專利名稱：板內(nèi)切換顯示設(shè)備的制作方法
板內(nèi)切換顯示設(shè)備 本發(fā)明涉及顯示設(shè)備，尤其是板內(nèi)切換電泳顯示設(shè)備。
電泳顯示設(shè)備是利用微粒在電場(chǎng)內(nèi)的移動(dòng)以提供選擇性光散射或 光吸收功能的雙穩(wěn)態(tài)顯示技術(shù)的 一個(gè)示例。
在一個(gè)示例中，白色微粒懸浮在吸收性液體中，并且電場(chǎng)可用于 將微粒帶到設(shè)備的表面。在該位置中，它們可執(zhí)行光散射功能，因此 顯示器呈現(xiàn)白色。遠(yuǎn)離頂面移動(dòng)使得能夠看見如黑色這樣的液體顏色。 在另一示例中，存在懸浮在透明液體中的兩種微粒，例如黑色帶負(fù)電 荷微粒和白色帶正電荷微粒。存在許多不同的可能配置。
已認(rèn)識(shí)到，作為電泳顯示設(shè)備雙穩(wěn)態(tài)的結(jié)果(保持圖像而不用施 加電壓)，它們能允許低電耗，并且它們可使得能夠形成很薄的顯示 設(shè)備，這是因?yàn)椴恍枰彻饣蚱鹌衿鳌Ｋ鼈冞€可以由塑料材料形成， 并且還在制造這種顯示器的過程中存在低成本的巻繞式處理
(roll-to-roll )的可能性。
例如，已提議了將電泳顯示設(shè)備并入到智能卡之中，這利用了塑 料襯底薄且固有可彎曲的特性以及低功耗。
如果要盡可能低地保持成本，那么采用無源尋址方案。顯示設(shè)備
的最簡(jiǎn)單配置是分段反射式顯示器，并且存在這類顯示器是足夠的許 多應(yīng)用。分段反射式電泳顯示器低功耗、高亮度并且在操作中還是雙 穩(wěn)態(tài)的，并且因此即使當(dāng)斷開顯示器時(shí)也能夠顯示信息。
然而，利用矩陣尋址方案提供了改善的性能和多用性。利用無源 矩陣尋址的電泳顯示器典型地包括下部電極層、顯示介質(zhì)層、以及上 部電極層。有選擇地將偏壓施加到上部和/或下部電極層中的電極上， 以控制與所偏置的電極相關(guān)的部分顯示介質(zhì)(多部分)的狀態(tài)。


圖1示出了用于在頂列電極10與底行電極12之間生成垂直電場(chǎng) 的已知無源矩陣顯示器布局。電極通常位于兩個(gè)分離的襯底上。
無源矩陣電泳顯示器包括排列成行和列、且夾在頂部與底部電極 層之間的電泳單元的陣列。列電才及IO是透明的。
例如，在2002年的the Proceeding of 9th International DisplayWorkhop ( IDW' 02 )第1337 - 1340頁(yè)，R. C. Liang等的文章中已公 開了圖1的設(shè)計(jì)。
交叉偏置是無源矩陣顯示設(shè)計(jì)中的問題。交叉偏置是指施加到與 不在掃描行(正用顯示數(shù)據(jù)更新的行)中的顯示單元相關(guān)的電極上的 偏壓。例如，為了改變典型顯示器的掃描行中的單元的狀態(tài)，可以將 偏壓施加到頂部電極層中用于要改變的那些單元的列電極上或者使單 元保持其初始狀態(tài)。這種列電極與它們列中的所有顯示單元相關(guān)，所 述所有顯示單元包括不位于掃描行中的許多單元。
另 一種電泳顯示設(shè)備使用所謂的"板內(nèi)切換"。這種設(shè)備使用微粒 在顯示材料層中有選擇的橫向移動(dòng)。當(dāng)微粒朝著側(cè)電極移動(dòng)時(shí)，在微 粒之間出現(xiàn)了開口，通過該開口可看得見基面。當(dāng)微粒隨機(jī)散布時(shí)， 它們阻擋了光通向基面的通道并且可看得見微粒顏色。當(dāng)微粒隨機(jī)散 開時(shí)，它們阻擋了光通向基面的通路并且可看得見微粒顏色。微粒可 以是有顏色的并且基面可以是黑色或白色，或者相反微?？梢允呛谏?或白色，并且基面是有顏色的。
板內(nèi)切換的優(yōu)點(diǎn)在于該設(shè)備適用于透射操作或者透反射操作。尤 其是，微粒的移動(dòng)為光創(chuàng)建了通路，因此可通過材料實(shí)現(xiàn)反射和透射 操作二者。這些顯示器還可提供明亮的全色操作。
板內(nèi)電極可以都位于一個(gè)村底上，或者相反兩個(gè)襯底都可具有電 極。必須避免該結(jié)構(gòu)之內(nèi)不必要的交叉是設(shè)計(jì)限制，其已經(jīng)影響了這 類顯示設(shè)備之內(nèi)的像素設(shè)計(jì)。
在最簡(jiǎn)單的實(shí)現(xiàn)中，每個(gè)像素與兩個(gè)電極相關(guān)，但是還存在利用 每個(gè)像素三個(gè)電極的設(shè)計(jì)，這三個(gè)電極即就是像素電極、行(選擇) 電極以及列(數(shù)據(jù))電極。在US 6639580中公開了這種三個(gè)電極像素 設(shè)計(jì)的示例。這還公開了使用不同高度以向微粒移動(dòng)提供物理壁壘。
無源矩陣板內(nèi)切換排列的問題是低響應(yīng)速度。這起因于這樣的事 實(shí)，即利用無源矩陣、每次僅可對(duì)一行進(jìn)行尋址，以及微粒必須游歷 (travel)大的板內(nèi)距離(與使用微粒在與襯底相垂直的方向移動(dòng)的 電泳顯示器的較小的自頂向下距離相比)。對(duì)于具有許多行和列像素 的大顯示器而言，圖像更新時(shí)間可延長(zhǎng)到數(shù)小時(shí)。
本發(fā)明具體地說涉及一種板內(nèi)無源矩陣切換顯示設(shè)備，并且目的 在于提供一種可降低更新圖像所需的時(shí)間的像素設(shè)計(jì)和驅(qū)動(dòng)方法。根據(jù)本發(fā)明，提供了一種顯示設(shè)備的驅(qū)動(dòng)方法，該顯示設(shè)備包括 布置在公共襯底之上的像素的行和列的陣列，其中每個(gè)像素至少包括 第一驅(qū)動(dòng)電極、第二驅(qū)動(dòng)電極、以及像素電極，并且其中通過在施加 到第一和第二驅(qū)動(dòng)電極以及像素電極上的控制信號(hào)的影響下對(duì)帶電微 粒在像素區(qū)域內(nèi)的移動(dòng)進(jìn)行控制來改變每個(gè)像素的顯示特性，其中該
方法包括
在重置階段中，將控制信號(hào)施加到所有像素上以便每個(gè)像素中的 微粒朝向第 一驅(qū)動(dòng)電極移動(dòng)；
在像素?cái)?shù)據(jù)加載階段中，依次將控制信號(hào)施加到像素行或列上， 以便選擇每個(gè)像素中的微粒以使其停留在第 一驅(qū)動(dòng)電極附近或者使其 朝著像素電極移動(dòng)；
在驅(qū)動(dòng)階段中，將控制信號(hào)施加到所有像素上以使已朝向像素電 極移動(dòng)的微粒分布在像素電極上。
該驅(qū)動(dòng)方案具有三個(gè)階段，但是僅這些中的一個(gè)需要逐線尋址， 而可并行地對(duì)所有像素執(zhí)行其他階段。通過最小化逐線階段所需的時(shí) 間，可降低整個(gè)尋址時(shí)間。
在像素?cái)?shù)據(jù)加載階段中，可以選擇每個(gè)像素中的微粒以使其停留 在第一驅(qū)動(dòng)電極附近或者使其朝向像素電極移動(dòng)，并且在驅(qū)動(dòng)階段中， 可提高使位于像素電極附近的微粒的分布均勻性。按照這種方式，可 實(shí)現(xiàn)微粒到像素電極的高速轉(zhuǎn)移，并且僅在最終階段中獲得了微粒在 像素電極上的期望分布。
在另一示例中，每個(gè)像素還包括臨時(shí)存儲(chǔ)電極，其中第一和第二 驅(qū)動(dòng)電極位于一側(cè)上并且像素電極位于相對(duì)側(cè)上，并且在像素?cái)?shù)據(jù)加 載階段中，可以選擇每個(gè)像素中的微粒以使其停留在第 一驅(qū)動(dòng)電極附 近或者使其移動(dòng)到距像素電極更近的臨時(shí)存儲(chǔ)電極。在驅(qū)動(dòng)階段中， 此后使位于臨時(shí)存儲(chǔ)電極附近的像素移動(dòng)到像素電極。
該排列使用逐線尋址以有選擇地使微粒移動(dòng)到臨時(shí)存儲(chǔ)電極。這 可以是短距離的，因此可最小化所需時(shí)間。在驅(qū)動(dòng)階段中，微粒可與 寸象素電極相平行地移動(dòng)。
在驅(qū)動(dòng)階段中，可將信號(hào)施加到第二驅(qū)動(dòng)電極上以基本防止微粒 從臨時(shí)存儲(chǔ)電極到第 一驅(qū)動(dòng)電極的移動(dòng)。當(dāng)沒有使用臨時(shí)存儲(chǔ)電極時(shí)，在驅(qū)動(dòng)階段中，可將信號(hào)施加到第 二驅(qū)動(dòng)電極上，這基本上可防止微粒從第一驅(qū)動(dòng)電極到像素電極的移動(dòng)。
因此不同驅(qū)動(dòng)方案可使微粒移動(dòng)到期望位置，并且利用起壁壘作 用的電勢(shì)而保持在那里。
在所有示例中，像素?cái)?shù)據(jù)加載階段可包括用于實(shí)現(xiàn)微粒的部分移 動(dòng)的多個(gè)子階段以提供灰度操作。
本發(fā)明還提供了一種顯示設(shè)備，該顯示設(shè)備包括布置在公共襯底
之上的像素的行和列的陣列，其中每個(gè)像素包括 第一驅(qū)動(dòng)電極； 臨時(shí)存々者電一及；以及 像素電極，
其中臨時(shí)存儲(chǔ)電極在一個(gè)方向上與第一驅(qū)動(dòng)電極相面對(duì)并且在另 一方向上與像素電極相面對(duì)，并且
其中通過在施加到第一驅(qū)動(dòng)電極、像素電極、以及臨時(shí)存儲(chǔ)電極 上的控制信號(hào)的影響下對(duì)帶電微粒在像素區(qū)域之內(nèi)的移動(dòng)進(jìn)行控制來 改變每個(gè)像素的顯示特性，其中在最終驅(qū)動(dòng)階段中允許微粒移動(dòng)到像 素電極之前，該臨時(shí)存儲(chǔ)電極可進(jìn)行操作來在尋址階段期間使微粒保 持在其附近。
如上所概要的，臨時(shí)存儲(chǔ)電極的使用可使逐線尋址階段變短。臨 時(shí)存儲(chǔ)電極有效地在第 一驅(qū)動(dòng)電極與像素電極之間并且用作從第 一驅(qū) 動(dòng)電極至像素電極的微粒路徑中的中間存儲(chǔ)位置。
每個(gè)像素還可包括第二驅(qū)動(dòng)電極，其中第一和第二驅(qū)動(dòng)電極位于 臨時(shí)存儲(chǔ)電極的一側(cè)上并且像素電極位于臨時(shí)存儲(chǔ)電極的相對(duì)側(cè)上， 并且第一和第二驅(qū)動(dòng)電極與數(shù)據(jù)和選擇電極相關(guān)。經(jīng)常地，選擇電極 與像素行相關(guān)并且數(shù)據(jù)電極與像素列相關(guān)。這個(gè)配置用在以下本發(fā)明 的實(shí)施例中。還可使第一和第二驅(qū)動(dòng)電極分別與列和行相關(guān)，或者使 第一電極成為公共電極，并且與作為數(shù)據(jù)電極的臨時(shí)存儲(chǔ)電極相連。
因此，第二驅(qū)動(dòng)電極可用作從第 一 驅(qū)動(dòng)電極至臨時(shí)存儲(chǔ)電極的微 粒通3各的壁壘。
每個(gè)像素還可包括顯示介質(zhì)，而該顯示介質(zhì)包括帶電微粒，并且 這樣選擇電極和顯示介質(zhì)以便帶電微粒僅響應(yīng)于電極之間超過了閾值電壓的電壓差而移動(dòng)。
這避免了對(duì)第二驅(qū)動(dòng)電極的需要，這是因?yàn)殚撝挡贾每捎糜谠诮o 定狀況下防止微粒移動(dòng)。
該顯示介質(zhì)可以?shī)A在第一驅(qū)動(dòng)電極與臨時(shí)存儲(chǔ)電極之間。
該設(shè)備可包括電泳無源矩陣顯示i殳備。
現(xiàn)在參考附圖對(duì)本發(fā)明的示例進(jìn)行詳細(xì)描述，在附圖中 圖1示出了已知的無源矩陣顯示布局；
圖2示出了該申請(qǐng)人所提議的、且可利用本發(fā)明的方法進(jìn)行控制 的板內(nèi)切換像素布局；
圖3至8用于順序地示出如何根據(jù)本發(fā)明的方法來如何控制圖2
的像素布局；
圖9示出了用于本發(fā)明的第二操作方法的本發(fā)明的像素布局；
圖IO用于闡述圖9的像素布局的操作；
圖11用于闡述圖9的像素布局的替代操作方法；
圖12示出了該申請(qǐng)人所提議的不同類型的像素設(shè)計(jì)；
圖13示出了對(duì)根據(jù)本發(fā)明的圖12的布局的修改，并且用于說明
根據(jù)本發(fā)明的對(duì)像素進(jìn)行操作的方法；以及
圖14示出了對(duì)按照相似方式進(jìn)行操作的圖13的布局的修改。
在不同附圖中使用相同參考以表示相同層或部件，并且不重復(fù)描述。
圖2示出了該申請(qǐng)人所提議的、且可根據(jù)本發(fā)明的方法進(jìn)行操作
的像素布局的第一示例。
在圖2中，第一列電極20與公共儲(chǔ)存(reservoir)電極"相連。
列電極20包括突起(spurs) 23。第二列電極(數(shù)據(jù)電極)24與像素
電極26相連，并且柵/選擇電極28在行方向上運(yùn)行。
因此每個(gè)電極包括三個(gè)電極。像素電極用于將微粒移動(dòng)到像素的
可見部分中，并且為此像素電極26占據(jù)了大部分像素區(qū)域。每個(gè)像素
區(qū)域在圖2中被示為區(qū)域30，并且可使不同像素區(qū)域物理上彼此相分
離。儲(chǔ)存電極20、 22、 23用于將微粒橫向移動(dòng)到像素的隱藏部分。柵
電極28用于在除了所選線之外的所有線中防止微粒從像素的儲(chǔ)存部份移動(dòng)到可見部分中，并因此使得能夠進(jìn)行像素的逐行操作。
如下所述的那樣，柵電極28進(jìn)行#:作以中斷在儲(chǔ)存電極與像素電 極之間的電場(chǎng)，以便像素電極上的驅(qū)動(dòng)電壓僅導(dǎo)致其中電場(chǎng)未被中斷 的選定行的微粒發(fā)生移動(dòng)。
作為無源尋址方案的結(jié)果，需要柵電極28，并且必須向選定行而 不是非選定行提供不同的條件。
在兩個(gè)襯底的任何一個(gè)上無需任何交叉結(jié)構(gòu)即可創(chuàng)建圖2的像素 布局。這提高了該結(jié)構(gòu)的可制造性，尤其是如果該設(shè)備是按照巻繞式 制造方法制造的話更是如此。
第一襯底包括儲(chǔ)存器、數(shù)據(jù)、以及像素電極20， 23， 24, 26，并 且相對(duì)襯底具有柵電極28。像素電極26全部都是由數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器分別驅(qū) 動(dòng)地。選擇性地，可以建立像素墻來圍繞每個(gè)像素以使像素彼此隔離， 并且使襯底之間的間隔充滿電泳液體。
本發(fā)明的第一方面提供了用于圖2的像素布局的驅(qū)動(dòng)方案，并且 參考圖3至8對(duì)其進(jìn)行說明。
圖3至8示出了施加到圖2的像素設(shè)計(jì)中的三個(gè)電極上的電壓， 并且示出了帶電微粒如何移動(dòng)。為了進(jìn)行闡述，左列的像素要被"寫入 "，這意味著微粒要移動(dòng)到像素電極，而要"不寫入"右列的像素，這意 味著微粒要停留在電極23附近的儲(chǔ)存器中。
為了進(jìn)行闡述，假定微粒具有負(fù)電荷，并且公共儲(chǔ)存器電極具有 用于正常尋址的參考電壓0V。
圖3的第一步驟執(zhí)行全局重置階段。這可以通過在儲(chǔ)存器電極23 上提供如所示高壓(+V)同時(shí)使其他電極處于0V而實(shí)現(xiàn)。
此后將所有柵電極設(shè)置為負(fù)電壓(-V),并且使儲(chǔ)存器電極返回 參考電壓(在該示例中為0V)。這可防止微粒從儲(chǔ)存器23移動(dòng)到像素 電極并且設(shè)立微粒移動(dòng)到儲(chǔ)存器之外的壁壘。
為了執(zhí)行對(duì)像素的逐線尋址，將所選線的柵電極28的電壓設(shè)置為 例如OV這樣的更小負(fù)電壓。圖4示出了對(duì)頂行的尋址，并且圖5示出 了對(duì)底行的尋址。從圖4中可看出，當(dāng)選擇了線時(shí)，具有正電壓的那 些像素電極使微粒移動(dòng)到像素中，同時(shí)具有OV像素電極電壓的那些像 素不被填充。因此，將要寫入的像素的數(shù)據(jù)線(與像素電極"相連) 具有正電壓(V)。從圖4中還可看出，非選定行的柵電極28防止微粒的任何移動(dòng)， 甚至對(duì)于具有正寫入電壓的數(shù)據(jù)列而是如此。換句話說，圖4的左底 部像素仍未被寫入，這是因?yàn)槲催x擇該行，并且柵電極28起防止微粒 遠(yuǎn)離電才及23移動(dòng)的壁壘的作用。
在像素填充完成之后，柵電極回到負(fù)電壓，并且如果需要的話， 選擇其隨后的線并且填充下一線的像素。這如圖5所示。
然而此時(shí)，當(dāng)先前線的對(duì)冊(cè)電極28返回到其未選電壓-V時(shí)出現(xiàn)了 問題。該電壓會(huì)引起移動(dòng)到像素中的微粒進(jìn)一步朝著像素邊緣位移。 因而，像素使其顏色局部變松。施加非選電壓(-V)越長(zhǎng)，將會(huì)出現(xiàn) 不期望的微粒運(yùn)動(dòng)越多，并且其結(jié)果是，之前很久就被尋址的像素甚 至具有更多變化的顏色一這會(huì)導(dǎo)致像素顏色的橫向變化。這些效果是 極其不希望的。
該效果如圖5所示，其中所尋址的左上部像素中的微粒已經(jīng)成串 遠(yuǎn)離頂部柵電極(-V)而朝向下部?jī)?chǔ)存器電極(0V)。
圖6示出了在已經(jīng)對(duì)下一行進(jìn)行尋址之后出現(xiàn)了相同效果。
不可能在這個(gè)簡(jiǎn)單像素布局之內(nèi)防止這個(gè)不期望的運(yùn)動(dòng)，但是本 發(fā)明提供了對(duì)驅(qū)動(dòng)方案的修改以可使微粒均勻地分布。
如圖7所示，將"后脈沖"添加到顯示驅(qū)動(dòng)方案中，并且這僅涉及 將新電壓施加到所有像素電極上 一 次。
在已對(duì)顯示器中的所有像素進(jìn)行尋址之后施加該后脈沖，同時(shí)將 所有柵電極的電壓設(shè)置為非選電壓(-V)并且使其保持于該值足夠長(zhǎng) 以足以讓所有像素中的所有微粒積聚在最遠(yuǎn)離柵電極的像素電極的邊 緣處。這是圖6所示的狀況。
此時(shí)，將所有像素電極帶到比非選電壓(<-V)更低的電壓，這 會(huì)使微粒返過來朝向柵電極移動(dòng)，這如圖7所示。
在固定的時(shí)段(對(duì)于所有像素都一樣)之后，微粒均勻地填充像 素，在該點(diǎn)處除去所有電極電壓并且圖像保持可見(由于微粒的雙穩(wěn) 定性)。圖8示出了該穩(wěn)定的最終狀態(tài)。
因此尋址方法包括
重置階段，其中將控制信號(hào)施加到所有像素上以便每個(gè)像素中的 ;微粒朝向儲(chǔ)存器電極23 (這些被認(rèn)為是第一驅(qū)動(dòng)電極)移動(dòng)；
像素?cái)?shù)據(jù)加載(即尋址)階段，其中依次將控制信號(hào)施加到像素行上，以便將每個(gè)像素中的微粒選擇為以使其停留在第 一驅(qū)動(dòng)電極(存
儲(chǔ)器電極23)附近或者使其移動(dòng)到像素電極26;
驅(qū)動(dòng)階段，其中將控制信號(hào)施加到所有像素上，以使已移動(dòng)到像 素電極的微粒更均勻地分布在像素電極上。該驅(qū)動(dòng)階段是通過"后脈沖 "來實(shí)現(xiàn)。
已經(jīng)結(jié)合簡(jiǎn)單像素布局對(duì)該方法了進(jìn)行描述。利用更復(fù)雜的像素 布局可獲得改善的性能，并且本發(fā)明的第二方面使用圖9所示的改進(jìn) 的像素設(shè)計(jì)。該改進(jìn)的像素設(shè)計(jì)形成了本發(fā)明的一方面。
如圖9所示，每個(gè)像素具有四個(gè)電才及。這些中的兩個(gè)用于按照行 選擇線電極40和寫入列電極42的形式唯一地標(biāo)識(shí)每個(gè)像素。另外， 存在臨時(shí)存儲(chǔ)電極44和像素電極46。
在該設(shè)計(jì)中，像素再次被設(shè)計(jì)成提供使微粒在控制電極40， 42的 附近與像素電極4 6之間移動(dòng)，但是提供了用作臨時(shí)存儲(chǔ)存儲(chǔ)器的中間 電極44。這允許降低在逐線尋址期間的轉(zhuǎn)移距離，并且可并行地執(zhí)行 從臨時(shí)電極44至像素電極46的較大轉(zhuǎn)移距離。圖9再次將像素區(qū)域 30示為30。
圖IO用于對(duì)利用本發(fā)明方法的第二版本來對(duì)圖9的像素布局的操 作進(jìn)行說明。然而，該方法再次包括如上所說明的重置、尋址、以及 驅(qū)動(dòng)這三個(gè)步驟。
圖10示出了施加到每個(gè)像素的四個(gè)電極上的電壓。列數(shù)據(jù)電極42 可以被認(rèn)為是第一驅(qū)動(dòng)電極，行選擇電極"可以被認(rèn)為是第二驅(qū)動(dòng)電 極，并且臨時(shí)存儲(chǔ)電極44在位于一側(cè)的第一和第二驅(qū)動(dòng)電極與位于相 對(duì)側(cè)上的像素46之間。
圖IO假定使用正微粒。
臨時(shí)存儲(chǔ)電極44在尋址階段期間處于固定電壓(在該示例中為-10V),并且因而在尋址期間不必利用控制電壓來驅(qū)動(dòng)。然而，它用于 如下所說明的最終驅(qū)動(dòng)階段。類似地，像素電極46可保持固定在0V (對(duì)于該方案的所有階段而言)。
重置階段如上所述進(jìn)行，并且將所有微粒帶到即就是列數(shù)據(jù)電極 42的、以第一驅(qū)動(dòng)電極形式的存儲(chǔ)器。這可以是通過將數(shù)據(jù)電極帶到 低電壓(在該示例中為-100V)、且低于選擇線電壓，以便所有像素 都遷移到數(shù)據(jù)電極42而實(shí)現(xiàn)的，這如頂圖所示。圖像48示出了在重置階段中的微粒分布。
對(duì)于圖像50， 52， 54， 56(每一個(gè)如下討論)中的行而言，左列 表示對(duì)要寫入的像素的影響并且右列給出了對(duì)不寫入的像素的影響。
圖像50中的行表示選定行并且給出了在像素選定行中的微粒分 布。對(duì)像素行的選擇是通過50V的選擇電極電壓40來反映的，然而非 選電壓是150V。
如果要寫入像素，那么列數(shù)據(jù)線42上的電壓是IOOV，并且如果不 寫入像素，那么列數(shù)據(jù)線上的電壓是0V。
如所示，對(duì)于要寫入的像素而言，微粒移動(dòng)到具有最低電壓的臨 時(shí)存儲(chǔ)電極44,并且不存在對(duì)從電極42至臨時(shí)存儲(chǔ)電極的移動(dòng)的勢(shì)壘。 對(duì)于不寫入的像素而言，列數(shù)據(jù)線電壓保持OV,并且50V的選擇線電 壓用作對(duì)從電極42至臨時(shí)存儲(chǔ)電極44的移動(dòng)的壁壘。
圖像52的行表示已沖銷(written off)的其他行，并且再次給 出了已經(jīng)通過尋址階段到達(dá)且被驅(qū)動(dòng)為斷開的那些像素行上的微粒分 布。150V的高行選擇線電壓再次用作防止微粒移動(dòng)到儲(chǔ)存器之外的壁 壘。
類似地，(雖然未示出)仍未被尋址的像素行不受到對(duì)先前行的 尋址的影響，并且微粒保持在儲(chǔ)存器中。
圖像54中的行表示已寫入的其他行，并且再次給出了已通過尋址 階段到達(dá)且被驅(qū)動(dòng)為接通狀態(tài)的那些行中的微粒分布。它給出了對(duì)其
臨:存儲(chǔ)Z極44丄)。臨時(shí)電極處于i低電壓，'并且二旦i粒已移動(dòng) 到臨時(shí)電極，它們則保持在那里。
"尋址"時(shí)段可更快地進(jìn)行，這是因?yàn)橛螝v的距離減小了并且由于 增大的電場(chǎng)(這也是在給定相同施加電壓下電極距離較短的結(jié)果)而 使微粒速度提高了。
在"尋址"時(shí)段中已經(jīng)選擇了所有線之后，最終結(jié)果是像素中的微 ?；蛘呶挥诘谝或?qū)動(dòng)電極上，也就是說位于列數(shù)據(jù)電極42 (未寫入像 素)上或者位于臨時(shí)存儲(chǔ)電極44 (寫入像素)上。因此，尋址使所寫 入的像素朝向像素電極移動(dòng)，但是僅僅遠(yuǎn)到臨時(shí)存儲(chǔ)電極。
此后，在最終驅(qū)動(dòng)階段56 (底部圖像集)中，僅僅已經(jīng)位于臨時(shí) 存儲(chǔ)電極上的微粒將進(jìn)一步移動(dòng)到像素電極。該最終驅(qū)動(dòng)階段示出了寫入(左列)或非寫入情況(右列)這兩者之一的微粒分布。
臨時(shí)存儲(chǔ)電極上的電勢(shì)用于這個(gè)驅(qū)動(dòng)階段并且升高到+100V，以便 微粒移動(dòng)到OV像素電極。150V的選擇線電極40再次用作壁壘以防止 儲(chǔ)存器電極42 (其現(xiàn)在在任何情況下處于OV)處的微粒的移動(dòng)。
附加的臨時(shí)存儲(chǔ)電極不會(huì)顯著增大驅(qū)動(dòng)器電子設(shè)備的成本，這是 因?yàn)樵撾姌O對(duì)于所有像素是公共的。因此，需要與驅(qū)動(dòng)電子設(shè)備的單 個(gè)附加連接。
電極可全部處于相同物理高度，因?yàn)楫?dāng)需要時(shí)電勢(shì)提供了對(duì)微粒 移動(dòng)的適當(dāng)壁壘。
在圖IO中的驅(qū)動(dòng)階段之后，在該電極上保持該電壓(如所示)， 并且由于所施加的電勢(shì)而使所有微粒將保持固定。寫入的微粒將保持 在像素電極上，并且未寫入的像素在第一驅(qū)動(dòng)電極(列數(shù)據(jù)電極)上。 第二驅(qū)動(dòng)電極(行選擇電極)和臨時(shí)存儲(chǔ)電極形成了電壁壘以使微粒 固定在其位置處。這是假定微粒具有高度擴(kuò)散特性(例如微粒具有小 于100nm的半徑)的狀況。通常，有可能的是像素電極上分布不是很 好均勻的(如參考圖6所討論的問題)。在該情況下，驅(qū)動(dòng)階段包括 附加后脈沖(如圖7所示)以建立均勻微粒分布。
或者，可將尋址階段布置成在線選擇時(shí)間期間移動(dòng)到第三(臨時(shí) 存儲(chǔ))電極44之后、微粒在剩余尋址時(shí)間期間被進(jìn)一 步移動(dòng)到第四(像 素)電極46。這如圖11中所示。此后，驅(qū)動(dòng)階段可用于使微粒均勻地 分布在第三和第四電極這兩者上(由于更大的可切換區(qū)域而使對(duì)比度 和亮度更好)。
圖像48、 50、 52、以及54中的^f亍與圖IO相對(duì)應(yīng)。這些條件的差 別僅在于像素電極處于-20V而不是0V。這暗示著對(duì)于已寫入的行而 言，微粒已開始移動(dòng)到如圖像54中的行所示的像素電極。因此，在尋 址時(shí)間期間微粒不保持在臨時(shí)存儲(chǔ)電極44上。
如圖像60中的行所示，在尋址階段結(jié)束時(shí)，微粒已移動(dòng)到像素電極。
如上所概述的，如圖像62所示的驅(qū)動(dòng)階段使微粒在臨時(shí)存儲(chǔ)電極 44和像素電極46 二者上散布以提高對(duì)比度和亮度。選擇四個(gè)電極上的 電壓以提供所需的均勻分布，并且如所示，將臨時(shí)存儲(chǔ)電極帶到比像 素電極稍低的電壓，并且通過選擇線電極40所創(chuàng)建的壁壘也降低了 。還可實(shí)現(xiàn)灰度。例如對(duì)于4 ( = 2比特)灰度級(jí)而言，驅(qū)動(dòng)方案可 以包含4個(gè)時(shí)段 一個(gè)"重置"時(shí)段、兩個(gè)"尋址"時(shí)段(一個(gè)具有2/3 的轉(zhuǎn)移時(shí)間并且另一個(gè)具有1/3)、以及一個(gè)驅(qū)動(dòng)時(shí)段。
將兩個(gè)尋址時(shí)段中的線時(shí)間設(shè)置為短于微粒的轉(zhuǎn)移時(shí)間。這意味 著不是所有微粒都轉(zhuǎn)移到臨時(shí)存儲(chǔ)電極，而是僅僅與轉(zhuǎn)移時(shí)間的部分 大致成比例的部分轉(zhuǎn)移到臨時(shí)存儲(chǔ)電極。在第 一尋址時(shí)段期間將具有 66%和100%期望輸出設(shè)置的像素驅(qū)動(dòng)為"寫入"模式，并且在第二尋址時(shí) 段期間將具有33%和100%的期望輸出設(shè)置的像素驅(qū)動(dòng)為"寫入"模式。
像素可被第二次寫入，這是因?yàn)樵诘诙ぶ冯A段中(未在圖10或 圖11中示出)，在第一尋址時(shí)段期間已寫入到臨時(shí)存儲(chǔ)電極的微粒不 會(huì)受到第二"寫入"或"不寫入"尋址階段的干擾。
通常，還可以通過在單個(gè)尋址時(shí)段期間改變各個(gè)像素的寫入電壓 的持續(xù)時(shí)間或者振幅來寫入灰度，也就是說通過改變電極42上的電壓 振幅或持續(xù)時(shí)間來寫入灰度。
在驅(qū)動(dòng)階段中，將臨時(shí)存儲(chǔ)電極上的微粒轉(zhuǎn)移到像素電極。對(duì)于 不同像素而言，微粒的數(shù)量不同(取決于它們是在第一還是第二地址 時(shí)段期間還是這兩者期間寫入)。此后像素電極上的不同量的微粒會(huì) 導(dǎo)致不同光學(xué)外觀(例如通過吸收或散射)。
因此尋址方法包括
重置階段，其中將控制信號(hào)施加到所有像素上，以便每個(gè)像素中 的微粒朝向儲(chǔ)存器電極42 (這些被再次認(rèn)為是第一驅(qū)動(dòng)電極并且是列 數(shù)據(jù)電極)移動(dòng)；
像素?cái)?shù)據(jù)加載(即尋址)階段，其中依次將控制信號(hào)施加到像素 行上，以便將每個(gè)像素中的微粒選擇為使其停留在第一驅(qū)動(dòng)電極42附 近或者使其朝向像素電極46移動(dòng)，但是僅僅遠(yuǎn)到臨時(shí)存儲(chǔ)電極44;
驅(qū)動(dòng)階段，其中將控制信號(hào)施加到所有像素上，以使已移動(dòng)到臨 時(shí)存儲(chǔ)電極的微粒移動(dòng)到像素電極。
在本發(fā)明的第三方面中，無需利用柵電極而是通過利用電泳液體 的電光響應(yīng)中的閾值(非線性)即可執(zhí)行無源矩陣尋址。
已提議了利用對(duì)電泳顯示器的所謂闊值尋址，并且可使驅(qū)動(dòng)方案 和/或硬件簡(jiǎn)化。在US 6 693 620中可找到闊值尋址方案的示例。如 在該文檔中所詳細(xì)描述的，通過適當(dāng)?shù)剡x擇電泳微粒的材料和/或它們懸浮其中的介質(zhì)可獲得閣值電壓響應(yīng)。
圖12中給出了該申請(qǐng)人所提議的、使用閾值的無源矩陣驅(qū)動(dòng)方案 的示例。為了簡(jiǎn)單地與上述附圖區(qū)分開來，該閾值被示意性地示為不 同的電極i殳計(jì)。
在該示例中，假定實(shí)現(xiàn)了 40V的閾值，在此閾值之下，液體中的 微粒根本不會(huì)經(jīng)歷電場(chǎng)。微粒被顯示為帶正電荷。
在所提議的驅(qū)動(dòng)方案中，使用"重置"階段，其中在顯示器的所有 像素中同時(shí)在即就是列數(shù)據(jù)電極的第 一驅(qū)動(dòng)電極7 0上收集微粒。
此后在"尋址"時(shí)段中，對(duì)于期望"寫入"的像素，逐線地將微粒轉(zhuǎn) 移到像素電極72。通過在與像素電極相連的線上使其電壓從0V降至-30V可出現(xiàn)對(duì)線的選擇。通過在列數(shù)據(jù)電極70上使其電壓從OV增大至 + 30V可出現(xiàn)寫入列。僅在處于被選線與被寫入的列的交叉點(diǎn)的那些像 素中，微粒因?yàn)檫@兩個(gè)電極之間的電壓差此后超過了 40V閾值而發(fā)生 轉(zhuǎn)移。在所有其他像素中，微粒保持未受干擾，這是因?yàn)殡妱?shì)不足以 超過閾值。
如參考用于對(duì)本發(fā)明的第三方面進(jìn)行說明的圖13所說明的那樣， 還可利用本發(fā)明的教導(dǎo)來修改所提議的像素排列和驅(qū)動(dòng)方案。對(duì)像素 設(shè)計(jì)的修改再次引入了附加電極，并且對(duì)驅(qū)動(dòng)方案的修改引入了附加 驅(qū)動(dòng)階段。
如圖13所示，在第一驅(qū)動(dòng)電極70與像素電極72之間添加了附加 公共電極74,并且該附加公共電極74用作臨時(shí)存儲(chǔ)電極(這被認(rèn)為是 第二驅(qū)動(dòng)電極，以便像素排列包括第一和第二驅(qū)動(dòng)電極和像素電極)。
該"重置"階段按照與上述相同的方式進(jìn)行，其中微粒被偏置到列 數(shù)據(jù)電極52。然而，這分兩個(gè)步驟進(jìn)行。第一步驟是通過在三個(gè)電極 52, 56, 54上分別置-30V、 - 30V、 +30V而將所有微粒(先前在像素 電極54或者臨時(shí)存儲(chǔ)電極56上)收集到臨時(shí)存儲(chǔ)電極56上。第二步 驟是通過向三個(gè)電極52, 56， 54分別置-30V、 +30V、 +30V而將所有 微粒收集到第一數(shù)據(jù)電極52上。
"尋址"時(shí)段還按照與上述說明相同的方式進(jìn)行。像素電極72保持 0V并且在尋址時(shí)段期間的驅(qū)動(dòng)過程中不被涉及。通過與驅(qū)動(dòng)電子設(shè)備 (由所有像素共享)的單個(gè)連接可實(shí)現(xiàn)該電極。
圖13示出了與圖10中的那些相似的標(biāo)圖，并且實(shí)際上臨時(shí)存儲(chǔ)電極的使用是類似的，但是該閾值配置避免了對(duì)圖9和10的柵電極的需要。
在驅(qū)動(dòng)階段中，同時(shí)對(duì)于所有像素而言，第一驅(qū)動(dòng)電極70(列數(shù) 據(jù)電極)上的微粒保持在那里，同時(shí)在臨時(shí)存儲(chǔ)電極74上收集的微粒 轉(zhuǎn)移到像素電極。在該區(qū)域中像素電極是所有三個(gè)電極當(dāng)中最大的。 這確保了用于定義可對(duì)強(qiáng)度進(jìn)行實(shí)際調(diào)制的顯示器的有效區(qū)域的孔徑 比是最大的。還可確保速度增益也是最大的，因?yàn)榇撕笤隍?qū)動(dòng)階段時(shí) 段中覆蓋了板內(nèi)距離的最大部分。
在"尋址"時(shí)段期間，期望的是微粒的擴(kuò)散盡可能地小。尤其是， 使微粒從臨時(shí)存儲(chǔ)電極74擴(kuò)散回到第一電極70所花費(fèi)的時(shí)間應(yīng)當(dāng)大 于"尋址"時(shí)段的總時(shí)間。這從圖13可清楚地得知，圖13給出了一旦 已經(jīng)寫入了行，那么每次將列設(shè)置為OV的非寫入電壓時(shí)，被施加了相 同電壓的第 一 電極和臨時(shí)存儲(chǔ)電極彼此相鄰。實(shí)現(xiàn)該擴(kuò)散壁壘的 一個(gè) 方式是通過利用每個(gè)微粒具有高電荷的微粒。
尤其是，使微粒電學(xué)上地轉(zhuǎn)移所花費(fèi)的時(shí)間與微粒的移動(dòng)性成反 比。使微粒擴(kuò)散回來所花費(fèi)的時(shí)間與微粒的擴(kuò)散常數(shù)成反比。因此兩 個(gè)時(shí)標(biāo)之間的比率等于移動(dòng)性與擴(kuò)散常數(shù)之間的比率。后者比率與微 粒大小無關(guān)，而是僅取決于微粒的電荷(愛因斯坦定律)。
在驅(qū)動(dòng)階段之后，通過保持施加到電極上的電壓(如上所述)可 保持微粒處于它們的位置上。例如可以將第 一驅(qū)動(dòng)電極和像素電極上 的電壓設(shè)置為OV,而同時(shí)臨時(shí)存儲(chǔ)電極利用超過+40V閣值的電壓而提
供了壁壘。
或者，對(duì)于"尋址"和"驅(qū)動(dòng)"之后這兩者都有益的益處在于，電泳 液體是雙穩(wěn)態(tài)的。此后，可以從電極上除去掉所有電壓并且在寫入圖 像之后的功耗將為零。
尋址時(shí)段將更快，因?yàn)槲⒘Ｔ谠摃r(shí)段必須游歷的距離降低了。如 果在自頂向下的方向上發(fā)生了尋址，那么可實(shí)現(xiàn)最大的速度增益。圖 14給出了使用該方法的本發(fā)明的第四方面。
該驅(qū)動(dòng)方法與參考圖13所說明的驅(qū)動(dòng)方法相對(duì)應(yīng)。然而，該像素 布置有作為第一驅(qū)動(dòng)電極和列數(shù)據(jù)線的頂部電極80、作為臨時(shí)存儲(chǔ)電 極的底部電極82、以及作為像素電極的較大底部電極84。
如上所說明的那樣，分兩個(gè)步驟進(jìn)行"重置"時(shí)段，首先在臨時(shí)存儲(chǔ)電極82上匯集，此后在第一驅(qū)動(dòng)電極80上。臨時(shí)存儲(chǔ)電極再次有 效地在其他兩個(gè)電極之間，因?yàn)榕R時(shí)存儲(chǔ)電極在一個(gè)方向(向上)上 與第一驅(qū)動(dòng)電極相對(duì)，并且在另一方向(側(cè)向)上與像素電極相對(duì)。
"尋址"時(shí)段也如上所說明的那樣進(jìn)行。再次，不涉及像素電極。 尋址速度的增益顯著地增大了 ，這是因?yàn)橛螝v每條線的距離等于像素 容積的高度，其在實(shí)際示例中與500微米橫向像素大小相比，該像素 容積的高度可小至4 - IO微米。
在驅(qū)動(dòng)階段中，僅在臨時(shí)存儲(chǔ)電極82上的微粒應(yīng)當(dāng)轉(zhuǎn)移到像素電 極。然而，在這種情況下，臨時(shí)存儲(chǔ)電極無法用作第一驅(qū)動(dòng)電極80與 像素電極84之間的有效電壁壘，因?yàn)樗辉僦苯釉诘谝或?qū)動(dòng)電極80 與像素電極84之間。
代之以，實(shí)現(xiàn)該壁壘的 一個(gè)優(yōu)選方法是通過在像素容積的上側(cè)上 插入結(jié)構(gòu)化(機(jī)械)壁壘86,該結(jié)構(gòu)狀壁壘86可防止匯集在第一電極 80上的微粒在板內(nèi)轉(zhuǎn)移。包括電壁壘在內(nèi)的其他壁壘類型是可能的。 例如永久電壁壘可以由附加電極所創(chuàng)建。
上面的第三和第四方面通常適用于電光響應(yīng)表現(xiàn)為非線性(或者 甚至更好為閾值)的電泳顯示器。對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來說，顯 而易見的是存在不同的方式以實(shí)現(xiàn)閾值。
在這個(gè)方面中可極其顯著地降低圖像更新時(shí)間，例如降低至數(shù)百 秒的量級(jí)。在所有方面中，對(duì)于微粒而言有利的是示出了雙穩(wěn)定性。
電泳顯示器系統(tǒng)可以形成其中可顯示例如信息符號(hào)、公共運(yùn)輸信 號(hào)、廣告海報(bào)、價(jià)格標(biāo)簽、廣告牌等等形式的信息的各種應(yīng)用的基礎(chǔ)。 另外，可以在諸如具有變化圖案或顏色的壁紙之類的、需要改變非信 息外觀的情況下，尤其是如果表面需要類似于紙張的外觀的情況下使 用。
沒有對(duì)像素的物理設(shè)計(jì)進(jìn)行詳細(xì)地描述，因?yàn)檫@為普通技術(shù)人員
所熟知。
在上面的示例中，電極全部在相同襯底上。然而，不同電才及可在 不同襯底上。例如，在像素?cái)?shù)據(jù)加載階段中，可將移動(dòng)到臨時(shí)存儲(chǔ)電 極的微粒布置為以使其與顯示面的平面相垂直地移動(dòng)，并且在驅(qū)動(dòng)階 段中，可使移動(dòng)到像素電極的像素與顯示面的平面相平行地移動(dòng)。這 可使逐線尋址盡可能短地進(jìn)行，因?yàn)橐苿?dòng)的距離受限于電光材料層的厚度。
因此，應(yīng)該在上下文中理解術(shù)語"面對(duì)"。尤其是，術(shù)語"面對(duì)"表 示電極并排排列，以便一個(gè)電極在側(cè)向方向上與另一個(gè)相面對(duì)，或者 它可表示與襯底平面相垂直的頂部-底部排列，以便一個(gè)電極在向上/ 向下方向上與另一個(gè)相面對(duì)。因此在一個(gè)方向上與第一驅(qū)動(dòng)電極相面 對(duì)、并且在另一方向上與像素電極相面對(duì)的臨時(shí)存儲(chǔ)電極可提供三個(gè)
電極的線或者可提供"L"配置。
從上述可以得知，存在可使用的、帶正電荷和帶負(fù)電荷的多種微
粒。所給出的電壓僅僅是在特定示例中所使用的特定微粒的示例，并
且許多變化當(dāng)然也是可能的。
對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來說可顯而易見地得知各種其他修改。
最后，上述討論不僅僅是對(duì)本發(fā)明進(jìn)行說明并且不應(yīng)將其看作是 將隨后權(quán)利要求限定為任何特定實(shí)施例或?qū)嵤├M。所使用的每個(gè)系 統(tǒng)還可結(jié)合進(jìn)一步的系統(tǒng)一起使用。因此，雖然已經(jīng)參考其特定示意 性實(shí)施例是對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了特定描述，但是還應(yīng)該理解的是，在不脫 離隨后權(quán)利要求所闡述的本發(fā)明的較寬及意指的精神和范圍的情況 下，可對(duì)其做出多種修改和改變。因此認(rèn)為說明書和附圖是說明性方 式并且不對(duì)隨后權(quán)利要求的范圍做出限制。
在對(duì)隨后權(quán)利要求進(jìn)行解釋的過程中，應(yīng)該明白的是
他元件或者作用；
b) 元件之前的詞"一"或者"一個(gè)"不排除存在多個(gè)這種元件；
c) 權(quán)利要求中的任何參考數(shù)字僅僅是為了說明目的并不對(duì)其保護(hù) 范圍做出限制；
d) 若干"裝置"可以由相同項(xiàng)或者硬件或軟件實(shí)現(xiàn)的結(jié)構(gòu)或功能來 表示；以及
e) 每個(gè)公開的元件可以由硬件部份(例如分離的電子線路)、軟 件部份(例如計(jì)算機(jī)編程)、或者其任何組合組成。
權(quán)利要求
1、一種顯示設(shè)備的驅(qū)動(dòng)方法，該顯示設(shè)備包括布置在公共襯底之上的像素的行和列的陣列，其中每個(gè)像素至少包括第一驅(qū)動(dòng)電極(20，23)、第二驅(qū)動(dòng)電極(22)、以及像素電極(26)，并且其中通過在施加到第一和第二驅(qū)動(dòng)電極(20，23；22)以及像素電極(26)上的控制信號(hào)的影響下、對(duì)帶電微粒在像素區(qū)域之內(nèi)的移動(dòng)進(jìn)行控制來改變每個(gè)像素的顯示特性，其中該方法包括在重置階段中，將控制信號(hào)施加到所有像素上以便每個(gè)像素中的微粒朝向第一驅(qū)動(dòng)電極(20，23)移動(dòng)；在像素?cái)?shù)據(jù)加載階段中，依次將控制信號(hào)施加到像素行或列上，以便將每個(gè)像素中的微粒選擇為使其停留在第一驅(qū)動(dòng)電極(20，23)附近或者使其朝向像素電極(26)移動(dòng)；在驅(qū)動(dòng)階段中，將控制信號(hào)施加到所有像素上以使已朝向像素電極移動(dòng)的微粒分布在像素電極上。
2、 如權(quán)利要求1所述的方法，其中在像素?cái)?shù)據(jù)加載階段中，將每個(gè)像素中的微粒選擇為使其停留在第一驅(qū)動(dòng)電極(20， 23)附近或 者使其移動(dòng)到像素電極(26),并且其中在驅(qū)動(dòng)階段中提高了位于像 素電極(26)附近的微粒的分布均勻性。
3、 如權(quán)利要求1所述的方法，其中每個(gè)像素還包括臨時(shí)存儲(chǔ)電 極(44),其中第一和第二驅(qū)動(dòng)電極(42， 40)位于一側(cè)上并且像素 電極(46)位于相對(duì)側(cè)上，并且其中在像素?cái)?shù)據(jù)加載階段中，將每個(gè)像素中的微粒選擇為使其停留在第一驅(qū)動(dòng)電極(42)附近或者使其移 動(dòng)到距像素電極(46)更近的臨時(shí)存儲(chǔ)電極(44)，并且其中在驅(qū)動(dòng) 階段中，將位于臨時(shí)存儲(chǔ)電極(44)附近的像素移動(dòng)到像素電極。
4、 如權(quán)利要求1所述的方法，其中在驅(qū)動(dòng)階段中，將信號(hào)施加 到第二驅(qū)動(dòng)電極(40)上，以基本上防止微粒從臨時(shí)存儲(chǔ)電極(44) 到第一驅(qū)動(dòng)電極(42)的移動(dòng)。
5、 如權(quán)利要求1所述的方法，其中在驅(qū)動(dòng)階段中，將信號(hào)施加 到第二驅(qū)動(dòng)電極(40)上，其基本上防止了微粒從第一驅(qū)動(dòng)電極(4" 到像素電極(46)的移動(dòng)。
6、 如先前任何權(quán)利要求所述的方法，其中像素?cái)?shù)據(jù)加載階段包括用于實(shí)現(xiàn)微粒的部分移動(dòng)以提供灰度操作的多個(gè)子階段。
7、 如先前任何權(quán)利要求所述的方法，其中像素?cái)?shù)據(jù)加載階段包 括用于實(shí)現(xiàn)微粒的部分移動(dòng)以提供灰度操作的振幅或持續(xù)時(shí)間可變的 數(shù)據(jù)信號(hào)。
8、 一種顯示設(shè)備，該顯示設(shè)備包括布置在公共襯底之上的像素 的行和列的陣列，其中每個(gè)像素包括第一驅(qū)動(dòng)電極(42); 臨時(shí)存儲(chǔ)電才及(44);以及 像素電極(46 )，其中臨時(shí)存儲(chǔ)電極(44)在一個(gè)方向上與第一驅(qū)動(dòng)電極(42)相 面對(duì)并且在另一方向上與像素電極(46 )相面對(duì)，并且其中通過在施加到第一驅(qū)動(dòng)電極(42)、像素電極(46)、以及 臨時(shí)存儲(chǔ)電極(44)上的控制信號(hào)的影響下，對(duì)帶電微粒在像素區(qū)域 之內(nèi)的移動(dòng)進(jìn)行控制來改變每個(gè)像素的顯示特性，其中在最終驅(qū)動(dòng)階 段中允許微粒移動(dòng)到像素電極(46)之前，該臨時(shí)存儲(chǔ)電極(44)可 進(jìn)行操作以在尋址階段期間使微粒保持在其附近。
9、 如權(quán)利要求8所述的設(shè)備，其中每個(gè)像素還包括第二驅(qū)動(dòng)電 極(40)，其中第一和第二驅(qū)動(dòng)電極(42， 40)位于臨時(shí)存儲(chǔ)電極(44) 的一側(cè)上并且像素電極(46)位于臨時(shí)存儲(chǔ)電極(44)的相對(duì)側(cè)上。
10、 如權(quán)利要求8所述的顯示設(shè)備，其中每個(gè)像素還包括顯示介 質(zhì)，且該顯示介質(zhì)包括帶電微粒，并且其中這樣選擇電極和顯示介質(zhì) 以便帶電微粒僅響應(yīng)于電極之間、超過了閾值電壓的電壓差而進(jìn)行移 動(dòng)。
11、 如權(quán)利要求7至IO任何一個(gè)所述的設(shè)備，包括電泳無源矩陣 顯示設(shè)備。
全文摘要
為利用帶電微粒在像素區(qū)域之中的移動(dòng)的顯示設(shè)備提供了驅(qū)動(dòng)方法，其中每個(gè)像素具有第一和第二驅(qū)動(dòng)電極(20，23；22)和像素電極(26)。該方法包括重置階段，用于將每個(gè)像素中的微粒朝向第一驅(qū)動(dòng)電極(20，23)移動(dòng)；像素?cái)?shù)據(jù)加載階段，用于使所選微粒停留在第一驅(qū)動(dòng)電極(20，23)附近或者使其朝向像素電極(26)移動(dòng)；以及驅(qū)動(dòng)階段，用于使已朝向像素電極移動(dòng)的微粒分布在像素電極上。尋址逐線進(jìn)行但是可使尋址很短，并且對(duì)于所有像素而言可并行地執(zhí)行其他階段，這節(jié)省了時(shí)間。
文檔編號(hào)G09G3/34GK101288113SQ200680038173
公開日2008年10月15日 申請(qǐng)日期2006年9月14日 優(yōu)先權(quán)日2005年10月14日
發(fā)明者A·R·M·弗舒?zhèn)? K·-M·蘭森, M·H·W·M·范德爾登, M·T·約翰遜, S·J·魯森達(dá)爾 申請(qǐng)人:皇家飛利浦電子股份有限公司