專利名稱：驅(qū)動電流驅(qū)動元件的驅(qū)動電路及其方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及驅(qū)動電路。這種驅(qū)動電路的一種具體應(yīng)用是驅(qū)動有機場致發(fā)光元件。
背景技術(shù)：
有機場致發(fā)光(OEL)元件(OEL元件)包括一個夾在陽極層和陰極層之間的發(fā)光材料層。電學(xué)上，這種元件的工作類似于二極管。光學(xué)上，當(dāng)正向加偏壓時它發(fā)出光并且隨著正向偏置電流提高發(fā)射強度。有可能構(gòu)造帶有OEL元件矩陣的顯示屏面，其制造于透明基底上并帶有至少一層的透明電極層。還可能通過使用低溫多晶薄膜晶體管(TFT)技術(shù)把驅(qū)動電路集成在同一塊屏面上。
在用于有源矩陣式OEL顯示器的基本模擬驅(qū)動方式下，每個象素最少需要二個晶體管。圖1中示出這種驅(qū)動方式。設(shè)置晶體管T1以對象素定址并設(shè)置晶體管T2以把數(shù)據(jù)電壓信號Vdata變換成把OEL元件驅(qū)動到指定亮度的電流。當(dāng)象素未被定址時通過存儲電容器Cstorage存儲數(shù)據(jù)信號。盡管在圖中示出了P溝道TFT，該原理同樣可應(yīng)用于采用n溝道TFT的電路。
TFT模擬電路伴有各種問題，從而OEL元件不能象完美二極管那樣工作。然而，發(fā)光材料卻具有相對一致的特性。由于TFT制造技術(shù)的本質(zhì)，在顯示屏面的整個范圍上存在TFT特性的空間變化。TFT模擬電路中最重要的要考慮的問題之一是不同部件之間的閾電壓的變化ΔVT。在非完美二極管特性的加重下，這種變化在OEL顯示器上造成屏面的顯示區(qū)中的不均勻象素亮度，這嚴(yán)重影響圖象質(zhì)量。從而，需要一種用來補償晶體管特性分散的內(nèi)置電路。
圖2中示出的電路是作為一種補償晶體管特性變化的內(nèi)置電路提出的。在該電路中，為定址象素而設(shè)置晶體管T1。晶體管T2起模擬電流控制的作用，以向OEL元件提供驅(qū)動電流。晶體管T3連接在晶體管T2的漏極和柵極之間并且把晶體管T2按二極管或者按飽和方式觸發(fā)。晶體管T4響應(yīng)外加波形VGP充當(dāng)一個開關(guān)。晶體管T1或者晶體管T4之一在任何時刻都可以為ON(導(dǎo)通)。初始地，如圖2的計時圖中示出的時刻t0，晶體管T1和T3為OFF(截止)，而晶體管T4為ON。當(dāng)晶體管T4為OFF時，晶體管T1和T3為ON，并且允許通過晶體管T2使其值已知的電流IDAT流入OEL元件。這是一個編程階段，因為其中用轉(zhuǎn)為ON以短路掉晶體管T2的漏極和柵極的T3測量晶體管T2的閾電壓。這里，在允許該編程電流流過晶體管T1和T2并流入OEL元件的同時，晶體管T2充當(dāng)一個二極管工作。當(dāng)晶體管T3和T1切換到OFF時，通過連接在晶體管T2的柵極端和源極端之間的電容器C1存儲檢測出的晶體管T2的閾電壓。接著通過驅(qū)動波形VGP使晶體管T4轉(zhuǎn)為ON，并且現(xiàn)在由電源VDD提供通過OEL元件的電流。假如晶體管的輸出特性曲線的斜率是平的，對于T2的任何檢測出的并存儲在電容器C1中的閾電壓該再現(xiàn)的電流應(yīng)該和該程控電流相同。然而，通過使晶體管T4轉(zhuǎn)成ON，晶體管T2的漏一源電壓上拉，從而平的輸出特性曲線會把再現(xiàn)電流保持為和該程控電流為相同的電平。請注意圖2中示出的ΔVT2是假想的而不是真實的。它僅用于表示晶體管T2的閾電壓。
理論上在隨后的由圖2中的計時圖里的t2至t5的時間間隔表示的有源編程階段期間提供恒定的電流。再現(xiàn)階段從時刻t6開始。
圖2的電路2的確是對圖1中示出的電路的改進，但是未完全補償控制晶體管的閾值中的變化，并且仍然存在顯示區(qū)中圖象亮度上的變化。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明力圖提供一個改進型的驅(qū)動電路。在對OEL元件的應(yīng)用上，本發(fā)明力圖提供一種改進型的象素驅(qū)動電路，在其中象素驅(qū)動晶體管的閾電壓變化得到進一步的補償，進而在屏面的顯示區(qū)上提供更均勻的象素亮度，從而進而提供改進的圖象質(zhì)量。
依據(jù)本發(fā)明的第一方面提供一種用于電流驅(qū)動元件的驅(qū)動電路，該電路包括第一晶體管；第二晶體管，根據(jù)數(shù)據(jù)信號的數(shù)據(jù)電流確定第一晶體管的第一工作電壓和第二晶體管的第二工作電壓，該第一晶體管是n溝道晶體管，該第二晶體管是p溝道晶體管，提供給該電流驅(qū)動元件的驅(qū)動電流流經(jīng)第一晶體管和第二晶體管。
此外，該驅(qū)動電路還可以包括連接到第一晶體管的第一柵極的第一存儲電容器和連接第二晶體管的第二柵極的第二存儲電容器。第一存儲電容器設(shè)置第一工作電壓，和第二存儲電容器設(shè)置第二工作電壓。第一存儲電容器布置在第一晶體管的第一源極和第一柵極之間，第二存儲電容器布置在第二晶體管的第二源極和第二柵極之間。
另外，電流驅(qū)動元件布置在第一晶體管和第二晶體管之間。第一晶體管和第二晶體管是多晶硅薄膜晶體管。第一晶體管和第二晶體管是彼此很靠近地排列。
此外，該驅(qū)動電路還可以包括第一開關(guān)裝置，該第一開關(guān)裝置控制在數(shù)據(jù)電流的電流源與第一晶體管和第二晶體管之一之間的電連接?；蛘咴擈?qū)動電路還可以包括第一開關(guān)裝置，該第一開關(guān)裝置控制在數(shù)據(jù)電流的電流吸收器(current sink)與第一晶體管和第二晶體管之一之間的電連接。驅(qū)動電路還可以包括第二開關(guān)裝置，該第二開關(guān)裝置控制在第一源極和第一柵極之間的電連接以及控制在第二源極和第二柵極之間的電連接。
本發(fā)明的驅(qū)動電路還可以包括第一開關(guān)晶體管和第二開關(guān)晶體管。第一開關(guān)晶體管布置在第一晶體管的第一漏極和第一晶體管的第一柵極之間，第二開關(guān)晶體管布置在第二晶體管的第二漏極和第二晶體管的第二柵極之間。
此外，驅(qū)動電路還可以包括第三晶體管，該第三晶體管是n溝道晶體管；和第四晶體管，該第四晶體管是p溝道晶體管，電流驅(qū)動元件布置在第三晶體管和第四晶體管之間。優(yōu)選第三晶體管和第四晶體管被同一信號控制。
根據(jù)本發(fā)明第二方面，提供了一種用于電流驅(qū)動元件的驅(qū)動電路，包括存儲電容器；驅(qū)動晶體管，其柵極連接存儲電容器；n溝道晶體管；和p溝道晶體管，通過提供根據(jù)數(shù)據(jù)信號的數(shù)據(jù)電流來由存儲電容器設(shè)置驅(qū)動晶體管的工作電壓，布置在p溝道晶體管和n溝道晶體管之間的電流驅(qū)動元件，和流過電流驅(qū)動元件的驅(qū)動電流流經(jīng)n溝道晶體管、p溝道晶體管和驅(qū)動晶體管。其中n溝道晶體管和p溝道晶體管可以被同一信號控制。
有利地，該電流驅(qū)動元件是場致發(fā)光元件。
該驅(qū)動電路最好還包括分別用于n溝道和p溝道晶體管的相應(yīng)存儲電容器以及相應(yīng)開關(guān)裝置；這些開關(guān)裝置被連接成當(dāng)運行時為各自相應(yīng)的數(shù)據(jù)電壓脈沖建立起至n溝道晶體管和p溝道晶體管的相應(yīng)通路。
有好處地，該驅(qū)動電路還可包括各自的用于在編程階段期間為該n溝道和該p溝道晶體管存儲各自的操作電壓的相應(yīng)存儲電容器；連接成當(dāng)運行時在編程階段期間建立從電流數(shù)據(jù)信號源開始通過該n溝道和該p溝道晶體管以及該電流驅(qū)動元件的第一電流通路的第一開關(guān)裝置；以及連接成當(dāng)運行時在再現(xiàn)階段期間建立通過該n溝道和該p溝道晶體管以及該電流驅(qū)動元件的第二電流通路的第二開關(guān)裝置。
在另一實施例中，第一開關(guān)裝置和電流數(shù)據(jù)信號源連接成當(dāng)運行時為該電流驅(qū)動元件提供電流源。
在一替代實施例中，第一開關(guān)裝置和電流數(shù)據(jù)信號源連接成當(dāng)運行時為該電流驅(qū)動元件提供陷流器(current sink)。
依據(jù)本發(fā)明的第三方面，提供了一種對電流驅(qū)動元件的驅(qū)動電路進行驅(qū)動的驅(qū)動方法，該驅(qū)動方法包括第一步驟，通過提供根據(jù)數(shù)據(jù)信號的數(shù)據(jù)電流來設(shè)置第一晶體管的第一工作電壓和第二晶體管的第二工作電壓；和第二步驟，通過第一晶體管和第二晶體管提供驅(qū)動電流給電流驅(qū)動元件。
其中，在第一步驟中，第一晶體管和第二晶體管作為二極管工作。第一晶體管是n溝道晶體管和第二晶體管是p溝道晶體管，從而組合地運行以控制至該電流驅(qū)動元件的電源電流。
該方法最好還包括設(shè)置分別用于該n溝道和該p溝道晶體管的相應(yīng)存儲電容器并且設(shè)置連接成當(dāng)運行時為各自相應(yīng)的數(shù)據(jù)電壓脈沖建立至該n溝道和該p溝道晶體管的相應(yīng)通路的、從而當(dāng)運行時建立用于該電流驅(qū)動元件的電壓驅(qū)動電路的相應(yīng)開關(guān)裝置。
有好處地，該方法可包括設(shè)置一個編程階段和一個再現(xiàn)階段，在編程階段期間該n溝道和該p溝道晶體管在第一方式下運行并且其中通過該n溝道和該p溝道晶體管以及該電流驅(qū)動元件建立來自電流數(shù)據(jù)信號源的電流通路，并而且其中在相應(yīng)的存儲電容器中分別存儲n溝道晶體管和p溝道晶體管的相應(yīng)運行電壓；而在再現(xiàn)階段中在第二方式下運行并且建立通過該n溝道晶體管和該p溝道晶體管以及該電流驅(qū)動元件的第二電流通路。
有益地，本發(fā)明提供一種包括上面所說明的本發(fā)明方法的控制至場致發(fā)光顯示器的電源電流的方法；其中該電流驅(qū)動元件是場致發(fā)光元件。
依據(jù)本發(fā)明的第四方面，還提供一種包括本發(fā)明的驅(qū)動電路的光電器件以及其電子設(shè)備。所述光電器件可以是有機場致發(fā)光顯示部件。


現(xiàn)只作為另一個示例并參照各

本發(fā)明，附圖中圖1示出使用二個晶體管的常規(guī)OEL元件象素驅(qū)動電路；圖2示出已知的帶有閾電壓補償?shù)碾娏鞒炭豋EL元件驅(qū)動電路；圖3示出一種依據(jù)本發(fā)明的包含一對用來提供閾電壓補償?shù)难a償驅(qū)動晶體管的驅(qū)動電路的概念；圖4示出圖3所示的補償驅(qū)動晶體管對不同閾電壓電平的特征曲線；圖5示出依據(jù)本發(fā)明的第一實施例的設(shè)置成起電壓驅(qū)動電路工作的驅(qū)動電路；圖6a和6b示出依據(jù)本發(fā)明的第二實施例的設(shè)置成按電流程控驅(qū)動電路工作的驅(qū)動電路及其驅(qū)動波形；圖7a和7b示出依據(jù)本發(fā)明的第三實施例的電流程控驅(qū)動電路及其驅(qū)動波形；圖8至11示出對圖6中所示電路的SPICE模擬結(jié)果；圖12是依據(jù)本發(fā)明的一實施例的OEL元件和驅(qū)動器的物理實現(xiàn)的示意剖面圖；圖13是包含本發(fā)明的OEL元件OEL顯示屏面的簡化平面圖。
圖14是包含著具有依據(jù)本發(fā)明的驅(qū)動電路的顯示部件的移動個人計算機的示意圖；圖15是包含著具有依據(jù)本發(fā)明的驅(qū)動電路的顯示部件的移動電話的示意圖；圖16是包含著具有依據(jù)本發(fā)明的驅(qū)動電路的顯示部件的數(shù)碼相機的示意圖；圖17示出本發(fā)明的驅(qū)動電路在磁RAM(隨機存取存儲器)上的應(yīng)用；圖18示出本發(fā)明的驅(qū)動電路在磁RAM上的替代應(yīng)用；以及圖19示出本發(fā)明的驅(qū)動電路在磁阻元件上的應(yīng)用。
具體實施例方式
圖3中示出依據(jù)本發(fā)明的驅(qū)動電路的概念。一個OEL元件連接在二個晶體管T12和T15之間，這二個晶體管組合地對流過該OEL元件的電流起模擬電流控制的作用。晶體管T12是一個p溝道晶體管而晶體管T15是一個n溝道晶體管，從而它們組合地起補償對的作用，用來模擬控制流過該OEL元件的電流。
如前面提到那樣，TFT模擬電路設(shè)計中最重要的參數(shù)之一是閾電壓VT。電路內(nèi)的任何變化ΔVT對整個電路的性能具有明顯影響。閾電壓的變化可看成是該相關(guān)晶體管的源極至漏極電流對柵極至源極電壓的特性曲線的剛性水平偏移，并且是由晶體管柵極處的結(jié)區(qū)電荷造成的。
通過本發(fā)明已經(jīng)認(rèn)識到，由于所采用的制造技術(shù)，在TFT部件矩陣中相鄰的或者相對接近的TFT呈現(xiàn)相同的或幾乎相似的閾電壓值ΔVT的概率高。此外，還認(rèn)識到，p溝道和n溝道TFT上的相同ΔVT的影響是互補的，通過使用一對一個為p溝道TFT和另一個為n溝道TFT的TFT提供對流過OEL元件的驅(qū)動電流的模擬控制可以達到對閾電壓ΔVT中的變化的補償。從而，可以和閾電壓的任何變化無關(guān)地提供驅(qū)動電流。這種概念在圖3中示出。
圖4示出對于晶體管T12和T15的閾電壓的不同電平ΔVT、ΔVT1、ΔVT2漏電流中的變化，該漏極電流是流過圖3中示出的OEL元件的電流。電壓V1、V2和VD是電壓源VDD分別在T12、T15和OEL元件兩端出現(xiàn)的電壓。假定T12和T15具有相同的閾電壓并且假定ΔVT＝0，則流過該OEL元件的電流是由圖4中示出的p溝道晶體管的特性曲線和n溝道晶體管T15的特性曲線的交點給出的。該電流用值I0示出。
現(xiàn)在假定該p溝道和該n溝道晶體管的閾電壓改變到ΔVT1，則OEL元件電流I1由交點B確定。類似地，對于閾電壓中ΔV2的改變，OEL元件電流I2由交點C給出。從圖4中可以看出，即使在閾電壓存在變化的情況下，流過OEL元件的電流的改變是很小的。
圖5示出按電壓驅(qū)動電路配置的象素驅(qū)動電路。該電路包括充當(dāng)補償對的p溝道晶體管T12和n溝道晶體管T15，以便組合地對OEL元件提供模擬電流控制。該電路包括分別和晶體管T12、T15的柵極連接的相應(yīng)存儲電容器C12、C15和相應(yīng)開關(guān)晶體管TA、TB。當(dāng)晶體管TA和TB切換成ON時，在不對該象素定址時將數(shù)據(jù)電壓信號V1和V2分別存儲在存儲電容器C12和C15中。在施加到晶體管TA和TB的柵極的定址信號φ1和φ2的選擇控制下，晶體管TA和TB起旁路門(pass gate)的作用。
圖6示出依據(jù)本發(fā)明的按電流程控OEL元件驅(qū)動電路配置的驅(qū)動電路。和電壓驅(qū)動電路一樣，把p溝道晶體管T12和n溝道晶體管T15連接成對OEL元件起模擬電流控制的作用。對晶體管T12、T15分別設(shè)置相應(yīng)存儲電容器C1、C2以及相應(yīng)開關(guān)晶體管T1、T6。圖6中還示出用于該電路的驅(qū)動波形。晶體管T1、T3、T6中之一或晶體管T4可以在任何時刻為ON。晶體管T1和T6分別連接在晶體管T12和T15的漏極和柵極之間，并且響應(yīng)外加波形VSEL進行開關(guān)，觸發(fā)晶體管T12和T15以充當(dāng)二極管或者充當(dāng)飽和方式下的晶體管。晶體管T3也連接成接收波形VSEL。晶體管T1和T6都是p溝道晶體管以確保饋入這些晶體管的信號幅度相同。這是為了確保在波形VSEL的躍遷期間任何通過OEL元件的尖峰電流保持最小。
圖6中示出的電路以和已知的電流程控象素驅(qū)動電路相似的方式運行之處在于在每個顯示周期中設(shè)置一個編程階段和一個顯示階段，但所具的有附加好處是至OEL元件的驅(qū)動電流由溝道相反的互補晶體管T12和T15來控制。參照圖6中示出的各驅(qū)動波形，該驅(qū)動電路的顯示周期從時刻t0到t6。最初，晶體管T4為ON而晶體管T1、T3和T6為OFF。通過波形VGP在時刻t1晶體管T4轉(zhuǎn)為OFF，并且通過波形VSEL在時刻t3晶體管T1、T3和T6轉(zhuǎn)為ON。在晶體管T1和T6轉(zhuǎn)成ON下，p溝道晶體管T12和互補n溝道晶體管T15以第一模式充當(dāng)二極管。用于該幀周期的驅(qū)動波形可在時刻t2從電流源IDAT得到，并且當(dāng)晶體管T3在時刻t3從ON切換時該驅(qū)動波形由晶體管T3旁路。在電容器C1和C2中存儲檢測出的晶體管T12和T15的閾電壓。在圖6中把它們按假想電壓源ΔVT12和ΔVT15示出。
接著在時刻t4晶體管T1、T3和T6切換成OFF并且在時刻t5晶體管T4切換到ON，從而接著在以第二模式，即飽和晶體管模式，運行的p溝道和n溝道晶體管T12和T15的控制下從源VDD提供通過該OEL元件的電流?？梢岳斫?，由于通過OEL元件的電流是由互補的p溝道和n溝道晶體管T12和T15控制的，這些晶體管中之一閾電壓上的變化由另一個溝道相反的晶體管補償，如前面根據(jù)圖4所說明的那樣。
在圖6中示出的電流程控驅(qū)動電路中，開關(guān)晶體管T3和p溝道晶體管T12連接，且驅(qū)動波形源IDAT起電流源的作用。然而，開關(guān)晶體管T3可以按圖7所示那樣和n溝道晶體管T15連接以作為一種替代，從而IDAT起陷流器的作用。圖7中示出的電路的操作的所有其它方面和圖6中示出的電路相同。
圖8至10示出一種依據(jù)本發(fā)明的改進型象素驅(qū)動電路的SPICE模擬。
參照圖8，圖中示出驅(qū)動波形IDAT、VGP、VSEL和三個用于模擬目的的閾電壓，即-1伏、0伏和+1伏，以示出p溝道和n溝道晶體管的組合對控制通過OEL元件的電流所提供的補償效果。從圖8中可以看出，初始地把閾電壓ΔVT置為-1伏，0.3×10-4秒時把它提高到0伏并在0.6×10-4秒時再提高到+1伏。但是，從圖9中可以看出，即使閾電壓具有這樣的變化，通過OEL元件的驅(qū)動電流相對保持不變。
從圖10中可以更清楚地看出通過OEL元件的驅(qū)動電流的相對穩(wěn)定性，圖10示出圖9中所示的響應(yīng)曲線的放大版本。
從圖10中可以看出，利用0伏的值作為閾電壓ΔVT的基礎(chǔ)，如果閾電壓ΔVT改變到一1伏，則在通過OEL元件的驅(qū)動電流中存在大約1.2％的變化，而如果閾電壓ΔVT改變到+1伏，和閾電壓ΔVT為0伏時的驅(qū)動電流相比驅(qū)動電流約存在1.7％的減小。只出于參考目的示出驅(qū)動電流8.7％的偏差，因為這種偏差可以通過伽瑪校正補償，伽瑪校正是業(yè)內(nèi)人士周知的從而不再結(jié)合到本發(fā)明一起加以贅述。
圖11示出IDAT的電平范圍從0.2μA到0.1μA，通過依據(jù)本發(fā)明使用p溝道和相反的n溝道晶體管保持控制OEL元件驅(qū)動電流的改進。
從上面的說明中可理解，使用一個p溝道晶體管和一個相反的n溝道晶體管以組合地對通過場致發(fā)光部件的驅(qū)動電流加以模擬控制，對在單個p溝道或n溝道晶體管的閾電壓的變化所帶來的效應(yīng)提供了改進的補償。
最好在OEL元件OEL顯示器的制造過程中把TFT n溝道和p溝道晶體管加工成相鄰的或靠近的晶體管，從而使互補的p溝道和n溝道晶體管具有相同的閾電壓ΔVT值的概率最大。還可以通過比較它們的輸出特性曲線來匹配p溝道和n溝道晶體管。
圖12是OEL元件結(jié)構(gòu)中的象素驅(qū)動電路的物理實現(xiàn)的示意剖面圖。在圖12中，數(shù)字132表示空穴注入層，數(shù)字133表示有機EL層，并且數(shù)字151表示保護或隔離結(jié)構(gòu)。薄膜開關(guān)晶體管121以及n溝道型薄膜電流晶體管122采用這種結(jié)構(gòu)并且該工藝通常用于低溫多晶硅薄膜晶體管，例如用于周知的諸如頂柵結(jié)構(gòu)的薄膜晶體管液晶顯示部件中和其中最高溫度為600℃或以下的制造工藝中。不過，也可應(yīng)用其它結(jié)構(gòu)和工藝。
正向定向的有機EL顯示元件131的組成包括用A1構(gòu)成的象素電極115，用ITO構(gòu)成的反向電極116，空穴注入層132以及有機EL層133。在該正向定向有機EL顯示元件131中，該有機EL顯示部件的電流方向可置為從由ITO構(gòu)成的反向電極116到由A1構(gòu)成的象素電極115。
可以利用墨噴印刷法并把保護層151作為象素間的隔離結(jié)構(gòu)來形成空穴注入層132和有機EL層133。可以利用濺射法形成由ITO構(gòu)成的反向電極116。不過，也可以利用其它方法來形成所有的這些部分。
圖13中示意性地示出采用本發(fā)明的完整顯示屏面的典型布局。該屏面包括帶有模擬電流程控象素的有源矩陣OEL元件200，帶有電平移位器的集成TFT掃描驅(qū)動器210，柔性TAB帶220以及帶有集成RAM/控制器的外部模擬驅(qū)動器230。當(dāng)然，這只是其中可使用本發(fā)明的屏面布局的一種可能的例子。
有機EL顯示部件的結(jié)構(gòu)不受本文所說明的這種結(jié)構(gòu)的限制。也可采用其它結(jié)構(gòu)。
本發(fā)明的改進型象素驅(qū)動電路可用于許多類型的設(shè)備中所包含的顯示器件，例如移動顯示器，如移動電話、膝上個人計算機、DVD機、相機、現(xiàn)場設(shè)備；便攜式顯示器，如臺式計算機、CCTV或相冊；或者工業(yè)顯示器如控制室設(shè)備顯示器。
現(xiàn)描述一些使用上述有機場致發(fā)光顯示部件的電子設(shè)備。
<1手提計算機>
現(xiàn)說明其中把依據(jù)上面實施例之一的顯示部件應(yīng)用于手提個人計算機的例子。
圖14是示出個人計算機的配置的立體圖。在該圖中，個人計算機1100帶有包括鍵盤1102和顯示部件1106的機身1104。該顯示部件1106利用依據(jù)如上所述的本發(fā)明制造的顯示屏面得以實現(xiàn)。
<2便攜式電話>
接著，將說明其中把顯示部件應(yīng)用于便攜電話的顯示部分的例子。圖15是示出該便攜電話的配置的立體圖。在該圖中，便攜式電話1200帶有多個操作鍵1202，一個聽筒1204，一個話筒1206和一個顯示屏面100。該顯示屏面100利用依據(jù)如上所述本發(fā)明制造的顯示屏面得以實現(xiàn)。
<3數(shù)碼相機>
接著，說明一種把OEL顯示部件用作為取景器的數(shù)碼相機。圖16是一個示出該數(shù)碼相機的配置和與外部部件的大致連接的立體圖。
典型相機基于來自被攝對象的光圖象感光膠卷，而數(shù)碼相機1300通過例如使用電荷耦合部件(CCD)的光電變換生成來自被攝對象的光圖象的成象信號。數(shù)碼相機1300在機身1302的背面?zhèn)溆蠴EL元件100以進行基于來自CDD的成象信號的顯示。這樣，顯示屏面100充當(dāng)用于顯示被攝對象的取景器。在機身的正面(圖的背后方向)設(shè)置包括光透鏡和CCD的光接收部件1304。
當(dāng)拍攝者確定了OEL元件屏面100中顯示的被攝對象圖象并且按下快門時，來自CCD的圖象信號被傳送并存儲到電路板1308上的存儲器中。在該數(shù)碼相機1300中，在機身1302的一側(cè)設(shè)有用于數(shù)據(jù)通信的視頻信號輸出端子組1312和輸入/輸出端子組1314。如圖中所示，若需要，電視監(jiān)視器1430和個人計算機1440分別和視頻信號端子組1312或輸入/輸出端子組1314連接。在某給定操作下，電路板1308的存儲器中存儲的成象信號輸出到電視監(jiān)視器1430和個人計算機1440。
除了圖14中示出的個人計算機、圖15中示出的便攜電話和圖16中示出的數(shù)碼相機之外的電子設(shè)備的例子還包括OEL元件式電視機，拾景型和監(jiān)視式錄象帶機、汽車導(dǎo)航系統(tǒng)、尋呼機、電子筆記本、便攜計算機、字處理器、工作站、電視電話、銷售點系統(tǒng)(POS)終端以及帶有觸屏的設(shè)備。當(dāng)然，可以把上述的OEL部件應(yīng)用于這些電子設(shè)備的顯示部分。
本發(fā)明的驅(qū)動電路不僅可以設(shè)置在顯示部件的象素中，而且可設(shè)置在顯示部件外部單元的驅(qū)動器中。
在上面，通過參照各種顯示部件說明了本發(fā)明的驅(qū)動電路。本發(fā)明的驅(qū)動電路的應(yīng)用遠(yuǎn)遠(yuǎn)要比只用在顯示部件中廣得多，例如可以包括其在磁阻RAM、電容傳感器、電荷傳感器、DNA傳感器、夜視攝象機以及許多其它部件中的應(yīng)用。
圖17示出本發(fā)明的驅(qū)動電路對磁RAM的應(yīng)用。在圖17中用參考符號MH表示磁頭。
圖18示出本發(fā)明的驅(qū)動電路對磁RAM的一種替代應(yīng)用。在圖18中用參考符號MH表示磁頭。
圖19示出本發(fā)明的驅(qū)動電路對磁阻元件的應(yīng)用。在圖19中磁頭是用參考符號MH表示的，并且用參考符號MR表示磁阻器。
上面的說明只是作為例子給出的，并且應(yīng)能理解到，業(yè)內(nèi)人士可做出各種不背離本發(fā)明的范圍的修改。
權(quán)利要求
1.一種用于驅(qū)動電流驅(qū)動元件的驅(qū)動電路，包括一個n溝道晶體管；一個p溝道晶體管；一個第一開關(guān)晶體管，該第一開關(guān)晶體管與所述n溝道晶體管的柵極耦合；一個第二開關(guān)晶體管，該第二開關(guān)裝置與所述p溝道晶體管的柵極耦合；電流驅(qū)動元件布置在所述n溝道晶體管和所述p溝道晶體管之間。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的驅(qū)動電路，所述n溝道晶體管和所述p溝道晶體管是多晶硅制成的薄膜晶體管。
3.根據(jù)權(quán)利要求1的驅(qū)動電路，所述p溝道晶體管的閾值等于所述n溝道晶體管的閾值。
4.根據(jù)權(quán)利要求1的驅(qū)動電路，進一步包括第一存儲電容器，所述第一存儲電容器與所述n溝道晶體管的柵極耦合；以及第二存儲電容器，所述第二存儲電容器與所述p溝道晶體管的柵極耦合。
5.根據(jù)權(quán)利要求4的驅(qū)動電路，根據(jù)在編程階段由數(shù)據(jù)電流源產(chǎn)生的并流過所述n溝道晶體管和所述p溝道晶體管的數(shù)據(jù)電流，工作電壓存儲在第一存儲電容器和第二存儲電容器中，以及將電平與所述工作電壓對應(yīng)的驅(qū)動電流提供給該電流驅(qū)動元件。
6.一種用于驅(qū)動電流驅(qū)動元件的驅(qū)動電路，包括一個n溝道晶體管；一個p溝道晶體管；一個第一存儲電容器，所述第一存儲電容器與所述n溝道晶體管的柵極耦合；和第二存儲電容器，所述第二存儲電容器與所述p溝道晶體管的柵極耦合；根據(jù)在編程階段由數(shù)據(jù)電流源產(chǎn)生的并流過所述n溝道晶體管和所述p溝道晶體管的數(shù)據(jù)電流，工作電壓存儲在第一存儲電容器和第二存儲電容器中，以及將電平與所述工作電壓對應(yīng)的驅(qū)動電流提供給該電流驅(qū)動元件。
7.根據(jù)權(quán)利要求6的驅(qū)動電路，進一步包括；一個第一開關(guān)晶體管，該第一開關(guān)晶體管控制給所述n溝道晶體管和所述p溝道晶體管提供來自數(shù)據(jù)電流源的數(shù)據(jù)電流。
8.根據(jù)權(quán)利要求6的驅(qū)動電路，所述數(shù)據(jù)電流從所述n溝道晶體管和所述p溝道晶體管流入數(shù)據(jù)電流源。
9.根據(jù)權(quán)利要求6的驅(qū)動電路，所述n溝道晶體管和所述p溝道晶體管的每一個在編程階段充當(dāng)一個二極管。
10.根據(jù)權(quán)利要求6的驅(qū)動電路，進一步包括兩個有源元件，電流驅(qū)動元件連接在所述有源元件之間。
11.根據(jù)權(quán)利要求6的驅(qū)動電路，電流驅(qū)動元件連接在所述n溝道晶體管和所述p溝道晶體管之間。
12.根據(jù)權(quán)利要求6的驅(qū)動電路，所述電流驅(qū)動元件是有機場致發(fā)光元件。
13.一種有機場致發(fā)光器件，包括根據(jù)權(quán)利要求1或6的驅(qū)動電路。
14.一種包括根據(jù)權(quán)利要求13的有機場致發(fā)光器件的電子設(shè)備。
15.一種驅(qū)動電路，包括一個電流驅(qū)動元件；和兩個晶體管，兩個晶體管通過電流驅(qū)動元件耦合，兩個晶體管的每一個的柵極與一個電容器耦合。
16.一種包括根據(jù)權(quán)利要求15的驅(qū)動電路的電光裝置。
17.一種包括根據(jù)權(quán)利要求16的電光裝置的電子設(shè)備。
全文摘要
一種包括按互補晶體管對連接的一個p溝道晶體管和一個n溝道晶體管的驅(qū)動電路，用于為最好是有機場致發(fā)光元件(OEL元件)的電流驅(qū)動元件提供驅(qū)動電流的模擬控制。這些溝道相反的晶體管補償閾電壓中的任何變化ΔV
文檔編號G09G3/30GK1877680SQ200610100590
公開日2006年12月13日 申請日期2001年7月9日 優(yōu)先權(quán)日2000年7月7日
發(fā)明者S·譚 申請人:精工愛普生株式會社