專利名稱：預(yù)充電致發(fā)光面板的設(shè)備和方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種電致發(fā)光顯示器(ELD)，更具體地說，涉及一種預(yù)充電致發(fā)光顯示器的設(shè)備和方法，其中存儲電容可以在期望的時間內(nèi)預(yù)充。
背景技術(shù)：
近來，能夠克服陰極射線管(CRT)的缺點且重量輕、體積小的各種平板顯示裝置已經(jīng)閃亮出現(xiàn)，這些平板顯示裝置包括液晶顯示器(LCD)、場致發(fā)光顯示器(FED)、等離子顯示板(PDP)和電致發(fā)光(EL)顯示板等。
這些顯示裝置中的EL顯示板是一種能夠通過電子和空穴復(fù)合而發(fā)射一磷光物質(zhì)的自發(fā)光型裝置。EL顯示板通常分為采用無機化合物作為磷光物質(zhì)的無機EL裝置和采用有機化合物作為磷光物質(zhì)的有機EL顯示裝置。與其它顯示裝置不同，這種EL顯示板可以由低驅(qū)動電壓(例如，10V)驅(qū)動，并且由于其自身發(fā)光的特性而具有很好的聲譽。而且，與LCD不同，EL顯示板由于不需要背光可以做成很薄的厚度。由于EL顯示板具有許多與LCD相比的優(yōu)點，比如更寬的視角、更快的響應(yīng)時間等，EL顯示板已經(jīng)成為劃時代的顯示裝置。
有機EL裝置由電子注入層、電子載流子層、發(fā)光層、空穴載流子層和空穴注入層組成。在該有機EL裝置中，當(dāng)預(yù)定的電壓提供在陽極和陰極之間時，由陰極產(chǎn)生的電子經(jīng)電子注入層和電子載流子層注入到發(fā)光層，同時，由陽極產(chǎn)生的空穴經(jīng)空穴注入層和空穴載流子層注入到發(fā)光層。這樣，發(fā)光層通過由電子載流子層和空穴載流子層注入的電子和空穴復(fù)合而發(fā)光。
參照圖1，使用上述的有機EL裝置的有源矩陣型EL顯示板包括像素矩陣20，其包括多個像素PE，設(shè)置在由多條柵極線GL和多條數(shù)據(jù)線DL交叉限定的每一像素區(qū)內(nèi)；柵極驅(qū)動器22，用于驅(qū)動像素矩陣20的柵極線GL以及數(shù)據(jù)驅(qū)動器24，用于驅(qū)動像素矩陣20的數(shù)據(jù)線DL。
在掃描脈沖提供給柵極線GL時，每一像素PE從數(shù)據(jù)線DL接收視頻數(shù)據(jù)信號(以后簡稱為“數(shù)據(jù)信號”)，從而產(chǎn)生對應(yīng)于數(shù)據(jù)信號的光。
為此，如圖2所示，每一像素PE包括其陰極連接到地電壓源GND的EL單元OLED和用于驅(qū)動EL單元OLED且連接在柵極線GL、數(shù)據(jù)線DL、電源VDD和EL單元OLED的陽極之間的單元驅(qū)動器16。
所述單元驅(qū)動器16包括連接到電壓提供線VDD的第一開關(guān)薄膜晶體管(TFT)T1，連接在電壓提供線VDD和EL單元OLED陽極之間的用于形成第一TFT T1的鏡像電路的第二TFT T2，連接在數(shù)據(jù)線DL和第一TFT T1之間并由柵極線GL控制的第三開關(guān)TFT T3，連接在第三TFT T3和第一與第二TFT T1與T2的柵極之間并由柵極線GL控制的第四開關(guān)TFT T4以及連接在電壓提供線VDD和第一與第二TFT T1與T2的柵極之間的存儲電容Cst。
如果掃描脈沖提供給柵極線GL，第三和第四TFT T3和T4導(dǎo)通，同時將數(shù)據(jù)線DL上的數(shù)據(jù)信號(即，電流信號)提供給第一與第二TFT T1與T2的柵極，從而將用于驅(qū)動第一和第二TFT T1和T2的驅(qū)動電壓充電到存儲電容Cst。這樣，對應(yīng)于存儲在存儲電容Cst中的驅(qū)動電壓的電流流入第一TFT T1，第二TFT T2復(fù)制第一TFT T1中的電流并提供給EL單元OLED，從而使得EL單元發(fā)射與提供的電流成比例的光。而且，即使第三和第四開關(guān)TFT T3和T4截止，充在存儲電容Cst中的驅(qū)動電壓在下一幀數(shù)據(jù)信號到來之前，使第一和第二TFT T1和T2仍能提供一定的電流，從而維持EL單元OLED發(fā)光。
柵極驅(qū)動器22提供掃描脈沖，以順序驅(qū)動?xùn)艠O線GL1到GLm。
在通過電流陷電路(current sink circuit)施加掃描脈沖時，數(shù)據(jù)驅(qū)動器24的數(shù)據(jù)提供器28將數(shù)據(jù)信號即電流信號提供給數(shù)據(jù)線DL。此時，由于數(shù)據(jù)提供器28使用很小的電流，將存儲電容Cst充電到期望的驅(qū)動電壓需要很長時間。這樣，當(dāng)欲通過減少驅(qū)動電壓和電源VDD之間的壓差來實現(xiàn)低灰度級顯示，因為需要提供給存儲電容Cst大電流，所以將存儲電容Cst充電為低灰度級的驅(qū)動電壓變得困難。
為了解決低灰度級充電問題，數(shù)據(jù)驅(qū)動器24還包括一預(yù)充裝置26。預(yù)充裝置26在數(shù)據(jù)信號提供給數(shù)據(jù)線DL1到DLn之前將一預(yù)充信號預(yù)充到每一像素PE的存儲電容Cst，從而減少了低灰度級驅(qū)動電壓的充電時間。
更具體地，如圖3所示，在低電壓掃描脈沖提供給第k條柵極線GLk的時間間隔內(nèi)，在數(shù)據(jù)提供器28提供數(shù)據(jù)信號IDk之前預(yù)充裝置26提供一預(yù)充信號P，從而在第k條水平線上給存儲電容Cst預(yù)充。然后，在掃描脈沖提供給第k+1條柵極線GLk+1的時間間隔內(nèi)，在提供數(shù)據(jù)信號IDk+1之前預(yù)充裝置26提供一預(yù)充信號P，從而也在第k+1條水平線上預(yù)充存儲電容Cst。
這樣，預(yù)充裝置26通過使用電流源、電壓源或懸置法給每一像素PE的存儲電容Cst預(yù)充。
首先，如果預(yù)充裝置26使用電流源法，就必須知道精確的電容值以將數(shù)據(jù)線DL和存儲電容Cst預(yù)充到期望的電壓值。然而，由于不可能精確測量數(shù)據(jù)線DL中的寄生電容，電流源法不可行。
第二，如果預(yù)充裝置26使用電壓源法，可以將一定的電壓提供給存儲電容Cst。但是，由于面板的電源提供線VDD中產(chǎn)生的壓降，實際預(yù)充到存儲電容Cst中的電壓隨著存儲電容Cst的位置不同而不同。
第三，在預(yù)充裝置26的懸置法中，懸置數(shù)據(jù)線DL，使用每一像素的放電電流將存儲電容Cst預(yù)充為期望電壓。理論上，懸置法可以預(yù)充存儲電容而與電壓提供線VDD上的壓降無關(guān)。然而，實際上，由于彼此以二極管連接的EL單元OLED的電阻很大，不可能在預(yù)充時間間隔內(nèi)通過大約幾百nA的小放電電流有效地將電荷放電到數(shù)據(jù)線DL上，所以，懸置法仍然存在問題。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明的一個目的是提供一種預(yù)充電致發(fā)光顯示板的方法和設(shè)備，其中存儲電容可以在期望的時間內(nèi)預(yù)充。
本發(fā)明的另一個目的是提供一種預(yù)充電致發(fā)光顯示板的方法和設(shè)備，其中存儲電容可以均衡地預(yù)充而與存儲電容的位置無關(guān)。
本發(fā)明的再一目的是使用上述預(yù)充方法和設(shè)備驅(qū)動電致發(fā)光顯示板的方法和設(shè)備。
為了實現(xiàn)這些目的和其他優(yōu)點，按照本發(fā)明一方面的電致發(fā)光顯示板的預(yù)充設(shè)備由以下部分組成一像素矩陣，所述像素矩陣包括多個像素PE，設(shè)置在由多條柵極線GL和多條數(shù)據(jù)線DL交叉限定的每一像素區(qū)內(nèi)，所述像素具有連接到第一電壓源的EL單元；和單元驅(qū)動器，連接到柵極線和數(shù)據(jù)線并位于第二電壓源和EL單元之間；一預(yù)充裝置，所述預(yù)充裝置使用一預(yù)充電壓將包括在單元驅(qū)動器中的存儲電容預(yù)充為第一預(yù)充電壓，然后在提供數(shù)據(jù)信號之前的預(yù)充周期內(nèi)懸置數(shù)據(jù)線，從而通過所述存儲電容中的第一預(yù)充電壓放電而獲得第二預(yù)充電壓。
在預(yù)充裝置中，單元驅(qū)動器包括用于在第二電壓源和EL單元之間形成電流鏡像的第一和第二薄膜晶體管，并且在所述第一和第二薄膜晶體管的柵極和用于提供所述第二電壓的第二電壓提供線之間連接有所述的存儲電容；連接在數(shù)據(jù)線和第一薄膜晶體管之間并由柵極線控制的第三薄膜晶體管；以及連接在第三薄膜晶體管和存儲電容之間的第四薄膜晶體管。
這里，所述第二預(yù)充電壓為第一薄膜晶體管的閾值電壓。
所述預(yù)充電壓低于一電壓差(VDD-Vf-Vth)，所述電壓差為考慮壓降(Vf)而提供給每一像素的第二提供電壓(VDD-Vf)與第一薄膜晶體管的閾值電壓(Vth)之間的差值。
預(yù)充裝置包括第一開關(guān)，在所述預(yù)充周期內(nèi)，在提供數(shù)據(jù)信號的數(shù)據(jù)提供器和數(shù)據(jù)線之間打開；以及第二開關(guān)，在所述預(yù)充周期的第一預(yù)充間隔內(nèi)將所述預(yù)充電壓提供給數(shù)據(jù)線。
在所述預(yù)充周期的第二預(yù)充間隔內(nèi)，第一和第二開截止開，從而懸置數(shù)據(jù)線。
所述第二預(yù)充間隔長于所述第一預(yù)充間隔。
按照本發(fā)明另一方面的電致發(fā)光(EL)顯示板的預(yù)充方法包括第一預(yù)充間隔，使用一預(yù)充電壓，將連接到數(shù)據(jù)線和提供有掃描脈沖的柵極線的每一像素的存儲電容預(yù)充為第一預(yù)充電壓；以及第二預(yù)充間隔，懸置數(shù)據(jù)線以通過存儲電容中的第一預(yù)充電壓放電而獲得第二預(yù)充電壓。
在該方法中，EL顯示板包括多個EL單元，設(shè)置在由多條柵極線GL和多條數(shù)據(jù)線DL交叉限定的像素區(qū)域內(nèi)并連接到第一電壓源；一單元驅(qū)動器，連接在柵極線、數(shù)據(jù)線、第二電壓源和EL單元之間，所述單元驅(qū)動器具有第一和第二薄膜晶體管，用于在第二電壓源和EL單元之間形成電流鏡像，并且使存儲電容連接在用于提供所述第二電壓的第二電壓提供線和柵極之間；第三薄膜晶體管，連接在數(shù)據(jù)線和第一薄膜晶體管之間并由柵極線控制；以及第四薄膜晶體管，連接在第三薄膜晶體管和存儲電容之間，其中所述第二預(yù)充電壓為第一薄膜晶體管的閾值電壓。
在該方法中，所述預(yù)充電壓低于一電壓差(VDD-Vf-Vth)，所述電壓差為考慮壓降(Vf)而提供給每一像素的第二提供電壓(VDD-Vf)與第一薄膜晶體管的閾值電壓(Vth)之間的差值。
所述第二預(yù)充間隔長于所述第一預(yù)充間隔。
按照本發(fā)明再一方面的一種電致發(fā)光(EL)顯示板的預(yù)充設(shè)備，包括預(yù)充裝置，用于對每一像素的存儲電容預(yù)充，所述像素連接到提供有掃描脈沖的柵極線，在數(shù)據(jù)信號提供給存儲電容之前至少通過預(yù)充周期的兩個步驟。
按照本發(fā)明再一方面的一種電致發(fā)光(EL)顯示板的預(yù)充方法，包括對每一像素的存儲電容預(yù)充的步驟，所述像素連接到提供有掃描脈沖的柵極線，在數(shù)據(jù)信號提供給存儲電容之前至少通過預(yù)充周期的兩個步驟。


本申請所包含的附圖用于進一步理解本發(fā)明，其與說明書相結(jié)合并構(gòu)成說明書的一部分，所述附圖表示本發(fā)明的實施例并與說明書一起解釋本發(fā)明的原理。附圖中圖1示出了傳統(tǒng)電致發(fā)光顯示板結(jié)構(gòu)的示意性方框圖；圖2示出了圖1所示的每一像素的詳細電路圖；圖3示出了用于解釋圖1所示的電致發(fā)光顯示板的預(yù)充方法的驅(qū)動波形圖；圖4示出了按照本發(fā)明一實施例的包括有預(yù)充設(shè)備的電致發(fā)光顯示板結(jié)構(gòu)的電路圖；圖5示出了用于解釋圖4所示的電致發(fā)光顯示板的預(yù)充方法的驅(qū)動波形圖；圖6示出了相對表示預(yù)充到連接到第一和第N條柵極線的像素的存儲電容的電壓的波形圖。
具體實施例方式
現(xiàn)在將詳細說明在附圖中表示的本發(fā)明的優(yōu)選實施例。
此后，將通過附圖4到6對本發(fā)明的優(yōu)選實施例詳細描述。
圖4示出了按照本發(fā)明一實施例的包括有預(yù)充設(shè)備的電致發(fā)光顯示板部分結(jié)構(gòu)的電路圖，圖5示出了用于解釋按照本發(fā)明一實施例的預(yù)充方法的驅(qū)動波形圖。
參照圖4，EL顯示板包括像素矩陣50，其包括在由多條柵極線GL和多條數(shù)據(jù)線DL交叉限定的每一區(qū)域內(nèi)設(shè)置的多個像素PE，用于驅(qū)動像素矩陣50的柵極線GL的柵極驅(qū)動器(未示出)以及用于驅(qū)動像素矩陣50的數(shù)據(jù)線DL的數(shù)據(jù)驅(qū)動器40。
在掃描脈沖提供給柵極線GL時，每一像素PE從數(shù)據(jù)線DL接收視頻數(shù)據(jù)信號(以后簡稱為“數(shù)據(jù)信號”)，從而產(chǎn)生對應(yīng)于數(shù)據(jù)信號的光。
為此，每一像素PE包括其陰極連接到地電壓源GND的EL單元OLED和用于驅(qū)動EL單元OLED且連接在柵極線GL、數(shù)據(jù)線DL、電源VDD和EL單元OLED的陽極之間的單元驅(qū)動器54。
所述單元驅(qū)動器54包括連接到電壓提供線VDD的第一開關(guān)薄膜晶體管(TFT)T1，連接在電壓提供線VDD和EL單元OLED陽極之間的用于形成第一TFT T1的鏡像電路的第二TFT T2，連接在數(shù)據(jù)線DL和第一TFT T1之間并由柵極線GL控制的第三開關(guān)TFT T3，連接在第三TFT T3和第一與第二TFT T1與T2的柵極之間并由柵極線GL控制的第四開關(guān)TFT T4以及連接在電壓提供線VDD和第一與第二TFT T1與T2的柵極之間的存儲電容Cst。
如果掃描脈沖提供給柵極線GL，第三和第四TFT T3和T4導(dǎo)通，同時將數(shù)據(jù)線DL上的數(shù)據(jù)信號(即，電流信號)提供給第一與第二TFT T1與T2的柵極，從而將用于驅(qū)動第一和第二TFT T1和T2的驅(qū)動電壓充到存儲電容Cst。這樣，對應(yīng)于存儲在存儲電容Cst中的驅(qū)動電壓的電流流入第一TFT T1，第二TFT T2復(fù)制流第一TFT T1中的電流并提供給EL單元OLED，從而使得EL單元發(fā)射與提供的電流成比例的光。而且，即使第三和第四開關(guān)TFT T3和T4截止，充在存儲電容Cst中的驅(qū)動電壓在下一幀數(shù)據(jù)信號到來之前，使第一和第二TFT T1和T2仍能提供一定的電流，從而維持EL單元OLED發(fā)光。
柵極驅(qū)動器提供掃描脈沖，以順序驅(qū)動?xùn)艠O線GL1到GLm。
數(shù)據(jù)驅(qū)動器40包括用于將數(shù)據(jù)信號提供給數(shù)據(jù)線DL的數(shù)據(jù)提供器42以及在提供數(shù)據(jù)信號之前給每一像素PE預(yù)充的存儲電容Cst的預(yù)充裝置44。
在通過電流陷電路施加掃描脈沖時，數(shù)據(jù)提供器42將數(shù)據(jù)信號即電流信號ID提供給數(shù)據(jù)線DL。
在掃描脈沖提供給柵極線GL的每一時間間隔，在數(shù)據(jù)提供器42提供數(shù)據(jù)信號ID之前，預(yù)充裝置44通過兩步預(yù)充的方法將存儲電容Cst預(yù)充為期望的驅(qū)動電壓。例如，如圖5所示，在低電壓掃描脈沖提供給第k條柵極線GLk的時間間隔，在數(shù)據(jù)提供器42提供數(shù)據(jù)信號IDk之前，預(yù)充裝置44通過第一預(yù)充步驟P1和第二預(yù)充步驟P2在第k條水平線上預(yù)充存儲電容。然后，在掃描脈沖提供給第k+1條柵極線GLk+1的時間間隔，在提供數(shù)據(jù)信號IDk+1之前，預(yù)充裝置44也通過第一預(yù)充步驟P1和第二預(yù)充步驟P2在第k+1條水平線上預(yù)充存儲電容Cst。
更具體地，預(yù)充裝置44采用在第一預(yù)充步驟P1懸置預(yù)充電壓Vpc、在第二預(yù)充步驟P2懸置數(shù)據(jù)線DL的方案。為此，預(yù)充裝置44包括響應(yīng)第一控制信號LOAD，在預(yù)充周期使數(shù)據(jù)提供器42和數(shù)據(jù)線DL開路(making an open)的第一開關(guān)SW1；以及響應(yīng)第二控制信號PCE，將預(yù)充電壓Vpc提供給數(shù)據(jù)線DL的第二開關(guān)SW2。
如圖5所示，在掃描脈沖提供給每一條柵極線GLk+1和GLk的時間間隔而且第一控制信號LOAD處于低電平時，第一開關(guān)SW1在預(yù)充周期使數(shù)據(jù)提供器42和數(shù)據(jù)線DL之間開路。
如圖5所示，在第一預(yù)充周期P1，第二控制信號PCE處于高電平時，第二開關(guān)SW2在第一預(yù)充步驟P1將一定的預(yù)充電壓Vpc提供給數(shù)據(jù)線DL。這樣，預(yù)充裝置44給連接到數(shù)據(jù)線DL和提供掃描脈沖的柵極線GLk和GLk+1的每一像素PE的存儲電容預(yù)充。此時，存儲電容Cst預(yù)充的電源VDD與預(yù)充電壓Vpc之間的電壓差值(VDD-Vpc)。這里，預(yù)充電壓Vpc低于最終預(yù)充的目標(biāo)電壓以補償電壓提供線上VDD的壓降。
接著，在第二預(yù)充周期P2，隨著響應(yīng)第一和第二控制信號LOAD和PCE，第一和第二開關(guān)SW1和SW2各自截止，數(shù)據(jù)線DL處于懸置狀態(tài)。這樣，存儲在相應(yīng)像素PE的存儲電容中的電壓(VDD-Vpc)通過第一TFT T1向電壓提供線VDD放電。結(jié)果，預(yù)充在存儲電容Cst中的電壓最后變成每一像素的電源VDD與第一TFT T1的閾值電壓之間的電壓差(VDD-Vth)。這樣，即使電壓提供線VDD隨著像素PE的位置不同而產(chǎn)生壓降，每一存儲電容Cst預(yù)充一比提供給每一像素的電源VDD低第一TFT T1的閾值電壓Vth的電壓，從而補償了電源VDD的壓降。換句話說，存儲電容Cst可以預(yù)充一恒定電壓，而與每一像素的位置即電源VDD的壓降無關(guān)。
例如，如圖6所示，連接到第一條柵極線GL1的每一像素PE的存儲電容Cst，通過上述的第一和第二預(yù)充步驟P1和P2，預(yù)充一電源VDD和第一TFT T1的閾值電壓Vth之間的壓差(VDD-Vth)而幾乎沒有任何壓降。而且，連接到第n條柵極線GLn的每一像素PE的存儲電容Cst，通過上述的第一和第二預(yù)充步驟P1和P2，預(yù)充一具有壓降的電壓(VDD-Vf)和第一TFT T1的閾值電壓Vth之間的壓差{(VDD-Vth)-Vth}。這樣，連接到第一條柵極線GL1的像素PE的存儲電容以及連接到第n條柵極線GLn的像素PE的存儲電容Cst預(yù)充一比提供給每一像素的電源VDD低第一TFT T1的閾值電壓Vth的電壓，而與電壓提供線VDD的壓降無關(guān)，從而補償電源VDD的壓降。
而且，如圖6所示，在第一預(yù)充周期P1，存儲電容Cst通過預(yù)充電壓Vpc預(yù)充為一接近最終預(yù)充電壓的電壓值，從而可能通過懸置法，在預(yù)定的第二預(yù)充周期P2內(nèi)將電荷放電到數(shù)據(jù)線DL上。這里，預(yù)充電壓Vpc低于最終預(yù)充的目標(biāo)電壓(即，VDD-Vf-Vth)，從而補償電源VDD的壓降。這樣，為了充分放電，使用懸置法的第二預(yù)充周期P2比使用預(yù)充電壓Vpc的第一預(yù)充周期P1長些。
如上所述，按照本發(fā)明，借助預(yù)充電壓和懸置法，可以使用一恒值電壓預(yù)充而與電壓提供線的壓降無關(guān)。而且，按照本發(fā)明，在使用懸置法之前，預(yù)充電壓值接近于最終預(yù)充電壓，從而可以在預(yù)定的時間內(nèi)充分放電以達到目標(biāo)預(yù)充電壓。
盡管如上述的，通過附圖所示的實施例解釋了本發(fā)明，但是本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)該理解，本發(fā)明并不局限于所述實施例，無需脫離本發(fā)明的原理和范圍還能對本發(fā)明的作出各種各樣的修改和變更。因此，本發(fā)明意在覆蓋權(quán)利要求書及其等效物范圍內(nèi)的修改和變更。
權(quán)利要求
1.一種電致發(fā)光顯示板的預(yù)充裝置，包括一像素矩陣，包括設(shè)置在由多條柵極線GL和多條數(shù)據(jù)線DL交叉限定的像素區(qū)的多個像素PE，所述像素具有連接到第一電壓源的電致發(fā)光EL單元和連接到柵極線和數(shù)據(jù)線并位于第二電壓源和EL單元之間的單元驅(qū)動器；以及一預(yù)充裝置，用于使用一預(yù)充電壓源將包括在單元驅(qū)動器中的存儲電容預(yù)充為第一預(yù)充電壓，然后在提供數(shù)據(jù)信號之前的預(yù)充周期內(nèi)懸置數(shù)據(jù)線，從而通過所述存儲電容中的第一預(yù)充電壓放電而獲得第二預(yù)充電壓。
2.按照權(quán)利要求1所述的預(yù)充裝置，其特征在于，所述單元驅(qū)動器包括第一和第二薄膜晶體管，用于在第二電壓源和EL單元之間形成電流鏡像，并且使所述存儲電容連接在用于提供所述第二電壓的第二電壓提供線和其柵極之間；第三薄膜晶體管，連接在數(shù)據(jù)線和由柵極線控制的第一薄膜晶體管之間；以及，第四薄膜晶體管，連接在第三薄膜晶體管和存儲電容之間。
3.按照權(quán)利要求2所述的預(yù)充裝置，其特征在于，所述第二預(yù)充電壓為第一薄膜晶體管的閾值電壓。
4.按照權(quán)利要求3所述的預(yù)充裝置，其特征在于，所述預(yù)充電壓低于一電壓差(VDD-Vf-Vth)，所述電壓差為考慮壓降(Vf)而提供給每一像素的第二提供電壓(VDD-Vf)與第一薄膜晶體管的閾值電壓(Vth)之間的差值。
5.按照權(quán)利要求1所述的預(yù)充裝置，其特征在于，所述預(yù)充裝置包括第一開關(guān)，用于在所述預(yù)充周期內(nèi)，在提供所述數(shù)據(jù)信號的數(shù)據(jù)提供器和數(shù)據(jù)線之間開路；以及第二開關(guān)，用于在所述預(yù)充周期的第一預(yù)充間隔內(nèi)，將所述預(yù)充電壓提供給數(shù)據(jù)線。
6.按照權(quán)利要求5所述的預(yù)充裝置，其特征在于，在所述預(yù)充周期的第二預(yù)充間隔內(nèi)，第一和第二開截止開，從而懸置數(shù)據(jù)線。
7.按照權(quán)利要求6所述的預(yù)充裝置，其特征在于，所述第二預(yù)充間隔長于所述第一預(yù)充間隔。
8.一種電致發(fā)光(EL)顯示板的預(yù)充方法，包括第一預(yù)充間隔，使用一預(yù)充電壓，將連接到數(shù)據(jù)線和提供有掃描脈沖的柵極線的每一像素的存儲電容預(yù)充為第一預(yù)充電壓；以及第二預(yù)充間隔，懸置數(shù)據(jù)線以通過存儲電容中的第一預(yù)充電壓放電而獲得第二預(yù)充電壓。
9.按照權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，所述EL顯示板包括多個EL單元，設(shè)置在由多條柵極線GL和多條數(shù)據(jù)線DL交叉限定的像素區(qū)內(nèi)并連接到第一電壓源；一單元驅(qū)動器，連接在柵極線、數(shù)據(jù)線、第二電壓源和EL單元之間，所述單元驅(qū)動器具有第一和第二薄膜晶體管，用于在第二電壓源和EL單元之間形成電流鏡像，并且使存儲電容連接在用于提供所述第二電壓的第二電壓提供線和柵極之間；第三薄膜晶體管，連接在數(shù)據(jù)線和第一薄膜晶體管之間并由柵極線控制；以及第四薄膜晶體管，連接在第三薄膜晶體管和存儲電容之間；其中，所述第二預(yù)充電壓為第一薄膜晶體管的閾值電壓。
10.按照權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于，所述預(yù)充電壓低于一電壓差(VDD-Vf-Vth)，所述電壓差為考慮壓降(Vf)而提供給每一像素的第二提供電壓(VDD-Vf)與第一薄膜晶體管的閾值電壓(Vth)之間的差值。
11.按照權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，所述第二預(yù)充間隔長于所述第一預(yù)充間隔。
12.一種電致發(fā)光(EL)顯示板的預(yù)充裝置，包括多個預(yù)充裝置，用于給每一像素的存儲電容預(yù)充，所述像素連接到提供掃描脈沖的柵極線，在數(shù)據(jù)信號提供給存儲電容之前至少通過預(yù)充周期兩個步驟。
13.一種電致發(fā)光(EL)顯示板的預(yù)充方法，包括給每一像素的存儲電容預(yù)充，所述像素連接到提供有掃描脈沖的柵極線，在數(shù)據(jù)信號提供給存儲電容之前至少通過預(yù)充周期的兩個步驟。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種預(yù)充電致發(fā)光顯示器的裝置和方法，其中存儲電容可以在期望的時間內(nèi)預(yù)充。在該裝置中，一像素矩陣包括在由多條柵極線GL和多條數(shù)據(jù)線DL交叉限定的每一區(qū)域內(nèi)設(shè)置的多個像素PE，所述像素具有連接到第一電壓源的EL單元和連接到柵極線和數(shù)據(jù)線并位于第二電壓源和EL單元之間的單元驅(qū)動器；一預(yù)充裝置，所述預(yù)充裝置使用一預(yù)充電壓將包括在單元驅(qū)動器中的存儲電容預(yù)充為第一預(yù)充電壓，然后在提供數(shù)據(jù)信號之前的預(yù)充周期內(nèi)懸置數(shù)據(jù)線，從而通過放電所述存儲電容中的第一預(yù)充電壓獲得第二預(yù)充電壓。
文檔編號G09G3/20GK1677465SQ200410070170
公開日2005年10月5日 申請日期2004年8月4日 優(yōu)先權(quán)日2004年3月31日
發(fā)明者金性均 申請人:Lg.菲利浦Lcd株式會社