專利名稱：一種電子發(fā)射設(shè)備、使用它的顯示設(shè)備及其驅(qū)動(dòng)方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種電子發(fā)射設(shè)備。本發(fā)明尤其涉及改善圖像質(zhì)量的電子發(fā)射設(shè)備、使用它的顯示設(shè)備和/或其驅(qū)動(dòng)方法。
背景技術(shù)：
電子發(fā)射設(shè)備使用熱陰極或者冷陰極作為電子源。使用冷陰極的電子發(fā)射設(shè)備的已知例子有場(chǎng)發(fā)射體陣列(FEA)、表面?zhèn)鲗?dǎo)發(fā)射體(SCE)、金屬-絕緣體-金屬(MIM)、金屬-絕緣體-半導(dǎo)體(MIS)和發(fā)射電子表面發(fā)射(ballisticelectron surface emitting，BSE)電子的發(fā)射設(shè)備。
FEA電子發(fā)射設(shè)備是一種基于這種功能原理的設(shè)備當(dāng)使用具有低功函數(shù)(work function)和/或高beta(β)函數(shù)的材料作為電子源時(shí)，在真空下由于電場(chǎng)差，電子易于從該材料中發(fā)射出來(lái)。已經(jīng)使用鉬(Mo)或者硅(Si)或者碳材料(例如石墨或者DLC(金剛石類碳))的針尖結(jié)構(gòu)(tip structure)作為FEA電子發(fā)射設(shè)備的電子源。近來(lái)，也開發(fā)出使用諸如納米管和/或納米導(dǎo)線之類的納米材料作為電子源的電子發(fā)射設(shè)備。
SCE電子發(fā)射設(shè)備具有形成于第一和第二電極之間的導(dǎo)電薄膜，兩個(gè)電極彼此相對(duì)布置在第一基板上。在該導(dǎo)電薄膜內(nèi)提供微間隙(或者裂隙)以形成電子發(fā)射體。SCE電子發(fā)射設(shè)備是基于這種原理當(dāng)在第一和第二電極上施加電壓以使電流流向該導(dǎo)電薄膜表面時(shí)，微間隙(即電子發(fā)射體)發(fā)射出電子。
MIM電子發(fā)射設(shè)備和MIS電子發(fā)射設(shè)備分別具有金屬-絕緣體-金屬(MIM)結(jié)構(gòu)和金屬-絕緣體-半導(dǎo)體(MIS)結(jié)構(gòu)作為它們的電子發(fā)射體。這些電子發(fā)射設(shè)備基于這種原理發(fā)射電子利用在兩個(gè)金屬之間或者在一個(gè)金屬和一個(gè)半導(dǎo)體之間(其間介入絕緣體)施加的電壓，將電子從具有較高電子電勢(shì)的金屬或者半導(dǎo)體移動(dòng)或者加速到具有較低電子電勢(shì)的金屬。
BSE電子發(fā)射設(shè)備包括在歐姆電極上由金屬或者半導(dǎo)體形成的電子供應(yīng)層以及在該電子供應(yīng)層上形成的絕緣層和金屬膜。該電子發(fā)射設(shè)備在施加到歐姆層和金屬膜的電力作用下基于這種原理發(fā)射電子當(dāng)半導(dǎo)體的尺寸減小到比電子的自由行程還要小的范圍內(nèi)時(shí)，電子能夠不發(fā)生散射地移動(dòng)。
通常，上述電子發(fā)射設(shè)備包括形成于第二基板上的陽(yáng)極，施加帶有正電壓電平的高電壓到該陽(yáng)極，以使從電子發(fā)射體發(fā)射的電子與第二基板上形成的熒光體碰撞。
然而，常規(guī)的電子發(fā)射設(shè)備是有問(wèn)題的，因?yàn)槲催x中的像素在施加到陽(yáng)極的高正電壓作用下發(fā)光。即，由施加到陽(yáng)極的高正電壓在電子發(fā)射體周圍所形成的電場(chǎng)(以下也稱之為“陽(yáng)極電場(chǎng)”)使得電子發(fā)射體不正常地發(fā)射出電子，其與不期望的熒光體區(qū)域碰撞，因此在第二基板上造成不希望的發(fā)光。由陽(yáng)極引起的不希望的發(fā)光可以稱之為“二極管發(fā)射”。
另外，即使電子正常發(fā)射，常規(guī)電子發(fā)射設(shè)備也有問(wèn)題，因?yàn)殡娮影l(fā)射體的電子可能會(huì)沒(méi)有正常聚集(或者聚焦)而與不希望的區(qū)域內(nèi)的熒光體碰撞，從而造成具有下降的圖像質(zhì)量的圖像畸變。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的一個(gè)方面是提供一種電子發(fā)射設(shè)備和相關(guān)的驅(qū)動(dòng)方法，其中該電子發(fā)射設(shè)備能夠屏蔽陽(yáng)極電場(chǎng)以消除二極管發(fā)射和/或能夠聚集從電子發(fā)射體發(fā)射的電子束以最小化圖像畸變。
在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，電子發(fā)射設(shè)備包括第一電極，具有施加其上的數(shù)據(jù)信號(hào)；第二電極，具有施加其上的掃描信號(hào)；和電子發(fā)射體，用于響應(yīng)于該數(shù)據(jù)信號(hào)和該掃描信號(hào)之間的電壓差而發(fā)射電子。在這個(gè)實(shí)施例中，設(shè)置該掃描信號(hào)的關(guān)閉電壓低于該數(shù)據(jù)信號(hào)的導(dǎo)通電壓。
在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，電子發(fā)射設(shè)備包括面板、數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器和掃描驅(qū)動(dòng)器。該面板包括第一基板，具有互相交叉設(shè)置的多個(gè)掃描電極和數(shù)據(jù)電極以及與之形成的電子發(fā)射體；以及第二基板，具有至少一個(gè)與之形成的陽(yáng)極。該數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器施加具有第一和第二電壓的數(shù)據(jù)信號(hào)到該數(shù)據(jù)電極。該掃描驅(qū)動(dòng)器施加第三電壓到掃描電極中被選中的電極以及施加第四電壓到掃描電極中未選中的電極。該電子發(fā)射體發(fā)射因施加到該數(shù)據(jù)電極的第一電壓和施加到該掃描電極中被選中的電極的第三電壓之間的電壓差而產(chǎn)生的電子。設(shè)置第四電壓低于第一電壓。
在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，提供了一種驅(qū)動(dòng)電子發(fā)射設(shè)備的方法。該電子發(fā)射設(shè)備包括第一基板，具有至少一個(gè)與之形成的陽(yáng)極；和第二基板，具有多個(gè)第一電極、電子發(fā)射體形成其上的多個(gè)第二電極和在第一電極上形成的第三電極。在該方法中，(a)依次選擇第一電極，以在第一間隔內(nèi)施加第一電壓且在第二間隔內(nèi)施加第二電壓；(b)施加數(shù)據(jù)電壓到第二電極；以及(c)在(a)和(b)期間施加第三電壓到第三電極。將第二電壓設(shè)為一個(gè)使得第一電極在第二間隔內(nèi)能夠屏蔽該陽(yáng)極的電場(chǎng)的電壓值。


附圖與說(shuō)明書一起圖解了本發(fā)明的示例性實(shí)施例，并且與該描述一起用于解釋本發(fā)明的原理。
圖1是采用根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的電子發(fā)射設(shè)備的顯示設(shè)備的示意圖；圖2是根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的電子發(fā)射設(shè)備的截面圖；圖3是根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的顯示設(shè)備的驅(qū)動(dòng)波形圖；圖4是根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的顯示設(shè)備的驅(qū)動(dòng)波形圖；圖5是根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的顯示設(shè)備的更完整的驅(qū)動(dòng)波形圖；圖6是示出在根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的驅(qū)動(dòng)方法中響應(yīng)于施加到聚焦電極的電壓而引起二極管發(fā)射的陽(yáng)極電壓的曲線圖；和圖7是示出在根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的驅(qū)動(dòng)方法中響應(yīng)于施加到聚焦電極上的電壓和掃描信號(hào)(例如施加到未選中像素的一個(gè)或者多個(gè)掃描電極的)的關(guān)閉電壓而引起二極管發(fā)射的陽(yáng)極電壓的曲線圖。
具體實(shí)施例方式
在下面的具體描述中，通過(guò)圖示的方式，僅僅示出并描述了本發(fā)明特定示例性實(shí)施例。正如本領(lǐng)域普通技術(shù)人員所知道的，在全部不背離本發(fā)明的宗旨或者范疇的前提下可以以各種方式修改這些所述示例性實(shí)施例。因此，這些圖和描述本質(zhì)上應(yīng)認(rèn)為是說(shuō)明性的而不是限制性的。
有在圖中示出或沒(méi)有在圖中示出的一些部件，在說(shuō)明書中沒(méi)有對(duì)其進(jìn)行討論，因?yàn)樗鼈儗?duì)于徹底地理解本發(fā)明不是必要的。相同的附圖標(biāo)記表示相同的元件。當(dāng)提到將第一元件連接到第二元件時(shí)，該第一和第二元件可以互相直接連接，或者可以在該第一元件和第二元件之間安置第三元件。
圖1是使用根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的電子發(fā)射設(shè)備的顯示設(shè)備的示意圖。
如圖所示，圖1中的顯示設(shè)備包括用于顯示圖像的顯示面板100；用于驅(qū)動(dòng)數(shù)據(jù)電極D1到Dm的數(shù)據(jù)電極驅(qū)動(dòng)器200；用于驅(qū)動(dòng)掃描電極S1到Sn的掃描電極驅(qū)動(dòng)器300；和用于驅(qū)動(dòng)聚焦電極F1到Fn的聚焦電極驅(qū)動(dòng)器400。
顯示面板100包括以第一方向(例如列方向)布置的多個(gè)數(shù)據(jù)電極D1到Dm；多個(gè)掃描電極S1到Sn；和多個(gè)聚焦電極F1到Fn。掃描電極S1到Sn和聚焦電極F1到Fn以第二方向(例如行方向)交替地布置。掃描電極S1到Sn與數(shù)據(jù)電極D1到Dm相交(或者交叉)，并且在數(shù)據(jù)電極D1到Dm和掃描電極S1到Sn的相交點(diǎn)(或者交叉點(diǎn))形成多個(gè)像素。
數(shù)據(jù)電極驅(qū)動(dòng)器200將一個(gè)或者多個(gè)數(shù)據(jù)信號(hào)供應(yīng)給數(shù)據(jù)電極D1到Dm，掃描電極驅(qū)動(dòng)器300將一個(gè)或者多個(gè)掃描信號(hào)供應(yīng)給掃描電極S1到Sn。
根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，掃描電極驅(qū)動(dòng)器300依次選擇掃描電極S1到Sn并且將掃描脈沖(或者信號(hào))施加到選中的掃描電極S1到Sn。在施加掃描脈沖同時(shí)，數(shù)據(jù)電極驅(qū)動(dòng)器200將一個(gè)或者多個(gè)數(shù)據(jù)電壓施加給數(shù)據(jù)電極D1到Dm。
聚焦電極驅(qū)動(dòng)器400將一個(gè)或者多個(gè)負(fù)電壓施加到聚焦電極F1到Fn，以聚焦從電子發(fā)射體(未示出)發(fā)射的電子束并且屏蔽陽(yáng)極電場(chǎng)，從而避免二極管發(fā)射。
圖2是根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的電子發(fā)射設(shè)備的截面圖。
圖2的電子發(fā)射設(shè)備包括后基板10和前基板20。在后基板10上形成陰極30；絕緣層介于陽(yáng)極30和第一柵電極60之間；以及另一絕緣層介于第一柵電極60和第二柵電極70之間。在陰極30上形成電子發(fā)射體50。
前基板20具有對(duì)著后基板10的表面。在前基板20對(duì)著后基板10的表面上形成用于引起電子碰撞以顯示圖像的熒光體40以及用于吸引從電子發(fā)射體50發(fā)射的電子的陽(yáng)極80。
操作時(shí)，圖2中的電子發(fā)射設(shè)備通過(guò)施加于陰極30和第一柵電極60之間的電壓在電子發(fā)射體50上聚焦一個(gè)高電場(chǎng)，并且因此由于量子力學(xué)隧道效應(yīng)而使得電子發(fā)射體50發(fā)射電子。從電子發(fā)射體50發(fā)射的電子在施加到陽(yáng)極80的電壓下加速，并且與熒光體40碰撞，因而引起熒光體40發(fā)光。
在圖2中，示出第一柵電極60形成于陰極30上，絕緣層介于其間，但是本發(fā)明并不因此受限。例如，根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，可以在陰極30下面形成第一柵電極60，在該情形中，電子發(fā)射體50形成于第一柵電極60上。
此外，在圖2中，示出熒光體40形成于基板20的整個(gè)表面上，陽(yáng)極80形成于熒光體40上，但是本發(fā)明并不因此受限。例如根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，可以在基板20的整個(gè)表面上形成透明陽(yáng)極，而熒光體40形成于該透明陽(yáng)極上。，在該情況下，也可以在熒光體40上形成金屬膜。
以下詳細(xì)地描述使用根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的電子發(fā)射設(shè)備的顯示設(shè)備的驅(qū)動(dòng)方法。
在下面的描述中，使用陰極30作為數(shù)據(jù)電極Dm，并且使用第一柵電極60作為掃描電極Sn，但是本發(fā)明不因此受限。例如，可以使用陰極30作為數(shù)據(jù)電極D1到Dm中的任何一個(gè)或者多個(gè)，并且可以使用第一柵電極60作為掃描電極S1到Sn中的任何一個(gè)或者多個(gè)。此外，根據(jù)電子發(fā)射設(shè)備的電極配置，可以使用陰極30作為掃描電極Sn，可以使用第一柵電極60作為數(shù)據(jù)電極Dm。如本領(lǐng)域普通技術(shù)人員所知的，可以因此修改驅(qū)動(dòng)方法。
此外，施加到選中掃描電極的掃描電壓可以稱之為“掃描信號(hào)的導(dǎo)通電壓”，施加到未選中掃描電極的掃描電壓可以稱之為“掃描信號(hào)的關(guān)閉電壓”。施加到數(shù)據(jù)電極以導(dǎo)通像素的電壓可以稱之為“數(shù)據(jù)信號(hào)的導(dǎo)通電壓”，并且施加到數(shù)據(jù)電極以關(guān)閉像素的電壓可以稱之為“數(shù)據(jù)信號(hào)的關(guān)閉電壓”。
圖3是根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的顯示設(shè)備的驅(qū)動(dòng)波形圖。
在間隔T1內(nèi)，將掃描信號(hào)的導(dǎo)通電壓VS施加到掃描電極Sn，并且將數(shù)據(jù)信號(hào)的導(dǎo)通電壓V1施加到數(shù)據(jù)電極Dm。在掃描電極Sn和數(shù)據(jù)電極Dm之間的電壓差VS-V1使得電子發(fā)射體50發(fā)射電子，然后電子與熒光體40碰撞，從而導(dǎo)通像素。
在間隔T2內(nèi)，將數(shù)據(jù)信號(hào)的關(guān)閉電壓VD施加到數(shù)據(jù)電極Dm，同時(shí)維持掃描信號(hào)對(duì)于掃描電極Sn的導(dǎo)通電壓VS。在掃描電極Sn和數(shù)據(jù)電極Dm之間的減小的電壓差VS-VD中斷了電子發(fā)射體50的電子發(fā)射，從而關(guān)閉像素。
在間隔T3內(nèi)，將掃描信號(hào)的關(guān)閉電壓V1施加到掃描電極Sn，同時(shí)將數(shù)據(jù)信號(hào)的關(guān)閉電壓VD施加到數(shù)據(jù)電極Dm，以關(guān)閉像素。然后將電壓V1施加到數(shù)據(jù)電極Dm。這里，掃描信號(hào)的關(guān)閉電壓V1等于數(shù)據(jù)信號(hào)的導(dǎo)通電壓V1，并且通常設(shè)為0V。
在圖3中，可以將第二柵電極70用作聚焦電極Fn(或者聚焦電極F1到Fn中的任一個(gè)或者多個(gè))。將負(fù)電壓V2持續(xù)施加到聚焦電極Fn，以在間隔T1內(nèi)將來(lái)自電子發(fā)射體50的電子束聚焦到期望位置的熒光體40上，并且在間隔T2和T3內(nèi)屏蔽陽(yáng)極40的高的正電場(chǎng)，從而避免了二極管發(fā)射。
增加施加到聚焦電極Fn的負(fù)電壓的大小可以增強(qiáng)電場(chǎng)屏蔽功能以及聚焦功能，但是減少了移動(dòng)到陽(yáng)極40的電子數(shù)量，因此降低了顯示面板100的亮度。
因此，應(yīng)該將既不太高又不太低的適當(dāng)?shù)呢?fù)電壓施加到聚焦電極Fn?？梢酝ㄟ^(guò)增加用作聚焦電極Fn的第二柵電極70的膜厚或者增加其中形成有電子發(fā)射體50的孔(hole)的縱橫比(深度/寬度)，來(lái)屏蔽由陽(yáng)極40產(chǎn)生的電場(chǎng)。然而，這種電子發(fā)射設(shè)備的制造工藝非常復(fù)雜并且引起許多生產(chǎn)率和產(chǎn)量方面的問(wèn)題。
因而，在本發(fā)明的第二實(shí)施例中，通過(guò)設(shè)置掃描信號(hào)的關(guān)閉電壓低于數(shù)據(jù)信號(hào)的導(dǎo)通電壓來(lái)防止了未選中像素上的二極管發(fā)射。
更詳細(xì)地，圖4圖解了根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的顯示設(shè)備的驅(qū)動(dòng)波形圖。
本發(fā)明的第二實(shí)施例不同于第一實(shí)施例之處在于掃描信號(hào)的關(guān)閉電壓降低為電壓V3。
通過(guò)設(shè)置掃描信號(hào)的關(guān)閉電壓V3低于數(shù)據(jù)信號(hào)的導(dǎo)通電壓V1，未選中的掃描電極(例如掃描電極S1到Sn中的一個(gè)或者多個(gè))防止了電子發(fā)射體50的不希望的電子發(fā)射，并且聚焦電極(例如聚焦電極F1到Fn中的一個(gè)或者多個(gè))屏蔽了陽(yáng)極40的電場(chǎng)。
更特別地，在間隔T1中，施加掃描信號(hào)的導(dǎo)通電壓VS到掃描電極Sn，并且施加數(shù)據(jù)信號(hào)的導(dǎo)通電壓V1到數(shù)據(jù)電極Dm。掃描電極Sn和數(shù)據(jù)電極Dm之間的電壓差VS-V1使得電子發(fā)射體50發(fā)射電子，然后電子與熒光體40碰撞來(lái)顯示圖像。
在間隔T2中，將數(shù)據(jù)信號(hào)的關(guān)閉電壓VD施加到數(shù)據(jù)電極Dm，同時(shí)維持施加到掃描電極Sn的掃描信號(hào)的導(dǎo)通電壓VS。降低了掃描電極Sn和數(shù)據(jù)電極Dm之間的電壓差VS-VD，從而中斷電子發(fā)射體50的電子發(fā)射。
在間隔T3中，施加掃描信號(hào)的關(guān)閉電壓V3到掃描電極Sn，同時(shí)施加數(shù)據(jù)信號(hào)的關(guān)閉電壓VD到數(shù)據(jù)電極Dm。然后施加電壓V1到數(shù)據(jù)電極Dm。這里，施加到掃描電極Sn的電壓V3低于施加到數(shù)據(jù)電極Dm的電壓V1，所以掃描電極Sn屏蔽陽(yáng)極40的電場(chǎng)。即，當(dāng)使用第一柵電極60作為掃描電極Sn，同時(shí)使用陰極30作為數(shù)據(jù)電極Dm時(shí)，通過(guò)施加一個(gè)低于施加到陰極30電壓的電壓到未選中像素的第一柵電極60，第一柵電極60就屏蔽了施加到陽(yáng)極30的高電壓，其中該第一柵電極上施加的是掃描信號(hào)的關(guān)閉電壓。
因而，通過(guò)用聚焦電極F1到Fn對(duì)未選中像素上的陽(yáng)極電場(chǎng)的第一屏蔽以及用掃描電極S1到Sn對(duì)陽(yáng)極電場(chǎng)的第二屏蔽，本質(zhì)上避免因陽(yáng)極電場(chǎng)引起的二極管發(fā)射。
在該第二實(shí)施例中，即使施加一個(gè)比第一實(shí)施例中更高的電壓到陽(yáng)極40，也沒(méi)有出現(xiàn)二極管發(fā)射，因此增加了可以施加到陽(yáng)極40上的電壓，從而增強(qiáng)了圖像的亮度。這減少了因二極管發(fā)射引起的圖像畸變，從而提高了顯示設(shè)備的圖像質(zhì)量。
圖5是根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的顯示設(shè)備的更完整的驅(qū)動(dòng)波形圖。
參照?qǐng)D5，依次施加掃描信號(hào)的導(dǎo)通電壓VS到掃描電極S1到Sn，并且在像素選擇時(shí)間內(nèi)保持。當(dāng)選擇時(shí)間結(jié)束時(shí)施加掃描信號(hào)的關(guān)閉電壓V3。
掃描信號(hào)的關(guān)閉電壓V3設(shè)置的比數(shù)據(jù)信號(hào)的導(dǎo)通電壓V1要低，因此能夠防止在未選中像素上的二極管發(fā)射。
以下，參照?qǐng)D6和7以便描述在根據(jù)第一和第二實(shí)施例的驅(qū)動(dòng)方法中陽(yáng)極電場(chǎng)的屏蔽效果。圖6和7的曲線圖示出了當(dāng)聚焦電極中至少一個(gè)的水平寬度為大約100μm且由陽(yáng)極電壓產(chǎn)生的電流為50μA時(shí)的實(shí)驗(yàn)結(jié)果。
更詳細(xì)地，圖6是示出在根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的驅(qū)動(dòng)方法中響應(yīng)于施加到聚焦電極(例如電極Fn)的電壓而引起二極管發(fā)射的陽(yáng)極電壓的曲線圖。在圖6中，掃描信號(hào)的關(guān)閉電壓設(shè)為0V。
從圖6中可以看出，引起二極管發(fā)射的陽(yáng)極電壓隨著施加到聚焦電極Fn的電壓的增加以反方向增加。例如，在施加到聚焦電極Fn的電壓大約為-20V時(shí)，可以施加到陽(yáng)極40的電壓大約為2.1kV，并且當(dāng)施加到聚焦電極Fn的電壓大約為-30V時(shí)其大約為2.3V。
圖7是示出在根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的驅(qū)動(dòng)方法中響應(yīng)于施加到聚焦電極(例如電極Fn)的電壓Vf和掃描信號(hào)(例如施加到未選中像素的一個(gè)或者多個(gè)掃描電極S1到Sn)的關(guān)閉電壓(例如電壓V3)而引起二極管發(fā)射的陽(yáng)極電壓的曲線圖。
從圖7中可以看出，引起二極管發(fā)射的陽(yáng)極電壓隨著施加到聚焦電極Fn的電壓Vf的增加以反方向增加。此外，引起二極管發(fā)射的陽(yáng)極電壓隨著掃描信號(hào)的關(guān)閉電壓的增加而以負(fù)方向增加更多。
例如，當(dāng)施加到聚焦電極Fn的電壓Vf大約為-20V并且掃描信號(hào)的關(guān)閉電壓大約為-40V時(shí)，能夠施加到陽(yáng)極40的電壓大約為2.7kV。此外，當(dāng)施加到聚焦電極Fn的電壓Vf大約為-30V并且掃描信號(hào)的關(guān)閉電壓大約為-40V時(shí)，能夠施加到陽(yáng)極40的電壓大約為2.9kV。
由此，根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施例，使用聚焦電極來(lái)聚焦選中的像素的電子束，以允許像素的陽(yáng)極的第一屏蔽。并且設(shè)置施加到未選中像素的掃描電極的電壓低于施加到數(shù)據(jù)電極的電壓，以實(shí)現(xiàn)陽(yáng)極電場(chǎng)的第二屏蔽。
雖然本發(fā)明是結(jié)合一些示例性實(shí)施例來(lái)描述的，但是本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可以理解，本發(fā)明并不限于所公開的實(shí)施例，相反，本發(fā)明意欲覆蓋包括在所附權(quán)利要求及其等效權(quán)利要求的宗旨和范疇內(nèi)的各種修改。
權(quán)利要求
1.一種電子發(fā)射設(shè)備，包括第一電極，具有施加其上的數(shù)據(jù)信號(hào)；第二電極，具有施加其上的掃描信號(hào)；和電子發(fā)射體，用于響應(yīng)于該數(shù)據(jù)信號(hào)和該掃描信號(hào)之間的電壓差而發(fā)射電子，其中設(shè)置該掃描信號(hào)的關(guān)閉電壓低于該數(shù)據(jù)信號(hào)的導(dǎo)通電壓。
2.如權(quán)利要求1所述的電子發(fā)射設(shè)備，其中，該電子發(fā)射體在間隔內(nèi)發(fā)射電子，以施加該數(shù)據(jù)信號(hào)的導(dǎo)通電壓到第一電極以及施加該掃描信號(hào)的導(dǎo)通電壓到第二電極。
3.如權(quán)利要求2所述的電子發(fā)射設(shè)備，其中，該掃描信號(hào)的導(dǎo)通電壓是正電壓，并且該掃描信號(hào)的關(guān)閉電壓是負(fù)電壓。
4.如權(quán)利要求3所述的電子發(fā)射設(shè)備，其中，該數(shù)據(jù)信號(hào)的導(dǎo)通電壓基本上等于地電壓，并且該數(shù)據(jù)信號(hào)的關(guān)閉電壓是正電壓。
5.如權(quán)利要求2所述的電子發(fā)射設(shè)備，其中，該數(shù)據(jù)信號(hào)的導(dǎo)通電壓基本上等于地電壓，并且該數(shù)據(jù)信號(hào)的關(guān)閉電壓是正電壓。
6.如權(quán)利要求1所述的電子發(fā)射設(shè)備，還包括第三電極，具有施加其上的聚焦信號(hào)，用于聚焦從該電子發(fā)射體發(fā)射的電子。
7.如權(quán)利要求6所述的電子發(fā)射設(shè)備，其中設(shè)置該聚焦信號(hào)來(lái)具有預(yù)定的負(fù)電壓。
8.如權(quán)利要求6所述的電子發(fā)射設(shè)備，其中，第一電極包括陰極；第二電極包括形成于第一電極上的第一柵電極以及介于第一柵電極和第一電極之間的第一絕緣層；并且第三電極包括形成于第二電極上的第二柵電極以及介于第二柵電極和第二電極之間的第二絕緣層。
9.如權(quán)利要求1所述的電子發(fā)射設(shè)備，還包括第二基板，具有用于吸引從該電子發(fā)射體發(fā)射的電子的第四電極，和形成于其上的熒光體，用于當(dāng)受到從該電子發(fā)射體發(fā)射的電子碰撞時(shí)顯示圖像。
10.如權(quán)利要求9所述的電子發(fā)射設(shè)備，其中，第四電極是與熒光體一起形成的陽(yáng)極。
11.如權(quán)利要求9所述的電子發(fā)射設(shè)備，其中第三電極位于第一電極和第四電極之間。
12.電子發(fā)射設(shè)備，包括面板，包括第一基板，具有互相交叉設(shè)置的多個(gè)掃描和數(shù)據(jù)電極以及與之形成的電子發(fā)射體；和第二基板，具有至少一個(gè)與之形成的陽(yáng)極；數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器，用于施加具有第一和第二電壓的數(shù)據(jù)信號(hào)到該數(shù)據(jù)電極；和掃描驅(qū)動(dòng)器，用于施加第三電壓到掃描電極中被選中的電極以及施加第四電壓到掃描電極中未選中的電極，其中因施加到該數(shù)據(jù)電極的第一電壓和施加到該掃描電極中被選中的電極的第三電壓之間的差引起該電子發(fā)射體發(fā)射電子，并且設(shè)置第四電壓低于第一電壓。
13.如權(quán)利要求12所述的電子發(fā)射設(shè)備，還包括至少一個(gè)與第一基板一起形成的聚焦電極，用于聚焦從該電子發(fā)射體發(fā)射的電子并且屏蔽該陽(yáng)極的電場(chǎng)。
14.如權(quán)利要求12所述的電子發(fā)射設(shè)備，還包括與第二基板一起形成的熒光體，用于當(dāng)受電子碰撞時(shí)顯示圖像。
15.如權(quán)利要求12所述的電子發(fā)射設(shè)備，其中第四電壓具有負(fù)電壓電平。
16.一種驅(qū)動(dòng)電子發(fā)射設(shè)備的方法，該電子發(fā)射設(shè)備包括第一基板，具有至少一個(gè)與之形成的陽(yáng)極；和第二基板，具有多個(gè)第一電極、電子發(fā)射體形成于其上的的多個(gè)第二電極和形成于第一電極上的第三電極，該方法包括(a)依次選擇第一電極，以在第一間隔內(nèi)施加第一電壓且在第二間隔內(nèi)施加第二電壓；(b)施加數(shù)據(jù)電壓到第二電極；和(c)在(a)和(b)期間施加第三電壓到第三電極，將第二電壓設(shè)為一個(gè)使得第一電極在第二間隔內(nèi)能夠屏蔽該陽(yáng)極的電場(chǎng)的電壓值。
17.如權(quán)利要求16所述的方法，其中設(shè)置第二電壓低于數(shù)據(jù)電壓。
18.如權(quán)利要求17所述的方法，其中第二電壓是負(fù)電壓。
19.如權(quán)利要求16所述的方法，其中第三電壓是負(fù)電壓。
20.如權(quán)利要求16所述的方法，其中第二電壓是負(fù)電壓。
全文摘要
一種電子發(fā)射設(shè)備，包括第一電極，具有施加其上的數(shù)據(jù)信號(hào)；第二電極，具有施加其上的掃描信號(hào)；電子發(fā)射體，用于響應(yīng)于數(shù)據(jù)信號(hào)和掃描信號(hào)之間的電壓差而發(fā)射電子；和第三電極，具有用于聚焦從電子發(fā)射體發(fā)射的電子的聚焦信號(hào)。在該電子發(fā)射設(shè)備中，設(shè)置掃描信號(hào)的關(guān)閉電壓低于數(shù)據(jù)信號(hào)的導(dǎo)通電壓。
文檔編號(hào)G09F9/30GK1725417SQ20051007889
公開日2006年1月25日 申請(qǐng)日期2005年5月30日 優(yōu)先權(quán)日2004年5月28日
發(fā)明者張喆鉉, 安商爀, 洪秀奉, 李相祚 申請(qǐng)人:三星Sdi株式會(huì)社