專利名稱：電子紙裝置及其驅(qū)動(dòng)電路以及制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種電子紙裝置及其驅(qū)動(dòng)電路以及制造方法。
背景技術(shù)：
一般而言，驅(qū)動(dòng)主動(dòng)式矩陣顯示裝置的方法，是利用行(column)驅(qū) 動(dòng)器以及列(row)驅(qū)動(dòng)器并配合時(shí)序的控制，以使顯示裝置顯示影像畫(huà)面。
在行驅(qū)動(dòng)器中，通常需要一個(gè)取樣保持(sample- hold)電路來(lái)將序 '列的畫(huà)素資料轉(zhuǎn)變?yōu)椴⒘械漠?huà)素資料而輸入一畫(huà)素陣列中。且由于其需要 快速的更新畫(huà)面資料，因此在取樣保持電路中通常利用類似靜態(tài)隨機(jī)存取 i己'l"乙體(Static Random Access Memory, SRAM)的架才勾來(lái)達(dá)至'J其'決速運(yùn)作 的目的。
請(qǐng)參照?qǐng)D1所示， 一般的取樣保持電路包括一位移暫存器11以及一記 錄器12，其中記錄器12由四顆電晶體所構(gòu)成。 一畫(huà)素資料經(jīng)由記錄器12 而傳送至畫(huà)素陣列13中，以使畫(huà)素陣列13顯示影像畫(huà)面。
由于每一條資料線皆需要一個(gè)記錄器12配合應(yīng)用，因此當(dāng)顯示裝置的 尺寸越來(lái)越大時(shí)，其所造成的成本將越趨龐大，如此一來(lái)將不符合經(jīng)濟(jì)效 益。
另外，近來(lái)電子紙裝置的技術(shù)發(fā)展亦是有加快的趨勢(shì)，目前亦有主動(dòng) 式的電子紙裝置被發(fā)表，而電子紙裝置亦可能成為下一波的發(fā)展重點(diǎn)。因 此，如何以較簡(jiǎn)單的驅(qū)動(dòng)架構(gòu)來(lái)驅(qū)動(dòng)電子紙裝置，以達(dá)到降低成本的目的， 實(shí)屬當(dāng)前重要課題之一。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的主要目的在于，克服現(xiàn)有的驅(qū)動(dòng)電路存在的缺陷，而提供一 種新型結(jié)構(gòu)的電子紙裝置及其驅(qū)動(dòng)電路以及制造方法，所要解決的技術(shù)問(wèn) 題是使其能夠以簡(jiǎn)單的驅(qū)動(dòng)架構(gòu)來(lái)達(dá)到行驅(qū)動(dòng)的目的，從而更加適于實(shí)用。
本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問(wèn)題是采用以下技術(shù)方案來(lái)實(shí)現(xiàn)的。依據(jù) 本發(fā)明提出的一種電子紙裝置的驅(qū)動(dòng)電路，驅(qū)動(dòng)至少一畫(huà)素，該畫(huà)素具有 一畫(huà)素開(kāi)關(guān)元件，該驅(qū)動(dòng)電路包括 一位移單元，輸出一切換控制信號(hào)； 以及一取樣保持單元，具有一取樣保持開(kāi)關(guān)元件及一取樣保持儲(chǔ)能元件，
性連接，并依據(jù)該切換控制信號(hào)而導(dǎo)通或關(guān)閉，該取樣保持儲(chǔ)能元件與該取樣保持開(kāi)關(guān)元件及該畫(huà)素的該畫(huà)素開(kāi)關(guān)元件電性連接。本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問(wèn)題還可采用以下技術(shù)措施進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)。 前述的驅(qū)動(dòng)電路，其中所述的取樣保持開(kāi)關(guān)元件包括一薄膜電晶體，其具有一閘極、 一源極及一汲極。前述的驅(qū)動(dòng)電路，其中所述的取樣保持儲(chǔ)能元件包括一電容，其位于 一資料線及任一導(dǎo)電層之間。前述的驅(qū)動(dòng)電路，其中所述的位移單元為一位移暫存器。前述的驅(qū)動(dòng)電路，其中所述的畫(huà)素更具有一畫(huà)素等效電容，其與該畫(huà) 素開(kāi)關(guān)元件電性連接，并經(jīng)由該畫(huà)素開(kāi)關(guān)元件接收一畫(huà)素資料。前述的驅(qū)動(dòng)電路，其中所述的位移單元、取樣保持開(kāi)關(guān)元件及取樣保 持儲(chǔ)能元件的至少其中之一設(shè)置于一晶片。前述的驅(qū)動(dòng)電路，其中所述的畫(huà)素的畫(huà)素開(kāi)關(guān)元件形成于一基板。前述的驅(qū)動(dòng)電路，其中所述的位移單元、取樣保持開(kāi)關(guān)元件及取樣保 持儲(chǔ)能元件的至少其中之一形成于基板上。前述的驅(qū)動(dòng)電路，其中所述的基板為一玻璃基板。本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問(wèn)題還采用以下技術(shù)方案來(lái)實(shí)現(xiàn)。依據(jù)本發(fā)明提出的、 一種電子紙裝置，其特征在于其包括 一基板，具有一表面； 一驅(qū)動(dòng)電路，設(shè)置于該基板的該表面，該驅(qū)動(dòng)電路具有一位移單元及一取 樣保持單元，該取樣保持單元具有一取樣保持開(kāi)關(guān)元件及一取樣保持儲(chǔ)能 元件，其中該取樣保持開(kāi)關(guān)元件分別與該位移單元及該取樣保持儲(chǔ)能元件 電性連接；以及一畫(huà)素陣列，具有多個(gè)畫(huà)素且設(shè)置于該基板的該表面，其 中多個(gè)畫(huà)素的其中之一畫(huà)素具有一畫(huà)素開(kāi)關(guān)元件及一畫(huà)素等效電容，該畫(huà) 素開(kāi)關(guān)元件分別與該取樣保持開(kāi)關(guān)元件、該取樣保持儲(chǔ)能元件及該畫(huà)素等 效電容電性連接。本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問(wèn)題還可采用以下技術(shù)措施進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)。 前述的電子紙裝置，其中所述的取樣保持開(kāi)關(guān)元件包括一薄膜電晶體， 其具有一閘極、 一源極及一汲極。前述的電子紙裝置，其中所述的取樣保持儲(chǔ)能元件包括一電容，其位于一資料線及任一導(dǎo)電層之間。前述的電子紙裝置，其中所述的位移單元為一位移暫存器。前述的電子紙裝置，其中所述的位移單元、取樣保持開(kāi)關(guān)元件及取樣 保持儲(chǔ)能元件的至少其中之一設(shè)置于一晶片。前述的電子紙裝置，其中所述的位移單元、取樣保持開(kāi)關(guān)元件及取樣 保持儲(chǔ)能元件的至少其中之一形成于基板的表面。前述的電子紙裝置，其更包括一電子紙，其與畫(huà)素陣列相對(duì)設(shè)置。前述的電子紙裝置，其中所述的電子紙包括一對(duì)向電極單元，與畫(huà)素陣列相對(duì)而設(shè)；以及一電泳性物質(zhì)單元，設(shè)置于對(duì)向電極單元與畫(huà)素陣列之間。前述的電子紙裝置，其中所述的基板為玻璃基板。本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問(wèn)題另外還采用以下技術(shù)方案來(lái)實(shí)現(xiàn)。依 據(jù)本發(fā)明提出的一種電子紙裝置的制造方法，其包括于一基板的一表面 設(shè)置一位移單元；于該基板的該表面設(shè)置一取樣保持開(kāi)關(guān)元件；于該基板 的該表面設(shè)置一取樣保持儲(chǔ)能元件；以及于該基板的該表面設(shè)置一畫(huà)素陣 列。本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問(wèn)題還可采用以下技術(shù)措施進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)。 前述的制造方法，其中所述的畫(huà)素陣列以薄膜電晶體制程或以非晶硅 薄膜電晶體制程形成于基板的表面。前述的制造方法，其中所述的位移單元以薄膜電晶體制程或以非晶硅 薄膜電晶體制程形成于基板的表面。前述的制造方法，其中所述的取樣保持開(kāi)關(guān)元件以薄膜電晶體制程或 以非晶硅薄膜電晶體制程形成于基板的表面。前述的制造方法，其中所述的取樣保持儲(chǔ)能元件以薄膜電晶體制程或 以非晶硅薄膜電晶體制程形成于基板的表面。前述的制造方法，其中所述的位移單元以玻璃覆晶制程形成于基板的 表面。前述的制造方法，其更包括將一電子紙與畫(huà)素陣列相對(duì)而設(shè)。本發(fā)明與現(xiàn)有^f支術(shù)相比具有明顯的優(yōu)點(diǎn)和有益效果。由以上技術(shù)方案 可知，本發(fā)明的主要技術(shù)內(nèi)容如下為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明提供了一種電子紙裝置的驅(qū)動(dòng)電路，驅(qū)動(dòng) 至少一畫(huà)素，該畫(huà)素具有一畫(huà)素開(kāi)關(guān)元件，該驅(qū)動(dòng)電路包括一位移單元及 一取樣保持單元。位移單元輸出一切換控制信號(hào)，取樣保持單元接收該切 換控制信號(hào)，并具有一取樣保持開(kāi)關(guān)元件以及一取樣保持儲(chǔ)能元件。取樣 保持開(kāi)關(guān)元件分別與畫(huà)素的畫(huà)素開(kāi)關(guān)元件及位移單元電性連接，并依據(jù)切 換控制信號(hào)而導(dǎo)通或關(guān)閉。取樣保持儲(chǔ)能元件與取樣保持開(kāi)關(guān)元件及畫(huà)素 的畫(huà)素開(kāi)關(guān)元件電性連接。另外，為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明另提供了一種電子紙裝置包括一基 板、 一驅(qū)動(dòng)電路以及一畫(huà)素陣列?；寰哂幸槐砻?。驅(qū)動(dòng)電路設(shè)置于基板 的表面，且驅(qū)動(dòng)電路具有一位移單元及一取樣保持單元。取樣保持單元具 有一取樣保持開(kāi)關(guān)元件及一取樣保持儲(chǔ)能元件，其中，取樣保持開(kāi)關(guān)元件 分別與位移單元及取樣保持儲(chǔ)能元件電性連接。畫(huà)素陣列設(shè)置于基板的表 面，且畫(huà)素陣列具有一畫(huà)素開(kāi)關(guān)元件及一畫(huà)素等效電容，其中，畫(huà)素開(kāi)關(guān) 元件分別與取樣保持開(kāi)關(guān)元件、取樣保持儲(chǔ)能元件及畫(huà)素等效電容電性連再者，為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明再提供了 一種電子紙裝置的制造方法包括以下步驟于一基板的一表面設(shè)置一位移單元；于基板的表面設(shè)置一 取樣保持開(kāi)關(guān)元件；于基板的表面設(shè)置一取樣保持儲(chǔ)能元件；以及于基板 的表面設(shè)置一畫(huà)素陣列。借由上述技術(shù)方案，本發(fā)明電子紙裝置及其驅(qū)動(dòng)電路以及制造方法至 少具有下列優(yōu)點(diǎn)本發(fā)明的電子紙裝置及其驅(qū)動(dòng)電路以及制造方法，利用位移單元以及 取樣保持單元的取樣保持開(kāi)關(guān)元件及取樣保持儲(chǔ)能元件，所構(gòu)成的驅(qū)動(dòng)電路以驅(qū)動(dòng)電子紙的畫(huà)素陣列顯示影像。其與習(xí)知的驅(qū)動(dòng)電路相較之下顯得 簡(jiǎn)化許多，且可與畫(huà)素陣列的制程整合后一同進(jìn)行，如此將可有效的降低 整體的成本。綜上所述，本發(fā)明新穎的電子紙裝置及其驅(qū)動(dòng)電路以及制造方法，能 夠以簡(jiǎn)單的驅(qū)動(dòng)架構(gòu)來(lái)達(dá)到行驅(qū)動(dòng)的目的。上述說(shuō)明僅是本發(fā)明技術(shù)方案的概述，為了能夠更清楚了解本發(fā)明的 技術(shù)手段，而可依照說(shuō)明書(shū)的內(nèi)容予以實(shí)施，并且為了讓本發(fā)明的上述和 其他目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更明顯易懂，以下特舉較佳實(shí)施例，并配合附 圖，詳細(xì)說(shuō)明如下。


圖1為顯示習(xí)知的一顯示裝置的一取樣保持電路的一示意圖； 圖2為顯示依據(jù)本發(fā)明較佳實(shí)施例的一種電子紙裝置的一示意圖； 圖3為顯示依據(jù)本發(fā)明較佳實(shí)施例的電子紙裝置的一驅(qū)動(dòng)電路及一畫(huà) 素陣列的一等效示意圖；圖4為顯示圖3中取樣保持單元及畫(huà)素開(kāi)關(guān)元件的一作動(dòng)時(shí)序圖；以及圖5為顯示依據(jù)本發(fā)明較佳實(shí)施例的一種電子紙裝置的制造方法的一流程圖。11:位移暫存器13:畫(huà)素陣列21:基板22:驅(qū)動(dòng)電路222:取樣保持單元24:電子紙242:電泳性物質(zhì)單元241:對(duì)向電極單元2:電子紙裝置 211:表面221:位移單元 23:畫(huà)素陣列12:記錄器Ql。~Qln:取樣保持開(kāi)關(guān)元件 C1廣C1"取樣保持儲(chǔ)能元件 Q2。~Qnn:畫(huà)素開(kāi)關(guān)元件 DB1:資料匯流排 DL:資料線 Sl、 S2:源極C2。 Cn。畫(huà)素等效電容 SL1、 SL2:掃描線 Gl、 G2:閘極 Dl、 D2:汲極S01~S05:電子紙裝置的制造方法步驟具體實(shí)施方式
為更進(jìn)一步闡述本發(fā)明為達(dá)成預(yù)定發(fā)明目的所采取的技術(shù)手段及功 效，以下結(jié)合附圖及較佳實(shí)施例，對(duì)依據(jù)本發(fā)明提出的電子紙裝置及其驅(qū)動(dòng) 電路以及制造方法其具體實(shí)施方式
、結(jié)構(gòu)、特征及其功效，詳細(xì)說(shuō)明如后。請(qǐng)參照?qǐng)D2所示，本發(fā)明較佳實(shí)施例的電子紙裝置2包括一基板21、 一驅(qū)動(dòng)電路22、 一畫(huà)素陣列23以及一電子紙24。其中，驅(qū)動(dòng)電路22以及 畫(huà)素陣列23設(shè)置于基板21的一表面211,且驅(qū)動(dòng)電路22及畫(huà)素陣列23相 互鄰設(shè)；電子紙24相對(duì)設(shè)置于畫(huà)素陣列23。其中電子紙24包括一對(duì)向電 極單元241以及一電泳性物質(zhì)單元242。對(duì)向電極單元241與畫(huà)素陣列23 相對(duì)而設(shè)，而電泳性物質(zhì)單元242設(shè)置于對(duì)向電極單元241與畫(huà)素陣列23 之間。由于對(duì)向電極單元241須為透明，因此其材質(zhì)可為銦錫氧化物、鋁 鋅氧化物、銦鋅氧化物或鎘錫氧化物。另外，于本實(shí)施例中，基板21可為 一透明基板例如但不限于玻璃基板；畫(huà)素陣列23可為一主動(dòng)矩陣式畫(huà)素陣 列。請(qǐng)參照?qǐng)D3所示，驅(qū)動(dòng)電路22具有一位移單元221以及一取樣保持單 元222。在本實(shí)施例中，取樣保持單元222包括多個(gè)取樣保持開(kāi)關(guān)元件Ql。 ~ QL及多個(gè)取樣保持儲(chǔ)能元件Cl。~Cln。以其中一組為例，取樣保持開(kāi)關(guān)元 件Ql。分別與位移單元221及取樣保持儲(chǔ)能元件Cl。電性連接。畫(huà)素陣列23具有多個(gè)畫(huà)素，且這些畫(huà)素包括多個(gè)畫(huà)素開(kāi)關(guān)元件Q2。~ Qn。及多個(gè)畫(huà)素等效電容C2。~Cnn。相同的，以單一組為例，畫(huà)素開(kāi)關(guān)元件 Q2。分別與取樣保持開(kāi)關(guān)元件Ql。、取樣保持儲(chǔ)能元件Cl。以及畫(huà)素等效電容 C2。電性連接。于本實(shí)施例中，以一組取樣保持開(kāi)關(guān)元件Ql。及取樣保持儲(chǔ) 能元件Cl。而經(jīng)由一資料線DL而與相對(duì)應(yīng)的該等畫(huà)素電性連接，當(dāng)然其連 接態(tài)樣并不僅限于此。需注意者，在此所指的各畫(huà)素等效電容可包括一畫(huà)素電容、 一儲(chǔ)存電 容或于結(jié)構(gòu)中可能存在的寄生電容(圖中未顯示)，于此僅以等效觀念敘述 之。請(qǐng)?jiān)賲⒄請(qǐng)D3所示，于本實(shí)施例中，在驅(qū)動(dòng)電路22中，位移單元221可為一位移暫存器(shift register);各取樣保持儲(chǔ)能元件可分別包括一 電容器；各取樣保持開(kāi)關(guān)元件可分別包括一薄膜電晶體。以取樣保持開(kāi)關(guān) 元件Q1。為例，其具有一閘極G1、 一汲極D1及一源極S1。其中，閘極G1 與位移單元221電性連接，源極Sl經(jīng)由一資料匯流排DB1接收一畫(huà)素資料， 而汲極D1與取樣保持儲(chǔ)能元件Cl。及畫(huà)素開(kāi)關(guān)元件Q2。電性連接。需注意者，于本實(shí)施例中，驅(qū)動(dòng)電路22及畫(huà)素陣列23以等效電路的 方式呈現(xiàn)，而其實(shí)際結(jié)構(gòu)將可依據(jù)實(shí)際的需要而設(shè)計(jì)，并不限于圖式中的 位置安排。舉例來(lái)說(shuō)，各取樣保持開(kāi)關(guān)元件亦可由多個(gè)薄膜電晶體所組成， 而其連接關(guān)系則與上述會(huì)有些微差異。另外，各取樣保持儲(chǔ)能元件除了以 實(shí)際的電容器實(shí)現(xiàn)之外，亦可形成于例如資料線與掃描線之間，意即利用 兩層導(dǎo)電層來(lái)形成電容，亦為實(shí)施上的一種態(tài)樣。另夕卜，在畫(huà)素陣列23中，畫(huà)素的各畫(huà)素開(kāi)關(guān)元件亦包括一薄膜電晶體。 以畫(huà)素開(kāi)關(guān)元件Q2。為例，其具有一閘極G2、 一汲極D2及一源極S2，其中， 閘極G2與一掃描線SL1電性連接，源極S2與驅(qū)動(dòng)電路22的取樣保持儲(chǔ)能 元件Cl。及取樣保持開(kāi)關(guān)元件Ql。的汲極Dl電性連接，而汲極D2則與畫(huà)素 等效電容C2。電性連接；另外，畫(huà)素等效電容C2?？傻刃橹辽僖浑娙萜鳌３猩纤?，以單一組取樣保持開(kāi)關(guān)元件以及取樣保持儲(chǔ)能元件為例。 電子紙裝置2由位移單元221產(chǎn)生一切換控制訊號(hào)以控制取樣保持開(kāi)關(guān)元 件Ql。的導(dǎo)通(turn on)或關(guān)閉(turn off)，而當(dāng)取樣保持開(kāi)關(guān)元件Ql。導(dǎo)通 時(shí)，畫(huà)素資料則經(jīng)由資料匯流排DB1傳送至取樣保持儲(chǔ)能元件C1。。接著， 在一影像圖框時(shí)間中， 一掃描訊號(hào)會(huì)經(jīng)由掃描線SL1傳送至相對(duì)應(yīng)的畫(huà)素， 而控制畫(huà)素開(kāi)關(guān)元件Q2。導(dǎo)通。此時(shí)，取樣保持儲(chǔ)能元件Cl。所儲(chǔ)存的畫(huà)素 資料即會(huì)經(jīng)由畫(huà)素開(kāi)關(guān)元件Q2。而傳送至畫(huà)素等效電容C2。，以使畫(huà)素顯示 畫(huà)素資料所對(duì)應(yīng)的影像。值得一提的是，于本實(shí)施中，驅(qū)動(dòng)電路22以行(Column)驅(qū)動(dòng)電路為例， 其可設(shè)置于一晶片中，亦可利用半導(dǎo)體制程以積體電路的態(tài)樣直接制作于 基板21上。另外，驅(qū)動(dòng)電路22亦可以位移單元221、該等取樣保持開(kāi)關(guān)元 件Ql。 Qln及該等取樣保持儲(chǔ)能元件Cl。 Cln的至少其中之一設(shè)置于晶片中 或直接設(shè)置于基板21的態(tài)樣呈現(xiàn)，于此并不加以限制。當(dāng)然于本實(shí)施例中， 電子紙裝置2更包括一列驅(qū)動(dòng)電路(圖中未顯示)以驅(qū)動(dòng)掃描線SL1。請(qǐng)參照?qǐng)D4所示，以簡(jiǎn)單說(shuō)明上述的取樣保持單元222及畫(huà)素開(kāi)關(guān)元 件的作動(dòng)時(shí)序圖。當(dāng)影像資料要寫(xiě)入與掃描線SL1電性連接的畫(huà)素時(shí)，由 于資料匯流排DB1所傳輸?shù)挠跋褓Y料為序列式資料，因此取樣保持開(kāi)關(guān)元 件Q1。 QL依序被導(dǎo)通以將所需的影像資料傳送至各取樣保持儲(chǔ)能元件 Cl。~Cln。而在影像資料傳送的過(guò)程中，其相對(duì)應(yīng)的畫(huà)素的畫(huà)素開(kāi)關(guān)元件 Q2。~Q2n,則是處于導(dǎo)通的狀態(tài)，以將所需的影像資料寫(xiě)入相對(duì)應(yīng)的畫(huà)素等效電容C2。 C2n。而當(dāng)下一筆影像資料要寫(xiě)入與掃描線SL2電性連接的畫(huà)素 時(shí)，則取樣保持開(kāi)關(guān)元件Ql。 ~ Qln仍依序被導(dǎo)通以將影像資料傳送至各取樣
保持儲(chǔ)能元件C1。-CL。相同的，在影像資料傳送的過(guò)程中，其相對(duì)應(yīng)的畫(huà)
素的畫(huà)素開(kāi)關(guān)元件Q3。-Q3"則是處于導(dǎo)通的狀態(tài)。
在此，值得注意的是，以取樣保持儲(chǔ)能元件亦為電容而言，則其電容 值需大于畫(huà)素等效電容的電容值的10倍，以維持影像資料的正確性。
另外，請(qǐng)參照?qǐng)D5所示，依據(jù)本發(fā)明較佳實(shí)施例的電子紙裝置的制造 方法包括步驟S01至步驟S05。
如圖5所示，步驟S01于一基板的一表面設(shè)置一位移單元。步驟S02 于基板的表面設(shè)置一取樣保持開(kāi)關(guān)元件。步驟S03于基板的表面設(shè)置一取 樣保持儲(chǔ)能元件。步驟S04于基板的表面設(shè)置一畫(huà)素陣列。步驟S05將一 電子紙與畫(huà)素陣列相對(duì)設(shè)置，以構(gòu)成電子紙裝置。其中，位移單元、取樣 保持開(kāi)關(guān)元件及取樣保持儲(chǔ)能元件構(gòu)成一驅(qū)動(dòng)電路，而本實(shí)施例以其構(gòu)成 行驅(qū)動(dòng)電路為例。
上述步驟的先后順序并無(wú)限制，其可依據(jù)需求任意調(diào)換，且亦可同時(shí) 執(zhí)行該等步驟。另外上述步驟的設(shè)置方法還可區(qū)分為下列三種態(tài)樣。
第一種態(tài)樣，其將位移單元、取樣保持開(kāi)關(guān)元件、取樣保持儲(chǔ)能元件 以及畫(huà)素陣列皆以薄膜電晶體制程(例如非晶硅薄膜電晶體制程)形成于 基板上。第二種態(tài)樣，其將位移單元設(shè)置于一晶片中，再將晶片以例如玻 璃覆晶制程(chip on glass, COG)設(shè)置于基板上，而取樣保持開(kāi)關(guān)元件、 取樣保持儲(chǔ)能元件及畫(huà)素陣列則以薄膜電晶體制程形成于基板上。第三種 態(tài)樣，其將上述的驅(qū)動(dòng)電路設(shè)置于一晶片中，再將晶片設(shè)置于基板上，而 畫(huà)素陣列則以非晶硅薄膜電晶體制程形成于基板上。其制程方式可依據(jù)實(shí) 際所需進(jìn)行調(diào)整搭配，于此并不加以限制僅上述三種態(tài)樣。
綜上所述，因依據(jù)本發(fā)明的電子紙裝置及其驅(qū)動(dòng)電路以及制造方法利 用位移單元、取樣保持開(kāi)關(guān)元件及取樣保持儲(chǔ)能元件構(gòu)成驅(qū)動(dòng)電路以驅(qū)動(dòng) 電子紙的畫(huà)素陣列顯示影像，其與習(xí)知的驅(qū)動(dòng)電路相較之下顯得簡(jiǎn)化許多， 且可與畫(huà)素陣列的制程整合后一同進(jìn)行，如此將可有效的降低整體的成本。
以上所述，僅是本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已，并非對(duì)本發(fā)明作任何形式 上的限制，雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例揭露如上，然而并非用以限定本發(fā) 明，任何熟悉本專業(yè)的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明技術(shù)方案范圍內(nèi)，當(dāng)可利 用上述揭示的技術(shù)內(nèi)容作出些許更動(dòng)或修飾為等同變化的等效實(shí)施例，但 凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案的內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實(shí)質(zhì)對(duì)以上實(shí)施例 所作的任何簡(jiǎn)單修改、等同變化與修飾，均仍屬于本發(fā)明技術(shù)方案的范圍 內(nèi)。
權(quán)利要求
1、一種電子紙裝置的驅(qū)動(dòng)電路，驅(qū)動(dòng)至少一畫(huà)素，該畫(huà)素具有一畫(huà)素開(kāi)關(guān)元件，其特征在于該驅(qū)動(dòng)電路包括一位移單元，輸出一切換控制信號(hào)；以及一取樣保持單元，具有一取樣保持開(kāi)關(guān)元件及一取樣保持儲(chǔ)能元件，其中該取樣保持開(kāi)關(guān)元件分別與該畫(huà)素的該畫(huà)素開(kāi)關(guān)元件及該位移單元電性連接，并依據(jù)該切換控制信號(hào)而導(dǎo)通或關(guān)閉，該取樣保持儲(chǔ)能元件與該取樣保持開(kāi)關(guān)元件及該畫(huà)素的該畫(huà)素開(kāi)關(guān)元件電性連接。
2、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于其中所述的取樣保持 開(kāi)關(guān)元件包括一薄膜電晶體，其具有一閘極、 一源極及一汲極。
3、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于其中所述的取樣保持 儲(chǔ)能元件包括一電容，其位于一資料線及任一導(dǎo)電層之間。
4、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于其中所述的位移單元 為一位移暫存器。
5、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于其中所述的畫(huà)素更具 有一畫(huà)素等效電容，其與該畫(huà)素開(kāi)關(guān)元件電性連接，并經(jīng)由該畫(huà)素開(kāi)關(guān)元 件接收一畫(huà)素資料。
6、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于其中所述的位移單元、 取樣保持開(kāi)關(guān)元件及取樣保持儲(chǔ)能元件的至少其中之一設(shè)置于 一 晶片。
7、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于其中所述的畫(huà)素的畫(huà) 素開(kāi)關(guān)元件形成于一基板。
8、 根據(jù)權(quán)利要求7所述的驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于其中所述的位移單元、 取樣保持開(kāi)關(guān)元件及取樣保持儲(chǔ)能元件的至少其中之一形成于基板上。
9、 根據(jù)權(quán)利要求7所述的驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于其中所述的基板為一 玻璃基板。
10、 一種電子紙裝置，其特征在于其包括 一基板，具有一表面；一驅(qū)動(dòng)電路，設(shè)置于該基板的該表面，該驅(qū)動(dòng)電路具有一位移單元及 一取樣保持單元，該取樣保持單元具有一取樣保持開(kāi)關(guān)元件及一取樣保持 儲(chǔ)能元件，其中該取樣保持開(kāi)關(guān)元件分別與該位移單元及該取樣保持儲(chǔ)能 元件電性連接；以及一畫(huà)素陣列，具有多個(gè)畫(huà)素且設(shè)置于該基板的該表面，其中多個(gè)畫(huà)素 的其中之一畫(huà)素具有一畫(huà)素開(kāi)關(guān)元件及一畫(huà)素等效電容，該畫(huà)素開(kāi)關(guān)元件分別與該取樣保持開(kāi)關(guān)元件、該取樣保持儲(chǔ)能元件及該畫(huà)素等效電容電性 連接。
11、 根據(jù)權(quán)利要求IO所述的電子紙裝置，其特征在于其中所述的取樣保持開(kāi)關(guān)元件包括一薄膜電晶體，其具有一閘極、 一源極及一汲極。
12、 根據(jù)權(quán)利要求10所述的電子紙裝置，其特征在于其中所述的取樣 保持儲(chǔ)能元件包括一電容，其位于一資料線及任一導(dǎo)電層之間。
13、 根據(jù)權(quán)利要求10所述的電子紙裝置，其特征在于其中所述的位移 單元為一位移暫存器。
14、 根據(jù)權(quán)利要求IO所述的電子紙裝置，其特征在于其中所述的位移 單元、取樣保持開(kāi)關(guān)元件及取樣保持儲(chǔ)能元件的至少其中之一設(shè)置于一晶 片。
15、 根據(jù)權(quán)利要求10所述的電子紙裝置，其特征在于其中所述的位移 單元、取樣保持開(kāi)關(guān)元件及取樣保持儲(chǔ)能元件的至少其中之一形成于基板 的表面。
16、 根據(jù)權(quán)利要求IO所述的電子紙裝置，其特征在于其更包括一電子 紙，其與畫(huà)素陣列相對(duì)設(shè)置。
17、 根據(jù)權(quán)利要求16所述的電子紙裝置，其特征在于其中所述的電子 紙包括一對(duì)向電極單元，與畫(huà)素陣列相對(duì)而設(shè)；以及一電泳性物質(zhì)單元，設(shè)置于對(duì)向電極單元與畫(huà)素陣列之間。
18、 根據(jù)權(quán)利要求10所述的電子紙裝置，其特征在于其中所述的基板 為玻璃基板。
19、 一種電子紙裝置的制造方法，其特征在于其包括 于一基板的一表面設(shè)置一位移單元；于該基板的該表面設(shè)置 一取樣保持開(kāi)關(guān)元件； 于該基板的該表面設(shè)置一取樣保持儲(chǔ)能元件；以及 于該基板的該表面設(shè)置一畫(huà)素陣列。
20、 根據(jù)權(quán)利要求19所述的制造方法，其特征在于其中所述的畫(huà)素陣 列以薄膜電晶體制程或以非晶硅薄膜電晶體制程形成于基板的表面。
21、 根據(jù)權(quán)利要求19所述的制造方法，其特征在于其中所述的位移單 元以薄膜電晶體制程或以非晶硅薄膜電晶體制程形成于基板的表面。
22、 根據(jù)權(quán)利要求19所述的制造方法，其特征在于其中所述的取樣保 持開(kāi)關(guān)元件以薄膜電晶體制程或以非晶硅薄膜電晶體制程形成于基板的表 面。
23、 根據(jù)權(quán)利要求19所迷的制造方法，其特征在于其中所述的取樣保 持儲(chǔ)能元件以薄膜電晶體制程或以非晶硅薄膜電晶體制程形成于基板的表 面。
24、 根據(jù)權(quán)利要求19所述的制造方法，其特征在于其中所述的位移單元以玻璃覆晶制程形成于基板的表面。
25、根據(jù)權(quán)利要求19所述的制造方法，其特征在于其更包括將一電子 紙與畫(huà)素陣列相對(duì)而^:。
全文摘要
本發(fā)明有關(guān)于一種電子紙裝置及其驅(qū)動(dòng)電路以及制造方法。該電子紙裝置的驅(qū)動(dòng)電路，其驅(qū)動(dòng)至少一畫(huà)素，且該畫(huà)素具有一畫(huà)素開(kāi)關(guān)元件。驅(qū)動(dòng)電路包括一位移單元及一取樣保持單元。位移單元輸出一切換控制信號(hào)。取樣保持單元具有一取樣保持開(kāi)關(guān)元件以及一取樣保持儲(chǔ)能元件。其中取樣保持開(kāi)關(guān)元件分別與畫(huà)素的畫(huà)素開(kāi)關(guān)元件及位移單元電性連接，并依據(jù)切換控制信號(hào)而導(dǎo)通或關(guān)閉。取樣保持儲(chǔ)能元件與取樣保持開(kāi)關(guān)元件及畫(huà)素的畫(huà)素開(kāi)關(guān)元件電性連接。另外，本發(fā)明還公開(kāi)一種電子紙裝置及其制造方法。本發(fā)明能夠以簡(jiǎn)單的驅(qū)動(dòng)架構(gòu)來(lái)達(dá)到行驅(qū)動(dòng)的目的。
文檔編號(hào)G09G5/00GK101315757SQ20071010672
公開(kāi)日2008年12月3日 申請(qǐng)日期2007年5月30日 優(yōu)先權(quán)日2007年5月30日
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