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一種低密高強度無鹵阻燃復合板的制作方法

文檔序號:2449652閱讀:182來源:國知局
一種低密高強度無鹵阻燃復合板的制作方法
【專利摘要】本實用新型提供了一種環(huán)保輕質(zhì)的低密高強度無鹵阻燃復合板,包括本體,所述本體包括至少一層半固化片,所述半固化片為包覆有微米級低密度填料的樹脂。本實用新型的低密高強度無鹵阻燃復合板,顯著降低了復合材料的整體密度,具備了環(huán)境友好和阻燃性能,同時也提升了復合材料的機械強度和可靠性。
【專利說明】一種低密高強度無鹵阻燃復合板
【技術領域】
[0001]本實用新型涉及一種復合板,尤其是一種低密高強度無鹵阻燃復合板。
【背景技術】
[0002]在現(xiàn)有的環(huán)氧樹脂基復合板中,增強體主要為玻璃纖維布、玻纖氈或無紡布;無機填料主要為二氧化硅、碳酸鈣、滑石粉等;環(huán)氧樹脂為溴化型環(huán)氧樹脂。玻璃纖維布、玻纖氈以及上述無機填料的密度是環(huán)氧樹脂的2倍以上,很大程度上增加了復合材料的比重,并且隨著上述無機填料比例的增加,復合板的脆性增大,耐沖擊性能下降。溴化環(huán)氧樹脂雖然具有良好的耐燃性,但其已經(jīng)成為日常環(huán)境中到處擴散的污染物,而且在燃燒與加熱過程中會釋放有害物質(zhì),威脅到環(huán)境和人類身體健康。
[0003]電子、電工、電器等產(chǎn)品向著輕量化、高可靠性發(fā)展的速度日益加快。2006年7月I日歐盟更是實施了 WEEE和RoHS兩份指令,禁止在電子電器產(chǎn)品中使用多溴聯(lián)苯(PBB)及多溴聯(lián)苯醚(PBDE)等有害物質(zhì),標志著電子電器進入無鹵環(huán)保時代。為此,開發(fā)低密度、高強度、且環(huán)境友好型的無鹵阻燃型復合板勢在必行。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本實用新型提供了 一種環(huán)保輕質(zhì)的低密高強度無鹵阻燃復合板。
[0005]實現(xiàn)本實用新型目的的低密高強度無鹵阻燃復合板,包括本體,所述本體包括至少一層半固化片,所述半固化片為包覆有微米級低密度填料的樹脂。
[0006]所述本體的一面或雙面覆蓋銅箔層,經(jīng)疊合熱壓成型。
[0007]所述低密度填料為多孔二氧化硅或空心微珠。
[0008]本實用新型的低密高強度無鹵阻燃復合板的有益效果如下:
[0009]本實用新型的低密高強度無鹵阻燃復合板,顯著降低了復合材料的整體密度,具備了環(huán)境友好和阻燃性能,同時也提升了復合板的機械強度和可靠性。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0010]圖1為本實用新型的低密高強度無鹵阻燃復合板實施例1的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0011]圖2為本實用新型的低密高強度無鹵阻燃復合板實施例2的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0012]圖3為本實用新型的低密高強度無鹵阻燃復合板實施例3的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實施方式】
[0013]實施例1
[0014]如圖1所示,本實施例的低密高強度無鹵阻燃復合板,包括本體,所述本體包括一層半固化片1,所述半固化片I為包覆有微米級低密度填料2的樹脂,所述低密度填料2為多孔二氧化硅或空心微珠。
[0015]所述本體也可以包括多層半固化片I。[0016]實施例2
[0017]如圖2所示,本實施例的低密高強度無鹵阻燃復合板與實施例1的基本結(jié)構(gòu)和原理相同,不同的是本體的一面覆蓋有銅箔層3,經(jīng)疊合熱壓成型。
[0018]實施例3
[0019]如圖3所示,本實施例的低密高強度無鹵阻燃復合板與實施例1的基本結(jié)構(gòu)和原理相同,不同的是本體的雙面覆蓋有銅箔層3,經(jīng)疊合熱壓成型。
[0020]半固化片內(nèi)還含有增強材料,增強材料可以為玻璃纖維布,也可以為玻纖氈、無紡布等。
[0021]上面所述的實施例僅僅是對本實用新型的優(yōu)選實施方式進行描述,并非對本實用新型的范圍進行限定,在不脫離本實用新型設計精神前提下,本領域普通工程技術人員對本實用新型技術方案做出的各種變形和改進,均應落入本實用新型的權(quán)利要求書確定的保護范圍內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種低密高強度無齒阻燃復合板,其特征在于:包括本體,所述本體包括至少一層半固化片,所述半固化片為包覆有微米級低密度填料的樹脂。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低密高強度無鹵阻燃復合板,其特征在于:所述本體的一面或雙面覆蓋銅箔層,經(jīng)疊合熱壓成型。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的低密高強度無鹵阻燃復合板,其特征在于:所述低密度填料為多孔二氧化硅或空心微珠。
【文檔編號】B32B27/20GK203513548SQ201320553368
【公開日】2014年4月2日 申請日期:2013年9月7日 優(yōu)先權(quán)日:2013年9月7日
【發(fā)明者】熊文華, 楊偉明, 左朝鈞, 薛正林, 程智 申請人:廣東裕豐威禾電子科技股份有限公司
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