專利名稱：半導(dǎo)體顯示裝置和半導(dǎo)體顯示裝置的驅(qū)動(dòng)方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及極適合于使用液晶、EL(場致發(fā)光元件)等顯示媒體的半導(dǎo)體顯示裝置的驅(qū)動(dòng)方法和使用上述驅(qū)動(dòng)方法進(jìn)行顯示的半導(dǎo)體顯示裝置。另外，還涉及使用上述半導(dǎo)體顯示裝置的電子儀器。
已有技術(shù)近年來，制造使用半導(dǎo)體薄膜在絕緣性基板上形成的元件例如薄膜晶體管(TFT)的技術(shù)有了飛速的發(fā)展。其理由在于，半導(dǎo)體顯示裝置(代表性的有有源矩陣型液晶顯示裝置)的需要在不斷提高。
有源矩陣型液晶顯示裝置是利用由晶體管構(gòu)成的像素的開關(guān)元件(像素晶體管)控制配置為矩陣狀的數(shù)十～數(shù)百萬個(gè)像素的電荷來顯示圖像的裝置。
本說明書中的像素，主要由開關(guān)元件、與上述開關(guān)元件連接的像素電極、對向電極和設(shè)置在上述像素電極與對向電極之間的無源元件(液晶、場致發(fā)光元件)構(gòu)成。
下面，使用圖26簡單地說明有源矩陣型液晶顯示裝置具有的液晶板的顯示動(dòng)作的代表例。圖26(A)是液晶板的上面圖，圖26(B)是表示像素的配置的圖。
源極信號線驅(qū)動(dòng)電路701與源極信號線S1～S6連接。另外，柵極信號線驅(qū)動(dòng)電路702與柵極信號線G1～G4連接。并且，在由源極信號線S1～S6和柵極信號線G1～G4包圍的部分設(shè)置多個(gè)像素703。在像素703上設(shè)置像素TFT704和像素電極705。源極和柵極信號線的數(shù)量不限定該值。
圖像信號從設(shè)置在液晶板的外部的IC(圖中未示出)輸入源極信號線驅(qū)動(dòng)電路701。
輸入源極信號線驅(qū)動(dòng)電路701的圖像信號被采樣，并作為顯示信號輸入源極信號線S1。另外，根據(jù)從柵極信號線驅(qū)動(dòng)電路702輸入柵極信號線G1的選擇信號選擇柵極信號線G1，柵極與柵極信號線G1連接的所有的像素TFT704成為導(dǎo)通狀態(tài)。并且，輸入源極信號線S1的顯示信號通過像素TFT704輸入像素(1、1)的像素電極705。利用該輸入的顯示信號的電位驅(qū)動(dòng)液晶，控制透過光量，在像素(1、1)上顯示與圖像的一部分(與像素(1、1)相當(dāng)?shù)膱D像)。
其次，由保持電容(圖中未示出)等保持在像素(1、1)上顯示圖像的狀態(tài)，將在下一瞬間輸入源極信號線驅(qū)動(dòng)電路701的圖像信號采樣，并作為顯示信號輸入源極信號線S2。所謂保持電容，就是在一定期間保持輸入到像素TFT704的柵極上的顯示信號的電位的電容。
選擇了柵極信號線G1時(shí)，柵極信號線G1與源極信號線S2交叉的部分的像素(1、2)的像素TFT704是導(dǎo)通狀態(tài)。并且，輸入源極信號線S2的顯示信號的像素TFT704輸入像素(1、2)的像素電極705。利用該輸入的顯示信號的電位驅(qū)動(dòng)液晶，控制透過光量，和像素(1、1)一樣，在像素(1、2)上顯示圖像的一部分(與像素(1、2)相當(dāng)?shù)膱D像)。
順序進(jìn)行這樣的顯示動(dòng)作，在與柵極信號線G1連接的所有的像素(1、1)、(1、2)、(1、3)、(1、4)、(1、5)、(1、6)上便逐一顯示圖像的一部分。在此期間，根據(jù)輸入柵極信號線G1的選擇信號繼續(xù)選擇柵極信號線G1。
在顯示信號輸入與柵極信號線G1連接的所有像素時(shí)，就不再選擇柵極信號線G1。接著，便根據(jù)輸入柵極信號線G2的選擇信號選擇柵極信號線G2。并且，在與柵極信號線G2連接的所有的像素(2、1)、(2、2)、(2、3)、(2、4)、 (2、5)、(2、6)上逐一顯示圖像的一部分。在此期間，繼續(xù)選擇柵極信號線G2。
通過在所有的柵極信號線中順序反復(fù)進(jìn)行上述動(dòng)作，在像素部706上顯示1個(gè)圖像。將顯示該1個(gè)圖像的期間稱為1幀期間。也可以將像素部706顯示1個(gè)圖像的期間和垂直回描期間合在一起稱為1幀期間。并且，所有的像素由保持電容(圖中未示出)等保持顯示圖像的狀態(tài)，直至各像素TFT再次成為導(dǎo)通狀態(tài)。
本發(fā)明所要解決的問題在通常作為開關(guān)元件使用TFT等的液晶板中，為了防止液晶的劣化，于對向電極的電位(對向電位)為基準(zhǔn)使向各像素輸入的信號的電位的極性反相(交流驅(qū)動(dòng))。作為交流驅(qū)動(dòng)的方法，有幀反相驅(qū)動(dòng)、源極線反相驅(qū)動(dòng)、柵極線反相驅(qū)動(dòng)和點(diǎn)反相驅(qū)動(dòng)。下面，說明各驅(qū)動(dòng)方法。
圖27(A)表示在幀反相驅(qū)動(dòng)中輸入各像素的顯示信號的極性的圖形(以下，簡單地稱為極性圖形)。在表示本說明書中的極性圖形的圖(圖27、圖6、圖7、圖8、圖9)中，以對向電位為基準(zhǔn)，輸入像素的顯示信號的電位為正時(shí)，用「+」表示，為負(fù)時(shí)用「-」表示。另外，圖27所示的極性圖形與圖26(B)所示的像素的配置對應(yīng)。
在本說明書中，具有正的極性的顯示信號表示具有比對向電位高的電位的顯示信號。另外，具有負(fù)的極性的顯示信號表示具有比對向電位低的電位的顯示信號。
此外，掃描方式有在1畫面(1幀)中用奇數(shù)號的柵極信號和偶數(shù)號的柵極信號線分為2次(2場)進(jìn)行掃描的隔行掃描和不分奇數(shù)號和偶數(shù)號的柵極信號線順序掃描的逐行掃描，但是，這里主要以使用逐行掃描的例子進(jìn)行說明。
幀反相驅(qū)動(dòng)的特征在于，在任意的1幀期間內(nèi)，向所有的像素輸入同一極性的顯示信號(極性圖形①)并且使在其后的1幀期間中向所有的像素輸入的顯示信號的極性反相而進(jìn)行顯示(極性圖形②)。即，僅著眼于極性圖形時(shí)，是2種極性圖形(極性圖形①和極性圖形②)每隔1幀期間反復(fù)顯示的驅(qū)動(dòng)方法。在本說明書中，所謂顯示信號輸入像素，就是意味著顯示信號通過像素TFT輸入像素電極。
下面，說明源極線反相驅(qū)動(dòng)。圖27(B)表示源極線反相驅(qū)動(dòng)的像素的極性圖形。
如圖27(B)所示，源極線反相驅(qū)動(dòng)的特征在于，在任意的1幀期間相同極性的顯示信號輸入與相同源極信號線連接的所有的像素而在與相鄰的源極信號線連接的像素之間輸入極性相反的顯示信號。在本說明書中，所謂與源極信號線連接的像素，就是表示具有其源極區(qū)域或漏極區(qū)域與源極信號線連接的像素TFT的像素。
并且，在其后的1幀期間中，向各源極信號線輸入具有與在此前的1幀期間輸入的顯示信號相反極性的顯示信號。因此，設(shè)在任意的1幀期間的極性圖形為極性圖形③時(shí)，則在其后的1幀期間的極性圖形就成為極性圖形④。
下面，說明柵極線反相驅(qū)動(dòng)。柵極線反相驅(qū)動(dòng)的極性圖形示于圖27(C)。
如圖27(C)所示，柵極線反相驅(qū)動(dòng)的特征在于在任意的1幀期間相同極性的顯示信號輸入與相同柵極信號線連接的所有的像素而在與相鄰的柵極信號線連接的像素之間輸入極性相反的顯示信號。在本說明書中，所謂與柵極信號線連接的像素，就是表示具有其柵極與柵極信號線連接的像素TFT的像素。
并且，在其后的1幀期間向與各柵極信號線連接的像素輸入具有與在此前的1幀期間輸入的顯示信號相反極性的顯示信號。因此，設(shè)任意的1幀期間的極性圖形為極性圖形⑤時(shí)，則其后的1幀期間的極性圖形就是極性圖形⑥。
即，和上述源極線反相驅(qū)動(dòng)一樣，是2種極性圖形(極性圖形⑤和極性圖形⑥)每隔1幀期間反復(fù)進(jìn)行顯示的驅(qū)動(dòng)方法。
下面，說明點(diǎn)反相驅(qū)動(dòng)。點(diǎn)反相驅(qū)動(dòng)的極性圖形示于圖27(D)。
如圖27(D)所示，所謂點(diǎn)反相驅(qū)動(dòng)，就是使輸入像素的顯示信號的極性在相鄰的所有的像素之間反相的方法。并且，在任意的1幀期間向各像素輸入具有與在此前的1幀期間輸入的顯示信號相反極性的顯示信號。因此，設(shè)任意的1幀期間的極性圖形為極性圖形⑦時(shí)，則其后的1幀期間的極性圖形就是極性圖形⑧。即，是2種極性圖形每隔1幀期間反復(fù)進(jìn)行顯示的驅(qū)動(dòng)方法。
上述交流驅(qū)動(dòng)，對于防止液晶的劣化是有用的方法。但是，使用使交流驅(qū)動(dòng)時(shí)，有時(shí)畫面將發(fā)生閃爍，出現(xiàn)縱紋、橫紋或斜紋。
可以認(rèn)為，這是由于即使在各像素中進(jìn)行相同2調(diào)顯示，在輸入的顯示信號的極性為正時(shí)的顯示和為負(fù)時(shí)的顯示中，畫面的亮度有微妙的不同的緣故。對于這一現(xiàn)象，下面以幀反相驅(qū)動(dòng)為例詳細(xì)說明。
將圖26所示的有源矩陣型液晶顯示裝置進(jìn)行幀反相驅(qū)動(dòng)時(shí)的時(shí)間圖示于圖28。圖28是如果有源矩陣型液晶顯示裝置為正常的黑 時(shí)就進(jìn)行白顯示、如果是正常的白 時(shí)就進(jìn)行黑顯示時(shí)的時(shí)間圖。設(shè)選擇信號輸入1個(gè)涉及信號線的期間為1行期間，選擇信號輸入所有的柵極信號線直至顯示1個(gè)圖像的期間為1幀期間。
顯示信號和選擇信號分別輸入源極信號線S1和柵極信號線G1時(shí)，正極性的顯示信號就輸入設(shè)置在源極信號線S1與柵極信號線G1交叉的部分的像素(1、1)。并且，在像素(1、1)中，根據(jù)輸入的顯示信號而供給像素電極的電位，理想的情況是由保持電容等在1幀期間中繼續(xù)保持。
但是，實(shí)際上在1行期間結(jié)束時(shí)，柵極信號線G1的電位移位到使像素TFT截止的電位時(shí)，有時(shí)像素電極的電位也會(huì)在柵極信號線G1的電位移位的方向發(fā)生ΔV的移位。這一現(xiàn)象稱為場導(dǎo)通，另外，ΔV稱為導(dǎo)通電壓。
導(dǎo)通電壓ΔV由下式給出式1ΔV＝V×Cgd/(Cgd＋Clc＋Cs)V是柵極電位的振幅、Cgd是像素TFT的柵極與漏極區(qū)域間的電容、Clc是像素電極與對向電極間的液晶的電容、Cs是保持電容。
在圖28所示的時(shí)間圖中，用實(shí)線表示像素(1、1)的實(shí)際的像素電極的電位，用虛線表示不考慮場導(dǎo)通的理想的像素電極的電位。在第1幀期間，正極性的顯示信號輸入像素(1、1)。圖28所示的第1幀期間的情況，在第1行期間結(jié)束的同時(shí)，柵極信號線的電位向負(fù)方向變化，并且，像素(1、1)的像素電極的電位實(shí)際上也向負(fù)方向變化導(dǎo)通電壓的量。在圖28中，將第1幀期間的導(dǎo)通電壓表示為ΔV1。
其次，在第2幀期間的第1行期間，與第1幀期間的第1行期間相反極性的負(fù)極性的顯示信號輸入像素(1、1)。并且，在第2幀期間的第1行期間結(jié)束時(shí)，柵極信號線G1的電位向負(fù)方向變化。并且，像素(1、1)的像素電極的電位實(shí)際上同時(shí)也向負(fù)方向變化導(dǎo)通電壓的量。在圖28中，將第2幀期間的導(dǎo)通電壓表示為ΔV2。
在圖28中，將第1幀期間的第1行期間結(jié)束后的驅(qū)動(dòng)電壓表示為V1、將第2幀期間的第1行期間結(jié)束后的驅(qū)動(dòng)電壓表示為V2。在本說明書中，所謂驅(qū)動(dòng)電壓，就是指像素電極的電位與對向電位的電位差。
驅(qū)動(dòng)電壓V1和驅(qū)動(dòng)電壓V2具有ΔV1＋ΔV2的電壓差。因此，在第1幀期間和第2幀期間，像素(1、1)的畫面的亮度不同。
因此，要使驅(qū)動(dòng)電壓V1和驅(qū)動(dòng)電壓V2的值相同，也可以考慮降低對向電位的值的方法。
但是，像素TFT的柵極與漏極區(qū)域間的電容Cgd在將具有正的極性的顯示信號輸入像素時(shí)和將具有負(fù)的極性的顯示信號輸入像素時(shí)其值不同。此外，像素電極與對向電極間的液晶電容Clc也隨輸入像素的顯示信號的電位而變化。因此，由于Cgd和Clc的值隨各幀期間而不同，所以，導(dǎo)通電壓ΔV的值也隨各幀期間而不同。于是，即使改變對向電位的值，像素(1、1)的驅(qū)動(dòng)電壓也隨幀期間而不同，結(jié)果，畫面的亮度就不同。
并且，這一現(xiàn)象不限于像素(1、1)，在所有的像素發(fā)生的現(xiàn)象中，像素的亮度都隨輸入像素的顯示信號的極性而不同。
因此，在幀反相驅(qū)動(dòng)中，在第1幀期間顯示的圖像與在第2幀期間顯示的圖像的亮度不同，觀察者將觀察到閃爍。特別是在中間調(diào)顯示中，閃爍顯著。
源極線反相驅(qū)動(dòng)、柵極線反相驅(qū)動(dòng)和點(diǎn)反相驅(qū)動(dòng)時(shí)也一樣，在輸入正極性的顯示信號的像素和輸入負(fù)極性的顯示信號的像素中，顯示的亮度不同。
因此，在源極線反相驅(qū)動(dòng)中，有縱紋顯示在畫面上，在柵極線反相驅(qū)動(dòng)中，有橫紋顯示在畫面上。另外，在點(diǎn)反相驅(qū)動(dòng)中，隨畫面上顯示的圖像而異，有時(shí)出現(xiàn)縱紋、橫紋或斜紋。
為了防止由于交流驅(qū)動(dòng)而畫面發(fā)生閃爍或出現(xiàn)縱紋、橫紋或斜紋，提高幀頻率是有效的。
但是，為了提高幀頻率，必須提高輸入IC的圖像信號的頻率。而提高圖像信號的頻率時(shí)，就必須提高生成圖像信號的電子儀器的技術(shù)條件，從而將提高成本。另外，生成圖像信號的電子儀器的驅(qū)動(dòng)頻率與圖像信號的頻率不對應(yīng)時(shí)，將加重生成圖像信號的電子儀器的負(fù)擔(dān)，從而有可能不能工作或可靠性降低。
因此，本發(fā)明就是鑒于上述問題而提出的，目的在于提供觀察者看不到閃爍或縱紋、橫紋和斜紋的可以進(jìn)行鮮明而高精細(xì)的圖像顯示的半導(dǎo)體顯示裝置的驅(qū)動(dòng)方法和使用該驅(qū)動(dòng)方法的半導(dǎo)體顯示裝置。
本發(fā)明的解決方案在本發(fā)明中，在該半導(dǎo)體顯示裝置具有的幀速率變換部中將從外部輸入半導(dǎo)體顯示裝置的圖像信號的規(guī)定的幀頻率提高。在本說明書中，所謂幀速率變換部，就是將輸入的信號的頻率改變后而輸出的電路。并且，在連續(xù)的2個(gè)幀期間，以對向電極的電位(對向電位)為基準(zhǔn)使輸入各像素的顯示信號的電位反相，在連續(xù)的2個(gè)幀期間，在像素部顯示相同的圖像。
利用上述結(jié)構(gòu)，可以進(jìn)行觀察者看不到閃爍、或縱紋、橫紋和斜紋的鮮明而高精細(xì)的圖像顯示。
另外，在本發(fā)明中，特別是通過使用幀反相可以抑制在相鄰像素間發(fā)生稱為離散的現(xiàn)象，從而可以防止顯示畫面全體的亮度降低。所謂離散，就是在輸入正的顯示信號的像素電極與輸入負(fù)的顯示信號的像素電極之間發(fā)生電場從而液晶分子的取向發(fā)生紊亂的現(xiàn)象。使像素高精細(xì)化時(shí)，相鄰像素具有的像素電極之間的距離變短，所以，像素電極間的電場增大時(shí)，離散引起的表觀上的開口率將顯著降低。因此，在本發(fā)明中，特別是使用幀反相對不降低顯示畫面全體的亮度是有效的。
本發(fā)明的半導(dǎo)體顯示裝置的幀變換部具有1個(gè)或多個(gè)RAM。并且，將從外部輸入的圖像信號寫入該1個(gè)或多個(gè)RAM中的某一個(gè)，并將寫入的圖像信號順序各讀出2次。利用上述結(jié)構(gòu)，可以同時(shí)將圖像信號向RAM的寫入和從RAM的讀出。
另外，在本發(fā)明中，重要的是將寫入RAM的圖像信號讀出1次的期間比將圖像信號寫入RAM的期間短。利用上述結(jié)構(gòu)，可以使從RAM讀出后的圖像信號的頻率比寫入RAM前的圖像信號的頻率高。
并且，在本發(fā)明中，重要的是以對向電極的電位(對向電位)為基準(zhǔn)使在使用從RAM中2次讀出的圖像信號生成的2個(gè)顯示信號中的某一方的顯示信號的電位反相，生成極性相反的2個(gè)顯示信號。因此，在連續(xù)的2個(gè)幀期間，輸入各像素的顯示信號的電位以對向電極的電位(對向電位)為基準(zhǔn)發(fā)生反相，所以，在連續(xù)的2個(gè)幀期間，在像素部顯示相同的圖像。
因此，不提高輸入IC的圖像信號的頻率就可以提高幀頻率，所以，不會(huì)給生成圖像信號的電子儀器增加負(fù)擔(dān)，從而可以進(jìn)行觀察者看不到閃爍或縱紋、橫紋和斜紋的鮮明而高精細(xì)的圖像顯示。
另外，在本發(fā)明中，特別是通過使用幀反相可以抑制在相鄰像素間發(fā)生稱為離散的現(xiàn)象，從而可以防止細(xì)節(jié)畫面全體的亮度降低。
并且，輸入各像素的顯示信號的電位的時(shí)間平均值由于對向電位的接近，與在各幀期間將不同的顯示信號輸入各像素的情況相比，對于防止液晶的劣化是有效的。
本發(fā)明可以應(yīng)用于幀反相驅(qū)動(dòng)、源極線反相驅(qū)動(dòng)、柵極線反相驅(qū)動(dòng)和點(diǎn)反相驅(qū)動(dòng)等所有的交流驅(qū)動(dòng)。
在本發(fā)明中，多個(gè)RAM和源極信號線驅(qū)動(dòng)電路可以設(shè)置在IC基板上，也可以設(shè)置在設(shè)置了像素部的有源矩陣基板上。另外，也可以將源極信號線驅(qū)動(dòng)電路的一部分設(shè)置在有源矩陣基板上而將其余的部分設(shè)置在IC基板上，利用FPC等進(jìn)行連接。
在本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置中，像素使用的晶體管可以是使用單晶硅形成的晶體管，也可以是使用多晶硅或非晶型硅的晶體管。另外，也可以是使用有機(jī)半導(dǎo)體的晶體管。
下面，說明本發(fā)明的結(jié)構(gòu)。
本發(fā)明的半導(dǎo)體顯示裝置是具有多個(gè)像素TFT、多個(gè)像素電極、對向電極和幀速率變換部的半導(dǎo)體顯示裝置，其特征在于通過上述多個(gè)像素TFT將顯示信號輸入上述多個(gè)像素電極，輸入上述多個(gè)像素電極的所有的顯示信號在各幀期間中以上述對向電極的電位為基準(zhǔn)具有相同的極性，上述幀速率變換部與上述顯示信號同步地動(dòng)作，在相鄰的任意2個(gè)幀期間中后出現(xiàn)的幀期間輸入上述多個(gè)像素電極的顯示信號是以上述對向電極的電位為基準(zhǔn)使在先出現(xiàn)的幀期間輸入上述多個(gè)像素電極的顯示信號的電位反相的信號。
本發(fā)明的半導(dǎo)體顯示裝置是具有多個(gè)像素TFT、多個(gè)像素電極、對向電極、多個(gè)源極信號線和幀速率變換部的半導(dǎo)體顯示裝置，其特征在于輸入上述多個(gè)源極信號線的顯示信號通過上述多個(gè)像素TFT輸入上述多個(gè)像素電極，在各幀期間中，以上述對向電極的電位為基準(zhǔn)具有極性相互相反的顯示信號輸入上述多個(gè)源極信號線的相鄰的源極信號線，并且輸入上述多個(gè)源極信號線的各顯示信號以上述對向電極的電位為基準(zhǔn)總是具有相同的極性，上述幀速率變換部與上述顯示信號同步地動(dòng)作，相鄰的任意2個(gè)幀期間中在后出現(xiàn)的幀期間輸入上述多個(gè)像素電極的顯示信號是以上述對向電極的電位為基準(zhǔn)使在先出現(xiàn)的幀期間輸入上述多個(gè)像素電極的顯示信號的電位反相的信號。
本發(fā)明的半導(dǎo)體顯示裝置是具有多個(gè)像素TFT、多個(gè)像素電極、對向電極、多個(gè)源極信號線和幀速率變換部的半導(dǎo)體顯示裝置，其特征在于輸入上述多個(gè)源極信號線的顯示信號通過上述多個(gè)像素TFT輸入上述多個(gè)像素電極，在各行期間中，輸入上述多個(gè)源極信號線所有的顯示信號以上述對向電極的電位為基準(zhǔn)總是具有相同的極性，在相鄰的行期間，輸入上述多個(gè)源極信號線的顯示信號的極性以上述對向電極的電位為基準(zhǔn)相互反相，上述幀速率變換部與上述顯示信號同步地動(dòng)作，相鄰任意2個(gè)幀期間中在后出現(xiàn)的幀期間輸入上述多個(gè)像素電極的顯示信號是以上述對向電極的電位為基準(zhǔn)使在先出現(xiàn)的幀期間輸入上述多個(gè)像素電極的顯示信號的電位反相的信號。
本發(fā)明的半導(dǎo)體顯示裝置是具有多個(gè)像素TFT、多個(gè)像素電極、對向電極、多個(gè)源極信號線和幀速率變換部的半導(dǎo)體顯示裝置，其特征在于輸入上述多個(gè)源極信號線的顯示信號通過上述多個(gè)像素TFT輸入上述多個(gè)像素電極，在各幀期間中，以上述對向電極的電位為基準(zhǔn)具有極性相互相反的顯示信號輸入上述多個(gè)源極信號線的相鄰的源極信號線，在相鄰的行期間中，輸入上述多個(gè)源極信號線的顯示信號的極性以上述對向電極的電位為基準(zhǔn)相互反相，上述幀速率變換部與上述顯示信號同步地動(dòng)作，相鄰任意2個(gè)幀期間中在后出現(xiàn)的幀期間輸入上述多個(gè)像素電極的顯示信號是以上述對向電極的電位為基準(zhǔn)使在先出現(xiàn)的幀期間輸入上述多個(gè)像素電極的顯示信號的電位反相的信號。
本發(fā)明的半導(dǎo)體顯示裝置是包括具有多個(gè)像素的像素部、源極信號線驅(qū)動(dòng)電路和幀速率變換部的半導(dǎo)體顯示裝置，其特征在于上述多個(gè)像素分別具有像素TFT、像素電極和對向電極，上述幀速率變換部具有1個(gè)或多個(gè)RAM，向上述1個(gè)RAM或上述多個(gè)RAM中的某一個(gè)寫入1個(gè)圖像信號，寫入上述1個(gè)RAM或上述多個(gè)RAM中的某一個(gè)的圖像信號各讀出2次，從上述1個(gè)RAM或上述多個(gè)RAM中的某一個(gè)各2次讀出的圖像信號都輸入源極信號線驅(qū)動(dòng)電路，由上述源極信號線驅(qū)動(dòng)電路生成2個(gè)顯示信號，上述2個(gè)顯示信號的極性相互反相，上述生成的2個(gè)顯示信號通過上述像素TFT輸入上述像素電極，將圖像信號向上述1個(gè)RAM或上述多個(gè)RAM中的某一個(gè)的寫入的期間比上述寫入的圖像信號第1次讀出的期間和第2次讀出的期間長。
本發(fā)明的半導(dǎo)體顯示裝置是包括具有多個(gè)像素的像素部、源極信號線驅(qū)動(dòng)電路和幀速率變換部的半導(dǎo)體顯示裝置，其特征在于上述多個(gè)像素分別具有像素TFT、像素電極和對向電極，上述幀速率變換部具有1個(gè)或多個(gè)RAM，圖像信號寫入上述1個(gè)RAM或上述多個(gè)RAM中的某一個(gè)，寫入上述1個(gè)RAM或上述多個(gè)RAM中的某一個(gè)的圖像信號各讀出2次，從上述1個(gè)RAM或上述多個(gè)RAM中的某一個(gè)各2次讀出的圖像信號都在D/A變換電路中變換為模擬信號后輸入源極信號線驅(qū)動(dòng)電路，由上述源極信號線驅(qū)動(dòng)電路生成2個(gè)顯示信號，上述2個(gè)顯示信號相互極性反相，上述生成的2個(gè)顯示信號通過上述像素TFT輸入上述像素電極，將圖像信號寫入上述1個(gè)RAM或上述多個(gè)RAM中的某一個(gè)的期間比上述寫入的圖像信號第1次讀出的期間和第2次讀出的期間長。
本發(fā)明的半導(dǎo)體顯示裝置是包括具有多個(gè)像素的像素部、源極信號線驅(qū)動(dòng)電路和幀速率變換部的半導(dǎo)體顯示裝置，其特征在于上述多個(gè)像素分別具有像素TFT、像素電極和對向電極，上述幀速率變換部具有1個(gè)或多個(gè)RAM，圖像信號寫入上述1個(gè)RAM或上述多個(gè)RAM中的某一個(gè)，寫入上述1個(gè)RAM或上述多個(gè)RAM中的某一個(gè)的圖像信號各讀出2次，從上述1個(gè)RAM或上述多個(gè)RAM中的某一個(gè)各2次讀出的圖像信號都輸入源極信號線驅(qū)動(dòng)電路，由上述源極信號線驅(qū)動(dòng)電路生成2個(gè)顯示信號，上述2個(gè)顯示信號相互極性反相，上述生成的2個(gè)顯示信號通過上述像素TFT輸入上述像素電極，輸入上述像素電極的所有的顯示信號在各幀期間中以上述對向電極的電位為基準(zhǔn)具有相同的極性，將圖像信號寫入上述1個(gè)RAM或上述多個(gè)RAM中的某一個(gè)的期間比上述寫入的圖像信號第1次讀出的期間和第2次讀出的期間長。
本發(fā)明的半導(dǎo)體顯示裝置是包括具有多個(gè)像素的像素部、源極信號線驅(qū)動(dòng)電路和幀速率變換部的半導(dǎo)體顯示裝置，其特征在于上述多個(gè)像素分別具有像素TFT、像素電極和對向電極，上述幀速率變換部具有1個(gè)或多個(gè)RAM，圖像信號寫入上述1個(gè)RAM或上述多個(gè)RAM中的某一個(gè)，寫入上述1個(gè)RAM或上述多個(gè)RAM中的某一個(gè)的圖像信號各讀出2次，從上述1個(gè)RAM或上述多個(gè)RAM中的某一個(gè)各2次讀出的圖像信號都在D/A變換電路中變換為模擬信號后輸入源極信號線驅(qū)動(dòng)電路，由上述源極信號線驅(qū)動(dòng)電路生成2個(gè)顯示信號，上述2個(gè)顯示信號相互極性反相，上述生成的2個(gè)顯示信號通過上述像素TFT輸入上述像素電極，輸入上述像素電極的所有的顯示信號在各幀期間中以上述對向電極的電位為基準(zhǔn)具有相同的極性，將圖像信號寫入上述1個(gè)RAM或上述多個(gè)RAM中的某一個(gè)的期間比上述寫入的圖像信號第1次讀出的期間和第2次讀出的期間長。
本發(fā)明的半導(dǎo)體顯示裝置是包括具有多個(gè)像素的像素部、源極信號線驅(qū)動(dòng)電路和幀速率變換部的半導(dǎo)體顯示裝置，其特征在于上述多個(gè)像素分別具有像素TFT、像素電極和對向電極，上述幀速率變換部具有1個(gè)或多個(gè)RAM，圖像信號寫入上述1個(gè)RAM或上述多個(gè)RAM中的某一個(gè)，寫入上述1個(gè)RAM或上述多個(gè)RAM中的某一個(gè)的圖像信號各讀出2次，從上述1個(gè)RAM或上述多個(gè)RAM中的某一個(gè)各2次讀出的圖像信號都輸入源極信號線驅(qū)動(dòng)電路，由上述源極信號線驅(qū)動(dòng)電路生成2個(gè)顯示信號，上述2個(gè)顯示信號相互極性反相，上述生成的2個(gè)顯示信號通過上述多個(gè)源極信號線和上述像素TFT輸入上述像素電極，在各幀期間中，以上述對向電極的電位為基準(zhǔn)具有極性相互相反的顯示信號輸入上述多個(gè)源極信號線的相鄰的源極信號線，并且輸入上述多個(gè)源極信號線的各顯示信號以上述對向電極的電位為基準(zhǔn)總是具有相同的極性，將圖像信號寫入上述1個(gè)RAM或上述多個(gè)RAM中的某一個(gè)的期間比上述寫入的圖像信號第1次讀出的期間和第2次讀出的期間長。
本發(fā)明的半導(dǎo)體顯示裝置是包括具有多個(gè)像素的像素部、源極信號線驅(qū)動(dòng)電路和幀速率變換部的半導(dǎo)體顯示裝置，其特征在于上述多個(gè)像素分別具有像素TFT、像素電極和對向電極，上述幀速率變換部具有1個(gè)或多個(gè)RAM，圖像信號寫入上述1個(gè)RAM或上述多個(gè)RAM中的某一個(gè)，寫入上述1個(gè)RAM或上述多個(gè)RAM中的某一個(gè)的圖像信號各讀出2次，從上述1個(gè)RAM或上述多個(gè)RAM中的某一個(gè)各2次讀出的圖像信號都在D/A變換電路中變換為模擬信號后輸入源極信號線驅(qū)動(dòng)電路，由上述源極信號線驅(qū)動(dòng)電路生成2個(gè)顯示信號，上述2個(gè)顯示信號相互極性反相，上述生成的2個(gè)顯示信號通過上述多個(gè)源極信號線和上述像素TFT輸入上述像素電極，在各幀期間中，以上述對向電極的電位為基準(zhǔn)具有極性相互相反的顯示信號輸入上述多個(gè)源極信號線的相鄰的源極信號線，并且輸入上述多個(gè)源極信號線的各顯示信號以上述對向電極的電位為基準(zhǔn)總是具有相同的極性，將圖像信號寫入上述1個(gè)RAM或上述多個(gè)RAM中的某一個(gè)的期間比上述寫入的圖像信號第1次讀出的期間和第2次讀出的期間長。
本發(fā)明的半導(dǎo)體顯示裝置是包括具有多個(gè)像素的像素部、源極信號線驅(qū)動(dòng)電路和幀速率變換部的半導(dǎo)體顯示裝置，其特征在于上述多個(gè)像素分別具有像素TFT、像素電極和對向電極，上述幀速率變換部具有1個(gè)或多個(gè)RAM，圖像信號寫入上述1個(gè)RAM或上述多個(gè)RAM中的某一個(gè)，寫入上述1個(gè)RAM或上述多個(gè)RAM中的某一個(gè)的圖像信號各讀出2次，從上述1個(gè)RAM或上述多個(gè)RAM中的某一個(gè)各2次讀出的圖像信號都輸入源極信號線驅(qū)動(dòng)電路，由上述源極信號線驅(qū)動(dòng)電路生成2個(gè)顯示信號，上述2個(gè)顯示信號相互極性反相，上述生成的2個(gè)顯示信號通過上述像素TFT輸入上述像素電極，在各行期間中，輸入上述多個(gè)源極信號線的所有的顯示信號以上述對向電極的電位為基準(zhǔn)總是具有相同的極性，在相鄰的行期間中，輸入上述多個(gè)源極信號線的顯示信號的極性以上述對向電極的電位為基準(zhǔn)相互反相，將圖像信號寫入上述1個(gè)RAM或上述多個(gè)RAM中的某一個(gè)的期間比上述寫入的圖像信號第1次讀出的期間和第2次讀出的期間長。
本發(fā)明的半導(dǎo)體顯示裝置是包括具有多個(gè)像素的像素部、源極信號線驅(qū)動(dòng)電路和幀速率變換部的半導(dǎo)體顯示裝置，其特征在于上述多個(gè)像素分別具有像素TFT、像素電極和對向電極，上述幀速率變換部具有1個(gè)或多個(gè)RAM，圖像信號寫入上述1個(gè)RAM或上述多個(gè)RAM中的某一個(gè)，寫入上述1個(gè)RAM或上述多個(gè)RAM中的某一個(gè)的圖像信號各讀出2次，從上述1個(gè)RAM或上述多個(gè)RAM中的某一個(gè)各2次讀出的圖像信號都在D/A變換電路中變換為模擬信號后輸入源極信號線驅(qū)動(dòng)電路，由上述源極信號線驅(qū)動(dòng)電路生成2個(gè)顯示信號，上述2個(gè)顯示信號相互極性反相，上述生成的2個(gè)顯示信號通過上述像素TFT輸入上述像素電極，在各行期間中，輸入上述多個(gè)源極信號線的所有的顯示信號以上述對向電極的電位為基準(zhǔn)總是具有相同的極性，在相鄰的行期間中，輸入上述多個(gè)源極信號線的顯示信號的極性以上述對向電極的電位為基準(zhǔn)相互反相，將圖像信號寫入上述1個(gè)RAM或上述多個(gè)RAM中的某一個(gè)的期間比上述寫入的圖像信號第1次讀出的期間和第2次讀出的期間長。
本發(fā)明的半導(dǎo)體顯示裝置是包括具有多個(gè)像素的像素部、源極信號線驅(qū)動(dòng)電路和幀速率變換部的半導(dǎo)體顯示裝置，其特征在于上述多個(gè)像素分別具有像素TFT、像素電極和對向電極，上述幀速率變換部具有1個(gè)或多個(gè)RAM，圖像信號寫入上述1個(gè)RAM或上述多個(gè)RAM中的某一個(gè)，寫入上述1個(gè)RAM或上述多個(gè)RAM中的某一個(gè)的圖像信號各讀出2次，從上述1個(gè)RAM或上述多個(gè)RAM中的某一個(gè)各2次讀出的圖像信號都輸入源極信號線驅(qū)動(dòng)電路，由上述源極信號線驅(qū)動(dòng)電路生成2個(gè)顯示信號，上述2個(gè)顯示信號相互極性反相，上述生成的2個(gè)顯示信號通過上述像素TFT輸入上述像素電極，在各幀期間中，以上述對向電極的電位為基準(zhǔn)具有極性相互相反的顯示信號輸入上述多個(gè)源極信號線的相鄰的源極信號線，在相鄰的行期間中，輸入上述多個(gè)源極信號線的顯示信號以上述對向電極的電位為基準(zhǔn)相互反相，將圖像信號寫入上述1個(gè)RAM或上述多個(gè)RAM中的某一個(gè)的期間比上述寫入的圖像信號第1次讀出的期間和第2次讀出的期間長。
本發(fā)明的半導(dǎo)體顯示裝置是包括具有多個(gè)像素的像素部、源極信號線驅(qū)動(dòng)電路和幀速率變換部的半導(dǎo)體顯示裝置，其特征在于上述多個(gè)像素分別具有像素TFT、像素電極和對向電極，上述幀速率變換部具有1個(gè)或多個(gè)RAM，圖像信號寫入上述1個(gè)RAM或上述多個(gè)RAM中的某一個(gè)，寫入上述1個(gè)RAM或上述多個(gè)RAM中的某一個(gè)的圖像信號各讀出2次，從上述1個(gè)RAM或上述多個(gè)RAM中的某一個(gè)各2次讀出的圖像信號都在D/A變換電路中變換為模擬信號后輸入源極信號線驅(qū)動(dòng)電路，由上述源極信號線驅(qū)動(dòng)電路生成2個(gè)顯示信號，上述2個(gè)顯示信號相互極性反相，上述生成的2個(gè)顯示信號通過上述像素TFT輸入上述像素電極，在各幀期間中，以上述對向電極的電位為基準(zhǔn)具有極性相互相反的顯示信號輸入上述多個(gè)源極信號線的相鄰的源極信號線，在相鄰的行期間中，輸入上述多個(gè)源極信號線的顯示信號以上述對向電極的電位為基準(zhǔn)相互反相，將圖像信號寫入上述1個(gè)RAM或上述多個(gè)RAM中的某一個(gè)的期間比上述寫入的圖像信號第1次讀出的期間和第2次讀出的期間長。
本發(fā)明的半導(dǎo)體顯示裝置的驅(qū)動(dòng)方法是具有多個(gè)像素TFT、多個(gè)像素電極、對向電極和幀速率變換部的半導(dǎo)體顯示裝置的驅(qū)動(dòng)方法，其特征在于通過上述多個(gè)像素TFT將顯示信號輸入上述多個(gè)像素電極，上述幀速率變換部與上述顯示信號同步地動(dòng)作，在相鄰的任意2個(gè)幀期間中后出現(xiàn)的幀期間輸入上述多個(gè)像素電極的顯示信號是以上述對向電極的電位為基準(zhǔn)使在先出現(xiàn)的幀期間輸入上述多個(gè)像素電極的顯示信號的電位反相的信號。
本發(fā)明的半導(dǎo)體顯示裝置的驅(qū)動(dòng)方法是具有多個(gè)像素TFT、多個(gè)像素電極、對向電極和幀速率變換部的半導(dǎo)體顯示裝置的驅(qū)動(dòng)方法，其特征在于通過上述多個(gè)像素TFT將顯示信號輸入上述多個(gè)像素電極，輸入上述多個(gè)像素電極的所有的顯示信號在各幀期間中以上述對向電極的電位為基準(zhǔn)具有相同的極性，上述幀速率變換部與上述顯示信號同步地動(dòng)作，在相鄰的任意2個(gè)幀期間中后出現(xiàn)的幀期間輸入上述多個(gè)像素電極的顯示信號是以上述對向電極的電位為基準(zhǔn)使在先出現(xiàn)的幀期間輸入上述多個(gè)像素電極的顯示信號的電位反相的信號。
本發(fā)明的半導(dǎo)體顯示裝置的驅(qū)動(dòng)方法是具有多個(gè)像素TFT、多個(gè)像素電極、對向電極和幀速率變換部的半導(dǎo)體顯示裝置的驅(qū)動(dòng)方法，其特征在于輸入上述多個(gè)源極信號線的顯示信號通過上述多個(gè)像素TFT輸入上述多個(gè)像素電極，在各幀期間中，以上述對向電極的電位為基準(zhǔn)具有極性相互相反的顯示信號輸入上述多個(gè)源極信號線的相鄰的源極信號線，并且輸入上述多個(gè)源極信號線的各顯示信號以上述對向電極的電位為基準(zhǔn)總是具有相同的極性，上述幀速率變換部與上述顯示信號同步地動(dòng)作，相鄰的任意2個(gè)幀期間中在后出現(xiàn)的幀期間輸入上述多個(gè)像素電極的顯示信號是以上述對向電極的電位為基準(zhǔn)使在先出現(xiàn)的幀期間輸入上述多個(gè)像素電極的顯示信號的電位反相的信號。
本發(fā)明的半導(dǎo)體顯示裝置的驅(qū)動(dòng)方法是具有多個(gè)像素TFT、多個(gè)像素電極、對向電極和幀速率變換部的半導(dǎo)體顯示裝置的驅(qū)動(dòng)方法，其特征在于輸入上述多個(gè)源極信號線的顯示信號通過上述多個(gè)像素TFT輸入上述多個(gè)像素電極，在各行期間中，輸入上述多個(gè)源極信號線所有的顯示信號以上述對向電極的電位為基準(zhǔn)總是具有相同的極性，在相鄰的行期間，輸入上述多個(gè)源極信號線的顯示信號的極性以上述對向電極的電位為基準(zhǔn)相互反相，上述幀速率變換部與上述顯示信號同步地動(dòng)作，相鄰任意2個(gè)幀期間中在后出現(xiàn)的幀期間輸入上述多個(gè)像素電極的顯示信號是以上述對向電極的電位為基準(zhǔn)使在先出現(xiàn)的幀期間輸入上述多個(gè)像素電極的顯示信號的電位反相的信號。
本發(fā)明的半導(dǎo)體顯示裝置的驅(qū)動(dòng)方法是具有多個(gè)像素TFT、多個(gè)像素電極、對向電極和幀速率變換部的半導(dǎo)體顯示裝置的驅(qū)動(dòng)方法，其特征在于輸入上述多個(gè)源極信號線的顯示信號通過上述多個(gè)像素TFT輸入上述多個(gè)像素電極，在各幀期間中，以上述對向電極的電位為基準(zhǔn)具有極性相互相反的顯示信號輸入上述多個(gè)源極信號線的相鄰的源極信號線，在相鄰的行期間中，輸入上述多個(gè)源極信號線的顯示信號的極性以上述對向電極的電位為基準(zhǔn)相互反相，上述幀速率變換部與上述顯示信號同步地動(dòng)作，相鄰任意2個(gè)幀期間中在后出現(xiàn)的幀期間輸入上述多個(gè)像素電極的顯示信號是以上述對向電極的電位為基準(zhǔn)使在先出現(xiàn)的幀期間輸入上述多個(gè)像素電極的顯示信號的電位反相的信號。
本發(fā)明的上述RAM也可以是SDRAM。
本發(fā)明包括使用上述半導(dǎo)體顯示裝置的電腦、攝像機(jī)和DVD播放機(jī)。
附圖描述

圖1是本發(fā)明的半導(dǎo)體顯示裝置具有的幀速率變換部的框圖。
圖2是幀頻率變換部的框圖。
圖3是表示SDRAM的圖像信號的寫入和讀出的時(shí)刻的圖。
圖4是本發(fā)明的半導(dǎo)體顯示裝置的像素部和驅(qū)動(dòng)電路的圖和像素的圖形圖。
圖5是像素部的選擇信號和顯示信號的時(shí)間圖。
圖6是表示幀反相驅(qū)動(dòng)時(shí)輸入像素部的顯示信號的極性的圖形圖。
圖7是表示源極線反相驅(qū)動(dòng)時(shí)輸入像素部的顯示信號的極性的圖形圖。
圖8是表示柵極線反相驅(qū)動(dòng)時(shí)輸入像素部的顯示信號的極性的圖形圖。
圖9是表示點(diǎn)反相驅(qū)動(dòng)時(shí)輸入像素部的顯示信號的極性的圖形圖。
圖10是表示SDRAM的圖像信號的寫入和讀出的時(shí)刻的圖。
圖11是表示SDRAM的圖像信號的寫入和讀出的時(shí)刻的圖。
圖12是本發(fā)明的半導(dǎo)體顯示裝置具有的幀速率變換部的框圖。
圖13是表示SDRAM的圖像信號的寫入和讀出的時(shí)刻的圖。
圖14是本發(fā)明的模擬驅(qū)動(dòng)的半導(dǎo)體顯示裝置的像素部和驅(qū)動(dòng)電路的圖。
圖15是源極信號線驅(qū)動(dòng)電路的電路圖。
圖16是模擬開關(guān)和電平移位的電路圖。
圖17是本發(fā)明的半導(dǎo)體顯示裝置具有的幀速率變換部的框圖。
圖18是本發(fā)明的數(shù)字驅(qū)動(dòng)的半導(dǎo)體顯示裝置的像素部和驅(qū)動(dòng)電路的圖。
圖19是表示半導(dǎo)體顯示裝置的制作步驟的圖。
圖20是表示半導(dǎo)體顯示裝置的制作步驟的圖。
圖21是表示半導(dǎo)體顯示裝置的制作步驟的圖。
圖22是表示半導(dǎo)體顯示裝置的制作步驟的圖。
圖23是應(yīng)用本發(fā)明的電子儀器的圖。
圖24是應(yīng)用本發(fā)明的投影儀的圖。
圖25是應(yīng)用本發(fā)明的投影儀的圖。
圖26是表示永遠(yuǎn)矩陣型液晶顯示裝置的上面圖和像素的配置的圖。
圖27是表示交流驅(qū)動(dòng)的極性圖形的圖。
圖28是已有技術(shù)的幀反相驅(qū)動(dòng)的時(shí)間圖。
實(shí)施例描述下面，使用圖1說明本發(fā)明的半導(dǎo)體顯示裝置具有的幀速率變換部。在本實(shí)施例中，作為RAM，使用SDRAM((同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)Synchronous Dynamic Random Access Memory)。但是，本發(fā)明不限定RAM，只要是可以進(jìn)行高速的數(shù)據(jù)寫入和讀出就可以，也可以使用其他的DRAM((動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)DynamicRandom Access Memory)或SRAM((靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)StaticRandom Access Memory)。
幀速率變換部100具有控制部101、幀頻率變換部102和地址發(fā)生部106。另外，幀頻率變換部102具有第1SDRAM(SDRAM1)103、第2SDRAM(SDRAM2)104和數(shù)據(jù)格式化部105。另外，107是D/A變換電路，將從幀速率變換部100輸出的圖像信號從數(shù)字信號變換為模擬信號。
在本實(shí)施例中，幀頻率變換部102具有2個(gè)SDRAM(第1SDRAM103和第2SDRAM104)，但是，SDRAM的數(shù)不限定2個(gè)，幾個(gè)都可以。在本實(shí)施例中，為了便于說明，說明SDRAM的數(shù)為2個(gè)的情況。
Hsync信號、Vsync信號和CLK信號輸入控制部101。根據(jù)Hsync信號、Vsync信號和CLK信號，從控制部101輸出控制地址發(fā)生部的驅(qū)動(dòng)的地址發(fā)生器控制信號和控制第1SDRAM103和第2SDRAM104的驅(qū)動(dòng)的SDRAM控制信號。
地址發(fā)生部106由從控制部101輸入的地址發(fā)生控制信號驅(qū)動(dòng)，決定指定第1SDRAM103和第2SDRAM104的存儲(chǔ)地址的號碼的計(jì)數(shù)值。例如，計(jì)數(shù)值為0時(shí)，就指定第1SDRAM103和第2SDRAM104的存儲(chǔ)地址的0號地址，計(jì)數(shù)值為1時(shí)就指定1號地址，計(jì)數(shù)值為2時(shí)就指定2號地址，計(jì)數(shù)值為q時(shí)就指定q號地址。
計(jì)數(shù)值的信息作為第1計(jì)數(shù)信號和第2計(jì)數(shù)信號從地址發(fā)生部106分別輸入第1SDRAM103和第2SDRAM104。第1計(jì)數(shù)信號具有的計(jì)數(shù)值稱為第1計(jì)數(shù)值，第2計(jì)數(shù)信號具有的計(jì)數(shù)值稱為第2計(jì)數(shù)值。
數(shù)字的圖像信號從外部輸入數(shù)據(jù)格式化部105。另外，數(shù)據(jù)格式化部105與交流電源連接。
輸入數(shù)據(jù)格式化部105的數(shù)字的圖像信號順序?qū)懭胗傻?或第2SDRAM103、104的第1或第2計(jì)數(shù)信號指定的地址號。數(shù)字的圖像信號不是同時(shí)寫入多個(gè)SDRAM，而總是只寫入1個(gè)SDRAM。
在數(shù)據(jù)格式化部105中，增加輸入的數(shù)字的圖像信號的位數(shù)后，可以寫入第1SDRAM103或第2SDRAM104。
其次，寫入的圖像信號從由第1或第2SDRAM103、104的第1或第2計(jì)數(shù)信號指定的地址號順序讀出。數(shù)字的圖像信號不是從多個(gè)SDRAM中同時(shí)讀出，而總是僅從1個(gè)SDRAM中讀出。
圖像信號的讀出進(jìn)行2次。并且，圖像信號向1個(gè)SDRAM的寫入與從另一個(gè)SDRAM中圖像信號的讀出并行地進(jìn)行。
下面，使用圖2具體地說明圖1中的幀頻率變換部102的動(dòng)作。在圖2(A)中，圖像信號寫入第1SDRAM103，同時(shí)寫入第2SDRAM104的圖像信號讀出2次。在圖2(B)中，寫入第1SDRAM103的圖像信號讀出2次，同時(shí)圖像信號寫入第2SDRAM104。
在本實(shí)施例中，表示的是使用只能寫入與1個(gè)圖像相當(dāng)?shù)膱D像信號的SDRAM的例子，但是，本發(fā)明不限定此種情況。也可以使用可以寫入與1個(gè)圖像以上相當(dāng)?shù)膱D像信號的RAM。如果使用可以寫入與2個(gè)圖像以上相當(dāng)?shù)膱D像信號的RAM，在本發(fā)明中使用的RAM可以是1個(gè)。相反，使用只能寫入與1個(gè)圖像以下相當(dāng)?shù)膱D像信號的RAM時(shí)，可以通過使用多個(gè)RAM來寫入與1個(gè)圖像相當(dāng)?shù)膱D像信號。
圖3表示第1SDRAM103和第2SDRAM104的圖像信號的寫入和讀出的時(shí)刻。在寫入期間p中，圖像信號寫入第1SDRAM103。并且，在寫入期間p中，寫入第1SDRAM103的圖像信號在此后出現(xiàn)的第1讀出期間p和第2讀出期間p中讀出2次。
另外，在寫入期間(p－1)中，圖像信號寫入第2SDRAM104。并且，在寫入期間(p－1)中，寫入第2SDRAM104的圖像信號在此后出現(xiàn)的第1讀出期間(p－1)和第2讀出期間(p－1)中讀出2次。
并且，寫入期間p與第1和第2讀出期間(p－1)同時(shí)出現(xiàn)。即，與圖像信號寫入第1SDRAM103并行地從第2SDRAM104中2次讀出圖像信號。
另外，寫入期間(p＋1)與第1和第2讀出期間p同時(shí)出現(xiàn)。即，與圖像信號寫入第2SDRAM104并行地從第1SDRAM103中2次讀出圖像信號。
第1和第2讀出期間p結(jié)束時(shí)，寫入期間(p＋2)出現(xiàn)，圖像信號再次寫入第1SDRAM103。與此并行地，第1和第2讀出期間(p＋1)出現(xiàn)，從第2SDRAM104中2次讀出圖像信號。
讀出的圖像信號輸入數(shù)據(jù)格式化部105。并且，在數(shù)據(jù)格式化部105中，2次讀出的圖像信號中某一方的圖像信號變換為模擬信號時(shí)，就以液晶的對向電極的電位為基準(zhǔn)，極性發(fā)生反相，按此方式進(jìn)行數(shù)據(jù)處理。并且，進(jìn)行數(shù)據(jù)處理的圖像信號與不進(jìn)行數(shù)據(jù)處理的圖像信號這樣2個(gè)圖像信號作為已處理的圖像信號從數(shù)據(jù)格式化部105輸出。
從數(shù)據(jù)格式化部105輸出的2個(gè)圖像信號輸入D/A變換電路107，變換為模擬信號。高低2個(gè)電源電壓恒定地供給D/A變換電路107，從D/A變換電路107輸出以對向電極的電位為基準(zhǔn)的極性反相的2個(gè)模擬的圖像信號。變換為模擬信號的2個(gè)圖像信號順序輸入源極信號線驅(qū)動(dòng)電路。
在數(shù)據(jù)格式化部105中，也可以將圖像信號進(jìn)行串并變換，分割為分割驅(qū)動(dòng)的分割數(shù)后，輸入D/A變換電路107。
所謂分割驅(qū)動(dòng)，就是不使圖像顯示速度減慢而抑制源極信號線驅(qū)動(dòng)電路的驅(qū)動(dòng)頻率的驅(qū)動(dòng)方法。具體而言，就是將源極信號線分割為m個(gè)組，在1行期間中，將顯示信號同時(shí)輸入m條源極信號線的驅(qū)動(dòng)方法。
圖4表示使用本發(fā)明的驅(qū)動(dòng)方法的有源矩陣型液晶顯示裝置的像素部的結(jié)構(gòu)。圖4(A)是像素的電路圖，圖4(B)是表示像素的配置的圖。
110表示像素部。與源極信號線驅(qū)動(dòng)電路連接的源極信號線S1～Sx和與柵極信號線驅(qū)動(dòng)電路連接的柵極信號線G1～Gy設(shè)置在像素部110中。并且，在像素部110中，在由源極信號線S1～Sx和柵極信號線G1～Gy包圍的部分設(shè)置像素111。并且，在像素111上設(shè)置像素TFT112和像素電極113。
從柵極信號線驅(qū)動(dòng)電路向柵極信號線G1～Gy輸入選擇信號，由上述選擇信號控制上述像素TFT112的開關(guān)。在本說明書中，所謂控制TFT的開關(guān)，就是指選擇使TFT成為導(dǎo)通狀態(tài)或截止?fàn)顟B(tài)。
由從柵極信號線驅(qū)動(dòng)電路輸入柵極信號線G1的選擇信號選擇柵極信號線G1，使柵極信號線G1與源極信號線S1交叉的部分的像素(1、1)、(1、2)、…、(1、x)的像素TFT112成為導(dǎo)通狀態(tài)。
輸入源極信號線驅(qū)動(dòng)電路的極性反相的2個(gè)模擬的圖像信號按照源極信號線驅(qū)動(dòng)電路的移位寄存器等的采樣信號順序進(jìn)行采樣，并分別作為顯示信號而輸入源極信號線S1～Sx。
并且，輸入源極信號線S1～Sx的顯示信號通過像素TFT112輸入像素(1、1)、(1、2)、…、(1、x)的像素電極113。利用該輸入的顯示信號的電位驅(qū)動(dòng)液晶，控制透過光量，在像素(1、1)、(1、2)、…、(1、x)上顯示圖像的一部分(與像素(1、1)、(1、2)、…、(1、x)相當(dāng)?shù)膱D像)。
顯示信號輸入與柵極信號線G1連接的所有的像素時(shí)，就不選擇柵極信號線G1。然后，由保持電容(圖中未示出)等保持著在像素(1、1)、(1、2)、…、(1、x)上顯示圖像的狀態(tài)，由輸入柵極信號線G2的選擇信號選擇柵極信號線G2。所謂保持電容，就是用于在一定的期間保持輸入像素TFT112的柵極的顯示信號的電位的電容。并且，在與柵極信號線G2連接的所有的像素(2、1)、(2、2)、…、(2、x)上同樣一一顯示圖像的一部分。在此期間，繼續(xù)選擇柵極信號線G2。
通過在所有的柵極信號線中順序反復(fù)進(jìn)行上述動(dòng)作，在像素部110上顯示1個(gè)圖像。將顯示該1個(gè)圖像的期間稱為1幀期間。也可以將在像素部110上顯示1個(gè)圖像的期間與垂直回描期間合起來作為1幀期間。并且，所有的像素由保持電容(圖中未示出)等保持顯示圖像的狀態(tài)，直至各像素的像素TFT再次成為導(dǎo)通狀態(tài)為止。
2個(gè)圖像信號的極性反相，采樣后輸入各源極信號線的顯示信號的極性也反相。在圖4所示的有源矩陣型液晶顯示裝置中，輸入柵極信號線和源極信號線的選擇信號和顯示信號的時(shí)間圖示于圖5。
行期間表示選擇1個(gè)實(shí)際上信號線的期間，出現(xiàn)了所有的行期間(L1～Ly)的期間相當(dāng)于1幀期間?；蛘?，也可以將所有的行期間(L1～Ly)與垂直回掃期間合起來作為1幀期間。本發(fā)明的有源矩陣型液晶顯示裝置的情況，具有顯示相同的圖像的前半幀期間和后半幀期間。
前半幀期間根據(jù)在第1讀出期間從SDRAM中讀出的圖像信號顯示圖像。并且，后半幀期間根據(jù)在第2讀出期間從SDRAM中讀出的圖像信號顯示圖像。因此，在前半幀期間和后半幀期間中，顯示的圖像相同，但是，輸入各源極信號線的顯示信號的極性反相。
圖6表示進(jìn)行幀反相驅(qū)動(dòng)時(shí)輸入各像素的像素電極的顯示信號的極性。在圖6中，第1、第3、第5幀期間與前半幀期間相當(dāng)，第2、第4幀期間與后半幀期間相當(dāng)。
在所有的幀期間中，輸入所有的像素的像素電極的顯示信號的極性相同。并且，在前半幀期間和后半幀期間中，輸入各像素的顯示信號的極性反相。
在第1幀期間和第2幀期間中，顯示的圖像相同。另外，在第3幀期間和第4幀期間中，顯示的圖像相同。關(guān)于第6幀期間，圖中未示出，但是，在第5幀期間和第6幀期間中，顯示的圖像相同。
其次，圖7表示進(jìn)行源極線反相驅(qū)動(dòng)時(shí)輸入各像素的像素電極的顯示信號的極性。在圖7中，第1、第3、第5幀期間與前半幀期間相當(dāng)，第2、第4幀期間與后半幀期間相當(dāng)。
在所有的幀期間中，輸入與各源極信號線連接的像素的像素電極的顯示信號的極性全部相同。另外，輸入與相互相鄰的源極信號線連接的像素的像素電極的顯示信號的極性反相。并且，在前半幀期間和后半幀期間中，輸入各像素的顯示信號的極性反相。
在第1幀期間和第2幀期間中，顯示的圖像相同。另外，在第3幀期間和第4幀期間中，顯示的圖像相同。關(guān)于第6幀期間，圖中未示出，但是，在第5幀期間和第6幀期間中，顯示的圖像相同。
其次，圖8表示進(jìn)行實(shí)際上線反相驅(qū)動(dòng)時(shí)輸入各像素的像素電極的顯示信號的極性。在圖8中，第1、第3、第5幀期間與前半幀期間相當(dāng)，第2、第4幀期間與后半幀期間相當(dāng)。
在所有的幀期間中，輸入與各柵極信號線連接的像素的像素電極的顯示信號的極性全部相同。另外，輸入與相互相鄰的柵極信號線連接的像素的像素電極的顯示信號的極性反相。并且，在前半幀期間和后半幀期間中，輸入各像素的顯示信號的極性反相。
在第1幀期間和第2幀期間中，顯示的圖像相同。另外，在第3幀期間和第4幀期間中，顯示的圖像相同。關(guān)于第6幀期間，圖中未示出，但是，在第5幀期間和第6幀期間中，顯示的圖像相同。
其次，圖9表示進(jìn)行點(diǎn)反相驅(qū)動(dòng)時(shí)輸入各像素的像素電極的顯示信號的極性。在圖9中，第1、第3、第5幀期間與前半幀期間相當(dāng)，第2、第4幀期間與后半幀期間相當(dāng)。
在所有的幀期間中，輸入相互相鄰的像素的像素電極的顯示信號的極性全部反相。并且，在前半幀期間和后半幀期間中，輸入各像素的顯示信號的極性反相。
在第1幀期間和第2幀期間中，顯示的圖像相同。另外，在第3幀期間和第4幀期間中，顯示的圖像相同。關(guān)于第6幀期間，圖中未示出，但是，在第5幀期間和第6幀期間中，顯示的圖像相同。
本發(fā)明利用上述結(jié)構(gòu)可以使從SDRAM中讀出后的圖像信號的頻率比寫入SDRAM前的圖像信號的頻率高。因此，不提高從外部輸入的圖像信號的頻率在有源矩陣型液晶顯示裝置的內(nèi)部就可以提高幀頻率，所以，不會(huì)給生成圖像信號的電子儀器增加負(fù)擔(dān)，可以進(jìn)行觀察者看不到閃爍或縱紋、橫紋和斜紋的鮮明而高精細(xì)的圖像顯示。
并且，在本發(fā)明中，重要的是以對向電極的電位(對向電位)為基準(zhǔn)使從SDRAM中2次讀出的圖像信號中的某一方的圖像信號的電位反相而輸入源極信號線驅(qū)動(dòng)電路。因此，在連續(xù)的2個(gè)幀期間中，輸入各像素的顯示信號的電位以對向電極的電位(對向電位)為基準(zhǔn)發(fā)生反相，在像素部上顯示相同的圖像。利用上述結(jié)構(gòu)，輸入各像素的顯示信號的電位的時(shí)間平均值由于對向電位而接近，與在各幀期間向各像素輸入不同的顯示信號的情況相比，對于防止液晶的劣化是有效的，觀察者不易看到閃爍或縱紋、橫紋和斜紋。
另外，在本發(fā)明中，特別是通過使用幀反相可以抑制在相鄰像素間發(fā)生稱為離散的現(xiàn)象，從而可以防止所顯示的畫面全體的亮度降低。
上述驅(qū)動(dòng)方法是按使用逐行掃描的例子說明的，但是，本發(fā)明的掃描方式不限定此種情況。掃描方式也可以是隔行掃描。
另外，在本實(shí)施例中，通過向D/A變換電路恒定地供給高低2個(gè)電源電壓，從D/A變換電路輸出極性反相的2個(gè)模擬的圖像信號，利用模擬開關(guān)等選擇其中的某一方。但是，使圖像信號的極性反相的方法不限定此法，可以使用眾所周知的方法。例如，可以在輸入D/A變換電路之前將相互反相的極性作為信息包含在2個(gè)數(shù)字的圖像信號中。另外，也可以通過控制供給D/A變換電路的電源電壓的大小而使從D/A變換電路中連續(xù)輸出的2個(gè)模擬的圖像信號的極性相互反相。
(實(shí)施例)下面，說明本發(fā)明的實(shí)施例。
實(shí)施例1.
在本實(shí)施例中，對于與圖3不同的例子說明圖1的第1SDRAM103和第2SDRAM104的圖像信號的寫入和讀出時(shí)刻。
在本實(shí)施例中，第1和第2讀出期間比寫入期間短。并且，在第1和第2讀出期間結(jié)束之后、下一寫入期間開始之前設(shè)置不進(jìn)行圖像信號的寫入和讀出的空閑期間。
圖10表示第1SDRAM103和第2SDRAM104的圖像信號的寫入和讀出的時(shí)刻。在寫入期間p中，圖像信號寫入第1SDRAM103。并且，在寫入期間p寫入第1SDRAM103的圖像信號在第1讀出期間p和第2讀出期間p中2次讀出。
另外，在寫入期間(p－1)中，圖像信號寫入第2SDRAM104。并且，在寫入期間(p－1)寫入第2SDRAM104的圖像信號在第1讀出期間(p－1)和第2讀出期間(p－1)中2次讀出。
并且，寫入期間p與第1和第2讀出期間(p－1)同時(shí)出現(xiàn)。即，與圖像信號寫入第1SDRAM103并行地從第2SDRAM104中2次讀出圖像信號。
另外，寫入期間(p＋1)與第1和第2讀出期間p同時(shí)出現(xiàn)。即與圖像信號寫入第2SDRAM104并行地從第1SDRAM103中2次讀出圖像信號。
并且，在第1和第2讀出期間p結(jié)束時(shí)，出現(xiàn)空閑期間?？臻e期間是不進(jìn)行圖像信號的寫入和讀出的期間。在空閑期間結(jié)束時(shí)，出現(xiàn)寫入期間(p＋2)，圖像信號再次寫入第1SDRAM103。與此并行地出現(xiàn)第1和第2讀出期間(p＋1)，從第2SDRAM104中2次讀出圖像信號。
空閑期間的長度必須比從寫入期間中減去第1和第2期間后的長度長。只要空閑期間不會(huì)引起閃爍，設(shè)置幾個(gè)都可以。通過設(shè)置空閑期間，圖像信號不寫入2個(gè)以上的SDRAM，另外，也不從2個(gè)以上的SDRAM中讀出圖像信號。
空閑期間可以設(shè)置在寫入期間與第1讀出期間之間，也可以設(shè)置在第2讀出期間與寫入期間之間。另外，也可以設(shè)置在第1讀出期間與第2讀出期間之間。
2次讀出的圖像信號輸入數(shù)據(jù)格式化部105。
實(shí)施例2.
在本實(shí)施例中，對于與圖3、圖10不同的例子說明圖1的第1SDRAM103和第2SDRAM104的圖像信號的寫入和讀出時(shí)刻。
在本實(shí)施例中，第1和第2讀出期間比寫入期間長。并且，在寫入期間結(jié)束后、下十個(gè)第1讀出期間開始之前設(shè)置不進(jìn)行圖像信號的寫入和讀出的空閑期間。
圖11表示第1SDRAM103和第2SDRAM104的圖像信號的寫入和讀出的時(shí)刻。在寫入期間p中，圖像信號寫入第1SDRAM103。在寫入期間p結(jié)束時(shí)，出現(xiàn)空閑期間?？臻e期間是不進(jìn)行圖像信號的寫入和讀出的期間。
在空閑期間結(jié)束之后，在寫入期間p寫入第1SDRAM103的圖像信號在第1讀出期間p和第2讀出期間p中2次讀出。
另外，在寫入期間(p－1)中，圖像信號寫入第2SDRAM104。在寫入期間(p－1)結(jié)束時(shí)，出現(xiàn)空閑期間。在空閑期間結(jié)束之后，在寫入期間(p－1)寫入第2SDRAM104的圖像信號在第1讀出期間(p－1)和第2讀出期間(p－1)中2次讀出。
并且，寫入期間p與第1和第2讀出期間(p－1)同時(shí)出現(xiàn)。即，與圖像信號寫入第1SDRAM103并行地從第2SDRAM104中2次讀出圖像信號。
另外，寫入期間(p＋1)與第1和第2讀出期間p同時(shí)出現(xiàn)。即，與圖像信號寫入第2SDRAM104并行地從第1SDRAM103中2次讀出圖像信號。
并且，在第1和第2讀出期間p結(jié)束時(shí)，寫入期間(p＋2)出現(xiàn)，圖像信號再次寫入第1SDRAM103。與此并行地出現(xiàn)第1和第2讀出期間(p＋1)，從第2SDRAM104中2次讀出圖像信號。
空閑期間的長度必須比從第1讀出期間與第2讀出期間相加的長度中減去寫入期間后的長度長。空閑期間只要圖像不閃爍就可以，設(shè)置幾個(gè)都行。通過設(shè)置空閑期間，圖像信號不寫入2個(gè)以上的SDRAM，另外，也不從2個(gè)以上的SDRAM中讀出圖像信號。
空閑期間可以設(shè)置在寫入期間與第1讀出期間之間，也可以設(shè)置在第2讀出期間與寫入期間之間。另外，也可以設(shè)置在第1讀出期間與第2讀出期間之間。
2次讀出的圖像信號輸入數(shù)據(jù)格式化部105。
本實(shí)施例可以與實(shí)施例1自由地組合。
實(shí)施例3.
在本實(shí)施例中，使用圖12說明本發(fā)明的半導(dǎo)體顯示裝置具有的幀速率變換部的與圖1不同的例子。
在本實(shí)施例中，幀速率變換部具有3個(gè)SDRAM。
幀速率變換部200具有控制部201、幀頻率變換部202和地址發(fā)生部206。另外，幀頻率變換部202具有第1SDRAM(SDRAM1)203、第2SDRAM(SDRAM2)204、第3SDRAM(SDRAM3)207和數(shù)據(jù)格式化部205。另外，208是D/A變換電路，將從幀速率變換部200輸出的圖像信號從數(shù)字信號變換為模擬信號。
在本實(shí)施例中，幀頻率變換部202具有3個(gè)SDRAM(第1SDRAM203、第2SDRAM204、第3SDRAM207)，但是，SDRAM的數(shù)不限定為3個(gè)。
Hsync信號、Vsync信號、CLK信號輸入控制部201。根據(jù)Hsync信號、Vsync信號、CLK信號，從控制部201輸出控制地址發(fā)生部的驅(qū)動(dòng)的地址發(fā)生控制信號和控制第1SDRAM203、第2SRAM204和第3SDRAM207的驅(qū)動(dòng)的SDRAM控制信號。
地址發(fā)生部206由從控制部201輸入的地址發(fā)生控制信號驅(qū)動(dòng)，決定指定第1SDRAM203、第2SDRAM204和第3SDRAM207的存儲(chǔ)地址的地址號的計(jì)數(shù)值。例如，計(jì)數(shù)值為0時(shí)，第1SDRAM203、第2SDRAM204和第3SDRAM207的存儲(chǔ)地址指定為0號地址，計(jì)數(shù)值為1時(shí)就指定為1號地址，計(jì)數(shù)值為2時(shí)就指定為2號地址，計(jì)數(shù)值為q時(shí)就指定為q號地址。計(jì)數(shù)值的信息作為第1計(jì)數(shù)信號、第2計(jì)數(shù)信號和第1計(jì)數(shù)信號從地址發(fā)生部206分別輸入第1SDRAM203、第2SDRAM204和第3SDRAM207。
將第1計(jì)數(shù)信號具有的計(jì)數(shù)值稱為第1計(jì)數(shù)值、將第2計(jì)數(shù)信號具有的計(jì)數(shù)值稱為第2計(jì)數(shù)值、將第3計(jì)數(shù)信號具有的計(jì)數(shù)值稱為第3計(jì)數(shù)值。
數(shù)字的圖像信號輸入數(shù)據(jù)格式化部205。另外，數(shù)據(jù)格式化部205與交流電源連接。
輸入數(shù)據(jù)格式化部205的數(shù)字的圖像信號順序?qū)懭氲?SDRAM203、第2SDRAM204或第3SDRAM207的指定的地址號。數(shù)字的圖像信號不是同時(shí)寫入多個(gè)SDRAM，而總是只寫入1個(gè)SDRAM。
另外，在數(shù)據(jù)格式化部205中，可以在增加輸入的數(shù)字的圖像信號的位數(shù)后寫入第1SDRAM203、第2SDRAM204或第3SDRAM207。
其次，寫入的圖像信號順序從第1SDRAM203、第2SDRAM204或第3SDRAM207的指定的地址號讀出。數(shù)字的圖像信號不是同時(shí)從多個(gè)SDRAM中讀出，而總是只從1個(gè)SDRAM中讀出。
圖像信號的讀出進(jìn)行2次。并且，并行地進(jìn)行圖像信號向1個(gè)SDRAM的寫入和圖像信號從其他的1個(gè)SDRAM中讀出。
圖13表示第1SDRAM203、第2SDRAM204和第3SDRAM207的圖像信號的寫入和讀出的時(shí)刻。
在寫入期間p中圖像信號寫入第1SDRAM203。并且，在寫入期間p中寫入第1SDRAM203的圖像信號在第1讀出期間p和第2讀出期間p中2次讀出。
另外，在寫入期間(p－1)中圖像信號寫入第2SDRAM204。并且，在寫入期間(p－1)中寫入第2SDRAM204的圖像信號在第1讀出期間(p－1)和第2讀出期間(p－1)中2次讀出。
另外，在寫入期間(p＋1)中圖像信號寫入第3SDRAM207。并且，在寫入期間(p＋1)中寫入第3SDRAM207的圖像信號在第1讀出期間(p＋1)和第2讀出期間(p＋1)中2次讀出。
并且，寫入期間p與第1和第2讀出期間(p－1)同時(shí)出現(xiàn)。即，與圖像信號寫入第1SDRAM203并行地從第2SDRAM204中2次讀出圖像信號。
另外，寫入期間(p＋1)與第1和第2讀出期間p同時(shí)出現(xiàn)。即，與圖像信號寫入第3SDRAM207并行地從第1SDRAM203中2次讀出圖像信號。
另外，寫入期間(p＋2)與第1和第2讀出期間(p＋1)同時(shí)出現(xiàn)。即，與圖像信號寫入第2SDRAM204并行地從第3SDRAM207中2次讀出圖像信號。
在第1和第2讀出期間p結(jié)束時(shí)，出現(xiàn)空閑期間。在第1SDRAM203的空閑期間中，第2SDRAM204是寫入期間(p＋2)中，第3SDRAM207是第1和第2讀出期間(p＋1)中。
在第1和第2讀出期間(p－1)結(jié)束時(shí)，出現(xiàn)空閑期間。在第2SDRAM204的空閑期間中，第3SDRAM207是寫入期間(p＋1)中，第1SDRAM203是第1和第2讀出期間p中。
在第1和第2讀出期間(p＋1)結(jié)束時(shí)，出現(xiàn)空閑期間。在第3SDRAM207的空閑期間中，第1SDRAM203是寫入期間(p＋3)中，第2SDRAM204是第1和第2讀出期間(p＋2)中。
在第1SDRAM203、第2SDRAM204、第3SDRAM207中，空閑期間結(jié)束時(shí)，分別開始下一個(gè)寫入期間。
2次讀出的圖像信號輸入數(shù)據(jù)格式化部205。并且，在數(shù)據(jù)格式化部205中進(jìn)行數(shù)據(jù)處理，以使2次讀出的圖像信號中某一方的圖像信號變換為模擬信號時(shí)以液晶的對向電極的電位為基準(zhǔn)極性發(fā)生反相。并且，進(jìn)行了數(shù)據(jù)處理的圖像信號和不進(jìn)行數(shù)據(jù)處理的圖像信號這2個(gè)圖像信號從數(shù)據(jù)格式化部205輸出。
從數(shù)據(jù)格式化部205輸出的2個(gè)圖像信號輸入D/A變換電路208，變換為模擬信號。變換為模擬信號的2個(gè)圖像信號以對向電極的電位為基準(zhǔn)極性發(fā)生反相。變換為模擬信號的2個(gè)圖像信號順序輸入源極信號線驅(qū)動(dòng)電路。
在數(shù)據(jù)格式化部205中，可以將圖像信號進(jìn)行串并變換，分割為分割驅(qū)動(dòng)的分割數(shù)后輸入D/A變換電路208。
使用本發(fā)明的驅(qū)動(dòng)方法的有源矩陣型液晶顯示裝置的結(jié)構(gòu)和輸入像素部的顯示信號的極性與圖4～圖9所示的相同，所以，在本實(shí)施例中省略其說明。
在本實(shí)施例中，第1SDRAM203、第2SDRAM204和第3SDRAM207的圖像信號的寫入和讀出不限于在圖13所示的時(shí)刻進(jìn)行。第1和第2讀出期間可以比寫入期間長，也可以比寫入期間短。但是，重要的是調(diào)整空閑期間的長度，以使圖像信號不寫入2個(gè)以上的SDRAM，也不從2個(gè)以上的SDRAM中讀出圖像信號。
另外，空閑期間可以設(shè)置在寫入期間與第1讀出期間之間，也可以設(shè)置在第2讀出期間與寫入期間之間。另外，也可以設(shè)置在第2讀出期間與第2讀出期間之間。
2次讀出的圖像信號輸入數(shù)據(jù)格式化部205。
實(shí)施例4.
在本實(shí)施例中，說明按模擬方式驅(qū)動(dòng)的本發(fā)明的半導(dǎo)體顯示裝置的詳細(xì)結(jié)構(gòu)。圖14表示按模擬方式驅(qū)動(dòng)的本發(fā)明的半導(dǎo)體顯示裝置的一例的框圖。
301是源極信號線驅(qū)動(dòng)電路、302是柵極信號線驅(qū)動(dòng)電路、303是像素部。在本實(shí)施例中，源極信號線驅(qū)動(dòng)電路和柵極信號線驅(qū)動(dòng)電路各設(shè)置了1個(gè)，但是，本發(fā)明不限定該結(jié)構(gòu)?？梢栽O(shè)置2個(gè)源極信號線驅(qū)動(dòng)電路，也可以設(shè)置2個(gè)柵極信號線驅(qū)動(dòng)電路。
源極信號線驅(qū)動(dòng)電路301具有移位寄存器301_1、電平移位器301_2和采樣電路301_3。電平移位器301_2根據(jù)需要可以使用也可以不一定使用。另外，在本實(shí)施例中，電平移位器301_2設(shè)置在移位寄存器301_1與采樣電路301_3之間，但是，本發(fā)明不限定該結(jié)構(gòu)。也可以將電平移位器301_2組裝到移位寄存器301_1中。
在像素部303中，和源極信號線驅(qū)動(dòng)電路301連接的源極信號線304與和柵極信號線驅(qū)動(dòng)電路302連接的柵極信號線306交叉。在由該源極信號線304和柵極信號線306包圍的區(qū)域中設(shè)置像素305的薄膜晶體管(像素TFT)307、將液晶夾在對向電極與像素電極之間的液晶單元308和保持電容309。在本實(shí)施例中，圖示出了設(shè)置保持電容309的結(jié)構(gòu)，但是，也不一定必須設(shè)置保持電容309。
另外，柵極信號線驅(qū)動(dòng)電路302具有移位寄存器、緩沖器(圖中都未示出)。另外，也可以具有電平移位器。
作為脈沖控制信號的源極用的時(shí)鐘信號(S-CLK)、源極用的開始脈沖信號(S-SP)輸入移位寄存器301_1。從移位寄存器301_1輸出用于將顯示信號采樣的采樣信號。輸出的采樣信號輸入電平移位器301_2，其電位的振幅增大后輸出。
從電平移位器301_2輸出的采樣信號輸入采樣電路301_3。并且，圖像信號同時(shí)通過圖像信號線(圖中未示出)輸入采樣電路301_3。
在采樣電路301_3中，輸入的圖像信號根據(jù)采樣信號分別被采樣，并作為顯示信號輸入源極信號線304。
像素TFT307根據(jù)通過柵極信號線306從柵極信號線驅(qū)動(dòng)電路302輸入的選擇信號成為導(dǎo)通狀態(tài)。采樣后輸入源極信號線304的顯示信號通過導(dǎo)通狀態(tài)的像素TFT307輸入指定的像素305的像素電極。
利用該輸入的顯示信號的電位驅(qū)動(dòng)液晶，控制透過光量，在像素305上顯示圖像的一部分(與各像素相當(dāng)?shù)膱D像)。
本實(shí)施例可以與實(shí)施例1～3自由地組合。
實(shí)施例5.
在本實(shí)施例中，說明在實(shí)施例4中所示的源極信號線驅(qū)動(dòng)電路301的詳細(xì)結(jié)構(gòu)。在實(shí)施例4中所示的源極信號線驅(qū)動(dòng)電路不限定在本實(shí)施例中所示的結(jié)構(gòu)。
圖15表示本實(shí)施例的源極信號線驅(qū)動(dòng)電路的電路圖。301_1是移位寄存器、301_2是電平移位器、301_3是采樣電路。
源極用的時(shí)鐘信號S-CLK、源極用的開始脈沖信號S-SP和驅(qū)動(dòng)方向切換信號SL/R分別從圖示的配線輸入移位寄存器301_1。圖像信號通過圖像信號線310輸入采樣電路301_3。在本實(shí)施例中，表示按4等分進(jìn)行分割驅(qū)動(dòng)時(shí)的例子。因此，圖像信號線310有4條。但是，本實(shí)施例不限定該結(jié)構(gòu)，分割數(shù)可以任意決定。
輸入圖像信號線310的圖像信號在采樣電路301_3中根據(jù)從電平移位器301_2輸入的采樣信號進(jìn)行采樣。具體而言，圖像信號由采樣電路301_3具有的模擬開關(guān)311進(jìn)行采樣，并同時(shí)輸入分別對應(yīng)的源極信號線304_1～304_4。
通過反復(fù)進(jìn)行上述動(dòng)作，顯示信號就輸入所有的源極信號線。
圖16(A)表示模擬開關(guān)311的等效電路圖。模擬開關(guān)311具有n溝道型TFT和p溝道型TFT。圖像信號從圖中所示的配線作為Vin而輸入。并且，從電平移位器301_2輸出的采樣信號和具有與該采樣信號相反極性的信號分別從IN或INb輸入。根據(jù)該采樣信號將圖像信號采樣，并作為顯示信號從Vout輸出。
圖16(B)表示電平移位器301_2的等效電路圖。從移位寄存器301_1輸出的采樣信號和具有與該采樣信號相反極性的信號分別從Vin或Vinb輸入。另外，Vddh表示正的電壓，Vss表示負(fù)的電壓。電平移位器301_2設(shè)計(jì)為從Voutb輸出使輸入Vin的信號成為高電壓并反相的信號。即，高電平輸入Vin時(shí)，從Voutb輸出與Vss相當(dāng)?shù)男盘?，輸入低電平時(shí)，從Voutb輸出與Vddh相當(dāng)?shù)男盘枴?br> 本實(shí)施例可以與實(shí)施例1～4自由地組合。
實(shí)施例6.
下面，使用圖17說明本發(fā)明的半導(dǎo)體顯示裝置具有的幀速率變換部。
圖17所示的幀速率變換部100與圖1所示的相同，所以，關(guān)于詳細(xì)的動(dòng)作和結(jié)構(gòu)的說明參見前面的說明。但是，在本實(shí)施例中，從幀速率變換部100輸出的圖像信號不輸入D/A變換電路，而仍然以數(shù)字的形式輸入源極信號線驅(qū)動(dòng)電路。
SDRAM的數(shù)不限定2個(gè)，只要是2個(gè)以上，幾個(gè)都行。
下面，使用圖18說明按在本實(shí)施例中使用的數(shù)字方式驅(qū)動(dòng)的半導(dǎo)體顯示裝置。
圖18表示按數(shù)字方式驅(qū)動(dòng)的本發(fā)明的半導(dǎo)體顯示裝置的框圖。這里，以4位的數(shù)字驅(qū)動(dòng)方式的半導(dǎo)體顯示裝置為例。在本實(shí)施例中使用的數(shù)字驅(qū)動(dòng)方式的半導(dǎo)體顯示裝置不限定圖18所示的結(jié)構(gòu)。只要可以使用數(shù)字的圖像信號進(jìn)行顯示就可以，半導(dǎo)體顯示裝置具有什么樣的結(jié)構(gòu)都行。
如圖18所示，數(shù)字驅(qū)動(dòng)方式的半導(dǎo)體顯示裝置設(shè)置了源極信號線驅(qū)動(dòng)電路412、實(shí)際上信號線驅(qū)動(dòng)電路409和像素部413。
源極信號線驅(qū)動(dòng)電路412設(shè)置了移位寄存器401、鎖存器1(LAT1)403、鎖存器2(LAT2)404和D/A變換電路406。并且，數(shù)字的圖像信號從幀速率變換部100輸入地址線402(a～d)。
地址線402(a～d)與鎖存器1(LAT1)403連接。另外，鎖存器脈沖線405與鎖存器2(LAT2)404連接。2調(diào)電壓線407與D/A變換電路406連接。
在本實(shí)施例中，鎖存器1(LAT1)403和鎖存器2(LAT2)404分別簡單地表示為4個(gè)鎖存器。
并且，在像素部413上設(shè)置與源極信號線驅(qū)動(dòng)電路412的D/A變換電路406連接的源極信號線408和與柵極信號線驅(qū)動(dòng)電路409連接的柵極信號線410。
在像素部413中，在源極信號線408與柵極信號線410交叉的部分設(shè)置像素415，像素415具有像素TFT411和液晶單元414。
根據(jù)移位寄存器401的時(shí)刻信號供給地址線402(a～d)的數(shù)字的圖像信號順序?qū)懭胨械逆i存器1(LAT1)403。在本說明書中，將所有的鎖存器1(LAT1)403總稱為LAT1群。
數(shù)字的圖像信號向LAT1群的寫入完成1行的期間稱為1行期間。即，數(shù)字的圖像信號向最左側(cè)的LAT1的寫入開始到數(shù)字的圖像信號向最右側(cè)的LAT1的寫入結(jié)束的期間是1行期間。也可以將數(shù)字的圖像信號向LAT1群的寫入完成1行的期間與水平回掃期間合起來作為1個(gè)行期間。
數(shù)字的圖像信號向LAT1群的寫入結(jié)束之后，寫入LAT1群的數(shù)字的圖像信號由輸入鎖存器脈沖線405的鎖存信號一起向所有的鎖存器2(LAT2)404傳送并寫入。在本說明書中，將所有的LAT2總稱為LAT2群。
將數(shù)字的圖像信號向LAT2群傳送后，第2個(gè)行期間開始。因此，根據(jù)移位寄存器401的時(shí)刻信號，供給地址線402(a～d)的數(shù)字的圖像信號再次順序?qū)懭隠AT1群。
在該第2個(gè)行期間開始的同時(shí)，寫入LAT2群的數(shù)字的圖像信號一起輸入D/A變換電路406。并且，輸入的數(shù)字的圖像信號在D/A變換電路406中變換為具有與該數(shù)字的圖像信號所具有的圖像信息相應(yīng)的電壓的模擬的顯示信號，并輸入源極信號線408。
根據(jù)從柵極信號線驅(qū)動(dòng)電路409輸出的選擇信號進(jìn)行對應(yīng)的像素TFT411的通/斷控制，由輸入源極信號線408的模擬的顯示信號驅(qū)動(dòng)液晶分子。
在本實(shí)施例中，通過在各幀期間改變輸入地址線402的圖像信號的值，來改變從D/A變換電路406輸出的模擬的顯示信號的極性。
本實(shí)施例可以與實(shí)施例1～3自由地組合。
實(shí)施例7.
下面，使用圖19～圖22說明作為本發(fā)明的半導(dǎo)體顯示裝置之一的液晶顯示裝置的制造方法的一例。這里，按照工序詳細(xì)說明同時(shí)制造像素部的像素TFT、保持電容、設(shè)置在像素部的周邊的源極信號線驅(qū)動(dòng)電路和柵極信號線驅(qū)動(dòng)電路的TFT的方法。
在圖19(A)中，基板501使用以コ-ニング公司的#7059玻璃或#1737玻璃等為代表的鋇硼硅酸玻璃或鋁硼硅酸玻璃等玻璃基板或石英基板等。使用玻璃基板時(shí)，可以在比玻璃變形點(diǎn)低的10～20℃的溫度下預(yù)先進(jìn)行熱處理。并且，為了防止基板501上的雜質(zhì)擴(kuò)散，在基板501形成TFT的表面形成由氧化硅膜、氮化硅膜或氧化氮化硅膜等絕緣膜構(gòu)成的基底膜502。例如，利用等離子體CVD法形成10～200nm(最好是50～100nm)厚的由SiH4、NH3、N2O構(gòu)成的氧化氮化硅膜502a，按同樣的辦法，集層形成50～200nm(最好是100～150nm)厚的由SiH4、N2O構(gòu)成的氧化氮化硅膜502b。這里，表示的是2層結(jié)構(gòu)的基底膜502，但是，可以形成上述絕緣膜的單層膜或集層形成2層以上的膜。
使用平行平板型的等離子體CVD法形成氧化氮化硅膜502a。氧化氮化硅膜502a是將10SCCM的SiH4、100SCCM的NH3、20SCCM的N2O導(dǎo)入反應(yīng)室，在基板溫度325℃、反應(yīng)壓力40Pa、放電功率密度0.41W/cm2、放電頻率60MHz的條件下形成的。氧化氮化硅膜502b是將5SCCM的SiH4、120SCCM的N2O、125SCCM的H2導(dǎo)入反應(yīng)室，在基板溫度400℃、反應(yīng)壓力20Pa、放電功率密度0.41W/cm2、放電頻率60MHz的條件下形成的。這些膜可以通過改變基板溫度、僅切換反應(yīng)氣體而連續(xù)地形成。
這樣制造的氧化氮化硅膜502a的密度為9.28×1022/cm3，是在含有7.13％的氫氟銨(NH4HF2)和15.4％的氟化銨(NH4F)的混合溶液(ステラケミフア公司制造，商品名LAL500)中、在20℃下的腐蝕速度很慢，約為63nm/min，是致密而硬的膜。使用這樣的膜作基底膜時(shí)，對于防止玻璃基板的堿金屬元素向在其上形成的半導(dǎo)體層擴(kuò)散是有效的。
其次，使用等離子體CVD法或?yàn)R射法等方法形成厚度為25～80nm(最好是30～60nm)的具有非晶質(zhì)結(jié)構(gòu)的非晶質(zhì)半導(dǎo)體層503a。具有非晶質(zhì)結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體膜有非晶質(zhì)半導(dǎo)體層或微結(jié)晶半導(dǎo)體膜，可以應(yīng)用具有非晶質(zhì)硅鍺膜等非晶質(zhì)結(jié)構(gòu)的化合物半導(dǎo)體膜。用等離子體CVD法，以非晶質(zhì)半導(dǎo)體層503a形成非晶質(zhì)硅膜時(shí)，基底膜502和非晶質(zhì)半導(dǎo)體層503a兩者可以連續(xù)地形成。例如，如前所述，在用等離子體CVD法連續(xù)地形成氧化氮化硅膜502a和氧化氮化硅膜502b之后，只要僅將反應(yīng)氣體從SiH4、N2O、H2切換為SiH4和H2或SiH4，就可以不在大氣中暴露而連續(xù)地形成。結(jié)果，便可防止氧化氮化硅膜502b的表面污染，從而可以降低制造的TFT的特性彌散和閾值電壓的變化。
并且，進(jìn)行結(jié)晶化工序，從非晶質(zhì)半導(dǎo)體層503a制造結(jié)晶質(zhì)半導(dǎo)體層503b。作為其制造方法，可以應(yīng)用激光退火法或熱退火法(固相成長法)或者快速熱退火法(RTA法)。使用上述玻璃基板或耐熱性差的塑料基板時(shí)，最好應(yīng)用激光退火法。在RTA法中，使用紅外線燈、鹵素?zé)?、金屬鹵化物燈、氙燈等光源。或者，也可以按照特開平7-130652號公報(bào)公開的技術(shù)，利用使用催化元素的結(jié)晶化法形成結(jié)晶質(zhì)半導(dǎo)體層503b。在結(jié)晶化的工序中，首先釋放出非晶質(zhì)半導(dǎo)體層含有的氫氣，在400～500℃的溫度下進(jìn)行約1小時(shí)的熱處理，使含有的氫氣量減少到5原子％以下之后進(jìn)行結(jié)晶化處理時(shí)，便可防止膜表面粗糙。
另外，在用等離子體CVD法的非晶質(zhì)硅膜的形成工序中，反應(yīng)氣體使用SiH4和氬氣(Ar)、成膜時(shí)的基板溫度采用400～450℃來形成時(shí)，可以使非晶質(zhì)硅膜的含有氫氣濃度減少到5原子％以下。這時(shí)，就不需要用于釋放氫氣的熱處理。
使用激光退火法進(jìn)行結(jié)晶化處理時(shí)，采用脈沖振蕩型或連續(xù)振蕩型的受激準(zhǔn)分子激光器或氬氣激光器作為其光源。使用脈沖型的受激準(zhǔn)分子激光器時(shí)，使激光發(fā)出線狀進(jìn)行激光退火。激光退火條件由實(shí)施者適當(dāng)?shù)剡x擇，但是，可以采用例如激光脈沖振蕩頻率300Hz、激光能量密度100～500mJ/cm2(有代表性的是300～400mJ/cm2)的條件。并且，使線狀激光束照射到基板整個(gè)面上，使這時(shí)的線狀激光束的相互重合率(重疊率)為50～90％。這樣，便可得到圖19(B)所示的結(jié)晶質(zhì)半導(dǎo)體層503b。
并且，在結(jié)晶質(zhì)半導(dǎo)體層503b上，使用第1光掩膜(PM1)，應(yīng)用光刻技術(shù)形成抗蝕圖，通過干腐蝕將結(jié)晶質(zhì)半導(dǎo)體層分割成島狀，如圖19(C)所示的那樣形成島狀半導(dǎo)體層504～508。對于結(jié)晶質(zhì)硅膜的干腐蝕，使用CF4和O2的混合氣體。
對于這樣的島狀半導(dǎo)體層，為了控制TFT的閾值電壓(Vth)，可以將賦予p型的雜質(zhì)元素以約1×1016～5×1017原子/cm3的濃度添加到島狀半導(dǎo)體層中，對于半導(dǎo)體，賦予p型的雜質(zhì)元素，閾值的有硼(B)、鋁(Al)、鎵(Ga)等元素周期表中第13族的元素。作為其方法，可以使用離子注入法或離子攙雜法(或離子簇射攙雜法)，但是，要處理大面積基板，就要應(yīng)用離子攙雜法。在離子攙雜法中，將乙硼烷(B2H6)作為源氣體使用，并添加硼(B)。這樣的雜質(zhì)元素的注入不一定是必須的，也可以省略，但是，特別是為了使n溝道型TFT的閾值電壓限制在指定的范圍內(nèi)，這是最適合使用的方法。
柵極絕緣膜509是使用等離子體CVD法或?yàn)R射法，利用膜厚為40～150nm的包含硅的絕緣膜形成的。在本實(shí)施例中，利用厚度120nm的氧化氮化硅膜形成。另外，將O2添加到SiH4和N2O中而制造的氧化氮化硅膜降低了膜中的固定電荷密度，所以，成為該用途最理想的材料。另外，利用SiH4、N2O和后制造的氧化氮化硅膜可以降低柵極絕緣膜的界面缺陷密度，所以，是非常理想的。當(dāng)然，柵極絕緣膜并不限定為這樣的氧化氮化硅膜，也可以使用其他包含硅的絕緣膜形成單層或集層結(jié)構(gòu)。例如，使用氧化硅膜時(shí)，在等離子體CVD法中，可以將TEOS(TetraethylOrthosilicate)與O2混合，在反應(yīng)壓力40Pa、基板溫度300～400℃、高頻(13.56MHz)功率密度0.5～0.8W/cm2的條件下進(jìn)行放電而形成。這樣制造的氧化硅膜，然后通過400～500℃的熱退火處理，作為柵極絕緣膜，可以得到良好的特性(圖19(C))。
并且，如圖19(D)所示，在第1形狀的柵極絕緣膜509上，形成厚度200～400nm(最好是250～350nm)的用于形成柵極的耐熱性導(dǎo)電層511。耐熱性導(dǎo)電層511可以形成單層結(jié)構(gòu)，根據(jù)需要也可以采用由2層或3層這樣的多個(gè)層構(gòu)成的集層結(jié)構(gòu)。耐熱性導(dǎo)電層中，包含從Ta、Ti、W中選擇的元素或以上述元素為成分的合金或?qū)⑸鲜鲈亟M合的合金膜。這些耐熱性導(dǎo)電膜利用濺射法或CVD法形成，為了實(shí)現(xiàn)低電阻化，最好降低所含有的雜質(zhì)濃度，特別是最好使氧濃度小于30ppm。在本實(shí)施例中，形成厚度300nm的W膜?？梢詫作為靶，利用濺射法形成W膜，也可以使用氟化鎢(WF6)，應(yīng)用熱CVD法形成?？傊?，為了作為柵極使用，必須實(shí)現(xiàn)低電阻化，W膜的電阻率最好小于20μΩcm。通過增大結(jié)晶粒，可以使W膜實(shí)現(xiàn)低電阻化，但是，在W中含有的氧等雜質(zhì)元素多時(shí)，將影響結(jié)晶化，從而成為高電阻。因此，利用濺射法時(shí)，通過使用純度99.9999％或99.99％的W靶并進(jìn)而在成膜時(shí)充分考慮使沒有氣相的雜質(zhì)混入而形成W膜，可以實(shí)現(xiàn)9～20μΩcm的電阻率。
另一方面，在耐熱性導(dǎo)電層511使用Ta膜時(shí)，同樣可以利用濺射法來形成。Ta膜使用Ar作為濺射氣體。另外，在濺射時(shí)的氣體中預(yù)先加入適量的Xe或Kr時(shí)，可以緩和形成的膜的內(nèi)部應(yīng)力，從而可以防止膜的剝離。α相的Ta膜的電阻率約為20μΩcm，可以作柵極使用，但是，β相的Ta膜的電阻率約為180μΩcm，不適合于作柵極使用。TaN膜具有與α相接近的結(jié)晶結(jié)構(gòu)，所以，如果在Ta膜的基底上形成TaN膜，就容易得到α相的Ta膜。另外，圖中雖然未示出，但是，在耐熱性導(dǎo)電層511的下面，預(yù)先形成厚度約2～20nm的攙雜了磷(P)的硅膜是有效的。這樣，便可提高在其上形成的導(dǎo)電膜的密合性和防止氧化，同時(shí)可以防止耐熱性導(dǎo)電層511含有的微量的堿金屬元素向第1形狀的柵極絕緣膜509中擴(kuò)散?？傊?，最好使耐熱性導(dǎo)電層511的電阻率限制在10～50μΩcm的范圍內(nèi)。
其次，使用第2光掩膜(PM2)，利用光刻技術(shù)形成抗蝕的掩膜512～517。并且，進(jìn)行第1腐蝕處理。在本實(shí)施例中，使用ICP腐蝕裝置，腐蝕用氣體使用Cl2和CF4，在1Pa的壓力、3.2W/cm2的RF(13.56MHz)功率條件下形成等離子體。在基板側(cè)(試料臺)也投入224mW/cm2的RF(13.56MHz)功率，這樣，實(shí)際上就加上了負(fù)的自偏置電壓。在該條件下，W膜的腐蝕速度約為100nm/min。第1腐蝕處理根據(jù)該腐蝕速度推算恰好形成W膜的腐蝕時(shí)間，將比其增加20％腐蝕時(shí)間的時(shí)間作為腐蝕時(shí)間。
通過第1腐蝕處理，形成具有第1錐形形狀的導(dǎo)電層518～523。導(dǎo)電層518～523的錐形部的角度為15～30°。為了不留殘?jiān)剡M(jìn)行腐蝕，進(jìn)行按約10～20％的比例增加腐蝕時(shí)間的過腐蝕。對W膜的氧化氮化硅膜(第1形狀的實(shí)際上絕緣膜509)的選擇比是2～4(有代表性的是3)，所以，通過過腐蝕處理，露出氧化氮化硅膜的面就腐蝕了約20～50nm，從而在具有第1錐形形狀的導(dǎo)電層518～523的端部附近形成呈錐形形狀的第1形狀的柵極絕緣膜580。
并且，進(jìn)行第1攙雜處理，將一導(dǎo)電型的雜質(zhì)元素?cái)v雜到島狀半導(dǎo)體層中。這里，進(jìn)行賦予n型的總元素的添加工序。仍然保留形成了第1形狀的半導(dǎo)體層的掩模512～517，將具有第1錐形形狀的導(dǎo)電層518～523作為掩模，利用離子攙雜法自整合地添加賦予n型的雜質(zhì)元素。為了將賦予n型的雜質(zhì)元素通過柵極的端部的錐形部和第2形狀的柵極絕緣膜580添加到達(dá)到位于其下面的半導(dǎo)體層，取攙雜量為1×1013～5×1014原子/cm2，在加速電壓80～160keV下進(jìn)行。作為賦予n型的雜質(zhì)元素，使用屬于15族的元素，典型的有磷(P)或砷(As)，這里使用磷(P)。利用這樣的離子攙雜法，以1×1020～1×1021原子/cm3的濃度范圍內(nèi)將賦予n型的雜質(zhì)元素添加到第1雜質(zhì)區(qū)域524～528內(nèi)，在同一區(qū)域內(nèi)不一定均勻，以1×1017～1×1020原子/cm3的濃度范圍內(nèi)將賦予n型的雜質(zhì)元素添加到在錐形部的下方形成的第2雜質(zhì)區(qū)域(A)529～533內(nèi)(圖20(A))。
在該工序中，在第2雜質(zhì)區(qū)域(A)529～533中，至少包含在與第1形狀的導(dǎo)電層518～523重疊的部分中賦予n型的雜質(zhì)元素的濃度變化反映錐形部的膜厚變化。即，添加到第2雜質(zhì)區(qū)域(A)529～533中的磷(P)的濃度，在與第1形狀的導(dǎo)電層518～523重疊的區(qū)域中從該導(dǎo)電層的端部向內(nèi)側(cè)濃度逐漸地降低。這是由于錐形部的膜厚之差引起到達(dá)半導(dǎo)體層的磷(P)的濃度發(fā)生變化的緣故。
其次，如圖20(B)所示，進(jìn)行第2腐蝕處理。和第1腐蝕處理一樣，利用ICP腐蝕裝置進(jìn)行，腐蝕氣體使用CF4和Cl2的混合氣體，在RF功率3.2W/cm2(13.56MHz)、偏置功率45mW/cm2(13.56MHz)、壓力1.0Pa的條件下進(jìn)行。形成具有在該條件下形成的第2形狀的導(dǎo)電層540～545。在其端部形成錐形部，成為從該端部向內(nèi)側(cè)厚度逐漸地增加的錐形部。與第1腐蝕處理比較，降低加到基板側(cè)的偏置功率的各向同性腐蝕的比例增多，錐形部的角度成為30～60°。掩模512～517被腐蝕后，削掉端部，成為掩模534～539。另外，第2形狀的柵極絕緣膜580的表面腐蝕約40nm，形成新的第2形狀的柵極絕緣膜570。
并且，比第1腐蝕處理降低攙雜量，在高加速電壓的條件下攙雜賦予n形的雜質(zhì)元素。例如，其中加速電壓70～120keV，按1×1013/cm2的攙雜量進(jìn)行，與具有第2形狀的導(dǎo)電層540～545重疊的區(qū)域的雜質(zhì)濃度成為1×1016～1×1018原子/cm3。這樣，就形成了第2雜質(zhì)區(qū)域(B)546～550。
并且，在形成p溝道型TFT的島狀半導(dǎo)體層504、506上，形成與一導(dǎo)電型相反的導(dǎo)電型的雜質(zhì)區(qū)域556、557。這時(shí)，也將第2形狀的導(dǎo)電層540、542作為掩模添加賦予p型的雜質(zhì)元素，自整合地形成雜質(zhì)區(qū)域。這時(shí)，形成n溝道型TFT的島狀半導(dǎo)體層505、507、508使用第3光掩模(PM3)形成抗腐蝕的掩模551～553，將整個(gè)面覆蓋。這里形成的雜質(zhì)區(qū)域556、557使用乙硼烷(B2H6)利用離子攙雜法形成。賦予雜質(zhì)區(qū)域556、557的p型的雜質(zhì)元素的濃度為2×1020～2×1021原子/cm3。
但是，可以看出該雜質(zhì)區(qū)域556、557詳細(xì)地分為含有賦予n型的雜質(zhì)元素的3個(gè)區(qū)域。第3雜質(zhì)區(qū)域556a、557a含有濃度1×1020～1×1021原子/cm3的賦予n型的雜質(zhì)元素，第4雜質(zhì)區(qū)域(A)556b、557b含有濃度1×1017～1×1020原子/cm3的賦予n型的雜質(zhì)元素，第4雜質(zhì)區(qū)域(B)556c、557c含有濃度1×1016～5×1018原子/cm3的賦予n型的雜質(zhì)元素。但是，這些雜質(zhì)區(qū)域556b、556c、557b、557c賦予p型的雜質(zhì)區(qū)域的濃度都在1×1019原子/cm3以上，在第3雜質(zhì)區(qū)域556a、557a中，通過使賦予p型的雜質(zhì)元素的濃度從賦予n型的雜質(zhì)元素的濃度的1.5成為3倍，在第3雜質(zhì)區(qū)域中，起p溝道型TFT的源極區(qū)域和漏極區(qū)域的功能不會(huì)發(fā)生任何問題。另外，第4雜質(zhì)區(qū)域(B)556c、557c的一部分與具有第2錐形形狀的導(dǎo)電層540或542的一部分重疊。
然后，如圖21(A)所示，在具有第2形狀的導(dǎo)電層540～545和柵極絕緣膜570上形成第1層間絕緣膜558。第1層間絕緣膜558可以用氧化硅膜、氧化氮化硅膜、氮化硅膜或用將它們組合的集層膜形成?？傊?，第1層間絕緣膜558由無機(jī)絕緣材料形成。第1層間絕緣膜558的膜厚為100～200nm。作為第1層間絕緣膜558，使用氧化硅膜時(shí)，可以利用等離子體CVD法將TEOS與O2混合，在反應(yīng)壓力40Pa、基板溫度300～400℃、高頻(13.56MHz)功率密度0.5～0.8W/cm2的條件下通過放電而形成。另外，作為第1層間絕緣膜，使用氧化氮化硅膜時(shí)，可以利用等離子體CVD法，使用由SiH4、N2O、NH3制造的氧化氮化硅膜或從SiH4、N2O制造的氧化氮化硅膜形成。這時(shí)的制造條件為反應(yīng)壓力20～200Pa、基板溫度300～400℃、高頻(60MHz)功率密度0.1～1.0W/cm2。另外，作為第1層間絕緣膜558，也可以應(yīng)用由SiH4、N2O、H2制造的氧化氮化硅膜。氮化硅膜也一樣，可以利用等離子體CVD法用SiH4、NH3制造。
并且，進(jìn)行使按各個(gè)濃度添加的賦予n型或p型的總元素活性化的工序。該工序通過使用電退火爐的熱退火法進(jìn)行。除此之外，還可以應(yīng)用激光退火法或快速熱退火法(RTA法)。在熱退火法中，氧濃度為1ppm以下最好是0.1ppm以下的氮?dú)夥諊小⒃?00～700℃最好是500～600℃的范圍內(nèi)進(jìn)行，在本實(shí)施例中，是在550℃下進(jìn)行4小時(shí)的熱處理。另外，在基板501使用耐熱溫度低的塑料基板時(shí)，最好應(yīng)用激光退火法。
在活性化的工序之后，改變氛圍氣體，在包含3～100％的氫的氛圍中，在300～450℃下進(jìn)行1～12小時(shí)的熱處理，從而進(jìn)行對島狀半導(dǎo)體層進(jìn)行氫化處理的工序。該工序是利用熱激勵(lì)的氫使處于島狀半導(dǎo)體層中的1016～1018/cm3的懸空鍵成為終端的工序。作為氫化處理的其他方法，也可以進(jìn)行等離子體氫化處理(使用由等離子體激勵(lì)的氫)。總之，希望使島狀半導(dǎo)體層504～508中的缺陷密度小于1016/cm3，因此，可以使氫約為0.01～0.1原子％。
并且，以1.0～2.0μm的平均膜厚形成由有機(jī)絕緣材料構(gòu)成的第2層間絕緣膜559。作為有機(jī)樹脂材料，可以使用聚酰亞銨、丙烯?；⒕埘０?、聚丙烯酰胺、BCB(苯環(huán)丁烷)等。例如，使用在涂布到基板上后進(jìn)行熱聚合的聚酰亞銨時(shí)，在超凈烘箱中以300℃燒結(jié)而形成。另外，使用丙烯?；鶗r(shí)，使用兩液性的材料將主材與硬化劑混合后，使用旋轉(zhuǎn)器涂布到整個(gè)基板面上后，使用加熱板，可以在80℃下進(jìn)行60秒的預(yù)熱，進(jìn)而在超凈烘箱中以250℃燒結(jié)而形成。
這樣，通過使用有機(jī)絕緣材料形成第2層間絕緣膜559，便可使表面實(shí)現(xiàn)良好的平坦化。另外，有機(jī)樹脂材料的介電常數(shù)通常都比較小，所以，可以減小寄生電容。但是，有吸濕性，不適合作保護(hù)膜使用，所以，可以如本實(shí)施例那樣，與作為第1層間絕緣膜558而形成的氧化硅膜、氧化氮化硅膜、氮化硅膜等使用。
然后，使用第4光掩模(PM4)形成指定的圖形的抗蝕掩模，從而形成達(dá)到在各島狀半導(dǎo)體層上形成的作為源極區(qū)域或漏極區(qū)域的總區(qū)域的接觸孔。使用干腐蝕法形成接觸孔。這時(shí)，腐蝕氣體使用CF4、O2、He的混合氣體，氙腐蝕由有機(jī)樹脂材料構(gòu)成的第2層間絕緣膜559，然后，使用CF4、O2作為腐蝕氣體，腐蝕第1層間絕緣膜558。此外，為了提高島狀半導(dǎo)體層的選擇比，將腐蝕氣體切換為CHF3，通過腐蝕第3形狀的柵極絕緣膜570，便可形成接觸孔。
并且，用濺射法或真空鍍膜法形成導(dǎo)電性的金屬膜，利用第5光掩模(PM5)形成抗蝕掩模圖形，通過腐蝕形成源極線560～564和漏極線565～568。像素電極569與漏極線一起形成。像素電極571表示歸屬于相鄰的像素的像素電極。圖中雖然未示出，但是，在本實(shí)施例中，用50～150nm厚度的Ti膜形成該配線，并形成在其上形成島狀半導(dǎo)體層的源極或漏極區(qū)域的雜質(zhì)區(qū)域和觸點(diǎn)，用300～400nm厚度的鋁(Al)在該Ti膜上重疊地形成，此外，再在其上形成厚度80～120nm的透明導(dǎo)電膜。對于透明導(dǎo)電膜，氧化銦氧化鋅合金(In2O3-ZnO)、氧化鋅(ZnO)是合適的材料，此外，為了提高可見光的透過率和電導(dǎo)率，可以應(yīng)用添加了鎵(Ga)的氧化鋅(ZnO∶Ga)等。
這樣，利用5個(gè)光掩模，便可在同一個(gè)基板上完成具有驅(qū)動(dòng)電路(源極信號線驅(qū)動(dòng)電路和柵極信號線驅(qū)動(dòng)電路)的TFT和像素部的像素TFT的基板。在驅(qū)動(dòng)電路中，形成第1p溝道型TFT600、第1n溝道型TFT601、第2p溝道型TFT602、第2n溝道型TFT603，在像素部形成像素TFT604和電容605。在本說明書中，為了簡便，將這樣的基板稱為有源矩陣基板。
在第1p溝道型TFT600中，具有第2錐形形狀的導(dǎo)電層起柵極620的功能，在島狀半導(dǎo)體層504上，具有溝道形成區(qū)域606、起源極區(qū)域或漏極區(qū)域的功能的第3雜質(zhì)區(qū)域607a、形成與柵極620不重疊的LDD區(qū)域的第4雜質(zhì)區(qū)域(A)607b和形成一部分與柵極620重疊的LDD區(qū)域的第4雜質(zhì)區(qū)域(B)607c。
在第1n溝道型TFT601中，具有第2錐形形狀的導(dǎo)電層起柵極621的功能，在島半導(dǎo)體層505上，具有溝道形成區(qū)域608、起源極區(qū)域或漏極區(qū)域的功能的第1雜質(zhì)區(qū)域609a、形成與柵極621不重疊的LDD區(qū)域的第2雜質(zhì)區(qū)域(A)609b和形成一部分與柵極621重疊的LDD區(qū)域的第2雜質(zhì)區(qū)域(B)609c。對于溝道長度2～7μm，第2雜質(zhì)區(qū)域(B)609c與柵極621重疊的部分的長度定為0.1～0.3μm。根據(jù)柵極621的厚度和錐形部的角度控制該Lov的長度。在n溝道型TFT中，通過形成這樣的LDD區(qū)域，可以緩和在漏極區(qū)域附近發(fā)生的高電場，防止發(fā)生熱載流子，從而可以防止TFT的劣化。
驅(qū)動(dòng)電路的第2p溝道型TFT602同樣其具有第2錐形形狀的導(dǎo)電層前柵極622的功能，在島狀半導(dǎo)體層506上，具有溝道形成區(qū)域610、起源極區(qū)域或漏極區(qū)域的功能的第3雜質(zhì)區(qū)域611a、形成與柵極622不重疊的LDD區(qū)域的第4雜質(zhì)區(qū)域(A)611b和形成一部分與柵極622重疊的LDD區(qū)域的第4雜質(zhì)區(qū)域(B)611c。
在驅(qū)動(dòng)電路的第2n溝道型TFT603中，具有第2錐形形狀的導(dǎo)電層起柵極623的功能，在島狀半導(dǎo)體層507上，具有溝道形成區(qū)域612、起源極區(qū)域或漏極區(qū)域的功能的第1雜質(zhì)區(qū)域613a、形成與柵極623不重疊的LDD區(qū)域的第2雜質(zhì)區(qū)域(A)613b和形成一部分與柵極623重疊的LDD區(qū)域的第2雜質(zhì)區(qū)域(B)613c。和第2n溝道型TFT601一樣，第2雜質(zhì)區(qū)域(B)613與柵極623重疊的部分的長度定為0.1～0.3μm。
驅(qū)動(dòng)電路具有移位寄存器、緩沖器等邏輯電路以及由模擬開關(guān)形成的采樣電路等。在圖21(B)中，表示的是將形成這些電路的TFT在一對源極—漏極間設(shè)置1個(gè)柵極的單柵極的結(jié)構(gòu)，但是，也可以采用在一對源極—漏極間設(shè)置多個(gè)柵極的多柵極結(jié)構(gòu)。
在像素TFT604中，具有第2錐形形狀的導(dǎo)電層起柵極624的功能，在島狀半導(dǎo)體層508上，具有溝道形成區(qū)域614a及614b、起源極區(qū)域或漏極區(qū)域的功能的第1雜質(zhì)區(qū)域615a、616及627a、形成與柵極624不重疊的LDD區(qū)域的第2雜質(zhì)區(qū)域(A)615b和形成一部分與柵極624重疊的LDD區(qū)域的第2雜質(zhì)區(qū)域(B)615c。第2雜質(zhì)區(qū)域(B)613c與柵極624重疊的部分的長度定為0.1～0.3μm。另外，由從第1雜質(zhì)區(qū)域617延伸的具有第2雜質(zhì)區(qū)域(A)619b、第2雜質(zhì)區(qū)域(B)619c和未添加決定導(dǎo)電型的雜質(zhì)元素的區(qū)域618的半導(dǎo)體層、在與具有第3形狀的柵極絕緣膜的同層形成的絕緣層和從具有第2錐形形狀的導(dǎo)電層形成的電容配線625形成保持電容605。
像素TFT604的柵極624通過柵極絕緣膜570與其下面的島狀半導(dǎo)體層508交叉，進(jìn)而跨越多個(gè)島狀半導(dǎo)體層延伸，兼作柵極信號線。保持電容605在從像素TFT604的漏極區(qū)域617a延伸的半導(dǎo)體層通過柵極絕緣膜570與電容配線625重疊的區(qū)域形成。在該結(jié)構(gòu)中，以價(jià)電子控制為目的的雜質(zhì)元素不添加到半導(dǎo)體層618中。
上述結(jié)構(gòu)，可以根據(jù)像素TFT和驅(qū)動(dòng)電路要求的規(guī)格使構(gòu)成各電路的TFT的結(jié)構(gòu)最優(yōu)化，從而可以提高半導(dǎo)體顯示裝置的動(dòng)作性能和可靠性。此外，通過用具有耐熱性的導(dǎo)電性材料形成柵極，容易使LDD區(qū)域或源極區(qū)域和漏極區(qū)域?qū)崿F(xiàn)活性化。在柵極上通過柵極絕緣膜形成重疊的LDD區(qū)域時(shí)，通過使以控制導(dǎo)電型為目的而添加的雜質(zhì)元素具有濃度梯度而形成LDD區(qū)域，可以期望提高漏極區(qū)域附近的電場緩和效果。
在有源矩陣型的液晶顯示裝置的情況時(shí)，第1p溝道型TFT600和第1n溝道型TFT601用于形成重視高速動(dòng)作的移位寄存器、緩沖器和電平移位器等。在圖21(B)中，將這些電路作為邏輯電路部表示。第1n溝道型TFT601的第2雜質(zhì)區(qū)域(B)609c為重視熱載流子對策的結(jié)構(gòu)。此外，為了提高耐壓、使動(dòng)作穩(wěn)定，可以采用使邏輯電路部的TFT在一對源極—漏極間設(shè)置2個(gè)柵極的雙柵極結(jié)構(gòu)。雙柵極結(jié)構(gòu)的TFT，凸也可以使用本實(shí)施例的工序進(jìn)行制造。
另外，在用模擬開關(guān)構(gòu)成的采樣電路中，可以應(yīng)用和邏輯電路部同樣結(jié)構(gòu)的第2p溝道型TFT602和第2n溝道型TFT603。采樣電路重視熱載流子對策和低截止電流動(dòng)作，所以，可以采用使采樣電路部的第2p溝道型TFT602在一對源極區(qū)域—漏極區(qū)域間設(shè)置3個(gè)柵極的三柵極結(jié)構(gòu)，這樣的TFT，同樣可以使用本實(shí)施例的工序進(jìn)行制造。溝道長度采用3～7μm，設(shè)與柵極重疊的Lov，則該溝道長度方向的長度定為0.1～0.3μm。
這樣，實(shí)施者便可根據(jù)電路的特性適當(dāng)?shù)剡x擇將TFT的柵極結(jié)構(gòu)采用單柵極結(jié)構(gòu)或采用在一對源極—漏極間設(shè)置多個(gè)柵極的多柵極結(jié)構(gòu)。
其次，如圖22(A)所示，在圖21(B)的狀態(tài)的有源矩陣基板上形成由柱狀襯墊構(gòu)成的襯墊。襯墊可以采用散布數(shù)μm的粒子的方法形成，但是，這里采用在整個(gè)基板面上形成樹脂膜后通過制作圖形而形成的方法。不限定這樣的襯墊的材料，例如，可以使用JSR公司制造的NN700，使用旋轉(zhuǎn)器涂布之后，通過曝光和顯影處理，形成指定的圖形。此外，使用超凈烘箱等，在150～200℃下加熱使之硬化。這樣制作的襯墊，可以根據(jù)曝光和顯影處理的條件而形成不同的形狀，但是，最好襯墊的形狀為柱狀，使其頂部成為平坦的形狀時(shí)，與對向側(cè)的基板合在一起時(shí)，可以確保作為液晶小時(shí)板的機(jī)械的強(qiáng)度。其形狀沒有特別的限定，可以是圓錐狀、角錐狀等，例如，采用圓錐狀時(shí)，具體而言，就將高度定為1.2～5μm、將平均半徑定為5～7μm、使平均半徑與底部的半徑之比為1∶1.5。這時(shí)，側(cè)面的錐角小于±15°。
襯墊的配置可以任意決定，但是，最好如圖22(A)所示的那樣，在像素部與像素電極569的觸點(diǎn)部631重疊地形成覆蓋該部分的柱狀襯墊656。觸點(diǎn)部631的平坦性損壞后在該部分液晶的取向就差了，所以，通過這樣在觸點(diǎn)部631以填充襯墊用的樹脂的形式形成柱狀襯墊656，便可防止襯墊656附近的電場引起液晶分子的取向發(fā)生紊亂。另外，在驅(qū)動(dòng)電路的TFT上也預(yù)先形成襯墊655a～655e。該襯墊可以在驅(qū)動(dòng)電路部的整個(gè)面上形成，也可以如圖22(A)所示的那樣設(shè)置為覆蓋源極線和漏極線。
然后，形成取向膜657。通常，液晶顯示元件的取向膜使用聚酰亞銨。形成取向膜后，進(jìn)行摩擦處理，以使液晶分子具有某一一定的預(yù)傾斜角的取向。從設(shè)置在像素部的柱狀襯墊656的端部開始相對于摩擦方向未被摩擦的區(qū)域小于2μm。另外，在摩擦處理中，常常要發(fā)生靜電，但是，利用在驅(qū)動(dòng)電路的TFT上形成的襯墊655a～655e可以獲得保護(hù)TFT不受靜電影響。另外，圖中雖然未示出，但是，也可以采用先形成取向膜657后再形成襯墊656、655a～655e的結(jié)構(gòu)。
在對向側(cè)的對向基板上，形成遮光膜652、透明導(dǎo)電膜653和取向膜654。遮光膜652利用厚度為150～300nm的Ti膜、Cr膜、Al膜等形成。并且，用密封劑658將形成了像素部和驅(qū)動(dòng)電路的有源矩陣基板與對向基板相互粘貼。將填充物(圖中未示出)混入到密封劑658中，利用該填充物和襯墊656、655a～655e使2塊基板保持均勻的間隔相互粘貼。然后，將液晶材料659注入到兩個(gè)基板間。液晶材料可以使用眾所周知的液晶材料。例如，除了TN液晶外，也可以使用對電場表現(xiàn)出透過率連續(xù)變化的電光應(yīng)答性的無閾值抗鐵電性的混合液晶。該無閾值抗強(qiáng)鐵電性的混合液晶表現(xiàn)出V字型的電光響應(yīng)特性。這樣，就完成了圖22(B)所示的有源矩陣型液晶顯示裝置。
使用本實(shí)施例中所述的制造方法形成的TFT提高了半導(dǎo)體層的結(jié)晶性，所以，應(yīng)用于要求應(yīng)答速度高的本發(fā)明的半導(dǎo)體顯示裝置是非常有效的。
本發(fā)明的半導(dǎo)體顯示裝置的制造方法不限定在本實(shí)施例中說明的制造方法?？梢允褂帽娝苤姆椒ㄖ圃毂景l(fā)明的半導(dǎo)體顯示裝置。
本實(shí)施例可以與實(shí)施例1～5自由地組合。
實(shí)施例8.
本發(fā)明可以應(yīng)用于各種各樣的液晶顯示板。即，在所有的將這些液晶顯示板(有源矩陣型液晶顯示器)作為顯示媒體組裝到其中的半導(dǎo)體顯示裝置(電子儀器)都可以實(shí)施本發(fā)明。
作為這樣的電子儀器，有攝像機(jī)、數(shù)碼相機(jī)、投影儀(背面型或正面型)、仰視顯示器(風(fēng)鏡型顯示器)、游戲機(jī)、汽車駕駛導(dǎo)向系統(tǒng)、電腦、便攜式信息終端(移動(dòng)式電腦、手機(jī)或電子書籍等)等。這些電子儀器的一例示于圖23。
圖23(A)是顯示器，包括框體2001、支持臺2002、和顯示部2003等。本發(fā)明可以應(yīng)用于顯示部2003。
圖23(B)是攝像機(jī)，由本體2101、顯示部2102、聲音輸入部2103、操作開關(guān)2104、電池2105和攝像部2106構(gòu)成?？梢詫⒈景l(fā)明應(yīng)用于顯示部2102。
圖23(C)是頭部安裝型的顯示器的一部分(右片側(cè))，包括本體2201、信號電纜2202、頭部固定帶2203、屏幕部2204、光學(xué)部2205和顯示部2206等。本發(fā)明可以應(yīng)用于顯示部2206。
圖23(D)是具有記錄媒體的圖像播放裝置(具體而言，就是DVD播放裝置)，包括本體2301、記錄媒體(DVD等)2302、操作開關(guān)2303、顯示部(a)2304和顯示部(B)2305等。顯示部(a)2304主要顯示圖像信息，顯示部(b)2305主要顯示文字信息，本發(fā)明的半導(dǎo)體顯示裝置可以應(yīng)用于這些顯示部(a)2304和顯示部(b)2305。在具有記錄媒體的圖像播放裝置中，也可以包含家用游戲機(jī)等。
圖23(E)是電腦，由本體2401、圖像輸入部2402、顯示部2403和鍵盤2404構(gòu)成。可以將本發(fā)明應(yīng)用于圖像輸入部2402和顯示部2403。
圖23(F)是移動(dòng)式顯示器，由本體2501、顯示部2502和支架部2503構(gòu)成。本發(fā)明可以應(yīng)用于顯示部2502。如上所述，本發(fā)明的應(yīng)用范圍非常廣，可以應(yīng)用于所有領(lǐng)域的電子儀器。另外，本實(shí)施例的電子儀器也可以使用實(shí)施例1～7的某種組合的結(jié)構(gòu)來實(shí)現(xiàn)。
實(shí)施例9.
本發(fā)明可以應(yīng)用于投影儀(背面型或正面型)。它們的一例示于圖24和圖25。
圖24(A)是正面型投影儀，由光源光學(xué)系統(tǒng)和顯示裝置7601和屏幕7602構(gòu)成。本發(fā)明可以應(yīng)用于顯示裝置7601。
圖24(B)是背面型投影儀，由本體7701、光源光學(xué)系統(tǒng)和顯示裝置7702、反射鏡7703、反射鏡7704和屏幕7705構(gòu)成。本發(fā)明可以應(yīng)用于顯示裝置7702。
圖24(C)是表示圖24(A)和圖24(B)中的光源光學(xué)系統(tǒng)和顯示裝置7601、7702的結(jié)構(gòu)的一例的圖。光源光學(xué)系統(tǒng)和顯示裝置7601、7702由光源光學(xué)系統(tǒng)7801、反射鏡7802及7804～7806、分色反射鏡7803、光學(xué)系統(tǒng)7807、顯示裝置7808、相位差板7809和投射光學(xué)系統(tǒng)7810構(gòu)成。投射光學(xué)系統(tǒng)7810由具有投射透鏡的多個(gè)光學(xué)透鏡構(gòu)成。該結(jié)構(gòu)使用了3個(gè)顯示裝置7808，所以稱為三板式。另外，在圖24(C)中，用戶可以在箭頭所示的光路上設(shè)置具有偏振功能的濾光器、用于調(diào)節(jié)相位差的濾光器和IR濾光器等。
另外，圖24(D)是表示圖24(C)中的光源光學(xué)系統(tǒng)7801的結(jié)構(gòu)的一例的圖。在本實(shí)施例中，光源光學(xué)系統(tǒng)7801由反射器7811、光源7812、透鏡陣列7813及7814、偏振變換元件7815和聚光透鏡7816構(gòu)成。圖24(D)所示的光源光學(xué)系統(tǒng)是一例，不限定該結(jié)構(gòu)。例如，用戶也可以在光源光學(xué)系統(tǒng)中適當(dāng)?shù)卦O(shè)置光學(xué)透鏡、具有偏振功能的濾光器、調(diào)節(jié)相位差的濾光器和IR濾光器等。
圖24(C)表示三板式的例子，圖25(A)是表示單板式的一例的圖。圖25(A)所示的光源光學(xué)系統(tǒng)和顯示裝置由光源光學(xué)系統(tǒng)7901、顯示裝置7902、投射光學(xué)系統(tǒng)7903和相位差板7904構(gòu)成。投射光學(xué)系統(tǒng)7903由具有投射透鏡的多個(gè)光學(xué)透鏡構(gòu)成。圖25(A)所示的光源光學(xué)系統(tǒng)和顯示裝置可以應(yīng)用于圖24(A)和圖24(B)中的光源光學(xué)系統(tǒng)和顯示裝置7601、7702。另外，光源光學(xué)系統(tǒng)7901可以使用圖24(D)所示的光源光學(xué)系統(tǒng)。在顯示裝置7902中設(shè)置了彩色濾光器(圖中未示出)，可以使顯示圖像彩色化。
另外，圖25(B)所示的光源光學(xué)系統(tǒng)和顯示裝置是圖25(A)的應(yīng)用例，使用RGB的旋轉(zhuǎn)彩色濾光器圓板7905使顯示圖像彩色化，取代設(shè)置彩色濾光器。圖25(B)所示的光源光學(xué)系統(tǒng)和顯示裝置可以應(yīng)用于圖24(A)和圖24(B)中的光源光學(xué)系統(tǒng)和顯示裝置7601、7702。
另外，圖25(C)所示的光源光學(xué)系統(tǒng)和顯示裝置稱為無彩色濾光器單板式。該方式在顯示裝置7916中設(shè)置微透鏡陣列7915，使用分色反射鏡(綠)7912、分色反射鏡(紅)7913、分色反射鏡(藍(lán))7914使顯示圖像彩色化。投射光學(xué)系統(tǒng)7917由具有投射透鏡的多個(gè)光學(xué)透鏡構(gòu)成。圖25(C)所示的光源光學(xué)系統(tǒng)和顯示裝置可以應(yīng)用于圖24(A)和圖24(B)中的光源光學(xué)系統(tǒng)和顯示裝置7601、7702。另外，作為光源光學(xué)系統(tǒng)7911，除了光源外，還可以使用包括耦合透鏡和準(zhǔn)直儀透鏡的光學(xué)系統(tǒng)。
如上所述，本發(fā)明的應(yīng)用范圍非常廣，可以應(yīng)用于所有領(lǐng)域的電子儀器。另外，本實(shí)施例的電子儀器可以也可以使用實(shí)施例1～7的某種組合的結(jié)構(gòu)來實(shí)現(xiàn)。
本發(fā)明利用上述結(jié)構(gòu)可以不提高輸入IC的圖像信號的頻率而提高幀頻率，所以，不會(huì)增加生成圖像信號的電子儀器的負(fù)擔(dān)，可以進(jìn)行觀察者難于看到閃爍或縱紋、橫紋和斜紋的鮮明而高精細(xì)的圖像顯示。
另外，本發(fā)明通過使用幀反相，可以抑制在相鄰像素間發(fā)生稱為離散的現(xiàn)象，從而可以防止顯示畫面全體的亮度降低。
此外，在連續(xù)的2個(gè)幀期間，輸入各像素的顯示信號的電位以對向電極的電位(對向電位)為基準(zhǔn)發(fā)生反相，所以，在像素部顯示相同的圖像。利用上述結(jié)構(gòu)，輸入各像素的顯示信號的電位的時(shí)間平均值用于對向電位而接近，與在各幀期間將不同的顯示信號輸入各像素的情況相比，對于防止液晶的劣化是有效的。
權(quán)利要求
1.一種具有多個(gè)像素TFT、多個(gè)像素電極、對向電極和幀速率變換部的半導(dǎo)體顯示裝置，其特征在于通過上述多個(gè)像素TFT將顯示信號輸入上述多個(gè)像素電極，輸入上述多個(gè)像素電極的所有的顯示信號在各幀期間中以上述對向電極的電位為基準(zhǔn)具有相同的極性，上述幀速率變換部與上述顯示信號同步地動(dòng)作，在相鄰的任意2個(gè)幀期間中后出現(xiàn)的幀期間輸入上述多個(gè)像素電極的顯示信號是以上述對向電極的電位為基準(zhǔn)使在先出現(xiàn)的幀期間輸入上述多個(gè)像素電極的顯示信號的電位反相的信號。
2.一種具有多個(gè)像素TFT、多個(gè)像素電極、對向電極、多個(gè)源極信號線和幀速率變換部的半導(dǎo)體顯示裝置，其特征在于輸入上述多個(gè)源極信號線的顯示信號通過上述多個(gè)像素TFT輸入上述多個(gè)像素電極，在各幀期間中，以上述對向電極的電位為基準(zhǔn)具有極性相互相反的顯示信號輸入上述多個(gè)源極信號線的相鄰的源極信號線，并且輸入上述多個(gè)源極信號線的各顯示信號以上述對向電極的電位為基準(zhǔn)總是具有相同的極性，上述幀速率變換部與上述顯示信號同步地動(dòng)作，相鄰的任意2個(gè)幀期間中在后出現(xiàn)的幀期間輸入上述多個(gè)像素電極的顯示信號是以上述對向電極的電位為基準(zhǔn)使在先出現(xiàn)的幀期間輸入上述多個(gè)像素電極的顯示信號的電位反相的信號。
3.一種具有多個(gè)像素TFT、多個(gè)像素電極、對向電極、多個(gè)源極信號線和幀速率變換部的半導(dǎo)體顯示裝置，其特征在于輸入上述多個(gè)源極信號線的顯示信號通過上述多個(gè)像素TFT輸入上述多個(gè)像素電極，在各行期間中，輸入上述多個(gè)源極信號線所有的顯示信號以上述對向電極的電位為基準(zhǔn)總是具有相同的極性，在相鄰的行期間，輸入上述多個(gè)源極信號線的顯示信號的極性以上述對向電極的電位為基準(zhǔn)相互反相，上述幀速率變換部與上述顯示信號同步地動(dòng)作，相鄰任意2個(gè)幀期間中在后出現(xiàn)的幀期間輸入上述多個(gè)像素電極的顯示信號是以上述對向電極的電位為基準(zhǔn)使在先出現(xiàn)的幀期間輸入上述多個(gè)像素電極的顯示信號的電位反相的信號。
4.一種具有多個(gè)像素TFT、多個(gè)像素電極、對向電極、多個(gè)源極信號線和幀速率變換部的半導(dǎo)體顯示裝置，其特征在于輸入上述多個(gè)源極信號線的顯示信號通過上述多個(gè)像素TFT輸入上述多個(gè)像素電極，在各幀期間中，以上述對向電極的電位為基準(zhǔn)具有極性相互相反的顯示信號輸入上述多個(gè)源極信號線的相鄰的源極信號線，在相鄰的行期間中，輸入上述多個(gè)源極信號線的顯示信號的極性以上述對向電極的電位為基準(zhǔn)相互反相，上述幀速率變換部與上述顯示信號同步地動(dòng)作，相鄰任意2個(gè)幀期間中在后出現(xiàn)的幀期間輸入上述多個(gè)像素電極的顯示信號是以上述對向電極的電位為基準(zhǔn)使在先出現(xiàn)的幀期間輸入上述多個(gè)像素電極的顯示信號的電位反相的信號。
5.一種包括具有多個(gè)像素的像素部、源極信號線驅(qū)動(dòng)電路和幀速率變換部的半導(dǎo)體顯示裝置，其特征在于上述多個(gè)像素分別具有像素TFT、像素電極和對向電極，上述幀速率變換部具有1個(gè)或多個(gè)RAM，向上述1個(gè)RAM或上述多個(gè)RAM中的某一個(gè)寫入1個(gè)圖像信號，寫入上述1個(gè)RAM或上述多個(gè)RAM中的某一個(gè)的圖像信號各讀出2次，從上述1個(gè)RAM或上述多個(gè)RAM中的某一個(gè)各2次讀出的圖像信號都輸入源極信號線驅(qū)動(dòng)電路，由上述源極信號線驅(qū)動(dòng)電路生成2個(gè)顯示信號，上述2個(gè)顯示信號的極性相互反相，上述生成的2個(gè)顯示信號通過上述像素TFT輸入上述像素電極，將圖像信號向上述1個(gè)RAM或上述多個(gè)RAM中的某一個(gè)的寫入的期間比上述寫入的圖像信號第1次讀出的期間和第2次讀出的期間長。
6.一種包括具有多個(gè)像素的像素部、源極信號線驅(qū)動(dòng)電路和幀速率變換部的半導(dǎo)體顯示裝置，其特征在于上述多個(gè)像素分別具有像素TFT、像素電極和對向電極，上述幀速率變換部具有1個(gè)或多個(gè)RAM，圖像信號寫入上述1個(gè)RAM或上述多個(gè)RAM中的某一個(gè)，寫入上述1個(gè)RAM或上述多個(gè)RAM中的某一個(gè)的圖像信號各讀出2次，從上述1個(gè)RAM或上述多個(gè)RAM中的某一個(gè)各2次讀出的圖像信號都在D/A變換電路中變換為模擬信號后輸入源極信號線驅(qū)動(dòng)電路，由上述源極信號線驅(qū)動(dòng)電路生成2個(gè)顯示信號，上述2個(gè)顯示信號相互極性反相，上述生成的2個(gè)顯示信號通過上述像素TFT輸入上述像素電極，將圖像信號寫入上述1個(gè)RAM或上述多個(gè)RAM中的某一個(gè)的期間比上述寫入的圖像信號第1次讀出的期間和第2次讀出的期間長。
7.一種包括具有多個(gè)像素的像素部、源極信號線驅(qū)動(dòng)電路和幀速率變換部的半導(dǎo)體顯示裝置，其特征在于上述多個(gè)像素分別具有像素TFT、像素電極和對向電極，上述幀速率變換部具有1個(gè)或多個(gè)RAM，圖像信號寫入上述1個(gè)RAM或上述多個(gè)RAM中的某一個(gè)，寫入上述1個(gè)RAM或上述多個(gè)RAM中的某一個(gè)的圖像信號各讀出2次，從上述1個(gè)RAM或上述多個(gè)RAM中的某一個(gè)各2次讀出的圖像信號都輸入源極信號線驅(qū)動(dòng)電路，由上述源極信號線驅(qū)動(dòng)電路生成2個(gè)顯示信號，上述2個(gè)顯示信號相互極性反相，上述生成的2個(gè)顯示信號通過上述像素TFT輸入上述像素電極，輸入上述像素電極的所有的顯示信號在各幀期間中以上述對向電極的電位為基準(zhǔn)具有相同的極性，將圖像信號寫入上述1個(gè)RAM或上述多個(gè)RAM中的某一個(gè)的期間比上述寫入的圖像信號第1次讀出的期間和第2次讀出的期間長。
8.一種包括具有多個(gè)像素的像素部、源極信號線驅(qū)動(dòng)電路和幀速率變換部的半導(dǎo)體顯示裝置，其特征在于上述多個(gè)像素分別具有像素TFT、像素電極和對向電極，上述幀速率變換部具有1個(gè)或多個(gè)RAM，圖像信號寫入上述1個(gè)RAM或上述多個(gè)RAM中的某一個(gè)，寫入上述1個(gè)RAM或上述多個(gè)RAM中的某一個(gè)的圖像信號各讀出2次，從上述1個(gè)RAM或上述多個(gè)RAM中的某一個(gè)各2次讀出的圖像信號都在D/A變換電路中變換為模擬信號后輸入源極信號線驅(qū)動(dòng)電路，由上述源極信號線驅(qū)動(dòng)電路生成2個(gè)顯示信號，上述2個(gè)顯示信號相互極性反相，上述生成的2個(gè)顯示信號通過上述像素TFT輸入上述像素電極，輸入上述像素電極的所有的顯示信號在各幀期間中以上述對向電極的電位為基準(zhǔn)具有相同的極性，將圖像信號寫入上述1個(gè)RAM或上述多個(gè)RAM中的某一個(gè)的期間比上述寫入的圖像信號第1次讀出的期間和第2次讀出的期間長。
9.一種包括具有多個(gè)像素的像素部、源極信號線驅(qū)動(dòng)電路和幀速率變換部的半導(dǎo)體顯示裝置，其特征在于上述多個(gè)像素分別具有像素TFT、像素電極和對向電極，上述幀速率變換部具有1個(gè)或多個(gè)RAM，圖像信號寫入上述1個(gè)RAM或上述多個(gè)RAM中的某一個(gè)，寫入上述1個(gè)RAM或上述多個(gè)RAM中的某一個(gè)的圖像信號各讀出2次，從上述1個(gè)RAM或上述多個(gè)RAM中的某一個(gè)各2次讀出的圖像信號都輸入源極信號線驅(qū)動(dòng)電路，由上述源極信號線驅(qū)動(dòng)電路生成2個(gè)顯示信號，上述2個(gè)顯示信號相互極性反相，上述生成的2個(gè)顯示信號通過上述多個(gè)源極信號線和上述像素TFT輸入上述像素電極，在各幀期間中，以上述對向電極的電位為基準(zhǔn)具有極性相互相反的顯示信號輸入上述多個(gè)源極信號線的相鄰的源極信號線，并且輸入上述多個(gè)源極信號線的各顯示信號以上述對向電極的電位為基準(zhǔn)總是具有相同的極性，將圖像信號寫入上述1個(gè)RAM或上述多個(gè)RAM中的某一個(gè)的期間比上述寫入的圖像信號第1次讀出的期間和第2次讀出的期間長。
10.一種包括具有多個(gè)像素的像素部、源極信號線驅(qū)動(dòng)電路和幀速率變換部的半導(dǎo)體顯示裝置，其特征在于上述多個(gè)像素分別具有像素TFT、像素電極和對向電極，上述幀速率變換部具有1個(gè)或多個(gè)RAM，圖像信號寫入上述1個(gè)RAM或上述多個(gè)RAM中的某一個(gè)，寫入上述1個(gè)RAM或上述多個(gè)RAM中的某一個(gè)的圖像信號各讀出2次，從上述1個(gè)RAM或上述多個(gè)RAM中的某一個(gè)各2次讀出的圖像信號都在D/A變換電路中變換為模擬信號后輸入源極信號線驅(qū)動(dòng)電路，由上述源極信號線驅(qū)動(dòng)電路生成2個(gè)顯示信號，上述2個(gè)顯示信號相互極性反相，上述生成的2個(gè)顯示信號通過上述多個(gè)源極信號線和上述像素TFT輸入上述像素電極，在各幀期間中，以上述對向電極的電位為基準(zhǔn)具有極性相互相反的顯示信號輸入上述多個(gè)源極信號線的相鄰的源極信號線，并且輸入上述多個(gè)源極信號線的各顯示信號以上述對向電極的電位為基準(zhǔn)總是具有相同的極性，將圖像信號寫入上述1個(gè)RAM或上述多個(gè)RAM中的某一個(gè)的期間比上述寫入的圖像信號第1次讀出的期間和第2次讀出的期間長。
11.一種包括具有多個(gè)像素的像素部、源極信號線驅(qū)動(dòng)電路和幀速率變換部的半導(dǎo)體顯示裝置，其特征在于上述多個(gè)像素分別具有像素TFT、像素電極和對向電極，上述幀速率變換部具有1個(gè)或多個(gè)RAM，圖像信號寫入上述1個(gè)RAM或上述多個(gè)RAM中的某一個(gè)，寫入上述1個(gè)RAM或上述多個(gè)RAM中的某一個(gè)的圖像信號各讀出2次，從上述1個(gè)RAM或上述多個(gè)RAM中的某一個(gè)各2次讀出的圖像信號都輸入源極信號線驅(qū)動(dòng)電路，由上述源極信號線驅(qū)動(dòng)電路生成2個(gè)顯示信號，上述2個(gè)顯示信號相互極性反相，上述生成的2個(gè)顯示信號通過上述像素TFT輸入上述像素電極，在各行期間中，輸入上述多個(gè)源極信號線的所有的顯示信號以上述對向電極的電位為基準(zhǔn)總是具有相同的極性，在相鄰的行期間中，輸入上述多個(gè)源極信號線的顯示信號的極性以上述對向電極的電位為基準(zhǔn)相互反相，將圖像信號寫入上述1個(gè)RAM或上述多個(gè)RAM中的某一個(gè)的期間比上述寫入的圖像信號第1次讀出的期間和第2次讀出的期間長。
12.一種包括具有多個(gè)像素的像素部、源極信號線驅(qū)動(dòng)電路和幀速率變換部的半導(dǎo)體顯示裝置，其特征在于上述多個(gè)像素分別具有像素TFT、像素電極和對向電極，上述幀速率變換部具有1個(gè)或多個(gè)RAM，圖像信號寫入上述1個(gè)RAM或上述多個(gè)RAM中的某一個(gè)，寫入上述1個(gè)RAM或上述多個(gè)RAM中的某一個(gè)的圖像信號各讀出2次，從上述1個(gè)RAM或上述多個(gè)RAM中的某一個(gè)各2次讀出的圖像信號都在D/A變換電路中變換為模擬信號后輸入源極信號線驅(qū)動(dòng)電路，由上述源極信號線驅(qū)動(dòng)電路生成2個(gè)顯示信號，上述2個(gè)顯示信號相互極性反相，上述生成的2個(gè)顯示信號通過上述像素TFT輸入上述像素電極，在各行期間中，輸入上述多個(gè)源極信號線的所有的顯示信號以上述對向電極的電位為基準(zhǔn)總是具有相同的極性，在相鄰的行期間中，輸入上述多個(gè)源極信號線的顯示信號的極性以上述對向電極的電位為基準(zhǔn)相互反相，將圖像信號寫入上述1個(gè)RAM或上述多個(gè)RAM中的某一個(gè)的期間比上述寫入的圖像信號第1次讀出的期間和第2次讀出的期間長。
13.一種包括具有多個(gè)像素的像素部、源極信號線驅(qū)動(dòng)電路和幀速率變換部的半導(dǎo)體顯示裝置，其特征在于上述多個(gè)像素分別具有像素TFT、像素電極和對向電極，上述幀速率變換部具有1個(gè)或多個(gè)RAM，圖像信號寫入上述1個(gè)RAM或上述多個(gè)RAM中的某一個(gè)，寫入上述1個(gè)RAM或上述多個(gè)RAM中的某一個(gè)的圖像信號各讀出2次，從上述1個(gè)RAM或上述多個(gè)RAM中的某一個(gè)各2次讀出的圖像信號都輸入源極信號線驅(qū)動(dòng)電路，由上述源極信號線驅(qū)動(dòng)電路生成2個(gè)顯示信號，上述2個(gè)顯示信號相互極性反相，上述生成的2個(gè)顯示信號通過上述像素TFT輸入上述像素電極，在各幀期間中，以上述對向電極的電位為基準(zhǔn)具有極性相互相反的顯示信號輸入上述多個(gè)源極信號線的相鄰的源極信號線，在相鄰的行期間中，輸入上述多個(gè)源極信號線的顯示信號以上述對向電極的電位為基準(zhǔn)相互反相，將圖像信號寫入上述1個(gè)RAM或上述多個(gè)RAM中的某一個(gè)的期間比上述寫入的圖像信號第1次讀出的期間和第2次讀出的期間長。
14.一種包括具有多個(gè)像素的像素部、源極信號線驅(qū)動(dòng)電路和幀速率變換部的半導(dǎo)體顯示裝置，其特征在于上述多個(gè)像素分別具有像素TFT、像素電極和對向電極，上述幀速率變換部具有1個(gè)或多個(gè)RAM，圖像信號寫入上述1個(gè)RAM或上述多個(gè)RAM中的某一個(gè)，寫入上述1個(gè)RAM或上述多個(gè)RAM中的某一個(gè)的圖像信號各讀出2次，從上述1個(gè)RAM或上述多個(gè)RAM中的某一個(gè)各2次讀出的圖像信號都在D/A變換電路中變換為模擬信號后輸入源極信號線驅(qū)動(dòng)電路，由上述源極信號線驅(qū)動(dòng)電路生成2個(gè)顯示信號，上述2個(gè)顯示信號相互極性反相，上述生成的2個(gè)顯示信號通過上述像素TFT輸入上述像素電極，在各幀期間中，以上述對向電極的電位為基準(zhǔn)具有極性相互相反的顯示信號輸入上述多個(gè)源極信號線的相鄰的源極信號線，在相鄰的行期間中，輸入上述多個(gè)源極信號線的顯示信號以上述對向電極的電位為基準(zhǔn)相互反相，將圖像信號寫入上述1個(gè)RAM或上述多個(gè)RAM中的某一個(gè)的期間比上述寫入的圖像信號第1次讀出的期間和第2次讀出的期間長。
15.按權(quán)利要求5～14的任一權(quán)項(xiàng)所述的半導(dǎo)體顯示裝置，其特征在于上述RAM是SRAM、DRAM或SDRAM。
16.按權(quán)利要求1～15的任一權(quán)項(xiàng)所述的半導(dǎo)體顯示裝置，其特征在于上述開關(guān)元件是使用單晶硅形成的晶體管、使用多晶硅形成的薄膜晶體管或使用非晶硅形成的薄膜晶體管。
17.一種電腦，其特征在于使用權(quán)利要求1～16的任一權(quán)項(xiàng)所述的上述半導(dǎo)體顯示裝置。
18.一種攝像機(jī)，其特征在于使用權(quán)利要求1～16的任一權(quán)項(xiàng)所述的上述半導(dǎo)體顯示裝置。
19.一種DVD播放機(jī)，其特征在于使用權(quán)利要求1～16的任一權(quán)項(xiàng)所述的上述半導(dǎo)體顯示裝置。
20.一種具有多個(gè)像素TFT、多個(gè)像素電極、對向電極和幀速率變換部的半導(dǎo)體顯示裝置的驅(qū)動(dòng)方法，其特征在于通過上述多個(gè)像素TFT將顯示信號輸入上述多個(gè)像素電極，上述幀速率變換部與上述顯示信號同步地動(dòng)作，在相鄰的任意2個(gè)幀期間中后出現(xiàn)的幀期間輸入上述多個(gè)像素電極的顯示信號是以上述對向電極的電位為基準(zhǔn)使在先出現(xiàn)的幀期間輸入上述多個(gè)像素電極的顯示信號的電位反相的信號。
21.一種具有多個(gè)像素TFT、多個(gè)像素電極、對向電極和幀速率變換部的半導(dǎo)體顯示裝置的驅(qū)動(dòng)方法，其特征在于通過上述多個(gè)像素TFT將顯示信號輸入上述多個(gè)像素電極，輸入上述多個(gè)像素電極的所有的顯示信號在各幀期間中以上述對向電極的電位為基準(zhǔn)具有相同的極性，上述幀速率變換部與上述顯示信號同步地動(dòng)作，在相鄰的任意2個(gè)幀期間中后出現(xiàn)的幀期間輸入上述多個(gè)像素電極的顯示信號是以上述對向電極的電位為基準(zhǔn)使在先出現(xiàn)的幀期間輸入上述多個(gè)像素電極的顯示信號的電位反相的信號
22.一種具有多個(gè)像素TFT、多個(gè)像素電極、對向電極和幀速率變換部的半導(dǎo)體顯示裝置的驅(qū)動(dòng)方法，其特征在于輸入上述多個(gè)源極信號線的顯示信號通過上述多個(gè)像素TFT輸入上述多個(gè)像素電極，在各幀期間中，以上述對向電極的電位為基準(zhǔn)具有極性相互相反的顯示信號輸入上述多個(gè)源極信號線的相鄰的源極信號線，并且輸入上述多個(gè)源極信號線的各顯示信號以上述對向電極的電位為基準(zhǔn)總是具有相同的極性，上述幀速率變換部與上述顯示信號同步地動(dòng)作，相鄰的任意2個(gè)幀期間中在后出現(xiàn)的幀期間輸入上述多個(gè)像素電極的顯示信號是以上述對向電極的電位為基準(zhǔn)使在先出現(xiàn)的幀期間輸入上述多個(gè)像素電極的顯示信號的電位反相的信號。
23.一種具有多個(gè)像素TFT、多個(gè)像素電極、對向電極和幀速率變換部的半導(dǎo)體顯示裝置的驅(qū)動(dòng)方法，其特征在于輸入上述多個(gè)源極信號線的顯示信號通過上述多個(gè)像素TFT輸入上述多個(gè)像素電極，在各行期間中，輸入上述多個(gè)源極信號線所有的顯示信號以上述對向電極的電位為基準(zhǔn)總是具有相同的極性，在相鄰的行期間，輸入上述多個(gè)源極信號線的顯示信號的極性以上述對向電極的電位為基準(zhǔn)相互反相，上述幀速率變換部與上述顯示信號同步地動(dòng)作，相鄰任意2個(gè)幀期間中在后出現(xiàn)的幀期間輸入上述多個(gè)像素電極的顯示信號是以上述對向電極的電位為基準(zhǔn)使在先出現(xiàn)的幀期間輸入上述多個(gè)像素電極的顯示信號的電位反相的信號。
24.一種具有多個(gè)像素TFT、多個(gè)像素電極、對向電極和幀速率變換部的半導(dǎo)體顯示裝置的驅(qū)動(dòng)方法，其特征在于輸入上述多個(gè)源極信號線的顯示信號通過上述多個(gè)像素TFT輸入上述多個(gè)像素電極，在各幀期間中，以上述對向電極的電位為基準(zhǔn)具有極性相互相反的顯示信號輸入上述多個(gè)源極信號線的相鄰的源極信號線，在相鄰的行期間中，輸入上述多個(gè)源極信號線的顯示信號的極性以上述對向電極的電位為基準(zhǔn)相互反相，上述幀速率變換部與上述顯示信號同步地動(dòng)作，相鄰任意2個(gè)幀期間中在后出現(xiàn)的幀期間輸入上述多個(gè)像素電極的顯示信號是以上述對向電極的電位為基準(zhǔn)使在先出現(xiàn)的幀期間輸入上述多個(gè)像素電極的顯示信號的電位反相的信號。
全文摘要
提供觀察者難于看到閃爍或縱紋、橫紋和斜紋的可以進(jìn)行鮮明而高精細(xì)的圖像顯示的半導(dǎo)體顯示裝置。將從外部輸入的圖像信號寫入半導(dǎo)體顯示裝置的幀變換部具有的RAM,將寫入的圖像信號順序讀出2次。1次讀出寫入RAM的圖像信號的期間比圖像信號寫入RAM的期間短。并且,在連續(xù)的2個(gè)幀期間輸入各像素的顯示信號的電位以對向電極的電位(對向電位)為基準(zhǔn)發(fā)生反相,在連續(xù)的2個(gè)幀期間,在像素部顯示相同的圖像。
文檔編號G09G3/20GK1334551SQ01125999
公開日2002年2月6日 申請日期2001年7月14日 優(yōu)先權(quán)日2000年7月14日
發(fā)明者廣木正明, 佐藤英司, 小野谷茂, 井上升 申請人:株式會(huì)社半導(dǎo)體能源研究所