專利名稱：噴墨印字頭裝置的通孔與噴口板的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種噴墨印字頭裝置(ink jet printhead device)的制造方法，且特別涉及一種噴墨印字頭裝置中的噴墨印字頭芯片(printheadchip)通孔(through hole)以及噴口板(nozzle plate)的制造方法。
背景技術(shù)：
近年來在高科技產(chǎn)業(yè)的帶動(dòng)發(fā)展下，所有電子相關(guān)產(chǎn)業(yè)無不突飛猛進(jìn)。就打印機(jī)而言，在短短幾年的時(shí)間內(nèi)，打印技術(shù)已經(jīng)從早期的撞針式打印及單色激光打印，一直進(jìn)步到目前的彩色噴墨打印及彩色激光打印，甚至出現(xiàn)熱轉(zhuǎn)印打印等打印技術(shù)。就噴墨打印機(jī)而言，目前出現(xiàn)在市場(chǎng)上的噴墨打印機(jī)所應(yīng)用的打印技術(shù)主要有壓電式(piezoelectric)或熱泡式(thermal bubble)的噴墨技術(shù)，其技術(shù)特征在于將墨水噴至記錄媒介，例如紙張等，因而形成文字或圖案于記錄媒介的表面。其中，壓電式打印技術(shù)是利用因施加電壓而產(chǎn)生形變的壓電材料來制造驅(qū)動(dòng)器(actuator)，故可施加電壓至驅(qū)動(dòng)器來擠壓位于墨水室(ink chamber)內(nèi)的墨水，再將墨水通過噴口(nozzle)射出而形成墨滴。氣泡式打印技術(shù)則是利用加熱裝置(heater；heating device)將墨水瞬間氣化(vapor)，因而產(chǎn)生高壓氣泡來推動(dòng)墨水，再將墨水通過噴口射出而形成墨滴(droplet)。
圖1是一種公知的噴墨印字頭的立體結(jié)構(gòu)示意圖。請(qǐng)參照?qǐng)D1，公知的噴墨印字頭100主要是由噴墨印字頭芯片(printhead chip)110、墨室層(chamber layer，亦可稱為干膜層(dry film layer))120以及噴口板130所構(gòu)成。噴墨印字頭芯片110具有表面112及通孔114，此通孔114可為狹長(zhǎng)狀(亦可為其它適當(dāng)形狀，例如橢圓形或圓形)且貫穿整個(gè)噴墨印字頭芯片110，以作為墨水的供給口。另外，在噴墨印字頭芯片110中還包括一些加熱裝置116。墨室層120設(shè)置于噴墨印字頭芯片110的表面112上，且墨室層120具有墨水流道(ink channel)122及墨水室(ink chamber)124。墨水室124會(huì)暴露出噴墨印字頭芯片110中的加熱裝置116，且墨水室124通過墨水流道122與通孔114連通。噴口板130設(shè)置于墨室層120上，噴口板130具有噴口(nozzle)132，且噴口132的位置對(duì)應(yīng)于加熱裝置116上方。
上述噴墨印字頭芯片110的通孔114一般都是采用噴砂(sandblasting)的方式形成。不過，傳統(tǒng)的噴砂作業(yè)有制程時(shí)間過長(zhǎng)的缺點(diǎn)，而且因?yàn)槠渲瞥套儺惔?、尺寸精度不佳，再加上通孔定位困難以及會(huì)因?yàn)橛兴樾?chipping)或晶裂而造成噴墨特性不佳等問題。所以，這種制造通孔的方式將不利于精密度不斷提高的噴墨印字頭。
此外，公知采用電鍍方法來形成噴口板中的噴口，不但制程時(shí)間長(zhǎng)，而且有可能因?yàn)殡婂冎瞥痰娜笔Ф鵁o法確實(shí)地形成噴口。另外，公知通常是采用一個(gè)噴口板與個(gè)別噴墨印字頭芯片分別接合，所以不但制程時(shí)間長(zhǎng)，也會(huì)較常發(fā)生芯片與噴口板對(duì)位變異的問題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種噴墨印字頭裝置的噴墨印字頭芯片通孔的制造方法，以解決通孔定位困難的問題。
本發(fā)明的再一目的是提供一種噴墨印字頭裝置的噴墨印字頭芯片通孔的制造方法，可提高通孔定位的準(zhǔn)確度，進(jìn)而提高合格率。
本發(fā)明的另一目的是提供一種噴墨印字頭裝置的噴口板的制造方法，可較快且確實(shí)地形成噴口，并增進(jìn)芯片與噴口板的對(duì)位。
本發(fā)明的其它目的和優(yōu)點(diǎn)可以從本發(fā)明所披露的技術(shù)特征中得到近一步的了解。
基于上述其中的一個(gè)或部份或全部目的或其它目的，本發(fā)明提出一種噴墨印字頭裝置的噴墨印字頭芯片通孔的制造方法，包括先提供噴墨印字頭芯片，其具有正面與相對(duì)的背面。然后依次進(jìn)行第一處理制程與第二處理制程。第一處理制程包括于噴墨印字頭芯片的正面上覆蓋感光材料層，再對(duì)感光材料層進(jìn)行曝光，以定義第一圖案。接著，對(duì)曝光后的感光材料層進(jìn)行顯影，以形成第一感光材料圖案，再以感光材料圖案為掩膜(mask)，利用感應(yīng)耦合式等離子體(inductivelycoupled plasma，ICP)或干蝕刻(dry etching)制程來蝕刻正面，以形成至少一個(gè)凹處。之后所進(jìn)行的第二處理制程則包括于噴墨印字頭芯片的正面上覆蓋另一感光材料層，并對(duì)這層感光材料層進(jìn)行曝光，以定義第二圖案。接著，對(duì)曝光后的感光材料層進(jìn)行顯影，以形成第二感光材料圖案，再以第二感光材料圖案為掩膜，利用感應(yīng)耦合式等離子體(ICP)蝕刻或干蝕刻制程蝕刻正面，以于凹處中形成通孔。
依照本發(fā)明的一實(shí)施例，上述噴墨印字頭芯片的背面與各通孔的內(nèi)面的夾角約為85-120度或鈍角。
本發(fā)明提出一種噴墨印字頭裝置的噴墨印字頭芯片通孔的制造方法，包括先提供噴墨印字頭芯片，其具有正面與相對(duì)的背面。然后依次進(jìn)行第一處理制程與第二處理制程。第一處理制程包括于噴墨印字頭芯片的背面上覆蓋感光材料層，再對(duì)感光材料層進(jìn)行曝光，以定義第一圖案。接著，對(duì)曝光后的感光材料層進(jìn)行顯影，以形成第一感光材料圖案，再以感光材料圖案為掩膜(mask)，利用感應(yīng)耦合式等離子體(inductively coupled plasma，ICP)或干蝕刻(dry etching)制程來蝕刻背面，以形成至少一個(gè)凹處。之后所進(jìn)行的第二處理制程則包括于噴墨印字頭芯片的背面上覆蓋另一感光材料層，并對(duì)這層感光材料層進(jìn)行曝光，以定義第二圖案。接著，對(duì)曝光后的感光材料層進(jìn)行顯影，以形成第二感光材料圖案，再以第二感光材料圖案為掩膜，利用感應(yīng)耦合式等離子體(ICP)蝕刻或干蝕刻制程蝕刻背面，以于凹處中形成通孔。依照本發(fā)明的較佳實(shí)施例所述的制造方法，上述噴墨印字頭芯片的正面與各通孔的內(nèi)面的夾角約為95-120度。
依照本發(fā)明的較佳實(shí)施例所述的制造方法，上述于噴墨印字頭芯片上覆蓋第一感光材料層的步驟包括于噴墨印字頭芯片上覆蓋厚度在0.5μm以上的感光材料。依照本發(fā)明的較佳實(shí)施例所述的制造方法，上述于噴墨印字頭芯片上覆蓋第二感光材料層的步驟包括于噴墨印字頭芯片上覆蓋厚度在4μm以上的感光材料。依照本發(fā)明的較佳實(shí)施例所述的制造方法，上述于第一處理制程后與第二處理制程前還包括去除第一感光材料圖案，且于第二處理制程后還包括去除第二感光材料圖案。
依照本發(fā)明的較佳實(shí)施例所述的制造方法，上述于第二處理制程后還包括去除第一以及第二感光材料圖案。
依照本發(fā)明的較佳實(shí)施例所述的制造方法，上述凹處的深度為0.1μm～100μm。
依照本發(fā)明的較佳實(shí)施例所述的制造方法，上述通孔的深度為575μm～675μm。
依照本發(fā)明的較佳實(shí)施例所述的制造方法，上述凹處與通孔的單邊寬度差的可用范圍在0.5μm以上。凹處與通孔的深度比則約在1/2000～1999/2000之間。
本發(fā)明另提出一種噴墨印字頭裝置的噴墨印字頭芯片通孔的制造方法，包括先提供噴墨印字頭芯片，其具有第一表面與相對(duì)的第二表面。然后依次進(jìn)行第一處理制程與第二處理制程。第一處理制程包括于噴墨印字頭芯片的第一表面上覆蓋感光材料層，再對(duì)感光材料層進(jìn)行曝光，以定義第一圖案。接著，對(duì)曝光后的感光材料層進(jìn)行顯影，以形成第一感光材料圖案，再以感光材料圖案為掩膜(mask)，利用感應(yīng)耦合式等離子體或干蝕刻制程來蝕刻第一表面，以形成至少一個(gè)凹處。之后所進(jìn)行的第二處理制程則包括于噴墨印字頭芯片的第二表面上覆蓋另一感光材料層，并對(duì)這層感光材料層進(jìn)行曝光，以定義第二圖案。接著，對(duì)曝光后的感光材料層進(jìn)行顯影，以形成第二感光材料圖案，再以第二感光材料圖案為掩膜，利用感應(yīng)耦合式等離子體(ICP)蝕刻或干蝕刻制程蝕刻第二表面，以于凹處中形成通孔，其中噴墨印字頭芯片的第一表面與通孔的內(nèi)面的夾角為95-120度。
本發(fā)明再提供一種噴墨印字頭裝置的噴口板的制造方法，包括提供基板，其具有第一表面與相對(duì)的第二表面。然后依次進(jìn)行第一處理制程與第二處理制程。第一處理制程包括于基板的第一表面上覆蓋感光材料層，再對(duì)感光材料層進(jìn)行曝光，以定義第一圖案。接著，對(duì)曝光后的感光材料層進(jìn)行顯影，以形成第一感光材料圖案，再以感光材料圖案為掩膜，利用感應(yīng)耦合式等離子體或干蝕刻制程來蝕刻第一表面，以形成至少一個(gè)凹處。之后所進(jìn)行的第二處理制程則包括于基板的第一表面上覆蓋另一感光材料層，并對(duì)這層感光材料層進(jìn)行曝光，以定義第二圖案。接著，對(duì)曝光后的感光材料層進(jìn)行顯影，以形成第二感光材料圖案，再以第二感光材料圖案為掩膜，利用感應(yīng)耦合式等離子體(ICP)蝕刻或干蝕刻制程蝕刻第一表面，以于凹處中形成噴口。
于一實(shí)施例中，上述基板的第二表面與各噴口的內(nèi)面的夾角約為80-120度或鈍角。
本發(fā)明又提出一種噴墨印字頭裝置的噴口板的制造方法，包括提供基板，其具有第一表面與相對(duì)的第二表面。然后依次進(jìn)行第一處理制程與第二處理制程。第一處理制程包括于基板的第一表面上覆蓋感光材料層，再對(duì)感光材料層進(jìn)行曝光，以定義第一圖案。接著，對(duì)曝光后的感光材料層進(jìn)行顯影，以形成第一感光材料圖案，再以感光材料圖案為掩膜，利用感應(yīng)耦合式等離子體或干蝕刻制程來蝕刻第一表面，以形成至少一個(gè)凹處。之后所進(jìn)行的第二處理制程則包括于基板的第二表面上覆蓋另一感光材料層，并對(duì)這層感光材料層進(jìn)行曝光，以定義第二圖案。接著，對(duì)曝光后的感光材料層進(jìn)行顯影，以形成第二感光材料圖案，再以第二感光材料圖案為掩膜，利用感應(yīng)耦合式等離子體(ICP)蝕刻或干蝕刻制程蝕刻第二表面，以于凹處中形成噴口，其中基板的第一表面與各噴口的內(nèi)面的夾角約為80-120度。
于本發(fā)明的實(shí)施例中，上述進(jìn)行曝光的步驟包括使用對(duì)準(zhǔn)器、步進(jìn)機(jī)或掃描儀進(jìn)行曝光。而于基板上覆蓋感光材料層的步驟包括旋涂或?qū)訅夯驀娡俊４送?，于基板上覆蓋的感光材料層厚度約在0.5～100μm。而上述基板的厚度約在10～200μm之間。噴口的直徑則約在10～80μm。另外，在形成噴口后，還包含去除感光材料圖案的步驟。其中，凹處與噴口的深度比在1/400～399/400之間。
本發(fā)明又提出一種噴墨印字頭裝置的噴口板的制造方法，包括先提供基板。然后，進(jìn)行步驟a)于基板上覆蓋感光材料層，步驟b)對(duì)感光材料層進(jìn)行曝光，以定義一圖案，步驟c)對(duì)曝光后的感光材料層進(jìn)行顯影，以形成感光材料圖案，步驟d)以感光材料圖案為掩膜，利用感應(yīng)耦合式等離子體或干蝕刻制程蝕刻部分基板，以形成一凹處。接著，重復(fù)上述步驟a)～d)一次，以于凹處中形成至少一個(gè)噴口，其中凹處與噴口的深度比在1/400～399/400之間。
于另一實(shí)施例中，基板厚度約在10～200μm之間。其中，步驟d)中的干蝕刻制程包括反應(yīng)性離子蝕刻，步驟b)包括使用對(duì)準(zhǔn)器、步進(jìn)機(jī)或掃描儀對(duì)感光材料層進(jìn)行曝光，步驟a)包括以旋涂或?qū)訅夯驀娡康姆绞接诨迳细采w感光材料層。而步驟a)包括于基板上覆蓋厚度在0.5μm以上的感光材料層。
于另一實(shí)施例中，噴口的內(nèi)面與的第二表面的夾角在80～120度或?yàn)殁g角。另外，在形成噴口后，還包含去除感光材料圖案的步驟。
本發(fā)明因?yàn)槭抢霉饪?Lithography)蝕刻的方式，所以可提高開孔定位的準(zhǔn)確度，還能夠減少孔與孔間的變異，而提高合格率。此外，用感應(yīng)耦合式等離子體與干蝕刻制程還可減少碎屑(chipping)或晶裂的產(chǎn)生，以便增進(jìn)噴墨特性。
為讓本發(fā)明的上述和其它目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉較佳實(shí)施例，并配合所附附圖，作詳細(xì)說明如下。須說明的是，本發(fā)明各實(shí)施例的說明是參考所附附圖，用以說明本發(fā)明可用以實(shí)施的特定實(shí)施例。因此，本發(fā)明所提到的方向用語，例如「上」、「下」、「左」、「右」等，僅是參考附加附圖的方向。本發(fā)明所披露的噴墨印頭可以任意擺置，因此使用的方向用語是用來說明，而非用來限制本發(fā)明。


圖1是一種公知的噴墨印字頭的立體結(jié)構(gòu)示意圖。
圖2A～圖2J是依照本發(fā)明的一實(shí)施例的一種噴墨印字頭芯片通孔的制造流程剖面示意圖。
圖3A～圖3D是接續(xù)圖2E之后形成噴墨印字頭芯片通孔的制造流程剖面示意圖。
圖4為依照本發(fā)明的另一實(shí)施例的噴墨印字頭芯片通孔的制造流程步驟圖。
圖5為依照本發(fā)明的又一實(shí)施例的噴墨印字頭裝置的噴口板的制造流程步驟圖。
圖6是依照?qǐng)D5的步驟形成的一種噴口板的剖面示意圖。
圖7是依照?qǐng)D5的步驟形成的另一種噴口板的剖面示意圖。
主要元件標(biāo)記說明20、110噴墨印字頭芯片100噴墨印字頭112表面114、272通孔116加熱裝置120墨室層122墨水流道124墨水室130噴口板132、604、704噴口200a、600a、700a第一表面200b、600b、700b第二表面
202基板204隔離結(jié)構(gòu)206介電層208氧化層210加熱裝置212電阻層214導(dǎo)體層218鈍化層220穴層230、230a、232、232a、332、332a感光材料層230b、232b、332b感光材料圖案240、242、342曝光250、252、352顯影260、262、362、610、710感應(yīng)耦合式等離子體或干蝕刻制程270、602、702凹處400～412、500～512步驟600、700基板W1、W2寬度差D1、D2深度具體實(shí)施方式

圖2A～圖2J是依照本發(fā)明的一實(shí)施例的一種噴墨印字頭裝置的噴墨印字頭芯片通孔(through hole)的制造流程剖面示意圖。
請(qǐng)參照?qǐng)D2A，本實(shí)施例先提供噴墨印字頭芯片(printheadchip)20，其具有第一表面200a與相對(duì)的第二表面200b，且噴墨印字頭芯片20的厚度例如約200～800μm(微米)。如本圖所示，第一表面200a可以是噴墨印字頭芯片20的正面，其上形成有加熱裝置等裝置，或者第一表面200a也可以是噴墨印字頭芯片20的背面，應(yīng)看后續(xù)對(duì)噴墨印字頭芯片20進(jìn)行蝕刻時(shí)是對(duì)哪一個(gè)面開始蝕刻；也就是說，「第一表面」代表噴墨印字頭芯片20被開始蝕刻的那一面，反之則為「第二表面」。另外，「第一表面」也可以是噴墨印字頭芯片20具有加熱裝置等裝置的正面，反之「第二表面」可以看作噴墨印字頭芯片20的背面。
請(qǐng)繼續(xù)參照?qǐng)D2A，舉例來說，噴墨印字頭芯片20通常可包括有基板202及依次形成于基板202上的隔離結(jié)構(gòu)204、介電層206、氧化層208和加熱裝置210，其中隔離結(jié)構(gòu)(isolation structure)204例如是場(chǎng)氧化層(field oxide layer)、介電層(dielectric layer)206例如是磷硅玻璃(phosphosilicate glass，PSG)或硼磷硅玻璃(borophosphosilicateglass，BPSG)、氧化層208例如是等離子體增強(qiáng)式氧化層(plasma-enhanced oxide，PEOX)或低壓成形氧化層(low pressureoxide，LPOX)。電阻層212位于介電層206上，導(dǎo)體層214位于電阻層212上且暴露出一加熱區(qū)域而形成加熱裝置210。電阻層212的材質(zhì)則可包括TaAl、TaN或摻雜多晶硅，或其它本發(fā)明所屬技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員所知的可用于噴墨印字頭加熱裝置的材料。此外，噴墨印字頭芯片還可包括覆蓋電阻層212和導(dǎo)體層214的鈍化層(passivationlayer)218例如包括SiN層、SiC層或SiN與SiC的疊層，用以防止墨水對(duì)其底下各層結(jié)構(gòu)產(chǎn)生腐蝕反應(yīng)。在加熱區(qū)域上方的鈍化層218上還可包括一層穴層(cavitation layer)220，而穴層220的材質(zhì)例如是Ta、W或Mo。
請(qǐng)參照?qǐng)D2B，于噴墨印字頭芯片20的第一表面200a上覆蓋第一感光材料層230，且其方法可以采用旋涂(spin coating)或?qū)訅?laminating)或噴涂(spray coating)或其它所屬技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員已知的涂布法，而感光材料層230可以例如是壓克力、環(huán)氧(epoxy)、聚酰亞胺(polyimide)、聚酯(polyester)。其中，于噴墨印字頭芯片20上所覆蓋的第一感光材料層230的厚度例如約0.5μm以上。
之后，請(qǐng)參照?qǐng)D2C，對(duì)感光材料層230(請(qǐng)見圖2B)進(jìn)行第一次曝光240，以定義第一圖案230b，且第一感光材料層230a因?yàn)槭艿焦獾挠绊懚蛊浠瘜W(xué)成分產(chǎn)生變化。在上述曝光步驟中，可使用對(duì)準(zhǔn)器(aligner)、步進(jìn)機(jī)(stepper)或掃描儀(scanner)。
接著，請(qǐng)參照?qǐng)D2D，對(duì)曝光后的第一感光材料層230a與230b進(jìn)行第一次顯影250，以形成第一感光材料圖案230b。
隨后，請(qǐng)參照?qǐng)D2E，以第一感光材料圖案230b為掩膜(mask)，利用感應(yīng)耦合式等離子體(inductively coupled plasma，ICP)或是干蝕刻制程(dry etching process)260蝕刻噴墨印字頭芯片20，以形成凹處270，其中上述干蝕刻制程例如是反應(yīng)性離子蝕刻(reactive ionetching，RIE)或其它適合的干蝕刻。凹處270的形成可如本圖所示，是一直將鈍化層218、介電層206與氧化層208蝕穿而停在氧化層208上；當(dāng)然，也可依照實(shí)際制程或結(jié)構(gòu)的需求，而在基板202以外的噴墨印字頭芯片20的各層結(jié)構(gòu)上形成凹處270，或蝕刻至基板202的一部份。
然后，請(qǐng)參照?qǐng)D2F，可在此時(shí)去除第一感光材料圖案230b，或者等最后形成通孔再去除。接著，于噴墨印字頭芯片20的第一表面200a上再覆蓋第二感光材料層232，其方法如上述，且第二感光材料層232的厚度例如是在4μm以上。
之后，請(qǐng)參照?qǐng)D2G，對(duì)第二感光材料層232(請(qǐng)見圖2F)進(jìn)行曝光242，以定義第二圖案232b，且第二感光材料層232a因?yàn)槭艿焦獾挠绊懚蛊浠瘜W(xué)成分產(chǎn)生變化。在曝光時(shí)，可用圖2C所述的各種機(jī)器來進(jìn)行曝光。
接著，請(qǐng)參照?qǐng)D2H，對(duì)曝光后的第二感光材料層232a與232b進(jìn)行顯影252，以形成感光材料圖案232b。
隨后，請(qǐng)參照?qǐng)D2I，以感光材料圖案232b為掩膜，利用感應(yīng)耦合式等離子體蝕刻或干蝕刻制程262蝕刻第一表面200a，以形成通孔272，其中夾角a例如約在85～120度或?yàn)殁g角。雖然圖2I僅顯示一個(gè)通孔272，但是本發(fā)明所屬技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)知一般的噴墨印字頭可具有多個(gè)通孔。通過上述方法所形成的通孔272寬度例如是5～1000μm。
之后，請(qǐng)繼續(xù)參照?qǐng)D2J，可去除第二感光材料圖案232b，而且如果第一感光材料圖案230b尚未被去除，則此時(shí)可將第一與第二感光材料圖案230b和232b一起去除。上述凹處270與通孔272的單邊寬度差W1與W2的可用范圍在0.5μm以上，且較佳是在10μm～20μm之間。圖2J中的凹處270的深度D1例如約為0.1μm～100μm、通孔272的深度D2例如約為575μm～675μm。凹處270與通孔272的深度比(即，凹處的深度/通孔的深度)在1/2000～1999/2000之間，所以當(dāng)深度越大時(shí)，前述感光材料層的厚度就要越厚。
此外，凹處和通孔也可以選擇從不同的表面分別形成。舉例來說，利用上述圖2A至圖2E的步驟形成凹處270之后，可接續(xù)下面的圖3A至圖3D。
圖3A～圖3D是接續(xù)圖2E之后形成噴墨印字頭芯片通孔的制造流程剖面示意圖。
請(qǐng)參照?qǐng)D3A，可在此時(shí)去除第一感光材料圖案230b，或者等最后形成通孔后再去除。接著，于噴墨印字頭芯片20的第二表面200b上覆蓋第二感光材料層332，其方法如上述，且第二感光材料層332的厚度例如是在4μm以上(圖3A中332所示的厚度僅為示意，用以說明在200b上有覆蓋第二感光材料層332)。
之后，請(qǐng)參照?qǐng)D3B，對(duì)第二感光材料層232(請(qǐng)見圖3A)進(jìn)行曝光342，以定義出第二圖案332b，且第二感光材料層332a因?yàn)槭艿焦獾挠绊懚蛊浠瘜W(xué)成分產(chǎn)生變化。在曝光時(shí)，可用圖2C所述的各種機(jī)器來進(jìn)行曝光。
接著，請(qǐng)參照?qǐng)D3C，對(duì)曝光后的第二感光材料層332a與332b進(jìn)行顯影352，以形成感光材料圖案332b。
隨后，請(qǐng)參照?qǐng)D3D，以感光材料圖案332b為掩膜，利用感應(yīng)耦合式等離子體蝕刻或干蝕刻制程362蝕刻第二表面200b，以形成通孔372，其中通孔372的內(nèi)面與第一表面200a的夾角a約在95～120度。之后可去除第二感光材料圖案332b，而且如果第一感光材料圖案230b尚未被去除，則此時(shí)可將第一與第二感光材料圖案230b和332b一起去除。而在圖3D中的凹處270與通孔372的尺寸(深度、寬度…等)可參照本發(fā)明的其它實(shí)施例。
圖4為依照本發(fā)明的另一實(shí)施例的噴墨印字頭芯片通孔的制造流程步驟圖。
請(qǐng)參照?qǐng)D4，于步驟400中，提供噴墨印字頭芯片，噴墨印字頭芯片的厚度約為200～800μm。
接著，于步驟402a中，于噴墨印字頭芯片上覆蓋感光材料層，其步驟例如包括于噴墨印字頭芯片上覆蓋厚度在約0.5μm以上的感光材料。
之后，于步驟404a中，對(duì)感光材料層進(jìn)行曝光，以定義一圖案，如后續(xù)形成的通孔的圖案。進(jìn)行曝光所使用的機(jī)器例如對(duì)準(zhǔn)器、步進(jìn)機(jī)或掃描儀。
然后，進(jìn)行步驟406a，對(duì)曝光后的感光材料層進(jìn)行顯影，以形成感光材料圖案。
隨后，于步驟408a中，以感光材料圖案為掩膜，利用感應(yīng)耦合式等離子體(ICP)或干蝕刻制程蝕刻部分噴墨印字頭芯片，其中干蝕刻制程例如是反應(yīng)性離子蝕刻或其它適合的干蝕刻。
接著，可進(jìn)行與上述步驟402a至步驟408a相同的步驟402b～408b，直到步驟410，形成通孔，且通孔的寬度在5～1000μm，且通孔的深寬比(亦即深度除以寬度的比值)則在0.4～100之間，較佳則在1.05～2.25之間。在進(jìn)行上述步驟402b時(shí)，于噴墨印字頭芯片上需覆蓋厚度在約4μm以上的感光材料。而于步驟408a和408b中可以依照所需選擇(1)都是用感應(yīng)耦合式等離子體(ICP)進(jìn)行蝕刻、(2)先用干蝕刻制程再用感應(yīng)耦合式等離子體(ICP)或是(3)先用感應(yīng)耦合式等離子體(ICP)再用干蝕刻制程(亦即蝕刻部分噴墨印字頭芯片和形成通孔都是采用感應(yīng)耦合式等離子體方式進(jìn)行，或蝕刻部分噴墨印字頭芯片是采用感應(yīng)耦合式等離子體方式進(jìn)行而形成通孔是采用干蝕刻制程，或蝕刻部分噴墨印字頭芯片是采用干蝕刻制程進(jìn)行而形成通孔是采用感應(yīng)耦合式等離子體方式)。然后，于步驟412中，去除上述感光材料圖案。
圖5為依照本發(fā)明的又一實(shí)施例的噴墨印字頭裝置的噴口板的制造流程步驟圖。
請(qǐng)參照?qǐng)D5，于步驟500中，先提供基板，其厚度約在10～200μm之間，且基板可以是硅芯圓(silicon wafer)。
接著，于步驟502a中，于基板上覆蓋感光材料層，其步驟例如包括于基板上覆蓋厚度在0.5～100μm的感光材料層，其步驟包括旋涂或?qū)訅夯驀娡俊?br> 之后，于步驟504a中，對(duì)感光材料層進(jìn)行曝光，以定義一圖案，如后續(xù)形成的噴口的圖案。進(jìn)行曝光所使用的機(jī)器如前一實(shí)施例。
然后，進(jìn)行步驟506a，對(duì)曝光后的感光材料層進(jìn)行顯影，以形成感光材料圖案。
隨后，于步驟508a中，以感光材料圖案為掩膜，利用感應(yīng)耦合式等離子體(ICP)或干蝕刻制程蝕刻部分基板，以形成凹處。其中，干蝕刻制程例如是反應(yīng)性離子蝕刻或其它適合的干蝕刻。
接著，可進(jìn)行與上述步驟502a至步驟508a相同的步驟502b～508b，直到步驟510，形成噴口，而完成噴墨印字頭裝置的噴口板的制造，其中凹處與噴口的深度比例如是在1/400～399/400之間。其中每一個(gè)噴口的直徑例如是10～80μm。然后，可進(jìn)行步驟512，去除感光材料圖案；抑或?qū)Ω泄獠牧蠄D案作后續(xù)的處理。用于形成凹處的感光材料圖案，可以在形成凹處后去除掉，亦可以在形成噴口后，再與以一并去除。
之后，可以將整片硅芯圓噴口板以芯圓接合(wafer bonding)的方式結(jié)合于在含有噴墨印字頭芯片的芯圓(wafer)上；另一方面，本發(fā)明也可以先將未制造出噴口的硅芯圓以芯圓接合(wafer bonding)方式結(jié)合于含有噴墨印字頭芯片的芯圓上，再利用前述感應(yīng)耦合式等離子體制造噴口。
圖6是按照?qǐng)D5的步驟形成的一種噴口板的剖面示意圖。請(qǐng)參照?qǐng)D6，如果是先在第一表面600a形成凹處602，再利用感應(yīng)耦合式等離子體(ICP)610朝向基板600的第一表面600a蝕刻，則形成的噴口604的內(nèi)面與相對(duì)于第一表面600a的第二表面600b的夾角a例如在80～120度或?yàn)殁g角。其中凹處602與噴口604的深度比例如是在1/400～399/400之間。
圖7則是按照?qǐng)D5的步驟形成的另一種噴口板的剖面示意圖。請(qǐng)參照?qǐng)D7，如果是先在第一表面700a形成凹處702，再利用感應(yīng)耦合式等離子體(ICP)710由相對(duì)第一表面700a的第二表面700b朝向基板700的第一表面700a蝕刻，則形成的噴口704的內(nèi)面與第一表面700a的夾角a則約在80～120度。其中凹處702與噴口704的深度比例如是在1/400～399/400之間。
另外，前述各實(shí)施例中所描述的凹處的形成步驟，均可同時(shí)應(yīng)用于制造噴墨印字頭裝置中的其它各個(gè)部份的形成，例如流道(channel)或墨水室(ink chamber)。
因此，這個(gè)制造噴口板的實(shí)施例與公知采用電鍍形成噴口的方式相比要快，且噴口可以確實(shí)地形成。此外，將芯片接合在含有噴墨印字頭芯片的芯圓上，與公知采用一個(gè)噴口板與一個(gè)噴墨印字頭芯片分別接合相比，可減少制程時(shí)間，且可減少每一個(gè)芯片與噴口板結(jié)合時(shí)的對(duì)位變異。另外，本發(fā)明利用感應(yīng)耦合式等離子體(ICP)以及/或是干蝕刻制程來形成噴墨印字頭芯片的通孔，所以能夠獲得比公知采用噴砂方式所形成的通孔更優(yōu)異的開孔定位精確度，并因此而減少孔與孔之間的變異，進(jìn)而提高合格率。此外，本發(fā)明也因?yàn)槔霉饪涛g刻的方式制造通孔，因而減少碎屑(chipping)或晶裂的產(chǎn)生、增進(jìn)噴墨特性。另一方面采用兩次蝕刻方式以形成通孔可減少每一層次感光材料的厚度，避免感光材料太厚而影響后續(xù)去除感光材料作業(yè)的合格率。另外，本發(fā)明還可控制通孔的內(nèi)面與感應(yīng)耦合式等離子體(ICP)從噴墨印字頭芯片出射的那一面的夾角，例如控制該夾角為鈍角，以便改善供墨(墨水流進(jìn)或流出通孔的流暢性)情形。
雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例披露如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何所屬技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作些許的更動(dòng)與改進(jìn)，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)視權(quán)利要求所界定者為準(zhǔn)。例如本發(fā)明不限于熱泡式的噴墨技術(shù)，同樣亦可適用于壓電式噴墨技術(shù)或其它噴墨技術(shù)。此外，摘要部分和標(biāo)題僅是用來輔助專利文件搜索用，并非用來限制本發(fā)明的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求
1.一種噴墨印字頭裝置的噴墨印字頭芯片通孔的制造方法，其特征是包括提供噴墨印字頭芯片，該噴墨印字頭芯片具有正面與相對(duì)的背面；進(jìn)行第一處理制程，包括于該噴墨印字頭芯片的該正面上覆蓋第一感光材料層；對(duì)該第一感光材料層進(jìn)行曝光，以定義第一圖案；對(duì)曝光后的該第一感光材料層進(jìn)行顯影，以形成第一感光材料圖案；以該第一感光材料圖案為掩膜，利用感應(yīng)耦合式等離子體或干蝕刻制程蝕刻該正面，以形成至少一個(gè)凹處；以及進(jìn)行第二處理制程，包括于該噴墨印字頭芯片的該正面上覆蓋第二感光材料層；對(duì)該第二感光材料層進(jìn)行曝光，以定義第二圖案；對(duì)曝光后的該第二感光材料層進(jìn)行顯影，以形成第二感光材料圖案；以該第二感光材料圖案為掩膜，利用該感應(yīng)耦合式等離子體蝕刻或該干蝕刻制程蝕刻該正面，以于該凹處中形成至少一個(gè)通孔。
2.一種噴墨印字頭裝置的噴墨印字頭芯片通孔的制造方法，其特征是包括提供噴墨印字頭芯片，該噴墨印字頭芯片具有正面與相對(duì)的背面；進(jìn)行第一處理制程，包括于該噴墨印字頭芯片的該背面上覆蓋第一感光材料層；對(duì)該第一感光材料層進(jìn)行曝光，以定義第一圖案；對(duì)曝光后的該第一感光材料層進(jìn)行顯影，以形成第一感光材料圖案；以該第一感光材料圖案為掩膜，利用感應(yīng)耦合式等離子體或干蝕刻制程蝕刻該背面，以形成至少一個(gè)凹處；以及進(jìn)行第二處理制程，包括于該噴墨印字頭芯片的該背面上覆蓋第二感光材料層；對(duì)該第二感光材料層進(jìn)行曝光，以定義第二圖案；對(duì)曝光后的該第二感光材料層進(jìn)行顯影，以形成第二感光材料圖案；以該第二感光材料圖案為掩膜，利用該感應(yīng)耦合式等離子體蝕刻或該干蝕刻制程蝕刻該背面，以于該凹處中形成至少一個(gè)通孔，其中該通孔的內(nèi)面與該正面的夾角為95度～120度。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的噴墨印字頭裝置的噴墨印字頭芯片通孔的制造方法，其特征是該干蝕刻制程包括反應(yīng)性離子蝕刻。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的噴墨印字頭裝置的噴墨印字頭芯片通孔的制造方法，其特征是進(jìn)行曝光的步驟包括使用對(duì)準(zhǔn)器、步進(jìn)機(jī)或掃描儀。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的噴墨印字頭裝置的噴墨印字頭芯片通孔的制造方法，其特征是于該噴墨印字頭芯片上覆蓋該第一感光材料層或該第二感光材料層的步驟包括旋涂或?qū)訅夯驀娡俊?br> 6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的噴墨印字頭裝置的噴墨印字頭芯片通孔的制造方法，其特征是于該噴墨印字頭芯片上覆蓋該第一感光材料層的步驟包括于該噴墨印字頭芯片上覆蓋厚度在0.5μm以上的感光材料。
7.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的噴墨印字頭裝置的噴墨印字頭芯片通孔的制造方法，其特征是于該噴墨印字頭芯片上覆蓋該第二感光材料層的步驟包括于該噴墨印字頭芯片上覆蓋厚度在4μm以上的感光材料。
8.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的噴墨印字頭裝置的噴墨印字頭芯片通孔的制造方法，其特征是于該第一處理制程后與該第二處理制程前，還包括去除該第一感光材料圖案。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的噴墨印字頭裝置的噴墨印字頭芯片通孔的制造方法，其特征是于該第二處理制程后還包括去除該第二感光材料圖案。
10.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的噴墨印字頭裝置的噴墨印字頭芯片通孔的制造方法，其特征是于該第二處理制程后還包括去除該第一感光材料圖案以及該第二感光材料圖案。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的噴墨印字頭裝置的噴墨印字頭芯片通孔的制造方法，其特征是該噴墨印字頭芯片的該背面與該通孔的內(nèi)面的夾角為85度～120度。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的噴墨印字頭裝置的噴墨印字頭芯片通孔的制造方法，其特征是該噴墨印字頭芯片的該正面與該通孔的內(nèi)面的夾角為鈍角。
13.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的噴墨印字頭裝置的噴墨印字頭芯片通孔的制造方法，其特征是該噴墨印字頭芯片的厚度為200～800μm。
14.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的噴墨印字頭裝置的噴墨印字頭芯片通孔的制造方法，其特征是該凹處的深度為0.1μm～100μm。
15.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的噴墨印字頭裝置的噴墨印字頭芯片通孔的制造方法，其特征是該通孔的深度為575μm～675μm。
16.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的噴墨印字頭裝置的噴墨印字頭芯片通孔的制造方法，其特征是該通孔的寬度為5～1000μm。
17.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的噴墨印字頭裝置的噴墨印字頭芯片通孔的制造方法，其特征是該凹處與該通孔的單邊寬度差的可用范圍在0.5μm以上。
18.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的噴墨印字頭裝置的噴墨印字頭芯片通孔的制造方法，其特征是該凹處與該通孔的深度比在1/2000～1999/2000之間。
19.一種噴墨印字頭裝置的噴墨印字頭芯片通孔的制造方法，其特征是包括提供噴墨印字頭芯片，該噴墨印字頭芯片具有第一表面與相對(duì)的第二表面；進(jìn)行第一處理制程，包括于該噴墨印字頭芯片的該第一表面上覆蓋第一感光材料層；對(duì)該第一感光材料層進(jìn)行曝光，以定義第一圖案；對(duì)曝光后的該第一感光材料層進(jìn)行顯影，以形成第一感光材料圖案；以該第一感光材料圖案為掩膜，利用感應(yīng)耦合式等離子體或干蝕刻制程蝕刻該第一表面，以形成至少一個(gè)凹處；以及進(jìn)行第二處理制程，包括于該噴墨印字頭芯片的該第二表面上覆蓋第二感光材料層；對(duì)該第二感光材料層進(jìn)行曝光，以定義第二圖案；對(duì)曝光后的該第二感光材料層進(jìn)行顯影，以形成第二感光材料圖案；以該第二感光材料圖案為掩膜，利用該感應(yīng)耦合式等離子體蝕刻或該干蝕刻制程蝕刻該第二表面，以于該凹處中形成至少一個(gè)通孔，其中該通孔的內(nèi)面與該第一表面的夾角為95度-120度。
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的噴墨印字頭裝置的噴墨印字頭芯片通孔的制造方法，其特征是該干蝕刻制程包括反應(yīng)性離子蝕刻。
21.根據(jù)權(quán)利要求19所述的噴墨印字頭裝置的噴墨印字頭芯片通孔的制造方法，其特征是進(jìn)行曝光的步驟包括使用對(duì)準(zhǔn)器、步進(jìn)機(jī)或掃描儀。
22.根據(jù)權(quán)利要求19所述的噴墨印字頭裝置的噴墨印字頭芯片通孔的制造方法，其特征是于該噴墨印字頭芯片上覆蓋該第一感光材料層或該第二感光材料層的步驟包括旋涂或?qū)訅夯驀娡俊?br> 23.根據(jù)權(quán)利要求19所述的噴墨印字頭裝置的噴墨印字頭芯片通孔的制造方法，其特征是于該噴墨印字頭芯片上覆蓋該第一感光材料層的步驟包括于該噴墨印字頭芯片上覆蓋厚度在0.5μm以上的感光材料。
24.根據(jù)權(quán)利要求19所述的噴墨印字頭裝置的噴墨印字頭芯片通孔的制造方法，其特征是于該噴墨印字頭芯片上覆蓋該第二感光材料層的步驟包括于該噴墨印字頭芯片上覆蓋厚度在4μm以上的感光材料。
25.根據(jù)權(quán)利要求19所述的噴墨印字頭裝置的噴墨印字頭芯片通孔的制造方法，其特征是于該第一處理制程后與該第二處理制程前，還包括去除該第一感光材料圖案。
26.根據(jù)權(quán)利要求25所述的噴墨印字頭裝置的噴墨印字頭芯片通孔的制造方法，其特征是于該第二處理制程后還包括去除該第二感光材料圖案。
27.根據(jù)權(quán)利要求19所述的噴墨印字頭裝置的噴墨印字頭芯片通孔的制造方法，其特征是于該第二處理制程后還包括去除該第一感光材料圖案以及該第二感光材料圖案。
28.根據(jù)權(quán)利要求19所述的噴墨印字頭裝置的噴墨印字頭芯片通孔的制造方法，其特征是該噴墨印字頭芯片的厚度為200～800μm。
29.根據(jù)權(quán)利要求19所述的噴墨印字頭裝置的噴墨印字頭芯片通孔的制造方法，其特征是該凹處的深度為0.1μm～100μm。
30.根據(jù)權(quán)利要求19所述的噴墨印字頭裝置的噴墨印字頭芯片通孔的制造方法，其特征是該通孔的深度為575μm～675μm。
31.根據(jù)權(quán)利要求19所述的噴墨印字頭裝置的噴墨印字頭芯片通孔的制造方法，其特征是該通孔的寬度為5～1000μm。
32.根據(jù)權(quán)利要求19所述的噴墨印字頭裝置的噴墨印字頭芯片通孔的制造方法，其特征是該凹處與該通孔的單邊寬度差的可用范圍在0.5μm以上。
33.根據(jù)權(quán)利要求19所述的噴墨印字頭裝置的噴墨印字頭芯片通孔的制造方法，其特征是該凹處與該通孔的深度比在1/2000～1999/2000之間。
34.一種噴墨印字頭裝置的噴口板的制造方法，其特征是包括提供基板，該基板具有第一表面與相對(duì)的第二表面；進(jìn)行第一處理制程，包括于該基板的該第一表面上覆蓋第一感光材料層；對(duì)該第一感光材料層進(jìn)行曝光，以定義第一圖案；對(duì)曝光后的該第一感光材料層進(jìn)行顯影，以形成第一感光材料圖案；以該第一感光材料圖案為掩膜，利用感應(yīng)耦合式等離子體或干蝕刻制程蝕刻該第一表面，以形成至少一個(gè)凹處；以及進(jìn)行第二處理制程，包括于該基板的該第一表面上覆蓋第二感光材料層；對(duì)該第二感光材料層進(jìn)行曝光，以定義第二圖案；對(duì)曝光后的該第二感光材料層進(jìn)行顯影，以形成第二感光材料圖案；以該第二感光材料圖案為掩膜，利用該感應(yīng)耦合式等離子體蝕刻或該干蝕刻制程蝕刻該第一表面，以于該凹處中形成至少一個(gè)噴口。
35.根據(jù)權(quán)利要求34所述的噴墨印字頭裝置的噴口板的制造方法，其特征是對(duì)該感光材料層進(jìn)行曝光的步驟包括使用對(duì)準(zhǔn)器、步進(jìn)機(jī)或掃描儀進(jìn)行曝光。
36.根據(jù)權(quán)利要求34所述的噴墨印字頭裝置的噴口板的制造方法，其特征是于該基板上覆蓋該感光材料層的步驟包括旋涂或?qū)訅夯驀娡俊?br> 37.根據(jù)權(quán)利要求34所述的噴墨印字頭裝置的噴口板的制造方法，其特征是該基板的該第二表面與該噴口的內(nèi)面的夾角為80度～120度。
38.根據(jù)權(quán)利要求34所述的噴墨印字頭裝置的噴口板的制造方法，其特征是該基板的該第二表面與該噴口的內(nèi)面的夾角為鈍角。
39.根據(jù)權(quán)利要求34所述的噴墨印字頭裝置的噴口板的制造方法，其特征是于該基板上覆蓋該感光材料層的步驟包括于該基板上覆蓋厚度在0.5～100μm的該感光材料層。
40.根據(jù)權(quán)利要求34所述的噴墨印字頭裝置的噴口板的制造方法，其特征是該基板的厚度在10～200μm之間。
41.根據(jù)權(quán)利要求34所述的噴墨印字頭裝置的噴口板的制造方法，其特征是該噴口的直徑在10～80μm。
42.根據(jù)權(quán)利要求34所述的噴墨印字頭裝置的噴口板的制造方法，其特征是在形成該噴口后，還包含去除該感光材料圖案。
43.根據(jù)權(quán)利要求34所述的噴墨印字頭裝置的噴口板的制造方法，其特征是該凹處與該噴口的深度比在1/400～399/400之間。
44.一種噴墨印字頭裝置的噴口板的制造方法，其特征是包括提供基板，該基板具有第一表面與相對(duì)的第二表面；進(jìn)行第一處理制程，包括于該基板的該第一表面上覆蓋第一感光材料層；對(duì)該第一感光材料層進(jìn)行曝光，以定義第一圖案；對(duì)曝光后的該第一感光材料層進(jìn)行顯影，以形成第一感光材料圖案；以該第一感光材料圖案為掩膜，利用感應(yīng)耦合式等離子體或干蝕刻制程蝕刻該第一表面，以形成至少一個(gè)凹處；以及進(jìn)行第二處理制程，包括于該基板的該第二表面上覆蓋第二感光材料層；對(duì)該第二感光材料層進(jìn)行曝光，以定義第二圖案；對(duì)曝光后的該第二感光材料層進(jìn)行顯影，以形成第二感光材料圖案；以該第二感光材料圖案為掩膜，利用該感應(yīng)耦合式等離子體蝕刻或該干蝕刻制程蝕刻該第二表面，以于該凹處中形成至少一個(gè)噴口，其中該噴口的內(nèi)面與該第一表面的夾角為80度～120度。
45.根據(jù)權(quán)利要求44所述的噴墨印字頭裝置的噴口板的制造方法，其特征是對(duì)該感光材料層進(jìn)行曝光的步驟包括使用對(duì)準(zhǔn)器、步進(jìn)機(jī)或掃描儀進(jìn)行曝光。
46.根據(jù)權(quán)利要求44所述的噴墨印字頭裝置的噴口板的制造方法，其特征是于該基板上覆蓋該感光材料層的步驟包括旋涂或?qū)訅夯驀娡俊?br> 47.根據(jù)權(quán)利要求44所述的噴墨印字頭裝置的噴口板的制造方法，其特征是于該基板上覆蓋該感光材料層的步驟包括于該基板上覆蓋厚度在0.5～100μm的該感光材料層。
48.根據(jù)權(quán)利要求44所述的噴墨印字頭裝置的噴口板的制造方法，其特征是該基板的厚度在10～200μm之間。
49.根據(jù)權(quán)利要求44所述的噴墨印字頭裝置的噴口板的制造方法，其特征是該噴口的直徑在10～80μm。
50.根據(jù)權(quán)利要求44所述的噴墨印字頭裝置的噴口板的制造方法，其特征是在形成該噴口后，還包含去除該感光材料圖案。
51.根據(jù)權(quán)利要求44所述的噴墨印字頭裝置的噴口板的制造方法，其特征是該凹處與該噴口的深度比在1/400～399/400之間。
52.一種噴墨印字頭裝置的噴口板的制造方法，其特征是包括提供基板；a)于該基板上覆蓋感光材料層；b)對(duì)該感光材料層進(jìn)行曝光，以定義一圖案；c)對(duì)曝光后的該感光材料層進(jìn)行顯影，以形成感光材料圖案；d)以該感光材料圖案為掩膜，利用感應(yīng)耦合式等離子體或干蝕刻制程蝕刻部分該基板，以形成至少一個(gè)凹處；以及重復(fù)步驟a)～d)一次，以蝕刻部分該基板并于該凹處中形成至少一個(gè)噴口，其中該凹處與該噴口的深度比在1/400～399/400之間。
53.根據(jù)權(quán)利要求52所述的噴墨印字頭裝置的噴口板的制造方法，其特征是在形成該噴口后，還包含去除該感光材料圖案。
54.根據(jù)權(quán)利要求52所述的噴墨印字頭裝置的噴口板的制造方法，其特征是步驟d)中的該干蝕刻制程包括反應(yīng)性離子蝕刻。
55.根據(jù)權(quán)利要求52所述的噴墨印字頭裝置的噴口板的制造方法，其特征是步驟b)包括使用對(duì)準(zhǔn)器、步進(jìn)機(jī)或掃描儀對(duì)該感光材料層進(jìn)行曝光。
56.根據(jù)權(quán)利要求52所述的噴墨印字頭裝置的噴口板的制造方法，其特征是步驟a)包括以旋涂或?qū)訅夯驀娡康姆绞接谠摶迳细采w該感光材料層。
57.根據(jù)權(quán)利要求52所述的噴墨印字頭裝置的噴口板的制造方法，其特征是步驟a)包括于該基板上覆蓋厚度在0.5μm以上的該感光材料層。
58.根據(jù)權(quán)利要求52所述的噴墨印字頭裝置的噴口板的制造方法，其特征是該基板的厚度為10～200μm。
全文摘要
一種噴墨印字頭裝置中的噴墨印字頭芯片(printhead chip)通孔的制造方法。提供噴墨印字頭芯片，其具有第一表面與相對(duì)的第二表面。然后依次進(jìn)行第一與第二處理制程，其中這兩道處理制程都是先在上述第一表面上覆蓋感光材料層。之后，進(jìn)行曝光，以定義一圖案。接著，對(duì)曝光后的感光材料層進(jìn)行顯影，以形成感光材料圖案，并以此感光材料圖案為掩膜，利用感應(yīng)耦合式等離子體或干蝕刻制程蝕刻上述噴墨印字頭芯片的第一表面，以便先形成至少一個(gè)凹處，再于凹處中形成通孔。
文檔編號(hào)B41J2/14GK1903578SQ2005100871
公開日2007年1月31日 申請(qǐng)日期2005年7月27日 優(yōu)先權(quán)日2005年7月27日
發(fā)明者李致淳, 胡瑞華 申請(qǐng)人:國(guó)際聯(lián)合科技股份有限公司