專利名稱：無外引腳半導(dǎo)體封裝構(gòu)造及導(dǎo)線架條的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及一種無外引腳半導(dǎo)體封裝構(gòu)造及導(dǎo)線架條，特別是有關(guān)于一種具有一內(nèi)、外抗蝕預(yù)鍍金屬層的一導(dǎo)線架條及由所述導(dǎo)線架條制作的無外引腳半導(dǎo)體封裝構(gòu)造。
背景技術(shù)：
現(xiàn)今，半導(dǎo)體封裝產(chǎn)業(yè)為了滿足各種高密度封裝的需求，逐漸發(fā)展出各種不同型式的封裝構(gòu)造，而這些封裝構(gòu)造通常是選用導(dǎo)線架(Ieadframe)或封裝基板(substrate)來做為承載芯片的載板(carrier)，其中常見使用導(dǎo)線架的封裝構(gòu)造例如為小外型封裝構(gòu)造(small outline package, SOP)、四方扁平封裝構(gòu)造(quadf Iat package, QFP)、四方扁平無外引腳封裝構(gòu)造(quad flat no-lead package,QFN)或小外形無外引腳半導(dǎo)體封裝構(gòu)造(small outline no-lead, SON)等。一般現(xiàn)有四方扁平無外引腳封裝構(gòu)造(QFN)或小外形無外引腳半導(dǎo)體封裝構(gòu)造(SON)的制造流程上，其中一無外引腳半導(dǎo)體封裝構(gòu)造主要包含由一金屬板形成的一導(dǎo)線架條、一芯片、數(shù)條導(dǎo)線及一封裝膠體。在制造流程上，首先準(zhǔn)備一金屬板，其是一平坦且未加工過的金屬板體，接著，對所述金屬板的一第一表面進行第一次半蝕刻(half-etching)作業(yè)，因而形成一芯片承座及數(shù)個內(nèi)延伸腳的預(yù)設(shè)凸島狀構(gòu)形，其中所述數(shù)個內(nèi)延伸腳以單組或多組方式環(huán)繞排列在所述芯片承座的周圍。在第一次半蝕刻作業(yè)后，對所述金屬板的第二表面進行第二次半蝕刻(half-etching)作業(yè)，因而使所述芯片承座及所述內(nèi)延伸腳的凸島狀構(gòu)形彼此分離，因而形成一四方扁平無外引腳型的導(dǎo)線架條(Ieadframestrip)或小外形無外引腳型的導(dǎo)線架條，其中每一內(nèi)延伸腳的底部對應(yīng)蝕刻出一外接點，同時各二相鄰導(dǎo)線架的相鄰內(nèi)延伸腳暫時以一切割道連接框條連接在一起。在完成二次半蝕刻作業(yè)后 ，將所述芯片固定在所述芯片承座上，且利用所述數(shù)條導(dǎo)線或數(shù)個凸塊進行打線作業(yè)，以將所述芯片上的數(shù)個接墊分別電性連接到所述數(shù)個內(nèi)延伸腳上。在打線作業(yè)后，另利用所述封裝膠體進行封膠作業(yè)，以包埋保護所述芯片、所述數(shù)條導(dǎo)線或數(shù)個凸塊及所述金屬板的第一表面?zhèn)?，所述封裝膠體將裸露出突出狀的所述外接點(及芯片承座)。在封膠作業(yè)后，利用切割刀具至少切除大部份的所述切割道連接框條，如此使各二相鄰封裝構(gòu)造彼此分離，以完成數(shù)個無外引腳半導(dǎo)體封裝構(gòu)造的制造過程，其中所述封裝膠體的下表面裸露出所述外接點的下表面，其可做為輸入/輸出端子。另外，一小部分的內(nèi)延伸腳會對應(yīng)所述外接點而裸露在所述封裝膠體的各側(cè)表面上。在上述無外引腳半導(dǎo)體封裝構(gòu)造(四方扁平無外引腳封裝構(gòu)造或小外形無外引腳半導(dǎo)體封裝構(gòu)造)中，在切割成型時，由于切割刀具與金屬摩擦，進而延展產(chǎn)生毛邊(bur)，相鄰引腳的毛邊若意外相接觸則會導(dǎo)致內(nèi)延伸引腳之間的橋接現(xiàn)象，并為了防止此現(xiàn)象發(fā)生，必須降低切割速度，但也因此導(dǎo)致切割效率降低；再者，切割刀具與金屬基材之間的摩擦也容易加速切割刀具的耗損。[0007]故，有必要提供一種無外引腳半導(dǎo)體封裝構(gòu)造及導(dǎo)線架條，以解決現(xiàn)有技術(shù)所存在的問題。

實用新型內(nèi)容有鑒于此，本實用新型提供一種無外引腳半導(dǎo)體封裝構(gòu)造及導(dǎo)線架條，以解決現(xiàn)有技術(shù)所存在的切割過程所產(chǎn)生的問題，并利用預(yù)鍍層的抗蝕性以減少制作過程的的數(shù)道工藝。本實用新型的主要目的在于提供一種無外引腳半導(dǎo)體封裝構(gòu)造及導(dǎo)線架條，其可以避免切割刀具與金屬過度摩擦，進而產(chǎn)生延展而導(dǎo)致內(nèi)延伸引腳之間的橋接現(xiàn)象，還可以使切割刀具免于因摩擦過度而容易損壞，進而提高切割效率。本實用新型的次要目的在于提供一種無外引腳半導(dǎo)體封裝構(gòu)造及導(dǎo)線架條，其可以利用預(yù)鍍層的抗蝕性以減少制作過程的的數(shù)道工藝。為達成本實用新型的前述目的，本實用新型一實施例提供一種無外引腳半導(dǎo)體封裝構(gòu)造的導(dǎo)線架條，其中所述導(dǎo)線架條包含一外框、數(shù)條連接支架、數(shù)個導(dǎo)線架單元、一內(nèi)抗蝕預(yù)鍍金屬層及一外抗蝕預(yù)鍍金屬層。所述數(shù)條連接支架交錯排列在所述外框的范圍內(nèi)。所述數(shù)個導(dǎo)線架單元排列在所述連接支架定義的空間內(nèi)，每一所述導(dǎo)線架單元包含數(shù)個接點。所述數(shù)個接點連接在所述連接支架上。所述內(nèi)抗蝕預(yù)鍍金屬層覆蓋所述接點及連接支架的一內(nèi)表面。所述外抗蝕預(yù)鍍金屬層覆蓋所述接點的一外表面，并裸露所述連接支架的一外表面以定義一切割道。再者，本實用新型另一實施例提供另一種無外引腳半導(dǎo)體封裝構(gòu)造，其中所述無外引腳半導(dǎo)體封裝構(gòu)造 包含一導(dǎo)線架單元、一芯片、數(shù)個電性連接元件及一封裝膠材。所述導(dǎo)線架單元包含數(shù)個接點、一內(nèi)抗蝕預(yù)鍍金屬層及一外抗蝕預(yù)鍍金屬層。所述內(nèi)抗蝕預(yù)鍍金屬層覆蓋所述接點的一內(nèi)表面。所述外抗蝕預(yù)鍍金屬層覆蓋所述接點的一外表面。所述芯片固定在所述導(dǎo)線架單元的區(qū)域內(nèi)。所述數(shù)個電性連接元件電性連接所述芯片至所述接點上的內(nèi)抗蝕預(yù)鍍金屬層。所述一封裝膠材包覆所述芯片、所述電性連接元件以及所述內(nèi)抗蝕預(yù)鍍金屬層，以構(gòu)成一無外引腳半導(dǎo)體封裝構(gòu)造，其中所述封裝膠材裸露每一所述接點的外抗蝕預(yù)鍍金屬層及至少一蝕刻凹陷側(cè)面。與現(xiàn)有技術(shù)相比較，本實用新型的無外引腳半導(dǎo)體封裝構(gòu)造及導(dǎo)線架條，這樣不但可避免切割刀具與金屬過度摩擦，進而產(chǎn)生延展而導(dǎo)致內(nèi)延伸引腳之間的橋接現(xiàn)象，還可以使切割刀具免于因摩擦過度而容易損壞，進而提高切割效率；再者，亦可以利用預(yù)鍍層的抗蝕性以減少制作過程的的數(shù)道工藝。

圖1是本實用新型一實施例無外引腳半導(dǎo)體封裝構(gòu)造的導(dǎo)線架條的上視立體圖。圖2是本實用新型一實施例無外引腳半導(dǎo)體封裝構(gòu)造的導(dǎo)線架條的側(cè)視剖面圖。圖3是本實用新型一實施例無外引腳半導(dǎo)體封裝構(gòu)造的側(cè)視剖面圖。圖4是本實用新型另一實施例無外引腳半導(dǎo)體封裝構(gòu)造的導(dǎo)線架條的側(cè)視剖面圖。圖5A-5E是本實用新型一實施例無外引腳半導(dǎo)體封裝構(gòu)造的制造方法的步驟。
具體實施方式
為讓本實用新型上述目的、特征及優(yōu)點更明顯易懂，下文特舉本實用新型較佳實施例，并配合附圖，作詳細(xì)說明如下。再者，本實用新型所提到的方向用語，例如上、下、頂、底、前、后、左、右、內(nèi)、外、側(cè)面、周圍、中央、平、橫向、垂直、縱向、軸向、徑向、最上層或最下層等，僅是參考附加圖式的方向。因此，使用的方向用語是用以說明及理解本實用新型，而非用以限制本實用新型。請參照圖1及圖2所示，本實用新型一實施例的無外引腳半導(dǎo)體封裝構(gòu)造的導(dǎo)線架條是一條狀板體，其通常系由銅、鐵、鋁、鎳或等效金屬或合金所制成，并經(jīng)由半蝕刻(half-etching)、沖壓(punching)或其他等效方法加工形成下列細(xì)部構(gòu)造,其中所述導(dǎo)線架條主要包含:一外框10、數(shù)條連接支架11、數(shù)個導(dǎo)線架單元12、一內(nèi)抗蝕預(yù)鍍金屬層13及一外抗蝕預(yù)鍍金屬層14。所述數(shù)條連接支架11成十字狀，交錯排列在所述外框的范圍內(nèi)。所述數(shù)個導(dǎo)線架單元12排列在所述連接支架11支撐、區(qū)隔及定義的空間內(nèi)，每一所述導(dǎo)線架單元12包含數(shù)個接點121。所述數(shù)個接點121連接在所述連接支架11上。所述抗蝕預(yù)鍍金屬層13覆蓋所述接點121及所述連接支架11的一內(nèi)表面。所述外抗蝕預(yù)鍍金屬層14覆蓋所述接點121的一外表面，并裸露所述連接支架11的一外表面以定義一切割道111。所述導(dǎo)線架單元12另包含一芯片承座122，所述數(shù)個接點121排列于所述芯片承座122的周圍，所述內(nèi)、外抗蝕預(yù)鍍金屬層13、14覆蓋所述芯片承座122的一內(nèi)表面及一外表面。所述內(nèi)、外抗蝕預(yù)鍍金屬層13、14可以是鎳/鈀/金(N1-Pd-Au)預(yù)鍍層、鈀/金(Pd-Au)預(yù)鍍層或金預(yù)鍍層。所述內(nèi)、外抗蝕預(yù)鍍金屬層13、14除了抗蝕刻的目的之外，其還可以提高所述接點121和金屬導(dǎo)線(wire)、凸塊(bump)及焊錫的結(jié)合度。在現(xiàn)有制作過程中，凸塊區(qū)域內(nèi)若形成的金太厚，則會有離子遷移(migration)的現(xiàn)象至焊料凸塊，造成表面接合不佳； 然而，在打線區(qū)域內(nèi)若金過薄，則其金屬線接合能力會降低，鎳則會有少部分金屬遷移至金，會造成打線接合度有問題。又在現(xiàn)有制作過程中，形成錫層，仍會有離子遷移的問題，亦會造成表面接合力不佳，使得制作成本浪費，故，鎳/鈀/金(N1-Pd-Au)預(yù)鍍層是在所述接點121上依序鍍上鎳層、鈀層及金層，其可以使得所述導(dǎo)線架條的打線結(jié)合度可以提升。另外，所述內(nèi)抗蝕預(yù)鍍金屬層13還可以提高所述接點121和封膠材料的結(jié)
I=I /又 o除此，所述外抗蝕預(yù)鍍金屬層14裸露所述連接支架11的一外表面以定義一切割道111，其作用在后文中介紹制作方法時，可以利用其抗蝕性當(dāng)作一抗蝕刻掩膜，當(dāng)蝕刻時可解省成本又可以簡化現(xiàn)有蝕刻過程中需施加一圖案化抗蝕刻掩膜的步驟。請參照圖3所示，本實用新型一實施例的無外引腳半導(dǎo)體封裝構(gòu)造，主要包含:一導(dǎo)線架單元12、一芯片15、數(shù)個電性連接元件16、一封裝膠材17。所述導(dǎo)線架單元12包含數(shù)個接點121、一內(nèi)抗蝕預(yù)鍍金屬層13及一外抗蝕預(yù)鍍金屬層14。所述內(nèi)抗蝕預(yù)鍍金屬層13覆蓋所述接點121的一內(nèi)表面。及所述外抗蝕預(yù)鍍金屬層14，覆蓋所述接點121的一外表面。所述芯片15固定在所述導(dǎo)線架單元12的區(qū)域內(nèi)，例如固定在所述芯片承座122上。所述數(shù)個電性連接元件16電性連接所述芯片15至所述接點121上的內(nèi)抗蝕預(yù)鍍金屬層13。所述封裝膠材17包覆所述芯片15、所述電性連接元件16以及所述內(nèi)抗蝕預(yù)鍍金屬層13，以構(gòu)成一無外引腳半導(dǎo)體封裝構(gòu)造，其中所述封裝膠材17裸露每一所述接點121的外抗蝕預(yù)鍍金屬層14及至少一蝕刻凹陷側(cè)面，較佳地，所述封裝膠材17裸露每一所述接點121的外抗蝕預(yù)鍍金屬層14及兩個蝕刻凹陷側(cè)面；所述導(dǎo)線架單元12另包含所述芯片承座122，所述數(shù)個接點121排列于所述芯片承座122的周圍，所述內(nèi)、外抗蝕預(yù)鍍金屬層13、14覆蓋所述芯片承座122的一內(nèi)表面及一外表面。所述內(nèi)、外抗蝕預(yù)鍍金屬層13、14是鎳/鈀/金(N1-Pd-Au)預(yù)鍍層、鈀/金(Pd-Au)預(yù)鍍層或金預(yù)鍍層。所述內(nèi)、外抗蝕預(yù)鍍金屬層13、14除了抗蝕刻的目的之外，其還可以提高和金屬導(dǎo)線、凸塊及焊錫的結(jié)合度。請參照圖4所示，本實用新型另一實施例的無外引腳半導(dǎo)體封裝構(gòu)造相似于本實用新型圖3實施例，并大致沿用相同元件名稱及圖號，但本實施例的差異特征在于:本實施例的封裝構(gòu)造進一步增設(shè)一焊錫層20覆蓋所述外抗蝕預(yù)鍍金屬層14及所述蝕刻凹陷側(cè)面111。上述特征的優(yōu)點在于:由于一小部分的所述接點121的金屬基材會裸露在所述封裝膠體的各側(cè)表面上，故利用所述焊錫層20可保護裸露在所述蝕刻凹陷側(cè)面111的所述接點121，以保護裸露的金屬基材(例如銅)免于銹蝕并可提升所述接點121實施表面固定技術(shù)(SMT)時的焊錫接合性。本實用新型將于下文利用圖5A至5E逐一詳細(xì)說明，本實用新型一實施例無外引腳半導(dǎo)體封裝構(gòu)造的制造方法，其主要包含下列步驟:首先請參照圖2所示，提供一導(dǎo)線架條，包含一外框10、數(shù)條連接支架11、數(shù)個導(dǎo)線架單元12、一內(nèi)抗蝕預(yù)鍍金屬層13及一外抗蝕預(yù)鍍金屬層14 ;每一所述導(dǎo)線架單元12具有數(shù)個接點121，且所述內(nèi)抗蝕預(yù)鍍金屬層13覆蓋所述接點121及所述連接支架12的一內(nèi)表面；所述導(dǎo)線架單元12另包含一芯片承座122，所述數(shù)個接點121排列于所述芯片承座122的周圍，所述內(nèi)、外抗蝕預(yù)鍍金屬層13、14分別覆蓋所述芯片承座122的一內(nèi)表面及一外表面。所述內(nèi)、外抗蝕預(yù)鍍金屬層13、14是鎳/鈀/金(N1-Pd-Au)預(yù)鍍層、鈀/金(Pd-Au)預(yù)鍍層或金預(yù)鍍層。所述內(nèi)、外抗蝕預(yù)鍍金屬層13、14除了抗蝕刻的目的之外，其還可以提高和金屬導(dǎo)線及凸塊的結(jié)合度。
接著，請參照圖5A所示，提供一芯片15，并將所述芯片15固定在所述導(dǎo)線架單元12的區(qū)域內(nèi)，例如固定在所述芯片承座122上；之后，再利用數(shù)個電性連接元件15 (導(dǎo)線或是凸塊，如圖5A所示為一金屬導(dǎo)線)來電性連接所述芯片15與所述接點121上的內(nèi)抗蝕預(yù)鍍金屬層13。然后，請參照圖5B所示，利用一封裝膠材17來包覆所述芯片15、所述電性連接元件16以及所述內(nèi)抗蝕預(yù)鍍金屬層13，所述封裝膠材17例如是選自環(huán)氧樹脂模造塑料，其泛指常用的封裝材料，在此步驟之后，另可進行打標(biāo)印字(marking)工藝，打標(biāo)印字于所述封裝膠材17上(未繪示)，打標(biāo)印字過程可通過激光打標(biāo)或油墨印字。之后，請參照圖5C所示，由于在所述接點121的外表面覆蓋了所述外抗蝕預(yù)鍍金屬層14，裸露出所述連接支架11，其有抗蝕刻作用，故可直接利用蝕刻液蝕刻所述外抗蝕預(yù)鍍金屬層14所定義的所述切割道111。故在此步驟時可省下現(xiàn)有技術(shù)需要鍍上一光刻膠膜或是置放一機械掩膜板已定義所述切割道111的步驟及材料成本。接著，請參照圖所示，蝕刻所述切割道111的結(jié)果是形成一蝕刻槽201，所述蝕刻槽201裸露出所述抗內(nèi)蝕預(yù)鍍金屬層13，由于預(yù)先形成的所述蝕刻槽201已去除金屬基材，故可減少此步驟之后切割刀具的磨損及增進切割工藝的效率。[0031]最后，請參照圖5E所示，利用一切割刀具30切割位在所述切割槽201的內(nèi)抗蝕預(yù)鍍金屬層13及封裝膠材17，如此使各二相鄰封裝構(gòu)造彼此分離，以完成數(shù)個無外引腳半導(dǎo)體封裝構(gòu)造的制造過程，如圖3所示。另外，在此步驟中，由于所述連接支架11已被預(yù)先蝕刻去除，故亦使得采用激光切割工藝切割所述內(nèi)抗蝕預(yù)鍍金屬層13及封裝膠材17變得可行。其中所述封裝膠體的下表面裸露出所述接點121的下表面，其可做為輸入/輸出端子。另外，一小部分的所述接點121會裸露在所述封裝膠體的各側(cè)表面上，故可以在蝕刻步驟之后，再電鍍一焊錫層20于所述外抗蝕預(yù)鍍金屬層14上以及所述接點121面對所述蝕刻槽201的至少一蝕刻凹陷側(cè)面，較佳地，電鍍所述焊錫層20于所述外抗蝕預(yù)鍍金屬層14上以及所述接點121面對所述蝕刻槽201的兩個蝕刻凹陷側(cè)面，如圖4所示。所述焊錫層20例如為各種現(xiàn)有無鉛焊錫合金。本實用新型的無外引腳半導(dǎo)體封裝構(gòu)造及導(dǎo)線架條適用在任何無外引腳半導(dǎo)體封裝構(gòu)造，即可以適用于四邊具有引腳的半導(dǎo)體封裝構(gòu)造，例如四方扁平無外引腳封裝構(gòu)造(quad flat no-lead package, QFN),還可以適用在兩邊具有引腳的半導(dǎo)體封裝構(gòu)造,例如小外形無外引腳半導(dǎo)體封裝構(gòu)造(small outlineno-lead, SON),或者一邊、三邊具有引腳的無外引腳半導(dǎo)體封裝構(gòu)造。如上所述，相較于現(xiàn)有無外引腳半導(dǎo)體封裝構(gòu)造及導(dǎo)線架條，本實用新型的無外引腳半導(dǎo)體封裝構(gòu)造及導(dǎo)線架條，不但可避免切割刀具與金屬過度摩擦，進而產(chǎn)生延展而導(dǎo)致內(nèi)延伸引腳之間的橋接現(xiàn)象，還可以使切割刀具免于因摩擦過度而容易損壞，進而提高切割效率；再者，亦可以利用預(yù)鍍層的抗蝕性以減少制作過程的的數(shù)道工藝。本實用新型已由上述相關(guān)實施例加以描述，然而上述實施例僅為實施本實用新型的范例。必需指出的是，已公開 的實施例并未限制本實用新型的范圍。相反地，包含于權(quán)利要求書的精神及范圍的修改及均等設(shè)置均包括于本實用新型的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求1.一種無外引腳半導(dǎo)體封裝構(gòu)造的導(dǎo)線架條，其特征在于:所述導(dǎo)線架條包含: 一外框； 數(shù)條連接支架，交錯排列在所述外框的范圍內(nèi)； 數(shù)個導(dǎo)線架單元，排列在所述連接支架定義的空間內(nèi)，每一所述導(dǎo)線架單元包含: 數(shù)個接點，連接在所述連接支架上； 一內(nèi)抗蝕預(yù)鍍金屬層，覆蓋所述接點及連接支架的一內(nèi)表面 '及一外抗蝕預(yù)鍍金屬層，覆蓋所述接點的一外表面，并裸露所述連接支架的一外表面以定義一切割道。
2.如權(quán)利要求1所述的無外引腳半導(dǎo)體封裝構(gòu)造的導(dǎo)線架條，其特征在于:所述導(dǎo)線架單元另包含一芯片承座，所述數(shù)個接點排列于所述芯片承座的周圍，所述內(nèi)、外抗蝕預(yù)鍍金屬層分別覆蓋所述芯片承座的一內(nèi)表面及一外表面。
3.如權(quán)利要求1所述的無外引腳半導(dǎo)體封裝構(gòu)造的導(dǎo)線架條，其特征在于:所述內(nèi)、夕卜抗蝕預(yù)鍍金屬層是鎳/鈀/金預(yù)鍍層、鈀/金預(yù)鍍層或金預(yù)鍍層。
4.一種無外引腳半導(dǎo)體封裝構(gòu)造，其特征在于:所述無外引腳半導(dǎo)體封裝構(gòu)造包含: 一導(dǎo)線架單元，包含:數(shù)個接點；一內(nèi)抗蝕預(yù)鍍金屬層，覆蓋所述接點的一內(nèi)表面；及一外抗蝕預(yù)鍍金屬層，覆蓋所述接點的一外表面； 一芯片，固定在所述導(dǎo)線架單元的區(qū)域內(nèi)； 數(shù)個電性連接元件 ，電性連接所述芯片至所述接點上的內(nèi)抗蝕預(yù)鍍金屬層；及一封裝膠材，包覆所述芯片、所述電性連接元件以及所述內(nèi)抗蝕預(yù)鍍金屬層，以構(gòu)成一無外引腳半導(dǎo)體封裝構(gòu)造，其中所述封裝膠材裸露每一所述接點的外抗蝕預(yù)鍍金屬層及至少一蝕刻凹陷側(cè)面。
5.如權(quán)利要求4所述的無外引腳半導(dǎo)體封裝構(gòu)造，其特征在于:所述外抗蝕預(yù)鍍金屬層及所述蝕刻凹陷側(cè)面另覆蓋有一焊錫層。
6.如權(quán)利要求4所述的無外引腳半導(dǎo)體封裝構(gòu)造，其特征在于:所述導(dǎo)線架單元另包含一芯片承座，所述數(shù)個接點排列于所述芯片承座的周圍，所述內(nèi)、外抗蝕預(yù)鍍金屬層分別覆蓋所述芯片承座的一內(nèi)表面及一外表面。
7.如權(quán)利要求4所述的無外引腳半導(dǎo)體封裝構(gòu)造，其特征在于:所述內(nèi)、外抗蝕預(yù)鍍金屬層是鎳/鈀/金預(yù)鍍層、鈀/金預(yù)鍍層或金預(yù)鍍層。
專利摘要本實用新型公開一種無外引腳半導(dǎo)體封裝構(gòu)造及導(dǎo)線架條，所述無外引腳半導(dǎo)體封裝構(gòu)造包含一導(dǎo)線架單元，包含數(shù)個接點；一內(nèi)抗蝕預(yù)鍍金屬層，覆蓋所述接點的一內(nèi)表面；及一外抗蝕預(yù)鍍金屬層，覆蓋所述接點的一外表面；一芯片，固定在所述導(dǎo)線架單元的區(qū)域內(nèi)；數(shù)個電性連接元件，電性連接所述芯片至所述接點上的內(nèi)抗蝕預(yù)鍍金屬層；及一封裝膠材，包覆所述芯片、所述電性連接元件以及所述內(nèi)抗蝕預(yù)鍍金屬層，以構(gòu)成一無外引腳半導(dǎo)體封裝構(gòu)造，其中所述封裝膠材裸露每一所述接點的外抗蝕預(yù)鍍金屬層及至少一蝕刻凹陷側(cè)面。
文檔編號H01L23/495GK203134783SQ20122073665
公開日2013年8月14日 申請日期2012年12月28日 優(yōu)先權(quán)日2012年12月28日
發(fā)明者葉勇 申請人:日月光半導(dǎo)體(昆山)有限公司