專利名稱：有源陣列型顯示設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種有源陣列型顯示設(shè)備，其中通過例如以陣列形式安排包括自發(fā)光元件諸如電致發(fā)光(下稱EL)元件的顯示像素來配置顯示屏。
背景技術(shù)：
平板型顯示設(shè)備已廣泛用作個人計算機、電子記事簿、電視等的顯示設(shè)備。近年來，作為這樣的平板型顯示設(shè)備，應(yīng)用自發(fā)光元件諸如有機EL元件的有源陣列型有機EL顯示設(shè)備一直受人關(guān)注，其研發(fā)工作積極地進行著。有機EL顯示設(shè)備有下列特征不需要有礙有機EL顯示設(shè)備做成輕薄的背后照明，具有高速響應(yīng)特性，適合播放活動圖片，還能在寒冷地區(qū)使用，因其亮度在低溫下不降低。
有機EL顯示設(shè)備一般包括多個排成多行多列而構(gòu)成顯示屏的顯示像素、多條沿各行顯示像素延伸的掃描線、多條沿各列顯示像素延伸的信號導線、驅(qū)動各掃描線的掃描線驅(qū)動電路、驅(qū)動各信號導線的信號導線驅(qū)動電路等。各顯示像素包括一自發(fā)光元件的有機EL元件和對其提供驅(qū)動電流的像素電路。像素電路具有位于掃描線與信號導線交叉位置附近的像素開關(guān)；在一對電源線之間與有機EL元件串接、由薄膜晶體管組成的驅(qū)動晶體管；和保持驅(qū)動晶體管的柵控電壓的存貯電容。像素開關(guān)響應(yīng)于由相應(yīng)掃描線提供的掃描信號而導通，并把相應(yīng)信號導線提供的圖像信號引入像素電路。圖像信號作為柵控電壓寫入于存貯電容，并存貯一段預(yù)定時間。驅(qū)動晶體管向有機EL元件提供對應(yīng)于寫入存貯電容的柵控電壓的電容量，而有機EL元件工作而發(fā)光。
有機EL元件具有陰極、陽極與發(fā)射層，發(fā)射層由含熒光有機化合物的薄膜組成。設(shè)置在陰極與陽極之間。有機EL元件通過把電子與空穴注入發(fā)射層并復合而產(chǎn)生激發(fā)，由于激發(fā)鈍化時產(chǎn)生光發(fā)射而發(fā)光。其發(fā)光亮度對應(yīng)于施加的電流量，即使施加10伏或以下的電壓，也可得到100～100.000cd/m2的亮度。
在有機EL顯示設(shè)備中，用作驅(qū)動晶體管的薄膜晶體管有一形成在玻璃等絕緣基片上的半導體薄膜，因而驅(qū)動晶體管特性如閾壓Vth與載流子遷移率μ等都取決于制造工藝等，且容易變化。若驅(qū)動晶體管的閾壓Vth不均勻，就難以使有機EL元件以合適的亮度發(fā)光。這樣，在多個顯示像素間產(chǎn)生不規(guī)則的亮度，造成顯示不均勻。
如在美國專利NO.6,229,506中，揭示的一顯示設(shè)備為避免閾壓Vth不規(guī)則造成的影響，對所有顯示像素都設(shè)置閾值抵消電路。配置該電路后，驅(qū)動晶體管的控制電壓被來自信號導線驅(qū)動電路的圖像信號預(yù)先提供的復位信號初始化。另像美國專利No.6,373,4541的另一顯示設(shè)備，提出的顯示設(shè)備用電流信號寫圖像信號，試圖通過減小驅(qū)動晶體管閾壓不規(guī)則造成的影響，使光發(fā)射亮度均勻。
在上述顯示設(shè)備中，各顯示像素的像素電路有一個或多個接在驅(qū)動晶體管柵、漏之間的開關(guān)，在光發(fā)射期間處于關(guān)狀態(tài)，開關(guān)分別由薄膜晶體管構(gòu)成。但在這種像素電路中，當開關(guān)從開切換到關(guān)時，因開關(guān)的柵、源問形成的寄生電容而產(chǎn)生饋通電壓。再者，驅(qū)動晶體管的柵控電壓的變化量對應(yīng)于產(chǎn)生的饋通電壓量。由于饋通電壓取決于開關(guān)的閾壓，故因閾壓不規(guī)則而造成驅(qū)動晶體管的柵控電壓不規(guī)則，在多個顯示像素之間造成亮度不規(guī)則。顯示像素間的這種亮度不規(guī)則呈現(xiàn)為顯示不均勻，劣化了顯示質(zhì)量。
如由P溝道型薄膜晶體管構(gòu)成的開關(guān)和驅(qū)動晶體管中，驅(qū)動晶體管的柵控電壓沿正電位方向變化，減小了流入驅(qū)動晶體管的電流的變化，這就減小了EL光發(fā)射電流，降低了顯示圖像的白光亮度。
通過從驅(qū)動電路提供對其預(yù)先加入光發(fā)射電流量減小的圖像信號，可避免白光亮度不足的問題，但這樣會提高驅(qū)動電路的驅(qū)動電壓，增大驅(qū)動電路尺寸，提高制造成本。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明考慮到上述諸問題，旨在提供一種有源陣列型顯示設(shè)備，其中對饋通電壓引起驅(qū)動晶體管的電位變化作了補償，顯示質(zhì)量有所提高。
為實現(xiàn)該目的，按照本發(fā)明一個方面的有源陣列型顯示設(shè)備包括自發(fā)光元件，它連接第一電壓電源線，按提供的電流發(fā)光；驅(qū)動晶體管，它接在第二電壓電源線與自發(fā)光元件之間，按柵控電壓控制加到自發(fā)光元件的電流量；第一開關(guān)由一晶體管構(gòu)成，接在驅(qū)動晶體管的柵、漏之間；接驅(qū)動晶體管柵的第一電容；第二開關(guān)由晶體管構(gòu)成，接在驅(qū)動晶體管的漏與自發(fā)光元件之間；和接在第二開關(guān)與驅(qū)動晶體管的柵之間的第二電容。
附圖簡介

圖1是本發(fā)明第一實施例有機EL顯示設(shè)備配置的電路圖。
圖2是有機EL顯示設(shè)備中顯示像素的等效電路。
圖3是顯示像素的平面圖。
圖4是有機EL顯示設(shè)備的一部分截面圖。
圖5是說明圖2所示顯示像素操作的時序圖。
圖6是本發(fā)明第二實施例的有機EL顯示設(shè)備的顯示像素的平面圖。
圖7是本發(fā)明第三實施例的有機EL的顯示設(shè)備的顯示像素等效電路。
實施本發(fā)明的最佳方式現(xiàn)參照附圖詳述本發(fā)明第一實施例的有源陣列型有機EL顯示設(shè)備。
如圖1所示，有機EL顯示設(shè)備有一有機EL面板10和對其作控制的控制器12。
有機EL面板10具有m×n個顯示像素PX，它們在玻璃板等可發(fā)射光的絕緣基片8上排成一陣列，配置成顯示區(qū)域11；第一掃描線Y(Y1～Ym)和第二掃描線Bg(Bg1～Bgm)，被接到各自行的顯示像素，由m根線獨立設(shè)置；接各列顯示像素的n根信號導線X(X1～Xn)；掃描線驅(qū)動電路14，對每行顯示像素連續(xù)驅(qū)動第一和第二掃描線Y與Bg；和信號導線驅(qū)動電路15，用于驅(qū)動信號導線X1～Xn。驅(qū)動電路14和15設(shè)置在絕緣基片8上。
各顯示像素PX包括一個作為自發(fā)光元件的有機EL元件16和對其提供驅(qū)動電流的像素電路18。顯示像素的等效電路示于圖2，一例平面結(jié)構(gòu)示于圖3。像素電路18是一電流信號到像素電路，用于按電流信號組成的圖像信號控制有源EL元件的光發(fā)射，還具有像素開關(guān)20、驅(qū)動晶體管22、第一開關(guān)24、第二開關(guān)26和起存貯電容作用的第一電容Cs與第二電容Cx。像素開關(guān)20、驅(qū)動晶體管22、第一開關(guān)24和第二開關(guān)26均用同樣的導電型晶體管例如P溝道型薄膜晶體管配置。
驅(qū)動晶體管22、第二開關(guān)26和有機EL元件16串接在第一電壓電源線Vss與第二電壓電源線Vdd之間。驅(qū)動晶體管22的源接第二電壓電源線Vdd。有機EL元件16的一電極即陰極接第一電壓電源線Vss。第二開關(guān)26的源接驅(qū)動晶體管22的漏，其漏接有機EL元件16的陽極。另外，第二開關(guān)26的柵接第二掃描線Bg。第一和第二電壓電源線Vss與Vdd分別置于例如0伏與+10伏的電位。
驅(qū)動晶體管22向有機EL元件16輸出對應(yīng)于圖像信號的信號電流。來自第二掃描線的控制信號Sb把第二開關(guān)26控制成開(導通態(tài))與關(guān)(不導通態(tài))，控制驅(qū)動晶體管22與有機EL元件16之間的連接與不連接。
第一電容Cs接在驅(qū)動晶體管22的源、柵之間，保持驅(qū)動晶體管22由圖像信號決定的柵控電位。第一電容Cs有一對相互平行面對的平板狀電極，用驅(qū)動晶體管的柵極膜與多晶硅層構(gòu)成平行板電容。
像素開關(guān)20接在與之對應(yīng)的信號導線X與驅(qū)動晶體管的漏之間，其柵極接第一掃描線Y。像素開關(guān)20響應(yīng)于第一掃描線Y提供的控制信號Sa，從相應(yīng)的信號導線X得到圖像信號。
第一開關(guān)24接在驅(qū)動晶體管22的漏、柵之間，其柵極接第一掃描線Y。第一開關(guān)24接來自第一掃描線Y的控制信號Sa開關(guān)，控制驅(qū)動晶體管22的柵、漏間的連接與不連接。圖2中，Cgs指第一開關(guān)24的柵、源間產(chǎn)生的寄生電容。
第二電容Cx接在第二開關(guān)26的源與驅(qū)動晶體管22的柵之間，它有一對相互平行面對的平板狀電極，構(gòu)成平行板電容。第二電容Cx的電容值由電容面積調(diào)節(jié)，具體的電容值在下面描述。
本例中，組成像素電路18的所有薄膜晶體管都用同一工藝形成，具有同樣的層結(jié)構(gòu)，都是具有把多晶硅用作半導體層的頂柵結(jié)構(gòu)的薄膜晶體管。由于所有像素電路18都由同一導電型薄膜晶體管配置，抑制了制造加工次數(shù)的增多。第二開關(guān)26由不同于像素開關(guān)與第一開關(guān)的導電型薄膜晶體管構(gòu)成，即N構(gòu)道型薄膜晶體管。此時，通過第一掃描線Y由用于控制像素開關(guān)20的同一信號控制第二開關(guān)26的柵極。
接著參照圖3和4詳述像素電路18和有機EL元件16的配置。圖4具體示出一例像素電路18中由第二開關(guān)26、第二電容Cx、驅(qū)動晶體管22、第一電容Cs與有機EL元件16組成的結(jié)構(gòu)。
組成第二開關(guān)26的P溝道型薄膜晶體管，具有在光可發(fā)射絕緣基片8上用多晶硅構(gòu)成的半導體層50，該層50有源區(qū)50a、漏區(qū)50b和位于源、漏區(qū)之間的溝道區(qū)50c。柵絕緣膜52形成在半導體層50上，柵極G置于柵絕緣膜上，面對溝道區(qū)50c。在柵電極G上形成中間層絕緣膜54，再在其上設(shè)置源電極(源)S和漏電極(漏)D，它們通過延伸通過中間層絕緣膜54和柵絕緣膜52的觸點，分別接半導體層50的源區(qū)50a與漏區(qū)50b。配置第一開關(guān)24、像素開關(guān)20和驅(qū)動晶體管22的各個薄膜晶體管都形成具有上述同樣的結(jié)構(gòu)。
多根布線諸如信號線X、第二電壓電源線Vdd等，都設(shè)置在中間層絕緣膜54上。在中間層絕緣膜54上，形成覆蓋源電極S、漏電極D與布線的鈍化膜56，再在其上連續(xù)層迭親水膜58、隔膜60。
有機EL元件16具有陽極62、陰極66與有機發(fā)射層64，后者含發(fā)光有機化合物并插在陽極62陰極66之間。陽極62由ITO(鉬錫氧化物)等傳遞電極材料組成，設(shè)置在鈍化膜56上。親水膜58和隔膜60位于陽極62上的那些部分經(jīng)蝕刻消除。另在陽極62上形成了陽極緩沖層63與有機發(fā)光層64。由例如鋇鋁合金組成的陰極66，層迭在有機發(fā)光層64和隔膜60上。
在這種結(jié)構(gòu)的有機EL元件16中，當從陽極62注入的空穴與陰極66注入的電子在有機發(fā)射層64里面復合時，通過激發(fā)配置有機發(fā)射層的有機分子而產(chǎn)生激發(fā)。在激發(fā)輻射的鈍化的過程中產(chǎn)生光，而光從有機發(fā)射層64通過透明陽極62和光可發(fā)射絕緣基片8射向外部。
上例中，陽極62接驅(qū)動晶體管22的漏，陰極66接第一電壓電源線Vss；但陰極66也可接驅(qū)動晶體管22的漏，而陽極62接第一電壓電源線Vss。
上例中，在其上形成有機EL元件16的基片8一側(cè)是顯示表面，但面對其上形成有機EL元件16的基片8的側(cè)(上例中的陰極66一側(cè))也可以是顯示表面。
在任一場合中，發(fā)光面一側(cè)必須用透明導電材料構(gòu)成，例如在發(fā)光一側(cè)設(shè)置陰極66時，可通過把堿土金屬或稀土金屬形成薄的具有透光性來實現(xiàn)該構(gòu)造。
圖1的控制器12形成在位于有機EL面板10外面的印制電路板上，控制掃描線驅(qū)動電路14和信號導線驅(qū)動電路15?？刂破?2接收數(shù)字圖像信號和外部設(shè)備提供的同步信號，根據(jù)該同步信號產(chǎn)生控制垂直掃描時序的垂直掃描控制信號和控制水平掃描時序的水平掃描控制信號，并向掃描線驅(qū)動電路14和信號導線驅(qū)動電路15分別提供垂直與水平掃描控制信號。另外，還向信號導線驅(qū)動電路15與水平和垂直時序同步地提供數(shù)字圖像信號。
信號導線驅(qū)動電路15把各水平掃描周期連續(xù)得到的圖像信號Data1～Datam通過控制水平掃描控制信號而轉(zhuǎn)換成模擬格式，把它作為電流信號供給多根平行的信號導線X。掃描線驅(qū)動電路14包括移位寄存器、輸出緩沖器等，把外部提供的水平掃描開始信號連續(xù)傳至下一級，并通過輸出緩沖器把兩關(guān)控制信號即Sa與Sb供給顯示像素各行。據(jù)此，控制信號Sa與Sb在相互不同的第一水平掃描同期分別驅(qū)動第一與第二掃描線Y和Bg。
下面參照圖5的時序圖描述像素電路18基于掃描線驅(qū)動電路14和信號等導線驅(qū)動電路15的輸出信號的操作狀況。
掃描線驅(qū)動電路14根據(jù)例如開始信號a(Starca)和時鐘a(Clka)產(chǎn)生脈沖，其寬度(Tw-starta)對應(yīng)于各水平掃描同期，并輸出作為控制信號Sa的脈沖，另還通過使控制信號Sa倒向而生成控制信號Sb。
像素電路18的操作分為圖像信號寫操作和發(fā)光操作。在圖5的時刻t1處，在輸出接通像素開關(guān)20與第一開關(guān)24(處于導通態(tài))，關(guān)斷第二開關(guān)26(處于不通態(tài))的控制信號Sa與Sb時，即Sa為低電平，Sb為高電平，就開始圖像信號寫操作。對一圖像信號寫周期(t1～t2)，驅(qū)動晶體管22為二極管連接態(tài)，通過像素開關(guān)20從相應(yīng)的信號導線X獲得圖像信號Data。通過恒流源輸出對應(yīng)于圖像信號的恒流值，把在驅(qū)動晶體管22的源、漏間流動的電流置成該恒流值。據(jù)此執(zhí)行圖像信號寫，把驅(qū)動晶體管里使該電流量流動的柵、源間電位寫入第一電容Cs。
接著在時刻t2處，僅控制信號Sa和Sb分別為高電平與低電平，像素開關(guān)20和第一開關(guān)24關(guān)斷，第二開關(guān)26接通，據(jù)此完成圖像信號寫操作，開始發(fā)光操作。對于發(fā)光周期，驅(qū)動晶體管22由寫在第一電容Cs里的柵控電壓接通，向有機EL元件16提供對應(yīng)于圖像信號的電流量。因此，有機EL元件16發(fā)光，開始發(fā)光操作。有機EL元件16保持發(fā)光態(tài)，直到在一幀周期后再次提供控制信號Sa。
在執(zhí)行寫周期時，當?shù)谝婚_關(guān)24從接通態(tài)切換成關(guān)斷態(tài)時，生成由第一開關(guān)的寄生電容Cgs造成的饋通電壓，并把它供給第一電容Cs。相應(yīng)地，第一電容Cs電位即驅(qū)動晶體管22的柵電位沿正向偏移。與此相對，在第一開關(guān)24處于關(guān)斷態(tài)后，當?shù)诙_關(guān)26從關(guān)斷態(tài)切換至接通態(tài)時，第二開關(guān)的源電位沿負電位方向偏移。這一沿負向的電位偏移通過設(shè)置在第二開關(guān)26的源與驅(qū)動晶體管22的柵之間的第二電容Cx，發(fā)送到驅(qū)動晶體管22的柵。據(jù)此，在第二開關(guān)26的源產(chǎn)生的負偏移補償?shù)谝婚_關(guān)24關(guān)斷時產(chǎn)生的柵電位的正偏移，還補償了驅(qū)動晶體管22的柵電位變化量。
為補償柵控電壓變化，第二電容Cx的電容值最好使上述柵電位的正負偏移之和為零。第二電容Cx的電容值可通過控制電容面積來調(diào)節(jié)，設(shè)置時要考慮寄生電容Cgs、第一電容Cs、第一開關(guān)24的控制信號Sa的接通態(tài)與關(guān)斷態(tài)電位差。
例如，給定Cgs＝0.01PF，Cs＝tPF，第一開關(guān)24的接通態(tài)與關(guān)斷態(tài)電位差ΔVs1＝15伏，則驅(qū)動晶體管22在關(guān)斷第一開關(guān)24時產(chǎn)生的柵電位偏移量ΔVg1，即產(chǎn)生的饋通電壓近似為ΔVg1＝{Cgs/(Cgs+Cs)}×ΔVs1，而且規(guī)定ΔVg1＝150mv。
另一方面，驅(qū)動晶體管22在接通第二開關(guān)26時的柵電位偏移量ΔVg2，則取決于源電位偏移量ΔVs2和第二開關(guān)的第二電容Cx，近似為ΔVg2＝{Cx/(Cx+Cs)}×ΔVs2第二開關(guān)26的源電位偏移量ΔVs2，表示為驅(qū)動晶體管22在圖像信號寫操作時的漏電位與有機EL元件16在發(fā)光操作時的陽極電位之差，約-5伏。
只要用這些值決定導致ΔVg1+ΔVg2＝0的第二電容Cx，它就定為0.03PF，故能根據(jù)該值確定該電容面積，如在用100μm厚的氧化膜作介質(zhì)的電容中，相當于0.03PF的電容面積為9×9μm＝81μm2。若第二電容Cx有這樣的面積，則對顯示像素Px加第二電容時，則面積很少有限制。
如上所述，在本例有機EL顯示設(shè)備中，第二電容Cx置于第二開關(guān)26的源與驅(qū)動晶體管22的柵之間，能補償驅(qū)動晶體管在切斷第一開關(guān)24時產(chǎn)生的柵電位變化。因此在可靠地執(zhí)行圖像信號寫操作時，可減少驅(qū)動晶體管的柵控電壓因饋通電壓引起的變化或不規(guī)則的影響，也抑制了多個顯示像素之間的亮度不規(guī)則性。另外，驅(qū)動電路不必為了補償柵控電壓變化而提供過多的電流量，得到足夠的白光亮度無需提高驅(qū)動電壓和增大驅(qū)動電路的尺寸并增加其制造成本。相應(yīng)地，提供的有源陣列型有機EL顯示設(shè)備。防止了顯示的不均性，改進了顯示質(zhì)量。
如此例所示，較佳地把第二電容Cx置為ΔVg1+ΔVg2＝0。但本發(fā)明并不限于此，只要第二電容Cx的電容值能補償在切斷第一開關(guān)24時產(chǎn)生的至少一部分電位變化，就可取得減小柵控電位變化的效果。
平行板型電容被用作第二電容Cx，但也可使用平行互接線電容。如在有機EL元件發(fā)光效率高時，或不需要高的顯示屏白光亮度時，可將有機EL顯示設(shè)備中有機EL元件的光發(fā)射電壓和驅(qū)動像素電路的電壓做得較低。舉例說，給定第一開關(guān)24的接通態(tài)與關(guān)斷態(tài)電位之差ΔVs1為10伏，其它條件與上例相同，則第二電容Cx所需的電容值為0.02PF。如圖6所示，可用平行互接線電容構(gòu)成具有這種電容值的第二電容Cx。即，至少有一對接線，這些接線以預(yù)定的間隙平行安置，無需相互重迭。
當平行互接線電容用作第二電容Cx時，與平行板型電容相比，優(yōu)點是可完全避免層間短路，如用間距1μm、平行長度80μm的平行接線能構(gòu)成0.02PF的電容。至圖6的第二實施例中，除了第二電容Cx外，其它配置均與第一實施例同，與第一例相同的部分采用同樣的標號，并不再詳述。
有機EL顯示設(shè)備的像素電路不僅可構(gòu)成電路信號制像素電路，也可構(gòu)成電壓信號制像素電路。圖7示出本發(fā)明第三實施例中有機EL顯示設(shè)備的顯示像素PX。各顯示像素PX包括有機EL元件16自發(fā)光元件和對其提供驅(qū)動電流的像素電路18，后者是一電壓信號制像素電路，按電壓信號構(gòu)成的圖像信號控制有機EL元件16的發(fā)光射，它包括像素開關(guān)20、驅(qū)動晶體管22、第一開關(guān)24、第二開關(guān)26、第一電容Cs1、第二電容Cx和第三電容Cs2。像素開關(guān)20、驅(qū)動晶體管22、第一開關(guān)24和第二開關(guān)26，都用同一導電型晶體管例如P溝型薄膜晶體管配制。
驅(qū)動晶體管22的源接高電位第二電壓電源線Vdd。第一電容Cs1接在驅(qū)動晶體管22的柵、源之間。驅(qū)動晶體管22的柵經(jīng)第三電容Cs2接像素開關(guān)20的漏，像素開關(guān)的源接信號導線X。
驅(qū)動晶體管22的漏接第二開關(guān)26的源，第二開關(guān)的漏接有機EL元件16的陽極，有機EL元件16的陰極接低壓位第一電壓電源線Vss。第二電容Cx由例如平行板型電容組成，接在第二開關(guān)26的源與驅(qū)動晶體管22的柵之間。
從信號導線驅(qū)動電路(未示出)輸出并由電壓信號組成的圖像信號Data，經(jīng)信號導線X輸入各像素電路18。控制信號Sa、Sb和掃描線驅(qū)動電路(未示出)產(chǎn)生的控制信號Sc，分別把像素開關(guān)20，第一開關(guān)24和第二開關(guān)26控制成接通與斷開。
在第三實施例中，因第二電容Cx設(shè)在第二開關(guān)26的源與驅(qū)動晶體管22的柵之間，故能補償驅(qū)動晶體管的柵電位在關(guān)斷第一開關(guān)24時產(chǎn)生的變化。據(jù)此，在完成第五次抵消操作時，能減小驅(qū)動晶體管的柵控電壓被饋通電壓造成變化或不規(guī)則的影響，還抑制了多個顯示像素之間亮度的不規(guī)則性。因此，得到的有源陣列型有機EL顯示設(shè)備可防止出現(xiàn)顯示不均性，改進了顯示質(zhì)量，不必提高驅(qū)動電壓和增大驅(qū)動電路尺寸，不會增加其制造成本。
本發(fā)明并不限于上述諸實施例，諸元件可在不違背本發(fā)明要旨的范圍內(nèi)在實施階段予以修改和具體化。再者，由于上述諸實施例揭示的眾多元件可適當組合，故能構(gòu)成各種發(fā)明，如可從實施例示出的所有元件中剔除某些元件。而且，可以適當組合不同實施例的元件范圍。
在上述諸實施例中，組成像素電路的所有薄膜晶體管都由同樣的導電型晶體管即這里的P溝道型晶體管構(gòu)成，但也可用N溝道型薄膜晶體管配置。而且，像素電路可通過把不同傳導型的薄膜晶體管組合在一起構(gòu)成，僅像素開關(guān)和第一開關(guān)由N溝道型薄膜晶體管組成，而驅(qū)動晶體管和第二開關(guān)由P溝道型晶體管組成。
薄膜晶體管的半導體層不僅用多晶硅配置，也可用無定形硅配置。組成顯示元件的自發(fā)光元件不限于有機EL元件，可應(yīng)用能自身發(fā)光的各種發(fā)光元件。
工業(yè)適用性根據(jù)本發(fā)明，在提供的有源陣列型顯示設(shè)備中，饋通電壓造成的驅(qū)動晶體管的電位變化得到補償，顯示質(zhì)量有了提高。
權(quán)利要求
1.一種有源陣列型顯示設(shè)備，其特征在于包括自發(fā)光元件，它連接第一電壓電源線，按施加的電流發(fā)光；驅(qū)動晶體管，它接在第二電壓電源線與自發(fā)光元件之間，按柵控電壓控制供給自發(fā)光元件的電流量；第一開關(guān)，由晶體管構(gòu)成，接在驅(qū)動晶體管的柵、漏之間；第一電容，接驅(qū)動晶體管的柵；第二開關(guān)，由晶體管構(gòu)成，接在驅(qū)動晶體管的漏與自發(fā)光元件之間；和第二電容，接在第二開關(guān)與驅(qū)動晶體管的柵之間。
2.如權(quán)利要求1所述的有源陣列型顯示設(shè)備，其中第二電容有一電容值，其中第一開關(guān)關(guān)斷時產(chǎn)生的柵控電壓偏移量與第二開關(guān)接通時產(chǎn)生的柵控電壓偏移量之和基本上為零。
3.如權(quán)利要求1所述的有源陣列型顯示設(shè)備，其中驅(qū)動晶體管、第一開關(guān)和第二開關(guān)分別由半導體層為多晶硅的薄膜晶體管構(gòu)成。
4.如權(quán)利要求1所述的有源陣列型顯示設(shè)備，其中第一和第二開關(guān)分別由同一半導體的薄膜晶體管構(gòu)成，第二開關(guān)的漏接自發(fā)光元件，第二開關(guān)的源接驅(qū)動晶體管的漏，而第二電容接在第二開關(guān)的源與驅(qū)動晶體管的柵之間。
5.如權(quán)利要求1所述的有源陣列型顯示設(shè)備，其中第二電容由平行板電容構(gòu)成。
6.如權(quán)利要求1所述的有源陣列型顯示設(shè)備，其中第二電容由平行互接線電容構(gòu)成。
7.如權(quán)利要求1～6所述的有源陣列型顯示設(shè)備，其中根據(jù)電流信號設(shè)置提供的電流。
8.如權(quán)利要求1～6所述的有源陣列型顯示設(shè)備，其中自發(fā)光元件有一對相互面對的電極和位于電極間的有機發(fā)射層。
全文摘要
分別排成陣列形式的多個顯示像素PX具有按圖像信號控制流入自發(fā)光元件(16)的電流量的驅(qū)動晶體管(22)、由晶體管構(gòu)成并接在驅(qū)動晶體管的柵、漏間的第一開關(guān)(24)、以及由晶體管構(gòu)成并接在驅(qū)動晶體管與自發(fā)光元件之間的第二開關(guān)(26)。第一電容Cs置于驅(qū)動晶體管和漏之間，和第二電容Cx置于第二開關(guān)與驅(qū)動晶體管的柵之間。
文檔編號G09G3/30GK1698087SQ2004800001
公開日2005年11月16日 申請日期2004年5月14日 優(yōu)先權(quán)日2003年5月16日
發(fā)明者澁澤誠 申請人:東芝松下顯示技術(shù)有限公司