體管121具有連接至發(fā)光控制晶體管122的源極端S的 漏極端D。將發(fā)光控制晶體管122的漏極端D連接至第一電源電位 Vcl。對發(fā)光控制晶體管122的柵極端G提供通過掃描線105DS來 自驅(qū)動掃描單元105的有源H掃描驅(qū)動力永沖DS。在本實(shí)施例中，考慮到低功率消耗，使Vgs—122為發(fā)光控制晶 體管122的柵極與源極間電壓，使Vth_122為發(fā)光控制晶體管122 的閾值電壓，并且使Vds—122為發(fā)光控制晶體管122的漏極與源極 間電壓，在直線區(qū)域(Vgs—122-Vth—122 〉 Vds—122)中才喿作發(fā)光 控制晶體管122并至少持續(xù)有機(jī)EL元件127的發(fā)光周期。因此， 驅(qū)動掃描單元105將掃描驅(qū)動脈沖DS的大小(L水平與H水平之 間的差)設(shè)得較小，以使發(fā)光控制晶體管122在至少在有機(jī)EL元 件127的發(fā)光期間導(dǎo)通時不會飽和。將驅(qū)動晶體管121的源極端S直接連接至有機(jī)EL元件127的 正極端A。將驅(qū)動晶體管121的源極端S與有機(jī)EL元件127的正 極端A之間的連接點(diǎn)設(shè)為節(jié)點(diǎn)ND12L將有才幾EL元件127的負(fù)極 端K連4妄至4是供基準(zhǔn)電位的所有<象素共有的4妄地線Vcath ( GND )， 并因此被提供了負(fù)極電位Vcath。采樣晶體管125具有從配線掃描單元104連4妄至配線掃描線 104WS的柵極端G、連接至視頻信號線106HS的漏極端D和連接 至驅(qū)動晶體管121的4冊才及端G的源才及端S。爿尋驅(qū)動晶體管121的源 極端S直接連接至有機(jī)EL元件127的正極端A。將采樣晶體管125 的源極端S與驅(qū)動晶體管121的柵極端G之間的連接點(diǎn)設(shè)為節(jié)點(diǎn) ND122。向采樣晶體管125的柵極端G提供來自寫掃描單元104的 有源H寫驅(qū)動脈沖WS。采樣晶體管125也可以為反轉(zhuǎn)源極端S和 漏極端D的連接才莫式。存儲電容器120具有連接至驅(qū)動晶體管121 的源極端S的一個端和連接至相同驅(qū)動晶體管121的柵極端G的另 一端。-險(xiǎn)測晶體管124是開關(guān)晶體管。檢測晶體管124具有連4妄至作 為驅(qū)動晶體管121的源才及端S與有才幾EL元件127的正才及端A之間 的連接點(diǎn)的節(jié)點(diǎn)ND121的漏極端D、連接至作為基準(zhǔn)電位的實(shí)例 的基準(zhǔn)電位Vini (也稱為地電位Vsl )的源極端S和連接至閾值& 遷移率4史正掃描線115AZ的作為控制輸入端的柵極端G。通過將存 儲電容器120連接在驅(qū)動晶體管121的柵極與源極之間并使沖企測晶 體管124導(dǎo)通，將驅(qū)動晶體管121的源極端S的電位通過檢測晶體 管124連接至作為固定電位的基準(zhǔn)電位Vini。釆樣晶體管125在被寫掃描線104WS選擇時操作。采樣晶體 管125從信號線106HS采樣像素信號Vsig (像素信號Vsig的信號 電位Vin ),并通過節(jié)點(diǎn)ND122將具有與信號電位Vin相對應(yīng)的量 值的電壓保持在存儲電容器120中。理論上，存儲電容器120所保 持的電位具有與信號電位Vin相同的大小，但是實(shí)際上比信號電位 Vin低。當(dāng)發(fā)光控制晶體管122在掃描驅(qū)動脈沖DS下導(dǎo)通時，根據(jù)由 存儲電容器120保持的驅(qū)動電位(此時為驅(qū)動晶體管121的棚-才及與 源極間的電壓Vgs)，驅(qū)動晶體管121通過電流來驅(qū)動有機(jī)EL元件 127。發(fā)光控制晶體管122在^皮驅(qū)動掃描線105DS選擇時導(dǎo)通以將 來自第一電源電位Vcl的電流^是供給驅(qū)動晶體管121。因此，通過將作為驅(qū)動晶體管121的電源端的驅(qū)動端D的一側(cè) 通過發(fā)光控制晶體管122連接至第一電源電位Vcl，并控制發(fā)光控 制晶體管122的導(dǎo)通周期，可以調(diào)節(jié)有機(jī)EL元件127的發(fā)光周期 和不發(fā)光周期，從而執(zhí)4亍負(fù)載驅(qū)動。才企測晶體管124在^皮通過將來自閾值&遷移率4交正掃描單元 115的有源H閾值&遷移率校正脈沖AZ提供給閾值&遷移率校正掃 描線115AZ設(shè)為所選狀態(tài)時操作。檢測晶體管124執(zhí)行預(yù)定校正操作(在這種情況下，校正閾值Vth和遷移率|a的改變的操作)。例 如，為了在有才幾EL元件127的電流驅(qū)動之前才企測驅(qū)動晶體管121 的閾值電壓Vth并預(yù)先消除閾值電壓Vth的影響，才企測晶體管124 使檢測到的電位保持在存儲電容器120中。另外，在閾值校正之前，可以使用偏壓Vofs (也稱為基準(zhǔn)電位 Vo)作為視JH言號線106HS中的一見頻4言號Vsig的恒定電《立(固定 電位)和4企測晶體管124的源才及端S側(cè)上的基準(zhǔn)電位Vini來#丸4亍準(zhǔn) 備操作。此準(zhǔn)備操作初始化了驅(qū)動晶體管121的控制輸入端(柵極 端G)和輸出端(源極端S)的電位，以使兩端之間的電位差(柵 極與源極間電壓Vgs)等于或大于閾值電壓Vth。順<更，偏壓Vofs 用于閾值校正操作之前的初始化才乘作，且偏壓Vofs還用于對一見頻信 號線106HS進(jìn)4亍予貞先充電。作為用于確保像素電路P的正常操作的條件，將基準(zhǔn)電位Vini 設(shè)為低于通過從視頻信號Vsig的偏壓Vofs中減去驅(qū)動晶體管121 的閾值電壓Vth所得到的電平。即，"Vini<Vofs —Vth"。即，滿足 "Vofs - Vini > Vth"，并且將基準(zhǔn)電位Vini設(shè)為比視頻信號線 106HS中的視頻信號Vsig的偏壓Vofs足夠低的電位。另外，將通過將有機(jī)EL元件127的閾值電壓VthEL與有機(jī)EL 元件127的負(fù)極端K的電位Vcath相力口所得到的電平設(shè)為比基準(zhǔn)電 位Vini高。即，"Vcath + VthEL > Vini，，。這意p木著有才幾EL元4牛127 在閾值校正操作之前的準(zhǔn)備操作期間被反向偏置(reverse-biase )。 可以將負(fù)極電位Vcath設(shè)為0 V (=地電位)，以使"VthEL > Vini"。另夕卜，將閾值校正周期中的正極電位(驅(qū)動晶體管121的源極 電位Vs )設(shè)為通過將有機(jī)EL元件127的閾值電壓VthEL與有枳^ EL元件127的負(fù)4及端K的電位Vcath相加所得的電平高。即，"Vofs -Vth < Vcath + VthEL"。這意^未著有才幾EL元件127在閾^f直4交正周23期中也被反向偏置?？梢詫⒇?fù)極電位Vcath設(shè)為0 V ( -地電位)， 以使"Vofs_Vth<VthEL"。在具有此結(jié)構(gòu)的比較實(shí)例的像素電路P中，在預(yù)定信號寫入周 期(采樣周期)，采樣晶體管125響應(yīng)于從寫掃描線104WS提供的 寫驅(qū)動力永沖WS而導(dǎo)通，以采樣乂人存儲電容器120的一見頻4言號線 106HS提供的視頻信號Vsig。根據(jù)采樣到的視頻信號Vsig,存儲電 容器120在驅(qū)動晶體管121的柵極與源極之間施加輸入電壓(棚4及 與源4及間的電壓Vgs)。在預(yù)定發(fā)光周期中，驅(qū)動晶體管121將作為驅(qū)動電流Ids的對 應(yīng)于4冊才及與源才及間電壓Vgs的輸出電流纟是供^會有才幾EL元件127。 當(dāng)有機(jī)EL元件127被驅(qū)動時，對驅(qū)動晶體管121的漏極端D ^是供 第一電位Vcc—H,并將驅(qū)動晶體管121的源才及端S連4妾至有才幾EL 元件127的正才及端A側(cè)，/人而整體形成源才及輸出器電^各。順便，驅(qū)動電流Ids取決于驅(qū)動晶體管121中的溝道區(qū)域的載 流子遷移率n和驅(qū)動晶體管121的閾值電壓Vth。有機(jī)EL元件127 根據(jù)從驅(qū)動晶體管121提供的驅(qū)動電流Ids來以與視頻信號Vsig(具 體地，信號電位Vin)相對應(yīng)的亮度發(fā)光。根據(jù)本實(shí)施例的像素電路P具有由開關(guān)晶體管(發(fā)光控制晶體 管122和才全測晶體管124)形成的4交正部。為了消除馬區(qū)動電;充Ids 對載流子遷移率Ki的依賴性，在發(fā)光周期開始時預(yù)先校正由存儲電 容器120保持的柵極與源極間電壓Vgs。具體地，在一部分信號寫入周期中，校正部(開關(guān)晶體管122 和124)根據(jù)從寫掃描線104WS和驅(qū)動掃描線105DS提供的寫驅(qū) 動脈沖WS和掃描驅(qū)動脈沖DS來操作，以通過從驅(qū)動晶體管121 獲耳又處于一見頻信號Vsig^皮采樣的狀態(tài)的驅(qū)動電流Ids并將驅(qū)動電流Ids負(fù)反饋給存儲電容器120來校正柵極與源極間電壓Vgs。另外， 為了消除驅(qū)動電流Ids對閾^直電壓Vth的依賴性，校正部(開關(guān)晶 體管122和124)在信號寫入周期之前預(yù)先4全測驅(qū)動晶體管121的 閾值電壓Vth，并將4企測到的閾值電壓Vth與柵極與源才及間電壓Vgs 才目力口。具體地，在根據(jù)本實(shí)施例的像素電路P中，驅(qū)動晶體管121是 n溝道型晶體管并且其漏極連4妄至正電源側(cè)，而驅(qū)動晶體管121的 源才及連4妄至有才幾EL元件127側(cè)。在這種情況下，在與^f言號寫入周 期的稍后部分重疊的發(fā)光周期的開始部分中，上述4交正部/人驅(qū)動晶 體管121獲取驅(qū)動電流Ids并將驅(qū)動電流Ids負(fù)反饋給存儲電容器 120側(cè)。此時，校正部能夠使在發(fā)光周期的開始部分中從驅(qū)動晶體 管121的源極端S側(cè)獲取的驅(qū)動電流Ids流入有機(jī)EL元件127的 寄生電容Cel。明確地，有才幾EL元件127是具有正才及端A和負(fù)才及 端K的二極管型發(fā)光元件。將正極端A側(cè)連接至驅(qū)動晶體管121 的源才及端S，而—尋負(fù)才及端K側(cè)連4妄至4妄地側(cè)(本實(shí)例中是負(fù)才及電4立 Vcath )。在此結(jié)構(gòu)中，校正部(開關(guān)晶體管122和124)預(yù)先在有機(jī)EL 元件127的正極與負(fù)極之間設(shè)置反向偏置狀態(tài)，并且因此在從驅(qū)動 晶體管121的源4及端S側(cè)獲耳又的驅(qū)動電流Ids流入有才幾EL元件127 時，二才及管型有才幾EL元件127充當(dāng)了電容元件。順<更，校正部可以調(diào)節(jié)在信號寫入周期內(nèi)從驅(qū)動晶體管121獲 取驅(qū)動電流Ids的持續(xù)時間t。從而，校正部優(yōu)化了驅(qū)動電流Ids到 存儲電容器120的負(fù)反饋量。在這種情況下，"優(yōu)化負(fù)反饋量，，是 指可在從視頻信號電位的黑色電平到白色電平的范圍中的任何電 平適當(dāng)執(zhí)行遷移率校正。施加給柵極與源極間電壓Vgs的負(fù)反饋量 耳又決于驅(qū)動電流Ids的獲耳又時間。獲取時間越長，負(fù)反々貴量越大。例如，通過對信號線106HS的電壓的升高邊緣提供傾斜作為視 頻線信號電位或?qū)憭呙杈€104WS的寫驅(qū)動脈沖WS的脈沖過渡 特征提供傾斜，使遷移率校正周期t自動跟隨視頻線信號電位，并 因此被優(yōu)化。即，可以通過寫掃描線104WS和信號線106HS之間 的相位差來確定遷移率沖交正周期，并且可以通過信號線106HS的電 ^立來確定遷移率才交正周期。遷移率4交正參ft AV是AV = Ids'Cel/t。 如可以從這個等式看出，驅(qū)動晶體管121的漏極與源^J'司電流的驅(qū) 動電流Ids越高，遷移率校正參數(shù)AV越高。相反，當(dāng)驅(qū)動晶體管 121的驅(qū)動電流Ids低時，遷移率校正參數(shù)AV低。因此，4艮據(jù)驅(qū)動 電流Ids來確定遷移率4交正參lt AV。此時，遷移率校正周期t并非必須恒定，而是需要根據(jù)驅(qū)動電 流Ids來調(diào)節(jié)遷移率校正周期t。例如，當(dāng)驅(qū)動電流Ids高時需要將 遷移率校正周期t設(shè)得較短，相反，當(dāng)驅(qū)動電流Ids低時將遷移率 沖交正周期H殳得4交長。因此，通過對視頻信號線電位(信號線106HS 的電^f立)的上升沿或?qū)憭呙杈€104WS的寫驅(qū)動力永沖WS的3永沖過 渡特征^是供傾斜4丸^亍自動調(diào)節(jié)，以當(dāng)信號線106HS的電位高時(當(dāng) 驅(qū)動電;克Ids高時)縮4豆沖吏正周期t并且當(dāng)4言號線106HS的電4立4氐 時(當(dāng)驅(qū)動電流Ids低時)，使校正周期t增長。因此，可以以跟隨 #見頻信號電位(3見頻信號Vsig的信號電位Vin)的方式來自動i殳置 適當(dāng)?shù)男Ｕ芷?。因此，可以使最佳遷移率校正與圖像的亮度或模 式無關(guān)。圖2中示出的根據(jù)本實(shí)施例的像素電路P使用4TR結(jié)構(gòu)，其中， 基于在驅(qū)動晶體管121外使用用于掃描視頻信號Vsig的一個開關(guān)晶 體管(采樣晶體管124)的2TR驅(qū)動的結(jié)構(gòu)，在驅(qū)動晶體管121的 漏極端D側(cè)上提供了用于動態(tài)控制顯示周期(或發(fā)光周期)的發(fā)光 控制晶體管122,并且一個開關(guān)晶體管(采樣晶體管124)用于進(jìn) 行用于校正閾值和遷移率的掃描。另夕卜，像素電路P的特征在于，像素電路P通過設(shè)置用于控制各個開關(guān)晶體管的寫驅(qū)動脈沖ws、掃描驅(qū)動脈沖DS和閾值&遷移率校正脈沖AZ的開/關(guān)時間防止了 有機(jī)EL元件127的長期劣化和驅(qū)動晶體管121的特征改變(例如， 閾值電壓、遷移率等的改變和改變)而產(chǎn)生的對驅(qū)動電流Ids的影 響另夕卜，圖2所示的根據(jù)本實(shí)施例的像素電路P的特征在于存儲 電容器120的連接模式。存儲電容器120形成引導(dǎo)電路(驅(qū)動信號 均勻電^各(2 )的實(shí)例)，作為了用于防止由有機(jī)EL元件127的長 期劣化引起的驅(qū)動電流改變的電路。像素電路P的特征在于像素電 路P具有驅(qū)動信號均勻電路(2),用于實(shí)現(xiàn)引導(dǎo)功能，用于即使有 機(jī)EL元件的電流-電壓特征存在長期改變，仍然能夠^使驅(qū)動電流保 持恒定(防止驅(qū)動電流改變)。具體地，在根據(jù)本實(shí)施例的像素電 路P中，將存儲電容器120連接在驅(qū)動晶體管121的柵極端G (節(jié) 點(diǎn)ND122 )和源極端S之間，并且將驅(qū)動晶體管121的源極端S直 4妄連4妄至有才幾EL元件127的正才及端A。<基本操作>首先，將描述以下情況作為用于描述^^艮據(jù)圖2所示的本實(shí)施例 的像素電路P的特性的比較實(shí)例，其中，不提供發(fā)光控制晶體管122 和才企測晶體管124并且存4諸電容器120具有連接至節(jié)點(diǎn)ND122的 一個端和連4妻至所有〗象素所共有的接地配線Vcath (GND)的其他 端。以下將此像素電路P稱為比較實(shí)例的像素電路P 。在比較實(shí)例的像素電^各P中，通過驅(qū)動晶體管121和有才幾EL 元件127的操作點(diǎn)來確定驅(qū)動晶體管121的源極端S的電位(源極 電位Vs )，并且電壓值—見驅(qū)動晶體管121的棚-才及電位Vg而不同。通常，如圖3A所示，在々包和區(qū)中驅(qū)動驅(qū)動晶體管121。因此， Ids為在々包和區(qū)中才乘作的晶體管的漏才及端與源4及之間流動的電流、|x 為遷移率、W為溝道寬度(柵極寬度)、L為溝道長度(柵極長度)、 Cox為柵極電容(每單位面積的柵極氧化膜電容)、并且Vth為晶 體管的閾值電壓，驅(qū)動晶體管121具有由以下等式(1)表示的值 的恒定電流源。順便，"a"表示功率。如從等式(1)清楚看出， 通過柵極與源極間電壓Vgs來控制晶體管的漏極電流Ids，并且驅(qū) 動晶體管121用作恒定電流源。[等式1〗<formula>formula see original document page 28</formula>1) <發(fā)光元件的Iel-Vel特4正和I-V特4正>圖3B所示特征的有機(jī)EL元件所代表的電流驅(qū)動型發(fā)光元件 的電流-電壓(Iel-Vel)特征中，所示為實(shí)線的曲線表示在初始狀態(tài) 的特征，并且所示為虛線的曲線表示在長期改變后的特征。通常， 如曲線圖所示，包括有機(jī)EL元件的電流驅(qū)動型發(fā)光元件的I-V特 ;f正隨時間劣化。例如，當(dāng)發(fā)光電流Iel流過作為發(fā)光元件的實(shí)例的有才幾EL元件 127時，唯一確定有沖幾EL元件127的正才及與負(fù)才及間電壓Vel。如圖 3B所示，在發(fā)光期間，由驅(qū)動晶體管121的漏極與源極間電流Ids (=驅(qū)動電流Ids )確定的發(fā)光電流Id流過有機(jī)EL元件127的正 極端A，并且有才幾EL元件127的正極端A從而升高正才及與負(fù)極間 電壓Vel。在比較實(shí)例的像素電路P中，由于有機(jī)EL元件127的I-V特 征的長期改變，所以相同發(fā)光電流Iel的正極與負(fù)極間電壓Vel從Veil變?yōu)閂el2。因此，驅(qū)動晶體管121的#:作點(diǎn)改變。即4吏施加相 同柵極電位Vg,驅(qū)動晶體管121的源才及電位Vs也改變。因此，驅(qū) 動晶體管121的柵極與源極間電壓Vgs改變。在使用n溝道型作為驅(qū)動晶體管121的簡單電路中，將驅(qū)動晶 體管121的源才及端S連"f妄至有才幾EL源才及127側(cè)，且因此通過有才幾 EL元件127的I-V特征的長期改變來得到簡單電路。因此，流過有 機(jī)EL元件127的電流(發(fā)光電流Iel)量改變。因此，發(fā)光亮度改 變。具體地，在比較實(shí)例的^f象素電路P中，才喿作點(diǎn)由于有才幾EL元 件127的I-V特征的長期改變而改變。即使施加相同4冊極電位Vg, 驅(qū)動晶體管121的源才及電位Vs也改變。因此，驅(qū)動晶體管121的 柵極與源極間電壓Vgs改變。如從特征等式(1)清楚看出，即使 才冊極電4立Vg恒定，4冊才及與源一及間電壓的改變?nèi)匀桓淖凃?qū)動電流Ids, 并同時改變了流過有坤幾EL元件127的電流值。因此，在比4交實(shí)例 的像素電路P中，有機(jī)EL元件127的I-V特征改變導(dǎo)致有機(jī)EL 元件127的發(fā)光亮度的長期改變。在使用n溝道型作為驅(qū)動晶體管121的簡單電路中，將驅(qū)動晶 體管121的源極端S連接至有機(jī)EL元件127側(cè)，且因此柵極與源 才及間的電壓Vgs隨有才幾EL元件127的長期改變而改變。因此，流 過有才幾EL元件127的電流量改變。因此，發(fā)光亮度改變。由于作為發(fā)光元件的實(shí)例的有才幾EL元件127的特征的長期改 變而帶來的有機(jī)EL元件127的正極電位改變表現(xiàn)為驅(qū)動晶體管121 的4冊才及與源才及間電壓Vgs的改變，并帶來驅(qū)動電流(馬區(qū)動電流Ids) 的改變。由此帶來的驅(qū)動電流的改變表現(xiàn)為每個像素電路P的發(fā)光 亮度的改變，從而引起圖像質(zhì)量的劣化。另夕卜，如稍后將詳細(xì)描述，通過在已將對應(yīng)于信號電位Vin的 信息寫入存儲電容器120中時將采樣晶體管125設(shè)為非導(dǎo)通狀態(tài) (并且在有機(jī)EL元件127的后續(xù)發(fā)光期間使采樣晶體管125持續(xù) 保持非導(dǎo)通狀態(tài))來執(zhí)行引導(dǎo)操作，其中，電路配置和驅(qū)動時間經(jīng) 配置以實(shí)現(xiàn)佳^冊才及端G的電位Vg與驅(qū)動晶體管121的源才及電位 Vs的改變連動的引導(dǎo)功能。從而，即4吏由于有才幾EL元件127的特征的長期改變橫:得有^L EL元件127的正極電位存在改變(即，源極電位的改變)，棚-極電 位Vg也發(fā)生改變從而消除了改變。因此，可以保證屏幕亮度的均 勻(uniformity )。引導(dǎo)功能可以改進(jìn)校正有機(jī)EL元件所代表的電 流驅(qū)動型發(fā)光元件的長期改變的能力。可以在開始發(fā)光時開始此引導(dǎo)功能，此時寫驅(qū)動脈沖WS變?yōu)?非有源L狀態(tài)并且因此使采樣晶體管125截止，且此后在發(fā)光電流 Iel開始流過有機(jī)EL元件127并且正極與負(fù)極間電壓Vel隨發(fā)光電 流Iel的流動開始而升高，直至正極與負(fù)^L間電壓Vel穩(wěn)定，引導(dǎo)功 能也在驅(qū)動晶體管121的源極電位Vs隨正極與負(fù)極間電壓Vel的 支變而改變時起作用。<驅(qū)動晶體管的Vgs-Ids特征〉另外，由于制造驅(qū)動晶體管121的過程的改變，每個像素電路 P具有閾值電壓、遷移率等的改變。即使驅(qū)動晶體管121在飽和區(qū) 中被驅(qū)動且將相同柵極電位提供給驅(qū)動晶體管121時，特征改變改 變了每個像素電路P中的漏極電流(驅(qū)動電流Ids),該改變表現(xiàn)為 發(fā)光亮度的不均勻。例如，圖3C是示出了直接關(guān)于驅(qū)動晶體管121的閾值改變的 電壓-電流(Vgs-Ids)特4正的示圖。相對于具有不同閾值電壓Vthl 和Vth2的兩個驅(qū)動晶體管121來列舉各個特征曲線。如上所述，當(dāng)驅(qū)動晶體管121在々包和區(qū)才乘作時的漏才及電流Ids 由特征等式(1 )表示。如從特征等式(1 )清楚看出，當(dāng)閾值電壓 Vth改變時，即使柵極與源極間電壓Vgs恒定，漏極電流Ids仍改 變。即，如圖3C所示，當(dāng)對閾值電壓Vth的改變不采取措施時， 與當(dāng)閾值電壓為Vthl時的電壓Vgs相對應(yīng)的驅(qū)動電流為Idsl ，而 與當(dāng)閾d直電壓為Vth2時的相同柵-才及電壓Vgs相乂于應(yīng)的驅(qū)動電流 Ids2不同于Idsl。另外，圖3D是示出了關(guān)于驅(qū)動晶體管121的遷移率改變的電 壓-電流(Vgs-Ids)特;f正的示圖。相對于具有不同遷移率和 的兩個驅(qū)動晶體管121來列舉各個特征曲線。如從特征等式(1)清楚看出，當(dāng)遷移率p改變時，即使柵極 與源才及間電壓Vgs恒定，漏才及電;;克Ids仍改變。即，3口圖3D所示， 當(dāng)^j"遷移率(i的改變不采耳又4晉施時，與當(dāng)遷移率為nl時的電壓Vgs 相對應(yīng)的驅(qū)動電流為Idsl，而與當(dāng)遷移率為|i2時的相同柵4及電壓 Vgs相對應(yīng)的驅(qū)動電流不同于Idsl的Ids2。如圖3C或圖3D所示，如果由于閾^直電壓Vth或遷移率|1的 不同而使Vin-Ids特征存在很大不同，那么即使提供相同信號電位 Vin，驅(qū)動電流Ids(即，發(fā)光亮度)仍不同。因此，可能無法獲得 均勻的屏幕亮度。另外，通過設(shè)置用于實(shí)現(xiàn)閾值校正功能和遷移率校正功能(詳情稍后描述)的驅(qū)動時間，可能抑制這些改變的影響， 并因此保證屏幕亮度的均勻。在根據(jù)本實(shí)施例的閾值校正操作和遷移率校正操作中，盡管稍后S尋具伴、描述，1'旦是仍3奪發(fā)光時的4冊才及與源才及間電壓Vgs表示為 "Vin + Vth - AV"。從而，防止了漏極與源極間電流Ids取決于閾 值Vth的改變或改變并防止其耳又決于遷移率(i的改變或改變。因此，也不改變，且因此有才幾EL元件127的發(fā)光亮度不改變。<本實(shí)施例的像素電路的操作>首先將從定性的觀點(diǎn)來描述根據(jù)本發(fā)明的用于像素電路P的驅(qū) 動時間。作為根據(jù)本實(shí)施例的像素電路P中的驅(qū)動時間，采樣晶體 管125首先響應(yīng)于從寫掃描線104WS提供的寫驅(qū)動脈沖WS到從 視頻信號線106HS提供的視頻信號Vsig而導(dǎo)通，并將與作為一見頻 信號Vsig的有效時期的電位的信號電位Vin相對應(yīng)的信息作為驅(qū)動 電位保持在存儲電容器120中。驅(qū)動普通像素電路的情況也如此。向驅(qū)動晶體管121提供來自電源電位Vcl的電流，且驅(qū)動晶體 管121根據(jù)保持在存儲電容器120中的驅(qū)動電位(與^L頻信號Vsig 的有效時期的電位相對應(yīng)的電位對應(yīng)于信號電位Vin的電位)通 過有4幾EL元件127來發(fā)送驅(qū)動電流Ids。垂直驅(qū)動單元103將寫驅(qū)動脈沖WS設(shè)為用于使采樣晶體管 125在4見頻信號線106HS在^L頻〗言號Vsig的非有歲文時期處于偏壓 Vofs(基準(zhǔn)電位Vo)的時期內(nèi)在有源H狀態(tài)下導(dǎo)通的控制信號。從 而，將與驅(qū)動晶體管121的閾值電壓Vth相對應(yīng)的電壓保持在存儲 電容器120中。此操作實(shí)現(xiàn)了閾值校正功能。此閾值校正功能可以 消除驅(qū)動晶體管121的閾值電壓Vth的影響，該閾值電壓Vth在每 個^f象素電^各P中？文變。優(yōu)選地，在視頻信號Vsig的信號電位的采樣之前，垂直驅(qū)動 單元103在多個水平時期重復(fù)閾值校正操作，以將與驅(qū)動晶體管121 的閾值電壓Vth相對應(yīng)的電壓長期保持在存儲電容器120中。從而， 通過多次執(zhí)行閾值校正操作來得到足夠長的寫入時間。從而，可以 預(yù)先將與驅(qū)動晶體管121的閾值電壓Vth相對應(yīng)的電壓長期保持在 存儲電容器120中。此閾值校正被稱為"分開的閾值校正"。將所保持的與閾值電壓Vth相對應(yīng)的電壓用以消除驅(qū)動晶體管 121的閾值電壓Vth。因此，即使當(dāng)驅(qū)動晶體管121的閾值電壓Vth 在每個像素電路P中改變時，也能完全消除驅(qū)動晶體管121的閾值 電壓Vth，以使得圖像均勻，即，增強(qiáng)顯示裝置的整個屏幕上的發(fā) 光亮度的均勻性。具體地，可以防止由于信號電位表現(xiàn)^f氐階時出現(xiàn) 的亮度不均勻。優(yōu)選地，在閾值校正操作之前，垂直驅(qū)動單元103通過將閾值 &遷移率4交正"永沖AZi殳為有源(在本實(shí)例中為H電平)以及^1夸掃 描驅(qū)動脈沖DSi殳為非有源(在本實(shí)例中為L電平)來將驅(qū)動晶體 管121的源極電位Vs設(shè)置(初始化)為基準(zhǔn)電位Vini。另外，在 當(dāng)一見頻信號Vsig處于偏壓Vofs時的周期中，垂直驅(qū)動單元103通 過將寫驅(qū)動脈沖WS設(shè)置為有源(在本實(shí)例中為H電平)來將驅(qū)動 晶體管121的柵極電位Vg設(shè)置(初始化)為偏壓Vofs。因此，垂 直驅(qū)動單元103爿夸連4妄至驅(qū)動晶體管121的棚4及與源4及之間的存^f諸 電容器120上的電壓設(shè)置為高于閾值電壓Vth的電壓，然后開始閾 值校正操作。此重置(初始化的操作)柵極電位和源極電位的操作 能夠長期執(zhí)行以下閾值校正操作。除了閾值校正功能外，根據(jù)本實(shí)施例的像素電路P還可以具有 遷移率才交正功能。例如，在閾值才交正才乘作之后，垂直驅(qū)動單元103 執(zhí)行控制以通過使采樣晶體管125在將信號電位Vin提供給采樣晶 體管125的時期內(nèi)導(dǎo)通來將與信號電位Vin相對應(yīng)的信息(驅(qū)動電位)寫入存儲電容器120,然后，通過將掃描驅(qū)動脈沖DS設(shè)為有 源H狀態(tài)而仍然將信號電位Vin提供給驅(qū)動晶體管121的柵極端G 來將對驅(qū)動晶體管121的遷移率4交正量加到寫入存4諸電容器中的信 號上，然后，將寫驅(qū)動脈沖WSi殳為非有源L狀態(tài)。/人將掃描驅(qū)動 脈沖DS設(shè)為有源H狀態(tài)到將寫驅(qū)動脈沖WS設(shè)為非有源狀態(tài)的周 期是遷移率校正周期。通過適當(dāng)設(shè)置這個周期，可以適當(dāng)調(diào)節(jié)驅(qū)動 晶體管121的遷移率p的校正量。根據(jù)本實(shí)施例的像素電路P還通過將存儲電容器120連接在驅(qū) 動晶體管121的柵極與源極之間來具有引導(dǎo)功能。具體地，在存儲 電容器120保持與視頻信號Vsig的信號電位Vin相對應(yīng)的驅(qū)動電位 時，寫掃描單元104取消將寫驅(qū)動"永沖WS施加到寫掃描線104WS (即，^夸寫驅(qū)動力永沖WSi殳置為非有源L狀態(tài))。乂人而，寫掃描單 元104將采樣晶體管125設(shè)為非導(dǎo)通狀態(tài)以使驅(qū)動晶體管121的柵 才及端G與一見頻4言號線106HS電斷開。將存儲電容器120連接在驅(qū)動晶體管121的柵極端G與源極端 S之間。由于存儲電容器120的作用，驅(qū)動晶體管121的柵極電位 Vg變得與驅(qū)動晶體管121的源極電位Vs的改變連動。因此，可以 發(fā)揮用于使柵極與源極間電壓Vgs保持恒定的引導(dǎo)功能。<時序圖；比專交實(shí)例>圖4是輔助說明根據(jù)本實(shí)施例的像素電路中的比較實(shí)例的操作 的時序圖。圖4示出了寫驅(qū)動^K沖WS、閾d直&遷移率4文正^0中AZ 和掃描驅(qū)動脈沖DS沿時間軸t的波形。如從以上描述所理解，由 于開關(guān)晶體管122、 124和125為n溝道型的，所以開關(guān)晶體管122、 124和125在各個脈沖DS、 AZ和WS處于高(H)電平時導(dǎo)通， 并在各別脈沖DS、 AZ和WS處于低(L)電平時截止。順便，此 時序圖也示出了^見頻4言號Vsig、驅(qū)動晶體管121的棚-才及端G處的電位改變和驅(qū)動晶體管121的源才及端S處的電^f立改變以及各別力永沖 WS、 AZ和DS的波形?；旧?，以一個水平掃描周期的延遲來^t寫掃描線104WS和 閾值&遷移率校正掃描線的每行4丸行類似驅(qū)動。將圖4中的 時間和信號示為和與凈皮處理的4亍無關(guān)的第一4亍的時間和信號相同 的時間和信號。當(dāng)必須在描述上區(qū)分出一4亍時，通過由具有"—" 的參考符號來表示凈皮處理的行來區(qū)分出該行的時間和信號。另外， 在說明書和附圖中，例如，當(dāng)在類似時間出現(xiàn)不同驅(qū)動脈沖時，才艮 據(jù)場合需要附上用于區(qū)別各個驅(qū)動脈沖的DS (在掃描驅(qū)動脈沖DS 的情況下)、AZ (在閾值&遷移率4交正脈沖AZ的情況下)、WS (在 寫驅(qū)動"永沖WS的情況下)、和V (在纟見頻〗言號Vsig的情況下)。在比較實(shí)例的驅(qū)動時間中，將一見頻信號Vsig處于偏壓Vofs的 周期(該周期為非有效周期(固定信號周期))設(shè)為一個水平周期 的第一半部分，并且將^L頻信號Vsig處于信號電位Vin (該電位在 每個水平周期中不同)的周期(該周期為有效周期)置為一個水平 周期的第二半部分。即，視頻信號Vsig是在1H周期中采取偏壓 Vofs和4言號電4立Vin兩個^f直的力永沖。另外，在比較實(shí)例的驅(qū)動時間中，才艮據(jù)-f見頻信號Vsig的有效 周期和非有效周期的組合，在每個水平周期中將閾值校正操作執(zhí)行多次(例如，三次)。通過每次用無"_"的參考符號表示來區(qū)分每 次閾值校正操作時在視頻信號Vsig的有效周期與非有效周期之間 轉(zhuǎn)才奐的時間和在掃描驅(qū)動"永沖DS (t62DS和t64DS )的有源一犬態(tài)與 非有源狀態(tài)之間轉(zhuǎn)換的時間。順便，在圖4所示的驅(qū)動時間中，將一個水平周期作為過程周 期來多次重復(fù)閾值校正操作。 一個水平周期是閾值校正操作的過程 周期，因?yàn)閷γ啃衼碚f，在采樣晶體管125采樣存儲電容器120中的信號電位Vin之前，在閾值校正操作之前經(jīng)過將驅(qū)動晶體管121 的柵極電位Vg設(shè)為偏壓Vofs并將驅(qū)動晶體管121的源極電位Vs 設(shè)為基準(zhǔn)電位Vini的初始化操作之后，執(zhí)行閾值校正操作以通過在 牙見頻信號線106HS處于偏壓Vofs而采樣晶體管125 ^f呆持在導(dǎo)通狀 態(tài)的時期中使發(fā)光控制晶體管122導(dǎo)通來將與驅(qū)動晶體管121的閾 值電壓Vth相對應(yīng)的電壓保持在存儲電容器120中。在如上所述的^L頻信號Vsig的第一半部分中呈現(xiàn)出當(dāng)在每個 水平周期出現(xiàn)j見頻^f言號線106HS處于偏壓Vofs的時期，且該時期 比一個水平周期短。因此，閾〗直才交正周期不可避免地比一個水平周 期短。因此，可以存在以下情況由于存^f諸電容器120的電容Cs、 基準(zhǔn)電位Vini、與偏壓Vofs之間的差以及其他因素，在這個用于一 個閾值校正操作的短閾值校正周期中，不能將與閾值電壓相對應(yīng)的 精確電壓保持在存^f諸電容器120中。多次執(zhí)4亍閾值才交正才喿作來處理 這種情況。即，通過在存儲電容器120中的信號電位Vin的采樣(信 號寫入)之前在多個水平周期中重復(fù)閾值校正操作，可以將與驅(qū)動 晶體管121的閾值電壓Vth相對應(yīng)的電壓長期保持在存儲電容器 120中。作為驅(qū)動時間的基本機(jī)制，在一個水平掃描周期內(nèi)執(zhí)行閾值校 正和信號寫入。當(dāng)為了得到更高的清晰度而增加面板中像素的數(shù)目 時，或當(dāng)為了得到更高圖像質(zhì)量而增加場頻時，縮短了一個水平掃 描周期，且可能無法進(jìn)行充分的閾值校正。相反，當(dāng)保證某一閾值 校正周期時，信號寫周期縮短，因此可能不能將視頻信號Vsig (信 號電位Vin)充分寫入存儲電容器120。根據(jù)用于處理這些可能性 的改進(jìn)，多次執(zhí)行閾值校正操作。從而，為了使面板的分辨率更高 和圖像質(zhì)量更高要預(yù)作安排。在比較實(shí)例的抑制方法中，在多次執(zhí)行閾值校正操作時，將掃 描驅(qū)動脈沖DS持續(xù)設(shè)為有源H狀態(tài)以使發(fā)光控制晶體管122保持導(dǎo)通狀態(tài)。在這個狀態(tài)下，4艮據(jù)重復(fù)偏壓Vofs和信號電位Vin的3見 頻信號Vsig，在偏壓Vofs的周期中，將寫驅(qū)動脈沖WS設(shè)為有源H 狀態(tài)以使采樣晶體管125導(dǎo)通。從而，將閾值電壓Vth的信息寫入 存儲電容器120。即，通過釆樣晶體管125的導(dǎo)通周期(精確地"i兌， 在發(fā)光控制晶體管122導(dǎo)通的周期內(nèi)采樣晶體管125導(dǎo)通的周期) 來定義除第 一 閾值校正周期和最后閾值校正周期外的閾值校正周 期。在定義閾值4交正周期的過程中，寫驅(qū)動脈沖WS處于有源H狀 態(tài)(采樣晶體管125導(dǎo)通)的周期是主要的(給定優(yōu)先權(quán))。順便，由于通過當(dāng)將寫驅(qū)動脈沖WS和掃描驅(qū)動脈沖DS都設(shè) 為有源H狀態(tài)的時間點(diǎn)來定義第一閾值4交正周期開始的時間點(diǎn)，所 以將第一閾值校正周期排除在外。另外，由于當(dāng)在最后閾值校正周 期之后的第一信號電位Vin的周期中連續(xù)執(zhí)行信號寫入時，通過當(dāng) 將寫驅(qū)動力永沖WS i殳置為有源H狀態(tài)時的時間點(diǎn)來定義最后閾值才交 正周期開始的時間點(diǎn)，而通過當(dāng)將掃描驅(qū)動脈沖DS設(shè)為非有源L 狀態(tài)的時間點(diǎn)來定義最后閾值校正周期結(jié)束的時間點(diǎn)，所以將最后 閾值校正周期排除在外。當(dāng)在最后閾值校正周期之后的第 一信號電 位Vin的周期中不執(zhí)行信號寫入，但是在一段時間之后執(zhí)行信號寫 入時，通過當(dāng)將寫驅(qū)動脈沖WS設(shè)為非有源L狀態(tài)的時間點(diǎn)來定義 最后閾值校正周期結(jié)束的時間點(diǎn)，并且也通過采樣晶體管125的導(dǎo) 通周期(精確地說，在發(fā)光控制晶體管122導(dǎo)通的周期內(nèi)采樣晶體 管125導(dǎo)通的周期)來定義最后閾值校正周期。當(dāng)進(jìn)入行順序掃描中的新掃描場時，驅(qū)動掃描單元105首先侵_ 提供給第一行中的驅(qū)動掃描線105DS的掃描驅(qū)動脈沖DS從有源H 狀態(tài)變?yōu)榉怯性碙狀態(tài)，其中，閾值&遷移率^&正脈沖AZ和寫驅(qū) 動月永沖WS處于非有源L狀態(tài)(t50)。從而，使發(fā)光控制晶體管122截止，并因此使驅(qū)動晶體管121 與電源電位Vcl斷開。因此，有4幾EL元件127的發(fā)光4亭止并且開控制晶體管122、 124和125設(shè)為截 止?fàn)顟B(tài)。此時，由于寫驅(qū)動脈沖WS處于非有源狀態(tài)，且因此采樣 晶體管125截止，所以驅(qū)動晶體管121的柵極端G具有高阻抗。由 于存儲電容器120連接在驅(qū)動晶體管121的柵極與源極之間，所以 以連動方式降低源極電位Vs和柵極電位Vg， 乂人而保持剛好在其前 面的4冊才及與源才及間電壓Vgs。接下來，雖然掃描驅(qū)動脈沖DS和寫驅(qū)動脈沖WS保持非有源 L狀態(tài)，^f旦是垂直驅(qū)動單元103通過閾值&遷移率4交正掃描單元115 使檢測晶體管124導(dǎo)通來使閾值&遷移率校正脈沖AZ變?yōu)橛性碒 狀態(tài)(t51-t56)。,人而，將基準(zhǔn)電位Vinii殳為節(jié)點(diǎn)ND121的電壓， 即，在存儲電容器120的另一端和驅(qū)動晶體管121的源極端S設(shè)置 基準(zhǔn)電位Vini。因此，初始化源4及電位Vs。在閾值才交正才喿作開始時 結(jié)束的周期(t51 t62DS, t62WS)是用于初始化源才及電位Vs的初 始化周期C。此時，由于寫驅(qū)動脈沖WS處于非有源L狀態(tài)，且因此4吏采才羊 晶體管125截止，所以驅(qū)動晶體管121的柵極端G具有高阻抗。由 于存儲電容器120連接在驅(qū)動晶體管121的柵極與源極之間，所以 柵極電位Vg以根據(jù)源極電位Vs的降低的方式降低，以保持剛好在 其前面的棚4及與源4及間電壓Vgs。然后，在掃描驅(qū)動力永沖DS處于非有源L狀態(tài)而閾4直&遷移率 校正脈沖AZ保持有源H狀態(tài)的情況下，垂直驅(qū)動單元103通過寫 掃描單元104來〗吏寫驅(qū)動脈沖WS變?yōu)橛性碒狀態(tài)以^吏采樣晶體管 125 (t54WS)導(dǎo)通。另外，在將閾值&遷移率校正脈沖AZ設(shè)為非 有源L狀態(tài)之后，垂直驅(qū)動單元103 4吏寫驅(qū)動"永沖WS變?yōu)榉怯性?L狀態(tài)(t58WS)。從而，將偏壓Vofs設(shè)為節(jié)點(diǎn)ND122的電壓，即， 在驅(qū)動晶體管121的柵極端G設(shè)置偏壓Vofs。因此，柵極電位Vg #皮初始化。在閾值才交正4乘作開始時結(jié)束的周期(t54WS t62DS，t62WS)是用于初始化4冊極電位Vg的初始化周期D。為了防止源 極電位Vs受到耦合驅(qū)動晶體管121的柵極電位Vg變成等于偏壓 Vofs的時間的影響，所以^f吏由閾l直&遷移率才交正月永沖AZ 4區(qū)動的才企 測晶體管124導(dǎo)通以將源4及設(shè)置在基準(zhǔn)電位Vini。;]夸寫驅(qū)動"永沖WS處于有源H狀態(tài)的周期(t54WS t55WS ) 設(shè)為包括視頻信號Vsig的偏壓Vofs的周期(t54WS ~ t55WS )。優(yōu) 選地，寫驅(qū)動脈沖WS處于有源H狀態(tài)的周期包括多倍(本實(shí)例中 為兩倍)視頻信號Vsig的偏壓Vofs的周期。在本實(shí)例中，在寫驅(qū)動脈沖WS處于有源H狀態(tài)的周期 (t54WS -t55WS )的第二半部分中，閾值&遷移率4交正脈沖AZ處 于非有源L狀態(tài)，因此當(dāng)柵極電位Vg轉(zhuǎn)變?yōu)槠珘篤ofs時的改變影 響源才及電^f立Vs。如上所述，由于將偏壓Vofs和基準(zhǔn)電位Vini設(shè)為滿足"Vofs-Vini > Vth",所以將驅(qū)動晶體管121的柵極與源才及間電壓Vgs (連 接在驅(qū)動晶體管121的柵極與源極間的存儲電容器120所保持的電 壓)i殳為超過驅(qū)動晶體管121的閾值電壓Vth的電壓，因此，在閾 值校正操作之前重置存儲電容器120。另外，由于設(shè)置使得"VthEL 〉Vini"，所以將反向偏壓施加到有機(jī)EL元件127，從而能夠正常 執(zhí)行后續(xù)的閾值校正操作。在完成了用于閾值校正的準(zhǔn)備操作之后，垂直驅(qū)動單元103通 過驅(qū)動掃描單元105來將掃描驅(qū)動脈沖DS i殳為有源H狀態(tài)以^f吏發(fā) 光控制晶體管122 (t62DSl )導(dǎo)通。另外，以與視頻信號Vsig處于 偏壓Vofs的時間(t62Vl t64Vl ) —致的方式，垂直驅(qū)動單元103 通過寫掃描單元104來使寫驅(qū)動脈沖WS變?yōu)橛性碒狀態(tài)以使釆樣 晶體管125 (t62WSl )導(dǎo)通。從而，第一閾值校正周期E開始，其中，使用漏極電流來對存 儲電容器120和有機(jī)EL元件127進(jìn)行充電或放電，且其中，將用 于校正(消除)驅(qū)動晶體管121的閾值電壓Vth的信息記錄在存儲 電容器120中。繼續(xù)第一閾值校正周期E直到將寫驅(qū)動脈沖WS設(shè) 為非有源L4犬態(tài)的時間(t64WSl)。優(yōu)選地，將寫驅(qū)動脈沖WS處于有源H狀態(tài)的周期(t62WS ~ t64WS)完全包括在視頻信號Vsig處于偏壓Vofs的時間周期 (t62V ~ t64V )內(nèi)。順{更，時間t62WS和時間t62DS可以基本上相 同，或者可以彼此暫時接近。這是因?yàn)橥ㄟ^在掃描驅(qū)動脈沖DS處 于有源H狀態(tài)的周期內(nèi)寫驅(qū)動脈沖WS處于有源H狀態(tài)的周期來 定義閾值才交正周期。當(dāng)然，實(shí)際上，通過提供有各別月永沖DS和 WS的發(fā)光控制晶體管122和采樣晶體管125實(shí)際上^皮導(dǎo)通的周期 來定義閾佳^交正周期。在本實(shí)例中，首先將寫驅(qū)動脈沖WS變?yōu)橛性碒狀態(tài)(t62SWl ) 以偵j尋將寫驅(qū)動月永沖WSi殳為有源H狀態(tài)的時間完全包4舌在一見頻4言 號Vsig處于偏壓Vofs的時間周期(t62Vl t64Vl )內(nèi)。然后，在 寫驅(qū)動脈沖WS處于有源H狀態(tài)的周期(t62WSl t64WSl )內(nèi)將 掃描驅(qū)動a永沖DS變?yōu)橛性碒一犬態(tài)(t62DSl )。在第一閾值校正周期E中，使驅(qū)動晶體管121的柵極端G保持 在-見頻信號Vsig的偏壓Vofs，驅(qū)動晶體管121的源一及電位Vs升高， 并且漏才及電流流動直到驅(qū)動晶體管121斷開。當(dāng)驅(qū)動晶體管121斷 開時，驅(qū)動晶體管121的源極電位Vs變?yōu)?Vofs — Vth"。即，因 為有機(jī)EL元件127的等效電路由二極管和寄生電容Cel的并聯(lián)電 路表示，所以只要"Vel《 Vcath + VthEL"，即，只要有機(jī)EL元件 127的漏電流比流過驅(qū)動晶體管121的電流低得多，那么驅(qū)動晶體 管121的電流就用以對存儲電容器120和寄生電容Cel進(jìn)行充電或 放電。因此，當(dāng)漏極電流流過驅(qū)動晶體管121時，有才幾EL元件127 的正才及端A的電壓Vel (即，節(jié)點(diǎn)ND121的電位)隨時間升高。然 后，當(dāng)節(jié)點(diǎn)ND121的電位(源極電位Vs)與節(jié)點(diǎn)ND122的電壓(棚-極電位Vg)之間的電位差正好變?yōu)殚撝惦妷篤th時，驅(qū)動晶體管 121 /人導(dǎo)通狀態(tài)變?yōu)榻刂範(fàn)顟B(tài)，且因此漏纟及電流停止流動。乂人而， 閾值校正周期結(jié)束。即，在過去某一時間后，驅(qū)動晶體管121的柵 才及與源才及間電壓Vgs耳又閾值電壓Vth的值，且通過連4妄在驅(qū)動晶體 管121的柵極與源才及之間的存儲電容器120來保持這個信息。在這種情況下，雖然將對應(yīng)于閾值電壓Vth的電壓寫入連^妄在 驅(qū)動晶體管121的柵極端G與源極端S之間的存儲電容器120，但 是第一閾值校正周期E實(shí)際上是從將寫驅(qū)動脈沖WS設(shè)為有源H狀 態(tài)(t62WSl )到使寫驅(qū)動力永沖WS返回非有源L狀態(tài)(t64WSl ) 的周期，且當(dāng)不能充分保證這個周期時，在將對應(yīng)于閾^直電壓Vth 的電壓寫入連接在驅(qū)動晶體管121的柵極端G與源極端S之間的存 儲電容器120之前，結(jié)束第一閾值校正周期E。具體地，當(dāng)沖冊才及與源才及間電壓Vgs變?yōu)閂xl ( > Vth )時，即， 當(dāng)驅(qū)動晶體管121的源才及電位Vs已從低電位側(cè)上的基準(zhǔn)電位Vini 變?yōu)?Vofs-Vxl"時，第一閾值校正周期E結(jié)束。因此，在完成 第一閾值才交正周期E時(t64WSl )的時間點(diǎn)將Vxl寫入存儲電容 器120。4妄著，在掃描驅(qū)動月永DS J呆持有源H狀態(tài)的情況下，在一個水 平周期的第二半部分中，在視頻信號Vsig變?yōu)樾盘栯娢籚in之前， 寫掃描單元104將寫驅(qū)動脈沖WS變?yōu)榉怯性碙狀態(tài)以使采樣晶體 管125( t64WSl )截止。然后，水平驅(qū)動單元106將視頻信號線106HS 的電^f立/人偏壓Vofs變?yōu)?言號電^立Vin (t64Vl )以在另一4亍<象素中 采樣信號電位。從而，雖然寫掃描線104WS的電位(寫驅(qū)動脈沖 WS)處于低電平，但是視頻信號線106HS變?yōu)樾盘栯娢籚in。如上所述，寫驅(qū)動^jO中WS處于有源H ^)犬態(tài)的周期t62WS t64WS(即，采樣晶體管125導(dǎo)通的周期)完全包括在一見頻信號Vsig 處于偏壓Vofs的周期t62V ~ t64V內(nèi)。即， 一見頻信號Vsig處于信號 電位Vin的周期t64V t62V完全包括在采樣晶體管125確實(shí)截止 的周期內(nèi)。在這種情況下，在采4f晶體管125截止的周期t64WS - t62WS 中發(fā)光控制晶體管122處于導(dǎo)通(conducting)(導(dǎo)通(on ))狀態(tài)。 另夕卜，由于在第 一閾值才交正周期E中未將對應(yīng)于閾值電壓Vth的電 壓完全寫入存儲電容器120，所以驅(qū)動晶體管121的柵極與源極間 電壓Vgs比閾值電壓Vth高(Vgs > Vth )。當(dāng)發(fā)光控制晶體管122 在這個狀態(tài)下導(dǎo)通時，漏極電流流過驅(qū)動晶體管121,并執(zhí)行源相_ 電位Vs升高且柵極電位Vg也升高的所謂的引導(dǎo)操作(圖4中描述 為BST)。雖然如果執(zhí)行一次閾值校正操作則不會出現(xiàn)問題，但是 對于存在如在本實(shí)例中將閾值校正操作重復(fù)多次的不利影響的擔(dān) 心。此將在稍后詳細(xì)描述。在下一水平周期(1 H)的第一半部分中，水平驅(qū)動單元106 將視頻信號線106HS的電位從信號電位Vin變?yōu)槠珘篤ofs( t62V2 ), 然后，寫掃描單元104將寫驅(qū)動脈沖WS變?yōu)橛性碒狀態(tài)(t62WS2 )。 從而，第二閾值校正周期(稱為第二閾值校正周期G)開始，其中， 在驅(qū)動晶體管121的4冊4及電位Vg為偏壓Vofs的狀態(tài)下，漏極電流 流入存儲電容器120，且因此，用于校正(消除)驅(qū)動晶體管121 的閾值電壓Vth的信息記錄在存儲電容器120中。繼續(xù)這個第二閾 值才交正周期G,直到將寫驅(qū)動脈沖WS設(shè)為非有源L狀態(tài)的時間 (t64WS2 )。在第二閾值校正周期G中，執(zhí)行與第一閾值校正周期E相同的 操作。具體地，使驅(qū)動晶體管121的柵極端G保持在S見頻信號Vsig 的偏壓Vofs,并馬上使柵極電位Vg從剛好前面的電位變?yōu)槠珘篤ofs。然后，驅(qū)動晶體管121的源才及電位Vs在該時間點(diǎn)從源才及電 位Vs (〉 Vofs - Vxl )升高，且漏極電流流動直到驅(qū)動晶體管121 斷開。當(dāng)驅(qū)動晶體管121斷開時，驅(qū)動晶體管121的源才及電^f立Vs 變?yōu)?Vofs-Vth"。然而，第二閾值校正周期G是從將寫驅(qū)動脈沖WS設(shè)為有源H 狀態(tài)(t62WS2 )到使寫驅(qū)動脈沖WS返回非有源L狀態(tài)(t64WS2 ) 的周期，且當(dāng)不能充分保證這個周期時，在將對應(yīng)于閾值電壓Vth 的電壓寫入連接在驅(qū)動晶體管121的柵極端G與源極端S之間的存 儲電容器120之前結(jié)束第二閾值校正周期G。這與第一閾值才交正周 期E相同。當(dāng)柵極與源極間電壓Vgs變?yōu)閂x2 ( < Vxl且> Vth )時， 即，當(dāng)驅(qū)動晶體管121的源才及電位Vs已經(jīng)從"Vo-Vxl"變?yōu)?Vo -Vx2"時，第二閾值4交正周期G結(jié)束。因此，在完成第二閾偵j交 正周期G時(t64WS2)的時間點(diǎn)將Vx2寫入存儲電容器120。同樣，在將寫驅(qū)動月永沖WS設(shè)為非有源L狀態(tài)之后(t64WS2 ), 在下一水平周期(1 H)的第一半部分中，第三闊值校正周期(稱 為第三閾值4交正周期I)開始(t62WS3)。繼續(xù)第三閾佳j交正周期I 直到;]尋寫驅(qū)動^永沖WS i殳為非有源L狀態(tài)的時間(t64WS3 )。在第三閾值校正周期I中，執(zhí)行與第一閾值校正周期E和第二 閾值校正周期G相同的操作。具體地，使驅(qū)動晶體管121的柵-才及端 G保持在視頻信號Vsig的偏壓Vofs，并馬上4吏柵極電位從剛好前 面的電位變?yōu)槠珘篤ofs。然后，驅(qū)動晶體管121的源極電位Vs在 該時間點(diǎn)乂人源才及電位Vs ( > Vofs - Vx2 )升高，且漏才及電流流動直 到驅(qū)動晶體管121斷開。漏極電流在柵極與源極間電壓Vgs正好變 為閾值電壓Vth時斷開。當(dāng)驅(qū)動電流斷開時，驅(qū)動晶體管121的源 極電位Vs變?yōu)?Vofs — Vth"。即，作為多個閾值校正周期(在本實(shí)例中是三個閾值校正周期)中的過禾呈，馬區(qū)動晶體管121的才冊才及與源才及間電壓Vgs取閾4直電壓 Vth的值。在這種情況下，實(shí)際上，將對應(yīng)于閾值電壓Vth的電壓 寫入連接在驅(qū)動晶體管121的柵極端G與源極端S之間的存儲電容 器120。在將閾值電壓Vth的信息寫入存儲電容器120且驅(qū)動晶體管 121斷開之后，驅(qū)動掃描單元105 4吏掃描驅(qū)動3永沖DS變?yōu)榉怯性碙 狀態(tài)(t65 )。然后，在掃描驅(qū)動脈沖DS保持非有源L狀態(tài)的情況 下，水平驅(qū)動單元106將視頻信號Vsig的信號電位Vin提供給視頻 信號線106HS (t66V-t67V)。在一見頻信號Vsig處于信號電位Vin 的周期內(nèi)(t66V t67V),寫掃描單元104將寫驅(qū)動脈沖WS設(shè)置 為有源H狀態(tài)以使采樣晶體管125 (t66WS ~ t67WS )導(dǎo)通。從而，將信號電位Vin提供給驅(qū)動晶體管121的柵極端。因此， 驅(qū)動晶體管121的4冊極電位Vg從偏壓Vofs變?yōu)樾盘栯娢籚in，并 將對應(yīng)于信號電位Vin的信息寫入存儲電容器120。在完全完成閾 值校正操作之后的寫驅(qū)動脈沖WS處于有源H狀態(tài)的周期 (t66WS ~ t67WS )是用于將信號電位Vin寫入存儲電容器120的 信號寫入周期K (采樣周期)。通過存儲電容器120用將信號電位 Vin與驅(qū)動晶體管121的閾值電壓Vth相加的方式來^f呆持信號電位 Vin。因此，消除了驅(qū)動晶體管121的閾值電壓Vth的改變，從而完 成了閾值校正。由于此闊值校正，由存儲電容器120保持的柵極與 源極間電壓Vgs是"Vsig + Vth" = "Vin + Vth"。接著，驅(qū)動掃描單元105將掃描驅(qū)動脈沖DS變?yōu)橛性碒狀態(tài) (t68)。從而，使發(fā)光控制晶體管122導(dǎo)通。因此，與該時間點(diǎn)的 才冊才及與源才及間電壓Vgs ( = Vin + Vth )相對應(yīng)的驅(qū)動電流Ids流過馬區(qū)動晶體管121，且因此發(fā)光周期L開始。在發(fā)光周期L中，驅(qū)動晶 體管121的柵極電位Vg可以用與源極電位Vs連動的方式來改變， 且因此可以執(zhí)行引導(dǎo)操作。然后，轉(zhuǎn)換到下一幀(或下一場)，其中重復(fù)閾值校正準(zhǔn)備操 作、閾值校正操作和發(fā)光操作。在發(fā)光周期B、 L中，流過驅(qū)動晶體管121的驅(qū)動電流Ids流 到有才幾EL元件127,且有才幾EL元件127的正才及電位才艮據(jù)驅(qū)動電流 Ids而升高。^假設(shè)此升高是Vel。最后，由于源才及電位Vs升高，所 以消除了有才幾EL元件127的反向偏置狀態(tài)。因此，驅(qū)動電流Ids 流入有機(jī)EL元件127, 乂人而有才幾EL元件127開始實(shí)際發(fā)光。此時， 有機(jī)EL元件127的正極電位的升高(Vel)就是驅(qū)動晶體管121的 源極電位Vs的升高。驅(qū)動晶體管121的源極電位Vs是"Vofs —Vth + Vel"。將存儲電容器120連接在驅(qū)動晶體管121的柵極端G與源極端 S之間。由于存儲電容器120的作用，所以執(zhí)行引導(dǎo)操作，在該操 作中，驅(qū)動晶體管121的柵極電位Vg和源極電位Vs升高而驅(qū)動晶 體管121的4冊才及與源才及間電壓"Vgs = Vin + Vth，，寸呆持恒定。驅(qū)動 晶體管121的源才及電位Vs變?yōu)?Vofs - Vth + Vel",且從而4冊才及電 4立Vg變?yōu)?Vin + Vel"?？梢酝ㄟ^在等式(2)中用"Vin + Vth"取代表示上述晶體管 特4i的等式(1 )中的Vgs來表示馬區(qū)動電流Jds與柵4及與源4及間電壓 Vgs之間的關(guān)系。在等式(2)中，k = (1/2)(W/L)Cox。等式(2) 顯示閾值電壓Vth的術(shù)語被取消，且提供給有機(jī)EL元件127的驅(qū) 動電流Ids不耳又決于驅(qū)動晶體管121的閾值電壓Vth。基本上通過 視頻信號Vsig的信號電位Vin來確定驅(qū)動電流Ids。即，有機(jī)EL 元件127發(fā)光對應(yīng)于信號電位Vin的亮度的光。[等式2]<formula>formula see original document page 46</formula><閾值4交正4喿作的不利影響>圖5是輔助說明圖4中示出的比較實(shí)例的驅(qū)動時間中的閾值校 正操作的不利影響的示圖。圖5是用放大尺寸示出了在圖4中示出 的比較實(shí)例的驅(qū)動時間中的多個閾值校正周期的 一部分的時序圖。沖艮據(jù)本實(shí)施例的像素電路P使用4TR配置，其中，閾值沖交正和 遷移率沖交正所必需的轉(zhuǎn)才灸凄t目比5TR配置中少了一個，/人而減少了 電路元件的數(shù)目。在這種情況下，在進(jìn)行使用4TR配置的閾值校正的過程中，在 1H周期內(nèi)，4吏用具有采取偏壓Vofs和信號電位Vin兩個值的脈沖 形式的視頻信號Vsig的偏壓Vofs的周期(固定信號周期)來執(zhí)行 閾值校正操作。具體地，在比較實(shí)例的驅(qū)動時間中，在各個1H周 期中，將在^L頻信號Vsig處于偏壓Vofs的周期中通過用發(fā)光控制 晶體管122導(dǎo)通采樣晶體管125來多次執(zhí)行閾值電壓Vth的信息寫 入存儲電容器120的操作。因此，假設(shè)如圖5所示，當(dāng)執(zhí)行閾值才史正才乘作時(t62WS t64WS)，并未將對應(yīng)于閾值電壓Vth的電壓完全寫入存儲電容器 120且因此在閾值校正中"Vgs > Vth"。當(dāng)將寫驅(qū)動脈沖WS設(shè)為 非有源L狀態(tài)時(t64WS t62WS )，由于發(fā)光控制晶體管122導(dǎo)通 (掃描驅(qū)動脈沖DS- H電平)且"Vgs > Vth"，所以漏才及電流流過 驅(qū)動晶體管121,且執(zhí)行源極電位Vs升高且4冊極電位Vg也升高的 所謂的引導(dǎo)操作(圖5中描述為BST)。由于多次4丸行閾值4交正才喿作，所以當(dāng)一見頻信號Vsig處于偏壓 Vofs的周期開始時，將寫驅(qū)動脈沖WS設(shè)為有源H狀態(tài)以使采樣晶 體管125再次導(dǎo)通。乂人而，佳j冊極電位Vg馬上返回到偏壓Vofs。 另外，通過閾值校正才乘作將源極電位Vs從源極電位Vs在先前的引 導(dǎo)操作中已升高到的電位升高。在這種情況下，當(dāng)某一閾值校正之后的引導(dǎo)操作引起源極電位 Vs在開始下一閾值才交正時超出"Vofs_Vth，，時，閾值4交正才喿作失 敗，且因此不能起到閾值校正的作用。即使在提供相同的信號電位 Vin時，驅(qū)動電流Ids(即，發(fā)光亮度)也變得不同。因此，不能獲 得均勻的屏幕亮度。例如，如圖5中的虛線所示，當(dāng)引導(dǎo)操作的增加量小時不會出 現(xiàn)任何問題。另外，假設(shè)如圖5中的實(shí)線所示，第一閾值校正之后 的引導(dǎo)操作引起源極電位Vs在開始第二閾值校正時超出"Vofs -Vth"。在這種情況下，當(dāng)將寫驅(qū)動脈沖WS設(shè)為有源H狀態(tài)并從而 時柵-才及電^f立Vg返回到偏壓Vofs以進(jìn)^f亍第二閾j直4交正時，"Vg _ Vs =Vgs < Vth"。因此，驅(qū)動晶體管121處于斷開狀態(tài)，且不才丸4亍閾 值校正操作。驅(qū)動晶體管121在柵極電位Vg返回到偏壓Vofs時斷 開，從而可能不能通過存儲電容器120來準(zhǔn)確保持閾值電壓Vth的 信息。因此，本實(shí)施例l吏用以下才幾制，該才幾制可以在如上所述即^f吏在 各個1H周期中將在4見頻信號Vsig處于偏壓Vofs的期間，通過多 次執(zhí)行用發(fā)光控制晶體管122導(dǎo)通采樣晶體管125來將閾值電壓 Vth的信息寫入存儲電容器120的l喿作，防止閾值才交正才乘作的失敗。以下將進(jìn)行具體描述。<防止閾值校正操作的分開的閾值校正帶來的失敗的方法>圖6是輔助說明根據(jù)本實(shí)施例的像素電路的驅(qū)動時間的時序 圖。圖7是用方文大尺寸展示在圖6中示出的本實(shí)施例的驅(qū)動時間中 的多個閾值校正周期的 一部分的時序圖。將防止閾值校正操作的分 開的閾值校正帶來的失敗現(xiàn)象的方法應(yīng)用到這些時序圖。如在比4交實(shí)例中，沿時間軸t示出寫驅(qū)動^K沖WS、閾^直&遷移 率校正脈沖AZ、和掃描驅(qū)動脈沖DS的波形。如從以上描述所理解， 由于開關(guān)晶體管122、 124和125是n溝道型的，所以開關(guān)晶體管 122、 124和125在各別I永沖DS、 AZ和WS處于高(H)電平時導(dǎo) 通并且在在各別脈沖DS、 AZ和WS處于^f氐(L)電平時截止。順 便，這個時序圖也示出了視頻信號Vsig、驅(qū)動晶體管121的柵極端 G的電位改變和驅(qū)動晶體管121的漏才及端S的電位改變以及各別月永 沖WS、 AZ和DS的波形。在說明書和附圖中，例如，當(dāng)在類似時間中出現(xiàn)不同驅(qū)動脈沖 時，4艮據(jù)場合需要附上用于區(qū)別各別驅(qū)動脈沖的DS (在掃描驅(qū)動 脈沖DS的情況下)、AZ (在閾值&遷移率校正脈沖AZ的情況下)、 WS (在寫驅(qū)動^K沖WS的情況下)、和V (在一見頻4言號Vsig的情況 下)。如在比較實(shí)例中，在應(yīng)用根據(jù)本實(shí)施例的防止閾值校正失敗的 方法的驅(qū)動時間中，將一見頻4言號Vsig處于偏壓Vofs (該電壓在所 有水平周期中相同)的周期(該周期為非有效周期(固定信號周期)) 設(shè)為 一個水平周期的第 一半部分，并且將一見頻信號Vsig處于信號電 位Vin (該電位在每個水平周期中不同)的周期(該周期為有效周 期)設(shè)為一個水平周期的第二半部分。即，視頻信號Vsig是在lH 周期中采取偏壓Vofs和4言號電^f立Vin兩個^直的月永沖。進(jìn)行分開的閾值校正，其中，在各個水平周期，在重復(fù)偏壓Vofs 和信號電位Vin的根據(jù)視頻信號Vsig的偏壓Vofs的周期期間，通源H狀態(tài)以使發(fā)光控制晶體管122導(dǎo) 通并將寫驅(qū)動脈沖WS設(shè)置為有源H狀態(tài)，從而多次執(zhí)行將使采樣 晶體管125導(dǎo)通的閾值電壓Vth的信息寫入存儲電容器120的操作。在這個分開的閾值才交正時，才艮據(jù)本實(shí)施例的閾值4交正識別防止 方法的特^正在于，通—過使—掃描馬區(qū)動月永沖DS {呆持非有源L習(xí)大態(tài)并乂人 而在闊值校正操作之間的時期保持發(fā)光控制晶體管122截止，使得 在分開的閾值4交正的閾值才交正操作之間的時間間隔中不會出現(xiàn)引 導(dǎo)操作。在比較實(shí)例中，在分開的閾值校正操作的周期中，掃描驅(qū) 動脈沖DS繼續(xù)處于有源H狀態(tài)且因此保持發(fā)光控制晶體管122導(dǎo) 通。在本實(shí)施例中，同樣用使掃描驅(qū)動脈沖DS與用于閾值校正的 寫驅(qū)動3永沖WS的開/關(guān)4空制連動的方式來^f吏掃描驅(qū)動力永沖DS經(jīng)受 開/關(guān)控制。將關(guān)于與比壽交實(shí)例的不同來進(jìn)4亍以下描述。直到閾值校正準(zhǔn)備周期的操作與比較實(shí)例中的相同。在完成了 用于閾值才交正的準(zhǔn)備4喿作之后，垂直驅(qū)動單元103以與—見頻信號 Vsig處于偏壓Vofs的時間(t62Vl t64Vl )相符的方式通過寫掃 描單元104來將寫驅(qū)動脈沖WS變?yōu)橛性碒狀態(tài)以導(dǎo)通采才羊晶體管 125 (t62WSl t64WSl )。另外，垂直馬區(qū)動單元103以與一見頻4言號 Vsig處于偏壓Vofs的時間(t62Vl t64Vl )相符的方式通過驅(qū)動 掃描單元105來將掃描驅(qū)動脈沖DS變?yōu)橛性碒狀態(tài)以導(dǎo)通發(fā)光控 制晶體管122 (t62DSl —t64DSl )。稍后將描述在每個閾值4交正才喿作中開始時間t62WS與t62DS 之間的關(guān)系以及結(jié)束時間t64WS與t64DS之間的關(guān)系。順<更，優(yōu)選 i也，寫驅(qū)動力永沖WS和掃描-驅(qū)動"永沖DS處于有源H狀態(tài)的周期 (t62WS - t64WS和t62DS ~ t64DS )完全包4舌在一見頻信號Vsig處 于偏壓Vofs的時間周期(t62V t64V)內(nèi)。49從而，第一閾值校正周期E開始，其中，4吏用漏極電流來對存 儲電容器120和有才幾EL元件127進(jìn)行充電或》文電，且其中，將用 于校正(消除)驅(qū)動晶體管121的閾值電壓Vth的信息記錄在存儲 電容器120中。當(dāng)斗冊才及與源才及間電壓Vgs變?yōu)閂xl (> Vth)時，即，當(dāng)驅(qū)動 晶體管121的源極電位Vs已經(jīng)從低電位側(cè)上的基準(zhǔn)電位Vini變?yōu)?"Vofs _ Vxl"而未將對應(yīng)于閾值電壓Vth的信息記錄在存儲電容 器120中時，第一閾值校正周期E結(jié)束。因此，在完成第一閾值校 正周期E(t64WSl和t64DSl )的時間點(diǎn)將Vxl寫入存儲電容器120。在第一閾值4交正周期E(t62WSl t64WSl和t62DSl t64DSl ) 結(jié)束與第二閾值4交正周期G開始之間的時間間隔中，不^又采^f羊晶體 管125而且發(fā)光控制晶體管122截止，從而與比較實(shí)例不同，引導(dǎo) 操作根本不會出現(xiàn)。因此，當(dāng)?shù)诙撝敌Ｕ芷贕開始時的源極電 位Vs是第一閾值4交正周期E結(jié)束時的源4及電位Vs( = Vofs — Vxl )。 第二閾值校正操作開始于第一閾值校正周期E結(jié)束時的源極電位 Vs ( = Vofs — Vxl )。當(dāng)才冊才及與源才及間電壓Vgs變?yōu)閂x2 (> Vth)時，即，當(dāng)驅(qū)動 晶體管121的源極電位Vs已經(jīng)從"Vofs-Vxl"變?yōu)?Vofs-Vx2" 而未將對應(yīng)于閾值電壓Vth的信息充分記錄在存儲電容器120中 時，第二閾^直才交正周期G (t62WS2 ~ t64WS2和t62DS2 ~ t64DS2 ) 結(jié)束。因此，在完成第二閾值校正周期G時(t64WS2和t64DS2) 的時間點(diǎn)將Vx2寫入存儲電容器120。在第二閾佳—才交正周期G( t62WS2 ~ t64WS2和t62DS2 ~ t64DS2 ) 結(jié)束與第三閾值校正周期I開始之間的時間間隔中，不4又采樣晶體 管125而且發(fā)光控制晶體管122截止，從而使得與比較實(shí)例不同， 引導(dǎo)操作根本不會出現(xiàn)。因此，當(dāng)?shù)谌撝敌Ｕ芷贗開始時的源極電位Vs是第二閾值校正周期G結(jié)束時的源極電位Vs (= Vofs -Vx2)。第三閾值校正操作開始于第二閾值校正周期G結(jié)束時的源 極電位Vs ( = Vofs — Vx2 )。在第三閾值校正周期I( t62WS3 ~ t64WS3和t62DS3 ~ t64DS3 ) 中，馬區(qū)動晶體管121的源極-電位Vs從第二閾值欏:正周期G結(jié)束時 的源才及電位Vs ( = Vofs - Vx2 )升高，且漏才及電流流動直到驅(qū)動晶 體管121斷開。漏才及電流在柵4及與源極間電壓Vgs正好變?yōu)殚撝惦?壓Vth時斷開。當(dāng)驅(qū)動電流斷開時，驅(qū)動晶體管121的源才及電^f立 Vs變?yōu)?Vofs-Vth"。在三個閾值校正周期E、 G和I的每個中，如上所述，通過進(jìn) 行設(shè)置使"Vofs - Vth < VthEL + Vcath，，來將有機(jī)EL元件127保持 在反向偏置狀態(tài)，乂人而〗吏有才幾EL元件127斷開，即，以防止閾值 校正周期E、G和I中的源極電位超出有機(jī)EL元件127的閾值電壓 VthEL， /人而4吏得漏極電流流到存儲電容器120側(cè)(當(dāng)Cs << Cel 時)而不會流到有才幾EL元件127側(cè)。當(dāng)在閾值校正周期E、 G和I中將有機(jī)EL元件127設(shè)置為反 向偏置狀態(tài)時，有機(jī)EL元件127處于斷開狀態(tài)(高阻抗?fàn)顟B(tài))且 因此不發(fā)光，且有機(jī)EL元件127顯示出簡單的電容特征而不是二 極管特征。因此，將流過驅(qū)動晶體管121的漏極電流(驅(qū)動電流Ids) 寫入通過組合存儲電容器120的電容值Cs與有才幾EL元件127的寄 生電容(等效電容)的電容值Cd獲得的電容"C = Cs + Cel，，。從 而，驅(qū)動晶體管121的漏極電流流入有機(jī)EL元件127的寄生電容 Cel并開始充電。因此，驅(qū)動晶體管121的源極電位Vs升高。如在比4交實(shí)例中，在第三閾值4交正周期I之后，在掃描驅(qū)動脈 沖DS保持在非有源L狀態(tài)的情況下，在視頻信號Vsig處于信號電 ^f立Vin的周期(t66V-t67V)內(nèi)導(dǎo)通采才羊晶體管125,,人而^^[言號電位Vin的信息寫入存儲電容器120 (t66WS t67WS)。然后，將 掃描驅(qū)動力永沖DS變?yōu)橛性碒 4犬態(tài)以過渡到發(fā)光周期L (t68 )。將存儲電容器120連接于驅(qū)動晶體管121的柵極端G與源極端 S之間。由于存儲電容器120的作用，在發(fā)光周期開始時執(zhí)行引導(dǎo) 才喿作，在該才喿作中，驅(qū)動晶體管121的才冊扭、電位Vg和源極電位Vs 升高而驅(qū)動晶體管121的柵極與源極間電壓"Vgs = Vin + Vth"保 持恒定。驅(qū)動晶體管121的源極電位Vs變?yōu)?Vofs - Vth + Vel", 且/人而柵-才及電位Vg變?yōu)?Vin + Vel"。由于發(fā)光周期變長，所以有機(jī)EL元件127的I-V特4i改變。 因此，節(jié)點(diǎn)ND121的電位也改變。然而，由于存4諸電容器120的 作用，節(jié)點(diǎn)ND122的電位以與節(jié)點(diǎn)ND121的電位升高連動的方式 升高。因此，在任何時候?qū)Ⅱ?qū)動晶體管121的棚-極與源極間電壓 Vgs保持在約"Vsig + Vth",這與節(jié)點(diǎn)ND121的電位升高無關(guān)。因?yàn)轵?qū)動晶體管121用作恒定電流源，所以即^使在有4幾EL元 件127的I-V特4i存在長期改變且驅(qū)動晶體管121的源才及電位Vs 相應(yīng)改變時，也通過存儲電容器120將驅(qū)動晶體管121的4冊才及與源 極間電壓Vgs保持恒定(Vsig + Vth )。因此，流過有機(jī)EL元件127 的電流不變。因此，有機(jī)EL元件127的發(fā)光亮度也保持恒定。127的電流-電壓特征改變并乂人而將驅(qū)動電流保持在恒定水平的驅(qū) 動信號均勻電路。另外，形成閾值校正電路。在閾值校正周期中檢 測晶體管124可以用以消除驅(qū)動晶體管121的閾值電壓Vth并因此 發(fā)送不受閾值電壓Vth的改變影響的恒定電流。因此，可以進(jìn)行與 輸入像素信號相對應(yīng)的穩(wěn)定階的顯示，并因此獲得高圖象質(zhì)量的圖 像。根據(jù)用于閾值校正的機(jī)制，在分配給多個行的多個水平掃描周期內(nèi)執(zhí)行操作，且根據(jù)時間劃分將存儲電容器120充電到閾值電壓Vth。在指派鄉(xiāng)合作為用于信號配線的目標(biāo)的寫掃描線104WS的水平掃描周期內(nèi)，在視頻信號線106HS (即，視頻信號Vsig)處于信號電位Vin的信號提供周期中，采樣晶體管125采樣從存儲電容器120 + 乂/r^m ^i yf^工々k ia/:ttc 4旦乂+t aA^ih 4fe石乂十^" 、rj。 f 乂古J山乂士 、7;^ 、另夕卜，在指派給多個行的寫掃描線104WS的各別水平掃描周 期內(nèi)，在信號線106HS處于偏壓Vofs(其為恒定電位)的固定信號 周期中，通過控制發(fā)光控制晶體管122、檢測晶體管124和采樣晶 體管125的開/關(guān)時間實(shí)施的校正部檢測驅(qū)動晶體管121的閾值電壓 Vth并根據(jù)時間劃分將存儲電容器120充電到闊值電壓Vth。視頻 1百虧Vsig處卞1局乂土 Vots的閨疋^虧周#月;|矛月貝廳3百》恭紹、令力'」>^7纟戔 106HS的水平掃描周期4皮此分開。作為實(shí)例，可對固定信號周期進(jìn) 行指派以使其包括水平消隱周期，或者固定信號周期可以為其自己 的水平消隱周期。在固定信號周期(偏壓Vofs的周期)中，4交正部4艮據(jù)時間劃分 將存儲電容器120充電到閾值電壓Vth。在4交正部在每個固定信號 周期中對存儲電容器120進(jìn)行充電之后，優(yōu)選地使采樣晶體管125 截止(閉合)，以在信號線106HS從作為恒定電位的偏壓Vofs充電 到信號電位Vin之前將存儲電容器120與信號線106HS電斷開。通 過取消施加視頻信號Vsig,驅(qū)動晶體管121的柵極電位Vg可以升 高，以使得可以執(zhí)行驅(qū)動晶體管121的柵極電位Vg隨源極電位Vs 升高的引導(dǎo)操作。順便，無需說在信號寫入周期K中導(dǎo)通采樣晶體 管125。在本實(shí)施例的驅(qū)動時間中，如在比較實(shí)例中，將閾值校正操作 (將閾值電壓Vth的信息保持在存儲電容器120中的操作)執(zhí)行多 次。然而，多個閾值校正周期中的掃描驅(qū)動脈沖DS與比4交實(shí)例的53掃描驅(qū)動脈沖表現(xiàn)得不同，且用使掃描驅(qū)動脈沖DS與寫驅(qū)動脈沖 WS連動的方式來打開/關(guān)閉掃描驅(qū)動力永沖DS。在多個閾值校正周期中將對應(yīng)于閾值電壓Vth的信息正確地寫 入存儲電容器120并且驅(qū)動晶體管121斷開之前，不僅采才羊晶體管 125而且發(fā)光控制晶體管122斷開且因此在閾值校正周期之間的時 間間隔中引導(dǎo)操作根本不會出現(xiàn)。下一閾值校正周期開始時的源極 電位Vs是前一閾值校正周期結(jié)束時的源極電位Vs。下一閾值校正 搡作開始于前一閾值校正周期結(jié)束時的源極電位Vs。因此，如在比間的時間間隔中出現(xiàn)的引導(dǎo)操作引起的閾值校正才喿作的失敗現(xiàn)象。 通過防止閾值校正周期之間的時間間隔中的引導(dǎo)操作，可以消除驅(qū) 動晶體管121的閾1直電乂玉V—th的？文變或？文變并因jt'匕消除亮度不均勻 而不會引起閾值校正的失敗。在這種情況下，就時間t62WSl與時間t62DSl之間的關(guān)系來說， 滿足時間t62WSl與時間t62DSl基本上相同，或時間t62WSl與時 間t62DSl可以;波此暫時稍擲^妄近。類似地，就時間t64WSl與時間 t64DS 1之間的關(guān)系來i兌，滿足時間t64WS1與時間t64DS 1基本上 相同，或時間t64WSl與時間t64DSl可以;波此暫時稍孩"妻近。當(dāng)存 在滯后時，通過掃描驅(qū)動脈沖DS和寫驅(qū)動脈沖WS都處于有源H 狀態(tài)的重疊周期來定義閾值才交正周期。如圖7A中所示，乂人完全防作的7見點(diǎn)，掃描驅(qū)動3永沖DS處于有源H狀態(tài)的周期(t62DS t64DS )優(yōu)選地完全包括在寫驅(qū)動脈沖WS處于有源H狀態(tài)的時間 周期(t62WS ~ t64WS )內(nèi)。如圖7B中所示，當(dāng)存在滯后使得將掃描驅(qū)動脈沖DS i殳置為 有源H狀態(tài)的時間t62DS在將寫驅(qū)動脈沖WS i殳置為有源H狀態(tài) 的時間t62WS之前時，或者當(dāng)存在滯后使得將掃描驅(qū)動脈沖DS設(shè)置為非有源L狀態(tài)的時間t64DS在將寫驅(qū)動脈沖WS設(shè)置為非有源 L狀態(tài)的時間t64WS之后時，在滯后周期(t62DS t62WS或 t64WS ~ t64DS )中執(zhí)行？ j導(dǎo)操作。具體地，如圖5中所示，因?yàn)樵诓蓸泳w管125的截止周期中 發(fā)光控制晶體管122導(dǎo)通(掃描驅(qū)動脈沖DS= H電平)且"Vgs > Vth"，所以漏才及電流流過驅(qū)動晶體管121，且源才及電位Vs升高且才冊 極電位Vg也升高。然而，當(dāng)滯后周期短時，由此周期中的引導(dǎo)操 作所引起的源極電位Vs的升高與比較實(shí)例中的相比小得多，且可 以認(rèn)為在操作中不存在問題。順<更，雖然在圖6中示出的驅(qū)動時間中，與多個閾^f直才交正周期 ^^開^是供^f言號寫-入周期K， <旦,是11并非-是必需的=例如，可以在最 后閾值校正周期(在以上實(shí)例中是第三閾值校正周期I)之后對信 號寫入周期K進(jìn)行連續(xù)過渡。具體地，在將閾值電壓Vth的信息寫 入存儲電容器120并且驅(qū)動晶體管121截止之后，度過一個水平掃 描周期(偏壓Vofs的周期)的第一半部分，且然后一見頻〗言號Vsig 變?yōu)樾盘栯娢籚in。當(dāng)視頻信號Vsig處于信號電位Vin時，將信號 電位Vin的信息寫入存^^電容器120。因此，雖然在排除最后閾值校正操作(在本實(shí)例中是第三閾值 校正操作)的每個閾值校正操作(在本實(shí)例中是第一閾值校正操作 和第二閾值校正操作)中，在一見頻信號Vsig變?yōu)樾盘栯娢籚in之前 將寫驅(qū)動脈沖WS和掃描驅(qū)動脈沖DS設(shè)置為非有源L狀態(tài)，但是 在準(zhǔn)備信號電位Vin的寫入的最后閾值校正操作時，即使在視頻信 號Vsig變?yōu)樾盘栯娢籚in時也將寫驅(qū)動脈沖WS 4呆持在有源H狀 態(tài)。從而將信號電位Vin提供給驅(qū)動晶體管121的柵極端。因此， 將驅(qū)動晶體管121的棚4及端Vg從偏壓Vofs變?yōu)樾盘栯?立Vin,并 且將對應(yīng)于信號電位Vin的信息寫入存儲電容器120。<遷移率才交正的準(zhǔn)備>順<更，當(dāng)將i殳置掃描驅(qū)動脈沖DS為有源H狀態(tài)的時間t68(該 時間定義發(fā)光周期L的開始)設(shè)置在信號寫入周期K (t68p:參見 圖6中的虛線)內(nèi)時，在將信號電位Vin的信息寫入存儲電容器120 之后或者在與將信號電位Vin的信息寫入存儲電容器120的同時導(dǎo) 通發(fā)光控制晶體管122同時保持采樣晶體管125導(dǎo)通。因此，可使 驅(qū)動電流流過驅(qū)動晶體管121同時將信號電位Vin的信息寫入存儲 電容器120。因此，可以執(zhí)行將用于驅(qū)動晶體管121的遷移率的才交 正量與寫入存^f諸電容器120的驅(qū)動信號相加的遷移率纟史正。即，在信號寫入周期K結(jié)束的時間t67WS之前，將掃描驅(qū)動 脈沖DS i殳置為有源H狀態(tài)來導(dǎo)通發(fā)光控制晶體管122。 乂人而將驅(qū) 動晶體管121的漏4及端D通過發(fā)光控制晶體管122連接至第一電源 電位Vcl。因此，^象素電^各P從不發(fā)光周期進(jìn)^f亍到發(fā)光周期。因此，在采樣晶體管125仍處于導(dǎo)通狀態(tài)且發(fā)光控制晶體管 122進(jìn)入導(dǎo)通狀態(tài)的周期t68|a~t67WS中校正驅(qū)動晶體管121的遷 移率。通過調(diào)節(jié)寫驅(qū)動3永沖WS與掃描馬區(qū)動力永沖DS的有源周期獨(dú): 此重疊的周期(也稱為遷移率校正周期)來優(yōu)化每個像素中的驅(qū)動 晶體管121的遷移率校正。即，在信號寫入周期的稍后部分與發(fā)光 周期的開始部分4皮此重合的周期t68|a - t67WS中適當(dāng)?shù)?丸4亍遷移率 校正。在才丸4于遷移率4交正的發(fā)光周期開始時，有4幾EL元4牛127實(shí)際 上處于反向偏置狀態(tài)且因此不發(fā)光。在遷移率4交正周期t68ja t67WS中，驅(qū)動電流Ids流過驅(qū)動晶體管121，其中驅(qū)動晶體管121 的才冊才及端G固定為對應(yīng)于一見頻信號Vsig的電^f立(沖青確地/說，信號 電位Vin )。在這種情況下，通過進(jìn)行設(shè)置以使得"Vofs - Vth < VthEL"， 將有機(jī)EL元件127設(shè)置為反向偏置狀態(tài)，且因此有機(jī)EL元件127 顯示出簡單電容特征而不是二極管特征。因此，將流過驅(qū)動晶體管 121的驅(qū)動電流Ids寫入通過組合存儲電容器120的電容^f直Cs與有 機(jī)EL元件127的寄生電容(等效電容)的電容值Cel獲得的電容 "C = Cs + Cd"。從而，驅(qū)動晶體管121的源極電位Vs升高。假設(shè) 此升高為AV。最后，從由存儲電容器120保持的柵極與源極間電壓Vgs減去 升高AV(即，作為遷移率校正參數(shù)的負(fù)反饋AV的量)，從而施加 負(fù)反饋。因此，可以通過將驅(qū)動晶體管121的驅(qū)動電流Ids負(fù)反饋 到相同驅(qū)動晶體管121的棚4及與源4及間電壓Vgs來4交正遷移率p。 順<更，可以通過調(diào)節(jié)遷移率4交正周期t68ja-t67WS的持續(xù)時間來優(yōu) 化負(fù)反々貴AV的量。-f見頻信號Vsig的電平越高，驅(qū)動電流Ids越高，且AV的絕對 值越高。因此，可以進(jìn)行根據(jù)發(fā)光亮度的水平的遷移率校正。另夕卜， 當(dāng)考慮高遷移率的驅(qū)動晶體管121和〗氐遷移率的驅(qū)動晶體管121 時，假設(shè)視頻信號Vsig固定，那么驅(qū)動晶體管121的遷移率p越 高，AV的絕對值越高。即，與低遷移率的驅(qū)動晶體管121相比，在遷移率才交正周期中， 高遷移率的驅(qū)動晶體管121的源極電位大大升高。另夕卜，施力o負(fù)反 饋以使得源極電位升高得越大，柵極與源極間的電位差越小，且因 此變得越難以使電流流動。由于遷移率p越高，負(fù)反饋AV的量越 大，所以可以消除每個4象素中的遷移率[i的改變。甚至具有不同遷 移率的驅(qū)動晶體管121可以發(fā)送相同的驅(qū)動電流Ids通過有機(jī)EL 元件127。可以通過調(diào)節(jié)遷移率校正周期來優(yōu)化負(fù)反饋AV的量。在遷移率4交正之后的發(fā)光周期中，將驅(qū)動晶體管121的棚4及端 G與一見頻信號線106HS斷開。因此，取消了將信號電位Vin施加到 馬區(qū)動晶體管121的棚-4及端G，且驅(qū)動晶體管121的棚4及電^f立Vg變 -得能夠升高。此時，流過驅(qū)動晶體管121的驅(qū)動電流Ids :流到有枳i EL元件127,且有才幾EL元件127的正才及電位才艮據(jù)驅(qū)動電;克Ids升 高。假設(shè)此升高是Vel。此時，驅(qū)動晶體管121的柵極與源極間電 壓Vgs由于存4諸電容器120的作用而恒定，且因此驅(qū)動晶體管121 將恒定電流(驅(qū)動電流Ids)發(fā)送到有機(jī)EL元件127。因此，出現(xiàn) 電壓下降，且有才幾EL元件127的正4及端A處的電位Vel (=節(jié)點(diǎn) ND121的電位)升高到電流或驅(qū)動電流Ids可以流過有4幾EL元件 127的電壓。同時，存儲電容器120所保持的柵才及與源極間電壓Vgs 保持"Vsig +Vth-AV"的值。最后，由于源極電位Vs升高，所以消除了有機(jī)EL元件127 的反向偏置狀態(tài)，并因此驅(qū)動電流Ids流入有才幾EL元件127, 乂人而 有才幾EL元件127開始實(shí)際發(fā)光。此時有才幾EL元件127的正才及電乂一 AA ^tU f 、 7^1 、，-C旦HI7曰—乂Jr忠111 、:店備7 tir 乂^ 、 A/i ^tL 遼17 ^'I工口V乂I 向、VCi / JJ—y^^i^ "^ V日曰下十、'巨1^1 口 V 〃/r、 1久'l工 Y5 HVVI 向。Wi^16^/晶體管121的源才及電位Vs是"-Vth + AV + Vel"?？梢酝ㄟ^在等式(3)中用"Vsig + Vth - AV"取代表示上述晶 體管特征的等式(1 )中的Vgs來表示在發(fā)光時驅(qū)動電流Ids與柵極 電壓Vgs之間的關(guān)系。[等式3]Ids = M (Vgs—Vth;T2 " M (AVin —AV廣2…(3)在等式(3)中，k = (1/2)(W/L)Cox。等式(3)顯示閾值電壓 Vth的術(shù)語^皮耳又消，且才是供給有才幾EL元件127的驅(qū)動電流Ids不取 決于驅(qū)動晶體管121的閾^直電壓Vth?；旧贤ㄟ^^L頻信號Vsig的信號電壓Vin來確定驅(qū)動電流Ids。即，有才幾EL元件127發(fā)光對應(yīng) 于視頻信號Vsig的亮度的光。此時，通過反饋量AV來校正視頻信 號Vsig。校正量AV實(shí)際上用以消除等式(3)的系數(shù)部分中的遷 移率p的作用。因此，驅(qū)動電流Ids實(shí)際上耳又決于一見頻信號Vsig(信 號電位Vin)。此時，通過反饋量AV來校正信號電位Vin。此校正量AV實(shí) 際上用以消除等式(3)的系婆t部分中的遷移率(a的作用。因此， 驅(qū)動電流Ids實(shí)際上取決于信號電位Vin。由于驅(qū)動電流Ids不取決 于閾值電壓Vth,所以即使在通過制造過程改變閾值電壓Vth時， 漏才及與源才及間的驅(qū)動電流Ids也不改變，且因此有才幾EL元4牛127 的發(fā)光亮度也不改變。通過形成遷移率才交正電^各，由于在偏壓Vofs和^言號電〗立Vin 的一個水平周期中的信號電位Vin的周期內(nèi)，在發(fā)光控制晶體管122 的遷移率校正周期中與通過采樣晶體管125寫入視頻信號Vsig的操 作連動，可以i殳置反映驅(qū)動晶體管121的載流子遷移率p的棚-4及與 源極間電壓Vgs，并且可以^吏不受載流子遷移率(i的改變影響的恒 定電流Ids流動。因此，可以進(jìn)行與輸入像素信號相對應(yīng)的穩(wěn)定階 的顯示，并因此獲得高圖像質(zhì)量的圖^f象。雖然以上使用本發(fā)明的實(shí)施例來描述本發(fā)明，但是本發(fā)明的技 術(shù)范圍并不限于以上實(shí)施例中所描述的范圍?？稍诓黄x本發(fā)明的 精神的前提下對以上實(shí)施例進(jìn)行各種改變和改進(jìn)，且通過增加這些 改變和改進(jìn)所獲得的形式同樣包括在本發(fā)明的技術(shù)范圍中。另夕卜，以上實(shí)施例并不限制發(fā)明的4又利要求，且并不是實(shí)施例上實(shí)施例包括各個階段的發(fā)明，并且可以通過適當(dāng)組合多個披露的 結(jié)構(gòu)要求來獲取各種發(fā)明。即使在從實(shí)施例中披露的所有結(jié)構(gòu)要求中遺漏了 一些結(jié)構(gòu)要求，只要獲得作用那么也可以將由遺漏一些結(jié) 構(gòu)要求生成的結(jié)構(gòu)獲取作為發(fā)明。<<象素電路和驅(qū)動時間的l奮改的實(shí)例>例如，"對偶原理"約束電路理i侖，且因此/人這個^見點(diǎn)可以對像素電路P進(jìn)行修改。在這種情況下，盡管圖中未示出，雖然圖2 中示出的4TR配置的像素電路P包括n溝道型驅(qū)動晶體管121，但 是也可使用p溝道型驅(qū)動晶體管(以下稱為p型驅(qū)動晶體管121p) 來形成〗象素電^各P。因此，可以才艮據(jù)對偶原理進(jìn)4亍改變，i者如同才羊 對其他晶體管122、 124和125 p溝道型晶體管才是供有源L驅(qū)動脈沖 并反轉(zhuǎn)視頻信號Vsig的信號電位Vin的極性和電源電壓的幅度關(guān) 系。如同根據(jù)使用上述n型晶體管的基本實(shí)例的有機(jī)EL顯示裝置 的情況一樣，4艮據(jù)使用對其應(yīng)用對偶原理的p型晶體管的^f務(wù)改實(shí)例 的有一幾EL顯示裝置可以通過以用采樣晶體管125的導(dǎo)通周期定義 闞值校正周期的方式執(zhí)行控制來防止閾值^^交正帶來的蔭蔽現(xiàn)象。當(dāng) 然，可以避免由掃描驅(qū)動脈沖DS的柵極耦合引起的蔭蔽。因此， 可以在直線區(qū)中甚至在閾值校正周期中操作發(fā)光控制晶體管122， 且因此用于驅(qū)動掃描單元的說明書不需要復(fù)雜。應(yīng)注意，雖然通過對才艮據(jù)"對偶原理"的圖2中示出的4TR配 置進(jìn)行改變獲得上述修改實(shí)例，但是改變電^各的方法并不限于此。 例如，在圖2中示出的4TR配置中，可以僅使發(fā)光控制晶體管122 為p溝道型，或4又使采樣晶體管125為p溝道型。類似地，在通過 對根據(jù)"對偶原理"的圖2中示出的4TR配置進(jìn)行改變獲得的修改 實(shí)例中，可以^又使發(fā)光控制晶體管122為n溝道型，或^f又使釆樣晶 體管125為n溝道型。在另一種情況下，足以控制驅(qū)動晶體管121以使得在閾值才交正#:作期間通過采樣晶體管的導(dǎo)通周期定義閾值 校正周期。本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)理解，在附加權(quán)利要求或其等同物的范圍 內(nèi)，可才艮據(jù)設(shè)計(jì)要求和其它因素來進(jìn)4亍各種修改、組合、子組合和替換。
權(quán)利要求
1.一種顯示裝置，包括像素陣列單元，包括以矩陣形式排列的像素電路，所述像素電路均包括用于生成驅(qū)動電流的驅(qū)動晶體管、連接至所述驅(qū)動晶體管的輸出端的光電元件、用于保持與視頻信號的信號電位相對應(yīng)的信息的存儲電容器、用于將與所述信號電位相對應(yīng)的所述信息寫入所述存儲電容器的采樣晶體管、和用于調(diào)節(jié)所述光電元件的發(fā)光期的發(fā)光控制晶體管，所述發(fā)光控制晶體管置于所述驅(qū)動晶體管的電源供給端和電源線之間，所述驅(qū)動晶體管基于保持在所述存儲電容器中的所述信息來生成所述驅(qū)動電流，并通過所述光電元件發(fā)送所述驅(qū)動電流，從而所述光電元件發(fā)光；以及控制單元，包括寫掃描單元，用于將用于通過順序控制所述采樣晶體管來執(zhí)行所述像素電路的行順序掃描、以及將與視頻信號的信號電位相對應(yīng)的信息寫入一行中的每個存儲電容器的寫掃描脈沖輸出至所述采樣晶體管；以及水平驅(qū)動單元，用于根據(jù)所述采樣晶體管的信號電位寫操作來將一行的視頻信號提供給所述視頻信號線；其中，所述控制單元執(zhí)行控制，以向所述驅(qū)動晶體管的控制輸入端提供閾值校正操作的固定電位，所述閾值校正操作用于在所述存儲電容器中保持與所述驅(qū)動晶體管的閾值電壓相對應(yīng)的電壓，并且當(dāng)通過以時分為基礎(chǔ)多次重復(fù)所述閾值校正操作，將所述存儲電容器上的電壓設(shè)為所述驅(qū)動晶體管的所述閾值電壓時，所述控制單元執(zhí)行控制，以通過在多個所述閾值校正操作期間提供所述固定電位的時期中，以相互連動的方式使所述發(fā)光控制晶體管與所述采樣晶體管變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài)來執(zhí)行每個所述閾值校正操作。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中，在一部分水平掃描期間，所述水平驅(qū)動單元輸出 用于所述閾值4交正才喿作的固定電位作為所述一見頻信號。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中，在所述閾值校正操作前，所述控制單元執(zhí)行控制 以執(zhí)行用于所述閾值校正操作的準(zhǔn)備操作，所述準(zhǔn)備操作將所 述存儲電容器上的電壓設(shè)為所述驅(qū)動晶體管的閾值電壓或更 高。
4. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的顯示裝置，其中，除了所述驅(qū)動晶體管、所述采樣晶體管、和所述 發(fā)光控制晶體管外，所述像素電路具有置于所述驅(qū)動晶體管的 所述控制輸入端和所述輸出端之間的所述存儲電容器、并且具 有置于用于將所述存儲電容器上的所述電壓:&為所述驅(qū)動晶 體管的所述閾值電壓或更高的基準(zhǔn)電位和所述驅(qū)動晶體管的 所述輸出端之間的開關(guān)晶體管，以及在用于所述閾值校正操作的所述準(zhǔn)備操作期間，所述控 制單元將所述開關(guān)晶體管設(shè)為處于導(dǎo)通狀態(tài)。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中，在所述閾值校正操作后，所述控制單元執(zhí)行控制 以執(zhí)行用于將對所述驅(qū)動晶體管的遷移率的4交正量加到寫入 所述存儲電容器的所述信息的遷移率校正操作。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中，通過在將與所述信號電位相對應(yīng)的所述信息寫入 所述存儲電容器的時間點(diǎn)將所述采樣晶體管設(shè)為非導(dǎo)通狀態(tài)， 所述控制單元停止將所述視頻信號提供給所述驅(qū)動晶體管的 所述控制輸入端，并啟動4吏所述驅(qū)動晶體管的所述控制，敘入端 的電位與所述驅(qū)動晶體管的所述輸出端的電位的改變連動的 操作。
7. —種像素電路的驅(qū)動方法，所述像素電路包括用于生成驅(qū)動 電流的驅(qū)動晶體管、連接至所述驅(qū)動晶體管的輸出端的光電元 件、用于保持與視頻信號的信號電位相對應(yīng)的信息的存儲電容 器、用于將與所述信號電位相對應(yīng)的所述信息寫入所述存儲電 容器的采樣晶體管、和用于調(diào)節(jié)所述光電元件的發(fā)光期的發(fā)光 控制晶體管，所述發(fā)光控制晶體管置于所述驅(qū)動晶體管的電源 端和電源線之間，所述驅(qū)動晶體管基于保持在所述存儲電容器 中的所述信息來生成所述驅(qū)動電流，并通過所述光電元件發(fā)送 所述驅(qū)動電流，從而所述光電元件發(fā)光，所述驅(qū)動方法包括控制單元執(zhí)行控制，以向所述驅(qū)動晶體管的控制輸入端 提供閾值校正操作的固定電位，所述閾值校正操作用于在所述 存儲電容器中保持與所述驅(qū)動晶體管的閾值電壓相對應(yīng)的電 壓，并且當(dāng)通過以時分為基礎(chǔ)多次重復(fù)所述閾值校正操作，將 所述存儲電容器上的電壓設(shè)為所述驅(qū)動晶體管的所述閾值電 壓時，所述控制單元執(zhí)行控制，以通過在多個所述閾值4交正揭: 作期間提供所述固定電位的時期中，以相互連動的方式使所述 發(fā)光控制晶體管與所述采樣晶體管變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài)來執(zhí)行每個 所述閾值校正操作。
8. —種顯示裝置，包4舌像素陣列裝置，包括以矩陣形式排列的像素電路，所述 像素電路均包括用于生成驅(qū)動電流的驅(qū)動晶體管、連接至所 述驅(qū)動晶體管的輸出端的光電元件、用于保持與視頻信號的信 號電位相對應(yīng)的信息的存儲電容器、用于將與所述信號電位相 對應(yīng)的所述信息寫入所述存儲電容器的采樣晶體管、和用于調(diào) 節(jié)所述光電元件的發(fā)光期的發(fā)光控制晶體管，所述發(fā)光控制晶 體管置于所丄t馬區(qū)動晶體管的電源供纟合端和電源線之間，所述馬區(qū)動晶'沐管I于-〖呆#在戶斤述4,+者電容器中的戶斤述4百息來生成戶斤 述驅(qū)動電流，并通過所述光電元件發(fā)送所述驅(qū)動電流，乂人而所述光電元件發(fā)光；以及控制裝置，包括寫掃描單元，用于將用于通過順序控 制所述采樣晶體管來執(zhí)行所述像素電路的行順序掃描、以及將 與視頻信號的信號電位相對應(yīng)的信息寫入一行中的每個存儲 電容器的寫掃描脈沖輸出至所述采樣晶體管；以及水平驅(qū)動單元，用于根據(jù)所述采樣晶體管的信號電位寫操作來將一行的視 頻信號提供給視頻信號線；其中，所述控制單元執(zhí)行控制，以向所述驅(qū)動晶體管的 控制輸入端提供閾值校正操作的固定電位，所述閾值4交正操作 用于在所述存儲電容器中保持與所述驅(qū)動晶體管的闊值電壓 相對應(yīng)的電壓，并且當(dāng)通過以時分為基礎(chǔ)多次重復(fù)所述閾值才交 正操作，將所述存儲電容器上的電壓設(shè)為所述驅(qū)動晶體管的所 述閾值電壓時，所述控制單元執(zhí)行控制，以通過在多個所述閾 值校正操作期間提供所述固定電位的時期中，以相互連動的方 式使所述發(fā)光控制晶體管與所述采樣晶體管變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài)來 執(zhí)行每個所述閾值校正操作。
全文摘要
本文公開了一種顯示裝置及其驅(qū)動方法，該顯示裝置包括像素陣列單元，具有以矩陣形式排列的像素電路；以及控制單元，具有用于將寫掃描脈沖輸出至采樣晶體管的寫掃描單元?？刂茊卧獔?zhí)行控制以向驅(qū)動晶體管的控制輸入端提供用于在存儲電容器中保持與驅(qū)動晶體管的閾值電壓相對應(yīng)的電壓的閾值校正操作的固定電位。當(dāng)通過以時分為基礎(chǔ)多次重復(fù)閾值校正操作來將存儲電容器上的電壓設(shè)為驅(qū)動晶體管的閾值電壓時，控制單元執(zhí)行控制以各個執(zhí)行閾值校正操作并使采樣晶體管處于導(dǎo)通狀態(tài)。
文檔編號G09G3/20GK101251978SQ20081000794
公開日2008年8月27日 申請日期2008年2月19日 優(yōu)先權(quán)日2007年2月20日
發(fā)明者豐村直史, 內(nèi)野勝秀, 山本哲郎 申請人:索尼株式會社