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模擬靜電場測繪用導電板的制作方法

文檔序號:2616929閱讀:465來源:國知局
專利名稱:模擬靜電場測繪用導電板的制作方法
技術領域
本發(fā)明涉及模擬靜電場測繪技術領域,特別是模擬靜電場測繪使用的裝置。
背景技術
由于直接描繪靜電場存在困難,而穩(wěn)恒電流場的分布和靜電場的分布可以用相同的數學公式來表達,所以通常用穩(wěn)恒電流場來模擬靜電場,通過測量電極之間的電位來測繪各種電場的等勢線,進而分析靜電場的分布情況。因此,模擬靜電場測繪是國內外高等院校普遍開設的物理實驗。
目前的模擬靜電場測繪的實驗裝置包括導電紙6、電極3、探針,如圖4所示,電極3壓在導電紙6上,測繪時,向電極3上加載穩(wěn)恒電壓,探針在兩電極3之間的導電紙6上滑動,以測量電極3之間的導電紙6上的各點上的電位。
實驗中采用導電紙存在以下缺陷1、探針在導電紙上滑動,導電紙容易被探針劃破,影響實驗的進行;2、導電紙平整度不高,造成實驗效果欠佳;3、電極處在導電紙的上方,探針極易碰到,會造成測量儀器損傷;4、電極靠自身的重量壓在導電紙上,電極與導電紙之間的接觸均勻度不好,影響實驗效果。

發(fā)明內容
本發(fā)明所要解決的技術問題是提供一種模擬靜電場測繪用導電板,該導電板的平整度高、使用壽命長,實驗時,電極不會被探針碰到,實驗效果好。
本發(fā)明解決上述技術問題所采用的技術方案是模擬靜電場測繪用導電板,它包括電極,它還包括毛玻璃,毛玻璃的正面上鍍有金屬鍍膜,電極設置在毛玻璃的背面上;金屬鍍膜延伸至毛玻璃的背面,并與電極接觸。
上述方案中,電極為條狀,毛玻璃的背面上開有供條狀電極卡入的槽,金屬鍍膜延伸至槽內,電極卡在槽中。
上述方案中,電極為柱狀,毛玻璃的背面上開有供柱狀電極卡入的孔,金屬鍍膜延伸至孔內,電極卡在孔中。
本發(fā)明導電板,其電極設置在導電板的背面,探針在導電板正面的金屬鍍膜上滑動,探針不會碰到電極,因此,不會因探針碰電極而造成的儀器損傷;另外,金屬鍍膜平整度好,且不會被探針劃傷,因此,導電板的使用壽命長,實驗效果好。
本發(fā)明導電板與現有技術相比,還具有以下優(yōu)點1、毛玻璃的背面上開有槽或孔,金屬鍍膜延伸至毛玻璃的槽或孔內,電極卡在槽或孔,電極與金屬鍍膜之間的接觸緊密,接觸均勻度一致,實驗效果好。
2、所鍍金屬可任意選擇,可以是單一金屬,也可以是合金,也可以在金屬中加入其它物質,因此,金屬鍍膜的導電率可以任意選擇。
本發(fā)明導電板成本低、可靠性高,可廣泛應用在物理實驗、電場研究等領域。


圖1為本發(fā)明實施例1導電板背面的結構示意2為圖1的A-A剖視3為本發(fā)明實施例2導電板背面的結構示意4為現有導電板的結構示意圖具體實施方式

如圖1、2所示的本發(fā)明實施例1,導電板包括電極3和一塊表面磨光的毛玻璃1,毛玻璃1的正面上鍍有金屬鍍膜2,電極3設置在毛玻璃1的背面上;電極3為柱狀,毛玻璃1的背面上開有供柱狀電極3卡入的孔4,金屬鍍膜2延伸至毛玻璃1背面的孔4內,電極3卡在孔4中,以保證金屬鍍膜2與電極3接觸的均勻性。
如圖3所示的本發(fā)明實施例2,電極3為條狀,毛玻璃1的背面上開有供條狀電極3卡入的槽5,金屬鍍膜2從毛玻璃1的正面延伸至背面的槽5內,電極3卡在槽5中。圖3的B-B剖視圖與圖2相同。
上述本發(fā)明實施例,用于金屬鍍膜的金屬選擇是導電率與碳的導電率相近的金屬,用于金屬鍍膜的金屬可通過在其中摻雜其它物質的方法調整金屬的導電率。
權利要求
1.模擬靜電場測繪用導電板,它包括電極(3),其特征在于它還包括毛玻璃(1),毛玻璃(1)的正面上鍍有金屬鍍膜(2),電極(3)設置在毛玻璃(1)的背面上;金屬鍍膜(2)延伸至毛玻璃(1)的背面,并與電極(3)接觸。
2.如權利要求1所述的導電板,其特征在于電極(3)為條狀,毛玻璃(1)的背面上開有供條狀電極(3)卡入的槽(5),金屬鍍膜(2)延伸至槽(5)內,電極(3)卡在槽(5)中。
3.如權利要求1所述的導電板,其特征在于電極(3)為柱狀,毛玻璃(1)的背面上開有供柱狀電極(3)卡入的孔(4),金屬鍍膜(2)延伸至孔(4)內,電極(3)卡在孔(4)中。
全文摘要
本發(fā)明涉及模擬靜電場測繪用導電板,它包括電極(3)、毛玻璃(1),毛玻璃(1)的正面上鍍有金屬鍍膜(2),電極(3)設置在毛玻璃(1)的背面上;金屬鍍膜(2)延伸至毛玻璃(1)的背面,并與電極(3)接觸。本發(fā)明導電板,其電極設置在導電板的背面,探針在導電板正面的金屬鍍膜上滑動,探針不會碰到電極,因此,不會因探針碰電極而造成的儀器損傷;另外,金屬鍍膜平整度好,且不會被探針劃傷,因此,導電板的使用壽命長,實驗效果好。
文檔編號G09B23/18GK1707556SQ200510018738
公開日2005年12月14日 申請日期2005年5月19日 優(yōu)先權日2005年5月19日
發(fā)明者李鐵平, 申耀偉, 李吉春, 陳光華, 許振浩, 朱異云, 李姜坤, 姜湖海 申請人:中國地質大學(武漢)
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