專利名稱:電致發(fā)光顯示器件及其驅(qū)動方法
技術(shù)領(lǐng)域:
本發(fā)明涉及一種電致發(fā)光顯示器件,特別涉及一種電流驅(qū)動型電致發(fā)光顯示器件。
背景技術(shù):
各種重量輕,體積小的平板顯示器件代替了陰極射線管(CRT)。平板顯示器件包括液晶顯示(LCD)器件、場致發(fā)光顯示(FED)器件、等離子顯示板(PDP),電致發(fā)光(EL)顯示器件和有機發(fā)光顯示(OLED)器件等等。
OLED被分成無源矩陣和有源矩陣。有源矩陣OLED包括薄膜晶體管,而無源矩陣不包括薄膜晶體管。有源矩陣OLED(AMOLED)更適合用于大型和高清晰度的顯示器件。OLED是一種電激熒光有機混合物以發(fā)光的自發(fā)光顯示器件。其工作電壓低并且比其他的平板顯示器件薄。而且OLED具有極好的特性,例如視角寬和響應速度快。如今OLED應用于各種器件中,例如手機、汽車導航器和掌上電腦等。
圖1所示為現(xiàn)有技術(shù)的電流驅(qū)動型電致發(fā)光顯示器件的像素結(jié)構(gòu)電路圖。參考圖1,電流驅(qū)動型電致發(fā)光顯示器件100包括電致發(fā)光(“EL”)器件、開關(guān)部件10及數(shù)據(jù)線。EL根據(jù)電流強度形成像素。開關(guān)部件10包括開關(guān)器件S/W1、S/W2和S/W3并且控制施加到EL的電流。數(shù)據(jù)線DATA及第一和第二掃描線Scan1、Scan2向開關(guān)部件10施加信號。
第一開關(guān)器件S/W1包括連接至數(shù)據(jù)線DATA的漏極和連接至第一掃描線Scan1的柵極。第二開關(guān)器件S/W2具有連接至第一掃描線Scan1的柵極和連接至第一開關(guān)器件的源極的柵極。存儲電容器Cstg設(shè)置在高電位電壓VDD和第二開關(guān)器件S/W2的源極之間。驅(qū)動晶體管D-TFT具有連接到存儲電容器Cstg和第二開關(guān)S/W2的源極之間的柵極,以及連接到高電位電壓VDD的源極。第三開關(guān)器件S/W3包括連接至第二掃描線Scan2的柵極和連接至驅(qū)動晶體管D-TFT的漏極的源極。在第三開關(guān)器件S/W3的漏極和地GND之間連接有EL。
圖2示出了圖1的電致發(fā)光顯示器件100的驅(qū)動波形。在圖2的A區(qū)段中,向第一掃描線Scan1施加低電壓,導通第一開關(guān)器件S/W1和第二開關(guān)器件S/W2。當?shù)谝缓偷诙_關(guān)器件S/W1和S/W2被導通時,驅(qū)動晶體管D-TFT形成為二極管連接狀態(tài)。電流通過驅(qū)動晶體管D-TFT流入數(shù)據(jù)線DATA中。
在B區(qū)段中,關(guān)斷第一和第二開關(guān)器件S/W1和S/W2并且通過存儲電容器Cstg導通驅(qū)動晶體管D-TFT,并在第二掃描線Scan2施加低電壓以導通第三開關(guān)器件S/W3,以使得相應于一指定數(shù)值的電流流入EL中并持續(xù)一幀的時間。
圖3示出了隱藏在電致發(fā)光顯示器件100中的寄生電容器。在第二開關(guān)器件S/W2的柵極和源極之間形成第一寄生電容器C1,在第二開關(guān)器件S/W2的源極和第三開關(guān)器件S/W3的源極之間形成第二寄生電容器C2,在第三開關(guān)器件S/W3的柵極和源極之間形成第三寄生電容器C3。由于寄生電容器C1、C2、C3的影響,當?shù)谝婚_關(guān)器件和第二開關(guān)器件S/W1、S/W2關(guān)斷時,產(chǎn)生DC電壓偏置并且發(fā)生反沖效應(kickback effect)。具體地說,在第一開關(guān)S/W1和第二開關(guān)S/W2關(guān)斷并且第三開關(guān)S/W3導通處發(fā)生反沖效應。
參照圖4,反沖電壓(kickback)在增大驅(qū)動晶體管D-TFT柵電壓的方向上,在第一寄生電容器C1中被增強為ΔVp1,并且在減小驅(qū)動晶體管D-TFT柵電壓的方向上,在第三寄生電容器C3中被增強為ΔVp2。因此,反沖電壓可能不會完全抵消而將產(chǎn)生電壓差“D”。電壓ΔVp1和ΔVp2根據(jù)如下等式(1)、(2)計算ΔVp1=C1C1+C2+C3+Cstg×ΔVgs1]]>……………………………(等式1)ΔVp2=C2+C3C1+C2+C3+Cstg×ΔVgs3]]>……………………………(等式2)這里,ΔVgs1為第一開關(guān)器件S/W1的柵極和源極之間的閾值電壓的變化量,ΔVgs3為第三開關(guān)器件S/W3的柵極和源極之間的閾值電壓的變化量。
反沖效應可能導致圖像質(zhì)量的不均勻,所顯示的圖像根據(jù)它的特性而顯現(xiàn)出不一致和不均勻。因此,需要一電流驅(qū)動型電致發(fā)光顯示器件用以改善圖像質(zhì)量的均勻性。
發(fā)明內(nèi)容
僅作為介紹,電致發(fā)光顯示器件包括多條列線、多條第一行線及多條第二行線。所述第一行線與所述列線交叉并向其施加第一掃描信號。所述多條第二行線與所述列線交叉并向其施加第二掃描信號。第二掃描信號遲于第一掃描信號產(chǎn)生。在像素區(qū)域內(nèi)形成有機發(fā)光器件,所述像素區(qū)域由所述列線和所述第一和第二行線所限定。所述電致發(fā)光顯示器件包括至少兩個驅(qū)動開關(guān)器件和工作以與驅(qū)動開關(guān)彼此補償?shù)难a償電路。訪補償電路用于補償由于所述第一行線的電壓變化所產(chǎn)生的反沖電壓。在一實施例中,所述補償電路用于根據(jù)所述第二行線的電壓化產(chǎn)生補償反沖電壓。
一種電致顯示器件的驅(qū)動方法包括相鄰于驅(qū)動開關(guān)器件安裝反沖補償電路,以及通過使用所述反沖補償電路補償由于所述第一行線的電壓變化所產(chǎn)生的反沖電壓。
參考附圖詳細說明實施例,附圖中圖1所示為現(xiàn)有技術(shù)的電流驅(qū)動型電致發(fā)光顯示器件的表示一像素區(qū)域的電路圖;圖2所示為用于圖1的電致發(fā)光顯示器件的驅(qū)動波形;圖3所示為圖1的電致發(fā)光顯示器件中的寄生電容器;圖4所示為根據(jù)圖3的電致發(fā)光顯示器件的電壓變化圖;圖5為一電流驅(qū)動型電致發(fā)光顯示器件的方塊圖;圖6A和6B為表示圖5的電致發(fā)光顯示器件的一像素結(jié)構(gòu)的電路圖;圖7所示為流入一第一掃描線的信號;圖8所示為流入一第二掃描線的信號;圖9所示為根據(jù)圖6A的像素結(jié)構(gòu)的寄生電容器;及圖10所示為根據(jù)圖9的寄生電容器的電壓變化值。
具體實施例方式
圖5所示為電流型電致發(fā)光顯示器件500的方塊圖。參照圖5,電流型電致發(fā)光顯示器件500包括m×n個設(shè)置于矩陣圖案中的像素。在DL1到DLm的m條數(shù)據(jù)線及n條第一和第二掃描線Scan11到Scan1n和Scan21到Scan2n之間形成一像素區(qū)域。數(shù)據(jù)驅(qū)動電路72向數(shù)據(jù)線DL1到DLm施加數(shù)據(jù)以及掃描驅(qū)動電路73向第一和第二掃描線Scan11到Scan1n,Scan21到Scan2n順序施加一掃描信號。
電流驅(qū)動型電致發(fā)光顯示器件500的像素結(jié)構(gòu)將結(jié)合附圖6A和6B詳細描述。參考圖6A,像素結(jié)構(gòu)包括數(shù)據(jù)線DL、第一和第二掃描線Scan1和Scan2以及用于驅(qū)動像素的驅(qū)動開關(guān)器件80。該驅(qū)動開關(guān)器件80包括存儲電容器Cstg。
驅(qū)動開關(guān)器件80包括第一開關(guān)器件S/W1、第二開關(guān)器件S/W2、第三開關(guān)器件S/W3、第四開關(guān)器件S/W4和存儲電容器。在第一開關(guān)器件S/W1中,漏極連接到數(shù)據(jù)線DL而柵極連接到第一掃描線Scan1。在第二開關(guān)器件S/W2中,柵極連接到第一掃描線Scan1而漏極連接到第一開關(guān)器件的源極。在第三開關(guān)器件S/W3中,柵極連接到第二掃描線Scan2而源極連接到第二開關(guān)器件S/W2。存儲電容器Cstg設(shè)置在高電位電壓VDD和第三開關(guān)器件S/W3的源極之間。驅(qū)動開關(guān)器件80包括其柵極連接在存儲電容器Cstg和第三開關(guān)器件S/W3之間的驅(qū)動晶體管D-TFT,該驅(qū)動晶體管D-TFT的源極連接至高電位電壓VDD。驅(qū)動器件80進一步包括第四開關(guān)器件,其柵極連接至第二掃描線Scan2及其源極連接至驅(qū)動晶體管D-TFT的漏極。在第四開關(guān)器件S/W4的漏極和地GND之間連接有EL。第三開關(guān)器件S/W3的源極和漏極互相連接。根據(jù)上述的設(shè)置,如圖6B所示第三開關(guān)器件S/W3可以等效為電容器。
驅(qū)動晶體管D-TFT以利用存儲電容器Cstg補償其自身電壓的自補償方式工作。存儲電容器Cstg連接在晶體管D-TFT的柵極和源極之間。因此,在電流驅(qū)動型電致發(fā)光顯示器件500中,相應于一指定數(shù)值的電流與相鄰像素的驅(qū)動晶體管器件的特性變化無關(guān)而等量地流入各EL。此外,在向存儲電容器Cstg充入數(shù)據(jù)而關(guān)斷第一和第二開關(guān)器件S/W1、S/W1后,該數(shù)值保留一幀周期。
將結(jié)合圖6A到圖8進行描述該電流驅(qū)動型電致發(fā)光顯示器件的驅(qū)動方法。如上所述,圖2示出了用于電致發(fā)光顯示器件的驅(qū)動波形。在A時段,向第一掃描線Scan1施加高電位電壓VDD,關(guān)斷第一和第二開關(guān)器件S/W1、S/W2,如圖7所示。這時,將高電位電壓VDD充入到存儲電容Cstg中,隨后電流流入由第一和第二開關(guān)器件S/W1和S/W2形成的通路中。經(jīng)由第一開關(guān)器件S/W1和驅(qū)動晶體管D-TFT,在數(shù)據(jù)線上匯聚與高電位電壓和保留在存儲電容Cstg上的電壓之間的電位差一樣多的電壓。例如,在存儲電容器Cstg上存儲的電荷為2V而高電位電壓VDD為10V,則剩余電壓即為8V,流過驅(qū)動晶體管D-TFT并且該電壓通過第一開關(guān)器件S/W1匯聚于數(shù)據(jù)線上。
在B時段,如圖8所示,在EL中的高電位電壓VDD流入第四開關(guān)器件S/W4,在這一時刻,指定數(shù)值的電流激活用于操作的EL。當施加到第一掃描線Scan1上的電壓從低電壓變?yōu)楦唠妷簳r,施加到第二掃描線Scan2上的電壓于是從高電壓變?yōu)榈碗妷骸R虼?,第一和第二開關(guān)器件S/W1、S/W2被關(guān)斷而第三和第四開關(guān)器件S/W3、S/W4被導通。遲于第一掃描信號的第二掃描信號操作以激活驅(qū)動開關(guān)。經(jīng)由驅(qū)動晶體管D-TFT和第四開關(guān)器件S/W4向EL上施加高電位電壓VDD并持續(xù)一幀周期中除A時段以外的一段時間。指定數(shù)值的電流從高電位電壓VDD流入EL中。
圖9所示為該電流型電致發(fā)光顯示器件的寄生電容器。參照圖9,寄生電容器包括第一寄生電容C1、第二寄生電容C2、第三寄生電容C3和第四寄生電容C4。在第二開關(guān)器件S/W2的柵極和源極之間形成第一寄生電容C1。在第二開關(guān)器件S/W2的源極和第四開關(guān)器件S/W4的源極之間形成第二寄生電容C2。在第二開關(guān)器件S/W2的源極和第二掃描線Scan2之間形成第三寄生電容C4,在柵極和第四開關(guān)器件S/W4的源極之間形成第四寄生電容C3。
當?shù)谝缓偷诙_關(guān)器件S/W1、S/W2關(guān)斷時,第一寄生電容C1產(chǎn)生在增加驅(qū)動晶體管D-TFT柵電壓方向上的反沖效應。總體上,該反沖效應抵消由第三和第四電容C3、C4產(chǎn)生的在減小驅(qū)動晶體管D-TFT的柵電壓方向上的另一反沖效應。在第一寄生電容C1中產(chǎn)生的在增加驅(qū)動晶體管D-TFT的柵電壓方向上的反沖電壓為ΔVp1,并且在第三寄生電容C3中產(chǎn)生的在減小驅(qū)動晶體管D-TFT的柵電壓方向上的反沖電壓為ΔVp3,而且,在第四寄生電容C4中產(chǎn)生的在減小驅(qū)動晶體管D-TFT的柵電壓方向上的反沖電壓為ΔVp4。如圖10所示,總體上可以抵消反沖電壓。第三開關(guān)器件S/W3可被確定為一個可以抵消在第一和第二開關(guān)器件S/W1、S/W2中產(chǎn)生的反沖效應的數(shù)值。
由ΔVp1、ΔVp2、ΔVp3表示的反沖電壓通過如下等式計算ΔVp1=C1C1+C2+C3+C4+Cstg×ΔVgs1]]>…………………………………(等式3)ΔVp3=C3C1+C2+C3+C4+Cstg×ΔVgs3]]>…………………………………(等式4)ΔVp4=C2+C4C1+C2+C3+C4+Cstg×ΔVgs4]]>…………………………………(等式5)這里,ΔVgs 1為第一開關(guān)器件S/W1的柵極和源極之間的閾值電壓變量,ΔVgs 3為第三開關(guān)器件S/W3的柵極和源極之間的閾值電壓變量,ΔVgs 4為第四開關(guān)器件S/W4的柵極和源極之間的閾值電壓變量。
如上所述,該電流型電致發(fā)光顯示器件可以防止不同大小的反沖效應。因此,施加到EL上的電流就可以是均勻的并且可以防止圖像質(zhì)量缺陷。因此,可能基本上全面改善圖像質(zhì)量。
雖然本發(fā)明通過上述附圖中所示的實施例進行了說明,但是可以理解對于熟悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員來說本發(fā)明并不僅限于這些實施例,在不脫離本發(fā)明精神的情況下本發(fā)明還可以有各種變型和改進。因此,本發(fā)明的范圍僅由所附的權(quán)利要求及等效物所限定。
權(quán)利要求
1.一種電致發(fā)光顯示器件,包括多條列線;多條與所述列線交叉并接收第一掃描信號的第一行線;多條與所述列線交叉并接收第二掃描信號的第二行線;形成在像素區(qū)域的有機發(fā)光器件,所述像素區(qū)域由所述多條列線和所述多條第一和第二行線所限定;驅(qū)動開關(guān),能夠驅(qū)動所述有機發(fā)光器件;及補償電路,能夠抵消由于所述第一行線的電壓變化而產(chǎn)生的反沖電壓;其中,所述第二掃描信號遲于所述第一掃描信號激活所述驅(qū)動開關(guān)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電致發(fā)光顯示器件,其特征在于所述補償電路用于根據(jù)所述第二行線的電壓變化產(chǎn)生補償反沖電壓。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電致發(fā)光顯示器件,其特征在于所述驅(qū)動開關(guān)包括至少兩個能夠由所述第一掃描信號導通的開關(guān)。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的電致發(fā)光顯示器件,其特征在于所述驅(qū)動開關(guān)進一步包括能夠由所述第二掃描信號導通的第三開關(guān)。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的電致發(fā)光顯示器件,其特征在于所述驅(qū)動開關(guān)包括其源端連接至高電位電壓的驅(qū)動晶體管,并且所述第三開關(guān)從所述驅(qū)動晶體管向所述有機發(fā)光器件施加電壓。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的電致發(fā)光顯示器件,其特征在于根據(jù)由所述第一掃描信號對所述兩個開關(guān)的導通,所述多條列線隨來自所述驅(qū)動晶體管的電壓匯聚工作。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的電致發(fā)光顯示器件,其特征在于所述補償電路設(shè)置在所述第二行線、所述第二開關(guān)的源極和所述驅(qū)動晶體管的柵極之間,以補償所述反沖電壓。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電致發(fā)光顯示器件,其特征在于所述補償電路包括其源極端和漏極端互相連接的開關(guān)。
9.根據(jù)權(quán)利要求5所述的電致發(fā)光顯示器件,其特征在于所述驅(qū)動晶體管在其柵端和源端與存儲電容器連接并且所述驅(qū)動晶體管通過所述電容器自補償電壓。
10.一種電致發(fā)光顯示器件的制造方法,包括提供列線作為數(shù)據(jù)線;設(shè)置與所述第一列線交叉的第一行線和第二行線,所述第一行線和所述第二行線作為掃描線;形成由所述列線、所述第一行線和所述第二行線限定的像素區(qū)域,所述像素區(qū)域包括有機發(fā)光器件;將多個驅(qū)動開關(guān)與所述列線、所述第一行線和所述第二行線相連接,所述多個驅(qū)動開關(guān)用于驅(qū)動所述有機發(fā)光器件;以及在所述第二行線和所述多個驅(qū)動開關(guān)之間提供補償電路。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法,其特征在于所述提供補償電路的步驟包括用具有柵極、源極和漏極的晶體管形成補償電路。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法,其特征在于,還包括將所述補償電路的所述漏極和源極互相連接并且將所述柵極連接至所述第二行線。
13.一種電致發(fā)光顯示器件的驅(qū)動方法,包括向第一開關(guān)和第二開關(guān)提供第一掃描信號;向第三開關(guān)和第四開關(guān)提供第二掃描信號;遲于第一開關(guān)和第二開關(guān)激活所述第三開關(guān)和第四開關(guān);向驅(qū)動晶體管施加高電位電壓;抵消由于所述第一掃描信號的電壓變化而產(chǎn)生的反沖電壓;以及應用所述第二掃描信號激活有機發(fā)光器件。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的驅(qū)動方法,其特征在于,進一步包括使用所述第一和第二開關(guān)在增加所述驅(qū)動晶體管的柵電壓的方向上產(chǎn)生第一反沖電壓;以及使用所述第三和第四開關(guān)在減小所述驅(qū)動晶體管的柵電壓的方向上產(chǎn)生第二反沖電壓。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法,其特征在于所述抵消所述反沖電壓的步驟進一步包括使用所述第二反沖電壓抵消所述第一反沖電壓。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法,其特征在于,進一步包括根據(jù)所述反沖電壓確定所述第三開關(guān)的值。
17.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法,其特征在于,進一步包括在一幀內(nèi)的第一間隔,使用所述第一掃描信號導通所述第一開關(guān)和所述第二開關(guān);經(jīng)由第一開關(guān)和第二開關(guān)形成的通路,向數(shù)據(jù)線施加所述高電位電壓。
18.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法,其特征在于所述抵消所述反沖電壓的步驟包括產(chǎn)生一補償掃電壓以補償所述反沖電壓。
19.根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法,其特征在于,還包括在所述幀內(nèi)的第二間隔,關(guān)斷所述第一開關(guān)和所述第二開關(guān);以及在所述幀內(nèi)的第二間隔,導通所述第三開關(guān)和所述第四開關(guān)。
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的方法,其特征在于,進一步包括經(jīng)由所述第四開關(guān)向所述有機發(fā)光器件施加所述高電位電壓。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種電致發(fā)光顯示器件包括多條列線、多條第一行線和多條第二行線;所述多條第一行線與所述列線交叉并且施加第一掃描信號;所述多條第二行線與所述列線交叉并且施加第二掃描信號;在由所述列線和所述第一和第二行線限定的像素區(qū)域內(nèi)形成有機發(fā)光器件;至少兩個驅(qū)動開關(guān)用于驅(qū)動所述有機發(fā)光器件;遲于所述第一掃描信號施加所述第二掃描信號以激活所述驅(qū)動開關(guān);在由于所述第一行線的電壓變化而產(chǎn)生反沖電壓;一反沖補償電路用于抵消所述反沖電壓。
文檔編號G09G3/32GK1758302SQ20051008018
公開日2006年4月12日 申請日期2005年6月30日 優(yōu)先權(quán)日2004年10月6日
發(fā)明者吳斗煥 申請人:Lg.菲利浦Lcd株式會社