專利名稱：等離子顯示面板的定位標(biāo)記形成方法
一、技術(shù)區(qū)域本發(fā)明涉及到等離子顯示面板，尤其涉及以少數(shù)的蝕刻形成等離子顯示面板的定位標(biāo)記(Align Mark)的形成方法。
背景技術(shù)：
一般情況下，等離子顯示面板是前板和后板之間形成的間隔構(gòu)成一個(gè)單位的單元，然后，將各個(gè)單元內(nèi)的氖(Ne)，氦(He)或氖和氦的混合體(Ne+He)作為周期性放電的氣體，并加入少量氙的惰性氣體氙(Xe)等惰性氣體。當(dāng)高頻率電壓放電時(shí)，惰性氣體產(chǎn)生真空紫外線(Vacuum Ultraviolet rays)，從而使在隔壁間熒光體發(fā)光，顯示畫(huà)面了。這樣的等離子顯示面板可以實(shí)現(xiàn)輕薄的結(jié)構(gòu)，作為新一代標(biāo)志性裝置引人注目。


圖1是一般等離子顯示面板的結(jié)構(gòu)圖。圖1所示，等離子顯示面板由前基板100和后基板110成一定距離平行排列結(jié)合而成。前面基板100上排列著成對(duì)安裝在前面玻璃101上掃描電極102和維持電極103的多個(gè)維持電極對(duì)，后面基板110上排列著與前基板100的排列的多個(gè)維持電極對(duì)交叉的多個(gè)尋址電極113。前面基板100的一個(gè)放電單元中相互放電維持單元發(fā)光的掃描電極102及維持電極103，即透明的ITO物質(zhì)制成的透明電極a和有金屬電極制成的總線電極b構(gòu)成的掃描電極102和維持電極103成對(duì)而成。掃描電極102及維持電極103限制放電電流，而且上面覆蓋著一層以上的絕緣層104保持電極時(shí)間的絕緣，在上部絕緣層104上面為了滿足放電條件上面有加有氧化鎂(MgO)的保護(hù)層。
后面基板110排列著多個(gè)放電空間，即為了形成放電單元保持平行排列的條紋型(或井型)間壁112。執(zhí)行尋址放電功能，產(chǎn)生真空紫外線的多個(gè)尋址電極113平行排列在間壁112上。后面基板110的上側(cè)面涂抹有放射尋址放電時(shí)顯示畫(huà)面的可視光的R，G，B熒光體114。尋址電極113和熒光體114之間有保護(hù)尋址電極113的下部電介質(zhì)層115。
這樣的等離子顯示面板上為了形成透明電極，玻璃基板上涂抹感光物質(zhì)，例如ITO膜，通過(guò)印刷形成透明電極。實(shí)施例可以參照?qǐng)D2。
圖2是一般的情況下，為了使用感光膜(photo mask)印刷形成透明電極，執(zhí)行暴光(Exposure)工程的示意圖。
圖2所示，為了形成透明電極，使用所設(shè)定的photo mask210執(zhí)行暴光(Exposure)工程，形成圖案。
為此，首先，所設(shè)定的感光膜202，例如ITO為了在上部基板200上形成圖案，將暴光(Exposure)裝置220散發(fā)的光選擇性的透射或切斷到形成圖案的212 photo mask210上，印刷出所愿的圖案。
這樣，為了所需要的圖案，基板200和photo mask210必須排列正確。而且，基板200形成圖案的感光膜202是透明，無(wú)法肉眼確認(rèn)。因此為了確認(rèn)是否和基板200正確定位，需要形成所定的Align Mark(無(wú)圖釋)。
上述的Align Mark示意圖如圖3a至圖3b。
圖3a至圖3b是利用現(xiàn)有的Align Mark排列基板和ITO墨的示意圖。
如圖3a所示，基板200上全面涂抹所定的ITO(無(wú)圖釋)膜。這時(shí)，ITO膜上印刷的圖案，例如R，G，B時(shí)，如圖3a，R，G，B在基板上的位置必須正確。但是，因ITO膜透明，肉眼無(wú)法確認(rèn)R，G，B在的位置是否正確。因此，也可能將印刷的R，G，B倒貼在基板(200)上。
隨之，這樣一來(lái)，基板200形成的圖案210會(huì)扭曲，結(jié)果會(huì)造成嚴(yán)重減少等離子顯示面板的特性。
為了解決這樣的問(wèn)題，目前是通過(guò)在基板200的ITO膜未形成圖案的非印刷區(qū)域220上標(biāo)志所設(shè)定位置的Align Mark確認(rèn)ITO膜的位置是否正確。
目前為了形成上述的Align Mark的方法之一，只留下形成Align Mark的部分，其余的非印刷區(qū)域220進(jìn)行蝕刻。具體內(nèi)容如圖4b。
圖4b所示，形成十字形狀的Align Mark時(shí)，非印刷區(qū)域移動(dòng)一定的距離，調(diào)整激光去除ITO膜。
之后，在形成Align Mark的位置上形成十字形狀的陽(yáng)刻，將a，b，c，d，e，f，g，h及i區(qū)域階段性地調(diào)整激光去除ITO膜來(lái)形成陽(yáng)刻的Align Mark.但是，利用這樣的方法形成Align Mark的話，Align Mark蝕刻作業(yè)復(fù)雜，而且按照一定的距離多次移動(dòng)，需要時(shí)間。
并且，多次移動(dòng)造成的誤差累積而Align Mark位置不能夠準(zhǔn)確，存在嚴(yán)重減少等離子顯示面板特性的問(wèn)題。
而且，在需要變更Align Mark形狀時(shí)，陽(yáng)刻形成的Align Mark不容易修改。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是通過(guò)蝕刻，提供一種形成陰刻定位標(biāo)記(Align Mark)的等離子顯示面板的Align Mark形成方法。
本發(fā)明的目的是通過(guò)以下技術(shù)方案來(lái)實(shí)現(xiàn)的一種等離子顯示面板的定位標(biāo)記形成方法，其特征在于在涂抹感光膜的基板的非印刷區(qū)域上，形成一個(gè)以上的陰刻定位標(biāo)記。
本發(fā)明中，所述定位標(biāo)記形成在所述非印刷區(qū)域的角落部分。
并且，所述定位標(biāo)記蝕刻后，將非印刷區(qū)域的感光膜去除。
本發(fā)明通過(guò)蝕刻形成陰刻的Align Mark，可以簡(jiǎn)化Align Mark的蝕刻作業(yè)；而且，可以減少蝕刻時(shí)的移動(dòng)次數(shù)，減少Align Mark的形成時(shí)間及誤差，正確形成Align Mark，提高等離子顯示面板的特性；并且，本發(fā)明具有Align Mark形狀變更方面的效果。
四、說(shuō)明書(shū)附1是一般等離子顯示面板的結(jié)構(gòu)圖；圖2是表示一般使用photo mask印刷透明電極暴光過(guò)程的實(shí)例圖；圖3a至圖3b是說(shuō)明Align Mark的圖；圖4a至圖4b表示形成Align Mark的實(shí)例的圖；圖5是依據(jù)本發(fā)明的Align Mark形成位置的實(shí)施例子圖；圖6是本發(fā)明形成等離子顯示面板Align Mark方法的示意圖；圖7a及圖7b是依據(jù)本發(fā)明的Align Mark的另外一種實(shí)施方式的示意圖；圖8是說(shuō)明本發(fā)明所述等離子顯示面板Align Mark形成方法的另一個(gè)例子。
五具體實(shí)施例方式
以下，對(duì)于本發(fā)明參照附圖進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。
圖5表示Align Mark形成的位置。
如圖5所示，依據(jù)本發(fā)明的Align Mark形成在涂抹感光膜的基板500的非印刷區(qū)域510上。在此，感光膜由氧化銦膜ITO、Indium Tin Oxide組成為佳。
這時(shí)，非印刷區(qū)域，例如符號(hào)B，C，D，E等區(qū)域上形成一個(gè)以上的陰刻Align Mark。
依據(jù)本發(fā)明，在非印刷區(qū)域510形成Align Mark的具體方法如圖6。
圖6是依據(jù)本發(fā)明的等離子顯示面板Align Mark形成方法的示意圖。
如圖6所示，依據(jù)本發(fā)明的等離子顯示面板的Align Mark形成方法是，在非印刷區(qū)域形成至少一個(gè)以上的陰刻Align Mark。例如，在符號(hào)B的區(qū)域上形成陰刻的Align Mark。
在此，以形成十字形狀A(yù)lign Mark陰刻為例，在符號(hào)B的區(qū)域上蝕刻十字形狀的感光膜去除。這時(shí)，Align Mark(b)用激光蝕刻為佳。
作為例子，參照?qǐng)D5再詳細(xì)分析，在基板500上部涂抹的感光膜上形成印刷的印刷區(qū)域510和未形成印刷的非印刷區(qū)域520上，上述的非印刷區(qū)域(520)中，部分進(jìn)行激光蝕刻形成十字形狀的Align Mark。
這樣形成的Align Mark是無(wú)法用激光蝕刻，因此，比未蝕刻的其他非印刷區(qū)域520的感光膜，形成的陰刻深一點(diǎn)。
在此，只對(duì)于Align Mark在符號(hào)B區(qū)域上形成的情況進(jìn)行說(shuō)明，但不局限與這樣的情況。上述的Align Mark在非印刷區(qū)域520的任何部分都可以形成若干個(gè)，例如2個(gè)，3個(gè)，4個(gè)等。只是，這樣的Align Mark是為了正確得知基板500上的感光膜上形成的印刷的位置，因此在形成時(shí)就考慮這一點(diǎn)。并且，Align Mark在非印刷區(qū)域510的角落部分形成比較好。
并且，即使上述的Align Mark形狀說(shuō)明為十字型，但并不局限于十字型，形成其他形狀也可以，具體事例參照?qǐng)D7。
圖7a及圖7b是依據(jù)本發(fā)明的Align Mark的另外一種實(shí)施方式的示意圖。
首先，如圖7a所示，本發(fā)明的Align Mark可以形成為圓形。并且，如圖7b所示，Align Mark也可形成為矩形。
這樣的Align Mark的陰刻比非印刷區(qū)域的520感光膜深一點(diǎn)。
而且，這樣的Align Mark形成在玻璃上面也比較好。
另外，陰刻Align Mark形成后，可以去除非印刷區(qū)域的感光膜，具體如圖8。
圖8是本發(fā)明所述等離子顯示面板Align Mark形成方法的另外一個(gè)例子。
如圖8所示，首先形成陰刻的Align Mark。這樣形成Align Mark的方法與圖6相同，因此不再進(jìn)行說(shuō)明。
之后，將非印刷區(qū)域的感光膜進(jìn)行蝕刻工藝，例如激光調(diào)整去除。這時(shí)，陰刻Align Mark(d)周邊的感光膜最好不被去除。
這樣，對(duì)非印刷區(qū)域的感光膜進(jìn)行蝕刻，形成陰刻的Align Mark，可簡(jiǎn)化Align Mark的作業(yè)程序。
并且，蝕刻時(shí)，可減少移動(dòng)次數(shù)，減少Align Mark形成時(shí)間及誤差累積，準(zhǔn)確地形成Align Mark，提供等離子顯示面板的優(yōu)良特性。
而且，變更Align Mark形狀時(shí)，也非常容易。
權(quán)利要求
1.一種等離子顯示面板的定位標(biāo)記形成方法，其特征在于在涂抹感光膜的基板的非印刷區(qū)域上，形成一個(gè)以上的陰刻定位標(biāo)記。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子顯示面板的定位標(biāo)記形成方法，其特征在于所述定位標(biāo)記形成在所述非印刷區(qū)域的角落部分。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子顯示面板的定位標(biāo)記形成方法，其特征在于所述定位標(biāo)記蝕刻后，將非印刷區(qū)域的感光膜去除。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了一種等離子顯示面板的定位標(biāo)記形成方法，在涂抹感光膜的基板的非印刷區(qū)域上，形成至少一個(gè)以上的陰刻定位標(biāo)記。定位標(biāo)記形成在所述非印刷區(qū)域的角落部分。并且，定位標(biāo)記蝕刻后，將非印刷區(qū)域的感光膜去除。本發(fā)明通過(guò)所定蝕刻形成陰刻的Align Mark，可簡(jiǎn)化Align Mark蝕刻作業(yè)；而且減少蝕刻時(shí)的移動(dòng)次數(shù)，能夠減少Align Mark形成時(shí)間及誤差的累積，準(zhǔn)確地形成Align Mark，有效提高等離子顯示面板的特性；而且Align Mark形狀的變化更加容易。
文檔編號(hào)G09F9/313GK1949311SQ20061007491
公開(kāi)日2007年4月18日 申請(qǐng)日期2006年4月4日 優(yōu)先權(quán)日2006年4月4日
發(fā)明者張盛皓 申請(qǐng)人:樂(lè)金電子(南京)等離子有限公司