專(zhuān)利名稱(chēng)：高精度射頻軟標(biāo)簽的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉防盜、防偽裝置技術(shù)領(lǐng)域，特別是一種高精度射頻軟標(biāo)簽。
背景技術(shù)：
目前，市場(chǎng)上的防盜報(bào)警裝置很多，有機(jī)械防盜報(bào)警裝置，有電子防盜報(bào)警裝置，現(xiàn)有的防盜報(bào)警裝置體積大，結(jié)構(gòu)復(fù)雜，易出故障，而且易被小偷破解裝置，失去防盜報(bào)警功能。
基于上述情況，就有業(yè)者發(fā)明出一種解碼后不可復(fù)活的安全電子軟標(biāo)簽，它一般嵌設(shè)于紙質(zhì)的吊牌中，產(chǎn)品的材質(zhì)柔軟且使用時(shí)不易被發(fā)現(xiàn)。上述電子軟標(biāo)簽的結(jié)構(gòu)是在一絕緣膜層的第一表面和第二表面分別貼設(shè)導(dǎo)電層，所述的導(dǎo)電層上具有由電容、導(dǎo)線(xiàn)和解碼點(diǎn)等構(gòu)成的解碼電路；其中，該電容位于由導(dǎo)線(xiàn)構(gòu)成的線(xiàn)圈中間，而上、下層電路的連接點(diǎn)位于線(xiàn)圈外圍，因此，線(xiàn)圈中間的距離減小，影響了線(xiàn)圈的電感量，進(jìn)而影響到電子標(biāo)簽的靈敏度。
因此，又有人發(fā)明了一種高精度軟標(biāo)簽，該標(biāo)簽的基層由一絕緣膜層和絕緣膜層第一表面和第二表面上分別貼設(shè)的導(dǎo)電層構(gòu)成，所述的導(dǎo)電層上具有由電容、導(dǎo)線(xiàn)和解碼點(diǎn)構(gòu)成的解碼電路。該電容位于由導(dǎo)線(xiàn)構(gòu)成的線(xiàn)圈外圍，且構(gòu)成電容區(qū)的導(dǎo)線(xiàn)與其它部分的導(dǎo)線(xiàn)是等寬的，因此，不利于提高電容區(qū)的容量和增加導(dǎo)線(xiàn)的電感量。
實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型的目的在于提供一種高精度射頻軟標(biāo)簽，解決現(xiàn)有高精度軟標(biāo)簽，其構(gòu)成電容區(qū)的導(dǎo)線(xiàn)與其它部分的導(dǎo)線(xiàn)是等寬的，不利于提高電容區(qū)的容量和增加導(dǎo)線(xiàn)的電感量的技術(shù)問(wèn)題，進(jìn)一步提高了射頻軟標(biāo)簽的精度，有利于防盜和防偽工作。
為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本實(shí)用新型是這樣實(shí)現(xiàn)的一種高精度射頻軟標(biāo)簽，該標(biāo)簽的基層由一絕緣膜層和絕緣膜層第一表面和第二表面上分別貼設(shè)的導(dǎo)電層構(gòu)成，所述的導(dǎo)電層上具有由電容、導(dǎo)線(xiàn)和解碼點(diǎn)構(gòu)成的解碼電路，該電容位于由導(dǎo)線(xiàn)構(gòu)成的線(xiàn)圈外圍，其特征在于該電容導(dǎo)線(xiàn)和線(xiàn)圈導(dǎo)線(xiàn)的寬度由外向內(nèi)逐漸減小。
所述的高精度射頻軟標(biāo)簽，其特征在于該絕緣膜層是聚乙烯膜層。
所述的高精度射頻軟標(biāo)簽，其特征在于該聚乙烯膜層的厚度是0.015±0.001mm。
所述的高精度射頻軟標(biāo)簽，其特征在于該背面電容導(dǎo)線(xiàn)寬度不大于正面電容導(dǎo)線(xiàn)。
所述的高精度射頻軟標(biāo)簽，其特征在于該絕緣膜層和導(dǎo)電層共同構(gòu)成標(biāo)簽基層，在基層上設(shè)有一硬質(zhì)絕緣材料層，該硬質(zhì)材料層上具有預(yù)先加工的折斷印痕，該折斷印痕與導(dǎo)電層上的線(xiàn)路具有交角。
所述的高精度射頻軟標(biāo)簽，其特征在于該折斷印痕與導(dǎo)電層上的電容導(dǎo)線(xiàn)具有交角。
所述的高精度射頻軟標(biāo)簽，其特征在于該折斷印痕與導(dǎo)電層上的電容導(dǎo)線(xiàn)具有90°交角。
所述的高精度射頻軟標(biāo)簽，其特征在于該折斷印痕為2條以上。
所述的高精度射頻軟標(biāo)簽，其特征在于該電容導(dǎo)線(xiàn)的鋁箔厚度為10-15μm。
藉由上述結(jié)構(gòu)使得本實(shí)用新型具有如下優(yōu)點(diǎn)1、本實(shí)用新型解碼電路上的電容導(dǎo)線(xiàn)的寬度大于線(xiàn)圈導(dǎo)線(xiàn)的寬度，有利于增加電容區(qū)的容量，有利于提高標(biāo)簽的精度。
2、本實(shí)用新型的線(xiàn)圈導(dǎo)線(xiàn)寬度由外向內(nèi)逐漸減小，有利于增加線(xiàn)圈的繞線(xiàn)圈數(shù)，進(jìn)而增長(zhǎng)了線(xiàn)圈導(dǎo)線(xiàn)，使線(xiàn)圈的電感量得到很大的提高，也有利于提高標(biāo)簽的精度。
3、本實(shí)用新型通過(guò)導(dǎo)線(xiàn)寬度由外向內(nèi)逐漸減小的結(jié)構(gòu)，有利于標(biāo)簽面積的減小，更便于在隱藏在被保護(hù)物體中，且節(jié)約了較大成本。


圖1是本實(shí)用新型實(shí)施例1的正面結(jié)構(gòu)示意圖。
圖2是本實(shí)用新型實(shí)施例1的背面結(jié)構(gòu)示意圖。
圖中11-正面電容導(dǎo)線(xiàn)；12-正面線(xiàn)圈導(dǎo)線(xiàn)；21-背面電容導(dǎo)線(xiàn)。
具體實(shí)施方式
請(qǐng)參閱圖1、2，它們是本實(shí)用新型高精度射頻軟標(biāo)簽實(shí)施例1的結(jié)構(gòu)示意圖。該標(biāo)簽的基層由一絕緣膜層和絕緣膜層第一表面和第二表面上分別貼設(shè)的導(dǎo)電層構(gòu)成。該絕緣膜層是聚乙烯膜層，厚度是0.015±0.001mm。所述的導(dǎo)電層上具有由電容11、21、線(xiàn)圈導(dǎo)線(xiàn)12和解碼點(diǎn)構(gòu)成的解碼電路，該電容11、12位于由導(dǎo)線(xiàn)構(gòu)成的線(xiàn)圈12外圍，該電容導(dǎo)線(xiàn)11和線(xiàn)圈導(dǎo)線(xiàn)12的寬度由外向內(nèi)逐漸減小。需要注意的是該背面電容導(dǎo)線(xiàn)21寬度不大于正面電容導(dǎo)線(xiàn)11。藉由該結(jié)構(gòu)，可有效地增加電容區(qū)的容量，并增加線(xiàn)圈的電感量，有助于提高射頻軟標(biāo)簽的使用精度。
實(shí)施例2一種高精度射頻軟標(biāo)簽，該標(biāo)簽的基層由一絕緣膜層和絕緣膜層第一表面和第二表面上分別貼設(shè)的導(dǎo)電層構(gòu)成，所述的導(dǎo)電層上具有由電容、導(dǎo)線(xiàn)和解碼點(diǎn)構(gòu)成的解碼電路，該電容位于由導(dǎo)線(xiàn)構(gòu)成的線(xiàn)圈外圍，該電容導(dǎo)線(xiàn)和線(xiàn)圈導(dǎo)線(xiàn)的寬度由外向內(nèi)逐漸減小。該絕緣膜層和導(dǎo)電層共同構(gòu)成標(biāo)簽基層，在基層上設(shè)有一硬質(zhì)絕緣材料層，該硬質(zhì)材料層上具有預(yù)先加工的折斷印痕，該折斷印痕與導(dǎo)電層上的線(xiàn)路具有交角。
實(shí)施例2的結(jié)構(gòu)是在實(shí)施例1的基礎(chǔ)上增加了折斷式不可復(fù)活結(jié)構(gòu)。標(biāo)簽使用后，可通過(guò)折斷印痕將標(biāo)簽折斷，這時(shí)，硬質(zhì)材料的折斷斷口可將導(dǎo)電層上與之相交的線(xiàn)路割斷，使標(biāo)簽徹底報(bào)廢，防止了標(biāo)簽被重新復(fù)活。
為了增強(qiáng)實(shí)施例2的效果，該折斷印痕與導(dǎo)電層上的電容導(dǎo)線(xiàn)具有交角。
為了增強(qiáng)實(shí)施例2的效果，該折斷印痕與導(dǎo)電層上的電容導(dǎo)線(xiàn)具有90°交角。
為了增強(qiáng)實(shí)施例2的效果，該折斷印痕為2條以上。
為了增強(qiáng)實(shí)施例2的效果，該電容導(dǎo)線(xiàn)的鋁箔厚度為10-15μm。
實(shí)施例3一種高精度射頻軟標(biāo)簽，標(biāo)簽的基層由一絕緣膜層和絕緣膜層第一表面和第二表面上分別貼設(shè)的導(dǎo)電層構(gòu)成。該絕緣膜層是聚乙烯膜層，厚度是0.015±0.001mm。所述的導(dǎo)電層上具有由電容、線(xiàn)圈導(dǎo)線(xiàn)和解碼點(diǎn)構(gòu)成的解碼電路，該電容位于由導(dǎo)線(xiàn)構(gòu)成的線(xiàn)圈外圍，該電容導(dǎo)線(xiàn)和線(xiàn)圈導(dǎo)線(xiàn)的寬度由外向內(nèi)逐漸減小，該背面電容導(dǎo)線(xiàn)寬度不大于正面電容導(dǎo)線(xiàn)。該標(biāo)簽的正面導(dǎo)電層和背面導(dǎo)電層均具有電容導(dǎo)線(xiàn)和線(xiàn)圈導(dǎo)線(xiàn)，藉此形成了一種雙面線(xiàn)路的軟標(biāo)簽。通過(guò)這種結(jié)構(gòu)，可以更進(jìn)一步地提高線(xiàn)圈部分的電感量，提高產(chǎn)品的精度。
實(shí)施例4一種高精度射頻軟標(biāo)簽，標(biāo)簽的基層由一絕緣膜層和絕緣膜層第一表面和第二表面上分別貼設(shè)的導(dǎo)電層構(gòu)成。該絕緣膜層是聚乙烯膜層，厚度是0.015±0.001mm。所述的導(dǎo)電層上具有由電容、線(xiàn)圈導(dǎo)線(xiàn)和解碼點(diǎn)構(gòu)成的解碼電路，該電容位于由導(dǎo)線(xiàn)構(gòu)成的線(xiàn)圈外圍，該電容導(dǎo)線(xiàn)和線(xiàn)圈導(dǎo)線(xiàn)的寬度由外向內(nèi)逐漸減小，該背面電容導(dǎo)線(xiàn)寬度不大于正面電容導(dǎo)線(xiàn)。該標(biāo)簽的正面導(dǎo)電層和背面導(dǎo)電層均具有電容導(dǎo)線(xiàn)和線(xiàn)圈導(dǎo)線(xiàn)，藉此形成了一種雙面線(xiàn)路的軟標(biāo)簽。該絕緣膜層和導(dǎo)電層共同構(gòu)成標(biāo)簽基層，在基層上設(shè)有一硬質(zhì)絕緣材料層，該硬質(zhì)材料層上具有預(yù)先加工的折斷印痕，該折斷印痕與導(dǎo)電層上的線(xiàn)路具有交角。
實(shí)施例4能結(jié)合實(shí)施例1-3的所有優(yōu)點(diǎn)，是本實(shí)用新型的最佳實(shí)施方式，最值得推廣。
綜上所述僅為本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例而已，并非用來(lái)限定本實(shí)用新型的實(shí)施范圍。即凡依本實(shí)用新型申請(qǐng)專(zhuān)利范圍的內(nèi)容所作的等效變化與修飾，都應(yīng)為本實(shí)用新型的技術(shù)范疇。
權(quán)利要求1.一種高精度射頻軟標(biāo)簽，該標(biāo)簽的基層由一絕緣膜層和絕緣膜層第一表面和第二表面上分別貼設(shè)的導(dǎo)電層構(gòu)成，所述的導(dǎo)電層上具有由電容、導(dǎo)線(xiàn)和解碼點(diǎn)構(gòu)成的解碼電路，該電容位于由導(dǎo)線(xiàn)構(gòu)成的線(xiàn)圈外圍，其特征在于該電容導(dǎo)線(xiàn)和線(xiàn)圈導(dǎo)線(xiàn)的寬度由外向內(nèi)逐漸減小。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高精度射頻軟標(biāo)簽，其特征在于該絕緣膜層是聚乙烯膜層。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的高精度射頻軟標(biāo)簽，其特征在于該聚乙烯膜層的厚度是0.015±0.001mm。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2或3所述的高精度射頻軟標(biāo)簽，其特征在于該背面電容導(dǎo)線(xiàn)寬度不大于正面電容導(dǎo)線(xiàn)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或2或3所述的高精度射頻軟標(biāo)簽，其特征在于該絕緣膜層和導(dǎo)電層共同構(gòu)成標(biāo)簽基層，在基層上設(shè)有一硬質(zhì)絕緣材料層，該硬質(zhì)材料層上具有預(yù)先加工的折斷印痕，該折斷印痕與導(dǎo)電層上的線(xiàn)路具有交角。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的高精度射頻軟標(biāo)簽，其特征在于該折斷印痕與導(dǎo)電層上的電容導(dǎo)線(xiàn)具有交角。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的高精度射頻軟標(biāo)簽，其特征在于該折斷印痕與導(dǎo)電層上的電容導(dǎo)線(xiàn)具有90°交角。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的高精度射頻軟標(biāo)簽，其特征在于該折斷印痕為2條以上。
9.根據(jù)權(quán)利要求5所述的高精度射頻軟標(biāo)簽，其特征在于該電容導(dǎo)線(xiàn)的鋁箔厚度為10-15μm。
專(zhuān)利摘要本實(shí)用新型涉及防盜、防偽裝置技術(shù)領(lǐng)域，特別是一種高精度射頻軟標(biāo)簽。該標(biāo)簽的基層由一絕緣膜層和絕緣膜層第一表面和第二表面上分別貼設(shè)的導(dǎo)電層構(gòu)成，所述的導(dǎo)電層上具有由電容、導(dǎo)線(xiàn)和解碼點(diǎn)構(gòu)成的解碼電路，該電容位于由導(dǎo)線(xiàn)構(gòu)成的線(xiàn)圈外圍，其特征在于該電容導(dǎo)線(xiàn)和線(xiàn)圈導(dǎo)線(xiàn)的寬度由外向內(nèi)逐漸減小。藉由上述結(jié)構(gòu)主要解決現(xiàn)有高精度軟標(biāo)簽，其構(gòu)成電容區(qū)的導(dǎo)線(xiàn)與其它部分的導(dǎo)線(xiàn)是等寬的，不利于提高電容區(qū)的容量和增加導(dǎo)線(xiàn)的電感量的技術(shù)問(wèn)題，進(jìn)一步提高了射頻軟標(biāo)簽的精度，有利于防盜和防偽工作。
文檔編號(hào)G09F3/02GK2906753SQ20062004299
公開(kāi)日2007年5月30日 申請(qǐng)日期2006年6月21日 優(yōu)先權(quán)日2006年6月21日
發(fā)明者黃光偉, 黃宗杭 申請(qǐng)人:黃光偉, 黃宗杭