專利名稱：電力回收電路、等離子顯示器及等離子顯示器用模塊的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及電力回收電路、等離子顯示器及等離子顯示器用模塊，特別是涉及防止構(gòu)成電力回收電路的開關(guān)元件的誤動作的電力回收電路、等離子顯示器及等離子顯示器用模塊。
背景技術(shù)：
等離子顯示面板(下面簡稱為PDP)為薄型結(jié)構(gòu)，且無閃爍，顯示對比度大，另外，PDP可形成為較大的畫面，響應(yīng)速度快，為自發(fā)光型，也可以利用熒光體進行多色發(fā)光。因此，近年來正在廣泛應(yīng)用于計算機相關(guān)的顯示裝置領(lǐng)域及彩色圖像顯示領(lǐng)域等。
在PDP中，需要用于向作為電容性負載的面板供給電壓的驅(qū)動電路。另外，還使用用于從面板回收電力的電力回收電路(參照下述專利文獻1)。
圖7表示驅(qū)動PDP的驅(qū)動電路100及回收電路101的一例。在驅(qū)動電路100中，基于來自作為控制器IC的IC1的控制信號使第一開關(guān)元件Q1及第二開關(guān)元件Q2進行開關(guān)。在以下的說明中，有時將第一開關(guān)元件Q1及第二開關(guān)元件Q2簡單地稱為Q1及Q2。Q1和Q2被串聯(lián)連接，Q1和Q2的連接點與面板C1連接。Q1的漏極電極與Vcc連接，Q2的源極電極被接地。通過Q1及Q2進行開關(guān)，使面板C1充電及放電。
回收電路101具有線圈L及電容器C2、第三開關(guān)元件Q3、第四開關(guān)元件Q4、作為控制器IC的IC2、電平移位部103。在下面的說明中，有時將第三開關(guān)元件Q3及第四開關(guān)元件Q4簡單地稱為Q3及Q4。線圈L及電容器C2被串聯(lián)連接，且蓄積于面板C1中的電荷的一部分向電容器C2進行充電。在電源Vcc電壓為180V時，在電容器C2中蓄積90V的電壓。
第三開關(guān)元件Q3和第四開關(guān)元件Q4被串聯(lián)連接，在兩者的連接點連接有線圈L。另外，Q3的漏極電極及Q4的源極電極連接在電容器C2上。
電平移位部103是將IC2產(chǎn)生的控制信號電平移位到以Q4的源極電極電壓為基準的控制信號的電路。在此，Q4的源極電極連接在充電90V程度的電容器C2上。因此，來自IC2的控制信號被電平移位到以90V為基準的控制信號，并向第四開關(guān)元件Q4的柵極電極供給。
參照圖8說明上述結(jié)構(gòu)的驅(qū)動電路及回收電路的動作。圖8(A)是表示電路動作的電路圖，圖8(B)是表示面板C1的電壓Vp的隨時間變化的圖表。
參照圖8(A)及圖8(B)說明PDP驅(qū)動電路的維持放電動作。在此，將進行維持放電的動作分成狀態(tài)1～狀態(tài)4進行說明。另外，在圖8(A)中，由(1)～(4)的路徑表示各狀態(tài)的電流流動。
在狀態(tài)1中，將蓄積于電容器C2中的電荷向面板C1充電。具體地說，使第三開關(guān)元件Q3導(dǎo)通，形成由面板C1及線圈L構(gòu)成的共振電路，使面板C1充電。通過該動作，面板C1的電壓上升到例如180V左右。
在狀態(tài)2中，使第一開關(guān)元件Q1導(dǎo)通，將面板C1的電壓Vp鉗位在作為電源電壓(例如180V)的Vcc。在該狀態(tài)下，放電電流向PDP的像素流動而發(fā)光。
在狀態(tài)3中，將蓄積于面板C1中的電荷回收于電容器C2中。具體地說，通過使第四開關(guān)元件Q4導(dǎo)通，再次形成由面板C1及線圈L構(gòu)成的共振電路，使電容器C2充電。其結(jié)果是，電容器C2的電壓達到面板C1的一半電壓即90V程度。在該時刻，面板C1的電壓Vp下降到接地電平。
在狀態(tài)4，使第二開關(guān)元件Q2導(dǎo)通，將面板C1的電壓Vp鉗位在接地電平。
通過反復(fù)進行上述的維持放電動作，進行PDP的顯示。另外，在上述的電路中，由于蓄積于面板C1中的電荷被回收并再利用，故具有省電力的優(yōu)點。
專利文獻1特公平07-109542號公報但是，在上述的等離子顯示器的驅(qū)動電路及回收電路中，構(gòu)成這些電路的開關(guān)元件有可能進行誤動作。
具體地說，參照圖8(A)，在狀態(tài)1時使Q3導(dǎo)通，并使電容器C2放電時，電容器C2會稍微電壓降。該電壓降的值為4V～5V程度。另外，電容器C2與Q4的源極電極連接。因此，隨著電容器C2的電壓降，Q4的源極電極的電位也降低。另一方面，Q4的柵極電極通過電容器C3及二極管D1的作用而保持穩(wěn)定。由此，由于電容器C2的電壓降，Q4的源極·柵極間的電壓上升。
在Q4的閾值電壓為4V程度的情況下，如上所述，由于源極·柵極間的電壓上升，使Q4在狀態(tài)1進行ON動作而產(chǎn)生誤動作。該誤動作有可能使Q4的溫度過度上升而造成破壞。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是鑒于上述問題點而構(gòu)成的，本發(fā)明的主要目的在于，提供抑制開關(guān)元件誤動作的電力回收電路及等離子顯示器。
本發(fā)明提供電力回收電路，從由驅(qū)動電路驅(qū)動的電容負載回收電力，其特征在于，具有電容器，其蓄積從所述電容負載回收的電力；第一開關(guān)元件，其使所述電容器放電；第二開關(guān)元件，其使所述電容器充電；電平移位部，其將控制所述第二開關(guān)元件的控制信號移位到所述電容器的電壓電平，所述第二開關(guān)元件即使由于所述第一開關(guān)元件導(dǎo)通而使所述電容器的電壓降低，也保持OFF動作。
在此，參照圖4(A)，所述第一開關(guān)元件例如為Q3，第二開關(guān)元件為Q4。
另外，本發(fā)明提供等離子顯示器，其具有驅(qū)動電容負載的驅(qū)動電路、和從所述電容負載回收電力的電力回收電路，其特征在于，所述驅(qū)動電路具有使所述電容負載充電的第一開關(guān)元件、和使所述電容負載放電的第二開關(guān)元件，所述電力回收電路具有電容器，其蓄積從所述電容負載回收的電力；第三開關(guān)元件，其使所述電容器放電；第四開關(guān)元件，其使所述電容器充電；電平移位部，其將控制所述第四開關(guān)元件的控制信號移位到所述電容器的電壓電平，所述第四開關(guān)元件即使由于所述第三開關(guān)元件導(dǎo)通而使所述電容器的電壓降低，也保持OFF動作。
在此，參照圖4(A)，上述的第一開關(guān)元件為Q1，第二開關(guān)元件為Q2，第三開關(guān)元件為Q3，第四開關(guān)元件為Q4。
另外，本發(fā)明提供等離子顯示器用模塊，其具有組裝了從通過驅(qū)動電路驅(qū)動的電容負載回收電力的電力回收電路且固定于安裝襯底表面的混合集成電路裝置，其特征在于，所述電力回收電路具有電容器，其蓄積從所述電容負載回收的電力；第一開關(guān)元件，其使所述電容器放電；第二開關(guān)元件，其使所述電容器充電；電平移位部，其將控制所述第二開關(guān)元件的控制信號移位到所述電容器的電壓電平，所述第二開關(guān)元件即使由于所述第一開關(guān)元件導(dǎo)通而使所述電容器的電壓降低，也保持OFF動作，所述第一開關(guān)元件及所述第二開關(guān)元件內(nèi)裝于所述混合集成電路裝置中，所述電容器被直接固定于所述安裝襯底上，且通過形成于所述安裝襯底表面的導(dǎo)電路將所述第一開關(guān)元件及所述第二開關(guān)元件和所述電容器連接。
在此，參照圖4(A)，所述第一開關(guān)元件例如為Q3，第二開關(guān)元件為Q4。
根據(jù)本發(fā)明，可防止在錯誤的時間構(gòu)成電力回收電路的開關(guān)元件進行ON動作。具體地說，當隨著構(gòu)成電路回收電路的電容器放電，其電壓下降時，與該電容器連接的開關(guān)元件的柵極-源極電極間的電壓上升。在本發(fā)明中，設(shè)定與電容器連接的開關(guān)元件的閾值電壓比其它開關(guān)元件的高。因此，可抑制伴隨電容器電壓降的開關(guān)元件的誤動作，可使開關(guān)元件在規(guī)定的時間動作。


圖1是表示本發(fā)明的等離子顯示器的顯示面板的圖；圖2是表示本發(fā)明的等離子顯示器的電氣結(jié)構(gòu)的圖；圖3是表示本發(fā)明的驅(qū)動電路及電力回收電路的結(jié)構(gòu)的電路圖；圖4是用于說明本發(fā)明的驅(qū)動電路及電力回收電路的圖，(A)是電路圖，(B)～(H)是波形圖；圖5是表示構(gòu)成本發(fā)明的驅(qū)動電路及電力回收電路的開關(guān)元件的特性的圖表；圖6是表示組裝了本發(fā)明的驅(qū)動電路及電力回收電路的電路模塊的圖，(A)及(B)是剖面圖；圖7是表示現(xiàn)有的驅(qū)動電路及電力回收電力的結(jié)構(gòu)的電路圖；圖8是說明現(xiàn)有的驅(qū)動電路及電力回收電路的動作的圖，(A)是電路圖，(B)是波形圖。
符號說明10 面板11 X電極12 Y電極
13 隔板14 地址電極20 顯示器21X 電極驅(qū)動電路22Y 電極驅(qū)動電路23 地址電極驅(qū)動電路24 掃描電路25 控制電路26、27 電力回收電路28 電平移位部Q1～Q4 開關(guān)元件50 電路模塊51 安裝襯底52 電容器53 散熱片54 導(dǎo)電路60 混合集成電路裝置61 電路襯底62 絕緣層63 導(dǎo)電圖案65A 開關(guān)元件65B IC66 引線具體實施方式

圖1是表示等離子顯示面板10概要的平面圖。在顯示用面板10上形成有平行配置的X電極11及Y電極12，并與這些正交地形成有地址電極14。X電極11及Y電極12是主要進行用于發(fā)光顯示的維持放電的電極。通過在該X電極11和Y電極12之間反復(fù)施加電壓脈沖，進行維持放電。另一方面，地址電極14是用于選擇發(fā)光的放電單元的電極，在Y電極12和地址電極14之間施加進行用于選擇放電單元的寫入放電的電壓。在地址電極14相互之間形成有用于隔開放電單元的隔板13。
由于等離子顯示器的放電只有導(dǎo)通或斷開兩個值，故以發(fā)光的次數(shù)表現(xiàn)亮度。即，根據(jù)要求的單元亮度調(diào)整發(fā)光的次數(shù)。
圖2是表示等離子顯示裝置的電氣結(jié)構(gòu)的圖。該圖所示的等離子顯示裝置具有顯示器20、X電極驅(qū)動電路21、Y電極驅(qū)動電路22、地址電極驅(qū)動電路23、掃描電路24、控制電路25。另外，在X電極11及Y電極12上分別連接有電力回收電路26、27。
從外部向控制電路25供給同期信號、時鐘信號及RGB信號等各種信號?；谶@些各種信號，控制電路25控制各驅(qū)動電路，將顯示數(shù)據(jù)顯示在顯示器20上。通過掃描電路24掃描Y電極12，地址電極驅(qū)動電路23驅(qū)動地址電極14，進行用于將數(shù)據(jù)寫入顯示器20的寫入放電。另外，通過X電極驅(qū)動電路21及Y電極驅(qū)動電路22，在寫入了數(shù)據(jù)的單元進行維持放電。另外，電力回收電路26及27具有將蓄積于電極間的電荷回收并再利用的作用。
以上是等離子顯示器的概要。下面，參照圖3-圖6，詳述電極驅(qū)動電路及電力回收電路。
圖3是表示本發(fā)明的X電極驅(qū)動電路21(或Y電極驅(qū)動電路22)及電力回收電路26的結(jié)構(gòu)的電路圖。對與圖8共通的要素使用了相同符號。
X電極驅(qū)動電路21具有串聯(lián)連接的第一開關(guān)元件Q1及第二開關(guān)元件Q2、和控制這些開關(guān)元件的IC1。在下面的說明中，有時將第一開關(guān)元件Q1及第二開關(guān)元件Q2簡單地稱為Q1及Q2。Q1及Q2的連接點連接作為電容性負載的面板C1。Q1的漏極電極與電源Vcc連接，Q2的源極電極接地。
Q1及Q2是MOSFET(Metal-Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)或IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)。在Q1和IC1之間設(shè)有放大電路，通過該放大電路，將例如4V程度的控制信號放大到15V程度。這樣，通過放大控制信號，可瞬時進行Q1的開關(guān)。另外，在Q1和IC1之間設(shè)有電阻R1，通過該電阻使Q1的動作穩(wěn)定化。上述的放大電路及電阻結(jié)構(gòu)在其它開關(guān)元件也相同。
電力回收電路26具有串聯(lián)連接的第三開關(guān)元件Q3及第四開關(guān)元件Q4。在下面的說明中，有時將第三開關(guān)元件Q3及第四開關(guān)元件Q4稱為Q3及Q4。Q3的漏極電極及Q4的源極電極與電容器C2連接，另外，Q3和Q4的連接點介由線圈L與面板C1連接。另外，電力回收電路26包括用于將Q4的柵極電位電平移位的電平移位部28。
電容器C2是用于蓄積從面板C1放電的電荷的元件，具有大的電容。具體地說，在等離子顯示面板為42英寸～50英寸程度的情況下，電容器C2的電容達到8μF～16μF程度。
線圈L形成與面板C1串聯(lián)的共振電路。由此，向電容器C2充電面板C1一半的電壓。例如，在向面板C1充了180V的電壓的情況下，向電容器C2充90V的電壓。
電平移位部28包括并聯(lián)連接于Q4的源極電極和柵極電極之間的路徑中的電阻R5及穩(wěn)壓二極管D1、和設(shè)于Q4的柵極電極和IC2之間的電容器C3。通過設(shè)置該電平移位部28，將從IC2產(chǎn)生的控制信號電平移位到以電容器C2的電壓為基準的電壓。例如，在0V～15V之間躍遷的控制信號被電平移位到在90V～105V之間躍遷的信號。
另外，在Q3的漏極電極及Q4的源極電極上連接有二極管。由此，可防止在Q3及Q4上作用反向偏壓。
參照圖4，下面說明上述的電路的動作。圖4(A)是X電極驅(qū)動電路21及電力回收電路26的電路圖。圖4(B)是向面板C1充電的電壓的波形圖。圖4(C)～圖4(F)是表示流過開關(guān)元件Q1、Q2、Q3、Q4的電流值的波形圖。圖4(G)是表示電容器C2的電壓的波形圖。圖4(H)是表示Q4的源極·柵極電極間的電壓的波形圖。
說明圖4(A)所示的電路圖的動作。在此，將進行面板C1的放電維持的動作分成狀態(tài)1～狀態(tài)4進行說明。在圖4(A)中，由帶(1)～(4)序號的路徑表示各狀態(tài)的電流的流動。
在狀態(tài)1中，由向電容器C2充電了的電荷充電面板C1。具體地說，在該狀態(tài)下，通過上次的維持放電動作，向電容器C2充電例如90V程度的電壓。在該狀態(tài)下，使第三開關(guān)元件Q3導(dǎo)通，經(jīng)由由面板C1及線圈L構(gòu)成的共振電路，充電面板C1。通過進行該動作，面板C1的電壓上升到例如180V左右。通過Q3的電流的流動形成圖4(E)所示的波形。另外，在該狀態(tài)下，Q3為導(dǎo)通狀態(tài)，Q1、Q2及Q4為斷開狀態(tài)。
在狀態(tài)2中，導(dǎo)通第一開關(guān)元件Q1，將面板C1的電壓Vp鉗位在作為電源電壓(例如180V)的Vcc。在該狀態(tài)下，向PDP的像素形成放電電流路徑。通過Q1的電流形成圖4(C)所示的波形。在該狀態(tài)下，Q1為導(dǎo)通狀態(tài)，Q2、Q3及Q4為斷開狀態(tài)。
在狀態(tài)3中，將向面板C1充電的電荷回收在電容器C2中。具體地說，通過使第四開關(guān)元件Q4導(dǎo)通，再次形成由面板C1及線圈L構(gòu)成的共振電路，使電容器C2充電。其結(jié)果是，電容器C2的電壓達到面板C1的一半電壓的90V程度。在該時刻，面板C1的電壓Vp下降到接地電平。在該狀態(tài)下，通過Q4的電流形成圖4(F)所示的波形。另外，在該狀態(tài)下，Q4為導(dǎo)通狀態(tài)，Q1、Q2及Q3為斷開狀態(tài)。
在狀態(tài)4中，導(dǎo)通第二開關(guān)元件Q2，將面板C1的電壓Vp鉗位在接地電平。另外，在面板C1的相反側(cè)連接有Y電極驅(qū)動電路22，在面板C1有導(dǎo)通的像素的情況下，放電電流流動。在該狀態(tài)下，通過Q2的電流形成圖4(D)所示的波形。在該狀態(tài)下，Q2為導(dǎo)通狀態(tài)，Q1、Q3及Q4為斷開狀態(tài)。
本發(fā)明的特征在于，通過提高作為MOSFET或IGBT的Q4的閾值電壓，防止了Q4的誤動作。參照圖4(A)、圖4(G)及圖4(H)說明該特征。圖4(G)是表示電容器C2的電壓的波形圖，圖4(H)是表示Q4的柵極·源極間電壓的波形圖。
參照圖4(G)，在狀態(tài)1中，當通過導(dǎo)通Q3，將向電容器C2充電的電荷供給于面板C1上時，電容器C2的電壓稍微降低。具體地說，電容器C2的電壓降低4V程度，達到86V程度。另外，由于電容器C2與Q4的源極電極連接，故Q4的源極電極電壓也降低4V程度。
另一方面，Q4的柵極電極通過電容器C3及二極管D1的作用，在斷開動作時維持90V程度。由此，伴隨電容器C2的電壓降低，Q4的柵極·源極間的電壓上升4V程度。因此，當Q4的閾值電壓為4V程度以下時，在狀態(tài)1發(fā)生Q4導(dǎo)通的誤動作。該誤動作引起Q4的過熱等問題。
參照圖4(H)，在本形態(tài)中，通過使Q4的閾值電壓比其它開關(guān)元件的高，抑制上述誤動作。例如通過將Q4的閾值電壓設(shè)為6V～8V程度，抑制由于電容器C2的電壓降低造成的誤動作。即，Q4保持斷開動作。這是由于，Q4的閾值電壓比C2的電壓降的值大。另外，當提高Q4的閾值電壓時，需要高的驅(qū)動電壓，而在本實施例中，由于使用15V程度的高的控制信號，故使Q4導(dǎo)通是沒有問題的。
另外，關(guān)于Q1、Q2及Q3，也可以直接使用閾值為4V程度的開關(guān)元件。這些開關(guān)元件，由于源極電極沒有與電容器C2連接，故伴隨C2的電壓降的柵極·源極間的電壓沒有變動。另外，通過盡可能采用閾值低的開關(guān)元件，具有流過開關(guān)元件的電流容易流動的優(yōu)點。
參照圖5的圖表，下面，說明上述的開關(guān)元件的特性。在該圖表中，橫軸表示施加于柵極上的電壓，縱軸表示流過漏極電極的電流值。在此，將施加于漏極電極上的電壓保持穩(wěn)定的同時，變化柵極電壓，測定特性。
在Q1、2及Q3中，在柵極電壓超過作為閾值電壓的4V的時刻，漏極電流上升。
Q4由于比其它開關(guān)元件閾值電壓高，故在柵極電壓達到7V程度的時刻，漏極電流開始上升。由此，通過降低源極電壓，即使模擬性地柵極·源極間的電壓上升到4V程度，Q4也不會進行導(dǎo)通動作，不會發(fā)生誤動作。
參照圖6，說明組裝了上述的驅(qū)動電路的電路模塊50的結(jié)構(gòu)。圖6(A)是電路模塊50的剖面圖，圖6(B)是構(gòu)成電路模塊50的混合集成電路裝置60的剖面圖。
參照圖6(A)，電路模塊50具有安裝襯底51、形成于安裝襯底51表面的導(dǎo)電路54、與導(dǎo)電路54連接的混合集成電路裝置60及電容器52。另外，在安裝襯底51上還安裝有線圈52。在此，混合集成電路裝置60通過將引線66插入安裝襯底51上而進行安裝。另外，電容器52通過向外部延伸的端子插入安裝襯底51上而進行安裝。
在混合集成電路裝置60的上面固定有由鋁等金屬構(gòu)成的散熱片53。因此，從內(nèi)裝于混合集成電路裝置60內(nèi)的元件產(chǎn)生的熱介由散熱片53良好地排出到外部。具體地說，在混合集成電路裝置60中內(nèi)裝有以200KHz程度的高頻波對高電壓、大電流進行開關(guān)的元件。由于從這樣的元件產(chǎn)生大量的熱，故混合集成電路裝置60的散熱性是重要的。
電容器52具有蓄積從等離子顯示器的監(jiān)視器回收的電荷的功能，是較大型電容器。具體地說，電容器52是高度為12mm程度的大型元件。與此相對，混合集成電路裝置60的厚度為4mm程度。因此，難以將電容器52內(nèi)裝到混合集成電路裝置60內(nèi)，故電容器52以單件安裝在安裝襯底51上。在此，例如并列安裝有八個具有1μF電容的電容器52。
電容器52和混合集成電路裝置60通過形成于安裝襯底51表面的導(dǎo)電路54A連接。在電容器52和混合集成電路60之間授受的電信號是高頻且為高電壓信號。因此，當導(dǎo)電路54A的路徑變長時，從導(dǎo)電路54A產(chǎn)生的阻抗及感應(yīng)變大，電信號的波形可能劣化。另外，也可能對波形產(chǎn)生噪聲。因此，在本形態(tài)中，使混合集成電路裝置60和電容器52盡可能地接近，減小阻抗引起的惡影響。
另外，載置于混合集成電路裝置60上部的散熱片53被高溫加熱。因此，當電容器52和混合集成電路裝置60極其接近時，由于散熱片53的散熱可能會加熱到電容器52。因此，在本形態(tài)中，將混合集成電路裝置60和電容器52分開的距離設(shè)定在1cm～0.5cm程度。
參照圖6(B)的剖面圖，說明混合集成電路裝置60的結(jié)構(gòu)?；旌霞呻娐费b置60中，在由鋁等金屬構(gòu)成的電路襯底61表面，介由絕緣層62形成有導(dǎo)電圖案63。
在導(dǎo)電圖案63上電連接開關(guān)元件65B及IC65A。開關(guān)元件65B是構(gòu)成圖4(A)所示的X軸驅(qū)動電路21或電力回收電路26的開關(guān)元件。另外，IC65A是控制這些開關(guān)元件的元件。高頻動作且發(fā)熱量大的開關(guān)元件65B也可以介由散熱片固定在導(dǎo)電圖案63上。另外，如果介由電路襯底61的散熱充分，則也可以將開關(guān)元件65B直接固定在導(dǎo)電圖案63上。
密封樹脂68在使電路襯底61的背面露出的狀態(tài)下將電路襯底61的表面及側(cè)面包覆。另外，引線66被固定在導(dǎo)電圖案63上，從密封樹脂68導(dǎo)出到外部。
權(quán)利要求
1.一種電力回收電路，從由驅(qū)動電路驅(qū)動的電容負載回收電力，其特征在于，具有電容器，其蓄積從所述電容負載回收的電力；第一開關(guān)元件，其使所述電容器放電；第二開關(guān)元件，其使所述電容器充電；電平移位部，其將控制所述第二開關(guān)元件的控制信號移位到所述電容器的電壓電平，所述第二開關(guān)元件即使由于所述第一開關(guān)元件導(dǎo)通而使所述電容器的電壓降低，也保持OFF動作。
2.如權(quán)利要求1所述的電力回收電路，其特征在于，所述第二開關(guān)元件是MOSFET或IGBT，所述第二開關(guān)元件的電流流出電極與所述電容器連接。
3.權(quán)利要求1所述的電力回收電路，其特征在于，使所述第二開關(guān)元件的閾值電壓比所述電容器的電壓降的值大。
4.一種等離子顯示器，其具有驅(qū)動電容負載的驅(qū)動電路、和從所述電容負載回收電力的電力回收電路，其特征在于，所述驅(qū)動電路具有使所述電容負載充電的第一開關(guān)元件、和使所述電容負載放電的第二開關(guān)元件，所述電力回收電路具有電容器，其蓄積從所述電容負載回收的電力；第三開關(guān)元件，其使所述電容器放電；第四開關(guān)元件，其使所述電容器充電；電平移位部，其將控制所述第四開關(guān)元件的控制信號移位到所述電容器的電壓電平，所述第四開關(guān)元件即使由于所述第三開關(guān)元件導(dǎo)通而使所述電容器的電壓降低，也保持OFF動作。
5.如權(quán)利要求4所述的等離子顯示器，其特征在于，所述第四開關(guān)元件是MOSFET或IGBT，所述第四開關(guān)元件的電流流出電極與所述電容器連接。
6.如權(quán)利要求4所述的等離子顯示器，其特征在于，使所述第四開關(guān)元件的閾值電壓比所述電容器的電壓降的值大。
7.一種等離子顯示器用模塊，其具有組裝了從通過驅(qū)動電路驅(qū)動的電容負載回收電力的電力回收電路且固定于安裝襯底表面的混合集成電路裝置，其特征在于，所述電力回收電路具有電容器，其蓄積從所述電容負載回收的電力；第一開關(guān)元件，其使所述電容器放電；第二開關(guān)元件，其使所述電容器充電；電平移位部，其將控制所述第二開關(guān)元件的控制信號移位到所述電容器的電壓電平，所述第二開關(guān)元件即使由于所述第一開關(guān)元件導(dǎo)通而使所述電容器的電壓降低，也保持OFF動作，所述第一開關(guān)元件及所述第二開關(guān)元件內(nèi)裝于所述混合集成電路裝置中，所述電容器被直接固定于所述安裝襯底上，且通過形成于所述安裝襯底表面的導(dǎo)電路將所述第一開關(guān)元件及所述第二開關(guān)元件和所述電容器連接。
8.如權(quán)利要求7所述的等離子顯示器用模塊，其特征在于，所述混合集成電路裝置和所述電容器分開的距離為1cm～0.5cm。
全文摘要
一種抑制開關(guān)元件誤動作的電力回收電路及等離子顯示器。其具有，電容器(C2)，其蓄積從面板(C1)回收的電力；第三開關(guān)元件(Q3)，其使電容器(C2)放電；第四開關(guān)元件(Q4)，其使電容器(C2)充電；電平移位部(28)，其將控制(Q4)的控制信號移位到電容器(C2)的電壓電平，(Q4)的閾值電壓比(Q3)的閾值電壓高。因此，可防止伴隨電容器(C2)的電壓降而發(fā)生(Q4)的誤動作。
文檔編號G09G3/296GK1790458SQ200510131
公開日2006年6月21日 申請日期2005年12月16日 優(yōu)先權(quán)日2004年12月17日
發(fā)明者久保田裕, 岡崎紀生, 新井一正 申請人:三洋電機株式會社