專利名稱：噴墨裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明總體上涉及微滴噴射裝置，尤其涉及噴墨裝置。
背景技術(shù)：
用于生成打印介質(zhì)的按需噴墨技術(shù)已被用在諸如打印機(jī)、繪圖儀以及傳真機(jī)的商品中。通常，這樣形成噴墨圖像，即，使裝在打印頭或打印頭組件中的多個(gè)微滴發(fā)生器噴射的墨滴選擇性地落在接收表面上。例如，打印頭組件和接收表面相對(duì)彼此移動(dòng)，而微滴發(fā)生器被控制成以適當(dāng)?shù)拇螖?shù)噴射微滴，例如通過一個(gè)合適的控制器。接收表面可為轉(zhuǎn)移表面或打印介質(zhì)，比如紙張。在轉(zhuǎn)移表面的情況下，其上打印的圖像隨后被轉(zhuǎn)移到輸出的打印介質(zhì)如紙張上。
已知的噴墨打印頭結(jié)構(gòu)采用的是連接在一塊金屬隔板上的機(jī)電換能器，且難于與機(jī)電換能器形成電連接。


圖1是按需噴墨微滴噴射裝置一實(shí)施例的示意性方框圖；圖2是可用在圖1微滴噴射裝置中的微滴發(fā)生器一實(shí)施例的示意性結(jié)構(gòu)圖；圖3是噴墨打印頭組件一實(shí)施例的示意性正視圖；圖4是圖3噴墨打印頭組件的隔膜層一實(shí)施例的示意性平面圖；圖5是圖3噴墨打印頭組件的薄膜互連電路一實(shí)施例的示意性平面圖；圖6是噴墨打印頭組件的薄膜互連電路的一實(shí)施例的一部分的示意性正視剖面圖；圖7是噴墨打印頭組件的薄膜互連電路又一實(shí)施例的一部分的示意性正視剖面圖；圖8是噴墨打印頭組件的薄膜互連電路另一實(shí)施例的一部分的示意性正視剖面圖；圖9是噴墨打印頭組件的薄膜互連電路一實(shí)施例的一部分的示意性正視剖面圖；圖10是噴墨打印頭組件的薄膜互連電路另一實(shí)施例的一部分的示意性正視剖面圖。
具體實(shí)施例方式
圖1是一按需噴墨打印裝置實(shí)施例的示意方框圖，該打印裝置包括一個(gè)控制器10和一個(gè)打印頭組件20，該打印頭組件20可以包括許多噴射微滴的微滴發(fā)生器。該控制器10通過給每個(gè)微滴發(fā)生器提供對(duì)應(yīng)的驅(qū)動(dòng)信號(hào)來選擇性地激發(fā)微滴發(fā)生器。每個(gè)微滴發(fā)生器都可以使用壓電換能器如陶瓷壓電換能器。作為其他示例，每個(gè)微滴發(fā)生器可以使用剪切振模換能器、環(huán)形收縮換能器、電致伸縮換能器、電磁換能器或磁敏限制性換能器。該打印頭組件20可以由片狀薄片或薄板堆積而成，如不銹鋼。
圖2是一個(gè)微滴發(fā)生器30的實(shí)施例的示意結(jié)構(gòu)圖，該微滴發(fā)生器30可以用在圖1中示出的打印裝置的打印頭組件20中。微滴發(fā)生器30包括一個(gè)入口通道31，該入口通道31接收來自歧管、儲(chǔ)存器或其他墨水容納結(jié)構(gòu)中的墨水33。墨水33流入一個(gè)被限定在一側(cè)的壓力室或泵室35中，例如通過一個(gè)柔軟的隔膜37。一個(gè)薄膜互連結(jié)構(gòu)38與該柔軟的隔膜相連，例如為了覆蓋在壓力室35上。一個(gè)機(jī)電換能器39與該薄膜互連結(jié)構(gòu)38連接。該機(jī)電換能器39可以是一個(gè)壓電換能器，其包括一個(gè)壓電元件41，例如被安置在電極42和43之間，電極42和43例如通過薄膜互連結(jié)構(gòu)38從控制器10接收微滴噴射和不噴射信號(hào)。電極43與控制器10共同接地，而電極42通過互連結(jié)構(gòu)38被有效驅(qū)動(dòng)來激發(fā)機(jī)電換能器41。該機(jī)電換能器39的激發(fā)使得墨水從壓力室35流到微滴形成輸出通道45，墨滴49從該輸出通道45噴向接收介質(zhì)48，它例如可以是一個(gè)轉(zhuǎn)移表面。該輸出通道45可以包括噴嘴或噴孔47。
墨水33可以被熔化或被換相成固體墨，且該機(jī)電換能器39可以是一個(gè)壓電換能器，例如，其在一種彎曲模式下操作。
圖3是噴墨打印頭組件20的一個(gè)實(shí)施例的示意性正視圖，該組件20可由許多微滴發(fā)生器30(圖2)組成，例如一排微滴發(fā)生器。噴墨打印頭組件包括一流體通道層或底層結(jié)構(gòu)131、一附著在流體通道層131上的隔膜層137、一安置在隔膜層137上的薄膜互連電路層138以及一附著在該薄膜互連電路層138上的換能器層139。流體通道層131具有微滴發(fā)生器30的流體通道和腔室，而隔膜層137具有微滴發(fā)生器30的隔膜37。薄膜互連電路層138具有互連電路38，而換能器層139具有微滴發(fā)生器30的機(jī)電換能器39。
作為示例，隔膜層137包括一塊金屬板或片材，如不銹鋼板，其被附著或粘接在流體通道層131上。該隔膜層137也可以包括電絕緣體材料如陶瓷。同樣作為示例，該流體通道層131可以包括多塊層壓的板材或片材。該換能器層139可以包括一排被切開的陶瓷換能器，該陶瓷換能器通過一種合適的粘合劑被附著或粘接在薄膜互連電路層138上。正如要在此進(jìn)一步描述的那樣，凹凸不平的觸點(diǎn)更加精確地形成在換能器層139與薄膜互連層138之間，粘合劑可包括導(dǎo)電性低的粘合劑。例如，可采用環(huán)氧、丙烯酸或酚醛粘合劑。
圖4是隔膜層137一實(shí)施例的示意性平面圖，該隔膜層137包括一個(gè)粗糙的、不平滑的接合區(qū)域137A，其例如是通過噴丸如噴砂或激光粗糙化而形成的。接合區(qū)域137A可例如具有約1-約100微英寸的平均粗糙度(Ra)。作為其他示例，接合區(qū)域137A可具有約5-約20微英寸的平均粗糙度。另外，接合區(qū)域137A可具有約50-約100微英寸的平均粗糙度。
圖5是薄膜互連電路層138的一個(gè)實(shí)施例的示意性平面圖，其包括共形(conformal)凸起的接觸點(diǎn)或接觸區(qū)域191，它們位于隔膜層137的粗糙接合區(qū)域137A(圖4)的上面，其中凸起接觸區(qū)域191頂面的粗糙度常與隔膜層137下面粗糙的接合區(qū)域137A的粗糙度保持一致。機(jī)電換能器39(圖6-10)通過一層薄的粘合劑附著在各自共形凸起的接觸點(diǎn)191上，凹凸不平的觸點(diǎn)形成在凸起的接觸區(qū)域191的頂面與機(jī)電換能器39之間。正如圖6-10中各種實(shí)施例所披露的那樣，該共形凸起的接觸區(qū)域191可以由一個(gè)薄膜結(jié)構(gòu)形成，例如，該薄膜結(jié)構(gòu)可以包括一平臺(tái)層(mesa layer)和一圖案形成導(dǎo)電層。形成共形凸起接觸區(qū)域191的薄膜疊層優(yōu)選這樣共形，即，凸起接觸區(qū)域191頂面的粗糙度通常與隔膜層137下面粗糙的接合區(qū)域137A的粗糙度保持一致。作為示例，共形凸起的接觸區(qū)域191的頂面具有約1-約100微英寸的平均粗糙度(Ra)，例如可通過將粗糙的接合區(qū)域137A構(gòu)造成具有合適的粗糙度而實(shí)現(xiàn)。作為其他示例，共形凸起的接觸區(qū)域191的頂面具有約5-約20微英寸的平均粗糙度。另外，共形凸起的接觸區(qū)域191的頂面可具有約30-約80微英寸的平均粗糙度。薄膜互連電路138能夠給各自的機(jī)電換能器39提供電連接。
圖6是薄膜互連電路層138一實(shí)施例的一部分的示意性正視剖面圖，該薄膜互連電路層138可以與一層導(dǎo)電的或不導(dǎo)電的隔膜層137一起使用。該薄膜互連電路層138包括一共形的平臺(tái)層211、共形的覆蓋介電層213以及一共形的圖案形成導(dǎo)電層215，其中，共形的平臺(tái)層211包括許多臺(tái)式晶體管，共形的覆蓋介電層213覆蓋在平臺(tái)層211和隔膜層137之上，圖案形成導(dǎo)電層215被安置在覆蓋介電層213上。覆蓋介電層用于使隔膜層137與共形的圖案形成導(dǎo)電層215電介電。平臺(tái)層211可以是不導(dǎo)電的(如介電體)或?qū)щ姷?如金屬)。臺(tái)式晶體管和共形的覆蓋介電層213上面的部分以及共形的圖案形成導(dǎo)電層215形成了凸起的接觸區(qū)域或接觸點(diǎn)191。薄膜互連電路層138還可包括一層具有開口217A的圖案形成介電層217，凸起的接觸點(diǎn)191可穿過開口217A。凸起的接觸點(diǎn)191比互連電路層138的其他層都高，并且包括互連電路層138的最高部分。這使得機(jī)電換能器39容易與每個(gè)凸起的接觸點(diǎn)191相連接。
在示意性描繪于圖6中的薄膜互連電路的實(shí)施例中，例如，共形的平臺(tái)層211可包括一層適當(dāng)?shù)匦纬闪藞D案的共形介電層或共形金屬層。共形的圖案形成導(dǎo)電層215可包括一層共形的圖案形成金屬層。
由于平臺(tái)層211、覆蓋介電層213以及圖案形成導(dǎo)電層215都是共形層，凸起接觸點(diǎn)191頂面的粗糙度通常與金屬隔膜137的接合區(qū)域137A的粗糙表面相一致。換言之，凸起接觸點(diǎn)191的頂面包括粗糙表面。機(jī)電換能器39通過一薄粘合層221與相應(yīng)的接觸點(diǎn)191相連，該薄的粘合層221足夠薄，從而讓凹凸不平的觸點(diǎn)形成在接觸點(diǎn)的頂面與機(jī)電換能器39之間。凹凸不平的觸點(diǎn)更為精確地通過接觸點(diǎn)191的高點(diǎn)形成，其穿過薄粘合層并接觸機(jī)電換能器3 9。
圖7是薄膜互連電路層138另一實(shí)施例的一部分的示意性正視剖面圖，該薄膜互連電路層138可與一層導(dǎo)電的或不導(dǎo)電的隔膜層137一起使用。該薄膜互連電路層138包括一共形的覆蓋介電層213、一共形的圖案形成導(dǎo)電層215以及一共形的導(dǎo)電平臺(tái)層211，其中，共形的圖案形成導(dǎo)電層215被安置在共形的覆蓋介電層213上，而共形的導(dǎo)電平臺(tái)層211包括許多覆蓋在圖案形成導(dǎo)電層215上的臺(tái)式晶體管。導(dǎo)電臺(tái)式晶體管和共形導(dǎo)電層215下面的部分形成凸起的接觸區(qū)域或接觸點(diǎn)191。薄膜互連電路層138還可包括一層具有開口217A的圖案形成介電層217，凸起的接觸點(diǎn)191可穿過開口217A。凸起的接觸點(diǎn)191比互連電路層138的其他層都高，并且包括互連電路層138的最高部分。這使得機(jī)電換能器39容易與每個(gè)凸起的接觸點(diǎn)191相連接。
在示意性描繪于圖7中的實(shí)施例中，共形的圖案形成平臺(tái)層211可例如包括一層合適地形成了圖案的共形金屬層，而共形的圖案形成導(dǎo)電層215還可包括一層合適地形成了圖案的共形金屬層。
由于覆蓋介電層213、圖案形成導(dǎo)電層215以及平臺(tái)層211都是共形層，凸起接觸點(diǎn)191頂面的粗糙度通常與金屬隔膜137的接合區(qū)域137A的粗糙表面相一致。機(jī)電換能器39通過一薄粘合層221與相應(yīng)的接觸點(diǎn)191相連，該薄的粘合層221足夠薄，從而讓凹凸不平的觸點(diǎn)形成在凸起接觸點(diǎn)191的頂面與機(jī)電換能器39之間。
圖8是薄膜互連電路層138另一實(shí)施例的一部分的示意性正視剖面圖，該薄膜互連電路層138可與一層導(dǎo)電的或不導(dǎo)電的隔膜層137一起使用。該薄膜互連電路層138包括一共形的覆蓋介電層213、一平臺(tái)層211以及一共形的圖案形成導(dǎo)電層215，其中，平臺(tái)層211包括許多覆蓋在共形的覆蓋介電層213上的臺(tái)式晶體管，而共形的圖案形成導(dǎo)電層215覆蓋在平臺(tái)層211的上面。平臺(tái)層211可以是不導(dǎo)電的(如介電體)或?qū)щ姷?如金屬)。臺(tái)式晶體管和共形的圖案形成導(dǎo)電層215上面的部分形成凸起的接觸區(qū)域或接觸點(diǎn)191。薄膜互連電路層138還可包括一層具有開口217A的圖案形成介電層217，凸起的接觸點(diǎn)191可穿過開口217A。凸起的接觸點(diǎn)191比薄膜互連電路層138的其他層都高，并且包括互連電路層138的最高部分。這使得機(jī)電換能器39容易與每個(gè)凸起的接觸點(diǎn)191相連接。
在示意性描繪于圖8中的實(shí)施例中，例如，共形平臺(tái)層211可包括一層合適地形成了圖案的共形介電層或共形金屬層。共形的圖案形成導(dǎo)電層215可包括一層共形的圖案形成金屬層。
由于覆蓋介電層213、平臺(tái)層211以及圖案形成導(dǎo)電層215都是共形層，凸起接觸點(diǎn)191頂面的粗糙度通常與金屬隔膜137的接合區(qū)域137A的粗糙表面相一致。機(jī)電換能器39通過一薄粘合層221與相應(yīng)的接觸點(diǎn)191相連，該薄粘合層221足夠薄，從而讓凹凸不平的觸點(diǎn)形成在凸起接觸點(diǎn)191的頂面與機(jī)電換能器39之間。
圖9是薄膜互連電路層138一實(shí)施例的一部分的示意性正視剖面圖，該薄膜互連電路層138可與一層導(dǎo)電的或不導(dǎo)電的隔膜層137一起使用。該薄膜互連電路層138包括一共形的平臺(tái)層211和一共形的圖案形成導(dǎo)電層215，其中，共形的平臺(tái)層211包括許多安置在不導(dǎo)電隔膜137的接合區(qū)域137A上的臺(tái)式晶體管，而共形的圖案形成導(dǎo)電層215覆蓋在平臺(tái)層211的上面。平臺(tái)層211可以是不導(dǎo)電的(如介電體)或?qū)щ姷?如金屬)。臺(tái)式晶體管和共形的圖案形成導(dǎo)電層215上面的部分形成凸起的接觸區(qū)域或接觸點(diǎn)191。薄膜互連電路層138還可包括一層具有開口217A的圖案形成介電層217，凸起的接觸點(diǎn)191可穿過開口217A。凸起的接觸點(diǎn)191比互連電路層138的其他層都高，并且包括互連電路層138的最高部分。這使得機(jī)電換能器39容易與每個(gè)凸起的接觸點(diǎn)191相連接。
在示意性描繪于圖9中的實(shí)施例中，共形的平臺(tái)層211可例如包括一層合適地形成了圖案的共形介電層或金屬層。共形的圖案形成導(dǎo)電層215可例如包括一層共形的圖案形成金屬層。
由于平臺(tái)層211和圖案形成導(dǎo)電層215都是共形層，凸起接觸點(diǎn)191頂面的粗糙度通常與金屬隔膜137的接合區(qū)域137A的粗糙表面相一致。機(jī)電換能器39通過一薄粘合層221與相應(yīng)的接觸點(diǎn)191相連，該薄的粘合層221足夠薄，從而讓凹凸不平的觸點(diǎn)形成在凸起接觸點(diǎn)191的頂面與機(jī)電換能器39之間。
圖10是薄膜互連電路層138另一實(shí)施例的一部分的示意性正視剖面圖，該薄膜互連電路層138可與一層導(dǎo)電的或不導(dǎo)電的隔膜層137一起使用。該薄膜互連電路層138包括一共形的圖案形成導(dǎo)電層215和一導(dǎo)電平臺(tái)層211，其中，導(dǎo)電平臺(tái)層211包括許多覆蓋在共形的圖案形成導(dǎo)電層215上的臺(tái)式晶體管。導(dǎo)電的臺(tái)式晶體管和共形的圖案形成導(dǎo)電層215下面的部分形成凸起的接觸區(qū)域或接觸點(diǎn)191。薄膜互連電路層138還可包括一層具有開口217A的圖案形成介電層217，凸起的接觸點(diǎn)191可穿過開口217A。凸起的接觸點(diǎn)191比互連電路層138的其他層都高，并且包括互連電路層138的最高部分。這使得機(jī)電換能器39容易與每個(gè)凸起的接觸點(diǎn)191相連接。
在示意性描繪于圖10中的實(shí)施例中，共形的圖案形成導(dǎo)電平臺(tái)層211可例如包括一層合適地形成了圖案的共形金屬層，而共形的圖案形成導(dǎo)電層215還可例如包括一層合適地形成了圖案的共形金屬層。
由于圖案形成導(dǎo)電層215和平臺(tái)層211都是共形層，凸起接觸點(diǎn)191頂面的粗糙度通常與金屬隔膜137的接合區(qū)域137A的粗糙表面相一致。機(jī)電換能器39通過一薄粘合層221與相應(yīng)的接觸點(diǎn)191相連，該薄的粘合層221足夠薄，從而讓凹凸不平的觸點(diǎn)形成在凸起接觸點(diǎn)191的頂面與機(jī)電換能器39之間。
薄膜互連電路層138的每一介電層可例如包括二氧化硅、氮化硅或氮氧化硅，并可具有約0.1-約5微米的厚度。更具體地說，每一介電層可具有約1-約2微米的厚度。
薄膜互連電路層138的每一導(dǎo)電層可例如包括鋁、鉻、鎳、鉭或銅，并可具有約0.1-約5微米的厚度。更具體地說，每一導(dǎo)電層可具有約1-約2微米的厚度。
正如原始公開及可作修改的那樣，權(quán)利要求包括多種變化、替換、改型、改進(jìn)、等價(jià)物以及在此披露的實(shí)施例和啟示的實(shí)質(zhì)等價(jià)物，包括那些當(dāng)前意想不到或無法理解以及例如可能由申請(qǐng)人/專利權(quán)人以及其他人提出的內(nèi)容。
權(quán)利要求
1.一種微滴噴射裝置，其包括流體通道層；安置在該流體通道層上的隔膜層；形成在該隔膜層表面上的粗糙接合區(qū)域；具有安置在該粗糙接合區(qū)域上的共形凸起的接觸區(qū)域的薄膜電路；以及借助凹凸不平的觸點(diǎn)粘接到該共形凸起的接觸區(qū)域上并電連接到該共形凸起的接觸區(qū)域上的多個(gè)機(jī)電換能器，該凹凸不平的觸點(diǎn)形成于該共形凸起的接觸區(qū)域與該機(jī)電換能器之間。
2.如權(quán)利要求1所述的微滴噴射裝置，其特征在于，粗糙接合區(qū)域的平均粗糙度為約1-約100微英寸。
3.如權(quán)利要求1所述的微滴噴射裝置，其特征在于，粗糙接合區(qū)域的平均粗糙度為約5-約20微英寸。
4.如權(quán)利要求1所述的微滴噴射裝置，其特征在于，粗糙接合區(qū)域的平均粗糙度為約30-約80微英寸。
5.如權(quán)利要求1所述的微滴噴射裝置，其特征在于，凸起接觸區(qū)域頂面的平均粗糙度為約1-約100微英寸。
6.如權(quán)利要求1所述的微滴噴射裝置，其特征在于，凸起接觸區(qū)域頂面的平均粗糙度為約5-約20微英寸。
7.如權(quán)利要求1所述的微滴噴射裝置，其特征在于，凸起接觸區(qū)域頂面的平均粗糙度為約30-約80微英寸。
8.如權(quán)利要求1所述的微滴噴射裝置，其特征在于，凸起接觸區(qū)域包括共形的介電臺(tái)式晶體管。
9.如權(quán)利要求1所述的微滴噴射裝置，其特征在于，凸起接觸區(qū)域包括共形的導(dǎo)電臺(tái)式晶體管。
10.如權(quán)利要求1所述的微滴噴射裝置，其特征在于，薄膜電路包括一共形平臺(tái)層和一覆蓋在共形平臺(tái)層上的共形圖案形成導(dǎo)電層。
11.如權(quán)利要求1所述的微滴噴射裝置，其特征在于，薄膜電路包括一共形的覆蓋介電層、一覆蓋在共形的覆蓋介電層上的共形平臺(tái)層以及一覆蓋在共形平臺(tái)層上的共形圖案形成導(dǎo)電層。
12.如權(quán)利要求1所述的微滴噴射裝置，其特征在于，薄膜電路包括一共形平臺(tái)層、一覆蓋在共形平臺(tái)層上的共形覆蓋介電層以及一覆蓋在共形覆蓋介電層上的共形圖案形成導(dǎo)電層。
13.如權(quán)利要求1所述的微滴噴射裝置，其特征在于，薄膜電路包括一共形圖案形成導(dǎo)電層和一覆蓋在共形圖案形成導(dǎo)電層上的共形導(dǎo)電平臺(tái)層。
14.如權(quán)利要求1所述的微滴噴射裝置，其特征在于，薄膜電路包括一共形覆蓋介電層、一覆蓋在共形覆蓋介電層上的共形圖案形成導(dǎo)電層以及一覆蓋在共形圖案形成導(dǎo)電層上的共形導(dǎo)電平臺(tái)層。
15.如權(quán)利要求1所述的微滴噴射裝置，其特征在于，粗糙接合區(qū)域包括噴丸處理區(qū)域。
16.如權(quán)利要求1所述的微滴噴射裝置，其特征在于，粗糙接合區(qū)域包括激光粗糙化區(qū)域。
17.如權(quán)利要求1所述的微滴噴射裝置，其特征在于，流體通道層接收熔融的固體墨。
18.如權(quán)利要求1所述的微滴噴射裝置，其特征在于，機(jī)電換能器包括壓電換能器。
19.如權(quán)利要求1所述的微滴噴射裝置，其特征在于，流體通道層包括圖案形成金屬板的疊層。
20.一種微滴噴射裝置，其包括流體通道層；連接在該流體通道層上的金屬隔膜層；形成在該金屬隔膜層表面上的粗糙接合區(qū)域；安置在該粗糙接合區(qū)域上的具有共形凸起的接觸區(qū)域的薄膜電路；其中，該共形凸起的接觸區(qū)域包括共形的臺(tái)式晶體管；以及借助凹凸不平的觸點(diǎn)粘接到該共形凸起的接觸區(qū)域上并電連接到該共形凸起的接觸區(qū)域上的多個(gè)壓電換能器，該凹凸不平的觸點(diǎn)形成于共形凸起的接觸區(qū)域與壓電換能器之間。
21.如權(quán)利要求20所述的微滴噴射裝置，其特征在于，粗糙接合區(qū)域的平均粗糙度為約1-約100微英寸。
22.如權(quán)利要求20所述的微滴噴射裝置，其特征在于，粗糙接合區(qū)域的平均粗糙度為約5-約20微英寸。
23.如權(quán)利要求20所述的微滴噴射裝置，其特征在于，粗糙接合區(qū)域的平均粗糙度為約30-約80微英寸。
24.如權(quán)利要求20所述的微滴噴射裝置，其特征在于，凸起接觸區(qū)域頂面的平均粗糙度為約1-約100微英寸。
25.如權(quán)利要求20所述的微滴噴射裝置，其特征在于，凸起接觸區(qū)域頂面的平均粗糙度為約5-約20微英寸。
26.如權(quán)利要求20所述的微滴噴射裝置，其特征在于，凸起接觸區(qū)域頂面的平均粗糙度為約30-約80微英寸。
27.如權(quán)利要求20所述的微滴噴射裝置，其特征在于，凸起接觸區(qū)域包括共形的介電臺(tái)式晶體管。
28.如權(quán)利要求20所述的微滴噴射裝置，其特征在于，凸起接觸區(qū)域包括共形的導(dǎo)電臺(tái)式晶體管。
29.如權(quán)利要求20所述的微滴噴射裝置，其特征在于，薄膜電路包括一共形的覆蓋介電層、一覆蓋在共形的覆蓋介電層上的共形平臺(tái)層以及一覆蓋在共形平臺(tái)層上的共形圖案形成導(dǎo)電層。
30.如權(quán)利要求20所述的微滴噴射裝置，其特征在于，薄膜電路包括一共形平臺(tái)層、一覆蓋在共形平臺(tái)層上的共形覆蓋介電層以及一覆蓋在共形覆蓋介電層上的共形圖案形成導(dǎo)電層。
31.如權(quán)利要求20所述的微滴噴射裝置，其特征在于，薄膜電路包括一共形覆蓋介電層、一覆蓋在共形覆蓋介電層上的共形圖案形成導(dǎo)電層以及一覆蓋在共形圖案形成導(dǎo)電層上的共形導(dǎo)電平臺(tái)層。
32.如權(quán)利要求20所述的微滴噴射裝置，其特征在于，粗糙接合區(qū)域包括噴丸處理區(qū)域。
33.如權(quán)利要求20所述的微滴噴射裝置，其特征在于，粗糙接合區(qū)域包括激光粗糙化區(qū)域。
34.如權(quán)利要求20所述的微滴噴射裝置，其特征在于，流體通道層接收熔融的固體墨。
35.如權(quán)利要求20所述的微滴噴射裝置，其特征在于，機(jī)電換能器包括壓電換能器。
36.如權(quán)利要求20所述的微滴噴射裝置，其特征在于，流體通道層包括圖案形成金屬板的疊層。
37.一種微滴發(fā)生器，包括壓力室；形成了該壓力室的一壁面的金屬隔膜，該金屬隔膜包括一粗糙接合表面；安置在該粗糙接合表面上的薄膜共形凸起接觸區(qū)域；借助凹凸不平的觸點(diǎn)粘接到共形凸起的接觸區(qū)域上并電連接到共形凸起的接觸區(qū)域上的一壓電換能器，該凹凸不平的觸點(diǎn)形成于共形凸起的接觸區(qū)域與壓電換能器之間；與該壓力室連接的輸出通道；安置在該輸出通道的一端處的微滴噴射噴嘴。
38.如權(quán)利要求37所述的微滴發(fā)生器，其特征在于，粗糙接合區(qū)域的平均粗糙度為約1-約100微英寸。
39.如權(quán)利要求37所述的微滴發(fā)生器，其特征在于，粗糙接合區(qū)域的平均粗糙度為約5-約20微英寸。
40.如權(quán)利要求37所述的微滴發(fā)生器，其特征在于，粗糙接合區(qū)域的平均粗糙度為約30-約80微英寸。
41.如權(quán)利要求37所述的微滴發(fā)生器，其特征在于，凸起接觸區(qū)域頂面的平均粗糙度為約1-約100微英寸。
42.如權(quán)利要求37所述的微滴發(fā)生器，其特征在于，凸起接觸區(qū)域頂面的平均粗糙度為約5-約20微英寸。
43.如權(quán)利要求37所述的微滴發(fā)生器，其特征在于，凸起接觸區(qū)域頂面的平均粗糙度為約30-約80微英寸。
44.如權(quán)利要求37所述的微滴發(fā)生器，其特征在于，凸起接觸區(qū)域包括共形的介電臺(tái)式晶體管。
45.如權(quán)利要求37所述的微滴發(fā)生器，其特征在于，凸起接觸區(qū)域包括共形的導(dǎo)電臺(tái)式晶體管。
46.如權(quán)利要求37所述的微滴發(fā)生器，其特征在于，凸起接觸區(qū)域包括一共形的介電層、一位于共形介電層上的共形平臺(tái)以及一位于共形平臺(tái)上的共形導(dǎo)電層。
47.如權(quán)利要求37所述的微滴發(fā)生器，其特征在于，凸起接觸區(qū)域包括一共形平臺(tái)、一位于共形平臺(tái)上的共形介電層以及一位于共形介電層上的共形導(dǎo)電層。
48.如權(quán)利要求37所述的微滴發(fā)生器，其特征在于，凸起接觸區(qū)域包括一共形介電層、一位于共形介電層上的共形導(dǎo)電層以及一位于共形導(dǎo)電層上的共形導(dǎo)電平臺(tái)。
49.如權(quán)利要求37所述的微滴發(fā)生器，其特征在于，粗糙接合區(qū)域包括噴丸處理區(qū)域。
50.如權(quán)利要求37所述的微滴發(fā)生器，其特征在于，粗糙接合區(qū)域包括激光粗糙化區(qū)域。
51.如權(quán)利要求37所述的微滴發(fā)生器，其特征在于，壓力室接收熔融的固體墨。
52.如權(quán)利要求37所述的微滴發(fā)生器，其特征在于，壓力室和輸出通道形成在圖案形成金屬板的疊層中。
53.一種制造微滴噴射裝置的方法，其包括粗糙化一隔膜層表面的區(qū)域；在該粗糙化區(qū)域上形成一具有共形凸起接觸區(qū)域的薄膜電路；使壓電換能器粘接到共形凸起的接觸區(qū)域上并在共形凸起接觸區(qū)域與壓電換能器之間形成凹凸不平的觸點(diǎn)。
54.如權(quán)利要求53所述的方法，其特征在于，粗糙化一隔膜層表面的區(qū)域包括對(duì)一隔膜層表面的區(qū)域噴丸處理。
55.如權(quán)利要求53所述的方法，其特征在于，粗糙化一隔膜層表面的區(qū)域包括對(duì)一隔膜層表面的區(qū)域進(jìn)行激光粗糙化。
全文摘要
一種微滴噴射裝置，包括一安置在流體通道層上的隔膜層、一形成在隔膜層表面上的粗糙接合區(qū)域、一安置在接合區(qū)域上的具有共形凸起的接觸區(qū)域的薄膜電路、許多粘接到共形凸起的接觸區(qū)域上并電連接到共形凸起的接觸區(qū)域上的機(jī)電換能器，凹凸不平的觸點(diǎn)形成于共形凸起的接觸區(qū)域與機(jī)電換能器之間。
文檔編號(hào)B41J2/055GK1613645SQ20041009059
公開日2005年5月11日 申請(qǐng)日期2004年11月5日 優(yōu)先權(quán)日2003年11月5日
發(fā)明者R·施馬赫藤伯格三世, J·R·安德魯斯, C·J·伯克, P·J·奈斯特倫 申請(qǐng)人:施樂公司