專利名稱：像素驅(qū)動電路以及驅(qū)動顯示組件的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是有關(guān)于顯示面板的電路，且特別是有關(guān)于可補償臨界電壓與電源供應(yīng)的像素驅(qū)動電路。
背景技術(shù)：
主動矩陣式有激發(fā)光二極管顯示器為正在萌芽的下一代平面顯示器，與主動矩陣式液晶顯示器相較，主動矩陣式有激發(fā)光二極管顯示器有許多優(yōu)點，諸如較高的對比度、較寬的視角、不需背光而有較薄的模塊厚度、較低的功耗以及較低的成本，主動矩陣式液晶顯示器由電壓驅(qū)動，而主動矩陣式有激發(fā)光二極管顯示器需要由電流原來驅(qū)動電致發(fā)光組件，電致發(fā)光組件的亮度正比于通過的電流，電流量的變異對于主動矩陣式有激發(fā)光二極管顯示器的亮度均勻度有負面的影響，因此，像素驅(qū)動電路的品質(zhì)對于畫質(zhì)非常重要。
圖1繪示一傳統(tǒng)主動矩陣式有激發(fā)光二極管顯示器的2T1C(兩個晶體管與一個電容)的像素驅(qū)動電路，當一信號SCAN導(dǎo)通一晶體管M1時，圖中以Vdata所示的數(shù)據(jù)會被加載一P型晶體管M2的柵極，并儲存于電容Cst內(nèi)，因此，會有一固定的電流驅(qū)動電致發(fā)光組件發(fā)光，在典型的主動矩陣式有激發(fā)光二極管顯示器中，電流源通常是一個P型薄膜晶體管(如圖1中的M2)，柵極為一數(shù)據(jù)電壓Vdata所控制，且漏極與源極分別連接至Vdd與電致發(fā)光組件，如圖1所示，電致發(fā)光組件的亮度相對于Vdata有以下的關(guān)系亮度∝電流∝(Vdd-Vdata-Vth)2其中，Vth為晶體管M2的臨界電壓，Vdd為電源供應(yīng)電壓。
由于在低溫多晶硅制造工藝中，低溫多晶硅薄膜晶體管通常會有臨界電壓Vth的變異，若臨界電壓Vth沒有經(jīng)過適當?shù)难a償，主動矩陣式有激發(fā)光二極管顯示器便會有不均勻的現(xiàn)象產(chǎn)生，再者，在電源在線的壓降也會產(chǎn)生亮度不均勻的問題，為了解決此一問題，構(gòu)建一可補償臨界電壓Vth與電源供應(yīng)Vdd的像素電路變成了改善畫質(zhì)的重要課題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明實施例揭露一可補償臨界電壓與電源供應(yīng)的像素電路，會影響像素電流的輸入變壓(諸如開關(guān)臨界電壓、電源供應(yīng)電壓或兩者皆有)的變異可被補償，且驅(qū)動電流會比較少受到電路設(shè)計的影響，甚至與Vth或Vdd無關(guān)，因此，每一像素的亮度皆與Vth或Vdd無關(guān)。
依據(jù)本發(fā)明可補償臨界電壓與電源供應(yīng)的像素電路包括一儲存電容、一轉(zhuǎn)移電路、一驅(qū)動晶體管以及一開關(guān)電路，轉(zhuǎn)移電路將一數(shù)據(jù)信號或一可變參考信號轉(zhuǎn)移至該儲存電容的第一節(jié)點，驅(qū)動晶體管有一第一端點耦接至一第一固定電位，有一第二端點耦接至該儲存電容的第二節(jié)點，并有一第三端點輸出一驅(qū)動電流，開關(guān)電路耦接至該驅(qū)動晶體管的該第三端點與該儲存電容的第二節(jié)點，并可在一時段內(nèi)使該驅(qū)動晶體管成二極管連接，并使得一驅(qū)動電流可在另一時段內(nèi)輸出至一顯示組件。
本發(fā)明的驅(qū)動顯示組件的方法包括施加一參考信號于一可切換的電路，并通過其使一儲存電容放電；將一數(shù)據(jù)信號以及該驅(qū)動晶體管的一臨界電壓加載于該儲存電容；以及將加載的該數(shù)據(jù)信號與該臨界電壓耦合至該驅(qū)動晶體管，以提供一與臨界電壓無關(guān)的驅(qū)動電流給該顯示組件。
本發(fā)明的有益效果在于，能夠使得驅(qū)動電流與臨界電壓或電源供應(yīng)無關(guān)，因此每一像素的亮度也就與臨界電壓或電源供應(yīng)無關(guān)。


圖1繪示一傳統(tǒng)主動矩陣式有激發(fā)光二極管顯示器的2T1C(兩個晶體管與一個電容)的像素驅(qū)動電路；
圖2顯示依據(jù)本發(fā)明實施例之一可補償臨界電壓與電源供應(yīng)的像素驅(qū)動電路結(jié)構(gòu)圖；圖3繪示圖2所示像素驅(qū)動電路的第一與第二掃瞄線信號Scan、ScanX以及可變參考信號VD的時序圖；圖4顯示傳統(tǒng)的與依據(jù)本發(fā)明實施例像素驅(qū)動電路的電流變異相對于臨界電壓Vth變異的比例示意圖；圖5繪示依據(jù)本發(fā)明一實施例的驅(qū)動顯示組件的方法流程圖；圖6為一顯示依據(jù)本發(fā)明一實施例顯示面版的結(jié)構(gòu)區(qū)塊示意圖；圖7顯示依據(jù)本發(fā)明另一實施例像素驅(qū)動電路圖；圖8繪示圖7所示像素驅(qū)動電路的掃瞄線信號Scan、ScanX與可變參考信號VD的時序圖；圖9為依據(jù)本發(fā)明一實施例參考信號產(chǎn)生器的結(jié)構(gòu)示意圖；圖10為依據(jù)本發(fā)明另一實施例參考信號產(chǎn)生器的結(jié)構(gòu)示意圖；圖11為依據(jù)本發(fā)明另一實施例像素驅(qū)動電路的電路圖；圖12為圖11所示像素驅(qū)動電路掃瞄線信號Scan、ScanX以及參考信號VD的時序圖；圖13為一包括圖6所揭露顯示面板的電子裝置示意圖。
符號說明Cst～儲存電容210～轉(zhuǎn)移電路 221驅(qū)動晶體管220～開關(guān)電路 A～第一節(jié)點Data～數(shù)據(jù)信號 VD～可變參考信號B～第二節(jié)點VDD～電源供應(yīng)電壓EL～顯示組件 VSS～接地電位211～第一晶體管213第二晶體管
Scan～第一掃瞄線ScanX～第二掃瞄線223～第三晶體管 225～第四晶體管302～放電模式 304～掃瞄模式306～發(fā)光模式930、950～與非門910、970～與門VSR1、VSR2～柵極驅(qū)動電路中垂直位移緩存器所產(chǎn)生的信號911、913、931、933、951、953、955、971、973～輸入ENBV1～第一使能信號ENBV2～第二使能信號110、120～與非門 130～與門121、123、125、127、131、133、135～輸入510～對一儲存電容進行放電520～將一第一固定供應(yīng)電壓與該數(shù)據(jù)信號以及該驅(qū)動晶體管的該臨界電壓加載于該儲存電容530～將該加載的第一固定供應(yīng)電壓、該數(shù)據(jù)信號以及該臨界電壓耦合至該驅(qū)動晶體管610～像素數(shù)組640～控制器700～電子裝置具體實施方式

為讓本發(fā)明上述和其它目的、特征和優(yōu)點能更明顯易懂，下文特舉較佳實施例并配合附圖作詳細說明如下。
圖2顯示依據(jù)本發(fā)明實施例的一可補償臨界電壓與電源供應(yīng)的像素驅(qū)動電路結(jié)構(gòu)圖，像素驅(qū)動電路包括一儲存電容Cst、一轉(zhuǎn)移電路210、一驅(qū)動晶體管221以及一開關(guān)電路220。轉(zhuǎn)移電路210耦接至該儲存電容Cst的第一節(jié)點A，并將一數(shù)據(jù)信號Data或一可變參考信號VD轉(zhuǎn)移至該儲存電容的第一節(jié)點，可變參考信號VD可以是一脈沖參考信號，驅(qū)動晶體管221為一P型金氧半晶體管，有一第一端點(源極)耦接至一第一固定電位，有一第二端點(柵極)耦接至該儲存電容Cst的第二節(jié)點B，更明確地說，該第一固定電位為電源供應(yīng)電壓VDD，開關(guān)電路220耦接至該驅(qū)動晶體管221的第三端點(漏極)，開關(guān)電路220可被用以使驅(qū)動晶體管221成二極管連接(diode-connected)，也就是柵極與漏極相通；一顯示組件EL耦接至開關(guān)電路220，較佳而言，顯示組件EL可以是一電致發(fā)光組件，此外，顯示組件EL的陰極耦接至一第二固定電位，更明確地說，該第二固定電位為一接地電位VSS。
依據(jù)本發(fā)明一實施例的轉(zhuǎn)移電路210包括第一晶體管211與第二晶體管213，如圖2所示，在圖2中，該第一與第二晶體管分別為一P型金氧半晶體管與一N型金氧半晶體管，第一晶體管211有一第一端點(源極)接收該數(shù)據(jù)信號Data，其第二端點(柵極)與第三端點(漏極)分別連接至一第一掃瞄線Scan以及儲存電容Cst的第一節(jié)點A，第二晶體管213的第一端點(漏極)接收一可變參考信號VD，其第二端點(柵極)與第三端點(源極)分別連接至一第二掃瞄線ScanX以及該儲存電容Cst的該第一節(jié)點A，更明確地說，第一晶體管211與第二晶體管213為薄膜晶體管，較佳而言，該薄膜晶體管為多晶硅薄膜晶體管，可提供較高的電流驅(qū)動能力，當?shù)谝粧呙榫€Scan被拉到低電平時，轉(zhuǎn)移電路210將一數(shù)據(jù)信號Data移轉(zhuǎn)到儲存電容Cst的第一節(jié)點A，當一第二掃瞄線ScanX被拉到高電平時，轉(zhuǎn)移電路210將可變參考信號VD移轉(zhuǎn)至儲存電容Cst的該第一節(jié)點A。
依據(jù)本發(fā)明此一實施例的開關(guān)電路220包括第三晶體管223與第四晶體管225，如圖2所示，該第三與第四晶體管分別為一N型金氧半晶體管與一P型金氧半晶體管，第三晶體管223有一第一端點(源極)連接至該顯示組件EL的陽極，而其第二端點(柵極)與第三端點(漏極)分別連接至一第二掃瞄線ScanX以及該驅(qū)動晶體管221的該第三端點(漏極)，第四晶體管有一第一端點(漏極)耦接至該驅(qū)動晶體管221與該第三晶體管223的該等第三端點(漏極)，其第二端點(源極)連接至該儲存電容Cst的該第二節(jié)點B與該驅(qū)動晶體管221的該第二端點(柵極)，并有一第三端點(柵極)連接至一第一掃瞄線Scan，更明確地說，第三晶體管223與第四晶體管225為薄膜晶體管，較佳而言，該等薄膜晶體管為多晶硅薄膜晶體管，可提供較高的電流驅(qū)動能力，當?shù)谝粧呙榫€Scan被拉至低電平時，開關(guān)電路220內(nèi)的第四晶體管225會使得驅(qū)動晶體管221成為一二極管連接(diode-connected)的晶體管。
圖3繪示圖2所示的像素驅(qū)動電路200的第一與第二掃瞄線信號Scan、ScanX以及可變參考信號VD的時序圖，接著像素驅(qū)動電路的前一發(fā)光模式，當可變參考信號VD被拉至高電平且掃瞄信號Scan與ScanX維持在高電平，圖2內(nèi)的像素驅(qū)動電路200會操作于一放電模式302，在此放電模式中，一高電平的可變參考信號VD會輸入到儲存電容Cst的第一節(jié)點A，使得晶體管223與225導(dǎo)通，儲存在儲存電容Cst內(nèi)的電荷便可在放電模式中釋放，儲存電容Cst的放電可確保二極管連接的驅(qū)動晶體管221與第四晶體管225在后續(xù)步驟中的正常操作。
接續(xù)儲存電容Cst的放電之后，掃瞄線Scan與ScanX被拉至低電平，然后像素驅(qū)動電路200會進入掃瞄模式304，當?shù)谝慌c第二掃瞄線Scan與ScanX被拉至低電平，晶體管211與225導(dǎo)通而晶體管213與223關(guān)閉，由于晶體管211與225導(dǎo)通，儲存電容Cst的第一節(jié)點A的電壓等于數(shù)據(jù)信號Data的電壓Vdata，且儲存電容Cst的第二節(jié)點B的電壓等于Vdd-Vth，其中，Vth為驅(qū)動晶體管221的臨界電壓，因此儲存在儲存電容的跨壓為VA-VB＝Vdata-Vdd+Vth。
當?shù)谝粧呙榫€Scan與第二掃瞄線ScanX被拉至高電平時，掃瞄模式304結(jié)束，且像素驅(qū)動電路200會進入發(fā)光模式306，此外，在掃瞄模式304結(jié)束的時候，參考信號VD被拉至低電平，由于第一掃瞄線Scan維持在高電平，而第二掃瞄線ScanX也被拉至高電平，晶體管211與225關(guān)閉，而晶體管213與223導(dǎo)通，由于VD被拉至低電平，晶體管213會導(dǎo)通，儲存電容Cst的第一節(jié)點A的電壓VA也會被拉至低電平，由于儲存電容的跨壓無法瞬間改變，因此儲存電容Cst的第二節(jié)點B的電壓VB也就變?yōu)閂dd-Vdata-Vth，流經(jīng)顯示組件的電流正比于(Vsg-Vth)2，也就是正比于Vdata2，因此流經(jīng)顯示組件的電流與驅(qū)動晶體管221的臨界電壓Vth以及驅(qū)動晶體管221的電源供應(yīng)Vdd無關(guān)，前述像素驅(qū)動電路的操作會一再重復(fù)，以控制像素的發(fā)光。
圖4顯示傳統(tǒng)的與依據(jù)本發(fā)明實施例像素驅(qū)動電路的電流變異相對于臨界電壓Vth變異的比例示意圖，以臨界電壓為1.4伏特作為基準，在傳統(tǒng)的像素驅(qū)動電路中，當臨界電壓偏離1.4伏特時，電流的變異量非常顯著，而在依據(jù)本發(fā)明實施例的像素驅(qū)動電路中，其電流變異量與傳統(tǒng)的像素驅(qū)動電路相較下可說是微乎其微。
圖7顯示依據(jù)本發(fā)明一第二實施例的像素驅(qū)動電路，其結(jié)構(gòu)與圖2所示的像素驅(qū)動電路相似，不同處在于圖7中的第一掃瞄線Scan與第二掃瞄線ScanX互相連接，并為相同信號Scan所控制，圖8繪示圖7所示的像素驅(qū)動電路的掃瞄線信號Scan、ScanX與可變參考信號VD的時序圖。
圖11顯示依據(jù)本發(fā)明一第三實施例的像素驅(qū)動電路，其結(jié)構(gòu)近似于圖2，圖12為圖11所示像素驅(qū)動電路的掃瞄線信號Scan、ScanX以及參考信號VD的時序圖，第2與11圖的差異在于被第二掃瞄線控制的晶體管為不同的類型，因此，如圖12所示，第二掃瞄線的信號也隨之反轉(zhuǎn)，以使圖11所示的像素驅(qū)動電路得以運作，于此實施力中，有三種操作模式，其操作類似于第一實施例所描述，且無須進一步闡述，便可為本領(lǐng)域技術(shù)人員所了解。
此處，本發(fā)明提供參考信號產(chǎn)生器的實施例，參考信號產(chǎn)生器的一實施例包括兩個與非門930、950以及兩個與門910、970，如圖9所示，信號VSR1與VSR2被送入第一與門910的兩輸入911與913，其中VSR1與VSR2代表柵極驅(qū)動電路中垂直位移緩存器所產(chǎn)生的信號，該第一與門910的輸出信號與第一使能信號ENBV1分別被送至第一與非門930的第一輸入931與第二輸入933，并產(chǎn)生出第一掃瞄信號ScanX，第一與門910的輸出信號與使能信號ENBV1、ENBV2被送至第二與非門950的輸入953、951與955，因此第二與非門950產(chǎn)生一第二掃瞄信號Scan，第一與門910的輸出信號與第二使能信號ENBV分別被送至第二與門970的第一輸入973與第二輸入971，因而可提供一參考信號VD。
圖10顯示參考信號產(chǎn)生器的另一實施例，此一參考信號產(chǎn)生器實施例包括兩與非門110、120以及一與門130，信號VSR1、VSR2、ENBV1與ENBV2分別被送至第二與非門120的輸入123、125、121與127，因此第二與非門產(chǎn)生一第二掃瞄信號Scan，信號VSR1、VSR2與ENBV2分別被送至與門130的輸入131、133與135，因此產(chǎn)生出參考信號VD。
此外，本發(fā)明的實施例提供一顯示面板，如圖6所示，顯示面板600包括一像素數(shù)組610與一控制器640，像素數(shù)組包括復(fù)數(shù)個前述的像素驅(qū)動電路，控制器耦接至該像素數(shù)組，并控制儲存電容、轉(zhuǎn)移電路、驅(qū)動晶體管以及開關(guān)電路的操作，此外，如圖13所示，本發(fā)明還提供一電子裝置700，包括如圖6所示的顯示面板。
圖5繪示依據(jù)本發(fā)明一實施例的驅(qū)動顯示組件的方法，該驅(qū)動方法起始于一放電模式中對一儲存電容進行放電，步驟510；放電模式發(fā)生于掃瞄模式之前，并于參考信號第一次切換時開始，并于一掃瞄模式開始時結(jié)束。其后，在掃瞄模式中一數(shù)據(jù)信號、該驅(qū)動晶體管221的一臨界電壓以及一固定電壓被加載于該儲存電容，步驟520。接著，將加載的該數(shù)據(jù)信號、該臨界電壓與固定電壓耦合至該驅(qū)動晶體管，以提供一與臨界電壓無關(guān)的驅(qū)動電流給該顯示組件，步驟530。更明確地說，依據(jù)本發(fā)明實施例的顯示組件為一電致發(fā)光組件，當參考信號的第二次切換發(fā)生時，掃瞄模式結(jié)束，且像素驅(qū)動電路便進入發(fā)光模式。
較佳而言，參考信號的第二次切換發(fā)生于掃瞄模式結(jié)束之前，以獲得較佳的畫質(zhì)，此外，驅(qū)動晶體管的柵極連接至儲存電容，且其源極連接至固定電位，更明確地說，該固定電位為一電源供應(yīng)電位。
本發(fā)明實施例提供一可補償臨界電壓與電源供應(yīng)的像素驅(qū)動電路，臨界電壓、電源供應(yīng)或兩者皆有的變異可被補償，有益效果在于，使得驅(qū)動電流與臨界電壓或電源供應(yīng)無關(guān)，因此每一像素的亮度也就與臨界電壓或電源供應(yīng)無關(guān)。
雖然本發(fā)明以較佳實施例作了如上的說明，但是其并非用以限定本發(fā)明，任何本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的方法和范圍內(nèi)，可作各種替換與修改，因此本發(fā)明保護范圍以權(quán)利要求書中所規(guī)定的為準。
權(quán)利要求
1.一種像素驅(qū)動電路，其特征在于包括一儲存電容，有第一與第二節(jié)點；一轉(zhuǎn)移電路，耦接至所述儲存電容的第一節(jié)點，所述轉(zhuǎn)移電路將一數(shù)據(jù)信號或一可變參考信號轉(zhuǎn)移至所述儲存電容的第一節(jié)點；一驅(qū)動晶體管，有一第一端點耦接至一第一固定電位，有一第二端點耦接至所述儲存電容的第二節(jié)點，并有一第三端點輸出一驅(qū)動電流；以及一開關(guān)電路，耦接至所述驅(qū)動晶體管的所述第三端點與所述儲存電容的第二節(jié)點，并可在一時段內(nèi)使所述驅(qū)動晶體管成二極管連接，并使得一驅(qū)動電流可在另一時段內(nèi)輸出至一顯示組件。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種像素驅(qū)動電路，其特征在于所述可變參考信號為一脈沖參考信號。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種像素驅(qū)動電路，其特征在于所述轉(zhuǎn)移電路包括一第一晶體管，有一第一端點接收所述數(shù)據(jù)信號，有一第二端點連接至一第一掃瞄線，并有一第三端點耦接至所述儲存電容的所述第一節(jié)點；以及一第二晶體管，有一第一端點接收所述可變參考信號，有一第二端點連接至一第二掃瞄線，并有一第三端點耦接至所述儲存電容的所述第一節(jié)點。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種像素驅(qū)動電路，其特征在于所述第一與第二晶體管分別為一P型金氧半晶體管與N型金氧半晶體管。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種像素驅(qū)動電路，其特征在于所述第一與第二晶體管皆為P型金氧半晶體管。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種像素驅(qū)動電路，其特征在于所述第一與第二掃瞄線有相同極性的脈沖。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種像素驅(qū)動電路，其特征在于所述第一與第二掃瞄線有不同極性的脈沖。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的一種像素驅(qū)動電路，其特征在于所述第二掃瞄線有一脈沖，其結(jié)束時間比所述第一掃瞄線晚。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種像素驅(qū)動電路，其特征在于所述開關(guān)電路包括一第三晶體管，有一第一端點連接至所述顯示組件，有一第二端點連接至一第二掃瞄線，并有一第三端點連接至所述驅(qū)動晶體管的第三端點；以及一第四晶體管，有一第一端點耦接至所述驅(qū)動晶體管和所述第三晶體管的所述第三端點，有一第二端點連接至所述儲存電容的所述第二節(jié)點和所述驅(qū)動晶體管的所述第二端點，并有一第三端點連接至一第一掃瞄線。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的一種像素驅(qū)動電路，其特征在于所述第三與第四晶體管分別為一N型金氧半晶體管與P型金氧半晶體管。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的一種像素驅(qū)動電路，其特征在于所述第三與第四晶體管皆為P型金氧半晶體管。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種像素驅(qū)動電路，其特征在于還包括一參考信號產(chǎn)生器耦接至所述轉(zhuǎn)移電路。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的一種像素驅(qū)動電路，其特征在于所述參考信號產(chǎn)生器包括一第一與門，有兩輸入接收來自垂直位移緩存器的輸出信號，且所述第一與門產(chǎn)生一輸出信號；一第一與非門，有一第一輸入接收來自所述第一與門的所述輸出信號，并有一第二輸入接收一第一使能信號，且所述第一與非門產(chǎn)生一第一掃瞄信號給第二掃瞄線；一第二與非門，有三個輸入，分別接收來自所述第一與門的輸出信號、所述第一使能信號與一第二使能信號，且所述第二與非門產(chǎn)生一第二掃瞄信號給第一掃瞄線；以及一第二與門，有一第一輸入接收來自所述第一與門的所述輸出信號，并有一第二輸入接收所述第二使能信號，且所述第二與門產(chǎn)生一參考信號。
14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的一種像素驅(qū)動電路，其特征在于所述參考信號產(chǎn)生器包括一第一與非門，有兩輸入接收來自垂直位移緩存器的信號，并有一第三輸入接收一第一使能信號，且所述第一與非門產(chǎn)生一第一掃瞄信號給第二掃瞄線；一第二與非門，有兩輸入接收來自垂直位移緩存器的信號，并有兩輸入分別接收所述第一使能信號與一第二使能信號，所述第二與非門產(chǎn)生一第二掃瞄信號給第一掃瞄線；以及一與門，有兩輸入接收來自垂直位移緩存器的信號，并有一第三輸入接收所述第二使能信號，所述與門產(chǎn)生一參考信號。
15.一種驅(qū)動顯示組件的方法，所述顯示組件有一驅(qū)動晶體管與一儲存電容，所述特征在于包括施加一參考信號于一可切換的電路，并通過其使一儲存電容放電；將一數(shù)據(jù)信號以及所述驅(qū)動晶體管的一臨界電壓加載于所述儲存電容；以及將加載的所述數(shù)據(jù)信號與所述臨界電壓耦合至所述驅(qū)動晶體管，以提供一與臨界電壓無關(guān)的驅(qū)動電流給所述顯示組件。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的一種驅(qū)動顯示組件的方法，其特征在于在加載步驟中，一第一固定供應(yīng)電壓與所述數(shù)據(jù)信號以及所述驅(qū)動晶體管的所述臨界電壓一同被加載于所述儲存電容；以及在耦合步驟中，加載的所述第一固定供應(yīng)電壓與加載的所述數(shù)據(jù)信號以及所述臨界電壓一同被耦合至所述驅(qū)動晶體管。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的一種驅(qū)動顯示組件的方法，其特征在于在所述加載步驟前，所述儲存電容的放電步驟起始于以一高電平的參考信號施加于所述儲存電容。
18.根據(jù)權(quán)利要求16所述的一種驅(qū)動顯示組件的方法，其特征在于所述加載步驟起始于一掃瞄信號施加于一開關(guān)組件，以使所述數(shù)據(jù)信號得以施加于所述儲存電容。
19.根據(jù)權(quán)利要求16所述的一種驅(qū)動顯示組件的方法，其特征在于將加載的所述數(shù)據(jù)信號、所述臨界電壓與所述第一固定供應(yīng)電壓耦合至所述驅(qū)動晶體管的步驟起始于以一低電平的參考信號施加于所述儲存電容步驟之后。
20.根據(jù)權(quán)利要求18或19任意一項所述的一種驅(qū)動顯示組件的方法，其特征載于所述參考信號在通過一開關(guān)組件施加于所述儲存電容前改變其邏輯狀態(tài)。
全文摘要
一種可補償臨界電壓與電源供應(yīng)的像素驅(qū)動電路，包括一儲存電容、一轉(zhuǎn)移電路、一驅(qū)動晶體管以及一開關(guān)電路，轉(zhuǎn)移電路將一數(shù)據(jù)信號或一可變參考信號轉(zhuǎn)移至該儲存電容的第一節(jié)點，驅(qū)動晶體管有一第一端點耦接至一第一固定電位，有一第二端點耦接至該儲存電容的第二節(jié)點，并有一第三端點輸出一驅(qū)動電流，開關(guān)電路耦接至該驅(qū)動晶體管的該第三端點與該儲存電容的第二節(jié)點，并可在一時段內(nèi)使該驅(qū)動晶體管成二極管連接，并使得一驅(qū)動電流可在另一時段內(nèi)輸出至一顯示組件。本發(fā)明的有益效果在于，使得驅(qū)動電流與臨界電壓或電源供應(yīng)無關(guān)，因此每一像素的亮度也就與臨界電壓或電源供應(yīng)無關(guān)。
文檔編號G09G3/30GK1734546SQ2005100892
公開日2006年2月15日 申請日期2005年8月2日 優(yōu)先權(quán)日2004年8月2日
發(fā)明者彭杜仁, 黃士峰 申請人:統(tǒng)寶光電股份有限公司