專利名稱：等離子體顯示模塊及制造其的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種等離子體顯示模塊。
背景技術(shù)：
等離子體顯示模塊是一種顯示裝置，在所述顯示裝置上，使用由放電氣體產(chǎn)生的紫外線激發(fā)熒光材料而發(fā)射的光來顯示預(yù)定的圖像。由于可以生產(chǎn)薄而大的顯示表面，所以所述顯示裝置被預(yù)期為下一代顯示裝置。
圖1是傳統(tǒng)等離子體顯示模塊的透視圖。等離子體顯示模塊包括PDP(等離子體顯示面板)1，其包括前面板10和后面板20；底板40，其支撐PDP1；和多個電路基板61、62、63、64、65和66，其驅(qū)動PDP1并被置于底板40的后側(cè)。電路基板61、62、63、64、65和66通過連接線纜55相互連接并通過連接線纜51、52、53和54被連接到PDP1。
放置在底板40的上中心部分上的電路基板61的作用是將從外部供應(yīng)的能量轉(zhuǎn)換成所需的形式，放置在底板40的下中心部分上的電路基板62的作用是將從外部接收的圖像信號轉(zhuǎn)換以符合PDP1的驅(qū)動方法，放置在底板40左側(cè)的電路基板63的作用是將放電脈沖施加到將在后面描述的Y電極13，放置在底板40的右側(cè)的電路基板64的作用是將放電脈沖施加到將在后面描述的X電極12，和放置在底板40的最上、最下部分的電路基板65和66的作用是將放電脈沖施加到將在后面描述的尋址電極22。
在圖1中描述的PDP1是雙尋址驅(qū)動PDP，在雙尋址驅(qū)動PDP中，尋址電極被分開在底板40的最上、最下部分。因此，需要用于將尋址信號施加到尋址電極22的兩個電路基板。然而，在尋址電極沒有被分開的PDP中，需要上述電路基板65和66中的一個。
在PDP1的制造工藝中，排氣孔P被用于去除不純的氣體并在密封了前面板10和后面板20之后填充放電氣體，并且當(dāng)不純的氣體的去除和放電氣體的填充完成時，排氣孔P的末端被密封。
PDP1包括顯示區(qū)AD，在所述顯示區(qū)圖像被顯示，并且所述顯示區(qū)位于前面板10和后面板20的重疊區(qū)；和密封區(qū)AS，在所述密封區(qū)上，用于將前面板10和后面板20結(jié)合的密封劑如熔塊被涂覆在顯示區(qū)AD周圍。
前面板10包括第一連接單元AC1，放置在密封區(qū)AS的左側(cè)并被連接到連接線纜53；和第二連接單元AC2，放置在密封區(qū)AS的右側(cè)，并且連接線纜54被附在其上。后面板20包括第三連接單元AC3，放置在密封區(qū)AS的上邊緣，并且連接線纜51被附在其上；和第四連接單元AC4，放置在密封區(qū)AS的下邊緣，并且連接線纜52被附在其上。
圖2是傳統(tǒng)等離子體顯示模塊的剖面分解透視圖，在其中顯示了顯示區(qū)AD的結(jié)構(gòu)。在圖2中描述的PDP1與Iguchi等人在第1998-172442號日本專利公開中所公開的“Plasma Display and Manufacturer Thereof”的PDP相似。
所述PDP1包括后基板21；多個尋址電極22，相互平行地放置在后基板21的整個表面上；后介電層23，其覆蓋所述尋址電極22；多個障肋24，形成在后介電層23上；熒光層25，形成在障肋24的側(cè)表面和后介電層23的整個表面上；前基板11，平行于后基板21放置；多個維持放電電極對14，放置在前基板11的后表面上；前介電層15，其覆蓋維持放電電極對14；和MgO薄膜16，其覆蓋前介電層15。
所述維持放電電極對14包括X電極12和Y電極13。X電極12和Y電極13分別包括透明電極12b、13b和匯流電極12a和13a。在上述的PDP1中，由一個維持放電電極對14和兩個相鄰障肋24來限定一個子象素。在上述的PDP1中，通過尋址電極22和Y電極13之間的尋址放電來選擇將發(fā)光的子象素，選擇的子象素通過在選擇的子象素的X電極12和Y電極13之間發(fā)生的維持放電來發(fā)光。更具體地講，填充在子象素中的放電氣體通過維持放電來產(chǎn)生紫外線，并且所述紫外線激發(fā)熒光層25以產(chǎn)生可見光。通過從熒光層25發(fā)射的光在PDP1上顯示圖像。
對于增大PDP1的發(fā)光效率存在各種條件。條件之一是阻礙從熒光層25發(fā)射的可見光的發(fā)射的元件必須被最小化。
然而，在上述的PDP1的結(jié)構(gòu)中，由于從熒光層25發(fā)射的部分可見光被MgO薄膜16、前介電層15、透明電極12b和13b、以及匯流電極12a和13a吸收或反射，所以透過前基板11的可見光大約為熒光層25發(fā)射的光的60％。
另外，因為尋址電極22和Y電極13之間的距離(在傳統(tǒng)產(chǎn)品中為150μm(微米))遠(yuǎn)，所以產(chǎn)生尋址放電需要時間并且尋址電壓高。
為了制造傳統(tǒng)的PDP1，前面板10可以這樣的方式制造，即維持放電電極對14形成在前基板11上，并且維持放電電極對14被前介電層15和MgO薄膜16覆蓋，后面板20可以這樣的方式制造，即尋址電極22形成在后基板21上，尋址電極22被后介電層23覆蓋，并且障肋24和熒光層25形成在后介電層23上。然后，前面板10和后面板20被氣密性密封。通過將在前面板10和后面板20之間形成的空間中的不純的氣體排盡并在所述空間中填充放電氣體來完成PDP1的制造。
為了制造傳統(tǒng)的PDP1，分別需要一列用于制造前面板10的設(shè)備、另一列用于制造后面板20的設(shè)備和再一列用于排盡不純的氣體和填充放電氣體的設(shè)備。
當(dāng)從一個工藝轉(zhuǎn)換到另一個工藝或當(dāng)排列前面板10和后面板20時，各種設(shè)備可導(dǎo)致產(chǎn)品失敗，并且工藝時間長并范圍大，由此增加了制造成本。

發(fā)明內(nèi)容
因此本發(fā)明的目標(biāo)是提供一種可提高光的發(fā)射效率的等離子體顯示模塊。
本發(fā)明的另一目的是提供一種可快速產(chǎn)生尋址放電并降低尋址電壓的等離子體顯示模塊。
本發(fā)明的另一目的是提供一種可降低失敗率和制造成本的等離子體顯示模塊。
本發(fā)明的另一目的是當(dāng)從一個工藝轉(zhuǎn)換到另一個工藝或當(dāng)排列前面板和后面板時防止各種設(shè)備可導(dǎo)致產(chǎn)品失敗的情況。
本發(fā)明的另一目的是提供時間較短并且區(qū)域較小的工藝時間，由此降低制造成本。
根據(jù)本發(fā)明的一方面，提供了一種等離子體顯示模塊，包括基板，由透明絕緣體形成；底板，位于所述基板的后側(cè)上；多個障肋，位于基板和底板之間由電介質(zhì)形成，并且與基板和底板一起來限定放電室；多個前放電電極，形成在放電室周圍的障肋中；多個后放電電極，與前放電電極隔開并形成在放電室周圍的障肋中；熒光層，位于放電室內(nèi)；放電氣體，填充在放電室中；和多個電路基板，其將電信號施加到位于底板的后側(cè)的電極。
障肋可形成在基板的后表面上。
底板可由絕緣體形成。在這種情況下，底板的前表面可被MgO薄膜覆蓋。
底板可由導(dǎo)電材料形成，并且絕緣層可形成在底板的前表面上。在這種情況下，絕緣層的前表面可被MgO薄膜覆蓋。
熒光層可形成在限定放電室的基板的后表面上，并且熒光層的厚度可小于15μm。
底板可由絕緣體形成，障肋可形成在底板的前表面上，并且熒光層可形成在限定放電室的底板的前表面上。在這種情況下，基板的后表面可被MgO薄膜覆蓋并且熒光層的厚度可小于15μm。
底板可由導(dǎo)電材料形成，絕緣層可形成在底板的前表面上，障肋可形成在絕緣層的前表面上，并且熒光層可形成在放電室中的絕緣層的前表面上。在這種情況下，基板的后表面可被MgO薄膜覆蓋并且熒光層的厚度可小于15μm。
前放電電極和后放電電極可在一方向上延伸，底板可由絕緣體形成，延伸與前放電電極和后放電電極交叉的尋址電極可形成在底板的前表面上，所述尋址電極被介電層覆蓋，障肋可形成在所述介電層的前表面上，并且熒光層可形成在放電室中的所述介電層的前表面上。在這種情況下，基板的后表面可被MgO薄膜覆蓋并且熒光層的厚度可小于15μm。
前放電電極和后放電電極可在一方向上延伸，底板可由導(dǎo)熱性材料形成，絕緣層可形成在底板的前表面上，延伸與前放電電極和后放電電極交叉的尋址電極可形成在絕緣層的前表面上，尋址電極可被介電層覆蓋，障肋可形成在介電層的前表面上，并且熒光層可形成在放電室中的介電層的前表面上。在這種情況下，基板的后表面可被MgO薄膜覆蓋，并且熒光層的厚度可小于15μm。
前放電電極和后放電電極可在一方向上延伸，并且后放電電極可延伸使得與前放電電極交叉。在這種情況下，前放電電極和后放電電極可均具有梯形形狀。
前放電電極和后放電電極可在一方向上延伸，并且等離子體顯示模塊還可包括位于障肋中的尋址電極以圍繞所述放電室，并且所述尋址電極延伸與前放電電極和后放電電極交叉。在這種情況下，前放電電極、后放電電極和尋址電極可均具有梯形形狀。
尋址電極可被放置在前放電電極的前面或后面。
障肋的側(cè)表面可被MgO薄膜覆蓋。
根據(jù)本發(fā)明的一方面，提供了一種制造等離子體顯示模塊的方法，所述等離子體顯示模塊包括制備由透明絕緣體形成的基板和由絕緣體形成的底板；在所述基板的后表面上交替地形成障肋層和電極；在其限定由所述障肋層形成的障肋分隔的放電室的所述基板的后表面上形成熒光層；并且在氣密性地密封通過結(jié)合所述基板和所述底板形成的空間后，在所述空間內(nèi)填充放電氣體。在這種情況下，所述方法還可包括在所述障肋側(cè)表面上形成MgO薄膜和在所述底板的前表面上形成MgO薄膜。
根據(jù)本發(fā)明的一方面，提供了一種制造等離子體顯示模塊的方法，所述方法包括制備由透明絕緣體形成的基板和由導(dǎo)熱性材料形成的底板；在所述底板的前表面上形成絕緣層；在所述基板的后表面上交替地形成障肋層和電極；在其限定由所述障肋層形成的障肋分隔的放電室的所述基板的后表面上形成熒光層；并且在密封通過結(jié)合所述基板和所述底板形成的空間后，在所述空間內(nèi)填充放電氣體。在這種情況下，所述方法還可包括在所述障肋側(cè)表面上形成MgO薄膜和在所述絕緣層的前表面上形成MgO薄膜。
根據(jù)本發(fā)明的一方面，提供了一種制造等離子體顯示模塊的方法，所述方法包括制備由透明絕緣體形成的基板和由絕緣體形成的底板；在所述底板的前表面上交替地形成障肋層和電極；在其限定由所述障肋層形成的障肋分隔的放電室的所述底板的前表面上形成熒光層；并且在密封通過結(jié)合所述基板和所述底板形成的空間后，在所述空間內(nèi)填充放電氣體。在這種情況下，所述方法還可包括在所述障肋側(cè)表面上形成MgO薄膜和在所述基板的后表面上形成MgO薄膜。
根據(jù)本發(fā)明的一方面，提供了一種制造等離子體顯示模塊的方法，所述方法包括制備由透明絕緣體形成的基板和由導(dǎo)電材料形成的底板；在所述底板的前表面上形成絕緣層；在所述絕緣層的前表面上交替地形成障肋層和電極；在位于由所述障肋層形成的障肋分隔的放電室中的所述絕緣層的前表面上形成熒光層；并且在密封通過結(jié)合所述基板和所述底板形成的空間后，在所述空間內(nèi)填充放電氣體。在這種情況下，所述方法還可包括在所述障肋側(cè)表面上形成MgO薄膜和在所述基板的后表面上形成MgO薄膜。
根據(jù)本發(fā)明的一方面，提供了一種制造等離子體顯示模塊的方法，所述方法包括制備由透明絕緣體形成的基板和由絕緣體形成的底板；在所述底板的前表面上形成尋址電極；形成覆蓋尋址電極的介電層；在所述介電層的前表面上交替地形成障肋層和電極；在位于由所述障肋層形成的障肋分隔的放電室中的所述介電層的前表面上形成熒光層；并且在氣密性地密封通過結(jié)合基板和底板形成的空間后，在所述空間內(nèi)填充放電氣體。在這種情況下，所述方法還可包括在所述障肋側(cè)表面上形成MgO薄膜和在所述基板的后表面上形成MgO薄膜。
根據(jù)本發(fā)明的一方面，提供了一種制造等離子體顯示模塊的方法，所述方法包括制備由透明絕緣體形成的基板和由導(dǎo)電材料形成的底板；在所述底板的前表面上形成絕緣層；在所述絕緣層的前表面上形成尋址電極；形成覆蓋尋址電極的介電層；在所述介電層的前表面上交替地形成障肋層和電極；在位于由所述障肋層形成的障肋分隔的放電室中的所述介電層的前表面上形成熒光層；并且在密封通過結(jié)合基板和底板形成的空間后，在所述空間內(nèi)填充放電氣體。在這種情況下，所述方法還可包括在所述障肋側(cè)表面上形成MgO薄膜和在所述基板的后表面上形成MgO薄膜。


通過結(jié)合附圖來參考以下的詳細(xì)描述，本發(fā)明更完整的說明及其很多附屬的優(yōu)點將會變得更加清楚，同時其也被更好地理解，其中，相同的符號表示相同或相似的元件，其中圖1是傳統(tǒng)等離子體顯示模塊的分解透視圖；圖2是圖1中的傳統(tǒng)等離子體顯示模塊的剖面分解透視圖；圖3是根據(jù)本發(fā)明第一實施例的等離子體顯示模塊的分解透視圖；圖4是圖3中的等離子體顯示模塊的顯示區(qū)的透視圖；圖5是圖4中的電極的結(jié)構(gòu)的剖面透視圖；圖6和圖7是沿圖3中的線A-A截取的截面圖；
圖8是沿圖3中的線B-B截取的截面圖；圖9至圖19是沿圖4中的線C-C截取的截面圖，用于描述制造根據(jù)本發(fā)明的第一實施例的等離子體顯示模塊的方法；圖20是根據(jù)本發(fā)明第一實施例的第一修改版本的等離子體顯示模塊的顯示區(qū)的分解透視圖；圖21是根據(jù)本發(fā)明第一實施例的第二修改版本的等離子體顯示模塊的顯示區(qū)的分解透視圖；圖22是圖21中的電極結(jié)構(gòu)的剖面透視圖；圖23是根據(jù)本發(fā)明第二實施例的等離子體顯示模塊的分解透視圖；圖24是圖23中的等離子體顯示模塊的顯示區(qū)的分解透視圖；圖25和圖26是沿圖23中的線A-A截取的截面圖；圖27是沿圖23中的線B-B截取的截面圖；圖28是根據(jù)本發(fā)明第二實施例的第一修改版本的等離子體顯示模塊的顯示區(qū)的分解透視圖；圖29是根據(jù)本發(fā)明的第二實施例的第二修改版本的等離子體顯示模塊的顯示區(qū)的分解透視圖；圖30是根據(jù)本發(fā)明的第二實施例的第三修改版本的等離子體顯示模塊的顯示區(qū)的分解透視圖。
具體實施例方式
現(xiàn)在將結(jié)合附圖來更加詳細(xì)地描述本發(fā)明，本發(fā)明的示例性實施例示出于附圖中。
現(xiàn)在將參照圖3至8來描述根據(jù)本發(fā)明的第一實施例的等離子體顯示模塊。
等離子體顯示模塊包括基板111、底板150、多個障肋115、MgO薄膜116、多個前放電電極113、多個后放電電極112、多個尋址電極122、熒光層125、放電氣體及電路基板61、62、63、64、65和66。
底板150由絕緣體例如塑料形成，并且被設(shè)置在基板111的后側(cè)面上。絕緣體可由具有抵抗通過在稍后將描述的放電室126中發(fā)生的放電而產(chǎn)生的熱變形的能力和高熱導(dǎo)率的材料形成。此外，因為底板150通過與基板111結(jié)合來限定放電室126，所以底板150的前表面優(yōu)選地是扁平的。
底板150支撐被設(shè)置在底板150的后面(X方向)上的電路基板61、62、63、64、65和66。雖然它在附圖中沒有被示出，但是因為MgO薄膜發(fā)射很多有助于等離子體放電的二次電子，所以底板150的前表面150a被MgO薄膜(未示出)覆蓋。
電路基板61、62、63、64、65和66將電信號施加給稍后將描述的電極113、112和122。更具體而言，設(shè)置在底板150的中上側(cè)面上的電路基板61起到將從外部供應(yīng)的能量轉(zhuǎn)換成所需形式的作用，設(shè)置在底板150的中下部分上的電路基板62起到轉(zhuǎn)換從外部接收的圖像信號以滿足PDP1的驅(qū)動方法的作用，設(shè)置在底板150的左側(cè)面上的電路基板63起到將放電脈沖施加到稍后將描述的后放電電極112的作用，設(shè)置在底板150的右側(cè)面上的電路基板64起到將放電脈沖施加到亦稍后將描述的前放電電極113的作用，并且設(shè)置在底板150的最上和最下部分上的電路基板65和66起到將放電脈沖施加到稍后將描述的尋址電極122的作用。電路基板61、62、63、64、65和66是示例性的，并且不能根據(jù)電路基板61、62、63、64、65和66的位置來確定每個電路基板的作用。
電路基板61、62、63、64、65和66通過連接線纜55而彼此連接，電路基板65和66分別通過連接線纜51和52而連接到尋址電極122的端部122a，電路基板63通過連接線纜53而連接到下放電電極的端部112a，并且電路基板64通過連接線纜54而連接到上放電電極的端部113a。
圖3中所示的等離子體顯示模塊1通過雙重尋址方法來驅(qū)動，在所述的等離子體顯示模塊中，尋址電極122在底板150的最上和最下部分(-Z方向和Z方向)上被分開。因此，需要兩個電路基板65和66用以將尋址信號施加到尋址電極122。然而，在其中尋址電極122沒有被分開的等離子體顯示模塊中，需要上述電路基板65和66中的一個。
基板111由透明的絕緣體例如玻璃形成。基板111包括顯示區(qū)域AD，圖像顯示在其上；密封區(qū)域AS，密封元件例如將底板150和基板111粘合的熔塊涂覆在其上，并且包圍被涂覆的顯示區(qū)域；第一連接單元AC1，連接線纜53附著其上，并且被設(shè)置在密封區(qū)域AS的左側(cè)面上；第二連接單元AC2，連接線纜54附著其上，并且被設(shè)置在密封區(qū)域AS的右側(cè)面上；第三連接單元AC3，連接線纜51附著其上，并且被設(shè)置在密封區(qū)域AS的上側(cè)面上；和第四連接單元AC4，連接線纜52附著其上，并且被設(shè)置在密封區(qū)域AS的下側(cè)面上。
圖3所示的插銷P’被形成以用于密封形成在底板150上的排氣孔。在等離子體顯示模塊的制造過程中，在排出雜質(zhì)氣體并將放電氣體填充在形成于基板111和底板150之間的空間中之后，用插銷p’密封排氣孔。
維持放電電極對14和覆蓋維持放電電極對14的前介電層15沒有形成在限定放電室126的基板111的后表面111a的部分上，所述的維持放電電極對14形成在傳統(tǒng)的PDP1的基板的后表面11a上。因此，從稍后將描述的熒光層125中發(fā)射的可見光的80％(百分比)以上通過基板111，從而提高等離子體顯示模塊的光發(fā)射效率。
障肋115設(shè)置在基板111和底板150之間，更具體而言，在基板111的后表面111a上。障肋115與基板111和底板150一起限定放電室，并且由電介質(zhì)形成。
放電室126按圖4中的矩陣設(shè)置，但是本發(fā)明不局限于此，并且可以設(shè)置成三角形狀。此外，放電室126的橫截面(y-z平面的橫截面)的形狀是矩形，但是本發(fā)明不局限于此，可以是多邊形的形狀，例如三邊形或五邊形，或橢圓或圓。
障肋115由電介質(zhì)形成，這樣可以防止后放電電極112、前放電電極113和尋址電極122之間的串?dāng)_以及通過與帶電粒子碰撞而引起對電極112、113和122的損壞。電介質(zhì)可以是PbO、B2O3或SiO2。
參照圖4，至少障肋115的側(cè)表面115’可被MgO薄膜116覆蓋。MgO薄膜可通過沉積來形成，并且在沉積MgO薄膜116時MgO薄膜116可形成在障肋115的后表面115’和基板111的后表面111a上。然而，根據(jù)本發(fā)明，形成在障肋115的后表面115’和基板111的后表面111a的MgO薄膜116對等離子體顯示模塊的工作沒有影響。因為MgO薄膜的厚度小于1μm(微米或千分尺)，所以形成在基板111的后表面111a上的MgO薄膜116不會阻斷可見光的通過，但有利于產(chǎn)生二次電子。
包圍放電室126的前放電電極113、后放電電極112和尋址電極122設(shè)置在障肋115中。前放電電極113和后放電電極112通過其間插入稍后將描述的第二障肋115b而彼此分隔開，并且后放電電極112和尋址電極122通過其間插入第三障肋115c而彼此分隔開。
在本實施例中，前放電電極113和后放電電極112沿一個方向延伸，并且尋址電極122延伸使得與前放電電極113和后放電電極112交叉。在圖5中，前放電電極113、后放電電極112和尋址電極122中的每個按梯形的形狀形成，但是本發(fā)明不局限于此，并且這個形狀有利于在放電室126的所有側(cè)表面上產(chǎn)生尋址放電和維持放電。
在本實施例中，前放電電極113和后放電電極112包圍放電室126，這與傳統(tǒng)的維持放電電極12和13不同。因此，因為沿放電室126的外圍發(fā)生維持放電，所以其中發(fā)生維持放電的空間體積比現(xiàn)有技術(shù)相對大。從而根據(jù)本實施例的等離子體顯示模塊的光發(fā)射效率大于傳統(tǒng)的等離子體顯示模塊的光發(fā)射效率。
前放電電極113和后放電電極112是用于在等離子體顯示模塊上顯示圖像的維持放電電極。前放電電極113和后放電電極112由導(dǎo)電性金屬例如Ag、Al或Cu形成，并且尋址電極122也可由導(dǎo)電性金屬形成。
兩個維持放電電極(維持放電電極對)，即，X和Y電極與一個尋址電極122被設(shè)置在由尋址放電和維持放電驅(qū)動的等離子體顯示模塊的一個放電室126中。尋址放電是在Y電極和尋址電極122之間發(fā)生的放電。當(dāng)尋址電極122像本實施例中那樣設(shè)置在后放電電極112的后側(cè)面上時，后放電電極112可為Y電極，并且前放電電極113可為X電極。另一方面，當(dāng)尋址電極122設(shè)置在前放電電極113的前側(cè)面上時，前放電電極113可為Y電極，并且后放電電極112可為X電極。在任一情況下，尋址電極122和Y電極之間的距離小于100μm。因此，在根據(jù)本實施例的等離子體顯示模塊中，與傳統(tǒng)的等離子體顯示模塊相比時，用于產(chǎn)生尋址放電所需的時間和用于產(chǎn)生尋址放電的尋址電壓可以降低。
熒光層125形成在放電室126中，更具體而言，在基板111的后表面111a上。因為如果熒光層125是厚的，則從熒光層125的下部分發(fā)出的可見光朝基板111的通過可被阻斷，所以熒光層125的厚度T可小于15μm。通過在將包括熒光粉的涂漿印刷或散布在放電室126的表面上之后干燥和退火該涂漿，可形成熒光層125。
涂漿包括紅色熒光粉、綠色熒光粉和藍(lán)色熒光粉中的一個、溶劑和粘合劑。紅色熒光粉可以是Y(V，P)O4∶Eu，綠色熒光粉可以是Zn2SiO4∶Mn或YBO3∶Tb，并且藍(lán)色熒光粉可以是BAM∶Eu。
放電氣體填充在放電室126中。放電氣體可以是包括5-15％Xe的Ne-Xe氣體混合物，并且在必要時，Ne部分可以被He替代。
現(xiàn)在將參照圖6至8來描述密封區(qū)域AS和密封區(qū)域AS附近的結(jié)構(gòu)。從附圖中可知，基板111包括顯示區(qū)域AD、密封區(qū)域AS和第一連接單元AC1。
設(shè)置在顯示區(qū)域AD和密封區(qū)域AS之間的排氣區(qū)域AT是這樣的區(qū)域，在該區(qū)域上形成將用于從基板111和底板150之間的空間中排出雜質(zhì)氣體并在使用稍后將描述的方法將基板111緊密接觸底板150之后將放電氣體填充在該空間中的通路R，障肋層115a、115b、115c和115d及電極112、113和122形成在所述的基板111上。排氣區(qū)域AT連接到用上述的插銷P’關(guān)閉的排氣孔。
放電室126中的雜質(zhì)氣體通過由于MgO薄膜116和底板150的前表面150a之間的公差所形成的間隙(未示出)而傳輸?shù)酵稲，并且到達(dá)通路R的雜質(zhì)氣體通過排氣孔而排出到外面。放電氣體通過與排出雜質(zhì)氣體的相反的順序而填充在空間中。在其上形成用于通過氣體的通路R的排氣區(qū)域AT可有助于雜質(zhì)氣體的排出和填充放電氣體，但是通路R不是必要的。
密封元件130涂覆在密封區(qū)域AS上，并且熔塊可用作密封元件130。熔塊以熔融的狀態(tài)被涂覆在密封區(qū)域AS上，并且可通過將涂層干燥和退火來密封基板111和底板150。
圖6中所示的后放電電極112的每個末端112a(第一連接單元AC1的橫截面)分別連接到形成在連接線纜53上的電線，圖7中所示的前放電電極113的每個端部113a(第二連接單元AC2的橫截面)分別連接到形成在連接線纜54上的電線，并且圖8中所示的尋址電極122的每個端部122a(第三連接單元AC3的橫截面)分別連接到形成在連接線纜51上的電線。省略第四連接單元AC4的橫截面的連接，由于它相對于圖8中所示的橫截面是對稱的。
現(xiàn)在將描述具有上述結(jié)構(gòu)的等離子體顯示模塊的操作。通過在尋址電極122和后放電電極112之間施加尋址電壓來發(fā)生尋址放電，并且作為尋址放電的結(jié)果，選擇在其中發(fā)生維持放電的放電室126。放電室126的選擇表示壁電荷積聚在與前放電電極113和后放電電極112相鄰的障肋115(如果障肋115被MgO薄膜116覆蓋，則為MgO薄膜116)的區(qū)域上。當(dāng)尋址發(fā)送完成時，正離子積聚在與后放電電極112相鄰的區(qū)域內(nèi)，并且電子積聚在與前放電電極113相鄰的區(qū)域內(nèi)。
在尋址放電之后，當(dāng)在前放電電極113和后放電電極112之間施加維持放電電壓時，通過積聚在與后放電電極112相鄰的區(qū)域內(nèi)的正離子和積聚在與前放電電極113相鄰的區(qū)域內(nèi)的電子碰撞，發(fā)生維持放電。當(dāng)維持放電繼續(xù)時，放電維持電壓被重復(fù)逆向地施加到后放電電極112和前放電電極113。
通過維持放電提高放電氣體的能級，并且在放電氣體能級降低時放電氣體發(fā)射紫外線。紫外線提高包含在設(shè)置于放電室126中的熒光層125中的熒光粉的能級。當(dāng)熒光層125的能級降低時產(chǎn)生可見光。通過從每個放電室126中發(fā)出的可見光，圖像被顯示在等離子體顯示模塊上。
現(xiàn)在將參照圖9至19來詳細(xì)地描述制造根據(jù)第一實施例的等離子體顯示模塊的方法。該方法包括稍后將描述的操作(a)、(b)、(c)和(d)。
操作(a)是用于制備由透明的絕緣體形成的基板111和由絕緣體形成的底板150的步驟，操作(b)是用于在基板111的后表面111a上交替地形成障肋層和電極112、113和122的步驟，操作(c)是用于在基板111的后表面111a上形成熒光層125的步驟，所述基板限定由通過障肋層形成的障肋115分隔的放電室126，并且操作(d)是用于在密封由密封基板111和底板150形成的空間之后將放電氣體填充在該空間中的步驟。
在操作(a)中制備的基板111可由具有高透光率的絕緣體例如玻璃形成。在操作(a)中制備的底板150可由例如塑料的絕緣體形成。此參照圖9，制備基板111。制備的底板150未示出。根據(jù)本實施例的等離子體顯示模塊不包括后基板21，這與傳統(tǒng)的等離子體顯示模塊不同。因此，用于制造后基板21的設(shè)備線是不必要的，并且可以減少用于安裝設(shè)備的空間，從而降低制造成本。
在制備底板150中，因為MgO薄膜產(chǎn)生很多有助于等離子體放電的二次電子，所以優(yōu)選地，底板150具有MgO薄膜在底板150的前表面150a上。
在操作(b)中，障肋層115a、115b、115c和115d及電極113、112和122交替地形成在基板111的后表面111a上。
首先，第一障肋層115a形成在基板111的后表面111a上。通過干燥印刷在基板111的后表面111a上的介電涂漿，第一障肋層115a形成預(yù)定的圖案。將第一障肋層115a形成為預(yù)定的圖案的方法可以是預(yù)先將介電涂漿按預(yù)定圖案印刷的方法，或者可以是在將介電涂漿印刷在基板111的整個后表面111a上之后使用噴沙除去不必要的部分的方法。如果有必要的話，在干燥第一障肋層115a之后可執(zhí)行退火過程。形成的第一障肋層115a示出于圖10中。
在完成第一障肋層115a的形成之后形成前放電電極113。通過在將涂漿印刷例如絲網(wǎng)印刷(screen printing)在第一障肋層115a的后表面115a’上之后對由涂漿形成的層進(jìn)行干燥、曝光和洗印來形成前放電電極113，在所述涂漿中包括導(dǎo)電性金屬，例如Ag、Cu或Al。形成的前放電電極113示出于圖11中。
在完成前放電電極113的形成之后形成覆蓋前放電電極113的第二障肋層115b。通過與用于形成第一障肋層115a相同或相似的方法來形成第二障肋層115b，并且形成的第二障肋層115b示出于圖12中。
接下來，在完成第二障肋層115b的形成之后形成后放電電極112。通過與用于形成前放電電極113相同或相似的方法來形成后放電電極112，并且形成的后放電電極112示出于圖13中。
在完成后放電電極112的形成之后形成覆蓋后放電電極112的第三障肋層115c。通過與用于形成第一障肋層115a相同或相似的方法來形成第三障肋層115c，并且形成的第三障肋層115c示出于圖14中。
在完成第三障肋層115c的形成之后形成尋址電極122。通過與用于形成前放電電極113相同或相似的方法來形成尋址電極122，但是尋址電極122形成不同于前放電電極113的圖案，并且形成的尋址電極122示出于圖15中。
在完成尋址電極122的形成之后形成覆蓋尋址電極122的第四障肋層115d。通過與用于形成第一障肋層115a相同或相似的方法來形成第四障肋層115d，并且形成的第二障肋層115b示出于圖16中。
第一障肋層115a、第二障肋層115b、第三障肋層115c和第四障肋層115d中的每個可通過堆疊兩層以上以增加其厚度來被形成。此外，為了使電極絕緣，第二障肋層115b和第三障肋層115c是必需的，但是因為第一障肋層115a和第四障肋層115d不是必需的并且被用于牢固放電空間，所以第一障肋層115a和第四障肋層115d可以不被形成。
在操作(b)中，形成在第一障肋層115a和第二障肋層115b之間的前放電電極113沿一個方向延伸，形成在第二障肋層115b和第三障肋層115c之間的后放電電極112平行于前放電電極113延伸，并且形成在第三障肋層115c和第四障肋層115d之間的尋址電極122延伸使得與前放電電極113交叉。此外，前放電電極113、后放電電極112和尋址電極122被形成以包圍放電室126。
在圖5中，前放電電極113、后放電電極112和尋址電極122按梯形的形狀形成，但是本發(fā)明不局限于此。此外，在本實施例中，尋址電極122設(shè)置在后放電電極112的后側(cè)面上，并且尋址電極122可設(shè)置在前放電電極113的前側(cè)面上。
操作(c)是用于將熒光層125形成在放電室126的前側(cè)面上，更具體而言，在基板111的后表面111a上的步驟，所述的放電室126被障肋層115a、115b、115c和115d間隔限定?？赏ㄟ^將包括熒光粉的涂漿印刷或散布在基板111的后表面111a上之后干燥和退火該涂漿來形成熒光層125。優(yōu)選地，退火之后熒光層125的厚度T小于15μm(微米)。形成的熒光層125示出于圖18中。
在操作(c)之前或之后還可包括用于將MgO薄膜116形成在障肋115的側(cè)表面115’上的操作。MgO薄膜116可形成小于1μm的厚度，例如0.7μm。MgO薄膜116防止由電介質(zhì)形成的障肋115在等離子體放電發(fā)生并且產(chǎn)生很多有助于等離子體放電的二次電子時被正離子濺射。在本實施例中，在執(zhí)行操作(c)之前形成MgO薄膜116，并且形成的MgO薄膜116示出于圖17中。
當(dāng)在操作(c)之前通過沉積來形成MgO薄膜116時，MgO薄膜116形成在熒光層125和基板111之間。當(dāng)執(zhí)行操作(c)之后通過沉積來形成MgO薄膜116時，MgO薄膜116形成在熒光層125上。在這兩種情況下，MgO薄膜116形成在障肋115的后表面115”上。在這兩種情況中形成的MgO薄膜116都不負(fù)面地影響等離子體顯示模塊的工作。
在操作(c)之前或之后通過將具有預(yù)定圖案的掩膜設(shè)置在障肋115的后側(cè)面上，MgO薄膜116可按預(yù)定的圖案沉積。掩膜可具有任意圖案，使得MgO薄膜116只能形成在障肋115的側(cè)表面115’上。
在完成操作(a)至(c)之后執(zhí)行操作(d)。在操作(d)中，基板111和底板150被粘合，并且在基板111和底板150之間形成的空間從外面被密封。執(zhí)行密封使得例如熔塊的密封元件130的熔融狀態(tài)被涂覆在基板111和/或底板150的密封區(qū)域AS上，并且在硬化密封元件130之前基板111和底板150被粘合。過后，通過退火熔塊來完成密封。
在用密封元件密封基板111和底板150之間的空間之后，將該空間中存在的雜質(zhì)氣體排出。然后，通過形成在底板150上的排氣孔來將放電氣體填充在該空間中。當(dāng)放電氣體的填充完成時，使用插銷P’關(guān)閉排氣孔?；?11和底板150的密封和粘合的狀態(tài)示出于圖19中。
制造電路基板61、62、63、64、65和66、將電路基板61、62、63、64、65和66安裝在底板150的后側(cè)面上、以及使用連接線纜51、52、53、54和55來連接形成在基板111上的電極的端部112a、113a和122a的描述被省略，因為這些技術(shù)在本領(lǐng)域中是眾所周知的。
現(xiàn)在將參照圖20描述第一實施例的第一修改版本，主要關(guān)于與第一實施例的不同。本修改版本與第一實施例的不同點在于，底板250由導(dǎo)熱性金屬形成，并且絕緣層251形成在底板250的前表面250a上。
當(dāng)發(fā)生等離子體放電時，在放電室中產(chǎn)生大量的熱。然而，如果底板250與第一實施例一樣由非導(dǎo)熱性金屬例如塑料形成，則在顯示區(qū)域AD中局域產(chǎn)生的熱不可能容易地被驅(qū)散到其它元件。在這種情況下，潛像可以生成在積聚熱的部分上，從而降低圖像質(zhì)量。此外，在等離子體顯示模塊工作長時間之后，整個顯示區(qū)域AD的圖像質(zhì)量可能降低。
在本修改版本中，因為導(dǎo)熱性金屬具有比絕緣體大的熱導(dǎo)率，所以底板250由導(dǎo)熱性金屬例如鋁形成。然而，因為如果導(dǎo)電性金屬暴露于放電室126中，則可能從等離子體放電中出現(xiàn)嚴(yán)重的問題，所以絕緣層251可形成在底板250的前表面250a上。
此外，因為MgO薄膜發(fā)射很多有助于等離子體放電的二次電子，所以優(yōu)選地，絕緣層251的前表面251a被MgO薄膜(未示出)覆蓋。
根據(jù)本修改版本的制造等離子體顯示模塊的方法至少類似于第一實施例中所述的制造等離子體顯示模塊的方法。然而，它們在操作(a)中有如下不同。
也就是說，在操作(a)中，由導(dǎo)電性金屬形成的底板250必須被制備，并且絕緣層251形成在底板250的前表面250a上。然后，MgO薄膜(未示出)可形成在絕緣層251的前表面251a上。
在第一實施例的第一修改版本中沒有描述的元件與第一實施例的元件相同。
現(xiàn)在將參照圖21和22描述第一實施例的第二修改版本，主要關(guān)于與第一實施例的不同。本修改版本與第一實施例的不同在于，在本實施例中沒有尋址電極122。
在特定的放電室126中只有兩個放電電極可以產(chǎn)生放電。因此，對于在放電室126中產(chǎn)生放電，尋址電極122不是必需的。然而，如果沒有尋址電極，前放電電極313和后放電電極312延伸使得彼此交叉，從而其中發(fā)生放電的放電室126可被選擇。電極的結(jié)構(gòu)示出于圖22中。
在本實施例中，因為沒有尋址電極，所以只有三個障肋層是必需的，以將電極設(shè)置在障肋層之間，并且因為最前的和最后的障肋層不是必要的，所以只能有一個障肋層是必需的。在這種情況下，一個障肋層設(shè)置在前放電電極313和后放電電極312之間。
因為制造根據(jù)本修改版本的等離子體顯示模塊的方法類似于制造根據(jù)第一實施例的等離子體顯示模塊的方法，所以該方法被略去。
第一實施例的第二修改版本可以與第一實施例的第一修改版本結(jié)合。
在第一實施例的第二修改版本中沒有描述的元件與第一實施例的元件相同。
現(xiàn)在將參照圖23至27來描述根據(jù)第二實施例的等離子體顯示模塊。
等離子體顯示模塊包括基板411、底板450、多個障肋415、MgO薄膜416、多個前放電電極413、多個后放電電極412、多個尋址電極422、熒光層425、放電氣體以及多個電路基板61、62、63、64、65和66。
底板450由絕緣體例如塑料形成，并且被設(shè)置基板411的后面(-X方向)上。絕緣體可由具有抵抗由在放電室126中放電而產(chǎn)生的熱的能力和高熱導(dǎo)率的材料形成。此外，因為底板450通過與基板411結(jié)合來限定放電室426，所以底板450的前表面450a是偏平的。
底板450支撐設(shè)置在底板450的后面(-X方向)上的電路基板61、62、63、64、65和66。雖然它沒有示出于附圖中，但是因為MgO薄膜發(fā)射很多有助于等離子體放電的二次電子，所以底板450的前表面450a可被MgO薄膜(未示出)覆蓋。
電路基板61、62、63、64、65和66將電信號施加給稍后將描述的電極413、412和422。電路基板61、62、63、64、65和66通過連接線纜55而彼此連接，電路基板65和66分別通過連接線纜51和52而連接到尋址電極422的端部422a，電路基板63通過連接線纜53而連接到后放電電極412的端部412a，并且電路基板64通過連接線纜54而連接到前放電電極413的端部413a。
圖23中所示的PDP通過雙重尋址方法來驅(qū)動，在所述的PDP中，尋址電極422在底板450的最上和最下部分(-Z方向和Z方向)上被分開。因此，需要兩個電路基板65和66用以將尋址信號施加到尋址電極422。然而，在其中尋址電極122沒有被分開的PDP中，需要上述電路基板65和66中的一個。
基板411由透明的絕緣體例如玻璃形成?；?11包括顯示區(qū)域AD，圖像顯示在其上；密封區(qū)域AS，密封元件例如粘結(jié)底板450和基板411的熔塊涂覆在其上，并且包圍顯示區(qū)域AD。
參照圖25至27，障肋415通過障肋層415a、415b、415c和415d形成，電極413、412和422插入在障肋層之間，并且端部413a、412a和422a中的每個形成在底板450的前表面450a上。因此，如圖23中所示，連接單元AC1、AC2、AC3和AC4設(shè)置在底板450上，而不是在基板411上，這與第一實施例中的情況不同。圖23中所示的插銷P’用于關(guān)閉形成在底板450上排氣孔。
傳統(tǒng)的PDP的設(shè)置在基板11的后表面11a上的維持放電電極對14和覆蓋維持放電電極對14的前介電層15未形成在限定放電室426的基板411的后表面411a的部分上。因此，從稍后將描述的熒光層425中發(fā)出的可見光的80％以上可通過基板411，從而提高了等離子體顯示模塊的光發(fā)射效率。
雖然基板411的后表面411a在附圖中未示出，但是因為MgO薄膜(未示出)發(fā)射很多有助于等離子體放電的二次電子，所以后表面411a被MgO薄膜覆蓋。如果MgO薄膜以小于0.7μm(微米)的厚度形成，則MgO薄膜不阻斷從熒光層425中發(fā)出的可見光的通過。
在本實施例中，障肋415和熒光層425形成在底板450的前表面450a上，這與第一實施例不同。障肋415與基板411和底板450一起限定放電室426，并且由電介質(zhì)形成。放電室426的橫截面的形狀和排列不局限于圖24中所示的形狀和排列。
障肋415可防止后放電電極412、前放電電極413和尋址電極422之間的串?dāng)_以及通過與帶電粒子碰撞而引起對電極412、413和422的損壞。電介質(zhì)可以是PbO、B2O3或SiO2。
參照圖24，至少障肋415的側(cè)表面415’可被MgO薄膜416覆蓋。MgO薄膜416可通過沉積來形成。而且，MgO薄膜416可沉積在障肋415的前表面415”和底板450的前表面450a上。然而，根據(jù)本發(fā)明，形成在障肋415的前表面415”和底板450的前表面450a上的MgO薄膜416對等離子體顯示模塊的工作沒有影響。
包圍放電室426的前放電電極413、后放電電極412和尋址電極422設(shè)置在障肋415中。前放電電極413和后放電電極412通過其間插入稍后將描述的第三障肋415c而彼此分隔開，并且后放電電極412和尋址電極422通過其間插入第二障肋415b而彼此分隔開。
在本實施例中，前放電電極413和后放電電極412沿一個方向延伸，并且尋址電極422延伸使得與前放電電極413和后放電電極412交叉。電極412、413和422的排列與在圖5中所示的結(jié)構(gòu)相同。在圖5中，前放電電極413、后放電電極412和尋址電極422中的每個按梯形的形狀形成，但是本發(fā)明不局限于此，并且這個形狀有利于在放電室426的所有側(cè)表面上產(chǎn)生尋址放電和維持放電。
在本實施例中前放電電極413和后放電電極412包圍放電室426，與傳統(tǒng)的維持放電電極12和13不同。因此，因為沿放電室426的外圍發(fā)生維持放電，所以其中發(fā)生維持放電的空間體積比傳統(tǒng)的技術(shù)中相對大。從而根據(jù)本實施例的等離子體顯示模塊的光發(fā)射效率大于傳統(tǒng)的等離子體顯示模塊的光發(fā)射效率。
前放電電極413和后放電電極412是電極，并且在前放電電極413和后放電電極412之間發(fā)生用于將圖像顯示在等離子體顯示模塊上的維持放電。前放電電極413和后放電電極412可由導(dǎo)電性金屬例如Ag、Al或Cu形成，并且尋址電極422還可由導(dǎo)電性金屬形成。
兩個維持放電電極(維持放電電極對)，即，X和Y電極與一個尋址電極422被設(shè)置在由尋址放電和維持放電驅(qū)動的等離子體顯示模塊的一個放電室426中。尋址放電是在Y電極和尋址電極422之間發(fā)生的放電。當(dāng)尋址電極422像本實施例中那樣設(shè)置在后放電電極412的后側(cè)面上時，后放電電極412可為Y電極，并且前放電電極413可為X電極。另一方面，當(dāng)尋址電極422設(shè)置在前放電電極413的前側(cè)面上時，前放電電極413可為Y電極，并且后放電電極412可為X電極。在任一情況下，尋址電極422和Y電極之間的距離小于100μm。因此，在根據(jù)本實施例的等離子體顯示模塊中，與傳統(tǒng)的等離子體顯示模塊相比時，用于產(chǎn)生尋址放電所需的時間和用于產(chǎn)生尋址放電的尋址電壓可以降低。
熒光層425形成在放電室426中，更具體而言，在限定放電室416的底板450的前表面450a上。因為如果熒光層425是厚的，則從熒光層425的下部分發(fā)出的可見光朝基板411的通過可被阻斷，所以熒光層425的厚度T可小于15μm。通過在將包括熒光粉的涂漿印刷或散布在放電室426的表面上之后干燥和退火該涂漿，可形成熒光層425。
涂漿包括紅色熒光粉、綠色熒光粉和藍(lán)色熒光粉中的一個、溶劑和粘合劑。紅色熒光粉可以是Y(V，P)O4:Eu，綠色熒光粉可以是Zn2SiO4:Mn或YBO3:Tb，并且藍(lán)色熒光粉可以是BAM:Eu。
放電氣體填充在放電室426中。放電氣體可以是包括5-15％Xe的Ne-Xe氣體混合物，并且在必要時，Ne部分可以被He替代。
現(xiàn)在將參照圖25至27來描述密封區(qū)域AS和密封區(qū)域AS附近的結(jié)構(gòu)。從附圖中可知，基板411被分成顯示區(qū)域AD和密封區(qū)域AS。
設(shè)置在顯示區(qū)域AD和密封區(qū)域AS之間的排氣區(qū)域AT是這樣的區(qū)域，在該區(qū)域上形成在使用稍后將描述的方法將基板411緊密接觸底板450之后將用于從基板411和底板450之間的空間中排放雜質(zhì)氣體并將放電氣體填充在該空間中的通路R，障肋層415a、415b、415c和415d及電極412、413和422形成在所述的底板450上。排氣區(qū)域AT連接到用上述的插銷P’關(guān)閉的排氣孔。
放電室426的雜質(zhì)氣體通過由于MgO薄膜416和基板411的后表面411a之間的公差所形成的間隙(未示出)而傳輸?shù)酵稲，并且到達(dá)通路R的雜質(zhì)氣體通過排氣孔而排出到外面。放電氣體通過與排出雜質(zhì)氣體的相反的順序而填充在空間中。在其上形成用于通過氣體的通路R的排氣區(qū)域AT可有助于雜質(zhì)氣體的排出和填充放電氣體，但是通路R不是必需的。
密封元件430涂覆在密封區(qū)域AS上，并且熔塊可用作密封元件430。熔塊以熔融的狀態(tài)被涂覆在密封區(qū)域AS上，并且可通過干燥和退火涂層來密封基板411和底板450。
圖25中所示的后放電電極412的每個末端412a分別連接到形成在連接線纜53上的電線，圖26中所示的前放電電極413的每個端部413a分別連接到形成在連接線纜54上的電線，并且圖27中所示的尋址電極422的每個端部422a分別連接到形成在連接線纜51上的電線。
具有上述結(jié)構(gòu)的等離子體顯示模塊按第一實施例中所述的方式工作。
現(xiàn)在將描述制造根據(jù)第二實施例的等離子體顯示模塊的方法，主要關(guān)于與第一實施例的不同。
制造根據(jù)第二實施例的等離子體顯示模塊的方法與第一實施例中的情況一樣也包括操作(a)、(b)、(c)和(d)。第二實施例的操作(a)和(d)分別與第一實施例的操作(a)和(d)相同。但是，在第二實施例的操作(a)中，期望制備基板411，因為MgO薄膜發(fā)射很多有助于等離子體放電的二次電子，所以其后表面411a具有MgO薄膜(未示出)。
與第一實施例的操作(b)不同，第二實施例的操作(b)是用于在底板450的前表面450a上交替地形成障肋層415a、415b、415c和415d及電極413、412和422的步驟。用于形成障肋層415a、415b、415c和415d中的每個及電極413、412和422的材料及其形成方法與第一實施例的材料和方法相同，但是堆疊障肋層415a、415b、415c和415d及電極413、412和422的順序是不同的。也就是說，在本實施例中，第一障肋層415a形成在底板450上，尋址電極422形成在第一障肋層415a上，第二障肋層415b形成在尋址電極422上，后放電電極412形成在第二障肋層415b上，第三障肋層415c形成在后放電電極412上，前放電電極413形成在第三障肋層415c上，并且第四障肋層415d形成在前放電電極413上。
第一障肋層415a、第二障肋層415b、第三障肋層415c和第四障肋層415d中的每個可通過堆疊至少三層以增加其厚度來被形成。此外，為了使電極絕緣，第二障肋層415b和第三障肋層415c是必需的，但是因為第一障肋層415a和第四障肋層415d不是必需的并且被用于牢固放電空間，所以第一障肋層415a和第四障肋層415d可以不被形成。
在操作(b)中，形成在第三障肋層415c和第四障肋層415d之間的前放電電極413沿一個方向延伸，形成在第二障肋層415b和第三障肋層415c之間的后放電電極412平行于前放電電極413延伸，并且形成在第一障肋層415a和第二障肋層415b之間的尋址電極422延伸使得與前放電電極413交叉。此外，前放電電極413、后放電電極412和尋址電極422形成包圍放電室426。
第二實施例的操作(c)是用于將熒光層425形成在限定放電室426(或確定其周邊)的底板450的前表面450a上，與第一實施例的操作(c)不同。本實施例的熒光層425的厚度及其形成方法與第一實施例的熒光層125的方法相同。然而，該位置是不同的。
在操作(c)之前或之后還可包括用于將MgO薄膜416形成在障肋415的側(cè)表面415’上的操作。MgO薄膜416可以小于1μm的厚度形成，例如0.7μm。MgO薄膜416防止由電介質(zhì)形成的障肋115在等離子體放電發(fā)生并且產(chǎn)生很多有助于等離子體放電的二次電子時被正離子濺射。
當(dāng)執(zhí)行操作(c)之前通過沉積來形成MgO薄膜416時，MgO薄膜416可形成在熒光層425和底板450之間。當(dāng)執(zhí)行操作(c)之后通過整體沉積來形成MgO薄膜416時，MgO薄膜416形成在熒光層425上。在這兩種情況下，MgO薄膜416形成在障肋415的前表面415”上。在任一情況中形成的MgO薄膜416都不負(fù)面地影響等離子體顯示模塊的工作。
在操作(c)之前或之后通過將具有預(yù)定圖案的掩膜設(shè)置在障肋415的前側(cè)面上，MgO薄膜416可按預(yù)定的圖案沉積。掩膜可具有任意圖案，使得MgO薄膜416只能形成在障肋415的側(cè)表面415’上。
在第二實施例中沒有描述的元件與第一實施例的元件相同。
現(xiàn)在將參照圖28描述第二實施例的第一修改版本，主要關(guān)于與第一實施例的不同。本修改版本與第一實施例的不同點在于，底板550由導(dǎo)熱性金屬形成，并且絕緣層551形成在底板550的前表面550a上。
當(dāng)發(fā)生等離子體放電時，在放電室中產(chǎn)生大量的熱。然而，如果底板550與第二實施例一樣由非導(dǎo)熱性材料例如塑料形成，則局域地產(chǎn)生在顯示區(qū)域AD中的熱不可能容易地被驅(qū)散到其它元件。在這種情況下，潛像(latent image)可以生成在積聚熱的部分上，從而降低圖像質(zhì)量。此外，在等離子體顯示模塊工作長時間之后，整個顯示區(qū)域AD的圖像質(zhì)量可能降低。
在本修改版本中，因為導(dǎo)熱性材料具有比絕緣體大的熱導(dǎo)率，所以底板550由導(dǎo)熱性材料例如鋁形成。然而，因為如果導(dǎo)熱性金屬暴露于放電室426中，則可能在等離子體放電中出現(xiàn)嚴(yán)重的問題，所以絕緣層551可形成在底板550的前表面550a上。障肋415和熒光層425形成在絕緣層551的前表面551上。
此外，因為MgO薄膜發(fā)射很多有助于等離子體放電的二次電子，所以優(yōu)選地，絕緣層551的前表面551a被MgO薄膜(未示出)覆蓋。
制造根據(jù)本修改版本的等離子體顯示模塊的方法與制造第一實施例中所述的等離子體顯示模塊的方法相同或相似。然而，本修改實施例與第二實施例的不同在于，在操作(a)中，必須制備由導(dǎo)熱性材料形成的底板550，并且絕緣層551形成在底板550的前表面上。
在第二實施例的第一修改版本中沒有描述的元件與第二實施例的元件相同。
現(xiàn)在將參照圖29描述第二實施例的第二修改版本，主要關(guān)于與第二實施例的不同。本修改版本與第二實施例的不同在于，尋址電極622形成在底板450的上表面450a上。
尋址電極622延伸使得與在一個方向上延伸的前放電電極613和后放電電極612交叉，并且被介電層623覆蓋。障肋415和熒光層425形成在介電層623的前表面623a上。
按下面方法制造根據(jù)第二實施例的本第二修改實施例的等離子體顯示模塊。該方法包括(a)制備由透明的絕緣體形成的基板411和由絕緣體形成的底板450；(b)將尋址電極622形成在底板450的前表面450a上；(c)形成覆蓋尋址電極622的介電層623；(d)將障肋層和電極交替地形成在介電層623的前表面623a上；(e)將熒光層425形成在放電室426中的介電層623的前表面623a上，所述的放電室623由形成在障肋層上的障肋415限定；(f)在密封通過結(jié)合基板411和底板450所形成的空間之后，將放電氣體填充在該空間中。
本修改實施例的操作(a)與第二實施例的操作(a)相同，操作(b)與第二實施例的不同在于形成尋址電極的順序不同，在操作(c)中的介電層通過至少類似于第二實施例中形成障肋層的方法的方法來形成，本修改實施例的操作(d)與第二實施例的操作(b)的不同在于在本修改實施例中不形成尋址電極和一個障肋，操作(e)與第二實施例的操作(c)的不同在于熒光層425的位置不同，并且操作(f)與第二實施例的操作(d)相同。
第二實施例的第二修改版本可結(jié)合第二實施例的第一修改版本。在這種情況下，底板450由導(dǎo)電性材料形成，并且絕緣層形成在底板450的前表面450a上。障肋415和熒光層425形成在絕緣層的前表面上。
在第二實施例的第二修改版本中沒有描述的元件與第二實施例的元件相同。
現(xiàn)在將參照圖30描述第二實施例的第三修改版本，主要關(guān)于與第二實施例的不同。本修改版本與第二實施例的不同在于，本修改版本沒有尋址電極422。
在特定的放電室426中僅有兩個放電電極可以產(chǎn)生放電。因此，對于在放電室426中產(chǎn)生放電，尋址電極422不是必需的。然而，如果沒有尋址電極，前放電電極713和后放電電極712延伸成彼此交叉，使得其中發(fā)生放電的放電室726可被選擇。電極的結(jié)構(gòu)示出于圖22中。
在本第三修改版本中，因為沒有尋址電極，所以只需要三個障肋層用于將電極設(shè)置在障肋層之間，并且因為最前和最后障肋層不是必要的，所以只有一個障肋層可以在最前和最后放電室中工作。在這種情況下，一個障肋層被設(shè)置在前放電電極713和后放電電極712之間。
因為制造根據(jù)第二實施例的第二修改版本的等離子體顯示模塊類似于制造根據(jù)第二實施例的等離子體顯示模塊的方法，所以將省略對它的描述。
第二實施例的第三修改版本可與第二實施例的第一修改版本結(jié)合。
在第二實施例的第三實施例中沒有描述的元件與第二實施例的元件相同。
本發(fā)明提供一種可提高光的發(fā)射效率的等離子體顯示模塊。
本發(fā)明還提供一種可快速產(chǎn)生放電并降低尋址電壓的等離子體顯示模塊。
本發(fā)明還提供一種可以較低成本和較低的失敗率制造的等離子體顯示模塊。具體而言，根據(jù)本發(fā)明在等離子體顯示模塊中不包括后基板，該后基板對傳統(tǒng)的PDP是必需的，從而降低了制造成本。
盡管已經(jīng)結(jié)合本發(fā)明的示例性實施例對本發(fā)明進(jìn)行了詳細(xì)示出和描述，但本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)該理解，在不脫離權(quán)利要求所界定的本發(fā)明的精神和范圍的情況下，可以對本發(fā)明的形式和細(xì)節(jié)進(jìn)行各種更改。
權(quán)利要求
1.一種等離子體顯示模塊，包括基板，由透明絕緣體形成；底板，位于在所述基板的后側(cè)；多個障肋，位于在所述基板和所述底板之間由電介質(zhì)形成，并且所述多個障肋與所述基板和所述底板一起限定放電室；多個前放電電極，在圍繞所述放電室的所述障肋中形成；多個后放電電極，與前放電電極分隔開并在圍繞所述放電室的所述障肋中形成；熒光層，位于所述放電室內(nèi)；放電氣體，填充在所述放電室內(nèi)；和多個電路基板，其位于所述底板的后側(cè)將電信號施加到所述電極。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體顯示模塊，其中，所述障肋形成在所述基板的后表面上。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的等離子體顯示模塊，其中，所述底板由絕緣體形成。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的等離子體顯示模塊，其中，所述底板的前表面被MgO薄膜覆蓋。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的等離子體顯示模塊，其中，所述底板由導(dǎo)熱性材料形成并且絕緣層形成在所述底板的前表面上。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的等離子體顯示模塊，其中，所述絕緣層的前表面被MgO薄膜覆蓋。
7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的等離子體顯示模塊，其中，所述的熒光層形成在限定所述放電室的所述基板的后表面上。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的等離子體顯示模塊，其中，所述熒光層的厚度小于15μm。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體顯示模塊，其中，所述底板由絕緣體形成，所述障肋形成在所述底板的前表面上，并且所述熒光層形成在限定所述放電室的所述底板的前表面上。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的等離子體顯示模塊，其中，所述基板的后表面被MgO薄膜覆蓋。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的等離子體顯示模塊，其中，所述熒光層的厚度小于15μm。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體顯示模塊，其中，所述底板由導(dǎo)熱性材料形成，絕緣層形成在所述底板的前表面上，所述障肋形成在所述絕緣層的前表面上，并且所述熒光層形成在所述放電室內(nèi)的絕緣層的前表面上。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的等離子體顯示模塊，其中，所述基板的后表面被MgO薄膜覆蓋。
14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的等離子體顯示模塊，其中，所述熒光層的所述厚度小于15μm。
15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體顯示模塊，其中，所述前放電電極和所述后放電電極在一方向上延伸；所述底板由絕緣體形成；尋址電極形成在所述底板的前表面上，并延伸以與所述前放電電極和所述后放電電極交叉；所述尋址電極被介電層覆蓋；所述障肋形成在所述介電層的前表面上；并且所述熒光層形成在所述放電室中的介電層的前表面上。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的等離子體顯示模塊，其中，所述底板的后表面被MgO薄膜覆蓋。
17.根據(jù)權(quán)利要求15所述的等離子體顯示模塊，其中，所述熒光層的厚度小于15μm。
18.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體顯示模塊，其中，所述前放電電極和所述后放電電極在一方向上延伸；所述底板由導(dǎo)熱性材料形成；絕緣層形成在所述底板的前表面上；尋址電極形成在所述絕緣層的前表面上，并延伸以與所述前放電電極和所述后放電電極交叉；所述尋址電極被介電層覆蓋；所述障肋形成在所述介電層的前表面上；并且所述熒光層形成在所述放電室中的所述介電層的前表面上。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的等離子體顯示模塊，其中，所述基板的后表面被MgO薄膜覆蓋。
20.根據(jù)權(quán)利要求18所述的等離子體顯示模塊，其中，所述熒光層的厚度小于15μm。
21.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體顯示模塊，其中，所述前放電電極在一方向上延伸，并且所述后放電電極延伸以與所述前放電電極交叉。
22.根據(jù)權(quán)利要求21所述的等離子體顯示模塊，其中，所述前放電電極和所述后放電電極具有梯形形狀。
23.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體顯示模塊，其中，所述前放電電極和所述后放電電極在一方向上延伸，并還包括尋址電極，其位于圍繞所述放電室的所述障肋中并延伸以與所述前放電電極和所述后放電電極交叉。
24.根據(jù)權(quán)利要求23所述的等離子體顯示模塊，其中，所述前放電電極、所述后放電電極和所述尋址電極具有梯形形狀。
25.根據(jù)權(quán)利要求23所述的等離子體顯示模塊，其中，所述尋址電極位于所述前放電電極的前面。
26.根據(jù)權(quán)利要求23所述的等離子體顯示模塊，其中，所述尋址電極位于所述后放電電極的后面。
27.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體顯示模塊，其中，所述障肋的側(cè)表面被MgO薄膜覆蓋。
28.一種制造等離子體顯示模塊的方法，包括制備由透明絕緣體形成的基板和由絕緣體形成的底板；在所述基板的后表面上交替地形成障肋層和電極；在其限定由所述障肋層形成的障肋分隔的放電室的所述基板的后表面上形成熒光層；并且在密封通過結(jié)合所述基板和所述底板形成的空間后，在所述空間內(nèi)填充放電氣體。
29.根據(jù)權(quán)利要求28所述的方法，還包括在所述障肋的側(cè)表面上形成MgO薄膜。
30.根據(jù)權(quán)利要求28所述的方法，還包括在所述底板的前表面上形成MgO薄膜。
31.一種制造等離子體顯示模塊的方法，包括制備由透明絕緣體形成的基板和由導(dǎo)電材料形成的底板；在所述底板的前表面上形成絕緣層；在所述基板的后表面上交替地形成障肋層和電極；在其限定由所述障肋層形成的障肋分隔的放電室的所述基板的后表面上形成熒光層；并且在密封通過結(jié)合所述基板和所述底板形成的空間后，在所述空間內(nèi)填充放電氣體。
32.根據(jù)權(quán)利要求31所述的方法，還包括在所述障肋的側(cè)表面上形成MgO薄膜。
33.根據(jù)權(quán)利要求31所述的方法，還包括在所述絕緣層的前表面上形成MgO薄膜。
34.一種制造等離子體顯示模塊的方法，包括制備由透明絕緣體形成的基板和由絕緣體形成的底板；在所述底板的前表面上交替地形成障肋層和電極；在其限定由所述障肋層形成的障肋分隔的放電室的所述底板的前表面上形成熒光層；并且在密封通過結(jié)合所述基板和所述底板形成的空間后，在所述空間內(nèi)填充放電氣體。
35.根據(jù)權(quán)利要求34所述的方法，還包括在所述障肋的側(cè)表面上形成MgO薄膜。
36.根據(jù)權(quán)利要求34所述的方法，還包括在所述基板的后表面上形成MgO薄膜。
37.一種制造等離子體顯示模塊的方法，包括制備由透明絕緣體形成的基板和由導(dǎo)電材料形成的底板；在所述底板的前表面上形成絕緣層；在所述絕緣層的前表面上交替地形成障肋層和電極；在位于由所述障肋層形成的障肋分隔的放電室中的所述絕緣層的前表面上形成熒光層；并且在密封通過結(jié)合所述基板和所述底板形成的空間后，在所述空間內(nèi)填充放電氣體。
38.根據(jù)權(quán)利要求37所述的方法，還包括在所述障肋的側(cè)表面上形成MgO薄膜。
39.根據(jù)權(quán)利要求37所述的方法，還包括在所述基板的后表面上形成MgO薄膜。
40.一種制造等離子體顯示模塊的方法，包括制備由透明絕緣體形成的基板和由絕緣體形成的底板；在所述底板的前表面上形成尋址電極；形成覆蓋尋址電極的介電層；在所述介電層的前表面上交替地形成障肋層和電極；在位于由所述障肋層形成的障肋分隔的放電室中的所述介電層的前表面上形成熒光層；并且在密封通過結(jié)合基板和底板形成的空間后，在所述空間內(nèi)填充放電氣體。
41.根據(jù)權(quán)利要求40所述的方法，還包括在所述障肋的側(cè)表面上形成MgO薄膜。
42.根據(jù)權(quán)利要求40所述的方法，還包括在所述基板的后表面上形成MgO薄膜。
43.一種制造等離子體顯示模塊的方法，包括制備由透明絕緣體形成的基板和由導(dǎo)電材料形成的底板；在所述底板的前表面上形成絕緣層；在所述絕緣層的前表面上形成尋址電極；形成覆蓋尋址電極的介電層；在所述介電層的前表面上交替地形成障肋層和電極；在位于由所述障肋層形成的障肋分隔的放電室中所述介電層的前表面上形成熒光層；并且在密封通過結(jié)合基板和底板形成的空間后，在所述空間內(nèi)填充放電氣體。
44.根據(jù)權(quán)利要求43所述的方法，還包括在所述障肋的側(cè)表面上形成MgO薄膜。
45.根據(jù)權(quán)利要求43所述的方法，還包括在所述基板的后表面上形成MgO薄膜。
46.一種等離子體顯示裝置，包括基板，由絕緣體形成；底板，位于所述基板的第一側(cè)面；多個障肋，位于所述基板和所述底板之間由電介質(zhì)形成，并與所述基板和所述底板一起限定放電室；多個前放電電極，形成在包圍所述放電室的障肋中；多個后放電電極，與前放電電極分隔開并形成在包圍所述放電室的障肋中；和多個電路基板，通過位于所述底板的第一側(cè)面上來將電信號施加給所述電極。
47.根據(jù)權(quán)利要求46所述的等離子體顯示裝置，其中，所述障肋形成在所述基板的后表面上，所述底板由導(dǎo)熱性材料形成，和絕緣層形成在所述底板的前表面上。
48.根據(jù)權(quán)利要求46所述的等離子體顯示裝置，其中，所述底板由絕緣體形成。
49.根據(jù)權(quán)利要求46所述的等離子體顯示裝置，其中，所述前放電電極和所述后放電電極在一方向上延伸，并還包括尋址電極，其位于圍繞所述放電室的所述障肋中并延伸以與所述前放電電極和所述后放電電極交叉。
全文摘要
提供了一種等離子體顯示模塊，其可提高光的發(fā)射效率，快速產(chǎn)生放電、減少尋址電壓，并制造成本低和失敗率低，所述等離子體顯示模塊包括基板，由透明絕緣體形成；底板，位于所述基板的后部；多個障肋，位于所述基板和所述底板之間由電介質(zhì)形成，并與所述基板和所述底板一起限定放電室；多個前放電電極，形成在圍繞所述放電室的障肋中；多個后放電電極，與前放電電極隔開并形成在圍繞所述放電室的障肋中；熒光層，位于所述的放電室中；放電氣體，填充在所述放電室中；和多個電路基板，其位于所述底板的后部并將電信號施加到所述電極。
文檔編號G09F9/313GK1707570SQ2005100722
公開日2005年12月14日 申請日期2005年5月27日 優(yōu)先權(quán)日2004年5月27日
發(fā)明者禹錫均, 姜景斗, 洪種基 申請人:三星Sdi株式會社