專利名稱：等離子體顯示設(shè)備和驅(qū)動器及其驅(qū)動方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及等離子體顯示設(shè)備和驅(qū)動器及其驅(qū)動方法。
背景技術(shù)：
等離子體顯示設(shè)備是使用通過氣體放電過程產(chǎn)生的等離子體來顯示字符或圖像的平板顯示器。它包括根據(jù)它的大小，設(shè)置在矩陣圖案中的好幾十個(gè)到成百萬個(gè)以上的像素。
在等離子體顯示設(shè)備的屏上，把一個(gè)場(例如，一個(gè)TV場)分成分別具有權(quán)重的多個(gè)子字段。由從子字段中產(chǎn)生顯示操作處的子字段的權(quán)重的組合來表示灰度。每個(gè)子字段具有尋址周期以及維持周期，在尋址周期中，執(zhí)行從多個(gè)放電單元中選擇發(fā)射光的放電單元或不發(fā)射光的放電單元的尋址操作，在維持周期中，在選中的放電單元中發(fā)生維持放電以在對應(yīng)于子字段權(quán)重的一個(gè)時(shí)間周期中執(zhí)行顯示操作。
特別，由于在維持周期期間把高電平電壓和低電平電壓交替提供給執(zhí)行維持放電的電極，所以要求提供高和低電壓的晶體管具有與高和低電壓之間的差相對應(yīng)的內(nèi)電壓。因此，由于具有高的內(nèi)電壓的晶體管，所以增加了維持放電驅(qū)動電路的成本。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明致力于提供一種在維持放電驅(qū)動電路中使用具有低電壓的晶體管的等離子體顯示設(shè)備、其驅(qū)動設(shè)備以及其驅(qū)動方法。
根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的一個(gè)示例等離子體顯示設(shè)備包括多個(gè)第一電極；耦合到第一電源以提供第一電壓的第一節(jié)點(diǎn)；以及耦合到第二電源以提供第二電壓的第二節(jié)點(diǎn)；在把低于第二電壓的第三電壓提供給多個(gè)第一電極的同時(shí)，把第一電壓提供給第一節(jié)點(diǎn)并且向第二節(jié)點(diǎn)提供第三電壓；以及在把高于第一電壓的第四電壓提供給多個(gè)第一電極的同時(shí)，把第二電壓提供給第二節(jié)點(diǎn)并且向第一節(jié)點(diǎn)提供第四電壓。
等離子體顯示設(shè)備最好還包括第一晶體管，它具有耦合到第一電源的第一端子；第二晶體管，它具有耦合到第一晶體管第一端子的第一端子和耦合到第二電源的第二端子；第一電容器，它具有耦合到第一節(jié)點(diǎn)的第一端子；第二電容器，它具有耦合到第一電容器的第二端子的第一端子和耦合到第二晶體管的第一端子的第二端子；第三電容器，它具有耦合到第一晶體管的第二端子的第一端子；第四電容器，它具有耦合到第三電容器的第二端子的第一端子和耦合到第二節(jié)點(diǎn)的第二端子；耦合到第一節(jié)點(diǎn)和多個(gè)第一電極的第三晶體管；耦合到第二節(jié)點(diǎn)和多個(gè)第一電極的第四晶體管；耦合在多個(gè)第一電極與第一電容器和第二電容器間的第三節(jié)點(diǎn)之間的第五晶體管和第六晶體管；以及耦合在多個(gè)第一電極與第三電容器和第四電容器間的第四節(jié)點(diǎn)之間的第七晶體管和第八晶體管。
等離子體顯示設(shè)備最好還包括包括第二電源、第三電容器和第七晶體管并且用于增加多個(gè)第一電極的電壓的第一電壓增加路徑；包括第二電源、第二電容器和第五晶體管并且用于增加多個(gè)第一電極的電壓的第二電壓增加路徑；包括第一電源、第二電容器和第五晶體管并且用于增加多個(gè)第一電極的電壓的第三電壓增加路徑；包括第六晶體管、第二電容器和第一電源并且用于降低多個(gè)第一電極的電壓的第一電壓降低路徑；包括第八晶體管、第四電容器和第二電源并且用于降低多個(gè)第一電極的電壓的第二電壓降低路徑；包括第八晶體管、第三電容器和第二電源并且用于降低多個(gè)第一電極的電壓的第三電壓降低路徑；包括第一電源、第一和第二電容器和第二晶體管的第一充電路徑以及包括第一電源、第一晶體管和第三和第四電容器的第二充電路徑。
第一充電路徑最好包括第一二極管，它具有耦合到第一電源的陽極和耦合到第一節(jié)點(diǎn)的陰極。
第二充電路徑最好包括第二二極管，它具有耦合到第二電源的陰極和耦合到第二節(jié)點(diǎn)的陽極。
等離子體顯示設(shè)備最好還包括耦合在多個(gè)第一電極與第五和第六晶體管間的節(jié)點(diǎn)之間的第一電感器；第二和第三電壓增加路徑最好還包括耦合在第五晶體管和第一電感器之間的第三二極管，以及第一電壓降低路徑最好還包括耦合在第六晶體管和第一電感器之間的第四二極管。
等離子體顯示設(shè)備最好還包括耦合在多個(gè)第一電極與第七和第八晶體管間的節(jié)點(diǎn)之間的第二電感器；第一電壓增加路徑最好還包括耦合在第七晶體管和第二電感器之間的第五二極管，以及第二和第三電壓降低路徑最好還包括耦合在第八晶體管和第二電感器之間的第六二極管。
第二和第三電壓增加路徑最好還包括在第五晶體管和多個(gè)第一電極之間串聯(lián)耦合的第一電感器和第三二極管，以及第一電壓降低路徑最好還包括在第六晶體管和多個(gè)第一電極之間串聯(lián)耦合的第二電感器和第四二極管。
第一電壓增加路徑最好還包括在第七晶體管和多個(gè)第一電極之間串聯(lián)耦合的第三電感器和第五二極管，以及第二和第三電壓降低路徑最好還包括在第八晶體管和多個(gè)第一電極之間串聯(lián)耦合的第四電感器和第六二極管。
等離子體顯示設(shè)備最好還包括電感器，它具有耦合在第五和第六晶體管間的節(jié)點(diǎn)和第七和第八晶體管間的節(jié)點(diǎn)之間的第一端子、以及耦合到多個(gè)第一電極的第二端子。
第一電容器和第二電容器最好是相等的電容量，并且第三電容器和第四電容器最好是相等的電容量。
在把第三電壓提供給第二節(jié)點(diǎn)和把第三電壓提供給多個(gè)第一電極時(shí)，第四晶體管最好導(dǎo)通；在把低于第二電壓的第五電壓提供給第四節(jié)點(diǎn)時(shí)，最好通過第一電壓增加路徑增加多個(gè)第一電極的電壓；在把高于第二電壓的第六電壓提供給第三節(jié)點(diǎn)時(shí)，最好通過第二電壓增加路徑進(jìn)一步增加多個(gè)第一電極的電壓；在把低于第一電壓的第七電壓提供給第三節(jié)點(diǎn)時(shí)，最好通過第三電壓增加路徑進(jìn)一步增加多個(gè)第一電極的電壓，以及在把第四電壓提供給第一節(jié)點(diǎn)和把第四電壓提供給多個(gè)第一電極時(shí)，第三晶體管最好導(dǎo)通。
在把第四電壓提供給第一節(jié)點(diǎn)和把第四電壓提供給多個(gè)第一電極時(shí)，第三晶體管最好導(dǎo)通；在把高于第一電壓的第五電壓提供給第三節(jié)點(diǎn)時(shí)，最好通過第一電壓降低路徑降低多個(gè)第一電極的電壓；在把高于第二電壓的第六電壓提供給第四節(jié)點(diǎn)時(shí)，最好通過第二電壓降低路徑進(jìn)一步降低多個(gè)第一電極的電壓；在把低于第一電壓的第七電壓提供給第四節(jié)點(diǎn)時(shí)，最好通過第三電壓降低路徑進(jìn)一步降低多個(gè)第一電極的電壓，以及在把第三電壓提供給第二節(jié)點(diǎn)和把第三電壓提供給多個(gè)第一電極時(shí)，第四晶體管最好導(dǎo)通。
第一電壓最好是正電壓，而第二電壓最好是負(fù)電壓。第一和第二電壓兩者最好交替地為正電壓。
驅(qū)動包括多個(gè)第一電極和多個(gè)第二電極的等離子體顯示設(shè)備的另一個(gè)示例方法包括通過用于提供第一電壓的第一電源和充電到第二電壓的第一和第二電容器把第三電壓提供給多個(gè)第一電極；通過包括第一電源和第一電感器的第一諧振路徑增加多個(gè)第一電極的電壓；通過包括第一電源和第二電感器的第二諧振路徑進(jìn)一步增加多個(gè)第一電極的電壓；通過包括第二電感器和提供高于第一電壓的第四電壓的第二電源的第三諧振路徑進(jìn)一步增加多個(gè)第一電極的電壓；通過第二電源和充電到第五電壓的第三和第四電容器把第六電壓提供給多個(gè)第一電極；通過包括第二電源和第二電感器的第四諧振路徑降低多個(gè)第一電極的電壓；通過包括第一電源和第一電感器的第五諧振路徑進(jìn)一步降低多個(gè)第一電極的電壓；以及通過包括第一電源和第一電感器的第六諧振路徑進(jìn)一步降低多個(gè)第一電極的電壓。
第一諧振路徑最好還包括耦合在第一電源和第一電感器之間的第一晶體管；第二諧振路徑最好還包括耦合在第一電源和第二電感器之間的第二晶體管；第三諧振路徑最好還包括耦合在第二電源和第二電感器之間的第三晶體管；第四諧振路徑最好還包括耦合在第二電源和第二電感器之間的第四晶體管；第五諧振路徑最好還包括耦合在第一電源和第一電感器之間的第五晶體管；以及第六諧振路徑最好還包括耦合在第一電源和第一電感器之間的第六晶體管。
通過第一、第二、或第六諧振路徑增加或降低多個(gè)第一電極電壓最好還包括通過包括第二電源、第三和第四電容器和第一電源的充電路徑用第五電壓對第三和第四電容器充電。
通過第三到第五諧振路徑增加或降低多個(gè)第一電極電壓最好還包括通過包括第二電源、第一和第二電容器和第一電源的充電路徑用第二電壓對第一和第二電容器充電。
第一和第二電感器最好具有相等的電感量。第二和第三晶體管最好是相同的。第五和第六晶體管最好是相同的。
根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的另一個(gè)示例等離子體顯示設(shè)備較佳地包括多個(gè)第一電極和多個(gè)第二電極；第一晶體管，它具有耦合到第一電源以提供第一電壓的第一端子；第二晶體管，它具有耦合到第一晶體管的第二端子的第一端子和耦合到第二電源以提供低于第一電壓的第二電壓的第二端子；第一電容器，它充電到第三電壓，和具有耦合到第一電源的第一端子；第二電容器，它充電到第四電壓，和具有耦合到第一電容器的第二端子的第一端子和耦合到第一和第二晶體管間節(jié)點(diǎn)的第二端子；第三電容器，它充電到第五電壓，和具有耦合到第一和第二晶體管間節(jié)點(diǎn)的第一端子；第四電容器，它充電到第六電壓，和具有耦合到第三電容器的第二端子的第一端子和耦合到第二電源的第二端子；第三晶體管，它耦合在第一電容器的第一端子和多個(gè)第一電極之間；第四晶體管，它耦合在第四電容器的第二端子和多個(gè)第一電極之間；第五晶體管，它耦合在第二電容器的第一端子和多個(gè)第一電極之間，第五晶體管在導(dǎo)通時(shí)增加多個(gè)第一電極的電壓；第六晶體管，它耦合在第二電容器的第一端子和多個(gè)第一電極之間，第六晶體管在導(dǎo)通時(shí)降低多個(gè)第一電極的電壓；第七晶體管，它耦合在第三電容器的第二端子和多個(gè)第一電極之間，第七晶體管在導(dǎo)通時(shí)增加多個(gè)第一電極的電壓；以及第八晶體管，它耦合在第三電容器的第二端子和多個(gè)第一電極之間，第八晶體管在導(dǎo)通時(shí)降低多個(gè)第一電極的電壓。
等離子體顯示設(shè)備最好還包括電感器，它具有耦合到第五晶體管的第一端子和第六晶體管的第一端子間節(jié)點(diǎn)的第一端子；第一二極管，它耦合在第五晶體管的第一端子和電感器的第一端子之間；以及第二二極管，它耦合在第六晶體管的第一端子和電感器的第一端子之間。
第一電感器和第一二極管最好串聯(lián)耦合在第五晶體管的第一端子和多個(gè)第一電極之間；以及第二電感器和第二二極管最好串聯(lián)耦合在第六晶體管的第一端子和多個(gè)第一電極之間。
等離子體顯示設(shè)備最好還包括電感器，它具有耦合到第七晶體管的第一端子和第八晶體管的第一端子間節(jié)點(diǎn)的第一端子；第一二極管，它耦合在第七晶體管的第一端子和電感器的第一端子之間；以及第二二極管，它耦合在第八晶體管的第一端子和電感器的第一端子之間。
第一電感器和第一二極管最好串聯(lián)耦合在第七晶體管的第一端子和多個(gè)第一電極之間；以及第二電感器和第二二極管最好串聯(lián)耦合在第八晶體管的第一端子和多個(gè)第一電極之間。
最好在第二和第四晶體管導(dǎo)通時(shí)把與第二電壓和第三和第四電容器的電壓之間的差相對應(yīng)的電壓提供給第一電極；最好在第四晶體管截止和第七晶體管導(dǎo)通時(shí)增加多個(gè)第一電極的電壓；最好在第七晶體管截止和第五晶體管導(dǎo)通時(shí)進(jìn)一步增加多個(gè)第一電極的電壓；最好在第一晶體管導(dǎo)通時(shí)進(jìn)一步增加多個(gè)第一電極的電壓；以及最好在第五晶體管截止和第三晶體管導(dǎo)通時(shí)把與第一電壓和第一和第二電容器的電壓之總和相對應(yīng)的電壓提供給多個(gè)第一電極。
最好在第一和第三晶體管導(dǎo)通時(shí)把與第一電壓和第一和第二電容器的電壓之總和相對應(yīng)的電壓提供給多個(gè)第一電極；最好在第三晶體管截止和第六晶體管導(dǎo)通時(shí)降低多個(gè)第一電極的電壓；最好在第一和第六晶體管截止和第八晶體管導(dǎo)通時(shí)進(jìn)一步降低多個(gè)第一電極的電壓；最好在第二晶體管導(dǎo)通時(shí)進(jìn)一步降低多個(gè)第一電極的電壓；以及最好在第四晶體管導(dǎo)通時(shí)把與第二電壓和第三和第四電容器的電壓之間的差相對應(yīng)的電壓提供給多個(gè)第一電極。
最好第一和第四電壓是相等的，以及最好第五和第六電壓是相等的。


參考下面的詳細(xì)說明并連同附圖一起考慮而使本發(fā)明變得較好理解時(shí)，本發(fā)明的更完整的評價(jià)和伴隨的許多優(yōu)點(diǎn)將變得顯而易見，在附圖中，相同的標(biāo)號表示相同或相似的元件，其中圖1是根據(jù)本發(fā)明一個(gè)示例實(shí)施例的等離子體顯示設(shè)備的示圖。
圖2到圖4是根據(jù)本發(fā)明第一到第三示例實(shí)施例的等離子體顯示設(shè)備的各個(gè)驅(qū)動波形。
圖5是掃描電極驅(qū)動器的維持放電驅(qū)動電路的示圖，該維持放電驅(qū)動電路產(chǎn)生圖4的驅(qū)動波形。
圖6是用于產(chǎn)生圖4的驅(qū)動波形的維持放電驅(qū)動電路的信號定時(shí)圖。
圖7A到圖7H是根據(jù)圖6的信號定時(shí)圖的圖5的維持放電驅(qū)動電路的各個(gè)操作圖。
具體實(shí)施例方式
在下面的詳細(xì)說明中，僅簡單地作為示意說明而示出和描述本發(fā)明的某些示例實(shí)施例。熟悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員會理解，可以按不同方式修改所描述的實(shí)施例而都不偏離本發(fā)明的精神和范圍。因此，把附圖和描述當(dāng)作特性的示意說明而非限制。在整個(gè)說明書中，相同的標(biāo)號表示相同的元件。
下面參考附圖來描述根據(jù)本發(fā)明一個(gè)示例實(shí)施例的等離子體顯示設(shè)備和驅(qū)動設(shè)備及其方法。
圖1是根據(jù)本發(fā)明一個(gè)示例實(shí)施例的等離子體顯示設(shè)備的示圖。
如在圖1中所示，根據(jù)本發(fā)明示例實(shí)施例的等離子體顯示設(shè)備包括等離子體顯示屏(PDP)100、控制器200、尋址電極驅(qū)動器300、掃描電極驅(qū)動器400以及維持電極驅(qū)動器500。
PDP100包括在列方向上延伸的多個(gè)尋址電極A1～Am(在下文中稱之為“A電極”)以及在行方向上成對地延伸的多個(gè)維持電極和掃描電極X1～Xn和Y1～Yn(在下文中稱之為“X電極”和“Y電極”)。對應(yīng)于Y電極Y1～Yn形成X電極X1～Xn，并且在維持周期中通過X和Y電極來執(zhí)行顯示操作。Y電極Y1～Yn和X電極X1～Xn設(shè)置成與A電極A1～Am垂直。在尋址電極A1～Am跨越維持和掃描電極X1～Xn和Y1～Yn的一個(gè)區(qū)域處形成的放電空間構(gòu)成放電單元12。圖1的PDP100的配置只是示例性的，其它示例性配置也可應(yīng)用于本發(fā)明。
在接收到外部圖像信號之后，控制器200輸出X、Y和A電極驅(qū)動控制信號。此外，控制器200在每個(gè)幀上進(jìn)行操作，所述每個(gè)幀劃分成各自具有權(quán)重值的多個(gè)子字段，每個(gè)子字段包括復(fù)位周期、尋址周期和維持周期。
尋址電極驅(qū)動器300在接收到來自控制器200的A電極驅(qū)動控制信號之后把用于選擇待顯示的放電單元的顯示數(shù)據(jù)信號提供給各個(gè)尋址電極A1～Am。
掃描電極驅(qū)動器400在接收到來自控制器200的Y電極驅(qū)動控制信號之后把驅(qū)動電壓提供給Y電極Y1～Yn，以及維持電極驅(qū)動器500在接收到來自控制器200的X電極驅(qū)動控制信號之后把驅(qū)動電壓提供給X電極X1～Xn。
下面參考圖2到圖4描述根據(jù)本發(fā)明示例實(shí)施例的等離子體顯示設(shè)備的驅(qū)動波形。為了便于說明，已經(jīng)描述了提供給形成一個(gè)單元的Y、X和A電極的驅(qū)動波形。
圖2和圖3是根據(jù)本發(fā)明第一和第二示例實(shí)施例的等離子體顯示設(shè)備的各個(gè)驅(qū)動波形。在圖2和圖3中，說明維持周期的驅(qū)動波形。
如在圖2中所示，維持脈沖具有高電平電壓(電壓Vs)和低電平電壓(電壓0V)，在維持周期期間把相位相反的維持脈沖交替地提供給Y和X電極。對應(yīng)于相應(yīng)子字段顯示的權(quán)重值多次地把維持脈沖重復(fù)提供給Y和X電極。即，當(dāng)向Y電極提供電壓Vs時(shí)向X電極提供電壓0V，而當(dāng)向X電極提供電壓Vs時(shí)向Y電極提供電壓0V。因此，Y和X電極之間的電壓差交替地變成電壓Vs和電壓-Vs，因此，在導(dǎo)通放電單元中產(chǎn)生預(yù)定次數(shù)的維持放電。
此外，與圖2不同，如在圖3中所示，可以把具有相反相位的高電平電壓(電壓Vs/2)和低電平電壓(電壓-Vs/2)的維持脈沖提供給Y和X電極。在此情形中，當(dāng)把電壓Vs/2提供給Y電極時(shí)把電壓-Vs/2提供給X電極，并且當(dāng)把電壓Vs/2提供給X電極時(shí)把電壓-Vs/2提供給Y電極。此外，與圖2中維持脈沖的情況相同，Y和X電極之間的電壓差交替地為Vs和電壓-Vs。
在本發(fā)明的第一示例實(shí)施例中，當(dāng)維持脈沖交替地具有高電平電壓和低電平電壓時(shí)，分別把相反相位的維持脈沖提供給X電極和Y電極，也可以把維持脈沖提供給X和Y電極中之一，如下參考圖4所描述。
圖4是根據(jù)本發(fā)明第三示例實(shí)施例的等離子體顯示設(shè)備的驅(qū)動波形。
如在圖4中所示，在維持周期期間，把交替地具有電壓Vs和電壓-Vs的維持脈沖提供給Y電極，同時(shí)把電壓0V提供給X電極。因此，與圖2中維持脈沖的情況相同，Y和X電極之間的電壓差交替地為Vs和-Vs的電壓差。
下面參考圖5描述用于產(chǎn)生圖4的驅(qū)動波形的驅(qū)動電路。
圖5是掃描電極驅(qū)動器400的維持放電驅(qū)動電路410的示圖，維持放電驅(qū)動電路410產(chǎn)生圖4所示的驅(qū)動波形。為了較好地理解和便于說明，維持放電驅(qū)動電路410耦合到多個(gè)Y電極Y1～Yn，如在圖5中所示，并且圖1中的掃描電極驅(qū)動器400可以包括維持放電驅(qū)動電路410。由于在維持周期期間把電壓0V提供給X電極X1～Xn，所以多個(gè)X電極X1～Xn耦合到接地端子0以提供接地電壓0V。此外，對于圖2和圖3的驅(qū)動波形，可以把與圖5的維持放電驅(qū)動電路410具有相同配置的維持放電驅(qū)動電路耦合到多個(gè)X電極。為了較好地理解和便于說明，在維持放電驅(qū)動電路410中，示出了一個(gè)X電極和一個(gè)Y電極，并且示出X和Y電極構(gòu)成的電容作為平板電容器Cp。
如在圖5中所示，維持放電驅(qū)動電路410包括晶體管Yp、Yn、Ypr、Ypf、Ynr、Ynf、Yh、和Y1；電容器C1、C2、C3、和C4；電感器Lp和Ln；以及二極管D1、D2、D3、D4、D5、和D6。
在圖5中，所示出的晶體管Yp、Yn、Ypr、Ypf、Ynr、Ynf、Yh和Y1為n-溝道場效應(yīng)晶體管，尤其是n-溝道金屬氧化物半導(dǎo)體(NMOS)晶體管，并且在各個(gè)晶體管Yp、Yn、Ypr、Ypf、Ynr、Ynf、Yh和Y1中從源極到漏極的方向上形成本體二極管(body diode)。
不是使用NMOS晶體管的話，也可以使用具有與晶體管Yp、Yn、Ypr、Ypf、Ynr、Ynf、Yh和Y1相似功能的其它晶體管。而在圖5中分別把晶體管Yp、Yn、Ypr、Ypf、Ynr、Ynf、Yh和Y1示意地說明為單個(gè)晶體管，可以由并聯(lián)耦合的多個(gè)晶體管來構(gòu)成晶體管Yp、Yn、Ypr、Ypf、Ynr、Ynf、Yh和Y1中的每一個(gè)。
把晶體管Yp的漏極耦合到用于提供對應(yīng)于維持脈沖的高電平電壓Vs的三分之一的電壓Vs/3的電源Vs/3，而把晶體管Yp的源極耦合到晶體管Yn的漏極。晶體管Yn的源極耦合到用于提供對應(yīng)于維持脈沖的低電平電壓-Vs的三分之一的電壓-Vs/3的電源-Vs/3。
把電容器C1的第一端子耦合到電源Vs/3，以及把電容器C1的第二端子耦合到電容器C2的第一端子。電容器C2的第二端子耦合到晶體管Yp的源極。電容器C3的第一端子耦合到晶體管Yp源極和晶體管Yn漏極之間的節(jié)點(diǎn)，以及電容器C3的第二端子耦合到電容器C4的第一端子。電容器C4的第二端子耦合到電源-Vs/3。二極管D1的陽極耦合到電源Vs/3，以及其陰極耦合到電容器C1的第一端子。二極管D2的陰極耦合到電源-Vs/3，以及其陽極耦合到電容器C4的第二端子。
二極管D1和D2構(gòu)成充電路徑，用于當(dāng)各個(gè)晶體管Yn和Tp導(dǎo)通時(shí)用電壓Vs/3分別對電容器C1、C2、C3和C4進(jìn)行充電。不是使用二極管D1和D2的話也可以使用其它元件(例如，晶體管)來構(gòu)成充電路徑。在圖5中，假定通過上述充電路徑把各個(gè)電容器C1、C2、C3和C4充電到電壓Vs/3。
把晶體管Yh的漏極耦合到電容器C1的第一端子，晶體管Y1的源極耦合到電容器C4的第二端子，以及晶體管Yh的源極和晶體管Y1的漏極耦合到平板電容器Cp的Y電極。
把晶體管Ypr的漏極和晶體管Ypf的源極耦合到電容器C1的第二端子和電容器C2的第一端子之間的節(jié)點(diǎn)，以及晶體管Ynr的漏極和晶體管Ynf的源極耦合到電容器C3的第二端子和電容器C4的第一端子之間的節(jié)點(diǎn)。
把晶體管Ypr的源極和晶體管Ypf的漏極之間的節(jié)點(diǎn)耦合到電感器Lp的第一端子，以及把晶體管Ynr的源極和晶體管Ynf的漏極之間的節(jié)點(diǎn)耦合到電感器Ln的第一端子。把電感器Lp的第二端子和電感器Ln的第二端子耦合到平板電容器Cp的Y電極。
把二極管D3的陽極耦合到晶體管Ypr的源極，以及把其陰極耦合到電感器Lp的第一端子。把二極管D4的陰極耦合到晶體管Ypf的漏極，以及把其陽極耦合到電感器Lp的第一端子。把二極管D5的陽極耦合到晶體管Ynr的源極，以及把其陰極耦合到電感器Ln的第一端子。把二極管D6的陰極耦合到晶體管Ynf的漏極，以及把其陽極耦合到電感器Ln的第一端子。
二極管D3和D5分別阻斷由晶體管Ypr和Ynr各自的本體二極管構(gòu)成的電流路徑，并且設(shè)置用于增加Y電極的電壓的電壓增加路徑。二極管D4和D6分別阻斷由晶體管Ypf和Ynf各自的本體二極管構(gòu)成的電流路徑，并且設(shè)置用于降低Y電極的電壓的電壓降低路徑。
而電感器Lp和Ln分別耦合到圖5中的電壓增加和降低路徑，也可以把單個(gè)電感器耦合到電壓增加路徑和電壓降低路徑的重疊部分，并且可以將一個(gè)電感器分別耦合在各個(gè)晶體管Ypr、Ypf、Ynr和Ynf和各個(gè)二極管D3、D4、D5和D6之間。
下面參考圖6和圖7A到7H來描述圖5的維持放電驅(qū)動電路410的操作。
圖6是用于產(chǎn)生圖4的驅(qū)動波形的維持放電驅(qū)動電路410的信號定時(shí)圖，而圖7A到7H是根據(jù)圖6的信號定時(shí)的圖5維持放電驅(qū)動電路410的操作的各個(gè)示圖。假定在開始第一模式M1之前晶體管Yn和Ynf已經(jīng)導(dǎo)通。
參考圖6和圖7A，在第一模式M1中，晶體管Ynf截止，晶體管Y1導(dǎo)通，并且通過晶體管Y1、電容器C4、電容器C3、晶體管Yn和電源-Vs/3的路徑①把電壓-Vs提供給平板電容器Cp的Y電極，如在圖7A中所示。即，把電壓-Vs提供給Y電極，所述電壓-Vs比電源電壓-VS/3低了電容器C3和C4上所充電壓的總和2Vs/3。
此外，由于當(dāng)晶體管Yn導(dǎo)通而晶體管Yp截止時(shí)構(gòu)成了電源Vs/3、二極管D1、電容器C1、電容器C2、晶體管Yn和電源-Vs/3的路徑②，用電壓Vs/3分別對電容器C1和電容器C2充電，因?yàn)樘峁┙o電源Vs/3和-Vs/3的電壓之間的差是2Vs/3。在此情形中，由于路徑①中晶體管Yh的源極電壓變成電壓-Vs，而路徑②中晶體管Yh的漏極電壓變成電壓Vs/3，所以晶體管Yh的源極和漏極之間的電壓變成電壓4Vs/3。因此，可以使用晶體管Yh作為具有電壓4Vs/3的晶體管。
此外，由于晶體管Yp的源極電壓是-Vs/3而晶體管Yp的漏極電壓是電壓Vs/3，所以可以使用晶體管Yp作為具有電壓2Vs/3的晶體管。
接著，由于在第二模式M2時(shí)晶體管Y1截止和晶體管Ynr導(dǎo)通，所以在電源-Vs/3、晶體管Yn、電容器C3、晶體管Ynr、二極管D5、電感器Ln、和平板電容器Cp的Y電極的路徑③中發(fā)生諧振，如在圖7B中所示。因此，平板電容器Cp的Y電極的電壓從電壓-Vs增加到電壓-Vs/3。
接著，由于在第三模式M3時(shí)晶體管Ynr截止而晶體管Ypr導(dǎo)通，所以在電源-Vs/3、晶體管Yn、電容器C2、晶體管Ypr、二極管D3、電感器Lp、和平板電容器Cp的Y電極的路徑④中發(fā)生諧振，如在圖7C中所示。因此，平板電容器Cp的Y電極的電壓從電壓-Vs/3增加到電壓Vs/3。
接著，由于在第四模式M4時(shí)晶體管Yn截止而晶體管Yp導(dǎo)通，所以在電源Vs/3、晶體管Yp、電容器C2、晶體管Ypr、二極管D3、電感器Lp、和平板電容器Cp的Y電極的路徑⑤中發(fā)生諧振，如在圖7D中所示。因此，平板電容器Cp的Y電極的電壓從電壓Vs/3增加到電壓Vs。
此外，如在圖7D中所示，由于構(gòu)成電源Vs/3、晶體管Yp、電容器C3、電容器C4、二極管D2和電源-Vs/3的路徑⑥，所以用與電源Vs/3和-Vs/3之間的差對應(yīng)的電壓2Vs/3分壓的電壓Vs/3對電容器C3和C4充電。
接著，由于在第五模式M5時(shí)晶體管Ypr截止和晶體管Yh導(dǎo)通，所以通過電源Vs/3、晶體管Yp、電容器C2、電容器C1、晶體管Yh和平板電容器Cp的Y電極的路徑⑦把電壓Vs提供給Y電極，如在圖7E中所示。即，把比電源電壓Vs/3高了電容器C1和電容器C2中所充電壓總和2Vs/3的電壓Vs提供給Y電極。
此外，由于通過路徑⑥把電壓-Vs/3提供給晶體管Y1的源極，并且通過路徑⑦把電壓Vs提供給晶體管Y1的漏極，所以在晶體管Y1的源極和漏極之間提供電壓4Vs/3。因此，可以使用晶體管Y1作為具有電壓4Vs/3的晶體管。
此外，由于晶體管Yn的漏極電壓是電壓Vs/3而晶體管Yn的源極電壓是電壓-Vs/3，所以可以使用晶體管Yn作為具有電壓2Vs/3的晶體管。
由于在第六模式M6時(shí)晶體管Yh截止和晶體管Ypf導(dǎo)通，所以在平板電容器Cp的Y電極、電感器Lp、二極管D4、晶體管Ypf、電容器C2、晶體管Yp和電源Vs/3的路徑⑧中發(fā)生諧振，如在圖7F中所示。因此，通過電感器Lp使存儲在平板電容器Cp中的能量恢復(fù)到電源Vs/3，并且Y電極的電壓從電壓Vs降低到電壓Vs/3。
接著，由于在第七模式M7時(shí)晶體管Ypf和Yp截止和晶體管Ynf導(dǎo)通，所以在平板電容器Cp的Y電極、電感器Ln、二極管D6、晶體管Ynf、電容器C4、和電源-Vs/3的路徑⑨中發(fā)生諧振，如在圖7G中所示。因此，平板電容器Cp的Y電極的電壓從電壓Vs/3降低到電壓-Vs/3。
接著，由于在第八模式M8時(shí)晶體管Yn導(dǎo)通，所以在平板電容器Cp的Y電極、電感器Ln、二極管D6、晶體管Ynf、電容器C3、晶體管Vn2和電源-Vs/3的路徑⑩中發(fā)生諧振，如在圖7H中所示。因此，平板電容器Cp的Y電極的電壓從電壓-Vs/3降低到電壓-Vs。
此外，由于如圖7H所示地構(gòu)成路徑②，所以用電壓Vs/3分別對電容器C1和C2充電，所述電壓Vs/3是從與提供給電源VS/3和-VS/3的電壓之間的差對應(yīng)的電壓2Vs/3分壓而得到的。
如上所述，由于在維持周期期間按與相應(yīng)子字段的權(quán)重值對應(yīng)的次數(shù)重復(fù)執(zhí)行第一模式M1到第八模式M8，所以可以把電壓Vs和電壓-Vs交替地提供給Y電極。此外，可以使用晶體管Yh和Y1作為具有提供給Y電極的電壓(即，電壓4Vs/3)的2/3電壓的晶體管，并且可以使用晶體管Yp和Yn作為具有電壓2Vs/3的晶體管。
在已經(jīng)描述通過圖7A到7H的電路產(chǎn)生的根據(jù)本發(fā)明第三示例實(shí)施例的驅(qū)動波形的同時(shí)，也可以通過圖5的電路產(chǎn)生根據(jù)本發(fā)明第一和第二示例實(shí)施例的驅(qū)動波形。
進(jìn)一步詳細(xì)描述，在圖5所示電路中，晶體管Yp的漏極耦合到提供電壓2Vs/3的電源，而晶體管Yn的源極耦合到提供電壓Vs/3的電源。當(dāng)晶體管Yp截止和晶體管Yn導(dǎo)通時(shí)，分別對電容器C1和C2充電到電壓Vs/6，并且當(dāng)晶體管Yn截止和晶體管Yp導(dǎo)通時(shí)，用電壓Vs/6分別對電容器C3和C4充電。因此，可以通過圖7A到圖7H中所示的路徑把交替地具有電壓Vs和電壓0V的維持脈沖提供給Y電極。耦合到X電極的維持放電驅(qū)動電路(未示出)具有與維持放電驅(qū)動電路410相同的配置。耦合到X電極的維持放電驅(qū)動電路可以在把電壓Vs提供給Y電極的同時(shí)把電壓0V提供給X電極，并且在把電壓Vs提供給Y電極的同時(shí)把電壓Vs提供給X電極。
此外，在圖5的電路中，晶體管Yp的漏極耦合到提供電壓Vs/6的電源，而晶體管Yn的源極耦合到提供電壓-Vs/6的電源。當(dāng)晶體管Yp截止和晶體管Yn導(dǎo)通時(shí)，分別對電容器C1和C2充電到電壓Vs/6，并且當(dāng)晶體管Yn截止和晶體管Yp導(dǎo)通時(shí)，用電壓Vs/6分別對電容器C3和C4充電。因此，可以通過圖7A到圖7H中所示的路徑把交替地具有電壓Vs/2和電壓-Vs/2的維持脈沖提供給Y電極。耦合到X電極的維持放電驅(qū)動電路(未示出)具有與維持放電驅(qū)動電路410相同的配置。耦合到X電極的維持放電驅(qū)動電路可以按與提供給Y電極的維持脈沖的相反相位把交替地具有電壓Vs/2和電壓-Vs/2的維持脈沖提供給X電極。
盡管已經(jīng)聯(lián)系當(dāng)前認(rèn)為實(shí)際的示例實(shí)施例描述了本發(fā)明，但應(yīng)該理解，本發(fā)明不限于所討論的實(shí)施例，而是相反地，旨在使本發(fā)明包括包含在所附的權(quán)利要求書的精神和范圍中的各種修改和等效配置。
根據(jù)本發(fā)明的示例實(shí)施例，可以在維持放電驅(qū)動電路中使用具有低內(nèi)電壓的晶體管，并且可以減少電抗性功率消耗。
權(quán)利要求
1.一種等離子體顯示設(shè)備，包括多個(gè)第一電極；耦合到第一電源以提供第一電壓的第一節(jié)點(diǎn)；以及耦合到第二電源以提供第二電壓的第二節(jié)點(diǎn)；其中在把第一電壓提供給第一節(jié)點(diǎn)和向第二節(jié)點(diǎn)提供第三電壓的同時(shí)把低于第二電壓的第三電壓提供給多個(gè)第一電極；以及在把第二電壓提供給第二節(jié)點(diǎn)和向第一節(jié)點(diǎn)提供第四電壓的同時(shí)把高于第一電壓的第四電壓提供給多個(gè)第一電極。
2.如權(quán)利要求1所述的等離子體顯示設(shè)備，其特征在于，還包括第一晶體管，具有耦合到所述第一電源的第一端子；第二晶體管，具有耦合到所述第一晶體管的第一端子的第一端子和耦合到所述第二電源的第二端子；第一電容器，具有耦合到所述第一節(jié)點(diǎn)的第一端子；第二電容器，具有耦合到所述第一電容器的第二端子的第一端子和耦合到所述第二晶體管的第一端子的第二端子；第三電容器，具有耦合到所述第一晶體管的第二端子的第一端子；第四電容器，具有耦合到所述第三電容器的第二端子的第一端子和耦合到所述第二節(jié)點(diǎn)的第二端子；第三晶體管，耦合到所述第一節(jié)點(diǎn)和所述多個(gè)第一電極；第四晶體管，耦合到所述第二節(jié)點(diǎn)和所述多個(gè)第一電極；第五晶體管和第六晶體管，耦合在所述多個(gè)第一電極與第一電容器和第二電容器間的第三節(jié)點(diǎn)之間；以及第七晶體管和第八晶體管，耦合在所述多個(gè)第一電極與第三電容器和第四電容器間的第四節(jié)點(diǎn)之間。
3.如權(quán)利要求2所述的等離子體顯示設(shè)備，其特征在于，還包括第一電壓增加路徑，包括第二電源、第三電容器和第七晶體管并且用于增加所述多個(gè)第一電極的電壓；第二電壓增加路徑，包括第二電源、第二電容器和第五晶體管并且用于增加所述多個(gè)第一電極的電壓；第三電壓增加路徑，包括第一電源、第二電容器和第五晶體管并且用于增加所述多個(gè)第一電極的電壓；第一電壓降低路徑，包括第六晶體管、第二電容器和第一電源并且用于降低所述多個(gè)第一電極的電壓；第二電壓降低路徑，包括第八晶體管、第四電容器和第二電源并且用于降低所述多個(gè)第一電極的電壓；第三電壓降低路徑，包括第八晶體管、第三電容器和第二電源并且用于降低所述多個(gè)第一電極的電壓；第一充電路徑，包括第一電源、第一和第二電容器和第二晶體管；以及第二充電路徑，包括第一電源、第一晶體管和第三和第四電容器。
4.如權(quán)利要求3所述的等離子體顯示設(shè)備，其特征在于，所述第一充電路徑包括具有耦合到第一電源的陽極和耦合到第一節(jié)點(diǎn)的陰極的第一二極管。
5.如權(quán)利要求4所述的等離子體顯示設(shè)備，其特征在于，所述第二充電路徑包括具有耦合到第二電源的陰極和耦合到第二節(jié)點(diǎn)的陽極的第二二極管。
6.如權(quán)利要求5所述的等離子體顯示設(shè)備，其特征在于，還包括耦合在所述多個(gè)第一電極與所述第五和第六晶體管間的節(jié)點(diǎn)之間的第一電感器；其中所述第二和第三電壓增加路徑還包括耦合在所述第五晶體管和第一電感器之間的第三二極管，以及所述第一電壓降低路徑還包括耦合在所述第六晶體管和第一電感器之間的第四二極管。
7.如權(quán)利要求6所述的等離子體顯示設(shè)備，其特征在于，還包括耦合在所述多個(gè)第一電極與第七和第八晶體管間的節(jié)點(diǎn)之間的第二電感器；其中所述第一電壓增加路徑還包括耦合在所述第七晶體管和第二電感器之間的第五二極管，以及所述第二和第三電壓降低路徑還包括耦合在所述第八晶體管和第二電感器之間的第六二極管。
8.如權(quán)利要求5所述的等離子體顯示設(shè)備，其特征在于，所述第二和第三電壓增加路徑還包括在所述第五晶體管和所述多個(gè)第一電極之間串聯(lián)耦合的第一電感器和第三二極管，以及所述第一電壓降低路徑還包括在所述第六晶體管和所述多個(gè)第一電極之間串聯(lián)耦合的第二電感器和第四二極管。
9.如權(quán)利要求8所述的等離子體顯示設(shè)備，其特征在于，所述第一電壓增加路徑還包括在所述第七晶體管和所述多個(gè)第一電極之間串聯(lián)耦合的第三電感器和第五二極管，以及所述第二和第三電壓降低路徑還包括在所述第八晶體管和所述多個(gè)第一電極之間串聯(lián)耦合的第四電感器和第六二極管。
10.如權(quán)利要求5所述的等離子體顯示設(shè)備，其特征在于，還包括具有耦合在所述第五和第六晶體管間的節(jié)點(diǎn)與所述第七和第八晶體管間的節(jié)點(diǎn)之間的第一端子、以及耦合到所述多個(gè)第一電極的第二端子的電感器。
11.如權(quán)利要求2所述的等離子體顯示設(shè)備，其特征在于，所述第一電容器和第二電容器具有相等的電容量，并且所述第三電容器和第四電容器具有相等的電容量。
12.如權(quán)利要求5所述的等離子體顯示設(shè)備，其特征在于，在把第三電壓提供給第二節(jié)點(diǎn)和把第三電壓提供給所述多個(gè)第一電極時(shí)，所述第四晶體管導(dǎo)通；在把低于第二電壓的第五電壓提供給第四節(jié)點(diǎn)時(shí)，通過所述第一電壓增加路徑增加所述多個(gè)第一電極的電壓；在把高于第二電壓的第六電壓提供給第三節(jié)點(diǎn)時(shí)，通過所述第二電壓增加路徑進(jìn)一步增加所述多個(gè)第一電極的電壓；在把低于第一電壓的第七電壓提供給第三節(jié)點(diǎn)時(shí)，通過所述第三電壓增加路徑進(jìn)一步增加所述多個(gè)第一電極的電壓；以及在把第四電壓提供給第一節(jié)點(diǎn)和把第四電壓提供給所述多個(gè)第一電極時(shí)，所述第三晶體管導(dǎo)通。
13.如權(quán)利要求12所述的等離子體顯示設(shè)備，其特征在于，在把第四電壓提供給第一節(jié)點(diǎn)和把第四電壓提供給所述多個(gè)第一電極時(shí)，所述第三晶體管導(dǎo)通；在把高于第一電壓的第五電壓提供給第三節(jié)點(diǎn)時(shí)，通過所述第一電壓降低路徑降低所述多個(gè)第一電極的電壓；在把高于第二電壓的第六電壓提供給第四節(jié)點(diǎn)時(shí)，通過所述第二電壓降低路徑進(jìn)一步降低所述多個(gè)第一電極的電壓；在把低于第一電壓的第七電壓提供給第四節(jié)點(diǎn)時(shí)，通過所述第三電壓降低路徑進(jìn)一步降低所述多個(gè)第一電極的電壓；以及在把第三電壓提供給第二節(jié)點(diǎn)和把第三電壓提供給所述多個(gè)第一電極時(shí)，所述第四晶體管導(dǎo)通。
14.如權(quán)利要求13所述的等離子體顯示設(shè)備，其特征在于，所述第一電壓是正電壓，而所述第二電壓是負(fù)電壓。
15.如權(quán)利要求13所述的等離子體顯示設(shè)備，其特征在于，所述第一和第二電壓兩者都為正電壓。
16.一種驅(qū)動包括多個(gè)第一電極和多個(gè)第二電極的等離子體顯示設(shè)備的方法，所述方法包括下列步驟通過用于提供第一電壓的第一電源和充電到第二電壓的第一和第二電容器把第三電壓提供給多個(gè)第一電極；通過包括第一電源和第一電感器的第一諧振路徑增加多個(gè)第一電極的電壓；通過包括第一電源和第二電感器的第二諧振路徑進(jìn)一步增加多個(gè)第一電極的電壓；通過包括第二電感器和提供高于第一電壓的第四電壓的第二電源的第三諧振路徑進(jìn)一步增加多個(gè)第一電極的電壓；通過第二電源和充電到第五電壓的第三和第四電容器把第六電壓提供給多個(gè)第一電極；通過包括第二電源和第二電感器的第四諧振路徑降低多個(gè)第一電極的電壓；通過包括第一電源和第一電感器的第五諧振路徑進(jìn)一步降低多個(gè)第一電極的電壓；以及通過包括第一電源和第一電感器的第六諧振路徑進(jìn)一步降低多個(gè)第一電極的電壓。
17.如權(quán)利要求16所述的方法，其特征在于，所述第一諧振路徑還包括耦合在第一電源和第一電感器之間的第一晶體管；所述第二諧振路徑還包括耦合在第一電源和第二電感器之間的第二晶體管；所述第三諧振路徑還包括耦合在第二電源和第二電感器之間的第三晶體管；所述第四諧振路徑還包括耦合在第二電源和第二電感器之間的第四晶體管；所述第五諧振路徑還包括耦合在第一電源和第一電感器之間的第五晶體管；以及所述第六諧振路徑還包括耦合在第一電源和第一電感器之間的第六晶體管。
18.如權(quán)利要求17所述的方法，其特征在于，通過所述第一、第二、或第六諧振路徑增加或降低所述多個(gè)第一電極電壓還包括通過包括第二電源、第三和第四電容器和第一電源的充電路徑用第五電壓對第三和第四電容器充電。
19.如權(quán)利要求18所述的方法，其特征在于，通過所述第三到第五諧振路徑增加或降低所述多個(gè)第一電極電壓還包括通過包括第二電源、第一和第二電容器和第一電源的充電路徑用第二電壓對第一和第二電容器充電。
20.如權(quán)利要求17所述的方法，其特征在于，所述第一和第二電感器具有相等的電感量。
21.如權(quán)利要求17所述的方法，其特征在于，所述第二和第三晶體管是相同的。
22.如權(quán)利要求17所述的方法，其特征在于，所述第五和第六晶體管是相同的。
23.一種等離子體顯示設(shè)備包括多個(gè)第一電極和多個(gè)第二電極；第一晶體管，具有耦合到第一電源以提供第一電壓的第一端子；第二晶體管，具有耦合到第一晶體管第二端子的第一端子、以及耦合到第二電源以提供低于第一電壓的第二電壓的第二端子；第一電容器，充電到第三電壓，并且具有耦合到第一電源的第一端子；第二電容器，充電到第四電壓，并且具有耦合到第一電容器的第二端子的第一端子、以及耦合到第一和第二晶體管間節(jié)點(diǎn)的第二端子；第三電容器，充電到第五電壓，并且具有耦合到第一和第二晶體管間節(jié)點(diǎn)的第一端子；第四電容器，充電到第六電壓，并且具有耦合到第三電容器的第二端子的第一端子、以及耦合到第二電源的第二端子；第三晶體管，耦合在第一電容器的第一端子和所述多個(gè)第一電極之間；第四晶體管，耦合在第四電容器的第二端子和所述多個(gè)第一電極之間；第五晶體管，耦合在第二電容器的第一端子和所述多個(gè)第一電極之間，所述第五晶體管在導(dǎo)通時(shí)增加所述多個(gè)第一電極的電壓；第六晶體管，耦合在第二電容器的第一端子和所述多個(gè)第一電極之間，所述第六晶體管在導(dǎo)通時(shí)降低所述多個(gè)第一電極的電壓；第七晶體管，耦合在第三電容器的第二端子和所述多個(gè)第一電極之間，所述第七晶體管在導(dǎo)通時(shí)增加所述多個(gè)第一電極的電壓；以及第八晶體管，耦合在第三電容器的第二端子和所述多個(gè)第一電極之間，所述第八晶體管在導(dǎo)通時(shí)降低所述多個(gè)第一電極的電壓。
24.如權(quán)利要求23所述的等離子體顯示設(shè)備，其特征在于，還包括電感器，具有耦合到第五晶體管的第一端子和第六晶體管的第一端子間節(jié)點(diǎn)的第一端子；第一二極管，耦合在第五晶體管的第一端子和所述電感器的第一端子之間；以及第二二極管，耦合在第六晶體管的第一端子和所述電感器的第一端子之間。
25.如權(quán)利要求23所述的等離子體顯示設(shè)備，其特征在于，所述第一電感器和第一二極管串聯(lián)耦合在第五晶體管的第一端子和所述多個(gè)第一電極之間；以及所述第二電感器和第二二極管串聯(lián)耦合在第六晶體管的第一端子和所述多個(gè)第一電極之間。
26.如權(quán)利要求23所述的等離子體顯示設(shè)備，其特征在于，還包括電感器，具有耦合到第七晶體管的第一端子和第八晶體管的第一端子間節(jié)點(diǎn)的第一端子；第一二極管，耦合在第七晶體管的第一端子和所述電感器的第一端子之間；以及第二二極管，耦合在第八晶體管的第一端子和所述電感器的第一端子之間。
27.如權(quán)利要求23所述的等離子體顯示設(shè)備，其特征在于，第一電感器和第一二極管串聯(lián)耦合在第七晶體管的第一端子和所述多個(gè)第一電極之間；以及第二電感器和第二二極管串聯(lián)耦合在第八晶體管的第一端子和所述多個(gè)第一電極之間。
28.如權(quán)利要求23所述的等離子體顯示設(shè)備，其特征在于，在第二和第四晶體管導(dǎo)通時(shí)把與第二電壓和第三和第四電容器電壓之間的差相對應(yīng)的電壓提供給第一電極；在第四晶體管截止和第七晶體管導(dǎo)通時(shí)增加所述多個(gè)第一電極的電壓；在第七晶體管截止和第五晶體管導(dǎo)通時(shí)進(jìn)一步增加所述多個(gè)第一電極的電壓；在第一晶體管導(dǎo)通時(shí)進(jìn)一步增加所述多個(gè)第一電極的電壓；以及在第五晶體管截止和第三晶體管導(dǎo)通時(shí)把與第一電壓和第一和第二電容器的電壓之總和相對應(yīng)的電壓提供給所述多個(gè)第一電極。
29.如權(quán)利要求28所述的等離子體顯示設(shè)備，其特征在于，在第一和第三晶體管導(dǎo)通時(shí)把與第一電壓和第一和第二電容器電壓之總和相對應(yīng)的電壓提供給所述多個(gè)第一電極；在第三晶體管截止和第六晶體管導(dǎo)通時(shí)降低所述多個(gè)第一電極的電壓；在第一和第六晶體管截止和第八晶體管導(dǎo)通時(shí)進(jìn)一步降低所述多個(gè)第一電極的電壓；在第二晶體管導(dǎo)通時(shí)進(jìn)一步降低所述多個(gè)第一電極的電壓；以及在第四晶體管導(dǎo)通時(shí)把與第二電壓和第三和第四電容器電壓之間的差相對應(yīng)的電壓提供給所述多個(gè)第一電極。
30.如權(quán)利要求23所述的等離子體顯示設(shè)備，其特征在于，所述第一和第四電壓是相等的，以及所述第五和第六電壓是相等的。
全文摘要
在一種等離子體顯示設(shè)備中，把第一和第二晶體管耦合在用于提供第一電壓的第一電源和用于提供比第一電壓低的第二電壓的第二電源之間。第一和第二電容器耦合在第一電源和第一晶體管的第二端子之間，對與第一電壓和第二電壓之間的差相對應(yīng)的電壓進(jìn)行分壓和由第一和第二電容器充電。第三和第四電容器耦合在第二電源和第二晶體管的第一端子之間，對與第一電壓和第二電壓之間的差相對應(yīng)的電壓進(jìn)行分壓和由第三和第四電容器充電。
文檔編號G09G3/296GK1971694SQ20061016045
公開日2007年5月30日 申請日期2006年11月23日 優(yōu)先權(quán)日2005年11月24日
發(fā)明者金晙淵 申請人:三星Sdi株式會社