專利名稱：等離子顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及等離子顯示面板，尤其涉及改進驅(qū)動等離子顯示面板的尋址電極的等離子顯示裝置。
背景技術(shù)：
一般的等離子顯示面板的前面板和后面板之間形成的隔壁形成一個單元，各個單元內(nèi)注進氖(Ne)，氦(He)或氖及氦的混合體(Ne+He)之類的周期性放電氣體和少量氙的惰性氣體。因高頻率電壓放電時，惰性氣體會產(chǎn)生真空紫外線(Vacuum Ultraviolet rays)，使隔壁間形成的熒光體發(fā)光而顯示畫面。這樣的等離子顯示面板又薄又輕而作為下一代顯示裝置倍受歡迎。
圖1是一般等離子顯示面板的結(jié)構(gòu)圖。
如圖1所示，等離子顯示面板是以顯示畫面的前面基板101上，掃描電極(Y)102和維持(Sustain)電極(Z)103成對形成的復(fù)數(shù)維持電極對排列組成的前面板100及構(gòu)成背面的后基板111上，與前述的復(fù)數(shù)維持電極對相交叉，與排列著復(fù)數(shù)尋址電極(X)113的后面板110隔一定距離平行結(jié)合。
前基板100以使一個放電單元內(nèi)相互放電并維持發(fā)光的掃描電極(Y)102及維持(Sustain)(Z)103，即，具備透明ITO物質(zhì)形成的透明電極(a)和金屬材質(zhì)制作的總線電極(b)的掃描電極(Y)102及維持(Sustain)電極(Z)103成雙形成。掃描電極(Y)及維持(Sustain)電極(Z)限制放電電流，而且上面覆蓋著一層以上介電質(zhì)層104保持電極對間的絕緣，上部介電質(zhì)層104上面形成著便于放電條件的氧化鎂(MgO)膜的保護層105。
后基板110以復(fù)數(shù)個放電空間即，形成放電單元的條紋型(或井型)的隔壁112維持平行排列著。并且執(zhí)行尋址放電產(chǎn)生真空紫外線的多數(shù)尋址電極(X)113與隔壁112平行。后面板110的上面涂抹尋址放電時釋放顯示畫面的可視光線R，G，B熒光體114。尋址電極(X)和熒光體114之間形成保護尋址電極(X)的下部介電質(zhì)層115。
這樣結(jié)構(gòu)的等離子面板和如圖2提供驅(qū)動波形的驅(qū)動裝置相結(jié)合構(gòu)成等離子顯示裝置。這樣的驅(qū)動裝置所提供的現(xiàn)有驅(qū)動波形如圖2。
圖2是根據(jù)現(xiàn)有等離子顯示面板的驅(qū)動方法的驅(qū)動波形圖。
如圖2所示，等離子顯示面板的驅(qū)動分為，將所有單元初始化的復(fù)位區(qū)間，選擇放電單元的尋址區(qū)間，維持選定的單元放電的維持區(qū)間及消除放電單元內(nèi)的壁電荷的消除區(qū)間。
在復(fù)位區(qū)間的設(shè)置區(qū)間，在所有掃描電極上同時輸入上升波形(Ramp-up)。根據(jù)這樣的上升波形，在整個放電單元內(nèi)產(chǎn)生微弱的無光放電(Dark Discharge)。因這種設(shè)置放電，尋址電極和維持電極上會堆積陽極性壁電荷，掃描電極上堆積陰極性壁電荷。
上升(Set down)區(qū)間，提供上升波形后，從低于上升波形最高電壓的陽極性電壓開始下降，降到低于接地(GND)水平的特定電壓水平的下降波形(Ramp-down)在單元內(nèi)產(chǎn)生微弱的消除放電，充分消除掃描電極上過度堆積的壁電荷。根據(jù)這樣的set down放電，放電單元內(nèi)殘留均勻的壁電荷，使尋址放電穩(wěn)定進行。
在尋址區(qū)間，掃描電極上依次輸入陰極性掃描脈沖，同時，與掃描脈沖同步進行，尋址電極上輸入陽極性數(shù)據(jù)脈沖。這樣的掃描脈沖和數(shù)據(jù)脈沖的電壓差，再加上復(fù)位(reset)區(qū)間所發(fā)生的壁電壓，在輸入數(shù)據(jù)脈沖的放電單元內(nèi)發(fā)生尋址放電。根據(jù)尋址放電所選定的單元內(nèi)輸入維持(Sustain)電壓(Vs)時，形成引起放電程度的壁電荷。在set down區(qū)間和尋址區(qū)間為了減少和掃描電極的電壓差，防止與掃描電極發(fā)生誤放電，提供的是陽極性電壓(Vz)。
在維持(Sustain)區(qū)間，掃描電極和維持(Sustain)電極上輪流輸入維持(Sustain)脈沖(Sus)。根據(jù)尋址放電被選定的單元內(nèi)壁電壓上追加維持(Sustain)脈沖，每當輸入維持(Sustain)脈沖時，在掃描電極和維持(Sustain)電極之間產(chǎn)生維持(Sustain)放電即表示(Display)放電。
維持(Sustain)放電結(jié)束后，在消除區(qū)間，維持(Sustain)電極上提供脈沖幅度和電壓水平低的消除斜坡波形(Ramp-ers)，消除整個畫面單元內(nèi)殘留的壁電荷。
這樣的驅(qū)動波形的尋址區(qū)間，給尋址電極(X)提供數(shù)據(jù)電壓(Va)的數(shù)據(jù)脈沖的驅(qū)動裝置，參照圖3。
圖3是說明現(xiàn)有的驅(qū)動波形中，在尋址區(qū)間驅(qū)動尋址電極的等離子顯示裝置的一部分的圖。
如圖3，提供數(shù)據(jù)電壓(Va)的數(shù)據(jù)電源和提供接地電壓(GND)的基礎(chǔ)電源之間包含Top開關(guān)(Qt1，Qt2，Qt3)和Bottom開關(guān)(Qb1，Qb2，Qb3)。樣的Top開關(guān)(Qt1，Qt2，Qt3)和Bottom開關(guān)(Qb1，Qb2，Qb3)驅(qū)動和控制等離子顯示面板的尋址電極(X)工作。
這些Top開關(guān)(Qt1，Qt2，Qt3)和Bottom開關(guān)(Qb1，Qb2，Qb3)各一個組合在一起構(gòu)成數(shù)據(jù)驅(qū)動集回路(Data Drive IC)。即，Qt1 Top開關(guān)和Qb1 Bottom開關(guān)構(gòu)成符號300的數(shù)據(jù)驅(qū)動集成回路，此符號為300的數(shù)據(jù)驅(qū)動集成回路連接到等離子顯示面板的復(fù)數(shù)個尋址電極(X)中的Xa尋址電極。以這樣的方式符號為301的數(shù)據(jù)驅(qū)動集成電路連接到Xb尋址電極，符號為302的數(shù)據(jù)驅(qū)動集成電路是連接到Xc尋址電極。
這樣的現(xiàn)有等離子顯示裝置的動作方式可參照如圖4。
圖4是說明現(xiàn)有的等離子顯示裝置動作的流程圖。
如圖4所示，在尋址區(qū)間符號為300的數(shù)據(jù)驅(qū)動集成電路的Qt1 Top開關(guān)開啟(Turn On)的話，從數(shù)據(jù)電源的數(shù)據(jù)電壓(Va)通過所述的Qt1 Top開關(guān)提供到Xa尋址電極，如圖4，Xa尋址電極電壓上升到Va并維持。
之后，符號為300數(shù)據(jù)驅(qū)動集成電路的Qt1 Top開關(guān)關(guān)閉(Turn Off)，Qb1Bottom開關(guān)開啟的話，Xa尋址電極電壓是接地電壓(GND)。即，Top開關(guān)(Qt1)和Bottom開關(guān)(Qb1)輪流動作，給Xa尋址電極提供數(shù)據(jù)電壓(Va)的數(shù)據(jù)脈沖。
這樣的提供數(shù)據(jù)脈沖的配電(Switching)動作同樣適用與301數(shù)據(jù)驅(qū)動集成電路及302數(shù)據(jù)驅(qū)動集成電路。
這樣的圖3所示的等離子顯示裝置需要相對多的尋址區(qū)間驅(qū)動尋址電極(X)的配電元件。即，一個尋址電極需要兩個以上的配電元件。
另外，所述的配電元件一般由場效應(yīng)晶體管(Field Effect TransistorFET)構(gòu)成。這樣的場效應(yīng)晶體管成本相對高，因此造成圖3所示的現(xiàn)有等離子顯示裝置的制造成本上升。
并且，如圖3所示，使用在現(xiàn)有的等離子顯示裝置的配電(Switching)元件的耐壓特性相對高，即，具有能夠承受接地電壓(GND)和數(shù)據(jù)電壓(Va)之差的耐壓特性高。例如，假設(shè)所述的數(shù)據(jù)電壓(Va)為60V時，圖3的配電(Switching)元件都具有至少能夠承受60V的耐壓特性。這樣，耐壓特性較高的配電(Switching)元件的單價相對高，同時增加等離子顯示裝置的制造單價。

發(fā)明內(nèi)容
為了解決這樣的問題，本發(fā)明的目的是提供一種減少驅(qū)動裝置的開關(guān)元件數(shù)量的等離子顯示面板，并且，可以減低開關(guān)元件的耐壓特性。
本發(fā)明的目的是通過以下技術(shù)方案來實現(xiàn)的一種等離子顯示裝置，其特在于它包括，連接在等離子顯示面板的尋址電極(X)，通過設(shè)定轉(zhuǎn)換，將接收到的電壓提供到上述尋址電極的驅(qū)動電壓提供開關(guān)；控制從提供數(shù)據(jù)電壓(Va)的數(shù)據(jù)電壓源到上述驅(qū)動電壓提供開關(guān)的數(shù)據(jù)電壓控制開關(guān)；控制提供接地電壓(GND)的接地電壓源到上述驅(qū)動電壓提供開關(guān)的接地電壓控制開關(guān)；及控制提供偏置電壓(Vb)的偏置電壓源到上述驅(qū)動電壓提供開關(guān)的偏置電壓控制開關(guān)。
本發(fā)明中，所述驅(qū)動電壓提供開關(guān)其特征為，它和數(shù)據(jù)電壓提供控制開關(guān)，接地電壓提供控制開關(guān)及偏置電壓提供控制開關(guān)獨立，組成一個模塊(Module)。并且，所述的module其特征為，它是數(shù)據(jù)驅(qū)動集成回路(Data Drive IC)。
并且，其特征為，驅(qū)動電壓提供開關(guān)上的電壓是通過數(shù)據(jù)電壓提供控制開關(guān)所提供的數(shù)據(jù)電壓(Va)和通過偏置電壓提供開關(guān)所提供的偏置電壓(Vb)之差。
并且，其特征為，數(shù)據(jù)電壓提供控制開關(guān)和接地電壓提供控制開關(guān)和電壓提供控制開關(guān)是和驅(qū)動電壓提供開關(guān)共同連接。
并且，其特征為，接地電壓提供控制開關(guān)在尋址區(qū)間維持關(guān)閉(Turn Off)狀態(tài)。
并且，其特征為，數(shù)據(jù)電壓提供控制開關(guān)和偏置電壓提供控制開關(guān)中，一個關(guān)閉狀態(tài)時，另一個是開啟(Turn On)狀態(tài)，數(shù)據(jù)電壓提供控制開關(guān)和偏置電壓提供控制開關(guān)中一個是開啟狀態(tài)時，另一個是關(guān)閉狀態(tài)。
并且，其特征為，數(shù)據(jù)電壓提供控制開關(guān)在連接驅(qū)動電壓提供開關(guān)的尋址電極上提供數(shù)據(jù)電壓的數(shù)據(jù)電壓提供區(qū)間是開啟狀態(tài)，偏置電壓提供控制開關(guān)在數(shù)據(jù)電壓提供區(qū)間之間的休止區(qū)間是開啟狀態(tài)。
并且，其特征為，連接在驅(qū)動電壓提供開關(guān)的尋址電極是在尋址區(qū)間，數(shù)據(jù)電壓提供控制開關(guān)關(guān)閉狀態(tài)時，維持偏置電壓(Vb)。
并且，其特征為，連接在驅(qū)動電壓提供開關(guān)的尋址電極在尋址區(qū)間數(shù)據(jù)電壓提供控制開關(guān)關(guān)閉狀態(tài)時，在大于接地電壓(GND)，小于數(shù)據(jù)電壓(Va)之間變動(Floating)。
并且，其特征為，驅(qū)動電壓提供開關(guān)是復(fù)數(shù)個，復(fù)數(shù)個驅(qū)動電壓提供開關(guān)是各自連接在不同的尋址電極，數(shù)據(jù)電壓提供控制開關(guān)和接地電壓提供控制開關(guān)和偏置電壓提供控制開關(guān)是和復(fù)數(shù)個驅(qū)動電壓提供開關(guān)共同連接的。
并且，其特征為，復(fù)數(shù)個驅(qū)動電壓提供開關(guān)獨立于各個數(shù)據(jù)電壓提供控制開關(guān)，接地電壓提供控制開關(guān)及偏置電壓提供控制開關(guān)，單獨構(gòu)成一個模塊(Module)。
并且，其特征為，各個模塊(Module)是數(shù)據(jù)驅(qū)動集成電路(Data DriveIC)。
并且，其特征為，驅(qū)動電壓提供開關(guān)是以場效應(yīng)晶體管(Field EffectTransistorFET)構(gòu)成，所述的場效應(yīng)晶體管內(nèi)部二極管正極(Anode)端是尋址電極方向，負極(Cathode)是所述的數(shù)據(jù)電壓提供控制開關(guān)方向。
并且，其特征為，通過偏置電壓提供控制開關(guān)所提供的偏置電壓(Vb)在尋址區(qū)間具有不發(fā)生尋址放電的電壓值。
并且，其特征為，偏置電壓(Vb)值是大于接地電壓(GND)，小于數(shù)據(jù)電壓。
并且，其特征為，偏置電壓(Vb)值是大于0V，小于60V。
并且，其特征為，偏置電壓(Vb)值是大于0V，小于30V。
并且，其特征為，偏置電壓(Vb)值是數(shù)據(jù)電壓(Va)的0.5倍。
本發(fā)明等離子顯示裝置，可以減少驅(qū)動尋址電極的驅(qū)動裝置配電(swiching)元件，通過降低耐壓特性來減少制造成本。
四

圖1是一般等離子顯示裝置面板的結(jié)構(gòu)圖。
圖2是現(xiàn)有的等離子顯示面板的驅(qū)動方法的驅(qū)動波形圖。
圖3是說明現(xiàn)有的驅(qū)動波形中，驅(qū)動尋址區(qū)間，驅(qū)動尋址電極的等離子顯示裝置的確一部分的圖。
圖4是說明現(xiàn)有等離子顯示裝置動作的動作Timing的圖。
圖5a至圖5b是說明本發(fā)明的等離子顯示裝置的第一實施例的圖。
圖6是說明圖5b的本發(fā)明等離子顯示裝置動作的動作Timing的圖。
圖7a至圖7b是說明本發(fā)明的等離子顯示裝置的第二實施例的圖。
圖8是說明圖7b的本發(fā)明等離子顯示裝置動作的動作Timing的圖。
附圖主要標記說明501數(shù)據(jù)電壓提供控制開關(guān)502偏置電壓提供控制開關(guān)503接地電壓提供控制開關(guān)500a，500b，500c驅(qū)動電壓提供開關(guān)五具體實施方式
下面，根據(jù)附圖和實施例詳細說明本發(fā)明。
第1實施例圖5a至圖5b是說明本發(fā)明等離子顯示裝置的第1實施例的圖。
首先，如圖5a，本發(fā)明的等離子顯示裝置的第1實施例包括驅(qū)動電壓提供開關(guān)500和，數(shù)據(jù)電壓提供控制開關(guān)501，S1，接地電壓提供控制開關(guān)503，S3及偏置電壓提供控制開關(guān)502，S2。
所述的數(shù)據(jù)電壓提供控制開關(guān)501，S1控制提供數(shù)據(jù)電壓(Va)的數(shù)據(jù)電源向所述的驅(qū)動電壓提供開關(guān)500的數(shù)據(jù)電壓(Va)。即，數(shù)據(jù)電壓提供控制開關(guān)501開啟(Turn On)時，所述的驅(qū)動電壓提供開關(guān)500上提供數(shù)據(jù)電壓(Va)，關(guān)閉(TurnOff)狀態(tài)時，所述的驅(qū)動電壓提供開關(guān)500上的數(shù)據(jù)電壓(Va)提供被中斷。
接地電壓提供控制開關(guān)503控制提供接地電壓(GND)的基礎(chǔ)電源向所述的驅(qū)動電壓開關(guān)500的接地電壓(GND)的提供。即，接地電壓提供控制開關(guān)503開啟(TurnOn)時，向所述的驅(qū)動電壓提供開關(guān)500上提供接地電壓(GND)，關(guān)閉(Turn Off)時，所述的驅(qū)動電壓提供開關(guān)500上所提供的接地電壓(GND)被中斷。
偏置電壓提供控制開關(guān)502是控制提供偏置電壓(Vb的偏置電源向所述的驅(qū)動電壓提供開關(guān)500所提供的偏置電壓(Vb)的提供。即，偏置電壓提供控制開關(guān)502開啟(Turn On)時，向所述的驅(qū)動電壓提供開關(guān)500提供偏置電壓(Vb)，關(guān)閉(Turn Off)時，中斷向所述的驅(qū)動電壓提供開關(guān)500的偏置電壓(Vb)的提供。這樣，通過偏置電壓提供控制開關(guān)502所提供的偏置電壓(Vb)值最好是適合在尋址區(qū)間不發(fā)生尋址放電的的電壓值。即，所述的通過數(shù)據(jù)電壓提供控制開關(guān)501所提供的數(shù)據(jù)電壓(Va)值是在尋址區(qū)間放電單元內(nèi)能夠引起尋址放電，例如在掃描電極(Y)和尋址電極(X)之間能夠引起尋址放電的電壓值，但通過所述的偏置電壓控制開關(guān)502所提供的偏置電壓(Vb)是小于所述的數(shù)據(jù)電壓(Va)，它的電壓值正適合于在尋址區(qū)間的放電單元內(nèi)不發(fā)生尋址放電，例如不發(fā)生掃描電極(Y)和尋址電極(X)之間的尋址放電。
這樣的偏置電壓(Vb)值設(shè)置為大于接地電壓(GND)，小于所述的數(shù)據(jù)電壓(Va)。這偏置電壓(Vb)最好大于0V，小于60V。尤其是這偏置電壓(Vb)值大于0V，小于30V為佳。
并且，這樣的偏置電壓(Vb)值是數(shù)據(jù)電壓(Va)的0.5倍為佳。
所述的驅(qū)動電壓開關(guān)500是連接在等離子顯示面板的尋址電極(X)，對接受到的電壓進行配電(Switching)提供到尋址電極(X)。即，從所述的數(shù)據(jù)電壓提供控制開關(guān)501，S1提供數(shù)據(jù)電壓(Va)，驅(qū)動電壓提供開關(guān)500向所連接的尋址電極(X)提供數(shù)據(jù)電壓(Va)。
這樣的驅(qū)動電壓提供開關(guān)500，Q是在第1節(jié)點(node)和數(shù)據(jù)電壓控制開關(guān)501，S1和接地電壓提供控制開關(guān)503，S3和偏置電壓提供控制開關(guān)502，S2共同連接。
并且，為了控制的容易性，這樣的驅(qū)動電壓提供開關(guān)500以場效應(yīng)晶體管(Field Effect TransistorFET)組成為佳。這里，場效應(yīng)晶體管內(nèi)部二極管(D)的正極(Anode)端子是等離子顯示面板(X)方向，負極(Cathode)是數(shù)據(jù)電壓提供控制開關(guān)501方向為佳。驅(qū)動電壓提供開關(guān)500內(nèi)部二極管(D)方向這樣設(shè)置的理由通過之后的本發(fā)明等離子顯示裝置的動作說明中更加明確表達。
所述的驅(qū)動電壓提供開關(guān)500，Q最好是和數(shù)據(jù)電壓提供控制開關(guān)501，S1，接地電壓提供控制開關(guān)503，S3及偏置電壓提供控制開關(guān)502，S2相獨立，單獨構(gòu)成一個模塊(Module)。即，這樣的驅(qū)動電壓提供開關(guān)500，Q是一個數(shù)據(jù)驅(qū)動集成電路(Data Drive IC)，和其他開關(guān)元件是相獨立的。
從結(jié)果來看，如圖5a，本發(fā)明的等離子顯示裝置比圖3的現(xiàn)有等離子顯示裝置減少了構(gòu)成數(shù)據(jù)驅(qū)動集成電路的開關(guān)元件。即，構(gòu)成現(xiàn)有的數(shù)據(jù)驅(qū)動集成電路的開關(guān)元件是如圖3所示，以Top開關(guān)(Qt1，Qt2，Qt3)和Bottom開關(guān)(Qb1，Qb2，Qb3)構(gòu)成，而本發(fā)明是如圖5a所示，構(gòu)成數(shù)據(jù)驅(qū)動集成電路的開關(guān)元件只有驅(qū)動電壓提供開關(guān)500，Q一個。
在這里，所述的圖5a的驅(qū)動電壓提供開關(guān)500，Q是和現(xiàn)有的圖3中構(gòu)成數(shù)據(jù)驅(qū)動集成電路的開關(guān)元件中的Top開關(guān)(Qt1，Qt2，Qt3)同樣的開關(guān)元件為佳。換句話來說，圖5a所示的本發(fā)明等離子顯示裝置的數(shù)據(jù)驅(qū)動集成電路可以說是在圖3中所示的現(xiàn)有等離子顯示裝置的數(shù)據(jù)驅(qū)動集成電路中省略Bottom開關(guān)(Qb1，Qb2，Qb3)的結(jié)構(gòu)。
在本發(fā)明中，所述的驅(qū)動電壓提供開關(guān)500，Q所載有的電壓值是通過數(shù)據(jù)電壓提供控制開關(guān)501，S1所提供的數(shù)據(jù)電壓(Va)和通過偏置電壓提供控制開關(guān)502，S2所提供的偏置電壓(Vb)之差。本發(fā)明的數(shù)據(jù)驅(qū)動集成電路上載有比如圖3所示的現(xiàn)有驅(qū)動集成電路上載有的數(shù)據(jù)電壓小的電壓。
如上述介紹，本發(fā)明的等離子顯示能夠減少構(gòu)成數(shù)據(jù)驅(qū)動集成電路的開關(guān)元件數(shù)量，并且減少數(shù)據(jù)驅(qū)動集成電路所載有的電壓，來降低等離子顯示裝置的制造成本。
另外，在圖5a針對數(shù)據(jù)電壓提供控制開關(guān)501，偏置電壓提供控制開關(guān)502，接地電壓提供控制開關(guān)503上只連接一個驅(qū)動電壓提供開關(guān)500的情況。但，這些數(shù)據(jù)電壓提供控制開關(guān)501，偏置電壓提供控制開關(guān)502，接地電壓提供控制開關(guān)503上可以連接復(fù)數(shù)個驅(qū)動電壓提供開關(guān)500。具體如圖5b。
先聲明，在圖5b說明中省略如圖5a，重復(fù)的說明。
如圖5b，區(qū)別與所述的圖5a，數(shù)據(jù)電壓提供控制開關(guān)501，偏置電壓提供控制開關(guān)502，接地電壓提供控制開關(guān)503上連接復(fù)數(shù)個驅(qū)動電壓提供開關(guān)500。例如，如圖5b，3個驅(qū)動電壓提供開關(guān)(500a，500b，500c)在第1節(jié)點和數(shù)據(jù)電壓提供控制開關(guān)501，偏置電壓提供控制開關(guān)502，接地電壓提供控制開關(guān)503共同連接。還有，各個驅(qū)動電壓提供開關(guān)(500a，500b，500c)各自和不同的尋址電極(X)連接。即，驅(qū)動電壓提供開關(guān)500和Xa尋址電極連接，驅(qū)動電壓提供開關(guān)500是和Xb尋址電極，驅(qū)動電壓提供開關(guān)和Xc尋址電極連接。
并且，這樣的復(fù)數(shù)的驅(qū)動電壓提供開關(guān)(500a，500b，500c)為了控制的容易性，以各個場效應(yīng)晶體管(Field Effect TransistorFET)組成，這樣的場效應(yīng)晶體管內(nèi)部二極管(Da，Db，Dc)的各個正極(Anode)端子是等離子顯示面板的尋址電極(X)方向，負極(Cathode)是數(shù)據(jù)電壓提供控制開關(guān)(501)方向為佳。
這里，所述的復(fù)數(shù)驅(qū)動電壓提供開關(guān)(500a，Qa)，(500b，Qb)，(500c，Qc)是和各個數(shù)據(jù)電壓提供控制開關(guān)501，S1，接地電壓提供控制開關(guān)503，S3及偏置電壓提供控制開關(guān)502，S2相獨立，單獨構(gòu)成一個模塊(Module)為佳。即，這樣的驅(qū)動電壓提供開關(guān)(500a，Qa)，(500b，Qb)，(500c，Qc)是一個數(shù)據(jù)驅(qū)動集成電路(Data Drive IC)獨立與其他開關(guān)元件。
如圖5b，連接在尋址(X)的開關(guān)元件，即，驅(qū)動電壓提供開關(guān)(500a，500b，500c)數(shù)量從現(xiàn)有的圖3所示的2個減少到1個，減少整個等離子顯示裝置上所使用的開關(guān)元件數(shù)量，減少制造成本。例如，等離子顯示面板上形成的尋址電極總共100個時，如圖3現(xiàn)有的等離子顯示裝置為了驅(qū)動這個100個尋址電極，至少需要200個開關(guān)元件，但如圖5，本發(fā)明的等離子顯示裝置是以100個各自連接在尋址電極的一個個驅(qū)動電壓提供開關(guān)(500a，500b，500c)50個，數(shù)據(jù)電壓提供控制開關(guān)(501，S1)1個，偏置電壓提供控制開關(guān)(502，S2)1個，還有接地電壓提供控制開關(guān)(503，S3)1個，總共53個開關(guān)元件來驅(qū)動100個尋址電極。
這樣的本發(fā)明等離子顯示裝置的第1實施例的動作和圖6相結(jié)合看，如下這里的本發(fā)明等離子顯示裝置的第1實施例子中，只針對具有復(fù)數(shù)個驅(qū)動電壓提供開關(guān)(500a，500b，500c)的圖5b的情況進行說明。之所以只舉5b的例子，是因為圖5b是包含圖5a的情況。
圖6是為了說明圖5b的本發(fā)明等離子顯示裝置的動作，表示動作的流程圖。圖6對等離子顯示裝置驅(qū)動時，向?qū)ぶ冯姌O(X)所提供的特定數(shù)據(jù)Pattern進行圖解并說明。在此聲明，這只是為了對本發(fā)明的說明方便，本發(fā)明的等離子顯示裝置不局限與圖6所示的數(shù)據(jù)pattern的來動作。
如圖，在尋址區(qū)間，給Xa尋址電極及Xc尋址電極上輸入數(shù)據(jù)電壓(Va)的數(shù)據(jù)脈沖時，數(shù)據(jù)電壓提供控制開關(guān)501，S1是開啟狀態(tài)，偏置電壓提供控制開關(guān)502，S2是維持關(guān)閉狀態(tài)，接地電壓提供控制開關(guān)503，S3是關(guān)閉狀態(tài)。在這樣的狀態(tài)下，驅(qū)動電壓提供開關(guān)500a和驅(qū)動電壓提供開關(guān)500c將開啟，驅(qū)動電壓提供開關(guān)500b維持關(guān)閉狀態(tài)。
隨之，數(shù)據(jù)電源提供的數(shù)據(jù)電壓(Va)是經(jīng)過數(shù)據(jù)提供控制開關(guān)501，S1和驅(qū)動電壓提供開關(guān)500a及500c提供到Xa尋址電極和Xc尋址電極。這樣，Xa尋址電極和Xc尋址電極上提供數(shù)據(jù)電壓(Va)的數(shù)據(jù)脈沖。這時，Xa尋址電極和Xc尋址電極上的相應(yīng)的放電單元被選址(Addressing)。
這樣，向?qū)ぶ冯姌O(X)上提供數(shù)據(jù)電壓(Va)的區(qū)間叫做數(shù)據(jù)電壓提供區(qū)間(d1)。即，這些數(shù)據(jù)電壓提供控制開關(guān)501，S1是連接驅(qū)動電壓提供開關(guān)(500a，500b，500c)的尋址電極(Xa，Xb，Xc)上提供數(shù)據(jù)電壓的數(shù)據(jù)電壓提供(d1)開啟的。
之后，如圖6，將數(shù)據(jù)電壓(Va)的數(shù)據(jù)脈沖提供到Xb尋址電極的情況下，之前需要對輸入過數(shù)據(jù)電壓(Va)的Xa尋址電極及Xc尋址電極進行初始化，使穩(wěn)定選址(addressing)。
為了Xa尋址電極及Xc尋址電極的初始化，接地電壓提供控制開關(guān)503，S3維持關(guān)閉的狀態(tài)下，關(guān)閉數(shù)據(jù)電壓提供控制開關(guān)501，S1，開啟偏置電壓提供控制開關(guān)502，S2。這樣，如圖5b第一節(jié)點(n1)的電壓成偏置電源所提供的偏置電壓(Vb)。
這樣，第1節(jié)點(node)的電壓變成偏置電壓(Vb)時，Xa尋址電極及Xc尋址電極電壓是數(shù)據(jù)電壓(Va)，因此Xa尋址電極及Xc尋址電極電壓比第1節(jié)點(node)(n1)電壓更高。
這里，所述的驅(qū)動電壓提供開關(guān)500a和驅(qū)動電壓提供開關(guān)500c內(nèi)部二極管(Da，Dc)的方向是從尋址電極(Xa，Xc)到第1節(jié)點(n1)的順方向。換句話來說，這樣的內(nèi)部二極管(Da，Dc)的正極(Anode)向著尋址電極(X)，負極(Cathode)向著數(shù)據(jù)電壓提供控制開關(guān)501，S1，因此，經(jīng)過這樣的內(nèi)部二極管(Da，Dc)，所述的Xa尋址電極和Xc尋址電極的電壓轉(zhuǎn)換成偏置電壓(Vb)。
這樣，偏置電壓(Vb)是根據(jù)所述的驅(qū)動電壓提供開關(guān)(500a，500b，500c)的內(nèi)部二極管(Da，Db，Dc)設(shè)置尋址電極(X)電壓，因此驅(qū)動電壓提供開關(guān)500a，驅(qū)動電壓提供開關(guān)500b及驅(qū)動電壓提供開關(guān)500c是開啟或關(guān)閉狀態(tài)都無所謂。為了表示驅(qū)動電壓提供開關(guān)500a，驅(qū)動電壓提供開關(guān)500b及驅(qū)動電壓提供開關(guān)500c的開啟或關(guān)閉狀態(tài)無所謂，圖6中用方格內(nèi)X來表示的。
為了輸入數(shù)據(jù)脈沖的尋址電極(X)進行初始化，尋址電極(X)上停止輸入數(shù)據(jù)電壓(Va)數(shù)據(jù)脈沖的區(qū)間叫做休止區(qū)間(d2)。休止區(qū)間(d2)之后是尋址電極(X)上輸入數(shù)據(jù)電壓(Va)的數(shù)據(jù)脈沖的數(shù)據(jù)電壓提供區(qū)間(d3)。
在數(shù)據(jù)電壓提供區(qū)間(d3)，尋址區(qū)間的Xb電極上輸入數(shù)據(jù)電壓(Va)的數(shù)據(jù)脈沖時，開啟數(shù)據(jù)電壓提供控制開關(guān)501，S1，關(guān)閉偏置電壓提供控制開關(guān)502，S2，接地電壓提供控制開關(guān)503，S3保持關(guān)閉狀態(tài)。在這里所述的接地電壓提供開關(guān)(503，S3)在尋址區(qū)間一直保持關(guān)閉狀態(tài)。
在這樣的狀態(tài)下，驅(qū)動電壓提供開關(guān)500b、Qb開啟，驅(qū)動電壓提供開關(guān)500a、Qa和驅(qū)動電壓提供開關(guān)500c、Qc是關(guān)閉。
隨之，數(shù)據(jù)電源所提供的數(shù)據(jù)電壓(Va)經(jīng)過數(shù)據(jù)電壓提供開關(guān)501，S1和，驅(qū)動電壓提供開關(guān)500b、Qb輸入到Xb尋址電極。便向Xb尋址電極輸入數(shù)據(jù)電壓(Va)的數(shù)據(jù)脈沖。隨之，Xb尋址電極上的相應(yīng)的放電單元被選址(addressing)這時，500a的驅(qū)動電壓提供開關(guān)(Qa)和500c的驅(qū)動電壓提供開關(guān)(Qc)是從偏置電源接受偏置電壓(Vb)時就是關(guān)閉狀態(tài)，連接在500a的驅(qū)動電壓提供開關(guān)(Qa)的尋址電極(Xa)和連接到500c的驅(qū)動電壓提供開關(guān)(Qc)的尋址電極(Xc)是在大于接地電壓(GND)，小于數(shù)據(jù)電壓(Va)的范圍內(nèi)變動(Floating)。
換句話來說，在這樣的d3數(shù)據(jù)電壓提供區(qū)間，Xa尋址電極和Xc尋址電極是在輸入偏置電極(Vb)的狀態(tài)下變動(Floating)。因此，Xa尋址電極和Xc尋址電極是保持適合產(chǎn)生尋址放電的電壓值。
更好是，連接到500a的驅(qū)動電壓提供開關(guān)(Qa)的尋址電極(Xa)和連接到500c的驅(qū)動電壓提供開關(guān)(Qc)的尋址電極(Xc)是在尋址區(qū)間數(shù)據(jù)電壓提供控制開關(guān)501，S1關(guān)閉的狀態(tài)下保持偏置電壓(Vb)。隨之，Xa尋址電極和Xc尋址電極是保持適合不產(chǎn)生尋址放電的電壓值。
另外，500a的驅(qū)動電壓提供開關(guān)(Qa)和500c的驅(qū)動電壓提供開關(guān)(Qc)載有的負荷(Load)的大小是，在現(xiàn)有的等離子顯示裝置上如圖3所示，一個開關(guān)元件所載有的負荷是數(shù)據(jù)電壓(Va)；反而，如圖5b所示，500a的驅(qū)動電壓提供開關(guān)(Qa)和500c的驅(qū)動電壓提供開關(guān)(Qc)所載有的負荷(Load)是數(shù)據(jù)電壓(Va)和偏置電壓(Vb)之差。即，Va-Vb。這是因為在尋址區(qū)間，為輸入數(shù)據(jù)電壓(Va)的數(shù)據(jù)脈沖的尋址電極是由偏置電壓(Vb)的變動(Floating)來維持。
結(jié)果，本發(fā)明的等離子顯示裝置中，一個開關(guān)元件所載有的負荷相對比現(xiàn)有的技術(shù)小，因而各個開關(guān)元件的耐壓值相對小也沒問題。換句話來說，在本發(fā)明的等離子顯示裝置中，各個開關(guān)元件的耐壓特性相對小也沒關(guān)系。例如，假設(shè)數(shù)據(jù)電壓(Va)為60V，偏置電壓(Vb)為30V時，本發(fā)明的等離子顯示裝置各個開關(guān)元件該具備60V-30V，即30V的耐壓特性即可。便降低等離子顯示裝置的制造成本。以上所說明的d1數(shù)據(jù)電壓維持區(qū)間，d2休止區(qū)間，d3數(shù)據(jù)電壓維持區(qū)間中，所述的偏置電壓提供開關(guān)502，S2是在數(shù)據(jù)電壓提供區(qū)間d1，d3之間的休止區(qū)間(d2)是開啟狀態(tài)。即，在休止區(qū)間(d2)偏置電壓提供控制開關(guān)502，S2開啟，對前數(shù)據(jù)提供區(qū)間(d1)輸入數(shù)據(jù)電壓(Va)的尋址電極(Xa，Xc)進行初始化。
并且，進一步觀察所述的圖6，可知數(shù)據(jù)電壓提供控制開關(guān)500，S1和偏置電壓提供控制開關(guān)502，S2是不會同時開啟狀態(tài)。即，數(shù)據(jù)電壓提供控制開關(guān)501，S1和偏置電壓提供控制開關(guān)502，S2中有一個是關(guān)閉狀態(tài)時，另一個是開啟(Turn On)狀態(tài)；數(shù)據(jù)電壓提供控制開關(guān)501，S1和偏置電壓提控制開關(guān)502，S2中，有一個開啟狀態(tài)時，另一個是關(guān)閉狀態(tài)。
區(qū)別與以上所說明的本發(fā)明等離子顯示裝置的第1實施例子，可以只采用兩個電源也可以驅(qū)動尋址電極(X)，具體如以下的本發(fā)明等離子顯示裝置的第2實施例。
第2實施例圖7a至圖7b是本發(fā)明等離子顯示裝置的第2實施例的示意圖。
圖7a至圖7b的本發(fā)明等離子顯示裝置的第2實施例的說明中，先聲明省略與所述的等離子顯示裝置的第1實施例相同的重復(fù)內(nèi)容。
首先，如圖7a，本發(fā)明的等離子顯示裝置的第2實施例包括驅(qū)動電壓提供開關(guān)700和，數(shù)據(jù)電壓提供控制開關(guān)701，S1及接地電壓提供空話子開關(guān)702，S2。
圖7a所示的本發(fā)明等離子顯示裝置和所述的圖5比較是，它省略了提供偏置電壓(Vb)的偏置電源和提供偏置電壓提供控制開關(guān)。理由是，為了在尋址放電相對不穩(wěn)定時，使它產(chǎn)生更加穩(wěn)定的尋址放電。換句話來說，尋址放電不穩(wěn)定時，和本發(fā)明的第一實施例的，提供從高于接點電壓(GND)的偏置電壓(Vb)上升到數(shù)據(jù)電壓(Va)的數(shù)據(jù)脈沖比較，從接地電壓(GND)上升到數(shù)據(jù)電壓(Va)的數(shù)據(jù)脈沖使尋址放電更加穩(wěn)定。
所述的數(shù)據(jù)電壓提供控制開關(guān)701，S1控制提供數(shù)據(jù)電壓(Va)的數(shù)據(jù)電源向所述的驅(qū)動電壓提供開關(guān)700提供的數(shù)據(jù)電壓(Va)的提供接地電壓提供控制開關(guān)702，S2控制提供接地電壓(GND)的接地電源向所述的驅(qū)動電壓提供開關(guān)700的接地電壓(GND)的提供。
所述的驅(qū)動電壓提供開關(guān)700，Q是和等離子顯示面板的尋址電極(X)相連，對提供到自身的電壓進行交換(Switching)后提供到尋址電極(X)。即，從所述的數(shù)據(jù)電壓提供控制開關(guān)701，S1或接地電壓提供控制開關(guān)702，S2提供數(shù)據(jù)電壓(Va)或接地電壓(GND)，驅(qū)動電壓提供開關(guān)700，Q向所相連的尋址電極(X)上提供數(shù)據(jù)電壓(Va)或接地電壓(GND)。驅(qū)動電壓提供開關(guān)700，Q和數(shù)據(jù)電壓提供控制開關(guān)701，S1和接地電壓提供控制開關(guān)702，S2在第1節(jié)點(node)(n1)共同相連。
圖7a對數(shù)據(jù)電壓提供控制開關(guān)701，S1，接地電壓提供控制開702，S2上只相連一個驅(qū)動電壓提供開關(guān)700，Q的情況圖解并說明，但這樣的數(shù)據(jù)電壓提供開關(guān)701，S1，接地電壓提供開關(guān)702，S2上可以相連復(fù)數(shù)個驅(qū)動電壓提供開關(guān)700，Q。具體如圖7b。
如圖7b所示，區(qū)別于所述的圖7a，數(shù)據(jù)電壓提供控制開關(guān)701，S1，接地電壓提供控制開關(guān)702，S2上相連復(fù)數(shù)個驅(qū)動電壓提供開關(guān)700，Q。例如，如圖7b，3個驅(qū)動電壓提供開關(guān)700a、Qa，700b、Qb，700c、Qc和數(shù)據(jù)電壓提供控制開關(guān)701，S1，接地電壓提供控制開關(guān)702，S2在第1節(jié)點(node)共同相連。并且，各個驅(qū)動電壓提供開關(guān)700a、Qa，700b、Qb，700c、Qc各自與不同的尋址電極(X)相連。即，700a的驅(qū)動電壓提供開關(guān)(Qa)是與Xa尋址電極相連，700b的驅(qū)動電壓提供開關(guān)(Qb)是與Xb尋址電極相連，700c的驅(qū)動電壓提供開關(guān)(Qc)是與Xc尋址電極相連。
如圖7b，與尋址電極(X)相連的開關(guān)元件，即，驅(qū)動電壓提供開關(guān)700a、Qa，700b、Qb，700c、Qc從現(xiàn)有的如圖3的2個減到1個來減少整個等離子顯示裝置所使用的開關(guān)元件，降低制造成本。例如，整個等離子顯示面板上所形成的尋址電極的總數(shù)為100個時，現(xiàn)有的圖3的等離子顯示裝置為了驅(qū)動這樣的100個尋址電極至少需要200個開關(guān)元件，但如圖7b的本發(fā)明等離子顯示裝置是100個尋址電極上一個個相連的驅(qū)動電壓提供開關(guān)700a、Qa，700b、Qb，700c、Qc 50，數(shù)據(jù)電壓提供控制開關(guān)701，S1 1個，還有接地電壓提供控制開關(guān)702，S2 1個，總共由52個開關(guān)元件來驅(qū)動100個尋址電極。
對本發(fā)明等離子顯示裝置的第二實施例的動作和圖8相結(jié)合進行說明如下。在這里只針對本發(fā)明等離子顯示裝置的第2實施例中的具備復(fù)數(shù)個驅(qū)動電壓提供開關(guān)700a、Qa，700b、Qb，700c、Qc的如圖7b的情況舉例說明。因為，圖7b包括圖7a所示的情況。
圖8是說明圖7b的本發(fā)明等離子顯示裝置動作的流程圖。圖8圖解并說明等離子顯示裝置驅(qū)動時，向?qū)ぶ冯姌O(X)所提供的特定數(shù)據(jù)模式(Pattern)。在此聲明，這只是便于說明本發(fā)明，本發(fā)明的等離子顯示裝置并不是只有圖8所示的數(shù)據(jù)模式來動作。
如圖8，在尋址區(qū)間向Xa尋址電極及Xc尋址電極上提供數(shù)據(jù)電壓(Va)的數(shù)據(jù)脈沖時，數(shù)據(jù)電壓提供開關(guān)701，S1是開啟狀態(tài)，接地電壓提供控制開關(guān)702，S2是關(guān)閉狀態(tài)。在這樣的狀態(tài)下，700a的驅(qū)動電壓提供開關(guān)(Qa)和700c的驅(qū)動電壓提供開關(guān)(Qc)是開啟，700b的驅(qū)動電壓提供開關(guān)(Qb)是保持關(guān)閉狀態(tài)。
隨之，數(shù)據(jù)電源所提供的數(shù)據(jù)電壓(Va)經(jīng)過數(shù)據(jù)電影提供控制開關(guān)701，S1和700a及700c的驅(qū)動電壓提供開關(guān)(Qa，Qc)提供到Xa尋址電極和Xc尋址電極。這時，Xa尋址電極和Xc尋址電極上提供電壓為數(shù)據(jù)電壓(Va)數(shù)據(jù)脈沖。然后Xa尋址電極和Xc尋址電極上的相應(yīng)的放電單元被選址(addressing)。
這樣的尋址電極(X)上提供數(shù)據(jù)電壓(Va)的區(qū)間叫做數(shù)據(jù)電壓提供區(qū)間(d1)。
之后，如圖8，向Xb尋址電極上輸入電壓為數(shù)據(jù)電壓(Va)的數(shù)據(jù)脈沖時，事先需要對之前提供數(shù)據(jù)電壓(Va)的Xa尋址電極及Xc尋址電極進行初始化，穩(wěn)定選址(addressing)。
為了初始化Xa尋址電極及Xc尋址電極，開啟接地電壓提供控制開關(guān)702，S2，關(guān)閉數(shù)據(jù)電壓提供控制開關(guān)701，S1。這時，圖7b的第一node(n1)的電壓是接地電源所提供的接地電源(GND)。
所述的700a的驅(qū)動電壓提供開關(guān)(Qa)和700c的驅(qū)動電壓提供開關(guān)(Qc)內(nèi)部的二極管(Da，Dc)的方向是從尋址電極(Xa，Xc)到第一node(n1)的順方向。換句話說明，內(nèi)部二極管(Da，Dc)的正極(Anode)端子向?qū)ぶ冯姌O(X)方向，負極(Cathode)向數(shù)據(jù)電壓提供控制開關(guān)(701，S1)方向，因此，通過所述的內(nèi)部二極管(Da，Dc)，所述的Xa尋址電極和Xc尋址電極的電壓轉(zhuǎn)成為接地電壓(GND)。接地電壓(GND)是根據(jù)所述的驅(qū)動電壓提供開關(guān)700a、Qa，700b、Qb，700c、Qc的內(nèi)部二極管(Da，Db，Dc)設(shè)置為尋址電極(X)的電壓，因此，700a的驅(qū)動電壓提供開關(guān)(Qa)，700b的驅(qū)動電壓提供開關(guān)(Qb)及700c的驅(qū)動電壓提供開關(guān)(Qc)是開啟或關(guān)閉都沒關(guān)系。為了表示700a的驅(qū)動電壓提供開關(guān)(Qa)，700b的驅(qū)動電壓提供開關(guān)(Qb)及700c的驅(qū)動電壓提供開關(guān)(Qc)的開啟或關(guān)閉狀態(tài)都沒關(guān)系，在圖8里用方格里打X來標記。
這里的，為了初始化輸入過數(shù)據(jù)脈沖的尋址電極(X)，停止向?qū)ぶ冯姌O(X)提供數(shù)據(jù)電壓(Va)的數(shù)據(jù)脈沖的區(qū)間叫做休止區(qū)間(d2)。
休止區(qū)間(d2)之后，緊接著是向?qū)ぶ冯姌O(X)上提供數(shù)據(jù)電壓(Va)的數(shù)據(jù)脈沖的數(shù)據(jù)電壓提供區(qū)間(d3)。
在d3數(shù)據(jù)電壓提供區(qū)間，向Xb尋址電極提供數(shù)據(jù)電壓(Va)的數(shù)據(jù)脈沖時，數(shù)據(jù)電壓提供控制開關(guān)701，S1是開啟，接地電壓提供控制開關(guān)702，S2是關(guān)閉的。
這樣的狀態(tài)下，700b的驅(qū)動電壓提供開關(guān)(Qb)是開啟，700a的驅(qū)動電壓提供開關(guān)(Qa)和700c的驅(qū)動電壓提供開關(guān)(Qc)是關(guān)閉的。
隨之，數(shù)據(jù)電源所提供的數(shù)據(jù)電壓(Va)經(jīng)過數(shù)據(jù)電壓提供控制開關(guān)701，S1和700b的驅(qū)動電壓提供開關(guān)(Qb)提供到Xb尋址電極。則，向Xb尋址電極上提供數(shù)據(jù)電壓(Va)的數(shù)據(jù)脈沖。接著，Xb尋址電極上選址(addressing)相應(yīng)的放電單元。
這時，700a的驅(qū)動電壓提供開關(guān)(Qa)和700c的驅(qū)動電壓提供開關(guān)(Qc)自從接點電源接收接地電壓(GND)就是關(guān)閉狀態(tài)，因此，與700a的驅(qū)動電壓提供開關(guān)(Qa)相連的尋址電極(Xa)和與500c的驅(qū)動電壓提供開關(guān)(Qc)相連的尋址電極(Xc)是在接地電壓(Vb)變動(Floating)。
換句話，在d3數(shù)據(jù)電壓提供區(qū)間，Xa尋址電極和Xc尋址電極是在提供接地電壓(GND)的狀態(tài)下變動(Floating)。便維持Xa尋址電極和Xc尋址電極維持不產(chǎn)生尋址放電的電壓。
另外，700a的驅(qū)動電壓提供開關(guān)(Qa)和700c的驅(qū)動電壓提供開關(guān)(Qc)所載有的負荷(Load)是，如圖3的現(xiàn)有等離子顯示裝置上一個開關(guān)元件所載有的負荷是數(shù)據(jù)電壓(Va)；如圖7b，700a的驅(qū)動電壓提供開關(guān)(Qa)和700c的驅(qū)動電壓提供開關(guān)(Qc)所載有的負荷(Load)是數(shù)據(jù)電壓(Va)和所Floating的接地電壓(GND)之差。即，(Va-Floating GND)?？梢?，所述的本發(fā)明等離子顯示裝置的第2實施例中接地電壓(GND)維持Floating狀態(tài)，各個開關(guān)元件所具有的耐壓特性相對小也可以。同時，可以降低等離子顯示裝置的制造成本。
以上所說明的d1數(shù)據(jù)電壓維持區(qū)間，d2休止區(qū)間，d3數(shù)據(jù)電壓維持區(qū)間來看，所述的接地電壓提供控制開關(guān)702，S2是在數(shù)據(jù)電壓提供區(qū)間d1，d3之間的休止區(qū)間(d2)是開啟狀態(tài)。即，在休止區(qū)間(d2)接地電壓提供控制開關(guān)(702，S2)是開啟狀態(tài)，對之前在數(shù)據(jù)電壓提供區(qū)間(d1)提供數(shù)據(jù)電壓(Va)的尋址電極(Xa，Xc)進行初始化。
并且，進一步看所述的圖8可知，數(shù)據(jù)電壓提供空話子開關(guān)700，S1和接地電壓提供控制開關(guān)702，S2是不同時開啟。即，數(shù)據(jù)電壓提供控制開關(guān)701，S1和接地電壓提供控制開關(guān)702，S2中，一個是關(guān)閉狀態(tài)時，另一個是開器狀態(tài)；數(shù)據(jù)電壓提供控制開關(guān)701，S1和偏置電壓提供控制開關(guān)702，S2中一個是開啟狀態(tài)時，另一個是關(guān)閉狀態(tài)。
如同上述說明，本發(fā)明等離子顯示裝置是比現(xiàn)有技術(shù)減少開關(guān)元件，并且各個開關(guān)元件的耐壓特性比現(xiàn)有技術(shù)低也能夠順利驅(qū)動等離子顯示裝置。
權(quán)利要求
1.一種等離子顯示裝置，其特在于它包括，連接在等離子顯示面板的尋址電極(X)，通過設(shè)定轉(zhuǎn)換，將接收到的電壓提供到上述尋址電極的驅(qū)動電壓提供開關(guān)；控制從提供數(shù)據(jù)電壓(Va)的數(shù)據(jù)電壓源到上述驅(qū)動電壓提供開關(guān)的數(shù)據(jù)電壓控制開關(guān)；控制提供接地電壓(GND)的接地電壓源到上述驅(qū)動電壓提供開關(guān)的接地電壓控制開關(guān)；及控制提供偏置電壓(Vb)的偏置電壓源到上述驅(qū)動電壓提供開關(guān)的偏置電壓控制開關(guān)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子顯示裝置，其特征在于所述的驅(qū)動電壓提供開關(guān)與所述的數(shù)據(jù)電壓控制開關(guān)、所述的接地電壓控制開關(guān)及偏置電壓控制開關(guān)分離，獨立構(gòu)成一個模塊(Module)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的等離子顯示裝置，其特征在于所述的模塊是數(shù)據(jù)驅(qū)動集成電路(Data Drive IC)。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的等離子顯示裝置，其特征在于所述的驅(qū)動電壓提供開關(guān)上的電壓值是，通過所述數(shù)據(jù)電壓控制開關(guān)所提供的數(shù)據(jù)電壓(Va)和通過所述偏置電壓提供控制開關(guān)所提供的偏置電壓(Vb)之間的電壓差。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子顯示裝置，其特征在于所述的數(shù)據(jù)電壓提供控制開關(guān)和所述的接地電壓提供控制開關(guān)和所述的偏置電壓提供控制開關(guān)是與所述驅(qū)動電壓提供開關(guān)共同連接的。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子顯示裝置，其特征在于所述的接地電壓提供控制開關(guān)在尋址區(qū)間保持關(guān)閉(Turn Off)狀態(tài)。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子顯示裝置，其特征在于所述的數(shù)據(jù)電壓提供控制開關(guān)和所述的偏呀電壓提供開關(guān)中，某一個關(guān)閉狀態(tài)時，另一個是開啟狀態(tài)；所述數(shù)據(jù)電壓提供控制開關(guān)和所述偏置電壓提供控制開關(guān)中，某一個開啟狀態(tài)時，另一個是關(guān)閉狀態(tài)。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的等離子顯示裝置，其特征在于所述的數(shù)據(jù)電壓提供控制開關(guān)是在與驅(qū)動電壓提供開關(guān)相連的，向?qū)ぶ冯姌O上提供數(shù)據(jù)電壓的數(shù)據(jù)電壓提供區(qū)間是開啟狀態(tài)；上述偏置電壓提供控制開關(guān)是在所述的數(shù)據(jù)電壓提供區(qū)間之間的休止區(qū)間是開啟的。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子顯示裝置，其特征在于與所述的驅(qū)動電壓提供開關(guān)相連的尋址電極在尋址區(qū)間，數(shù)據(jù)電壓提供控制開關(guān)關(guān)閉的狀態(tài)下維持偏置電壓(Vb)。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子顯示裝置，其特征在于與所述的驅(qū)動電壓提供開關(guān)相連的尋址電極是在尋址區(qū)間，所述數(shù)據(jù)電壓提供控制開關(guān)關(guān)閉狀態(tài)下，在大于接地電壓(GND)小于數(shù)據(jù)電壓(Va)的范圍內(nèi)變動。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子顯示裝置，其特征在于所述的驅(qū)動電壓提供開關(guān)是復(fù)數(shù)個，復(fù)數(shù)個驅(qū)動電壓提供開關(guān)各自與不同的尋址電極相連，所述的數(shù)據(jù)電壓提供控制開關(guān)和所述的接地電壓提供控制開關(guān)和所述的偏置電壓提供控制開關(guān)與所述的復(fù)數(shù)個驅(qū)動電壓共同連接。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的等離子顯示裝置，其特征在于所述的復(fù)數(shù)各個驅(qū)動電壓提供開關(guān)是與所述的數(shù)據(jù)電壓提供控制開關(guān)，接地電壓提供控制開關(guān)及偏置電壓提供控制開關(guān)獨立，單獨構(gòu)成一個模塊(Module)。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的等離子顯示裝置，其特征在于所述的各個模塊是數(shù)據(jù)驅(qū)動集成電路(Data Drive IC)。
14.根據(jù)權(quán)利要求1或2或4或5或8至12中任一項所述的等離子顯示裝置，其特征在于所述驅(qū)動電壓提供開關(guān)是以場效應(yīng)晶體管組成，所述的場效應(yīng)晶體管內(nèi)部二極管正極(Anode)端是尋址電極方向，負極(Cathode)是所述的數(shù)據(jù)電壓提供控制開關(guān)方向。
15.根據(jù)權(quán)利要求1或2或4或5或7或8或11或12所述的等離子顯示裝置，其特征為通過所述的偏置電壓提供控制開關(guān)所提供的所述的偏置電壓(Vb)是在尋址區(qū)間載有不發(fā)生尋址放電的電壓值
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的等離子顯示裝置，其特征為所述的偏置電壓(Vb)值是大于所述的接地電壓(GND)小于所述的數(shù)據(jù)電壓(Va)。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的等離子顯示裝置，其特征為所述的偏置電壓(Vb)值是大于0V小于60V。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的等離子顯示裝置，其特征為所述的偏置電壓(Vb)值大于0V小于30V。
19.根據(jù)權(quán)利要求16所述的等離子顯示裝置，其特征為所述的偏置電壓(Vb)值是所述的數(shù)據(jù)電壓(Va)的0.5倍。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種改善尋址電極驅(qū)動裝置的等離子顯示裝置，包括，連接在等離子顯示面板的尋址電極(X)，通過設(shè)定轉(zhuǎn)換，將接收到的電壓提供到上述尋址電極的驅(qū)動電壓提供開關(guān)；控制從提供數(shù)據(jù)電壓(Va)的數(shù)據(jù)電壓源到上述驅(qū)動電壓提供開關(guān)的數(shù)據(jù)電壓控制開關(guān)；控制提供接地電壓(GND)的接地電壓源到上述驅(qū)動電壓提供開關(guān)的接地電壓控制開關(guān)；及控制提供偏置電壓(Vb)的偏置電壓源到上述驅(qū)動電壓提供開關(guān)的偏置電壓控制開關(guān)。本發(fā)明減少采用在驅(qū)動尋址電極(X)的驅(qū)動裝置的開關(guān)元件數(shù)量，并且降低耐壓特性，有效減少制造成本。
文檔編號G09G3/28GK1870086SQ200610094000
公開日2006年11月29日 申請日期2006年6月27日 優(yōu)先權(quán)日2005年7月29日
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