專利名稱：等離子顯示設(shè)備及其驅(qū)動方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種等離子顯示設(shè)備及其驅(qū)動方法，尤其是，涉及一種施加到掃描電極和維持電極上以在前一個子場(subfield)的維持周期結(jié)束后產(chǎn)生大量壁電荷(wall charges)的等離子顯示設(shè)備的驅(qū)動波形。
背景技術(shù)：
等離子顯示面板是一種圖像顯示設(shè)備，其中在形成有阻擋條(barrier rib)的后基底和面對該后基底的前基底之間形成有放電單元，通過用真空紫外線激勵熒光物質(zhì)來顯示圖像，該真空紫外線在利用高頻電壓對每個放電單元中的惰性氣體放電期間產(chǎn)生。
通常，等離子顯示面板利用在從等離子體輻射經(jīng)過氣體放電獲得的真空紫外線VUV激勵該熒光物質(zhì)時產(chǎn)生的可見光例如紅R、綠G、藍B光來顯示預(yù)定的圖像。
利用施加到該掃描電極、維持電極和尋址電極的該驅(qū)動電壓在放電單元內(nèi)產(chǎn)生相對放電或表面放電時，等離子顯示設(shè)備顯示圖像。這樣，掃描電極、維持電極和尋址電極被分別連接到掃描驅(qū)動器、維持驅(qū)動器和尋址驅(qū)動器上。
此外，該掃描驅(qū)動器、維持驅(qū)動器和尋址驅(qū)動器將一個幀分成一個或多個子場。每個子場包括復(fù)位(reset)周期、尋址周期和維持周期，當在復(fù)位周期中施加用于初始化該放電單元的建立信號和撤除信號時，由于施加到該掃描電極的掃描脈沖和施加到該尋址電極的數(shù)據(jù)脈沖之間的電壓差異，在尋址周期中選擇該放電單元，在該維持周期向掃描電極和維持電極交替地施加該維持脈沖，從而可在該選擇的放電單元中維持放電。
此外，通常，在該維持周期和該復(fù)位周期之間，即，在該維持周期結(jié)束之后，施加清除(erase)脈沖，其在清除周期期間產(chǎn)生清除放電用于清除壁電荷。
也就是說，在該清除周期中，在從低電位電壓電平逐漸增加到該正極電壓電平的該清除脈沖被施加到該維持電極以產(chǎn)生清除放電時，在該掃描電極和該尋址電極中保持低電位電壓電平。從而單元上的壁電荷被清除成接近0V。
由于該原因，在傳統(tǒng)的等離子顯示設(shè)備驅(qū)動方法中，不得不施加上升至一高電壓電平的建立信號，以便在該清除周期之后的子場的復(fù)位周期期間產(chǎn)生放電。因此，存在的問題是，需要產(chǎn)生強烈的無光放電(dark discharge)以增加發(fā)光輸出，同時在整個面板顯示的圖像的對比度降低。
此外，如果在該清除周期期間不穩(wěn)定地產(chǎn)生該清除放電，在下一個復(fù)位周期開始之前，單元內(nèi)的壁電荷分布變得不均勻，從而產(chǎn)生錯誤放電。因此，存在驅(qū)動余量變窄的問題。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明的一個目的是要解決至少背景技術(shù)中的問題和缺點。
本發(fā)明提供了一種等離子顯示設(shè)備，其能夠提高對比度，并通過在第一子場之后的多個子場之一的復(fù)位周期期間誘發(fā)半放電(halfdischarge)獲得一驅(qū)動余量，以擴展該驅(qū)動余量，降低用于產(chǎn)生放電所需的最高電壓，用于改善由于強烈的無光放電導(dǎo)致的對比度下降的問題。
根據(jù)本發(fā)明的等離子顯示設(shè)備包括由多個子場驅(qū)動的掃描電極、維持電極和尋址電極，該子場在一幀中包括至少一個復(fù)位周期、尋址周期和維持周期，在具有正極性的第一電壓電平和電壓值逐漸增加的電壓增加周期的第一電壓電平周期的建立信號施加到至少一個接下來的子場中的該掃描電極的時候，第一子場的最后維持脈沖被施加到該維持電極，當施加該建立信號時，向該維持電極施加正極性的第二電壓電平。
根據(jù)本發(fā)明，在該第一電壓電平電壓之后提供該第二電壓電平電壓，這兩個電壓的施加時刻之間的差異范圍從0.2μs到2μs，該第二電壓電平周期與部分該第一電壓電平周期和部分該電壓增加周期重疊。
前面的子場中的復(fù)位周期的最大電壓電平高于該建立信號的最大電壓電平，該建立信號的最大電壓電平比該第一電壓電平高50V至100V。
由該第一電壓電平放電產(chǎn)生的發(fā)光量是在相同子場的維持周期中利用一次維持放電的發(fā)光量的一半不到，其稱作“半放電”。
也就是說，在該第一子場之后的復(fù)位周期期間，向該掃描電極施加第一電壓電平以在掃描電極Y和維持電極Z之間產(chǎn)生半放電，從而最優(yōu)化單元內(nèi)的壁電荷分布，雖然單元內(nèi)的該壁電荷分布隨著第二電壓電平的增加而增加，因此，隨著掃描電極電壓的逐漸增加，能夠僅僅利用小的電壓產(chǎn)生建立放電。
此外，在該維持周期期間提供的最后的維持脈沖被施加到該維持電極，以結(jié)束第n子場，雖然第n+1子場的復(fù)位周期開啟而不需要額外的清除周期。


接下來，將參照附圖詳細說明本發(fā)明，其中，相同的數(shù)字表示相同的元件。用于進一步理解本發(fā)明并包括組成說明書一部分的該

本發(fā)明的實施例，并與該說明一起用于解釋本發(fā)明的原理。附圖中圖1表示等離子顯示面板的結(jié)構(gòu)；圖2表示等離子顯示設(shè)備的配置；圖3表示第一子場中提供的驅(qū)動波形；圖4表示利用圖3的驅(qū)動波形改變的放電單元的壁電荷分布；圖5表示在第一子場后的該子場中提供的驅(qū)動波形；圖6表示利用圖5的驅(qū)動波形改變的放電單元的壁電荷分布。
具體實施例方式
以下將參照附圖以更加詳細的方式說明本發(fā)明的優(yōu)選實施例。
圖1是說明本發(fā)明的面板結(jié)構(gòu)P的附圖。前基底A和后基底B接合形成該面板。
掃描電極1和維持電極2形成在該前基底A中。尋址電極6形成在該底板基底B中，同時，該掃描電極、維持電極和尋址電極6在單元內(nèi)交叉。
該掃描電極1和維持電極2分別包括透明電極1b、2b和總線電極1a、2a。該透明電極由稱作銦錫氧化物ITO的痕量(trace amount)氧化錫和氧化銦組成。透射率如此高以致于單元內(nèi)產(chǎn)生的光能夠發(fā)射到外部。此外，提供總線電極1a、2a以降低該透明電極的表面阻抗。
將介電層3形成在該掃描電極1和維持電極2上，同時還形成保護薄膜4用于保護該介電層3。
將介電層8形成在該尋址電極6上。在該介電層上，還形成有以行/列分隔該放電單元的阻擋條(barrier rib)7和涂覆在該介電層8和阻擋條7上的R、G、B熒光物質(zhì)9。
此時，根據(jù)本發(fā)明的等離子顯示面板結(jié)構(gòu)不受圖1的限制。
例如，該掃描電極1和維持電極2可以是僅僅包括總線電極1a、2a而不包括由ITO組成的透明電極1b、2b的無ITO結(jié)構(gòu)。雖然沒有舉例說明，其還可以是集成的BM結(jié)構(gòu)，其中黑矩陣(black matrix)BM形成在該前基底A上作為一個整體。
此外，該掃描電極1和維持電極2可以由2條或多條電極線組成，可包括其它電極。
形成在該后基底B上的該阻擋條結(jié)構(gòu)是封閉型的，其封閉該放電單元，如圖1所示。但其不限于這種類型，還可是條型的，其中特定方向的阻擋條被省略。此外，其還可是魚骨架(fish bone)型，其中在列阻擋條7中以預(yù)定間隔形成突起。
圖2說明了向形成在面板P中的電極施加驅(qū)動信號的數(shù)據(jù)驅(qū)動器12、掃描驅(qū)動器13和維持驅(qū)動器14。
參照圖2，設(shè)置有用于向形成在面板中的尋址電極X1至Xm提供數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)驅(qū)動器12、用于驅(qū)動掃描電極Y1至Yn的掃描驅(qū)動器13、用于驅(qū)動維持電極Z的維持驅(qū)動器14和用于控制每個驅(qū)動器12、13、14的開關(guān)時間的控制器11。
該數(shù)據(jù)驅(qū)動器12向該尋址電極X1至Xm提供數(shù)據(jù)脈沖用于導(dǎo)通單元(on cell)和截止單(off-cell)元的選擇。
在圖2中，示出了該尋址電極X1至Xm利用單獨的沒有區(qū)分的掃描方法來驅(qū)動。然而，本發(fā)明不限于這種方式，應(yīng)當注意到本發(fā)明的尋址電極能夠利用雙重(dual)掃描方法使用，其將尋址電極分成2個或多個，并向與每個劃分的尋址電極組交叉的第一掃描電極線Y1至Ym和第二掃描電極線Yn-m至Yn施加驅(qū)動信號。
此外，能夠?qū)崿F(xiàn)包括2個或多個數(shù)據(jù)驅(qū)動器的結(jié)構(gòu)。該數(shù)據(jù)驅(qū)動器將該尋址電極X1至Xm分成奇數(shù)尋址電極X1、X3…Xm-1組和偶數(shù)尋址電極X2、X4…Xm組，向每個組施加驅(qū)動信號。
在該控制器11的控制下，該掃描驅(qū)動器13在該復(fù)位周期RP提供逐漸上升的建立信號PR和逐漸下降的撤除信號NR，依次向該掃描電極Y1至Yn提供掃描脈沖用于選擇該掃描線，在維持周期SP期間提供維持脈沖用于在選擇的導(dǎo)通單元內(nèi)保持放電，其中在尋址周期AP向該掃描線提供數(shù)據(jù)。
在維持周期SP期間，該維持驅(qū)動器14和掃描驅(qū)動器13交替工作。該維持驅(qū)動器14向該維持電極提供維持脈沖。
該控制器11接收垂直/水平同步信號和時鐘信號以產(chǎn)生每個驅(qū)動器12、13、14所需的時序控制信號CTRX、CTRY、CTRZ，提供時序控制信號CTRX、CTRY、CTRZ到相應(yīng)的驅(qū)動器以控制該驅(qū)動器。
下面將參照附圖3至5說明由組成一幀的多個子場中由每個驅(qū)動器12、13、14提供的該驅(qū)動波形。圖3說明了第一子場中的驅(qū)動波形。圖5說明了在第一子場之后的多個子場中的一個子場的驅(qū)動波形。
此外，該第一子場表示用于在一幀圖像期間實現(xiàn)最低灰度等級的子場，例如在一幀中首次定位的子場。
接下來，將參照圖3說明在第一子場期間施加的該驅(qū)動波形，其包括復(fù)位周期RP1、尋址周期AP和維持周期SP。該復(fù)位周期包括掃描電極的電壓電平上升的建立周期SU1和掃描電極的電壓電平下降的撤除周期SD1。
在該復(fù)位周期RP1的建立周期SU1中，逐漸上升至復(fù)位電壓Vr1的該建立信號PR1被施加到所有掃描電極Y。由于該建立放電由該建立信號PR1產(chǎn)生，則壁電荷逐漸堆積在內(nèi)側(cè)。
在該撤除周期SD1中，逐漸下降至負極性電壓-Ve的該撤除信號NR被施加到該掃描電極以消除對于在放電單元內(nèi)的尋址放電不必要的多余的壁電荷。同時，向該維持電極Z提供正極性電壓。
在該尋址周期AP中，將從該掃描偏壓Vyb下降到負極性的掃描電壓-Vy的該掃描脈沖-SCNP依次施加到該掃描電極。同時，向該尋址電極X施加正極性的數(shù)據(jù)脈沖DP。這時，在該維持電極Z中保持正極性的偏壓。因此，利用掃描脈沖-SCNP和數(shù)據(jù)脈沖DP之間的電壓差異在尋址周期AP期間產(chǎn)生尋址放電以選擇放電單元。
然后，在該維持周期SP中，將具有正極性維持電壓Vs的該維持脈沖SUSP交替施加到該掃描電極Y和維持電極Z。因此，產(chǎn)生該維持放電以顯示光。即，由于在該維持周期SP期間提供更多的維持脈沖SUSP增加了亮度輸出，亮度被增強。
這時，向該維持電極Z提供第一子場中的最后維持脈沖SUSP，同時，如圖5中所示，公開了下一個子場的復(fù)位周期RP2。即，通常在前一個子場和下一個子場的維持周期之間存在的用于清除大量壁電荷的清除周期在本發(fā)明中被省略。
同時，根據(jù)本發(fā)明該實施例的該驅(qū)動波形不限于圖3中所示的波形，而該波形可進行各種變化。
例如，在圖3中，說明了該建立信號PR1的啟動電壓和該撤除信號NR的啟動電壓基本上是相同的電壓電平。然而，該上升啟動電壓可高于下降啟動電壓電平。相反，該上升啟動電壓電平低于下降啟動電壓電平。
同時，該建立信號PR1或該撤除信號NR是一種逐漸上升或下降、具有2個或多個斜坡、能夠逐步上升或下降的波形。
除了圖3中所示波形，可在該維持周期SP期間施加能夠產(chǎn)生維持放電的其它信號?？傊?，該掃描電極和該維持電極間隔之間的電壓差要求超過導(dǎo)致維持放電的點火(firing)電壓。因此，半維持電壓Vs和負極性的半維持電壓-Vs/2以及該維持電壓Vs和地電壓0V可施加到每個電極。此外，正極性的該維持電壓Vs可施加到一個電極上，同時負極性的維持電壓-Vs可依次施加到其它電極上。
在圖4中詳細說明表示了在施加有圖3所示的驅(qū)動波形的第一子場期間的單元內(nèi)壁電荷狀態(tài)。
根據(jù)本發(fā)明，單元中根據(jù)前一幀中向該維持電極Z施加的最后維持脈沖的壁電荷分布與圖4a相同。即，大量正的壁電荷形成在該掃描電極Y中，同時，大量負的壁電荷形成在該維持電極Z中。
在這樣的狀態(tài)中，當該第一子場的建立周期SU1開始時，該掃描電極Y的電壓從該維持電壓電平Vs逐漸上升至比該維持電壓電平Vs高的第一復(fù)位電壓Vr1。
這時，該第一復(fù)位電壓Vr1比該維持電壓Vs高大約100V或更多。在整個屏幕的放電單元中，通過上升至第一復(fù)位電壓Vr的該建立信號PR1，在該掃描電極Y和尋址電極X之間產(chǎn)生無光放電。同時，在該掃描電極Y和維持電極Z之間也產(chǎn)生無光放電。
由于該無光放電，在該建立周期SU1后立即在該尋址電極X和維持電極Z中保留有正極性的壁電荷，同時，在該掃描電極Y中保留有負極性的壁電荷，如圖4b所示。
同時，由于在該上升周期SU1的大量開始之前不存在清除周期，在該放電單元中存在大量壁電荷，如圖4a所示。因此，與傳統(tǒng)的復(fù)位電壓相比，該第一復(fù)位電壓Vr1具有小的電壓電平。即，在本發(fā)明的第一子場中，該建立放電能夠利用小的電壓來產(chǎn)生。
在整個屏幕的放電單元中，利用在該建立周期SU1之后的該撤除周期SD1期間提供的該撤除信號NR，在該掃描電極Y和尋址電極X之間產(chǎn)生無光放電，同時，在該掃描電極Y和維持電極Z之間也產(chǎn)生無光放電。由于該無光放電的結(jié)果，如圖4c所示，在每個放電單元內(nèi)的壁電荷分布改變成尋址放電可能的條件。
這時，在每個放電單元內(nèi)，用于尋址放電的不必要的多余的壁電荷在該掃描電極Y和尋址電極X中被清除，同時，保留一些壁電荷。隨著來自該掃描電極Y移動的負極性壁電荷的堆積，在該維持電極Z中的壁電荷極性從正極性轉(zhuǎn)化成負極性。
如果在該復(fù)位周期RP1期間，將該間隙(gap)電壓調(diào)整成接近點火電壓的狀態(tài)時開始該尋址周期AP，由于負極性的掃描脈沖-SCNP和數(shù)據(jù)脈沖DP，該間隙電壓超過該掃描電極Y和尋址電極X之間的該點火電壓，以產(chǎn)生尋址放電。
在該掃描電極Y和尋址電極X之間、在遠離該掃描電極Y和維持電極Z之間的間隙的邊緣附近首次產(chǎn)生尋址放電，在放電單元內(nèi)產(chǎn)生起動(priming)放電粒子以在該掃描電極Y和維持電極Z之間引起二次放電，如圖4d所示。結(jié)果，產(chǎn)生尋址放電的導(dǎo)通單元的壁電荷分布與圖4e中的相同。
同時，不產(chǎn)生尋址放電的截止單元的壁電荷分布基本上保持圖4c的狀態(tài)。
在該維持周期SP中，將正極性維持電壓Vs的維持脈沖SUSP交替施加到該掃描電極Y和維持電極Z，同時，如上所述，將最后的維持脈沖SUSP施加到維持電極Z。結(jié)果，在根據(jù)尋址放電所選擇的導(dǎo)通單元中，如圖4e所示，利用根據(jù)每個維持脈沖SUSP分布的壁電荷產(chǎn)生該維持放電。
相反，由于壁電荷分布在圖4c狀態(tài)的截止單元中，當?shù)谝徽龢O性維持電壓Vs施加到該掃描電極Y時，該掃描電極Y和維持電極Z之間的間隙電壓不能超過該點火電壓。因此，在維持周期SP期間不產(chǎn)生維持放電。
利用最后的維持放電在該放電單元中的壁電荷分布與圖6a相同，下面與在圖5的第一子場之后的預(yù)定子場期間施加的驅(qū)動波形相比進行解釋。
在該第一子場期間施加圖3中所示的驅(qū)動波形之后，在第2個SF至第N個SF的多個子場的至少一個期間施加圖5中所示的該驅(qū)動波形。在圖5的復(fù)位周期RP2期間施加的該建立信號SU2和撤除信號SD2的波形與在圖3的復(fù)位周期RP1期間施加的波形不同。
包括該第一子場之后的第2個SF～第N個SF的子場的復(fù)位周期RP2包括第一、第二自由復(fù)位(free reset period)周期P1、P2和建立周期SU2、根據(jù)施加到該掃描電極Y和維持電極Z的波形的撤除周期SD2。
在該第一自由復(fù)位周期P1中，由于該第一電壓電平的電壓Vs被施加到該掃描電極Y，而0V被施加到該維持電極Z和尋址電極X，在該掃描電極Y和維持電極Z中產(chǎn)生半放電。利用該半放電發(fā)出的光量是在維持周期期間利用一次維持放電所發(fā)出的光量的一半或更少。
由于如圖6b中的該半放電，該掃描電極Y和維持電極Z的壁電荷極性在每個放電單元中反轉(zhuǎn)，同時，壁電荷量減少到圖6a的壁電荷數(shù)量的一半或更少。因此，優(yōu)選地，產(chǎn)生該半放電的該第一自由復(fù)位周期P1在從0.2μs到2μs范圍的間隔內(nèi)被保持。如果該第一自由復(fù)位周期P1保持在0.2μs以下，用于半放電的時間不夠。在超過2μs的情況下，壁電荷被過度減少。因此，該第二復(fù)位電壓Vr2的幅度增加，以減少該驅(qū)動余量。
在該第二自由復(fù)位周期P2中，當該掃描電極Y保持該第一電壓電平時，將該第二電壓電平的電壓施加到該維持電極Z，同時向該尋址電極X施加0V。
在該維持電極Z的電位改變成該第二電壓電平電壓時，空間電荷累積在該頂板的介電層上，并且在該掃描電極Y和維持電極Z之間的壁電荷數(shù)量增加，如圖6c所示。
在這種情況下，假定在該第一自由復(fù)位周期P1期間的該第一電壓電平和第二電壓電平基本上與在該維持周期SP期間施加的該維持脈沖SUSP的高電壓電平Vs相同。
然后，在該建立周期SU2中，將從該第一電壓電平逐漸上升到第二復(fù)位電壓Vr2的該第二建立信號PR2施加給所有掃描電極Y。該第二復(fù)位電壓的幅度比該第一電壓電平Vs高50V至100V，比該第一子場的第1SF中的該第一復(fù)位電壓Vr1低。
由于在該復(fù)位周期RP2之前不存在該清除周期，從而該壁電荷不會被清除，并由于該第一和第二自由復(fù)位周期P1、P2，在頂板的兩個電極Y、Z中形成大量壁電荷，該建立放電在每個放電單元內(nèi)可穩(wěn)定地產(chǎn)生，雖然該第二建立信號PR2的最高電壓是低的。這樣，可降低該該第二復(fù)位電壓Vr2。
由于該第二建立信號PR2，在整個屏幕的放電單元內(nèi)，在該掃描電極Y和尋址電極X之間產(chǎn)生無光放電，同時，在該掃描電極Y和維持電極Z之間也產(chǎn)生無光放電。由于該無光放電，在該建立周期SU2之后，立即在該尋址電極X和維持電極Z中保留有正極性的壁電荷，同時，在該掃描電極Y中保留有負極性的壁電荷。
由于在該下降周期SD2期間的波形和驅(qū)動機構(gòu)，該尋址周期AP和維持周期SP基本上與上述第一子場第1SF相同，因此省略其詳細說明。
最后，在根據(jù)本發(fā)明的等離子顯示設(shè)備中，在子場中的維持放電后清除大量壁電荷的清除周期可被省略，以在該復(fù)位周期之前在放電單元中留下大量壁電荷，從而可利用具有比傳統(tǒng)的電壓電平低的電壓產(chǎn)生建立放電，以改善由于在該復(fù)位周期期間的無光放電而對比度下降的問題。
此外，僅僅在第一子場的復(fù)位周期RP1期間產(chǎn)生強的無光放電，同時，能夠采用比其它子場的復(fù)位周期RP2期間的第一予場的電壓較低的電壓產(chǎn)生建立放電，從而改善對比度和驅(qū)動余量。
尤其是，由于在第一子場之后的子場的復(fù)位周期期間，在預(yù)復(fù)位周期P1中產(chǎn)生半放電，在該放電單元內(nèi)均勻保留有許多壁電荷，以產(chǎn)生更加穩(wěn)定的建立放電。
很顯然，對于本領(lǐng)域技術(shù)人員，可對本發(fā)明作出各種改變和變化，而不會脫離本發(fā)明的精神或范圍。因此，本發(fā)明意在涵蓋附加的權(quán)利要求及其等價物的范圍內(nèi)提供的本發(fā)明的改變和變化。
權(quán)利要求
1.一種等離子顯示設(shè)備，包括利用多個子場驅(qū)動的掃描電極、維持電極和尋址電極，該子場包括一幀中的復(fù)位周期、尋址周期和維持周期的至少一個；其中，將前一個子場的最后維持脈沖施加到該維持電極，同時，在接下來的子場的至少一個子場中，將具有正極性的第一電壓電平的第一電壓電平周期和電壓值逐漸增加的電壓增加周期的建立信號施加到該掃描電極；其中，在施加該建立信號時，將正極性的第二電壓電平施加到該維持電極。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中該前一個子場是一幀的第一子場。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中在該第一電壓電平電壓之后提供該第二電壓電平電壓。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的設(shè)備，其中施加該第一電壓電平電壓的初始時刻和施加該第二電壓電平電壓的初始時刻之間的差異范圍從0.2μs至2μs。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中該第二電壓電平周期與該第一電壓電平周期的一部分以及該電壓增加周期的一部分重疊。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中在前一個子場中的復(fù)位周期的最大電壓電平比該建立信號的最大電壓電平高。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中該建立信號的最大電壓電平比該第一電壓電平高50V至100V。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中，在相同子場的維持周期中，利用該第一電壓電平產(chǎn)生的放電所發(fā)出的光量是利用一次維持放電發(fā)出的光量的一半并更少。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中該第一電壓電平或該第二電壓電平基本上與在該維持周期期間施加的維持脈沖的高電壓電平一致。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中在該建立信號的提供結(jié)束之后，將從預(yù)定電壓逐漸減少至負極性的電壓電平的撤除信號施加到該掃描電極。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的設(shè)備，其中，在該撤除信號的施加時刻前或基本上相同的時刻，將從地電平增加至正極性的電壓電平的電壓施加到該維持電極。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的設(shè)備，其中該正極性的電壓電平基本上與在該維持周期期間施加的維持脈沖的高電壓電平一致。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種等離子顯示設(shè)備及其驅(qū)動方法。由于在該維持周期結(jié)束后、該復(fù)位周期開始之前，壁電荷被保留而不進行額外的清除放電，在該復(fù)位周期期間利用小的電壓可產(chǎn)生建立放電，以獲得該驅(qū)動電壓余量。尤其是，由于在其它子場期間的該復(fù)位周期的最高電壓低于實現(xiàn)低灰度等級的子場的該復(fù)位周期的最高電壓，在其它子場中產(chǎn)生放電前引起半放電，可利用低電壓產(chǎn)生建立放電，以由于亮度輸出減少而改善對比度。
文檔編號G09F9/313GK1941042SQ20061014150
公開日2007年4月4日 申請日期2006年9月28日 優(yōu)先權(quán)日2005年9月28日
發(fā)明者鄭文植, 文寧涉, 權(quán)昶榮 申請人:Lg電子株式會社