晶硅太陽能電池的二次印刷對位方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種晶硅太陽能電池的二次印刷對位方法，該方法的步驟如下：a、提供一具有第一定位識別標(biāo)記組的第一網(wǎng)版；b、通過第一印刷機采用該第一網(wǎng)版對硅片進行一次印刷，得到具有第一定位圖案組的硅片，第一定位圖案組與第一定位識別標(biāo)記組相匹配；c、提供一具有第二定位識別標(biāo)記組的第二網(wǎng)版，并且第二定位識別標(biāo)記組的第二定位標(biāo)記和第一定位識別標(biāo)記組的第一定位識別標(biāo)記一一對應(yīng)；d、通過第二印刷機采用該第二網(wǎng)版對步驟b）中一次印刷后的硅片進行二次印刷，得到具有第二定位圖案組的硅片，并且該硅片上同時也具有第一定位圖案組，第二定位圖案組和第二定位識別標(biāo)記組相匹配。本發(fā)明能夠?qū)崿F(xiàn)二次印刷中定位圖案的精確及數(shù)值定位，消除人為的隨機性和數(shù)值判斷誤差，提高對位的精度，減少絲網(wǎng)印刷的加粗比例，提升生產(chǎn)良率。
【專利說明】晶硅太陽能電池的二次印刷對位方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種晶硅太陽能電池的二次印刷對位方法，屬于晶硅太陽能電池制備過程中絲網(wǎng)印刷領(lǐng)域。
【背景技術(shù)】
[0002]目前，原絲網(wǎng)印刷中的二次印刷技術(shù)的對準(zhǔn)調(diào)試，主要是在設(shè)備進行Mark點基本定位后，靠生產(chǎn)操作人員根據(jù)實際印刷的樣片進行人工判斷偏移及大致數(shù)值，然后進行offset的人工設(shè)置，此項調(diào)試工作與人員的熟練程度及人為判斷決定，具有人為的隨機性和數(shù)值判斷誤差。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是克服現(xiàn)有技術(shù)的缺陷，提供一種晶硅太陽能電池的二次印刷對位方法，它能夠?qū)崿F(xiàn)二次印刷中定位圖案的精確及數(shù)值定位，消除人為的隨機性和數(shù)值判斷誤差，提高對位的精度，減少絲網(wǎng)印刷的加粗比例，提升生產(chǎn)良率。
[0004]為了解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明的技術(shù)方案是:一種晶硅太陽能電池的二次印刷對位方法，該方法的步驟如下:
a、提供一具有第一定位識別標(biāo)記組的第一網(wǎng)版；
b、通過第一印刷機采用該第一網(wǎng)版對硅片進行一次印刷，得到具有第一定位圖案組的硅片，第一定位圖案組與第一定位識別標(biāo)記組相匹配；
C、提供一具有第二定位識別標(biāo)記組的第二網(wǎng)版，并且第二定位識別標(biāo)記組的第二定位標(biāo)記和第一定位識別標(biāo)記組的第一定位識別標(biāo)記一一對應(yīng)；
d、通過第二印刷機采用該第二網(wǎng)版對步驟b)中一次印刷后的硅片進行二次印刷，得到具有第二定位圖案組的硅片，并且該硅片上同時也具有第一定位圖案組，第二定位圖案組和第二定位識別標(biāo)記組相匹配；
e、分別測量經(jīng)過d步驟處理后的硅片上第一定位圖案組的第一定位圖案和第二定位圖案組的第二定位圖案的中心坐標(biāo)，并且計算出第一定位圖案與相對應(yīng)的第二定位圖案的中心坐標(biāo)的橫向偏移ΔΧ,縱向偏移ΔΥ和角度偏移Am,并將其設(shè)置進第二印刷機中對第二網(wǎng)版進行補償調(diào)整，從而實現(xiàn)二次精確打印。
[0005]進一步，所述的第一定位識別標(biāo)記組為分別均布在第一網(wǎng)版四個角區(qū)域上的第一位置識別點，所述的第二定位識別標(biāo)記組為分別均布在第二網(wǎng)版四個角區(qū)域上的第二位置識別點，并且每個第二位置識別點和第一網(wǎng)版上相對應(yīng)的角區(qū)域上的第一位置識別點相對應(yīng)，第二位置識別點的直徑比第一位置識別點的直徑大。
[0006]進一步，所述的第二位置識別點的直徑為1.2mm，第一位置識別點的直徑為
0.8mmο
[0007]進一步，在步驟b中，第一印刷機通過其機器視覺系統(tǒng)定位到硅片的位置，然后將第一網(wǎng)版I與硅片對準(zhǔn)后在硅片上印刷第一定位圖案組，得到具有第一定位圖案組的硅片。
[0008]更進一步，在步驟d中，第二印刷機通過其機器視覺系統(tǒng)找準(zhǔn)硅片上的第一定位圖案組將第二網(wǎng)版2和硅片對準(zhǔn)后在已具有第一定位圖案組的硅片上印刷第二定位圖案組，得到具有第一定位圖案組和第二定位圖案組的硅片。
[0009]采用了上述技術(shù)方案后，經(jīng)過一次和二次印刷出來后的硅片，兩次印刷的第一定位圖案的中心位置和第二定位圖案的中心位置分別可在精密測量儀器進行測量，則可測量出二次套印的位置相對一次印刷的圖案位置的偏移數(shù)值，然后進行一次性的補償調(diào)整，從而實現(xiàn)二次印刷的精確性，消除人為的隨機性和數(shù)值判斷誤差，提高對位的精度，減少絲網(wǎng)印刷的加粗比例，提升生產(chǎn)良率。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0010]圖1為本發(fā)明的第一網(wǎng)版的結(jié)構(gòu)示意圖；
圖2為本發(fā)明的第二網(wǎng)版的結(jié)構(gòu)示意圖；
圖3為本發(fā)明方法生產(chǎn)的硅片上的第一定位圖案組和第二定位圖案組的示意圖；
圖4為圖3中的其中一個第一定位圖案和第二定位圖案的放大示意圖。
【具體實施方式】
[0011]為了使本發(fā)明的內(nèi)容更容易被清楚地理解，下面根據(jù)具體實施例并結(jié)合附圖，對本發(fā)明作進一步詳細(xì)的說明，
如圖f 3所示，一種晶硅太陽能電池的二次印刷對位方法，該方法的步驟如下:
a、提供一具有第一定位識別標(biāo)記組的第一網(wǎng)版I;
b、通過第一印刷機采用該第一網(wǎng)版I對硅片進行一次印刷，得到具有第一定位圖案組的硅片，第一定位圖案組與第一定位識別標(biāo)記組相匹配；
C、提供一具有第二定位識別標(biāo)記組的第二網(wǎng)版2，并且第二定位識別標(biāo)記組的第二定位標(biāo)記2-1和第一定位識別標(biāo)記組的第一定位識別標(biāo)記1-1 一一對應(yīng)；
d、通過第二印刷機采用該第二網(wǎng)版對步驟b中一次印刷后的硅片進行二次印刷，得到具有第二定位圖案組的硅片，并且該硅片上同時也具有第一定位圖案組，第二定位圖案組和第二定位識別標(biāo)記組相匹配；
e、分別測量經(jīng)過d步驟處理后的硅片上第一定位圖案組的第一定位圖案3和第二定位圖案組的第二定位圖案4的中心坐標(biāo)，并且計算出第一定位圖案3與相對應(yīng)的第二定位圖案4的中心坐標(biāo)的橫向偏移ΔΧ，縱向偏移ΔΥ和角度偏移Δπι，并將其設(shè)置進第二印刷機中對第二網(wǎng)版2進行補償調(diào)整，從而實現(xiàn)二次精確打印。
[0012]其中，第一定位識別標(biāo)記組為分別均布在第一網(wǎng)版I四個角區(qū)域上的第一位置識別點，坐標(biāo)分別為(xl，yl), (x2, y2), (x3, y3), (x4, y4);第二定位識別標(biāo)記組為分別均布在第二網(wǎng)版2四個角區(qū)域上的第二位置識別點，坐標(biāo)分別為(XI，Yl)，(X2, Y2), (X3, Y3),(X4, Y4)，并且每個第二位置識別點和第一網(wǎng)版上相對應(yīng)的角區(qū)域上的第一位置識別點相對應(yīng)，第二位置識別點的直徑比第一位置識別點的直徑大。
[0013]第二位置識別點的直徑為1.2mm,第一位置識別點的直徑為0.8mm。
[0014]在步驟b中，第一印刷機通過其機器視覺系統(tǒng)定位到硅片的位置，譬如找準(zhǔn)硅片的四個頂點，然后計算出硅片的坐標(biāo)值和角度值，然后將第一網(wǎng)版I與硅片對準(zhǔn)后在硅片上印刷第一定位圖案組，得到具有第一定位圖案組的硅片。
[0015]在步驟d中，第二印刷機通過其機器視覺系統(tǒng)找準(zhǔn)硅片上的第一定位圖案組將第二網(wǎng)版2和硅片對準(zhǔn)后在已具有第一定位圖案組的硅片上印刷第二定位圖案組，得到具有第一定位圖案組和第二定位圖案組的硅片。
[0016]印刷過程中，由于網(wǎng)版會慢慢變形，則只要對印刷出來的片子進行定期監(jiān)控測量，然后進行相應(yīng)的偏移補償值調(diào)整即可很好的控制加粗現(xiàn)象的發(fā)生。
[0017]經(jīng)過實際生產(chǎn)發(fā)現(xiàn)，現(xiàn)有技術(shù)生產(chǎn)二次印刷造成的加粗不良占比達(dá)到0.3%，通過本方法，加粗主要出現(xiàn)在調(diào)試的前幾片，預(yù)期加粗比例可以控制在0.1%以下，提升0.2%的成品良率。
[0018]本發(fā)明的工作原理如下:
經(jīng)過一次和二次印刷出來后的硅片，兩次印刷的第一定位圖案的中心位置和第二定位圖案的中心位置分別可在精密測量儀器進行測量，則可測量出二次套印的位置相對一次印刷的圖案位置的偏移數(shù)值，然后進行一次性的補償調(diào)整，從而實現(xiàn)二次印刷的精確性，消除人為的隨機性和數(shù)值判斷誤差，提高對位的精度，減少絲網(wǎng)印刷的加粗比例，提升生產(chǎn)良率。
[0019]以上所述的具體實施例，對本發(fā)明解決的技術(shù)問題、技術(shù)方案和有益效果進行了進一步詳細(xì)說明，所應(yīng)理解的是，以上所述僅為本發(fā)明的具體實施例而已，并不用于限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所做的任何修改、等同替換、改進等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種晶硅太陽能電池的二次印刷對位方法，其特征在于該方法的步驟如下: a、提供一具有第一定位識別標(biāo)記組的第一網(wǎng)版(I); b、通過第一印刷機采用該第一網(wǎng)版(I)對硅片進行一次印刷，得到具有第一定位圖案組的硅片，第一定位圖案組與第一定位識別標(biāo)記組相匹配； C、提供一具有第二定位識別標(biāo)記組的第二網(wǎng)版(2)，并且第二定位識別標(biāo)記組的第二定位標(biāo)記(2-1)和第一定位識別標(biāo)記組的第一定位識別標(biāo)記(1-1) 一一對應(yīng)； d、通過第二印刷機采用該第二網(wǎng)版對步驟b中一次印刷后的硅片進行二次印刷，得到具有第二定位圖案組的硅片，并且該硅片上同時也具有第一定位圖案組，第二定位圖案組和第二定位識別標(biāo)記組相匹配； e、分別測量經(jīng)過d步驟處理后的硅片上第一定位圖案組的第一定位圖案(3)和第二定位圖案組的第二定位圖案(4)的中心坐標(biāo)，并且計算出第一定位圖案(3)與相對應(yīng)的第二定位圖案(4)的中心坐標(biāo)的橫向偏移ΔΧ，縱向偏移ΔΥ和角度偏移Δπι，并將其設(shè)置進第二印刷機中對第二網(wǎng)版(2)進行補償調(diào)整，從而實現(xiàn)二次精確打印。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶硅太陽能電池的二次印刷對位方法，其特征在于:所述的第一定位識別標(biāo)記組為分別均布在第一網(wǎng)版(I)四個角區(qū)域上的第一位置識別點，所述的第二定位識別標(biāo)記組為分別均布在第二網(wǎng)版(2)四個角區(qū)域上的第二位置識別點，并且每個第二位置識別點和第一網(wǎng)版上相對應(yīng)的角區(qū)域上的第一位置識別點相對應(yīng)，第二位置識別點的直徑比第一位置識別點的直徑大。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的晶硅太陽能電池的二次印刷對位方法，其特征在于:所述的第二位置識別點的直徑為1.2mm,第一位置識別點的直徑為0.8mm。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶硅太陽能電池的二次印刷對位方法，其特征在于:在步驟b中，第一印刷機通過其機器視覺系統(tǒng)定位到硅片的位置，然后將第一網(wǎng)版(I)與硅片對準(zhǔn)后在硅片上印刷第一定位圖案組，得到具有第一定位圖案組的硅片。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或4所述的晶硅太陽能電池的二次印刷對位方法，其特征在于:在步驟d中，第二印刷機通過其機器視覺系統(tǒng)找準(zhǔn)硅片上的第一定位圖案組將第二網(wǎng)版(2)和硅片對準(zhǔn)后在已具有第一定位圖案組的硅片上印刷第二定位圖案組，得到具有第一定位圖案組和第二定位圖案組的硅片。
【文檔編號】B41M1/12GK103640349SQ201310604369
【公開日】2014年3月19日 申請日期:2013年11月26日 優(yōu)先權(quán)日:2013年11月26日
【發(fā)明者】丁志強, 衛(wèi)志敏 申請人:常州天合光能有限公司