專利名稱：發(fā)光顯示器、顯示屏及其驅(qū)動方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種發(fā)光顯示器、一種顯示屏及其驅(qū)動方法。具體地說，本發(fā)明涉及一種有機(jī)場致發(fā)光(organic electroluminescent，有機(jī)EL)顯示器。
背景技術(shù)：
通常，有機(jī)EL顯示器電子激勵含磷的有機(jī)化合物來發(fā)光并且其電壓或電流驅(qū)動N×M有機(jī)發(fā)光單元以顯示圖像。如圖1所示，有機(jī)發(fā)射單元包括氧化錫銦(ITO)的陽極、有機(jī)薄膜和金屬陰極層。有機(jī)薄膜具有包括用于維持電子和空穴之間平衡并且改善發(fā)射效率的發(fā)射層(EML)、電子傳輸層(ETL)和空穴傳輸層(HTL)的多層結(jié)構(gòu)，并且它還包括電子注入層(EIL)和空穴注入層(HIL)。
用于驅(qū)動有機(jī)發(fā)光單元的方法包括無源矩陣法(passive matrix method)和使用薄膜晶體管(TFT)或金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管(MOSFETs)的有源矩陣法(active matrix method)。無源矩陣法形成相互交叉的陰極和陽極，并且選擇性地驅(qū)動線路(line)。有源矩陣法使用每一ITO像素電極連接TFT和電容器，從而根據(jù)電容值維持預(yù)定的電壓。根據(jù)在電容器上為維持電壓而提供的信號形式，有源矩陣法被分成電壓編程法或電流編程法。
將參照圖2和圖3說明傳統(tǒng)電壓編程法和電流編程法的有機(jī)EL顯示器。
圖2示出了用于驅(qū)動有機(jī)EL器件的傳統(tǒng)電壓編程類型像素電路，該圖表示N×M個像素中的一個像素。參照圖2，晶體管M1連接有機(jī)EL器件(下文中稱為OLED)從而提供用于發(fā)光的電流。由通過開關(guān)晶體管M2所施加的數(shù)據(jù)電壓控制晶體管M1的電流。在這種情況下，用于在預(yù)定時間內(nèi)維持所施加電壓的電容器C1連接在晶體管M1的源極和柵極之間。掃描線Sn連接至晶體管M2的柵極，并且數(shù)據(jù)線Dm連接至其源極。
如上構(gòu)造的像素的操作如下，當(dāng)晶體管M2根據(jù)施加于開關(guān)晶體管M2的柵極的選擇信號而被導(dǎo)通時，來自數(shù)據(jù)線Dm的數(shù)據(jù)電壓被施加于晶體管M1的柵極。因此，相應(yīng)于電容器C1在柵極和源極之間所充電壓VGS的電流IOLED流經(jīng)晶體管M2，并且該OLED根據(jù)電流IOLED發(fā)射光。
在這種情況下，流經(jīng)晶體管M2的電流由公式1給出。
公式1IOLED=β2(VGS-VTH)2=β2(VDD-VDATA-|VTH|)2]]>其中，IOLED是流經(jīng)OLED的電流，VGS是在晶體管M1的源極和柵極之間的電壓，VTH是在晶體管M1上的門限電壓，而β是常數(shù)。
如公式1所示，根據(jù)圖2中的像素電路，向OLED提供對應(yīng)于所施加數(shù)據(jù)電壓的電流，并且OLED發(fā)射相應(yīng)于所提供電流的光。在這種情況下，所施加數(shù)據(jù)電壓具有在預(yù)定范圍內(nèi)的多階值(multi-stage value)使得其能表示灰度。
然而，遵循電壓編程法的傳統(tǒng)像素電路存在以下問題，由于TFT的門限電壓VTH的偏移(deviation)以及由集成過程的非均勻性(non-uniformity)而導(dǎo)致的電子遷移(electron mobility)的偏移，使得將很難獲得高灰度。例如，在通過3伏(3V)電壓驅(qū)動像素的TFT的情況中，向TFT的柵極提供每個間隔為12mV(＝3V/256)的電壓使其能表示8-比特(256階)的灰度，而如果由于集成過程的非均勻性而導(dǎo)致TFT的門限電壓發(fā)生偏移，則很難表示高灰度。并且，由于電子遷移的偏移導(dǎo)致在公式中的β的值發(fā)生變化，所以表示高灰度變得更難。
假定用于向像素電路提供電流的電流源在整個屏幕上是均勻的，即使當(dāng)在每個像素中的驅(qū)動晶體管具有非均勻的電壓-電流特征(voltage-currentcharacteristics)時，電流編程法的像素電路仍然可以實現(xiàn)均勻的顯示特征。
圖3示出了用于驅(qū)動OLED的傳統(tǒng)電流編程法的像素電路，該圖代表N×M個像素中一個像素。參照圖3，晶體管M1連接至OLED以提供用于發(fā)光的電流，并且晶體管M1的電流由通過晶體管M2所施加的數(shù)據(jù)電流控制。
首先，由于來自掃描線Sn的選擇信號，晶體管M2和M3被導(dǎo)通，晶體管M1變成二極管-連接(diode-connected)，并且與來自數(shù)據(jù)線Dm的數(shù)據(jù)電流IDATA相匹配的電壓被存儲在電容器C1中。隨后，來自掃描線Sn的選擇信號變高以導(dǎo)通晶體管M4。然后，由電源電壓VDD提供電源，并且與存儲在電容器C1中的電壓相匹配的電流流經(jīng)OLED以發(fā)射光。在這種情況下，流經(jīng)OLED的電流如下給出公式2IOLED=β2(VGS-VTH)2=IDATA]]>其中，VGS是在晶體管M1的源極和柵極之間的電壓，VTH是在晶體管M1上的門限電壓，而β是常數(shù)。
如公式2所示，由于在傳統(tǒng)電流像素電路中，流經(jīng)OLED的電流IOLED和電流IDATA相同，當(dāng)在整個屏幕的編程電流源被設(shè)置為均勻時能夠獲得均勻的特征。然而，由于流經(jīng)OLED的電流IOLED是微電流(fine current)，通過微電流IDATA控制像素電路有需要很多的時間來對數(shù)據(jù)線充電。例如，假定數(shù)據(jù)線的負(fù)載電容是30pF，使用幾十至幾百nA的數(shù)據(jù)電流對數(shù)據(jù)線的負(fù)載充電需要幾毫秒的時間?？紤]到幾十微秒的線路時間(line time)，這將導(dǎo)致充電時間不夠的問題。

發(fā)明內(nèi)容
根據(jù)本發(fā)明，提供了一種用于補(bǔ)償晶體管的門限電壓或電子遷移率(electron mobility)并能充分對數(shù)據(jù)線充電的發(fā)光顯示器。
在本發(fā)明的一個方面，提供了一種包括顯示屏的發(fā)光顯示器，在其上形成多個用于傳輸顯示視頻信號的數(shù)據(jù)電流的數(shù)據(jù)線、多個用于傳輸選擇信號的掃描線以及多個在由數(shù)據(jù)線和掃描線限定的多個像素上形成的多個像素電路。該像素電路包括發(fā)光器件，用于發(fā)射對應(yīng)于所施加電流的光；第一晶體管，具有用于為發(fā)光器件提供驅(qū)動電流的第一主電極、第二主電極和控制電極；第一開關(guān)，用于響應(yīng)第一控制信號而二極管連接所述第一晶體管；第一存儲單元，用于響應(yīng)第二控制信號而存儲對應(yīng)于第一晶體管的門限電壓的第一電壓；第二開關(guān)，用于響應(yīng)來自掃描線的選擇信號而傳輸來自數(shù)據(jù)線的數(shù)據(jù)信號；第二存儲單元，用于存儲對應(yīng)于來自第一開關(guān)的數(shù)據(jù)電流的第二電壓；第三開關(guān)，用于響應(yīng)第三控制信號而將來自第一晶體管的驅(qū)動電流傳輸?shù)桨l(fā)光器件。由連接分別存儲第一和第二電壓的第一和第二存儲單元而確定的第三電壓被施加于第一晶體管以向發(fā)光器件提供驅(qū)動電流。以如下順序操作，第二控制信號被使能，選擇信號被使能，隨后第三控制信號被使能。該像素電路還包括第四開關(guān)，用于響應(yīng)第二控制信號時被導(dǎo)通，并且連接在第一晶體管的控制電極上。第二存儲單元由連接在第一晶體管的控制電極和第一主電極之間的第一電容器形成。第一存儲單元由并聯(lián)在第一晶體管的第一主電極和第四開關(guān)的第二端之間連接的第二電容器和第一電容器所形成。第二控制信號是來自掃描線的選擇信號，并且第四開關(guān)響應(yīng)選擇信號的禁止(disable)間隔。第一控制信號包括來自前一掃描線的選擇信號和來自當(dāng)前掃描線的選擇信號。第一開關(guān)包括用于響應(yīng)來自前一掃描線的選擇信號而二極管連接第一晶體管的第二晶體管，和用于響應(yīng)來自當(dāng)前掃描線的選擇信號而二極管連接第一晶體管的第三晶體管。第二控制信號包括來自前一掃描線的選擇信號以及第三控制信號。該像素電路還包括和第四開關(guān)并聯(lián)的第五開關(guān)。第四和第五晶體管響應(yīng)來自前一掃描線的選擇信號和第三控制信號被分別導(dǎo)通。
在本發(fā)明的另一個方面中，一種發(fā)光顯示器的顯示屏，在該顯示屏上形成多個用于傳輸顯示視頻信號的數(shù)據(jù)電流的數(shù)據(jù)線、多個用于傳輸選擇信號的掃描線以及在由數(shù)據(jù)線和掃描線限定的多個像素上形成的多個像素電路。該像素電路包括第一晶體管，具有連接到提供第一電壓的第一電源的第一主電極；第一開關(guān)，連接在第一晶體管的第二主電極和數(shù)據(jù)線間，并且由來自掃描線的第一選擇信號所控制；第二開關(guān)，由第一控制信號控制以二極管連接第一晶體管；第三開關(guān)，具有連接到第一晶體管的控制電極的第一端，并且被第二信號控制；第四開關(guān)，具有連接到第一晶體管的第二主電極的第一端，并且被第三控制信號所控制；發(fā)光器件，連接在第四開關(guān)的第二端和提供第二電壓的第二電源之間，用于發(fā)射對應(yīng)于施加電流的光；第一存儲單元，當(dāng)?shù)谌_關(guān)被導(dǎo)通時連接在第一晶體管的控制電極和第一主電極之間；和第二存儲單元，當(dāng)?shù)谌_關(guān)被斷開時連接在第一晶體管的控制電極和第一主電極之間。
在本發(fā)明的另一個方面中，提供了一種用于驅(qū)動包括像素電路的發(fā)光顯示器的方法，所述像素電路包括開關(guān)，用于響應(yīng)來自掃描線的選擇信號傳輸來自數(shù)據(jù)線的數(shù)據(jù)電流；晶體管，包括第一和第二主電極和控制電極，用于響應(yīng)數(shù)據(jù)電流輸出驅(qū)動電流；和發(fā)光器件，用于發(fā)射對應(yīng)于來自晶體管的驅(qū)動電流的光。對應(yīng)于晶體管的門限電壓的第一電壓被存儲于在晶體管的控制電極和第一主電極之間形成的第一存儲單元中。對應(yīng)于來自開關(guān)的數(shù)據(jù)電流的第二電壓被存儲于在晶體管的控制電極和第一主電極之間形成的第二存儲單元中。第一和第二存儲單元被連接以建立在晶體管控制電極和第一主電極之間的電壓作為第三電壓。驅(qū)動電流被從晶體管傳輸?shù)桨l(fā)光顯示器，其中來自晶體管的驅(qū)動電流根據(jù)第三電壓被確定。
在本發(fā)明的另一個方面中，提供了一種用于驅(qū)動包括像素電路的發(fā)光顯示器的方法，所述像素電路包括開關(guān)，用于響應(yīng)來自掃描線的選擇信號而傳輸來自數(shù)據(jù)線的數(shù)據(jù)電流；晶體管，包括第一和第二主電極和控制電極，用于響應(yīng)數(shù)據(jù)電流輸出驅(qū)動電流；發(fā)光器件，用于發(fā)射對應(yīng)于來自所述晶體管的驅(qū)動電流的光。響應(yīng)第一控制信號而二極管連接所述晶體管；響應(yīng)第二控制信號的第一電平，第一存儲單元被連接在晶體管的控制電極和第一主電極之間以存儲對應(yīng)于在所述第一存儲單元中的所述晶體管的門限電壓的第一電壓。所述晶體管由所述第一控制信號二極管連接。響應(yīng)第二控制信號的第二電平，第二存儲單元被連接在所述晶體管的所述控制電極和所述第一主電極之間。響應(yīng)第一選擇信號，對應(yīng)于數(shù)據(jù)電流的第二電壓被存儲在第二存儲單元中。響應(yīng)第二控制信號的第一電平，第一和第二存儲單元被連接以建立在所述晶體管的所述控制電極和所述第一主電極之間的電壓作為第三電壓。對應(yīng)于所述晶體管的所述第三電壓提供了驅(qū)動電流，響應(yīng)第三控制信號而提供該驅(qū)動電流。
在本發(fā)明的另一個方面，提供一種在響應(yīng)第一選擇信號而將顯示視頻信號的數(shù)據(jù)電流傳輸給晶體管以驅(qū)動發(fā)光器件的方法中的、用于驅(qū)動發(fā)光顯示器的方法。分別建立施加于第一開關(guān)和第二開關(guān)的第一和第二控制信號作為使能電平以存儲對應(yīng)于晶體管門限電壓的第一電壓。建立施加于第三開關(guān)的第三控制信號作為禁止電平以電子截止晶體管和發(fā)光器件。建立第一選擇信號作為禁止電平以截止數(shù)據(jù)電流。建立第一選擇信號被作為禁止電平以截止數(shù)據(jù)電流。建立第一選擇信號作為使能電平以提供數(shù)據(jù)電流。分別建立第一和第二控制信號作為使能電平和禁止電平以存儲對應(yīng)于數(shù)據(jù)電流的第二電壓。建立第一選擇信號作為禁止信號以截止數(shù)據(jù)電流。分別建立第一和第二控制信號作為禁止電平和使能電平以施加第三電壓到晶體管的主電極和柵極。建立第三控制信號作為使能信號以將來自所述晶體管的電流傳輸?shù)桨l(fā)光器件，其中所述第三電壓由所述第一電壓和所述第二電壓確定。


圖1示出了OLED的原理圖；圖2示出了根據(jù)電壓編程法的傳統(tǒng)像素電路的等效電路；圖3示出了根據(jù)電流編程法的傳統(tǒng)像素電路的等效電路；圖4示出了根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的有機(jī)EL顯示器的簡單平面圖；圖5、7、9、11、13、14和15分別示出了根據(jù)本發(fā)明第一實施例至第七實施例的像素電路的等效電路；圖6、8、10、12和16分別示出了用于驅(qū)動圖5、7、9、11和15中的像素電路的驅(qū)動波形。
具體實施例方式
將參照附圖詳細(xì)說明有機(jī)EL顯示器、相應(yīng)的像素電路及其驅(qū)動方法。
首先，將參照圖4說明有機(jī)EL顯示器。圖4示出了OLED的簡單平面圖。
如圖所示，該有機(jī)EL顯示器包括有機(jī)EL顯示屏10、掃描驅(qū)動器20和數(shù)據(jù)驅(qū)動器30。
有機(jī)EL顯示屏10包括在行方向上從D1到Dm的多個數(shù)據(jù)線，多個掃描線S1到Sn、E1到En、X1到Xn和Y1到Y(jié)n，以及多個像素電路11。數(shù)據(jù)線D1到Dm將表示視頻信號的數(shù)據(jù)信號傳輸至像素電路11，而掃描線S1到Sn將選擇信號傳輸至像素電路11，像素電路11形成在由兩個相鄰的數(shù)據(jù)線D1到Dm和兩個相鄰的掃描線S1到Sn限定的像素區(qū)上。并且，掃描線E1到En傳輸用于控制像素電路11的發(fā)射的信號，而掃描線X1到Xn和Y1到Y(jié)n分別傳輸用于控制像素電路11操作的控制信號。
掃描驅(qū)動器20順序地向掃描線S1到Sn和E1到En施加相應(yīng)的選擇信號和發(fā)射信號，并且向掃描線X1到Xn和Y1到Y(jié)n施加控制信號。數(shù)據(jù)驅(qū)動器30向數(shù)據(jù)線D1到Dm施加表示視頻信號的數(shù)據(jù)電流。
掃描驅(qū)動器20和/或數(shù)據(jù)驅(qū)動器30可以連接至顯示屏10，或者可以以芯片形式安裝在連接至顯示屏10的帶狀載體封裝(Tape Carrier Package，TCP)上。掃描驅(qū)動器20和/或數(shù)據(jù)驅(qū)動器30可以被附加在顯示屏10上，并且以芯片形式安裝在連接至顯示屏10的軟性印刷電路(FPC)或者連接至顯示屏10的薄膜上，這被稱為軟性電路板覆晶法(Chip on Flexible board，CoF)或薄膜覆晶法。與此不同，掃描驅(qū)動器20和/或數(shù)據(jù)驅(qū)動30也可以安裝在顯示屏的玻璃基片(glass substrate)上，而且，掃描驅(qū)動器20和/或數(shù)據(jù)驅(qū)動器30可以用來替代在玻璃基片上掃描線、數(shù)據(jù)線和TFT的相同層中形成的驅(qū)動電路，或者直接安裝在玻璃基片上，這被稱為玻璃覆晶法(Chip on Glass，CoG)。
現(xiàn)在將參照圖5和6來說明根據(jù)本發(fā)明第一實施例的有機(jī)EL顯示器的像素電路11。圖5示出了根據(jù)第一實施例的像素電路的等效電路圖，而圖6示出了用于驅(qū)動圖5中的像素電路的驅(qū)動波形圖。在這種情況下，為了說明的方便，圖5示出了連接至第m數(shù)據(jù)線Dm和第n掃描線Sn的像素電路。
如圖5所示，像素電路11包括OLED、PMOS晶體管M1至M5、以及電容器C1和C2。該晶體管最好是具有形成在玻璃基片上作為控制電極和兩個主電極的柵極、漏極和源極的晶體管。
晶體管M1具有連接至電源電壓VDD的源極、連接至晶體管M5的柵極，并且晶體管M3連接在晶體管M1的柵極和漏極之間。晶體管M1輸出對應(yīng)于在其柵極和源極之間的電壓VGS的電流IOLED。晶體管M3響應(yīng)來自掃描線Xn的控制信號CS1n而二極管連接(diode-connect)晶體管M1。電容器C1連接在電源電壓VDD和晶體管M1的柵極之間，而電容器C2連接在電源電壓VDD和晶體管M5的第一端之間。電容器C1和C2充當(dāng)存儲在該晶體管的柵極和源極之間的電壓的存儲器件。晶體管M5的第二端連接至晶體管M1的柵極，并且晶體管M5響應(yīng)來自掃描線Yn的控制信號CS2n而連接電容器C1和C2。
晶體管M2響應(yīng)來自掃描線Sn的選擇信號SEn將數(shù)據(jù)電流IDATA從數(shù)據(jù)線Dm傳輸至晶體管M1。連接在晶體管M1的漏極和OLED之間的晶體管M4響應(yīng)掃描線En的發(fā)射信號EMn，將晶體管M1的電流IOLED傳輸至OLED。所述OLED連接在晶體管M4和基準(zhǔn)電壓之間，并且發(fā)射對應(yīng)于所施加電流IOLED的光。
現(xiàn)在將參照圖6詳細(xì)說明根據(jù)本發(fā)明第一實施例的像素電路的操作。
如圖所示，在間隔T1，由于低電平控制信號CS2n，晶體管M5被導(dǎo)通，并且電容器C1和C2被并聯(lián)在晶體管M1的柵極和源極之間。由于低電平控制信號CS1n，晶體管M3被導(dǎo)通，晶體管M1二極管連接，并且由于二極管連接的晶體管M1，晶體管M1的門限電壓VTH被存儲在并聯(lián)的電容器C1和C2中。由于高電平發(fā)射信號EMn，晶體管M4被斷開，并且截止到OLED的電流。即在間隔T1，晶體管M1的門限電壓VTH被采樣到電容器C1和C2中。
在間隔T2，控制信號CS2n變成高電平以斷開晶體管M5，并且選擇信號SEn變成低電平以導(dǎo)通晶體管M2。由于斷開的晶體管M5，電容器C2在電壓充電時是漂移的(floated)。由于導(dǎo)通的晶體管M2，來自數(shù)據(jù)線Dm的數(shù)據(jù)電流IDATA流經(jīng)晶體管M1。因此，根據(jù)數(shù)據(jù)電流IDATA確定在晶體管M1上的柵-源電壓(gate-source voltage)VGS(T2)，并且該柵-源電壓VGS(T2)被存儲在電容器C1中。由于數(shù)據(jù)電流IDATA流經(jīng)晶體管M1，數(shù)據(jù)電流IDATA可以由公式3表示，并且在間隔T2中的柵-源電壓VGS(T2)以如公式3導(dǎo)出的公式4給出。即在間隔T2，對應(yīng)于數(shù)據(jù)電流IDATA的柵-源電壓被編程到像素電路的電容器C1中。
公式3IDATA=β2(|VGS(T2)|-|VTH|)2]]>公式4|VGS(T2)|=2IDATAβ+|VTH|]]>其中，β是常數(shù)。
隨后，在間隔T3，響應(yīng)高電平控制信號CS1n和選擇信號SEn，晶體管M3和M2被斷開，并且由于低電平控制信號CS2n和發(fā)射信號EMn，晶體管M5和M4被斷開。當(dāng)晶體管M5被導(dǎo)通時，在間隔T3的柵-源電壓VGS(T3)由于電容器C1和C2的連接而變成公式5。
公式5|VGS(T3)|=|VTH|+C1C1+C2(|VGS(T2)|-|VTH|)]]>其中C1和C2分別為電容器C1和C2的電容值。
因此，流經(jīng)晶體管M1的電流IOLED變成如公式6所示，并且由于導(dǎo)通的晶體管M4，電流IOLED被提供給OLED以發(fā)射光。即，在間隔T3，提供電壓并且由于連接電容器C1和C2，OLED發(fā)射光。
公式6IDATA=β2{C1C1+C2(|VGS(T2)|-|VTH|)}2=(C1C1+C2)2IDATA]]>如公式6所示，由于提供給OLED的電流IOLED的確定與晶體管M1的門限電壓VTH或遷移率無關(guān)，可以校正門限電壓的偏移或遷移率的偏移。并且，提供給OLED的電流IOLED是數(shù)據(jù)電流ODATAC1/(C1+C2)的平方倍。例如，如果C2是C1M倍(C2＝M×C1)，則流經(jīng)OLED的微電流可以由數(shù)據(jù)電流IDATA控制，數(shù)據(jù)電流IDATA是電流IOLED的(M+1)2倍，從而使得可以表示高灰度。而且，由于向數(shù)據(jù)線D1到Dm提供大數(shù)據(jù)電流IOLED，可以獲得用于數(shù)據(jù)線的充足充電時間。
在第一實施例中，將PMOS晶體管用于晶體管M1至M5。然而，也可以使用NMOS晶體管來實現(xiàn)，現(xiàn)在參照圖7和8來說明。
圖7示出根據(jù)本發(fā)明的第二實施例的像素電路的等效電路圖，而圖8示出了用于驅(qū)動圖7中的像素電路的驅(qū)動波形圖。
圖7中的像素電路包括NMOS晶體管M1至M5，并且它們的連接結(jié)構(gòu)和圖5中的像素電路是對稱的。具體來說，晶體管M1具有連接至基準(zhǔn)電壓的源極、連接至晶體管M5的柵極，并且晶體管M3連接在晶體管M1的柵極和漏極之間。電容器C1連接在基準(zhǔn)電壓和晶體管M1的柵極之間，而電容器C2連接在基準(zhǔn)電壓和晶體管M5的第一端之間。晶體管M5的第二端連接至晶體管M1的柵極，并且來自掃描線Xn和Yn的控制信號CS1n和CS2n被分別施加于晶體管M3和M5的柵極。晶體管M2響應(yīng)來自掃描線Sn的選擇信號SEn而將來自數(shù)據(jù)線Dm的數(shù)據(jù)電流IDATA傳輸至晶體管M1。晶體管M4連接在晶體管M1的漏極和OLED之間，并且將來自掃描線En的發(fā)射信號EMn施加于晶體管M4的柵極。OLED連接在晶體管M4和電源電壓VDD之間。
由于圖7的像素電路包括NMOS晶體管，如圖8所示，用于驅(qū)動圖7的像素電路的驅(qū)動波形具有圖6中的驅(qū)動波形的反相形式。由于可以從第一實施例和圖7、8的說明中容易地獲得根據(jù)本發(fā)明第二實施例的像素電路的詳細(xì)操作，將不再提供詳細(xì)的說明。
根據(jù)第一實施例和第二實施例，由于晶體管M1至M5是同樣類型的晶體管，可以容易地執(zhí)行在顯示屏10的玻璃基片上形成TFT的過程。
在第一實施例和第二實施例中，晶體管M1至M5是PMOS或NMOS類型，但不局限于此，也可使用PMOS和NMOS晶體管的組合或其它具有類似功能的開關(guān)來實現(xiàn)。
在第一實施例和第二實施例中，使用兩個控制信號CS1n和CS2n來控制像素電路，此外，可以使用單個的控制信號來控制像素電路，這將參照圖9到12來說明。
圖9示出了根據(jù)本發(fā)明第三實施例的像素電路的等效電路圖，而圖10示出了用于驅(qū)動圖9中的像素電路的驅(qū)動波形圖。
如圖9中所示，該像素電路除晶體管M2和晶體管M5之外，具有和第一實施例相同的結(jié)構(gòu)。晶體管M2包括NMOS晶體管并且晶體管M2和M5的柵極一起連接至掃描線Sn。即晶體管M5由來自掃描線Sn的選擇信號SEn驅(qū)動。
參照圖10，在間隔T1，由于低電平控制信號CS1n和選擇信號SEn，晶體管M3和M5被導(dǎo)通。由于導(dǎo)通的晶體管M3，晶體管M1是二極管連接的，并且在晶體管M1上的門限電壓VTH被存儲在電容器C1和C2中。并且，由于高電平發(fā)射信號EMn，晶體管M4被斷開并且截止流經(jīng)OLED的電流。
在間隔T2，選擇信號SEn變成高電平以導(dǎo)通晶體管M2和斷開晶體管M5。隨后，采用由公式4表示的電壓VGS(T2)對電容器C1充電。在這種情況下，由于當(dāng)晶體管M2因選擇信號SEn而被導(dǎo)通時，可以改變對電容器C2充電的電壓，為了避免如此，在晶體管M2被導(dǎo)通之前，晶體管M3被斷開，并且在晶體管M2被導(dǎo)通之后，晶體管M3再次被導(dǎo)通。即在選擇信號SEn變成高電平之前，控制信號CS1n在短時間內(nèi)被反轉(zhuǎn)為高電平。
由于本發(fā)明的第三實施例中的其它操作與第一實施例中的操作匹配，將不提供進(jìn)一步的相應(yīng)說明。根據(jù)第三實施例，可以移去用于提供控制信號CS2n的掃描線Y1到Y(jié)n，從而增加像素的孔徑比(aperture ratio)。
在第三實施例中，采用PMOS晶體管來實現(xiàn)晶體管M1和M3直到M5，而采用NMOS晶體管實現(xiàn)晶體管M2。而且，晶體管的相反實現(xiàn)也是可能的，這將參照圖11和12來進(jìn)行說明。
圖11示出了根據(jù)本發(fā)明的第四實施例的像素電路的等效電路圖，而圖12示出了用于驅(qū)動圖11中的像素電路的驅(qū)動波形圖。
如圖11所示，像素電路使用PMOS晶體管實現(xiàn)晶體管M2，及使用NMOS晶體管實現(xiàn)晶體管M1和M3直到M5，并且它們的連接結(jié)構(gòu)和圖9中的像素電路中的是對稱的。并且，如圖12所示，用于驅(qū)動圖11的像素電路的驅(qū)動波形具有圖10中波形的反相形式。由于可以從第三實施例的說明中容易地獲得根據(jù)第四實施例的像素電路的連接結(jié)構(gòu)和操作，將不提供詳細(xì)的說明。
在第一實施例至第四實施例4中，電容器C1和C2被并聯(lián)至電源電壓VDD，而與此不同，電容器C1和C2可以串聯(lián)連接至電源電壓VDD，現(xiàn)在將參照圖13和14來進(jìn)行說明。
圖13示出了根據(jù)本發(fā)明的第五實施例的像素電路的等效電路圖。
如圖所示，除了電容器C1和C2，以及晶體管M5的連接狀態(tài)之外，像素電路具有和第一實施例相同的結(jié)構(gòu)，具體來說，電容器C1和C2被串聯(lián)連接在電源電壓VDD和晶體管M3之間，而晶體管M5被連接在電容器C1和C2的公共結(jié)點和晶體管M1的柵極上。
根據(jù)第五實施例的像素電路使用與第一實施例相同的驅(qū)動波形來驅(qū)動，這將參照圖6和13來進(jìn)行說明。
在間隔T1，由于低電平控制信號CS1n，晶體管M3被導(dǎo)通以二極管連接晶體管M1。由于二極管連接的晶體管M1，晶體管M1的門限電壓VTH被存儲在電容器C1中，并且在電容器C2的電壓變成0V。并且由于高電平發(fā)射信號EMn，晶體管M4被斷開以截止流經(jīng)OLED的電流。
在間隔T2，控制信號CS2n變成高電平以斷開晶體管M5，并且選擇信號SEn變成低電平以導(dǎo)通晶體管M2。由于導(dǎo)通的晶體管M2，來自數(shù)據(jù)線Dm的數(shù)據(jù)電流IDATA流經(jīng)晶體管M1，并且在晶體管M1的柵-源電壓VGS(T2)變成如公式4所示。因此，由于電容器C1和C2的連接，在電容器C1上對門限電壓充電的電壓VC1變成如公式7所示。
公式7VC1=|VTH|+C2C1+C2(|VGS(T2)|-|VTH|)]]>隨后，在間隔T3，響應(yīng)高電平控制信號CS1n和選擇信號SEn，晶體管M3和M2被斷開，并且由于低電平控制信號CS2n和發(fā)射信號EMn，晶體管M5和M4被導(dǎo)通。當(dāng)晶體管M3被斷開，并且晶體管M5被導(dǎo)通時，在電容器C1的電壓VC1變成晶體管M1的柵源電壓VGS(T3)。因此，流經(jīng)晶體管M1的電流IOLED變成如公式8中所示，并且根據(jù)晶體管M4，將電流IOLED提供給OLED，從而發(fā)射光。
公式8IOLED=β2{C2C1+C2(|VGS(T2)|-|VTH|)}2=(C2C1+C2)2IDATA]]>以與第一實施例相似的方式，提供給OLED的電流IOLED被確定，而和晶體管M1的門限電壓VTH或遷移率無關(guān)。并且，由于可以控制流經(jīng)使用數(shù)據(jù)電流IDATA的0LED的微電流，因此可以表示高灰度，其中，數(shù)據(jù)電流IDATA是電流IOLED的(C1+C2)/C2平方倍。通過向數(shù)據(jù)線D1到Dm提供大的數(shù)據(jù)電流IDATA，可以獲得充足的對數(shù)據(jù)線充電的時間。
在第五實施例5中，使用PMOS來實現(xiàn)晶體管M1到M5，并且它們也可以通過NMOS晶體管來實現(xiàn)，現(xiàn)在參照圖14進(jìn)行說明。
圖14示出了根據(jù)本發(fā)明第六實施例的像素電路的等效電路圖。
如圖所示，像素電路使用NMOS晶體管來實現(xiàn)晶體管M1到M5，并且它們的連接結(jié)構(gòu)和圖13的像素電路對稱。用于驅(qū)動圖14中的像素電路的驅(qū)動波形具有和圖14中的像素電路的波形反相的驅(qū)動波形，并且它是和圖8中的波形相同的驅(qū)動波形。由于可以從第五實施例的說明中容易地導(dǎo)出根據(jù)第六實施例的像素電路的連接結(jié)構(gòu)和操作，將不提供進(jìn)一步的詳細(xì)說明。
在第一實施例到第六實施例中，使用兩個或一個控制信號來控制像素電路，而與此不同，可以通過使用前一掃描線的選擇信號而不是控制信號來控制像素電路，現(xiàn)在參照圖15和16進(jìn)行詳細(xì)說明。
圖15示出了根據(jù)本發(fā)明的第七實施例的像素電路的等效電路圖，而圖16示出了用于驅(qū)動圖15的像素電路的驅(qū)動波形。
如圖15所示，除晶體管M3、M5、M6和M7外，像素電路具有和第一實施例相同的結(jié)構(gòu)。具體來說，晶體管M3響應(yīng)來自前一掃描線Sn-1的選擇信號SEn-1而二極管連接晶體管M1，而晶體管M7響應(yīng)來自當(dāng)前掃描線Sn的選擇信號SEn而二極管連接晶體管M1。在圖15中，晶體管M7連接在數(shù)據(jù)線Dm和晶體管M1的柵極之間，并且它也可以連接在晶體管M1的柵極和漏極之間。晶體管M5和M6被并聯(lián)在電容器C2和晶體管M1的柵極之間。晶體管M5響應(yīng)來自前一掃描線Sn-1的選擇信號SEn-1，而晶體管M6響應(yīng)來自掃描線En的發(fā)射信號EMn。
隨后，參照圖16說明圖15的像素電路的操作。
如圖所示，在間隔T1，由于低電平選擇信號SEn-1，晶體管M3和M5被導(dǎo)通。由于導(dǎo)通的晶體管M5，電容器C1和C2被并聯(lián)在晶體管M1的柵極和源極之間。由于導(dǎo)通的晶體管M3，晶體管M1被二極管連接以將晶體管M1的門限電壓VTH存儲在并聯(lián)的電容器C1和C2中。由于高電平選擇信號SEn和發(fā)射信號EMn，晶體管M2、M7、M4和M6被斷開。
在間隔T2，選擇信號SEn-1變成高電平以斷開晶體管M3，并且由于低電平選擇信號SEn，晶體管M7被導(dǎo)通以二極管連接晶體管M1和維持晶體管M1的二極管連接狀態(tài)。由于選擇信號SEn-1，晶體管M5被斷開以使電容器C2在存儲電壓時漂移(floated)。由于選擇信號SEn，晶體管M2被導(dǎo)通以使數(shù)據(jù)電流IDATA從數(shù)據(jù)線Dm流向晶體管M1。根據(jù)數(shù)據(jù)電流IDATA，晶體管M1的柵-源電壓VGS(T2)被確定，并且以與第一實施例相同的方式由公式4給出柵-源電壓VGS(T2)。
隨后，在間隔T3，選擇信號SEn變成高電平以斷開晶體管M2和M7，并且由于低電平發(fā)射信號EMn，晶體管M4和M6被斷開。當(dāng)導(dǎo)通晶體管M6時，由于電容器C1和C2以與第一實施例相同的方式連接，晶體管M1的柵-源電壓VGS(T3)由公式5給出。因此，由于導(dǎo)通的晶體管M4，如公式6所示的IOLED被施加于OLED以發(fā)光。
在第七實施例中，取消兩個控制信號CS1n和CS2n，而與此不同，可以取消控制信號CS1n和CS2n中的一個。具體來說，在第七實施例中附加使用控制信號CS1n的情形中，從圖15的像素電路中取消晶體管M7，而晶體管M3由控制信號CS1n，而不是選擇信號SEn-1來驅(qū)動。在第七實施例中附加使用控制信號CS2n的情形中，從圖15的像素電路中取消晶體管M6，而晶體管M5由控制信號CS2n，而不是選擇信號SEn-1和發(fā)射信號EMn來驅(qū)動。因此，和圖15相比，連線的數(shù)量增加了，但是晶體管的數(shù)量卻減少了。
在上面，在第一實施例至第七實施例中使用PMOS和/或NMOS晶體管來實現(xiàn)像素電路，而不局限于此，像素電路可以由PMOS晶體管、NMOS晶體管或PMOS晶體管和NMOS晶體管的組合，以及由其它具有類似功能的開關(guān)來實現(xiàn)。
根據(jù)本發(fā)明，由于流經(jīng)OLED的電流可以由大數(shù)據(jù)電流控制，因此，數(shù)據(jù)線可以被充分充電達(dá)單個線路時間幀(line time frame)，可以校正門限電壓或遷移率，且可以實現(xiàn)具有高分辨率和寬屏幕的發(fā)光顯示器。
雖然已結(jié)合實際實施例說明了本發(fā)明，但應(yīng)當(dāng)理解的是本發(fā)明不限于實際的實施例，而相反，它覆蓋包含在所附權(quán)利要求的范圍和精神之內(nèi)的各種修改和等效結(jié)構(gòu)。
權(quán)利要求
1.一種發(fā)光顯示器，包括顯示屏，在其上形成多個用于傳輸顯示視頻信號的數(shù)據(jù)電流的數(shù)據(jù)線、多個用于傳輸選擇信號的掃描線、以及在由所述數(shù)據(jù)線和掃描線限定的多個像素上形成的多個像素電路，其中至少一個像素電路包括發(fā)光器件，用于發(fā)射對應(yīng)于所施加電流的光；第一晶體管，具有第一和第二主電極以及控制電極，用于為發(fā)光器件提供驅(qū)動電流；第一開關(guān)，用于響應(yīng)第一控制信號而二極管連接所述第一晶體管；第一存儲單元，用于響應(yīng)第二控制信號而存儲對應(yīng)于所述第一晶體管的門限電壓的第一電壓；第二開關(guān)，用于響應(yīng)來自所述掃描線的所述選擇信號而傳輸來自數(shù)據(jù)線的數(shù)據(jù)信號；第二存儲單元，用于存儲對應(yīng)于來自所述第一開關(guān)的數(shù)據(jù)電流的第二電壓；第三開關(guān)，用于響應(yīng)第三控制信號而將來自所述第一晶體管的所述驅(qū)動電流傳輸至所述發(fā)光器件；其中，由連接分別存儲所述第一電壓和所述第二電壓的所述第一存儲單元和所述第二存儲單元所確定的第三電壓被施加于所述第一晶體管以向所述發(fā)光器件提供所述驅(qū)動電流。
2.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光顯示器，其中，以下列順序操作，第二控制信號被使能，選擇信號被使能，然后第三控制信號被使能。
3.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光顯示器，其中，第一開關(guān)、第二開關(guān)、第三開關(guān)和第一晶體管是相同傳導(dǎo)類型的晶體管。
4.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光顯示器，其中，第一開關(guān)、第二開關(guān)和第三開關(guān)中的至少一個具有和第一晶體管相反的傳導(dǎo)類型。
5.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光顯示器，其中所述像素電路還包括第四開關(guān)，該第四開關(guān)響應(yīng)第二控制信號時被導(dǎo)通，并且連接至所述第一晶體管的控制電極；所述第二存儲單元由連接在所述第一晶體管的所述控制電極和所述第一主電極之間的第一電容器形成；所述第一存儲單元通過并聯(lián)所述第一電容器和第二電容器而形成，其中，所述第二電容器連接在所述第一晶體管的所述第一主電極和所述第四開關(guān)的第二端之間。
6.如權(quán)利要求5所述的發(fā)光顯示器，其中所述第二控制信號是來自所述掃描線的所述選擇信號，并且所述第四開關(guān)在選擇信號的禁止間隔響應(yīng)。
7.如權(quán)利要求5所述的發(fā)光顯示器，其中所述第一控制信號包括來自前一掃描線的選擇信號和來自當(dāng)前掃描線的選擇信號。
8.如權(quán)利要求7所述的發(fā)光顯示器，其中所述第一開關(guān)包括用于響應(yīng)來自前一掃描線的選擇信號而二級管連接所述第一晶體管的第二晶體管和用于響應(yīng)來自當(dāng)前掃描線的選擇信號而二級管連接所述第一晶體管的第三晶體管。
9.如權(quán)利要求5所述的發(fā)光顯示器，其中，所述第二控制信號包括來自前一掃描線的選擇信號和所述第三控制信號。
10.如權(quán)利要求9所述的發(fā)光顯示器，其中所述像素電路還包括和所述第四開關(guān)并聯(lián)的第五開關(guān)；和所述第四晶體管和所述第五晶體管，分別響應(yīng)來自前一掃描線的選擇信號和所述第三控制信號而被導(dǎo)通。
11.如權(quán)利要求5所述的發(fā)光顯示器，其中所述第一控制信號包括來自前一掃描線的選擇信號和來自當(dāng)前掃描線的選擇信號；和所述第二控制信號包括來自前一掃描線的選擇信號和所述第三控制信號。
12.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光顯示器，其中該像素電路還包括第四開關(guān)，該第四開關(guān)具有連接至所述第一晶體管的所述控制電極的第一端，并且響應(yīng)所述第二控制信號；所述第一存儲單元由連接在所述第四開關(guān)的第二端和所述第一晶體管的所述第一主電極之間的第一電容器形成；和所述第二存儲單元由串聯(lián)連接所述第一電容器和第二電容器形成，所述第二電容器連接在所述第四開關(guān)的所述第二端以及所述第一晶體管的所述控制電極之間。
13.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光顯示器，還包括第一驅(qū)動電路，用于提供選擇信號；所述第一控制信號、所述第二控制信號和所述第三控制信號；和第二驅(qū)動電路，用于提供數(shù)據(jù)電流；其中，所述第一驅(qū)動電路和所述第二驅(qū)動電路連接至顯示屏，作為集成電路芯片類型安裝在顯示屏上，或者直接形成在基片上的所述掃描線、所述數(shù)據(jù)線和所述第一開關(guān)的相同層中。
14.一種發(fā)光顯示器的顯示屏，包括多個數(shù)據(jù)線，用于傳輸顯示視頻信號的數(shù)據(jù)電流；多個掃描線，用于傳輸選擇信號；多個像素，由所述數(shù)據(jù)線和所述掃描線限定；和像素電路，形成在多個像素中的每一像素上；其中至少一個像素電路包括第一晶體管，具有連接至提供第一電壓的第一電源的第一主電極；第一開關(guān)，連接在所述第一晶體管的第二主電極和數(shù)據(jù)線之間，并且由來自所述掃描線的第一選擇信號控制；第二開關(guān)，由第一控制信號控制以二極管連接第一晶體管；第三開關(guān)，具有連接至所述第一晶體管的控制電極的第一端，并且由第二控制信號控制；第四開關(guān)，具有連接至所述第一晶體管的第二主電極的第一端，并且由第三控制信號控制；發(fā)光器件，連接在所述第四開關(guān)的第二端和提供第二電壓的第二電源之間，用于發(fā)射對應(yīng)于施加電流的光；第一存儲單元，當(dāng)所述第三開關(guān)被導(dǎo)通時連接在所述第一晶體管的所述控制電極和所述第一主電極之間；和第二存儲單元，當(dāng)所述第三開關(guān)被斷開時連接在所述第一晶體管的所述控制電極和所述第一主電極之間。
15.如權(quán)利要求14所述的顯示屏，其中所述第二存儲單元包括連接在所述第一晶體管的所述控制電極和所述第一主電極之間的第一電容器；和所述第一存儲單元通過并聯(lián)所述第一電容器和第二電容器形成，所述第二電容器連接在所述第一晶體管的所述第一主電極和所述第三開關(guān)的第二端之間。
16.如權(quán)利要求15所述的顯示屏，其中所述第一控制信號、所述第二控制信號和所述第三控制信號分別由第一信號線、第二信號線和第三信號線提供；和該顯示屏還包括第一信號線、第二信號線和第三信號線。
17.如權(quán)利要求16所述的顯示屏，其中所述像素電路按第一間隔、第二間隔和第三間隔的順序被驅(qū)動；所述第一控制信號和所述第二控制信號在所述第一間隔具有使能間隔；所述第一控制信號和所述第一選擇信號在所述第二間隔具有使能間隔；所述第二控制信號和所述第三控制信號在所述第三間隔具有使能間隔。
18.如權(quán)利要求15所述的顯示屏，其中所述第二控制信號是來所述自掃描線的所述第一選擇信號；和所述第三開關(guān)在所述選擇信號的禁止間隔被導(dǎo)通。
19.如權(quán)利要求18所述的顯示屏，其中所述像素電路按第一間隔、第二間隔和第三間隔的順序被驅(qū)動；所述第一控制信號在所述第一間隔具有使能間隔；所述第一控制信號和所述第一選擇信號在所述第二間隔具有使能間隔；和所述第三控制信號在所述第三間隔具有使能間隔。
20.如權(quán)利要求19所述的顯示屏，其中當(dāng)使能所述第一選擇信號時所述第一控制信號具有禁止間隔。
21.如權(quán)利要求15所述的顯示屏，其中所述第一控制信號包括所述第一選擇信號和在所述第一選擇信號之前具有使能間隔的第二選擇信號，所述第二選擇信號來自前一掃描線；和所述第二開關(guān)包括用于分別響應(yīng)所述第二選擇信號和所述第一選擇信號而二極管連接所述第一晶體管的第二和第三晶體管。
22.如權(quán)利要求15所述的顯示屏，其中所述第二控制信號包括在所述第一選擇信號之前具有使能間隔的第二選擇信號和所述第三控制信號，所述第二選擇信號來自前一掃描線；和所述第三開關(guān)，包括第二和第三晶體管，連接在所述第一晶體管的控制電極和所述第二電容器之間，用于分別響應(yīng)所述第二選擇信號和所述第三控制信號。
23.如權(quán)利要求15所述的顯示屏，其中所述第一控制信號包括所述第一選擇信號和在所述第一選擇信號前具有使能間隔的第二選擇信號，所述第二選擇信號來自前一掃描線；所述第二控制信號包括所述第二選擇信號和所述第三控制信號；所述第二開關(guān)包括用于分別響應(yīng)所述第二選擇信號和所述第一選擇信號而二極管連接所述第一晶體管的第二晶體管和第三晶體管；和所述第三開關(guān)，包括第四晶體管和第五晶體管，連接在所述第一晶體管的所述控制電極和所述第二電容器之間，用于分別響應(yīng)所述第二選擇信號和所述第三控制信號。
24.如權(quán)利要求14所述的顯示屏，其中所述第一存儲單元包括連接在所述第一晶體管的所述第一主電極和所述第三開關(guān)的所述第二端之間的第一電容器；和所述第二存儲單元由連接在所述第一晶體管的所述控制電極和所述第三開關(guān)的所述第二端之間的所述第二電容器和所述第一電容器串聯(lián)連接而形成。
25.一種用于驅(qū)動具有像素電路的發(fā)光顯示器的方法，所述像素電路包括開關(guān)，用于響應(yīng)來自掃描線的選擇信號而傳輸來自數(shù)據(jù)線的數(shù)據(jù)電流；晶體管，包括第一主電極、第二主電極和控制電極，用于響應(yīng)所述數(shù)據(jù)電流而輸出驅(qū)動電流；以及發(fā)光器件，用于發(fā)射對應(yīng)于來自所述晶體管的所述驅(qū)動電流的光，該方法包括在所述晶體管的所述控制電極和所述第一主電極之間形成的第一存儲單元中存儲對應(yīng)于所述晶體管的門限電壓的第一電壓；在所述晶體管的所述控制電極和所述第一主電極之間形成的第二存儲單元中存儲對應(yīng)于所述數(shù)據(jù)電流的第二電壓；連接所述第一存儲單元和所述第二存儲單元以建立在所述晶體管的所述控制電極和所述第一主電極之間的電壓作為第三電壓；和將所述數(shù)據(jù)電流從所述晶體管傳輸至所述發(fā)光顯示器；其中，根據(jù)所述第三電壓被確定來自所述晶體管的所述驅(qū)動電流。
26.如權(quán)利要求25所述的方法，其中所述第一存儲單元包括并聯(lián)在所述晶體管的所述控制電極和所述第一主電極之間的第一電容器和第二電容器；所述第二存儲單元包括所述第一電容器；和所述第三電壓由并聯(lián)第一和第二電容器被確定。
27.如權(quán)利要求25所述的方法，其中所述第一存儲單元包括第一電容器，該電容器連接在所述晶體管的控所述制電極和所述第一主電極之間；所述第二存儲單元包括連接在所述第一電容器和所述晶體管的所述控制電極之間的第二電容器和所述第一電容器；和所述第三電壓由所述第一電容器確定。
28.一種用于驅(qū)動具有像素電路的發(fā)光顯示器的方法，所述像素電路包括開關(guān)，用于響應(yīng)來自掃描線的選擇信號而傳輸來自數(shù)據(jù)線的數(shù)據(jù)電流；晶體管，包括第一和第二主電極和控制電極，用于響應(yīng)數(shù)據(jù)電流輸出驅(qū)動電流；和發(fā)光器件，用于根據(jù)來自所述晶體管的驅(qū)動電流發(fā)光，所述方法包括響應(yīng)第一控制信號而二極管連接所述晶體管，并且響應(yīng)第二控制信號的第一電平而在所述晶體管的所述控制電極和所述第一主電極之間連接第一存儲單元以在所述第一存儲單元中存儲對應(yīng)于所述晶體管的門限電壓的第一電壓；通過所述第一控制信號二極管連接晶體管，響應(yīng)所述第二控制信號的第二電平而在所述晶體管的所述控制電極和所述第一主電極之間連接第二存儲單元，并且響應(yīng)第一選擇信號而在所述第二存儲單元中存儲對應(yīng)于所述數(shù)據(jù)電流的第二電壓；響應(yīng)所述第二控制信號的第一電平，連接所述第一存儲單元和所述第二存儲單元以建立在所述晶體管的所述控制電極和所述第一主電極之間的電壓作為第三電壓；向所述晶體管提供對應(yīng)于所述第三電壓的驅(qū)動電流；和響應(yīng)第三控制信號而向所述發(fā)光器件提供所述驅(qū)動電流。
29.如權(quán)利要求28所述的方法，其中，響應(yīng)所述第二控制信號的第一電平將所述第一存儲單元連接在所述晶體管的所述控制電極和所述第一主電極之間。
30.如權(quán)利要求28所述的方法，其中通過單獨的第一信號線、第二信號線和第三信號線分別傳輸所述第一控制信號、所述第二控制信號和所述第三控制信號。
31.如權(quán)利要求28所述的方法，其中所述第二控制信號是第一選擇信號；和所述第二控制信號的所述第一電平是所述第一選擇信號的禁止電平。
32.如權(quán)利要求31所述的方法，其中當(dāng)所述第一選擇信號變成使能電平時，所述第一控制信號具有禁止間隔。
33.如權(quán)利要求28所述的方法，其中所述第一控制信號包括所述第一選擇信號和在所述第一選擇信號前具有使能間隔的第二選擇信號，所述第二選擇信號來自前一掃描線；和所述晶體管分別由所述第二選擇信號和所述第一選擇信號二極管連接。
34.如權(quán)利要求28所述的方法，其中所述第二控制信號包括在所述第一選擇信號前具有使能間隔的第二選擇信號和所述第三控制信號，所述第二選擇信號來自前一掃描線；和所述第二控制信號的所述第一電平分別由所述第二選擇信號和所述第三控制信號確定。
35.如權(quán)利要求28所述的方法，其中所述第一控制信號包括所述第一選擇信號和在所述第一選擇信號前具有使能間隔的第二選擇信號，所述第二選擇信號來自前一掃描線；所述第二控制信號包括所述第二選擇信號和所述第三控制信號；所述晶體管分別由所述第二選擇信號和第一選擇信號二極管連接；和所述第二控制信號的所述第一電平分別由所述第二選擇信號和所述第三控制信號確定。
36.一種在響應(yīng)于第一選擇信號而將顯示視頻信號的數(shù)據(jù)電流傳輸?shù)骄w管以驅(qū)動發(fā)光器件的方法中的、用于驅(qū)動發(fā)光顯示器的方法，包括建立分別施加于第一開關(guān)和第二開關(guān)的第一控制信號和第二控制信號作為使能電平以存儲對應(yīng)于所述晶體管的門限電壓的第一電壓；建立施加于第三開關(guān)的第三控制信號作為禁止電平以電子斷開晶體管和發(fā)光器件；建立第一選擇信號作為禁止電平，以斷開數(shù)據(jù)電流；建立所述第一選擇信號作為使能電平以提供所述數(shù)據(jù)電流；分別建立所述第一控制信號和所述第二控制信號作為使能和禁止電平以存儲對應(yīng)于所述數(shù)據(jù)電流的第二電壓；建立所述第一選擇信號作為禁止電平以斷開所述數(shù)據(jù)電流；分別建立所述第一控制信號和所述第二控制信號作為禁止和使能電平以將第三電壓施加于所述晶體管的主電極和柵極；和建立所述第三控制信號作為使能電平以將來自所述晶體管的電流傳輸給所述發(fā)光器件；其中所述第三電壓由所述第一電壓和所述第二電壓確定。
37.如權(quán)利要求36所述的方法，其中所述第二控制信號由所述第一選擇信號確定；和所述第二控制信號具有和所述第一選擇信號相反的電平。
38.如權(quán)利要求36所述的方法，其中所述第一控制信號由所述第一選擇信號和所述第二選擇信號所確定，其中，所述第二選擇信號在所述第一選擇信號前變成使能電平而在所述第一控制信號變成使能電平后變成禁止信號。
39.如權(quán)利要求36所述的方法，其中所述第二控制信號由第二選擇信號和第三控制信號所確定，其中，所述第二選擇信號在所述第一選擇信號前變成使能電平而在所述第一控制信號變成使能電平后變成禁止信號。
40.如權(quán)利要求36所述的方法，其中所述第一控制信號由所述第一選擇信號和第二選擇信號所確定，其中，所述第二選擇信號在所述第一選擇信號前變成使能電平而在所述第一控制信號變成使能電平后變成禁止信號；和所述第二控制信號由所述第二選擇信號和所述第三控制信號所確定。
全文摘要
一種用于補(bǔ)償晶體管的門限電壓或遷移率和對數(shù)據(jù)線充分充電的發(fā)光顯示器。晶體管和第一至第三開關(guān)形成在有機(jī)EL顯示器的像素電路上。該晶體管提供用于發(fā)射有機(jī)EL器件(OLED)的驅(qū)動電流。第一開關(guān)二極管連接晶體管。第一存儲單元存儲對應(yīng)于晶體管的門限電壓的第一電壓。第二開關(guān)響應(yīng)選擇信號而傳輸數(shù)據(jù)電流。第二存儲單元存儲對應(yīng)于數(shù)據(jù)電流的第二電壓。第三開關(guān)將驅(qū)動電流傳輸至OLED。由連接第一和第二存儲單元確定的第三電壓被施加于晶體管以向OLED提供驅(qū)動電流。
文檔編號G09G3/32GK1534568SQ200310118840
公開日2004年10月6日 申請日期2003年11月28日 優(yōu)先權(quán)日2003年4月1日
發(fā)明者權(quán)五敬 申請人:三星Sdi株式會社