用于膠印的移印版及其制備方法
【專利說明】
[0001] 相關(guān)申請的交叉引用
[0002] 本申請要求享有于2014年9月29日向韓國知識產(chǎn)權(quán)局提交的韓國專利申請第 10-2014-0130602號的優(yōu)先權(quán)和權(quán)益，其全部內(nèi)容在此通過引用并入本文。
技術(shù)領(lǐng)域
[0003] 本發(fā)明涉及用于膠印的移印版及其制備方法。
【背景技術(shù)】
[0004] 在平板顯示器（FPD)(如液晶顯示器（IXD)或等離子顯示面板（PDP))的制造中， 需要形成各種類型的圖案（如電極或黑底、彩色濾光器、隔斷墻（partition wall)、和薄膜 晶體管）的工藝。
[0005] 作為形成圖案的工藝，經(jīng)常使用如下用于形成圖案的方法：通過使用光敏抗蝕劑 和光掩模得到通過曝光和顯影可選擇性移除的光敏抗蝕圖案，并使用所述光敏抗蝕圖案。 光掩模工藝存在的問題在于：經(jīng)常使用如光敏抗蝕劑或者顯影溶液的材料，需要使用昂貴 的光掩模，并且工藝步驟復雜或者增加處理時間。
[0006] 為解決上述問題，已經(jīng)提出了直接印刷形成圖案的材料的方法，而不使用光敏抗 蝕劑，如通過噴墨印刷或激光轉(zhuǎn)印的方法。作為這種方法之一，有膠印法，其中使用移印版 將圖案化的材料轉(zhuǎn)印至橡皮布上，然后將該橡皮布的圖案轉(zhuǎn)印到基板（substrate)上。 [0007] 使用移印版的膠印法的優(yōu)點在于，與使用光敏抗蝕劑的本領(lǐng)域的方法相比，材料 消耗更少，工藝更加簡單；而且與使用噴墨印刷或者激光轉(zhuǎn)印方法相比，加工速度更快。但 是，膠印法的缺點在于，具有不同圖案的基板需要各自的移印版，而且通常由玻璃制成的移 印版的制備工藝復雜且昂貴。
[0008] 在已知移印版（反向膠印和凹版膠?。┑那闆r下，在圖案化之后使用單蝕刻方法 制備移印版是制備移印版的常規(guī)方法，并且在使用這種制備方法的情況下，存在的缺點在 于，當實施寬圖案時，由于印刷過程中的印刷壓力和橡皮布的粗糙度而出現(xiàn)底部觸碰的問 題。
[0009] 因此，在本領(lǐng)域中，為了解決上述問題，主要已經(jīng)進行用細線填充（hatching)與 寬區(qū)域相應(yīng)的線寬，或者干蝕刻工藝，但是，在這些情況下，同樣地，在使用細線填充的情況 下，存在所需的導電性損失的問題，而且在使用干蝕刻工藝的情況下，存在增加生產(chǎn)成本的 問題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0010] 因此，已經(jīng)做出本發(fā)明旨在努力提供一種用于膠印的移印版及其制備方法，當制 備移印版時所述移印版能夠解決當印刷具有不同線寬或節(jié)距的圖案時由觸碰底部產(chǎn)生的 交叉部分上的印刷劣化的問題。
[0011] 本發(fā)明的一個示例性實施方式提供了包括溝槽圖案的用于膠印的移印版，其中， 所述溝槽圖案包括由溝槽線形成的網(wǎng)狀圖案，所述網(wǎng)狀圖案包括通過接觸或穿過溝槽線中 的許多線形成的交叉部分，并且交叉部分的最大線寬和交叉部分的蝕刻深度的比小于25。
[0012] 本發(fā)明的另一示例性的實施方式提供了用于制備用于膠印的移印版的方法，其包 括：在基板上形成掩膜圖案；和通過利用掩膜圖案蝕刻所述基板形成溝槽圖案，其中，所述 溝槽圖案包括由溝槽線形成的網(wǎng)狀圖案，所述網(wǎng)狀圖案包括通過接觸或穿過溝槽線中的許 多線形成的交叉部分，并且交叉部分的最大線寬和交叉部分的蝕刻深度的比小于25。
[0013] 本發(fā)明的又一示例性實施方式提供了通過使用用于膠印的移印版印刷的印刷品。
[0014] 本發(fā)明的又一示例性實施方式提供了包括所述印刷品的觸摸面板。
[0015] 根據(jù)本發(fā)明的又一示例性實施方式，可以防止在線之間或線和導電圖案的表面之 間的交叉部分可能出現(xiàn)的印刷缺陷現(xiàn)象。尤其是，根據(jù)本發(fā)明的示例性實施方式，交叉部分 的最大線寬和交叉部分的蝕刻深度的比可以通過調(diào)節(jié)由交叉用于膠印的移印版的溝槽線 中的許多線交叉形成的角度來控制，從而可以改善印刷邊緣。
【附圖說明】
[0016] 圖1為示意地表示用于膠印的移印版及在本領(lǐng)域中通過使用所述移印版制備導 電圖案的圖；
[0017] 圖2為示意地表示根據(jù)本發(fā)明的示例性實施方式的用于膠印的移印版的交叉部 分的圖。
[0018] 圖3至8為示意地表示作為本發(fā)明的示例性實施方式的實施例1至4和對比實施 例1和2的導電圖案的圖。
[0019] 圖9為示意地表示根據(jù)本發(fā)明的示例性實施方式的用于膠印的移印版的圖。
[0020] 圖10至12為示意地表示根據(jù)本發(fā)明的示例性實施方式的用于膠印的移印版和通 過使用該移印版制備的導電圖案的圖。
【具體實施方式】
[0021] 以下，將詳細描述本發(fā)明。
[0022] 通常，觸摸屏使用基于ΙΤ0的導電層，但是，將ΙΤ0應(yīng)用于大尺寸觸摸屏時，存在的 問題在于由于本身的自身-RC延遲所以它的識別速度低。為了解決上述問題，已經(jīng)做出試 圖引入額外的補償芯片，但是存在的問題在于成本增加。為了解決上述問題，在許多制造商 中正在開發(fā)通過利用金屬圖案替代ΙΤ0導電層的技術(shù)。
[0023] 在通過使用金屬圖案制備觸摸屏的情況下，觸摸屏的屏幕單元（screen unit)和 導線是以線和表面的結(jié)合的形式形成的，從而所述金屬圖案必須具有線之間或線和表面之 間的交叉部分。在此情況下，在交叉部分上，所述金屬圖案具有預定角度，從而，由于重疊區(qū) (為交叉部分）的最長軸長度偏離可印刷范圍，出現(xiàn)未印刷現(xiàn)象。因此，在本領(lǐng)域中，需要用 于解決未印刷現(xiàn)象的解決方案。
[0024] 本發(fā)明提供用于膠印的移印版及其制備方法，該移印版能夠防止可在交叉部分存 在的印刷缺陷現(xiàn)象并改善印刷邊緣。
[0025] 根據(jù)本發(fā)明的示例性實施方式的用于膠印的移印版是包括溝槽圖案的用于膠印 的移印版，并且所述溝槽圖案包括由溝槽線形成的網(wǎng)狀圖案，所述網(wǎng)狀圖案包括通過接觸 或穿過溝槽線中的許多線形成的交叉部分，并且交叉部分的最大線寬和交叉部分的蝕刻深 度的比小于25。
[0026] 用于形成導電圖案的用于膠印的移印版和在本領(lǐng)域中由使用所述移印版制備的 導電圖案在下圖1中示意地表示。
[0027] 根據(jù)下圖1的結(jié)果，可見斷路現(xiàn)象存在于由形成導電圖案的金屬線的重疊產(chǎn)生的 交叉部分。
[0028] 本發(fā)明的發(fā)明人發(fā)現(xiàn)：交叉部分的斷路現(xiàn)象是根據(jù)溝槽線的線寬和在形成導電 圖案時可以實施的用于膠印的移印版的溝槽線之間形成的正切角變化的值，并且尤其是， 在兩條直線或曲線形成預定角度并且彼此相交的情況下，其受交叉部分的最長軸的長度影 響。
[0029] 在本發(fā)明的示例性實施方式中，交叉部分的最大線寬和交叉部分的蝕刻深度的比 可以小于25,以及是20以下。
[0030] 在本發(fā)明的示例性實施方式中，交叉部分的形狀可以是圓形，橢圓形或多邊形，以 及所述多邊形可以是四邊形、正方形、長方形、平行四邊形、菱形等，但是本發(fā)明不局限于 此。
[0031] 交叉部分的形狀是平行四邊形，以及交叉部分的最大線寬可以是平行四邊形的長 軸的長度。
[0032] 交叉部分的最大線寬可以由以下等式1表示，但是不局限于此。
[0033] [等式 1]
[0034] ^
[0035] 在等式1中，X是交叉部分的最大線寬，c是平行四邊形長邊的長度，以及Θ是溝 槽線中的許多線彼此接觸或交叉時形成的角度。
[0036] 等式1的Θ可以是大于27°，且在90°以下，但不局限于此。
[0037] 根據(jù)本發(fā)明的示例性實施方式的用于膠印的移印版的交叉部分示意地在下圖2 中顯示。
[0038] 如下圖2所示，當交叉部分的最大線寬是X，平行四邊形的邊的長度分別是c和d， 溝槽線中的許多線彼此接觸或交叉時形成的角度是Θ，并且溝槽線的線寬是 a時，交叉部 分的最大線寬可以由以下等式定義。
[0039] x2= c 2+d2_2cd · cos (180。- θ )
[0040] 戈31..二 1....0..... j ..[.I ..............<f...............丨................................. i cos(90°0) .j sirs ^ "
[0041] 由等式可見，交叉部分的最大線寬可以通過以下等式得出，并且由此可以得到等 式1。
[0042] x 二 土二:巧).
[0043] 如所述結(jié)果一樣，交叉部分的最大線寬可以根據(jù)溝槽線的線寬和當許多溝槽線彼 此接觸或交叉時形成的角度來改變。
[0044] 交叉部分的最大線寬使用等式1并使用溝槽線的線寬和溝槽線彼此接觸或交叉 時形成的角度來計算。此外，在通過使用印刷法（如反向膠?。┬纬蓪щ妶D案的情況下，當 確定可印刷狀態(tài)時，移印版的蝕刻深度作為重要因素起作用。因此，在本發(fā)明中，計算交叉 部分的最大線寬與交叉部分的蝕刻深度的比，并且結(jié)果在下表1中顯示。
[0045] [表 1]
[0046]
[0048] 在本發(fā)明的示例性實施方式中，溝槽圖案或溝槽線的線寬可以是10 μm以下、0. 1 至10μπ?、0. 2至8μπ?或1至5μπ?。溝槽圖案或溝槽線的蝕刻深度可以是ΙΟμL?以下、2μL? 以下或10至300nm。
[0049] 溝槽圖案的開口率，即，未被圖案覆蓋的面積比可以是70 %以上、85 %以上或 95%以上。此外，溝槽圖案的開口率可以是90至99. 9%，但不局限于此。
[0050] 根據(jù)本發(fā)明的另一示例性實施方式的用于制備用于膠印的移印版的方法包括：在 基板上形成掩膜圖案；和通過利用所述掩膜圖案蝕刻所述基板形成溝槽圖案。所述溝槽圖 案包括由溝槽線形成的網(wǎng)狀圖案，所述網(wǎng)狀圖案包括通