專利名稱：熱頭及熱頭的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及熱頭(thermal head)及熱頭的制造方法。
背景技術(shù)：
眾所周知，一直以來熱頭用于多數(shù)搭載于以小型手提式終端機為代表的小型信息 設備終端的熱敏打印機，并基于印相數(shù)據(jù)有選擇地驅(qū)動多個發(fā)熱電阻體來對感熱記錄介質(zhì) 進行印相(例如，參照專利文獻1)。在熱頭的高效率化中，有在支撐發(fā)熱電阻體的基板形成空腔部的方法。該空腔部 用作中空隔熱層，從而減少在發(fā)熱電阻體產(chǎn)生的熱量中向基板側(cè)傳遞的下方傳遞熱量，并 增大向發(fā)熱電阻體的上方傳遞的上方傳遞熱量，從而能提高印字時所需的能量效率。在專利文獻1所記載的熱頭，接合由玻璃等的相同材料構(gòu)成的上板基板和支撐基 板而構(gòu)成一體型的基板。在這些上板基板或支撐基板的任一個上設置凹部，以閉塞凹部的 方式接合上板基板和支撐基板而一體化，從而在一體型的基板的內(nèi)部形成空腔部。在這種 一體型的基板中，上板基板用作支撐發(fā)熱電阻體等的支撐構(gòu)件并且也用作儲存來自發(fā)熱電 阻體的熱的蓄熱層，因此上板基板的厚度尺寸對進行熱頭的質(zhì)量管理的方面較為重要。特 別是，在對上板基板實施薄板化處理或表面處理等的情況下，有可能使上板基板的厚度不 均勻，因此需要對熱頭進行質(zhì)量管理，以使上板基板的厚度均勻。專利文獻1 日本特開2007-83532號公報但是，由于使上板基板與支撐基板一體化并且在表面上形成發(fā)熱電阻體或保護膜 等，所以在完成的熱頭中，已經(jīng)存在無法只測定上板基板的厚度的問題。在測定已完成的熱 頭的上板基板的厚度時，不得不分解熱頭后進行測定。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明鑒于上述的狀況構(gòu)思而成，其目的在于提供無需分解熱頭而能簡單地測定 上板基板的厚度的熱頭及其制造方法。為了達成上述目的，本發(fā)明提供以下方案。本發(fā)明提供一種熱頭，包括以疊層狀態(tài)接合由玻璃材料構(gòu)成的平板狀的支撐基 板及上板基板而成的基板；形成在所述上板基板的表面上的發(fā)熱電阻體；以及局部地覆蓋 包含該發(fā)熱電阻體的所述上板基板的所述表面并加以保護的保護膜，在所述支撐基板設有 對與所述上板基板的接合面進行開口而形成空腔的多個開口部，該開口部中的任意開口部 形成在與所述發(fā)熱電阻體對置的位置，該開口部中的其它任意開口部形成在沒有被所述保 護膜覆蓋的區(qū)域。依據(jù)本發(fā)明，配置在發(fā)熱電阻體的正下方的上板基板用作蓄熱層。此外，在與發(fā)熱 電阻體對置的位置形成有開口部的支撐基板中的空腔用作中空隔熱層。通過用作該中空隔 熱層的空腔，減少在發(fā)熱電阻體產(chǎn)生的熱量中通過上板基板向支撐基板側(cè)傳遞的熱量，并 增大向發(fā)熱電阻體的上方傳遞而用于印字等的熱量，從而能提高發(fā)熱效率。此外，通過保護膜，能夠保護發(fā)熱電阻體不會磨損或腐蝕。另一方面，在上板基板的表面沒有被保護膜覆蓋的區(qū)域設置的開口部的位置中， 上板基板的表面及背面都面向空氣。即，上板基板的表面露出于外部，其背面向通過閉塞開 口部來形成的空腔。因而，即使上板基板與支撐基板接合的狀態(tài)下，如果對表面及背面都面向空氣的 上板基板的該區(qū)域照射光，也會因上板基板與空氣的折射率差異而能夠在上板基板的表面 及背面上分別反射光。從而，能以光學方式檢測上板基板的表面及背面的位置，并在不分解 熱頭的情況下能夠簡單地測定上板基板的厚度。在上述發(fā)明中，所述開口部也可以是在與所述上板基板的接合面凹陷的凹部，或 者，也可以是沿厚度方向貫通所述支撐基板的貫通孔。本發(fā)明提供一種熱頭的制造方法，其中包括開口部形成工序，形成對由玻璃材料 構(gòu)成的平板狀的支撐基板的一個表面進行開口的多個開口部；接合工序，在通過該開口部 形成工序形成所述開口部的所述支撐基板的一個表面，以閉塞所述開口部的方式接合由玻 璃材料構(gòu)成的平板狀的上板基板；電阻體形成工序，在通過該接合工序以疊層狀態(tài)接合至 所述支撐基板的一個表面的所述上板基板的表面的與任意所述開口部對置位置形成發(fā)熱 電阻體；以及保護膜形成工序，以不覆蓋與任意所述開口部對置的所述表面的方式形成保 護膜，該保護膜局部地覆蓋包含通過該電阻體形成工序形成的所述發(fā)熱電阻體的所述上板 基板的所述表面并加以保護。依據(jù)本發(fā)明，通過接合工序，對支撐基板的一個表面開口的多個開口部被上板基 板覆蓋而形成各空腔部。此外，發(fā)熱電阻體形成在與開口部對置的位置的空腔部，對于發(fā)熱 電阻體產(chǎn)生的熱起到中空隔熱層的作用。由此，能夠制造減少發(fā)熱電阻體產(chǎn)生的熱量中向 支撐基板側(cè)傳遞的熱量，并可增大向發(fā)熱電阻體的上方傳遞而用于印字等的熱量的發(fā)熱效 率高的熱頭。另一方面，與沒有被通過保護膜形成工序形成的保護膜覆蓋的開口部對置的上板 基板的表面及背面都面向空氣。因而，利用上板基板和空氣的折射率差異，能以光學方式檢 測上板基板的表面及背面的位置，能夠制造出在制造后能簡單地測定上板基板的厚度的熱 頭。此外，在上述發(fā)明中具備薄板化工序，以將通過所述接合工序接合至所述支撐基 板的一個表面的所述上板基板薄板化也可。通過這樣構(gòu)成，經(jīng)電阻體形成工序及保護膜形成工序在薄板化的上板基板的表面 形成發(fā)熱電阻體及保護膜。經(jīng)薄板化工序減少上板基板的厚度，從而減少作為蓄熱層的熱 容量，能夠制造出將發(fā)熱電阻體產(chǎn)生的熱量可以有效率地利用到印字等的熱頭。此外，在上述發(fā)明中，也可以具備測定工序，對與形成在所述上板基板的表面沒有 被所述保護膜覆蓋的位置的所述開口部對置的所述上板基板的區(qū)域照射光，通過在所述上 板基板的所述表面及背面上的反射光檢測所述表面及所述背面的位置，測定所述上板基板 的厚度。通過這樣構(gòu)成，經(jīng)測定工序能夠從上板基板的表面?zhèn)瘸纬稍谏习寤宓谋砻?沒有被保護膜覆蓋的位置的開口部照射光，僅檢測在上板基板的表面及背面中分別反射的 反射光來測定上板基板的準確的厚度尺寸，從而能夠制造出已知上板基板的準確的厚度的熱頭。 此外，上述發(fā)明中，所述開口部形成工序形成排列多個組的多個所述開口部，具備 在所述保護膜形成工序后按所述開口部的每個組切斷所述上板基板及所述支撐基板的切 斷工序也可。通過這樣構(gòu)成，能夠一次性制造多數(shù)熱頭，并能提高生產(chǎn)性且減少成本。這時，即 使在同一支撐基板內(nèi)厚度發(fā)生變動，也能高精度地管理所制造的所有熱頭的上板基板的厚度。(發(fā)明效果)依據(jù)本發(fā)明，得到在不分解熱頭的情況下能簡單地測定上板基板的厚度的效果。


圖1是具備用本發(fā)明的一個實施方式的熱頭的制造方法來制造的熱頭的熱敏打 印機的概略剖視圖。圖2是從保護膜側(cè)觀看圖1的熱頭的平面圖。圖3是與圖2的熱頭的長邊方向正交的縱剖視圖。圖4是本發(fā)明的一個實施方式的熱頭的制造方法的流程圖。圖5是表示測定圖1的熱頭的上板基板的厚度的樣子的概略剖視圖。圖6是作為本發(fā)明的一個實施方式的熱頭的制造方法而增加了發(fā)熱電阻體的電 阻值的調(diào)整方法的流程圖。圖7是使上板基板的厚度與發(fā)熱電阻體的目標電阻值對應的數(shù)據(jù)庫。
具體實施例方式以下，參照附圖，對本發(fā)明的一個實施方式的熱頭及其制造方法進行說明。本實施方式的熱頭1用于例如圖1所示的熱敏打印機100。該熱敏打印機100包 括主體框架2 ；水平配置的壓紙滾軸(platen roller)4 ；與壓紙滾軸4的外周面對置配置 的熱頭1 ；向壓紙滾軸4與熱頭1之間輸送感熱紙3等的印刷對象物的送紙機構(gòu)6 ；以及將 熱頭1以規(guī)定按壓力按壓到感熱紙3的加壓機構(gòu)8。通過加壓機構(gòu)8的工作，熱頭1及感熱紙3被按壓到壓紙滾軸4。由此，成為壓紙 滾軸4的載荷經(jīng)由感熱紙3加到熱頭1上。熱頭1如圖2所示成為板狀，其中包括矩形狀的基板主體(基板)12 ；在基板主 體12的上表面以規(guī)定間隔排列的多個發(fā)熱電阻體14 ；與各發(fā)熱電阻體14連接的電極布線 16 ；以及局部地覆蓋包含發(fā)熱電阻體14及電極布線16的基板主體12的上表面而保護它們 不會磨損或腐蝕的保護膜18。圖中，發(fā)熱電阻體14表現(xiàn)為1條直線狀，但實際上沿著基板 主體12的長邊方向以微小間隔排列多個(例如4096個)。此外，在該基板主體12的上表面，具備經(jīng)由電極布線16電連接至各發(fā)熱電阻體 14的驅(qū)動用IC22 ；覆蓋驅(qū)動用IC22保護其不會磨損或腐蝕，并配置在基板主體12的上表 面的IC樹脂覆蓋膜24 ；以及對發(fā)熱電阻體14供電的多個(例如10個左右)給電部26。如圖3所示，基板主體12構(gòu)成為固定于由鋁等的金屬、樹脂、陶瓷或玻璃等構(gòu)成的 板狀構(gòu)件的散熱板28，能夠通過散熱板28進行散熱。該基板主體12以疊層狀態(tài)接合形成
5有所述發(fā)熱電阻體14或驅(qū)動用IC22等的平板狀的上板基板11和支撐上板基板11的平板 狀的支撐基板13而構(gòu)成。上板基板11是厚度10 50μπι左右的玻璃基板。該上板基板11配置于發(fā)熱電 阻體14的正下方，從而作為儲存從發(fā)熱電阻體14產(chǎn)生的一部分熱的蓄熱層起作用。支撐基板13是例如具有300μπι Imm左右的厚度的絕緣性玻璃基板。此外，支 撐基板13及上板基板11最好采用由彼此相同的材料構(gòu)成的玻璃基板或者性質(zhì)接近的玻璃基板。在支撐基板13形成有與上板基板11的接合面凹陷的隔熱用凹部(開口部)32及 2個厚度測定用凹部(開口部)34(以下，將隔熱用凹部32及厚度測定用凹部34稱為“凹 部 32、34”。)。熱用凹部32形成為沿支撐基板13的長邊方向延伸的矩形狀，配置在與所有的發(fā) 熱電阻體14對置的位置。厚度測定用凹部34形成為具有100 μ m左右的開口寬度的正方形狀，配置在上板 基板11上的沒有被保護膜18或IC樹脂覆蓋膜24覆蓋的位置。例如，配置在支撐基板13 的接合面上的角部(corner)附近。這些上板基板11及支撐基板13，以疊層狀態(tài)在支撐基板13的一個表面接合上板 基板11，以閉塞凹部32、34。通過用上板基板11覆蓋凹部32、34，在上板基板11與分別形 成支撐基板13之間隔熱用空腔部33及厚度測定用空腔部35。隔熱用空腔部33作為抑制在上層形成的發(fā)熱電阻體14產(chǎn)生的熱從上板基板11 向支撐基板13 —側(cè)傳遞的中空隔熱層起作用，具有與所有的發(fā)熱電阻體14對置的連通結(jié) 構(gòu)。在上板基板11的表面，發(fā)熱電阻體14設置成分別沿寬度方向橫跨隔熱用空腔部 33，在隔熱用空腔部33的長邊方向以規(guī)定間隔排列。即，各發(fā)熱電阻體14隔著上板基板11 配置在與隔熱用空腔部33對置的位置。電極布線16包括連接至與各發(fā)熱電阻體14的排列方向正交的方向的一端的個別 電極布線和與所有發(fā)熱電阻體14的另一端連接成一體的共同電極布線。驅(qū)動用IC22個別地控制各發(fā)熱電阻體14的發(fā)熱動作，控制經(jīng)由個別電極布線施 加的電壓，并能驅(qū)動所選擇的發(fā)熱電阻體14。在上板基板11上沿著發(fā)熱電阻體14的排列 方向隔著間隔而配置有2個驅(qū)動用IC22，分別通過個別電極布線使半數(shù)的發(fā)熱電阻體14連 接至各驅(qū)動用IC22。通過驅(qū)動用IC22對個別電極布線有選擇地施加電壓的情況下，電流流過連接有 所選擇的個別電極布線的發(fā)熱電阻體14，使該發(fā)熱電阻體14發(fā)熱。在該狀態(tài)下，根據(jù)加壓 機構(gòu)8的工作，通過在覆蓋發(fā)熱電阻體14的發(fā)熱部分的保護膜18的表面部分(印字部分) 按壓感熱紙3，能夠使感熱紙3發(fā)色而印字。由于隔熱用空腔部33作為中空隔熱層起作用，與向在發(fā)熱電阻體14的一面鄰接 的上板基板11傳遞的熱量相比，向發(fā)熱電阻體14的另一面鄰接的保護膜18的方向傳遞的 熱量增大。在印刷時保護膜18上被按壓感熱紙3，因此通過增大對該方向的熱量來增大用 于印字等的熱量，能夠提高利用效率。在厚度測定用空腔部35的位置中，上板基板11的表面及其背面都面向空氣。即，上板基板11的表面露出于外部而與外氣接觸，背面與通過閉塞厚度測定用凹部34來形成 的厚度測定用空腔部35內(nèi)的空氣接觸。以下，對這樣構(gòu)成的熱頭1的制造方法進行說明。如圖4的流程圖所示，本實施方式的熱頭1的制造方法，其中包括形成對支撐基 板13的一個表面進行開口的凹部32、34的凹部形成工序(開口部形成工序)Sl ；在形成有 凹部32、34的支撐基板13的一個表面以閉塞凹部32、34的方式接合上板基板11的接合工 序S2 ；在接合至支撐基板13的一個表面的上板基板11的表面的與隔熱用凹部32對置的 位置形成發(fā)熱電阻體14的電阻體形成工序S4 ；以及在上板基板11上以覆蓋與厚度測定用 凹部34對置的表面的方式形成保護膜18的保護膜形成工序S5。以下，對各工序做具體說明。首先，在凹部形成工序Sl中，在支撐基板13的一個表面中與發(fā)熱電阻體14對置 的位置形成隔熱用凹部32，并且在沒有被保護膜18或IC樹脂覆蓋膜24覆蓋的區(qū)域形成厚 度測定用凹部34(步驟Si)。這些凹部32、34，例如能夠通過實施噴射(sand blast)、干蝕 刻、濕蝕刻、激光加工等來形成在支撐基板13的一個表面。在對支撐基板13實施噴射加工的情況下，在支撐基板13的一個表面覆蓋光刻膠 材料，利用規(guī)定圖案的光掩模對光刻膠材料進行曝光，使形成凹部32、34的區(qū)域以外的部 分固化。其后，清洗支撐基板13的一個表面，除去未固化的光刻膠材料，從而得到在形成 凹部32、34的區(qū)域形成有蝕刻窗的蝕刻掩模(省略圖示)。在該狀態(tài)下，對支撐基板13的 一個表面實施噴射，形成規(guī)定深度的凹部32、34。此外，隔熱用凹部32的深度優(yōu)選為例如 10 μ m以上且支撐基板13的厚度的一半以下。此外厚度測定用凹部34的開口寬度優(yōu)選為 例如10 μ m左右。此外，在實施干蝕刻或濕蝕刻等的蝕刻加工的情況下，與上述噴射加工同樣地，形 成蝕刻掩模，該蝕刻掩模在支撐基板13的一個表面上的形成凹部32、34的區(qū)域形成有蝕刻 窗。然后，以該狀態(tài)對支撐基板13的一個表面實施蝕刻，形成規(guī)定深度的凹部32、34。該蝕刻處理除了可以使用例如利用氟酸類的蝕刻液等的濕蝕刻以外，也可以使用 反應性離子蝕刻(RIE)或等離子體蝕刻等的干蝕刻。此外，作為參考例，當支撐基板為單晶 硅的情況下，進行利用諸如氫氧化四甲銨溶液、KOH溶液、或氟酸與硝酸的混合液等的蝕刻 液的濕蝕刻。接著，在接合工序S2中，從支撐基板13的一個表面除去全部的蝕刻掩模，并清洗 表面。然后，在支撐基板13的該一個表面粘合上板基板11，以閉塞凹部32、34。例如，在室 溫中不使用粘接層而直接將上板基板11與支撐基板13粘合。通過用上板基板11覆蓋支撐基板13的一個表面，即，用上板基板11閉塞凹部32、 34的開口部，在上板基板11與支撐基板13之間分別形成隔熱用空腔部33及厚度測定用空 腔部35。在該狀態(tài)下，對貼合的上板基板11和支撐基板13進行加熱處理，通過熱熔接來接 合(步驟S2)。在此，作為上板基板11，IOOym以下厚度的基板在制造或處理(handling)方面有 困難，此外，價格高。因此，原先就取代在支撐基板13直接接合薄的上板基板11，而在支撐 基板13接合較容易制造或處理的厚度的上板基板11，然后，經(jīng)蝕刻或研磨等來將上板基板11加工成所希望的厚度也可(步驟S3，薄板化工序S3)。通過薄板化工序S3，能夠在支撐基板13的一個表面容易且低價地形成極薄的上 板基板11。此外，通過減少上板基板11的厚度，使作為蓄熱層的熱容量減少，能夠制造出可 以將發(fā)熱電阻體14產(chǎn)生的熱量有效率地利用到印字等的熱頭1。此外，上板基板11的蝕刻，能夠使用如凹部形成工序Sl那樣形成凹部32、34時采 用的各種蝕刻。此外，上板基板11的研磨，能夠使用例如用于半導體晶片等的高精度研磨 的CMP (化學機械研磨)等。接著，在電阻體形成工序S4中，在與上板基板11上的隔熱用凹部32對置的位置 形成發(fā)熱電阻體14 (步驟S4)。在此，能夠使用濺射法或CVD (化學氣相生長法)或蒸鍍等 的薄膜形成法。在上板基板11上形成Ta類或硅化物類等的發(fā)熱電阻體材料的薄膜，并且 用升板(lift off)法或蝕刻法等來將該薄膜成形，從而能形成所希望的形狀的發(fā)熱電阻體 14。接著，與電阻體形成工序S4同樣地，通過濺射法或蒸鍍法等來在上板基板11上形 成Al、Al-Si、Au、Ag、Cu、Pt等的布線材料的膜。然后，用升板法或蝕刻法來將該膜成形，或 者網(wǎng)版印刷布線材料后進行燒結(jié)，從而形成電極布線16。此外，形成發(fā)熱電阻體14或電極 布線16的順序是任意的。在發(fā)熱電阻體14及電極布線16上的升板或蝕刻用的抗蝕劑材 料的構(gòu)圖中，利用光掩模來對光刻膠材料進行構(gòu)圖。接著，在保護膜形成工序S5中，在形成了發(fā)熱電阻體14及電極布線16后，在上 板基板11上，通過濺射法、離子鍍、CVD法等來成膜Si02、Ta2O5, SiAlON, Si3N4、類金剛石 (Diamond Like Carbon)等的保護膜材料而形成保護膜18 (步驟S5)。這時，保護膜18局部地覆蓋包含發(fā)熱電阻體14及電極布線16的上板基板11的 表面，并且形成為覆蓋與厚度測定用凹部34對置的表面。通過這樣構(gòu)成，在厚度測定用凹 部34的位置中，使上板基板11的表面及其背面都面向空氣。此外，驅(qū)動用IC22、IC樹脂覆蓋膜24及給電部26能夠利用傳統(tǒng)熱頭的公知制造 方法來形成。通過以上工序，制造出圖2及圖3所示的熱頭1。在此，在本實施方式的熱頭1的制造方法中，具備測定已制造的熱頭1的上板基板 11的厚度的測定工序S6也可。在測定工序S6中，對與厚度測定用凹部34對置的上板基板11的區(qū)域照射光，并 通過上板基板11的表面及背面上的反射光來檢測其表面及背面的位置，從而測定上板基 板11的厚度即可(步驟S6)。如上所述，在厚度測定用凹部34的位置中上板基板11的表面及其背面都面向空 氣，因此例如圖5所示，朝著厚度測定用凹部34從上板基板11的表面?zhèn)日丈渌{色激光時， 由于上板基板11和空氣的折射率差異，藍色激光在上板基板11的表面及背面上反射。因而，僅通過傳感器9等來檢測在上板基板11的表面及背面上分別反射的反射 光，能以光學方式測定上板基板11的準確的厚度尺寸，由此，能夠制造出已知上板基板11 的準確厚度的熱頭1。此外，一般設藍色激光的光點直徑為0. 9 μ m時，通過使厚度測定用凹 部34的開口寬度成為100 μ m左右的大小，能夠容易進行激光光點的定位。如以上說明的那樣，依據(jù)本實施方式的熱頭1，能以光學方式檢測所完成的熱頭1
8中上板基板11的與厚度測定用凹部34對置的區(qū)域的表面及背面的位置，無需分解而能簡 單地測定上板基板11的厚度。此外，依據(jù)本實施方式的熱頭1的制造方法，能夠制造這樣 的熱頭1。此外，在本實施方式中，作為開口部，例示地說明了凹部32、34，但取代這些凹部， 例如，做成沿厚度方向貫通支撐基板13的貫通孔也可。此外，在本實施方式中，關(guān)注單個熱頭1并說明了制造方法，但從大型的上板基板 及支撐基板形成多數(shù)熱頭1時，在凹部形成工序Sl中，將多個凹部32、34排列多組而形成， 并在保護膜形成工序S5后按凹部32、34的每個組切斷上板基板及支撐基板即可(切斷工 序)。通過這樣構(gòu)成，能夠一次性制造多數(shù)熱頭1，并能提高生產(chǎn)性且減少成本。這時，即使 在大型的同一支撐基板內(nèi)厚度發(fā)生了變動，也能高精度地管理已制造的所有熱頭1的上板 基板11的厚度。此外，在本實施方式的熱頭1的制造方法中，如圖6的流程圖所示，也可以具備調(diào) 整發(fā)熱電阻體14的電阻值的以下工序。具體地說，可以包括基于經(jīng)測定工序S6測定的上板基板11的厚度確定發(fā)熱電阻 體14的目標電阻值的確定工序S7 ；以及將發(fā)熱電阻體14的電阻值調(diào)整為與通過確定工序 S7確定的目標電阻值大致一致的電阻值調(diào)整工序S8。這時，例如在電阻體形成工序S4中， 先形成具有高于目標電阻值的電阻值的發(fā)熱電阻體14。在確定工序S7中，從圖7所示那樣使上板基板11的厚度與目標電阻值對應的數(shù) 據(jù)庫讀出目標電阻值即可。通過這樣構(gòu)成，能夠由數(shù)據(jù)庫簡單且迅速地確定發(fā)熱電阻體14 的目標電阻值。此外，作為目標電阻值，設定為可根據(jù)上板基板11的厚度利用所希望的熱
量即可。接著，在電阻值調(diào)整工序S8中，通過對發(fā)熱電阻體14施加規(guī)定能量來降低發(fā)熱電 阻體14的電阻值，使之與目標電阻值大致一致即可。通過這樣構(gòu)成，能夠容易且在短時間 內(nèi)改變發(fā)熱電阻體14的電阻值。作為規(guī)定能量，例如可以使用電壓脈沖，或者，可以使用激光。在對發(fā)熱電阻體14施加電壓脈沖的情況下，無需使用用于調(diào)整發(fā)熱電阻體14的 電阻值的特別裝置，僅通過對發(fā)熱電阻體14施加比通常的印字作用時更高電壓的電壓脈 沖，能夠簡單地改變電阻值。此外，在對發(fā)熱電阻體14照射激光時，能夠局部地改變照射激 光的部分的電阻值。此外，通過改變激光的照射寬度，能夠容易調(diào)節(jié)改變發(fā)熱電阻體14的 電阻值的范圍。在此，通過薄板化工序S3將上板基板11薄板化，由此減少作為蓄熱層的熱容量， 從而，抑制發(fā)熱電阻體14產(chǎn)生的熱量中被上板基板11奪去的熱量，增加可利用的熱量。因 而，通過薄板化工序S3，根據(jù)薄板化的上板基板11的厚度，改變熱頭1的可利用的熱量。因此，通過電阻值調(diào)整工序S8調(diào)整發(fā)熱電阻體14的電阻值，使之與基于在薄板化 工序S3中薄板化的上板基板11的厚度經(jīng)確定工序S7確定的目標電阻值大致一致，由此不 管上板基板11的厚度如何都能制造可以利用所希望的熱量的熱頭1。此外，在電阻體形成工序S4中形成具有低于目標電阻值的電阻值的發(fā)熱電阻體 14，通過照射激光等來提高發(fā)熱電阻體14的電阻值，使之與目標電阻值大致一致也可。附圖標記說明
1熱頭；11上板基板；12基板主體(基板)；13支撐基板；14發(fā)熱電阻體；18保護 膜；32隔熱用凹部(開口部)；34厚度測定用凹部(開口部)；Sl凹部形成工序(開口部形 成工序)；S2接合工序；S3薄板化工序；S4電阻體形成工序；S5保護膜形成工序；S6測定工序。
權(quán)利要求
1.一種熱頭，其中包括以疊層狀態(tài)接合由玻璃材料構(gòu)成的平板狀的支撐基板及上板基板而成的基板；形成在所述上板基板的表面上的發(fā)熱電阻體；以及局部地覆蓋包含該發(fā)熱電阻體的所述上板基板的所述表面并加以保護的保護膜，在所述支撐基板設有對與所述上板基板的接合面進行開口而形成空腔的多個開口部，該開口部中的任意開口部形成在與所述發(fā)熱電阻體對置的位置，該開口部中的其它任意開口部形成在沒有被所述保護膜覆蓋的區(qū)域。
2.如權(quán)利要求1所述的熱頭，其中，所述開口部是在與所述上板基板的接合面凹陷的凹部。
3.如權(quán)利要求1所述的熱頭的制造方法，其中，所述開口部是將所述支撐基板沿厚度方向貫通的貫通孔。
4.一種熱頭的制造方法，其中包括開口部形成工序，形成對由玻璃材料構(gòu)成的平板狀的支撐基板的一個表面進行開口的 多個開口部；接合工序，在通過該開口部形成工序形成所述開口部的所述支撐基板的一個表面，以 閉塞所述開口部的方式接合由玻璃材料構(gòu)成的平板狀的上板基板；電阻體形成工序，在通過該接合工序以疊層狀態(tài)接合至所述支撐基板的一個表面的所 述上板基板的表面的與任意所述開口部對置位置形成發(fā)熱電阻體；以及保護膜形成工序，以不覆蓋與任意所述開口部對置的所述表面的方式形成保護膜，該 保護膜局部地覆蓋包含通過該電阻體形成工序形成的所述發(fā)熱電阻體的所述上板基板的 所述表面并加以保護。
5.如權(quán)利要求4所述的熱頭的制造方法，其中，包括將通過所述接合工序接合至所述支撐基板的一個表面的所述上板基板薄板化的 薄板化工序。
6.如權(quán)利要求4所述的熱頭的制造方法，其中，具備測定工序，對與形成在所述上板基板的表面沒有被所述保護膜覆蓋的位置的所述 開口部對置的所述上板基板的區(qū)域照射光，通過在所述上板基板的所述表面及背面上的反 射光檢測所述表面及所述背面的位置，測定所述上板基板的厚度。
7.如權(quán)利要求4所述的熱頭的制造方法，其中，所述開口部形成工序形成排列多個組的多個所述開口部，具備在所述保護膜形成工序 后按所述開口部的每個組切斷所述上板基板及所述支撐基板的切斷工序。
全文摘要
提供一種熱頭(1)，其中包括將由玻璃材料構(gòu)成的平板狀的支撐基板(13)及上板基板(11)以疊層狀態(tài)接合而成的基板主體(12)；形成在上板基板(11)的表面上的發(fā)熱電阻體(14)；以及局部地覆蓋包含發(fā)熱電阻體(14)的上板基板(11)的表面并加以保護的保護膜(18)，在支撐基板(13)設有對與上板基板(11)的接合面進行開口而形成空腔的多個隔熱用凹部(32)及厚度測定用凹部(34)，隔熱用凹部(32)形成在與發(fā)熱電阻體(14)對置的位置，厚度測定用凹部(34)形成在沒有被保護膜(18)覆蓋的區(qū)域。從而，無需分解熱頭而簡單地測定上板基板的厚度。
文檔編號B41J2/335GK101992605SQ20101025500
公開日2011年3月30日 申請日期2010年8月6日 優(yōu)先權(quán)日2009年8月6日
發(fā)明者三本木法光, 東海林法宜, 師岡利光, 頃石圭太郎 申請人:精工電子有限公司