專利名稱：電平轉(zhuǎn)移電路的制作方法
技術(shù)領域：
本發(fā)明涉及進行信號的振幅轉(zhuǎn)換的電平轉(zhuǎn)移電路。另外，本發(fā)明涉及使用電平轉(zhuǎn)移電路的顯示裝置以及其驅(qū)動電路。
背景技術(shù)：
便攜式電話機或PDA(個人數(shù)碼助理；Personal digital Assistant)等的便攜式器具在優(yōu)選可以攜帶的同時，還優(yōu)選可以以有限的電力長時間地利用，所以對低耗電量化的要求日益增高。因此，在構(gòu)成如上所述的器具的集成電路(LSI)中，大約以1.8至5V的電源電壓驅(qū)動的集成電路為數(shù)不少。另一方面，在由上述LSI驅(qū)動的LCD或場致發(fā)光(ElectroluminescenceEL)顯示器等的顯示裝置中，其內(nèi)部的驅(qū)動電路中至少存在以高電源電壓例如10至20V工作的電路。在這種驅(qū)動電路中，轉(zhuǎn)換信號的振幅的電平轉(zhuǎn)移電路用于所述低電源電壓電路輸出的控制信號和高電源電壓電路之間的通信。
專利文獻1專利申請公開2001-257581號公報作為常規(guī)使用的電平轉(zhuǎn)移電路的一例可以舉出具有圖4所示的電路結(jié)構(gòu)的電路。圖4所示的電平轉(zhuǎn)移電路的結(jié)構(gòu)如下，以VDD電勢為高(HIGH)電平、以GND電勢為低(LOW)電平地向輸入401輸入在該高電平和低電平之間變化(以下稱之為VDD電源系統(tǒng))的信號。另一方面，向輸入405輸入反相輸入到輸入401的信號的信號。輸入401以及405是該電平轉(zhuǎn)移電路的輸入。
輸入于輸入405的信號可以使用將輸入到輸入401的信號通過反相器等反相而產(chǎn)生的信號。
在圖4所示的電路中設置有未圖示出的電源，接收來自相同電源的電勢的電源輸入部分由相同附圖標記表示。從第一電源(未圖示)接收VDH電勢的電源輸入部分402連接于p型晶體管408的源極以及p型晶體管411的源極。此外，p型晶體管408的漏極連接于p型晶體管407的源極，p型晶體管407的漏極連接于n型晶體管406的漏極，n型晶體管406的源極連接于接收來自第二電源(未圖示)的GND電勢的電源輸入部分412。此外，p型晶體管411的漏極連接于p型晶體管410的源極，p型晶體管410的漏極連接于n型晶體管409的漏極，n型晶體管409的源極連接于電源輸入部分412。
以VDH電勢為高電平、以GND電勢為低電平地從輸出403輸出在該高電平和低電平之間變化(以下稱之為VDH電源系統(tǒng))的信號。此外，從輸出404輸出將輸出403輸出的信號反相的VDH電源系統(tǒng)的信號。輸出403以及404是該電平轉(zhuǎn)移電路的輸出。如上那樣，圖4所示的電平轉(zhuǎn)移電路將VDD電源系統(tǒng)的信號轉(zhuǎn)換為VDH電源系統(tǒng)的信號而輸出。
再有，電平轉(zhuǎn)移電路具有供給VDH電勢、VDD電勢和GND電勢的三種電勢的電源。以下將描述圖4所示的電平轉(zhuǎn)移電路的工作，其中VDH電勢為15V、VDD電勢為5V、GND電勢為0V。此外，p型晶體管的閾值電壓為-1V，并且n型晶體管的閾值為1V。
在第一期間中，當輸入到輸入401的信號處于高電平時，VDD電勢(5V)被輸入到n型晶體管406以及p型晶體管407的柵極。此時，通過使n型晶體管406開通(ON)來將GND電勢(0V)輸入到p型晶體管411的柵極，結(jié)果p型晶體管411開通。輸出403輸出GND電勢(0V)。
另一方面，輸入于輸入401的信號的反相信號輸入到輸入405，所以輸入405成為低電平，并且GND電勢(0V)輸入于n型晶體管409以及p型晶體管410的柵極。此時，p型晶體管410開通，p型晶體管411也如上那樣開通，所以p型晶體管408的柵極因被輸入VDH電勢(15V)而關(guān)斷(OFF)。輸出404輸出VDH電勢(15V)。
在連續(xù)于第一期間的第二期間中，輸入到輸入401的信號從高電平變?yōu)榈碗娖?。在該過渡期中，至少存在輸入401的電勢成為高電平和低電平的中間附近的電勢的期間。考慮到如上所述的n型晶體管、p型晶體管的閾值的條件，當轉(zhuǎn)換輸入到輸入401的信號，并且其電勢處于1至4V之間時，n型晶體管406和p型晶體管407都超出閾值而開通。另一方面，在輸入405一側(cè)也產(chǎn)生同樣的現(xiàn)象，n型晶體管409和n型晶體管410都開通。此時，p型晶體管411在第一期間中開通，且其柵極電勢有上升趨勢，另一方面，p型晶體管408在第一期間中關(guān)斷，且其柵極電勢有下降趨勢。由此，至少產(chǎn)生n型晶體管409、p型晶體管410以及p型晶體管411都開通的期間，因此在VDH電勢和GND電勢之間產(chǎn)生貫穿電流。
接著，在連續(xù)于第二期間的第三期間中，輸入到輸入401的信號從低電平變?yōu)楦唠娖?。在該過渡期中，由相同的原因而產(chǎn)生n型晶體管406、p型晶體管407以及p型晶體管408都開通的期間，因此在VDH電勢和GND電勢之間產(chǎn)生貫穿電流。
如上所述，在現(xiàn)有電平轉(zhuǎn)移電路中存在著如下問題在輸入信號的電平變化的過渡期中在一瞬間產(chǎn)生貫穿電流，由于該貫穿電流在電壓高的VDH電源系統(tǒng)產(chǎn)生，結(jié)果嚴重影響到耗電量的增加。與驅(qū)動電路中消耗的電流相比，在信號的電平變化的過渡期中產(chǎn)生的貫穿電流僅僅是微小的數(shù)值，然而，在設置有復數(shù)個具有同一結(jié)構(gòu)的電平轉(zhuǎn)移電路的情況下，貫穿電流的總和數(shù)值就變成不能忽視的數(shù)值。

發(fā)明內(nèi)容
鑒于上述問題，本發(fā)明的目的是提供一種電平轉(zhuǎn)移電路，其具有可以在信號的電平變化的過渡期中使貫穿電流為最小限度的結(jié)構(gòu)。
在圖4所示的現(xiàn)有電平轉(zhuǎn)移電路中，產(chǎn)生貫穿電流的原因在于產(chǎn)生在VDH電勢和GND電勢中串聯(lián)設置的晶體管都開通的期間。具體而言，產(chǎn)生在p型晶體管408開通時，n型晶體管406、p型晶體管407都開通的期間、以及產(chǎn)生在p型晶體管411開通時，n型晶體管409和p型晶體管410都開通的期間。
在本發(fā)明中，在以同一輸入信號進行開關(guān)控制的n型晶體管406、p型晶體管407或n型晶體管409、p型晶體管410中，控制p型晶體管407、410，并確保當其中一方從關(guān)斷狀態(tài)換成開通狀態(tài)時，另一方確實地被保持為關(guān)斷狀態(tài)。也就是說，采用如下結(jié)構(gòu)；n型晶體管406、409由輸入于輸入401、405的信號來控制，p型晶體管407、410由其他信號來控制，并且在n型晶體管406從關(guān)斷狀態(tài)轉(zhuǎn)換到開通狀態(tài)之前，使p型晶體管407關(guān)斷，在n型晶體管409從關(guān)斷狀態(tài)轉(zhuǎn)換到開通狀態(tài)之前，使p型晶體管410關(guān)斷。由此，使用所希望的輸入信號，可以使電平轉(zhuǎn)移電路在電平轉(zhuǎn)移電路工作的全部期間中一直不使產(chǎn)生在VDH電勢和GND電勢之間的貫穿電流的期間出現(xiàn)地工作。
如上詳細說明那樣，本發(fā)明的電平轉(zhuǎn)移電路通過具有所述結(jié)構(gòu)，可以避免在輸入信號轉(zhuǎn)換時產(chǎn)生貫穿電流，從而降低耗電量。


圖1A和1B是表示第二實施方式的電路圖；
圖2是表示第二實施方式的電路圖；圖3A和3B是表示第一實施方式的電路圖；圖4是表示現(xiàn)有電平轉(zhuǎn)移電路的電路圖；圖5是表示第一實施例的電路圖；圖6A和6B是表示第二實施例的附圖；圖7A和7B是表示第三實施例的附圖；圖8A至8C是表示第四實施例的附圖；圖9A和9B是表示第五實施例的附圖；圖10A至10C是表示第六實施例的附圖；圖11是表示第七實施例的附圖；圖12A至12D是表示第八實施例的附圖。
具體實施例方式
下面詳細地描述本發(fā)明的實施方式。注意，以多種不同形式可以執(zhí)行本發(fā)明，在不脫離本發(fā)明的宗旨及其技術(shù)范圍的情況下其形式以及詳細的各種變化是可能的，這對于所屬領域的普通人員來說是顯而易見的。因此，本發(fā)明不應該被解釋為僅限定在實施方式所記載的內(nèi)容中。
此外，在本發(fā)明中，連接意味著電連接。因此，在本發(fā)明的結(jié)構(gòu)中，除了預定的連接關(guān)系以外，還可以在其間配置可以電連接的其他元件(例如開關(guān)器、晶體管、二極管、電容元件、電阻元件等)。
開關(guān)器只要是可以控制電流流動的元件，則可以為電開關(guān)器或機械開關(guān)器，還可以使用晶體管、二極管或其他邏輯電路。
此外，對于可以適用于本發(fā)明的晶體管的種類并沒有限制，可以使用例如由以非單晶半導體膜為典型的非晶硅或多晶硅來構(gòu)成的薄膜晶體管(TFT)、用半導體襯底或SOI(絕緣體上載硅；Silicon on Insulator)襯底來形成的MOS晶體管、結(jié)合型晶體管、雙極晶體管以及使用了有機半導體或碳納米管的晶體管以及其他晶體管。此外，對于晶體管所形成的襯底種類也沒有特別的限制，可以適用單晶襯底、SOI襯底、由石英、玻璃或樹脂等來構(gòu)成的絕緣襯底等。
實施方式1圖3A示出了本發(fā)明的電平轉(zhuǎn)移電路的一個實施方式。在該圖的電路中，在VDD電源系統(tǒng)的高電平(例如5V)和低電平(例如0V)之間變化的信號輸入于輸入301，然后輸入于n型晶體管308的柵極。另一方面，輸入301的反相信號輸入于輸入305，然后輸入于n型晶體管311的柵極。注意，圖中設置有未圖示出的電源，接收來自相同電源的電勢的電源輸入部分由相同附圖標記表示。
接收來自第一電源(未圖示)的VDH電勢(例如15V)的電源輸入部分302連接于p型晶體管310的源極以及p型晶體管313的源極。此外，p型晶體管310的漏極連接于p型晶體管309的源極，p型晶體管309的漏極連接于n型晶體管308的漏極，n型晶體管308的源極連接于接收來自第二電源(未圖示)的GND電勢(例如0V)的電源輸入部分314。此外，p型晶體管313的漏極連接于p型晶體管312的源極，p型晶體管312的漏極連接于n型晶體管311的漏極，n型晶體管311的源極連接于接收來自第二電源的GND電勢的電源輸入部分314。
輸入單元306將輸入到p型晶體管309的柵極的信號輸出。輸入單元306輸出的信號需要是可以確實地選擇p型晶體管的開關(guān)(ON、OFF)的信號，例如，在VDH電源系統(tǒng)的高電平(例如15V)和低電平(例如0V)之間變化的信號。
輸入單元307將輸入于p型晶體管312的柵極的信號輸出。輸入單元307輸出的信號與輸入單元306輸出的信號相同，需要是可以確實地選擇p型晶體管的開關(guān)(ON、OFF)的信號。
輸出303、304是電平轉(zhuǎn)移電路的輸出，分別輸出VDH電源系統(tǒng)的信號。輸出304將輸出303輸出的信號反相而輸出。如此，如圖3A所示的電平轉(zhuǎn)移電路將VDD電源系統(tǒng)的信號轉(zhuǎn)換為VDH電源系統(tǒng)的信號而輸出。
下面參照圖3B所示的定時圖來描述圖3A所示的電平轉(zhuǎn)移電路的工作。當輸入于輸入301的信號處于高電平(5V)時，n型晶體管308開通。此時，輸入單元306輸出的信號處于高電平(15V)，p型晶體管309關(guān)斷。因此，向p型晶體管313的柵極輸入低電平(0V)而使其開通，從輸出303輸出GND電勢(0V)。另一方面，輸入于輸入305的信號處于低電平(0V)，n型晶體管311關(guān)斷。此時，輸入單元307輸出的信號處于低電平(0V)，p型晶體管312開通。如上所述那樣由于p型晶體管313開通，所以，p型晶體管310的柵極被輸入高電平而關(guān)斷，從輸出304輸出VDH電勢(15V)。
當輸入于輸入301的信號處于低電平(0V)時，輸入于輸入305的信號處于高電平(5V)，通過如上所述的操作，從輸出303和輸出304分別輸出VDH電勢(15V)和GND電勢(0V)。
在此，參照圖3B，考慮輸入于輸入301的信號從低電平變到高電平(圖3B中表示α1的期間)的情況。在圖4所示的現(xiàn)有電平轉(zhuǎn)移電路中，在該過渡期中產(chǎn)生了貫穿電流。另一方面，在圖3A所示的本發(fā)明的電平轉(zhuǎn)移電路中，輸入單元306輸入高電平的信號，以便在輸入于輸入301的信號從低電平變到高電平，并且n型晶體管308的柵極電勢上升而開通之前，使p型晶體管309關(guān)斷。也就是說，在輸入于輸入301的信號從低電平變到高電平的過渡期中，即使p型晶體管310開通，通過在n型晶體管308開通之前使p型晶體管309關(guān)斷，可以遮斷貫穿電流產(chǎn)生的通路。
接著，考慮輸入于輸入301的信號從高電平變到低電平(圖3B中表示α2的期間)的情況。此時，輸入單元307輸入高電平的信號，以便在輸入于輸入305的信號從低電平變到高電平，并且n型晶體管311的柵極電勢上升而開通之前，使p型晶體管312關(guān)斷。也就是說，在輸入于輸入305的信號從低電平變到高電平的過渡期中，即使p型晶體管313開通，通過在n型晶體管311開通之前，使p型晶體管312關(guān)斷，也可以遮斷貫穿電流產(chǎn)生的通路。
注意，輸入于輸入301的信號和輸入于輸入305的信號是VDD電源系統(tǒng)的信號，并且其中一方是另一方的反相信號。因此，可以用反相器將其中一方反相來用作另一方的輸入信號。
另外，從輸入單元306、307輸出的信號是VDH電源系統(tǒng)的信號。如圖3B所示那樣，只要輸入單元306輸出的信號從低電平變到高電平的時機確實地比輸入于輸入301的信號從低電平變到高電平的時機早就可以，并且只要輸入單元307輸出的信號從低電平變到高電平的時機確實地比輸入于輸入305的信號從低電平變到高電平的時機早就可以。
由圖3B可見，從輸入單元306輸出的信號的優(yōu)選例子可以舉出相對于輸入于輸入301的信號偏移α1、α2所示期間的相位，并且是VDH電源系統(tǒng)的信號。此外，作為輸入單元307輸出的信號的優(yōu)選例子可以舉出將輸入單元306輸出的信號反相的信號。
另外，在圖3B中用α1、α2所示的期間是輸入303或304可能成為浮動狀態(tài)的期間。因此，優(yōu)選n型晶體管308和p型晶體管309的開關(guān)順序、或n型晶體管311和p型晶體管312的開關(guān)順序分別在滿足所述條件的范圍內(nèi)，使該期間為最小。
在本發(fā)明中，可以相應于電平轉(zhuǎn)移電路的能力或周邊驅(qū)動電路的結(jié)構(gòu)而適當?shù)卦O定VDD電勢、VDH電勢和GND電勢的數(shù)值。
實施方式2圖1A和1B示出本發(fā)明的電平轉(zhuǎn)移電路的其他實施方式。注意，在圖1A中設置有未圖示出的電源，并且接收來自相同電源的電勢的電源輸入部分由相同附圖標記來表示。在該圖的電路中，在VDD電源系統(tǒng)的高電平(例如5V)和低電平(例如0V)之間變化的信號輸入于輸入101，然后輸入于n型晶體管108的柵極。另外，輸入101的反相信號輸入于輸入105，然后輸入于n型晶體管114的柵極。
向輸入106輸入在VDH電源系統(tǒng)的高電平(例如15V)和低電平(例如0V)之間變化的信號，以通過n型晶體管112、p型晶體管113、n型晶體管118和p型晶體管119分別控制p型晶體管109和115。
電源輸入部分107連接于n型晶體管111和117的每個柵極，并且，從第三電源(未圖示)供給VDD電勢(例如5V)。
接收來自第一電源(未圖示)的VDH電勢(例如15V)的電源輸入部分102連接于p型晶體管110的源極以及p型晶體管116的源極。此外，p型晶體管110的漏極連接于p型晶體管109的源極，p型晶體管109的漏極連接于n型晶體管108的漏極，n型晶體管108的源極連接于接收來自第二電源(未圖示)的GND電勢(例如0V)的電源輸入部分120。此外，p型晶體管116的漏極連接于p型晶體管115的源極，p型晶體管115的漏極連接于n型晶體管114的漏極，n型晶體管114的源極連接于接收來自第二電源的GND電勢的電源輸入部分120。
n型晶體管111和112互相串聯(lián)連接，并且n型晶體管111的源極連接于輸入101，n型晶體管112的漏極連接于p型晶體管109的柵極。n型晶體管112的柵極連接于輸入106。p型晶體管113的源極連接于接收來自第一電源的VDH電勢的電源輸入部分102。p型晶體管113的漏極和柵極分別連接于p型晶體管109的柵極和輸入106。
n型晶體管117和118互相串聯(lián)連接，并且n型晶體管117的源極連接于輸入105，n型晶體管118的漏極連接于p型晶體管115的柵極。n型晶體管118的柵極連接于輸入106。p型晶體管119的源極連接于接收來自第一電源的VDH電勢的電源輸入部分102。p型晶體管119的漏極和柵極分別連接于p型晶體管115的柵極和輸入106。
從輸出103輸出VDH電源系統(tǒng)的信號。此外，從輸出104輸出將輸出103輸出的信號反相的VDH電源系統(tǒng)的信號。輸出103以及104都成為電平轉(zhuǎn)移電路的輸出。如此這樣，圖1A和1B所示的電平轉(zhuǎn)移電路將VDD電源系統(tǒng)的信號轉(zhuǎn)換為VDH電源系統(tǒng)的信號而輸出。
下面對于圖1所示的電平轉(zhuǎn)移電路的工作詳細地進行說明。
當輸入101、105處于高電平和低電平的任何一種狀態(tài)時，輸入106輸入高電平。
當輸入101處于高電平時，n型晶體管108開通，并且從輸出103輸出GND電勢的同時p型晶體管116開通。另一方面，由于此時輸入105處于低電平，所以n型晶體管114關(guān)斷。由于輸入106輸入有高電平的信號，因此p型晶體管113、119都關(guān)斷。在n型晶體管117中，由于源極電勢即輸入105處于低電平，并且其柵極輸入有VDD電勢，所以開通。結(jié)果，n型晶體管118也開通，并且GND電勢輸入于p型晶體管115的柵極而使p型晶體管115開通。通過使p型晶體管115、116都開通，輸出104輸出VDH電勢。
另一方面，由于當輸入101處于低電平時，其反相信號的輸入105處于高電平，所以n型晶體管114開通，并且輸出104輸出GND電勢的同時，p型晶體管110也開通。相反，n型晶體管108關(guān)斷。通過將高電平的信號輸入于輸入106，p型晶體管113、119都關(guān)斷。在n型晶體管111中，由于源極電勢即輸入101處于低電平，并且VDD電勢輸入于柵極，所以開通。結(jié)果，n型晶體管112也開通，GND電勢輸入于p型晶體管109的柵極而使p型晶體管109開通。通過使p型晶體管109、110都開通，輸出103輸出VDH電勢。
接著，關(guān)于輸入于輸入101、105的信號從高電平變到低電平或從低電平變到高電平的期間，參照圖1B而說明。
在所述包括信號變化的過渡期的期間中，使輸入于輸入106的信號處于低電平。具體而言，在輸入于輸入101、105的信號開始變化之前，使輸入于輸入106的信號處于低電平，然后在輸入于輸入101、105的信號的變化結(jié)束，并且確定高電平或低電平后，使輸入于輸入106的信號重新處于高電平。通過使輸入于輸入106的信號處于低電平，n型晶體管112、118無關(guān)于n型晶體管111、117的狀態(tài)而關(guān)斷，并且p型晶體管113、119開通，所以，p型晶體管109、115的柵極分別輸入有VDH電勢而關(guān)斷。
通過上述操作，在n型晶體管108中，在輸入于輸入101的信號從低電平變到高電平或從高電平變到低電平的過渡期中p型晶體管109確實地關(guān)斷，相反，在輸入于輸入105的信號從低電平變到高電平或從高電平變到低電平的過渡期中，p型晶體管115確實地關(guān)斷。因此，如上所述那樣，可以遮斷貫穿電流流過的通路。
注意，圖1A和1B中所示的輸入101、105中的一方是另一方的反相信號。在此，如圖2所示那樣，可以用反相器201反相輸入101的信號，然后將該被反相了的信號供給給n型晶體管114的柵極。
實施例1在本實施例1中，將描述使用圖1A所示的本發(fā)明的電平轉(zhuǎn)移電路構(gòu)成的將電平被轉(zhuǎn)移的信號輸出到復數(shù)個布線的驅(qū)動電路的例子。此時，必須要在每個復數(shù)布線設置電平轉(zhuǎn)移器。作為這種驅(qū)動電路，例如是如下驅(qū)動電路將信號輸出到設置在以矩陣形狀排列的單元的每一列(或每一行)的布線。具體而言，可以適用于如下的信號線驅(qū)動電路將視頻信號等輸出到設置在以矩陣形狀排列并且構(gòu)成顯示器的復數(shù)個像素的每一列的信號線。此外，還可以適用于如下的掃描線驅(qū)動電路將選擇信號等輸出到設置在以矩陣形狀排列并且構(gòu)成顯示器的復數(shù)個像素的每一行的掃描線。
在此，在驅(qū)動電路具有VDD電源系統(tǒng)的低信號電平的電路(以低電壓電源工作的電路)和具有VDH電源系統(tǒng)的高信號電平的電路(以高電壓電源工作的電路)雙方的情況下，電平轉(zhuǎn)移電路用于轉(zhuǎn)換信號電平以在這些電路之間進行信號交換。當圖1A所示的電平轉(zhuǎn)移電路轉(zhuǎn)換信號電平時，輸入于輸入106的信號需要為VDH電源系統(tǒng)的信號。這是因為如下由于VDH電勢從第一電源施加到電源輸入部分102，所以除非輸入于輸入106的信號也是VDH電源系統(tǒng)的信號，否則不能正確地控制p型晶體管113以及p型晶體管119的開關(guān)轉(zhuǎn)換。如果不能正確地控制p型晶體管113以及p型晶體管119的開關(guān)轉(zhuǎn)換，則不能正確地控制p型晶體管109以及p型晶體管115的開關(guān)轉(zhuǎn)換。因此，輸入于圖1A所示的電平轉(zhuǎn)移電路中的輸入106的信號需要從VDD電源系統(tǒng)的電平轉(zhuǎn)換為VDH電源系統(tǒng)的電平。
在圖1A所示的電平轉(zhuǎn)移電路中，使用與如圖4所示的現(xiàn)有電平轉(zhuǎn)移電路相同的電平轉(zhuǎn)移電路可以制作出輸入106的輸入信號。
注意，在需要將例如幾十至幾千的大量的電平轉(zhuǎn)移電路設置在驅(qū)動電路內(nèi)的情況下，通過使用參照圖1A和1B說明的本發(fā)明的電平轉(zhuǎn)移電路作為該電平轉(zhuǎn)移電路，與使用參照圖4說明的現(xiàn)有電平轉(zhuǎn)移電路的情況相比，可以控制貫穿電流、并降低耗電量。
在此情況下，即使為了產(chǎn)生大量的圖1A和1B的電平轉(zhuǎn)移電路的輸入106的輸入信號，僅僅使用一個與圖4所示的現(xiàn)有電平轉(zhuǎn)移電路相同的電平轉(zhuǎn)移電路，也不會失去本發(fā)明的有效性。
特別是，像素越多，顯示器的信號線或掃描線的數(shù)量也越多。因此，本發(fā)明特別有利于如下顯示器的驅(qū)動電路需要對應于這些復數(shù)個信號線或復數(shù)個掃描線的復數(shù)個電平轉(zhuǎn)移電路。
圖5示出了將電平被轉(zhuǎn)移了的信號輸出到復數(shù)個布線的驅(qū)動電路的結(jié)構(gòu)的例子。
圖5所示的驅(qū)動電路具有第一電平轉(zhuǎn)移電路551和復數(shù)個第二電平轉(zhuǎn)移電路552。此外，該圖中設置有未圖示出的電源，接收來自相同電源的電勢的電源輸入部分由相同附圖標記表示。
第一電平轉(zhuǎn)移電路551的結(jié)構(gòu)和圖4所示的電平轉(zhuǎn)移電路相同。在第一電平轉(zhuǎn)移電路551中，VDD電源系統(tǒng)的信號輸入于輸入501。輸入501成為第一電平轉(zhuǎn)移電路551的輸入。VDD電源系統(tǒng)的信號輸入于p型晶體管512的柵極和n型晶體管511的柵極。VDH電勢從第一電源(未圖示)供給到電源輸入部分507。電源輸入部分507連接于p型晶體管513的源極以及p型晶體管516的源極。
輸入501的輸入信號的反相信號輸入于輸入509，然后輸入于p型晶體管515的柵極和n型晶體管514的柵極。盡管并未圖示出，但也可以使用反相器反相輸入501的信號而產(chǎn)生輸入509。
此外，p型晶體管513的漏極連接于p型晶體管512的源極。p型晶體管512的漏極連接于n型晶體管511的漏極。n型晶體管511的源極連接于接收來自第二電源(未圖示)的GND電勢的電源輸入部分529。此外，p型晶體管516的漏極連接于p型晶體管515的源極。p型晶體管515的漏極連接于n型晶體管514的漏極。n型晶體管514的源極連接于接收來自第二電源的GND電勢的電源輸入部分529。
從輸出503輸出VDH電源系統(tǒng)的信號。此外，從輸出504輸出將輸出503反相的VDH電源系統(tǒng)的信號。輸出503以及輸出504成為第一電平轉(zhuǎn)移電路551的輸出。
復數(shù)個第二電平轉(zhuǎn)移電路552連接于第一電平轉(zhuǎn)移電路551的輸出之一的輸出504。在復數(shù)個第二電平轉(zhuǎn)移電路552中，與圖1A和1B相同部分由相同附圖標記而表示，并且省略其說明。在復數(shù)個第二電平轉(zhuǎn)移電路552中，共同使用輸入106。該輸入106連接于第一電平轉(zhuǎn)移電路551的輸出之一的輸出504。注意，可以使用輸出503代替輸出504。VDD電源系統(tǒng)的信號輸入于復數(shù)個第二電平轉(zhuǎn)移電路552的每個輸入101。
下面將說明第一電平轉(zhuǎn)移電路551和復數(shù)個第二電平轉(zhuǎn)移電路552的工作定時。
當?shù)谝浑娖睫D(zhuǎn)移電路551的輸出504的信號處于低電平時，由于復數(shù)個第二電平轉(zhuǎn)移電路552不能轉(zhuǎn)移電平，所以輸出103與輸入于輸入101的信號無關(guān)地處于低電平。
在輸出504從低電平轉(zhuǎn)換到高電平后，略微晚一步地使第二電平轉(zhuǎn)移電路552的輸入101的輸入信號處于高電平。此時，由于第二電平轉(zhuǎn)移電路552的p型晶體管109以及p型晶體管115關(guān)斷，所以貫穿電流的通路被遮斷而不使貫穿電流流過。如上所述，復數(shù)個第二電平轉(zhuǎn)移電路552的每個輸出103和104分別輸出GND電勢(0V)和VDH電勢。此外，當輸入101處于低電平時，輸出103和104分別輸出VDH電勢和GND電勢(0V)。
通過使用如上所述的結(jié)構(gòu)，可以將復數(shù)個第二電平轉(zhuǎn)移電路552的輸出103或104輸出的信號輸出到復數(shù)個布線。因此，圖5所示的驅(qū)動電路可以將所輸入的VDD電源系統(tǒng)的信號轉(zhuǎn)換為VDH電源系統(tǒng)的信號而輸出到復數(shù)個布線。在圖5所示的驅(qū)動電路中，可以降低該驅(qū)動電路具有的復數(shù)個電平轉(zhuǎn)移電路的貫穿電流，并且可以降低驅(qū)動電路的耗電量。
本實施例可以與本發(fā)明的實施方式自由地組合而實施。
實施例2本發(fā)明的電平轉(zhuǎn)移電路可以用作顯示器的驅(qū)動電路。顯示器具有復數(shù)個像素。在本實施例中，參照圖6A和6B對于形成有復數(shù)個像素的面板的例子進行說明。在圖6A中，面板5101具有由排列為矩陣形狀的復數(shù)個像素5500構(gòu)成的像素部分5501。像素部分5501可以采用薄膜晶體管等的開關(guān)元件排列在每個像素5500的有源矩陣方式的結(jié)構(gòu)。作為像素5500的顯示元件，既可提供場致發(fā)光元件等的發(fā)光元件，又可提供液晶元件。
注意，如圖6B所示那樣，也可在相同于像素部分5501所形成的襯底的襯底上提供驅(qū)動像素部分5501的驅(qū)動電路。在圖6B中，與圖6A相同的部分由相同附圖標記表示，并且省略其說明。在圖6B中，作為驅(qū)動電路，表示出信號線驅(qū)動電路5503和掃描線驅(qū)動電路5504。注意，本發(fā)明不局限于該結(jié)構(gòu)，除了信號線驅(qū)動電路5503和掃描線驅(qū)動電路5504之外，還可以提供其他驅(qū)動電路。驅(qū)動電路可以形成在其他襯底上，然后安裝到形成有像素部分5501的襯底上。此外，驅(qū)動電路可以使用與形成像素5500具有的薄膜晶體管相同的步驟而形成的薄膜晶體管，在與形成有像素部分5501的襯底的同一襯底上形成。薄膜晶體管的溝道形成區(qū)域既可用多晶半導體形成，又可用非晶半導體形成。
本實施例可以與本發(fā)明的實施方式以及實施例1自由地組合而實施。
實施例3圖7A示出了圖6A或6B所示的像素部分5501的結(jié)構(gòu)例子(下面稱作第一像素結(jié)構(gòu))。像素部分5501包括復數(shù)個信號線S1至Sp(p為自然數(shù))；與該復數(shù)個信號線S1至Sp相交地設置的復數(shù)個掃描線G1至Gq(q為自然數(shù))；設置在信號線S1至Sp和掃描線G1至Gq的每個交點處的像素600。
圖7B示出了圖7A所示的像素600的結(jié)構(gòu)。在圖7B中，示出了形成在復數(shù)個信號線S1至Sp之中的Sx(x為p或更小的自然數(shù))和復數(shù)個掃描線G1至Gq之中的Gy(y為q或更小的自然數(shù))的交點處的像素600。像素600包括第一晶體管601、第二晶體管602、電容元件603以及發(fā)光元件604。注意，本實施例示出作為發(fā)光元件604，使用其中具有一對電極并且通過使電流流過這對電極之間而發(fā)光的元件的例子。此外，可以積極地利用第二晶體管602的寄生電容等作為電容元件603。第一晶體管601以及第二晶體管602可為n型晶體管或p型晶體管。作為構(gòu)成像素600的晶體管，可以使用薄膜晶體管。
第一晶體管601的柵極連接于信號線Sx，第一晶體管601的源極以及漏極中的一方連接于掃描線Gy，而另一方連接于第二晶體管602的柵極以及電容元件603的一方電極。電容元件603的另一方電極連接于接收電勢V3的端子605。第二晶體管602的源極以及漏極中的一方連接于發(fā)光元件604的一方電極，另一方連接于接收電勢V2的端子606。發(fā)光元件604的另一方電極連接于接收電勢V1的端子607。
下面說明圖7A和7B所示的像素部分5501的顯示方法。
從復數(shù)個掃描線G1至Gq中選擇一條，并且在該一條掃描線被選擇的期間，將圖像信號輸入到復數(shù)個信號線S1至Sp中的每一條。以這種方式，將圖像信號輸入到像素部分5501的一行像素中。順序地選擇復數(shù)個掃描線G1至Gq而進行同樣的操作，將圖像信號輸入到像素部分5501的每個像素600。
下面說明復數(shù)個掃描線G1至Gq中的一條Gy被選擇，并且從復數(shù)個信號線S1至Sp中的一條Sx輸入圖像信號的像素600的工作。掃描線Gy被選擇時，第一晶體管601開通。晶體管的開通意味著源極和漏極導通，晶體管的關(guān)斷意味著源極和漏極不導通。當?shù)谝痪w管601開通時，輸入于信號線Sx的圖像信號通過第一晶體管601輸入于第二晶體管602的柵極。第二晶體管602對應于所輸入的圖像信號被選擇開通或關(guān)斷。當選擇第二晶體管602的開通狀態(tài)時，第二晶體管602的漏極電流流到發(fā)光元件604，從而發(fā)光元件604發(fā)光。
將電勢V2和電勢V3保持為當?shù)诙w管602開通時，兩者間的電勢差一直固定。也可以使電勢V2和電勢V3為同一電勢。在使電勢2V和電勢3V為同一電勢的情況下，也可以將端子605和端子606連接于同一布線。將電勢V1和電勢V2設定為當選擇發(fā)光元件604的發(fā)光時，具有預定的電勢差。如此這樣，向發(fā)光元件604流過電流而使發(fā)光元件604發(fā)光。
也可以在一個幀期間中提供復數(shù)個子幀期間，在每個復數(shù)子幀期間中如上那樣選擇每個復數(shù)像素的發(fā)光或非發(fā)光。如此這樣，可以通過控制在每一個幀期間中選擇發(fā)光的時間，而表示灰度。這種灰度顯示方法稱作時分灰度方法。
本實施例可以與本發(fā)明的實施方式和實施例1以及實施例2自由地組合而實施。
實施例4圖8A示出圖6A或6B所示的像素部分5501的結(jié)構(gòu)實例。圖8A示出了與實施例3所示的第一像素結(jié)構(gòu)不同的實例(下面稱之為第二像素結(jié)構(gòu))。像素部分5501包括復數(shù)個第一信號線S1至Sp(p為自然數(shù))；與復數(shù)個信號線S1至Sp相交地設置的復數(shù)個掃描線G1至Gq(p為自然數(shù))以及復數(shù)個掃描線R1至Rq；設置在信號線S1至Sp和掃描線G1至Gq的每個交點處的像素700。
圖8B示出了圖8A的像素700的結(jié)構(gòu)。圖8B示出了形成于復數(shù)個信號線S1至Sp之中的Sx(x為p或更小的自然數(shù))、復數(shù)個掃描線G1至Gq之中的Gy(y為q或更小的自然數(shù))以及復數(shù)個掃描線R1至Rq之中的Ry的交點處的像素700。注意，圖8B所示的像素結(jié)構(gòu)中，與圖7B相同的部分由相同的附圖標記表示，并且省略其描述。圖8B不同于圖7B所示的像素600之處在于，另外提供了第三晶體管701。第三晶體管701可為n型晶體管或p型晶體管。作為構(gòu)成像素700的晶體管可以使用薄膜晶體管。
第三晶體管701的柵極連接于掃描線Ry，第三晶體管701的源極以及漏極的一方連接于第二晶體管602的柵極以及電容元件603的一方電極，而另一方連接于用于接收電勢V4的端子702。
下面說明圖8A和8B所示的像素部分5501的顯示方法。
使發(fā)光元件604發(fā)光的方法和實施例3所示的方法相同。圖8A和8B中所示的結(jié)構(gòu)的像素的特征在于由于具有掃描線Ry以及第三晶體管701，所以可以無關(guān)于信號線Sx輸入的圖像信號地使得像素700的發(fā)光元件604為非發(fā)光。根據(jù)輸入于掃描線Ry的信號可以設定像素700的發(fā)光元件604的發(fā)光時間。通過以這種方式順序地選擇掃描線G1至Gq，可以將發(fā)光期間設定為比選擇所有的掃描線G1至Gq的期間更短。如上所述，由于在以時分灰度方式進行顯示的情況下，可以設定長度短的子幀期間，所以可以顯示高灰度。
使當?shù)谌w管701開通時第二晶體管602關(guān)斷地設定電勢V4即可。例如，可以當?shù)谌w管701開通時變?yōu)榕c電勢V3相同的電勢地設定電勢V4。通過使電勢V3和電勢V4為相同的電勢，可以釋放保持在電容元件603中的電荷，并且使第二晶體管602的源極和柵極之間的電壓為零而可以使第二晶體管602關(guān)斷。注意，在使電勢V3和電勢V4為相同電勢的情況下，可以將端子605和端子702連接到同一布線。
注意，第三晶體管701不局限于圖8B所示的布置。例如，可以串聯(lián)第二晶體管602和第三晶體管701。在該結(jié)構(gòu)中，通過使用輸入到掃描線Ry的信號使第三晶體管701關(guān)斷，可以遮斷流入到發(fā)光元件604的電流以使得發(fā)光元件604為非發(fā)光。
還可使用二極管來代替圖8B所示的第三晶體管701。圖8C示出了使用二極管來代替第三晶體管701的像素結(jié)構(gòu)。注意，圖8B和圖8C之間的相同部分由相同的附圖標記表示，并且省略其說明。二極管771的一方電極連接于掃描線Ry，而另一方電極連接于第二晶體管602的柵極以及電容元件603的一方電極。
二極管771將電流從一方電極流到另一方電極。作為第二晶體管602使用p型晶體管。通過增加二極管771的一方電極的電勢，而可以增加第二晶體管602的柵極電勢，以使第二晶體管602關(guān)斷。
圖8C示出了如下結(jié)構(gòu)二極管771將電流從連接于掃描線Ry的一方電極流到連接于第二晶體管602的柵極的另一方電極，并且作為第二晶體管602使用p型晶體管，但是本發(fā)明不局限于此。還可以采用如下結(jié)構(gòu)二極管771將電流從連接于第二晶體管602的柵極的另一方電極流到連接于第三信號線Ry的一方電極，并且作為第二晶體管602使用n型晶體管。當?shù)诙w管為n型晶體管時，通過降低二極管771的一方電極的電勢以降低第二晶體管602的柵極電勢，而可使第二晶體管602關(guān)斷。
作為二極管771，可以使用二極管連接的晶體管。二極管連接的晶體管意味著其漏極和柵極互相連接的晶體管。作為二極管連接的晶體管，可以使用p型晶體管或n型晶體管。
本實施例可以與本發(fā)明的實施方式以及實施例1至3自由地組合而實施。
實施例5在本實施例中，對于實際制作像素的實例進行說明。圖9A和9B是實施例3以及實施例4中所說明的面板中的像素的截面圖。圖9A和9B示出了TFT用作設置在像素中的開關(guān)元件并且發(fā)光元件用作設置在像素中的顯示媒體的實例。
在圖9A和9B中，附圖標記1000表示襯底；1001表示基底膜；1002表示半導體層；1102表示半導體層；1003表示第一絕緣膜；1004表示柵極；1104表示電極；1005表示第二絕緣膜；1006表示電極；1007表示第一電極；1008表示第三絕緣膜；1009表示發(fā)光層；1010表示第二電極；1100表示TFT；1011表示發(fā)光元件；以及1101表示電容元件。在圖9A和9B中，作為構(gòu)成像素的元件代表性地示出了TFT1100和電容元件1101。下面說明圖9A的結(jié)構(gòu)。
襯底1000可以使用例如硼硅酸鋇玻璃、硼硅酸鋁玻璃等的玻璃襯底、石英襯底、陶瓷襯底等。此外，還可以在含有不銹鋼的金屬襯底或半導體襯底的表面上分別形成絕緣膜而使用。還可以使用由合成樹脂構(gòu)成的柔性襯底例如塑料等。也可通過CMP法等的拋光使得襯底1000的表面平坦化。
可以使用絕緣膜例如氧化硅、氮化硅或氮化氧化硅等形成基底膜1001。由基底膜1001可以防止含于襯底1000中的Na等的堿金屬或堿土金屬擴散于半導體層1002中導致對TFT1100的特性造成不利影響。盡管在圖9A和9B中基底膜1001具有單層結(jié)構(gòu)，但是基底膜1001可以形成為雙層或更多層的復數(shù)層結(jié)構(gòu)。注意，在使用例如石英襯底等雜質(zhì)的擴散并不是嚴重問題的情況下，并不需要形成基底膜1001。
半導體層1002以及半導體層1102可以使用晶體半導體膜或非晶半導體膜而形成。通過使非晶半導體膜結(jié)晶化可以獲得晶體半導體膜。結(jié)晶化方法可以使用激光結(jié)晶方法、用RTA或退火爐的熱結(jié)晶方法、用促進結(jié)晶化的金屬元素的熱結(jié)晶方法等。半導體層1002具有溝道形成區(qū)域和一對摻雜有給予導電型的雜質(zhì)元素的雜質(zhì)區(qū)域。注意，可以在溝道形成區(qū)域和一對雜質(zhì)區(qū)域之間具有摻雜有低濃度的所述雜質(zhì)元素的雜質(zhì)區(qū)域。整個半導體層1102可以摻雜有給予導電型的雜質(zhì)元素。
可以使用氧化硅、氮化硅或氮化氧化硅等，以單層或疊層復數(shù)膜形成第一絕緣膜1003。
可以使用由選自Ta、W、Ti、Mo、Al、Cu、Cr、和Nd中的一種元素或含有多個該元素的合金或化合物構(gòu)成的單層或疊層結(jié)構(gòu)形成柵極1004以及電極1104。
TFT1100包括半導體層1002、柵極1004、在該半導體層1002和該柵極1004之間的第一絕緣膜1003。盡管在圖9A和9B中作為構(gòu)成像素的TFT僅僅示出了連接于發(fā)光元件1011的第一電極1007的TFT1100，但是可以采用具有復數(shù)個TFT的結(jié)構(gòu)。另外，在本實施例中，示出作為頂部柵極型晶體管的TFT1100，但是，TFT1100既可為半導體層的下方設置有柵極的底部柵極型晶體管，又可為在半導體層的上下方設置有柵極的雙柵極型晶體管。
在電容元件1101中，以第一絕緣膜1003為電介質(zhì)，以中間夾有第一絕緣膜1003互相相對的半導體層1102和電極1104為一對電極。注意，盡管在圖9A和9B中作為像素具有的電容元件示出了以和TFT1100的半導體層1002同時形成的半導體層1102為一對電極中的一方，并且以和TFT1100的柵極1004同時形成的電極1104為另一方電極的例子，但是本發(fā)明不局限于該結(jié)構(gòu)。
另外，可以使用由硅(Si)和氧(O)的結(jié)來構(gòu)成其骨架結(jié)構(gòu)的材料形成第二絕緣膜1005。作為這種材料的取代基，使用至少含有氫的有機基團(例如烷基、芳烴)。取代基還可以使用氟基團?；蛘?，取代基可以使用氟基團和至少含有氫的有機基團。
電極1006可以使用由選自Al、Ni、C、W、Mo、Ti、Pt、Cu、Ta、Au、Mn中的一種元素或含有多個該元素的合金構(gòu)成的單層或疊層結(jié)構(gòu)。
第一電極1007以及第二電極1010的一方或雙方可為透光電極。作為透光電極可以使用含有氧化鎢的銦氧化物(IWO)、含有氧化鎢的銦鋅氧化物(IWZO)、含有氧化鈦的銦氧化物(ITiO)、含有氧化鈦的銦錫氧化物(ITTiO)等。當然可以使用銦錫氧化物(ITO)、銦鋅氧化物(IZO)、添加有氧化硅的銦錫氧化物(ITSO)等。
第一電極1007和第二電極1010的另一方可以由不具有透光性的材料形成。例如，可以使用Li或Cs等的堿金屬；Mg、Ca、Sr等的堿土金屬；含有這些金屬的合金(Mg:Ag、Al:Li、或Mg:In等)；這些的化合物(氟化鈣、氮化鈣)；以及Yb或Er等的稀土金屬。
可以使用和第二絕緣膜1005相同的材料形成第三絕緣膜1008。第三絕緣膜1008覆蓋第一電極1007的端部地形成于第一電極1007的周邊，并且具有將相鄰的像素的發(fā)光層1009分開的功能。
發(fā)光層1009由單層或復數(shù)層構(gòu)成。優(yōu)選使用其功能不同的復數(shù)層諸如空穴注入傳輸層、發(fā)光層、電子注入傳輸層等構(gòu)成發(fā)光層。注意，每層之間的邊界不必清楚，并且有可能構(gòu)成每層的材料部分地相互混合而其邊界模糊。
空穴注入傳輸層優(yōu)選由含有空穴傳輸性的有機化合物材料和對于該有機化合物材料顯示電子接收性的無機化合物材料的復合材料來形成。通過采用如上結(jié)構(gòu)，很多空穴載流子產(chǎn)生于原來幾乎都沒有內(nèi)在載流子的有機化合物中，可以獲得極為優(yōu)良的空穴注入性/傳輸性。根據(jù)該效果，與現(xiàn)有技術(shù)相比可以進一步降低驅(qū)動電壓。此外，由于可以不引起驅(qū)動電壓上升地將空穴注入傳輸層形成得很厚，因此還可以抑制發(fā)光元件的起因于灰塵等的短路。
作為空穴傳輸性的有機化合物材料可以舉出4，4’，4”-三[N-(3-甲基苯)-N-苯胺]三苯胺(簡稱為MTDATA)、1，3，5-三[N，N-二(m-甲苯基)氨基]苯(簡稱為m-MTDAB)、N，N’-二苯基-N，N’-雙(3-甲基苯)-1，1’-聯(lián)苯-4，4’-二胺(簡稱為TPD)、4，4’-雙[N-(1-萘基)-N-苯胺]聯(lián)苯(簡稱為NPB)等。但，空穴傳輸性的有機化合物材料不局限于這些材料。
作為顯示電子接收性的無機化合物材料可以舉出氧化鈦、氧化鋯、氧化釩、氧化鉬、氧化鎢、氧化錸、氧化镥、氧化鋅等。尤其，氧化釩、氧化鉬、氧化鎢、氧化錸由于可以進行真空氣相淀積且容易處理，所以是優(yōu)選的。
用電子傳輸性的有機化合物材料形成電子注入傳輸層。具體而言，可以舉出三(8-喹啉醇合)鋁(簡稱為Alq3)、三(4-甲基-8-喹啉醇合)鋁(簡稱為Almq3)等，但是用于電子注入傳輸層的材料不局限于這些材料。
發(fā)光層可以利用例如9，10-二(2-萘基)蒽(簡稱為DNA)、9，10-二(2-萘基)-2-tert-丁基蒽(簡稱為t-BuDNA)、4’4-雙(2’2-二苯乙烯)聯(lián)苯(簡稱為DPVBi)、香豆素30、香豆素6、香豆素545、香豆素545T、二萘嵌苯、紅熒烯、吡啶醇、2，5，8，11-四(tert-丁基)二萘嵌苯(簡稱為TBP)、9，10-二苯基蒽(簡稱為DPA)、5，12-二苯基并四苯、4-(二氰基亞甲基)-2-甲基-[p-(二甲基氨基)苯乙烯基]-4H-吡喃(簡稱為DCM1)、4-(二氰基亞甲基)-2-甲基-6-[2-(久洛里定-9-基)乙烯基]-4H-吡喃(簡稱為DCM2)、4-(二氰基亞甲基)-2，6-雙[p-(二甲基氨基)苯乙烯基]-4H-吡喃(簡稱為BisDCM)等。還可以使用放出磷光的化合物，例如雙[2-(4’，6’-二氟苯基)吡啶醇-N，C2’]銥(吡啶甲酸鹽)(簡稱為FIrpic)、雙{2-[3’，5’-雙(三氟甲基)苯基]吡啶醇-N，C2’}銥(吡啶甲酸鹽)(簡稱為Ir(CF3ppy)2(pic))、三(2-苯基吡啶醇-N，C2’)銥(簡稱為Ir(ppy)3)，雙(2-苯基吡啶醇-N，C2’)銥(乙?；})(簡稱為Ir(ppy)2(acac))，雙[2-(2’-噻吩基)吡啶醇-N，C3’]銥(乙?；})(簡稱為Ir(thp)2(acac))，雙(2-苯基喹啉-N，C2’)銥(乙酰基丙酮鹽)(簡稱為Ir(pq)2(acac))以及雙[2-(2’-苯并噻吩基)吡啶醇-N，C3’]銥(乙酰基丙酮鹽)(簡稱為Ir(btp)2(acac))等。
另外，可用于形成發(fā)光層的高分子量的電場發(fā)光材料還可以舉出聚對亞苯基亞乙烯基類、聚對亞苯基類、聚噻吩類、和聚芴類等。
總之，發(fā)光層的層結(jié)構(gòu)是可變化的。只要是在實現(xiàn)作為發(fā)光元件的目的的范圍之內(nèi)，各種變形都是可以容許的，例如不提供特定的空穴/電子注入傳輸層或發(fā)光層而提供主要用于該目的的電極層或提供分散有發(fā)光性材料等。
發(fā)光元件1011包括發(fā)光層1009、中間夾有發(fā)光層1009而層疊的第一電極1007以及第二電極1010。第一電極1007以及第二電極1010的一方相當于陽極而另一方相當于陰極。當將高于閾值電壓的正向電壓施加到發(fā)光元件1011的陽極和陰極之間時，電流從陽極流到陰極而發(fā)光元件1011則發(fā)光。
下面說明圖9B的結(jié)構(gòu)。注意，圖9B與圖9A之間的相同部分由相同附圖標記表示，并且省略其描述。
圖9B示出了在圖9A中的第二絕緣膜1005和第三絕緣膜1008之間設置有絕緣膜1108的結(jié)構(gòu)。電極1006和第一電極1007通過提供于絕緣膜1108的接觸孔中的電極1106彼此連接。
絕緣膜1108可具有與第二絕緣膜1005相同的結(jié)構(gòu)。電極1106可具有與電極1006相同的結(jié)構(gòu)。
本實施例可以與本發(fā)明的實施方式以及實施例1至實施例4自由地組合而實施。
實施例6在本實施例中，參照圖10A至10C對將形成有像素的襯底密封的結(jié)構(gòu)進行說明。圖10A是通過密封形成有像素的襯底而形成的面板的俯視圖，并且圖10B和10C都是沿圖10A中的A-A’線切斷的截面圖。圖10B和圖10C是不同密封方法的實例。
在圖10A至10C中，在襯底1301上設置有具有復數(shù)個像素的像素部分1302，圍繞像素部分1302地設置粘接劑1306，其上貼有密封劑1307。像素的結(jié)構(gòu)可以為上述實施例中所示的結(jié)構(gòu)。
在圖10B所示的顯示面板中圖10A中的密封劑1307相當于相對襯底1321。粘接劑1306用作粘合層粘接透光相對襯底1321，由襯底1301、相對襯底1321以及粘接劑1306來形成密封空間1322。相對襯底1321設置有濾色片1320和用于保護該濾色片的保護膜1323。從設置于像素部分1302的發(fā)光元件發(fā)出的光通過該濾色片1320發(fā)射到外部。用惰性樹脂或液體等填充密封空間1322。作為填充密封空間1322的樹脂，可使用其中分散有吸濕材料的透光性樹脂。此外，可通過將同一材料用作粘接劑1306的材料和填充密封空間1322的材料，在粘合相對襯底1321的同時密封像素部分1302。
在圖10C所示的顯示面板中，圖10A的密封劑1307相當于密封劑1324。粘接劑1306用作粘合層粘接密封劑1324，由襯底1301、粘接劑1306以及密封劑1324形成密封空間1308。在密封劑1324的凹陷部分中預先設置有吸濕材料1309，該吸濕材料1309在上述密封空間1308內(nèi)部吸收濕氣或氧等而保持清潔環(huán)境，從而抑制發(fā)光元件的劣化。該凹陷部分由微細的網(wǎng)狀的覆蓋劑1310覆蓋。覆蓋劑1310能透過空氣或濕氣，但不透過吸濕材料1309。此外，可以用氮或氬等的稀有氣體填充密封空間1308，也可以用惰性樹脂或液體填充。
在襯底1301上設置有用于將信號傳送到像素部分1302等的輸入端子部分1311。向該輸入端子部分1311通過FPC(柔性印刷電路)1312傳送視頻信號等的信號。在輸入端子部分1311中，用其中分散有導電體的樹脂(各向異性導電樹脂；ACF)電連接形成于襯底1301上的布線和設置在FPC1312的布線。
也可在形成有像素部分1302的襯底1301上，成為一體地形成將信號輸入到像素部分1302的驅(qū)動電路。既可用IC芯片形成將信號輸入到像素部分1302的驅(qū)動電路，然后用COG(玻璃上載芯片；Chip On Glass)方式使此連接到襯底1301上，又可用TAB(帶式自動接合；Tape AutoBonding)或印刷襯底將IC芯片設置到襯底1301上。
本實施例可以與本發(fā)明的實施方式和實施例1至實施例5自由地組合而實施。
實施例7本發(fā)明可以適用于在面板上安裝有將信號輸入到面板的電路的顯示模塊。
圖11示出了組合面板900和電路襯底904而形成的顯示模塊。在圖11中，控制器905和信號分割電路906等形成于電路襯底904上。形成于電路襯底904的電路不局限于此，只要是產(chǎn)生控制面板的信號的電路就可以形成任何電路。
從形成于電路襯底904上的這些電路輸出的信號通過連接布線907輸入到面板900。
面板900具有像素部分901、信號線驅(qū)動電路902、和掃描線驅(qū)動電路903。面板900的結(jié)構(gòu)可以采用與實施例1或?qū)嵤├?等所示的結(jié)構(gòu)相同的結(jié)構(gòu)。圖11示出了在與形成有像素部分901的襯底同一襯底上形成信號線驅(qū)動電路902以及掃描線驅(qū)動電路903的實例。但是，本發(fā)明的顯示模塊不局限于此。也可在與形成有像素部分901的襯底的同一襯底上僅僅形成掃描線驅(qū)動電路903，并且在電路襯底上形成信號線驅(qū)動電路。也可以是信號線驅(qū)動電路和掃描線驅(qū)動電路雙方都形成在電路襯底上。
組合這種顯示模塊而可以形成各種電子器具的顯示部分。
本實施例可以與本發(fā)明的實施方式、實施例1至實施例6自由地組合而實施。
實施例8本發(fā)明可應用于各種電子器具，諸如影像拍攝裝置(攝像機、數(shù)碼相機等)、投影儀、頭盔顯示器(護目鏡型顯示器)、車載導航系統(tǒng)、車載音響系統(tǒng)、個人計算機、游戲機、便攜式信息終端(移動計算機、移動電話機、或電子書籍等)、具有記錄介質(zhì)的圖像再現(xiàn)裝置(具體而言，一種用于再現(xiàn)數(shù)字通用盤(DVD)等的記錄介質(zhì)并具有可以顯示該圖像的顯示器的裝置)等。圖12A至12D示出了這些電子器具的具體實例。
圖12A是移動式個人計算機，其包括主體911、框架912、顯示部分913、鍵盤914、外部連接端口915、和指示鼠標916等。本發(fā)明可適用于顯示部分913。通過利用本發(fā)明，可以降低顯示部分的耗電量。
圖12B是具有記錄介質(zhì)的圖像再現(xiàn)裝置(具體地是DVD再現(xiàn)裝置)，包括主體921、框架922、第一顯示部分923、第二顯示部分924、記錄介質(zhì)(DVD等)讀取部分925、操作健926、和揚聲器部分927等。第一顯示部分923主要顯示圖像信息，而第二顯示部分924主要顯示文字信息。本發(fā)明可適用于第一顯示部分923和第二顯示部分924。通過利用本發(fā)明，可以降低顯示部分的耗電量。
圖12C是移動電話機，包括主體931、音頻輸出部分932、音頻輸入部分933、顯示部分934、操作開關(guān)935、和天線936等。本發(fā)明可適用于顯示部分934。通過利用本發(fā)明，可以降低顯示部分的耗電量。
圖12D是影像拍攝裝置，包括主體941、顯示部分942、框架943、外部連接端口944、遙控信號接收部分945、圖像接收部分946、電池947、音頻輸入部分948、和操作鍵949等。本發(fā)明可適用于顯示部分942。通過利用本發(fā)明，可以降低顯示部分的耗電量。
本實施例可以自由地組合本發(fā)明的實施方式、實施例1至實施例7而實施。
本說明書根據(jù)2005年4月19日在日本專利局受理的日本專利申請編號2005-121753而制作，所述申請內(nèi)容包括在本說明書中。
權(quán)利要求
1.一種電平轉(zhuǎn)移電路，包括第一電源；施加比所述第一電源更低電勢的第二電源；第一p溝道型晶體管；第二p溝道型晶體管；第三p溝道型晶體管；第四p溝道型晶體管；第一n溝道型晶體管；第二n溝道型晶體管；將信號輸入到所述第二p溝道型晶體管的柵極的第一輸入單元；以及將信號輸入到所述第四p溝道型晶體管的柵極的第二輸入單元，其中，所述第一輸入單元和所述第二輸入單元分別輸出與輸入到所述第一n溝道型晶體管的柵極或所述第二n溝道型晶體管的柵極的信號不同的信號，并且，所述第一p溝道型晶體管的源極和漏極分別連接于所述第一電源和所述第二p溝道型晶體管的源極，并且，所述第二p溝道型晶體管的漏極連接于所述第三p溝道型晶體管的柵極以及所述第一n溝道型晶體管的漏極，并且，所述第一n溝道型晶體管的源極連接于所述第二電源，并且，所述第三p溝道型晶體管的源極和漏極分別連接于所述第一電源和所述第四p溝道型晶體管的源極，并且，所述第四p溝道型晶體管的漏極連接于所述第一p溝道型晶體管的柵極以及所述第二n溝道型晶體管的漏極，以及，所述第二n溝道型晶體管的源極連接于所述第二電源。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電平轉(zhuǎn)移電路，其中，信號輸入于所述第一輸入單元和所述第一n溝道型晶體管的柵極，以及所述第一輸入單元在改變所述信號的相位，且增大其振幅電壓后輸出所述信號，并且，信號輸入于所述第二輸入單元和所述第二n溝道型晶體管的柵極，以及所述第二輸入單元在改變所述信號的相位，且增大其振幅電壓后輸出所述信號。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電平轉(zhuǎn)移電路，其中，所述第二輸入單元輸出的信號是所述第一輸入單元輸出的信號的反相信號。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電平轉(zhuǎn)移電路，所述電平轉(zhuǎn)移電路還包括反相單元，該反相單元相對于輸入到所述第一n溝道型晶體管的柵極的信號，將輸入到所述第二n溝道型晶體管的柵極的信號反相。
5.一種具有復數(shù)個根據(jù)權(quán)利要求1所述的電平轉(zhuǎn)移電路的顯示模塊。
6.一種具有復數(shù)個根據(jù)權(quán)利要求1所述的電平轉(zhuǎn)移電路的電子器具。
7.一種電平轉(zhuǎn)移電路，包括第一電源；施加比所述第一電源更低電勢的第二電源；第三電源；第一p溝道型晶體管；第二p溝道型晶體管；第三p溝道型晶體管；第四p溝道型晶體管；第一n溝道型晶體管；第二n溝道型晶體管；將信號輸入到所述第二p溝道型晶體管的柵極的第一輸入單元；以及將信號輸入到所述第四p溝道型晶體管的柵極的第二輸入單元，其中，所述第一輸入單元和所述第二輸入單元分別輸出與輸入到所述第一n溝道型晶體管的柵極或所述第二n溝道型晶體管的柵極的信號不同的信號，并且，所述第一p溝道型晶體管的源極和漏極分別連接于所述第一電源和所述第二p溝道型晶體管的源極，并且，所述第二p溝道型晶體管的漏極連接于所述第三p溝道型晶體管的柵極以及所述第一n溝道型晶體管的漏極，并且，所述第一n溝道型晶體管的源極連接于所述第二電源，并且，所述第三p溝道型晶體管的源極和漏極分別連接于所述第一電源和所述第四p溝道型晶體管的源極，并且，所述第四p溝道型晶體管的漏極連接于所述第一p溝道型晶體管的柵極以及所述第二n溝道型晶體管的漏極，并且，所述第二n溝道型晶體管的源極連接于所述第二電源，并且，所述第一輸入單元包括第五p溝道型晶體管、第三n溝道型晶體管和第四n溝道型晶體管，并且，所述第五p溝道型晶體管的源極連接于所述第一電源，所述第五p溝道型晶體管的漏極通過串聯(lián)連接的所述第三n溝道型晶體管和所述第四n溝道型晶體管連接于所述第一n溝道型晶體管的柵極，并且，所述第四n溝道型晶體管的柵極連接于所述第三電源，并且，所述第五p溝道型晶體管的漏極是所述第一輸入單元的輸出，并且，所述第二輸入單元包括第六p溝道型晶體管、第五n溝道型晶體管和第六n溝道型晶體管，并且，所述第六p溝道型晶體管的源極連接于所述第一電源，所述第六p溝道型晶體管的漏極通過串聯(lián)連接的所述第五n溝道型晶體管和所述第六n溝道型晶體管連接于所述第二n溝道型晶體管的柵極，并且，所述第六n溝道型晶體管的柵極連接于所述第三電源，并且，所述第六p溝道型晶體管的漏極是所述第二輸入單元的輸出，以及，所述第五p溝道型晶體管的柵極、所述第三n溝道型晶體管的柵極、所述第六p溝道型晶體管的柵極、以及所述第五n溝道型晶體管的柵極都輸入有相同的控制信號。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的電平轉(zhuǎn)移電路，其中，所述控制信號將所述第一電源施加的電勢設定為高電平、并將所述第二電源施加的電勢設定為低電平。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的電平轉(zhuǎn)移電路，其中，所述第三電源施加的電勢比所述第二電源施加的電勢高、并比所述第一電源施加的電勢低。
10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的電平轉(zhuǎn)移電路，所述電平轉(zhuǎn)移電路還包括反相單元，所述反相單元相對于輸入到所述第一n溝道型晶體管的柵極的信號，將輸入到所述第二n溝道型晶體管的柵極的信號反相。
11.一種具有復數(shù)個根據(jù)權(quán)利要求7所述的電平轉(zhuǎn)移電路的顯示模塊。
12.一種具有復數(shù)個根據(jù)權(quán)利要求7所述的電平轉(zhuǎn)移電路的電子器具。
全文摘要
本發(fā)明的目的是提供一種通過防止在轉(zhuǎn)換信號的電平時產(chǎn)生的貫穿電流來實現(xiàn)低耗電量的電平轉(zhuǎn)移電路。本發(fā)明的技術(shù)方案的要點在于；使p溝道型TFT、n溝道型TFT或p溝道型TFT、n溝道型TFT不同時開通地來控制p溝道型TFT，以便防止在轉(zhuǎn)換輸入的信號的電平時貫穿電流流過。在高電平信號輸入于n溝道型TFT的柵極且n溝道型TFT開通的瞬時，使p溝道型TFT關(guān)斷。同樣地，在n溝道型TFT開通的瞬時，使p溝道型TFT關(guān)斷。通過不同時使p溝道型TFT、n溝道型TFT或p溝道型TFT、n溝道型TFT開通，來遮斷貫穿電流流過的通路。
文檔編號G09G3/20GK1855723SQ200610073800
公開日2006年11月1日 申請日期2006年4月19日 優(yōu)先權(quán)日2005年4月19日
發(fā)明者納光明, 柳井宏美 申請人:株式會社半導體能源研究所