專利名稱：制作噴嘴片的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種制作噴嘴片(Nozzle Plate，NP)的方法，特別是涉及應(yīng)用于制作印表機(jī)墨水匣的噴嘴片(Nozzle Plate，NP)的方法。
制作印表機(jī)墨水匣的噴嘴片的過程包括許多步驟，任一步驟都可能會對噴嘴片的噴嘴孔孔徑造成控制不良，控制不良的噴嘴孔的孔徑大小當(dāng)然會降低噴嘴片的工序合格率，也會影響印表機(jī)的列印品質(zhì)。為了解現(xiàn)有技術(shù)狀況，請參閱

圖1(a)～(e)，它們是現(xiàn)有的制作噴嘴片的工序示意圖，于其中如圖1(a)所示，為了后續(xù)的電鑄(Electro-forming)工序，所以先以濺鍍(Sputter)的方式在一玻璃板10上方形成一薄鍍金屬膜層11以作為電鑄(Electro-forming)工序中陰極的玻璃板導(dǎo)電，所述薄鍍金屬膜層11可為一鉻層(Chromium Layer)或一鈦層(Titanium Layer)。
如圖1(b)所示，于所述薄鍍金屬膜層11上方形成一光阻層(PhotoresistLayer)12，并經(jīng)由曝光與顯影的黃光工序以形成光阻層(Photoresist Layer)12上的噴嘴孔圖案。
如圖1(c)所示，以濕蝕刻(Wet Etching)方式圖案化所述薄鍍金屬膜層11后，去除所述光阻層(Photoresist Layer)12。
如圖1(d)所示，將具有圖案的薄鍍金屬膜層玻璃板15置于電鑄槽陰極，利用電鑄(Electro-forming)方式形成一厚電鑄金屬膜層16于所述薄鍍金屬膜層11上方，較佳者，所述厚電鑄金屬膜層16為一鎳層(Nickel Layer)。
如圖1(e)所示，將所述厚電鑄金屬膜層16由具有圖案的薄鍍金屬膜層玻璃板15撕下，進(jìn)行一檢測步驟以判定噴嘴孔13的孔徑大小。
然而上述的現(xiàn)有技術(shù)存在以下的缺點(diǎn)圖1(d)中，將具有圖案的薄鍍金屬膜層玻璃板15置于電鑄槽陰極，利用電鑄(Electro-forming)方式形成一厚電鑄金屬膜層16于所述薄鍍金屬膜層11上方。當(dāng)然，根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)，在電鑄時，厚電鑄金屬膜層16也會橫向成長形成突出(Protrusion)14，所以噴嘴孔13的孔徑大小可由電鑄(Electro-forming)時間的長短與電流的大小所決定。然而，電鑄(Electro-forming)后的結(jié)果容易在玻璃板10邊緣形成較厚的厚電鑄金屬膜層16而向玻璃板10中心遞減，致使玻璃板10邊緣的噴嘴孔孔徑較小而玻璃板10中心的噴嘴孔孔徑較大，嚴(yán)重時，噴嘴孔13亦可能因?yàn)橄噜彽耐怀?Protrusion)14成長速度太快而堵塞住噴嘴孔13(如圖2所示)，當(dāng)然，控制不良的噴嘴孔孔徑會造成工序合格率的降低。
本發(fā)明的主要目的在于提供一種提升工序合格率的制作印表機(jī)墨水匣的噴嘴片的方法。
本發(fā)明的次要目的在于提供一種改善印表機(jī)列印品質(zhì)的制作印表機(jī)墨水匣的噴嘴片的方法。
本發(fā)明的又一目的在于提供一種可控制噴嘴孔孔徑均勻度的制作印表機(jī)墨水匣的噴嘴片的方法。
為實(shí)現(xiàn)上述目的，根據(jù)本發(fā)明一方面的制作噴嘴片的方法，它包括下列步驟(a)提供一基板；(b)形成一薄鍍金屬膜層于所述基板上方；(c)對所述薄鍍金屬膜層基板進(jìn)行一電鑄(Electro-forming)工序，以形成一厚電鑄金屬膜層于所述薄鍍金屬膜層上方；以及(d)進(jìn)行一黃光工序與一蝕刻工序以圖案化所述厚電鑄金屬膜層，從而完成所述噴嘴片的制作。
依據(jù)上述構(gòu)想，其中所述基板為一玻璃板。
依據(jù)上述構(gòu)想，其中所述步驟(b)是以濺鍍(Sputter)完成的。
依據(jù)上述構(gòu)想，其中所述薄鍍金屬膜層為一鈦層(Titanium Layer)。
依據(jù)上述構(gòu)想，其中所述薄鍍金屬膜層為一鉻層(Chromium Layer)。
依據(jù)上述構(gòu)想，其中所述步驟(c)是將所述薄鍍金屬膜層基板置于一電鑄槽的陰極，以進(jìn)行所述電鑄(Electro-forming)工序。
依據(jù)上述構(gòu)想，其中所述厚電鑄金屬膜層為一鎳層(Nickel Layer)。
依據(jù)上述構(gòu)想，其中所述鎳層(Nickel Layer)是介于30～80μm之間。
依據(jù)上述構(gòu)想，其中所述蝕刻工序?yàn)橐桓晌g刻(Dry Etching)工序。
依據(jù)上述構(gòu)想，其中所述蝕刻工序?yàn)橐粷裎g刻(Wet Etching)工序。
依據(jù)上述構(gòu)想，其中于所述步驟(d)之后還包括一步驟(e)將已圖案化的所述厚電鑄金屬膜層由所述薄鍍金屬膜層撕下，以進(jìn)行一檢測工序。
為實(shí)現(xiàn)上述目的，根據(jù)本發(fā)明另一方面的制作噴嘴片的方法，它包括下列步驟(a)提供一玻璃板；(b)以濺鍍(Sputter)方式形成一薄鍍金屬膜層于所述玻璃板上方；(c)對所述薄鍍金屬膜層基板進(jìn)行一電鑄(Electro-forming)工序，以形成一鎳層(Nickel Layer)于所述薄鍍金屬膜層上方；以及(d)進(jìn)行一黃光工序與一蝕刻工序以圖案化所述鎳層(Nickel Layer)，從而完成所述噴嘴片的制作。
依據(jù)上述構(gòu)想，其中所述薄鍍金屬膜層為一鈦層(Titanium Layer)。
依據(jù)上述構(gòu)想，其中所述薄鍍金屬膜層為一鉻層(Chromium Layer)。
依據(jù)上述構(gòu)想，其中所述步驟(c)是將所述薄鍍金屬膜層基板置于一電鑄槽的陰極，以進(jìn)行所述電鑄(Electro-forming)工序。
依據(jù)上述構(gòu)想，其中所述鎳層(Nickel Layer)是介于30～80μm之間。
依據(jù)上述構(gòu)想，其中所述蝕刻工序?yàn)橐桓晌g刻(Dry Etching)工序。
依據(jù)上述構(gòu)想，其中所述蝕刻工序?yàn)橐粷裎g刻(Wet Etching)工序。
依據(jù)上述構(gòu)想，其中于所述步驟(d)之后還包括一步驟(e)將已圖案化的所述鎳層(Nickel Layer)由所述薄鍍金屬膜層撕下，以進(jìn)行一檢測工序。
為更清楚理解本發(fā)明的目的、特點(diǎn)和優(yōu)點(diǎn)，下面將結(jié)合附圖對本發(fā)明的一較佳實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)說明。
圖1(a)至圖1(e)是現(xiàn)有的制作噴嘴片的工序示意圖；圖2是現(xiàn)有技術(shù)所制作的噴嘴孔結(jié)構(gòu)截面圖；圖3(a)至圖3(e)是本發(fā)明一較佳實(shí)施例的制作噴嘴片的工序示意圖；以及圖4是采用本發(fā)明方法所制作的噴嘴孔結(jié)構(gòu)截面圖。
如前所述，根據(jù)現(xiàn)有的制作印表機(jī)墨水匣的噴嘴片的技術(shù)，噴嘴孔孔徑控制不良且會造成工序合格率上的降低。因此本發(fā)明提供一種可控制噴嘴孔孔徑均勻度的制作噴嘴片的方法，以改善印表機(jī)列印品質(zhì)。為了解本發(fā)明發(fā)明，請參閱圖2(a)至圖2(e)，它們是本發(fā)明制作噴嘴片的工序示意圖，于其中如圖3(a)所示，為了后續(xù)的電鑄(Electro-forming)工序，所以先以濺鍍(Sputter)的方式在一玻璃板30上方形成一薄鍍金屬膜層31作為電鑄(Electro-forming)工序中陰極的玻璃板導(dǎo)電，所述薄鍍金屬膜層31可以為一鉻層(ChromiumLayer)或一鈦層(Titanium Layer)。
如圖3(b)所示，利用電鑄(Electro-forming)方式形成一厚電鑄金屬膜層32于所述薄鍍金屬膜層31上方，較佳者，所述厚電鑄金屬膜層32可以為一鎳層(NickelLayer)，所述厚電鑄金屬膜層32是介于30～80μm之間。
如圖3(c)所示，于所述厚電鑄金屬膜層32上方形成一光阻層(PhotoresistLayer)33，并經(jīng)由曝光與顯影的黃光工序以形成光阻層(Photoresist Layer)33上的噴嘴孔圖案。
如圖3(d)所示，以一濕蝕刻(Wet Etching)或一干蝕刻(Dry Etching)方式圖案化所述厚電鑄金屬膜層32后，去除所述光阻層(Photoresist Layer)33。
如圖3(e)所示，將所述厚電鑄金屬膜層32由薄鍍金屬膜層31撕下，進(jìn)行一檢測步驟以判定噴嘴孔34的孔徑大小。
本發(fā)明是借助濕蝕刻(Wet Etching)或干蝕刻(Dry Etching)方式圖案化厚電鑄金屬膜層32上以形成噴嘴孔34(如圖3(d)所示)，采用本發(fā)明制作的噴嘴孔結(jié)構(gòu)截面圖則如圖4所示，由于光阻層(Photoresist Layer)33可于進(jìn)行濕蝕刻(WetEtching)或干蝕刻(Dry Etching)時保護(hù)其正下方的厚電鑄金屬膜層32，所以雖然厚電鑄金屬膜層32有側(cè)蝕(Side Etching)現(xiàn)象產(chǎn)生，厚電鑄金屬膜層32的頂端35仍能免于被蝕刻，即使電鑄(Electro-forming)后的結(jié)果容易在玻璃板30邊緣形成較厚的厚電鑄金屬膜層32而向玻璃板10中心遞減，蝕刻所形成的噴嘴孔34仍能維持于一固定的孔徑大小d。因此本發(fā)明不僅提供一種可控制噴嘴孔孔徑均勻度的制作噴嘴片的方法，還能改善印表機(jī)列印品質(zhì)。
權(quán)利要求
1.一種制作噴嘴片的方法，其特征在于，它包括下列步驟(a)提供一基板；(b)形成一薄鍍金屬膜層于所述基板上方；(c)對所述薄鍍金屬膜層基板進(jìn)行一電鑄(Electro-forming)工序，以形成一厚電鑄金屬膜層于所述薄鍍金屬膜層上方；以及(d)進(jìn)行一黃光工序與一蝕刻工序以圖案化所述厚電鑄金屬膜層，從而完成所述噴嘴片的制作。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述基板為一玻璃板。
3.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述步驟(b)是以濺鍍(Sputter)完成的。
4.如權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，所述薄鍍金屬膜層為一鈦層(Titanium Layer)。
5.如權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，所述薄鍍金屬膜層為一鉻層(Chromium Layer)。
6.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述步驟(c)是將所述薄鍍金屬膜層基板置于一電鑄槽的陰極，以進(jìn)行所述電鑄(Electro-forming)工序。
7.如權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，所述厚電鑄金屬膜層為一鎳層(Nickel Layer)。
8.如權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，所述鎳層(Nickel Layer)是介于30～80μm之間。
9.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述蝕刻工序?yàn)橐桓晌g刻(DryEtching)工序。
10.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述蝕刻工序?yàn)橐粷裎g刻(WetEtching)工序。
11.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，于所述步驟(d)的后更包括一步驟(e)將已圖案化的所述厚電鑄金屬膜層由所述薄鍍金屬膜層撕下，以進(jìn)行一檢測工序。
12.一種制作噴嘴片的方法，其特征在于，它包括下列步驟(a)提供一玻璃板；(b)以濺鍍(Sputter)方式形成一薄鍍金屬膜層于所述玻璃板上方；(c)對所述薄鍍金屬膜層基板進(jìn)行一電鑄(Electro-forming)工序，以形成一鎳層(Nickel Layer)于所述薄鍍金屬膜層上方；以及(d)進(jìn)行一黃光工序與一蝕刻工序以圖案化所述鎳層(Nickel Layer)，從而完成所述噴嘴片的制作。
13.如權(quán)利要求12所述的方法，其特征在于，所述薄鍍金屬膜層為一鈦層(Titanium Layer)。
14.如權(quán)利要求12所述的方法，其特征在于，所述薄鍍金屬膜層為一鉻層(Chromium Layer)。
15.如權(quán)利要求12所述的方法，其特征在于，所述步驟(c)是將所述薄鍍金屬膜層基板置于一電鑄槽的陰極，以進(jìn)行所述電鑄(Electro-forming)工序。
16.如權(quán)利要求12所述的方法，其特征在于，所述鎳層(Nickel Layer)是介于30～80μm之間。
17.如權(quán)利要求12所述的方法，其特征在于，所述蝕刻工序?yàn)橐桓晌g刻(DryEtching)工序。
18.如權(quán)利要求12所述的方法，其特征在于，所述蝕刻工序?yàn)橐粷裎g刻(WetEtching)工序。
19.如權(quán)利要求12所述的方法，其特征在于，于所述步驟(d)之后還包括一步驟(e)將已圖案化的所述鎳層(Nickel Layer)由所述薄鍍金屬膜層撕下，以進(jìn)行一檢測工序。
全文摘要
本發(fā)明是關(guān)于一種制作噴嘴片的方法,它包括下列步驟:(a)提供一基板;(b)形成一薄鍍金屬膜層于所述基板上方;(c)對所述薄鍍金屬膜層基板進(jìn)行一電鑄(Electro－forming)工序,以形成一厚電鑄金屬膜層于所述薄鍍金屬膜層上方;以及(d)進(jìn)行一黃光工序與一蝕刻工序以圖案化所述厚電鑄金屬膜層,從而完成所述噴嘴片的制作。
文檔編號B41J2/16GK1371806SQ011083
公開日2002年10月2日 申請日期2001年2月28日 優(yōu)先權(quán)日2001年2月28日
發(fā)明者莫自治, 郭嘉雄, 辜垣清, 何理志 申請人:研能科技股份有限公司