專利名稱：電路陣列基板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及電路陣列基板和包含其的平板顯示裝置，尤其涉及薄膜晶體管電路陣列基板和包含其的平板顯示裝置。
本申請(qǐng)基于并要求2003年8月18日提交的在先日本特許公開(kāi)No.2003-294584的優(yōu)先權(quán)，在此全文并入以供參考。
背景技術(shù)：
一種諸如液晶顯示裝置的平板顯示裝置包括薄膜晶體管電路陣列基板。這種薄膜晶體管電路陣列基板具有絕緣基板和按矩陣形式形成在該絕緣基板上的像素。每個(gè)像素包含像素電極、電容器和薄膜晶體管的排列。
薄膜晶體管由基板上形成的島狀多晶硅膜制成。薄膜晶體管和島狀多晶硅膜由柵極絕緣膜涂覆，在該柵極絕緣膜上依次沉積了柵電極和掃描線。此外，輔助電容器線形成于柵極絕緣膜上作為共用電容器線但它與掃描線分開(kāi)。
掃描和輔助電容器線由夾層絕緣膜覆蓋。信號(hào)線形成于夾層絕緣膜上，形成穿過(guò)其的接觸孔以便將多晶硅膜電連接到信號(hào)線。
液晶顯示裝置進(jìn)一步包括反向基板，它包含彩色濾光片絕緣層。該反向基板被設(shè)置成與電路陣列基板相對(duì)。液晶被置入電路陣列和反向基板之間限定的間隙。隨后，該間隙在其周圍被密封。如上所述的這種現(xiàn)有技術(shù)的液晶顯示裝置揭示于日本未審查的特許公開(kāi)No.2000-187248，其第4-6頁(yè)以及圖1-3。
現(xiàn)有技術(shù)的液晶顯示裝置要求大量像素顯示大量的數(shù)據(jù)。特別是，在用于R、G和B彩色顯示PC的液晶顯示裝置的情況下，其電路陣列基板必須具有幾百萬(wàn)個(gè)像素。
近來(lái)，液晶像素裝置已具有非常高級(jí)的顯示標(biāo)準(zhǔn)，其由于像素不足引起的點(diǎn)缺陷被要求盡可能的少。以足夠的收益率制造沒(méi)有點(diǎn)缺陷的液晶顯示裝置是極端困難的。因此，提供具有較少點(diǎn)缺陷的結(jié)構(gòu)的液晶顯示裝置或者制造其的方法是很重要的。
點(diǎn)缺陷像素的一個(gè)主要原因是制造用于液晶顯示裝置的電路陣列基板時(shí)靜電場(chǎng)擊穿或破壞的出現(xiàn)。在絕緣基板上形成用于薄膜晶體管、掃描線以及輔助電容器線的圖案多晶硅膜時(shí)，柵極絕緣膜被設(shè)置在多晶硅膜和掃描線之間。
隨后，通過(guò)等離子CVD機(jī)器應(yīng)用等離子體化學(xué)汽相沉積(等離子體CVD)法以便在掃描線和柵極絕緣膜上沉積和形成夾層絕緣膜。在沉積夾層絕緣膜或者將其轉(zhuǎn)移到其它某處期間，產(chǎn)生破壞薄膜晶體管的靜電場(chǎng)。
發(fā)明概述因此，本發(fā)明提供了一種電路陣列基板和包含其的平板顯示裝置，它能抑制由于靜電場(chǎng)擊穿引起的點(diǎn)缺陷同時(shí)可以提升它們的收益率。
本發(fā)明的第一方面針對(duì)一種電路陣列基板，它具有透光基板；透光基板上形成的薄膜晶體管，它具有第一半導(dǎo)體層、柵極絕緣膜和柵極線；以及形成于透光基板上的第二半導(dǎo)體層，其中柵極線通過(guò)柵極絕緣膜與第一和第二半導(dǎo)體層重疊。
本發(fā)明的第二方面針對(duì)本發(fā)明的第一方面中闡述的電路陣列基板，其中使得電容器是通過(guò)透明基板在第一半導(dǎo)體層和參考電位之間限定的Ca，通過(guò)柵極絕緣膜在第一半導(dǎo)體層和柵極線之間限定的Cb，在第二半導(dǎo)體層和參考電位之間限定的Cc以及在第二半導(dǎo)體層和柵極線之間限定的Cd，且電容器滿足等式Ca/(Ca+Cb)＜Cc/(Cc+Cd)。
附圖概述結(jié)合附圖思考時(shí)，與通過(guò)以下的詳細(xì)描述進(jìn)行理解相同，本發(fā)明的更完整的評(píng)價(jià)以及其大量附加優(yōu)點(diǎn)將易于獲得，其中圖1是根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的平板顯示裝置的平面圖圖2是置于導(dǎo)電工作臺(tái)上的圖1所示的平板顯示裝置的示意性剖視圖；圖3是沿圖1所示的線III-III’切割的平板顯示裝置的剖視圖；圖4是圖1所示的平板顯示裝置的示意性電路排列；以及圖5是根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的平板顯示裝置的平面圖。
具體實(shí)施例方式
以下將參考
本發(fā)明的實(shí)施例。應(yīng)注意，本發(fā)明不限于這些實(shí)施例但覆蓋其等效物。貫穿附圖，類似或相同的標(biāo)號(hào)示出類似、等效或相同的部件。
第一實(shí)施例將參考圖1-4說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的平板顯示裝置。
諸如有源矩陣型液晶顯示裝置1的平板顯示裝置包括上柵極型薄膜晶體管和如圖3所示的電路陣列基板2。電路陣列基板2具有近似矩形和透明絕緣基板3，諸如Corning Incorporated制造的#1737玻璃基板。
玻璃基板3的主要區(qū)域形成如圖4所示的顯示部分4，其中點(diǎn)狀顯示像素按矩陣排列。每個(gè)像素5具有像素電極6、電容器7和薄膜晶體管8。
掃描和柵極線11以垂直的規(guī)則間隔被水平地設(shè)置在玻璃基板3上。掃描和柵極線11由鋁(Mo)合金制成并電連接到薄膜晶體管8。
此外，輔助或共用電容線12被設(shè)置在掃描和柵極線11之間并與其平行。輔助電容線12電連接到電容器7和薄膜晶體管8。
視頻信號(hào)線13以水平規(guī)則間隔被垂直地設(shè)置在玻璃基板3上。視頻信號(hào)線13由鋁(Al)和高熔點(diǎn)金屬的堆疊層制成。
如圖4所示，Y軸驅(qū)動(dòng)電路(柵極驅(qū)動(dòng)電路)14被垂直地設(shè)置在玻璃基板3的邊緣部分處。Y軸驅(qū)動(dòng)電路14電連接到掃描和柵極線11。
同樣，X軸驅(qū)動(dòng)電路(視頻信號(hào)驅(qū)動(dòng)電路)15被水平地設(shè)置在玻璃基板3的邊緣部分處。X軸驅(qū)動(dòng)電路15電連接到視頻信號(hào)線13。
輔助電容線12共同地連接到驅(qū)動(dòng)電路16。
同時(shí)，玻璃基板3由未示出的底涂層涂覆，該底涂層由氮化硅或氧化硅制成。薄膜晶體管8被設(shè)置在像素開(kāi)關(guān)晶體管的底涂層上(參見(jiàn)圖1和3)。薄膜晶體管8包含底涂層上形成的第一多晶硅半導(dǎo)體層，諸如多晶硅半導(dǎo)體層21。
多晶硅半導(dǎo)體層21是通過(guò)受激準(zhǔn)分子激光器退火以熔化和再結(jié)晶非晶體硅膜制成的多晶硅膜。每個(gè)多晶硅半導(dǎo)體層21都具有溝道區(qū)22以及溝道區(qū)22兩側(cè)上的源極和漏極區(qū)23和24。
此外，諸如多晶硅半導(dǎo)體層25的第二多晶硅半導(dǎo)體層形成于底涂層上，但遠(yuǎn)離多晶硅半導(dǎo)體層21。多晶硅半導(dǎo)體層25不用于薄膜晶體管8而是用于偽(dummy)半導(dǎo)體層。偽多晶硅半導(dǎo)體層25由相同的多晶硅膜并通過(guò)與多晶硅半導(dǎo)體層21相同的過(guò)程制成。
為電路陣列基板2上的全部像素5設(shè)置每個(gè)偽多晶硅半導(dǎo)體層25，但它與每個(gè)多晶硅半導(dǎo)體層21電絕緣。此外，如圖1所示，偽多晶硅半導(dǎo)體層25在寬度上小于視頻信號(hào)線13并沿著視頻信號(hào)線13置于視頻信號(hào)線13下。
簡(jiǎn)言之，偽多晶硅半導(dǎo)體層25由視頻信號(hào)線13覆蓋。
此外，在面向薄膜晶體管8的多晶硅半導(dǎo)體21以及掃描和柵極線11與視頻信號(hào)線13的交叉點(diǎn)部分的邊緣部分處，偽多晶硅半導(dǎo)體層25具有漸細(xì)部分26。邊緣部分還與掃描和柵極線11以及視頻信號(hào)線13重疊。
如圖3所示，柵極絕緣膜31形成于溝道區(qū)22、源極和漏極區(qū)23和24以及底涂層上。柵極絕緣膜31由150nm厚的氧化硅通過(guò)將等離子體CVD法應(yīng)用于多晶硅半導(dǎo)體層21和底涂層上而制成。
一對(duì)窄矩形柵電極32被設(shè)置成與柵極絕緣膜31上的薄膜晶體管8的溝道區(qū)22相對(duì)。柵電極32沿溝道區(qū)22的縱向相互分開(kāi)。如圖1所示，柵電極32與掃描和柵極線11整體形成并與其電連接。即，柵電極32是從掃描和柵極線11突出的窄帶。
此外，形成于柵極絕緣膜31上的掃描和柵極線11與偽多晶硅半導(dǎo)體層25的漸細(xì)部分26的一部分重疊，并通過(guò)柵電極32、多晶硅半導(dǎo)體層21。因此，掃描和柵極線11在偽多晶硅半導(dǎo)體層25的寬度方向上延伸，且穿過(guò)偽多晶硅半導(dǎo)體層25的漸細(xì)部分26的邊緣部分并與其重疊。掃描和柵極線11被設(shè)置在柵極絕緣膜31上。
如圖2所示，電路陣列基板2的玻璃基板3上的多晶硅半導(dǎo)體層21和25被置于導(dǎo)電臺(tái)33上，該導(dǎo)電臺(tái)被接地于參考電位。電容器Ca限定于多晶硅半導(dǎo)體層21和臺(tái)33之間，而電容器Cb限定于多晶硅半導(dǎo)體層21以及掃描和柵極線11之間。此外，電容器Cc限定于偽多晶硅半導(dǎo)體層25和臺(tái)33之間，而電容器Cd限定于偽多晶硅半導(dǎo)體層25以及掃描和柵極線11之間。偽多晶硅半導(dǎo)體層25被設(shè)置成滿足以下等式Ca/(Ca+Cb)＜Cc/(Cc+Cd)。
此外，為像素輔助電容器，在柵極絕緣膜31上提供電容器7，它與柵電極32分開(kāi)。電容器7具有形成于柵極絕緣膜31上的共用電容器線12。電容器7與薄膜晶體管的柵電極32電絕緣并越過(guò)掃描和柵極線11。但是，電容器7由與掃描和柵極線11相同的工藝和材料制成。
隨后，夾層絕緣膜35形成于共用電容器線12、柵電極32和柵極絕緣膜31上。夾層絕緣膜35是通過(guò)應(yīng)用等離子體CVD法形成的350nm的氮化硅以及450nm的氧化硅的疊層。隨后，形成接觸孔36和37通過(guò)夾層絕緣膜35和柵極絕緣膜31。
接觸孔36和37位于薄膜晶體管8的柵電極32的兩側(cè)上與薄膜晶體管8的源極和漏極區(qū)23和24相對(duì)應(yīng)的部分處。接觸孔36與薄膜晶體管8的源極區(qū)23連通，而接觸孔37與薄膜晶體管8的漏極區(qū)24連通。
部分用作薄膜晶體管8的源電極的視頻信號(hào)線13形成于夾層絕緣膜35上并經(jīng)由接觸孔36連接到薄膜晶體管8的源極區(qū)23。
部分用作信號(hào)線的漏電極39形成于夾層絕緣膜35上，它包括連接到薄膜晶體管8的漏極區(qū)24的接觸孔37。漏電極39被設(shè)置成與電容器7的共用電容器線12相對(duì)，以便與共用電容器線12一起限定輔助電容器。漏電極39經(jīng)由接觸孔36電連接到薄膜晶體管8的漏極區(qū)24。此外，漏電極39以與視頻信號(hào)線13相同的工藝和材料制成。
因此，薄膜晶體管8由視頻信號(hào)線13、漏電極39、多晶硅半導(dǎo)體層21、掃描和柵極線11、柵極絕緣膜31以及夾層絕緣膜35組成。
平整和保護(hù)膜41形成于視頻信號(hào)線13、薄膜晶體管8的漏電極39以及夾層絕緣膜35上。形成通過(guò)保護(hù)膜41的接觸孔42以達(dá)到薄膜晶體管8的漏電極39。
由氧化銦錫(ITO)膜制成的像素電極6被填充在接觸孔42內(nèi)并形成于保護(hù)膜41上。像素電極6經(jīng)由接觸孔42電連接到薄膜晶體管8的漏電極39。像素電極6由薄膜晶體管8控制。配向膜43被涂覆于像素電極6和保護(hù)膜41上。
此外，矩形板狀反向基板51被設(shè)置成與電路陣列基板2相對(duì)。反向基板51具有透光和矩形板狀絕緣基板，諸如玻璃基板52。具有紅色、綠色和藍(lán)色濾光片的顏色濾光片層53被設(shè)置于反向基板51的玻璃基板52下。顏色濾光片層53的顏色濾光片被設(shè)置于與偽多晶硅半導(dǎo)體層25相對(duì)應(yīng)的每個(gè)像素5上。
當(dāng)反向基板51被設(shè)置成與電路陣列基板2相對(duì)時(shí)，顏色濾光片層53由矩形板狀反向電極54覆蓋，它整體面向電路陣列基板2的玻璃基板3上的顯示部分4。配向膜55涂覆于反向電極54上。
反向電極51被設(shè)置成與電路陣列基板2相對(duì)，從而反向基板51的反向電極54面向電路陣列基板2的像素電極6。液晶層56保持于反向基板51和電路陣列基板2之間作為光調(diào)制器并通過(guò)密封劑限制于液晶顯示裝置1中。
接著，以下將說(shuō)明上述電路陣列基板的制造方法。
底涂層形成于玻璃基板3上，隨后，通過(guò)應(yīng)用等離子體CVD法將非晶硅層沉積在玻璃基板3上。
照射受激準(zhǔn)分子激光束以便退火非晶硅膜，從而非晶硅膜被熔化并再結(jié)晶成多晶硅膜。
隨后，將雜質(zhì)摻雜入多晶硅膜。將光刻法應(yīng)用于被摻雜的多晶硅膜上以便以相同的工藝和采用相同的材料形成多晶硅半導(dǎo)體層21和偽多晶硅半導(dǎo)體層25的島狀圖案。
應(yīng)用等離子體CVD法以便沉積150nm厚的氧化硅膜的柵極絕緣膜31于底涂層以及多晶硅半導(dǎo)體層21和偽多晶硅半導(dǎo)體層25的島狀圖案上。
接著，未示出但由鉬(Mo)合計(jì)制成的導(dǎo)電層形成于柵極絕緣膜31上。蝕刻導(dǎo)電層以形成薄膜晶體管8的柵電極32、掃描和柵極線11以及共用電容器線12。
隨后，通過(guò)柵電極32將N型或P型雜質(zhì)摻雜入薄膜晶體管8的源極和漏極區(qū)23和24中作為掩模圖案。
接著，實(shí)施等離子體CVD法以便沉積用350nm氮化硅膜和450nm氧化硅膜堆疊的夾層絕緣膜35于掃描和柵極線11、共用電容器線12和柵極絕緣膜31上。
隨后，應(yīng)用光刻法以便分別形成通過(guò)夾層絕緣膜35的接觸孔36和37，達(dá)到薄膜晶體管8的源極和漏極區(qū)23和24。
鋁(Al)和高熔點(diǎn)金屬的堆疊層(未示出這種堆疊層)形成于夾層絕緣膜35上并被填充入接觸孔36和37作為導(dǎo)電層。對(duì)導(dǎo)電層執(zhí)行通過(guò)光刻法的蝕刻工藝以便形成視頻信號(hào)線13、源電極以及漏電極39。
此外，夾層絕緣膜35、視頻信號(hào)線13和漏電極39由平保護(hù)膜41整體覆蓋。
接著，再次將通過(guò)光刻法的蝕刻工藝應(yīng)用到保護(hù)膜41上以便形成達(dá)到漏電極39的接觸孔42。
隨后，將ITO膜濺射到接觸孔42和用于像素電極6的保護(hù)膜41。進(jìn)一步應(yīng)用通過(guò)光刻法的蝕刻工藝以便將像素電極6形成圖案。
配向膜43被涂覆于像素電極6和保護(hù)膜41上以便完成電路陣列基板2。通過(guò)應(yīng)用與薄膜晶體管基本相同的制造過(guò)程，Y軸和X軸驅(qū)動(dòng)電路14和15以及驅(qū)動(dòng)電路16形成于電路陣列基板2的玻璃基板3上的顯示部分4的周圍位置處。
隨后，用反向基板51裝配電路陣列基板2以便將電路陣列基板2的配向膜43設(shè)置成與反向基板51的配向膜55相對(duì)。隨后，將液晶層56形成于電路陣列基板2和反向基板51之間。通過(guò)密封劑在其周圍處密封電路陣列基板2和反向基板51。
此外，用電路陣列基板2和反向基板51裝配諸如背光源、起偏器和系統(tǒng)電路的其它部件以完成液晶顯示裝置1。
如上所述，在形成掃描和柵極線11后，在諸如等離子體CVD或?yàn)R射工藝的等離子體方法的應(yīng)用中，薄膜晶體管8的柵電極32和多晶硅半導(dǎo)體層21之間積聚的靜電荷可能引起靜電擊穿。掃描和柵極線11與臺(tái)33之間也積聚靜電荷。即，電容器Ca形成于薄膜晶體管8的多晶硅半導(dǎo)體層21與臺(tái)33之間，而電容器Cb也形成于薄膜晶體管8的多晶硅半導(dǎo)體層21與掃描和柵極線11之間，如圖2的等效電路所示。
在希望分別簡(jiǎn)單地增加與臺(tái)33以及掃描和柵極線11耦合的電容器Ca和Cb的電容的情況中，可以增加掃描和柵極線11的面積。它引起靜電荷量本身的增加而沒(méi)有抑制靜電擊穿的任何影響。
根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例，偽多晶硅半導(dǎo)體層25被設(shè)置于電路陣列基板2的底涂層上，與多晶硅半導(dǎo)體層21絕緣，面向掃描和柵極線11與視頻信號(hào)線13的交叉點(diǎn)，并與掃描和柵極線11以及視頻信號(hào)線13重疊。
結(jié)果，偽多晶硅半導(dǎo)體層25分別增加了耦合到臺(tái)33與掃描和柵極線11的電容器Cc和Cd的電容。在柵電極32中積聚的靜電荷的量與沒(méi)有偽多晶硅半導(dǎo)體層25的現(xiàn)有技術(shù)液晶顯示裝置相同且由于柵極電壓為V＝Q/C(即，柵極電壓V和其等效電容器C處的積聚電荷Q)的情況中，可以有效地抑制由于靜電荷引起的柵電極32處的電壓增加。
因此，可以避免在形成掃描和柵極線11后等離子體CVD或?yàn)R射過(guò)程中引起的柵極絕緣膜31處可能的靜電擊穿。此外，還可以降低薄膜晶體管的破壞，即在形成掃描和柵極線11后在夾層絕緣膜35的制造過(guò)程中靜電荷引起的電路陣列基板2的像素5處的點(diǎn)缺陷產(chǎn)生。因此，有效地提升了具有電路陣列基板2的液晶像素裝置1的產(chǎn)量。
由于臺(tái)33上放置的電路陣列基板2，使得電容器是多晶硅半導(dǎo)體層21和臺(tái)33之間限定的Ca、多晶硅半導(dǎo)體層21與掃描和柵極線11之間限定的Cb、偽多晶硅半導(dǎo)體層25和臺(tái)33之間限定的Cc以及偽多晶硅半導(dǎo)體層25與掃描和柵極線11之間限定的Cd。此外，確定偽多晶硅半導(dǎo)體層25的面積以及由掃描和柵極線11覆蓋的其面積以滿足等式Ca/(Ca+Cb)＜Cc/(Cc+Cd)。
結(jié)果，施加到偽多晶硅半導(dǎo)體層25與掃描和柵極線11之間的部分柵極絕緣膜31上的電壓大于施加到薄膜晶體管8的多晶硅半導(dǎo)體層21與掃描和柵極線11之間的部分夾層絕緣膜31上的電壓。因此，即使在夾層絕緣膜31處積聚靜電擊穿的靜電荷，該靜電荷也將通過(guò)偽多晶硅半導(dǎo)體層25與掃描和柵極線11之間的部分夾層絕緣膜31予以放電，從而與薄膜晶體管8的多晶硅半導(dǎo)體層21與掃描和柵極線11之間的夾層絕緣膜31相比更早地破壞偽多晶硅半導(dǎo)體層25與掃描和柵極線11的部分夾層絕緣膜31。結(jié)果，以極高的可能性保護(hù)液晶像素裝置1所必需的薄膜晶體管8的多晶硅半導(dǎo)體層21。
此外，薄膜晶體管8的多晶硅半導(dǎo)體層21和偽多晶硅半導(dǎo)體層25以相同的過(guò)程并由相同的材料制成。因此，由于這不增加制造過(guò)程的數(shù)量，可以以較低的成本有效地制造偽多晶硅半導(dǎo)體層25。同時(shí)，可以充分增加具有偽多晶硅半導(dǎo)體層25的電路陣列基板2的生產(chǎn)率。
此外，偽多晶硅半導(dǎo)體層25由此后形成的視頻信號(hào)線13覆蓋。結(jié)果，部分的像素電極6不由偽多晶硅半導(dǎo)體層25覆蓋。因此，偽多晶硅半導(dǎo)體層25不影響像素電極6的光效率。換句話說(shuō)，偽多晶硅半導(dǎo)體層25的設(shè)置在結(jié)構(gòu)上是簡(jiǎn)單的，而不劣化電路陣列基板2的像素5的孔徑比。
第二實(shí)施例第一實(shí)施例中的偽多晶硅半導(dǎo)體層25由視頻信號(hào)線13覆蓋，但如圖5中的本發(fā)明第二實(shí)施例所示，可以提供某些偽多晶硅半導(dǎo)體層25以便從視頻信號(hào)線13延伸。這導(dǎo)致這些偽多晶硅半導(dǎo)體層25的面積增加，從而偽多晶硅半導(dǎo)體層25和臺(tái)33之間限定的電容器可以更大。因此，這充分降低了掃描和柵極線11形成后過(guò)程中可能由靜電荷引起的電路陣列基板2的像素5處的點(diǎn)缺陷，從而可以改善具有電路陣列基板2的液晶顯示裝置1的產(chǎn)量。
在用于電路陣列基板2的紅、綠和藍(lán)色的像素中，偽多晶硅半導(dǎo)體層25不必在形狀上相同。如圖5所示，可以通過(guò)從視頻信號(hào)線13僅將用藍(lán)色像素的偽多晶硅半導(dǎo)體層25延伸來(lái)進(jìn)行優(yōu)化。
本發(fā)明不限于上述實(shí)施例。本發(fā)明不僅可應(yīng)用于所述的液晶顯示裝置也可以應(yīng)用于其它平板顯示裝置，諸如有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置，其中液晶層由電致發(fā)光材料層代替。
此外，可以與電路陣列基板2分開(kāi)制造Y軸和X軸驅(qū)動(dòng)電路14和15以及驅(qū)動(dòng)電路16，而以后與電路陣列基板2裝配在一起。
雖然，已經(jīng)以具有特定程度特殊性的應(yīng)用形式描述了本發(fā)明，可以理解，較佳形式的本揭示內(nèi)容可以在結(jié)構(gòu)的細(xì)節(jié)上進(jìn)行改變且部件的組合和排列可以再分類而不背離本發(fā)明的精神和范圍，如以下所請(qǐng)求的?？梢匀コ龑?shí)施例的某些部件或者可以組合來(lái)自不同實(shí)施例的各種部件。
權(quán)利要求
1.一種電路陣列基板，其特征在于，包括透光基板；薄膜晶體管，它形成于所述透光基板上，具有第一半導(dǎo)體層、柵極絕緣膜和柵極線；以及第二半導(dǎo)體層，它形成于所述透光基板上，其中，所述柵極線通過(guò)所述柵極絕緣膜與所述第一和第二半導(dǎo)體層重疊。
2.如權(quán)利要求1所述的電路陣列基板，其特征在于，按一過(guò)程制成所述第一半導(dǎo)體層，且按與所述第一半導(dǎo)體層相同的制作過(guò)程制成所述第二半導(dǎo)體層。
3.如權(quán)利要求2所述的電路陣列基板，其特征在于，所述柵極絕緣膜形成于所述透光基板上，以及所述柵極線形成于所述柵極絕緣膜上。
4.如權(quán)利要求3所述的電路陣列基板，其特征在于，進(jìn)一步包括覆蓋所述柵極線和所述柵極絕緣膜的第一絕緣膜，其中所述第一絕緣膜通過(guò)應(yīng)用等離子體化學(xué)汽相沉積制成，所述透光基板是玻璃基板，以及所述第一和第二半導(dǎo)體層是多晶硅半導(dǎo)體層。
5.如權(quán)利要求4所述的電路陣列基板，其特征在于，進(jìn)一步包括通過(guò)所述第一絕緣膜形成于所述第二半導(dǎo)體層上的視頻信號(hào)線。
6.如權(quán)利要求5所述的電路陣列基板，其特征在于，進(jìn)一步包括形成于所述視頻信號(hào)線和所述第一絕緣膜上的保護(hù)膜，以及顏色層，它形成于所述保護(hù)膜上；其中為所述顏色層設(shè)置所述第二半導(dǎo)體層用于。
7.如權(quán)利要求1到6中任一項(xiàng)所述的電路陣列基板，其特征在于，使得電容器是通過(guò)所述透光基板在所述第一半導(dǎo)體層和參考電位之間限定的Ca，通過(guò)所述柵極絕緣膜在所述第一半導(dǎo)體層和所述柵極線之間限定的Cb，通過(guò)所述透光基板在所述第二半導(dǎo)體層和所述參考電位之間限定的Cc和所述第二半導(dǎo)體層和所述柵極線之間限定的Cd，以及所述電容器滿足等式Ca/(Ca+Cb)＜Cc/(Cc+Cd)。
8.一種具有如權(quán)利要求1到7中任一項(xiàng)所述的電路陣列基板的平板顯示裝置，其特征在于，進(jìn)一步包括在所述電路陣列基板的主平面上形成的光調(diào)制器。
全文摘要
在玻璃基板3上形成相互絕緣的多晶硅半導(dǎo)體層21和偽多晶硅半導(dǎo)體層25。柵極絕緣膜31形成于多晶硅半導(dǎo)體層21、偽多晶硅半導(dǎo)體層25以及玻璃基板3上。柵極絕緣膜31由掃描和柵極線11覆蓋，它與多晶硅半導(dǎo)體層21和偽多晶硅半導(dǎo)體層25重疊。多晶硅半導(dǎo)體層21與掃描和柵極線11耦合以限定電容器Ca并與參考電位耦合以限定電容器Cb。同樣，偽多晶硅半導(dǎo)體層25與掃描和柵極線11耦合以限定電容器Cc并與參考電位耦合以限定電容器Cd。電容器Cc和Cd增加與這些Ca和Cb并聯(lián)的電容以抑制在形成掃描和柵極線11后由于過(guò)程中產(chǎn)生的靜電荷引起的施加到掃描和柵極線11與多晶硅半導(dǎo)體層21之間的柵極絕緣膜31上的電壓的增加。因此，可以抑制柵極絕緣膜31處的靜電擊穿以及像素5的點(diǎn)缺陷。
文檔編號(hào)G09F9/35GK1584686SQ200410064228
公開(kāi)日2005年2月23日 申請(qǐng)日期2004年8月18日 優(yōu)先權(quán)日2003年8月18日
發(fā)明者川村哲也 申請(qǐng)人:東芝松下顯示技術(shù)有限公司