專利名稱：進(jìn)給槽保護(hù)涂層的制作方法
進(jìn)給槽保護(hù)涂層
背景技術(shù)：
打印裝置使用打印頭來(lái)將流體(例如，墨)選擇性地沉積到打印介質(zhì)上。隨著 時(shí)間的經(jīng)過(guò)，打印頭降級(jí)，從而降低打印質(zhì)量。


圖1是根據(jù)示例性實(shí)施例的打印機(jī)的前視圖。圖2是根據(jù)示例性實(shí)施例的圖1的打印機(jī)的打印盒的分解底部透視圖。圖3是根據(jù)示例性實(shí)施例的沿線3-3截取的圖2的盒的截面圖。圖4是在打開(kāi)根據(jù)示例性實(shí)施例的流體進(jìn)給槽之前圖3的盒的打印頭芯片的截面 圖。圖5是在打開(kāi)根據(jù)示例性實(shí)施例的流體進(jìn)給槽之后圖3的盒的打印頭芯片的截面 圖。圖6是根據(jù)示例性實(shí)施例的圖3的盒的打印頭芯片的另一個(gè)實(shí)施例的放大部分截 面圖。圖7是根據(jù)示例性實(shí)施例的沿線7-7截取的圖6的打印頭芯片的放大部分圖。圖8是根據(jù)示例性實(shí)施例的沿線8-8截取的圖6的芯片的放大部分截面圖。圖9是包括根據(jù)示例性實(shí)施例的圖7的打印頭芯片的打印頭組件的部分俯視圖。
具體實(shí)施例方式圖1示出了根據(jù)示例性實(shí)施例的打印裝置10的一個(gè)示例。打印裝置10配置成 將墨或其它流體打印或沉積到打印介質(zhì)12 (例如，紙張或其它材料)上。打印裝置10包 括介質(zhì)進(jìn)給裝置14和一個(gè)或多個(gè)打印盒16。介質(zhì)進(jìn)給裝置14相對(duì)于盒16驅(qū)動(dòng)或移動(dòng)介 質(zhì)12，盒16將墨或流體噴射到介質(zhì)上。在所示示例中，盒16在打印期間橫向地跨過(guò)介 質(zhì)12驅(qū)動(dòng)或掃描。在其它實(shí)施例中，盒16可以是固定的且可大致延伸跨過(guò)介質(zhì)12的橫 向?qū)挾取Ｈ缦挛乃?，打印?6包括具有流體進(jìn)給槽的打印頭芯片，所述流體進(jìn)給槽設(shè) 置有不會(huì)延伸到噴發(fā)腔中的保護(hù)涂層。保護(hù)涂層抑制或減少芯片由于與流體或墨的相互 作用而引起的腐蝕，同時(shí)基本上不干擾墨從噴發(fā)腔噴出。因而，在打印盒16的壽命內(nèi)打 印質(zhì)量可以提高或延長(zhǎng)。圖2更詳細(xì)地示出了一個(gè)盒16。如圖2所示，盒16包括流體貯存器18和頭組 件20。流體貯存器18包括配置成將流體或墨供應(yīng)給頭組件20的一個(gè)或多個(gè)結(jié)構(gòu)。在 一個(gè)實(shí)施例中，流體貯存器18包括本體22和蓋24，本體22和蓋24形成容納流體(例 如，墨)的一個(gè)或多個(gè)內(nèi)部流體腔，所述流體通過(guò)槽或開(kāi)口排出至頭組件20。在一個(gè)實(shí) 施例中，所述一個(gè)或多個(gè)內(nèi)部流體腔還可包括毛細(xì)介 質(zhì)(未示出)，用于在打印流體上施 加毛細(xì)力，以減少打印流體泄漏的可能性。在一個(gè)實(shí)施例中，流體貯存器18的每個(gè)內(nèi)部 腔還可包括內(nèi)部立管(未示出)和跨過(guò)內(nèi)部立管的過(guò)濾器。在又一個(gè)實(shí)施例中，流體貯存器18可具有其它配置 。例如，雖然流體貯存器18顯示為包括一種或多種流體或墨的 自備供應(yīng)源，但是在其它實(shí)施例中，流體貯存器18可配置成經(jīng)由一個(gè)或多個(gè)管道或管從 偏軸流體供應(yīng)源接受流體或墨。頭組件20包括被聯(lián)接以包括貯存器18的機(jī)構(gòu)，流體或墨通過(guò)所述機(jī)構(gòu)選擇性地 噴射到介質(zhì)上。為了本發(fā)明的目的，術(shù)語(yǔ)“聯(lián)接”應(yīng)當(dāng)指的是將兩個(gè)構(gòu)件彼此直接或間 接結(jié)合。這種結(jié)合可以是本質(zhì)上固定的或本質(zhì)上可移動(dòng)的。這種結(jié)合可以用兩個(gè)構(gòu)件或 者兩個(gè)構(gòu)件和任何附加中間構(gòu)件彼此整體形成為單個(gè)一體本體實(shí)現(xiàn)，或者用兩個(gè)構(gòu)件或 者兩個(gè)構(gòu)件和任何附加中間構(gòu)件彼此附連實(shí)現(xiàn)。這種結(jié)合可以是本質(zhì)上永久性的或者替 代地可以是本質(zhì)上可拆卸或可釋放的。術(shù)語(yǔ)“操作性地聯(lián)接”應(yīng)當(dāng)指的是兩個(gè)構(gòu)件直接 或間接結(jié)合，使得運(yùn)動(dòng)可以從一個(gè)構(gòu)件直接地或者經(jīng)由中間構(gòu)件傳輸給另一個(gè)構(gòu)件。在所示實(shí)施例中，頭組件20包括按需點(diǎn)滴噴墨頭組件。在一個(gè)實(shí)施例中，頭組 件20包括熱阻頭組件。在其它實(shí)施例中，頭組件20可包括配置成將打印流體選擇性地 輸送或噴射到介質(zhì)上的其它裝置。在所示具體實(shí)施例中，頭組件20包括突片頭組件(THA)，包括柔性電路28、打 印頭芯片30、噴發(fā)電阻32、膠囊34和孔板36。柔性電路28包括柔性可彎曲材料的帶、 面板或其它結(jié)構(gòu)，所述材料例如一種或多種聚合物、支承或保持電線、終止于電觸頭38 且電連接到芯片30上的噴發(fā)電路或電阻32的線或跡線。電觸頭38大致垂直于芯片30 延伸且包括配置成與打印裝置的相應(yīng)電觸頭電接觸的墊，在打印裝置中采用盒16。如圖 2所示，柔性電路28包繞流體貯存器18的本體22。在其它實(shí)施例中，柔性電路28可省 去或者可以具有其它配置，其中，以其它方式實(shí)現(xiàn)與電阻32及其相關(guān)尋址或噴發(fā)電路的 電連接。打印頭芯片30(也稱為打印頭基底或片)包括被聯(lián)接在貯存器18的內(nèi)部流體腔 和電阻32之間的一個(gè)或多個(gè)結(jié)構(gòu)。打印頭芯片30將流體輸送給電阻32。在所示具體 實(shí)施例中，打印頭芯片30還支承電阻32。打印頭芯片30包括槽40和肋41 (如圖3所 示)。槽40包括流體通道或流體通路，流體通過(guò)其傳輸給電阻32。槽40具有足夠的長(zhǎng) 度以將流體傳輸給電阻32及其相關(guān)噴嘴中的每一個(gè)。在一個(gè)實(shí)施例中，槽40具有在100 微米和700微米之間且標(biāo)稱為大約550微米的寬度。在噴發(fā)電路或電阻尋址電路直接設(shè) 置在其上或者作為片或芯片30的一部分的所示實(shí)施例中，槽40具有大約0.8mm的中心 線-中心線間距。在噴發(fā)或?qū)ぶ冯娐肺丛O(shè)置在片或芯片30上的實(shí)施例中，槽40可具有 大約0.5mm的中心線-中心線間距。在其它實(shí)施例中，槽40可具有其它尺寸和其它相 對(duì)間距。肋41 (也稱為橫梁)包括增強(qiáng)結(jié)構(gòu)，所述增強(qiáng)結(jié)構(gòu)配置成增強(qiáng)并提供剛性給在連 續(xù)槽40(桿64)之間的打印頭芯片30的那些部分。肋41大致垂直于主軸線延伸跨過(guò)每 個(gè)槽40，每個(gè)槽40沿所述主軸線延伸。在一個(gè)實(shí)施例中，肋41和肋41的中心點(diǎn)一體形 成為單個(gè)一體本體的一部分，其中，打印頭芯片30的那些部分中的大部分在槽40的相對(duì) 側(cè)上。如下文更詳細(xì)所述，肋41增強(qiáng)芯片30，從而允許槽40跨過(guò)芯片30更密地設(shè)置， 而不會(huì)顯著降低打印性能或質(zhì)量。這些結(jié)構(gòu)也用于將兩種不同流體或墨物理地分開(kāi)。電阻32包括被聯(lián)接到打印頭芯片30且配置成產(chǎn)生熱量的電阻元件或噴發(fā)電路， 從而使得打印流體的部分蒸發(fā)，以強(qiáng)制地通過(guò)孔板36中的孔驅(qū)出打印流體滴。在一個(gè)實(shí)施例中，電阻32 (示意性地示出)通過(guò)多個(gè)薄膜層33形成，薄膜層33也可以形成這種電 阻32的晶體管和接觸墊。在又一個(gè)實(shí)施例中，噴發(fā)電路可具有其它配置。膠囊34包括一種或多種材料，將與芯片30相關(guān)的導(dǎo)電跡線或線與柔性電路28 的被連接到電觸頭38的導(dǎo)電線或跡線互連的電互連件膠囊封裝。在其它實(shí)施例中，膠囊 34可具有其它配置或者可以省去?？装?6包括具有多個(gè)孔的板或面板，所述孔限定噴嘴開(kāi)口，打印流體通過(guò)所述 噴嘴開(kāi)口噴射?？装?6與槽40及其相關(guān)噴發(fā)電路或電阻32相對(duì)地安裝或固定。在一 個(gè)實(shí)施例中，孔板36包括鎳基底。如圖2所示，孔板36包括多個(gè)孔或噴嘴42，由電阻 32加熱的墨或流體通過(guò)所述孔或噴嘴42噴射，以便在打印介質(zhì)上打印。在其它實(shí)施例 中，在這種孔或噴嘴另外提供時(shí)，孔板36可省去。雖然盒16顯示為配置成可拆卸地安裝到打印機(jī)10或安裝在打印機(jī)10內(nèi)的盒， 但是在其它實(shí)施例中，流體貯存器18可以包括是打印機(jī)10的大致永久性部分且不可拆卸 的一個(gè)或多個(gè)結(jié)構(gòu)。雖然打印機(jī)10顯示為前進(jìn)前出臺(tái)式打印機(jī)，但是在其它實(shí)施例中， 打印機(jī)10可具有其它配置且可包括其它打印裝置，其中，打印機(jī)10將流體的受控圖案、 圖像或布局等打印或噴射到表面上。其它這種打印裝置的示例包括但不限于傳真機(jī)、復(fù) 印機(jī)、打印或噴射流體的多功能裝置或其它裝置。
圖3是詳細(xì)地示出頭組件20的截面圖。具體地，圖3示出了被聯(lián)接在貯存器18 的本體22的下部和孔板36之間的打印頭芯片30。如圖3所示，在所示實(shí)施例中，打印 頭芯片30具有由屏障層46結(jié)合到孔板36的下側(cè)或前側(cè)44。屏障層46在電阻32和孔板 36的噴嘴42之間至少部分地形成噴發(fā)腔47。在一個(gè)實(shí)施例中，屏障層46可包括光致抗 蝕聚合物基底。在一個(gè)實(shí)施例中，屏障層46可由與孔板36相同的材料制成。在又一個(gè) 實(shí)施例中，屏障層46可形成孔或噴嘴42，從而可省去孔板36。在一些實(shí)施例中，屏障 層46可被省去。如圖3所示，電阻32被支承在槽40的相對(duì)側(cè)上的擱板上且大致與噴發(fā)腔47內(nèi) 的噴嘴42相對(duì)。電阻32通過(guò)由芯片30支承的導(dǎo)電線或跡線(未示出)電連接到接觸墊 38(如圖2所示)。供應(yīng)給電阻32的電能使得通過(guò)槽40的流體供應(yīng)蒸發(fā)，以形成將周圍 或相鄰流體通過(guò)噴嘴42推動(dòng)或噴射的氣泡。在一個(gè)實(shí)施例中，電阻32還被連接到也位 于芯片30上的噴發(fā)或?qū)ぶ冯娐贰Ｔ诹硪粋€(gè)實(shí)施例中，電阻32可被連接到位于其它地方 的噴發(fā)或?qū)ぶ冯娐贰ＹA存器18的本體22包括內(nèi)插件或岬角(headhnd)48。岬角48包括本體22的 被連接到芯片30上的那些結(jié)構(gòu)或部分，從而將貯存器18的一個(gè)或多個(gè)腔與芯片30的第 二側(cè)50流體地密封。在所示示例中，岬角48將這三個(gè)獨(dú)立流體容納腔51中的每個(gè)連接 到芯片30的三個(gè)槽40中的每個(gè)。例如，在一個(gè)實(shí)施例中，貯存器18可包括將流體輸送 給三個(gè)槽40中的每個(gè)的三個(gè)獨(dú)立立管。在一個(gè)實(shí)施例中，三個(gè)獨(dú)立腔中的每個(gè)可包括不 同類型的流體，例如不同顏色的流體或墨。在其它實(shí)施例中，取決于芯片30中用于從貯 存器18中的不同腔接收不同流體的槽40的數(shù)量，貯存器18的本體22可包括更多或更少 數(shù)量的這種岬角48。在所示示例中，芯片30的側(cè)面50通過(guò)粘結(jié)劑52粘結(jié)性地結(jié)合到本體22。在一 個(gè)實(shí)施例中，粘結(jié)劑52包括粘合劑或其它流體粘結(jié)劑。在其它實(shí)施例中，貯存器18的岬角48可以其它方式密封和結(jié)合到芯片30。如圖3進(jìn)一步所示，打印頭芯片30還包括保護(hù)涂層60 (為了圖示目的被放大)。 涂層60包括一種或多種材料的一層或多層，具有對(duì)通過(guò)打印芯片30的槽40引導(dǎo)的流體 大致呈惰性的最外表面。在一個(gè)實(shí)施例中，涂層60包括單層均勻的鉭。在其它實(shí)施例 中，涂層60可包括多層均勻的鉭。由于涂層60由鉭形成，涂層60對(duì)許多流體或墨(尤 其是對(duì)可形成打印頭30的材料硅會(huì)有腐蝕性的)呈惰性。由于頭組件20的其它選擇部 件已經(jīng)可包括鉭部件，因而涂層60可以使用已經(jīng)存在的設(shè)備和供應(yīng)源形成。在其它實(shí)施例中，涂層60可從對(duì)被打印流體呈惰性的其它材料形成。例如， 在其它實(shí)施例中，涂層60可以從金屬氧化物、金屬氮化物、硅氧化物或選擇聚合物形 成。例如，在一個(gè)實(shí)施例中，這種聚合物可包括但不限于氟碳絡(luò)合聚合物(carbon fluorine complex polymer),具有與聚四氟乙烯(TEFLON)類似的屬性。如下文所述，在一些實(shí) 施例中，保護(hù)涂層包括配置成被定向沉積的一種或多種材料。涂層60位于或延伸跨過(guò)打印頭芯片30的那些表面中的大部分(如果不是全部的 話)，與流體進(jìn)給槽40相對(duì)地延伸或者鄰近流體進(jìn)給槽40延伸。在所示示例中，涂層 60在芯片30的側(cè)表面64、肋41的側(cè)表面66、肋41的頂表面68和芯片30的后面74上 形成和延伸。因而，涂層60在鄰近槽40的在流體經(jīng)過(guò)槽40時(shí)可能與流體接觸的相對(duì)大 的表面面積上提供保護(hù)覆蓋層。在替代實(shí)施例中，涂層60要么涂覆芯片30的后面74的 一部分，要么不涂覆芯片30的后面74。沒(méi)有涂層60通過(guò)常規(guī)技術(shù)實(shí)現(xiàn)，如顯示掩?；?剝離。已經(jīng)發(fā)現(xiàn)，隨著時(shí)間的經(jīng)過(guò)，許多流體或墨(尤其是高性能墨)趨于腐蝕打印頭 芯片30的一種或多種材料。例如，已經(jīng)發(fā)現(xiàn)許多高性能墨趨于腐蝕形成芯片30的硅。 被腐蝕和溶解的硅污染流體或墨，且可能通過(guò)影響墨本身的質(zhì)量或者通過(guò)沉積在電阻32 或者噴射流體或墨的其它部件上而影響墨的噴射。也已經(jīng)發(fā)現(xiàn)，在流體或墨中溶解的硅 污染物隨后從墨析出并沉積在開(kāi)口 72或42中，從而至少部分地堵塞這種開(kāi)口。在某些 情況下，在噴嘴開(kāi)口 72中硅的生長(zhǎng)可產(chǎn)生新的定向問(wèn)題且降低打印性能。涂層60通過(guò)將形成芯片30的材料(如，硅)與可能的腐蝕性流體或墨隔離來(lái)解 決這種問(wèn)題。因而，涂層60減少或防止噴嘴開(kāi)口 42周圍的硅生長(zhǎng)，且降低了流體或墨 被污染的可能性。因而，可以保持打印質(zhì)量且可以延長(zhǎng)打印頭組件20的使用壽命。在所示具體示例中，涂層60還延伸跨過(guò)芯片30的后面74(包括芯片30的晶片 的后側(cè))。因而，在與來(lái)自于腔51的流體接觸期間，涂層60還保護(hù)芯片30的頂表面。 此外，通過(guò)粘結(jié)劑52結(jié)合到岬角48上的芯片30的那些部分進(jìn)一步受益。具體地，涂層 60改進(jìn)芯片30材料到結(jié)構(gòu)粘結(jié)劑52的粘結(jié)性。涂層60具有足以確保鄰近進(jìn)給槽40形成的保護(hù)層的整體性的厚度。在涂層60 包括鉭且芯片30的材料包括硅的所示示例中，涂層60具有至少大約150埃且標(biāo)稱大于大 約250埃的厚度。同時(shí)，涂層60具有足夠小從而減少由于拉伸應(yīng)力引起 的涂層60的破裂或脫層的 厚度。在所示示例中，其中一個(gè)實(shí)施例芯片30由硅形成且涂層60由鉭形成，涂層60包 括具有小于或等于大約5000埃的厚度的中性應(yīng)力膜。在另一個(gè)實(shí)施例中，涂層60包括 具有小于或等于大約2000埃的厚度的中性應(yīng)力膜。已經(jīng)發(fā)現(xiàn)，當(dāng)涂層60具有大于2000埃但小于或等于大約5000埃的厚度時(shí)，涂層60仍會(huì)經(jīng)受一些破裂或脫層。在其它實(shí)施 例中，取決于涂層60的成分，涂層60可具有其它厚度。如圖3所示，涂層60被限制，使得在延伸到噴發(fā)腔47中之前終止。在一個(gè)實(shí) 施例中，涂層60沿開(kāi)口 70和芯片30延伸直到開(kāi)口 70和芯片30。在具體實(shí)施例中，涂 層60還可延伸到與開(kāi)口 70直接相對(duì)的孔板36部分上。然而，甚至在這些實(shí)施例中，涂 層60基本上不橫向延伸到噴發(fā)腔47中或跨過(guò)電阻32。由于涂層60的覆蓋范圍被控制 和限制從而不延伸到噴發(fā)腔47中，因而涂層60不干擾電阻32的噴發(fā)屬性(例如接通能 量)或總體噴發(fā)系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)的那些流體噴射特性。這在涂層60由具有相對(duì)低的導(dǎo)熱率(導(dǎo) 熱率遠(yuǎn)低于形成電阻32的材料)的材料形成時(shí)尤其重要，否則將影響每個(gè)噴發(fā)腔47內(nèi)的 流體噴射。在一個(gè)實(shí)施例中，涂層60使用定向沉積技術(shù)沉積在表面64、66和68上，定向 沉積技術(shù)提供對(duì)涂覆涂層60材料的方向的控制。如上所述，在具體實(shí)施例中，涂層60 由能夠定向沉積的一種或多種材料形成。在所示示例中，涂層60通過(guò)濺射沉積(也稱為 物理氣相沉積(PVD)，有時(shí)稱為等離子體沉積)沉積在這種表面上。在這種沉積期間， 形成涂層60的材料(例如，鉭)被定向地涂覆到表面64、66和68上，從而不橫向延伸 到噴發(fā)腔47中。在其它實(shí)施例中，涂層60可以使用其它定向沉積技術(shù)(如，定向蒸發(fā)) 涂覆。這種定向沉積技術(shù)控制涂層60的范圍。圖4和5示出了形成涂層60的替代方法。圖4和5示出了在與本體22連接或 者在芯片30上形成孔板36或屏障層46之前的芯片30。如圖8所示，在形成穿過(guò)槽40 的底板80的開(kāi)口 70 (如圖3所示)之前，涂層60涂覆或沉積在芯片30的每個(gè)表面64、 66、68和74上鄰近進(jìn)給槽40和肋41。如圖所示，在這種沉積期間，涂層60也可以延 伸跨過(guò)底板80的至少部分。由于底板80沒(méi)有被穿透以形成開(kāi)口 70，因而底板80將槽 40從電阻42及其相關(guān)電路(在芯片30的下側(cè)上可能已經(jīng)形成或者可能沒(méi)有形成)隔離。 因而，底部是在形成噴發(fā)腔47之前(如圖3所示)或者在將槽40與這種噴發(fā)腔47連接 之前(如圖3所示)涂層60被涂覆，該涂層可以使用非定向沉積技術(shù)涂覆。例如，涂層 60可以被覆蓋涂層或涂覆。如圖5所示，在涂層60沉積之后，底板80的部分被去除或穿透以在芯片30中 形成開(kāi)口 70。在一個(gè)實(shí)施例中，底板80的部分用激光去除，且開(kāi)口用四甲基氫氧化氨 (TMAH)和加熱氫氧化鉀(KOH)濕蝕刻形成。之后，芯片30被連接到本體22。電阻 32連同其相關(guān)電路一起在芯片30的底面上形成(如果尚未存在的話)。之后，屏障層46 和孔板36也在芯片30的底側(cè)上形成。替代地，在形成槽之前，在芯片30的底側(cè)上形成 電阻32、電路、屏障層46和孔板36。
總體而言，涂層60允許打印頭組件20在延長(zhǎng)的時(shí)間段內(nèi)保持期望水平的質(zhì)量。 涂層60抑制或防止流體或墨腐蝕芯片30的材料。涂層60抑制食品或墨被芯片30的溶解 材料污染。涂層60還抑制芯片30的溶解材料在開(kāi)口 70或噴嘴開(kāi)口 42周圍和在電阻32 上沉積、積聚或生長(zhǎng)。同時(shí)，涂層60不會(huì)潛在地干擾達(dá)到電阻32處的流體噴射裝置。 涂層60利于可能對(duì)芯片30的材料更具腐蝕性而可能提供增強(qiáng)性能的流體或墨的打印。涂 層30在選擇流體或墨配方方面提供更大的設(shè)計(jì)自由度。在所示示例中，涂層60已經(jīng)描述為涂覆到槽40的表面和肋41的表面兩者。因而，芯片30的可能沿槽40與流體或墨接觸的那些表面的大部分被保護(hù)。在其它實(shí)施例 中，不是沿槽40的所有源都被涂層。例如，在其它實(shí)施例中，肋41的部分可不涂層。 在其它實(shí)施例中，肋41可不涂層和/或替代地芯片30的表面74可不涂層。在另外的實(shí) 施例中，芯片30可省去肋41，其中，僅僅槽40的側(cè)表面64被涂層。 圖6-8示出了也包括涂層60的芯片130，即芯片30的另一個(gè)實(shí)施例。除了芯片 130省去肋41之外，芯片130類似于芯片30。芯片130由硅形成。涂層60通過(guò)濺射沉 積由鉭沉積形成。如圖6所示，涂層60延伸大致跨過(guò)芯片30的鄰近槽40和后面150的 所有表面。如圖7所示，涂層60沿表面64具有大致一致的厚度。如圖7所示，涂層60 還沿由薄膜層133形成的懸臂131延伸。懸臂131在開(kāi)口 71 (如圖3所示)處從硅的各向 異性蝕刻形成。在圖7所示的具體示例中，涂層60具有大致從182nm至大約234nm范 圍內(nèi)的厚度。如圖8所示，涂層60還沿孔板36(可以與由抗蝕材料形成的屏障層46—起 一體形成)的與進(jìn)給槽40中的下部開(kāi)口直接相對(duì)的那些部分延伸。在所示具體示例中， 涂層60通常具有涂層60的沿孔板36上的側(cè)表面66的厚度(大約195nm)的大約40%的 厚度。然而，如圖8進(jìn)一步所示，在噴發(fā)腔47中或噴嘴開(kāi)口 42周圍不存在涂層60。圖9是在延長(zhǎng)的使用時(shí)間段之后的打印頭組件220的俯視圖，包括芯片130和涂 層60。如圖9所示，涂層60沒(méi)有顯示脫層或破裂的跡象。同時(shí)，噴嘴開(kāi)口 42沒(méi)有顯示 由于這種開(kāi)口周圍的硅積聚引起的部分堵塞的跡象。因而，保持由打印頭組件20實(shí)現(xiàn)的 打印質(zhì)量，從而可能延長(zhǎng)打印頭組件220的壽命。雖然本發(fā)明已經(jīng)參考示例性實(shí)施例進(jìn)行描述，但是本領(lǐng)域技術(shù)人員將認(rèn)識(shí)到， 在不偏離要求保護(hù)的主題的精神和范圍的情況下，可以在形式和細(xì)節(jié)方面作出變化。例 如，雖然不同示例性實(shí)施例可以描述為包括提供一個(gè)或多個(gè)益處的一個(gè)或多個(gè)特征，但 是可以設(shè)想的是，在所述示例性實(shí)施例中或者在其它替代實(shí)施例中，所述特征可以彼此 互換或者替代地彼此組合。由于本發(fā)明的技術(shù)相對(duì)復(fù)雜，因而技術(shù)的不是所有變化都是 可預(yù)見(jiàn)的。參考示例性實(shí)施例描述且在所附權(quán)利要求中闡述的本發(fā)明顯然旨在盡可能廣 泛。例如，除非另有明確聲明，記載單個(gè)具體元件的權(quán)利要求也包括多個(gè)這樣的具體元 件。
權(quán)利要求
1.一種設(shè)備，包括包括流體進(jìn)給槽(40)的芯片(30，130)；配置成從所述進(jìn)給槽(40)接收流體的噴發(fā)腔(47)；以及保護(hù)涂層(60)，所述保護(hù)涂層(60)在所述芯片(30，130)和所述流體進(jìn)給槽(40)之 間且容納在所述進(jìn)給槽(40)中，從而不延伸到噴發(fā)腔(47)中。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中，所述保護(hù)涂層(60)包括鉭。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中，所述保護(hù)涂層(60)選自包括以下材料的涂層 的組金屬、金屬氧化物、金屬氮化物、硅氧化物和氟碳絡(luò)合聚合物。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中，所述芯片(30，130)由硅形成，所述保護(hù)涂層 (60)包括鉭。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中，所述保護(hù)涂層(60)由能夠定向沉積的材料形成。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中，所述保護(hù)涂層(60)對(duì)墨呈惰性。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中，所述保護(hù)涂層(60)包括鉭且具有至少150埃的厚度。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中，所述保護(hù)涂層(60)具有至少大約250埃的厚度。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的設(shè)備，其中，所述保護(hù)涂層(60)具有小于或等于大約5000埃的厚度。
10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的設(shè)備，其中，所述保護(hù)涂層(60)具有小于或等于大約2000埃的厚度。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中，所述保護(hù)涂層(60)在所述芯片(30，130)的 后側(cè)上。
12.—種方法，包括提供打印頭芯片(30，130)，所述打印頭芯片(30，130)具有配置成將流體供應(yīng)給流 體噴發(fā)腔(47)的流體進(jìn)給槽(40)；以及用保護(hù)涂層(60)涂覆(60)所述流體進(jìn)給槽(40)，同時(shí)保持噴發(fā)腔(47)沒(méi)有保護(hù)涂 層(60)。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中，在形成噴發(fā)腔(47)或者將流體進(jìn)給槽(40) 與噴發(fā)腔(47)連接之前，所述流體進(jìn)給槽用保護(hù)涂層(60)涂覆。
14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中，所述保護(hù)涂層(60)通過(guò)定向沉積涂覆。
15.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中，所述保護(hù)涂層(60)是鉭且具有至少150埃的厚度。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其中，所述保護(hù)涂層(60)具有至少大約250埃的厚度。
17.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其中，所述保護(hù)涂層(60)具有小于或等于大約 5000埃的厚度。
18.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其中，所述保護(hù)涂層(60)具有小于或等于大約 2000埃的厚度。
19.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中，所述保護(hù)涂層(60)選自包括以下材料的涂 層(60)的組金屬、金屬氧化物、金屬氮化物、硅氧化物和氟碳絡(luò)合聚合物。
20.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中，所述保護(hù)涂層(60)對(duì)墨呈惰性。
全文摘要
一種設(shè)備和方法提供保護(hù)涂層(60)，所述保護(hù)涂層(60)延伸到進(jìn)給槽(40)中且被限制從而不延伸到噴發(fā)腔(47)中。
文檔編號(hào)B41J2/14GK102015312SQ200880128925
公開(kāi)日2011年4月13日 申請(qǐng)日期2008年4月30日 優(yōu)先權(quán)日2008年4月30日
發(fā)明者L·H·懷特, R·T·里瓦斯, S·布霍米克, S·普拉卡斯, S·阿賈伊 申請(qǐng)人:惠普開(kāi)發(fā)有限公司