專利名稱：一種電磁屏蔽織物的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及屬于功能紡織品領(lǐng)域，尤其是涉及一種電磁屏蔽織物。
背景技術(shù)：
近年來，隨著科學(xué)技術(shù)和電子工業(yè)的高速發(fā)展，一種新的環(huán)境污染-電磁波干擾， 不斷引起人們的關(guān)注。電磁輻射產(chǎn)生的電磁干擾不僅影響到電子產(chǎn)品的性能實(shí)現(xiàn)，而且由此而引起的電磁污染會(huì)對(duì)人類和其它生物體造成嚴(yán)重的傷害。為防止電磁波輻射造成的干擾和泄漏，利用電磁屏蔽材料進(jìn)行電磁屏蔽是目前采用的主要方法。電磁屏蔽織物就是利用具有導(dǎo)電性能的織物對(duì)電磁輻射進(jìn)行反射、吸收和引導(dǎo)。 目前市場(chǎng)上出現(xiàn)的主要有混編織物、金屬纖維混紡織物、真空鍍金屬織物、金屬涂層織物、 硫化銅織物以及化學(xué)鍍金屬織物等，其導(dǎo)電性能高，屏蔽效能好，但都不是很理想，因?yàn)槠浯嬖诮饘倮w維或金屬鍍層易氧化，易腐蝕，耐磨性低的問題，且它們的屏蔽作用主要來自于反射損耗，其高反射性能雖然達(dá)到了較好的屏蔽效果，但反射回來的高能量又會(huì)對(duì)環(huán)境造成二次污染。近年，一種新型的本征型導(dǎo)電涂層織物因其較好的吸收電磁波的性能得到人們的關(guān)注，且該種導(dǎo)電織物具有質(zhì)輕、環(huán)境穩(wěn)定性好、導(dǎo)電率可調(diào)、透氣性好、涂層不易脫落和龜裂等優(yōu)點(diǎn)，彌補(bǔ)了金屬類屏蔽織物的缺陷。只是該種導(dǎo)電高分子聚合涂層織物的導(dǎo)電性能很難提高，要遠(yuǎn)遠(yuǎn)低于金屬導(dǎo)電織物。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型的目的就是為了克服上述現(xiàn)有技術(shù)存在的缺陷而提供一種防輻射性能更好、牢度更高、耐腐蝕性更強(qiáng)的電磁屏蔽織物。本實(shí)用新型的目的可以通過以下技術(shù)方案來實(shí)現(xiàn)一種電磁屏蔽織物，其特征在于，該電磁屏蔽織物由基底層、金屬鍍層及導(dǎo)電高分子聚合物層構(gòu)成，所述的金屬鍍層鍍?cè)O(shè)在基底層的兩側(cè)，所述的導(dǎo)電高分子聚合物層涂設(shè)在金屬鍍層的外側(cè)。所述的基底層的織物包括棉、麻、絲、滌綸、錦綸、晴綸或其混紡織物。所述的基底層的織物結(jié)構(gòu)為梭織、針織、經(jīng)編織物或無紡布。所述的金屬鍍層為銅鍍層、鎳鍍層、銀鍍層或復(fù)合金屬鍍層。所述的金屬鍍層可以通過金屬噴濺、化學(xué)鍍、電鍍方法獲得。所述的導(dǎo)電高分子層是聚吡咯、聚苯胺或聚噻吩。所述的導(dǎo)電高分子聚合物層可以通過涂層法、電化學(xué)法和原位氧化聚合法獲得。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型的基底層可以是滌綸、腈綸、錦綸、棉及其混紡織物等，中間金屬層可以是銅、銀、鎳層，外層導(dǎo)電高分子層可以是聚吡咯、聚苯胺和聚噻吩等。 這種具有五層結(jié)構(gòu)的導(dǎo)電防輻射織物可以綜合、集中利用金屬鍍層和本征型導(dǎo)電高分子涂層的各自屏蔽性能，提供防輻射性能更好、牢度更高、耐腐蝕性更強(qiáng)的產(chǎn)品。
圖1為本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖。圖中1為基底層、2為金屬鍍層、3為導(dǎo)電高分子聚合物層。
具體實(shí)施方式

以下結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行詳細(xì)說明。實(shí)施例1一種新型電磁屏蔽織物，其結(jié)構(gòu)如圖1所示，包括基底層1、兩面的金屬鍍層2及表面的導(dǎo)電高分子聚合物層3。其中基底層1為滌綸織物，其織物類型為滌塔夫210T，金屬鍍層2為銅鍍層，導(dǎo)電高分子聚合物層3為聚吡咯層。實(shí)施例2一種新型電磁屏蔽織物，包括基材、兩面的金屬涂層及表面的導(dǎo)電高分子層。所述基材為滌綸織物，其織物類型為滌塔夫^K)T，所述金屬層為銀鍍層，所述導(dǎo)電高分子層為聚
苯胺層。實(shí)施例3一種電磁屏蔽織物，該電磁屏蔽織物由基底層、金屬鍍層及導(dǎo)電高分子聚合物層構(gòu)成，金屬鍍層鍍?cè)O(shè)在基底層的兩側(cè)，導(dǎo)電高分子聚合物層涂設(shè)在金屬鍍層的外側(cè)。其中， 基底層的織物為滌綸的無紡布，金屬鍍層采用銅鍍層，通過金屬噴濺獲得，導(dǎo)電高分子層是聚吡咯層，通過電化學(xué)法獲得。實(shí)施例4一種電磁屏蔽織物，該電磁屏蔽織物由基底層、金屬鍍層及導(dǎo)電高分子聚合物層構(gòu)成，金屬鍍層鍍?cè)O(shè)在基底層的兩側(cè)，導(dǎo)電高分子聚合物層涂設(shè)在金屬鍍層的外側(cè)。其中， 基底層的織物為晴綸的針織物，金屬鍍層采用鎳鍍層，通過化學(xué)鍍方法獲得，導(dǎo)電高分子層是聚苯胺層，通過原位氧化聚合法獲得。
權(quán)利要求1.一種電磁屏蔽織物，其特征在于，該電磁屏蔽織物由基底層、金屬鍍層及導(dǎo)電高分子聚合物層構(gòu)成，所述的金屬鍍層鍍?cè)O(shè)在基底層的兩側(cè)，所述的導(dǎo)電高分子聚合物層涂設(shè)在金屬鍍層的外側(cè)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種電磁屏蔽織物，其特征在于，所述的基底層為棉、麻、絲、 滌綸、錦綸、晴綸或其混紡的梭織、針織、經(jīng)編織物層或無紡布層。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種電磁屏蔽織物，其特征在于，所述的金屬鍍層為經(jīng)噴濺、 化學(xué)鍍或電鍍方法鍍?cè)O(shè)在基底層兩側(cè)的銅鍍層、鎳鍍層、銀鍍層或復(fù)合金屬鍍層。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種電磁屏蔽織物，其特征在于，所述的導(dǎo)電高分子聚合物層為經(jīng)涂層、電化學(xué)涂設(shè)和原位氧化聚合涂設(shè)在金屬鍍層外側(cè)的聚吡咯層、聚苯胺層或聚噻吩層。
專利摘要本實(shí)用新型涉及一種電磁屏蔽織物，該電磁屏蔽織物由基底層、金屬鍍層及導(dǎo)電高分子聚合物層構(gòu)成，金屬鍍層鍍?cè)O(shè)在基底層的兩側(cè)，導(dǎo)電高分子聚合物層涂設(shè)在金屬鍍層的外側(cè)。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型為具有五層結(jié)構(gòu)的導(dǎo)電防輻射織物，可以綜合、集中利用金屬鍍層和本征型導(dǎo)電高分子涂層的各自屏蔽性能，提供防輻射性能更好、牢度更高、耐腐蝕性更強(qiáng)的產(chǎn)品。
文檔編號(hào)B32B15/14GK202163064SQ201120254568
公開日2012年3月14日 申請(qǐng)日期2011年7月19日 優(yōu)先權(quán)日2011年7月19日
發(fā)明者劉紫微, 張惠芳, 楊艷, 沈勇, 王黎明, 白林翠, 顏峰 申請(qǐng)人:上海工程技術(shù)大學(xué)