專利名稱：經(jīng)表面形態(tài)修正的打印的制作方法
背景技術(shù)：
在噴墨打印中，墨從一窄口向基底方向噴射。在一種已知為按需噴射式(drop-on-demand)打印類型的噴墨打印中，墨以一系列點(diǎn)滴形式被噴射。可使用具有大量開(kāi)口(也稱為噴嘴)的壓電噴墨頭產(chǎn)生和控制點(diǎn)滴?？煞謩e控制每個(gè)開(kāi)口以在想要的圖像位置或象素有選擇地噴射墨。例如，噴墨頭可能具有相隔一定間隔的256個(gè)開(kāi)口，該間隔對(duì)應(yīng)至少100象素(點(diǎn))每英寸(dpi)且有時(shí)遠(yuǎn)大于該值的打印分辨率。該密集的開(kāi)口陣列允許制作出復(fù)雜、高精度的圖像。在高性能打印頭中，噴嘴口一般具有50微米或更小(例如，25微米左右)的直徑，以25-300噴嘴/英寸的間距分離，具有100至3000dpi或更大的分辨率，并提供大約2至50納克(nanograms)(pl)或更小的點(diǎn)滴尺寸。點(diǎn)滴噴射頻率一般為10kHz或更大。按需噴射式壓電打印頭在美國(guó)專利4825227中描述，其全文在此引為參考。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的一方面總體涉及一種方法，包括測(cè)量基底表面輪廓，基于該表面輪廓產(chǎn)生控制點(diǎn)滴噴射裝置的噴射指令，以及依據(jù)該指令用該點(diǎn)滴噴射裝置在該基底上沉積點(diǎn)滴。
本方法的實(shí)施例可包括以下特征中的一個(gè)或多個(gè)和/或其它方面的特征。可通過(guò)光學(xué)方法測(cè)量表面輪廓。光學(xué)測(cè)量表面輪廓可包括在基底和位移測(cè)量計(jì)陣列之間產(chǎn)生相對(duì)運(yùn)動(dòng)，并在多個(gè)位置監(jiān)控基底和測(cè)量計(jì)之間的距離。噴射指令可補(bǔ)償表面輪廓的變化。例如，噴射指令可補(bǔ)償點(diǎn)滴飛行時(shí)間的變化，以補(bǔ)償表面輪廓的變化。在某些實(shí)施例中，噴射指令用來(lái)補(bǔ)償基底和點(diǎn)滴噴射裝置之間的錯(cuò)位。測(cè)量表面輪廓可包括在基底和輪廓測(cè)量裝置之間產(chǎn)生相對(duì)運(yùn)動(dòng)。沉積點(diǎn)滴可包括在基底和點(diǎn)滴噴射裝置之間產(chǎn)生相對(duì)運(yùn)動(dòng)。該相對(duì)運(yùn)動(dòng)的速度可為大約1ms-1或更大。該方法還包括提供一系列基底并順序測(cè)量每個(gè)基底，以及在每個(gè)基底上沉積點(diǎn)滴。在基底上沉積的點(diǎn)滴的分辨率可以為100dpi或更大(例如，200dipi，300dpi，600dpi或更大)?；自谄浔砻鎯牲c(diǎn)之間可具有約0.1mm或更大(例如，約0.2mm，0.3mm，0.5mm，1mm或更大)的間隔變化。該基底可為食品，例如烘烤制品。點(diǎn)滴噴射裝置可為按需噴射式壓電打印頭。
本發(fā)明的另一方面總體涉及一種在基底上沉積點(diǎn)滴的裝置，其包括點(diǎn)滴噴射裝置；表面輪廓測(cè)量器；以及與該表面輪廓測(cè)量器和點(diǎn)滴噴射裝置進(jìn)行通訊的電子處理器，其中，該表面輪廓測(cè)量器測(cè)量該基底的表面輪廓，且該電子處理器基于該表面輪廓產(chǎn)生控制該點(diǎn)滴噴射裝置的噴射指令。
本裝置的實(shí)施例可包括以下特征中的一個(gè)或多個(gè)和/或其它方面的特征。該裝置還包括基底傳送器，其設(shè)置成相對(duì)該表面輪廓測(cè)量裝置和該點(diǎn)滴噴射裝置掃描該基底。該電子處理器基于該基底和點(diǎn)滴噴射裝置之間的相對(duì)運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生噴射指令，使得噴射指令或基底運(yùn)動(dòng)依賴于基底輪廓變化而變化。該基底噴射裝置可為噴墨打印頭(例如，按需噴射式壓電打印頭)。該噴墨打印頭可具有至少約為100dpi的分辨率。該表面輪廓測(cè)量器可為光學(xué)表面輪廓測(cè)量器。例如，該表面輪廓測(cè)量器可包括激光位移測(cè)量計(jì)陣列(例如，設(shè)置成測(cè)量從測(cè)量計(jì)到基底的距離的測(cè)量計(jì)陣列)或掃描激光輪廓測(cè)量計(jì)。
本發(fā)明的實(shí)施例可具有以下優(yōu)點(diǎn)中的一個(gè)或多個(gè)可減少在不平基底表面上沉積點(diǎn)滴時(shí)的點(diǎn)滴位置誤差；可減少在基底不平的高通過(guò)量應(yīng)用中的點(diǎn)滴位置誤差率；可減少由于基底相對(duì)于打印頭的錯(cuò)位而引起的誤差；可通過(guò)現(xiàn)有市售元件實(shí)現(xiàn)。
本發(fā)明的一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例的細(xì)節(jié)在附圖和下面的說(shuō)明書中闡述。本發(fā)明的其它特征、目的和優(yōu)點(diǎn)將通過(guò)說(shuō)明書、附圖以及權(quán)利要求而顯見(jiàn)。


圖1示出在不平基底上打印時(shí)飛行時(shí)間差異的效果的示意圖。
圖2A和2B為用于在不平基底上沉積點(diǎn)滴的點(diǎn)滴噴射裝置部分的示意圖。圖2A示出沿處理方向的裝置，而圖2B示出沿橫交方向的裝置的一部分。
圖3示出在不平基底上沉積點(diǎn)滴的過(guò)程的流程圖。
在各圖中相同的參考標(biāo)記代表相同的元素。
具體實(shí)施例方式
在特定方面中，本發(fā)明涉及在不平表面(例如，不規(guī)則表面和/或平滑曲面)上沉積點(diǎn)滴(例如，噴墨打印)。
參考圖1，點(diǎn)滴沉積裝置110，例如噴墨打印頭，將點(diǎn)滴111沉積至不規(guī)則基底101上，所述基底例如為食品(如，烘烤制品，例如餅干)或食品包裝。在操作過(guò)程中，基底101相對(duì)裝置110移動(dòng)(沿箭頭130所示方向)，該裝置110朝向基底噴射點(diǎn)滴。在一典型實(shí)施例中，基底被順序送至打印位置，且每個(gè)基底可具有隨機(jī)變化的不同的表面形態(tài)。該基底和該裝置之間的實(shí)際間隔距離相對(duì)于名義基底位置(線120表示的)和點(diǎn)滴沉積裝置110之間的名義間隔距離D而變化。
當(dāng)基底足夠平坦且間隔距離沒(méi)有顯著偏離D時(shí)，點(diǎn)滴的飛行時(shí)間TOF由下式給出TOF=Dvd,]]>其中，vd為點(diǎn)滴速度。當(dāng)該點(diǎn)滴以有規(guī)律的間隔τ被噴射時(shí)，基底上鄰近點(diǎn)滴之間的距離x由下式給出x＝τ×vs，其中，vs為該基底和該點(diǎn)滴沉積裝置之間的相對(duì)速度。
當(dāng)基底不平坦時(shí)，實(shí)際飛行時(shí)間tactual由下式給出tactual=D-Δdvd,]]>其中，Δd為基底和名義基底位置120之間的差值。如果沒(méi)有補(bǔ)償，由于基底不規(guī)則導(dǎo)致的飛行時(shí)間的變化會(huì)產(chǎn)生點(diǎn)滴位置誤差量Δx，Δx由下式給出Δx=Δt×vs=Δdvsvd,]]>其中Δt＝tactual-TOF。然而，在本實(shí)施例中，以-Δt調(diào)節(jié)點(diǎn)滴噴射之間的時(shí)間差，以適應(yīng)由基底不規(guī)則導(dǎo)致的飛行時(shí)間的變化，從而降低(消除)與飛行時(shí)間變化有關(guān)的點(diǎn)滴位置誤差。
基于表面輪廓或基底表面形態(tài)調(diào)整點(diǎn)滴噴射之間的時(shí)間差。在某些實(shí)施例中，可用光學(xué)方法獲得基底表面輪廓。參考圖2A和圖2B，點(diǎn)滴沉積系統(tǒng)200包括激光位移測(cè)量計(jì)陣列210。在本實(shí)施例中，陣列210包括測(cè)量基底201不同部分的距離的8個(gè)激光位移測(cè)量計(jì)211-218。傳送器240掃描陣列210下面的基底201。該陣列垂直該基底和點(diǎn)滴噴射裝置220之間的相對(duì)運(yùn)動(dòng)的方向(在下文中稱為“橫交(cross-web)”方向)橫跨基底201。在圖2A中，所示出的點(diǎn)滴噴射裝置220在先前在陣列210下方被掃描的另一基底211上沉積點(diǎn)滴215。點(diǎn)滴噴射裝置220包括沿橫交方向延伸的多個(gè)噴嘴(未示出)。在某些實(shí)施例中，噴嘴密度和相應(yīng)的被沉積的點(diǎn)滴的分辨率可以相對(duì)很高。例如，在特定應(yīng)用(例如，噴墨打印)中，分辨率可以為約100點(diǎn)/英寸(dpi)或更多，例如300dpi或更多。在該基底和點(diǎn)滴噴射裝置220之間的相對(duì)運(yùn)動(dòng)的方向(在下文中稱為“處理(process)”方向)上的沉積點(diǎn)滴分辨率，依賴于該系統(tǒng)的噴射頻率。處理方向分辨率也可相對(duì)很高(例如，約100dpi，300dpi，600dpi或更多)。在很多應(yīng)用中，處理方向分辨率和橫交方向分辨率相同。
當(dāng)基底201在陣列210下方移動(dòng)時(shí)，每個(gè)位移測(cè)量計(jì)測(cè)量該測(cè)量計(jì)與該基底之間的距離。為了完成測(cè)量這些距離，每個(gè)位移測(cè)量計(jì)指引激光束至基底表面201。每個(gè)光束從該基底表面的不同部分反射，且每個(gè)反射光束被各個(gè)位移測(cè)量計(jì)的光接收元件(例如，電荷耦合裝置或位置傳感探測(cè)器)檢測(cè)?；诜瓷涔庠诠饨邮赵系奈恢?，每個(gè)位移測(cè)量計(jì)依據(jù)射出的反射激光束對(duì)該基底表面的位置進(jìn)行三角測(cè)量，給出基底表面相對(duì)于測(cè)量計(jì)的位移值。當(dāng)基底201在位移測(cè)量計(jì)下面移動(dòng)時(shí)，位移測(cè)量計(jì)做出多次位移測(cè)量。被測(cè)量的位移對(duì)應(yīng)于點(diǎn)滴噴射裝置220和基底之間的變化的間隔距離。對(duì)陣列210下面的基底進(jìn)行掃描從而可獲得整個(gè)基底的表面輪廓。
參考圖3，電子處理器230(例如，計(jì)算機(jī))接收該表面輪廓，并基于此產(chǎn)生噴射指令控制點(diǎn)滴噴射裝置220的噴射指令。噴射指令指示點(diǎn)滴噴射裝置220每個(gè)點(diǎn)滴噴射循環(huán)中哪些噴嘴工作。該點(diǎn)滴噴射循環(huán)由來(lái)自編碼器(未示出)的信號(hào)控制，該編碼器監(jiān)控基底和點(diǎn)滴噴射裝置的相對(duì)位置并對(duì)應(yīng)于處理方向分辨率在預(yù)定位移后觸發(fā)點(diǎn)滴噴射。處理器230基于從客戶端接收的任務(wù)數(shù)據(jù)產(chǎn)生噴射指令。例如在打印應(yīng)用中，任務(wù)數(shù)據(jù)對(duì)應(yīng)于圖像。在這樣的應(yīng)用中，客戶端一般為計(jì)算機(jī)，且任務(wù)數(shù)據(jù)為桌面出版程序的輸出。在光柵圖像處理(RIP)中，處理器230基于任務(wù)數(shù)據(jù)和表面輪廓產(chǎn)生控制噴射裝置220的噴射指令。噴射指令包括有關(guān)每個(gè)噴射循環(huán)中哪個(gè)噴嘴將工作的信息，和為了補(bǔ)償點(diǎn)滴飛行時(shí)間的變化的對(duì)應(yīng)于編碼器信號(hào)的每個(gè)噴嘴的工作的相對(duì)時(shí)間設(shè)定(例如，Δt)。
在某些實(shí)施例中，基底的通過(guò)量很大。例如，vs可以為約1ms-1或更多(例如，約3ms-1，5ms-1，8ms-1，10ms-1或更多)。而且，在很多應(yīng)用中，vd從約3ms-1至約8ms-1。在這些速度下，點(diǎn)滴位置誤差可為約0.125至3.33毫米每間隔變化一毫米。因此，在高分辨率應(yīng)用(例如，大于約100dpi，如300dpi或更大)中，如果沒(méi)有補(bǔ)償，每間隔變化一毫米的幾分之一(例如，0.1mm)可導(dǎo)致與象素間距相當(dāng)?shù)狞c(diǎn)滴位置誤差。為了補(bǔ)償與這個(gè)范圍的點(diǎn)滴速率對(duì)應(yīng)的飛行時(shí)間變化，Δt在約0.125×10-2至3.33×10-2秒每間隔變化一毫米之間。在實(shí)施例中，基底在橫交方向約為3英寸或更寬(例如，5至10英寸或更寬)。
合適的位移測(cè)量計(jì)為Keyence公司(WoodcliffLake，NJ)的LC系列的超高精度位移測(cè)量計(jì)。這種位移測(cè)量計(jì)使用紅光二極管激光器(670nm)，其可聚焦為大小約為20微米或更小的光點(diǎn)。測(cè)量以50kHz的取樣頻率工作。在所述實(shí)施例中，陣列210具有8個(gè)位移測(cè)量計(jì)，但一般而言，可以使用任意個(gè)數(shù)的位移測(cè)量計(jì)?？梢赃x擇位移測(cè)量計(jì)的個(gè)數(shù)，使得陣列210橫跨基底并為橫交表面輪廓提供足夠的分辨率，以充分補(bǔ)償基底的表面變化。在某些實(shí)施例中，位移測(cè)量計(jì)的數(shù)量可以與點(diǎn)滴噴射裝置220中噴嘴的個(gè)數(shù)相同。然而，更通常的方法是，可以通過(guò)使用比橫交點(diǎn)滴分辨率更低分辨率的表面輪廓來(lái)充分補(bǔ)償飛行時(shí)間的變化。例如，表面輪廓分辨率可以約為點(diǎn)滴分辨率的10％或更少(例如，5％，2％，1％，0.5％，0.1％或更少)。為了給每個(gè)噴嘴提供修正，處理器230可對(duì)表面輪廓數(shù)據(jù)進(jìn)行插值，以提供與該點(diǎn)滴噴射裝置具有相同分辨率的調(diào)整過(guò)的表面輪廓。例如，處理器可對(duì)來(lái)自鄰近位移測(cè)量計(jì)的表面輪廓數(shù)據(jù)進(jìn)行線性插值，或可使用其它函數(shù)(例如，高階幾何函數(shù))對(duì)該數(shù)據(jù)進(jìn)行插值。
陣列210的最大橫交分辨率對(duì)應(yīng)于位移測(cè)量計(jì)的數(shù)量，但可以較低分辨率操作陣列210。例如，表面輪廓變化的平均長(zhǎng)度量級(jí)遠(yuǎn)大于(例如，兩倍大于)橫交分辨率時(shí)，需要檢測(cè)較少的基底上的位置，而獲得一表面輪廓，并據(jù)此對(duì)開(kāi)啟指令進(jìn)行適當(dāng)修正。
陣列210還可包括相對(duì)處理方向錯(cuò)開(kāi)排列的位移測(cè)量計(jì)行。例如，當(dāng)該位移測(cè)量計(jì)的物理寬度限制分辨率時(shí)，錯(cuò)開(kāi)排列2行或多行測(cè)量計(jì)(相對(duì)于橫交方向彼此偏置)，可提供整體增加的陣列分辨率。
表面輪廓的處理方向分辨率與位移測(cè)量計(jì)的采樣頻率和基底速度有關(guān)。這個(gè)分辨率可與橫交分辨率相同或不同，并可與處理方向的點(diǎn)滴分辨率相同或不同。
一種適合的點(diǎn)滴噴射裝置為噴墨打印頭，例如可從Spectra公司(Hanover，NH)購(gòu)買到的Galaxy或Nova系列的打印頭。打印頭的另一個(gè)實(shí)例在2003年7月3日的No.US-2004-0004649-A1號(hào)名為“打印頭”的美國(guó)專利申請(qǐng)以及2003年10月10日的No.60/510459號(hào)名為“具有薄膜的打印頭”的臨時(shí)專利申請(qǐng)中描述，兩者的全部?jī)?nèi)容在此引為參考。在某些實(shí)施例中，點(diǎn)滴噴射裝置220包括打印頭陣列。
所述實(shí)施例利用激光位移測(cè)量計(jì)產(chǎn)生表面輪廓，也可使用其它輪廓測(cè)量裝置。例如，可使用掃描激光檢測(cè)系統(tǒng)在基底表面經(jīng)過(guò)該點(diǎn)滴噴射裝置下方之前沿橫交方向掃描該基底表面?？少?gòu)買到的激光檢測(cè)系統(tǒng)的實(shí)例包括ShapeGrabberAI系列的自動(dòng)檢測(cè)系統(tǒng)(來(lái)自ShapeGrabber公司，Ottawa，Canada)。掃描檢測(cè)系統(tǒng)的另一個(gè)實(shí)例是VIVID系列掃描器，可從KonicaMinolta(Minolta USA，Ramsey，NJ)買到。該檢測(cè)系統(tǒng)的掃描頻率應(yīng)相對(duì)基底速度足夠快，以提供所需的表面輪廓分辨率?；蛘?，可離線進(jìn)行輪廓測(cè)量，并使處理適應(yīng)該輪廓測(cè)量。在實(shí)施例中，示例基底的輪廓或一組基底的平均輪廓可以被確定并用來(lái)產(chǎn)生噴射指令。
而且，所述實(shí)施例通過(guò)調(diào)整噴射脈沖時(shí)間降低了點(diǎn)滴位置誤差，也可使用其它補(bǔ)償模式。例如，基底輪廓信息可用于調(diào)整點(diǎn)滴速度以適應(yīng)表面變化。例如，在多數(shù)壓電噴墨打印頭中，點(diǎn)滴速度依賴于施加至壓電致動(dòng)器的噴射脈沖電壓而變化(例如，電壓更高時(shí)，速度就更大)。因此，當(dāng)由于基底輪廓使間隔距離增加時(shí)，更大的噴射脈沖電壓可使點(diǎn)滴速度增加，并且增加量足夠保持點(diǎn)滴的飛行時(shí)間大致恒定。
或者，或另外，當(dāng)橫交基底變化與處理方向上的變化相比可以忽略時(shí)，可變化所述間隔距離以適應(yīng)不規(guī)則的基底表面。例如，點(diǎn)滴噴射裝置和/或傳送基底的傳送器可被安裝于在操作過(guò)程中變化兩者相對(duì)位置的致動(dòng)器上。這樣，盡管基底表面輪廓中有變化，也能保持恒定的飛行時(shí)間。
在某些實(shí)施例中，基底可包括可食用物，例如固體食品和泡沫。在可食用基底上打印的實(shí)例在2004年1月20日提交的名為“可食用基底上打印”的NO.10/761008美國(guó)專利申請(qǐng)中被描述，其全部?jī)?nèi)容在此引為參考。其它不規(guī)則基底的實(shí)例包括包裝產(chǎn)品，例如食品包裝(如，瓶子，罐，和不規(guī)則食品盒)，消費(fèi)電子產(chǎn)品，玩具(如，娃娃)，和服裝。
點(diǎn)滴沉積包括非墨打印應(yīng)用。例如，所述實(shí)施例可被應(yīng)用至各種制造過(guò)程，如微電子中的流體(如，焊料)的精確配送，和平板顯示制造中的流體(如，有機(jī)發(fā)光二極管材料或?yàn)V色材料)的精確配送。
表面輪廓信息可用于降低與除了表面不規(guī)則以外的其它基底不均勻相關(guān)的沉積誤差。例如，基底輪廓可用于補(bǔ)償基底相對(duì)點(diǎn)滴噴射裝置的取向變化。一實(shí)例是在矩形基底上打印矩形圖像。使用上述裝置，依據(jù)基底輪廓可檢測(cè)出基底相對(duì)于打印頭的偏差。因此，打印任務(wù)數(shù)據(jù)經(jīng)光柵圖像處理以適應(yīng)該偏差，并以相對(duì)基底正確的取向打印圖像。
已描述本發(fā)明的多個(gè)實(shí)施例。然而，應(yīng)該理解在不背離本發(fā)明精神和范圍的情況下可以做出各種修改。因此，其它實(shí)施例在所附權(quán)利要求范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種方法，其包括測(cè)量基底表面輪廓；基于所述表面輪廓產(chǎn)生控制點(diǎn)滴噴射裝置的噴射指令；以及根據(jù)所述指令由點(diǎn)滴噴射裝置在所述基底上沉積點(diǎn)滴。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，光學(xué)測(cè)量所述表面輪廓。
3.如權(quán)利要求2所述的方法，其中，光學(xué)測(cè)量所述表面輪廓包括在所述基底和位移測(cè)量計(jì)陣列之間產(chǎn)生相對(duì)運(yùn)動(dòng)，并在多個(gè)位置檢測(cè)所述基底和所述測(cè)量計(jì)之間的距離。
4.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述噴射指令補(bǔ)償點(diǎn)滴飛行時(shí)間的變化，以補(bǔ)償所述表面輪廓的變化。
5.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，測(cè)量所述表面輪廓包括在所述基底和輪廓測(cè)量裝置之間產(chǎn)生相對(duì)運(yùn)動(dòng)。
6.如權(quán)利要求5所述的方法，其中，沉積點(diǎn)滴包括在所述基底和點(diǎn)滴噴射裝置之間產(chǎn)生相對(duì)運(yùn)動(dòng)。
7.如權(quán)利要求6所述的方法，其中，所述相對(duì)運(yùn)動(dòng)的速度約為1ms-1或更大。
8.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，還包括提供一系列基底并順序測(cè)量每個(gè)基底的輪廓，以及在每個(gè)基底上沉積點(diǎn)滴。
9.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，在所述基底上沉積的點(diǎn)滴的分辨率約為100dpi或更大。
10.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述基底具有在其表面兩點(diǎn)之間約0.1mm或更大的間隔變化。
11.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述基底為食品。
12.如權(quán)利要求11所述的方法，其中，所述食品為烘烤產(chǎn)品。
13.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述點(diǎn)滴噴射裝置為按需噴射式壓電打印頭。
14.一種在基底上沉積點(diǎn)滴的裝置，包括點(diǎn)滴噴射裝置；表面輪廓測(cè)量器；以及與所述表面輪廓測(cè)量器和點(diǎn)滴噴射裝置進(jìn)行通訊的電子處理器，其中，所述表面輪廓測(cè)量器測(cè)量所述基底的表面輪廓，且所述電子處理器基于所述表面輪廓產(chǎn)生控制所述點(diǎn)滴噴射裝置的噴射指令。
15.如權(quán)利要求14所述的裝置，其中，還包括基底傳送器，其設(shè)置成相對(duì)所述表面輪廓測(cè)量裝置和所述點(diǎn)滴噴射裝置掃描所述基底。
16.如權(quán)利要求14所述的裝置，其中，所述電子處理器基于所述基底和點(diǎn)滴噴射裝置之間的相對(duì)運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生噴射指令，從而，所述噴射指令或基底運(yùn)動(dòng)依賴于基底輪廓變化而變化。
17.如權(quán)利要求14所述的裝置，其中，所述基底噴射裝置為噴墨打印頭。
18.如權(quán)利要求17所述的裝置，其中，所述噴墨打印頭具有至少約為100dpi的分辨率。
19.如權(quán)利要求14所述的裝置，其中，所述表面輪廓測(cè)量器為光學(xué)表面輪廓測(cè)量器。
20.如權(quán)利要求19所述的裝置，其中，所述光學(xué)表面輪廓測(cè)量器包括測(cè)量計(jì)陣列，所述測(cè)量計(jì)陣列設(shè)置成測(cè)量從所述測(cè)量計(jì)到所述基底的距離。
全文摘要
本發(fā)明的一方面總體涉及一種方法，包括測(cè)量基底表面輪廓，基于該表面輪廓產(chǎn)生控制點(diǎn)滴噴射裝置的噴射指令，以及依據(jù)該指令由該點(diǎn)滴噴射裝置在該基底上沉積點(diǎn)滴。
文檔編號(hào)B41J3/407GK1997522SQ200580011220
公開(kāi)日2007年7月11日 申請(qǐng)日期2005年3月2日 優(yōu)先權(quán)日2004年3月4日
發(fā)明者斯蒂芬·H·巴斯 申請(qǐng)人:迪馬蒂克斯股份有限公司