專利名稱：液晶顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及液晶顯示裝置，例如，涉及在中間間隔液晶而相對配置的各基片中的一方的基片的液晶一側(cè)的面上具備柵極信號線、漏極信號線、相對電壓信號線的液晶顯示裝置。
背景技術(shù)：
例如，被稱為橫向電場方式的液晶顯示裝置，在其一方的基片的液晶一側(cè)的各像素中具備像素電極和在與該像素電極之間產(chǎn)生電場的對置電極。
而且，通過由來自柵極信號線的掃描信號驅(qū)動(dòng)的開關(guān)元件，向上述像素電極供給來自漏極信號線的圖像信號；通過相對電壓信號線，向上述對置電極供給相對于上述圖像信號成為基準(zhǔn)的基準(zhǔn)信號。
此處，一般而言，如圖53所示，在一方的基片的液晶一側(cè)的面上，上述柵極信號線GL1、GL2、……、GLn，例如在其x方向上延伸而在y方向上并列設(shè)置地形成；上述漏極信號線DL1、DL2、……、DLn，在y方向上延伸而在x方向上并列設(shè)置地形成。另外，一般而言，相對電壓信號線CL1、CL2、……、CLn，在上述各柵極信號線之間，與這些柵極信號線GL1、GL2、……、GLn大致平行地配置。
此外，各柵極信號線GL1、GL2、……、GLn，例如，根據(jù)來自與其一端連接的掃描信號驅(qū)動(dòng)電路V的掃描信號被依次選擇。與該選擇的定時(shí)一致地，各漏極信號線DL1、DL2、……、DLn，例如，從與其一端連接的圖像信號驅(qū)動(dòng)電路He被供給圖像信號。各相對電壓信號線CL1、CL2、……、CLn，例如在其一端被公共地連接，被分別供給基準(zhǔn)信號。此外，這樣的技術(shù)例如被公開在日本專利申請公開特開平11-271788號公報(bào)中。
但是，在上述構(gòu)成的液晶顯示裝置中，相對于每一條上述漏極信號線DL，交叉配置多條柵極信號線GL和相對電壓信號線CL。
例如，在分辨率為SXGA(1280×1024)的場合，相對于漏極信號線DL，柵極信號線GL、相對電壓信號線CL分別具有最低1024的交叉點(diǎn)，該交叉點(diǎn)隨著分辯率的提高而增加。
此處，在漏極信號線DL和柵極信號線GL的交叉點(diǎn)產(chǎn)生的漏極-柵極寄生電容Cgd、以及在漏極信號線DL和相對電壓信號線CL的交叉點(diǎn)產(chǎn)生的漏極-公共寄生電容Ccd分別并列地連接，因此，例如，在分辨率為SXGA的場合，相對于1條漏極信號線DL，至少具有1024×(Cgd+Ccd)的寄生電容。
這意味著，通過將信號寫入漏極信號線DL，同時(shí)將電荷充電到該寄生電容。
而且，漏極信號線DL經(jīng)由開關(guān)元件進(jìn)行寫入的像素為每1個(gè)像素，與此相反地，上述寄生電容產(chǎn)生在全部像素。
即，其意味著，為了對1個(gè)像素供給電荷，必須向1024的像素的各寄生電容供給電荷、即在顯示中無用的電荷。
因此，由于上述各寄生電容消耗了大量的電荷，所以，導(dǎo)致要供給漏極信號線DL的電流與本來所必須的值相差甚遠(yuǎn)，從而使消耗電力大幅度地增加。
在上述日本專利申請?zhí)卦钙?1-271788號公報(bào)中暗示了相同的課題，例如在該公報(bào)的0015段中，公開了這樣的內(nèi)容，即，通過開關(guān)元件從相對電壓信號線向?qū)χ秒姌O供給信號，由此使該對置電極浮置并減小寄生電容。
但是，在上述公報(bào)中并沒有涉及到使上述各交叉部分的寄生電容減小的內(nèi)容。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明就是基于這樣的課題而進(jìn)行的，其優(yōu)點(diǎn)在于，能夠提供一種在將圖像信號供給漏極信號線時(shí)，能夠大幅度地降低這種不必要的電耗的液晶顯示裝置。另外，本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)在于提供一種當(dāng)達(dá)到上述優(yōu)點(diǎn)時(shí)能謀求充分的靜電對策的液晶顯示裝置。
將本申請所公開的發(fā)明中的具有代表性的內(nèi)容簡要地概括為下述。
方案1.
本發(fā)明的液晶顯示裝置，例如，具有配置成矩陣形狀的各像素，其中在一個(gè)方向上并列設(shè)置的像素列在與該一個(gè)方向交叉的方向上并列設(shè)置；由掃描信號選擇各像素列，并對該被選擇的各像素列的各像素供給圖像信號和對于該圖像信號成為基準(zhǔn)的基準(zhǔn)信號，其特征在于，供給圖像信號的漏極信號線，與供給掃描信號的柵極信號線和供給基準(zhǔn)信號的相對電壓信號線交叉配置，上述基準(zhǔn)信號被供給所選擇的每個(gè)像素列，并且該被選擇的像素列以外的其它像素列的相對電壓信號線分別成為浮置狀態(tài)。
方案2.
本發(fā)明的液晶顯示裝置，例如，具有配置成矩陣形狀的各像素，其中在一個(gè)方向上并列設(shè)置的像素列在與該一個(gè)方向交叉的方向上并列設(shè)置；由掃描信號選擇各像素列，并對該被選擇的各像素列的各像素供給圖像信號和對于該圖像信號成為基準(zhǔn)的基準(zhǔn)信號，其特征在于，供給圖像信號的漏極信號線，與供給掃描信號的柵極信號線和供給基準(zhǔn)信號的相對電壓信號線交叉配置，上述基準(zhǔn)信號被供給所選擇的每個(gè)像素列，并且該被選擇的像素列以外的其它像素列的柵極信號線的大部分和相對電壓信號線分別成為浮置狀態(tài)。
方案3.
本發(fā)明的液晶顯示裝置，例如，其特征在于，
將由在第1方向延伸、在第2方向并列設(shè)置的柵極信號線和在第2方向延伸、在第1方向并列設(shè)置的漏極信號線所包圍的區(qū)域作為像素區(qū)域，在這些像素區(qū)域中，具有由來自柵極信號線的掃描信號驅(qū)動(dòng)的薄膜晶體管，通過該薄膜晶體管被供給來自漏極信號線的圖像信號的像素電極，以及在與該像素電極之間使電場產(chǎn)生的對置電極，形成有在與各柵極信號線之間走線并與上述對置電極連接的相對電壓信號線，具有使供給掃描信號的柵極信號線以外的其它的柵極信號線的大部分浮置的浮置機(jī)構(gòu)，以及將相對電壓信號供給到在由供給有掃描信號的柵極信號線來驅(qū)動(dòng)上述薄膜晶體管的像素區(qū)中走線的相對電壓信號線，并使其它的相對電壓信號線成為浮置狀態(tài)的機(jī)構(gòu)。
方案4.
本發(fā)明的液晶顯示裝置，例如，將上述方案1～3的任何1種構(gòu)成作為前提，其特征在于，在各相對電壓信號線從其驅(qū)動(dòng)電路通過由掃描信號導(dǎo)通的開關(guān)被供給相對電壓信號，該信號被掃描并供給到下一條相對電壓信號線時(shí)，使在上述對下1條相對電壓信號線的供給之前被供給了相對電壓信號的相對電壓信號線成為浮置狀態(tài)。
方案5.
本發(fā)明的液晶顯示裝置，例如，將方案4作為前提，其特征在于，各相對電壓信號線由被選擇的多條相對電壓信號線分成組。
方案6.
本發(fā)明的液晶顯示裝置，例如，將方案4作為前提，其特征在于，在與相對電壓信號的供給一側(cè)相反的一側(cè)的端部，使各組的相對電壓信號線彼此相互連接。
方案7.
本發(fā)明的液晶顯示裝置，例如，將方案4作為前提，其特征在于，在與相對電壓信號的供給一側(cè)相反的一側(cè)的端部，在能夠與常時(shí)供給有上述相對電壓信號的修正用布線連接的狀態(tài)下，分別形成各相對電壓信號線。
方案8.
本發(fā)明的液晶顯示裝置，例如，將方案2或3作為前提，其特征在于，各柵極信號線，在從其驅(qū)動(dòng)電路通過由被掃描的信號導(dǎo)通的開關(guān)被供給掃描信號、該信號被掃描供給到下1條柵極信號線時(shí)，由關(guān)斷信號關(guān)斷，進(jìn)而，掃描信號被供給到下1條柵極信號線時(shí)，使2條之前被供給了掃描信號的柵極信號線成為浮置狀態(tài)。
方案9.
本發(fā)明的液晶顯示裝置，例如，將方案2或3作為前提，其特征在于，被分別供給各漏極信號線的圖像信號的極性，在鄰接的漏極信號線上是相同的。
方案10.
本發(fā)明的液晶顯示裝置，例如，將方案9作為前提，其特征在于，通過掃描被供給到各相對電壓信號線的相對電壓信號的極性，在每次該供給時(shí)被反轉(zhuǎn)。
方案11.
本發(fā)明的液晶顯示裝置，例如，其特征在于，在由在第1方向延伸、在與該第1方向交叉的第2方向并列設(shè)置的柵極信號線和在第2方向延伸、在第1方向并列設(shè)置的漏極信號線包圍的像素中，具備由來自上述柵極信號線的掃描信號導(dǎo)通的開關(guān)元件，通過該開關(guān)元件被供給來自上述漏極信號線的圖像信號的像素電極，以及在與該像素電極之間使電場產(chǎn)生、并從與上述柵極信號線大致平行地形成的相對電壓信號線被供給掃描相對電壓信號的對置電極，中間存在絕緣膜地覆蓋柵極信號線而形成上述相對電壓信號線，而且，上述對置電極與被連接到該像素的開關(guān)元件的柵極信號線和覆蓋夾持該像素而形成的其它的柵極信號線的對置電極信號線連接，被供給掃描信號的柵極信號線以外的其它的大部分柵極信號線被設(shè)定為浮置狀態(tài)，而且，被供給相對電壓信號的相對電壓信號線以外的相對電壓信號線成為浮置狀態(tài)。
方案12.
本發(fā)明的液晶顯示裝置，例如，將方案11作為前提，其特征在于，上述相對電壓信號線和與它連接的對置電極用透光性的導(dǎo)電層被形成。
方案13.
本發(fā)明的液晶顯示裝置，例如，將方案12作為前提，其特征在于，相對電壓信號線通過通孔與金屬的導(dǎo)電層連接，該金屬的導(dǎo)電層與被相對電壓信號線覆蓋的柵極信號線同層且鄰接地配置。
方案14.
本發(fā)明的液晶顯示裝置，例如，具有配置成矩陣形狀的各像素，其中在一個(gè)方向上并列設(shè)置的像素列在與該一個(gè)方向交叉的方向上并列設(shè)置；由掃描信號選擇各像素列，并對該被選擇的各像素列的各像素供給圖像信號和對于該圖像信號成為基準(zhǔn)的基準(zhǔn)信號，其特征在于，供給圖像信號的漏極信號線，與供給掃描信號的柵極信號線和供給基準(zhǔn)信號的相對電壓信號線交叉配置，上述基準(zhǔn)信號被供給所選擇的每個(gè)像素列，而且，該被選擇的像素列以外的其它像素列的柵極信號線的大部分和相對電壓信號線分別成為浮置狀態(tài)，而且，上述掃描信號和基準(zhǔn)信號分別從1個(gè)電路被供給，包含掃描信號的導(dǎo)通·關(guān)斷的信號和基準(zhǔn)信號從該電路錯(cuò)開時(shí)間地送出。
方案15.
本發(fā)明的液晶顯示裝置，例如，將方案14作為前提，其特征在于，上述電路，具有分別常時(shí)供給有包含掃描信號的導(dǎo)通·關(guān)斷的信號的端子和常時(shí)供給有基準(zhǔn)信號的端子，通過開關(guān)電路從被選擇的上述各端子將掃描信號和基準(zhǔn)信號分別送到上述柵極信號線和相對電壓信號線。
方案16.
本發(fā)明的液晶顯示裝置，例如，將方案1作為前提，其特征在于，供給相對電壓信號線的基準(zhǔn)信號取將AC電壓波形升壓了的信號。
方案17.
本發(fā)明的液晶顯示裝置，例如，具有配置成矩陣形狀的各像素，其中在一個(gè)方向上并列設(shè)置的像素列在與該一個(gè)方向交叉的方向上并列設(shè)置；由掃描信號選擇各像素列，并對該被選擇的各像素列的各像素供給圖像信號和對于該圖像信號成為基準(zhǔn)的基準(zhǔn)信號，其特征在于，供給圖像信號的漏極信號線，與供給掃描信號的柵極信號線和供給基準(zhǔn)信號的相對電壓信號線交叉配置，上述基準(zhǔn)信號被供給所選擇的每個(gè)像素列，而且，根據(jù)被供給該像素列的圖像信號的電壓值設(shè)定該信號的電壓值。
方案18.
本發(fā)明的液晶顯示裝置，例如，具有配置成矩陣形狀的各像素，其中在一個(gè)方向上并列設(shè)置的像素列在與該一個(gè)方向交叉的方向上并列設(shè)置；由掃描信號選擇各像素列，并對該被選擇的各像素列的各像素供給圖像信號和對于該圖像信號成為基準(zhǔn)的基準(zhǔn)信號，其特征在于，供給圖像信號的漏極信號線，與供給掃描信號的柵極信號線和供給基準(zhǔn)信號的相對電壓信號線交叉配置，上述基準(zhǔn)信號被供給所選擇的每個(gè)像素列，而且，該被選擇的像素列以外的其它像素列的相對電壓信號線分別成為浮置狀態(tài)，使上述基準(zhǔn)信號送出的驅(qū)動(dòng)電路，與使上述圖像信號送出的驅(qū)動(dòng)電路并列設(shè)置地配置。
方案19.
本發(fā)明的液晶顯示裝置，例如，將方案18作為前提，其特征在于，使上述基準(zhǔn)信號送出的驅(qū)動(dòng)電路和使上述圖像信號送出的驅(qū)動(dòng)電路分別由多個(gè)半導(dǎo)體裝置構(gòu)成，在使基準(zhǔn)信號送出的半導(dǎo)體裝置和使圖像信號送出的半導(dǎo)體裝置交替配置，而且，這些各半導(dǎo)體裝置通過數(shù)據(jù)傳送布線連接。
方案20.
本發(fā)明的液晶顯示裝置，例如，具有配置成矩陣形狀的各像素，其中在一個(gè)方向上并列設(shè)置的像素列在與該一個(gè)方向交叉的方向上并列設(shè)置；由掃描信號選擇各像素列，并對該被選擇的各像素列的各像素供給圖像信號，其特征在于，供給圖像信號的漏極信號線與供給掃描信號的柵極信號線交叉配置，各柵極信號線被構(gòu)成為，通過由被掃描的信號導(dǎo)通的開關(guān)從其驅(qū)動(dòng)電路被供給掃描信號，該信號被掃描供給下一條柵極信號線時(shí)，由關(guān)斷信號關(guān)斷，進(jìn)而向下一條柵極信號線供給掃描信號線時(shí)，使2條之前被供給了掃描信號的柵極信號線成為浮置狀態(tài)，而且，各柵極信號線通過其成為浮置狀態(tài)的部分和二極管與被供給上述關(guān)斷信號的信號線連接。
方案21.
本發(fā)明的液晶顯示裝置，例如，具有配置成矩陣形狀的各像素，其中在一個(gè)方向上并列設(shè)置的像素列在與該一個(gè)方向交叉的方向上并列設(shè)置；由掃描信號選擇各像素列，并對該被選擇的各像素列的各像素供給圖像信號，其特征在于，供給圖像信號的漏極信號線與供給掃描信號的柵極信號線交叉配置，各柵極信號線被構(gòu)成為，通過由被掃描的信號導(dǎo)通的開關(guān)從其驅(qū)動(dòng)電路被供給掃描信號，該信號被掃描供給下一條柵極信號線時(shí)，由關(guān)斷信號關(guān)斷，進(jìn)而向下一條柵極信號線供給掃描信號線時(shí)，使2條之前被供給了掃描信號的柵極信號線成為浮置狀態(tài)，而且，各柵極信號線通過其成為浮置狀態(tài)的部分和二極管與浮置的電壓信號線連接。
方案22.
本發(fā)明的液晶顯示裝置，例如，其特征在于，具有配置成矩陣形狀的各像素，其中在一個(gè)方向上并列設(shè)置的像素列在與該一個(gè)方向交叉的方向上并列設(shè)置，在該像素中具備在與像素電極之間使電場產(chǎn)生的對置電極，還具備對被依次選擇的像素列的各像素的對置電極，根據(jù)上述選擇供給相對電壓信號的相對電壓信號線，對上述像素電極供給圖像信號的漏極信號線與上述相對電壓信號線交叉配置，各相對電壓信號線被構(gòu)成為，通過由被掃描的信號導(dǎo)通的開關(guān)從其驅(qū)動(dòng)電路被供給相對電壓信號，該信號被掃描供給下一條相對電壓信號線時(shí)，在上述下一條相對電壓信號線的供給之前被供給了相對電壓信號的相對電壓信號線成為浮置狀態(tài)，而且，各相對電壓信號線通過其成為浮置狀態(tài)的部分和二極管與被供給上述相對電壓信號的信號線連接。
方案23.
本發(fā)明的液晶顯示裝置，例如，其特征在于，具有配置成矩陣形狀的各像素，其中在一個(gè)方向上并列設(shè)置的像素列在與該一個(gè)方向交叉的方向上并列設(shè)置，在該像素中具備在與像素電極之間使電場產(chǎn)生的對置電極，還具備對被依次選擇的像素列的各像素的對置電極，根據(jù)上述選擇供給相對電壓信號的相對電壓信號線，對上述像素電極供給圖像信號的漏極信號線與上述相對電壓信號線交叉配置，各相對電壓信號線被構(gòu)成為，在通過由被掃描的信號導(dǎo)通的開關(guān)從其驅(qū)動(dòng)電路被供給相對電壓信號，該信號被掃描供給下一條相對電壓信號線時(shí)，在上述下一條相對電壓信號線的供給之前被供給了相對電壓信號的相對電壓信號線成為浮置狀態(tài)，而且，各相對電壓信號線通過其成為浮置狀態(tài)的部分和二極管與浮置的電壓信號線連接。
方案24.
本發(fā)明的液晶顯示裝置，例如，具有配置成矩陣形狀的各像素，其中在一個(gè)方向上并列設(shè)置的像素列在與該一個(gè)方向交叉的方向上并列設(shè)置；由掃描信號選擇各像素列，并對該被選擇的各像素列的各像素供給圖像信號和相對于該圖像信號成為基準(zhǔn)的基準(zhǔn)信號，其特征在于，供給圖像信號的漏極信號線，和供給掃描信號的柵極信號線與供給基準(zhǔn)信號的相對電壓信號線交叉配置，上述基準(zhǔn)信號被供給所選擇的每個(gè)像素列，而且，該被選擇的像素列以外的其它像素列的柵極信號線的大部分和相對電壓信號線分別成為浮置狀態(tài)，而且，各柵極信號線通過其被浮置的部分和第1二極管與被浮置的第1電壓信號線連接，各相對電壓信號線通過其被浮置的部分和第2二極管與被浮置的第2電壓信號線連接，
第1電壓信號線和第2電壓信號線通過第3二極管被連接。
方案25.
本發(fā)明的液晶顯示裝置，例如，具有配置成矩陣形狀的各像素，其中在一個(gè)方向上并列設(shè)置的像素列在與該一個(gè)方向交叉的方向上并列設(shè)置；由掃描信號選擇各像素列，并對該被選擇的各像素列的各像素供給圖像信號和相對于該圖像信號成為基準(zhǔn)的基準(zhǔn)信號，其特征在于，供給圖像信號的漏極信號線，和供給掃描信號的柵極信號線與供給基準(zhǔn)信號的相對電壓信號線交叉配置，上述基準(zhǔn)信號被供給所選擇的每個(gè)像素列，而且，該被選擇的像素列以外的其它像素列的柵極信號線的大部分和相對電壓信號線分別成為浮置狀態(tài)，而且，各柵極信號線通過其被浮置的部分和第1二極管與被浮置的第1電壓信號線連接，各相對電壓信號線通過其被浮置的部分和第2二極管與被浮置的第2電壓信號線連接，第1電壓信號線和第2電壓信號線，分別通過第3二極管、第4二極管與被接地的信號線連接。
方案26.
本發(fā)明的液晶顯示裝置，例如，將方案20～25的任何一種結(jié)構(gòu)作為前提，其特征在于，上述二極管是雙向二極管。
方案27.
本發(fā)明的液晶顯示裝置，例如，將方案26的結(jié)構(gòu)作為前提，其特征在于，上述雙向二極管，其半導(dǎo)體層由多晶硅構(gòu)成，并被形成在形成了柵極信號線和相對電壓信號線的基片上。
此外，本發(fā)明不限于以上的結(jié)構(gòu)，在不脫離本發(fā)明的技術(shù)思想的范圍可以有各種變更。


圖1是表示本發(fā)明的液晶顯示裝置的一個(gè)實(shí)施例的等效電路圖。
圖2是表示本發(fā)明的液晶顯示裝置的一個(gè)實(shí)施例的概念圖。
圖3A-3C是表示圖2所示的開關(guān)電路SW1的一個(gè)實(shí)施例的具體的電路圖和動(dòng)作圖。
圖4是表示圖2所示的開關(guān)電路SW2的一個(gè)實(shí)施例的具體的電路圖。
圖5A-5B是表示圖2所示的開關(guān)電路SW1的另一實(shí)施例的具體的電路圖和動(dòng)作圖。
圖6是表示本發(fā)明的液晶顯示裝置的另一實(shí)施例的圖，是表示將上述的開關(guān)電路裝入驅(qū)動(dòng)電路的驅(qū)動(dòng)器的圖。
圖7A-7C是表示上述驅(qū)動(dòng)器的配置狀態(tài)的圖。
圖8A-8B是表示本發(fā)明的液晶顯示裝置的另一實(shí)施例的圖，是將切換相對電壓信號線的開關(guān)電路SW2裝入到掃描信號驅(qū)動(dòng)電路一側(cè)的開關(guān)電路SW1的電路圖。
圖9是圖8所示的電路的時(shí)序動(dòng)作圖。
圖10A-10C是表示本發(fā)明的液晶顯示裝置的另一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)圖，是表示能修復(fù)相對電壓信號線的斷線的結(jié)構(gòu)的圖。
圖11是表示本發(fā)明的液晶顯示裝置的另一實(shí)施例的說明圖，是表示將極性相同的圖像信號供給鄰接的漏極信號線的圖。
圖12是表示在將極性不同的圖像信號供給了鄰接的漏極信號線時(shí)的缺陷的說明圖。
圖13A-13C是表示本發(fā)明的液晶顯示裝置的另一實(shí)施例的說明圖，是表示將相對電壓信號同時(shí)供給多條相對電壓信號線的結(jié)構(gòu)的圖。
圖14A-14B是表示本發(fā)明的液晶顯示裝置的另一實(shí)施例的說明圖，是表示在透明基片面上的驅(qū)動(dòng)器的配置的圖。
圖15A-15B是表示本發(fā)明的液晶顯示裝置的另一實(shí)施例的說明圖，是表示在將相對電壓信號同時(shí)供給多條相對電壓信號線的場合，這些多條相對電壓信號線構(gòu)成為環(huán)形的圖。
圖16A-16B是表示本發(fā)明的液晶顯示裝置的另一實(shí)施例的說明圖，是表示在同時(shí)供給相對電壓信號的多條相對電壓信號線中，這些相對電壓信號線成為嵌套形狀的實(shí)施例的圖。
圖17A-17B是表示本發(fā)明的液晶顯示裝置的像素的一個(gè)實(shí)施例的結(jié)構(gòu)圖。
圖18A-18D是表示本發(fā)明的液晶顯示裝置的像素的另一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)圖。
圖19A-19C是表示本發(fā)明的液晶顯示裝置的像素的另一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)圖。
圖20A-20D是表示本發(fā)明的液晶顯示裝置的像素的另一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)圖。
圖21A-21C是表示本發(fā)明的液晶顯示裝置的像素的另一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)圖。
圖22A-22B是表示本發(fā)明的液晶顯示裝置的像素的另一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)圖。
圖23A-23C是表示本發(fā)明的液晶顯示裝置的像素的另一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)圖。
圖24是表示本發(fā)明的液晶顯示裝置的像素的另一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)圖。
圖25A-25D是表示本發(fā)明的液晶顯示裝置的像素的另一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)圖。
圖26A-26C是表示本發(fā)明的液晶顯示裝置的像素的另一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)圖。
圖27A-27C是表示本發(fā)明的液晶顯示裝置的另一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)圖，是表示公用電極驅(qū)動(dòng)電路的周邊的電路圖及其說明圖。
圖28A-28C是表示本發(fā)明的液晶顯示裝置的另一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)圖，是表示在通過各驅(qū)動(dòng)器輸出來自外部的圖像信號之前的控制的流程圖及其說明圖。
圖29A-29B是表示本發(fā)明的液晶顯示裝置的另一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)圖，是表示各驅(qū)動(dòng)器的配置等的圖。
圖30A-30D是表示本發(fā)明的液晶顯示裝置的另一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)圖，是用數(shù)據(jù)傳送布線連接由半導(dǎo)體芯片構(gòu)成的柵極驅(qū)動(dòng)器和公用驅(qū)動(dòng)器的圖。
圖31A-31D是表示本發(fā)明的液晶顯示裝置的另一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)圖，是用數(shù)據(jù)傳送布線連接由TCP方式的半導(dǎo)體芯片構(gòu)成的柵極驅(qū)動(dòng)器和公用驅(qū)動(dòng)器的圖。
圖32A-32F是表示本發(fā)明的液晶顯示裝置的另一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)圖，是表示用數(shù)據(jù)傳送布線連接由半導(dǎo)體芯片構(gòu)成的柵極驅(qū)動(dòng)器和公用驅(qū)動(dòng)器時(shí)的具體構(gòu)成的圖。
圖33A-33F是表示本發(fā)明的液晶顯示裝置的另一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)圖，是表示用數(shù)據(jù)傳送布線連接由半導(dǎo)體芯片構(gòu)成的柵極驅(qū)動(dòng)器和公用驅(qū)動(dòng)器時(shí)的另一的具體構(gòu)成的圖。
圖34A-34C是表示本發(fā)明的液晶顯示裝置的另一實(shí)施例的說明圖，是表示從一個(gè)電路送出掃描信號和相對電壓信號時(shí)的信號波形的圖。
圖35A-35D是表示在本發(fā)明的液晶顯示裝置中，從一個(gè)電路送出掃描信號和相對電壓信號時(shí)的開關(guān)的切換動(dòng)作的圖。
圖36A-36D是表示在本發(fā)明的液晶顯示裝置中，從一個(gè)電路送出掃描信號和相對電壓信號時(shí)的另一切換動(dòng)作的圖。
圖37A-37D是表示本發(fā)明的液晶顯示裝置的另一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)圖，是表示在通過各驅(qū)動(dòng)器輸出來自外部的圖像信號之前的控制的流程圖及其說明圖。
圖38A-38D是表示本發(fā)明的液晶顯示裝置的另一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)圖，是表示裝入有靜電對策用的電路的圖。
圖39A-39B是表示本發(fā)明的液晶顯示裝置的另一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)圖，是表示裝入有靜電對策用的電路的圖。
圖40是表示本發(fā)明的液晶顯示裝置的另一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)圖，是表示裝入有靜電對策用的電路的圖。
圖41是表示本發(fā)明的液晶顯示裝置的另一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)圖，是表示裝入有靜電對策用的電路的圖。
圖42A-42D是表示本發(fā)明的液晶顯示裝置的另一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)圖，是表示在靜電對策用的電路中被裝入的雙向性二極管的結(jié)構(gòu)圖。
圖43A-43D是表示本發(fā)明的液晶顯示裝置的像素的另一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)圖，是表示其基本條件的圖。
圖44A-44C是表示本發(fā)明的液晶顯示裝置的像素的另一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)圖。
圖45A-45C是表示本發(fā)明的液晶顯示裝置的像素的另一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)圖。
圖46A-46C是表示本發(fā)明的液晶顯示裝置的像素的另一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)圖。
圖47A-47C是表示本發(fā)明的液晶顯示裝置的像素的另一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)圖。
圖48是表示本發(fā)明的液晶顯示裝置的像素的另一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)圖。
圖49是表示本發(fā)明的液晶顯示裝置的像素的另一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)圖。
圖50是表示本發(fā)明的液晶顯示裝置的像素的另一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)圖。
圖51是表示本發(fā)明的液晶顯示裝置的像素的另一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)圖。
圖52是表示本發(fā)明的液晶顯示裝置的像素的另一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)圖。
圖53是表示現(xiàn)有的液晶顯示裝置的一例的等效電路圖。
具體實(shí)施例方式
以下，使用

本發(fā)明的液晶顯示裝置的實(shí)施例。
(實(shí)施例1)圖1是表示本發(fā)明的液晶顯示裝置的一個(gè)實(shí)施例的等效電路圖。
圖中所示的等效電路表示在中間間隔液晶而相互對配置的各基片中的一方的基片的液晶一側(cè)的面上形成的電路。
在該圖中，形成有在其x方向上延伸而在y方向并列設(shè)置的柵極信號線GL(GL1、GL2、……、GLn、……)、和在y方向上延伸而在x方并列設(shè)置的漏極信號線DL(DL1、DL2、……、DLn、……)。
用各柵極信號線GL和各漏極信號線DL包圍的區(qū)域構(gòu)成像素區(qū)，而且，這些各像素區(qū)的矩陣形狀的的集合體構(gòu)成液晶顯示部分AR。
另外，在x方向上并列設(shè)置的各像素區(qū)的每一個(gè)上，形成在各像素區(qū)內(nèi)走線的公用的相對電壓信號線CL(CL1、CL2、……、CLn、……)。該相對電壓信號線CL成為對各像素區(qū)的后述的對置電極CT供給相對于圖像信號成為基準(zhǔn)的相對電壓信號的信號線。
在各像素區(qū)中，形成根據(jù)來自其一側(cè)的柵極信號線GL的掃描信號動(dòng)作的薄膜晶體管TFT、和通過該薄膜晶體管TFT被供給來自一側(cè)的漏極信號線DL的圖像信號的像素電極PX。
該像素電極PX，在與上述對置電極CT之間產(chǎn)生電場，并通過該電場控制液晶的光透射率。此外，用C1c表示中介圖中的液晶在像素電極PX和對置電極CT之間產(chǎn)生的電容。
上述柵極信號線GL的各自的例如圖中左側(cè)的一端被連接到掃描信號驅(qū)動(dòng)電路V。另外，上述漏極信號線DL各自的例如圖中上側(cè)的一端被連接到圖像信號驅(qū)動(dòng)電路He。
根據(jù)來自掃描信號驅(qū)動(dòng)電路V的掃描信號，依次選擇上述各柵極信號線GL中的一個(gè)，與該選擇的定時(shí)一致地，向上述各漏極信號線DL的每一個(gè)供給圖像信號。
進(jìn)而，在本實(shí)施例中，上述相對電壓信號線CL的各自的、例如圖中右側(cè)的一端被連接到公用電極驅(qū)動(dòng)電路。該公用電極驅(qū)動(dòng)電路將相對于圖像信號成為基準(zhǔn)的基準(zhǔn)信號供給到在各相對電壓信號線CL中、被連接到由掃描信號驅(qū)動(dòng)電路所選擇的像素列的對置電極CT的相對電壓信號線CL。此外，上述基準(zhǔn)信號，在以下說明中有時(shí)被稱做相對電壓信號。
另外，在圖1中，在像素電極PX和相對電壓信號線CL之間形成電容元件Cstg。這是因?yàn)?，該電容元件Cstg將被供給像素電極PX的圖像信號較長時(shí)間地存儲(chǔ)在該像素電極PX中的緣故。
圖2是表示上述公用電極驅(qū)動(dòng)電路Cm的驅(qū)動(dòng)方法的概念的圖，并省略圖1所示的薄膜晶體管TFT、像素電極PX、對置電極CT、電容元件Cstg而表示。
在該圖中，通過開關(guān)電路SW1的切換進(jìn)行來自掃描信號驅(qū)動(dòng)電路V的掃描信號的供給，現(xiàn)在，假定柵極信號線GL3被選擇。這時(shí)，通過開關(guān)電路SW2的切換進(jìn)行來自公用電極驅(qū)動(dòng)電路Cm的相對電壓信號的供給，相對電壓信號線CL3被選擇。
此處，柵極信號線GL3是驅(qū)動(dòng)在x方向并列設(shè)置的像素列的各薄膜晶體管TFT的柵極信號線，并且，相對電壓信號線CL3是與該像素列的對置電極CT連接的相對電壓信號線。除此以外的像素列中的柵極信號線GL和相對電壓信號線CL，分別從掃描信號驅(qū)動(dòng)電路和公用電極驅(qū)動(dòng)電路Cm電關(guān)斷，成為浮置狀態(tài)。
此處，作為各像素區(qū)的集合體的液晶顯示部分AR定位在未圖示的密封材料的內(nèi)側(cè)，而掃描信號驅(qū)動(dòng)電路V、圖像信號驅(qū)動(dòng)電路He、公用電極驅(qū)動(dòng)電路Cm分別定位在該密封材料的外側(cè)。在此，上述密封材料是為了另一方的基片對一方的基片的固定，而且封裝液晶而形成的。
在這樣構(gòu)成的液晶顯示裝置中，由被掃描的柵極信號線GL所選擇的像素列以外的其它的像素列中的柵極信號線GL和相對電壓信號線CL被浮置。
因此，電位發(fā)生變動(dòng)的漏極信號線DL、柵極信號線GL和相對電壓信號線CL的寄生電容，比較理想的為0。此處，如果在理想的狀態(tài)下考慮，則在柵極信號線GL中，構(gòu)成寄生電容的布線為1條，寄生電容Cgd急劇地下降到1/1024。另外，在相對電壓信號線CL中，構(gòu)成寄生電容的布線也為1條，寄生電容Ccd急劇地下降到1/1024。因此，寄生電容全體急劇地下降到1/1024。
在該情況下，掃描信號和相對電壓信號的雙方必須都關(guān)斷(OFF)。這是因?yàn)?，假定只有一方關(guān)斷的場合，例如即使寄生電容Cgd變成1/1024，而寄生電容Ccd象以前一樣沒有變化的情況下，寄生電容整體只降低到約1/2，與雙方關(guān)斷時(shí)的1/1024相比，在效果上產(chǎn)生2位數(shù)的差別。
此外，在本實(shí)施例中，是將被選擇的像素列以外的其它像素列中的柵極信號線GL和相對電壓信號線CL都規(guī)定為浮置狀態(tài)。但是，也可以只將相對電壓信號線CL規(guī)定為浮置狀態(tài)。
這是因?yàn)椋ㄟ^只將相對電壓信號線CL規(guī)定為浮置狀態(tài)，起到與將柵極信號線GL浮置的場合不同的其它效果。
即，在著眼于一個(gè)相對電壓信號線CL時(shí)，在該相對電壓信號線CL中，電容元件Cstg被連接在與各像素的像素電極PX之間，該電容元件Cstg的個(gè)數(shù)為多個(gè)。
在這樣的情況下，在薄膜晶體管TFT導(dǎo)通(ON)時(shí)，像素電極PX的各電位由通過該薄膜晶體管TFT被供給的圖像信號D的電位決定。在薄膜晶體管TFT導(dǎo)通(ON)時(shí)，在將被供給像素電極PX的電壓規(guī)定為Pxon的情況下，借助于向該薄膜晶體管TFT的截止(OFF)的切換時(shí)的跳入電壓，像素電極PX變成保持期間的電位PXoff。此處，所謂跳入電壓，表示像素電極PX的電壓差(PXon-PXoff)。而且，借助于該P(yáng)xoff和對置電極CT的電位驅(qū)動(dòng)液晶分子。
上述跳入電壓取決于薄膜晶體管TFT的各部分的尺寸、交叉面積、絕緣膜的膜厚等。而且，這些值在制造工序中必定會(huì)產(chǎn)生某個(gè)范圍的偏差，在每一個(gè)的全部產(chǎn)品中維持相同的值變得極其困難。因此，跳入電壓值也表示每個(gè)產(chǎn)品不同的特性。
另一方面，為了避免直流電壓的存儲(chǔ)所引起的閃爍、余像等，一般而言，以行單位或幀單位等使驅(qū)動(dòng)電壓交流化并驅(qū)動(dòng)液晶。該交流化是對于相對電壓信號線CL的電位的交流化，即是為了使得在長時(shí)間平均地看時(shí)在相對電壓信號線和像素電極PX的電壓差中不產(chǎn)生直流電壓。
以前，相對電壓信號線CL的電位，即使在薄膜晶體管TFT的截止期間也從外部被供給，該電壓是預(yù)先規(guī)定的電壓。而且，將該電壓設(shè)定為正極、負(fù)極的Pxoff的中心電壓，以使得不存儲(chǔ)直流電壓。這是被稱做所謂最佳Vcom的電壓。
但是，從外部供給該最佳Vcom的方式，難以解決因在上述各產(chǎn)品中的跳入電壓差所導(dǎo)致的Pxoff的偏差。而且，薄膜晶體管TFT的特性根據(jù)使用環(huán)境等的不同，通過長時(shí)間的使用會(huì)發(fā)生變動(dòng)。在近年來的個(gè)人計(jì)算機(jī)的產(chǎn)品壽命的長期化、以及象TV用途那樣理所當(dāng)然要使用十年以上的狀況下，這已成為應(yīng)進(jìn)一步精細(xì)觀察的問題。
而且，跳入電壓還因該薄膜晶體管TFT的特性的變動(dòng)而受到影響，跳入電壓變與產(chǎn)品制造時(shí)不同。進(jìn)而，產(chǎn)生柵極電壓的驅(qū)動(dòng)器、向該驅(qū)動(dòng)器供給柵極電壓的電源電路也會(huì)發(fā)生因長時(shí)間使用而導(dǎo)致的特性變動(dòng)。這也使跳入電壓受到影響。
因此，人們指出以前的從外部把最佳Vcom作為預(yù)先規(guī)定的電壓進(jìn)行供給的方式，還不能解決上述因長時(shí)間使用導(dǎo)致的特性變動(dòng)。
與此相反，象上述那樣，通過與薄膜晶體管TFT的截止時(shí)相對應(yīng)地將相對電壓信號線CL浮置，相對電壓信號線CL能夠總是通過電容元件Cstg自己匹配地規(guī)定，以便成為行單位的Pxoff的中心電壓。通過電容元件Cstg使像素電極PX和相對電壓信號線CL的電容顯著地增大，這將有效地發(fā)生作用。
因此，即使發(fā)生了每個(gè)產(chǎn)品的跳入電壓的偏差和因長時(shí)間使用引起的跳入電壓的變動(dòng)等，與該狀況的變化相配合地，將CL自己匹配地調(diào)整到最佳電壓。因此，能取得現(xiàn)有方式所不能產(chǎn)生的效果，即，可以避免每個(gè)產(chǎn)品的個(gè)體差別的影響，另外，避免因長時(shí)間使用引起的特性變動(dòng)的影響。
(實(shí)施例2)圖3A是表示圖2所示的開關(guān)電路SW1的一個(gè)實(shí)施例的電路圖。
首先，以從掃描信號驅(qū)動(dòng)電路V被分別供給掃描信號G1、G2、……、Gn、Gn+1的各柵極信號線GL1、GL2、……、GLn、GLn+1中的、例如，柵極信號線GLn為例，從掃描信號驅(qū)動(dòng)電路V供給掃描信號Gn的信號線，首先被連接到開關(guān)元件SW1(n)的柵極電極G。
該開關(guān)元件SW1(n)的例如漏極電極D被連接到信號線VgON，源極電極S被連接到上述柵極信號線GLn。
另外，該開關(guān)元件SW1(n)的源極電極S被連接到開關(guān)元件SW2(n)的源極電極S。上述開關(guān)元件SW2(n)的柵極電極G被連接到從掃描信號線驅(qū)動(dòng)電路V供給掃描信號Gn+1的信號線，該漏極電極被連接到信號線VgOFF。
在各自的柵極信號線GLn以外的其它柵極信號線GL的每一個(gè)中，也為同樣的結(jié)構(gòu)，將上述信號線VgON和信號線VgOFF規(guī)定為公用的信號線。
此外，當(dāng)然，該開關(guān)元件SW1可以形成在中間間隔液晶而相對配置的各基片的一方的基片的面上，另外，也可以被裝入掃描信號驅(qū)動(dòng)電路V。
圖3B是表示上述的開關(guān)元件SW1的動(dòng)作的流程圖。
在圖3B中，從其上方起，表示從掃描信號驅(qū)動(dòng)器V送出的掃描信號Gn、Gn+1、Gn+2，此時(shí)被供給掃描信號線GLn、GLn+1、GLn+2的掃描信號，進(jìn)而，表示這時(shí)的開關(guān)SW1(n)、開關(guān)SW1(n+1)、SW1(n+2)、開關(guān)SW2(n)、開關(guān)SW2(n+1)、開關(guān)SW2(n+2)的導(dǎo)通/關(guān)斷狀態(tài)。
換言之，與從掃描信號驅(qū)動(dòng)電路V被送出的掃描信號Gn、Gn+1、Gn+2的定時(shí)一致地，如圖示那樣，使開關(guān)SW1(n)、開關(guān)SW1(n+1)、開關(guān)SW1(n+2)、開關(guān)SW2(n)、開關(guān)SW2(n+1)、開關(guān)SW2(n+2)導(dǎo)通或關(guān)斷，由此，向掃描信號線GLn、GLn+1、GLn+2供給如圖示那樣的掃描信號。
此外，此處所示的n，即使將其置換成1或2那樣的數(shù)字，也同樣成立。
在該圖中，如果供給掃描信號Gn，則開關(guān)SW1(n)導(dǎo)通，導(dǎo)通信號通過信號線VgON被供給柵極信號線GL(n)。然后，如果不再供給該掃描信號，而供給下一個(gè)掃描信號Gn+1，則上述開關(guān)SW1(n)關(guān)斷，開關(guān)SW2(n)導(dǎo)通。
由此，截止電壓通過信號線VgOFF供給柵極信號線GLn。
之后，不再供給掃描信號Gn、Gn+1的雙方，開關(guān)SW1(n)、SW2(n)關(guān)斷，柵極信號線GL(n)成為浮置狀態(tài)FT，以后在再供給掃描信號Gn之前維持該浮置狀態(tài)。
在該動(dòng)作的實(shí)施例中，表示了在寫入1行量的OFF后轉(zhuǎn)移到浮置的情況，但當(dāng)然，例如可以象圖3C所示那樣，設(shè)置2行量(或者2行量以上)的時(shí)間，并轉(zhuǎn)移到浮置狀態(tài)。這是因?yàn)椋贡∧ぞw管TFT充分地成為截止電位，可以避免在浮置期間來自薄膜晶體管TFT的漏電的緣故。
這樣，為了延長截止期間，由掃描信號Gn+2控制柵極信號線GLn，并設(shè)置從信號線VgOFF供給信號的其它的開關(guān)SW3(n)即可。
另外，圖4是表示圖2所示的開關(guān)電路SW2的一個(gè)實(shí)施例的電路圖。
首先，如果以從公用電極驅(qū)動(dòng)電路Cm被分別供給相對電壓信號C1、C2、……、Cn、……的各相對電壓信號線CL1、CL2、……、CLn、……中的、例如相對電壓信號線CLn的場合為例，則從公用電極驅(qū)動(dòng)電路Cm供給相對電壓信號的信號線，首先，被連接到開關(guān)元件SW4(n)的柵極電極G。
然后，該開關(guān)元件SW4(n)的漏極電極D被連接到信號線Vc，而且，源極電極S被連接到相對電壓信號線CLn。
在相對電壓信號線CLn以外的其它相對電壓信號線CL的每一個(gè)中，也成為同樣的結(jié)構(gòu)，并將上述信號線Vc規(guī)定為公用的信號線。
此外，當(dāng)然，該開關(guān)元件SW4可以形成在中間間隔液晶而相對配置的各基片的一方的基片的面上，另外，也可以被裝入到掃描信號驅(qū)動(dòng)電路V。
在這樣的結(jié)構(gòu)中，分別與來自掃描信號驅(qū)動(dòng)電路V的掃描信號G1、G2、……、Gn的供給的定時(shí)大致一致地，供給來自公用電極驅(qū)動(dòng)電路Cm的各相對電壓信號C1、C2、……、Cn。在某條柵極信號線GL負(fù)責(zé)的像素列中，向該柵極信號線G供給掃描信號G時(shí)，相對電壓信號C被供給在該像素列內(nèi)所形成的相對電壓信號線CL。
根據(jù)上述構(gòu)成，能夠?qū)]有從公用電極驅(qū)動(dòng)電路Cm被供給相對電壓信號的期間的相對電壓信號線CL設(shè)定為浮置狀態(tài)。
(實(shí)施例3)圖5A是表示圖2所示的開關(guān)電路SW1的一實(shí)施例的電路圖，是與圖3A對應(yīng)的圖。
與圖3A的場合比較，不同的結(jié)構(gòu)在于，成為浮置狀態(tài)的各柵極信號線GL，通過高電阻與浮置電位線FG連接，與鄰接且成為浮置狀態(tài)的其它柵極信號線GL電連接。
即，例如，以柵極信號線GLn的場合為例，則通過開關(guān)元件SW1來自信號線VgON的信號被輸入到開關(guān)元件SW3(n)和開關(guān)元件SW4(n)的并聯(lián)連接體。
此處，開關(guān)元件SW3(n)由來自掃描信號驅(qū)動(dòng)電路V的信號Gn驅(qū)動(dòng)，開關(guān)元件SW4(n)由來自掃描信號驅(qū)動(dòng)電路V的信號Gn+1驅(qū)動(dòng)。
開關(guān)元件SW3(n)和開關(guān)元件SW4(n)的并聯(lián)連接體的輸出端，被連接到上述柵極信號線GLn，而且，通過高電阻R與浮置電位線FG連接。
在上述柵極信號線GLn以外的其它柵極信號線GL的每一個(gè)中，也成為同樣的結(jié)構(gòu)，將上述浮置電位線FG設(shè)定為公用的電位線。
在這樣構(gòu)成的場合，各柵極信號線GL分別同樣地橫穿漏極信號線DL。因此，漏極信號線DL因各柵極信號線GL而受到的影響，在浮置時(shí)，可以視為每個(gè)柵極信號線GL大致相同。
因此，在浮置時(shí)通過高電阻使柵極信號線GL之間相互電連接，能夠維持浮置的效果，而且能夠提高對外部噪音的干擾的耐久性。
圖5B是表示上述的開關(guān)電路SW1的動(dòng)作的流程圖，是與圖3B對應(yīng)的圖。
在圖3B中，從其上方起，表示從掃描信號驅(qū)動(dòng)電路V被送出的掃描信號Gn、Gn+1、Gn+2、Gn+3，被供給該場合的掃描信號線GLn、GLn+1、GLn+2、GLn+3的掃描信號，還表示這時(shí)的開關(guān)SW1(n)～SW4(n)、SW1(n+1) ～SW4(n+1)、SW1(n+2)～SW4(n+2)的導(dǎo)通/關(guān)斷狀態(tài)。
在該圖中，通過掃描信號Gn的供給(ON)，開關(guān)SW1(n)和開關(guān)SW3(n)變成導(dǎo)通，并通過信號線VgON將導(dǎo)通電壓供給柵極信號線GLn。然后，掃描信號Gn變成關(guān)斷，供給(ON)掃描信號Gn+1，則開關(guān)SW1(n)、SW3(n)變成關(guān)斷，SW2(n)、SW4(n)變成導(dǎo)通，通過信號線VgOFF向柵極信號線GLn供給關(guān)斷信號電壓。
進(jìn)而，掃描信號Gn、Gn+1變成關(guān)斷，掃描信號Gn+2以后變成導(dǎo)通，開關(guān)SW1(n)～SW4(n)都變成關(guān)斷，柵極信號線GL(n)經(jīng)由高電阻R被連接到浮置電位線FG。由此，柵極信號線GL(n)在大部分的時(shí)間里為浮置狀態(tài)。
此處，可以在G(n+1)以前和G(n+2)以后借助于晶體管進(jìn)行GL(n)和FG的連接。這時(shí)，高電阻R可以介于其間或不介于其間。這是因?yàn)?，在沒有設(shè)置晶體管的場合，為防止導(dǎo)通時(shí)的電壓的反向電流，必須有高電阻R，但是，在用晶體管電路進(jìn)行導(dǎo)通/關(guān)斷控制的場合，能借助于該晶體管進(jìn)行控制的緣故。
(實(shí)施例4)圖6是表示本發(fā)明的液晶顯示裝置的另一實(shí)施例的平面圖，是與圖2對應(yīng)的圖。
在該實(shí)施例中，將接近掃描信號驅(qū)動(dòng)電路V設(shè)置的開關(guān)電路SW1與該掃描信號驅(qū)動(dòng)電路V一起構(gòu)成為柵極驅(qū)動(dòng)器GD，另外，將接近公用電極驅(qū)動(dòng)電路Cm設(shè)置的開關(guān)電路SW2與該公用電極驅(qū)動(dòng)電路Cm一起構(gòu)成為公用驅(qū)動(dòng)器CD。
在這樣的場合，當(dāng)然，圖像信號驅(qū)動(dòng)電路(漏極驅(qū)動(dòng)器DD)一般由多個(gè)半導(dǎo)體裝置形成，上述柵極驅(qū)動(dòng)器GD和公用驅(qū)動(dòng)器CD也由多個(gè)半導(dǎo)體裝置形成，它們相對于透明基片SUB 1如圖7A所示那樣地被配置。
但是，并不限于上述配置，例如，可以象圖7B所示那樣，接近透明基片SUB1的一方的端邊一側(cè)來配置柵極驅(qū)動(dòng)器GD和公用驅(qū)動(dòng)器CD，例如，還可以將公用驅(qū)動(dòng)器CD定位在柵極驅(qū)動(dòng)器GD的外側(cè)來配置。
而且，在象圖7B所示那樣配置柵極驅(qū)動(dòng)器GD和公用驅(qū)動(dòng)器CD的場合，可以跨過從公用驅(qū)動(dòng)器CD一側(cè)延伸的各相對電壓信號線CL地配置柵極驅(qū)動(dòng)器GD。換言之，可以構(gòu)成為各相對電壓信號線CL在柵極驅(qū)動(dòng)器GD的下方走線。
其理由為，相對電壓信號線CL和柵極信號線GL可以形成為即使在相同的層中形成，也不會(huì)發(fā)生短路的緣故。此外，在該情況下，當(dāng)然，也可以中間存在絕緣膜而在不同的層中形成相對電壓信號線CL和柵極信號線GL。
(實(shí)施例5)
圖8A是表示上述開關(guān)電路SW1的另一實(shí)施例的電路，是與圖5A對應(yīng)的圖。
與圖5A的場合比較，不同的結(jié)構(gòu)在于，在圖5A所示的電路內(nèi)裝入向各相對電壓信號線CL供給相對電壓信號的電路。
在該圖中，將類似于圖4所示的電路的電路裝在后級，作為驅(qū)動(dòng)該電路的各開關(guān)SW5(n)的信號(柵極信號)，使用來自掃描信號驅(qū)動(dòng)電路V的掃描信號Gn。
即，通過借助于掃描信號Gn的供給而導(dǎo)通的開關(guān)SW5，并通過信號線Vc將相對電壓信號供給相對電壓信號線CL(n)。在上述相對電壓信號線CL(n)以外的其它相對電壓信號線CL中，也成為同樣的結(jié)構(gòu)，另外，信號線Vc為公用。
這樣構(gòu)成的電路，能減少其部件數(shù)量，并能夠減小安裝空間。
圖8A所示的電路可以與掃描信號驅(qū)動(dòng)電路V一起被裝入半導(dǎo)體裝置而構(gòu)成。另外，如圖8B所示那樣，可以在透明基片SUB1的表面形成。在該情況下，在上述電路內(nèi)所具備的晶體管，一般而言，例如由多晶硅形成。
此外，在圖8B中，將圖8A所示的電路中除掃描信號驅(qū)動(dòng)電路V以外的其它電路表示為控制電路CC。
圖9是表示上述的開關(guān)電路SW1的動(dòng)作的流程圖，是與圖5B對應(yīng)的圖。
與圖5B的場合比較，不同的部分在于，重新表示了向相對電壓信號線CLn～CLn+1的每一個(gè)供給的相對電壓信號，和開關(guān)SW5(n)～SW5(n+2)的導(dǎo)通/關(guān)斷狀態(tài)。
(實(shí)施例6)圖10A是表示本發(fā)明的液晶顯示裝置的另一實(shí)施例的平面圖。在該實(shí)施例中，是以象上述那樣從公用電極驅(qū)動(dòng)電路Cm(開關(guān)電路SW2被裝入)對各相對電壓信號線CL1、CL2、……、CLn、……掃描并供給相對電壓信號為前提而構(gòu)成的。
在液晶顯示部分AR的外側(cè)的區(qū)域，分別與各相對電壓信號線CL的另一端部(與公用電極驅(qū)動(dòng)電路Cm相反一側(cè)的另一端部)交叉、并且中間存在該相對電壓信號線CL和絕緣膜而形成修正用的布線AML，例如，總是從公用電極驅(qū)動(dòng)電路Cm通過輔助布線ASL(被設(shè)置在液晶顯示部分AR的外側(cè)的區(qū)域中)對該修正用的布線AML供給相對電壓信號。
在這樣構(gòu)成的液晶顯示裝置中，例如象圖10B所示那樣，在相對電壓信號線CL1中發(fā)生斷線CUT的場合，在該相對電壓信號線CL1中從公用電極驅(qū)動(dòng)電路Cm斷開的部分的像素列中產(chǎn)生顯示不良。
在這樣的場合，如圖10C所示那樣，在從公用電極驅(qū)動(dòng)電路Cm斷開的相對電壓信號線CL1和修正用的布線AML的交叉部分上，例如照射激光光線，借此，使它們電連接(圖中箭頭Q所示)。因此，通過上述輔助布線ASL和修正用的布線AML，總是向從公用電極驅(qū)動(dòng)電路Cm斷開的相對電壓信號線CL1供給相對電壓信號。
恢復(fù)了連接的部分的公用電極驅(qū)動(dòng)電路CL1成為非浮置狀態(tài)，因此與漏極信號線DL之間的寄生電容增加。但是，即使修正到數(shù)條程度也能夠依然維持減小幾百分之一的寄生電容的效果。
(實(shí)施例7)在該實(shí)施例中，以象上述的那樣?xùn)艠O信號線GL在其寫入時(shí)以外的大部分時(shí)間里成為浮置的結(jié)構(gòu)為前提，使對各漏極信號線DL的圖像信號的極性與例如對在每一行中鄰接配置的漏極信號線供給的圖像信號的極性同相。
圖11是表示在將漏極信號線DLn和漏極信號線DLn+1的各極性例如規(guī)定為“+”，將下一階段中的漏極信號線DL1～DLn的極性規(guī)定為“-”并供給圖像信號的場合，在某行(柵極信號線Gn)中的漏極信號線DLn和漏極信號線DLn+1之間的位置的電位變化的圖。
在該情況下，在上述柵極信號線GLn被規(guī)定為浮置狀態(tài)的場合，上述位置按照向上述漏極信號線DLn和DLn+1供給的信號的極性，跟隨并變動(dòng)。
即，對上述柵極信號線Gn的上述位置的漏極信號線DLn、DLn+1的各自的電位差最初例如為Va，在下一階段的漏極信號線DLn、DLn+1的各自的電位差也為Va。
這意味著，在被浮置的各柵極信號線GL和被供給圖像信號的漏極信號線DL之間不發(fā)生寄生電容，起到謀求減少耗電的的效果。
為了比較，圖12是表示在向漏極信號線DLn供給圖像信號使得其極性為“+”，向漏極信號線DLn+1供給圖像信號使得其極性為“-”，在下一階段中，向漏極信號線DLn供給圖像信號使得其極性為“-”、向漏極信號線DLn+1供給圖像信號使得其極性為“+”的場合，某行(柵極信號線Gn)中的漏極信號線DLn和漏極信號線DLn+1之間的位置的電位變化的圖。
在該情況下，在上述柵極信號線GLn被規(guī)定為浮置狀態(tài)的場合，上述漏極信號線DLn和DLn+1之間的電位在一方為Va、在另一方為Vb地交替變動(dòng)。
這樣，漏極信號線DLn和漏極信號線DLn+1，對于柵極信號線GL產(chǎn)生充電的必要，并妨礙耗電的降低。
在上述的實(shí)施例中，關(guān)于將鄰接的漏極信號線DL的極性規(guī)定為同相，以每一行為例進(jìn)行了說明。但是，當(dāng)然，可以是諸如每二行、每三行那樣的多行，另外，當(dāng)然也可以是每一幀。其理由為，在柵極信號線GL和漏極信號線DL之間不產(chǎn)生寄生電容，能謀求降低耗電的緣故。
(實(shí)施例8)在該實(shí)施例中，在于實(shí)施例7所示的結(jié)構(gòu)，即，使向各漏極信號線DL的圖像信號的極性與向例如在每一行或每數(shù)行中鄰接配置的漏極信號線供給的圖像信號的極性同相，而且，在其掃描時(shí)使相對電壓信號線反轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)。
通過這樣做，能使漏極信號線DL中的信號振幅本身減半，并能夠再實(shí)現(xiàn)耗電的減少。
而且，通過使漏極信號線DL中的信號的振幅減小，能夠減小掃描信號G的振幅，并能夠進(jìn)一步提高浮置引起的耗電減少的效果。
另外，以往所看到那樣的所謂公用反轉(zhuǎn)，由于總是驅(qū)動(dòng)整個(gè)畫面的對置電極CT的電位，因此存在著其負(fù)載非常重，該對置電極CT的驅(qū)動(dòng)電路的耗電大的課題。
但是，在上述實(shí)施例中，相對電壓信號線CL在其電壓供給后也變成浮置。即，驅(qū)動(dòng)的相對電壓信號線CL的條數(shù)大幅度地減少到幾百分之一以下，因此上述公用電極驅(qū)動(dòng)電路Cm中的耗電也變得極小，圖像信號驅(qū)動(dòng)電路He的耗電減少的效果能夠大致直接減少整體的耗電。
此外，沒有必要向各對置電極CT供給大電流，能提高可靠性，還能降低部件成本。
象上述那樣，相對電壓信號線CL在其寫入后變成浮置，與柵極信號線GL的場合相同，按照圖像信號D的電位進(jìn)行跟隨，因此，由于鄰接的圖像信號線DL是同相的，所以能充分發(fā)揮浮置的效果。
即，(1)柵極在除寫入時(shí)以外的大部分時(shí)間中成為浮置。(2)在寫入時(shí)以外的大部分時(shí)間中，公用電極成為浮置。(3)鄰接的圖像信號線用同相驅(qū)動(dòng)。(4)公用電極被公用反轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)。通過結(jié)合以上各構(gòu)成，就能實(shí)現(xiàn)最大限度的耗電減少的效果。
(實(shí)施例9)圖13A-13C是表示本發(fā)明的液晶顯示裝置的另一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)圖，表示了經(jīng)由公用電極驅(qū)動(dòng)電路Cm和開關(guān)電路SW2與各相對電壓信號線CL連接的其它實(shí)施例。
圖13A表示將各相對電壓信號線CL例如從上方起每2條被連接，并通過該連接部分依次供給相對電壓信號，圖13B表示將各相對電壓信號線CL例如從上方起每3條被連接，并通過該連接部分依次供給相對電壓信號。雖然未圖示，但可以每4條、每4條以上的條數(shù)被連接。
在這樣構(gòu)成的場合，象圖13C所示那樣，能夠使公用電極驅(qū)動(dòng)電路Cm的公用驅(qū)動(dòng)器CD的個(gè)數(shù)比掃描信號驅(qū)動(dòng)電路V的柵極驅(qū)動(dòng)器GD的個(gè)數(shù)少。
由此，例如象圖14A-14B所示那樣，能夠使公用電極驅(qū)動(dòng)電路Cm的公用驅(qū)動(dòng)器CD并列設(shè)置地配置在掃描信號驅(qū)動(dòng)電路V的柵極驅(qū)動(dòng)器GD中(圖14A)，或者并列設(shè)置地配置在圖像信號驅(qū)動(dòng)電路He的漏極驅(qū)動(dòng)器DD中(圖14B)。因此，能夠謀求液晶顯示面板的空間節(jié)省化。
(實(shí)施例10)圖15A-15B是表示本發(fā)明的液晶顯示裝置的另一實(shí)施例的說明圖，是與圖13A對應(yīng)的圖。在圖15A中，供給有來自公用電極驅(qū)動(dòng)電路Cm的通過掃描供給的一個(gè)掃描信號的多個(gè)相對電壓信號線CL被形成環(huán)狀。
即，成為對于相對電壓信號線CL的斷線的冗長構(gòu)造，柵極信號線GL和相對電壓信號線CL即使短路，在該短路部分的兩側(cè)進(jìn)行切斷，借此能夠消除該短路的缺陷，能夠恢復(fù)到正常的狀態(tài)。
另外，在圖15B中，多個(gè)相對電壓信號線CL沒有形成環(huán)狀，但是，從在一端相互連接的該多個(gè)相對電壓信號線CL的另一端同時(shí)供給相對電壓信號，由此，實(shí)質(zhì)上，與圖15A所示的構(gòu)造相同，被構(gòu)成環(huán)狀，具有同樣的功能。
此外，圖15A-15B所示的結(jié)構(gòu)是將各自鄰接的各相對電壓信號線CL彼此設(shè)為冗長構(gòu)造的結(jié)構(gòu)。但是，當(dāng)然，可以象圖16A、B所示那樣，例如1條相對電壓信號線CL和自它起第3條相對電壓信號線CL構(gòu)成環(huán)狀。即，各環(huán)可以形成為嵌套形狀。
此外，圖16A為與圖15A對應(yīng)的圖，圖16B為與圖15B對應(yīng)的圖。
(實(shí)施例11)圖17A是表示本發(fā)明的液晶顯示裝置的像素的一實(shí)施例的平面圖，另外，圖17B表示了沿圖17A的b-b線的剖面圖。
首先，在透明基片SUB1的液晶一側(cè)的表面例如形成由多晶硅層構(gòu)成的半導(dǎo)體層LTPS。該半導(dǎo)體層LTPS例如是借助于受激準(zhǔn)分子激光器使由等離子CVD裝置成膜的非晶型硅膜多晶化的半導(dǎo)體層。
該半導(dǎo)層LTPS是薄膜TFT的半導(dǎo)體層，構(gòu)成了例如2次橫穿后述的柵極信號線GL而迂回形成的圖案。
然后，在這樣形成了半導(dǎo)體層LTPS的透明基片SUB1的表面，還覆蓋該半導(dǎo)體層LTPS而形成例如由SiO2或SiN構(gòu)成的第1絕緣膜INS。
該第1絕緣膜INS作為上述薄膜晶體管TFT的柵極絕緣膜起作用，還作為后述的電容元件Cstg的電介質(zhì)膜之一起作用。
然后，在第1絕緣膜INS的上面，形成在圖中的x方向延伸、在y方向并列設(shè)置的柵極信號線GL。該柵極信號線GL與后述的漏極信號線DL一起劃分矩形形狀的像素區(qū)。
該柵極信號線GL，2次橫穿上述半導(dǎo)體層LTPS地走線。橫穿該半導(dǎo)體層LTPS的部分，作為薄膜晶體管TFT的柵極電極起作用。
另外，在各柵極信號線GL之間，例如，在與該柵極信號線GL相同的工序中，與該柵極信號線GL并行地形成電容信號線CNL。該電容信號線CNL在像素區(qū)內(nèi)構(gòu)成上述電容元件Cstg的一個(gè)電極。
此外，在該柵極信號線GL形成后，通過第1絕緣膜INS，注入雜質(zhì)離子，并在上述半導(dǎo)體層LTPS中，使得除上述柵極信號線GL的正下方之外的區(qū)域?qū)щ娀?，由此，形成薄膜晶體管TFT的源極區(qū)域和漏極區(qū)域。
在上述第1絕緣膜INL的上面，還覆蓋上述柵極信號線GL和電容信號線CNL地例如由SiO2或SiN形成第2絕緣膜GI。
在該第2絕緣膜GI的表面，形成在y方向延伸、在x方向并列設(shè)置的漏極信號線DL。然后，在該漏極信號線DL的一部分上，通過貫穿其下面的第2絕緣膜GI和第1絕緣膜INS的通孔TH1與上述半導(dǎo)體層LTPS連接。與該半導(dǎo)體層LTPS的漏極信號線DL連接的部分，是成為薄膜晶體管TFT的一方的區(qū)域，例如漏極區(qū)域的部分。
進(jìn)而，在第2絕緣膜GI的表面，還覆蓋該漏極信號線DL，形成第3絕緣膜PAS。該第3絕緣膜PAS例如由樹脂等有機(jī)材料構(gòu)成，并與上述第2絕緣膜GI一起成為用于避免上述薄膜晶體管TFT與液晶的直接接觸的保護(hù)膜。之所以用有機(jī)材料構(gòu)成第3絕緣膜PAS，是因?yàn)槭棺鳛楸Ｗo(hù)膜的介電常數(shù)降低，而且使表面平坦化的緣故。
在該第3絕緣膜PAS的表面形成像素電極PX。該像素電極例如用ITO(Indium Tin Oxide)、ITZO(Indium Tin Zinc Oxide)、IZO(Indium Zinc Oxide)SnO2(氧化錫)、In2O3(氧化銦)等透光性的導(dǎo)電層構(gòu)成，并在像素區(qū)的大部分區(qū)域形成。該像素電極PX，在中間間隔液晶而相對配置的另一方的透明基片的液晶一側(cè)的表面上，使在與在像素區(qū)中公共地形成的對置電極(透光性的導(dǎo)電層)之間產(chǎn)生電場，并控制該液晶的光透射率。然后，像素電極PX，在其一部分上，通過使貫穿其下方的第3絕緣膜PAS、第2絕緣膜GI和第1絕緣膜INS而設(shè)置的通孔TH2，被連接到薄膜晶體管TFT的另一方的區(qū)域，例如源極區(qū)域。
該像素電極PX，也兼做在與上述電容信號線CNL重疊的區(qū)域中形成的電容元件Cstg的另一方的電極。該場合的電容元件Cstg的電介質(zhì)膜是第2絕緣膜GI和第3絕緣膜PAS。
此處，上述電容信號線CNL替代上述圖2所示的相對電壓信號線CL，象在該圖2的說明中所示的那樣，例如，電壓信號按每行掃描來供給，而且，除此以外的電容信號線CNL成為浮置狀態(tài)。
如此，能夠大幅度地減小在漏極信號線DL和電容信號線CNL的交叉部分的寄生電容。
(實(shí)施例12)圖18A是表示本發(fā)明的液晶顯示裝置的像素的另一實(shí)施例的平面圖，圖18B表示沿圖18A的b-b線的剖面圖，圖18C表示沿圖18A的c-c線的剖面圖。
與圖17所示的結(jié)構(gòu)大致相同，在形成了薄膜晶體管TFT的面的一側(cè)形成對置電極CT，分別使該對置電極CT和像素電極PX成為帶狀的圖案，在像素區(qū)內(nèi)從一方的漏極信號線DL一側(cè)到另一方的漏極信號線DL，例如按照對置電極CT、像素電極PX、對置電極CT的順序進(jìn)行配置。此外，當(dāng)然，這些電極的個(gè)數(shù)并沒有被限定。
在像素電極PX和對置電極CT之間，使得產(chǎn)生具有與透明基片SUB1的面大致平行的成分的電場，借助于該電場控制液晶的光透射率。
為了提高開口率，例如在ITO等那樣的透光性的導(dǎo)電層上形成像素電極PX，并配置在第3絕緣膜PAS的上面。該像素電極PX，在其一部分上，通過貫穿其下方的第3絕緣膜PAS、第2絕緣膜GI和第1絕緣膜INS而設(shè)置的通孔，被連接到薄膜晶體管TFT的另一方的區(qū)域，例如源極區(qū)域。
另外，對置電極CT，是從用與圖17A-17B所示的電容信號線CNL相同的結(jié)構(gòu)來形成的相對電壓信號線CL在圖中y方向延伸而形成的電極，分別與各漏極信號線DL鄰接而形成的。
該相對電壓信號線CL，是在上述的圖2中所示的信號線，象在該圖2的說明中所示的那樣，例如，相對電壓信號按每行掃描來供給，而且，除此以外的相對電壓信號線CL成為浮置狀態(tài)。
這是因?yàn)?，能夠大幅度地減小在漏極信號線DL和相對電壓信號線CL的交叉部分的寄生電容的緣故。
此外，在上述的實(shí)施例中，在第3絕緣膜PAS的上面形成像素電極PX。但是，當(dāng)然，象圖18D所示那樣，可以形成在第3絕緣膜PAS的下層、即與漏極信號線DL相同的層上。這是因?yàn)槟軌蚱鸬酵瑯拥男Ч木壒省?br> (實(shí)施例13)圖19A是表示本發(fā)明的液晶顯示裝置的像素的另一實(shí)施例的平面圖，是與圖18A對應(yīng)的圖。另外，圖19B表示沿圖19A的b-b線的剖面圖，圖19C表示沿圖19A的c-c線的剖面圖。
與圖18A比較，不同的結(jié)構(gòu)在于，在與形成在第3絕緣膜PAS的上面的像素電極PX相同的層上，形成對置電極CT和被連接到該對置電極CT的相對電壓信號線CL。
并且，例如，在ITO(Indium Tin Oxide)、ITZO(Indium TinZinc Oxide)、IZO(Indium Zinc Oxide)、SnO2(氧化錫)、In2O3(氧化銦)等的透光性的導(dǎo)電層上，構(gòu)成對置電極CT和相對電壓信號線CL，謀求進(jìn)一步提高像素的開口率。
此處，與驅(qū)動(dòng)該像素的柵極信號線GL重疊地構(gòu)成相對電壓信號線CL，使其中心軸與該柵極信號線GL的中心軸大致一致，并且，其寬度被形成得比該柵極信號線GL的寬度大。另外，對置電極CT在漏極信號線DL中被重疊構(gòu)成，其中心軸與該漏極信號線DL的中心軸大致一致，同時(shí)，其幅度被形成比該漏極信號線DL的幅度大。這是為了使來自漏極信號線DL或柵極信號線GL的電力線容易終止在這些相對電壓信號線CL和對置電極CT上，而不使其終止在像素電極PX上。這是因?yàn)?，到達(dá)該電極PX的上述電力線成為噪音發(fā)生的原因的緣故。
另外，在第3絕緣膜PAS的上層所形成的像素電極PX，通過被形成在該第3絕緣膜PAS的通孔TH3，被引出到該第3絕緣膜PAS的下層。該引出線STM，與像素電極PX同樣地，與在第3絕緣膜PAS的上層所形成的相對電壓信號線CL的一部分重疊地形成。這是為了在該被重疊的部分上形成電容元件Cstg。
并且，在這樣的結(jié)構(gòu)中，不同于與驅(qū)動(dòng)該像素的柵極信號線GL重疊地形成的相對電壓信號線CL的其它的鄰接的相對電壓信號線CL和該像素的對置電極CT被分開，即，被電斷開地構(gòu)成。即，在圖中x方向并列設(shè)置的像素列所公用的相對電壓信號線CL，與在圖中x方向并列設(shè)置的像素列所公用的相對電壓信號線CL被電斷開地形成。
如在圖2所示的實(shí)施例中已說明的那樣，是為了對各相對電壓信號線CL的每一條掃描供給對各相對電壓信號線CL的相對電壓信號。
此處，為了使該像素的對置電極CT的功能充分地發(fā)揮，上述與其它相對電壓信號線CL的分離在該其它的相對電壓信號線CL的附近被完成。
在上述的實(shí)施例中，作為第3絕緣膜PAS，例如是使用了由樹脂等構(gòu)成的有機(jī)材料層的結(jié)構(gòu)。如上述那樣，為了謀求減小保護(hù)膜的介電常數(shù)。這是因?yàn)?，通過謀求減小保護(hù)膜的介電常數(shù)，起到減小漏極信號線DL和相對電壓信號線CL的交叉部分的寄生電容的效果。
但是，對各相對電壓信號線CL的相對電壓信號按各相對電壓信號線CL的每一條掃描來供給，而且，這時(shí)，使其它的相對電壓信號線CL成為浮置狀態(tài)，因此能夠大幅度地減小漏極信號線DL和相對電壓信號線CL的交叉部分的寄生電容。
因此，具有無需設(shè)置上述第3絕緣膜PAS，只用第2絕緣膜GI(無機(jī)材料層)能夠形成上述保護(hù)膜的效果。由此，不需要有機(jī)膜的形成，能夠?qū)崿F(xiàn)工序的簡化和成本的降低。另外，也能謀求成品率的提高。
進(jìn)而，在上述的實(shí)施例中，表示了這樣的結(jié)構(gòu)，即，使并列設(shè)置在圖中x方向的像素列所公用的相對電壓信號線CL依然與并列設(shè)置在圖中x方向的像素列所公用的其它的鄰接的相對電壓信號線CL電分離。
但是，當(dāng)然，例如象圖15A-15B或圖16A-16B所示的那樣，在使多條相對電壓信號線CL連接成環(huán)狀的場合，或者在具有與它相同的功能的場合，在該連接部分上，可以不進(jìn)行與該多條相對電壓信號線CL的電分離。
(實(shí)施例14)圖20A是表示本發(fā)明的液晶顯示裝置的像素的另一實(shí)施例的平面圖，是與圖19A對應(yīng)的圖。另外，圖20B表示沿圖20A的b-b線的剖面圖，圖20C表示沿圖20A的c-c線的剖面圖。
與圖19A比較，不同的結(jié)構(gòu)在于，首先，與驅(qū)動(dòng)該像素的柵極信號線GL(n+1)重疊而形成的相對電壓信號線CL(n+2)和該像素的圖中下側(cè)的像素的對置電極CT連接，并與該像素的對置電極CT電分離。換言之，該像素的對置電極CT構(gòu)成為，被連接到與驅(qū)動(dòng)該像素的上側(cè)的像素的柵極信號線GL(n)重疊而形成的相對電壓信號線CL(n+1)。
另外，該像素的電容元件Cstg形成在該像素的像素電極PX和與驅(qū)動(dòng)該像素的上側(cè)的像素的柵極信號線GL(n)重疊而形成的相對電壓信號線CL(n+1)之間。
在該情況下，如圖20C所示那樣，在該電容元件Cstg中，在通過形成于第3絕緣膜PAS的通孔TH3被引出到該第3絕緣膜PAS的下層的引出線STM和上述相對電壓信號線CL(n+1)之間，將上述第3絕緣膜PAS構(gòu)成為電介質(zhì)膜。
并且，各柵極信號線GL的掃描(scan)方向形成為，從圖中上側(cè)向下側(cè)，從柵極信號線GL(n)向柵極信號線GL(n+1)。
即，在向該像素的柵極信號線GL(n+1)供給掃描信號時(shí)(導(dǎo)通狀態(tài))，與它重疊的相對電壓信號線CL(n+1)成為浮置狀態(tài)，從與驅(qū)動(dòng)該像素的上側(cè)的像素的柵極信號線GL(n)重疊的相對電壓信號線CL(n+1)向該像素的對置電極CT供給相對電壓信號。
圖20D是表示，在上述的結(jié)構(gòu)中，對相互鄰接的柵極信號線GL(n)、GL(n+1)、GL(n+2)，和相對電壓信號線CL(n)、CL(n+1)、CL(n+2)的時(shí)間的導(dǎo)通(ON)、關(guān)斷(OFF)和浮置(FT)狀態(tài)的說明圖。從該圖可知，在液晶顯示部分AR的全部像素中，在向柵極信號線GL供給掃描信號時(shí)(ON)，與它重疊的相對電壓信號線CL成為浮置狀態(tài)。
因此，能大幅度地減小該柵極信號線GL和相對電壓信號線CL之間的寄生電容，并能夠避免寫入率的下降。
此外，圖20A與圖19A的場合不同，漏極信號線DL、對置電極CT和像素PX各自成為在像素的中央被彎曲的結(jié)構(gòu)。這是鑒于液晶即使在其分子排列為相同的狀態(tài)，根據(jù)入射到液晶顯示面板的光的入射方向，透射光的偏光狀態(tài)發(fā)生變化，根據(jù)入射方向，光的透射率不同，所以，以連接了各電極的彎曲點(diǎn)的假想的線為邊界，在一方的區(qū)域和另一方的區(qū)域中，使作用于各電極間的電場的方向不同，由此，補(bǔ)償取決于視場角的圖像的著色。這樣的結(jié)構(gòu)在上述的各像素或后述的其它的像素中也能適用。
(實(shí)施例15)圖21A是表示本發(fā)明的液晶顯示裝置的像素的另一實(shí)施例的平面圖，是與圖20A對應(yīng)的圖。另外，圖21B是沿圖21A的b-b線的剖面圖。
與圖20A的場合比較，不同的結(jié)構(gòu)僅在于，柵極信號線GL的掃描方向不同，從圖中下側(cè)的像素向上側(cè)的像素對它們進(jìn)行驅(qū)動(dòng)。因此，在鄰接的柵極信號線GL(*)和相對電壓信號線CL(*)的命名時(shí)，改變該*的部分進(jìn)行描述。
另外，圖21C是表示對相互鄰接的柵極信號線GL(n)、GL(n+1)、GL(n+2)和相對電壓信號線CL(n)、CL(n+1)、CL(n+2)的時(shí)間的導(dǎo)通(ON)、關(guān)斷(OFF)，和浮置(FT)狀態(tài)的說明圖。
在該實(shí)施例的場合，在向驅(qū)動(dòng)該像素的柵極信號線GL(n+1)供給掃描信號時(shí)(ON)，與該柵極信號線GL(n+1)重疊而配置的相對電壓信號線CL(n)成為浮置狀態(tài)，因此，能夠大幅度地減小在這些柵極信號線GL(n+1)和相對電壓信號線CL(n)之間的寄生電容。
并且，進(jìn)而，即使在上述柵極信號線GL(n+1)從上述的導(dǎo)通變成關(guān)斷的階段中，也能夠?qū)⑸鲜鱿鄬﹄妷盒盘柧€CL(n)設(shè)定為浮置狀態(tài)。
因此，由于在向薄膜晶體管TFT寫入導(dǎo)通和截止的連續(xù)的2行量之間，能夠?qū)艠O信號線GL設(shè)定為浮置狀態(tài)，因此就能夠提高該薄膜晶體管TFT的截止特性。
(實(shí)施例16)圖22A是表示本發(fā)明的液晶顯示裝置的像素的另一實(shí)施例的平面圖，為與圖21A對應(yīng)的圖。另外，圖22B是沿圖22A的b-b線的剖面圖。
與圖21A比較，不同的結(jié)構(gòu)在于，例如，在與柵極信號線GL的形成相同的工序中，接近與驅(qū)動(dòng)該像素的柵極信號線GL(n+1)鄰接的其它的柵極信號線GL(n+2)而形成輔助布線層CLA(n+1)。由此，該輔助布線層CLA(n+1)由與柵極信號線GL的材料相同的材料形成，其電阻構(gòu)成為較低的值。
并且，在該輔助布線層CLA(n+1)的上方，與上述柵極信號線GL(n+2)一起配置被重疊形成的相對電壓信號線CL(n+1)。上述輔助布線層CLA(n+1)的一部分通過貫通第3絕緣膜PAS和第2絕緣膜GI的通孔TH3相互連接。
之所以還覆蓋輔助布線層CLA(n+1)形成上述相對電壓信號線CL(n+1)，是為了使該相對電壓信號線CL(n+1)具有屏蔽功能的緣故。
上述相對電壓信號線CL和在其上一體形成的對置電極CT，例如在ITO(Indium Tin Oxide)、ITZO(Indium Tin Zinc Oxide)、IZO(Indium Zinc Oxide)、SnO2(氧化錫)、In2O3(氧化銦)等的透光性的導(dǎo)電層上構(gòu)成。
這些透光性的導(dǎo)電層與其它金屬層等比較，其布線電阻增大。但是，可以借助于上述輔助布線層CLA來避免該缺陷。由此能減小向上述相對電壓信號線CL供給的相對電壓信號的波形變鈍(不尖銳)，能防止在該相對電壓信號的供給一側(cè)和與其相反的一側(cè)產(chǎn)生的亮度差。
此外，本實(shí)施例不限于圖22A所示的結(jié)構(gòu)，在將相對電壓信號線CL和對置電極CT一體地形成，且其材料采用透光性的導(dǎo)電層的場合下可以全部適用。
(實(shí)施例17)圖23A是表示本發(fā)明的液晶顯示裝置的像素的另一實(shí)施例的平面圖，為與圖22A對應(yīng)的圖。另外，圖23B、圖23C表示沿圖23A的b-b線的剖面圖。
與圖22A的場合比較，不同的部分在于，用電容耦合進(jìn)行輔助布線層CLA和與它重疊而配置的相對電壓信號線CL的連接。
例如，象圖23B所示那樣，在與輔助布線層CLA進(jìn)行上述電容耦合的部分的第3絕緣膜PAS上，設(shè)置例如開口(可以是凹陷部分)，還覆蓋該開口并形成相對電壓信號線CL。在進(jìn)行該電容耦合的部分，膜厚較薄的第2絕緣膜GI介于輔助布線層CLA和相對電壓信號線CL之間，進(jìn)行輔助布線層CLA和相對電壓信號線CL的電容耦合。
另外，圖23C是表示圖23B所示的部分的另一實(shí)施例的圖，象該圖所示那樣，也可以在進(jìn)行輔助布線層CLA和相對電壓信號線CL的電容耦合的部分，在第2絕緣膜GI和第3絕緣膜PAS之間形成被浮置的金屬層FTM。
(實(shí)施例18)圖24是表示本發(fā)明的液晶顯示裝置的像素的另一實(shí)施例的平面圖，是與圖23A對應(yīng)的圖。
與圖23A的場合比較，不同的結(jié)構(gòu)為，設(shè)置第2輔助布線層CLA’，便得接近驅(qū)動(dòng)該像素的柵極信號線GL，且與像素電極PX及對置電極CT交叉，未被與該柵極信號線GL重疊而配置的相對電壓信號線CL覆蓋。
此外，例如與上述柵極信號線GL的形成同時(shí)形成該第2輔助布線層CLA’。
而且，在圖中x方向排列配置的像素列所公用的上述第2輔助布線層CLA’和其它同樣的像素列所公用的第2輔助布線層CLA’分別在液晶顯示區(qū)域的外側(cè)的區(qū)域連接，由此在電路上具有相同功能。
由此，可以在第2輔助布線層CLA’和像素電極PX交叉的區(qū)域構(gòu)成電容元件Cstg。而且，通過設(shè)置該第2輔助布線層CLA’與對置電極CT的交叉部分，能夠分別使該第2輔助布線層CLA’和對置電極CT的電位穩(wěn)定。
(實(shí)施例19)圖25A是表示本發(fā)明的液晶顯示裝置的像素的另一實(shí)施例的平面圖，例如為與圖18A對應(yīng)的圖。另外，圖25B表示沿圖25A的b-b線的剖面圖，圖25C表示沿圖25A的c-c線的剖面圖。
在該實(shí)施例中，像素電極PX和對置電極CT的圖案不同，其它與圖18A所示的結(jié)構(gòu)大致相同。
首先，在第1絕緣膜INS的上面形成對置電極CT，該對置電極CT形成在像素區(qū)的大致整個(gè)區(qū)域，而且與在x方向鄰接的其它像素區(qū)的對置電極CT連接。換言之，在x方向并列設(shè)置的各像素區(qū)中，連續(xù)地形成對置電極CT，與在y方向鄰接的其它像素的對置電極CT電分離地形成。
該對置電極CT兼有相對電壓信號線CL的功能，其材料例如用ITO(Indium Tin Oxide)、ITZO(Indium Tin Zinc Oxide)、IZO(Indium Zinc Oxide)、SnO2(氧化錫)、In2O3(氧化銦)等透光性的導(dǎo)電層構(gòu)成。
另外，像素電極PX，在第3絕緣膜PAS的上面被形成，在各像素區(qū)中，除其周邊以外的中央的大部分區(qū)域中被形成。該材料例如也用ITO(Indium Tin Oxide)、ITZO(Indium Tin Zinc Oxide)、IZO(Indium Zinc Oxide)、SnO2(氧化錫)、In2O3(氧化銦)等透光性的導(dǎo)電層構(gòu)成。
而且，該像素電極PX，例如在圖中y方向并列設(shè)置在像素區(qū)的中央部分具有頂部的例如“ㄑ字”形狀的開口而形成。
這樣被構(gòu)成的像素，可以在像素電極PX和對置電極CT之間產(chǎn)生具有與透明基片SUB1的表面大致平行的成分的電場，并能夠提高開口率。
另外，在上述的說明中，對置電極CT形成在第1絕緣膜INS的上面。但是，當(dāng)然，例如，可以象圖25C所示那樣，形成在透明基片SUB1的表面。
此外，象上述那樣地形成在像素電極PX中形成的開口的圖案的理由是，為了形成使在像素電極PX和對置電極CT之間產(chǎn)生的電場的方向不同的區(qū)域，補(bǔ)償取決于視場角的圖像的著色。
圖26A是表示本發(fā)明的液晶顯示裝置的像素的另一實(shí)施例的平面圖，是與圖25A對應(yīng)的圖。另外，圖26B表示沿圖26A的b-b線的剖面圖，圖26C表示沿圖26A的c-c線的剖面圖。
與圖25A的場合比較，不同的結(jié)構(gòu)在于像素電極PX和對置電極CT。即，像素電極PX，形成在第2絕緣膜GI的表面，在該像素區(qū)中，形成在除它的周邊外的中央的大部分區(qū)域中。其材料用上述的透光性的導(dǎo)電層形成。
另一方面，對置電極CT形成在像素區(qū)的大致整個(gè)區(qū)域，而且，與在x方向鄰接的其它的像素區(qū)的對置電極CT連接，兼有相對電壓信號線CL的功能。與在y方向鄰接的像素區(qū)的對置電極CT電分離，這一點(diǎn)與圖25A的場合相同。另外，作為該材料用透光性的導(dǎo)電層形成，這一點(diǎn)也與圖25A的場合相同。
而且，在該對置電極CT的各像素區(qū)，在其中央部分具有頂部的例如“ㄑ字”形狀的開口在圖中的y方向并列設(shè)置地形成。
在這樣構(gòu)成的像素中，也能具有與圖25A所示的結(jié)構(gòu)相同的功能。
(實(shí)施例20)圖27A是表示上述的公用電極驅(qū)動(dòng)電路Cm和各相對電壓信號線CL的連接部分中的另一實(shí)施例的電路圖，是與圖4對應(yīng)的圖。
與圖4比較，不同的結(jié)構(gòu)在于，通過由來自該公用電極驅(qū)動(dòng)電路Cm的信號所導(dǎo)通的開關(guān)SW5(n)向相對電壓信號線CL供給的相對電壓信號Vc，從OP放大器OPA供給。
該OP放大器OPA，對被供給它的AC電壓波形進(jìn)行所謂的升壓(boost)，并將該被升壓的信號作為上述相對電壓信號Vc使用。該升壓例如利用在OP放大器OPA或它的晶體管中產(chǎn)生的過沖(overshoot)現(xiàn)象，通過適當(dāng)?shù)卦O(shè)定電路常數(shù)，可由此得到圖27B所示那樣的相對電壓信號Vc。
在圖27B中，圖中左側(cè)的波形A表示通過上述OP放大器OPA得到的相對電壓信號，圖中右側(cè)的波形B表示向相對電壓信號線CL供給上述相對電壓信號時(shí)的相對電壓信號，表示從離它的供給端近的(near)一側(cè)向遠(yuǎn)的一側(cè)(far away)如圖所示地產(chǎn)生波形失真的情況。由該圖可知，在離相對電壓信號線CL的供給側(cè)較遠(yuǎn)的一側(cè)產(chǎn)生了波形失真的相對電壓信號，能充分地保持矩形波的形狀。
在這樣構(gòu)成的場合，由于有選擇地將信號供給各相對電壓信號線CL，因此，與同時(shí)驅(qū)動(dòng)所有的相對電壓信號線CL的現(xiàn)有方式比較，負(fù)載急劇地降低到幾百分之一。因此，只用OP放大器OPA或它的晶體管形成的簡單的電路，就能夠進(jìn)行上述那樣的波形的修正。而且，根據(jù)負(fù)載的輕重，還能充分地發(fā)揮修正的效果，此外，在修正電路中使用的部件，由于負(fù)載急劇地減輕，用電流耐性低的廉價(jià)的部件就可以解決。另外，流經(jīng)的電流也比較理想地變成幾百分之一，因此可靠性高，能實(shí)現(xiàn)長壽命化。
附帶而言，在圖27C中，在同時(shí)驅(qū)動(dòng)所有的相對電壓信號線CL的現(xiàn)有方式中，圖中左側(cè)的波形A表示相對電壓信號，圖中右側(cè)的波形B表示向相對電壓信號線CL供給上述相對電壓信號時(shí)的相對電壓信號，從離它的供給端近的(near)一側(cè)向遠(yuǎn)的一側(cè)(faraway)如圖所示地產(chǎn)生波形失真，在離相對電壓信號線CL的供給側(cè)較遠(yuǎn)的一側(cè)不能保持矩形波的形狀。
(實(shí)施例21)圖28A-28C是表示本發(fā)明的液晶顯示裝置的另一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)圖。
在x方向并列設(shè)置的各像素的像素列所公用的相對電壓信號線CL，多條漏極信號線DL橫穿并介于其中。例如，在SXGA中橫穿1280條左右。
而且，作為理想的狀態(tài)，在向這些各漏極信號線DL供給完全相同的信號的場合，不存在從漏極信號線DL向相對電壓信號線CL的影響，但在實(shí)際的狀態(tài)中，取決于用戶顯示的圖像圖案，象圖28C所示那樣，顯示在每個(gè)區(qū)域、例如液晶顯示部分AR中的區(qū)域a、b中不同的圖案。
因此，各漏極信號線DL被供給在每個(gè)區(qū)域中不同的電壓，這時(shí)，各相對電壓信號線CL具有對于上述區(qū)域a最佳的電壓以及對于上述區(qū)域b最佳的電壓，它們互不相同。
因此，在向各相對電壓信號線CL供給相對電壓信號的寫入時(shí)，通過供給根據(jù)該實(shí)際的圖像的值的相對電壓信號，能夠改善所謂拖尾(smear)。
在圖28A中，從圖像控制電路TCON將各信號分別供給液晶顯示面板PNL的柵極驅(qū)動(dòng)器GD、漏極驅(qū)動(dòng)器DD以及公用驅(qū)動(dòng)器CD，借此，在該液晶顯示面板PNL的液晶顯示部分AR進(jìn)行顯示。另外，通過Vc生成電路VcGN，從該圖像控制電路TCON供給相對電壓信號Vc。此處，上述Vc生成電路VcON，例如借助于DA變換器等，將由圖像控制電路TCON計(jì)算出的最佳數(shù)據(jù)變換成Vc電壓并輸出。
此外，在圖28A中，被輸入到圖像控制電路TCON中的圖像信號Vsig是從液晶顯示面板PNL的外部被供給的圖像信號。
圖28B是表示上述的各電路的動(dòng)作流程的圖。首先，圖像信號Visg被輸入到圖像控制電路TCON，在該圖像控制電路TCON中，首先，計(jì)測圖像信號的數(shù)據(jù)(步驟1)。然后，從已計(jì)測的上述數(shù)據(jù)計(jì)算最佳的Vc(步驟2)。
該場合的圖像信號的數(shù)據(jù)的計(jì)測為下述(1)在加法的例子中，假定
DLtotal＝∑(DLn)∶n＝1～maxDLbest＝DLtotal/DL條數(shù)(2)在差分法的例子中，假定DLbest＝VCcenter+∑(DLn-VCcenter)∶n＝1～max，計(jì)算上述DLbest，并假定Vc＝DLbest-α。
此處，DLbest是Vc的最佳值計(jì)算用的計(jì)算上的DL的值，VCcenter是任意設(shè)定的計(jì)算用的Vc值。在該情況下，優(yōu)選設(shè)定為DL的最大-最小的平均值或比它低若干的值。另外，α是考慮了對像素的跳入電壓等的修正值。
從該圖像控制電路TCON向柵極驅(qū)動(dòng)器GD供給信號，并根據(jù)圖像信號內(nèi)的同步信號選擇下一個(gè)柵極信號線GL(步驟3)。
這時(shí)，從圖像控制電路TCON向漏極驅(qū)動(dòng)器DD供給信號，并存儲(chǔ)從上述圖像控制電路被傳送的每行的圖像信號的信息(步驟4)。然后，根據(jù)上述同步信號輸出圖像信號(步驟5)。
另外，這時(shí)，從上述圖像控制電路TCON向Vc生成電路VcGN供給信號，并根據(jù)該信號生成Vc數(shù)據(jù)(步驟6)，從該數(shù)據(jù)變更為最佳的Vc值(步驟7)。
另外，這時(shí)，從上述圖像控制電路TCON向公用驅(qū)動(dòng)器CD供給信號，并根據(jù)上述圖像信號Vsig內(nèi)的同步信號選擇下一個(gè)相對電壓信號線CL(步驟8)。
此外，在該實(shí)施例中，也至少將在各相對電壓信號線CL中沒有被供給被掃描的相對電壓信號時(shí)的相對電壓信號線CL設(shè)定為浮置狀態(tài)。但是，當(dāng)然，在沒有這樣浮置的場合也能適用。
(實(shí)施例22)圖29A是表示本發(fā)明的液晶顯示裝置的另一實(shí)施例的平面圖。該圖是表示被配置在形成了柵極信號線GL、相對電壓信號線CL以及漏極信號線DL(未圖示)的透明基片SUB1上的柵極驅(qū)動(dòng)器GD、公用驅(qū)動(dòng)器CD以及漏極驅(qū)動(dòng)器DD的圖。
而且，使其中的柵極驅(qū)動(dòng)器GD和公用驅(qū)動(dòng)器CD分別排列在透明基片SUB1的一邊一側(cè)，因此，起到縮小液晶顯示面板PNL的所謂邊框的寬度的效果。
柵極驅(qū)動(dòng)器GD和公用驅(qū)動(dòng)器CD交替配置，在該實(shí)施例中，公用驅(qū)動(dòng)器CD配置的個(gè)數(shù)比柵極驅(qū)動(dòng)器GD的個(gè)數(shù)多。柵極驅(qū)動(dòng)器GD和公用驅(qū)動(dòng)器CD可以構(gòu)成為，驅(qū)動(dòng)電壓分別不同，如該圖所示那樣，在別的芯片的結(jié)構(gòu)中使該芯片內(nèi)的結(jié)構(gòu)不同。因此，通過以適合于各自的端子數(shù)單位形成芯片，能減少各驅(qū)動(dòng)器的個(gè)數(shù)，并能夠謀求節(jié)省空間和降低成本。
另外，圖29B是表示本發(fā)明的液晶顯示裝置的另一實(shí)施例的平面圖，是與圖29A對應(yīng)的圖。
與圖29A的場合比較，不同的結(jié)構(gòu)在于，公用驅(qū)動(dòng)器CD的個(gè)數(shù)配置得比柵極驅(qū)動(dòng)器GD的個(gè)數(shù)少。公用驅(qū)動(dòng)器CD，來自它的相對電壓信號的振幅比來自柵極驅(qū)動(dòng)器GD的掃描信號的振幅小，因此，可以使耐壓變小。由此，公用驅(qū)動(dòng)器CD能夠使每一個(gè)芯片的輸出變大。因此，通過減少公用驅(qū)動(dòng)器CD的個(gè)數(shù)使其比柵極驅(qū)動(dòng)器GD的個(gè)數(shù)少，能夠謀求上述效果。
在該情況下，使通過掃描供給相對電壓信號C的相對電壓信號線CL為多條，能夠容易地減少公用驅(qū)動(dòng)器CD的芯片數(shù)。
此外，在本實(shí)施例中，在柵極驅(qū)動(dòng)器GD和公用驅(qū)動(dòng)器CD的附近，不可避免地會(huì)產(chǎn)生使柵極信號線GL和相對電壓信號線CL交叉的部分。因此，在構(gòu)成上，會(huì)產(chǎn)生將柵極信號線GL和相對電壓信號線CL分別設(shè)定為中間存在絕緣膜的異層構(gòu)造的必要。由此，柵極信號線GL和相對電壓信號線CL的配置優(yōu)選例如象圖20A-20D、圖25A-25D或圖26A-26C中所示的配置。
(實(shí)施例23)圖30A是表示如實(shí)施例22所示，在透明基片SUB1的一邊側(cè)交替配置柵極驅(qū)動(dòng)器GD和公用驅(qū)動(dòng)器CD時(shí)的另一實(shí)施例的平面圖。在圖30A中，柵極驅(qū)動(dòng)器GD的個(gè)數(shù)配置得比公用驅(qū)動(dòng)器CD的個(gè)數(shù)多。
在這樣做的場合，就能容易實(shí)現(xiàn)在透明基片SUB1上傳輸信號的數(shù)據(jù)傳送方式。即，相同的起動(dòng)脈沖從圖像控制電路TCON被輸出到與該圖像控制電路TCON電靠近地配置的柵極驅(qū)動(dòng)器GD和公用驅(qū)動(dòng)器CD，從該柵極驅(qū)動(dòng)器GD向它負(fù)責(zé)的各柵極GL依次掃描輸出掃描信號。另外，這時(shí)，從該公用驅(qū)動(dòng)器CD向它擔(dān)當(dāng)?shù)母飨鄬﹄妷盒盘柧€CL依次掃描輸出相對電壓信號。
然后，在上述柵極驅(qū)動(dòng)器GD對各柵極信號線GL的掃描信號的依次供給和上述公用驅(qū)動(dòng)器CD對各相對電壓信號線CL的相對電壓信號的依次供給已結(jié)束的階段，從這些柵極驅(qū)動(dòng)器GD和公用驅(qū)動(dòng)器CD的每一個(gè)，分別向接近該柵極驅(qū)動(dòng)器GD而配置的其它的柵極驅(qū)動(dòng)器GD和接近該公用驅(qū)動(dòng)器CD而配置的其它的公用驅(qū)動(dòng)器CD輸出相同的起動(dòng)脈沖。
即，如果一個(gè)芯片的輸出結(jié)束，則指示下一個(gè)芯片輸出信號的送出，進(jìn)而，輸出被移交給下一行。
在該情況下，與對每一條柵極信號線GL輸出來自各柵極驅(qū)動(dòng)器GD的掃描信號不同，對多條相對電壓信號線CL輸出來自各公用驅(qū)動(dòng)器CD的相對電壓信號C。
因此，如圖30A所示，優(yōu)選這樣布線，以便使來自圖像控制電路TCON的起動(dòng)脈沖被分別輸入到柵極驅(qū)動(dòng)器GD和公用驅(qū)動(dòng)器CD的每一個(gè)。
這樣，由于來自公用驅(qū)動(dòng)器CD的掃描信號的輸出是對每多條相對電壓信號線DL進(jìn)行的，因此，為了使公用驅(qū)動(dòng)器CD的輸出的切換變成被設(shè)定了柵極驅(qū)動(dòng)器GD的輸出的每n條，該公用驅(qū)動(dòng)器CD優(yōu)選設(shè)定為使在芯片內(nèi)的切換定時(shí)的恒定時(shí)間n倍化。
圖30B表示被安裝在透明基片SUB1上的柵極驅(qū)動(dòng)器GD的側(cè)面圖，另外，圖30C表示公用驅(qū)動(dòng)器CD的側(cè)面圖，例如，在這些芯片上設(shè)置模式切換端子MJT，用在透明基片SUB 1的面上形成這些模式切換端子MJT的短路布線SCL來代替短路位置，可由此容易地應(yīng)對n倍化的n的變更等。
例如，在圖30B的柵極驅(qū)動(dòng)器GD中，模式切換端子MJT之間因開路而沒有n倍化，但是，在圖30C的公用驅(qū)動(dòng)器CD中，進(jìn)行設(shè)定，以便使模式切換端子MJT之間短路，每n條進(jìn)行切換。在短路位置上與n的數(shù)一致地預(yù)先設(shè)定多個(gè)n的值，由此，能夠容易地應(yīng)對。
圖30D是表示另一實(shí)施例的平面圖，是與圖30A對應(yīng)的圖。在圖30D中，表示柵極驅(qū)動(dòng)器GD和公用驅(qū)動(dòng)器CD的各自的驅(qū)動(dòng)器間布線，相對于該驅(qū)動(dòng)器被設(shè)置在相互相反側(cè)，由此能防止布線的交叉。關(guān)于驅(qū)動(dòng)器之間的起動(dòng)脈沖的傳送定時(shí)，公用驅(qū)動(dòng)器CD的相對電壓信號C的供給是以多條相對電壓信號線CL為單位進(jìn)行的，由此導(dǎo)致掃描信號G和相對電壓信號C的供給產(chǎn)生偏差，在有布線的交叉部分的場合，由于它們的干擾可能產(chǎn)生誤動(dòng)作。
因此，象圖30D所示的實(shí)施例那樣，通過將布線設(shè)定為不相互交叉，能夠?qū)崿F(xiàn)穩(wěn)定的動(dòng)作。
另外，在該實(shí)施例中，以芯片(半導(dǎo)體芯片)為例表示了上述各驅(qū)動(dòng)器。但是，也可以是用所謂帶載方式構(gòu)成的驅(qū)動(dòng)器TCP，即使在該情況下，可以根據(jù)透明基片SUB1上的短路布線SCL的有無來進(jìn)行上述的模式判斷。
此處，所謂用帶載方式構(gòu)成的驅(qū)動(dòng)器TCP，如圖31A所示那樣，在柔性的基板FB上安裝半導(dǎo)體芯片CH，該半導(dǎo)體芯片CH的各輸入端子和各輸出端子通過被形成在該柔性基板FB的表面的輸入布線和輸出布線被分別引出到各相對邊而構(gòu)成。而且，其中輸出布線的端部(端子)與被引出到透明基片SUB1的表面端邊的例如柵極信號線GL或相對電壓信號線CL電連接。
在該情況下，使布線MIL從半導(dǎo)體芯片CH的模式判斷端子的每一個(gè)向柔性基板FB上延伸地構(gòu)成，如圖31B所示那樣，這些布線MIL可以定位于形成在透明基片SUB1上的短路布線SCL上。
另外，當(dāng)然，不限于上述場合，象圖31C和31D所示那樣，把該驅(qū)動(dòng)器TCP作為柵極驅(qū)動(dòng)器GD用、公用驅(qū)動(dòng)器CD用另行構(gòu)成的場合，可以在該驅(qū)動(dòng)器TCP上設(shè)置判斷用的短路布線SCL。這是因?yàn)?，只用?qū)動(dòng)器TCP的變更就能夠?qū)?yīng)，可以公共地使用驅(qū)動(dòng)器芯片本身。
(實(shí)施例24)圖32A是表示與實(shí)施例23所示同樣地，在透明基片SUB1的一邊側(cè)交替配置柵極驅(qū)動(dòng)器GD和公用驅(qū)動(dòng)器CD時(shí)的另一實(shí)施例的平面圖。在圖32A中，柵極驅(qū)動(dòng)器GD的個(gè)數(shù)也配置得比公用驅(qū)動(dòng)器CD的個(gè)數(shù)多。
象圖32A所示那樣，來自圖像控制電路TCON的信號，首先被供給接近該圖像控制電路TCON的柵極驅(qū)動(dòng)器GD，再供給接近該柵極驅(qū)動(dòng)器GD的公用驅(qū)動(dòng)器CD。
在該情況下，向該公用驅(qū)動(dòng)器CD的信號供給，是借助于在上述柵極驅(qū)動(dòng)器GD的安裝區(qū)域走線的透明基片SUB1上的布線層來進(jìn)行的。
另外，從上述柵極驅(qū)動(dòng)器GD向接下來的被配置的其它的柵極驅(qū)動(dòng)器GD的信號供給，是借助于在被配置于它們之間的公用驅(qū)動(dòng)器CD的安裝區(qū)域走線的透明基片SUB1上的布線層來進(jìn)行的。
以下，通過反復(fù)進(jìn)行上述，能夠?qū)崿F(xiàn)數(shù)據(jù)傳送，而不必使上述各布線層交叉。而且，由于用于數(shù)據(jù)傳送的布線層未越出并列設(shè)置的各驅(qū)動(dòng)器的兩側(cè)，因此，能夠縮小在所謂液晶顯示面板的邊框中所占有的面積。
此外，圖32B具體地表示了圖32A的柵極驅(qū)動(dòng)器GD和公用驅(qū)動(dòng)器CD的上述布線層的連接關(guān)系。在圖中，OTG表示輸出端子組，ITG表示輸入端子組，SI表示信號輸入，SO表示信號輸出。
圖32C是進(jìn)一步表示另一實(shí)施例的平面圖，是與圖32B對應(yīng)的圖。
與圖32B的場合比較，不同的結(jié)構(gòu)在于，例如，在公用驅(qū)動(dòng)器CD的芯片內(nèi)設(shè)置在該公用驅(qū)動(dòng)器CD的區(qū)域中走線并連接配置在該公用驅(qū)動(dòng)器CD的兩側(cè)的各柵極驅(qū)動(dòng)器GD的布線層。即，在該公用驅(qū)動(dòng)器CD內(nèi)所形成的布線層(圖中用虛線表示)在其兩端具備信號輸入SI和信號輸出SO的各端子。
在柵極驅(qū)動(dòng)器GD的場合也采用與該公用驅(qū)動(dòng)器CD同樣的結(jié)構(gòu)。
在該情況下，也可以象圖32B所示那樣，在各半導(dǎo)體芯片中設(shè)置模式選擇端子MST，根據(jù)與設(shè)置在透明基片SUB1面上的短路布線SCL的連接/非連接判斷，來切換芯片的動(dòng)作。
圖32D、32E分別表示通過與上述短路布線SCL的連接/非連接判斷，用作柵極驅(qū)動(dòng)器GD和公用驅(qū)動(dòng)器CD。
通過這樣做，能夠?qū)艠O驅(qū)動(dòng)器GD和公用驅(qū)動(dòng)器CD設(shè)定為相同的結(jié)構(gòu)，能夠?qū)⑺鼈冏鳛闁艠O驅(qū)動(dòng)器GD或公用驅(qū)動(dòng)器CD使用。因此，能夠?qū)崿F(xiàn)部件種類的減少和組裝的容易化。
此外，圖32F表示這樣的例子，即，使公用驅(qū)動(dòng)器CD的個(gè)數(shù)構(gòu)成得比柵極驅(qū)動(dòng)器GD的個(gè)數(shù)少，因此，對與柵極信號線GL數(shù)量大致相同的相對電壓信號線CL，例如從其上方開始每2條地進(jìn)行連接，對這些相互連接的相對電壓信號線分別依次掃描供給相對電壓信號。
(實(shí)施例25)圖33A是表示下述情形的平面圖，即，與實(shí)施例24等同樣地，在透明基片SUB1的一邊側(cè)交替配置柵極驅(qū)動(dòng)器GD和公用驅(qū)動(dòng)器CD的場合，在一個(gè)半導(dǎo)體芯片中至少裝入一對被鄰接配置的柵極驅(qū)動(dòng)器GD和公用驅(qū)動(dòng)器CD而形成。
即，在該半導(dǎo)體芯片CH的圖中右側(cè)配置了柵極信號線GL和相對電壓信號線CL的場合，在該半導(dǎo)體芯片CH的圖中右側(cè)的一邊，沿著它的邊配置柵極輸出端子GTO，在圖中左側(cè)的一邊，沿著它的邊配置公用輸出端子CTO。
而且，各公用輸出端子CTO的每一個(gè)被配置在鄰接配置的柵極輸出端子GTO之間，由此，能夠使相對電壓信號線CL向該公用輸出端子CTO延伸地形成，而該柵極輸出端子GTO不會(huì)成為妨礙。
另外，在上述柵極輸出端子GTO和公用輸出端子CTO被并列設(shè)置的邊以外的其它的邊上，分別靠近它而形成電源端子VV，在該邊的一方形成信號輸入端子SI，而在另一方形成信號輸出端子SO。
另外，在這樣構(gòu)成的半導(dǎo)體芯片CH中，如圖33B所示那樣，形成在柵極輸出端子GTO組和公用輸出端子CTO組之間與它們并行地走線的接地線GNDL，以該接地線GNDL作為大致的邊界，在圖中左側(cè)的C電路一側(cè)CCS形成公用電極驅(qū)動(dòng)電路Cm，在圖中右側(cè)的G電路一側(cè)GCS形成掃描信號驅(qū)動(dòng)電路V。
進(jìn)而，這樣構(gòu)成的半導(dǎo)體芯片CH，如圖33C所示那樣，向與柵極輸出端子GTO組和公用輸出端子CTO組的方向正交的方向劃分為3個(gè)區(qū)域，將其正中間的區(qū)域LR設(shè)定為邏輯區(qū)域，將圖中左側(cè)的區(qū)域CSR設(shè)定為公用開關(guān)區(qū)域，將圖中右側(cè)的區(qū)域GSR設(shè)定為柵極開關(guān)區(qū)域，并分別裝入電路。
此處，在半導(dǎo)體CH中沒有必要全部具備上述的各構(gòu)成，至少具備一種下述的結(jié)構(gòu)即可。
首先，在最初，在相對的邊上分別設(shè)置柵極輸出端子GTO和公用輸出端子CTO。這是因?yàn)?，可以在芯片?nèi)部使公用電極驅(qū)動(dòng)電路Cm和掃描信號驅(qū)動(dòng)電路V分開地形成，能防止它們的干擾。
接著，在公用輸出端子CTO一側(cè)設(shè)置電源端子VV。這是因?yàn)?，輸出掃描信號G和相對電壓信號C的電壓不同，相對電壓信號C因其導(dǎo)通(ON)時(shí)的電壓較低而難以受到電源噪音的影響。
接著，公用輸出端子CTO被配置在離液晶顯示部分AR遠(yuǎn)的一側(cè)。這是因?yàn)橥ㄟ^在外側(cè)配置公用電位，能得到外部噪音的屏蔽效果。
接著，在半導(dǎo)體芯片內(nèi)部，接地線GNDL在公用電極驅(qū)動(dòng)電路Cm和掃描信號驅(qū)動(dòng)電路V之間延伸。因?yàn)槟芊乐垢麟娐返南嗷ジ蓴_。
此外，在半導(dǎo)體芯片CH內(nèi)，將邏輯電路配置在中央，將柵極開關(guān)電路配置在其一方的一側(cè)，將公用開關(guān)電路配置在另一方的一側(cè)。這是因?yàn)?，?qū)動(dòng)電壓能夠在掃描信號驅(qū)動(dòng)電路V、公用電極驅(qū)動(dòng)電路Cm上集中配置公用的邏輯部分，能夠在掃描信號驅(qū)動(dòng)電路V和公用電極驅(qū)動(dòng)電路Cm的每一個(gè)上對驅(qū)動(dòng)電壓不同的開關(guān)部分進(jìn)行劃分，能夠?qū)崿F(xiàn)電路規(guī)模的縮小、降低耗電以及防止干擾。在該情況下，能夠?qū)⒆畲箅妷涸O(shè)定為，柵極開關(guān)區(qū)域＞公用開關(guān)區(qū)域＞邏輯區(qū)域的關(guān)系。
圖33D是表示另一實(shí)施例的平面圖，為與圖33A對應(yīng)的圖。與圖33A的場合比較，不同的結(jié)構(gòu)在于，多條相對電壓信號線CL的公共連接被構(gòu)成為，使半導(dǎo)體芯片CH的公用輸出端子COT的端子面積變大，借助于該公用COT輸出端子的倒裝來進(jìn)行。由此，能夠在半導(dǎo)體芯片CH內(nèi)減小公用電極驅(qū)動(dòng)電路Cm的電路規(guī)模。
另外，圖33E是表示另一實(shí)施例的平面圖，是與圖33A對應(yīng)的圖。與圖33A的場合比較，不同的結(jié)構(gòu)在于，從半導(dǎo)體芯片的各公用輸出端子COT分支一條布線，之后，被連接到多條相對電壓信號線CL。
在這樣的場合，各公用輸出端子COT中的連接面積可增大，并能減小連接電阻。另外，各公用輸出端子的尺寸與連續(xù)制作的場合比較能實(shí)現(xiàn)小型化。由此，起到使半導(dǎo)體芯片CH的連接部分的制造變得容易的效果。
另外，圖33F是表示另一實(shí)施例的平面圖，是與圖33A對應(yīng)的圖。與圖33A的場合比較，不同的結(jié)構(gòu)在于，半導(dǎo)體芯片CH的各公用輸出端子COT分別被連接到相對電壓信號線CL，而且，鄰接的多條公用輸出端子COT在芯片內(nèi)部被連接。
在這樣構(gòu)成的場合，能減小公用電極驅(qū)動(dòng)電路Cm的規(guī)模。另外，可以用與柵極輸出端子GOT相同的節(jié)距構(gòu)成公用輸出端子COT，因此，能防止例如通過各向異性導(dǎo)電膜連接該半導(dǎo)體芯片CH和透明基片SUB1上的端子時(shí)產(chǎn)生的端子間相互的高度不均勻。因此，能提高連接穩(wěn)定性，并能減小連接電阻和提高可靠性。而且，能夠提高直接通過率(無須進(jìn)行因連接不良導(dǎo)致的再生作業(yè)，1次就能連接的比例)，并實(shí)現(xiàn)成本的降低。
(實(shí)施例26)在本發(fā)明的液晶顯示裝置中，如在上述的各實(shí)施例中已說明的那樣，柵極信號線GL和相對電壓信號線CL在大部分時(shí)間內(nèi)都成為浮置狀態(tài)。這意味著，在該時(shí)間之間與之相當(dāng)?shù)陌雽?dǎo)體芯片CH處于空閑狀態(tài)，平均時(shí)間的半導(dǎo)體芯片的利用效率低下。
因此，在該實(shí)施例中，從半導(dǎo)體芯片CH的1個(gè)輸出端子，設(shè)置時(shí)間差并輸出掃描信號G和相對電壓信號C的雙方，切換該信號的輸出目的地，由此謀求半導(dǎo)體芯片數(shù)的減少。
通過上述，例如從半導(dǎo)體芯片CH的1個(gè)端子輸出掃描信號G和相對電壓信號C，由此能使該半導(dǎo)體芯片的個(gè)數(shù)減少一半。另外，由于可以成為共有公用電極驅(qū)動(dòng)電路Cm和掃描信號驅(qū)動(dòng)電路V的結(jié)構(gòu)，因此，與單獨(dú)地設(shè)置專用的公用電極驅(qū)動(dòng)電路Cm、專用的掃描信號驅(qū)動(dòng)電路V的電路的場合相比，能減小半導(dǎo)體芯片所占有的面積，進(jìn)而實(shí)現(xiàn)芯片成本的降低。
在象上述那樣，從半導(dǎo)體芯片CH的相同的輸出端子，具有時(shí)間差地分別向柵極信號線GL和相對電壓信號線CL的雙方提供輸出的場合，在將信號寫入各像素時(shí)，必須同時(shí)將信號分別供給到柵極信號線GL和相對電壓信號線CL。
由于不能同時(shí)將不同的值輸出到相同的輸出端子，因此，需要將具有各自不同電位的掃描信號G和相對電壓信號C分別輸出到在平面上不同的端子，通過采用使布線交叉的辦法，將這些信號供給到本來的柵極信號線GL和相對電壓信號線CL。
這時(shí)，如圖34A所示那樣，在從相同的輸出端子先輸出柵極信號G-ON的場合，由離開2行量以上的輸出供給相對電壓信號C-ON。這是因?yàn)?，必須在掃描信號G-ON之后供給信號G-OFF，相對電壓信號C-ON的供給在其以后進(jìn)行。
在該情況下，如圖34B所示那樣，在將柵極信號G-ON輸出后，在供給相對電壓信號C-ON之前，可以設(shè)定為3行以上，在與柵極信號G-OFF之間設(shè)置浮置狀態(tài)的期間。這是為了要充分確保柵極信號G和相對電壓信號C的切換所需要的時(shí)間的緣故。
進(jìn)而，可以如圖34C所示那樣，首先供給相對電壓信號C-ON，接著依次輸出柵極信號G的導(dǎo)通(ON)、關(guān)斷(OFF)，在這樣的場合，從相對電壓信號C到柵極信號G的供給之前的期間離開1行以上即可。在該情況下，從浮置狀態(tài)，將相對電壓信號C-ON一次升高到它的電位狀態(tài)，之后，供給柵極信號G-ON，因此，成為表面上對該柵極信號G-ON進(jìn)行預(yù)充電。因此，該柵極信號G-ON的上升變得陡峭，能謀求寫入特性的進(jìn)一步提高。另外，由于布線交叉數(shù)減少，因此能實(shí)現(xiàn)成品率的提高。此外，浮置狀態(tài)也可以經(jīng)由高電阻從外部供給浮置電位。
圖35A-36D是示意地表示如上述那樣，共有公用電極驅(qū)動(dòng)電路Cm和掃描信號驅(qū)動(dòng)電路V的電路的一實(shí)施例的說明圖，輸出圖34A所示的信號。
首先，如圖35A所示那樣，在圖中右側(cè)具有信號供給端子，從圖中上側(cè)開始依次向這些各端子輸入G-ON信號、G-OFF信號、COM(相對電壓)信號、G-ON信號、G-OFF信號、COM信號、G-ON信號、G-OFF信號、COM信號、……、COM信號。這些信號被常時(shí)供給。例如，在對供給有G-ON信號的端子供給相同的G-ON信號的其它端子中，供給同樣的信號，其它的G-OFF信號等也相同。
另外，被依次供給G-ON信號、G-OFF信號、COM信號并相互鄰接配置的各端子，通過完全不接收上述各信號或者接收該各信號中的任何一個(gè)的例如掃描開關(guān)等，分別被連接到各端子X。例如，在圖3 5A的場合，圖中的端子X(n-2)連接到通過上述掃描開關(guān)SSa被供給COM信號的端子，端子X(n-1)連接到通過上述掃描開關(guān)SSa被供給G-OFF號的端子，端子X(n)連接到通過上述掃描開關(guān)SSa被供給G-ON信號的端子。而且，G-ON信號、G-OFF信號、COM信號均不供給除此以外的其它端子X。
進(jìn)而，對于上述各端子X，分別構(gòu)成為，例如，通過掃描開關(guān)SSb，在柵極信號線GL和相對電壓信號線CL中，完全不接受來自該端子X的信號，或者只在一方被特定的信號線接受。例如，在圖35A的場合，來自圖中的端子X(n-2)的COM信號通過上述掃描開關(guān)SSb被供給相對電壓信號線CL(n)，來自端子X(n-1)的G-OFF信號通過上述掃描開關(guān)SSb被供給柵極信號線GL(n-1)，來自端子X(n)的G-ON信號通過上述掃描開關(guān)SSb被供給柵極信號線GL(n)。
由此，向第n行的柵極信號線GL(n)、相對電壓信號線CL(n)，分別供給G-ON信號、COM信號，還向它前一條的第(n-1)行的柵極信號線GL(n-1)供給G-OFF信號。
在下一階段中，如圖35B所示那樣，上述掃描開關(guān)SSa和SSb，在維持對上述端子X的輸入側(cè)和輸出側(cè)的各連接關(guān)系的狀態(tài)下，分別直接移到下一行。圖中的端子X(n-1)連接到通過上述掃描開關(guān)SSa被供給COM信號的端子，端子X(n)連接到通過上述掃描開關(guān)SSa被供給G-OFF信號的端子，進(jìn)而，端子X(n+1)連接到通過上述掃描開關(guān)SSa被供給G-ON信號的端子。而且，G-ON信號、G-OFF信號、COM信號均不供給到上述以外的其它端子X。
另外，在圖35B的場合，來自圖中的端子X(n-1)的COM信號通過上述掃描開關(guān)SSb被供給相對電壓信號線CL(n+1)，來自端子X(n)的G-OFF信號通過上述掃描開關(guān)SSb被供給柵極信號線GL(n)，來自端子(n+1)的G-ON信號通過上述掃描開關(guān)SSb被供給柵極信號線GL(n+1)。
由此，向第n行的柵極信號線GL(n)供給G-OFF信號，相對電壓信號線CL(n)成為浮置狀態(tài)。另一方面，向接下來的第(n+1)行的柵極信號線GL(n+1)、相對電壓CL(n+1)，分別供給G-ON信號、COM信號。
在下一階段中，也如圖35C所示那樣，上述掃描開關(guān)SSa和SSb，在維持對上述端子X的輸入側(cè)和輸出側(cè)的各連接關(guān)系的狀態(tài)下，分別直接移到下一行。圖中的端子X(n)連接到通過上述掃描開關(guān)SSa被供給COM信號的端子，端子X(n+1)連接到通過上述掃描開關(guān)SSa被供給G-OFF信號的端子，進(jìn)而，端子X(n+2)連接到通過上述掃描開關(guān)SSa被供給G-ON信號的端子。而且，G-ON信號、G-OFF信號、COM信號均不供給到上述以外的其它端子X。
另外，在圖35C的場合，來自圖中的端子X(n)的COM信號通過上述掃描開關(guān)SSb被供給相對電壓信號線CL(n+2)，來自端子X(n+1)的G-OFF信號通過所示掃描開關(guān)SSb被供給柵極信號線GL(n+1)，來自端子X(n+2)的G-ON信號通過上述掃描開關(guān)SSb被供給柵極信號線GL(n+2)。
由此，向第(n+1)行的柵極信號線GL(n+1)供給G-OFF信號，相對電壓信號線CL(n+1)成為浮置狀態(tài)。另一方面，向接下來的第(n+2)行的柵極信號線GL(n+2)、相對電壓信號線CL(n+2)分別供給G-ON信號、COM信號。
在下一階段中，如圖35D所示那樣，上述掃描開關(guān)SSa和SSb，也在維持對上述端子X的輸入側(cè)和輸出側(cè)的各連接關(guān)系的狀態(tài)下，分別直接移到下一行。圖中的端子X(n+1)連接到通過上述掃描開關(guān)SSa被供給COM信號的端子，端子X(n+2)連接到通過上述掃描開關(guān)SSa被供給G-OFF信號的端子，進(jìn)而，端子X(n+3)連接到通過上述掃描開關(guān)SSa被供給G-ON信號的端子。而且，G-ON信號、G-OFF信號、COM信號均不供給到上述以外的其它端子X。
另外，在圖35D的場合，來自圖中的端子X(n+1)的COM信號通過上述掃描開關(guān)SSb被供給相對電壓信號線CL(n+3)，來自端子X(n+2)的G-OFF信號通過上述掃描開關(guān)SSb被供給柵極信號線GL(n+2)，來自端子X(n+3)的G-ON信號通過上述掃描開關(guān)SSb被供給柵極信號線GL(n+3)。
由此，向第(n+2)行的柵極信號線GL(n+2)供給G-OFF信號，相對電壓信號線CL(n+2)成為浮置狀態(tài)。另一方面，在接下來的第(n+3)行的柵極信號線GL(n+3)、相對電壓信號線CL(n+3)分別供給G-ON信號、COM信號。
然后，依次反復(fù)進(jìn)行上述，在從最下位的行轉(zhuǎn)移到最上位的行的場合，也一邊維持上述的關(guān)系，一邊使上述掃描開關(guān)SSa和SSb移位。
圖36A-36D是示意地表示如上述那樣，共有公用電極驅(qū)動(dòng)電路Cm和掃描信號驅(qū)動(dòng)電路V的電路的其它實(shí)施例的說明圖，輸出圖34C所示的信號。
圖36A-36D為與圖35A-35D對應(yīng)的圖，與圖35A-35D的場合比較，不同的結(jié)構(gòu)只是在于，在掃描開關(guān)SSa、SSb中，對端子X的輸入側(cè)和輸出側(cè)的連接關(guān)系不同。
如圖36A所示那樣，圖中的端子X(n-2)連接到通過上述掃描開關(guān)SSa被供給G-OFF信號的端子，端子X(n-1)連接到通過上述掃描開關(guān)SSa被供給G-ON信號的端子，進(jìn)而，端子X(n)連接到通過上述掃描開關(guān)SSa被供給COM信號的端子。而且，G-ON信號、G-OFF信號、COM信號均不供給到上述以外的其它端子X。
進(jìn)而，在圖36A的場合，來自圖中的端子X(n-2)的G-OFF信號通過上述掃描開關(guān)SSb被供給柵極信號線GL(n-2)，來自端子X(n-1)的G-ON信號通過上述掃描開關(guān)SSb被供給柵極信號線GL(n-1)，來自端子X(n)的COM信號通過上述掃描開關(guān)SSb被供給的相對電壓信號線CL(n-1)。
在該階段中，第n行的柵極信號線GL(n)、相對電壓信號線CL(n)分別成為浮置狀態(tài)。向它前一個(gè)的第(n-1)行的柵極信號線GL(n-1)供給G-ON信號，向相對電壓信號線CL(n-1)供給COM信號。
在下一階段中，如圖36B所示那樣，上述掃描開關(guān)SSa和SSb，在維持對上述端子X的輸入側(cè)和輸出側(cè)的各連接關(guān)系的狀態(tài)下，分別直接移到下一行。圖中的端子X(n-1)連接到通過上述掃描開關(guān)SSa被供給G-OFF信號的端子，端子X(n)連接到通過上述掃描開關(guān)SSa被供給G-ON信號的端子，進(jìn)而，端子X(n+1)連接到通過上述掃描開關(guān)SSa被供給COM信號的端子。而且，G-ON信號、G-OFF信號、COM信號均不供給到上述以外的其它端子X。
另外，在圖36B的場合，來自圖中的端子X(n-1)的G-OFF信號通過上述掃描開關(guān)SSb被供給柵極信號線GL(n-1)，來自端子X(n)的G-ON信號通過上述掃描開關(guān)SSb被供給柵極信號線GL(n)，來自端子(n+1)的COM信號通過上述掃描開關(guān)SSb被供給相對電壓信號線CL(n)。
由此，向第n行的柵極信號線GL(n)供給G-ON信號，向相對電壓信號線CL(n)供給COM信號。
在下一階段中，如圖36C所示那樣，上述掃描開關(guān)SSa和SSb，在維持對上述端子X的輸入側(cè)和輸出側(cè)的各連接關(guān)系的狀態(tài)下，分別直接移到下一行。圖中的端子X(n)連接到通過上述掃描開關(guān)SSa被供給G-OFF信號的端子，端子X(n+1)連接到通過上述掃描開關(guān)SSa被供給G-ON信號的端子，進(jìn)而，端子X(n+2)連接到通過上述掃描開關(guān)SSa被供給信號COM的端子。而且，G-ON信號、G-OFF信號、COM信號均不供給到上述以外的其它端子X。
另外，在圖36C的場合，來自圖中的端子X(n)的G-OFF信號通過上述掃描開關(guān)SSb被供給柵極信號線GL(n)，來自端子X(n+1)的G-ON信號通過上述掃描開關(guān)SSb被供給柵極信號線GL(n+1)，來自端子X(n+2)的COM信號通過上述掃描開關(guān)SSb被供給相對電壓信號線CL(n+1)。
由此，接下來的第(n+2)行的柵極信號線GL(n+2)和相對電壓信號線CL(n+2)成為浮置狀態(tài)。
在下一階段中，如圖36D所示那樣，上述掃描開關(guān)SSa和SSb，在維持對上述端子X的輸入側(cè)和輸出側(cè)的各連接關(guān)系的狀態(tài)下，分別直接移到下一行。圖中的端子X(n+1)連接到通過上述掃描開關(guān)SSa被供給G-OFF信號的端子，端子X(n+2)連接到通過上述掃描開關(guān)SSa被供給G-ON信號的端子，進(jìn)而，端子X(n+3)連接到通過上述掃描開關(guān)SSa被供給COM信號的端子。而且，G-ON信號、G-OFF信號、COM信號均不供給到上述以外的其它端子X。
另外，在圖36D的場合，來自圖中的端子X(n+1)的G-OFF信號通過上述掃描開關(guān)SSb被供給柵極信號線GL(n+1)，來自端子X(n+2)的G-ON信號通過上述掃描開關(guān)SSb被供給柵極信號線GL(n+2)，來自端子X(n+3)的COM信號通過上述掃描開關(guān)SSb被供給的相對電壓信號線CL(n+2)。
由此，接下來的第(n+3)行的柵極信號線GL(n+3)成為浮置狀態(tài)，向相對電壓信號線CL(n+3)分別供給G-ON信號、COM信號。
然后，依次反復(fù)進(jìn)行上述，在從最下位的行移到最上位的行的場合，也一邊維持上述的關(guān)系，一邊使上述掃描開關(guān)SSa和SSb移位。
此外，圖35A-35D、圖36A-36D，是為了易于理解，分別借助于掃描開關(guān)SSa、SSb的動(dòng)作，表示從被供給G-ON信號、G-OFF信號、COM(相對電壓)信號的端子向各柵極信號線GL和各相對電壓信號線CL的信號供給時(shí)序的圖。但是，這樣的結(jié)構(gòu)當(dāng)然也可以是例如使用晶體管電路等來進(jìn)行的任何的構(gòu)成。
(實(shí)施例27)圖37A-37D是表示本發(fā)明的液晶顯示裝置的另一實(shí)施例的說明圖，是表示被供給其柵極驅(qū)動(dòng)器GD、漏極驅(qū)動(dòng)器DD和公用驅(qū)動(dòng)器CSD的控制信號的流程圖。
例如，象圖28A-28C所示的實(shí)施例(實(shí)施例21)說明的那樣，在液晶顯示部分AR中存在亮度亮的區(qū)域和亮度暗的區(qū)域的場合，向各漏極信號線DL輸出這些按各區(qū)域不同的信號。即，在每個(gè)區(qū)域中圖像信號D的電壓不同，因此對漏極信號線DL的負(fù)載在每個(gè)區(qū)域中不同。而且，該負(fù)載不同意味著所需的電流不同。
在現(xiàn)有的技術(shù)中，預(yù)先假定了最大負(fù)載，唯一地用相同的偏流來驅(qū)動(dòng)電路。但是，在該情況下，即使在用低電流就能驅(qū)動(dòng)的區(qū)域中也供給過多的電流，產(chǎn)生了的電流消耗，增加了耗電。
因此，在本實(shí)施例中，對液晶顯示部分AR的各區(qū)域，根據(jù)表觀的負(fù)載容量來控制偏流，借此實(shí)現(xiàn)耗電的減小。
在該情況下，可以單獨(dú)使用該實(shí)施例所說明的結(jié)構(gòu)，但是，也可以象在上述的實(shí)施例中所示的那樣，在與同時(shí)將柵極信號線GL和相對電壓信號線CL變?yōu)楦≈脿顟B(tài)的技術(shù)組合使用時(shí)，更能發(fā)揮出顯著的效果。
其原因是，以往圖像信號D的負(fù)載總是重的狀態(tài)，與此相反，柵極信號G和相對電壓信號C的每一個(gè)在其關(guān)斷時(shí)間的大部分時(shí)間里成為浮置狀態(tài)時(shí)，圖像信號的負(fù)載較為理想地急劇地減小幾百分之一。由此，在每個(gè)區(qū)域，可以更高精度地控制偏流，并能實(shí)現(xiàn)圖像信號驅(qū)動(dòng)電路He的低耗電化。
在圖37A中，首先，從外部將圖像信號Vsig輸入到圖像控制電路TCON中。該圖像控制電路TCON，象圖37B所示那樣，將信號供給液晶顯示面板PNL的柵極驅(qū)動(dòng)器GD、漏極驅(qū)動(dòng)器DD和公用驅(qū)動(dòng)器CD的每一個(gè)。此外，在該實(shí)施例中，象該圖所示那樣，偏置量指示信號BSS被輸入到漏極驅(qū)動(dòng)器DD。
被輸入圖像信號Vsig的圖像控制電路TCON，首先，在步驟1中計(jì)測該圖像信號Vsig的數(shù)據(jù)，然后，在步驟2中，由已計(jì)測的數(shù)據(jù)計(jì)算必要的偏流。
此處，必要的偏流的計(jì)算，例如能夠根據(jù)圖像信號D的值設(shè)定，例如將與根據(jù)該圖像信號D決定的電壓值成比例的值設(shè)定為該偏流的值。
從圖像控制電路TCON向柵極驅(qū)動(dòng)器GD，在步驟3中，根據(jù)圖像信號Vsig內(nèi)的同步信號，選擇下一條柵極信號線GL。
然后，從圖像控制電路TCON向漏極驅(qū)動(dòng)器DD，首先，在步驟4中，存儲(chǔ)從圖像控制電路TCON被傳送的每行的圖像信號D。
然后，在步驟5中，設(shè)定與各圖像信號線DL對應(yīng)的輸出放大器的偏流，根據(jù)同步信號輸出各自的圖像信號D。
進(jìn)而，在步驟6中，從圖像控制電路TCON向柵極驅(qū)動(dòng)器GD，根據(jù)圖像信號Vsig內(nèi)的同步信號，選擇下一條相對電壓信號線CL。
當(dāng)然，作為其它實(shí)施例，在適合于使相對電壓信號線CL成為浮置狀態(tài)的結(jié)構(gòu)的場合，可以象上述的實(shí)施例所示的那樣，計(jì)算各行的漏極信號線DL的合計(jì)的相對電壓信號線CL的相對電壓信號的變動(dòng)量，考慮其影響來決定上述偏壓量指示信號BSS的值。
而且，當(dāng)然，本實(shí)施例的結(jié)構(gòu)也可以與根據(jù)漏極信號線DL的數(shù)據(jù)控制各相對電壓信號線DL的相對電壓信號的電位的實(shí)施例21所示的結(jié)構(gòu)組合使用。
此外，當(dāng)然，在該實(shí)施例中，也可以象圖37C所示那樣，把從圖像控制電路TCON向漏極驅(qū)動(dòng)器DD的上述偏壓量指示信號輸入到被重新設(shè)置在漏極驅(qū)動(dòng)器DD中的偏壓量輸入端子BIT中，或者，象圖37D所示那樣，在從圖像控制電路TCON被輸送到漏極驅(qū)動(dòng)器DD的數(shù)據(jù)中設(shè)置偏壓量數(shù)據(jù)BQD的傳送期間。
在圖37C中，符號DIT表示圖像數(shù)據(jù)輸入端子，符號SIT表示同步信號輸入端子。在圖37D中，符號RDA、GDA和BDA分別表示紅色用數(shù)據(jù)、綠色用數(shù)據(jù)和蘭色用數(shù)據(jù)。
(實(shí)施例28)圖38A、38B分別是表示掃描信號驅(qū)動(dòng)電路V的柵極信號線GL一側(cè)的周邊的另一實(shí)施例的圖、表示公用電極驅(qū)動(dòng)電路Cm的相對電壓信號線CL一側(cè)的周邊的另一實(shí)施例的電路圖，分別是與圖3A、圖4對應(yīng)的圖。
象圖3A、圖4所示的實(shí)施例那樣，在將柵極信號線GL和相對電壓信號線CL的大部分設(shè)定為浮置狀態(tài)的結(jié)構(gòu)中，在沒有將SW1、SW5分別設(shè)定為導(dǎo)通時(shí)，由于每條信號線獨(dú)立，因此，對于來自外部的靜電成為較弱的構(gòu)造。因此，因制造工序中的靜電容易導(dǎo)致斷線和閾值變動(dòng)的發(fā)生。所以，為實(shí)現(xiàn)制造的容易化，必須考慮該靜電。
在圖38A-38D所示的實(shí)施例中，在具有液晶顯示部分AR內(nèi)的信號線浮置的構(gòu)造的場合，通過用二極管將各信號線與公用線連接，在靜電進(jìn)入時(shí)實(shí)現(xiàn)快速的靜電的擴(kuò)散，使之成為耐靜電能力強(qiáng)的構(gòu)造。
即，在圖38A中，如果以各柵極信號線GL中的柵極信號線GLn的場合為例，則設(shè)定為用雙向二極管BSD連接該柵極信號線GL的開關(guān)SW1(n)的連接部分和信號線VgOFF之間的結(jié)構(gòu)，另外，在圖38B中，如果以各相對電壓纖毫縣CL中的相對電壓信號線CLn的場合為例，則設(shè)定為用雙向二極管BSD連接該相對電壓信號線CLn的開關(guān)SW5(n)的連接部分和信號線Vc之間的結(jié)構(gòu)。
借助于這樣的結(jié)構(gòu)，如圖38A所示那樣，在對柵極信號線GL施加了高電壓時(shí)，能夠?qū)⒃摳唠妷簭臇艠O信號線GL向信號線VgOFF快速地放掉。而且，通過將連接?xùn)艠O信號線GL和信號線VgOFF的元件設(shè)定為雙向二極管BSD，則不管靜電極性如何，都能夠應(yīng)對。但是，當(dāng)然，也可以替換該雙向二極管BSD，使用相互極性相反的二極管，或單向二極管都可以。
在該實(shí)施例中，作為用于放掉高電壓的信號線使用了信號線VgOFF。這是為了使穩(wěn)定性提高的緣故。但是，當(dāng)然，即使是信號線VgOFF，也可以進(jìn)一步設(shè)置專用的總線，并使用這些布線層。
另外，象圖38B所示那樣，在對相對電壓信號線CL施加了高電壓時(shí)，也能夠?qū)⒃摳唠妷簭南鄬﹄妷盒盘柧€CL向信號線Vc快速地放掉。當(dāng)然，即使在該情況下，也設(shè)置專用的總線，代替上述信號線Vc而使用該總線。
圖39A、39B是表示代替上述專用的總線而使用了浮置電壓線FVL的場合的另一實(shí)施例的圖，是分別與圖38A、38B對應(yīng)的圖。
借助于這樣的結(jié)構(gòu)，在進(jìn)行靜電對策的同時(shí)，能起到抑制浮置的柵極信號線GL或相對電壓信號線CL的電位變動(dòng)，并使之穩(wěn)定化的效果。
此外，在該情況下，優(yōu)選的是，柵極信號線GL一側(cè)的浮置電壓線FVL的電位設(shè)定得比相對電壓信號線CL一側(cè)的浮置電壓線FVL的電位低。這是為了良好地維持薄膜晶體管TFT的截止。
此外，圖40是表示另一實(shí)施例的電路圖。當(dāng)然，象圖39A、B所示那樣，在作為其它的總線例如使用浮置電壓線FVL的場合，用雙向二極管BSD使柵極信號線GL一側(cè)的浮置電壓線FVL和相對電壓信號線CL一側(cè)的浮置電壓線FVL彼此相互連接。
進(jìn)而，圖41也是表示另一實(shí)施例的電路圖，通過雙向二極管BSD使柵極信號線GL一側(cè)的浮置電壓線FVL連接到GND線GNDL，而且，相對電壓信號線CL一側(cè)的浮置電壓線FVL也通過其它雙向二極管BSD與GND線GNDL連接。因?yàn)槟苓M(jìn)一步實(shí)現(xiàn)耐靜電強(qiáng)的結(jié)構(gòu)。
此處，上述雙向二極管BSD由圖42A所示的等效電路構(gòu)成，即，成為使一對的各二極管極性改變地并聯(lián)連接的結(jié)構(gòu)。這樣的雙向二極管BSD，可以裝入構(gòu)成驅(qū)動(dòng)器的半導(dǎo)體芯片而構(gòu)成，也可以獨(dú)立于該驅(qū)動(dòng)器地形成在透明基片SUB1的表面。
在后者的場合，例如能夠象圖42B所示那樣地構(gòu)成。圖42B是平面圖，在幾何學(xué)上與圖42A的等效電路對應(yīng)地描述。
在圖42A中，在圖中上側(cè)形成一方的二極管，該二極管以半導(dǎo)體層LTPS(1)的圖中左側(cè)的一端為陰極，將圖中右側(cè)的一端為陽極。而且，在該陰極和陽極之間的上述半導(dǎo)體層LTPS(1)上，中間存在絕緣膜地形成柵極電極，該柵極電極被連接到上述陽極。另外，在圖中下側(cè)形成另一方的二極管，該二極管以半導(dǎo)體層LTPS(2)的圖中左側(cè)的一端為陽極，以圖中右側(cè)的一端為陰極。而且，在該陽極和陰極之間的上述半導(dǎo)體層LTPS(2)上，中間存在絕緣膜地形成柵極電極，該柵極電極被連接到上述陰極。
圖42C表示沿圖42B的c-c線的剖面圖，圖42D是表示沿圖42B的d-d線的剖面圖。此處，介于各半導(dǎo)體層LTPS(1)、LTPS(2)和在它們的上方所形成的各柵極電極之間的上述絕緣膜使用第1絕緣膜INS。
其理由是，該雙向二極管BSD與液晶顯示裝置的像素內(nèi)的薄膜晶體管TFT并行地形成，因此，在層構(gòu)造中的結(jié)構(gòu)與該薄膜晶體管TFT類似，只不過具有上述電極是否被連接到該二極管的陽極或陰極的不同。
這樣被構(gòu)成的雙向二極管BSD，通過將其布線層的一方的電位直接作為柵極電極電位使用，能夠只在施加了高電壓時(shí)設(shè)定為導(dǎo)通。另外，如果使作為柵極電極使用的一側(cè)的布線層相反，則能夠使極性相反。
另外，為了減小正常動(dòng)作時(shí)的漏電流，優(yōu)選由柵極電極層形成布線層。這是因?yàn)椋谟糜诎雽?dǎo)體層的低電阻化的離子注入時(shí)離子沒有注入該布線層，因此變成高電阻狀態(tài)，能夠減小從通孔附近向被注入了半導(dǎo)體層離子的區(qū)域的漏電流。另外，在半導(dǎo)體層為非晶型硅的場合，如果不將柵極電極的距離延伸到通孔下，則能形成高電阻區(qū)域。
此外，還能進(jìn)行其他各種方式的制作，如果是在高電壓時(shí)能放掉該高電壓的結(jié)構(gòu)即可。
(實(shí)施例29)作為液晶顯示裝置的像素，已知這樣一種像素，即，在中間間隔液晶而相對配置的一方的基片的液晶一側(cè)的表面上，具備像素電極和在與該像素電極之間使產(chǎn)生電場的對置電極。
其構(gòu)成為，借助于在該像素電極和對置電極之間具有與基片平行的成分的電場，控制該液晶的光透射率。
而且，已知在這樣的各像素中，采用構(gòu)成在其區(qū)域內(nèi)使上述電場的方向不同的區(qū)域，并由此補(bǔ)償取決于視場角的圖像的著色的所謂多區(qū)域方式，使這些各區(qū)域中的液晶的運(yùn)動(dòng)(液晶分子的旋轉(zhuǎn))從電場較強(qiáng)的一端傳輸?shù)搅硪欢说募夹g(shù)。這是因?yàn)?，只在被平行地配置的像素電極和對置電極之間產(chǎn)生的電場中，使液晶分子旋轉(zhuǎn)的力有時(shí)候比較弱。
但是，在這樣構(gòu)成的像素中，液晶的運(yùn)動(dòng)從電場較強(qiáng)的一端向另一端傳輸，由此判明它的應(yīng)答速度低，希望對它進(jìn)行改善。
另外，在US 6,266,116中所公開的像素是在其另一端具有一方的電極用相同的寬度延伸的另一端部分的像素，被指出具有這樣的問題，即，在該另一端部分和另一方的電極之間產(chǎn)生的電場的方向比較不均勻，在該部分中產(chǎn)生所謂的疇區(qū)域，結(jié)果是必須遮光，使像素的所謂開口率變窄。
在本實(shí)施例以后的下述實(shí)施例中，提供一種具有使液晶的響應(yīng)速度提高的像素的液晶顯示裝置。
另外，提供一種提高像素的開口率的液晶顯示裝置。
如果簡單地說明其典型的內(nèi)容的概要，則如下所述。
(A)例如，一種液晶顯示裝置，其特征在于，在像素區(qū)具有被劃分的第1區(qū)域和第2區(qū)域，在各區(qū)域中，被第1電極和第2電極包圍地形成區(qū)域，第1電極和第2電極，分別具有長的第1電極部分和短的第2電極部分，第1電極部分和第2電極部分，具有成為鈍角的關(guān)系地連接，上述第1電極和第2電極的各自的第2電極部分被配置得在各區(qū)域變成相互最遠(yuǎn)的邊緣，上述鈍角形成在第1區(qū)域和第2區(qū)域不同的一側(cè)。
(B)例如，一種液晶顯示裝置，其特征在于，以A的結(jié)構(gòu)為前提，各自的上述鈍角被定位在相對于初始取向方向不同的一側(cè)。
(C)
例如，一種液晶顯示裝置，其特征在于，在像素區(qū)具有被劃分的第1區(qū)域和第2區(qū)域，各區(qū)域具有第1電極和第2電極，而且，具有第1電極與第2電極平行地延伸的主區(qū)域和第1電極與第2電極逐漸接近的輔助區(qū)域，輔助區(qū)域被配置在像素區(qū)的兩端，而且，被配置得分別在相反方向上逐漸接近，上述第1區(qū)域和第2區(qū)域大致線對稱地形成。
(D)例如，一種液晶顯示裝置，其特征在于，在像素區(qū)內(nèi)，具備像素電極和在與該像素電極之間產(chǎn)生電場的對置電極，而且，具備用這些像素電極和對置電極包圍的至少2個(gè)劃分區(qū)域，這些劃分區(qū)域的每一個(gè)形成菱形形狀，這些劃分區(qū)域相對于液晶初始取向方向大致線對稱、背對背地被形成，在這些各劃分區(qū)域中，與一方的劃分區(qū)域背對背的第1邊和在該第1邊的一個(gè)方向一側(cè)的端部與該第一邊具有鈍角的開口地交叉的第2邊，分別借助于上述像素電極和對置電極中的一方的電極被修邊地形成，而且，與上述第1邊平行的第3邊和在與該第3邊的上述一個(gè)方向一側(cè)相反的一側(cè)的端部與該第3邊具有鈍角的開口地交叉的第4邊，借助于上述像素電極和對置電極中的另一方的電極被修邊地形成。
(E)例如，一種液晶顯示裝置，以D的結(jié)構(gòu)為前提，其特征在于，各劃分區(qū)域的第1邊和第3邊的各自的長度被設(shè)定比該第1邊和第3邊的距離大。
(F)例如，一種液晶顯示裝置，以D的結(jié)構(gòu)為前提，其特征在于，
像素電極通過薄膜晶體管被供給來自漏極信號線的圖像信號，該漏極信號線與液晶初始取向方向大致一致。
(G)例如，一種液晶顯示裝置，以D的結(jié)構(gòu)為前提，其特征在于，對各劃分區(qū)域的第1邊修邊的電極，被構(gòu)成為各劃分區(qū)域的公用的電極。
(H)例如，一種液晶顯示裝置，以D的結(jié)構(gòu)為前提，其特征在于，線對稱、背對背地形成的各劃分區(qū)域沿著液晶初始取向方向被形成多個(gè)，對這些各劃分區(qū)域的第1邊和第2邊修邊的電極被一體地構(gòu)成，而且，對第3邊和第4邊修邊的電極被一體地構(gòu)成。
(I)例如，一種液晶顯示裝置，以D的結(jié)構(gòu)為前提，其特征在于，像素電極通過薄膜晶體管被供給來自漏極信號線的圖像信號，該漏極信號線與液晶初始取向方向大致一致，而且，各劃分區(qū)域的第2邊定位在上述漏極信號線的圖像信號線的供給一側(cè)。
(J)例如，一種液晶顯示裝置，以D的結(jié)構(gòu)為前提，其特征在于，像素電極通過薄膜晶體管被供給來自漏極信號線的圖像信號，該漏極信號線與液晶初始取向方向大致一致，而且，各劃分區(qū)域的第4邊定位在上述漏極信號線的圖像信號線的供給一側(cè)。
(K)例如，一種液晶顯示裝置，以D的結(jié)構(gòu)為前提，其特征在于，對各劃分區(qū)域的第1邊和第2邊修邊的電極是像素電極，對第3邊和第4邊修邊的電極是對置電極。
(L)例如，一種液晶顯示裝置，以(K)的結(jié)構(gòu)為前提，其特征在于，像素電極通過薄膜晶體管被供給來自漏極信號線的圖像信號，該漏極信號線與液晶初始取向方向大致一致，而且，各對置電極中間存在絕緣膜地被覆上述漏極信號線地形成。
(M)例如，一種液晶顯示裝置，以(L)的結(jié)構(gòu)為前提，其特征在于，上述對置電極用透光性的導(dǎo)電層構(gòu)成。
以下，根據(jù)附圖更詳細(xì)地說明。
圖43A是表示本發(fā)明的液晶顯示裝置的像素的另一實(shí)施例的平面圖，是示意地表示像素電極PX與對置電極CT的圖案和配置狀態(tài)的圖。
在圖43A中，像素區(qū)被構(gòu)成為，具有在x方向被劃分的2個(gè)區(qū)域，即第1像素區(qū)PAE1和第2像素區(qū)PAE2。
此處，柵極信號線GL(未圖示)在圖中x方向走線，漏極信號線CL(未圖示)在y方向走線，在被這些信號線包圍的區(qū)域，具備上述第1像素區(qū)PAE1和第2像素區(qū)PAE2。此外，該像素中的所謂初始取向方向與圖中y方向大致一致。
另外，上述第1像素區(qū)PAE1和第2像素區(qū)PAE2分別構(gòu)成在y方向形成較長的菱形形狀。
上述第1像素區(qū)PAE1構(gòu)成為，在該圖中左側(cè)邊和下側(cè)邊，由對置電極CT劃分，在圖中右側(cè)邊和上側(cè)邊由像素電極PX劃分。另外，上述第2像素區(qū)PAE2，在該圖中左側(cè)邊和上側(cè)邊由像素電極PX劃分，在圖中右側(cè)邊和下側(cè)邊由對置電極CT劃分。
在該實(shí)施例中，第1像素區(qū)PAE1的上述像素電極PX和第2像素區(qū)PAE2的上述像素電極PX，在劃分第1像素區(qū)PAE1和第2像素區(qū)PAE2的部分成為公用。
而且，如該圖所示那樣，如果以第1像素區(qū)PAE1的右側(cè)邊的像素電極PX的邊設(shè)定為第1邊部分A，以圖中的上側(cè)邊的上述像素電極PX的邊設(shè)定為第2邊部分B，則由該第1邊部分A和第2邊部分B所形成的角度為鈍角(＞90°)。另外，如果以第1像素區(qū)PAE1的左側(cè)邊的對置電極CT的邊設(shè)定為第3邊部分C，以下側(cè)邊的上述對置電極CT的邊設(shè)定為第4邊部分D，則由該第3邊部分C和第4邊部分D所形成的角度為鈍角(＞90°)。即，上述第1像素區(qū)PAE1構(gòu)成菱形的圖案，用一方的電極的邊形成構(gòu)成具有其內(nèi)角中一個(gè)鈍角的角度的二邊，用另一方的電極的邊形成構(gòu)成具有其它的鈍角的角度的二邊。
另外，該第2像素區(qū)PAE2，以謀求與第1像素區(qū)PAE1的像素電極PX公用化的像素電極PX的中心軸為中心，處于與該第1像素區(qū)PAE1背對背的大致線對稱的關(guān)系中，成為與第1像素區(qū)PAE1相同的結(jié)構(gòu)。
在具有上述圖案的像素電極PX和對置電極CT的像素中，在其像素電極PX和對置電極CT之間產(chǎn)生的電場的分布如圖43B所示那樣，第1像素區(qū)PAE1和第2像素區(qū)PAE2，其上下各部分，即，例如，如果舉第1像素區(qū)PAE1為例，在除其菱形形狀的各角的上述鈍角部分之外的其他的銳角部分則電場變強(qiáng)，而且，其電場方向也象圖43D所示那樣，液晶分子LQM的向一個(gè)方向的扭轉(zhuǎn)引起的旋轉(zhuǎn)運(yùn)動(dòng)變得容易進(jìn)行。此處，在圖43D中，符號EAD表示初始取向方向，該圖左側(cè)的液晶分子LQM表示第1像素區(qū)PAE1中的初始取向方向，右側(cè)的液晶分子LQM表示第2像素區(qū)PAE2中的初始取向方向。
因此，象圖43C所示那樣，在第1像素區(qū)PAE1和第2像素區(qū)PAE2的上述上下的各部分，即，用○包圍的各區(qū)域中，其區(qū)域內(nèi)的液晶分子LQM由高電場驅(qū)動(dòng)，在各區(qū)域中規(guī)定的向一方向的扭轉(zhuǎn)的旋轉(zhuǎn)運(yùn)動(dòng)被直接追隨到該各區(qū)域以外的其它區(qū)域(像素的中央的區(qū)域)，可以實(shí)現(xiàn)高速且正常的液晶分子的驅(qū)動(dòng)，并能抑制拖尾的產(chǎn)生。
另外，第1像素區(qū)PAE1與第2像素區(qū)PAE2中的上述第1邊部分A和第2邊部分C的長度和這些各邊的距離相比，比較長，而且被平行地配置，因此，起到制造變得容易、而且提高成品率的效果。
另外，在取向處理時(shí)，相當(dāng)于上述第1邊部分A和第2邊部分C的電極的延伸方向和初始取向方向EAD大致平行，因此，可以容易且可靠地進(jìn)行取向處理，初始取向方向穩(wěn)定，所以起到提高對比度的效果。
此外，這樣構(gòu)成的各像素區(qū)PAE1、PAE2，在這些區(qū)域內(nèi)的任何部分中，液晶分子都能正常運(yùn)動(dòng)，例如，能夠去除成為所謂疇區(qū)域的部分。因此，在這些各區(qū)域中，例如，可以完全不需要借助于黑色基質(zhì)BM等的其它的構(gòu)件進(jìn)行遮光的部分。
此外，在該實(shí)施例的說明中，將在像素的中央走線的電極作為像素電極PX，將被配置在該像素電極PX兩側(cè)的電極作為對置電極CT而構(gòu)成。但是，當(dāng)然，像素電極PX和對置電極CT也可以構(gòu)成得分別成為對置電極CT和像素電極PX。
(實(shí)施例30)圖44A是表示本發(fā)明的液晶顯示裝置的像素的一個(gè)實(shí)施例的平面圖，圖44B表示沿圖44A的b-b線的剖面圖，圖44C表示沿圖44A的c-c線的剖面圖。
在該圖中，首先，在透明基片SUB1的液晶一側(cè)的表面形成例如由多晶硅構(gòu)成的半導(dǎo)體層PSI。該半導(dǎo)體層PSI是借助于受激準(zhǔn)分子激光器將由等離子CVD裝置成膜的非晶型硅膜多晶化而形成的。
該半導(dǎo)層LTPS是薄膜晶體管TFT的半導(dǎo)體層，構(gòu)成了例如2次橫穿后述的柵極信號線GL而迂回形成的圖案。
而且，在這樣形成半導(dǎo)體層PSI的透明基片SUB1的表面還覆蓋該半導(dǎo)體層PSI形成例如由SiO2或SiN構(gòu)成的第1絕緣膜INS。
該第1絕緣膜INS作為上述薄膜晶體管TFT的柵極絕緣膜而起作用。
而且，在第1絕緣膜INS的上面，形成在圖中x方向延伸、在y方向并列設(shè)置的柵極信號線GL，該柵極信號線GL與后述的漏極信號線DL一起劃分矩形形狀的像素區(qū)。
該柵極信號線GL，2次橫穿上述的半導(dǎo)體層PSI地走線，橫穿該半導(dǎo)體層PSI的部分作為薄膜晶體管TFT的柵極電極而起作用。
此外，在該柵極信號線GL形成后，通過第1絕緣膜INS注入雜質(zhì)離子，并通過在上述半導(dǎo)體層PSI中使除上述柵極信號線GL的正下方以外的區(qū)域?qū)щ娀?，形成薄膜晶體管TFT的源極區(qū)域和漏極區(qū)域。
在上述第1絕緣膜INS的上面，還覆蓋上述柵極信號線GL，例如用SiO2或SiN形成第2絕緣膜GI。
在該第2絕緣膜GI的表面形成在y方向延伸、在x方向被并列設(shè)置的漏極信號線DL。然后，在該漏極信號線DL的一部分上，通過貫穿其下面的第2絕緣膜GI和第1絕緣膜INS的通孔TH1與上述半導(dǎo)體層PSI連接。與該半導(dǎo)體層PSI的漏極信號線DL連接的部分，是成為薄膜晶體管TFT的一方的區(qū)域，例如漏極區(qū)域的部分。
另外，在被上述漏極信號線DL和柵極信號線GL包圍的像素區(qū)內(nèi)的上述第2絕緣膜GI的表面形成像素電極PX。該像素電極PX由在像素區(qū)的大致中央沿y方向走線的帶狀圖案和從該帶狀圖案的左右側(cè)分別延伸的枝狀圖案構(gòu)成。
進(jìn)而，詳而言之，上述像素電極PX的帶狀圖案的該像素區(qū)的薄膜晶體管TFT一側(cè)的一端，通過貫穿其下方的第3絕緣膜PAS、第2絕緣膜GI和第1絕緣膜INS而設(shè)置的通孔TH2，被連接到薄膜晶體管TFT的另一方的區(qū)域、例如源極區(qū)域。
另外，從該帶狀圖案的該源極區(qū)域的連接部分向另一端，從其左右一側(cè)延伸的上述枝狀圖案，在該實(shí)施例中，大致等間隔地設(shè)置了3個(gè)，該延伸方向相對于該帶狀的圖案構(gòu)成鈍角(＞90°)。
此外，在與漏極信號線DL相同的層上形成的該像素電極PX的上述枝狀圖案的前端，為了避免與該漏極信號線DL電連接，而在物理上被分離地構(gòu)成。
由此，在被漏極信號線DL和柵極信號線GL包圍的像素區(qū)中，形成由上述像素電極PX劃分的6個(gè)區(qū)域。該6個(gè)各區(qū)域，用與后述的相對電極CT的關(guān)系，分別形成在功能上相同的的獨(dú)立的像素區(qū)。這一點(diǎn)將在后面敘述。
此外，像素電極PX，作為它的材料可以是金屬，但在該實(shí)施例中，例如，用ITO(Indium Tin Oxide)、ITZO(Indium Tin ZincOxide)、IZO(Indium Zinc Oxide)、SnO2(氧化錫)、In2O3(氧化銦)等透光性的導(dǎo)電層構(gòu)成。這是因?yàn)榭紤]到要盡可能提高所謂開口率的緣故。
進(jìn)而，在第2絕緣膜GI的表面，還覆蓋該漏極信號線DL和像素電極PX，形成第3絕緣膜PAS。該第3絕緣膜PAS例如由樹脂等有機(jī)材料構(gòu)成，與上述第2絕緣膜GI一起成為用于避免上述薄膜晶體管TFT與液晶的直接接觸的保護(hù)膜。之所以用有機(jī)材料構(gòu)成第3絕緣膜PAS，是為了減小作為保護(hù)膜的介電常數(shù)，而且使表面平坦化。
然后，在該第3絕緣膜PAS的上面形成對置電極CT。該對置電極CT與相對電壓信號線CL一體地形成，該相對電壓信號線CL被覆驅(qū)動(dòng)該像素區(qū)的薄膜晶體管TFT的柵極信號線GL(圖中下側(cè)的柵極信號線GL)地形成，但是，不被覆夾持該像素區(qū)而形成的其它柵極信號線GL(圖中上側(cè)的柵極信號線GL)地形成。這是因?yàn)?，設(shè)定了向相對于該圖所示的像素在圖中x方向并列設(shè)置的其它像素所公用的相對電壓信號線CL供給相對電壓信號的場合的結(jié)構(gòu)。
上述對置電極CT，首先，將上述像素電極PX的帶狀圖案置于中間，與漏極信號線DL的每一個(gè)重疊地形成。在該情況下，與該漏極信號線DL重疊的對置電極CT，其中心軸大致一致地配置，而且，其寬度被形成得比該漏極信號線DL的寬度大。這是因?yàn)?，考慮到使來自漏極信號線DL的電力線在該對置電極CT一側(cè)終止，并避免在像素電極PX一側(cè)終止。
此處，在本實(shí)施例中，與一方一側(cè)的漏極信號線DL重疊的對置電極CT和與另一方一側(cè)的漏極信號線DL重疊的對置電極CT，其采用的結(jié)構(gòu)為，在形成了上述像素電極PX的枝狀的圖案的部分上相互連接。
即，在該像素區(qū)中，對置電極CT構(gòu)成所謂梯子形狀的圖案，借助于上述像素電極PX的枝狀圖案上的上述連接部分，與該像素電極PX的枝狀圖案一起構(gòu)成具有6個(gè)相同的功能的獨(dú)立的像素區(qū)。
詳而言之，與一方的一側(cè)的漏極信號線DL重疊的對置電極CT和與另一方的一側(cè)的漏極信號線DL重疊的對置電極CT的上述連接部分(連接圖案)構(gòu)成與該像素電極PX的枝狀圖案大致相同的圖案，不完全與該枝狀的圖案重疊，少許向圖中上側(cè)(y方向)移位，其結(jié)果是，成為其一部分與該枝狀的圖案重疊，而剩余部分不重疊的結(jié)構(gòu)。
由此，在觀察1個(gè)被分割的像素區(qū)的場合，在該像素區(qū)的上側(cè)形成像素電極PX(枝狀的圖案)，其不與對置電極CT(連接圖案)重疊，而在該像素區(qū)的下側(cè)形成對置電極CT(連接圖案)，其不與像素電極PX(枝狀的圖案)重疊。這意味著，在該像素區(qū)的上側(cè)像素電極PX(枝狀的圖案)的影響大，在下側(cè)對置電極CT(連接圖案)的影響大。
即，這意味著，被分割的各像素區(qū)的每一個(gè)起到與圖43A所示的各像素區(qū)相同的效果。
而且，由此，在接近被漏極信號線DL和柵極信號線GL包圍的像素區(qū)內(nèi)的相對電壓信號線CL的被分割的像素區(qū)中，不存在與像素電極PX(枝狀圖案)重疊的連接圖案。但是，將與像素電極PX(枝狀圖案)重疊的連接圖案形成為象在-y方向平行走線的圖案。同樣地，在與接近被漏極信號線DL和柵極信號線GL包圍的像素區(qū)內(nèi)的相對電壓信號線CL的一側(cè)相反的一側(cè)，被分割的像素區(qū)也相同。
此外，在該實(shí)施例中，之所以使像素電極PX的枝狀圖案和對置電極CT的連接圖案在一部分上重疊地構(gòu)成，是為了要在該被重疊的部分形成電容元件Cstg的緣故。
另外，一體地形成的對置電極CT和相對電壓信號線CL，作為它的材料可以是金屬，但在該實(shí)施例中，例如，用ITO(Indium TinOxide)、ITZO(Indium Tin Zinc Oxide)、IZO(Indium ZincOxide)、SnO2(氧化錫)、In2O3(氧化銦)等透光性的導(dǎo)電層構(gòu)成。這是因?yàn)椋紤]到要盡可能提高所謂開口率的緣故。
另外，在該實(shí)施例中，例如中間存在透明基片SUB 1和液晶而相對配置的其它的透明基片的液晶一側(cè)的表面上形成黑色基質(zhì)BM，該黑色基質(zhì)BM覆蓋薄膜晶體管TFT的形成區(qū)域，沿著柵極信號線GL而形成。
可以不被覆被劃分的各像素地形成該黑色基質(zhì)BM。這是因?yàn)?，象上述那樣，在該各像素區(qū)內(nèi)的任何部分液晶都能正常運(yùn)動(dòng)，沒有必要對成為所謂疇區(qū)域的部分進(jìn)行遮光的緣故。
而且，對被劃分的各像素區(qū)進(jìn)行劃分的像素電極PX和對置電極CT，例如，即使在將其作為透光性的導(dǎo)電層使用的場合，例如通過將液晶作為常白模式使用，也能夠使它們具有遮光膜的功能。
由此，上述的黑色基質(zhì)BM構(gòu)成為只被覆薄膜晶體管TFT，可以謀求防止該薄膜晶體管TFT的因光照射所引起的特性惡化。
(實(shí)施例31)圖45A是表示本發(fā)明的液晶顯示裝置的像素的另一實(shí)施例的平面圖，是與圖44A對應(yīng)的圖。另外，圖45B是表示沿圖45A的b-b線的剖面圖，圖45C是表示沿圖45A的c-c線的剖面圖。
與圖44A比較，不同的結(jié)構(gòu)在于，首先，像素電極PX和對置電極CT(相對電壓信號線CL)在相同的層上形成，分別形成在第3絕緣膜PAS的表面。
而且，被漏極信號線CL和柵極信號線GL包圍的像素區(qū)由像素電極PX被劃分為2個(gè)區(qū)域。即，該像素電極PX被形成為，從驅(qū)動(dòng)該薄膜晶體管TFT的柵極信號線GL的一側(cè)的一端在y方向上延伸，在接近其它的柵極信號線GL的另一端，呈鈍角(＞90°)狀地，寬度逐漸變大。
另一方面，對置電極CT形成為，象圖45A所示那樣，從被覆驅(qū)動(dòng)該薄膜晶體管TFT的柵極信號線GL一側(cè)的相對電壓信號線CL，沿著各漏極信號線DL延伸，在該對置電極CT和相對電壓信號線CL的連接部分，其寬度逐漸變窄。其結(jié)果是，對置電極CT的寬度隨著向相對電壓信號線CL接近、成鈍角(＞90°)狀地，寬度逐漸擴(kuò)大地形成，而且，該鈍角的角度大致等于在上述像素電極PX的上述另一端寬度變寬時(shí)的角度。
此外，像素電極PX的上述一端，通過貫穿在其下方所形成的第3絕緣膜PAS的通孔TH3，與在第2絕緣膜GI面上所形成的連接用的布線CM連接，該連接用的布線CM通過貫穿在其下方所形成的第2絕緣膜GI和第1絕緣膜INS的通孔TH2，與薄膜晶體管TFT的源極區(qū)域連接。而且，在該情況下，上述連接用的布線CM在其一部分上形成與相對電壓信號線CL的重疊部分，在該重疊部分上構(gòu)成將第3絕緣膜PAS作為電介質(zhì)膜的電容元件Cstg。
在這樣構(gòu)成的液晶顯示裝置的像素中，由像素電極PX和對置電極CT將被漏極信號線DL和柵極信號線GL包圍的像素區(qū)劃分為2個(gè)區(qū)域，可以在各自的區(qū)域中起到上述圖43A-43D所示的結(jié)構(gòu)的效果，即，可以在像素電極PX和對置電極CT的接近部分形成強(qiáng)電場，并將它作為驅(qū)動(dòng)力控制剩余的面內(nèi)的液晶的旋轉(zhuǎn)方向的效果。
(實(shí)施例32)圖46A是表示本發(fā)明的液晶顯示裝置的像素的另一實(shí)施例的平面圖，是與圖45A對應(yīng)的圖。另外，圖46B是表示沿圖46A的b-b線的剖面圖，圖46C是表示沿圖46A的c-c線的剖面圖。
與圖45A的場合比較，不同的結(jié)構(gòu)在于相對電壓信號線CL，被覆驅(qū)動(dòng)該像素的柵極信號線GL的相對電壓信號線CL與在該像素中形成的對置電極CT電分離。而且，該對置電極CT，與驅(qū)動(dòng)該像素的柵極信號線GL和被覆夾持該像素而形成的其它的柵極信號線GL的相對電壓信號線CL電連接。
而且，用遮光膜BM被覆驅(qū)動(dòng)該像素的柵極信號線GL的相對電壓信號線CL和該像素的對置電極CT的電分離位置。
在這樣構(gòu)成的場合，象在上述的實(shí)施例中已說明的那樣，在柵極信號線GL的寫入時(shí)，能夠使該柵極信號線GL上的相對電壓信號線CL成為浮置狀態(tài)，所以可以提高寫入特性。
另外，與圖45A所示同樣地，可以在像素PX和對置電極CT的接近部分形成強(qiáng)電場，將它作為驅(qū)動(dòng)力控制剩余的面內(nèi)的液晶的旋轉(zhuǎn)方向。因此，必須使產(chǎn)生的電場變得更強(qiáng)，可以在柵極信號線GL的寫入時(shí)使該柵極信號線GL上的相對電壓信號線CL成為浮置狀態(tài)的上述構(gòu)成將變得極為有效。
(實(shí)施例33)圖47A是表示本發(fā)明的液晶顯示裝置的像素的另一實(shí)施例的平面圖，是與圖44A對應(yīng)的圖。另外，圖47B表示沿圖47A的b-b線的剖面圖，圖47C表示沿圖47A的c-c線的剖面圖。
與圖44B的場合比較，不同的結(jié)構(gòu)在于，首先，對置電極CT和相對電壓信號線CL形成在第3絕緣膜PAS的表面，這些對置電極CT和相對電壓信號線CL例如用ITO(Indium Tin Oxide)、ITZO(Indium Tin Zinc Oxide)、IZO(Indium Zinc Oxide)、SnO2(氧化錫)、In2O3(氧化銦)等透光性的導(dǎo)電層構(gòu)成。
而且，為了減小這些對置電極CT和相對電壓信號線CL的整個(gè)電阻，重新設(shè)置用金屬構(gòu)成的相對電壓信號線CL’，謀求該相對電壓信號線CL’與上述相對電壓信號線CL的連接。
上述相對電壓信號線CL’，與驅(qū)動(dòng)該像素的柵極信號線GL和夾持該像素而形成的其它柵極信號線GL鄰接地形成，例如，在該其它柵極信號線GL地形成時(shí)同時(shí)形成，因此，用與該其它該柵極信號線GL相同的材料構(gòu)成。
該相對電壓信號線CL’和第3絕緣膜PAS上的相對電壓信號線CL的連導(dǎo)，是通過貫穿該第3絕緣膜PAS和第2絕緣膜GI的通孔TH4形成的(參照圖47B)。
此外，上述相對電壓信號線CL’和與它鄰接的柵極信號線GL由第3絕緣膜PAS上的相對電壓信號線CL所被覆，而且，與該像素的對置電極CT一體地連接。而且，該像素的上述對置電極CT被構(gòu)成為，與被覆驅(qū)動(dòng)該像素的柵極信號線GL而形成的相對電壓信號線CL在接近該相對電壓信號線CL的附近電分離。
由此，在該附近所形成的遮光膜BM至少覆蓋相對電壓信號線CL和對置電極CT的電分離部分而形成。
另外，被漏極信號線DL和柵極信號線GL包圍的區(qū)域，由像素電極PX和對置電極CT劃分為6個(gè)區(qū)域，這一點(diǎn)與圖44A的場合相同。但是，在各區(qū)域的最外緣所形成的圖案與圖44A的場合比較，不同點(diǎn)在于其上下相反。
即，在圖44A的場合，在y方向延伸的像素電極PX被構(gòu)成為，從與該像素的薄膜晶體管TFT連接的一側(cè)向相反的方向具有鈍角(＞90°)地具有枝狀圖案，與此相應(yīng)，一方的漏極信號線DL上的對置電極CT和另一方的漏極信號線DL上的對置電極CT的連接圖案也與上述枝狀圖案類似。
與此相反，在本實(shí)施例的場合，在y方向延伸的像素電極PX被構(gòu)成為，從與被連接到該像素的薄膜晶體管TFT的一側(cè)相反的一側(cè)向該薄膜晶體管TFT的方向具有鈍角(＞90°)地具有枝狀圖案，與此相應(yīng)，一方的漏極信號線DL上的對置電極CT和另一方的漏極信號線DL上的對置電極CT的連接圖案也與上述枝狀圖案類似。
對置電極CT的上述連接圖案，被配置在保留該像素電極PX的與枝狀圖案部分重疊的區(qū)域，并使像素電極PX的枝狀圖案向薄膜晶體管TFT一側(cè)移位的位置上。這是因?yàn)?，對置電極CT的上述連接圖案和像素電極PX的枝狀圖案的部分重疊的區(qū)域，要在其一部分上形成將第3絕緣膜PAS作為電介質(zhì)膜的電容元件Cstg的緣故。
此外，上述像素電極PX可以用金屬等構(gòu)成。但是，當(dāng)然，例如可以用ITO(Indium Tin Oxide)、ITZO(Indium Tin Zinc Oxide)、IZO(Indium Zinc Oxide)、SnO2(氧化錫)、In2O3(氧化銦)等透光性的導(dǎo)電層構(gòu)成。這是為了能進(jìn)一步提高所謂像素的開口率的緣故。
(實(shí)施例34)圖48是表示本發(fā)明的液晶顯示裝置的像素的另一實(shí)施例的平面圖，是與圖46A對應(yīng)的圖。
與圖46A的場合比較，不同的結(jié)構(gòu)在于，首先，形成相對電壓信號線CL’，與驅(qū)動(dòng)該像素的柵極信號線GL和夾持該像素區(qū)而配置的其它柵極信號線GL鄰接，并由金屬所形成。
在該相對電壓信號線CL’和與它臨接的上述其它柵極信號線GL的上方的第3絕緣膜PAS的上面，還覆蓋上述相對電壓信號線CL’和其它柵極信號線GL，形成用透光性的導(dǎo)電膜被形成的相對電壓信號線CL。此外，該相對電壓信號線CL與該像素的對置電極CT一體地形成。
另外，用像素電極PX和對置電極CT把被柵極信號線GL和漏極信號線DL包圍的像素區(qū)劃分為2個(gè)區(qū)域的結(jié)構(gòu)，與圖46A的場合相同。但是，這些各區(qū)域在將圖46A所示的各區(qū)域形成為上下相反的圖案這方面是不同的。
即，在圖中的y方向延伸的像素電極PX具有隨著接近與薄膜晶體管TFT的連接部分，擴(kuò)大成鈍角(＞90°)，其寬度逐漸變大的圖案。另一方面，對置電極CT形成在除該像素區(qū)的中央部分之外的周邊部分，但是，與各漏極信號線DL重疊而形成的部分具有隨著接近與上述薄膜晶體管TFT的一側(cè)相反的一側(cè)，擴(kuò)大成鈍角(＞90°)，其寬度逐漸變大的圖案。
在該場合的上述像素電極PX的擴(kuò)展角和對置電極CT的擴(kuò)展角大致相等地構(gòu)成。
這樣構(gòu)成的像素，由于其被劃分的各區(qū)域把圖46A所示的各區(qū)域形成為上下相反的圖案，因此起到與圖46A所示的結(jié)構(gòu)的場合相同的效果。
(實(shí)施例35)圖49是表示本發(fā)明的液晶顯示裝置的像素的另一實(shí)施例的平面圖，是與圖48對應(yīng)的圖。
與圖48的場合比較，不同的結(jié)構(gòu)在于，被漏極信號線DL和柵極信號線GL包圍的像素區(qū)，由像素電極PX和對置電極CT劃分為4個(gè)區(qū)域。
即，配置沿y方向在該像素區(qū)的中央延伸的像素電極PX，該像素電極PX的一端和其相反一側(cè)的另一端分別被形成為寬度沿著該延伸方向逐漸擴(kuò)大，直到它到達(dá)相對電壓信號線CL的附近。由此，該像素電極PX的各端部構(gòu)成放射狀地?cái)U(kuò)展的形狀，其擴(kuò)展面的各邊分別對直線狀延伸的部分成為鈍角(＞90°)。
另一方面，覆蓋夾持該像素區(qū)的各漏極信號線DL而形成的各對置電極CT，在其大致中央部分，形成向上述像素電極PX一側(cè)延伸的突出部分CTp，該突出部分CTp隨著接近該像素電極PX構(gòu)成其寬度逐漸變窄的形狀，其傾斜面的各邊分別對直線狀延伸的部分構(gòu)成鈍角(＞90°)。
在這樣構(gòu)成的場合，由像素電極PX和對置電極CT對像素區(qū)進(jìn)行劃分的各區(qū)域，也分別與圖46A所示的結(jié)構(gòu)相同，起到該構(gòu)成的說明所示的效果。
另外，通過設(shè)置2個(gè)以上上述劃分的各區(qū)域，能夠使各區(qū)域的面積變得較小，其內(nèi)部的像素電極PX和對置電極 CT的電場強(qiáng)度變大，謀求應(yīng)答速度的提高。
(實(shí)施例36)圖50是表示本發(fā)明的液晶顯示裝置的像素的另一實(shí)施例的平面圖，是與圖49對應(yīng)的圖。
與圖49的場合比較，不同的結(jié)構(gòu)在于，在圖中x方向延伸的相對電壓信號線CL’在像素區(qū)的中央走線地形成。而且，該相對電壓信號線CL’例如在柵極信號線GL形成時(shí)被同時(shí)形成，而且，在對置電極CT的突出部分CTp的部分，通過貫穿第3絕緣膜PAS、第2絕緣膜GI和第1絕緣膜INS的通孔TH，與該對置電極CT(相對電壓信號線CL)連接。
該相對電壓信號線CL’是用金屬等的電阻較小的材料形成，是為了減小與對置電極CT一體地形成的相對電壓信號線CL的電阻值而設(shè)置的。
因此，當(dāng)然，對置電極CT和相對電壓信號線CL例如可以用ITO(Indium Tin Oxide)、ITZO(Indium Tin Zinc Oxide)、IZO(Indium Zinc Oxide)、SnO2(氧化錫)、In2O3(氧化銦)等透光性的導(dǎo)電層構(gòu)成。這是為了盡可能提高所謂像素的開口率的緣故。
(實(shí)施例37)圖51是表示本發(fā)明的液晶顯示裝置的像素的另一實(shí)施例的平面圖，是與圖49對應(yīng)的圖。
與圖49的場合比較，不同的結(jié)構(gòu)在于，被漏極信號線DL和柵極信號線GL包圍的像素區(qū)由像素電極PX和對置電極CT劃分為4個(gè)，這一點(diǎn)是相同的，但是，該像素電極PX和對置電極CT的各自的圖案不同。
即，在該像素區(qū)的中央沿y方向延伸的像素電極PX，在它的大致中央部分，形成向夾持該像素電極PX而配置的各對置電極CT的一側(cè)延伸的突出部分PXp，該突出部分PXp構(gòu)成隨著接近各對置電極CT其寬度逐漸變窄的形狀，其傾斜面對直線狀延伸的部分成為鈍角(＞90°)。
另一方面，覆蓋夾持該像素區(qū)的各漏極信號線DL所形成的各對置電極CT，在其各端部與相對電壓信號線CL連接的部分，形成放射狀擴(kuò)展的形狀，其擴(kuò)展面對直線狀延伸的部分成為鈍角(＞90°)。
在這樣構(gòu)成的場合，由像素電極PX和對置電極CT對像素區(qū)進(jìn)行劃分的各區(qū)域，分別與圖46A所示的結(jié)構(gòu)相同，起到該構(gòu)成的說明所示的效果。
另外，通過設(shè)置2個(gè)以上上述劃分的各區(qū)域，能夠使各區(qū)域的面積變得較小，其內(nèi)部的像素電極PX和對置電極CT的電場強(qiáng)度變大，謀求應(yīng)答速度的提高。
(實(shí)施例38)圖52是表示本發(fā)明的液晶顯示裝置的像素的另一實(shí)施例的平面圖，是與圖50對應(yīng)的圖。
與圖50的場合比較，不同的結(jié)構(gòu)在于，在圖中x方向延伸的相對電壓信號線CL’在像素區(qū)的中央走線地形成。而且，該相對電壓信號線CL’例如在柵極信號線GL形成時(shí)同時(shí)被形成。在該情況下，在像素電極PX的下方的突出部分PXp(參照圖51)的下方，在不從該突出部分PXp越出的范圍內(nèi)，其寬度被形成得稍微大一些。這是是因?yàn)椋紤]要盡可能地減小該相對電壓信號線CL’的電阻的緣故。
該相對電壓信號線CL’，在液晶顯示部分AR的外側(cè)的區(qū)域與相對電壓信號線CL連接，是為了減小該相對電壓信號線CL的電阻值而設(shè)置的。
因此，當(dāng)然，對置電極CT和相對電壓信號線CL，例如可以用ITO(Indium Tin Oxide)、ITZO(Indium Tin Zinc Oxide)、IZO(Indium Zinc Oxide)、SnO2(氧化錫)、In2O3(氧化銦)等透光性的導(dǎo)電層構(gòu)成。這是為了盡可能地提高所謂像素的開口率的緣故。
上述各實(shí)施例可以分別單獨(dú)使用，或者進(jìn)行組合使用。因?yàn)?，單?dú)或組合使用上述實(shí)施例，可以獲得上述各實(shí)施例的效果。
由上述可知，根據(jù)本發(fā)明的液晶顯示裝置，在向其漏極信號線供給圖像信號線時(shí)，能夠大幅度地減少其不必要的電耗的發(fā)生。
權(quán)利要求
1.一種液晶顯示裝置，具有配置成矩陣形狀的各像素，其中在一個(gè)方向上并列設(shè)置的像素列在與該一個(gè)方向交叉的方向上并列設(shè)置；由掃描信號選擇各像素列，并對該被選擇的各像素列的各像素供給圖像信號和對于該圖像信號成為基準(zhǔn)的基準(zhǔn)信號，其特征在于，供給圖像信號的漏極信號線，與供給掃描信號的柵極信號線和供給基準(zhǔn)信號的相對電壓信號線交叉配置，上述基準(zhǔn)信號被供給所選擇的每個(gè)像素列，并且該被選擇的像素列以外的其它像素列的相對電壓信號線分別成為浮置狀態(tài)。
2.一種液晶顯示裝置，具有配置成矩陣形狀的各像素，其中在一個(gè)方向上并列設(shè)置的像素列在與該一個(gè)方向交叉的方向上并列設(shè)置；由掃描信號選擇各像素列，并對該被選擇的各像素列的各像素供給圖像信號和對于該圖像信號成為基準(zhǔn)的基準(zhǔn)信號，其特征在于，供給圖像信號的漏極信號線，與供給掃描信號的柵極信號線和供給基準(zhǔn)信號的相對電壓信號線交叉配置，上述基準(zhǔn)信號被供給所選擇的每個(gè)像素列，并且該被選擇的像素列以外的其它像素列的柵極信號線的大部分和相對電壓信號線分別成為浮置狀態(tài)。
3.一種液晶顯示裝置，其特征在于，將由在第1方向延伸、在第2方向并列設(shè)置的柵極信號線和在第2方向延伸、在第1方向并列設(shè)置的漏極信號線所包圍的區(qū)域作為像素區(qū)域，在這些像素區(qū)域中，具有由來自柵極信號線的掃描信號驅(qū)動(dòng)的薄膜晶體管，通過該薄膜晶體管被供給來自漏極信號線的圖像信號的像素電極，以及在與該像素電極之間使電場產(chǎn)生的對置電極，形成有在與各柵極信號線之間走線并與上述對置電極連接的相對電壓信號線，具有使供給掃描信號的柵極信號線以外的其它的柵極信號線的大部分浮置的浮置機(jī)構(gòu)，以及將相對電壓信號供給到在由供給有掃描信號的柵極信號線來驅(qū)動(dòng)上述薄膜晶體管的像素區(qū)中走線的相對電壓信號線，并使其它的相對電壓信號線成為浮置狀態(tài)的機(jī)構(gòu)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示裝置，其特征在于，在各相對電壓信號線從其驅(qū)動(dòng)電路通過由掃描信號導(dǎo)通的開關(guān)被供給相對電壓信號，該信號被掃描并供給到下一條相對電壓信號線時(shí)，使在上述對下1條相對電壓信號線的供給之前被供給了相對電壓信號的相對電壓信號線成為浮置狀態(tài)。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的液晶顯示裝置，其特征在于，各相對電壓信號線用被選擇的多條相對電壓信號線分成組。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的液晶顯示裝置，其特征在于，在與相對電壓信號的供給一側(cè)相反的一側(cè)的端部，使各組的相對電壓信號線彼此相互連接。
7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的液晶顯示裝置，其特征在于，各相對電壓信號線，分別在與相對電壓信號的供給一側(cè)相反的一側(cè)的端部，以能夠與常時(shí)供給有上述相對電壓信號的修正用布線連接的狀態(tài)形成。
8.根據(jù)權(quán)利要求2所述的液晶顯示裝置，其特征在于，各柵極信號線，在從其驅(qū)動(dòng)電路通過由被掃描的信號導(dǎo)通的開關(guān)被供給掃描信號、該信號被掃描供給到下1條柵極信號線時(shí)，由關(guān)斷信號關(guān)斷，進(jìn)而，掃描信號被供給到下1條柵極信號線時(shí)，使2條之前被供給了掃描信號的柵極信號線成為浮置狀態(tài)。
9.根據(jù)權(quán)利要求2所述的液晶顯示裝置，其特征在于，被分別供給各漏極信號線的圖像信號的極性，在鄰接的漏極信號線上是相同的。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的液晶顯示裝置，其特征在于，通過掃描被供給到各相對電壓信號線的相對電壓信號的極性，在每次該供給時(shí)被反轉(zhuǎn)。
11.一種液晶顯示裝置，其特征在于，在由在第1方向延伸、在與該第1方向交叉的第2方向并列設(shè)置的柵極信號線和在第2方向延伸、在第1方向并列設(shè)置的漏極信號線包圍的像素中，具備由來自上述柵極信號線的掃描信號導(dǎo)通的開關(guān)元件，通過該開關(guān)元件被供給來自上述漏極信號線的圖像信號的像素電極，以及使得在與該像素電極之間電場產(chǎn)生、并從與上述柵極信號線大致平行地形成的相對電壓信號線被供給被掃描的相對電壓信號的對置電極，中間存在絕緣膜地覆蓋柵極信號線而形成上述相對電壓信號線，而且，上述對置電極與被連接到該像素的開關(guān)元件的柵極信號線和覆蓋夾持該像素而形成的其它的柵極信號線的對置電極信號線連接，被供給掃描信號的柵極信號線以外的其它的大部分柵極信號線被設(shè)定為浮置狀態(tài)，并且被供給相對電壓信號的相對電壓信號線以外的相對電壓信號線成為浮置狀態(tài)。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的液晶顯示裝置，其特征在于，上述相對電壓信號線和與它連接的對置電極，由透光性的導(dǎo)電層形成。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的液晶顯示裝置，其特征在于，相對電壓信號線通過通孔與金屬的導(dǎo)電層連接，該金屬的導(dǎo)電層與被相對電壓信號線覆蓋的柵極信號線同層且鄰接地配置。
14.一種液晶顯示裝置，具有配置成矩陣形狀的各像素，其中在一個(gè)方向上并列設(shè)置的像素列在與該一個(gè)方向交叉的方向上并列設(shè)置；由掃描信號選擇各像素列，并對該被選擇的各像素列的各像素供給圖像信號和對于該圖像信號成為基準(zhǔn)的基準(zhǔn)信號，其特征在于，供給圖像信號的漏極信號線，與供給掃描信號的柵極信號線和供給基準(zhǔn)信號的相對電壓信號線交叉配置，上述基準(zhǔn)信號被供給所選擇的每個(gè)像素列，并且該被選擇的像素列以外的其它像素列的柵極信號線的大部分和相對電壓信號線分別成為浮置狀態(tài)，而且，上述掃描信號和基準(zhǔn)信號分別從1個(gè)電路被供給，包含掃描信號的導(dǎo)通·關(guān)斷的信號和基準(zhǔn)信號從該電路錯(cuò)開時(shí)間地送出。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的液晶顯示裝置，其特征在于，上述電路，具有分別常時(shí)供給有包含掃描信號的導(dǎo)通·關(guān)斷的信號的端子和常時(shí)供給有基準(zhǔn)信號的端子，經(jīng)由開關(guān)電路從被選擇的上述各端子將掃描信號和基準(zhǔn)信號分別送到上述柵極信號線和相對電壓信號線。
16，根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示裝置，其特征在于，供給到相對電壓信號線的基準(zhǔn)信號取將AC電壓波形升壓了的信號。
17.一種液晶顯示裝置，具有配置成矩陣形狀的各像素，其中在一個(gè)方向上并列設(shè)置的像素列在與該一個(gè)方向交叉的方向上并列設(shè)置；由掃描信號選擇各像素列，并對該被選擇的各像素列的各像素供給圖像信號和對于該圖像信號成為基準(zhǔn)的基準(zhǔn)信號，其特征在于，供給圖像信號的漏極信號線，與供給掃描信號的柵極信號線和供給基準(zhǔn)信號的相對電壓信號線交叉配置，上述基準(zhǔn)信號被供給所選擇的每個(gè)像素列，并且根據(jù)被供給到該像素列的圖像信號的電壓值設(shè)定該信號的電壓值。
18.一種液晶顯示裝置，具有配置成矩陣形狀的各像素，其中在一個(gè)方向上并列設(shè)置的像素列在與該一個(gè)方向交叉的方向上并列設(shè)置；由掃描信號選擇各像素列，并對該被選擇的各像素列的各像素供給圖像信號和對于該圖像信號成為基準(zhǔn)的基準(zhǔn)信號，其特征在于，供給圖像信號的漏極信號線，與供給掃描信號的柵極信號線和供給基準(zhǔn)信號的相對電壓信號線交叉配置，上述基準(zhǔn)信號被供給所選擇的每個(gè)像素列，并且該被選擇的像素列以外的其它像素列的相對電壓信號線分別成為浮置狀態(tài)，使上述基準(zhǔn)信號送出的驅(qū)動(dòng)電路，與使上述圖像信號送出的驅(qū)動(dòng)電路并列設(shè)置地配置。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的液晶顯示裝置，其特征在于，使上述基準(zhǔn)信號送出的驅(qū)動(dòng)電路和使上述圖像信號送出的驅(qū)動(dòng)電路分別由多個(gè)半導(dǎo)體裝置構(gòu)成，使基準(zhǔn)信號送出的半導(dǎo)體裝置和使圖像信號送出的半導(dǎo)體裝置交替配置，而且，這些各半導(dǎo)體裝置通過數(shù)據(jù)傳送布線連接。
20.根據(jù)權(quán)利要求3所述的液晶顯示裝置，其特征在于，各柵極信號線，在通過由被掃描的信號導(dǎo)通的開關(guān)從其驅(qū)動(dòng)電路被供給掃描信號，該信號被掃描供給下一條柵極信號線時(shí)，由關(guān)斷信號關(guān)斷，進(jìn)而向下一條柵極信號線供給掃描信號線時(shí)，使2條之前被供給了掃描信號的柵極信號線成為浮置狀態(tài)。
21.根據(jù)權(quán)利要求3所述的液晶顯示裝置，其特征在于，被分別供給各漏極信號線的圖像信號的極性，在鄰接的漏極信號線中是相同的。
22.根據(jù)權(quán)利要求21所述的液晶顯示裝置，其特征在于，通過掃描被供給各相對電壓信號線的相對電壓信號的極性，對每次該供給時(shí)被反轉(zhuǎn)。
23.根據(jù)權(quán)利要求2所述的液晶顯示裝置，其特征在于，各相對電壓信號線，在通過由被掃描的信號導(dǎo)通的開關(guān)從其驅(qū)動(dòng)電路被供給相對電壓信號，該信號被掃描供給下一條相對電壓信號線時(shí)，在上述下一條相對電壓信號線的供給之前被供給了相對電壓信號的相對電壓信號線成為浮置狀態(tài)。
24.根據(jù)權(quán)利要求23所述的液晶顯示裝置，其特征在于，各相對電壓信號線，由被選擇的多條相對電壓信號線分成組。
25.根據(jù)權(quán)利要求24所述的液晶顯示裝置，其特征在于，在與相對電壓信號的供給一側(cè)相反的一側(cè)的端部，使各組的相對電壓信號線彼此相互連接。
26.根據(jù)權(quán)利要求23所述的液晶顯示裝置，其特征在于，各相對電壓信號線，分別在與相對電壓信號的供給一側(cè)相反的一側(cè)的端部，以能夠與常時(shí)供給有上述相對信號的修正用布線連接的狀態(tài)形成。
27.根據(jù)權(quán)利要求3所述的液晶顯示裝置，其特征在于，各相對電壓信號線，在通過由被掃描的信號導(dǎo)通的開關(guān)從其驅(qū)動(dòng)電路被供給相對電壓信號，該信號被掃描供給下一條相對電壓信號線時(shí)，在上述下一條相對電壓信號線的供給之前被供給了相對電壓信號的相對電壓信號線成為浮置狀態(tài)。
28.根據(jù)權(quán)利要求27所述的液晶顯示裝置，其特征在于，各相對電壓信號線，由被選擇的多條相對電壓信號線分成組。
29.根據(jù)權(quán)利要求28所述的液晶顯示裝置，其特征在于，在與相對電壓信號的供給一側(cè)相反的一側(cè)的端部，使各組的相對電壓信號線彼此相互連接。
30 根據(jù)權(quán)利要求27所述的液晶顯示裝置，其特征在于，各相對電壓信號線，分別在與相對電壓信號的供給一側(cè)相反的一側(cè)的端部，以能夠與常時(shí)供給有上述相對信號的修正用布線連接的狀態(tài)形成。
31.一種液晶顯示裝置，具有配置成矩陣形狀的各像素，其中在一個(gè)方向上并列設(shè)置的像素列在與該一個(gè)方向交叉的方向上并列設(shè)置；由掃描信號選擇各像素列，并對該被選擇的各像素列的各像素供給圖像信號，其特征在于，供給圖像信號的漏極信號線與供給掃描信號的柵極信號線交叉配置，各柵極信號線，在通過由被掃描的信號導(dǎo)通的開關(guān)從其驅(qū)動(dòng)電路被供給掃描信號，該信號被掃描供給下一條柵極信號線時(shí)，由關(guān)斷信號關(guān)斷，進(jìn)而向下一條柵極信號線供給掃描信號線時(shí)，使2條之前被供給了掃描信號的柵極信號線成為浮置狀態(tài)，而且，各柵極信號線通過其成為浮置狀態(tài)的部分和二極管與被供給上述關(guān)斷信號的信號線連接。
32.一種液晶顯示裝置，具有配置成矩陣形狀的各像素，其中在一個(gè)方向上并列設(shè)置的像素列在與該一個(gè)方向交叉的方向上并列設(shè)置；由掃描信號選擇各像素列，并對該被選擇的各像素列的各像素供給圖像信號，其特征在于，供給圖像信號的漏極信號線與供給掃描信號的柵極信號線交叉配置，各柵極信號線，在通過由被掃描的信號導(dǎo)通的開關(guān)從其驅(qū)動(dòng)電路被供給掃描信號，該信號被掃描供給下一條柵極信號線時(shí)，由關(guān)斷信號關(guān)斷，進(jìn)而向下一條柵極信號線供給掃描信號線時(shí)，使2條之前被供給了掃描信號的柵極信號線成為浮置狀態(tài)，而且，各柵極信號線通過其成為浮置狀態(tài)的部分和二極管與浮置的電壓信號線連接。
33.一種液晶顯示裝置，其特征在于，具有配置成矩陣形狀的各像素，其中在一個(gè)方向上并列設(shè)置的像素列在與該一個(gè)方向交叉的方向上并列設(shè)置，在該像素中具備使得在與像素電極之間電場產(chǎn)生的對置電極，還具備對被依次選擇的像素列的各像素的對置電極，按照上述選擇供給相對電壓信號的相對電壓信號線，對上述像素電極供給圖像信號的漏極信號線與上述相對電壓信號線交叉配置，各相對電壓信號線，在通過由被掃描的信號導(dǎo)通的開關(guān)從其驅(qū)動(dòng)電路被供給相對電壓信號，該信號被掃描供給下一條相對電壓信號線時(shí)，使在上述下一條相對電壓信號線的供給之前被供給了相對電壓信號的相對電壓信號線成為浮置狀態(tài)，而且，各相對電壓信號線通過其成為浮置狀態(tài)的部分和二極管與被供給上述相對電壓信號的信號線連接。
34.一種液晶顯示裝置，其特征在于，具有配置成矩陣形狀的各像素，其中在一個(gè)方向上并列設(shè)置的像素列在與該一個(gè)方向交叉的方向上并列設(shè)置，在該像素中具備使得在與像素電極之間電場產(chǎn)生的對置電極，還具備對被依次選擇的像素列的各像素的對置電極，按照上述選擇供給相對電壓信號的相對電壓信號線，對上述像素電極供給圖像信號的漏極信號線與上述相對電壓信號線交叉配置，各相對電壓信號線，在通過由被掃描的信號導(dǎo)通的開關(guān)從其驅(qū)動(dòng)電路被供給相對電壓信號，該信號被掃描供給下一條相對電壓信號線時(shí)，使在上述下一條相對電壓信號線的供給之前被供給了相對電壓信號的相對電壓信號線成為浮置狀態(tài)，而且，各相對電壓信號線通過其成為浮置狀態(tài)的部分和二極管與浮置的電壓信號線連接。
35.一種液晶顯示裝置，具有配置成矩陣形狀的各像素，其中在一個(gè)方向上并列設(shè)置的像素列在與該一個(gè)方向交叉的方向上并列設(shè)置；由掃描信號選擇各像素列，并對該被選擇的各像素列的各像素供給圖像信號和相對于該圖像信號成為基準(zhǔn)的基準(zhǔn)信號，其特征在于，供給圖像信號的漏極信號線，與供給掃描信號的柵極信號線和供給基準(zhǔn)信號的相對電壓信號線交叉配置，上述基準(zhǔn)信號被供給所選擇的每個(gè)像素列，并且該被選擇的像素列以外的其它像素列的柵極信號線的大部分和相對電壓信號線分別成為浮置狀態(tài)，而且，各柵極信號線通過其被浮置的部分和第1二極管與被浮置的第1電壓信號線連接，各相對電壓信號線通過其被浮置的部分和第2二極管與被浮置的第2電壓信號線連接，第1電壓信號線和第2電壓信號線通過第3二極管被連接。
36.一種液晶顯示裝置，具有配置成矩陣形狀的各像素，其中在一個(gè)方向上并列設(shè)置的像素列在與該一個(gè)方向交叉的方向上并列設(shè)置；由掃描信號選擇各像素列，并對該被選擇的各像素列的各像素供給圖像信號和相對于該圖像信號成為基準(zhǔn)的基準(zhǔn)信號，其特征在于，供給圖像信號的漏極信號線，與供給掃描信號的柵極信號線和供給基準(zhǔn)信號的相對電壓信號線交叉配置，上述基準(zhǔn)信號被供給所選擇的每個(gè)像素列，并且該被選擇的像素列以外的其它像素列的柵極信號線的大部分和相對電壓信號線分別成為浮置狀態(tài)，而且，各柵極信號線通過其被浮置的部分和第1二極管與被浮置的第1電壓信號線連接，各相對電壓信號線通過其被浮置的部分和第2二極管與被浮置的第2電壓信號線連接，第1電壓信號線和第2電壓信號線，分別通過第3二極管、第4二極管與接地的信號線連接。
37.根據(jù)權(quán)利要求31所述的液晶顯示裝置，其特征在于，上述二極管是雙向二極管。
38.根據(jù)權(quán)利要求37所述的液晶顯示裝置，其特征在于，上述雙向二極管，其半導(dǎo)體層由多晶硅構(gòu)成，并被形成在形成了柵極信號線和相對電壓信號線的基片上。
全文摘要
本發(fā)明提供一種液晶顯示裝置。在液晶顯示裝置中，供給圖像信號的漏極信號線與供給掃描信號的柵極信號線和供給基準(zhǔn)信號的相對電壓信號線交叉配置，上述基準(zhǔn)信號被供給到被選擇的每個(gè)像素列，并且該被選擇的像素列以外的其它的像素列的相對電壓信號線分別成為浮置狀態(tài)。
文檔編號G09G3/20GK1530700SQ200410004688
公開日2004年9月22日 申請日期2004年3月9日 優(yōu)先權(quán)日2003年3月10日
發(fā)明者仲吉良彰, 今城由博, 柳川和彥, 博, 彥 申請人:株式會(huì)社日立顯示器